特許 7504214 半導体パッケージ、電子機器、及び電子機器の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-13

(45)【発行日】2024-06-21

(54)【発明の名称】半導体パッケージ、電子機器、及び電子機器の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/36 20060101AFI20240614BHJP

   H01L 23/00 20060101ALI20240614BHJP

【ＦＩ】

H01L23/36 D

H01L23/00 A

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2022551967

(86)(22)【出願日】2021-09-17

(86)【国際出願番号】 JP2021034411

(87)【国際公開番号】W WO2022065257

(87)【国際公開日】2022-03-31

【審査請求日】2023-03-30

(31)【優先権主張番号】P 2020159895

(32)【優先日】2020-09-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】310021766

【氏名又は名称】株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】菅原 信之

(72)【発明者】

【氏名】神林 明日香

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 涼

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０２０／１６２４１７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００７－３３５７４２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１９２４４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１９４３２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－０１６１０２（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１７２３０６（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２３／３６

Ｈ０１Ｌ ２３／００

Ｈ０１Ｌ ２３／３４

Ｈ０１Ｌ ２３／１２

Ｈ０５Ｋ １／０２

Ｈ０１Ｌ ２１／６０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材と、前記半導体チップの外縁よりも外側に位置し且つ前記パッケージ基材の外縁の内側に位置している部分とを有している半導体パッケージと、
放熱器と、
を有し、
前記半導体チップの表面と前記放熱器との間に、流動性を有する熱伝導材料が配置され、
前記半導体パッケージに関する情報は前記半導体チップに関する情報を含み、
前記半導体チップに関する情報は、前記半導体チップの表面ではなく前記半導体パッケージの前記部分に記載されている
電子機器。

【請求項2】

前記半導体チップに関する情報が記載されている部分は前記パッケージ基材に取り付けられる部品である
請求項1に記載される電子機器。

【請求項3】

前記半導体パッケージは、前記半導体チップに関する情報が記載されている部分として、前記パッケージ基材に取り付けられるスティフナーを有している
請求項２に記載される電子機器。

【請求項4】

半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材と、前記半導体チップの外縁よりも外側に位置し且つ前記パッケージ基材の外縁の内側に位置している部分とを有している半導体パッケージと、
放熱器と、
を有し、
前記半導体チップの表面と前記放熱器との間に、流動性を有する熱伝導材料が配置され、
前記半導体パッケージは、前記パッケージ基材に取り付けられる、前記半導体チップよりも発熱量の小さい電子部品を有し、
前記半導体パッケージに関する情報が、前記半導体チップの表面ではなく前記電子部品に記載されている
電子機器。

【請求項5】

前記半導体チップに関する情報が記載されている部分は、前記パッケージ基材の一部である
請求項１に記載される電子機器。

【請求項6】

前記半導体チップに関する情報を表す文字、記号、及びコードのうちの少なくとも１つが、インク、レーザー、及びシールのうちの少なくとも１つで前記部分に記載されている
請求項１に記載の電子機器。

【請求項7】

前記熱伝導材料が液体金属である
請求項１に記載される電子機器。

【請求項8】

前記半導体チップを取り囲んでいるシール部材をさらに有し、
前記半導体チップに関する情報が記載されている前記部分は、前記シール部材の外側に位置している
請求項１に記載される電子機器。

【請求項9】

前記半導体チップに関する情報が記載されている部分は、取り外し可能な部材で覆われている
請求項１に記載される電子機器。

【請求項10】

半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材とを有している半導体パッケージと、
放熱器と、
を有し、
前記半導体パッケージは、流動性を有する熱伝導材料が形成され前記半導体チップから前記放熱器に前記熱伝導材料を通して熱を伝える第１の部分と、前記第１の部分とは異なる第２の部分とを有し、
前記半導体パッケージに関する情報は前記半導体チップに関する情報を含み、
前記半導体チップに関する情報は、前記第１の部分には記載されておらず、前記第２の部分に記載されている
電子機器。

【請求項11】

前記第２の部分は前記熱伝導材料が付着していない部分である
請求項１０に記載されている電子機器。

【請求項12】

半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材とを有している半導体パッケージと、
放熱器とを有し、
前記半導体チップの表面と前記放熱器との間に、流動性を有する熱伝導材料が配置され、
前記半導体チップは、その表面に、第１領域と、前記半導体チップの動作時に前記第１領域よりも温度の低い第２領域とを有し、
前記半導体パッケージに関する情報が、前記半導体チップの第１領域ではなく前記第２領域に記載されている
電子機器。

【請求項13】

前記第２領域は前記半導体チップの前記表面の外縁に沿って設けられている
請求項１２に記載される電子機器。

【請求項14】

前記半導体チップの表面には表面処理層が形成され、
前記熱伝導材料は、前記表面処理層と前記放熱器との間に配置されている
請求項１２に記載される電子機器。

【請求項15】

前記表面処理層の厚さは前記熱伝導材料の厚さよりも薄い
請求項１４に記載される電子機器。

【請求項16】

半導体チップと、
前記半導体チップが実装されるパッケージ基材と、
前記半導体チップの外縁よりも外側に位置し、且つ前記パッケージ基材の外縁の内側に位置している部分と
を有している半導体パッケージであって、
前記半導体パッケージに関する情報は前記半導体チップに関する情報を含み、
前記半導体チップに関する情報は、前記半導体チップの表面ではなく前記部分に記載されている
半導体パッケージ。

【請求項17】

半導体チップと、
前記半導体チップが実装されるパッケージ基材と
を有している半導体パッケージであって、
前記半導体チップは、その表面に、第１領域と、前記半導体チップの動作時に前記第１領域よりも温度の低い第２領域とを有し、
前記半導体パッケージに関する情報が、前記半導体チップの第１領域ではなく前記第２領域に記載されている
半導体パッケージ。

【請求項18】

半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材と、前記半導体チップの外縁よりも外側に位置し、且つ前記パッケージ基材の外縁の内側に位置している部分と、を有している半導体パッケージを準備する工程と、
前記半導体チップに関する情報を、前記半導体チップの表面ではなく前記半導体パッケージの前記部分に記載する工程と、
流動性を有する熱伝導材料を前記半導体チップの前記表面に配置する工程と
を含む電子機器の製造方法。

【請求項19】

第１領域と第２領域とを表面に有している半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材とを有し、前記半導体チップの動作時に前記第２領域の温度が前記第１領域の温度よりも低くなる半導体パッケージを準備する工程と、
前記半導体パッケージに関する情報を、前記半導体チップの第１領域ではなく前記第２領域に記載する工程と、
流動性を有する熱伝導材料を前記半導体チップの前記表面に配置する工程と
を含む電子機器の製造方法。

【請求項20】

前記半導体チップの表面に表面処理層を形成する工程と、
前記熱伝導材料を前記半導体チップの前記表面に配置する工程では、前記熱伝導材料を前記表面処理層上に配置する
請求項１９に記載される電子機器の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は半導体パッケージ、電子機器、及び電子機器の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

Central Processing Unit（ＣＰＵ）や、Graphics Processing Unit（ＧＰＵ）などとして機能する半導体チップは、ヒートシンクやヒートパイプなどの放熱器に熱的に接続され、冷却されている。半導体チップと放熱器との間に設けられる熱伝導材料としてグリスが使用された電子機器が存在する（特許文献１）。また、特許文献２及び３の電子機器では、グリスに代えて、電子機器の動作時において流動性が変化し液化する材料、たとえば流動性を有する金属が、半導体チップと放熱器との間の熱伝導材料として利用されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１２－６９９０２号公報

