特許 7501350 表示装置の制御方法、及び表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-10

(45)【発行日】2024-06-18

(54)【発明の名称】表示装置の制御方法、及び表示装置

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/13 20060101AFI20240611BHJP

   G03B 21/00 20060101ALI20240611BHJP

【ＦＩ】

G02F1/13 505

G03B21/00 D

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2020212986

(22)【出願日】2020-12-22

(65)【公開番号】P2022099168

(43)【公開日】2022-07-04

【審査請求日】2023-10-12

(73)【特許権者】

【識別番号】000003997

【氏名又は名称】日産自動車株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002468

【氏名又は名称】弁理士法人後藤特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】鍋谷 俊太

(72)【発明者】

【氏名】太田 最実

(72)【発明者】

【氏名】甲斐 康朗

(72)【発明者】

【氏名】佐藤 文紀

(72)【発明者】

【氏名】島田 真紀

【審査官】井亀 諭

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－１９４６４５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－０９１７５９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０７９１８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１３１５８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５７－００５７８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１３２６７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０３３３８９９（ＵＳ，Ａ１）

【文献】中国特許出願公開第１１０２６８３２２（ＣＮ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ １／１３

Ｇ０３Ｂ ２１／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

紫外光を受光することによって光散乱性が増加し、第１可視光を受光することによって光散乱性が低下する表示機能層を含み、前記表示機能層の光散乱性が増加するほど可視光の透過率が低下する画像表示体に前記紫外光を投光し、
前記画像表示体の前記紫外光が投光された領域に第２可視光を投光して、前記画像表示体に前記第２可視光に係る画像を表示する表示装置において、
前記表示機能層が、特定周波数領域の電圧の印加により誘電異方性の符号が変化する二周波駆動液晶分子を含む表示装置の制御方法であって、
前記画像表示体に前記紫外光を投光するとともに前記特定周波数領域の電圧を印加し、
前記特定周波数領域の電圧を、前記透過率が所定値に低減するまで印加する
表示装置の制御方法。

【請求項2】

前記表示機能層は、紫外光を受光することにより分子構造が変化して前記二周波駆動液晶分子の配向を乱す光応答性分子を含み、
前記画像表示体に前記分子構造が変化する誘導期が経過する前に前記特定周波数領域の電圧を印加する
請求項１に記載の表示装置の制御方法。

【請求項3】

前記特定周波数領域の電圧の波形の時間微分は連続である
請求項１に記載の表示装置の制御方法。

【請求項4】

紫外光を受光することによって光散乱性が増加し、第１可視光を受光することによって光散乱性が低下する表示機能層を含み、前記表示機能層の光散乱性が増加するほど可視光の透過率が低下する画像表示体と、
前記画像表示体に前記紫外光を投光する紫外光投光部と、
前記画像表示体に前記第１可視光を投光する第１可視光投光部と、
前記画像表示体の前記紫外光が投光された領域に第２可視光を投光して、前記画像表示体に前記第２可視光に係る画像を表示する第２可視光投光部と、を含み、
前記画像表示体が、前記表示機能層を挟み込むように配置された一対の電極を含み、
前記表示機能層が、前記電極を介した特定周波数領域の電圧の印加により誘電異方性の符号が変化する二周波駆動液晶分子を含む表示装置であって、
前記電極に前記特定周波数領域の電圧を印加する電源装置と、
前記紫外光投光部と前記電源装置を制御する制御部と、をさらに含み、
前記制御部は、
前記紫外光投光部を制御して前記画像表示体に前記紫外光を投光するとともに前記電源装置を制御して前記画像表示体に前記特定周波数領域の電圧を印加するとともに、前記特定周波数領域の電圧を前記透過率が所定値に低減するまで印加する表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置の制御方法、及び表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、紫外光を受光することによって光散乱性が増加する表示機能層を有する画像表示体に当該紫外光を投光した後、可視光を投光して画像表示体に当該可視光に係る画像を表示する表示装置を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１８－１８５５１１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかし、特許文献１等の表示装置では、紫外光により画像表示体の光散乱性を増加させるため、光散乱性の増加速度が遅いという問題があった。

【0005】

そこで、本発明は、表示機能層の光散乱性の増加速度を向上させることで画像表示体の透過率を高い状態から低い状態に短時間で遷移可能な表示装置の制御方法、及び表示装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の一態様における表示装置は、紫外光を受光することによって光散乱性が増加し、第１可視光を受光することによって光散乱性が低下する表示機能層を含み、表示機能層の光散乱性が増加するほど可視光の透過率が低下する画像表示体に紫外光を投光し、画像表示体の紫外光が投光された領域に第２可視光を投光して、画像表示体に第２可視光に係る画像を表示する表示装置において、表示機能層が、特定周波数領域の電圧の印加により誘電異方性の符号が変化する二周波駆動液晶分子を含む表示装置の制御方法であって、画像表示体に紫外光を投光するとともに特定周波数領域の電圧を印加し、特定周波数領域の電圧を、当該透過率が所定値に低減するまで印加する。

【発明の効果】

【0007】

表示機能層は、光散乱性の変化に寄与する液晶分子の他にアゾ化合物の光応答性分子等を有している。また、表示機能層の初期状態において、光応答性分子はトランス体であり、光応答性分子が液晶分子に干渉することはなく、表示機能層の光散乱性は低い状態になっている。一方、光応答性分子は紫外光を受光するとトランス体からシス体に変化し、シス体に変化した光応答性分子が液晶分子に干渉することで、液晶分子の配向を乱し、表示機能層の光散乱性を増加させている。しかし、表示機能層が紫外光を受光した場合、光応答性分子の大部分がトランス体からシス体に変形にするための誘導期を経るまでは液晶分子の配向がほぼ維持されるので、表示機能層の光散乱性の増加速度が遅く、光散乱性を低い状態から高い状態に遷移させるのに時間が掛かっていた。しかし、上記態様によれば、表示機能層において、液晶分子として特定周波数領域の電圧の印加により誘電異方性の符号が変化する二周波駆動液晶分子が適用される。さらに、上記態様によれば、表示機能層には紫外光のみならず二周波駆動液晶分子の誘電異方性の符号が変化する特定周波数領域の電圧を印加する。これにより、液晶分子は特定周波数領域の電圧により振動し、シス体に変化した光応答性分子からの干渉を受けやすくなるので、誘導期の初期の段階から液晶分子の配向を乱すことができ、且つ液晶分子の配向を乱す速度も早めることができる。したがって、表示機能層の光散乱性の増加速度を高め、短時間で表示機能層の光散乱性を低い状態から高い状態に遷移させ、画像表示体を透過率の高い状態から低い状態に短時間で遷移させることができる。さらに、特定周波数領域の電圧を画像表示体の透過率が所定値に低減するまで印加するので、その後の画像表示体の透過率の上昇を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、本実施形態の表示装置の基本構成を示す斜視図である。

