特許 7503110 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-11

(45)【発行日】2024-06-19

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240612BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651Z

H01L21/304 648A

【請求項の数】 16

(21)【出願番号】P 2022165575

(22)【出願日】2022-10-14

(65)【公開番号】P2023064067

(43)【公開日】2023-05-10

【審査請求日】2022-10-14

(31)【優先権主張番号】10-2021-0142881

(32)【優先日】2021-10-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(73)【特許権者】

【識別番号】518162784

【氏名又は名称】セメス カンパニー，リミテッド

(74)【代理人】

【識別番号】100114775

【弁理士】

【氏名又は名称】高岡 亮一

(74)【代理人】

【識別番号】100121511

【弁理士】

【氏名又は名称】小田 直

(74)【代理人】

【識別番号】100202751

【弁理士】

【氏名又は名称】岩堀 明代

(74)【代理人】

【識別番号】100208580

【弁理士】

【氏名又は名称】三好 玲奈

(74)【代理人】

【識別番号】100191086

【弁理士】

【氏名又は名称】高橋 香元

(72)【発明者】

【氏名】チョン，ジン ウ

(72)【発明者】

【氏名】チェ，ジン モ

(72)【発明者】

【氏名】イ，サン ミン

(72)【発明者】

【氏名】イ，ヤン フン

(72)【発明者】

【氏名】チョ，ヨン ヒュン

(72)【発明者】

【氏名】イム，ヨン ジュン

(72)【発明者】

【氏名】オ，スン フン

【審査官】正山 旭

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１３－１２０９４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１９０４８５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１４－１７５６６９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０７３８２６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する装置において、
内部に基板を処理する処理空間を提供するハウジングと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間に工程流体を供給する下部供給ポートと、
前記処理空間で前記支持ユニットに支持された基板より下に配置されるフィラー部材と、を含み、
前記フィラー部材には、
前記下部供給ポートと対向するバッファ空間が形成され、
前記フィラー部材と前記ハウジングの内壁との間には前記バッファ空間に流入された前記工程流体を基板に向かう方向に流れるようにする通路が形成され、
前記ハウジングは、上部ハウジングと下部ハウジングを含み、
前記下部ハウジングは、上部が開放された溝が形成され、
前記フィラー部材の少なくとも一部分は、前記溝に挿入され、
前記フィラー部材は、
ベース部と、
前記ベース部の下面から下方向に延長される突出部と、を含み、
前記突出部の少なくとも一部は、前記溝に挿入され、
前記ベース部は、
前記溝の上部に位置し、上部から見る時、前記溝の面積より大きく提供される
基板処理装置。

【請求項2】

前記下部供給ポートは、
上部から見る時、前記バッファ空間と重畳されるように位置する請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記ベース部は、前記ハウジングの内壁と離隔されるように提供される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

基板を処理する装置において、
内部に基板を処理する処理空間を提供するハウジングと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間に工程流体を供給する下部供給ポートと、
前記処理空間で前記支持ユニットに支持された基板より下に配置されるフィラー部材と、を含み、
前記フィラー部材には、
前記下部供給ポートと対向するバッファ空間が形成され、
前記フィラー部材と前記ハウジングの内壁との間には前記バッファ空間に流入された前記工程流体を基板に向かう方向に流れるようにする通路が形成され、
前記フィラー部材は、
ベース部と、
前記ベース部の下面から下方向に延長される突出部と、を含み、
前記バッファ空間を定義する前記突出部の内側面には前記内側面に沿って螺旋形状のスリットが形成される基板処理装置。

【請求項5】

前記ベース部の上面には、
前記支持ユニットに置かれる基板の下面と接触されて基板を支持ユニットから一定距離離隔させる少なくとも１つ以上の支持ピンが形成される請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記突出部の下端には互いに離隔された複数の支持突起が形成され、前記支持突起は、前記突出部の下端と前記溝を定義する底面を互いに離隔させ、
前記突出部の上端は、前記溝の上端より高く位置し、
前記支持突起の間の空間は、前記通路として提供される請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記工程流体は、超臨界流体である請求項１または請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項8】

基板を処理する装置において、
内部に基板を処理する処理空間を提供するハウジングと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記処理空間に工程流体を供給する供給ポートと、
前記ハウジングに形成された溝と互いに組み合わせてバッファ空間を形成し、前記処理空間と前記バッファ空間を互いに連通させる開口が形成されたバッファプレートと、を含む基板処理装置。

【請求項9】

前記処理空間で前記支持ユニットに支持された基板より下に配置されるフィラー部材っをさらに含み、
前記フィラー部材は、前記バッファプレートより上に配置される請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記ハウジングは、第１ハウジングと第２ハウジングを含み、
前記第２ハウジングには前記支持ユニットに支持された基板と遠くなる方向に湾入された前記溝が形成される請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記バッファプレートは、前記溝に位置し、
前記供給ポートで供給される工程流体と対向する前記バッファプレートの領域はブロッキング領域である請求項１０に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記フィラー部材は、
上部から見る時、前記溝より大きい面積に提供される請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記フィラー部材の下面は、前記バッファプレートの上面より高く提供される請求項１２に記載の基板処理装置。

【請求項14】

前記工程流体は、超臨界流体である請求項８乃至請求項１３のいずれかの一項に記載の基板処理装置。

【請求項15】

基板を処理する装置において、
内部に基板を処理する処理空間を提供し、上部ハウジングと上部が開放された溝が形成された下部ハウジングを含むハウジングと、
前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、
前記ハウジングの上部で前記処理空間に工程流体を供給する上部供給ポートと、
前記ハウジングの下部で前記処理空間に工程流体を供給する下部供給ポートと、
前記処理空間で前記支持ユニットに支持された基板より下に配置されるフィラー部材と、を含み、
前記フィラー部材には、
前記下部供給ポートと対向するバッファ空間が形成され、
前記フィラー部材と前記ハウジングの内壁との間には前記下部供給ポートによって前記バッファ空間に流入された前記工程流体を基板に向かう方向に流れるようにするする通路が形成され、
前記フィラー部材は、
ベース部と、
前記ベース部の下面から下方向に延長されるリング形状の突出部と、を含み、
前記ベース部は、
前記溝の上部に位置し、上部から見る時、前記溝の面積より大きく提供され、
前記突出部は、
前記溝の内部に位置し、前記溝の側面で前記溝の中心に向かう方向に離隔されるように提供される
基板処理装置。

【請求項16】

前記突出部の下端には支持突起が形成され、
前記突出部の下端は、前記溝の底面で上方向に離隔され、
前記突出部の上端は、前記溝の上端より高く位置する請求項１５に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は基板処理装置に関し、さらに詳細には基板に対して乾燥工程を遂行する基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

一般的に、半導体素子を製造するためには写真工程（Ｐｈｏｔｏ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、蝕刻工程（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、イオン注入工程（Ｉｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）、そして蒸着工程（Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓ）等のような様々な工程が遂行される。また、このような工程を遂行する過程でパーティクル、有機汚染物、金属不純物等の様々な異物質が発生する。このような異物質は基板に欠陥が生じ、半導体素子の性能及び収率に直接的な影響を及ぼす要因として作用する。半導体素子の製造工程にはこのような異物質を除去するための洗浄工程が必須的に伴う。

【0003】

最近には基板を洗浄する工程又は基板を現像する工程に超臨界流体が使用される。一例によれば、イソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ；以下、ＩＰＡ）のようなリーニング（ｌｅａｎｉｎｇ）防止液を通じて基板の上部面をウェッティングした後、二酸化炭素（ＣＯ２）を超臨界状態に基板の上部面に供給して基板に残っているリーニング防止液を除去する方式に進行されることができる。

【0004】

超臨界流体を使用する工程が処理される処理空間の内部は臨界温度及び臨界圧力以上の環境が維持されなければならない。また、超臨界流体は処理空間の内部で均一に分布されなければならない。但し、処理空間の内部の構造的な問題によって超臨界流体が処理空間の内部で均一に流動されない。一例として、処理空間の内部に超臨界流体を供給する供給ポートが処理空間の中心から偏向されるように位置する場合、供給ポートが提供された領域に超臨界流体が相対的に集中される現象が発生する。即ち、超臨界流体が処理空間の内部で非対称的に流動する。処理空間の内部に超臨界流体を速い速度で供給する時、処理空間の内部での超臨界流体の非対称性がさらに増加される。これによって、処理空間上に位置した基板に均一な処理が行われない。また、超臨界流体の非対称性によって、超臨界流体が相対的に多く供給される基板の特定領域にパーティクルが多量に発生する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】国際特許公開第ＷＯ２０１３１１５１５６Ａ１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

本発明の目的は工程流体を処理空間に均一に供給することができる基板処理装置を提供することにある。

【0007】

また、本発明の目的は工程流体を速い速度で処理空間に供給する時、工程流体が処理空間で均一に流動することができる基板処理装置を提供することにある。

【0008】

また、本発明の目的は工程流体を利用して基板を処理する時、基板の特定領域にパーティクルが集中される現象を抑制することができる基板処理装置を提供することにある。

【0009】

本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から当業者に明確に理解されるべきである。

【課題を解決するための手段】

【0010】

本発明は基板を処理する装置を提供する。基板を処理する装置は、内部に基板を処理する処理空間を提供するハウジングと、前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、前記処理空間に工程流体を供給する下部供給ポートと、前記処理空間で前記支持ユニットに支持された基板より下に配置されるフィラー部材と、を含み、前記フィラー部材には、前記下部供給ポートと対向するバッファ空間が形成され、前記フィラー部材と前記ハウジングの内壁との間には前記バッファ空間に流入された前記工程流体が前記基板に向かう方向に流れるようにする通路が形成されることができる。

