特許 7500681 液供給ユニット、これを有する基板処理装置、及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-07

(45)【発行日】2024-06-17

(54)【発明の名称】液供給ユニット、これを有する基板処理装置、及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240610BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648G

H01L21/304 643A

H01L21/304 648F

H01L21/304 648K

【請求項の数】 17

(21)【出願番号】P 2022166044

(22)【出願日】2022-10-17

(65)【公開番号】P2023062681

(43)【公開日】2023-05-08

【審査請求日】2022-10-17

(31)【優先権主張番号】10-2021-0140906

(32)【優先日】2021-10-21

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】ハ，ド ギョン

(72)【発明者】

【氏名】ユン，テ サク

(72)【発明者】

【氏名】チェ，ムン スン

(72)【発明者】

【氏名】アン，ク ヨル

(72)【発明者】

【氏名】リム，チェ ヤン

(72)【発明者】

【氏名】ジョン，ブ ヤン

【審査官】正山 旭

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－２７５９１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２３２５２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０００－２９４５３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０３５９２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／００７０１９６（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する装置において、
基板を支持する支持ユニットと、
前記支持ユニットに支持された基板上に処理液を供給する液供給ユニットと、を含み、
前記液供給ユニットは、
内部に前記処理液が貯蔵される収容空間を有するタンクと、
前記収容空間内に貯蔵された前記処理液が循環する循環ラインと、
前記収容空間に前記処理液を供給し、バルブが設置される補充ラインと、
前記循環ラインに設置され、前記処理液を加熱するヒーターと、
前記バルブを制御する制御器と、を含み、
前記制御器は、
前記収容空間に貯蔵された前記処理液の補充が必要であることと判断されれば、前記補充ラインを通じて前記処理液を前記収容空間に供給する補充動作が遂行されるように前記バルブを制御し、
前記補充動作の第１時期の間には前記処理液が単位時間当たり第１供給量で前記収容空間に供給されるように前記バルブを制御し、前記補充動作の第２時期の間には前記処理液が単位時間当たり第２供給量で前記収容空間に供給されるように前記バルブを制御し、
前記処理液の単位時間当たり第１供給量は前記第１時期の全体期間での平均供給量であり、前記処理液の単位時間当たり第２供給量は、前記第２時期の全体期間での平均供給量であり、前記第１時期は、前記第２時期より以前に行われ、
前記第１時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量は、前記第２時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量より少ない、基板処理装置。

【請求項2】

前記制御器は、
前記第１時期の間にはオン動作とオフ動作を繰り返すパルス動作を遂行するように前記バルブを制御する請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記制御器は、
前記第２時期の間にはオン動作を維持するように前記バルブを制御する請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記補充ラインは、分岐されて各々バルブと配管が提供された第１供給部材と第２供給部材に前記処理液を流動させ、
前記第１供給部材と前記第２供給部材に提供された前記バルブ又は前記配管のサイズは、互いに異なるように提供される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記第１供給部材に提供された第１バルブと第１配管のサイズは、前記第２供給部材に提供された第２バルブと第２配管のサイズより相対的に小さい請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記制御器は、
前記第１時期の間には前記第１供給部材を通じて前記処理液が前記収容空間に供給されるように前記第１バルブをオンし、前記第２バルブをオフし、
前記第２時期の間には前記第２バルブをオンするように制御する請求項５に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記バルブは、流量調節バルブに提供される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記装置は、
前記収容空間に貯蔵された前記処理液の水位を測定する測定ユニットをさらに含み、
前記制御器は、
前記測定ユニットから測定された前記収容空間に貯蔵された前記処理液の水位を検出して前記補充動作が遂行される補充区間を決定する請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記補充動作の時、前記ヒーターによって前記収容空間に貯蔵された前記処理液を継続的に加熱する請求項１乃至請求項８のいずれかの一項に記載の基板処理装置。

【請求項10】

基板上に処理液を供給する液供給ユニットにおいて、
内部に処理液が貯蔵される収容空間を有するタンクと、
前記収容空間内に貯蔵された前記処理液が循環する循環ラインと、
前記収容空間に前記処理液を供給し、バルブが設置される補充ラインと、
前記循環ラインに設置され、前記処理液を加熱するヒーターと、
前記バルブを制御する制御器と、を含み、
前記制御器は、
前記収容空間に貯蔵された前記処理液の補充が必要であることと判断されれば、前記補充ラインを通じて前記処理液を前記収容空間に供給する補充動作が遂行されるように前記バルブを制御し、
前記補充動作の第１時期の間には前記処理液が単位時間当たり第１供給量で前記収容空間に供給されるように前記バルブを制御し、前記補充動作の第２時期の間には前記処理液が単位時間当たり第２供給量で前記収容空間に供給されるように前記バルブを制御し、
前記処理液の単位時間当たり第１供給量は前記第１時期の全体期間での平均供給量であり、前記処理液の単位時間当たり第２供給量は前記第２時期の全体期間での平均供給量であり、前記第１時期は前記第２時期より以前に行われ、
前記第１時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量は、前記第２時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量より少ない、液供給ユニット。

【請求項11】

前記制御器は、
前記第１時期の間にはオン動作とオフ動作を繰り返すパルス動作を遂行し、前記第２時期の間にはオン動作を遂行するように前記バルブを制御する請求項１０に記載の液供給ユニット。

【請求項12】

前記補充ラインは、分岐されて各々バルブと配管が提供された第１供給部材と第２供給部材に前記処理液を流動させ、
前記第１供給部材に提供された第１バルブと第１配管のサイズは、前記第２供給部材に提供された第２バルブと第２配管のサイズより相対的に小さく提供される請求項１０に記載の液供給ユニット。

【請求項13】

前記制御器は、
前記第１時期の間には前記第１供給部材を通じて前記処理液が前記収容空間に供給されるように前記第１バルブをオンし、前記第２バルブをオフし、
前記第２時期の間には前記第２バルブをオンするように制御する請求項１２に記載の液供給ユニット。

【請求項14】

前記バルブは、流量調節バルブで提供される請求項１０に記載の液供給ユニット。

【請求項15】

基板を処理する方法において、
タンクの内部の収容空間に処理液を貯蔵し、前記収容空間に貯蔵された前記処理液は循環ライン上で設定温度まで加熱され、前記循環ラインの内部を流動し、前記設定温度まで加熱された前記処理液は基板上に吐出されて基板を処理し、
前記収容空間に貯蔵された前記処理液の補充が必要とする時、前記収容空間に前記処理液を供給する補充動作を遂行し、
前記補充動作の第１時期の間には単位時間当たり第１供給量で前記処理液を前記収容空間に供給し、前記第１時期の後に行われる前記補充動作の第２時期の間には単位時間当たり第２供給量で前記処理液を前記収容空間に供給し、
前記処理液の単位時間当たり第１供給量は前記第１時期の全体期間での平均供給量であり、前記処理液の単位時間当たり第２供給量は、前記第２時期の全体期間での平均供給量であり
前記第１時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量は、前記第２時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量より少ない、基板処理方法。

【請求項16】

前記第１時期の間には前記収容空間に前記処理液を供給する動作と前記処理液の供給を停止する動作を繰り返すパルス方式に前記収容空間に前記処理液を供給し、前記第２時期の間には前記収容空間に前記処理液を継続的に供給する請求項１５に記載の基板処理方法。

【請求項17】

前記処理液を前記収容空間に供給する補充ラインは、各々バルブと配管が提供された第１供給部材と第２供給部材に前記処理液を流動させ、
前記第１供給部材に提供された第１バルブと第１配管のサイズは、前記第２供給部材に提供された第２バルブと第２配管のサイズより相対的に小さく提供され、
前記第１時期の間には前記第１供給部材を通じて前記処理液を前記収容空間に供給し、前記第２時期の間には前記第２供給部材を通じて前記処理液を前記収容空間に供給する請求項１５に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は液供給ユニット及びこれを有する基板処理装置及び方法に関し、さらに詳細には基板に液を供給して基板を処理する装置及び方法、そしてこれに使用される液供給ユニットに関する。

【背景技術】

【0002】

基板の表面に残留するパーティクル、有機汚染物、又は金属汚染物等の汚染物質は半導体素子の特性と生産収率に多い影響を及ぶ。したがって、基板の表面に付着された各種の汚染物質を除去する洗浄工程は半導体製造工程で重要な意味を有する。洗浄工程は半導体を製造する各単位工程の前後段階で遂行される。洗浄工程は洗浄液を利用して基板上に残留する汚染物質を除去する洗浄液処理工程、純水を利用して基板上に残留する洗浄液を除去するリンス工程、そして有機溶剤、超臨界流体、又は窒素ガス等を利用して基板を乾燥する乾燥工程を含む。

