特許 7502983 光モジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-11

(45)【発行日】2024-06-19

(54)【発明の名称】光モジュール

(51)【国際特許分類】

   H01S 5/02212 20210101AFI20240612BHJP

   H01S 5/026 20060101ALN20240612BHJP

【ＦＩ】

H01S5/02212

H01S5/026 616

H01S5/026 650

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2020213344

(22)【出願日】2020-12-23

(65)【公開番号】P2022099537

(43)【公開日】2022-07-05

【審査請求日】2023-09-15

(73)【特許権者】

【識別番号】519283819

【氏名又は名称】ＣＩＧ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｊａｐａｎ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】野口 大輔

(72)【発明者】

【氏名】山本 寛

【審査官】佐藤 美紗子

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－４６２１０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－８９９０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２２５９９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１７８１１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－４０９４９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｓ ５／００－５／５０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１方向に間隔があく一対の第１パッドを備え、前記一対の第１パッドの間に第２パッドを備える半導体光素子と、
前記第１方向に隣り合う第１回路及び第２回路を表面に備え、前記第１回路に重なって導通する第１裏面電極を裏面に備え、前記第２回路に重なって導通する第２裏面電極を前記裏面に備え、前記第１方向に交差する第２方向に前記半導体光素子の隣にあるサブ基板と、
前記一対の第１パッドをそれぞれ前記第１回路に電気的に接続する一対の第１ワイヤと、
前記第２パッドを前記第２回路に電気的に接続する第２ワイヤと、
前記サブ基板が上にかけ渡され、前記第１方向に相互に隣り合う第１コンデンサ及び第２コンデンサと、
を有し、
前記第１コンデンサは、前記第１裏面電極に対向して電気的に接続され、
前記第２コンデンサは、前記第２裏面電極に対向して電気的に接続され、
前記第１回路及び前記第２回路のそれぞれは、前記第１コンデンサ及び前記第２コンデンサの対応する１つに重なる本体領域を有し、
前記第１回路及び前記第２回路の少なくとも一方の回路は、他方の回路に向けて前記本体領域から延びる延長領域を有し、
前記一対の第１ワイヤの１つ及び前記第２ワイヤの少なくとも一方は、前記延長領域にボンディングされていることを特徴とする光モジュール。

【請求項2】

請求項１に記載された光モジュールであって、
前記一対の第１ワイヤが前記第１回路にボンディングされる一対の位置は、前記第１方向に相互にずれていることを特徴とする光モジュール。

【請求項3】

請求項２に記載された光モジュールであって、
前記第２ワイヤは、前記第１方向に前記一対の位置の間で、前記第２回路にボンディングされていることを特徴とする光モジュール。

【請求項4】

請求項１から３のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記第１回路が、前記延長領域を有し、
前記一対の第１ワイヤの前記１つが、前記第１回路の前記延長領域にボンディングされていることを特徴とする光モジュール。

【請求項5】

請求項４に記載された光モジュールであって、
前記第１回路の前記延長領域は、前記第２ワイヤが前記第２回路にボンディングされる位置よりも、前記半導体光素子から遠いことを特徴とする光モジュール。

【請求項6】

請求項５に記載された光モジュールであって、
前記第１回路の前記延長領域は、前記第２ワイヤが前記第２回路にボンディングされる前記位置よりも、前記第１コンデンサから遠いことを特徴とする光モジュール。

【請求項7】

請求項５又は６に記載された光モジュールであって、
前記第１回路の前記延長領域は、前記第２コンデンサに重なることを特徴とする光モジュール。

【請求項8】

請求項５から７のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記第１回路及び前記第２回路のそれぞれが、前記延長領域を有し、
前記一対の第１ワイヤの前記１つが前記延長領域にボンディングされる位置は、前記第２ワイヤが前記延長領域にボンディングされる前記位置よりも、前記第１コンデンサから遠いことを特徴とする光モジュール。