【図2A】図２Ａは、従来の画像表示体の断面図である。

【図2B】図２Ｂは、従来の画像表示体に紫外光を投光したときに発生する誘導期を説明するための図である。

【図2C】図２Ｃは、従来の画像表示体において誘導期の後に発生する遷移状態を説明するための図である。

【図3】図３は、従来の画像表示体に紫外光を投光したときの可視光の透過率の時間変化を示すグラフである。

【図4A】図４Ａは、本実施形態の表示装置を構成する画像表示体の断面図である。

【図4B】図４Ｂは、画像表示体に高周波電圧を印加した場合を説明するための図である。

【図4C】図４Ｃは、画像表示体に紫外光を投光し、且つ高周波電圧を印加した場合を説明するための図である。

【図5】図５は、二周波駆動液晶分子の誘電率の周波数特性を示す図である。

【図6】図６は、透過率が低い状態の画像表示体に第１可視光を投光し、且つ低周波電圧を印加した場合を説明するための図である。

【図7】図７は、画像表示体（表示機能層）の透過率を測定するための配置図である。

【図8】図８は、透過率の高い状態の画像表示体に紫外光を投光し且つ紫外光を投光した場合の画像表示体の透過率と、透過率の高い状態の画像表示体に高周波電圧を印加せずに紫外光を投光した場合の画像表示体の透過率と、を比較するグラフである。

【図9】図９は、画像表示体に対する高周波電圧の印加を継続することで一度透過率が低下した画像表示体の透過率が再び上昇する場合について説明するための図である。

【図10】図１０は、本実施形態の表示装置の高周波電圧の制御を説明するための図である。

【図11】図１１は、画像表示体の透過率の時間変化を示すグラフ（その１）である。

【図12】図１２は、画像表示体の透過率の時間変化を示すグラフ（その２）である。

【図13】図１３は、画像表示体の透過率の時間変化を示すグラフ（その３）である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について説明する。

【0010】

［本実施形態の概要］
図１は、本実施形態の表示装置１００の基本構成を示す斜視図である。本実施形態の表示装置１００は本発明の表示装置１００の制御方法を実現するものであり、第１プロジェクタ１（紫外光投光部）と、第２プロジェクタ２（第１可視光投光部）と、第３プロジェクタ３（第２可視光投光部）と、画像表示体４と、電源装置５と、制御部６を備えている。

【0011】

画像表示体４は、透明状態と非透明状態との間で光学状態が変化する薄板状の部材であり、第１プロジェクタ１乃至第３プロジェクタ３に対向する前面４１１を有する。画像表示体４は、紫外光を受光することにより透明状態から非透明状態に変化し、第１可視光を受光することにより非透明状態から透明状態に変化する。画像表示体４は、例えば自動車のフロントガラスに取り付けられる。画像表示体４の詳細については後述する。

【0012】

第１プロジェクタ１は、紫外光を放出するプロジェクタであり、画像表示体４の前面４１１に対向して配置される。第１プロジェクタ１は、例えば波長λが３６５［ｎｍ］前後の紫外光を放出する。第１プロジェクタ１は、画像表示体４に紫外光を投光することで、画像表示体４上の投光領域４１２を透明状態から非透明状態（スクリーン状態）に変化させることができる。

【0013】

第２プロジェクタ２は、特定波長の可視光（第１可視光）を放出するプロジェクタであり、画像表示体４の前面４１１に対向して配置される。第２プロジェクタ２は、例えば波長λが４５０［ｎｍ］前後の第１可視光を放出する。第２プロジェクタ２は、画像表示体４に第１可視光を投光することで、画像表示体４上の投光領域４１２を透明状態から非透明状態に変化させることができる。なお、第２プロジェクタ２の投光領域４１２は第１プロジェクタ１と投光領域４１２と一致する、又は当該投光領域４１２よりも内側となるように設定される。

【0014】

第３プロジェクタ３は、カラープロジェクタであり、画像表示体４の前面４１１に対向して配置される。第３プロジェクタ３は、青色（波長λが４５０［ｎｍ］）、緑色（波長λが５３２［ｎｍ］）、赤色（波長λが６４０［ｎｍ］）の３色のいずれか１色の光、又は２色以上の光を組み合わせた任意の色・形状の第２可視光を放出する。第３プロジェクタ３は、画像表示体４の第２プロジェクタ２の投光領域４１２に第２可視光を投光することで、非透明状態の画像表示体４に任意の色・形状の画像４１３を表示する。

【0015】

電源装置５は、画像表示体４に高周波電圧（例えば４２［ｋＨｚ］）、又は低周波電圧（例えば１００［Ｈｚ］）を印加するものである。

【0016】

制御部６は、第１プロジェクタ１、第２プロジェクタ２、第３プロジェクタ３、電源装置５の動作を制御する。制御部６は、上位の制御装置（不図示）と通信しつつ、第１プロジェクタ１及び第２プロジェクタ２の投光／非投光の制御を行う。また、制御部６は、上位の制御装置と通信しつつ、第３プロジェクタ３に画像情報を送信する。

【0017】

また制御部６は、第１プロジェクタ１の投光を実行する際に電源装置５を介して高周波電圧を画像表示体４に印加し、第１プロジェクタ１の投光を実行する際に電源装置５を介して低周波電圧を画像表示体４に印加する。

【0018】

［従来の画像表示体４Ａとその動作］
図２Ａは、従来の画像表示体４Ａの断面図である。図２Ｂは、従来の画像表示体４Ａに紫外光を投光したときに発生する誘導期を説明するための図である。図２Ｃは、従来の画像表示体４Ａにおいて誘導期の後に発生する遷移状態を説明するための図である。図３は、従来の画像表示体４Ａに紫外光を投光したときの可視光の透過率の時間変化を示すグラフである。