【0003】

洗浄工程で使用される各種の処理液は一定範囲の温度が要求される。このために、処理液が流動する配管上で処理液を加熱するインラインヒーティング（Ｉｎｌｉｎｅ－ｈｅａｔｉｎｇ）技術が一般的に使用される。インラインヒーティング技術は処理液を加熱して処理液の温度が一定範囲に維持されるように循環させ、必要に応じて基板上に処理液を吐出する方式である。但し、インラインヒーティング技術は処理液を基板上に一定量吐出した後、処理液を再び補充する時、既維持された処理液の温度が急変する問題点が発生する。このような問題点は処理液の温度が設定温度に基板上に供給されず、基板に対する処理効率を低下させる問題として帰結する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】国際特許公開第ＷＯ２０１５１１９４００Ａ号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本発明の目的は基板を効率的に処理することができる液供給ユニット、これを有する基板処理装置、及び方法を提供することにある。

【0006】

また、本発明の目的は処理液を補充する時、補充される処理液によって既貯蔵された処理液の温度が急激に変化されることを最小化することができる液供給ユニット、これを有する基板処理装置、及び方法を提供することにある。

【0007】

また、本発明の目的は処理液の温度を一定範囲内に維持することができる液供給ユニット、これを有する基板処理装置、及び方法を提供することにある。

【0008】

本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は基板を支持する支持ユニット及び前記支持ユニットに支持された基板上に処理液を供給する液供給ユニットを含み、前記液供給ユニットは内部に前記処理液が貯蔵される収容空間を有するタンク、前記収容空間内に貯蔵された前記処理液が循環する循環ライン、前記収容空間に前記処理液を供給し、バルブが設置される補充ライン、前記循環ラインに設置され、前記処理液を加熱するヒーター、及び前記バルブを制御する制御器を含み、前記制御器は前記収容空間に貯蔵された前記処理液の補充が必要であることと判断されれば、前記補充ラインを通じて前記処理液を前記収容空間に供給する補充動作が遂行されるように前記バルブを制御し、前記補充動作の第１時期の間には前記処理液が単位時間当たり第１供給量で前記収容空間に供給されるように前記バルブを制御し、前記補充動作の第２時期の間には前記処理液が単位時間当たり第２供給量で前記収容空間に供給されるように前記バルブを制御し、前記処理液の単位時間当たり第１供給量は前記第１時期の全体期間での平均供給量であり、前記処理液の単位時間当たり第２供給量は前記第２時期の全体期間での平均供給量であり、前記第１時期は前記第２時期より以前に行われることができる。

【0010】

一実施形態によれば、前記第１時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量は前記第２時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量より小いことができる。

【0011】

一実施形態によれば、前記制御器は前記第１時期の間にはオン動作とオフ動作を繰り返すパルス動作を遂行するように前記バルブを制御することができる。

【0012】

一実施形態によれば、前記制御器は前記第２時期の間にはオン動作を維持するように前記バルブを制御することができる。

【0013】

一実施形態によれば、前記補充ラインは分岐されて各々バルブと配管が提供された第１供給部材と第２供給部材に前記処理液を流動させ、前記第１供給部材と前記第２供給部材に提供された前記バルブ又は前記配管のサイズは互いに異なりに提供されることができる。

【0014】

一実施形態によれば、前記第１供給部材に提供された第１バルブと第１配管のサイズは前記第２供給部材に提供された第２バルブと第２配管のサイズより相対的に小さいことができる。

【0015】

一実施形態によれば、前記制御器は前記第１時期の間には前記第１供給部材を通じて前記処理液が前記収容空間に供給されるように前記第１バルブをオンし、前記第２バルブをオフし、前記第２時期の間には前記第２バルブをオンするように制御することができる。

【0016】

一実施形態によれば、前記バルブは流量調節バルブに提供されることができる。

【0017】

一実施形態によれば、前記装置は前記収容空間に貯蔵された前記処理液の水位を測定する測定ユニットをさらに含み、前記制御器は前記測定ユニットから測定された前記収容空間に貯蔵された前記処理液の水位を検出して前記補充動作が遂行される補充区間を決定することができる。

【0018】

一実施形態によれば、前記補充動作の時前記ヒーターによって前記収容空間に貯蔵された前記処理液を継続的に加熱することができる。

【0019】

また、本発明は基板上に処理液を供給する液供給ユニットを提供する。液供給ユニットは内部に処理液が貯蔵される収容空間を有するタンク、前記収容空間内に貯蔵された前記処理液が循環する循環ライン、前記収容空間に前記処理液を供給し、バルブが設置される補充ライン、前記循環ラインに設置され、前記処理液を加熱するヒーター及び前記バルブを制御する制御器を含み、前記制御器は前記収容空間に貯蔵された前記処理液の補充が必要であることと判断されれば、前記補充ラインを通じて前記処理液を前記収容空間に供給する補充動作が遂行されるように前記バルブを制御し、前記補充動作の第１時期の間には前記処理液が単位時間当たり第１供給量で前記収容空間に供給されるように前記バルブを制御し、前記処理液の単位時間当たり第１供給量は前記第１時期の全体期間での平均供給量であり、前記処理液の単位時間当たり第２供給量は前記第２時期の全体期間での平均供給量であり、前記第１時期は前記第２時期より以前に行われることができる。

【0020】

一実施形態によれば、前記第１時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量は前記第２時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量より小いことができる。

【0021】

一実施形態によれば、前記制御器は前記第１時期の間にはオン動作とオフ動作を繰り返すパルス動作を遂行し、前記第２時期の間にはオン動作を遂行するように前記バルブを制御することができる。

【0022】

一実施形態によれば、前記補充ラインは分岐されて各々バルブと配管が提供された第１供給部材と第２供給部材に前記処理液を流動させ、前記第１供給部材に提供された第１バルブと第１配管のサイズは前記第２供給部材に提供された第２バルブと第２配管のサイズより相対的に小さく提供されることができる。

【0023】

一実施形態によれば、前記制御器は前記第１時期の間には前記第１供給部材を通じて前記処理液が前記収容空間に供給されるように前記第１バルブをオンし、前記第２バルブをオフし、前記第２時期の間には前記第２バルブをオンするように制御することができる。

【0024】

一実施形態によれば、前記バルブは流量調節バルブで提供されることができる。

【0025】

また、本発明は基板を処理する方法を提供する。基板を処理する方法はタンクの内部の収容空間に処理液を貯蔵し、前記収容空間に貯蔵された前記処理液は循環ライン上で設定温度まで加熱され前記循環ラインの内部を流動し、前記設定温度まで加熱された前記処理液は基板上に吐出されて基板を処理し、前記収容空間に貯蔵された前記処理液の補充が必要する時、前記収容空間に前記処理液を供給する補充動作を遂行し、前記補充動作の第１時期の間には単位時間当たり第１供給量で前記処理液を前記収容空間に供給し、前記第１時期の後に行われる前記補充動作の第２時期の間には単位時間当たり第２供給量で前記処理液を前記収容空間に供給し、前記処理液の単位時間当たり第１供給量は前記第１時期の全体期間での平均供給量であり、前記処理液の単位時間当たり第２供給量は前記第２時期の全体期間での平均供給量であり得る。

【0026】

一実施形態によれば、前記第１時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量は前記第２時期の間に供給される前記処理液の単位時間当たり平均供給量より小いことができる。

【0027】

一実施形態によれば、前記第１時期の間には前記収容空間に前記処理液を供給する動作と前記処理液の供給を停止する動作を繰り返すパルス方式に前記収容空間に前記処理液を供給し、前記第２時期の間には前記収容空間に前記処理液を継続的に供給することができる。

【0028】

一実施形態によれば、前記処理液を前記収容空間に供給する補充ラインは各々バルブと配管が提供された第１供給部材と第２供給部材に前記処理液を流動させ、前記第１供給部材に提供された第１バルブと第１配管のサイズは前記第２供給部材に提供された第２バルブと第２配管のサイズより相対的に小さく提供され、前記第１時期の間には前記第１供給部材を通じて前記処理液を前記収容空間に供給し、前記第２時期の間には前記第２供給部材を通じて前記処理液を前記収容空間に供給することができる。