【0011】

一実施形態によれば、前記下部供給ポートは、上部から見る時、前記バッファ空間と重畳されるように位置することができる。

【0012】

一実施形態によれば、前記ハウジングは上部ハウジングと下部ハウジングを含み、前記下部ハウジングは上部が開放された溝が形成され、前記フィラー部材の少なくとも一部分は、前記溝に挿入されることができる。

【0013】

一実施形態によれば、前記フィラー部材は、ベース部と、前記ベース部の下面から下方向に延長される突出部と、を含むことができる。

【0014】

一実施形態によれば、前記ベース部は、前記ハウジングの内壁と離隔されるように提供されることができる。

【0015】

一実施形態によれば、前記ベース部の上面には、前記支持ユニットに置かれる基板の下面と接触されて基板を支持ユニットから一定距離離隔させる少なくとも１つ以上の支持ピンが形成されることができる。

【0016】

一実施形態によれば、前記バッファ空間を定義する前記突出部の内側面には前記内側面に沿って螺旋形状のスリットが形成されることができる。

【0017】

一実施形態によれば、前記フィラー部材は、ベース部と、前記ベース部の下面から下方向に延長される突出部と、を含み、前記突出部の少なくとも一部は前記溝に挿入され、前記ベース部は、前記溝の上部に位置し、上部から見る時、前記溝の面積より大きく提供されることができる。

【0018】

一実施形態によれば、前記突出部の下端には互いに離隔された複数の支持突起が形成され、前記支持突起は前記突出部の下端と前記溝を定義する底面を互いに離隔させ、前記突出部の上端は前記溝の上端より高く位置し、前記支持突起の間の空間は前記通路として提供されることができる。

【0019】

一実施形態によれば、前記工程流体は超臨界流体であり得る。

【0020】

また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、内部に基板を処理する処理空間を提供するハウジングと、前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、前記処理空間に工程流体を供給する供給ポートと、前記ハウジングに形成された溝と互いに組み合わせてバッファ空間を形成し、前記処理空間と前記バッファ空間を互いに連通させる開口が形成されたバッファプレートと、を含むことができる。

【0021】

一実施形態によれば、前記処理空間で前記支持ユニットに支持された基板より下に配置されるフィラー部材をさらに含み、前記フィラー部材は前記バッファプレートより上に配置されることができる。

【0022】

一実施形態によれば、前記ハウジングは第１ハウジングと第２ハウジングを含み、前記第２ハウジングには前記支持ユニットに支持された基板と遠くなる方向に湾入された前記溝が形成されることができる。

【0023】

一実施形態によれば、前記バッファプレートは前記溝に位置し、前記供給ポートで供給される工程流体と対向する前記バッファプレートの領域はブロッキング領域であり得る。

【0024】

一実施形態によれば、前記フィラー部材は、上部から見る時、前記溝より大きい面積に提供されることができる。

【0025】

一実施形態によれば、前記フィラー部材の下面は前記バッファプレートの上面より高く提供されることができる。

【0026】

一実施形態によれば、前記工程流体は超臨界流体であり得る。

【0027】

また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、内部に基板を処理する処理空間を提供し、上部ハウジングと上部が開放された溝が形成された下部ハウジングを含むハウジングと、前記処理空間で基板を支持する支持ユニットと、前記ハウジングの上部で前記処理空間に工程流体を供給する上部供給ポートと、前記ハウジングの下部で前記処理空間に工程流体を供給する下部供給ポートと、前記処理空間で前記支持ユニットに支持された基板より下に配置されるフィラー部材と、を含み、前記フィラー部材には、前記下部供給ポートと対向するバッファ空間が形成され、前記フィラー部材と前記ハウジングの内壁との間には前記下部供給ポートによって前記バッファ空間に流入された前記工程流体が前記基板に向かう方向に流れるようにする通路が形成されることができる。

【0028】

一実施形態によれば、前記フィラー部材は、ベース部と、前記ベース部の下面から下方向に延長されるリング形状の突出部と、を含み、前記ベース部は、前記溝の上部に位置し、上部から見る時、前記溝の面積より大きく提供され、前記突出部は、前記溝の内部に位置し、前記溝の側面で前記溝の中心に向かう方向に離隔されるように提供されることができる。

【0029】

一実施形態によれば、前記突出部の下端には支持突起が形成され、前記突出部の下端は前記溝の底面で上方向に離隔され、前記突出部の上端は前記溝の上端より高く位置することができる。

【発明の効果】

【0030】

本発明の一実施形態によれば、基板を効率的に処理することができる。

【0031】

また、本発明の一実施形態によれば、工程流体を処理空間に均一に供給することができる。

【0032】

また、本発明の一実施形態によれば、工程流体を速い速度で処理空間に供給する時、工程流体が処理空間で均一に流動することができる。

【0033】

また、本発明の一実施形態によれば、工程流体を利用して基板を処理する時、基板の特定領域にパーティクルが集中される現象を抑制することができる。

【0034】

本発明の効果が上述した効果によって限定されることではなく、言及されない効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。

【図面の簡単な説明】

【0035】

【図1】本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図面である。

【図2】図１の基板処理装置の液処理チャンバーに対する一実施形態を概略的に示す図面である。

【図3】図１の基板処理装置の乾燥チャンバーに対する一実施形態を概略的に示す図面である。

【図4】図３のフィラー部材に対する一実施形態を概略的に示す斜視図である。

【図5】図３の乾燥チャンバーで工程流体の流動を概略的に示す図面である。

【図6】図３のフィラー部材に対する他の実施形態を概略的に示す切断斜視図である。

【図7】図１の基板処理装置の乾燥チャンバーに対する他の実施形態を概略的に示す図面である。

【図8】図７の乾燥チャンバーで工程流体の流動を概略的に示す図面である。

【図9】図１の基板処理装置の乾燥チャンバーに対する他の実施形態を概略的に示す図面である。

【図10】図９の乾燥チャンバーで工程流体の流動を概略的に示す図面である。

【図11】図１の基板処理装置の乾燥チャンバーに対する他の実施形態を概略的に示す図面である。

【図12】図１１の乾燥チャンバーで工程流体の流動を概略的に示す図面である。

【図13】図１の基板処理装置の乾燥チャンバーに対する他の実施形態を示す図面である。

【図14】図１の基板処理装置の乾燥チャンバーに対する他の実施形態を示す図面である。

【発明を実施するための形態】

【0036】

以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照してさらに詳細に説明する。本発明の実施形態は々な形態に変形されることができ、本発明の範囲が下で説明する実施形態によって限定されないことと解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をさらに完全に説明するために提供されることである。したがって、図面での構成要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたものである。

【0037】

本実施形態には基板上に洗浄液のような液を供給して基板を液処理する工程を例として説明する。しかし、本実施形態は洗浄工程に限定されななく、蝕刻工程、アッシング工程、現像工程等のように処理液を利用して基板を処理する様々な工程に適用可能である。

【0038】

以下では、図１乃至図１０を参照して本発明の一実施形態による基板処理装置１の一実施形態に対して説明する。本発明の一実施形態による基板処理装置１は超臨界乾燥工程を含んで洗浄工程を遂行することができる。

【0039】

図１は本発明の一実施形態による基板処理システムを概略的に示す平面図である。図１を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール１０（ｉｎｄｅｘ ｍｏｄｕｌｅ）と処理モジュール２０（ｔｒｅａｔｉｎｇ ｍｏｄｕｌｅ）を含む。一実施形態によれば、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０は一方向に沿って配置される。以下では、インデックスモジュール１０と処理モジュール２０が配置された方向を第１方向２とし、上部から見る時、第１方向２と垂直になる方向を第２方向４とし、第１方向２と第２方向４を全て含む平面に垂直になる方向を第３方向６として定義する。

【0040】

インデックスモジュール１０は基板Ｗが収納された容器Ｆから基板Ｗを処理する処理モジュール２０に基板Ｗを搬送する。インデックスモジュール１０は処理モジュール２０で処理が完了された基板Ｗを容器Ｆに収納する。インデックスモジュール１０の長さ方向は第２方向４に提供される。インデックスモジュール１０はロードポート１２０及びインデックスフレーム１４０を有する。

【0041】

ロードポート１２０には基板Ｗが収納された容器Ｆが安着される。ロードポート１２０はインデックスフレーム１４０を基準に処理モジュール２０の反対側に位置する。ロードポート１２０は複数が提供されることができ、複数のロードポート１２０は第２方向４に沿って一列に配置されることができる。ロードポート１２０の数は処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件等に応じて増加するか、又は減少することができる。

【0042】

容器Ｆには基板Ｗを地面に対して水平に配置した状態に収納するための多数のスロット（図示せず）が形成される。容器Ｆとしては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）のような密閉用容器が使用されることができる。容器Ｆはオーバーヘッドトランスファー（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）、オーバーヘッドコンベア（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｃｏｎｖｅｙｏｒ）、又は自動案内車両（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ Ｇｕｉｄｅｄ Ｖｅｈｉｃｌｅ）のような移送手段（図示せず）や作業者によってロードポート１２０に置かれることがきる。

【0043】

インデックスフレーム１４０の内部にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はインデックスフレーム１４０内にその長さ方向が第２方向４に沿って提供される。インデックスロボット１４４は基板Ｗを搬送することができる。インデックスロボット１４４はインデックスモジュール１０、そしてバッファユニット２２０の間に基板Ｗを搬送することができる。インデックスロボット１４４はインデックスハンド１４４０を含むことができる。