【請求項9】

請求項８に記載された光モジュールであって、
前記第１回路の前記延長領域及び前記第２回路の前記延長領域は、前記第２方向に隣り合うことを特徴とする光モジュール。

【請求項10】

請求項９に記載された光モジュールであって、
前記第２回路の前記延長領域は、前記第１回路の前記延長領域よりも、前記半導体光素子に近いことを特徴とする光モジュール。

【請求項11】

請求項１から１０のいずれか１項に記載された光モジュールであって、
前記第１回路及び前記第２回路の少なくとも一方は、配線及びパッド並びに前記配線及び前記パッドの間に直列接続された抵抗器を含み、
前記パッドの少なくとも一部が前記延長領域であることを特徴とする光モジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光モジュールに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体レーザ、光変調器及び増幅器がモノリシック集積された半導体光素子が知られている（特許文献１）。半導体レーザ及び増幅器のそれぞれに、バイパスコンデンサを並列に接続すれば、直流信号に重畳される高周波信号を分離することができる。光変調器には終端抵抗が並列接続されて、信号の不要反射を防いでいる。終端抵抗にデカップリングコンデンサを直列接続して、直流成分を流さないようにすれば、低消費電力化が可能になる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－４０９４９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

電気的接続を行うワイヤは、インダクタンスによる高周波特性の低下が問題にならない程度に、本数が少ないことが好ましい。また、ボンディング位置によっては、ワイヤの接触を避けられないことがあり、短絡防止の工夫が必要になる。

【0005】

本開示は、ワイヤボンディングの問題を回避することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

（１）本開示に係る光モジュールは、第１方向に間隔があく一対の第１パッドを備え、前記一対の第１パッドの間に第２パッドを備える半導体光素子と、前記第１方向に隣り合う第１回路及び第２回路を表面に備え、前記第１回路に重なって導通する第１裏面電極を裏面に備え、前記第２回路に重なって導通する第２裏面電極を前記裏面に備え、前記第１方向に交差する第２方向に前記半導体光素子の隣にあるサブ基板と、前記一対の第１パッドをそれぞれ前記第１回路に電気的に接続する一対の第１ワイヤと、前記第２パッドを前記第２回路に電気的に接続する第２ワイヤと、前記サブ基板が上にかけ渡され、前記第１方向に相互に隣り合う第１コンデンサ及び第２コンデンサと、を有し、前記第１コンデンサは、前記第１裏面電極に対向して電気的に接続され、前記第２コンデンサは、前記第２裏面電極に対向して電気的に接続され、前記第１回路及び前記第２回路のそれぞれは、前記第１コンデンサ及び前記第２コンデンサの対応する１つに重なる本体領域を有し、前記第１回路及び前記第２回路の少なくとも一方の回路は、他方の回路に向けて前記本体領域から延びる延長領域を有し、前記一対の第１ワイヤの１つ及び前記第２ワイヤの少なくとも一方は、前記延長領域にボンディングされていることを特徴とする。

【0007】

第１回路及び第２回路は、それぞれ、第１裏面電極及び第２裏面電極によって、第１コンデンサ及び第２コンデンサに電気的に接続される。これにより、ワイヤの本数を減らすことができる。また、延長領域は、第１回路から前記第２回路に（あるいはその逆に）延びる。これにより、一対の第１ワイヤと第２ワイヤの接触を避けることができる。

【0008】

（２）（１）に記載された光モジュールにおいて、前記一対の第１ワイヤが前記第１回路にボンディングされる一対の位置は、前記第１方向に相互にずれていることを特徴としてもよい。

【0009】

（３）（２）に記載された光モジュールにおいて、前記第２ワイヤは、前記第１方向に前記一対の位置の間で、前記第２回路にボンディングされていることを特徴としてもよい。

【0010】

（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された光モジュールにおいて、前記第１回路が、前記延長領域を有し、前記一対の第１ワイヤの前記１つが、前記第１回路の前記延長領域にボンディングされていることを特徴としてもよい。