【0019】

図２Ａに示すように、従来の画像表示体４Ａは、表示機能層４２の一方の面（前面４１１）において配向膜４３、保護ガラス４５の順に積層され、他方の面（裏面）において配向膜４６、保護ガラス４８の順に積層された構造を有する。

【0020】

表示機能層４２は、透明状態と非透明状態との間で光学状態が変化するフィルム部材である。表示機能層４２は、紫外光を受光することにより光散乱性が増加して白濁し、第１可視光を受光することにより光散乱性が低下して透明状態に戻る光学性能を有する。表示機能層４２は、液晶分子４２１と光応答性分子４２２等を含む液晶フィルムである。

【0021】

配向膜４３及び配向膜４６は、液晶分子４２１に作用して液晶分子４２１の配向を所定の向きに揃えるものである。表示機能層４２は、液晶分子４２１の配向が揃ったときに透明状態となり、液晶分子４２１の配向が乱れたときに非透明状態となる。

【0022】

保護ガラス４５は、画像表示体４Ａの前面４１１（図１参照）を形成するものである。保護ガラス４８は画像表示体４の裏面を形成するものである。保護ガラス４８は外部から進入する紫外光が表示機能層４２に到達することを防ぐ役割も有する。このため、保護ガラス４８は紫外光を遮蔽する材料で形成される、或いは保護ガラス４８には紫外光の遮蔽するフィルムが貼り付けられる。

【0023】

前記のように、表示機能層４２は、液晶分子４２１と光応答性分子４２２等を含む液晶フィルムである。図２Ａに示すように、液晶分子４２１は、初期状態において、配向膜４３及び配向膜４６からの作用により、その長手方向が表示機能層４２の厚み方向に揃うように配向するネマティック相を形成している。光応答性分子４２２は、例えばアゾベンゼン等のアゾ化合物により構成され、初期状態ではトランス体となっている。また図示は省略しているが、表示機能層４２においては、トランス体の光応答性分子４２２が液晶分子４２１をねじる方向と反対向きの力を光応答性分子４２２に印加して当該ねじる力を相殺する光非応答性分子も配置されている。よって、初期状態において、液晶分子４２１の配向がトランス体の光応答性分子４２２により乱されることはない。

【0024】

一方、図２Ｂに示すように、表示機能層４２に対して紫外光を投光すると、光応答性分子４２２がトランス体からシス体に変化する。ただし、すべての光応答性分子４２２が同時に変化するのではなく、配置位置等により変化のタイミングにずれが発生している。よって紫外光の投光の初期段階では一部の光応答性分子４２２がシス体からトランス体に変化するのみであり、液晶分子４２１に対してほとんど干渉しない。

【0025】

その後、図２Ｃに示すように、光応答性分子４２２においてシス体が大部分となると、シス体に変化した光応答性分子４２２が液晶分子４２１に干渉し、液晶分子４２１の配向を乱していく。このとき、光非応答性分子はシス体の光応答性分子４２２が液晶分子４２１に作用する力を相殺できない。よって、表示機能層４２の光散乱性が増加、即ち画像表示体４Ａの透過率が減少していく。

【0026】

図３に示すように、時刻Ｔi（図３によれば約１．６秒）までは光応答性分子４２２がトランス体からシス体に変化する誘導期であり、図２Ｂに示すように光応答性分子４２２が液晶分子４２１にほとんど干渉しない。しかし、時刻Ｔｉ以降は、光応答性分子４２２においてシス体が大部分となり、液晶分子４２１に対して干渉し初め、表示機能層４２の光散乱性が増加（画像表示体４Ａの透過率が減少）する遷移状態となる。

【0027】

しかし、例えば、紫外光の投光開始から画像表示体４の透過率が５［％］になるまで７秒程度かかり、また透過率が１［％］になるまで１０秒程度かかっており、画像表示体４Ａが透明状態から非透明状態に遷移するのに時間が掛かる。

【0028】

そこで本実施形態では、上記の誘導期及び遷移状態の時間を短縮するための構成を備えている。

【0029】

［本実施形態の画像表示体４とその動作］
図４Ａは、本実施形態の表示装置１００を構成する画像表示体４の断面図である。図４Ｂは、画像表示体４に高周波電圧を印加した場合を説明するための図である。図４Ｃは、画像表示体４に紫外光を投光し、且つ高周波電圧を印加した場合を説明するための図である。

【0030】

図４Ａに示すように、画像表示体４は、従来の画像表示体４Ａにおいて配向膜４３と保護ガラス４５の間に透明導電膜４４が配置され、配向膜４６と保護ガラス４８の間に透明導電膜４７が配置され、表示機能層４２が透明導電膜４４と透明導電膜４７に挟まれた配置となっている。また、透明導電膜４４及び透明導電膜４７に交流電源（図１の電源装置５）が接続されることで表示機能層４２に高周波電圧が印加される構成となっている。

【0031】

画像表示体４の構成の詳細は後述するが、表示機能層４２の液晶分子４２１は二周波駆動液晶が適用される。二周波駆動液晶は、例えば高周波電圧が印加されると振動するものである。

【0032】

よって図４Ｂに示すように、二周波駆動液晶である液晶分子４２１に高周波電圧（例えば４２［ｋＨｚ］）を印加して振動させることで、液晶分子４２１の粘性を低下させ、且つ配向性が乱れやすい状態を形成している。ただし、液晶分子４２１の配向性は未だ乱されていないので、画像表示体４の透明状態は維持されている。

【0033】

さらに図２Ｃに示すように、紫外光を投光することで光応答性分子４２２がトランス体からシス体に変化する。シス体の割合が少ない初期段階であっても、振動している液晶分子４２１は光応答性分子４２２からの干渉により容易に配向性が乱れ初め、シス体の割合が増えるにつれて液晶分子４２１の光散乱性の増加速度は増加するが、当該増加速度は高周波電圧を印加しない場合により速くなる。

【0034】

したがって、表示機能層４２に対する紫外光の投光と、表示機能層４２（画像表示体４）に対する高周波電圧の印加を同時に実行することで、短時間で光散乱性を低い状態から高い状態へ遷移可能であり、画像表示体４が透明状態から非透明状態に短時間で遷移可能となる。