【0044】

インデックスハンド１４４０には基板Ｗが置かれることができる。インデックスハンド１４４０は円周の一部が対称されるように切断された環状のリング形状を有するインデックスベース１４４２とインデックスベース１４４２を移動させるインデックス支持部１４４４を含むことができる。インデックスハンド１４４０の構成は後述する搬送ハンドの構成と同一又は類似である。インデックスハンド１４４０はインデックスレール１４２上で第２方向４に沿って移動可能に提供されることができる。したがって、インデックスハンド１４４０はインデックスレール１４２に沿って前進及び後進移動が可能である。また、インデックスハンド１４４０は第３方向６を軸とする回転、そして第３方向６に沿って移動可能に提供されることができる。

【0045】

処理モジュール２０はバッファユニット２２０、搬送チャンバー２４０、液処理チャンバー２６０、そして乾燥チャンバー２８０を含む。バッファユニット２２０は処理モジュール２０に搬入される基板Ｗと処理モジュール２０から搬出される基板Ｗが一時的に留まる空間を提供する。搬送チャンバー２４０はバッファユニット２２０と工程チャンバー２６０との間に、液処理チャンバー２６０、そして乾燥チャンバー２８０との間に基板Ｗを搬送する空間を提供する。

【0046】

液処理チャンバー２６０は基板Ｗ上に液を供給して基板Ｗを液処理する液処理工程を遂行する。例えば、液処理工程は洗浄液で基板を洗浄する洗浄工程であり得る。工程チャンバー内で基板に対してケミカル処理、そしてリンス処理が全て遂行されることができる。乾燥チャンバー２８０は基板Ｗ上に残留する液を除去する乾燥工程を遂行する。

【0047】

バッファユニット２２０はインデックスフレーム１４０と搬送チャンバー２４０との間に配置されることができる。バッファユニット２２０は搬送チャンバー２４０の一端に位置されることができる。バッファユニット２２０の内部には基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供される。スロット（図示せず）は相互間に第３方向６に沿って離隔されるように複数が提供される。バッファユニット２２０は前面（ｆｒｏｎｔ ｆａｃｅ）と背面（ｒｅａｒ ｆａｃｅ）が開放される。前面はインデックスモジュール１０と対向する面であり、後面は搬送チャンバー２４０と対向する面である。インデックスロボット１４４は前面を通じてバッファユニット２２０に接近し、後述する搬送ロボット２４４は背面を通じてバッファユニット２２０に接近することができる。

【0048】

搬送チャンバー２４０はその長さ方向が第１方向２に提供されることができる。液処理チャンバー２６０と乾燥チャンバー２８０は搬送チャンバー２４０の側部に配置されることができる。液処理チャンバー２６０と搬送チャンバー２４０は第２方向４に沿って配置されることができる。乾燥チャンバー２８０と搬送チャンバー２４０は第２方向４に沿って配置されることができる。

【0049】

一例によれば、液処理チャンバー２６０は搬送チャンバー２４０の両側に配置され、乾燥チャンバー２８０は搬送チャンバー２４０の両側に配置され、液処理チャンバー２６０は乾燥チャンバー２８０よりバッファユニット２２０にさらに近い位置に配置されることができる。搬送チャンバー２４０の一側で液処理チャンバー２６０は第１方向２及び第３方向６に沿って各々ＡＸＢ（Ａ、Ｂは各々１又は１より大きい自然数）配列に提供されることができる。また、搬送チャンバー２４０の一側で乾燥チャンバー２８０は第１方向２及び第３方向６に沿って各々ＣＸＤ（Ｃ、Ｄは各々１又は１より大きい自然数）配列に提供されることができる。上述したことと異なりに、搬送チャンバー２４０の一側には液処理チャンバー２６０のみが提供され、他側には乾燥チャンバー２８０のみが提供されることができる。

【0050】

搬送チャンバー２４０はガイドレール２４２と搬送ロボット２４４を有する。ガイドレール２４２はその長さ方向が第１方向２に搬送チャンバー２４０内に提供される。搬送ロボット２４４はガイドレール２４２上で第１方向２に沿って直線移動可能に提供されることができる。搬送ロボット２４４はバッファユニット２２０、液処理チャンバー２６０、そして乾燥チャンバー２８０の間に基板Ｗを搬送する。

【0051】

搬送ロボット２４４０はベース２４４２、本体２４４４、そしてアーム２４４６を含む。ベース２４４２はガイドレール２４２に沿って第１方向２に移動可能するように設置される。本体２４４４はベース２４４２に結合される。本体２４４４はベース２４４２上で第３方向６に沿って移動移動可能するように提供される。また、本体２４４４はベース２４４２上で回転可能するように提供される。アーム２４４６は本体２４４４に結合され、これは本体２４４４に対して前進及び後進移動可能するように提供される。アーム２４４６は複数に提供されて各々個別駆動されるように提供される。アーム２４４６は第３方向６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。

【0052】

液処理チャンバー２６０は基板Ｗに対して液処理する工程を遂行する。例えば、液処理チャンバー２６０は基板Ｗに対して洗浄液を供給して洗浄工程を遂行するチャンバーであり得る。これと異なりに、液処理チャンバー２６０は液体プラズマを供給して基板の上の薄膜を除去する湿式蝕刻工程を遂行するチャンバーであり得る。

【0053】

液処理チャンバー２６０は基板Ｗを処理する工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。これと異なりに、各々の液処理チャンバー２６０は互いに同一な構造を有することができる。選択的に、液処理チャンバー２６０は複数のグループに区分されてグループの中でいずれか１つのグループに属する液処理チャンバー２６０は洗浄工程と湿式蝕刻工程の中でいずれか１つを遂行する液処理チャンバー２６０であり得り、グループの中で他の１つのグループに属する液処理チャンバー２６０は洗浄工程と湿式蝕刻工程の中で他の１つを遂行する液処理チャンバー２６０であり得る。

【0054】

以下の本発明の実施形態では液処理チャンバー２６０で基板Ｗ上に液を供給して基板Ｗを液処理する液処理工程を遂行する場合を例として説明する。

【0055】

図２は図１の液処理チャンバーの一実施形態を概略的に示す図面である。図２を参照すれば、液処理チャンバー２６０はハウジング２６１０、処理容器２６２０、支持ユニット２６３０、昇降ユニット２６４０、液供給ユニット２６５０、排気ユニット２６６０、そして気流供給ユニット２６８０を含む。

【0056】

ハウジング２６１０は内部に空間を有する。ハウジング２６１０は大体に直方体形状に提供される。処理容器２６２０、支持ユニット２６３０、そして液供給ユニット２６４０はハウジング２６１０内に配置される。

【0057】

処理容器２６２０は上部が開放された処理空間を有する。基板Ｗは処理空間内で液処理される。支持ユニット２６３０は処理空間内で基板Ｗを支持し、基板Ｗを回転させる。液供給ユニット２６４０は支持ユニット２６３０に支持された基板Ｗ上に液を供給する。液は複数の種類に提供され、基板Ｗ上に順次的に供給されることができる。

【0058】

一例によれば、処理容器２６２０は案内壁２６２１と複数の回収筒２６２３、２６２５、２６２７を有する。各々の回収筒２６２３、２６２５、２６２７は基板処理に使用された液の中で互いに異なる液を分離回収する。回収筒２６２３、２６２５、２６２７は各々基板処理に使用された液を回収する回収空間を有する。案内壁２６２１と各々の回収筒２６２３、２６２５、２６２７は支持ユニット２６３０を囲む環状のリング形状に提供される。液処理工程が進行される時、基板Ｗの回転によって飛散される液は後述する各回収筒２６２３、２６２５、２６２７の流入口２６２３ａ、２６２５ａ、２６２７ａを通じて回収空間に流入される。各々の回収筒には互いに異なる種類の処理液が流入されることができる。

【0059】

一例によれば、処理容器２６２０は案内壁２６２１、第１回収筒２６２３、第２回収筒２６２５、そして第３回収筒２６２７を有する。案内壁２６２１は支持ユニット２６３０を囲む環状のリング形状に提供され、第１回収筒２６２３は案内壁２６２１を囲む環状のリング形状に提供される。第２回収筒２６２５は第１回収筒２６２３を囲む環状のリング形状に提供され、第３回収筒２６２７は第２回収筒２６２５を囲む環状のリング形状に提供される。第１回収筒２６２３と案内壁２６２１との間の空間は液が流入される第１流入口２６２３ａとして機能する。第１回収筒２６２３と第２回収筒２６２５との間の空間は液が流入される第２流入口２６２５ａとして機能する。第２回収筒２６２５と第３回収筒２６２７との間の空間は液が流入される第３流入口２６２７ａとして機能する。第２流入口２６２５ａは第１流入口２６２３ａより上部に位置され、第３流入口２６２７ａは第２流入口２６２５ａより上部に位置されることができる。

【0060】

案内壁２６２１の下端と第１回収筒２６２３との間の空間は液から発生されたヒューム（Ｆｕｍｅ）と気流が排出される第１排出口２６２３ｂとして機能する。第１回収筒２６２３の下端と第２回収筒２６２５との間の空間は液から発生されたヒュームと気流が排出される第２排出口２６２５ｂとして機能する。第２回収筒２６２５の下端と第３回収筒２６２７との間の空間は液から発生されたヒュームと気流が排出される第３排出口２６２７ｂとして機能する。第１排出口２６２３ｂ、第２排出口２６２５ｂ、そして第３排出口２６２７ｂから排出されたヒューム（ｆｕｍｅ）と気流は後述する排気ユニット２６６０を通じて排気される。

