特許 7504610 熱処理装置および熱処理システム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-14

(45)【発行日】2024-06-24

(54)【発明の名称】熱処理装置および熱処理システム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20240617BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 E

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2020020874

(22)【出願日】2020-02-10

(65)【公開番号】P2021128958

(43)【公開日】2021-09-02

【審査請求日】2022-12-19

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100108523

【弁理士】

【氏名又は名称】中川 雅博

(74)【代理人】

【識別番号】100098305

【弁理士】

【氏名又は名称】福島 祥人

(74)【代理人】

【識別番号】100125704

【弁理士】

【氏名又は名称】坂根 剛

(74)【代理人】

【識別番号】100187931

【弁理士】

【氏名又は名称】澤村 英幸

(72)【発明者】

【氏名】福本 靖博

(72)【発明者】

【氏名】稲垣 幸彦

(72)【発明者】

【氏名】寳壁 俊之

(72)【発明者】

【氏名】小畑 勇太郎

【審査官】河合 俊英

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－０３４２３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－１８６９３４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０５６５６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－２６７３１２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－０１６２１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０５７６７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００１－１０２３７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０８－３１３８５５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０４－０５６１４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０２６８３０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を加熱する加熱面を有する第１の加熱部と、
前記加熱面が露出するように前記第１の加熱部を収容する基台部と、
排気口を有し、前記加熱面の上方に処理空間を形成するように構成された蓋部と、
前記蓋部を加熱する第２の加熱部と、
前記蓋部と前記加熱面との間に前記処理空間が形成される第１の位置と前記処理空間が開放される第２の位置との間で前記蓋部を上下方向に移動させる駆動部とを備え、
前記蓋部は、前記処理空間の外周部を取り囲むように連続的または断続的に形成された外気導入口を有し、
前記蓋部の前記外気導入口および前記排気口は、前記蓋部が前記第１の位置にある場合に前記外気導入口から前記蓋部の下面に沿って前記排気口に向けて気体の流れが形成されるように構成され、
前記蓋部は、
前記処理空間の上部を覆うカバー部と、
前記処理空間の外周部を取り囲む周壁部とを含み、
前記排気口は前記カバー部に形成され、
前記外気導入口は前記周壁部に形成され、
前記周壁部は、
前記カバー部の外周部から下方に向かって形成された外壁部と、
前記外壁部の内側に設けられた内壁部と、
前記外壁部と前記内壁部とを連結する連結部材とを含み、
前記外気導入口は、前記外壁部の内周面と前記内壁部の外周面との間に形成された、熱処理装置。

【請求項2】

前記周壁部は、前記内壁部の下部に設けられ、前記処理空間の外周部を取り囲むように形成された当接部をさらに含み、
前記蓋部は、前記第１の位置にある場合に、前記当接部の下端面と前記基台部の上面との間に隙間が形成されないように構成された、請求項１記載の熱処理装置。

【請求項3】

前記第２の加熱部は、前記カバー部に設けられた、請求項１または２記載の熱処理装置。

【請求項4】

基板を加熱する加熱面を有する第１の加熱部と、
前記加熱面が露出するように前記第１の加熱部を収容する基台部と、
排気口を有し、前記加熱面の上方に処理空間を形成するように構成された蓋部と、
前記蓋部を加熱する第２の加熱部と、
前記蓋部と前記加熱面との間に前記処理空間が形成される第１の位置と前記処理空間が開放される第２の位置との間で前記蓋部を上下方向に移動させる駆動部と、
前記第２の位置において前記駆動部と前記蓋部とを接続し、前記第１の位置において前記駆動部と前記蓋部との接続が切り離されるように設けられた接続部とを備え、
前記蓋部は、前記処理空間の外周部を取り囲むように連続的または断続的に形成された外気導入口を有し、
前記蓋部の前記外気導入口および前記排気口は、前記蓋部が前記第１の位置にある場合に前記外気導入口から前記蓋部の下面に沿って前記排気口に向けて気体の流れが形成されるように構成された、熱処理装置。

【請求項5】

前記接続部は、前記駆動部により上下方向に移動する係合部と、
前記蓋部に設けられ、前記係合部が係合可能な被係合部とを含み、
前記第１の位置で前記被係合部への前記係合部の係合が外れ、前記第２の位置で重力により前記係合部が前記被係合部に係合する、請求項４記載の熱処理装置。

【請求項6】

前記第１の加熱部の前記加熱面には、基板の周縁部に重なる円環状の溝部が形成された、請求項１～５のいずれか一項に記載の熱処理装置。

【請求項7】

前記第１の加熱部の前記加熱面には、基板の周縁部が前記溝部に重なるように基板を導くガイド部材が形成された、請求項６記載の熱処理装置。

【請求項8】

前記ガイド部材は、前記溝部の外周部と部分的に重なるように配置された、請求項７記載の熱処理装置。

【請求項9】

基板を加熱する加熱面を有する第１の加熱部と、
前記加熱面が露出するように前記第１の加熱部を収容する基台部と、
排気口を有し、前記加熱面の上方に処理空間を形成するように構成された蓋部と、
前記蓋部を加熱する第２の加熱部と、
前記蓋部と前記加熱面との間に前記処理空間が形成される第１の位置と前記処理空間が開放される第２の位置との間で前記蓋部を上下方向に移動させる駆動部とを備え、
前記蓋部は、前記処理空間の外周部を取り囲むように連続的または断続的に形成された外気導入口を有し、
前記蓋部の前記外気導入口および前記排気口は、前記蓋部が前記第１の位置にある場合に前記外気導入口から前記蓋部の下面に沿って前記排気口に向けて気体の流れが形成されるように構成され、
前記第１の加熱部の前記加熱面には、基板の周縁部に重なる円環状の溝部と、基板の周縁部が前記溝部に重なるように基板を導くガイド部材とが形成され、
前記ガイド部材は、
円柱形状を有する土台部と、
前記土台部の上部に設けられ、下方から上方に向かって直径が漸次減少する錐体部とを含む、熱処理装置。