【0011】

（５）（４）に記載された光モジュールにおいて、前記第１回路の前記延長領域は、前記第２ワイヤが前記第２回路にボンディングされる位置よりも、前記半導体光素子から遠いことを特徴としてもよい。

【0012】

（６）（５）に記載された光モジュールにおいて、前記第１回路の前記延長領域は、前記第２ワイヤが前記第２回路にボンディングされる前記位置よりも、前記第１コンデンサから遠いことを特徴としてもよい。

【0013】

（７）（５）又は（６）に記載された光モジュールにおいて、前記第１回路の前記延長領域は、前記第２コンデンサに重なることを特徴としてもよい。

【0014】

（８）（５）から（７）のいずれか１項に記載された光モジュールにおいて、前記第１回路及び前記第２回路のそれぞれが、前記延長領域を有し、前記一対の第１ワイヤの前記１つが前記延長領域にボンディングされる位置は、前記第２ワイヤが前記延長領域にボンディングされる前記位置よりも、前記第１コンデンサから遠いことを特徴としてもよい。

【0015】

（９）（８）に記載された光モジュールにおいて、前記第１回路の前記延長領域及び前記第２回路の前記延長領域は、前記第２方向に隣り合うことを特徴としてもよい。

【0016】

（１０）（９）に記載された光モジュールにおいて、前記第２回路の前記延長領域は、前記第１回路の前記延長領域よりも、前記半導体光素子に近いことを特徴としてもよい。

【0017】

（１１）（１）から（１０）のいずれか１項に記載された光モジュールにおいて、前記第１回路及び前記第２回路の少なくとも一方は、配線及びパッド並びに前記配線及び前記パッドの間に直列接続された抵抗器を含み、前記パッドの少なくとも一部が前記延長領域であることを特徴としてもよい。

【図面の簡単な説明】

【0018】

【図1】第１の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。

【図2】ステム及びこれに搭載される電子部品の斜視図である。

【図3】ステム及びこれに搭載される電子部品の平面図である。

【図4】第１コンデンサ及び第２コンデンサ並びにサブ基板を示す平面図である。

【図5】図４に示す構造のＶ－Ｖ線断面図である。

【図6】光モジュールの等価回路図である。

【図7】三次元電界解析ツールを用いたシミュレーションによって得られた、比較例及び第１の実施形態の周波数特性を示す図である。

【図8】第２の実施形態のステム及びこれに搭載される電子部品の平面図である。

【図9】三次元電界解析ツールを用いたシミュレーションによって得られた、第１の実施形態及び第２の実施形態の周波数特性を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0019】

以下に、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。

【0020】

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る光モジュールの斜視図である。光モジュール１００は、ＴＯ－ＣＡＮ（Transistor Outline-Can）型光モジュールであり、発光素子を備える光送信サブアセンブリ（TOSA: Transmitter Optical Sub-Assembly）、受光素子を備える光受信サブアセンブリ（ROSA: Receiver Optical Sub-Assembly）、発光素子及び受光素子の両方を備える双方向モジュール（BOSA；Bidirectional Optical Sub-Assembly）のいずれであってもよい。光モジュール１００は、フレキシブル基板（ＦＰＣ）１０２を有し、プリント基板（ＰＣＢ）１０４に接続されるようになっている。光モジュール１００は、ステム１０を有する。

【0021】

図２は、ステム１０及びこれに搭載される電子部品の斜視図である。図３は、ステム１０及びこれに搭載される電子部品の平面図である。ステム１０は、金属などの導電材料からなる。ステム１０は、アイレット１２を含む。アイレット１２は、厚み方向の表裏面の間でそれぞれ貫通する複数の貫通孔１４を有する。ステム１０は、アイレット１２に一体的な台座部１６を有する。台座部１６は、アイレット１２の表面から突出する。台座部１６も導電材料からなる。ステム１０は、基準電位（例えばグランド）に接続される。