【文献】特開２００７－３３５７４２号公報

【文献】国際公開第２０２０／１６２４１７号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

熱伝導材料として利用される液化した金属は、半導体チップの表面に均一に広がっているのが望ましい。ところが、半導体チップの型番や固有番号などの情報を、半導体チップの表面にレーザーで記載したり、インクで記載したりすると、半導体チップの表面が平坦でなくなったり、もしくは、液体金属と半導体チップの表面との濡れ性（接触角）が異なる領域が半導体チップの表面に形成される。そのため、熱伝導材料が半導体チップの表面に均一には広がらなくなり、高い冷却性能が得られにくくなる。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示で提案する電子機器の一例は、半導体パッケージと放熱器とを有する。前記半導体パッケージは、半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材と、前記半導体チップの外縁よりも外側に位置し且つ前記パッケージ基材の外縁の内側に位置している部分とを有している。前記半導体チップの表面と前記放熱器との間に、流動性を有する熱伝導材料が配置される。前記半導体パッケージに関する情報が、前記半導体チップの表面ではなく前記半導体パッケージの前記部分に記載されている。この電子機器によれば、流動性を有する熱伝導材料を利用して、半導体チップについて高い冷却性能が得られる。

【0006】

本開示で提案する電子機器の他の例は、半導体パッケージと放熱器とを有する。前記半導体パッケージは、半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材と、流動性を有する熱伝導材料が形成され前記半導体チップから前記放熱器に前記熱伝導材料を通して熱を伝える第１の部分と、前記第１の部分とは異なる第２の部分とを有している。前記半導体パッケージに関する情報が、前記第２の部分に記載されている。この電子機器によれば、流動性を有する熱伝導材料を利用して、半導体チップについて高い冷却性能が得られる。

【0007】

本開示で提案する電子機器の他の例は、半導体パッケージと放熱器とを有する。前記半導体パッケージは、半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材とを有している。前記半導体チップの表面と前記放熱器との間に、流動性を有する熱伝導材料が配置される。前記半導体チップは、その表面に、第１領域と、前記半導体チップの動作時に前記第１領域よりも温度の低い第２領域とを有している。前記半導体パッケージに関する情報が、前記半導体チップの第１領域ではなく前記第２領域に記載されている。この電子機器によれば、流動性を有する熱伝導材料を利用して、半導体チップについて高い冷却性能が得られる。

【0008】

本開示で提案する電子機器のさらに他の例は、半導体パッケージと放熱器とを有する。前記半導体チップの表面は、前記半導体パッケージに関する情報が記載された領域を有し、前記半導体チップの表面には、前記領域を覆う表面処理層が形成され、前記表面処理層と前記放熱器との間に、流動性を有する熱伝導材料が配置されている。この電子機器によれば、流動性を有する熱伝導材料を利用して、半導体チップについて高い冷却性能が得られる。

【0009】

本開示で提案する半導体パッケージの一例は、半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材と、平面視において前記半導体チップの外縁よりも外側に位置し、且つ前記パッケージ基材の外縁の内側に位置している部分と、を有している。前記半導体パッケージに関する情報が、前記半導体チップの表面ではなく前記部分に記載されている。この半導体パッケージによれば、流動性を有する熱伝導材料を利用して、半導体チップについて高い冷却性能が得られる。

【0010】

本開示で提案する半導体パッケージの他の例は、半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材とを有している。前記半導体チップは、その表面に、第１領域と、前記半導体チップの動作時に前記第１領域よりも温度の低い第２領域とを有している。前記半導体パッケージに関する情報が、前記半導体チップの第１領域ではなく前記第２領域に記載されている。この半導体パッケージによれば、流動性を有する熱伝導材料を利用して、半導体チップについて高い冷却性能が得られる。

【0011】

本開示で提案する電子機器の製造方法の一例は、半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材と、前記半導体チップの外縁よりも外側に位置し、且つ前記パッケージ基材の外縁の内側に位置している部分と、を有している半導体パッケージを準備する工程と、前記半導体パッケージに関する情報を、前記半導体チップの表面ではなく前記半導体パッケージの前記部分に記載する工程と、流動性を有する熱伝導材料を前記半導体チップの前記表面に配置する工程とを含む。この製造方法によれば、流動性を有する熱伝導材料を利用して、半導体チップについて高い冷却性能が得られる。

【0012】

本開示で提案する電子機器の製造方法の他の例は、第１領域と第２領域とを表面に有している半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材とを有し、前記半導体チップの動作時に前記第２領域の温度が前記第１領域の温度よりも低くなる半導体パッケージを準備する工程と、前記半導体パッケージに関する情報を、前記半導体チップの第１領域ではなく前記第２領域に記載する工程と、流動性を有する熱伝導材料を前記半導体チップの前記表面に配置する工程とを含む。この製造方法によれば、流動性を有する熱伝導材料を利用して、半導体チップについて高い冷却性能が得られる。

【0013】

本開示で提案する電子機器の製造方法の他の例は、半導体チップと、前記半導体チップが実装されるパッケージ基材とを有し、前記半導体パッケージに関する情報が記載された領域が前記半導体チップの表面に確保されている半導体パッケージを準備する工程と、前記半導体チップの表面に前記領域を覆う表面処理層を形成する工程と、流動性を有する熱伝導材料を前記表面処理層上に配置する工程とを含む。この製造方法によれば、流動性を有する熱伝導材料を利用して、半導体チップについて高い冷却性能が得られる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】本開示で提案する半導体パッケージの一例を示す平面図である。

【図2】半導体パッケージを有する電子機器の断面図であり、その切断面は図１のＩＩ－ＩＩ線で示されている。

【図3】本開示で提案する半導体パッケージの別の例を示す平面図である。

【図4】本開示で提案する半導体パッケージのさらに別の例を示す平面図である。

【図5】電子機器の変形例を示す断面図である。

【図6】電子機器のさらに別の変形例を示す断面図である。

【図7】本開示で提案する半導体パッケージのさらに別の例を示す平面図である。

【図8】本開示で提案する半導体パッケージのさらに別の例を示す平面図である。

【図9】本開示で提案する半導体パッケージのさらに別の例を示す半導体パッケージの断面図である。

【図10】流動性を有する熱伝導材料の接触角を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下において、本開示で提案する電子機器と半導体パッケージとについて説明する。本明細書では、本開示で提案する電子機器及び半導体パッケージの一例として、電子機器１及び半導体パッケージ１０について説明する。本開示で提案する電子機器は、例えば、ゲーム機や、開発中の種々のプログラム（例えば、ゲームプログラム）を実行するための開発機、ゲーム機とは異なる情報処理装置（例えば、パーソナルコンピュータや、サーバー装置、輸送車両の制御装置）に適用されてよい。

【0016】

以下の説明では、図１のＸ１及びＸ２で示す方向をそれぞれ右方及び左方と称し、図１のＹ１及びＹ２で示す方向をそれぞれ前方及び後方とする。また、図２で示すＺ１及びＺ２で示す方向をそれぞれ上方及び下方と称する。これらの方向は、電子機器１の要素（部品や、部材、部分）の相対的な位置関係を説明するために使用されており、電子機器１の使用時の姿勢を特定するものではない。

【0017】

［基本構成］
図２で示すように、電子機器１は、半導体パッケージ１０と、メイン基板２と、放熱器５０とを有している。本明細書での説明において、メイン基板２は半導体パッケージ１０の下側に配置され、放熱器５０は半導体パッケージ１０の上側に配置されている。メイン基板２は、半導体パッケージ１０に加えて、ＲＡＭ（Random Access Memory）や、外部記憶装置（例えば、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）、及びハードディスクドライブ（ＨＤＤ））と接続するためのコネクタ、電子機器１と外部装置と接続するためのコネクタ（例えば、電源コネクタ、ＨＤＭＩ（登録商標）コネクタ）などが実装される基板である。メイン基板２は、例えば電子機器１の筐体（不図示）に螺子やボルトなどの固定具で取り付けられる。