【請求項10】

請求項１～９のいずれか一項に記載の熱処理装置と、
前記熱処理装置の前記排気口から気体が導かれる排気管と、
前記排気管を通過した気体を気体成分と液体成分とに分離する気液分離部とを備える、熱処理システム。

【請求項11】

前記排気管内に設けられ、冷却媒体を循環させるための冷却配管をさらに備える、請求項１０記載の熱処理システム。

【請求項12】

前記冷却配管は、螺旋形状を有する、請求項１１記載の熱処理システム。

【請求項13】

前記気液分離部における気体成分の流れを規制する整流板をさらに備える、請求項１０～１２のいずれか一項に記載の熱処理システム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板を熱処理する熱処理装置および熱処理システムに関する。

【背景技術】

【0002】

塗布膜が形成された基板を熱処理するために熱処理装置が用いられる。例えば、特許文献１には、第１および第２のベークグループを備えた基板処理装置が記載されている。第１および第２のベークグループの各々は、５個のベークユニットにより構成される。各ベークユニットは、ホットプレート、蓋部材および排気支管を含む。

【0003】

ホットプレートには、処理対象の基板が載置される。ホットプレートは、載置された基板を所定の処理温度に加熱する。蓋部材は、ホットプレートを覆うように配置され、熱処理雰囲気の気体を基板の塗布膜から生じた昇華物とともに収集する。排気支管は、蓋部材に接続され、蓋部材により収集された排気ガスを排出する。

【0004】

第１のベークグループの各ベークユニットから排出された排気ガスは、複数の排気支管が接続された排気管を通して下流に流れ、第２のベークグループの各ベークユニットから排出された排気ガスと合流する。この場合、第１のベークグループの各ベークユニットから排出された排気ガスの温度が低下することが抑制される。これにより、排気管への昇華物の析出が抑制される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１９－１６９６２５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

近年、ポリイミド膜等の比較的高い粘度を有する塗布膜が基板に形成されることがある。しかしながら、塗布膜の粘度が高い場合、特許文献１のベークユニットにおいては、基板の熱処理により塗布膜から発生する昇華物がベークユニットから十分に排出されないことがある。この場合、ベークユニットに滞留する昇華物が基板に付着することにより、基板に欠陥が発生する。

【0007】

本発明の目的は、塗布膜の粘度が高い場合でも昇華物を排出することが可能な熱処理装置および熱処理システムを提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

（１）第１の発明に係る熱処理装置は、基板を加熱する加熱面を有する第１の加熱部と、加熱面が露出するように第１の加熱部を収容する基台部と、排気口を有し、加熱面の上方に処理空間を形成するように構成された蓋部と、蓋部を加熱する第２の加熱部と、蓋部と加熱面との間に処理空間が形成される第１の位置と処理空間が開放される第２の位置との間で蓋部を上下方向に移動させる駆動部とを備え、蓋部は、処理空間の外周部を取り囲むように連続的または断続的に形成された外気導入口を有し、蓋部の外気導入口および排気口は、蓋部が第１の位置にある場合に外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向けて気体の流れが形成されるように構成される。

【0009】

この熱処理装置においては、加熱面が露出するように基台部により第１の加熱部が収容される。蓋部が、駆動部により第１の位置と第２の位置との間で上下方向に移動される。第１の位置においては、蓋部と加熱面との間に処理空間が形成される。第２の位置においては、処理空間が開放される。処理空間において、第１の加熱部により基板が加熱されることにより、基板に形成された塗布膜から昇華物が発生する。このような場合でも、蓋部が第２の加熱部により加熱されることにより、発生した昇華物が結露となることが防止される。

【0010】

また、蓋部には処理空間の外周部を取り囲むように連続的または断続的に外気導入口が形成され、蓋部が第１の位置にある場合に、外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向けて気体の流れが形成される。そのため、発生した昇華物が処理空間内に滞留することなく、導入された外気により排気口から押し出される。これにより、塗布膜の粘度が高い場合でも昇華物を排出することができる。

【0011】

また、蓋部は、処理空間の上部を覆うカバー部と、処理空間の外周部を取り囲む周壁部とを含み、排気口はカバー部に形成され、外気導入口は周壁部に形成される。この場合、外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向かう気体の流れを容易に形成することができる。

【0012】

また、周壁部は、カバー部の外周部から下方に向かって形成された外壁部と、外壁部の内側に設けられた内壁部と、外壁部と内壁部とを連結する連結部材とを含み、外気導入口は、外壁部の内周面と内壁部の外周面との間に形成される。この場合、外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向かう気体の流れをより容易に形成することができる。

【0013】

（２）周壁部は、内壁部の下部に設けられ、処理空間の外周部を取り囲むように形成された当接部をさらに含み、蓋部は、第１の位置にある場合に、当接部の下端面と基台部の上面との間に隙間が形成されないように構成されてもよい。この場合、当接部の下端面と基台部の上面との間から外気が導入されないので、外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向かう大容量の気体の流れが形成される。これにより、昇華物をより効率よく排出することができる。

【0014】

（３）第２の加熱部は、カバー部に設けられてもよい。この場合、カバー部が加熱されるので、カバー部に昇華物が付着した場合でも、昇華物が凝縮して結露が発生することがより容易に防止される。

【0015】

（４）第２の発明に係る熱処理装置は、基板を加熱する加熱面を有する第１の加熱部と、加熱面が露出するように第１の加熱部を収容する基台部と、排気口を有し、加熱面の上方に処理空間を形成するように構成された蓋部と、蓋部を加熱する第２の加熱部と、蓋部と加熱面との間に処理空間が形成される第１の位置と処理空間が開放される第２の位置との間で蓋部を上下方向に移動させる駆動部と、第２の位置において駆動部と蓋部とを接続し、第１の位置において駆動部と蓋部との接続が切り離されるように設けられた接続部とを備え、蓋部は、処理空間の外周部を取り囲むように連続的または断続的に形成された外気導入口を有し、蓋部の外気導入口および排気口は、蓋部が第１の位置にある場合に外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向けて気体の流れが形成されるように構成される。この構成によれば、蓋部のあおり角度の調整機構を設けない場合でも、蓋部が自重により基台部上に水平に載置される。そのため、蓋部と基台部との間に隙間が形成されない。これにより、蓋部と基台部との密閉度を容易に向上させることができる。その結果、外気導入口から導入される気体により昇華物をより効率よく排出することができる。