【0022】

光モジュール１００は、複数のリードピンＬを有する。複数のリードピンＬは、複数の貫通孔１４の内側に、ガラスなどの絶縁体でステム１０とは絶縁されてそれぞれ固定されている。複数のリードピンＬは、フレキシブル基板１０２（図１）に接続される。

【0023】

光モジュール１００は、熱電冷却器１８を有する。熱電冷却器１８は、上面及び下面を有する。上面及び下面は、セラミックなどの絶縁体からなる。下面がステム１０（アイレット１２）に固定されている。固定には、熱伝導性の接着剤を使用してもよい。熱電冷却器１８は、上面及び下面の間で熱を移動させるためのペルチェ素子（図示せず）を内部に有する。例えば、上面が吸熱面になり、下面が放熱面になるが、その逆に切り替えられるようになっている。熱電冷却器１８の電極は、ワイヤＷ１によって、リードピンＬ１に接続されている。

【0024】

熱電冷却器１８の上面には金属層２０が積層する。金属層２０は、基準電位プレーン（例えばグランドプレーン）となる。サーミスタ２２が金属層２０に載って、電気的に接続し、温度を測定できるようになっている。サーミスタ２２は、ワイヤＷ２によってリードピンＬ２に接続されており、電圧が印加されるようになっている。

【0025】

［半導体光素子］
光モジュール１００は、半導体光素子２４を有する。半導体光素子２４は、電気信号及び光信号を少なくとも一方から他方に変換するようになっている。半導体光素子２４には、光源として半導体レーザ２６がモノリシック集積されている。半導体光素子２４には、光変調器２８（例えば電界吸収型変調器）がモノリシック集積されて、半導体レーザ２６からの出力光に変調を加えるようになっている。さらに、半導体光素子２４には、光増幅器３０（例えば半導体光増幅器）がモノリシック集積されて、レーザ出力を改善するようになっている。半導体光素子２４は、直方体になっている。

【0026】

半導体光素子２４は、長手方向に並ぶ一対の第１パッド３２を備える。一対の第１パッド３２は、第１方向Ｄ１に間隔があく。一対の第１パッド３２は、それぞれ、半導体レーザ２６及び光増幅器３０に電気的に接続されて、直流信号（直流電圧）が入力されるようになっている。半導体光素子２４は、一対の第１パッド３２の間に第２パッド３４を備える。一対の第１パッド３２及び第２パッド３４は、半導体光素子２４の長手方向に並ぶ。第２パッド３４は、光変調器２８に電気的に接続されて、高周波信号が入力されるようになっている。

【0027】

［搭載基板］
半導体光素子２４は、搭載基板３６に搭載されている。搭載基板３６は、半導体光素子２４が搭載される搭載面を有する。搭載面に平行な方向に光軸を向けるように、半導体光素子２４は配置されている。なお、半導体光素子２４は、端面から斜めに光を出射するようになっているため、第１方向Ｄ１に対して斜めに配置されている。熱電冷却器１８の上面と搭載面は、相互に交差（例えば直交）する方向を向く。搭載基板３６は、搭載面に第１グランドパターン３８及び第１信号パターン４０を有する。

【0028】

第１グランドパターン３８には、半導体光素子２４の裏面（カソード電極）が接合されている。第１グランドパターン３８は、図示しない側面電極やスルーホールによって、搭載面とは反対側での電気的接続が可能になっている。第１グランドパターン３８は、ワイヤＷ３によって、台座部１６に接続されている。第１信号パターン４０は、ワイヤＷ５によって半導体光素子２４（光変調器２８）の第２パッド３４に電気的に接続されて、高周波信号が入力されるようになっている。