【発明の効果】

【0029】

本発明の一実施形態によれば、基板を効率的に処理することができる。

【0030】

また、本発明の一実施形態によれば、処理液を補充する時、補充される処理液によって既貯蔵された処理液の温度が急激に変化されることを最小化することができる。

【0031】

また、本発明の一実施形態によれば、処理液の温度を一定範囲内に維持することができる。

【0032】

本発明の効果が上述した効果によって限定されることではなく、言及されない効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【0033】

【図1】本発明の基板処理装置の一実施形態を概略的に示す図面である。

【図2】図１の工程チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。

【図3】図１の液供給ユニットの一実施形態を概略的に示す図面である。

【図4】補充動作を遂行する間に図３の供給バルブのオンオフを概略的に示す図面である。

【図5】図３の液供給ユニットが第１時期にタンクに処理液を供給する形状を概略的に示す図面である。

【図6】図３の液供給ユニットが第２時期にタンクに処理液を供給する形状を概略的に示す図面である。

【図7】図１の液供給ユニットの他の実施形態を概略的に示す図面である。

【図8】補充動作を遂行する間に図７の供給バルブの流量を概略的に示す図面である。

【図9】補充動作を遂行する間に図７の供給バルブの流量を概略的に示す図面である。

【図10】図１の液供給ユニットの他の実施形態を概略的に示す図面である。

【図11】補充動作を遂行する間に図１０の第１供給部材及び第２供給部材から供給される流量を概略的に示す図面である。

【図12】図１０の液供給ユニットが第１時期にタンクに処理液を供給する形状を概略的に示す図面である。

【図13】図１０の液供給ユニットが第２時期にタンクに処理液を供給する形状を概略的に示す図面である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が下で説明する実施形態によって限定されないことと解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での構成要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたものである。

【0035】

以下、図１乃至図１３を参照して本発明の一例を詳細に説明する。本実施形態には基板上に洗浄液のような液を供給して基板を液処理する工程を例として説明する。しかし、本実施形態は洗浄工程に限定されなく、基板に液を供給して基板を処理する多様な種類の装置に適用可能である。例えば、基板処理装置に基板上にフォトレジストを塗布し、露光の後、基板を現像する工程を遂行する装置、基板に薬液を供給して基板で薄膜を除去する工程を遂行する装置等にも適用されることができる。

【0036】

図１は本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図面である。図１を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール１０（ｉｎｄｅｘ ｍｏｄｕｌｅ）と処理モジュール２０（ｔｒｅａｔｉｎｇ ｍｏｄｕｌｅ）を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下では、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１方向２とし、上部から見る時、第１方向２と垂直になる方向を第２方向４とし、第１方向２と第２方向４を全て含む平面に垂直になる方向を第３方向６として定義する。

【0037】

インデックスモジュール１０は基板Ｗが収納された容器Ｆから基板Ｗを処理する処理モジュール２０に基板Ｗを搬送する。インデックスモジュール１０は処理モジュール２０で処理が完了された基板Ｗを容器Ｆに収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２０とインデックスフレーム１４０を有する。

【0038】

ロードポート１２０には基板Ｗが収納された容器Ｆが安着される。ロードポート１２０はインデックスフレーム１４０を基準に処理モジュール２０の反対側に位置する。ロードポート１２０は複数が提供されることができ、複数のロードポート１２０は第２方向４に沿って一列に配置されることができる。ロードポート１２０の数は処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件等に応じて増加するか、又は減少することができる。

【0039】

容器Ｆには基板Ｗを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット（図示せず）が形成される。容器Ｆとしては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器Ｆはオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２０に置かれることがきる。

【0040】

インデックスフレーム１４０の内部にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はインデックスフレーム１４０内にその長さ方向が第２方向４に沿って提供される。インデックスロボット１４４は基板Ｗを搬送することができる。インデックスロボット１４４はインデックスモジュール１０、そして後述するバッファチャンバー２４０の間に基板Ｗを搬送することができる。

【0041】

インデックスロボット１４４はインデックスハンド１４４０を含むことができる。インデックスハンド１４４０には基板Ｗが置かれることができる。インデックスハンド１４４０は円周の一部が対称されるように切断された環状のリング形状を有するインデックスベース１４４２とインデックスベース１４４２を移動させるインデックス支持部１４４４を含むことができる。インデックスハンド１４４０の構成は後述する搬送ハンド２２４０の構成と同一又は類似である。インデックスハンド１４４０はインデックスレール１４２上で第２方向４に沿って移動可能に提供されることができる。したがって、インデックスハンド１４４０はインデックスレール１４２に沿って前進及び後進移動が可能である。また、インデックスハンド１４４０は第３方向６を軸とする回転、そして第３方向６に沿って移動可能に提供されることができる。

【0042】

制御器３０は基板処理装置を制御することができる。制御器３０は基板処理装置の制御を実行するマイクロプロセッサー（コンピュータ）から成されるプロセスコントローラと、オペレータが基板処理装置を管理するためにコマンド入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置の稼動状況を可視化して表示するディスプレイ等で成されるユーザインターフェイスと、基板処理装置で実行される処理をプロセスコントローラの制御によって実行するための制御プログラムや、各種データ及び処理条件に応じて各構成部に処理を実行させるためのプログラム、即ち処理レシピが格納された格納部を具備することができる。また、ユーザインターフェイス及び格納部はプロセスコントローラに接続されていることができる。処理レシピは格納部の中で記憶媒体に記憶されていることができ、記憶媒体は、ハードディスクであってもよく、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ等の可搬性ディスクや、フラッシュメモリ等の半導体メモリであってもよい。

【0043】

制御器３０は以下では説明する基板処理方法を遂行できるように基板処理装置１を制御することができる。例えば、制御器３０は以下では説明する基板処理方法を遂行できるように後述する液供給ユニット３００に提供される構成を制御することができる。

【0044】

処理モジュール２０はバッファユニット２２０、搬送チャンバー２４０、そして工程チャンバー２６０を含む。バッファユニット２２０は処理モジュール２０に搬入される基板Ｗと処理モジュール２０から搬出される基板Ｗが一時的に留まる空間を提供する。搬送チャンバー２４０はバッファユニット２２０と工程チャンバー２６０との間に、そして工程チャンバー２６０の間に基板Ｗを搬送する空間を提供する。工程チャンバー２６０は基板Ｗ上に液を供給して基板Ｗを液処理する液処理工程を遂行することができる。例えば、液処理工程は洗浄液で基板を洗浄する洗浄工程であり得る。工程チャンバー２６０内で基板に対してケミカル処理、リンス処理、そして乾燥処理が全て遂行されることができる。選択的に、基板を乾燥処理する工程チャンバー２６０は液処理を遂行する工程チャンバー２６０と別に提供されることができる。

【0045】

バッファユニット２２０はインデックスフレーム１４０と搬送チャンバー２４０との間に配置されることができる。バッファユニット２２０は搬送チャンバー２４０の一端に位置されることができる。バッファユニット２２０の内部には基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供される。スロット（図示せず）は相互間に第３方向６に沿って離隔されるように複数が提供される。バッファユニット２２０は前面（ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）と背面（ｒｅａｒ ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスモジュール１０と対向する面であり、後面は搬送チャンバー２４０と対向する面であり得る。インデックスロボット１４４は前面を通じてバッファユニット２２０に接近し、後述する搬送ロボット２４４は背面を通じてバッファユニット２２０に接近することができる。

【0046】

搬送チャンバー２４０はその長さ方向が第１方向２に提供されることができる。搬送チャンバー２４０の両側には各々の工程チャンバー２６０が配置されることができる。工程チャンバー２６０は搬送チャンバー２４０の側部に配置されることができる。工程チャンバー２６０と搬送チャンバー２４０は第２方向４に沿って配置されることができる。

【0047】

一例によれば、工程チャンバー２６０は搬送チャンバー２４０の両側に配置され、搬送チャンバー２４０の一側で工程チャンバー２６０は第１方向２及び第３方向６に沿って各々ＡＸＢ（Ａ、Ｂは各々１又は１より大きい自然数）配列に提供されることができる。ここで、Ａは第１方向２に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０の数であり、Ｂは第３方向６に沿って一列に提供された工程チャンバー２６０の数である。搬送チャンバー２４０の一側に工程チャンバー２６０が４つ又は６つ提供される場合、工程チャンバー２６０は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。工程チャンバー２６０の数は増加するか、或いは減少してもよい。上述したことと異なりに、工程チャンバー２６０は搬送チャンバー２４０の一側のみに提供されることができる。また、工程チャンバー２６０は搬送チャンバー２４０の一側及び両側に単層に提供されることができる。