【0061】

各々の回収筒２６２３、２６２５、２６２７にはその底面の下方向に垂直に延長される回収ライン２６２３ｃ、２６２５ｃ、２６２７ｃが連結される。各々の回収ライン２６２３ｃ、２６２５ｃ、２６２７ｃは各々の回収筒２６２３、２６２５、２６２７を通じて流入された処理液を排出する。排出された処理液は外部の処理液再生システム（図示せず）を通じて再使用されることができる。

【0062】

支持ユニット２６３０はスピンチャック２６３１、支持ピン２６３３、チョクピン２６３５、回転軸２６３７、そして駆動部２６３９を有する。スピンチャック２６３１は上部から見る時、大体に円形に提供される上部面を有する。スピンチャック２６３１の上部面は基板Ｗより大きい直径を有するように提供されることができる。

【0063】

支持ピン２６３３は複数に提供される。支持ピン２６３３はスピンチャック２６３１の上部面の縁部に所定の間隔に離隔されるように配置されスピンチャック２６３１から上部に突出される。支持ピン２６３３は相互間の組み合わせによって全体的に環状のリング形状を有するように配置される。支持ピン２６３３はスピンチャック２６３１の上部面から基板Ｗが一定距離離隔されるように基板Ｗの背面縁を支持する。

【0064】

チョクピン２６３５は複数に提供される。チョクピン２６３５はスピンチャック２６３１の中心で支持ピン２６３３より遠く離れるように配置される。チョクピン２６３５はスピンチャック２６３１で上部面から突出されるように提供される。チョクピン２６３５は基板Ｗが回転される時、正位置から側方向に離脱されないように基板Ｗの側部を支持する。チョクピン２６３５はスピンチャック２６３１の半径方向に沿って待機位置と支持位置との間に直線移動が可能するように提供される。待機位置は支持位置に比べてスピンチャック２６３１の中心から遠く離れた位置である。基板Ｗが支持ユニット２６３０にローディング又はアンローディングする時、チョクピン２６３５は待機位置に位置され、基板Ｗに対して工程を遂行する時、チョクピン２６３５は支持位置に位置される。支持位置でチョクピン２６３５は基板Ｗの側部と接触される。

【0065】

回転軸２６３７はスピンチャック２６３１と結合される。回転軸２６３７はスピンチャック２６３１の下面と結合することができる。回転軸２６３７は長さ方向が上下方向に向かうように提供されることができる。回転軸２６３７は駆動部２６３９から動力が伝達されて回転可能するように提供される。回転軸２６３７が駆動部２６３９によって回転することによってスピンチャック２６３１を回転させる。駆動部２６３９は回転軸２６３７の回転速度を可変することができる。駆動部２６３９は駆動力を提供するモーターであり得る。しかし、これに限定されることではなく、駆動部２６３９は駆動力を提供する公知された装置に多様に変形されることができる。

【0066】

液供給ユニット２６４０は支持ユニット２６３０に支持された基板Ｗ上に液を供給する。液供給ユニット２６４０は複数に提供され、の各々は互いに異なる種類の液を供給する。一例によれば、液供給ユニット２６４０は第１液供給部材２６４２及び第２液供給部材２６４４を含む。

【0067】

第１液供給部材２６４２は支持軸２６４２ａ、支持アーム２６４２ｂ、アーム駆動器２６４２ｃ、そしてノズル２６４２ｄを含む。支持軸２６４２ａは処理容器２６２０の一側に位置される。支持軸２６４２ａはその長さ方向が第３方向６に向かうロード形状を有する。支持軸２６４２ａはアーム駆動器２６４２ｃによって回転可能するように提供される。支持アーム２６４２ｂは支持軸２６４２ａの上端に結合される。支持アーム２６４２ｂは支持軸２６４２ａから垂直に延長される。支持アーム２６４２ｂの終端にはノズル２６４２ｄが固定結合される。支持軸２６４２ａが回転されることによって、ノズル２６４２ｄは支持アーム２６４２ｂと共にスイング移動可能である。ノズル２６４２ｄはスイング移動されて工程位置及び待機位置に移動されることができる。ここで、工程位置はノズル２６４２ｄが支持ユニット２６３０に支持された基板Ｗと対向される位置であり、待機位置はノズル２６４２ｄが工程位置をずれた位置である。

【0068】

選択的に、支持アーム２６４２ｂはその長さ方向に向かって前進及び後進移動が可能するように提供されることができる。上部から見る時、ノズル２６４２ｄはスイング移動されて基板Ｗの中心軸と一致するように移動されることができる。

【0069】

第２液供給部材２６４４は支持ユニット２６３０に支持された基板Ｗ上に第２液を供給する。第２液供給部材２６４４は第１液供給部材２６４２と同一な形状を有するように提供される。したがって、第２液供給部材２６４４に対する詳細な説明は省略する。

【0070】

第１処理液と第２処理液はケミカル、リンス液、そして有機溶剤の中でいずれか１つであり得る。例えば、ケミカルは希釈された硫酸（Ｈ２ＳＯ４、Ｄｉｌｕｔｅｄ Ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ）、リン酸（Ｐ２Ｏ５）、フッ酸（ＨＦ）、そして水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）を含むことができる。例えば、リンス液は水又は脱イオン水（ＤＩＷ）を含むことができる。例えば、有機溶剤はイソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ；ＩＰＡ）のようなアルコールを含むことができる。

【0071】

排気ユニット２６５０は処理空間に発生されたヒューム（Ｆｕｍｅ）と気体を排気する。排気ユニット２６５０は基板Ｗを液処理する時に発生されるヒュームと気体を排気する。排気ユニット２６５０は処理容器２６２０の底面に結合されることができる。一実施形態として、排気ユニット２６５０は支持ユニット２６３０の回転軸２６３７と処理容器２６２０の内側壁との間の空間に提供されることができる。排気ユニット２６５０には減圧ユニット（図示せず）が提供される。減圧ユニットによって、基板Ｗを液処理する時に発生されるヒュームと気体を処理空間から処理空間の外部に排気する。

【0072】

気流供給ユニット２６６０はハウジング２６１０の内部空間に気流を供給する。気流供給ユニット２６６０は内部空間に降下気流を供給することができる。気流供給ユニット２６６０はハウジング２６１０に設置されることができる。気流供給ユニット２６６０は処理容器２６２０と支持ユニット２６３０より上部に設置されることができる。気流供給ユニット２６６０を通じてハウジング２６１０の内部空間に供給された気体は内部空間で降下気流を形成する。処理空間内で処理工程によって発生された気体副産物は降下気流によって排気ライン２６５０を通じてハウジング２６１０の外部に排出される。気流供給ユニット２６６０はファンフィルターユニットで提供されることができる。

【0073】

基板処理装置１は超臨界流体を工程流体で利用して基板Ｗを処理する超臨界工程を遂行することができる。超臨界工程は超臨界流体の特性を利用して遂行される。その代表的な例として、超臨界乾燥工程と超臨界蝕刻工程がある。以下では、超臨界工程に関して超臨界乾燥工程を基準に説明する。但し、これは説明の容易にするためのものに過ぎないので、基板処理装置１は超臨界乾燥工程以外の他の超臨界工程を遂行することができる。

【0074】

超臨界乾燥工程は超臨界流体で基板Ｗの回路パターンに残留する有機溶剤を溶解して基板Ｗを乾燥させる方式に遂行する。超臨界乾燥工程は乾燥効率が優れているだけでなく、パターンリーニング（ｌｅａｎｉｎｇ）現象を防止することができる。超臨界乾燥工程に利用される超臨界流体としては有機溶剤と混和性がある物質を使用することができる。例えば、超臨界二酸化炭素（ｓｃＣＯ２；ｓｕｐｅｒｃｒｉｔｉｃａｌ ｃａｒｂｏｎ ｄｉｏｘｉｄｅ）が超臨界流体で使用されることができる。

【0075】

図３は図１の乾燥チャンバーに対する一実施形態を概略的に示す図面である。図３を参照すれば、本発明の一実施形態による乾燥チャンバー２８０は工程流体を利用して基板Ｗ上に残留する処理液を除去することができる。工程流体で超臨界状態の二酸化炭素（ＣＯ２）ガスが使用されることができる。二酸化炭素は温度を３０℃以上に上げ、圧力を７．４ＭＰａ以上に維持させれば、超臨界状態になることができる。以下、工程流体は二酸化炭素ガスであることを例として説明する。また、工程流体は乾燥チャンバー２８０の処理空間に流入される前に超臨界状態に転換されることができ、又は乾燥チャンバー２８０の処理空間に流入された後に超臨界状態に転換されることができる。

【0076】

乾燥チャンバー２８０はハウジング２８１０、加熱ユニット２８２０、支持ユニット２８３０、流体供給ユニット２８４０、流体排出ユニット２８５０、そしてフィラー部材３０００を含むことができる。

【0077】

ハウジング２８１０は超臨界工程が遂行される処理空間を提供する。ハウジング２８１０は基板Ｗが処理される処理空間を提供することができる。ハウジング２８１０は超臨界流体の臨界温度と臨界圧力以上を耐えられる材質で提供される。ハウジング２８１０は上部ハウジング２８１２、第１ハウジングの一例）と下部ハウジング２８１４、第２ハウジングの一例）を含むことができる。一例として、上部ハウジング２８１２と下部ハウジング２８１４は互いに組み合わせて内部に処理空間を提供することができる。これと異なりに、ハウジング２８１０は上、下部に分割されなく、一体に形成され、その一側壁に基板Ｗが出入することができる出入口として機能する開口（未図示）が形成されることができる。以下では、上部ハウジング２８１２と下部ハウジング２８１４が互いに組み合わせて内部に処理空間を提供する場合を例として説明する。