【0029】

搭載基板３６は、支持ブロック４２に搭載されている。支持ブロック４２は導電材料（例えば金属）からなる。支持ブロック４２は、ワイヤＷ６によって台座部１６に電気的に接続されている。台座部１６には、中継基板４４が載っている。中継基板４４は、第２信号パターン４６を有する。第２信号パターン４６は、リードピンＬ３に電気的に接続されている。詳しくは、リードピンＬ３の端部と第２信号パターン４６の端子との間に、溶加材４８（はんだ、ろう材）が介在して両者が電気的に接続されている。

【0030】

第２信号パターン４６は、ワイヤＷ７を介して、第１信号パターン４０に接続されている。中継基板４４は、第２グランドパターン５０を有する。第２グランドパターン５０は、側面電極と一体化して、裏面での電気的接続が可能になり、台座部１６に電気的に接続されている。また、第２グランドパターン５０は、ワイヤＷ８によって支持ブロック４２に接続されている。

【0031】

［第１コンデンサ］
光モジュール１００は、第１コンデンサ５２（バイパスコンデンサ）を有する。第１コンデンサ５２は、半導体レーザ２６及び光増幅器３０（一対の第１パッド３２）のそれぞれに並列に接続されて、直流信号に重畳される高周波信号を分離するようになっている。第１コンデンサ５２は、支持ブロック４２に搭載されている。

【0032】

［第２コンデンサ］
光モジュール１００は、第２コンデンサ５４（デカップリングコンデンサ）を有する。第２コンデンサ５４は、信号の不要反射を防ぐための終端抵抗に直流成分を流さないようにして、低消費電力化を図っている。第２コンデンサ５４は、第１方向Ｄ１に、第１コンデンサ５２の隣にある。第１コンデンサ５２及び第２コンデンサ５４は、短絡を防止するため、厚みを同じ設計値とし、１５０μｍ以上の間隔を置いて搭載されている。第２コンデンサ５４は、支持ブロック４２に搭載されている。

【0033】

［サブ基板］
サブ基板５６が、第１コンデンサ５２及び第２コンデンサ５４の上にかけ渡されている。固定には、導電性接着剤を使用してもよい。省スペースな実装となるため、第１コンデンサ５２及び第２コンデンサ５４の容量を大きくすることができ、特性の改善を見込むことができる。サブ基板５６は、第１方向Ｄ１に交差（例えば直交）する第２方向Ｄ２に半導体光素子２４の隣にある。

【0034】

図４は、第１コンデンサ５２及び第２コンデンサ５４並びにサブ基板５６を示す平面図である。図５は、図４に示す構造のＶ－Ｖ線断面図である。

【0035】

サブ基板５６は、第１回路５８を表面に備える。サブ基板５６は、第１回路５８に重なって導通する第１裏面電極６０を裏面に備える。第１回路５８と第１裏面電極６０の導通には、側面電極又はビアを使用することができる。第１コンデンサ５２（上電極）は、第１裏面電極６０に対向して電気的に接続されている。第１コンデンサ５２の下電極が支持ブロック４２に導通し、基準電位（例えばグランド）に接続される。ワイヤを使用しないので、寄生インダクタンスを低減することができる。

【0036】

サブ基板５６は、第２回路６２を表面に備える。第１回路５８及び第２回路６２は、第１方向Ｄ１に隣り合う。サブ基板５６は、第２回路６２に重なって導通する第２裏面電極６４を裏面に備える。第２回路６２と第２裏面電極６４の導通には、側面電極又はビアを使用することができる。第２コンデンサ５４（上電極）は、第２裏面電極６４に対向して電気的に接続されている。第２コンデンサ５４の下電極が支持ブロック４２に導通し、基準電位（例えばグランド）に接続される。ワイヤを使用しないので、寄生インダクタンスを低減することができる。

【0037】

第１回路５８及び第２回路６２は、それぞれ、第１裏面電極６０及び第２裏面電極６４によって、第１コンデンサ５２及び第２コンデンサ５４に電気的に接続される。これにより、ワイヤの本数を減らすことができる。