【0018】

図２で示すように、半導体パッケージ１０は半導体チップ１１と、半導体チップ１１の下側に配置されているパッケージ基材１７とを有している。半導体チップ１１は半導体ダイ（例えばシリコンダイ）であり、ＣＰＵやＧＰＵなどとして機能する。半導体チップ１１は、パッケージ基材１７の上面１７ａに対して、例えばフリップチップ実装される。すなわち、半導体チップ１１の下面に形成されている複数の半田バンプ１８と、パッケージ基材１７に形成されているバンプ（不図示）とが半田付けされる。半導体チップ１１の下面とパッケージ基材１７との間の隙間にアンダーフィル２３が充填されている。アンダーフィル２３は、例えば樹脂で形成され、半導体チップ１１とパッケージ基材１７との間で硬化している。半導体チップ１１の上面１１ａでは半導体ダイの表面が露出している。半導体チップ１１のパッケージ基材１７への実装方法は、ワイヤボンディングや、テープボンディングなどであってもよい。

【0019】

パッケージ基材１７の上面１７ａには、半導体チップ１１に加えて、複数の電気部品が実装されてよい。図２で示す例では、複数のキャパシタ１６がパッケージ基材１７に実装されている。パッケージ基材１７の外周縁には後述するスティフナー１４が取り付けられている。複数のキャパシタ１６の全体が後述する絶縁部１５で覆われている。

【0020】

スティフナー１４は金属で形成されている四角い枠であり、パッケージ基材１７の外周縁に取り付けられる。スティフナー１４の材料には、例えば、アルミニウムや、銅などを利用できる。スティフナー１４のパッケージ基材１７への取り付けには、接着剤や、半田が利用されてよい。スティフナー１４によってパッケージ基材１７の反りが低減できる。スティフナー１４の内側に半導体チップ１１及びキャパシタ１６が配置されている。

【0021】

図２で示すように、パッケージ基材１７は、電子機器１が有しているメイン基板２に実装される。パッケージ基材１７の下面には、例えばBall Grid Array（ＢＧＡ）１９が形成される。すなわち、パッケージ基材１７の下面には格子状に配置されている複数の半田バンプが形成される。ＢＧＡ１９はメイン基板２上に形成されている導体パッドに半田付けされる。パッケージ基材１７のメイン基板２への実装方法は、必ずしもＢＧＡ１９を利用したものに限られず、他の種々の実装方法が採用されてよい。例えば、ピン状のリード端子を備えるＰＧＡ(Pin Grid Array）や、電極がアレイ状に配設されたＬＧＡ（Land Grid Array）が利用されてもよい。パッケージ基材１７の下面には、ＢＧＡ１９に加えて、複数の電子部品（例えば、複数のキャパシタ２１）が実装されてもよい。

【0022】

放熱器５０は例えばヒートシンクであり、図２で示すように、板状の受熱部５０ａと、フィン５０ｂとを有する。フィン５０ｂは、例えば受熱部５０ａの上側に形成される。受熱部５０ａとして、薄い袋状の容器と、容器内に入れられている液体（例えば、水）とで構成されるベーパーチャンバが利用されてもよい。さらに他の例として、放熱器５０は、ヒートパイプを含んでもよい。放熱器５０は、図示していない弾性部材（例えば、ばね）によって半導体チップ１１に向けて付勢されてよい。また、電子機器１は、放熱器５０に向けて空気流を形成する、図示していない冷却ファンを有してもよい。

【0023】

［熱伝導材料］
図２で示すように、放熱器５０の下面５０ｃは半導体チップ１１の上面１１ａと対向している。放熱器５０の下面５０ｃと半導体チップ１１の上面１１ａとの間に、熱伝導材料３１が配置されている。熱伝導材料３１は、放熱器５０の下面５０ｃと半導体チップ１１の上面１１ａとに直接的に接している。放熱器５０と半導体チップ１１は熱伝導材料３１により熱的に接続されている。

【0024】

熱伝導材料３１は流動性を有する材料である。熱伝導材料３１は液状またはペースト状であってよい。また、熱伝導材料３１は導電性を有する材料、言い換えれば、高い熱伝導率を有する材料であってよい。

【0025】

熱伝導材料３１は、半導体チップ１１の動作時と非動作時のいずれにおいても流動性を有する材料であってよい。半導体チップ１１の非動作時とは、電子機器の電源がオフ状態のときである。例えば電子機器の製造時や輸送時においては、電子機器の電源はオフ状態に設定される。これとは異なり、熱伝導材料３１は、半導体チップ１１の動作時においては半導体チップ１１の発生する熱を受けて流動性を有する一方で、半導体チップ１１の非動作時（言い換えれば、半導体チップ１１が常温（例えば２０℃）であるとき）においては流動性を有していない材料であってもよい。

【0026】

このような流動性を有する熱伝導材料３１を利用すると、半導体チップ１１の冷却性能が向上できる。また、熱伝導材料３１が常温で流動性を有すると、半導体チップ１１からの放熱器５０の分離が可能となり、その結果、電子機器１の修理の際、放熱器５０を半導体パッケージ１０から取り外し、修理作業を行うことが容易となる。

【0027】

熱伝導材料３１としては、例えば常温で液体である液体金属が利用できる。液体金属は、例えば、Ga（融点：29.8℃、熱伝導率40.6W/mk）、In（融点：156.4℃、熱伝導率81.6W/mk）、およびSn（融点：231.97℃、熱伝導率66.6W/mk）からなる群より選ばれる１種類以上の低融点金属、または、前記１種類以上の低融点金属を含有する合金を用いることができる。合金の具体例としては、In-Ag、Sn-Ag-Cu、In-Sn-Biなどが挙げられる。熱伝導材料３１の他の例として、導電性ペーストが利用されてもよい。導電性ペーストとしては、樹脂に銀粉を分散させた銀ペーストが利用されてよい。

【0028】

熱伝導材料３１は、好ましくは、半導体チップ１１の上面１１ａの全域に塗布される。熱伝導材料３１は、半導体チップ１１の側面１１ｂの一部に接してもよい。放熱器５０の下面５０ｃにおいて熱伝導材料３１が塗布される領域は、半導体チップ１１より大きくてもよい。

【0029】

［半導体パッケージに関する情報とその記載］
半導体パッケージ１０には、半導体パッケージ１０に関する情報が記載される。半導体パッケージ１０に関する情報は、例えば、半導体パッケージ１０の製造国、製造企業、型番（或いは、製品名称）、及び半導体パッケージ１０の固有番号のうち１つ又は複数である。半導体パッケージ１０の固有番号とは、製造ラインから得られる複数の半導体パッケージ１０のそれぞれを特定するための情報である。半導体パッケージ１０に関する情報は、その主要部である半導体チップ１１に関する情報を含んでよい。半導体チップ１１に関する情報は、例えば、半導体チップ１１の製造国、製造企業、型番（製品名称）、及び半導体チップ１１の固有番号のうち１つ又は複数である。半導体チップ１１の固有番号とは、製造ラインから得られる複数の半導体チップ１１のそれぞれを特定するための情報である。

【0030】

これらの情報を表す文字、記号、及びコードのうちの１又は複数が、インク、レーザー、シール、及び刻印のうちの少なくとも１つの手段で半導体パッケージ１０に記載される。すなわち、これらの情報を表す文字、記号、及びコードのうちの１又は複数が、半導体チップ１１の上面１１ａの平坦度を下げたり、もしくは流動性を有する熱伝導材料３１と上面１１ａとの濡れ性の差異を生じる手段で記載される。

【0031】

これらの情報は、例えば電子機器１の修理時に利用され得る。例えば、電子機器１に不具合が認められ、その不具合の原因が半導体チップ１１にあると判断された場合、その半導体チップ１１の型番や固有番号を手がかりにして、不具合解消のための対応を迅速に行うことが可能となる。なお、ここで言う「コード」とは、例えば、バーコードや、２次元コードなどである。例えば半導体チップ１１の型番及び固有番号のうちの少なくとも１つがコード化されて、半導体パッケージ１０に記載される。電子機器１の修理時には、このコードが例えば赤外線を利用したコードリーダで読み取られて、半導体チップ１１の型番及び固有番号などが特定される。