【0078】

上部ハウジング２８１２は下部が開放された筒形状を有することができる。上部ハウジング２８１２は内部に底面が開放された空間を有することができる。上部ハウジング２８１２の上部壁はハウジング２８１０の上部壁に提供されることができる。そして、上部ハウジング２８１２の側壁はハウジング２８１０の側壁一部として提供されることができる。

【0079】

下部ハウジング２８１４は上部ハウジング２８１２の下に位置する。下部ハウジング２８１４は上部が開放された筒形状を有することができる。下部ハウジング２８１４は内部に上面が開放された空間を有することができる。下部ハウジング２８１４の開放された上面は上部ハウジング２８１２の開放された下面と対向することができる。下部ハウジング２８１４の下部壁はハウジング２８１０の下部壁として提供されることができる。下部ハウジング２８１４の側壁はハウジング２８１０の側壁一部として提供されることができる。

【0080】

下部ハウジング２８１４は段差付けた形状に提供されることができる。一例として、下部ハウジング２８１４は上面２８１４ａ、下面２８１４ｂ、側面２８１４ｃ、そして溝２８１６を有することができる。上面２８１４ａは上部ハウジング２８１２の側壁と面接することができる。下面２８１４ｂは上面２８１４ａより下に提供されることができる。側面２８１４ｃは上面２８１４ａと下面２８１４ｂを連結する。一例として、側面２８１４ｃは上面２８１４ａから下面２８１４ｂまで下方向に垂直に延長されることができる。これと異なりに、側面２８１４ｃは上面２８１４ａから下面２８１４ｂに隣接するほど、その高さがだんだん低くなるように下方傾くように形成されることができる。上面２８１４ａ、下面２８１４ｂ、側面２８１４ｃ、そして上部ハウジング２８１２が互いに組み合わせて内部に処理空間を提供することができる。

【0081】

下面２８１４ｂには溝２８１６が形成されることができる。溝２８１６は所定の深さに形成されることができる。溝２８１６は下部ハウジング２８１４の下面２８１４ｂから支持ユニット２８３０に支持された基板Ｗと遠くなる方向に（即ち、上から下に向かう方向に）湾入されて形成されることができる。例として、溝２８１６は下面２８１４ｂから下部ハウジング２８１４の底面２８１４ｄまでの第１高さｈ１より低い高さである第２高さｈ２で形成されることができる。溝２８１６は大体に円筒型で形成されることができる。

【0082】

上部ハウジング２８１２と下部ハウジング２８１４は相互間の相対移動によって処理空間を開放させるか、或いは密閉させることができる。上部ハウジング２８１２と下部ハウジング２８１４の中でいずれか１つは駆動器２８６０と結合して上下方向に移動されることができる。例えば、下部ハウジング２８１４は駆動器２８６０と結合して、駆動器２８６０によって上下方向に移動されることができる。したがって、ハウジング２８１０の処理空間は選択的に密閉されることができる。一例として、下部ハウジング２８１４が上部ハウジング２８１２から離隔されれば、処理空間が開放される。この時、基板Ｗが搬入又は搬出されることができる。工程を進行する時には下部ハウジング２８１４が上部ハウジング２８１２に密着されて処理空間が外部から密閉されることができる。

【0083】

上述した例では下部ハウジング２８１４が駆動器２８６０と結合して上下方向に移動されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、上部ハウジング２８１２が駆動器２８６０と結合して上下方向に移動されることができる。以下では、説明の便宜のために下部ハウジング２８１４が駆動器２８６０と結合して上下方向に移動される場合を例として説明する。

【0084】

加熱ユニット２８２０は処理空間に供給される工程流体を加熱することができる。加熱ユニット２８２０は処理空間の内部の温度を上昇させることができる。一例として、加熱ユニット２８２０はヒーターで提供されることができる。但し、これに限定されることではなく、加熱ユニット２８２０は処理空間の温度を上昇させることができる公知された装置で多様に変形されることができる。加熱ユニット２８２０が処理空間の温度を上昇させることによって、処理空間に供給された工程流体は超臨界状態に転換されるか、或いは超臨界状態を維持することができる。

【0085】

加熱ユニット２８２０はハウジング２８１０内に埋設されることができる。例えば、加熱ユニット２８２０はハウジング２８１０の壁内部に位置することができる。一例として、加熱ユニット２８２０は上部ハウジング２８１２と下部ハウジング２８１４の中でいずれか１つ以上に提供されることができる。加熱ユニット２８２０は処理空間の温度を昇温させることができる様々な位置に提供されることができる。

【0086】

支持ユニット２８３０はハウジング２８１０の処理空間で基板Ｗを支持する。支持ユニット２８３０は処理空間で基板Ｗの縁領域を支持するように構成されることができる。例えば、支持ユニット２８３０は処理空間で基板Ｗの縁領域の下面を支持できるように構成されることができる。

【0087】

支持ユニット２８３０は固定ロード２８３２と載置台２８３４を含むことができる。固定ロード２８３２は上部ハウジング２８１２の底面から下方向に突出されることができる。固定ロード２８３２は上部ハウジング２８１２に固定設置されることができる。固定ロード２８３２は長さ方向が上下方向に提供されることができる。固定ロード２８３２は複数が提供され、互いに離隔されるように位置することができる。固定ロード２８３２が囲んだ空間で、基板Ｗが搬入又は搬出される時、固定ロード２８３２は基板Ｗと干渉されない位置に配置される。

【0088】

各々の固定ロード２８３２の下端には載置台２８３４が結合されることができる。載置台２８３４は固定ロード２８３２の下端から地面に対して水平である方向に延長されることができる。一例として、載置台２８３４は基板Ｗの下端縁を支持可能な形状に延長されることができる。

【0089】

流体供給ユニット２８４０は処理空間に工程流体を供給する。工程流体は二酸化炭素（ＣＯ２）を含むことができる。工程流体は超臨界状態に処理空間に供給されることができる。これと異なりに、工程流体はガス状態に処理空間に供給され、処理空間内で超臨界状態に転換されることができる。流体供給ユニット２８４０は上部供給ポート２８４２と下部供給ポート２８４４を含むことができる。

【0090】

上部供給ポート２８４２は処理空間に工程流体を供給することができる。上部供給ポート２８４２はハウジング２８１０の上部壁の中心領域に提供されることができる。上部供給ポート２８４２は基板Ｗの上部に対応する空間に工程流体を供給することができる。上部供給ポート２８４２で供給された工程流体は基板Ｗの上面に供給されることができる。

【0091】

下部供給ポート２８４４は処理空間に工程流体を供給することができる。下部供給ポート２８４４は後述するバッファ空間に工程流体を供給することができる。下部供給ポート２８４４はハウジング２８１０の底面に提供されることができる。一例として、下部供給ポート２８４４は下部ハウジング２８１４の底面２８１４ｄに提供されることができる。一実施形態において、下部供給ポート２８４４は底面２８１４ｄの中心で所定の距離偏った位置に提供されることができる。下部供給ポート２８４４は上部から見る時、後述するバッファ空間と重畳されるように位置することができる。一実施形態において、底面２８１４ｄの中心は支持ユニット２８３０に支持された基板Ｗの中心と垂直線上に対応される位置であり得る。下部供給ポート２８４４の吐出口は溝２８１６に提供されることができる。一例として、下部供給ポート２８４４の吐出口は溝２８１６の底面２８１６ｂに形成されることができる。下部供給ポート２８４４の吐出口は溝２８１６の底面２８１６ｂの中心で所定の距離偏った位置に提供されることができる。下部供給ポート２８４４は溝２８１６の底面２８１６ｂから下部ハウジング２８１４の底面２８１４ｄまで上下方向に貫通することができる。

【0092】

上部供給ポート２８４２は上部分岐ライン２８４３と連結されることができる。上部分岐ライン２８４３はメーンライン２８４６の一端で分岐されることができる。メーンライン２８４６の他端は流体供給源（図示せず）と連結されることができる。流体供給源（図示せず）は工程流体を貯蔵及び／又は供給することができる。流体供給源（図示せず）はリザーバー（Ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）であり得る。下部供給ポート２８４４は下部分岐ライン２８４５と連結されることができる。下部分岐ライン２８４５はメーンライン２８４６の一端で分岐されることができる。

【0093】

流体排出ユニット２８５０は処理空間から工程流体を排出する。流体排出ユニット２８５０は処理空間に供給された工程流体をハウジング２８１０の外部に排出することができる。流体排出ユニット２８５０は排気ポート２８５２を含むことができる。

【0094】

排気ポート２８５２はハウジング２８１０の底面に提供されることができる。一例として、排気ポート２８５２は下部ハウジング２８１４の底面２８１４ｄに提供されることができる。排気ポート２８５２は下部供給ポート２８４４と隣接するように位置することができる。一実施形態において、排気ポート２８５２は底面２８１４ｄの中心に提供されることができる。排気ポート２８５２の吐出口は溝２８１６に提供されることができる。一例として、排気ポート２８５２の吐出口は溝２８１６の底面２８１６ｂに形成されることができる。排気ポート２８５２の吐出口は溝２８１６の底面２８１６ｂの中心に形成されることができる。排気ポート２８５２は溝２８１６の底面２８１６ｂから下部ハウジング２８１４の底面２８１４ｂまで上下方向に貫通することができる。