【0035】

図５は、二周波駆動液晶分子の誘電率Δε（誘電異方性）の周波数特性を示す図である。図５に示すように、二周波駆動液晶は、その誘電率Δεがｆｃ＝１０［ｋＨｚ］までは正の値を有するが、ｆｃを超えると負の値となる周波数特性を有する。すなわち、二周波駆動液晶分子は、ｆｃを境界としてその誘電異方性の符号が入れ替わる。

【0036】

図５に示すように、上記の周波数特性を有する二極性液晶を一対の平板状の電極の間に配置した場合を考える。このとき、一対の電極にｆｃより高い周波数の高周波電圧を印加すると、二極性液晶はその長手方向が一対の電極が二極性液晶を挟み込む方向に垂直な方向に配向する性質を有する。

【0037】

図４Ａに示すように、本実施形態では、表示機能層４２が配向膜４３及び配向膜４６により挟まれており、液晶分子４２１はその長手方向が厚み方向に揃うように配向する力を配向膜４３及び配向膜４６から常時受けている。

【0038】

そこで、本実施形態では、図４Ｂ及び図４Ｃのように画像表示体４に高周波電圧を印加する場合において、配向膜４３及び配向膜４６が液晶分子４２１に作用する力と高周波電圧が液晶分子４２１に作用する力との釣り合いが取れる範囲で、高周波電圧の出力（例えば図８に示す６．４［Ｖ］）を調整している。これにより、画像表示体４において高周波電圧を受けている部分であって紫外光が投光されていない部分の透過率が高い状態が維持され、高周波電圧を受けている部分であって紫外光も投光されている部分の透過率が高い状態から低い状態に遷移する。

【0039】

図６は、透過率が低い状態の画像表示体４に第１可視光を投光し、且つ低周波電圧を印加した場合を説明するための図である。

【0040】

図４Ｃにおいて高周波電圧の出力を停止すると、液晶分子４２１はその長手方向が厚み方向に揃うように配向する力を配向膜４３及び配向膜４６から受けてもとの配向に戻ろうとする。しかし、すでにシス体となっている光応答性分子４２２が引き続き液晶分子４２１に干渉するので、表示機能層４２の光散乱性は高い状態が維持される。

【0041】

そこで、図６に示すように、画像表示体４（表示機能層４２）に第１可視光を投光する。

【0042】

画像表示体４（表示機能層４２）に第１可視光を投光することで光応答性分子４２２は、シス体からトランス体に変化するので、光応答性分子４２２は液晶分子４２１に干渉しなくなる。

【0043】

このとき、液晶分子４２１は配向膜４３及び配向膜４６から力を受けてもとの配向に戻ることも可能であるが、やや時間が掛かる。そこで、画像表示体４（表示機能層４２）に第１可視光を投光し、且つ低周波電圧（例えば１００［Ｈｚ］）を印加する。

【0044】

図５に示すように、一対の電極にｆｃより低い周波数の低周波電圧を印加すると二極性液晶はその長手方向が一対の電極が二極性液晶を挟み込む方向に配向する性質を有する。したがって、液晶分子４２１は低周波電圧が印加されることで、その長手方向が表示機能層４２の厚み方向に配向する力を受ける。これは、液晶分子４２１が配向膜４３及び配向膜４６から受ける力と同じ方向の力である。したがって、画像表示体４（表示機能層４２）に第１可視光を投光し、且つ低周波電圧を印加することで、液晶分子４２１の配向性が急速に回復し表示機能層４２の光散乱性も急速に減少するので、画像表示体４を短時間で透過率が低い状態から高い状態に遷移させることができる。

【0045】

ところで、配向膜４３及び配向膜４６を適宜選択することにより、初期状態において液晶分子４２１の長手方向が画像表示体４の厚み方向に垂直な方向に揃うように配向させることも可能である。この状態においても液晶分子４２１は配向しているので表示機能層４２の光散乱性は小さく、画像表示体４の透過率も高い状態となっている。

【0046】

このとき、画像表示体４に対してｆｃよりも低い周波数の低周波電圧を印加すると液晶分子４２１を振動させることができる。さらに画像表示体４に紫外光を投光するとトランス体からシス体に変化した光応答性分子４２２が液晶分子４２１に干渉して液晶分子４２１の配向性が乱れ、表示機能層４２の光散乱性が増加するので、画像表示体４の透過率を高い状態から低い状態に遷移させることができる。

【0047】

また、透過率の低い状態の画像表示体４に対して第１可視光を投光することで光応答性分子４２２がシス体からトランス体に変化して光応答性分子４２２の液晶分子４２１に対する干渉が解消される。さらに、ｆｃよりも高い周波数の高周波電圧を印加することで、液晶分子４２１の配向性が急速に回復し表示機能層４２の光散乱性も急速に減少するので、画像表示体４の透過率を低い状態から高い状態に短時間で遷移させることができる。

【0048】

［透過率測定用の画像表示体４の構成及び製造方法］
（１）透過率測定用の画像表示体４の構成として、例えば以下のものが適用できる。
（Ａ）表示機能層４２（例えば厚さ：１０［μｍ］）
液晶分子４２１（８０［ｗｔ％］）：ｐ型ネマティック液晶（Ｍｅｒｃｋ社製Ｅ４４、又はＭＬＣ２１７２）、その他チッソ社製ＤＦ－０２ＸＸ，ＤＦ－０５ＸＸ，ＦＸ－１００１，ＦＸ－１００２、Ｍｅｒｃｋ社製ＭＬＣ－２－４８、ＭＬＣ２１７７等
光応答性分子４２２（６．８［ｗｔ％］）：アゾベンゼン（アゾ化合物）
光非応答性化合物（１３．２［ｗｔ％］）：キラル化合物（Ｒ８１１（Ｍｅｒｃｋ社））（アゾ化合物）
（Ｂ）配向膜４３，４６
ＡＬ６３２０１（ＪＳＲ社製）のポリイミド（熱硬化性樹脂の垂直配向膜）
（Ｃ）透明導電膜４４，４７
ＩＴＯ（酸化インジウムと酸化スズの混合物）