【0048】

搬送チャンバー２４０はガイドレール２４２と搬送ロボット２４４を有する。ガイドレール２４２はその長さ方向が第１方向２に搬送チャンバー２４０内に提供される。搬送ロボット２４４はガイドレール２４２上で第１方向２に沿って直線移動可能に提供されることができる。搬送ロボット２４４はバッファユニット２２０と工程チャンバー２６０との間に、そして工程チャンバー２６０との間に基板Ｗを搬送する。

【0049】

搬送ロボット２４４０はベース２４４２、本体２４４４、そしてアーム２４４６を含む。ベース２４４２はガイドレール２４２に沿って第１方向２に移動可能するように設置される。本体２４４４はベース２４４２に結合される。本体２４４４はベース２４４２上で第３方向６に沿って移動移動可能するように提供される。また、本体２４４４はベース２４４２上で回転可能するように提供される。アーム２４４６は本体２４４４に結合され、これは本体２４４４に対して前進及び後進移動可能するように提供される。アーム２４４６は複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。アーム２４４６は第３方向６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。

【0050】

工程チャンバー２６０は基板Ｗに対して液処理する工程を遂行する。例えば、工程チャンバー２６０は基板Ｗに対して洗浄液を供給して洗浄工程を遂行するチャンバーであり得る。これと異なりに、工程チャンバー２６０は液体プラズマを供給して基板の上の薄膜を除去する湿式蝕刻工程を遂行するチャンバーであり得る。工程チャンバー２６０は基板Ｗを処理する工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。これと異なりに、各々の工程チャンバー２６０は互いに同一な構造を有することができる。選択的に、工程チャンバー２６０は複数のグループに区分されてグループの中でいずれか１つのグループに属する工程チャンバー２６０は洗浄工程と湿式蝕刻工程の中でいずれか１つを遂行する工程チャンバー２６０であり、グループの中で他の１つのグループに属する工程チャンバー２６０は洗浄工程と湿式蝕刻工程の中で他の１つを遂行する工程チャンバー２６０であり得る。

【0051】

以下の本発明の実施形態では工程チャンバー２６０で基板Ｗ上に処理液を供給して基板Ｗを液処理する液処理工程を遂行する場合を例として説明する。本発明の一実施形態による処理液はケミカル、リンス液、そして有機溶剤の中でいずれか１つであり得る。例えば、ケミカルは希釈された硫酸（Ｈ２ＳＯ４、Ｄｉｌｕｔｅｄ Ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ）、リン酸（Ｐ２Ｏ５）、フッ酸（ＨＦ）、そして水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）を含むことができる。例えば、リンス液は水又は脱イオン水（ＤＩＷ）を含むことができる。例えば、有機溶剤はイソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ；ＩＰＡ）のようなアルコールを含むことができる。以下では、説明の便宜のために基板Ｗに供給される処理液がケミカルである場合を例として説明する。

【0052】

図２は図１の工程チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。図２を参照すれば、工程チャンバー２６０はハウジング２６１０、処理容器２８２０、そして支持ユニット２８３０を含む。

【0053】

ハウジング２６１０は内部に空間を有する。ハウジング２６１０は大体に直方体の形状に提供される。ハウジング２６１０の一側には開口（図示せず）が形成されることができる。開口（図示せず）は基板Ｗが内部空間に搬入されるか、或いは内部空間で基板Ｗが搬出される出入口として機能する。処理容器２６２０と支持ユニット２６３０はハウジング２６１０内に配置される。

【0054】

処理容器２６２０は上部が開放された処理空間を有する。処理容器２６２０は処理空間を有するボウル（Ｂｏｗｌ）であり得る。処理容器２６２０は処理空間を囲むように提供されることができる。処理容器２６２０が有する処理空間は後述する支持ユニット２６３０が基板Ｗを支持、そして回転させる空間であり得る。処理空間は後述する液供給ユニット３００が処理液を基板Ｗ上に供給して基板Ｗが処理される空間であり得る。

【0055】

一例によれば、処理容器２６２０は案内壁２６２１と複数の回収筒２６２３、２６２５、２６２７を有することができる。各々の回収筒２６２３、２６２５、２６２７は基板処理に使用された処理液の中で互いに異なる処理液を分離回収する。回収筒２６２３、２６２５、２６２７は各々基板処理に使用された処理液を回収する回収空間を有する。案内壁２６２１と各々の回収筒２６２３、２６２５、２６２７は支持ユニット２６３０を囲む環状のリング形状に提供される。液処理工程が進行される時、基板Ｗの回転によって飛散される処理液は後述する各回収筒２６２３、２６２５、２６２７の流入口２６２３ａ、２６２５ａ、２６２７ａを通じて回収空間に流入される。各々の回収筒には互いに異なる種類の処理液が流入されることができる。

【0056】

一例によれば、処理容器２６２０は案内壁２６２１、第１回収筒２６２３、第２回収筒２６２５、そして第３回収筒２６２７を有する。案内壁２６２１は支持ユニット２６３０を囲む環状のリング形状に提供され、第１回収筒２６２３は案内壁２６２１を囲む環状のリング形状に提供される。第２回収筒２６２５は第１回収筒２６２３を囲む環状のリング形状に提供され、第３回収筒２６２７は第２回収筒２６２５を囲む環状のリング形状に提供される。第１回収筒２６２３と案内壁２６２１との間の空間は処理液が流入される第１流入口２６２３ａとして機能する。第１回収筒２６２３と第２回収筒２６２５との間の空間は処理液が流入される第２流入口２６２５ａとして機能する。第２回収筒２６２５と第３回収筒２６２７との間の空間は処理液が流入される第３流入口２６２７ａとして機能する。第２流入口２６２５ａは第１流入口２６２３ａより上部に位置され、第３流入口２６２７ａは第２流入口２６２５ａより上部に位置されることができる。

【0057】

案内壁２６２１の下端と第１回収筒２６２３との間の空間は処理液から発生されたヒューム（Ｆｕｍｅ）と気流を排出される第１排出口２６２３ｂとして機能する。第１回収筒２６２３の下端と第２回収筒２６２５との間の空間は処理液から発生されたヒュームと気流を排出される第２排出口２６２５ｂとして機能する。第２回収筒２６２５の下端と第３回収筒２６２７との間の空間は処理液から発生されたヒュームと気流を排出される第３排出口２６２７ｂとして機能する。第１排出口２６２３ｂ、第２排出口２６２５ｂ、そして第３排出口２６２７ｂから排出されたヒューム（ｆｕｍｅ）と気流は後述する排気ユニット２６６０を通じて排気される。

【0058】

各々の回収筒２６２３、２６２５、２６２７にはその底面の下方向に垂直に延長される回収ライン２６２３ｃ、２６２５ｃ、２６２７ｃが連結される。各々の回収ライン２６２３ｃ、２６２５ｃ、２６２７ｃは各々の回収筒２６２３、２６２５、２６２７を通じて流入された処理液を排出する。排出された処理液は外部の処理液再生システム（図示せず）を通じて再使用されることができる。

【0059】

支持ユニット２６３０は処理空間内で基板Ｗを支持し、回転させる。支持ユニット２６３０はスピンチャック２６３１、支持ピン２６３３、チョクピン２６３５、回転軸２６３７、そして駆動器２６３９を有することができる。

【0060】

スピンチャック２６３１は上部から見る時、大体に円形に提供される上部面を有する。スピンチャック２６３１の上部面は基板Ｗより大きい直径を有するように提供されることができる。

【0061】

支持ピン２６３３は複数に提供される。支持ピン２６３３はスピンチャック２６３１の上部面の縁部に所定の間隔に離隔されるように配置されスピンチャック２６３１から上部に突出される。支持ピン２６３３は相互間の組み合わせによって全体的に環状のリング形状を有するように配置される。支持ピン２６３３はスピンチャック２６３１の上部面から基板Ｗが一定距離離隔されるように基板Ｗの背面縁を支持する。

【0062】

チョクピン２６３５は複数に提供される。チョクピン２６３５はスピンチャック２６３１の中心で支持ピン２６３３より遠く離れるように配置される。チョクピン２６３５はスピンチャック２６３１で上部面から突出されるように提供される。チョクピン２６３５は基板Ｗが回転される時、正位置から側方向に離脱されないように基板Ｗの側部を支持する。チョクピン２６３５はスピンチャック２６３１の半径方向に沿って待機位置と支持位置との間に直線移動が可能するように提供される。待機位置は支持位置に比べてスピンチャック２６３１の中心から遠く離れた位置である。基板Ｗが支持ユニット２６３０にローディング又はアンローディングする時、チョクピン２６３５は待機位置に位置され、基板Ｗに対して工程を遂行する時、チョクピン２６３５は支持位置に位置される。支持位置でチョクピン２６３５は基板Ｗの側部と接触される。