【0095】

排気ポート２８５２の直径は下部供給ポート２８４４の直径より小さく提供されることができる。排気ポート２８５２で排気される工程流体は有機溶剤が溶解された超臨界流体を含むことができる。排気ポート２８５２で排気される工程流体は再生装置（図示せず）に送液されることができる。再生装置（図示せず）は工程流体を超臨界流体と有機溶剤に分離することができる。これと異なりに、排気ポート２８５２で排気される工程流体は排気ライン２８５３を通じて大気中に放出されることができる。

【0096】

図４は図３のフィラー部材に対する一実施形態を概略的に示す斜視図である。図３及び図４を参照すれば、フィラー部材３０００は処理空間の内部に位置する。フィラー部材３０００は支持ユニット２８３０の下部に位置することができる。一例として、フィラー部材３００はハウジング２８１０の処理空間で、支持ユニット２８３０に支持された基板Ｗより下に配置されることができる。

【0097】

フィラー部材３０００には下部供給ポート２８４４と対向するバッファ空間が形成されることができる。例えば、フィラー部材３０００の下部は下から上方向に湾入されてバッファ空間を形成することができる。後述するフィラー部材３０００のベース部３２００と突出部３４００が互いに組み合わせて、バッファ空間を提供することができる。例えば、バッファ空間はベース部３２００、突出部３４００、そして溝２８１６の底面２８１６ｂで囲まれて定義されることができる。また、下部供給ポート２８４４は上部から見る時、バッファ空間と重畳されるように位置することができる。また、上述した下部供給ポート２８４４はバッファ空間に重畳されるように位置することができる。バッファ空間の下には下部供給ポート２８４４が位置することができる。一例として、下部供給ポート２８４４は突出部３４００の内側面の間に位置することができる。

【0098】

フィラー部材３０００はベース部３２００と突出部３４００を含むことができる。一例として、ベース部３２００と突出部３４００は一体に形成されることができる。

【0099】

ベース部３２００は溝２８１６の上部に位置することができる。ベース部３２００は上部から見る時、溝２８１６の面積より大きく提供されることができる。ベース部３２００は所定の厚さを有する円板形状に提供されることができる。ベース部３２００は上面、下面、そして側面を有する。上面は支持ユニット２８３０に支持された基板Ｗの下面と対向するように位置する。ベース部３２００の上面には支持ピン３２０２が形成されることができる。支持ピン３２０２は載置台２８３４に支持された基板Ｗの下面と接触して基板Ｗを上方向に一定距離離隔させることができる。但し、これに限定されななく、支持ピン３２０２は基板Ｗと接触しなくともよい。支持ピン３２０２によって基板Ｗとベース部３２００の上面は一定距離離隔されて位置されることができる。

【0100】

ベース部３２００の下面には突出部３４００が位置することができる。突出部３４００はベース部３２００の下面から下方向に延長されることができる。突出部３４００の少なくとも一部分は溝２８１６に挿入されることができる。突出部３４００の少なくとも一部分は溝２８１６の内部に提供されることができる。突出部３４００の上端は溝２８１６の上端より高く位置し、突出部２４００の下端は溝２８１６に挿入されることができる。突出部３４００は大体に上下方向に延長されたリング形状に提供されることができる。

【0101】

突出部３４００の下端には支持突起３４０２が形成されることができる。支持突起３４０２は複数に提供されることができる。複数の支持突起３４０２は突出部３４００の周辺に沿って互いに離隔されるように提供されることができる。支持突起３４０２は溝２８１６の底面２８１６ｂに接触することができる。支持突起３４０２はフィラー部材３０００が溝２８１６の底面２８１６ｂに支持されるようにする。支持突起３４０２によって、突出部３４００の下端は溝２８１６の底面２８１６ｂから上方向に離隔されることができる。また、支持突起３４０２の間の空間は工程流体が流動する通路として機能することができる。

【0102】

突出部３４００の上端は溝２８１６の上端より高く位置することができる。下部ハウジング２８１４の下面２８１４ｂから下部ハウジング２８１４の底面２８１４ｄまでの高さは第１高さｈ１として定義する。溝２８１６の上端で溝２８１６の下端までの高さを第２高さｈ２として定義する。突出部３４００の上端で突出部３４００の下端までの高さを第３高さｈ３として定義する。一例として、第１高さｈ１は第２高さｈ２と第３高さｈ３より高く、第３高さｈ３は第２高さｈ２より高いことができる。

【0103】

したがって、フィラー部材３０００の突出部３４００は下部ハウジング２８１４から上方向に離隔されるように提供されることができる。ベース部３２００は下部ハウジング２８１４の２８１４ｂから上方向に離隔されることができる。突出部３４００は溝２８１６の底面２８１６ｂから上方向に離隔されることができる。ベース部３２００と下部ハウジング２８１４との間の空間は工程流体が流動する通路として提供される。

【0104】

突出部３４００と溝２８１６の底面２８１６ｂとの間の空間は工程流体が流動する通路として提供される。

【0105】

突出部３４００は溝２８１６の内側面から離隔されることができる。突出部３４００の外側面は溝２８１６の内側面から離隔されることができる。一例として、突出部３４００の外側面は溝２８１６の内側面から溝２８１６の中心に向かって一定距離離隔された位置に提供されることができる。したがって、フィラー部材３０００は溝２８１６から離隔されるように提供されることができる。突出部３４００の外側面と溝２８１６の内側面との間の空間は工程流体が流動する通路として提供される。

【0106】

即ち、通路はフィラー部材３０００とハウジング２８１０内壁との間に形成されることができる。通路は後述するようにバッファ空間に流入された工程流体が基板Ｗに向かう方向に流れるようにすることができる。

【0107】

図５は図３の乾燥チャンバーで工程流体の流動を概略的に示す図面である。以下では、図５を参照して、ハウジング２８１０の内部で工程流体の流動に対して詳細に説明する。

【0108】

下部供給ポート２８４４でハウジング２８１０の内部に工程流体を供給する。下部供給ポート２８４４は溝２８１６の内部に工程流体を供給する。ハウジング２８１０に供給された工程流体はフィラー部材３０００が形成したバッファ空間に流動する。バッファ空間に流入された工程流体はベース部３２００の下面と接触する。ベース部３２００の下面と接触した工程流体はベース部３２００の下面と突出部３４００の内側面に沿って流動する。したがって、バッファ空間で工程流体の渦流が形成される。バッファ空間内で流動する工程流体は突出部３４００の下端と溝２８１６の底面２８１６ｂとの間に形成された空間に流動する。即ち、バッファ空間内で流動する工程流体は突出部３４００の下端に形成された複数の支持突起３４０２の間の空間である第１通路を通じて流動する。工程流体は第１通路を経て突出部３４００の外側面と溝２８１６の内側面との間の空間である第２通路に流動する。第２通路はリング形状の突出部３４００の外側面に沿ってベース部３２００の下面に流動する。第２通路を経た工程流体はベース部３２００の下面と下部ハウジング２８１４の下面２８１４ｂがなす空間である第３通路に流動する。第３通路を通じて流動された工程流体は処理空間の内部に均一に供給される。

【0109】

上述した本発明の一実施形態によれば、ハウジング２８１０の内部で工程流体が均一に流動することができる。下部供給ポート２８４４で供給された工程流体がフィラー部材３０００が形成したバッファ空間で１次的に流動できるように誘導することができる。バッファ空間で１次的に留まった工程流体はフィラー部材３０００と溝２８１６が形成した空間を通じて処理空間上に均一に分配されることができる。したがって、処理空間で工程流体の集中現象が解消されることができる。

【0110】

また、ハウジング２８１０の内部に設置された様々な部材によって、又は空間上の制約又は構造的な問題点によって処理空間で工程流体が非対称的に流動されることを最小化することができる。一例として、下部供給ポート２８４４がハウジング２８１０の中心軸から一定距離傾いて設置されても、処理空間の内部で工程流体の流動を対称的に形成することができる。したがって、処理空間上に位置した基板Ｗに対する均一な処理を遂行することができる。また、工程流体の処理空間の内部での集中性を最小化して、工程流体が相対的に多く供給される基板の特定領域にパーティクルが多量に発生することを最小化することができる。

【0111】

特に、最近速い速度のスループットが要求される半導体分野で、工程流体を速い速度でハウジング２８１０の内部に供給する場合、工程流体の非対称性が強化される。したがって、本発明の一実施形態によれば、ハウジング２８１０の内部に工程流体を速い速度で供給する場合にも、工程流体がバッファ空間とフィラー部材を媒介で、均一に処理空間に供給されることができる。

【0112】

以下では説明する他の実施形態による基板処理装置に対する説明の中で追加的に説明する場合の外には前述した一実施形態による基板処理装置に対する説明と類似なものであって、重複される内容に対しては説明を省略する。

【0113】

図６は図３のフィラー部材に対する他の実施形態を概略的に示す切断斜視図である。図６を参照すれば、本発明の一実施形態によるフィラー部材３０００にはスリット３６００が形成されることができる。スリット３６００は突出部３４００に形成されることができる。スリット３６００は突出部３４００の内側面に形成されることができる。スリット３６００は突出部３４００の内側面の周辺に沿って形成されることができる。一例として、スリット３６００は螺旋形状に提供されることができる。但し、これに限定されななく、スリット３６００は様々な形状に変形されて提供されることができる。