【0049】

（２）製造方法
ガラス基板上にＩＴＯをスパッタリングにより製膜する。その後、有機溶媒に溶解したポリイミドをスピンコート法により塗布して乾燥させることで、ＩＴＯ（透明導電膜４４，４７）とポリイミド（配向膜４３，４６）が製膜されたガラス基板を作成する。このガラス基板複数枚を対向構造とし液晶評価用ガラスセルを作成する。

【0050】

この液晶評価用ガラスセル（イーエッチシー社製）に、上記の液晶のいずれか（例えばＭＬＣ２１７７（Ｍｅｒｃｋ社製））及びアゾ化合物の混合物をホットプレート上で１００［℃］まで昇温して注入し、混合物注入後のガラスセルを室温下で放冷する。

【0051】

［画像表示体の透過率の測定配置］
図７は、画像表示体４（表示機能層４２）の透過率を測定するための配置図である。図７に示すように、波長λが６５０［ｎｍ］のレーザー光を発振するレーザーダイオード（Ｌａｓｅｒ ｄｉｏｄｅ）と、レーザー光を受光するフォトダイオード（Ｐｈｏｔｏ ｄｉｏｄｅ）との間に画像表示体４（Ｓａｍｐｌｅ）が配置される。なお、画像表示体４とフォトダイオードの間の距離は約８［ｃｍ］に設定され、紫外光源（又は可視光源）と画像表示体４の間の距離は約２０［ｃｍ］に設定される。

【0052】

画像表示体４には電圧増幅器（Ｖｏｌｔａｇｅ ａｍｐｌｉｆｅｒ）を介して発振器（Ｆｕｎｃｔｉｏｎ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）から交流電圧（高周波電圧、又は低周波電圧）が印加される。

【0053】

また、画像表示体４には紫外光源（ＵＶ ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｃｅ）から紫外光（波長λが３６５［ｎｍ］）が投光され、また可視光源（Ｂｌｕｅ ｌｉｇｈｔ ｓｏｕｒｃｅ）から第１可視光（波長λが４５０［ｎｍ］）が投光される。

【0054】

フォトダイオードは画像表示体４を透過したレーザー光を受光し、受光したレーザー光の強度を電流の強度に変換してオシロスコープに出力する。

【0055】

画像表示体４の透過率の測定に用いる機器の機種名は以下のとおりである。

【0056】

発振器：Ｔｅｋｔｏｒｎｉｘ ＡＦＧ１０２２ ＡＲＢＩＴＡＲＹ ＦＵＮＣＴＩＯＮ ＧＥＮＥＲＡＴＯＲ
電圧増幅器：Ｈｉｇｈ Ｓｐｅｅｄ Ｂｉｐｏｌａｒ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ ＤＣ－１Ｍｈｚ／２００ＶＡ ＨＡＳ ４０１４
レーザーダイオード：ＴＨＯＲＬＡＢ ＨＡＮＤＨＥＬＤ ＬＡＳＥＲ ＳＯＵＲＣＥ
フォトダイオード：ＨＡＭＡＭＡＴＳＵ Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ ｍｏｄｕｌｅ Ｃ１０４３９
紫外光源：ＴＨＯＲＬＡＢ Ｍ３６５ＬＰ１－Ｃ１
可視光源：ＴＨＯＲＬＡＢ Ｍ４５０ＬＰ１
オシロスコープ：Ｔｅｋｔｒｏｎｉｘ ＴＢＳ １０５２Ｂ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｏｓｃｉｌｌｏｓｃｏｐｅ

【0057】

［透過率の時間変化の測定Ｉ］
図７に示す測定配置において、画像表示体４に対して紫外光源から紫外光（波長λが３６５［ｎｍ］、出力が２０［ｍＷ／ｃｍ²］）を投光するとともに、画像表示体４に高周波電圧（周波数：４２［ｋＨｚ］、出力：６．４［Ｖ］）を印加し、フォトダイオードが検知するレーザー光の強度（透過率）の時間変化を測定した。ここで、レーザーダイオードとフォトダイオードの間に画像表示体４（Ｓａｍｐｌｅ）を配置しない状態でフォトダイオードが検知するレーザー光の強度をベース強度とし、前記の強度をベース強度で除算することで、画像表示体４の透過率が算出される。

【0058】

また比較のため、画像表示体４に高周波電圧を印加しない状態で紫外光を投光したときの画像表示体４の透過率の時間変化も測定した。

【0059】

図８は、透過率の高い状態の画像表示体４に紫外光を投光し且つ紫外光を投光した場合の画像表示体４の透過率と、透過率の高い状態の画像表示体４に高周波電圧を印加せずに紫外光を投光した場合の画像表示体４の透過率と、を比較するグラフである。

【0060】

図８の破線のグラフが示すように、画像表示体４に高周波電圧（４２［ｋＨｚ］）を印加せずに紫外光を投光した場合、制御開始（時刻０）から誘導期（Ｔｉ＝約２秒）を経た上で、透過率が高い状態から低い状態へ遷移する遷移状態となるが、制御開始（時刻０）から透過率が５［％］に低下するまで７秒程度かかっており、透過率が１［％］に低下するまで１０秒程度掛かっている。これは実質的に図２に示す従来の画像表示体４Ａにおける透過率の変化と同様となる。

【0061】

一方、図８の実線のグラフが示すように、画像表示体４に高周波電圧（４２［ｋＨｚ］）を印加しつつ紫外光を投光する制御を実行した場合、誘導期（Ｔｉ）が終了する前から透過率が急激に減少し、制御開始（時刻０）から３．５秒程度経過したところで透過率が３［％］程度にまで低下する。したがって、画像表示体４に高周波電圧を印加しつつ紫外光を投光することで、画像表示体４を透過率が高い状態から低い状態に短時間で変化できることがわかる。

【0062】

一方、その後も高周波電圧の印加を継続させると画像表示体４の透過率が上昇しはじめ、例えば制御開始から約７秒程度経過したところで透過率が１８［％］程度にまで上昇する。

【0063】

［画像表示体４の透過率の上昇］
図９は、画像表示体４（表示機能層４２）に対する高周波電圧の印加を継続することで一度透過率が低下した画像表示体４の透過率が再び上昇する場合について説明するための図である。