【0063】

回転軸２６３７はスピンチャック２６３１と結合される。回転軸２６３７はスピンチャック２６３１の下面と結合することができる。回転軸２６３７は長さ方向が上下方向に向かうように提供されることができる。回転軸２６３７は駆動器２６３９から動力が伝達されて回転可能するように提供される。回転軸２６３７が駆動器２６３９によって回転することによってスピンチャック２６３１を回転させる。駆動器２６３９は回転軸２６３７の回転速度を可変することができる。駆動器２６３９は駆動力を提供するモーターであり得る。しかし、これに限定されることではなく、駆動力を提供する公知された装置で多様に変形されることができる。

【0064】

昇降ユニット２６４０はハウジング２６１０内に配置される。昇降ユニット２６４０は処理容器２６２０と支持ユニット２６３０との間の相対高さを調節する。昇降ユニット２６４０は処理容器２６２０を第３方向６に直線移動させる。

【0065】

排気ライン２６５０は処理空間に発生されたヒューム（Ｆｕｍｅ）と気体を排気する。排気ライン２６５０は基板Ｗを液処理発生されるヒュームと気体を排気する。排気ライン２６５０は処理容器２６２０の底面に結合されることができる。一実施形態として、排気ライン２６５０は支持ユニット２６３０の回転軸２６３７と処理容器２６２０の内側壁との間の空間に提供されることができる。排気ライン２６５０には減圧ユニット（図示せず）が提供される。減圧ユニットによって、基板Ｗを液処理発生されるヒュームと気体を処理空間から処理空間の外部に排気する。

【0066】

気流供給ユニット２６６０はハウジング２６１０の内部空間に気流を供給する。気流供給ユニット２６６０は内部空間に降下気流を供給することができる。気流供給ユニット２６６０はハウジング２６１０に設置されることができる。気流供給ユニット２６６０は処理容器２６２０と支持ユニット２６３０より上部に設置されることができる。気流供給ユニット２６６０を通じてハウジング２６１０の内部空間に供給された気体は内部空間で降下気流を形成する。処理空間内で処理工程によって発生された気体副産物は降下気流によって排気ライン２６５０を通じてハウジング２６１０の外部に排出される。気流供給ユニット２６６０はファンフィルターユニットで提供されることができる。

【0067】

図３は図１の液供給ユニットの一実施形態を概略的に示す図面である。図３を参照すれば、液供給ユニット３００は工程チャンバー２６０に位置した基板Ｗに液を供給することができる。液供給ユニット３００は支持ユニット２６３０に支持された基板Ｗに処理液を供給することができる。一例として、液供給ユニット３００が基板Ｗに供給する液はケミカルであり得る。

【0068】

液供給ユニット３００は補充部３２０、循環部３４０、供給部３６０、そして排出部３８０で成されることができる。補充部３２０は処理液が貯蔵され、循環される後述する循環タンク３４１０に処理液を供給する。循環部３４０は循環タンク３４１０に貯蔵された処理液を加熱し、加熱された処理液を後述する循環ライン３４３０に循環させる。供給部３６０は循環ライン３４３０を流動する処理液を基板Ｗ上に供給する。排出部３８０は循環ライン３４３０を流動する処理液を液供給ユニット３００の外部に排出することができる。

【0069】

補充部３２０は処理液供給源３２１０、補充ライン３２３０、圧力センサー３２５０、フィルター３２７０、そしてバルブ３２９０を含むことができる。処理液供給源３２１０は密閉された内部空間を形成することができる。一例として、処理液供給源３２１０は処理液が貯蔵されるタンクで提供されることができる。選択的に、処理液供給源３２１０はリザーバー（Ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）で提供されることができる。処理液供給源３２１０の内部空間には処理液が貯蔵される。処理液供給源３２１０には補充ライン３２３０が連結されることができる。

【0070】

補充ライン３２３０は処理液供給源３２１０に連結されることができる。一例として、補充ライン３２３０の一端は供給源３２１０に連結され、補充ライン３２３０の他端は後述する循環タンク３４１０に連結されることができる。補充ライン３２３０は処理液供給源３２１０から循環タンク３４１０に処理液を供給することができる。一例として、補充ライン３２３０は循環タンク３４１０の内部に形成される収容空間に処理液を供給することができる。補充ライン３２３０には圧力センサー３２５０、フィルター３２７０、そしてバルブ３２９０が設置されることができる。

【0071】

圧力センサー３２５０は補充ライン３２３０内の圧力を測定する。圧力センサー３２５０は補充ライン３２３０の内部を流動する処理液の圧力を実時間に測定する。圧力センサー３２５０によって測定された圧力値に応じて補充ライン３２３０の内部を流動する処理液の供給量を調節することができる。

【0072】

フィルター３２７０は補充ライン３２３０から供給される処理液を濾過することができる。例えば、フィルター３２７０は供給源３２１０から循環タンク３４１０に供給される処理液を濾過することができる。フィルター３２７０は処理液に含まれることができる不純物を濾過することができる。

【0073】

バルブ３２９０は補充ライン３２３０を通じて循環タンク３４１０に供給される処理液の量を調節することができる。一例として、バルブ３２９０はオンオフバルブで提供されて補充ライン３２３０を開閉することができる。バルブ３２９０の開閉によって収容空間への処理液の供給の可否が決定されることができる。一例によれば、バルブ３２９０はフィルター３２７０より補充ライン３２３０の下流に設置されることができる。但し、これに限定されることではなく、バルブ３２９０はフィルター３２７０より補充ライン３２３０の上流に設置されてもよい。

【0074】

循環部３４０は循環タンク３４１０、循環ライン３４３０、ポンプ３４５０、ヒーター３４７０、そして循環バルブ３４９０を含むことができる。循環タンク３４１０は内部に処理液が貯蔵される収容空間を有する。循環タンク３４１０は密閉された収容空間を有することができる。循環タンク３４１０の収容空間には処理液が貯蔵される。一例として、循環タンク３４１０の収容空間には供給源３２１０から供給された処理液が貯蔵されることができる。循環タンク３４１０に貯蔵された処理液は後述するヒーター３４７０によって設定温度に加熱された処理液が貯蔵される。循環タンク３４１０には測定ユニット３４２０が設置されることができる。

【0075】

測定ユニット３４２０は循環タンク３４１０の収容空間に貯蔵された処理液の水位を測定することができる。一例として、測定ユニット３４２０は収容空間に収容された処理液の液面の高さを検出するために受光部と発光部で構成された一対の光センサーで提供されることができる。

【0076】

一実施形態において、測定ユニット３４２０は第１水位センサーＬＬ、第２水位センサーＬ、第３水位センサーＭ、第１補充水位センサーＭＲ－Ｌ、第２補充水位センサーＭＲ－Ｈ、第４水位センサーＨ、そして限界水位センサーＨＨを含むことができる。第１水位センサーＬＬ、第２水位センサーＬ、第３水位センサーＭ、第１補充水位センサーＭＲ－Ｌ、第２補充水位センサーＭＲ－Ｈ、第４水位センサーＨ、そして限界水位センサーＨＨは収容空間の底面から上方向に向かって順次的に配置されることができる。上述した本発明の一実施形態による測定ユニット３４２０が６対で提供される場合を例として説明したが、これに限定されることではない。本発明の実施形態による測定ユニット３４２０の数及び設置位置は工程の要求条件に応じて多様に変形されて提供されることができる。

【0077】

第１補充水位センサーＭＲ－Ｌと第２補充水位センサーＭＲ－Ｈが互いに組み合わせて後述する補充動作を遂行する補充区間ＭＲを形成することができる。一例として、収容空間に貯蔵された処理液の水位が補充区間ＭＲに位置する場合、収容空間に処理液を供給することができる。これと異なりに、収容空間に貯蔵された処理液の水位が第２補充水位センサーＭＲ－Ｈの高さより下に位置した場合、収容空間に処理液を供給する補充動作が遂行されることができる。補充動作に対する詳細な説明は後述する。