【0038】

第１回路５８は、第１コンデンサ５２に重なる本体領域６６を有する。第１回路５８の本体領域６６は、ワイヤＷ４によってリードピンＬ４に接続されている（図２及び図３）。第１回路５８は、第２回路６２に向けて本体領域６６から延びる延長領域６８を有する。第１回路５８の延長領域６８は、第２コンデンサ５４に重なる。

【0039】

第２回路６２は、第２コンデンサ５４に重なる本体領域６６を有する。第２回路６２は、第１回路５８に向けて本体領域６６から延びる延長領域６８を有する。第１回路５８の延長領域６８及び第２回路６２の延長領域６８は、第２方向Ｄ２に隣り合う。第２回路６２の延長領域６８は、第１回路５８の延長領域６８よりも、半導体光素子２４に近い。

【0040】

第２回路６２は、配線７０及びパッド７２並びに配線７０及びパッド７２の間に直列接続された抵抗器７４（終端抵抗）を含む。パッド７２の少なくとも一部が延長領域６８である。抵抗器７４は、高周波信号のエネルギーを消費させて、信号の不要反射を防ぐようになっている。抵抗器７４に第２コンデンサ５４を直列接続することで、直流成分を流さないようになっている。これにより、低消費電力化が可能になる。

【0041】

［第１ワイヤ］
図３に示すように、光モジュール１００は、一対の第１ワイヤ７６を有する。一対の第１ワイヤ７６は、一対の第１パッド３２をそれぞれ第１回路５８に電気的に接続する。一対の第１ワイヤ７６が第１回路５８にボンディングされる一対の位置Ｐ１Ａ，Ｐ１Ｂ（図４）は、第１方向Ｄ１に相互にずれている。一対の第１ワイヤ７６の１つが、第１回路５８の延長領域６８にボンディングされている。

【0042】

［第２ワイヤ］
図３に示すように、光モジュール１００は、第２パッド３４を第２回路６２に電気的に接続する第２ワイヤ７８を有する。第２ワイヤ７８は、第１方向Ｄ１に一対の位置Ｐ１Ａ，Ｐ１Ｂ（図４）の間で、第２回路６２にボンディングされている。第２ワイヤ７８は、延長領域６８にボンディングされている。

【0043】

一対の第１ワイヤ７６の１つが延長領域６８にボンディングされる位置Ｐ１Ａ（図４）は、第２ワイヤ７８が延長領域６８にボンディングされる位置Ｐ２（図４）よりも、第１コンデンサ５２から遠い。第１回路５８の延長領域６８は、第２ワイヤ７８が第２回路６２にボンディングされる位置Ｐ２よりも、半導体光素子２４から遠い。第１回路５８の延長領域６８の先端は、第２ワイヤ７８が第２回路６２にボンディングされる位置Ｐ２よりも、第１コンデンサ５２から遠い。

【0044】

延長領域６８は、第１回路５８から第２回路６２に（あるいは逆に）延びる。これにより、一対の第１ワイヤ７６と第２ワイヤ７８の接触を避けることができる。

【0045】

［等価回路］
図６は、光モジュール１００の等価回路図である。半導体レーザ２６及び光増幅器３０には、それぞれ、電流源８０から直流信号が入力される。光変調器２８には、高周波信号が入力される。半導体レーザ２６、光変調器２８及び光増幅器３０は、図示しないカソード電極を共有する。そのため、半導体レーザ２６及び光増幅器３０が高周波信号の影響を受ける。そこで、半導体レーザ２６及び光増幅器３０のそれぞれに第１コンデンサ５２が並列接続されており、これにより、直流信号に重畳される高周波信号が分離される。

【0046】

光変調器２８には抵抗器７４が並列接続されている。これにより、高周波信号のエネルギーを消費させて、信号の不要反射を防ぐようになっている。また、抵抗器７４には第２コンデンサ５４が直列接続されているので、直流成分を流さないようになっている。これにより、低消費電力化が可能になる。