【0016】

（５）接続部は、駆動部により上下方向に移動する係合部と、蓋部に設けられ、係合部が係合可能な被係合部とを含み、第１の位置で被係合部への係合部の係合が外れ、第２の位置で重力により係合部が被係合部に係合してもよい。この場合、簡単な構成で、第２の位置において駆動部と蓋部とを接続し、第１の位置において駆動部と蓋部との接続を切り離すことができる。

【0017】

（６）第１の加熱部の加熱面には、基板の周縁部に重なる円環状の溝部が形成されてもよい。この構成によれば、熱処理により基板の表面の周縁部の塗布膜が裏面に回り込んだ場合でも、回り込んだ塗布膜が加熱面に付着することが防止される。

【0018】

（７）第１の加熱部の加熱面には、基板の周縁部が溝部に重なるように基板を導くガイド部材が形成されてもよい。この場合、基板の周縁部が溝部に重なるように加熱部上に基板を搬入することができる。

【0019】

（８）ガイド部材は、溝部の外周部と部分的に重なるように配置されてもよい。この場合、基板の周縁部がより確実に溝部に重なるように加熱部上に基板を搬入することができる。

【0020】

（９）第３の発明に係る熱処理装置は、基板を加熱する加熱面を有する第１の加熱部と、加熱面が露出するように第１の加熱部を収容する基台部と、排気口を有し、加熱面の上方に処理空間を形成するように構成された蓋部と、蓋部を加熱する第２の加熱部と、蓋部と加熱面との間に処理空間が形成される第１の位置と処理空間が開放される第２の位置との間で蓋部を上下方向に移動させる駆動部とを備え、蓋部は、処理空間の外周部を取り囲むように連続的または断続的に形成された外気導入口を有し、蓋部の外気導入口および排気口は、蓋部が第１の位置にある場合に外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向けて気体の流れが形成されるように構成され、第１の加熱部の加熱面には、基板の周縁部に重なる円環状の溝部と、基板の周縁部が溝部に重なるように基板を導くガイド部材とが形成され、ガイド部材は、円柱形状を有する土台部と、土台部の上部に設けられ、下方から上方に向かって直径が漸次減少する錐体部とを含む。この場合、基板の周縁部がガイド部材に乗り上げたまま加熱部上に基板が搬入されることが防止される。

【0021】

（１０）第４の発明に係る熱処理システムは、第１～第４のいずれかの発明に係る熱処理装置と、熱処理装置の排気口から気体が導かれる排気管と、排気管を通過した気体を気体成分と液体成分とに分離する気液分離部とを備える。

【0022】

この熱処理システムにおいては、上記の熱処理装置により、塗布膜の粘度が高い場合でも昇華物を排出することができる。また、熱処理装置の排気口から排気管に気体が導かれ、排気管を通過した気体が気液分離部により気体成分と液体成分とに分離される。この場合、気体成分と液体成分とを別個に回収することができる。また、液体成分が排気設備に導かれることが防止される。これにより、排気設備の保守の頻度を少なくするとともに、保守の周期を長くすることができる。

【0023】

（１１）熱処理システムは、排気管内に設けられ、冷却媒体を循環させるための冷却配管をさらに備えてもよい。この場合、熱処理装置から排出された気体に含まれる昇華物が排気管内で冷却されることにより液化される。これにより、排気管を通過した気体を効率よく気体成分と液体成分とに分離することができる。

【0024】

（１２）冷却配管は、螺旋形状を有してもよい。この場合、熱処理装置から排出された気体に含まれる昇華物が排気管内で十分に冷却されることにより、より効率よく液化することができる。

【0025】

（１３）熱処理システムは、気液分離部における気体成分の流れを規制する整流板をさらに備えてもよい。この場合、気液分離部内を流れる気体成分の流速のばらつきが緩和される。そのため、気体成分が気液分離部内に滞留することが防止される。これにより、大容量の排気を行う場合でも、排気効率を向上させることができる。

【発明の効果】

【0026】

本発明によれば、塗布膜の粘度が高い場合でも昇華物を排出することができる。

【図面の簡単な説明】

【0027】

【図1】本発明の一実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す断面図である。

【図2】本発明の一実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す断面図である。

【図3】ガイド部材の拡大断面図である。

【図4】図１の熱処理装置を含む熱処理システムの構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0028】

（１）熱処理装置の構成
以下、本発明の実施の形態に係る熱処理装置および熱処理システムについて図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置もしくは有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等のＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板または太陽電池用基板等をいう。

【0029】

図１および図２は、本発明の一実施の形態に係る熱処理装置の構成を示す断面図である。図１および図２に示すように、熱処理装置１００は、基台部１０、加熱部２０、蓋部３０、加熱部４０、排気支管５０および昇降装置６０を含む。基台部１０は、底面部１１および周壁部１２を含む。底面部１１は、例えば円板形状を有する。底面部１１には、上下方向に貫通する複数（本例では３個）の貫通孔１３が形成される。周壁部１２は、例えば円筒形状を有し、底面部１１の外周部から上方に突出する。

【0030】

加熱部２０は、例えば円板形状を有するホットプレートを含み、加熱面２１である上面が露出するように基台部１０の底面部１１および周壁部１２により取り囲まれた空間内に収容される。加熱部２０には、上下方向に貫通する複数の貫通孔２２が形成される。複数の貫通孔２２は、基台部１０の複数の貫通孔１３にそれぞれ対応する。

【0031】

加熱面２１には、処理対象の基板Ｗを支持可能に構成された複数（本例では３個）の支持部材２３が設けられる。図１および図２では、２個の支持部材２３が現れている。各支持部材２３は、例えばセラミックにより形成された半球状のプロキシミティボールであり、例えば１００μｍの高さを有する。