【0078】

循環ライン３４３０は循環タンク３４１０に連結されることができる。例えば、循環ライン３４３０の一端は循環タンク３４１０の下端に連結され、循環ライン３４３０の他端は循環タンク３４１０の上端に連結されることができる。循環ライン３４３０は循環タンク３４１０の収容空間に貯蔵された処理液を循環させる。循環ライン３４３０には後述するヒーター３４７０によって設定温度に加熱された処理液が流動することができる。循環ライン３４３０にはポンプ３４５０、ヒーター３４７０、そして循環バルブ３４９０が設置されることができる。

【0079】

ポンプ３４５０は循環ライン３４３０内の処理液が循環ライン３４３０を通じて循環されるように圧力を印加する。ポンプ３４５０は循環ライン３４３０の一端から他端に処理液が循環されるように流動圧を提供する。一実施形態によれば、ポンプ３４５０はインペラータイプのポンプで提供されることができる。但し、これに限定されななく、循環ライン３４３０内の処理液を循環させる圧力を提供するベローズ方式のポンプで提供されてもよい。上述した実施形態と異なりに、本発明の一実施形態によるポンプ３４５０は流動圧を提供することができる公知された様々なポンプで提供されることができる。

【0080】

ヒーター３４７０は循環ライン３４３０に設置される。ヒーター３４７０は循環ライン３４３０の上流に設置されることができる。ヒーター３４７０は循環ライン３４３０の内部を流動する処理液を加熱する。ヒーター３４７０は処理液を設定温度に加熱することができる。ヒーター３４７０は少なくとも１つ以上提供されることができる。ヒーター３４７０は循環タンク３４１０、そして循環ライン３４３０を流動する処理液の温度が設定温度に維持されるように処理液を加熱する。一例として、ヒーター３４７０は後述する補充区間で収容空間に供給される処理液が循環ライン３４３０を経りながら、設定温度まで加熱されるように継続的に処理液を加熱することができる。

【0081】

循環バルブ３４９０は循環ライン３４３０に設置される。例えば、循環バルブ３４９０は循環ライン３４３０を開閉するオンオフバルブで提供されることができる。循環バルブ３４９０は循環ライン３４３０内に処理液が循環されるように循環ライン３４３０を開放することができる。循環バルブ３４９０は循環ライン３４３０内に処理液が循環されないように循環ライン３４３０を閉鎖することができる。

【0082】

供給部３６０は分岐ライン３６１０、分岐バルブ３６３０、そして供給ノズル３６５０を含むことができる。分岐ライン３６１０は循環ライン３４３０で分岐されることができる。例えば、分岐ライン３６１０の一端は循環ライン３４３０で分岐され、分岐ライン３６１０の他端は供給ノズル３６５０に連結されることができる。分岐ライン３６１０には設定温度に加熱された処理液が流動することができる。

【0083】

分岐バルブ３６３０は分岐ライン３６１０に設置されることができる。分岐バルブ３６３０は分岐ライン３６１０を開閉するオンオフバルブで提供されることができる。分岐バルブ３６３０は分岐ライン３６１０を開放して供給ノズル３６５０を通じて基板Ｗに処理液を供給することができる。分岐バルブ３６３０は分岐ライン３６１０を閉鎖して基板Ｗに処理液の供給を中止することができる。

【0084】

供給ノズル３６５０は処理液を基板Ｗに供給することができる。一例として、供給ノズル３６５０は基板Ｗに設定温度まで加熱されたケミカルを供給することができる。供給ノズル３６５０は駆動器（図示せず）によって移動されることができる。

【0085】

以下では本発明の一実施形態による基板処理方法に対して詳細に説明する。以下では説明する基板処理方法は上述した液供給ユニット３００が遂行することができる。また、上述した制御器３０は以下では説明する基板処理方法を液供給ユニット３００が遂行できるように液供給ユニット３００が有する構成を制御することができる。例えば、制御器３０は以下では説明する基板処理方法を液供給ユニット３００が有する構成が遂行できるようにバルブ３２９０、測定ユニット３４２０、そしてヒーター３４７０の中で少なくともいずれか１つを制御する制御信号を発生させることができる。

【0086】

以下では、説明の便宜のために、収容空間に満たされた処理液の水位が第４水位センサーＨの高さより高く位置する場合、Ｈ区間と定義する。また、収容空間に貯蔵された処理液の水位が第２補充水位センサーＭＲ－Ｈの高さより低く位置する場合これを補充区間ＭＲと定義する。一例によれば、収容空間に貯蔵された処理液の水位が第２補充水位センサーＭＲ－Ｈの高さと第１補充水位センサーＭＲ－Ｌの高さとの間に位置する場合、収容空間に処理液を供給する補充区間ＭＲと判断することができる。

【0087】

Ｈ区間では収容空間に処理液の補充が中止されるか、或いは収容空間に補充される処理液の量が補充区間ＭＲに比べて相対的に最小化される区間であり得る。補充区間ＭＲでは収容空間に処理液が供給される区間であり得る。補充区間ＭＲでは収容空間に処理液を供給する補充動作が遂行されることができる。補充動作は第１時期と第２時期に区分されることができる。

【0088】

第１時期は収容空間に処理液を供給する初期であり得る。例えば、第１時期は収容空間に処理液を最初に補充する時期から既設定時間までの時期であり得る。

【0089】

第２時期は第１時期の後に行われることができる。第２時期は第１時期の既設定された時間から収容空間に貯蔵された処理液の水位が第２補充水位センサーＭＲ－Ｈの高さより高く位置するようになった時間までの時期であり得る。一例として、第２時期は第１時期の既設定された時間から収容空間に貯蔵された処理液の水位が第４水位センサーＨの高さと対応される高さに位置される時までの時期であり得る。

【0090】

第１時期は緩衝時期として機能することができる。第１時期は収容空間内に貯蔵された処理液の温度が急激に変化しないように収容空間に供給する処理液の量が第２時期より相対的に小いことができる。一例として、第１時期の間に収容空間に供給される単位時間当たり処理液は第１供給量であり得る。第１供給量は第１時期全体期間での収容空間に供給される処理液の平均供給量を意味することができる。第２時期の間に収容空間に供給される単位時間当たり処理液は第２供給量であり得る。第２供給量は第２時期全体期間での収容空間に供給される処理液の平均供給量を意味することができる。第１時期の間に収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量は第２時期の間に収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量より小いことができる。

【0091】

図４は補充動作を遂行する間に図３の供給バルブのオンオフを概略的に示す図面である。図５は図３の液供給ユニットが第１時期にタンクに処理液を供給する形状を概略的に示す図面である。図６は図３の液供給ユニットが第２時期にタンクに処理液を供給する形状を概略的に示す図面である。

【0092】

図４乃至図６を参照すれば、処理液供給源３２１０から補充ライン３２３０を経て循環タンク３４１０の内部の収容空間に処理液を供給する。循環タンク３４１０の内部の収容空間に貯蔵された処理液は循環ライン３４３０を通じて循環される。循環ライン３４３０を循環する処理液はヒーター３４７０によって設定温度まで加熱される。設定温度まで加熱された処理液は分岐ライン３６１０を経て供給ノズル３６５０を通じて基板Ｗ上に吐出される。

【0093】

処理液を基板Ｗ上に吐出する工程を繰り返す場合、循環タンク３４１０の内部の収容空間に貯蔵された処理液の量が減少することができる。循環タンク３４１０の収容空間に貯蔵された処理液が補充区間ＭＲに位置した場合、収容空間に処理液を供給する補充動作が遂行されることができる。

【0094】

一例によれば、収容空間に貯蔵された処理液の水位が第２補充水位センサーＭＲ－Ｈの高さと第１補充水位センサーＭＲ－Ｌの高さとの間に位置する場合、収容空間に処理液を供給する補充区間ＭＲと判断することができる。収容空間に貯蔵された処理液が補充区間ＭＲに位置する場合、補充動作が遂行されることができる。

【0095】

図４を参照すれば、収容空間に満たされた処理液の水位がＨ区間から補充区間ＭＲに低くなった場合、補充動作を遂行することができる。補充動作はバルブ３２９０の開放又は閉鎖によって遂行されることができる。補充動作は第１時期と第２時期に区分されることができる。バルブ３２９０は補充動作の第１時期の間にオン動作とオフ動作を繰り返すパルス動作を遂行することができる。バルブ３２９０は補充動作の第２時期の間にオン動作を遂行することができる。一例として、バルブ３２９０は補充区間ＭＲを抜け出すＨ区間まで収容空間の処理液の水位が高くなる場合、オフ動作を遂行することができる。但し、これに限定されることではなく、収容空間の処理液の水位がＨＨ区間まで満たされる時までバルブ３２９０がオン動作を遂行することができる。