【0114】

スリット３６００は工程流体の流動方向を相対的に複雑に形成することができる。したがって、スリット３６００はバッファ空間で流動する工程流体の過流を形成することができる。したがって、下部供給ポート２８４４で隣接する領域に位置される第１通路に工程流体が流動することを最小化することができる。下部供給ポート２８４４で供給された工程流体がバッファ空間に形成されたスリット３６００に沿って流動することによって、フィラー部材３０００と下部ハウジング２８１４との間に形成された空間に対称性を有するように流動することができる。

【0115】

上述した実施形態では突出部３４００の内側面にスリット３６００が形成されることを例として説明したが、これに限定されることではない。一例として、スリット３６００はバッファ空間上部に位置するベース部３２００の下面にも形成されることができる。

【0116】

図７は図１の基板処理装置の乾燥チャンバーに対する他の実施形態を概略的に示す図面である。

【0117】

図７を参照すれば、本発明の一実施形態による乾燥チャンバー２８０はハウジング２８１０、加熱ユニット２８２０、支持ユニット２８３０、流体供給ユニット２８４０、流体排出ユニット２８５０、フィラー部材３０００、そしてバッファプレート４０００を含むことができる。

【0118】

以下では説明する本発明の一実施形態による乾燥チャンバー２８０は図３で説明したハウジング２８１０、加熱ユニット２８２０、支持ユニット２８３０、流体供給ユニット２８４０、そして流体排出ユニット２８５０と同一又は類似に提供される。したがって、以下では、類似に提供される構成に対しては重複される説明を省略する。

【0119】

フィラー部材３０００は処理空間の内部に位置する。フィラー部材３０００は支持ユニット２８３０の下部に位置することができる。一例として、フィラー部材３０００は支持ユニット２８３０に基板Ｗが支持される時、基板Ｗより下に配置されることができる。フィラー部材３０００は大体に所定の厚さを有する板形状に提供されることができる。一例として、フィラー部材３０００は円板形状に提供されることができる。フィラー部材３０００は上部から見る時、溝２８１６より大きい面積で提供されることができる。

【0120】

フィラー部材３０００は上面、下面、そして側面を有する。フィラー部材３０００の上面は支持ユニット２８３０に支持された基板Ｗの下面と対向するように位置する。フィラー部材３０００の下面は後述するバッファプレート４０００の上面と対向するように位置する。フィラー部材３０００の上面とフィラー部材３０００の下面は上部から見る時、互いに対応される面積で提供されることができる。フィラー部材３０００の上面及び／又は下面は上部から見る時、溝２８１６の面積より大きく提供されることができる。フィラー部材３０００の側面は大体に地面に対して垂直に形成されることができる。

【0121】

但し、これに限定されななく、フィラー部材３０００の上面はフィラー部材３０００の下面より大きい面積を有することができる。また、フィラー部材３０００の側面は下面から延長され、上端に行くほど、フィラー部材３０００の断面積がだんだん広くなるように上向傾くように形成される。フィラー部材３０００の下面は上部から見る時、溝２８１６の面積より大きく提供されることができる。

【0122】

フィラー部材３０００の上面には支持ピン３２０２が形成されることができる。支持ピン３２０２は載置台２８３４に支持された基板Ｗの下面と接触して基板Ｗを上方向に一定距離離隔させることができる。但し、これに限定されななく、支持ピン３２０２は基板Ｗと接触しなくともよい。支持ピン３２０２によって基板Ｗとフィラー部材３０００の上面は一定距離離隔されて位置されることができる。

【0123】

また、支持ピン３２０２は少なくとも１つ以上が形成されることができる。例えば、支持ピン３２０２は複数が提供されることができる。支持ピン３２０２はベース部３２００の上面縁領域に形成されることができる。支持ピン３２０２は上部から見る時、ベース部３２００の上面縁領域に、円周方向に沿って互いに離隔されて形成されることができる。

【0124】

フィラー部材３０００の下面には支持部３２０４が形成されることができる。支持部３２０４は溝２８１６の内側面から溝２８１６の中心で遠くなる方向に一定距離離隔された位置に提供されることができる。支持部３２０４はフィラー部材３０００の下面から下方向に形成されることができる。フィラー部材３０００は支持部３２０４によって下部ハウジング２８１４の下面２８１４ｂから上方向に離隔されることができる。フィラー部材３０００の下面は下部ハウジング２８１４の下面２８１４ｂから上方向に離隔されることができる。離隔された空間は工程流体が流動する通路として提供される。

【0125】

バッファプレート４０００は処理空間の内部に位置する。バッファプレート４０００はフィラー部材３０００下に位置することができる。バッファプレート４０００の上面はフィラー部材３０００の下面より下に提供されることができる。バッファプレート４０００は溝２８１６に提供されることができる。一例として、バッファプレート４０００は下部ハウジング２８１４に設置されるか、又は下部ハウジング２８１４と一体に形成されることができる。バッファプレート４０００は上部から見る時、溝２８１６の面積と対応するように提供されることができる。バッファプレート４０００と溝２８１６が互いに組み合わせて、内部にバッファ空間を提供することができる。一例として、バッファプレート４０００の下面と溝２８１６の内側面が互いに組み合わせて、内部にバッファ空間を提供することができる。

【0126】

バッファプレート４０００には開口４００２が形成される。開口４００２はバッファプレート４０００を上下に貫通して形成されることができる。開口４００２は処理空間とバッファ空間を互いに流体連通させることができる。開口４００２はバッファプレートの中心を含む領域に形成されることができる。但し、これに限定されななく、開口４００２はバッファプレート４０００の縁周辺方向に沿って形成されることができる。また、開口４００２はバッファプレート４０００の縁周辺方向に沿って複数が提供されて互いに離隔されるように形成されることができる。上述した下部供給ポート２８４４は上部から見る時、開口４００２と重畳されない位置に提供されることができる。即ち、下部供給ポート２８４４で供給される工程流体と対向するバッファプレート４０００の領域は開口４００２が形成されないブロッキング領域であり得る。また、上述した排気ポート２８５２は上部から見る時、開口４００２と重畳される位置に提供されることができる。

【0127】

図８は図７の乾燥チャンバーで工程流体の流動を概略的に示す図面である。図８を参照して、ハウジング２８１０の内部で工程流体の流動に対して詳細に説明する。

【0128】

下部供給ポート２８４４はハウジング２８１０の内部に工程流体を供給する。下部供給ポート２８４４は溝２８１６の内部に工程流体を供給する。ハウジング２８１０に供給された工程流体はバッファプレート４０００の下面、そして溝２８１６の内側面が形成したバッファ空間に流動する。バッファ空間に流入された工程流体はバッファプレート４０００の下面と接触する。バッファプレート４０００の下面と接触した工程流体はバッファプレート４０００の下面と溝２８１６の内側面に沿って流動する。したがって、バッファ空間で工程流体の渦流が形成される。バッファ空間内で流動する工程流体はバッファプレート４０００に形成された開口４００２に流動する。工程流体は開口４００２を経てフィラー部材３０００の下面と下部ハウジング２８１４の下面２８１４ｂがなす空間に流動する。空間に流動する工程流体は処理空間の内部に均一に供給される。

【0129】

上述した本発明の一実施形態によれば、ハウジング２８１０の内部で工程流体が均一に流動することができる。下部供給ポート２８４４で供給された工程流体がバッファプレート４０００が形成したバッファ空間で１次的に流動できるように誘導することができる。バッファ空間で１次的に留まった工程流体は開口４００２を経てフィラー部材３０００と下部ハウジング２８１４がなす空間を通じて処理空間上に均一に分配されることができる。したがって、処理空間で工程流体の集中現象が解消されることができる。

【0130】

また、ハウジング２８１０の内部に設置された様々な部材によって、又は空間上の制約又は構造的な問題点によって処理空間で工程流体が非対称的に流動されることを最小化することができる。一例として、下部供給ポート２８４４がハウジング２８１０の中心軸から一定距離傾いて設置されても、処理空間の内部で工程流体の流動を対称的に形成することができる。したがって、処理空間上に位置した基板Ｗに対する均一な処理を遂行することができる。また、工程流体の処理空間の内部での集中性を最小化して、工程流体が相対的に多く供給される基板の特定領域にパーティクルが多量に発生することを最小化することができる。

【0131】

特に、最近速い速度のスループットが要求される半導体分野で、工程流体を速い速度でハウジング２８１０の内部に供給する場合、工程流体の非対称性が強化される。したがって、本発明の一実施形態によれば、ハウジング２８１０の内部に工程流体を速い速度で供給する場合にも、工程流体がバッファ空間とフィラー部材を媒介で、均一に処理空間に供給されることができる。

【0132】

図９は図１の基板処理装置の乾燥チャンバーに対する他の実施形態を概略的に示す図面である。図９を参照すれば、以下では説明する本発明の一実施形態による乾燥チャンバー２８０は図７で説明した本発明の一実施形態による乾燥チャンバー２８０とバッファプレート４０００をを除き、ほとんど分類似に提供される。したがって、以下では、本発明の一実施形態によるバッファプレート４０００に対して詳細に説明する。

【0133】

バッファプレート４０００は処理空間の内部に位置する。バッファプレート４０００はフィラー部材３０００の下に位置することができる。バッファプレート４０００はボディー部４２００とレッグ部４４００を含むことができる。