【0032】

加熱面２１には、複数（本例では６個）のガイド部材２４が加熱部２０の外周に沿って略等間隔で設けられる。図１および図２では、４個のガイド部材２４が現れている。また、加熱面２１には、複数の支持部材２３の上端部に支持された基板Ｗの周縁部に重なるように、円環形状を有する溝部２５が形成される。溝部２５の幅は例えば５ｍｍであり、溝部２５の深さは例えば１ｍｍである。複数のガイド部材２４および溝部２５の詳細については後述する。

【0033】

蓋部３０は、外気導入口３１および排気口３２を含み、加熱部２０の加熱面２１の上方に処理空間Ｖを形成する。外気導入口３１は、処理空間Ｖの外周部を取り囲むように連続的または断続的に形成される。蓋部３０は、処理空間Ｖが閉塞される閉塞位置と、処理空間Ｖが開放される開放位置との間で上下方向に移動可能に構成される。外気導入口３１および排気口３２は、蓋部３０が閉塞位置にある場合に外気導入口３１から蓋部３０の下面に沿って排気口３２に向けて気体の流れが形成されるように構成される。蓋部３０の詳細については後述する。

【0034】

加熱部４０は、シリコンラバーヒータ等の加熱素子を含み、蓋部３０を例えば約１００℃に加熱する。排気支管５０は、蓋部３０の排気口３２に接続され、処理空間Ｖ内の雰囲気を図示しない排気設備に排出する。

【0035】

昇降装置６０は、複数の昇降ピン６１および駆動部６２を含む。複数の昇降ピン６１は、基台部１０の複数の貫通孔１３にそれぞれ対応するとともに、加熱部２０の複数の貫通孔２２にそれぞれ対応する。各昇降ピン６１は、基台部１０の下方から対応する貫通孔１３，２２に挿通され、上昇位置と下降位置との間で上下方向に移動可能に構成される。上昇位置は、各昇降ピン６１の上端部が加熱部２０の加熱面２１よりも上方にある位置である。下降位置は、各昇降ピン６１の上端部が加熱部２０の加熱面２１よりも下方にある位置である。

【0036】

駆動部６２は、例えばエアシリンダを含み、複数の昇降ピン６１を上昇位置と下降位置との間で上下方向に移動させる。また、駆動部６２は、蓋部３０を閉塞位置と開放位置との間で上下方向に移動させる。図１の例では、複数の昇降ピン６１は上昇位置にあり、蓋部３０は開放位置にある。図２の例では、複数の昇降ピン６１は下降位置にあり、蓋部３０は閉塞位置にある。本例では、開放位置においては駆動部６２と蓋部３０とが接続され、閉塞位置においては駆動部６２と蓋部３０との接続が切り離される。昇降装置６０の詳細については後述する。

【0037】

（２）蓋部および昇降装置の構成
図１および図２に示すように、蓋部３０は、内蓋部７０および外蓋部８０を含む。内蓋部７０は、カバー部７１および周壁部７２を含む。カバー部７１は、処理空間Ｖの上部を覆うように配置される。本例では、カバー部７１は、傘状を有し、中央の頂点部から外周部に向かって下方に傾斜する。排気口３２は、カバー部７１の頂点に設けられる。加熱部４０は、排気口３２を取り囲むようにカバー部７１の上面に取り付けられる。カバー部７１の下面は、例えばポリテトラフルオロエチレン等の樹脂により被覆される。

【0038】

周壁部７２は、処理空間Ｖの外周部を取り囲むように設けられ、外壁部７２ａ、内壁部７２ｂおよび当接部７２ｃを含む。外壁部７２ａは、例えば円筒形状を有し、カバー部７１の外周部から下方に突出する。内壁部７２ｂは、例えば略円筒形状を有する整流部材であり、外壁部７２ａの内側に配置される。外壁部７２ａの内周面と内壁部７２ｂの外周面との間に、全周にわたって外気が導入可能な外気導入口３１が形成される。

【0039】

当接部７２ｃは、例えば円環形状を有し、ポリテトラフルオロエチレン等の樹脂により形成される。当接部７２ｃは、内壁部７２ｂの下部に接合されるとともに、等角度間隔に設けられた複数の連結部材７３により外壁部７２ａに固定される。蓋部３０が閉塞位置にあるときには、当接部７２ｃの下端面は基台部１０の上面と当接する。一方、蓋部３０が開放位置にあるときには、当接部７２ｃの下端面は基台部１０の上面と離間する。

【0040】

外蓋部８０は、カバー部８１および周壁部８２を含み、図示しない締結部材により内蓋部７０に締結される。カバー部８１は、内蓋部７０のカバー部７１の上方を覆うように配置される。本例では、カバー部８１は、傘状を有し、中央の頂点部から外周部に向かって下方に傾斜する。周壁部８２は、例えば円筒形状を有し、内蓋部７０の外壁部７２ａを取り囲むようにカバー部８１の外周部から下方に突出する。カバー部８１の頂点部には、例えば円形状の開口部８３が形成される。排気支管５０は、外蓋部８０の開口部８３を通して、上方から内蓋部７０の排気口３２に接続される。

【0041】

昇降装置６０は、複数の昇降ピン６１および駆動部６２に加えて、アーム部６３、一対のアーム部６４および複数（本例では４個）のボルト部材６５をさらに含む。図１および図２では、２個のボルト部材６５が現れている。アーム部６３は水平に延びる。アーム部６３の両端部は下方に屈曲し、外蓋部８０のカバー部８１に取り付けられる。本例では、アーム部６３は、昇降装置６０の駆動部６２に係合される被係合部として用いられる。

【0042】

一対のアーム部６４および複数のボルト部材６５は、アーム部６３に係合する係合部として用いられる。上記の係合部と被係合部とにより、駆動部６２と蓋部３０とを接続するための接続部が構成される。

【0043】

具体的には、紙面の前後方向に並ぶように配置された２個のボルト部材６５が、下方からアーム部６３の水平部分の一端部を貫通した状態で、一方のアーム部６４の下部に螺合される。同様に、紙面の前後方向に並ぶように配置された他の２個のボルト部材６５が、下方からアーム部６３の水平部分の他端部を貫通した状態で、他方のアーム部６４の下部に螺合される。