【0096】

図５を参照すれば、補充動作の第１時期の間にはバルブ３２９０が一定時間間隔にオン動作とオフ動作を反復遂行することができる。即ち、補充動作の第１時期の間にはバルブ３２９０がパルス動作を遂行することができる。補充動作の第１時期の間には収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量を第２時期より相対的に低く形成することができる。図６を参照すれば、補充動作の第２時期の間にはバルブ３２９０がオン動作を遂行することができる。補充動作の第２時期の間には収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量は第１時期より相対的に高く形成することができる。

【0097】

上述した本発明の一実施形態によれば、処理液供給源３２１０から供給される処理液の温度が設定温度と異なっも、循環タンク３４１０の内部に既貯蔵された処理液の温度を設定温度範囲内に維持することができる。即ち、循環タンク３４１０の内部は設定温度に維持された処理液が貯蔵されてあるので、循環タンク３４１０の内部に補充される処理液の温度が設定温度から外れた場合、循環タンク３４１０の内部に既貯蔵された処理液の温度が急激に変化されることができる。本発明の一実施形態によれば、循環タンク３４１０の内部の収容空間に初期に供給される処理液の量を最小化して循環タンク３４１０の内部に既貯蔵された処理液の温度が急変しないように温度緩衝区間を形成することができる。

【0098】

また、補充動作の第１時期に供給される単位時間当たり平均供給量をバルブ３２９０のパルス動作に調節することによって、循環タンク３４１０に既貯蔵された処理液の温度を設定温度範囲内に維持することができる。したがって、循環ライン３４３０を流動する処理液がヒーター３４７０で設定温度まで予熱される時間を短縮することができる。また、設定温度範囲内に処理液の温度を一定に維持することによって、効率的な基板Ｗに対する液処理を遂行することができる。

【0099】

以下では説明する本発明の一実施形態による液供給ユニットは前述した一実施形態による液供給ユニットに対する説明の中で補充部３２０をを除き、ほとんど大部分類似に提供される。したがって、内容の重複を防止するために重複される構成に対しては説明を省略する。

【0100】

図７は図１の液供給ユニットの他の実施形態を概略的に示す図面である。図７を参照すれば、補充部３２０は処理液供給源３２１０、補充ライン３２３０、圧力センサー３２５０、フィルター３２７０、そしてバルブ３２９０を含むことができる。処理液供給源３２１０は密閉された内部空間を形成することができる。一例として、処理液供給源３２１０は処理液が貯蔵されるタンクで提供されることができる。選択的に、処理液供給源３２１０はリザーバー（Ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）で提供されることができる。処理液供給源３２１０の内部空間には処理液が貯蔵される。処理液供給源３２１０には補充ライン３２３０が連結されることができる。

【0101】

補充ライン３２３０は処理液供給源３２１０に連結されることができる。一例として、補充ライン３２３０の一端は供給源３２１０に連結され、補充ライン３２３０の他端は後述する循環タンク３４１０に連結されることができる。補充ライン３２３０は処理液供給源３２１０から循環タンク３４１０に処理液を供給することができる。一例として、補充ライン３２３０は循環タンク３４１０の内部に形成される収容空間に処理液を供給することができる。補充ライン３２３０には圧力センサー３２５０、フィルター３２７０、そしてバルブ３２９０が設置されることができる。

【0102】

圧力センサー３２５０は補充ライン３２３０内の圧力を測定する。圧力センサー３２５０は補充ライン３２３０の内部を流動する処理液の圧力を実時間に測定する。圧力センサー３２５０によって測定された圧力値に応じて補充ライン３２３０の内部を流動する処理液の供給量を調節することができる。

【0103】

フィルター３２７０は補充ライン３２３０から供給される処理液を濾過することができる。例えば、フィルター３２７０は供給源３２１０から循環タンク３４１０に供給される処理液を濾過することができる。フィルター３２７０は処理液に含まれることができる不純物を濾過することができる。

【0104】

バルブ３２９０は補充ライン３２３０を通じて循環タンク３４１０に供給される処理液の量を調節することができる。バルブ３２９０は流量調節バルブで提供されることができる。一例として、バルブ３２９０は電空レギュレータ基盤の静圧バルブで提供されることができる。電空レギュレータは静圧バルブの圧力を調節するために空圧を調節することができる。但し、これに限定されることではなく、本発明の一実施形態によるバルブ３２９０は補充ライン３２３０を流動する処理液の流量を調節することができる公知された様々なバルブで提供されることができる。

【0105】

図８及び図９は補充動作を遂行する間に図７の供給バルブの流量を概略的に示す図面である。図８と図９を参照して本発明の一実施形態による基板処理方法に対して詳細に説明する。

【0106】

図８及び図９を参照すれば、処理液供給源３２１０から補充ライン３２３０を経て循環タンク３４１０の内部の収容空間に処理液を供給する。循環タンク３４１０の内部の収容空間に貯蔵された処理液は循環ライン３４３０を通じて循環される。循環ライン３４３０を循環する処理液はヒーター３４７０によって設定温度まで加熱される。設定温度まで加熱された処理液は分岐ライン３６１０を経て供給ノズル３６５０を通じて基板Ｗ上に吐出される。

【0107】

処理液を基板Ｗ上に吐出する工程を繰り返す場合、循環タンク３４１０の内部の収容空間に貯蔵された処理液の量が減少することができる。循環タンク３４１０の収容空間に貯蔵された処理液が補充区間ＭＲに位置した場合、収容空間に処理液を供給する補充動作が遂行されることができる。

【0108】

一例によれば、収容空間に貯蔵された処理液の水位が第２補充水位センサーＭＲ－Ｈの高さと第１補充水位センサーＭＲ－Ｌの高さとの間に位置する場合、収容空間に処理液を供給する補充区間ＭＲと判断することができる。収容空間に貯蔵された処理液が補充区間ＭＲに位置する場合、補充動作が遂行されることができる。

【0109】

収容空間に満たされた処理液の水位がＨ区間から補充区間ＭＲに低くなった場合、補充動作を遂行することができる。補充動作は第１時期と第２時期に区分されることができる。バルブ３２９０は補充動作の第１時期の間に図８のように第１流量に収容空間に処理液を供給することができる。バルブ３２９０は補充動作の第２時期の間に第１流量より単位時間当たり平均供給量が大きい第２流量に収容空間に処理液を供給することができる。即ち、バルブ３２９０は第１時期と第２時期に収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均流量を異なりに調節することができる。

【0110】

上述した例と異なりに、図９のようにバルブ３２９０は補充動作の第１時期で第２時期に行くほど、収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量を増加させることができる。一例として、補充動作の第１時期から第２時期に時間が経過するほど、収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均流量を漸進的に増加させることができる。

【0111】

バルブ３２９０は補充区間ＭＲを抜け出すＨ区間まで収容空間の処理液の水位が高くなる場合、収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量は第１時期に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量より低くすることができる。選択的に、バルブ３２９０は補充区間ＭＲを抜け出すＨ区間まで収容空間の処理液の水位が高くなる場合、収容空間に供給される処理液が中止されるようにバルブ３２９０は補充ライン３２３０を閉鎖することもできる。また、上述した例に限定されることではなく、収容空間の処理液の水位がＨＨ区間に至るまで上述した動作を遂行することもできる。

【0112】

上述した本発明の実施形態によれば、処理液供給源３２１０から供給される処理液の温度が設定温度と異なっも、循環タンク３４１０の内部に既貯蔵された処理液の温度を設定温度範囲内に維持することができる。即ち、循環タンク３４１０の内部は設定温度に維持された処理液が貯蔵されてあるので、循環タンク３４１０の内部に補充される処理液の温度が設定温度から外れた場合、循環タンク３４１０の内部に既貯蔵された処理液の温度が急激に変化されることができる。本発明の一実施形態によれば、循環タンク３４１０の内部の収容空間に初期に供給される処理液の量を最小化して循環タンク３４１０の内部に既貯蔵された処理液の温度が急変しないように温度緩衝区間を形成することができる。

【0113】

また、補充動作の第１時期に収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量を第２時期に収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量より低くバルブ３２９０の流量を調節することによって、循環タンク３４１０に既貯蔵された処理液の温度を設定温度範囲内に維持することができる。したがって、循環ライン３４３０を流動する処理液がヒーター３４７０で設定温度まで予熱される時間を短縮することができる。また、設定温度範囲内に処理液の温度を一定に維持することによって、効率的な基板Ｗに対する液処理を遂行することができる。