【0134】

ボディー部４２００の上面はフィラー部材３０００の下面より下に提供されることができる。ボディー部４２００の上面とフィラー部材３０００の下面は離隔されるように位置されることができる。ボディー部４２００は溝２８１６の上端に位置することができる。ボディー部４２００は上部から見る時、溝２８１６の面積と対応するように提供されることができる。ボディー部４２００は大体に円板形状に提供されることができる。ボディー部４２００の下面にはレッグ部４４００が提供されることができる。

【0135】

レッグ部４４００はボディー部４２００の下面から下方向に延長されることができる。レッグ部４４００は溝２８１６の内部に提供されることができる。レッグ部４４００は大体にリング形状に提供されることができる。レッグ部４４００の下端には支持突起４４０２が形成されることができる。支持突起４４０２は複数に提供されることができる。複数の支持突起４４０２はレッグ部４４００の周辺に沿って互いに離隔されるように提供されることができる。支持突起４４０２は溝２８１６の底面２８１６ｂに接触することができる。支持突起４４０２はバッファプレート４０００が溝２８１６の底面２８１６ｂに支持されるようにする。支持突起４４０２によって、レッグ部４４００の下端は溝２８１６の底面２８１６ｂから上方向に離隔されることができる。離隔された空間は工程流体が流動する第１通路として機能することができる。

【0136】

レッグ部４４００は溝２８１６の内側面から離隔されるように位置することができる。レッグ部４４００の外側面は溝２８１６の内側面から離隔されることができる。一例として、レッグ部４４００の外側面は溝２８１６の内側面から溝２８１６の中心に向かって一定距離離隔された位置に提供されることができる。離隔された空間は工程流体が流動する第２通路として機能することができる。

【0137】

バッファプレート４０００は内部にバッファ空間を提供することができる。ボディー部４２００とレッグ部４４００が互いに組み合わせて、内部にバッファ空間を提供することができる。一例として、ボディー部４２００の下端で突出部４４００が囲んだ空間がバッファ空間であり得る。上述した下部供給ポート２８４４はバッファ空間に重畳されるように位置することができる。バッファ空間の下には下部供給ポート２８４４が位置することができる。一例として、下部供給ポート２８４４は突出部３４００の内側面の間に位置することができる。

【0138】

ボディー部４２００の上面には開口４００２が形成される。開口４００２はボディー部４２００を上下に貫通して形成されることができる。開口４００２はボディー部４２００の縁領域に形成されることができる。一例として、開口４００２はレッグ部４４００の外側面と下部ハウジング２８１４の溝２８１６の内側面との間に形成されることができる。開口４００２はボディー部４２００の周辺方向に沿って形成されることができる。但し、これに限定されななく、開口４００２はボディー部４２００の縁周辺方向に沿って複数が提供されて互いに離隔されるように形成されることができる。

【0139】

図１０は図９の乾燥チャンバーで工程流体の流動を概略的に示す図面である。図１０を参照して、ハウジング２８１０の内部で工程流体の流動に対して詳細に説明する。

【0140】

下部供給ポート２８４４はハウジング２８１０の内部に工程流体を供給する。下部供給ポート２８４４は溝２８１６の内部に工程流体を供給する。ハウジング２８１０に供給された工程流体はボディー部４２００の下面と接触する。ボディー部４２００の下面と接触した工程流体はボディー部４２００の下面とレッグ部４４００の内側面に沿って流動する。したがって、バッファ空間で工程流体の渦流が形成される。バッファ空間内で流動する工程流体はレッグ部４４００の下端と溝２８１６の底面２８１６ｂとの間に形成された空間に流動する。即ち、バッファ空間内で流動する工程流体はレッグ部４４００の下端に形成された複数の支持突起４４０２の間の空間である第１通路を通じて流動する。工程流体は第１通路を経てレッグ部４４００の外側面と溝２８１６の内側面との間空間である第２通路に流動する。第２通路はリング形状のレッグ部４４００の外側に沿ってボディー部４２００に形成された開口４００２に流動する。開口４００２を通過した工程流体はボディー部４２００の下面と下部ハウジング２８１４の下面２８１４ｂがなす空間である第３通路に流動する。第３通路を通じて流動された工程流体は処理空間の内部に均一に供給される。

【0141】

上述した本発明の一実施形態によれば、ハウジング２８１０の内部で工程流体が均一に流動することができる。下部供給ポート２８４４で供給された工程流体がバッファプレート４０００が形成したバッファ空間で１次的に流動できるように誘導することができる。バッファ空間で１次的に留まった工程流体はレッグ部４４００の下端と溝２８１６の底面２８１６ｂとの間に形成された通路、レッグ部４０００の外側面と溝２８１６の内側面との間に形成された通路、そしてボディー部４２００に形成された開口４００２を通じて処理空間上に均一に分配されることができる。したがって、処理空間で工程流体の集中現象が解消されることができる。

【0142】

また、ハウジング２８１０の内部に設置された様々な部材によって、又は空間上の制約又は構造的な問題点によって処理空間で工程流体が非対称的に流動されることを最小化することができる。一例として、下部供給ポート２８４４がハウジング２８１０の中心軸から一定距離傾いて設置されても、処理空間の内部で工程流体の流動を対称的に形成することができる。したがって、処理空間上に位置した基板Ｗに対する均一な処理を遂行することができる。また、工程流体の処理空間の内部での集中性を最小化して、工程流体が相対的に多く供給される基板の特定領域にパーティクルが多量に発生することを最小化することができる。

【0143】

特に、最近速い速度のスループットが要求される半導体分野で、工程流体を速い速度でハウジング２８１０の内部に供給する場合、工程流体の非対称性が強化される。したがって、本発明の一実施形態によれば、ハウジング２８１０の内部に工程流体を速い速度で供給する場合にも、工程流体がバッファ空間とフィラー部材を媒介で、均一に処理空間に供給されることができる。

【0144】

上述した例ではバッファプレート４０００の上方にフィラー部材３０００が配置されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、図１１及び図１２に図示されたように、フィラー部材３０００は省略され、バッファプレート４０００のみが処理空間に位置されることができる。バッファプレート４０００が下部ハウジング２８１４と互いに組み合わせてバッファ空間を提供することができる。また、バッファプレート４０００の開口４００２は上部から見る時、下部供給ポート２８４４と互いに重畳されなくともよい。即ち、下部供給ポート２８４４から供給される工程流体が対向するバッファプレート４０００の領域はブロッキング領域であり得る。バッファプレート４０００が提供されることによって、下部供給ポート２８４４及び排気ポート２８５２の位置を変更しても、工程流体のセンター供給及びセンター排気が可能になるので、設計上の長所がある。

【0145】

上述した例では、ハウジング２８１０が上部ハウジング２８１２及び下部ハウジング２８１４で構成されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、図１３に図示されたように、他の実施形態による乾燥チャンバー３００はハウジング３１０、第１供給ポート３２０、第２供給ポート３３０、排気ポート３４０、第１バッファプレート４０００ａ、そして第２バッファプレート４０００ｂを含むことができる。

【0146】

ハウジング３１０は第１ハウジング３１２及び第２ハウジング３１４を含むことができる。第１ハウジング３１２及び第２ハウジング３１４は互いに組み合わせて処理空間３１１を形成することができる。第１ハウジング３１２は側部が開放された筒形状を有することができる。第２ハウジング３１４は側方向に移動可能に構成されることができる。第２ハウジング３１４は処理空間３１１を選択的に遮蔽することができる。第２ハウジング３１４には基板Ｗを支持する支持部材３１６が設置されることができる。支持部材３１６は第２ハウジング３１４に設置されて、第２ハウジング３１４の移動に応じて処理空間３１１に挿入又は処理空間３１１から引出されることができる。支持部材３１６には超臨界状態の工程流体の流れを円滑にする流動ホール３１８が形成されることができる。

【0147】

第１ハウジング３１２には第１溝３１２ａ及び第２溝３１４ｂが形成されることができる。第１溝３１２ａは第１ハウジング３１２の底面に形成されることができる。第１溝３１２ａは第１バッファプレート４０００ａと互いに組み合わせて第１バッファ空間を形成することができる。また、第２溝３１２ｂは第１ハウジング３１２の側面に形成されることができる。第２溝３１２ｂは第２バッファプレート４０００ｂと互いに組み合わせて第２バッファ空間を形成することができる。第１バッファプレート４０００ａには第１バッファ空間と処理空間３１１を互いに流体連通させる第１開口４００２ａが形成されることができる。また、第２バッファプレート４０００ｂには第２バッファ空間と処理空間３１１を互いに流体連通させる第２開口４００２ｂが形成されることができる。

【0148】

図１３ではハウジング３１０にバッファプレートが提供されることを例として説明したが、これに限定されることではない。例えば、図１４に図示されたようにハウジング３１０の処理空間３１１にはフィラー部材３０００ａが提供されることができる。フィラー部材３０００ａにはバッファ空間が形成されることができる。フィラー部材３０００ａの構造は上述したフィラー部材３０００の構造と同一又は類似であるので、繰り返される説明は省略する。

【0149】

以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の技術的思想を具現するための好ましいか、或いは様々な実施形態を示して説明することであり、本発明は様々な他の組合、変更及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。このような変形実施は本発明の技術的思想や展望から個別的に理解されてはならない。

【符号の説明】

【0150】

２８０ 乾燥チャンバー
２８１０ ハウジング
２８２０ 加熱ユニット
２８３０ 支持ユニット
２８４０ 流体供給ユニット
２８５０ 流体排出ユニット
３０００ フィラー部材
３２００ ベース部
３２０２ 支持ピン
３４００ 突出部
３４０２ 支持突起

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】