【0044】

上記の接続によれば、開放位置においては、アーム部６３の水平部分の下面が複数のボルト部材６５の頭部に接触する。したがって、アーム部６３が重力により複数のボルト部材６５に係合される。一方、閉塞位置においては、アーム部６３の水平部分の下面が複数のボルト部材６５の頭部から離間することにより、アーム部６３への複数のボルト部材６５の係合が外れる。なお、本例では、複数の昇降ピン６１および一対のアーム部６４は共通の駆動部６２により移動されるが、別個の駆動部により移動されてもよい。

【0045】

（３）熱処理装置の動作
以下、図１および図２を用いて熱処理装置１００の動作を説明する。熱処理装置１００への基板Ｗの搬入時には、図１に示すように、複数の昇降ピン６１が上昇位置に移動されるとともに、蓋部３０が開放位置に移動される。これにより、処理空間Ｖが開放される。この状態で、図示しない基板搬送装置から複数の昇降ピン６１の上端部に基板Ｗが渡される。本例では、基板Ｗには、ポリイミド膜等の比較的高い粘度を有する塗布膜が形成されている。

【0046】

次に、図２に示すように、複数の昇降ピン６１が下降位置に移動されるとともに、蓋部３０が閉塞位置に移動される。この場合、蓋部３０の当接部７２ｃの下端面が基台部１０の上面に当接することにより、処理空間Ｖが閉塞される。また、複数の昇降ピン６１の上端部から複数の支持部材２３の上端部に基板Ｗが渡される。

【0047】

本例では、蓋部３０が下降することにより閉塞位置に移動した後、一対のアーム部６４が１ｍｍ程度さらに下降する。そのため、上記のように、アーム部６３への複数のボルト部材６５の係合が外れる。したがって、蓋部３０のあおり角度の調整機構を設けない場合でも、蓋部３０が自重により基台部１０上に水平に載置される。これにより、当接部７２ｃの下端面と基台部１０の上面との間に隙間が形成されないように、蓋部３０と基台部１０との密閉度を容易に向上させることができる。

【0048】

図３は、ガイド部材２４の拡大断面図である。図３には、１つのガイド部材２４が示されるが、他のガイド部材２４も図３のガイド部材２４と同様の構成を有する。図３に示すように、各ガイド部材２４は、土台部２４ａおよび錐体部２４ｂを含む。図３では、土台部２４ａと錐体部２４ｂとの境界が点線で示される。土台部２４ａは、円柱形状を有する。錐体部２４ｂは、土台部２４ａの上部に設けられ、下方から上方に向かって直径が漸次減少する円錐台形状を有する。この場合、錐体部２４ｂの側面は傾斜する。

【0049】

熱処理装置１００への基板Ｗの搬入時に、加熱部２０の加熱面２１の中心と基板Ｗの中心とが比較的大きくずれていることがある。このような場合、搬入された基板Ｗは、いずれかのガイド部材２４の錐体部２４ｂの傾斜した側面に接触することにより、当該錐体部２４ｂの側面に沿って下方に導かれる。これにより、加熱面２１の中心と基板Ｗの中心とが近づいた状態で基板Ｗが複数の支持部材２３の上端部に支持される。

【0050】

本例では、各ガイド部材２４は、溝部２５の外周部と部分的に重なるように配置される。そのため、基板Ｗの周縁部が溝部２５と確実に重なるように各ガイド部材２４により基板Ｗを導くことができる。また、各ガイド部材２４の土台部２４ａは円柱形状を有する。したがって、基板Ｗの周縁部がいずれかのガイド部材２４に乗り上げたまま複数の支持部材２３の上端部に支持されることが防止される。

【0051】

続いて、加熱部２０により基板Ｗの塗布膜に熱処理が行われる。塗布膜の粘度が高い場合には、熱処理により基板Ｗの表面の周縁部の塗布膜が裏面に回り込むことがある。この場合でも、本例では、上記のように、複数の支持部材２３の上端部に支持された基板Ｗの周縁部は、加熱部２０の加熱面２１に形成された溝部２５に重なる。そのため、基板Ｗの裏面に回り込んだ塗布膜が加熱面２１に付着することが防止される。

【0052】

熱処理においては、図２に太い一点鎖線の矢印で示すように、基板Ｗの塗布膜から昇華物が発生し、上昇する。ここで、上昇した昇華物が内蓋部７０のカバー部７１の下面に付着して冷却されると、結露が発生することがある。発生した結露が基板Ｗ上に落下すると、基板Ｗに欠陥が発生する。また、結露が基板Ｗの周辺に落下すると、熱処理装置１００内が汚染する。

【0053】

そこで、内蓋部７０が加熱部４０により加熱される。これにより、塗布膜から発生した昇華物が凝縮して結露が発生することが防止される。また、処理空間Ｖ内の雰囲気が排気口３２を通して排気支管５０により排出される。本例では、内蓋部７０の外壁部７２ａの内周面と内壁部７２ｂの外周面との間の外気導入口３１を通して熱処理装置１００の外部から処理空間Ｖ内に外気が導入される。この場合、図２に太い二点鎖線の矢印で示すように、内蓋部７０のカバー部７１の下面に沿って外気が導かれる。

【0054】

上記の構成によれば、塗布膜の粘度が高い場合でも、図２に太い点線の矢印で示すように、塗布膜から発生した昇華物が処理空間Ｖ内の雰囲気とともに排気支管５０を通して排出される。特に、本例では、基台部１０と蓋部３０との間が密閉されるので、基台部１０と蓋部３０との間から外気を導入させることなく、外気導入口３１を通して大量の外気を処理空間Ｖ内に導入させることが可能になる。これにより、塗布膜から発生した昇華物を処理空間Ｖ内の雰囲気とともに排気支管５０を通して効率よく排出することができる。