【0114】

以下では説明する本発明の一実施形態による液供給ユニットは前述した一実施形態による液供給ユニットに対する説明の中で補充部３２０をを除器、ほとんど分類似に提供される。したがって、内容の重複を防止するために重複される構成に対しては説明を省略する。

【0115】

図１０は図１の液供給ユニットの他の実施形態を概略的に示す図面である。図１０を参照すれば、補充部３２０は処理液供給源３２１０、補充ライン３２３０、圧力センサー３２５０、そしてフィルター３２７０を含むことができる。処理液供給源３２１０は密閉された内部空間を形成することができる。一例として、処理液供給源３２１０は処理液が貯蔵されるタンクで提供されることができる。選択的に、処理液供給源３２１０はリザーバー（Ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）で提供されることができる。処理液供給源３２１０の内部空間には処理液が貯蔵される。処理液供給源３２１０には補充ライン３２３０が連結されることができる。

【0116】

補充ライン３２３０は処理液供給源３２１０と循環タンク３４１０を互いに連結することができる。補充ライン３２３０の一端は処理液供給源３２１０と連結されることができる。補充ライン３２３０の他端は分岐されることができる。補充ライン３２３０の他端は第１配管３２３１と第２配管３２３５に分岐されることができる。

【0117】

第１配管３２３１の一端は補充ライン３２３０と連結され、第１配管３２３１の他端は循環タンク３４１０と連結されることができる。第１配管３２３１は第１直径を有することができる。第１配管３２３１には第１バルブ３２３３が設置されることができる。第１バルブ３２３３はオンオフバルブで提供されることができる。但し、これに限定されることではなく、第１バルブ３２３３は流量調節バルブで提供されることもできる。第１バルブ３２３３の内部で処理液が流動する第１バルブ３２３３の直径は第３直径に提供されることができる。第１バルブ３２３３の流量係数は第１流量係数を有することができる。第１配管３２３１と第１バルブ３２３３は第１供給部材を構成することができる。処理液供給源３２１０から補充ライン３２３０、そして第１供給部材を経て循環タンク３４１０の内部の収容空間に処理液が供給されることができる。

【0118】

第２配管３２３５の一端は補充ライン３２３０と連結され、第２配管３２３５の他端は循環タンク３４１０と連結されることができる。第２配管３２３５は第１配管３２３１の第１直径より大きい第２直径を有することができる。第２配管３２３５には第２バルブ３２３７が設置されることができる。第２バルブ３２３７はオンオフバルブで提供されることができる。但し、これに限定されることではなく、第２バルブ３２３７は流量調節バルブで提供されることもできる。第２バルブ３２３７の内部で処理液が流動する第２バルブ３２３７の直径は第１バルブ３２３１の第３直径より大きい第４直径で提供されることができる。第２バルブ３２３７は第１バルブ３２３３が有する第１流量係数より大きい第２流量係数を有することができる。第２配管３２３５と第２バルブ３２３７は第２供給部材を構成することができる。処理液供給源３２１０から補充ライン３２３０、そして第２供給部材を経て循環タンク３４１０の内部の収容空間に処理液が供給されることができる。

【0119】

圧力センサー３２５０は補充ライン３２３０に設置されることができる。圧力センサー３２５０は補充ライン３２３０内の圧力を測定する。圧力センサー３２５０は補充ライン３２３０の内部を流動する処理液の圧力を実時間に測定する。圧力センサー３２５０によって測定された圧力値に応じて補充ライン３２３０の内部を流動する処理液の供給量を調節することができる。

【0120】

フィルター３２７０は補充ライン３２３０に設置されることができる。フィルター３２７０は補充ライン３２３０から供給される処理液を濾過することができる。例えば、フィルター３２７０は供給源３２１０から循環タンク３４１０に供給される処理液を濾過することができる。フィルター３２７０は処理液に含まれることができる不純物を濾過することができる。

【0121】

図１１は補充動作を遂行する間に図１０の第１供給部材及び第２供給部材から供給される流量を概略的に示す図面である。図１２は図１０の液供給ユニットが第１時期にタンクに処理液を供給する形状を概略的に示す図面である。図１３は図１０の液供給ユニットが第２時期にタンクに処理液を供給する形状を概略的に示す図面である。図１１乃至図１３を参照して本発明の一実施形態による基板処理方法に対して詳細に説明する。

【0122】

図１１乃至図１３を参照すれば、処理液供給源３２１０から補充ライン３２３０を経て循環タンク３４１０の内部の収容空間に処理液を供給する。一例として、処理液供給源３２１０から補充ライン３２３０で分岐された第１配管３２３１又は／及び第２配管３２３５を経て循環タンク３４１０の内部の収容空間に処理液を供給する。循環タンク３４１０の内部の収容空間に貯蔵された処理液は循環ライン３４３０を通じて循環される。循環ライン３４３０を循環する処理液はヒーター３４７０によって設定温度まで加熱される。設定温度まで加熱された処理液は分岐ライン３６１０を経て供給ノズル３６５０を通じて基板Ｗ上に吐出される。

【0123】

処理液を基板Ｗ上に吐出する工程を繰り返す場合、循環タンク３４１０の内部の収容空間に貯蔵された処理液の量が減少することができる。循環タンク３４１０の収容空間に貯蔵された処理液が補充区間ＭＲに位置した場合、収容空間に処理液を供給する補充動作が遂行されることができる。

【0124】

一例によれば、収容空間に貯蔵された処理液の水位が第２補充水位センサーＭＲ－Ｈの高さと第１補充水位センサーＭＲ－Ｌの高さとの間に位置する場合、収容空間に処理液を供給する補充区間ＭＲと判断することができる。収容空間に貯蔵された処理液が補充区間ＭＲに位置する場合、補充動作が遂行されることができる。

【0125】

収容空間に満たされた処理液の水位がＨ区間から補充区間ＭＲに低くなった場合、補充動作を遂行することができる。補充動作は第１時期と第２時期に区分されることができる。図１１のように、補充動作の第１時期には第１バルブ３２３３は開放され、第２バルブ３２３７は閉鎖されることができる。したがって、第１時期には第１配管３２３１を通じて収容空間に処理液を供給する。第１時期には第１バルブ３２３３で収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量は第１流量であり得る。

【0126】

補充動作の第２時期には第１バルブ３２３３を閉鎖し、第２バルブ３２３７を開放することができる。したがって、第２時期には第２配管３２３５を経て収容空間に処理液が流動することができる。第２時期には第２バルブ３２３７で収容空間に供給される処理液の単位時間当たり平均供給量は第１流量より高い第２流量であり得る。

【0127】

上述した本発明の実施形態によれば、処理液供給源３２１０から供給される処理液の温度が設定温度と異なっも、循環タンク３４１０の内部に既貯蔵された処理液の温度を設定温度範囲内に維持することができる。即ち、循環タンク３４１０の内部は設定温度に維持された処理液が貯蔵されてあるので、循環タンク３４１０の内部に補充される処理液の温度が設定温度から外れた場合、循環タンク３４１０の内部に既貯蔵された処理液の温度が急激に変化されることができる。本発明の一実施形態によれば、循環タンク３４１０の内部の収容空間に初期に供給される処理液の量を最小化して循環タンク３４１０の内部に既貯蔵された処理液の温度が急変しないように温度緩衝区間を形成することができる。

【0128】

したがって、循環タンク３４１０に既貯蔵された処理液の温度を設定温度範囲内に維持することができる。循環ライン３４３０を流動する処理液がヒーター３４７０で設定温度まで予熱される時間を短縮することができる。また、設定温度範囲内に処理液の温度を一定に維持することによって、効率的な基板Ｗに対する液処理を遂行することができる。

【0129】

上述した本発明の実施形態において、説明の便宜のために第１バルブ３２３３と第２バルブ３２３７がオンオフバルブで提供される場合を例として説明した。但し、これに限定されることではなく、第１バルブ３２３３と第２バルブ３２３７が流量制御バルブで提供されて第１時期に第１バルブ３２３３を通じて収容空間に供給される処理液の流量が第２時期に第２バルブ３２３７を通じて収容空間に供給される処理液の流量より低く形成して温度緩衝区間形成することができる。

【0130】

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。

【符号の説明】

【0131】

１０ インデックスモジュール
２０ 処理モジュール
３０ 制御器
２６０ 工程チャンバー
３００ 液供給ユニット
３２０ 補充部
３４０ 循環部
３６０ 供給部
３２１０ 処理液供給源
３２３０ 補充ライン
３４１０ 循環タンク
３４３０ 循環ライン
３４７０ ヒーター
３６５０ 供給ノズル

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】