【0047】

［シミュレーション］
図７は、三次元電界解析ツールを用いたシミュレーションによって得られた、比較例及び第１の実施形態の周波数特性を示す図である。比較例では、デカップリングコンデンサと終端抵抗をワイヤで接続した。第１の実施形態では、第２コンデンサ５４（デカップリングコンデンサ）と抵抗器７４（終端抵抗）の間にワイヤが無いので、インダクタンスが低減され、特性が大幅に改善されている。

【0048】

［第２の実施形態］
図８は、第２の実施形態のステム及びこれに搭載される電子部品の平面図である。第１回路２５８は、配線２７０及びパッド２７２並びに配線２７０及びパッド２７２の間に直列接続された抵抗器２７４（ダンピング抵抗）を含む。パッド２７２の少なくとも一部が延長領域２６８である。延長領域２６８にボンディングされる第１ワイヤ２７６は、光増幅器２３０の第１パッド２３２にボンディングされる。したがって、抵抗器２７４及び第１コンデンサ２５２が、光増幅器２３０に並列接続される。これにより、半導体レーザ２２６に分流する電流量を多くすることができる。また、光増幅器２３０は光変調器２２８に近いことで高周波信号が重畳しやすいが、抵抗器２７４によってノイズを減らすことができる。その他の内容には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。

【0049】

図９は、三次元電界解析ツールを用いたシミュレーションによって得られた、第１の実施形態及び第２の実施形態の周波数特性を示す図である。第２の実施形態では、抵抗器２７４（ダンピング抵抗）によって、第１回路２５８に重畳される高周波信号が低減されている。その効果によって、４８ＧＨｚ付近のロスが改善している。抵抗値をさらに上げることで、さらなるロスの改善が可能となるが、消費電力とのトレードオフがあるので、最適な抵抗値は使用条件などで異なる。

【0050】

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

【符号の説明】

【0051】

１０ ステム、１２ アイレット、１４ 貫通孔、１６ 台座部、１８ 熱電冷却器、２０ 金属層、２２ サーミスタ、２４ 半導体光素子、２６ 半導体レーザ、２８ 光変調器、３０ 光増幅器、３２ 第１パッド、３４ 第２パッド、３６ 搭載基板、３８ 第１グランドパターン、４０ 第１信号パターン、４２ 支持ブロック、４４ 中継基板、４６ 第２信号パターン、４８ 溶加材、５０ 第２グランドパターン、５２ 第１コンデンサ、５４ 第２コンデンサ、５６ サブ基板、５８ 第１回路、６０ 第１裏面電極、６２ 第２回路、６４ 第２裏面電極、６６ 本体領域、６８ 延長領域、７０ 配線、７２ パッド、７４ 抵抗器、７６ 第１ワイヤ、７８ 第２ワイヤ、８０ 電流源、１００ 光モジュール、１０２ フレキシブル基板、２２６ 半導体レーザ、２２８ 光変調器、２３０ 光増幅器、２３２ 第１パッド、２５２ 第１コンデンサ、２５８ 第１回路、２６８ 延長領域、２７０ 配線、２７２ パッド、２７４ 抵抗器、２７６ 第１ワイヤ、Ｄ１ 第１方向、Ｄ２ 第２方向、Ｌ リードピン、Ｌ１ リードピン、Ｌ２ リードピン、Ｌ３ リードピン、Ｌ４ リードピン、Ｐ１Ａ 位置、Ｐ１Ｂ 位置、Ｐ２ 位置、Ｗ１ ワイヤ、Ｗ２ ワイヤ、Ｗ３ ワイヤ、Ｗ４ ワイヤ、Ｗ５ ワイヤ、Ｗ６ ワイヤ、Ｗ７ ワイヤ、Ｗ８ ワイヤ。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】