【0032】

従来、半導体パッケージ１０に関するこれらの情報は、半導体チップ１１の上面１１ａに記載されていた。ところが、これらの情報が半導体チップ１１の上面１１ａにインク、レーザー、シール、或いは刻印によって記載されていると、上述したように半導体チップ１１の上面１１ａの平坦度が下がり、また流動性を有する熱伝導材料３１と上面１１ａの濡れ性が相互に異なる部分が半導体チップ１１の上面１１ａに発生する。（「濡れ性」とは流動性を有する熱伝導材料３１を半導体チップ１１の上面１１ａに配置したときに、熱伝導材料３１の表面張力によって生じる接触角θ（図１０）として表される。）例えば、レーザーでこれらの情報を記載する場合、記載された文字・記号・コードの部分が削られることとなり、表面粗さが変化することで流動性を有する熱伝導材料３１との濡れ性が相互に異なる部分が発生する。一方、インクでこれらの情報を記載する場合、記載された文字・記号・コードの部分がインクで盛り上がり、また材料の異なる部分が半導体チップ１１の上面１１ａ上に形成されることとなる。その結果、流動性を有する熱伝導材料３１と上面１１ａとの濡れ性が相互に異なる部分が発生する。また、シールでこれらの情報を記載する場合（シールを貼付する場合）、シールの部分が盛り上がり、また材料の異なる部分が半導体チップ１１の上面１１ａ上に存在することとなる。その結果、流動性を有する熱伝導材料３１と上面１１ａとの濡れ性が相互に異なる部分が発生する。このような原因で半導体チップ１１の上面１１ａの平坦度が低い、もしくは、流動性を有する熱伝導材料３１と上面１１ａとの濡れ性が相互に異なる部分が発生すると、上述した熱伝導材料３１が半導体チップ１１の上面１１ａにおいて均等に広がらない。例えば、レーザーで文字等が記載された部分に熱伝導材料３１が配置されなかったり、インクやシールで文字等が記載されたところに集中して熱伝導材料３１が配置されるといった問題が生じる。

【0033】

図１０で示すように、熱伝導材料３１としては、例えば、半導体チップ１１の上面１１ａに配置したときに上面１１ａと熱伝導材料３１との接触角θ（熱伝導材料３１の濡れ性）が９０度よりも大きくなる材料が用いられてよい。このような材料が用いられると、上述した問題が生じ易くなる。このような材料は典型的には液体金属である。すなわち、常温で液体である液体金属が熱伝導材料３１として利用された場合には、熱伝導材料３１を半導体チップ１１の上面１１ａに塗布する工程で熱伝導材料３１の表面張力が働くので、この問題は特に顕著となる。熱伝導材料３１の材料は必ずしも液体金属に限られない。

【0034】

そこで、半導体パッケージ１０に関する情報は、図１で示すように、その主要部である半導体チップ１１の上面１１ａではなく、半導体チップ１１の外縁１１ｄよりも外側に位置し且つパッケージ基材１７の外縁１７ｄの内側に位置している部分に記載されている。すなわち、半導体パッケージ１０に関する情報を表す文字、記号、及びコードのうちの１又は複数が、インク、レーザー、シール、及び刻印のうちの少なくとも１つの手段で、半導体チップ１１の外縁１１ｄよりも外側に位置し且つパッケージ基材１７の外縁１７ｄの内側に位置している部分に記載される。
言い換えれば、半導体パッケージ１０は、熱伝導材料３１が配置（塗布）され半導体チップ１１から放熱器５０に熱伝導材料３１を通して熱を伝える第１の部分（半導体チップ１１の上面１１ａ）と、第１の部分とは異なる第２の部分とを有している。この第２の部分は放熱器５０に直接的には接していない部分である。第２の部分には上述した熱伝導材料３１が配置されない。この第２の部分に半導体パッケージ１０に関する情報が記載されている。この構造によると、半導体チップ１１の上面１１ａの平坦度は良好に保たれ、機器の動作時に液状の熱伝導材料との濡れ性（接触角）が異なる部分が生ずることがない。そのため、熱伝導材料３１が半導体チップ１１の上面１１ａにおいて均等に広がる。半導体チップ１１の上面１１ａに、文字、記号、ロゴ、マーク、及びコードは記載されていない。すなわち上面１１ａには半導体パッケージ１０に関するいずれの情報（文字や、記号、ロゴ、マーク、及びコード）も記載されていない。なお、半導体パッケージ１０に関する情報を表す文字等を記載する手段は、上述したインク等に限られず、他の手段であってもよい。

【0035】

なお、上の説明において、「第１の部分」は例えば半導体チップ１１の上面１１ａである。パッケージ基材１７に複数の半導体チップが実装されている場合、「第１の部分」は最も発熱量の多い半導体チップの表面（上面）であってよい（図７で示す例参照）。これらの構造において、上述した「第２の部分」は第１の部分とは異なる部分、すなわち半導体チップ１１の上面１１ａとは異なる部分である。さらに他の例として、半導体チップの上面に、高温領域と、半導体チップの動作時に高温領域よりも温度が低くなる低温領域とが生じる場合、「第１の部分」は高温領域であり、「第２の部分」は低温領域であってよい。いずれの構造においても、第２の部分は、上述したように、放熱器５０に直接的には接していない部分である。また、第２の部分には熱伝導材料３１が配置されない。第２の部分は飛散した熱伝導材料３１が付着していない部分であることが望ましい。

【0036】

図１で示す例では、半導体パッケージ１０に関する情報を記載する部分は、例えばパッケージ基材１７に取り付けられている部品の表面、言い換えると、半導体パッケージ１０のコンポーネントの表面である。具体的には、パッケージ基材１７に取り付けられているスティフナー１４の表面（より具体的には、上面１４ａ）に、半導体パッケージ１０に関する情報が記載されている。このようにスティフナー１４を利用すると、部品数の増加を抑えることができる。また、スティフナー１４の上面１４ａにこれらの情報を記載すると、それらの情報について視認性を確保できる。

【0037】

図１で示す例において、半導体パッケージ１０に関する情報は、半導体チップ１１の製造国を表す文字画像Ａ１、半導体チップ１１の製造企業を表す文字画像Ａ２、半導体チップ１１の型番を表す文字画像Ａ３、半導体チップ１１の固有番号を表す文字画像Ａ４、及びそれらの情報を含むコードＢである。（本明細書において、「文字画像」は文字や、記号、マーク、ロゴなどを含む。）コードＢが含む情報は、文字画像Ａ１～Ａ４が表す情報のうち一部であってもよい。コードＢは好ましくは半導体チップ１１の固有番号を含む。

【0038】

このように１つの部材（スティフナー１４）の１つの表面（上面１４ａ）に必要な情報の全てを記載する図１で示す構造によれば、半導体パッケージ１０の製造工程を簡素化できる。

【0039】

また、コードＢと文字画像Ａ１～Ａ４は同じ手段で記載されてもよい。例えば、コードＢと文字画像Ａ１～Ａ４の全てがレーザーで記載されたり、コードＢと文字画像Ａ１～Ａ４の全てがインクで記載されてよい。こうすることによって、半導体パッケージ１０の製造工程をさらに簡素化できる。

【0040】

なお、半導体パッケージ１０に関する情報を記載する部分は、図１で示す例に限られない。例えば、スティフナー１４の側面１４ｂ（図２参照）に記載されてもよいし、上面１４ａと側面１４ｂとに分散して記載されてもよい。

【0041】

また、半導体パッケージ１０に関する情報が記載される部品は、スティフナー１４でなくてもよい。例えば、パッケージ基材１７に取り付けられている別の電子部品の表面に、半導体パッケージ１０に関する情報が記載されてもよいし、半導体パッケージ１０に関する情報が記載された専用の部品がパッケージ基材１７に取り付けられてもよい。この場合、これらの文字画像Ａ１～Ａ４及びコードＢが半導体チップ１１についての情報であることを示す説明や記号、マークが、文字画像Ａ１～Ａ４及びコードＢに加えて記載されてもよい。また、パッケージ基材１７に取り付けられている別の電子部品の表面に半導体パッケージ１０に関する情報が記載される場合、この部品には、半導体パッケージ１０に関する情報と、この電子部品の情報（型番や固有情報）とが記載されてもよい。