【0064】

図９（ａ）に示すように、画像表示体４（表示機能層４２）に紫外光（不図示）を投光し且つ高周波電圧（電源装置５不図示）を印加すると、液晶分子４２１が振動し初め、図９（ｂ）に示すように（光応答性分子４２２は不図示）、液晶分子４２１の配向が乱れて表示機能層４２の光散乱性が増加する。

【0065】

図９（ｃ）に示すように液晶分子４２１の配向の乱れが大きくなり表示機能層４２は非透明状態となるが、表示機能層４２に対する高周波電圧の印加が継続される。ところで、液晶分子４２１が振動すると表示機能層４２の粘性が低下し、液晶分子４２１がその分動きやすくなる。また液晶分子４２１は極性を有しており、液晶分子４２１間において所定の配向関係を形成する力が作用する。したがって、液晶分子４２１において液晶分子４２１の極性に起因した対流が発生し、液晶分子４２１全体において配向性がある程度回復する光学バウンス現象が発生する。このとき、光散乱性が高い状態の表示機能層４２の光散乱性が低下し、画像表示体４の透過率も上昇し、例えば前記のように１８［％］程度にまで上昇する。

【0066】

したがって、一時的に透過率の上昇した画像表示体４に第２可視光による画像４１３（図１参照）を投影しても、画像４１３が不鮮明になるおそれがある。

【0067】

そこで、本実施形態では、画像表示体４に対して紫外光を投光し且つ第１可視光を投光している場合において、非透明状態となった画像表示体４に発生する透過率の上昇を抑制して非透明状態を維持する。

【0068】

［本実施形態の高周波電圧の制御］
図１０は、本実施形態の表示装置１００の高周波電圧の制御を説明するための図である。

【0069】

図１０（ａ）に示すように、画像表示体４（表示機能層４２）に紫外光（不図示）を投光し且つ高周波電圧（電源装置５不図示）を印加すると、液晶分子４２１が振動し初め、図１０（ｂ）に示すように（光応答性分子４２２は不図示）、液晶分子４２１の配向が乱れて表示機能層４２の光散乱性が増加する。

【0070】

そして、図１０（ｃ）に示すように液晶分子４２１の配向の乱れが大きくなり画像表示体４の透過率が最も低くなる時に高周波電圧の印加を停止する。すると、液晶分子４２１の極性に起因した対流は発生しない。

【0071】

したがって、図１０（ｄ）に示すように、その後も引き続き紫外光を投光することで光応答性分子４２２（図１０（ｄ）では不図示）のシス体への変化が進行し、シス体となった光応答性分子４２２が液晶分子４２１に干渉する。これにより画像表示体４の非透明状態を維持することができる。

【0072】

［透過率の時間変化の測定ＩＩ］
図７に示す測定配置において、画像表示体４（Ｓａｍｐｌｅ）に対して紫外光源から紫外光（波長λ：３６５［ｎｍ］、出力：２０［ｍＷ／ｃｍ²］）を投光するとともに、画像表示体４に高周波電圧（周波数：４２［ｋＨｚ］、出力：６．４［Ｖ］）を印加し、フォトダイオードが検知するレーザー光の強度（透過率）の時間変化を測定した。その際、画像表示体４の透過率が極小値となる時間（Ｔｅ）まで高周波電圧を印加し、その後高周周波電圧の印加を停止した。

【0073】

図１１は画像表示体４の可視光透過率の時間変化を示すグラフ（その１）であって、画像表示体４に対して紫外光を投光するとともに高周波電圧を印加し、その後紫外光の投光と高周波電圧の印加を継続して実施した場合（Ａ）と、画像表示体４に対して紫外光を投光するとともに高周波電圧を印加し、その後紫外光の投光を継続しつつ高周波電圧の印加を所定時間Ｔｅの経過時に停止した場合（Ｂ）と、を比較したグラフである。

【0074】

図１１に示すように、曲線（Ａ）に示す紫外光の投光と高周波電圧の印加を継続して実施した場合、制御開始（時刻０）から所定時間Ｔｅ（図１１では３．１秒）を経過すると透過率が上昇し始めて制御開始（時刻０）から約７秒経過時において１８［％］程度にまで上昇する。

【0075】

一方、曲線（Ｂ）に示す紫外光の投光を継続しつつ高周波電圧の印加を途中で停止した場合、透過率の上昇が抑制され、例えば制御開始（時刻０）から１０秒経過時において透過率は最大でも８［％］程度に抑制されていることがわかる。

【0076】

ここで、所定時間Ｔｅは、曲線（Ａ）の極小値に対応する時間（Ｔｅ＝３．１秒）に限定されることはない。所定時間Ｔｅとしては、例えば、画像表示体４の透過率が所定の値（例えば５［％］）に最初に到達するときの時間、画像表示体４の透過率の減少速度が最初にゼロになる時間、画像表示体４の透過率の減少速度が所定の減少速度（例えば１［％／ｓ］）にまで最初に低下する時間等に設定できる。少なくとも所定時間Ｔｅは、前記の極小値の近傍に対応する時間（特に、極小値に対応する時間よりも短い方の時間）に設定されるものであれば、どのような設定方法も適用できる。なお、曲線（Ａ）、曲線（Ｂ）の所定時間Ｔｅまでの挙動が異なる理由は、透明状態・非透明状態を繰り返しスイッチングすることによる表示機能層４２内部の液晶分子４２１の劣化度合いに差が生じているためと推察される。

【0077】

［透過率の時間変化の測定ＩＩＩ］
図７に示す測定配置において、画像表示体４（Ｓａｍｐｌｅ）に対して紫外光源から紫外光（波長λ：３６５［ｎｍ］、出力：２０［ｍＷ／ｃｍ²］）を投光するとともに、画像表示体４に高周波電圧（周波数：４２［ｋＨｚ］、出力：６．４［Ｖ］）を印加し、フォトダイオードが検知するレーザー光の強度（透過率）の時間変化を測定した。その際、高周波電圧は、紫外光の投光開始後、所定時間（Ｔｓ＝１．３秒）経過後に印加し、その後所定時間（Ｔｅ＝３．２秒）経過後に停止させた。