【0055】

熱処理の終了後、図１に示すように、複数の昇降ピン６１が上昇位置に移動されるとともに、蓋部３０が開放位置に移動される。本例では、蓋部３０が閉塞位置にある状態で一対のアーム部６４が１ｍｍ程度上昇することにより、アーム部６３が複数のボルト部材６５に係合される。この状態で、一対のアーム部６４がさらに上昇することにより、蓋部３０が開放位置に移動され、処理空間Ｖが開放される。その後、複数の昇降ピン６１の上端部から図示しない基板搬送装置に基板Ｗが渡されることにより、熱処理装置１００から基板Ｗが搬出される。

【0056】

（４）熱処理システム
図４は、図１の熱処理装置１００を含む熱処理システムの構成を示す図である。図４に示すように、熱処理システム２００は、複数（本例では３個）の熱処理装置１００、制御部１１０、排気管１２０、冷却配管１３０および気液分離部１４０を備える。複数の熱処理装置１００は、上下方向に積層するように配置される。制御部１１０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含み、各熱処理装置１００の動作を制御する。

【0057】

排気管１２０は、上下方向に延びるように設けられる。排気管１２０には、複数の熱処理装置１００の排気支管５０が接続される。冷却配管１３０は、螺旋状にかつ上下方向に延びるように排気管１２０内に設けられる。冷却配管１３０の一端部および他端部は、排気管１２０から引き出され、チラー等の図示しない冷却媒体供給部に接続される。図４に白抜きの矢印で示すように、冷却配管１３０内には純水等の冷却媒体が循環される。

【0058】

気液分離部１４０は、内部空間Ｖ０を有し、当該内部空間Ｖ０において気体と液体とを分離可能に排気管１２０の下部に接続される。気液分離部１４０には、内部空間Ｖ０の下部を除いて内部空間Ｖ０を分離するように上下方向に延びる整流板１４１が設けられる。これにより、内部空間Ｖ０は、整流板１４１の一方の面に接する上流空間Ｖ１と、整流板１４１の他方の面に接する下流空間Ｖ２とに分離される。上流空間と下流空間Ｖ２とは、下部において互いに連通する。

【0059】

気液分離部１４０には、下流空間Ｖ２につながる排気管１４２が設けられる。排気管１４２は、図示しない排気設備に接続される。また、気液分離部１４０には、下流空間Ｖ２につながりかつ排気管１４２の下方に位置する排液管１４３が設けられる。排液管１４３は、図示しない排液設備に接続される。

【0060】

以下、熱処理システム２００の動作について説明する。各熱処理装置１００において基板Ｗの塗布膜から発生した昇華物を含む気体は、図４に太い実線の矢印で示すように、排気支管５０から排出され、排気管１２０に導入される。排気管１２０に導入された気体は、冷却配管１３０を流れる冷却媒体により冷却される。この場合、気体の一部は、凝縮することにより液体成分（結露）となる。液体成分は、主として基板Ｗの塗布膜の原料（本例ではポリイミド）を含む。

【0061】

排気管１２０内における気体成分および液体成分は、図４に太い点線の矢印で示すように、排気管１２０を上方から下方に流れ、気液分離部１４０に導かれる。気液分離部１４０に導かれた気体成分は、図４に太い一点鎖線の矢印で示すように、整流板１４１により整流されつつ上流空間Ｖ１を下方に流れた後、下流空間Ｖ２を上方に流れ、排気管１４２を通して排気設備に回収される。一方、気液分離部１４０に導かれた液体成分は、内部空間Ｖ０の下部に貯留された後、図４に太い二点鎖線の矢印で示すように、排液管１４３を通して排液設備に回収される。

【0062】

上記の構成によれば、各熱処理装置１００から排出される気体を気液分離部１４０により気体成分と液体成分とに分離して別個に回収することができる。内部空間Ｖ０においては、整流板１４１により気体成分の流速のばらつきが緩和される。そのため、気体成分が内部空間Ｖ０に滞留することが防止される。これにより、大容量の排気を行う場合でも、排気効率を向上させることができる。

【0063】

また、内部空間Ｖ０においては、整流板１４１により気体成分の流れが規制されるので、気体成分の流速が低下する。この場合、内部空間Ｖ０の下部に貯留された液体成分が巻き上げられることおよび飛散することが防止される。したがって、液体成分が排気管１４２を通って排気設備に流れることがほとんどない。その結果、排気設備の保守の頻度を少なくするとともに、保守の周期を長くすることができる。

【0064】

（５）効果
本実施の形態に係る熱処理装置１００においては、加熱面２１が露出するように基台部１０により加熱部２０が収容される。蓋部３０が、駆動部６２により閉塞位置と開放位置との間で上下方向に移動される。閉塞位置においては、蓋部３０と加熱面２１との間に処理空間Ｖが形成される。開放位置においては、処理空間Ｖが開放される。処理空間Ｖにおいて、加熱部２０により基板Ｗが加熱されることにより、基板Ｗに形成された塗布膜から昇華物が発生する。このような場合でも、蓋部３０が加熱部４０により加熱されることにより、発生した昇華物が結露となることが防止される。

【0065】

また、蓋部３０には処理空間Ｖの外周部を取り囲むように連続的または断続的に外気導入口３１が形成され、蓋部３０が閉塞位置にある場合に、外気導入口３１から蓋部３０の下面に沿って排気口３２に向けて気体の流れが形成される。特に、本実施の形態においては、処理空間Ｖの外周部を取り囲む内蓋部７０の周壁部７２に外気導入口３１が形成され、処理空間Ｖの上部を覆う内蓋部７０のカバー部７１に排気口３２が形成される。この場合、外気導入口３１から蓋部３０の下面に沿って排気口３２に向かう気体の流れを容易に形成することができる。

【0066】

上記の構成によれば、発生した昇華物が処理空間Ｖ内に滞留することなく、導入された外気により排気口３２から押し出される。これにより、塗布膜の粘度が高い場合でも昇華物を排出することができる。

【0067】

（６）他の実施の形態
（ａ）上記実施の形態において、蓋部３０は外蓋部８０を含むが、実施の形態はこれに限定されない。蓋部３０が昇降装置６０により上下方向に移動可能に構成される限り、蓋部３０は外蓋部８０を含まなくてもよい。