【0042】

半導体パッケージ１０に関する情報を記載する部分は、図３で示すように、例えばパッケージ基材１７の上面１７ａであってもよい。図３で示す例では、文字画像Ａ１～Ａ４はパッケージ基材１７の上面１７ａに記載されている一方、これらの情報を含むコードＢはスティフナー１４の上面１４ａに記載されている。この場合、パッケージ基材１７の上面１７ａで示す情報と、スティフナー１４の上面１４ａで示す情報は、ことなる手段で記載されてもよい。例えば、パッケージ基材１７の上面１７ａで示す情報はインクによって記載され、スティフナー１４の上面１４ａで示す情報はレーザーで記載されてよい。こうすれば、パッケージ基材１７の表面に形成されている保護層を良好に維持できる。

【0043】

また、半導体パッケージ１０に関する情報を記載する部分は、図４で示すように、スティフナー１４の上面１４ａとパッケージ基材１７の上面１７ａとに分散して記載されてもよい。図４の例では、半導体チップ１１の固有情報を表す文字画像Ａ４はスティフナー１４の左側の延伸部に記載され、コードＢと型番を示す文字画像Ａ３はスティフナー１４の前側の延伸部１４Ｂの上面に記載されている。延伸部１４Ａ・１４Ｂは相互に直交している。製造企業を表す文字画像Ａ２と、半導体チップ１１の製造国を表す文字画像Ａ１は、パッケージ基材１７に記録されている。

【0044】

［シール部材と絶縁部］
図２で示すように、半導体パッケージ１０は、パッケージ基材１７に形成されているキャパシタ１６や回路パターンなどの導体要素を覆う絶縁部１５を有している。絶縁部１５は、スティフナー１４の内側の側面と半導体チップ１１の側面１１ｂとの間に形成され、それらの間に充填されている。絶縁部１５は、例えば樹脂である。より具体的には、絶縁部１５は、液状又はジェル状の樹脂が硬化した部分である。絶縁部１５としては、例えば紫外線硬化性の樹脂が利用できる。この絶縁部１５によって、熱伝導材料３１が、キャパシタ１６や回路パターンなどの導体要素に触れることを防ぐことができる。

【0045】

図２で示すように、キャパシタ１６の上面１６ａの高さ（基材１７の上面１７ａからの高さ）は、半導体チップ１１の上面１１ａの高さよりも低い。絶縁部１５は、キャパシタ１６の上面１６ａを覆うのが望ましい。スティフナー１４の上面１４ａの高さ（基材１７の上面１７ａからの高さ）は、絶縁部１５の上面１５ａから露出している。後において詳説するように、半導体パッケージ１０は、絶縁部１５に代えて、キャパシタ１６の上面１６ａを覆うシートを有してもよい（図６参照）

【0046】

図２で示すように、電子機器１は、平面視において熱伝導材料３１を囲むシール部材３３を有している。シール部材３３は、例えばクッション性を有する材料で形成される。すなわち、シール部材３３は、例えば、半導体チップ１１の上面１１ａと放熱器５０の下面５０ｃとが向き合う方向、すなわち上下方向におけるシール部材３３の厚さの変化を許容する材料で形成されている。シール部材３３の材料は、例えばゴムや、スポンジ、発泡性を有する樹脂、シリコーンなどである。

【0047】

シール部材３３には、半導体チップ１１の上面１１ａを露出させるための開口が形成されており、シール部材３３の内側に熱伝導材料３１と半導体チップ１１とが位置している。シール部材３３は、半導体チップ１１の外縁（側面１１ｂ）から外側に離れており、また半導体パッケージ１０と放熱器５０の下面５０ｃとの間に配置され、それらの間の隙間をシールしている。これにより、流動性を有する熱伝導材料３１が飛散する範囲を制限できる。その結果、後述するように、文字画像Ａ１～Ａ４やコードＢに熱伝導材料３１が付着することを防ぐことができる。図２で示す例では、シール部材３３は、スティフナー１４の内側に配置されている。

【0048】

［シール部材とコード等との位置関係］
半導体パッケージ１０に関する情報が記載されている部分は、シール部材３３の外側に位置しているとよい。こうすることで、流動化した熱伝導材料３１がシール部材３３の内側で飛散している場合でも、半導体パッケージ１０に関する情報が記載されている部分（例えば、コードＢや文字画像Ａ１～Ａ４）に熱伝導材料３１が付着していない。そのため、例えば修理作業を効率的に行うことができる。

【0049】

図１で示した例では、文字画像Ａ１～Ａ４及びコードＢはスティフナー１４の表面に形成されている。図２においてシール部材３３はスティフナー１４の内側に位置している。そのため、スティフナー１４の表面に記載されている文字画像Ａ１～Ａ４及びコードＢは、シール部材３３の外側に位置することとなる。その結果、スティフナー１４の表面に記載されている文字画像Ａ１～Ａ４及びコードＢに熱伝導材料３１が付着することを、効果的に抑えることができる。

【0050】

図３で示した例では、半導体チップ１１の情報を表す文字画像Ａ１～Ａ４はパッケージ基材１７の表面に記載され、コードＢはスティフナー１４に記載されている。図２で示した例ではスティフナー１４の内側に絶縁部１５が形成されている。そのため、図３で示した半導体パッケージ１０においては、コードＢはシール部材３３の外側に位置することとなり、コードＢに熱伝導材料３１が付着することを効果的に抑えることができる。一方、パッケージ基材１７に記載されている文字画像Ａ１～Ａ４は絶縁部１５で覆われることとなる。絶縁部１５が透明な材料で形成されている場合、修理作業者はこの絶縁部１５を通して文字画像Ａ１～Ａ４を読み取ることができる。

【0051】

また、図４で示した例では、半導体チップ１１の型番と固有情報をそれぞれ表す文字画像Ａ３・Ａ４、及びコードＢはスティフナー１４に記載され、製造国及び製造企業をそれぞれ表す文字画像Ａ１・Ａ２はパッケージ基材１７の表面（具体的には、上面１７ａ）に記載されている。図４で示した半導体パッケージ１０においては、コードＢと文字画像Ａ３・Ａ４はシール部材３３の外側に位置することとなり、これらに熱伝導材料３１が付着することを効果的に抑えることができる。一方、パッケージ基材１７に記載されている文字画像Ａ１・Ａ３は絶縁部１５で覆われることとなる。

【0052】

シール部材３３の位置は、図２に示す例に限られない。例えば、絶縁部１５はキャパシタ１６の位置にだけ形成され、シール部材３３は絶縁部１５の内側に位置し、半導体チップ１１を取り囲んでもよい。そして、シール部材３３は、パッケージ基材１７の上面１７ａと放熱器５０の下面５０ｃとによって上下方向で挟まれてもよい。このような構造に、図１、図３、図４で例示した半導体パッケージ１０が適用されてもよい。この場合、図１、図３、図４で示したコードＢはシール部材３３の外側に位置することとなり、コードＢに流動化した熱伝導材料３１が付着することを防ぐことができる。また、スティフナー１４に記載された文字画像（例えば、図１で示した文字画像Ａ１～Ａ４）もシール部材３３の外側に位置することとなり、文字画像に熱伝導材料３１が付着することを防ぐことができる。

【0053】

図５は電子機器１の変形例を示す断面図である。シール部材３３の位置は、図５で示すように、スティフナー１４上であってもよい。図５で示す例では、シール部材３３は、スティフナー１４の上面１４ａと放熱器５０の下面５０ｃとによって上下方向で挟まれている。この構造に、図１、図３、図４で例示した半導体パッケージ１０が適用されてもよい。この場合、スティフナー１４の上面１４ａに形成されたコードＢはシール部材３３の下側に位置することなる。すなわち、コードＢはシール部材３３によって覆われる。これにより、コードＢに熱伝導材料３１が付着することを防ぐことができる。また、スティフナー１４に記載された文字画像（例えば、図１で示した文字画像Ａ１～Ａ４）もシール部材３３の下側に位置することとなり、文字画像に熱伝導材料３１が付着することを防ぐことができる。