【0078】

図１２は、画像表示体４の可視光透過率の時間変化を示すグラフ（その２）であって、画像表示体４に対して高周波電圧を印加せずに紫外光を投光した場合（Ａ）と、画像表示体４に対して紫外光を投光するとともに高周波電圧を印加し、その後紫外光の投光と高周波電圧の印加を継続して実施した場合（Ｂ）と、画像表示体４に対して紫外光を投光し、その後所定時間Ｔｓの経過時に高周波電圧の印加を開始し、さらにその後所定時間Ｔｅの経過時に高周波電圧の印加を停止した場合（Ｃ）と、を比較したグラフである。

【0079】

ここで、図１２の曲線（Ａ）は、図８の破線の曲線に対応し、図１２の曲線（Ｂ）は図１１の曲線（Ａ）に対応する。

【0080】

図１２の曲線（Ｃ）に関して、制御開始（時刻０）から所定時間Ｔｓに到達するまでは、曲線（Ａ）と同じように推移する。所定時間Ｔｓは光応答性分子４２２が紫外光によりトランス体からシス体に変化する誘導期Ｔｉよりも短く、また液晶分子４２１は高周波電圧により振動していないので、表示機能層４２の光散乱性は低い状態を維持している。

【0081】

所定時間Ｔｓを経過して画像表示体４に高周波電圧が印加されると液晶分子４２１が振動する。これにより、シス体に変化した光応答性分子４２２からの干渉を受けて配向が乱れ表示機能層４２の光散乱性が増加し、所定時間Ｔｅにおいて透過率が極小値となる。その際、曲線（Ｃ）は曲線（Ｂ）に収束する。

【0082】

所定時間Ｔｅを経過すると、曲線（Ｂ）に係る透過率が上昇して制御開始（時刻０）から７秒後には１８［％］程度にまで上昇している。一方、曲線（Ｃ）に係る透過率もやや上昇するが、例えば制御開始（時刻０）から１０秒経過した段階でも透過率は９［％］程度に抑制されている。

【0083】

したがって、図１２の曲線（Ｃ）に係る制御によれば、図１１の曲線（Ｃ）が示すように、画像表示体４に対して紫外光を投光するとともに高周波電圧を印加し、所定時間Ｔｅで高周波電圧の印加を停止した場合と同様の効果が得られる。また、図１２の曲線（Ｃ）に係る制御に関しては、制御開始（時刻０）から所定時間Ｔｓの間高周波電圧を印加しないので、その分、電源装置５（図１）の消費電力を削減することができる。

【0084】

［透過率の時間変化の測定ＩＶ］
図７に示す測定配置において、画像表示体４（Ｓａｍｐｌｅ）に対して紫外光源から紫外光（波長λ：３６５［ｎｍ］、出力：２０［ｍＷ／ｃｍ²］）を投光するとともに、画像表示体４に高周波電圧（周波数：４２［ｋＨｚ］、出力：６．４［Ｖ］）を印加し、フォトダイオードが検知するレーザー光の強度（透過率）の時間変化を測定した。その際、高周波電圧は、紫外光の投光開始後、所定時間（Ｔｓ＝１．３秒）経過後に印加し、その後所定時間（Ｔｅ＝３．２秒）経過後に停止させた。さらに、本実施形態で適用した高周波電圧はいずれも矩形波であったが、ここでは正弦波の高周波電圧（周波数：４２［ｋＨｚ］、出力：６．４［Ｖ］）を適用した。

【0085】

図１３は、画像表示体４の可視光透過率の時間変化を示すグラフ（その３）であって、画像表示体４に対して紫外光を投光し、その後所定時間Ｔｓの経過時に高周波電圧（矩形波）の印加を開始し、さらにその後所定時間Ｔｅの経過時に高周波電圧（矩形波）の印加を停止した場合（Ｃ）と、画像表示体４に対して紫外光を投光し、その後所定時間Ｔｓの経過時に高周波電圧（正弦波）の印加を開始し、所定時間Ｔｅの経過時に高周波電圧（正弦波）の印加を停止した場合（Ｄ）と、を比較したグラフである。

【0086】

図１３に示すように、所定時間Ｔｓから所定時間Ｔｅにおいて、曲線（Ｄ）は曲線（Ｃ）よりも緩やかに減少する。そして、所定時間Ｔｅを経過すると、曲線（Ｃ）とは異なり透過率の上昇はなく、透過率が引き続き単調減少している。

【0087】

同じ周波数の矩形波と正弦波を比較すると、矩形波は、正弦波よりも周波数の高い高調波成分を多く含んでいる。よって、正弦波の高周波電圧が液晶分子４２１に印加する振動エネルギーは、当該高調波成分が無い分だけ、小さくなっている。

【0088】

したがって、所定時間Ｔｓから所定時間Ｔｅにおいて、液晶分子４２１の振動は高周波成分を含まない分だけ滑らか且つ小さくなり、光応答性分子４２２との干渉もその分少なくなるので、曲線（Ｃ）に比べて透過率の減少速度が小さくなっている。

【0089】

また、前記のように液晶分子４２１の振動は高周波成分を含まない分だけ滑らか且つ小さくなるので、表示機能層４２の粘性もその分高い状態を維持している。よって、液晶分子４２１の極性に起因する液晶分子４２１の対流も抑制される。

【0090】

したがって、所定時間Ｔｅ経過後においても表示機能層４２の光散乱性の低下は発生せず、画像表示体４の透過率は単調に減少する。

【0091】

なお、制御開始（時刻０）から画像表示体４に対して正弦波の高周波電圧を印加してもよい。

【0092】

画像表示体４に印加する高周波電圧は、単一の周波数（４２［ｋＨｚ］）の正弦波のみならず、例えば、ｆｃ＝１０［ｋＨｚ］以上であって４２［ｋｈｚ］以下の任意の周波数の高周波電圧を任意の数だけ重ね合わせたもの（フーリエ級数で表現可能なもの）であってもよい、少なくとも高周波電圧としては、その時間微分が連続であるものが好適である。このような高周波電圧を適用することで、紫外光が投光されて非透明状態となった画像表示体４における透過率の上昇を抑制することができる。