【0068】

また、内蓋部７０は内壁部７２ｂおよび当接部７２ｃを含むが、実施の形態はこれに限定されない。外壁部７２ａに外気導入口３１が形成され、当該外気導入口３１からカバー部７１の下面に沿って排気口３２に向かう気体の流れを形成可能である場合、内蓋部７０は内壁部７２ｂおよび当接部７２ｃを含まなくてもよい。

【0069】

あるいは、内壁部７２ｂおよび当接部７２ｃは、上下方向に移動可能に内蓋部７０に設けられずに、基台部１０の上面に固定されてもよい。この場合でも、外壁部７２ａの内周面と内壁部７２ｂの外周面との間に外気導入口３１を形成することが可能である。この構成においては、蓋部３０が閉塞位置に移動した場合でも、蓋部３０は基台部１０と当接しない。

【0070】

（ｂ）上記実施の形態において、加熱部４０が内蓋部７０のカバー部７１の上面に設けられるが、実施の形態はこれに限定されない。加熱部４０は、内蓋部７０を十分に加熱可能である場合には、外蓋部８０のカバー部８１の下面等の他の部材に設けられてもよい。

【0071】

（ｃ）上記実施の形態において、開放位置で駆動部６２と蓋部３０とを接続し、閉塞位置で駆動部６２と蓋部３０との接続を切り離す接続部が設けられるが、実施の形態はこれに限定されない。蓋部３０が十分に水平にアーム部６３に取り付けられている場合、蓋部３０のあおり角度の調整機構が設けられている場合、または蓋部３０が基台部１０と当接しないように構成されている場合等には、接続部は設けられなくてもよい。

【0072】

（ｄ）上記実施の形態において、加熱部２０の加熱面２１に複数のガイド部材２４および溝部２５が形成されるが、実施の形態はこれに限定されない。十分に高い位置合わせの精度で熱処理装置１００に基板Ｗが搬入される場合には、加熱部２０の加熱面２１に複数のガイド部材２４が設けられなくてもよい。また、基板Ｗの裏面に回り込んだ塗布膜が加熱部２０に付着しない場合には、加熱部２０の加熱面２１に溝部２５が形成されなくてもよい。

【0073】

（ｅ）上記実施の形態において、冷却配管１３０が排気管１２０内で螺旋状を有するが、実施の形態はこれに限定されない。気体が排気管１２０内で十分に冷却される場合には、冷却配管１３０は排気管１２０内で直線状等の他の形状を有してもよい。また、気体が排気管１２０内で十分に自然冷却される場合には、冷却配管１３０は設けられなくてもよい。

【0074】

（ｆ）上記実施の形態において、気液分離部１４０に整流板１４１が設けられるが、実施の形態はこれに限定されない。気液分離部１４０における気体成分の流速が比較的小さい場合には、気液分離部１４０に整流板１４１が設けられなくてもよい。

【0075】

（ｇ）上記実施の形態において、熱処理システム２００は複数の熱処理装置１００を含むが、実施の形態はこれに限定されない。熱処理システム２００は１個の熱処理装置１００を含んでもよい。

【0076】

（ｈ）上記実施の形態において、熱処理システム２００は各熱処理装置１００を制御する制御部１１０を含むが、実施の形態はこれに限定されない。各熱処理装置１００が熱処理システム２００の外部の情報処理装置により制御可能に構成されている場合には、熱処理システム２００は制御部１１０を含まなくてもよい。

【0077】

（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明する。上記実施の形態においては、基板Ｗが基板の例であり、加熱面２１が加熱面の例であり、加熱部２０，４０がそれぞれ第１および第２の加熱部の例であり、基台部１０が基台部の例である。排気口３２が排気口の例であり、処理空間Ｖが処理空間の例であり、蓋部３０が蓋部の例であり、駆動部６２が駆動部の例であり、外気導入口３１が外気導入口の例である。

【0078】

熱処理装置１００が熱処理装置の例であり、カバー部７１がカバー部の例であり、周壁部７２が周壁部の例であり、外壁部７２ａが外壁部の例であり、内壁部７２ｂが内壁部の例である。連結部材７３が連結部材の例であり、当接部７２ｃが当接部の例であり、アーム部６３，６４およびボルト部材６５が接続部の例であり、アーム部６４およびボルト部材６５が係合部の例である。