【0054】

なお、図５の構造においては、シール部材３３は放熱器５０の下面５０ｃに取り付けられてよい。例えば、シール部材３３は、放熱器５０の下面５０ｃに接着されてよい。こうすることで、放熱器５０を半導体パッケージ１０から取り外すと、上述したスティフナー１４の上面１４ａに記載された文字画像やコードＢが自動的に露出し、修理作業を効率的に行うことができる。

【0055】

図６は電子機器１のさらに別の変形例を示す断面図である。この図の例では、半導体パッケージ１０はキャパシタ１６や回路パターンなどの導体要素を覆う絶縁部として、絶縁材料で形成されている絶縁シート２１５・２２５とを有している。

【0056】

図６で示すように、絶縁シート２１５は、キャパシタ１６の上側に位置する上壁２１５ｂと、キャパシタ１６の内側（半導体チップ１１側）に位置している内壁２１５ｃとを有している。絶縁シート２１５の内壁２１５ｃの下縁（被取付部２１５ｈ）はパッケージ基材１７に取り付けられている。絶縁シート２２５は絶縁シート２１５の下側に配置されている。２枚のシート２１５・２２５は重なっている。（以下の説明では、絶縁シート２１５を上シートと称し、絶縁シート２２５を下シートと称する。）下シート２２５もキャパシタ１６の内側（半導体チップ１１側）に内壁２２５ｃを有し、その下縁がパッケージ基材１７に取り付けられている。

【0057】

上シート２１５の材料としては、例えば、ポリカーボネートや、ポリアミドなどエンジニアリングプラスチックが使用できる。下シート２２５の材料の一例は、ポリエチレンテレフタレートであり、下シート２２５は可撓性を有してよい。

【0058】

図６で示すように、シール部材３３は上シート２１５と放熱器５０の下面５０ｃとによって上下方向で挟まれている。シール部材３３は上シート２１５の上壁２１５ｂの内縁に沿って配置されている。

【0059】

シート２１５・２２５は、キャパシタ１６とスティフナー１４とを覆う上壁２１５ｂ・２２５ｂをそれぞれ有している。シート２１５・２２５は、上壁２１５ｂ・２２５ｂの外縁から下がり、スティフナー１４を覆う外壁２１５ｄ・２２５ｄをそれぞれ有している。外壁２１５ｄ・２２５ｄはスティフナー１４に取り付けられていない。図６で示す例とは異なり、シール部材３３は上壁２１５ｂの内縁からスティフナー１４の上側にまで広がってよい。

【0060】

図１で示した半導体パッケージ１０は図６で示した構造に適用されてよい。この場合、スティフナー１４の上面１４ａに記載された文字画像Ａ１～Ａ４及びコードＢはシート２１５・２２５によって覆われる。そのため、文字画像Ａ１～Ａ４及びコードＢに流動化した熱伝導材料３１が付着することを抑えることができる。修理作業者は、電子機器１の修理時に、シート２１５・２２５を剥がせば、コードリーダで適切にコードＢを読み取ることができる。

【0061】

また、図３で示した半導体パッケージ１０が図６で示した構造に適用されてよい。この場合、スティフナー１４に記載されているコードＢはシート２１５・２２５で覆われる。また、パッケージ基材１７に記載されている文字画像Ａ１～Ａ４もシート２１５・２２５で覆われ、流動化した熱伝導材料３１が文字画像Ａ１～Ａ４に付着することを抑えることができる。

【0062】

また、図４で示した半導体パッケージ１０が図６で示した構造に適用されてよい。この場合、スティフナー１４の上面１４ａに記載された文字画像Ａ１・Ａ３及びコードＢはシート２１５・２２５で覆われる。パッケージ基材１７の表面（具体的には、上面１７ａ）に記載されている文字画像Ａ２・Ａ４もシート２１５・２２５で覆われる。

【0063】

なお、図６の例においては、上シート２１５の内壁２１５ｃの下端に被取付部２１５ｈが形成されており、この被取付部２１５ｈが液状ガスケットＥ２によってパッケージ基材１７に取り付けられている。一方、下シート２２５は、例えば接着テープ（両面に接着剤が塗布されたテープ）や、接着剤によってパッケージ基材１７に取り付けられる。液状ガスケットとは、常温で流動性を有し、接合面に塗布してから一定時間の後に乾燥または均一化し、弾性あるいは粘着性の薄層を形成する。液状ガスケットの材料には、例えば、フェノール系や、変性エステル系、シリコーン系、アクリル系などがある。このような液状ガスケットを使用することによって、絶縁シート２１５の被取付部２１５ｈとパッケージ基材１７との間に高いシール性を確保できる。

【0064】

熱伝導材料３１は流動性を有しているので、放熱器５０の下面５０ｃと半導体チップ１１の上面１１ａとの間から出る可能性がある。漏れ出た熱伝導材料３１は液状ガスケットＥ２に付着する。電子機器の補修や不良パーツの交換のため、放熱器５０と上シート２１５とを外したとき、熱伝導材料３１が付着している液状ガスケットＥ２が飛散し、周辺に広がる可能性がある。図６で示す構造では、下シート２２５が上シート２１５の下側に配置され、キャパシタ１６を覆っている。このことによって、放熱器５０と上シート２１５とを外す際に、液状ガスケットＥ２とともに熱伝導材料３１がキャパシタ１６などの導体要素に向けて飛散することを防ぐことができる。

【0065】

なお、図６で示す例とは異なり、キャパシタ１６等を覆うシートの数は１枚でもよい。例えば、スティフナー１４とキャパシタ１６は、絶縁シート２１５だけで覆われてもよいし、絶縁シート２２５だけで覆われてもよい。

【0066】

シート２１５・２２５の構造は、図６で示す例に限られない。例えば、シート２１５・２２５は、スティフナー１４とキャパシタ１６との間に位置する外壁を有してもよい。すなわち、シート２１５・２２５はスティフナー１４を覆っていなくてもよい。この場合、シール部材３３はスティフナー１４の上面１４ａと放熱器５０の下面５０ｃとの間で挟まれてもよいし、シート２１５・２２５と放熱器５０との間に配置されてもよい。

【0067】

電子機器１の製造方法の一例について説明する。

【0068】

半導体チップ１１と、半導体チップ１１が実装されるパッケージ基材１７とを有する半導体パッケージ１０を準備する。上述したように、パッケージ基材１７にはキャパシタ１６等の部品が実装されてよい。また、パッケージ基材１７にはスティフナー１４を取り付けたり、上述した絶縁部１５を形成する。絶縁部１５に代えてシート２１５・２２５（図６）が取り付けられてもよい。次に、半導体パッケージ１０に関する情報（例えば、上述した半導体チップ１１の固有情報）を、半導体チップ１１の上面１１ａではなく、半導体チップ１１の外縁１１ｄよりも外側に位置し且つパッケージ基材１７の外縁１７ｄの内側に位置している部分に記載する。例えば、図１で示したようにスティフナー１４に半導体パッケージ１０に関する情報をレーザーや、インク、シールで記載する。半導体チップ１１の上面１１ａに、文字、記号、ロゴ、マーク、及びコードは記載されない。

【0069】

半導体パッケージ１０を、ＢＧＡ１９を利用してメイン基板２に実装する。そして、半導体チップ１１の上面１１ａに、流動性を有する熱伝導材料３１を半導体チップ１１の上面１１ａに配置する。このとき、熱伝導材料３１を半導体チップ１１の上面１１ａの全体に広げるのが望ましい。また、半導体チップ１１を取り囲むシール部材３３を半導体パッケージ１０又は放熱器５０に取り付ける。最後に、半導体チップ１１の上面１１ａ上に放熱器５０を配置し、それらを熱的に接続する。なお、半導体チップ１１の上面１１ａ上に放熱器５０を配置する前に、放熱器５０の下面５０ｃにも熱伝導材料３１を塗布してもよい。以上が電子機器の製造方法の一例である。