【0093】

［本実施形態の効果］
本実施形態に係る表示装置１００の制御方法によれば、紫外光を受光することによって光散乱性が増加し、第１可視光を受光することによって光散乱性が低下する表示機能層４２を含み、表示機能層４２の光散乱性が増加するほど可視光の透過率が低下する画像表示体４に紫外光を投光し、画像表示体４の紫外光が投光された領域に第２可視光を投光して、画像表示体４に第２可視光に係る画像４１３を表示する表示装置１００において、表示機能層４２が、特定周波数領域の電圧の印加により誘電異方性の符号が変化する二周波駆動液晶分子（液晶分子４２１）を含む表示装置１００の制御方法であって、画像表示体４に紫外光を投光するとともに特定周波数領域の電圧（高周波電圧）を印加し、特定周波数領域の電圧を、当該透過率が所定値に低減するまで印加する。

【0094】

また、本実施形態の表示装置１００によれば、紫外光を受光することによって光散乱性が増加し、第１可視光を受光することによって光散乱性が低下する表示機能層４２を含み、表示機能層４２の光散乱性が増加するほど可視光の透過率が低下する画像表示体４と、画像表示体４に紫外光を投光する紫外光投光部（第１プロジェクタ１）と、画像表示体４に第１可視光を投光する第１可視光投光部（第２プロジェクタ２）と、画像表示体４の紫外光が投光された領域に第２可視光を投光して、画像表示体４に第２可視光に係る画像４１３を表示する第２可視光投光部（第３プロジェクタ３）と、を含み、画像表示体４が、表示機能層４２を挟み込むように配置された一対の電極（透明導電膜４４、透明導電膜４７）を含み、表示機能層４２が、電極（透明導電膜４４、透明導電膜４７）を介した特定周波数領域の電圧（高周波電圧）の印加により誘電異方性の符号が変化する二周波駆動液晶分子（液晶分子４２１）を含む表示装置１００であって、電極（透明導電膜４４、透明導電膜４７）に特定周波数領域の電圧（高周波電圧）を印加する電源装置５と、紫外光投光部（第１プロジェクタ１）と電源装置５を制御する制御部６と、をさらに含み、制御部６は、紫外光投光部（第１プロジェクタ１）を制御して画像表示体４に紫外光を投光するとともに電源装置５を制御して画像表示体４に特定周波数領域の電圧（高周波電圧）を印加するとともに、特定周波数領域の電圧（高周波電圧）を当該透過率が所定値（例えば５［％］）に低減するまで印加する。

【0095】

表示機能層４２は、光散乱性の変化に寄与する液晶分子４２１の他にアゾ化合物の光応答性分子４２２等を有している。また、表示機能層４２の初期状態において、光応答性分子４２２はトランス体であり、光応答性分子４２２が液晶分子４２１に干渉することはなく、表示機能層４２の光散乱性は低い状態になっている。一方、光応答性分子４２２は紫外光を受光するとトランス体からシス体に変化し、シス体に変化した光応答性分子４２２が液晶分子４２１に干渉することで、液晶分子４２１の配向を乱し、表示機能層４２の光散乱性を増加させている。しかし、表示機能層４２が紫外光を受光した場合、光応答性分子４２２の大部分がトランス体からシス体に変形にするための誘導期を経るまでは液晶分子４２１の配向がほぼ維持されるので、表示機能層４２の光散乱性の増加速度が遅く、光散乱性を低い状態から高い状態に遷移させるのに時間が掛かっていた。しかし、本実施形態によれば、表示機能層４２において、液晶分子４２１として特定周波数領域（ｆｃ＝１０［Ｈｚ］以上の周波数で、例えば４２［ｋＨｚ］）の電圧の印加により誘電異方性の符号が変化する二周波駆動液晶分子が適用される。さらに、上記態様によれば、表示機能層４２には紫外光のみならず二周波駆動液晶分子の誘電異方性の符号が変化する特定周波数領域（ｆｃ＝１０［Ｈｚ］以上の周波数で、例えば４２［ｋＨｚ］）の電圧を印加する。これにより、液晶分子４２１は当該特定周波数領域の電圧により振動し、シス体に変化した光応答性分子４２２からの干渉を受けやすくなるので、誘導期の初期の段階から液晶分子４２１の配向を乱すことができ、且つ液晶分子４２１の配向を乱す速度も早めることができる。したがって、表示機能層４２の光散乱性の増加速度を高め、短時間で表示機能層４２の光散乱性を低い状態から高い状態に遷移させ、画像表示体４を透過率の高い状態から低い状態に短時間で遷移させることができる。さらに、特定周波数領域の電圧（高周波電圧）は画像表示体４の透過率が所定値（例えば５［％］）に低減するまで印加するので、その後の画像表示体４の透過率の上昇を抑制することができる。

【0096】

本実施形態の表示装置１００の制御方法において、表示機能層４２は、紫外光を受光することにより分子構造が（シス体からトランス体に）変化して二周波駆動液晶分子の配向を乱す光応答性分子４２２を含み、画像表示体４に当該分子構造が変化する誘導期（Ｔｉ）を経過する前（制御開始から所定時間Ｔｓ（Ｔｓ＜Ｔｅ）経過後）に特定周波数領域の電圧（高周波電圧）を印加する。

【0097】

これにより、画像表示体４に対して紫外光を投光するとともに高周波電圧を印加し、所定時間Ｔｅで高周波電圧の印加を停止した場合と同様の効果が得られる。また、制御開始（時刻０）から所定時間Ｔｓの間高周波電圧を印加しないので、その分、電源装置５（図１）の消費電力を削減することができる。

【0098】

本実施形態において、特定周波数領域の電圧（高周波電圧）の波形の時間微分は連続である。

【0099】

同じ周波数の矩形波と正弦波を比較すると、矩形波は、正弦波よりも周波数の高い高調波成分を多く含んでいる。よって、正弦波の高周波電圧が液晶分子４２１に印加する振動エネルギーは、当該高調波成分が無い分だけ、小さくなっている。よって、液晶分子４２１の振動は高周波成分を含まない分だけ滑らか且つ小さくなるので、表示機能層４２の粘性もその分高い状態を維持している。このため、液晶分子４２１の極性に起因する液晶分子４２１の対流も抑制される。したがって、光散乱性が高い状態の表示機能層４２の光散乱性の低下は発生せず、非透明状態の画像表示体４の透過率の上昇を抑制できる。

【符号の説明】

【0100】

１００ 表示装置
４ 画像表示体
４１３ 画像
４２ 表示機能層

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図4C】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】