【0079】

アーム部６３が被係合部の例であり、溝部２５が溝部の例であり、ガイド部材２４がガイド部材の例であり、土台部２４ａが土台部の例であり、錐体部２４ｂが錐体部の例であり、排気管１２０が排気管の例である。気液分離部１４０が気液分離部の例であり、熱処理システム２００が熱処理システムの例であり、冷却配管１３０が冷却配管の例であり、整流板１４１が整流板の例である。
（８）参考形態
（８－１）第１の参考形態に係る熱処理装置は、基板を加熱する加熱面を有する第１の加熱部と、加熱面が露出するように第１の加熱部を収容する基台部と、排気口を有し、加熱面の上方に処理空間を形成するように構成された蓋部と、蓋部を加熱する第２の加熱部と、蓋部と加熱面との間に処理空間が形成される第１の位置と処理空間が開放される第２の位置との間で蓋部を上下方向に移動させる駆動部とを備え、蓋部は、処理空間の外周部を取り囲むように連続的または断続的に形成された外気導入口を有し、蓋部の外気導入口および排気口は、蓋部が第１の位置にある場合に外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向けて気体の流れが形成されるように構成される。
この熱処理装置においては、加熱面が露出するように基台部により第１の加熱部が収容される。蓋部が、駆動部により第１の位置と第２の位置との間で上下方向に移動される。第１の位置においては、蓋部と加熱面との間に処理空間が形成される。第２の位置においては、処理空間が開放される。処理空間において、第１の加熱部により基板が加熱されることにより、基板に形成された塗布膜から昇華物が発生する。このような場合でも、蓋部が第２の加熱部により加熱されることにより、発生した昇華物が結露となることが防止される。
また、蓋部には処理空間の外周部を取り囲むように連続的または断続的に外気導入口が形成され、蓋部が第１の位置にある場合に、外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向けて気体の流れが形成される。そのため、発生した昇華物が処理空間内に滞留することなく、導入された外気により排気口から押し出される。これにより、塗布膜の粘度が高い場合でも昇華物を排出することができる。
（８－２）蓋部は、処理空間の上部を覆うカバー部と、処理空間の外周部を取り囲む周壁部とを含み、排気口はカバー部に形成され、外気導入口は周壁部に形成されてもよい。この場合、外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向かう気体の流れを容易に形成することができる。
（８－３）周壁部は、カバー部の外周部から下方に向かって形成された外壁部と、外壁部の内側に設けられた内壁部と、外壁部と内壁部とを連結する連結部材とを含み、外気導入口は、外壁部の内周面と内壁部の外周面との間に形成されてもよい。この場合、外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向かう気体の流れをより容易に形成することができる。
（８－４）周壁部は、内壁部の下部に設けられ、処理空間の外周部を取り囲むように形成された当接部をさらに含み、蓋部は、第１の位置にある場合に、当接部の下端面と基台部の上面との間に隙間が形成されないように構成されてもよい。この場合、当接部の下端面と基台部の上面との間から外気が導入されないので、外気導入口から蓋部の下面に沿って排気口に向かう大容量の気体の流れが形成される。これにより、昇華物をより効率よく排出することができる。
（８－５）第２の加熱部は、カバー部に設けられてもよい。この場合、カバー部が加熱されるので、カバー部に昇華物が付着した場合でも、昇華物が凝縮して結露が発生することがより容易に防止される。
（８－６）熱処理装置は、第２の位置において駆動部と蓋部とを接続し、第１の位置において駆動部と蓋部との接続が切り離されるように設けられた接続部をさらに備えてもよい。この構成によれば、蓋部のあおり角度の調整機構を設けない場合でも、蓋部が自重により基台部上に水平に載置される。そのため、蓋部と基台部との間に隙間が形成されない。これにより、蓋部と基台部との密閉度を容易に向上させることができる。その結果、外気導入口から導入される気体により昇華物をより効率よく排出することができる。
（８－７）接続部は、駆動部により上下方向に移動する係合部と、蓋部に設けられ、係合部が係合可能な被係合部とを含み、第１の位置で被係合部への係合部の係合が外れ、第２の位置で重力により係合部が被係合部に係合してもよい。この場合、簡単な構成で、第２の位置において駆動部と蓋部とを接続し、第１の位置において駆動部と蓋部との接続を切り離すことができる。
（８－８）第１の加熱部の加熱面には、基板の周縁部に重なる円環状の溝部が形成されてもよい。この構成によれば、熱処理により基板の表面の周縁部の塗布膜が裏面に回り込んだ場合でも、回り込んだ塗布膜が加熱面に付着することが防止される。
（８－９）第１の加熱部の加熱面には、基板の周縁部が溝部に重なるように基板を導くガイド部材が形成されてもよい。この場合、基板の周縁部が溝部に重なるように加熱部上に基板を搬入することができる。
（８－１０）ガイド部材は、溝部の外周部と部分的に重なるように配置されてもよい。この場合、基板の周縁部がより確実に溝部に重なるように加熱部上に基板を搬入することができる。
（８－１１）ガイド部材は、円柱形状を有する土台部と、土台部の上部に設けられ、下方から上方に向かって直径が漸次減少する錐体部とを含んでもよい。この場合、基板の周縁部がガイド部材に乗り上げたまま加熱部上に基板が搬入されることが防止される。
（８－１２）第２の参考形態に係る熱処理システムは、第１の参考形態に係る熱処理装置と、熱処理装置の排気口から気体が導かれる排気管と、排気管を通過した気体を気体成分と液体成分とに分離する気液分離部とを備える。
この熱処理システムにおいては、上記の熱処理装置により、塗布膜の粘度が高い場合でも昇華物を排出することができる。また、熱処理装置の排気口から排気管に気体が導かれ、排気管を通過した気体が気液分離部により気体成分と液体成分とに分離される。この場合、気体成分と液体成分とを別個に回収することができる。また、液体成分が排気設備に導かれることが防止される。これにより、排気設備の保守の頻度を少なくするとともに、保守の周期を長くすることができる。
（８－１３）熱処理システムは、排気管内に設けられ、冷却媒体を循環させるための冷却配管をさらに備えてもよい。この場合、熱処理装置から排出された気体に含まれる昇華物が排気管内で冷却されることにより液化される。これにより、排気管を通過した気体を効率よく気体成分と液体成分とに分離することができる。
（８－１４）冷却配管は、螺旋形状を有してもよい。この場合、熱処理装置から排出された気体に含まれる昇華物が排気管内で十分に冷却されることにより、より効率よく液化することができる。
（８－１５）熱処理システムは、気液分離部における気体成分の流れを規制する整流板をさらに備えてもよい。この場合、気液分離部内を流れる気体成分の流速のばらつきが緩和される。そのため、気体成分が気液分離部内に滞留することが防止される。これにより、大容量の排気を行う場合でも、排気効率を向上させることができる。

【符号の説明】

【0080】

１０…基台部，１１…底面部，１２，７２，８２…周壁部，１３，２２…貫通孔，２０，４０…加熱部，２３…支持部材，２４…ガイド部材，２４ａ…土台部，２４ｂ…錐体部，２５…溝部，３０…蓋部，３１…外気導入口，３２…排気口，５０…排気支管，６０…昇降装置，６１…昇降ピン，６２…駆動部，６３，６４…アーム部，６５…ボルト部材，７０…内蓋部，７１，８１…カバー部，７２ａ…外壁部，７２ｂ…内壁部，７２ｃ…当接部，７３…連結部材，８０…外蓋部，８３…開口部，１００…熱処理装置，１１０…制御部，１２０，１４２…排気管，１３０…冷却配管，１４０…気液分離部，１４１…整流板，１４３…排液管，２００…熱処理システム，Ｖ…処理空間，Ｖ０…内部空間，Ｖ１…上流空間，Ｖ２…下流空間，Ｗ…基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】