【0070】

［他の電子部品に記載する例］
図７は半導体パッケージのさらに別の例として、半導体パッケージ１１０を示す平面図である。この図において、これまで説明した要素と同一の要素には同一の符合を付している。以下では、これまで説明した半導体パッケージとの相違点を中心として説明する。半導体パッケージ１１０について説明のない事項は、これまで説明した例が適用されてよい。

【0071】

半導体パッケージ１１０は、パッケージ基材１７に実装される電子部品として、ＣＰＵやＧＰＵとして機能する半導体チップ１１（例えば、シリコンダイ）だけでなく、半導体パッケージ１１０の動作時に、半導体チップ１１（請求項の「第１の部分」）よりも発熱量が小さく且つ半導体チップ１１よりも温度が低い部品（請求項の「第２の部分」）を有してもよい。このような部品の一例は電子部品であり、例えば、ＲＡＭ（random access memory）或いはフラッシュメモリとして機能する半導体チップ１２である。この場合、この半導体チップ１２の表面（上面１２ａ）に、半導体パッケージ１１０に関する情報を表す文字画像Ａ１～Ａ４のうちの１つ又は複数、及びこの情報を含むコードＢが記載されてよい。これらの情報は、インク、レーザー、或いはシールによって記載されてよい。この場合、これらの文字画像Ａ１～Ａ４及びコードＢが半導体チップ１１についての情報であることを示す説明や記号、マークが、文字画像Ａ１～Ａ４及びコードＢに加えて記載されてもよい。また、半導体チップ１２の上面１２ａには、半導体チップ１２についての情報、例えば、半導体チップ１２の製造企業や、型番（製品名）、固有番号などが記録されてもよい。なお、半導体チップ１２では、シリコンダイは樹脂で封止されていてもよい。そして、その樹脂の表面に文字画像Ａ１～Ａ４やコードＢが記載されてもよい。

【0072】

このような半導体チップ１２は、半導体チップ１１より小さくてもよい。半導体チップ１２は、半導体チップ１１の半分より大きなサイズを有してよい。これとは異なり、半導体チップ１２は、半導体チップ１１より大きなサイズを有してよい。

【0073】

半導体チップ１１に関する全ての情報が半導体チップ１２に記載されてよい。この場合、半導体パッケージ１０はスティフナー１４を有していなくてもよい。

【0074】

他の例として、図７で示す半導体パッケージ１１０において、コードＢはスティフナー１４に記載され、他の文字画像Ａ１～Ａ４だけが半導体チップ１２に記載されてもよい。

【0075】

図７で示す半導体パッケージ１１０において、半導体チップ１２は、図２で示したキャパシタ１６と同様に絶縁性の絶縁部１５で覆われてよい。他の例として、半導体チップ１２は、図６で示した絶縁シート２１５（又は２２５）によって、キャパシタ１６とともに覆われてもよい。この場合、修理作業者は、電子機器１の修理時に、シート２１５・２２５を剥がせば、コードリーダで適切にコードＢを読み取ることができる。

【0076】

［低温領域に記載する例］
図８はさらに半導体パッケージのさらに別の例として、半導体パッケージ３１０を示す平面図である。この図において、これまで説明した要素と同一の要素には同一の符合を付している。以下では、これまで説明した半導体パッケージとの相違点を中心として説明する。半導体パッケージ３１０について説明のない事項は、これまで説明した例が適用されてよい。

【0077】

半導体パッケージ３１０において、半導体チップ１１は、高温領域１１Ａ（請求項の「第１の部分」）と、半導体チップ１１の動作時に高温領域１１Ａよりも温度が低くなる低温領域１１Ｂ・１１Ｃ（請求項の「第２の部分」）とを有してる。半導体チップ１１は、例えばＳｏＣ（System on a chip）と称されるダイであってよい。例えば、半導体チップ１１は、プロセッサ・コアや、メモリ・コアなどを有してもよい。そして、例えばプロセッサ・コアが形成されている回路ブロックの領域が高温領域１１Ａとなり、メモリ・コアが形成されている回路ブロックの領域が低温領域１１Ｂ・１１Ｃであってよい。

【0078】

半導体パッケージ３１０においては、低温領域１１Ｂ・１１Ｃに半導体パッケージ３１０に関する情報が記録されてもよい。すなわち、文字画像Ａ１～Ａ４及びコードＢがレーザーやインク、シールなどによって記載されてよい。そして、半導体チップ１１の上面１１ａに熱伝導材料３１が配置されてよい。半導体チップ１１の上面１１ａの高温領域１１Ａに、文字、記号、ロゴ、マーク、及びコードは記載されない。この場合、流動性を有する熱伝導材料３１は半導体チップ１１の上面１１ａにおいて不均一となる。例えば、文字画像Ａ１が記載された領域とコードＢの領域とにおいては、他の領域に比して、熱伝導材料３１が少なくなる可能性がある。しかしながら、低温領域１１Ｂ・１１Ｃでは高温領域１１Ａに比して発熱量が少ないため、それらの領域１１Ｂ・１１Ｃにおける熱伝導材料３１の量が少なくなったとしても、半導体チップ１１について高い冷却性能を維持できる。

【0079】

なお、このような低温領域１１Ｂ・１１Ｃは半導体チップ１１の外周縁に沿って設けられてもよい。すなわち、半導体チップ１１（半導体ダイ）の外周縁に回路ブロックが存在しない領域がある場合には、その領域に半導体パッケージ３１０に関する情報が記載されてよい。

【0080】

図８に示す半導体パッケージ３１０は図２や、図５、図６で示した構造に適用されてよい。すなわち、半導体パッケージ３１０には絶縁部１５（図２及び図５参照）や、シート２１５・２２５が取り付けられてもよい。また、半導体パッケージ３１０と放熱器５０との間にシール部材３３が配置されてよい。

【0081】

半導体パッケージ３１０を有する電子機器の製造方法の一例について説明する。

【0082】

半導体チップ１１と、半導体チップ１１が実装されるパッケージ基材１７とを有する半導体パッケージ３１０を準備する。上述したように、パッケージ基材１７にはキャパシタ１６等の部品が実装されてよい。また、パッケージ基材１７にはスティフナー１４を取り付けたり、上述した絶縁部１５を形成する。絶縁部１５に代えてシート２１５・２２５（図６）が取り付けられてもよい。また、半導体パッケージ３１０においては、パッケージ基材１７にスティフナー１４は取り付けられていなくてもよい。次に、半導体パッケージ３１０に関する情報（例えば、上述した固有情報）を、半導体チップ１１の上面１１ａの低温領域１１Ｂ・１１Ｃに記載する。例えば、低温領域１１Ｂ・１１Ｃに半導体パッケージ３１０に関する情報をレーザーや、インク、シール、刻印で記載する。

【0083】

半導体パッケージ３１０を、ＢＧＡ１９を利用してメイン基板２に実装する。そして、半導体チップ１１の上面１１ａに、流動性を有する熱伝導材料３１を半導体チップ１１の上面１１ａに配置する。このとき、熱伝導材料３１を半導体チップ１１の上面１１ａの広い範囲に広げるのが望ましい。また、半導体チップ１１を取り囲むシール部材３３を半導体パッケージ３１０又は放熱器５０に取り付ける。最後に、半導体チップ１１の上面１１ａ上に放熱器５０を配置し、それらを熱的に接続する。なお、半導体チップ１１の上面１１ａ上に放熱器５０を配置する前に、放熱器５０の下面５０ｃにも熱伝導材料３１を塗布してもよい。以上が、半導体パッケージ３１０を有する電子機器の製造方法の一例である。

【0084】

［表面処理層で平坦化する例］
図９は、半導体パッケージのさらに別の例として、半導体パッケージ４１０を示す断面図である。この図において、これまで説明した要素と同一の要素には同一の符合を付している。以下では、これまで説明した半導体パッケージとの相違点を中心として説明する。半導体パッケージ４１０について説明のない事項は、これまで説明した例が適用されてよい。

【0085】

半導体パッケージ４１０は、半導体チップ１１を有している。半導体チップ１１の上面１１ａに、半導体パッケージ４１０に関する情報を示す文字画像Ａ１～Ａ４及び／又はコードＢが記載されている。図９で示す例では、文字画像Ａ１～Ａ４及び又はコードＢはレーザーで記載されており、これらが記載された領域において上面１１ａは僅かに凹んでいる。半導体チップ１１の上面１１ａには、この文字画像Ａ１～Ａ４及び／又はコードＢが記載された領域を覆う表面処理層４１９が形成されている。表面処理層４１９は半導体チップ１１の上面１１ａの全域に形成されてよい。表面処理層４１９は半導体チップ１１の上面１１ａに施され、上面１１ａに生じている濡れ性の差異を解消する。表面処理層４１９は、上面１１ａの平坦度を均一にしてもよい。表面処理層４１９は、例えばコーティング剤や、グリスであってよい。図９で示す例では、文字画像Ａ１～Ａ４及び／又はコードＢが記載された領域（凹部）は表面処理層４１９によって埋められ、表面処理層４１９は平坦で且つ均一な濡れ性を有する上面を有している。表面処理層４１９と放熱器５０との間に、これまで説明した熱伝導材料３１が配置されている。このような構造においても、流動性を有する熱伝導材料３１の濡れ性が均一になり、熱伝導材料３１の厚さの不均一を軽減できる。表面処理層４１９の上面は必ずしも平坦でなくてもよい。

【0086】

なお、半導体パッケージ４１０において半導体パッケージ４１０に関する情報（文字画像Ａ１～Ａ４及び／又はコードＢ）は、レーザーではなく、インクや、シール、刻印で記載されてもよい。この場合、表面処理層４１９の厚さはインクやシールのある領域で薄くなり、その他の領域では相対的に厚くなってよい。こうすることで、表面処理層４１９は平坦な上面を有し得る。

【0087】

なお、表面処理層４１９は熱伝導材料３１よりも薄いのが好ましい。こうすることで、表面処理層４１９の熱抵抗を低減できる。表面処理層４１９の厚さは熱伝導材料３１の厚さの半分より小さくてもよい。

【0088】

半導体パッケージ４１０において半導体パッケージ４１０に関する情報を示す文字画像Ａ１～Ａ４及び／又はコードＢが形成される領域は、図８を参照しながら説明した低温領域１１Ｂ・１１Ｃであってもよい。こうすることで、半導体チップ１１について高い冷却性能を、より効果的に維持できる。

【0089】

図９に示す半導体パッケージ４１０は図２や、図５、図６で示した構造に適用されてよい。すなわち、半導体パッケージ４１０には絶縁部１５（図２及び図５参照）が形成されたり、シート２１５・２２５が取り付けられてよい。また、半導体パッケージ４１０と放熱器５０との間にシール部材３３が配置されてよい。

【0090】

半導体パッケージ４１０を有する電子機器の製造方法の一例について説明する。

【0091】

半導体チップ１１と、半導体チップ１１が実装されるパッケージ基材１７とを有する半導体パッケージ４１０を準備する。上述したように、パッケージ基材１７にはキャパシタ１６等の部品が実装されてよい。また、パッケージ基材１７にはスティフナー１４を取り付けたり、上述した絶縁部１５を形成する。絶縁部１５に代えてシート２１５・２２５（図６）が取り付けられてもよい。また、半導体パッケージ４１０においては、パッケージ基材１７にスティフナー１４は取り付けられていなくてもよい。次に、半導体パッケージ４１０に関する情報（例えば、上述した固有情報）を、半導体チップ１１の上面１１ａに記載する。例えば、半導体チップ１１の上面１１ａに、半導体パッケージ４１０に関する情報をレーザーや、インク、シールで記載する。

【0092】

ＢＧＡ１９を利用して半導体パッケージ４１０をメイン基板２（図２参照）に実装する。また、半導体チップ１１の上面１１ａに、グリスを塗布し或いはコーティング剤を形成し、表面処理層４１９を形成する。このとき、半導体パッケージ４１０に関する情報が記載された領域を、表面処理層４１９で覆う。次に、表面処理層４１９上に熱伝導材料３１を配置する。このとき、熱伝導材料３１を半導体チップ１１の上面１１ａの全体に広げるのが望ましい。また、半導体チップ１１を取り囲むシール部材３３を半導体パッケージ４１０又は放熱器５０に取り付ける。最後に、半導体チップ１１の上面１１ａ上に放熱器５０を配置し、それらを熱的に接続する。なお、半導体チップ１１の上面１１ａ上に放熱器５０を配置する前に、放熱器５０の下面５０ｃにも熱伝導材料３１を塗布してもよい。以上が、半導体パッケージ４１０を有する電子機器の製造方法の一例である。

【0093】

［まとめ］
図１、図３、図４及び図７で示した半導体パッケージ１０を有する電子機器では、半導体パッケージ１０に関する情報が、半導体チップ１１の表面（上面１１ａ）ではなく、半導体チップ１１の外縁１１ｄよりも外側に位置し且つパッケージ基材１７の外縁１７ｄの内側に位置している部分（スティフナー１４や、パッケージ基材１７の表面（具体的には、上面１７ａ）、他の電子部品１２）に記載されている。そして、半導体チップ１１の上面１１ａと放熱器５０との間に、流動性を有する熱伝導材料３１が配置されている。これによれば、半導体チップ１１の上面１１ａの平坦度が維持され、半導体チップ１１の上面１１ａに流動性を有する熱伝導材料が均一に広がるので、半導体チップ１１について高い冷却性能が得られる。

【0094】

図８で示す半導体パッケージ３１０を有する電子機器では、半導体チップ１１は、その表面に、高温領域１１Ａと、半導体チップ１１の動作時に高温領域１１Ａよりも温度の低い低温領域１１Ｂ・１１Ｃとを有している。半導体パッケージ３１０に関する情報は、半導体チップ１１の高温領域１１Ａではなく低温領域１１Ｂ・１１Ｃに記載されている。半導体チップ１１の上面１１ａと放熱器５０との間に、流動性を有する熱伝導材料３１が配置されている。低温領域１１Ｂ・１１Ｃでは高温領域１１Ａに比して発熱量が少ないため、それらの領域１１Ｂ・１１Ｃにおいける熱伝導材料３１の量が少なくなったとしても、半導体チップ１１について高い冷却性能を維持できる。

【0095】

図９で示す半導体パッケージ４１０を有する電子機器では、半導体チップ１１の上面１１ａは、半導体パッケージ４１０に関する情報が記載された領域を有している。半導体チップ１１の上面１１ａには、この情報が記載された領域を覆う表面処理層４１９が形成され、表面処理層４１９と放熱器５０との間に、流動性を有する熱伝導材料３１が配置されている。これによると、表面処理層４１９によって平坦な表面が形成されるので、表面処理層４１９と放熱器５０との間に、熱伝導材料３１を均一に配置できる。

【0096】

［変形例］
本開示で提案する電子機器、半導体パッケージ、製造方法は、これまで説明した例に限られず、種々の変更がなされてよい。

【0097】

本開示で提案する構造は、例えば、積層された複数の半導体チップ（シリコンダイ）を有する半導体パッケージに適用されてもよい。この場合でも、以下の（１）乃至（３）の構造が採用されてよい。
（１）最上部にある半導体チップの上面ではなく、半導体チップの上面の外縁の外側の部分（部品）に、この半導体チップに関する情報が記載されてよい。
（２）最上部に位置する半導体チップの上面において高温領域と低温領域とを特定し、低温領域に半導体チップに関する情報が記載されてよい。
（３）最上部に位置する半導体チップの上面に、半導体チップに関する情報が記載された領域が確保されてよい。そして、この領域を表面処理層で覆い、表面処理層の上側に流動性を有する熱伝導材料を配置してもよい。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】