特許 7505548 弾性波装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-17

(45)【発行日】2024-06-25

(54)【発明の名称】弾性波装置

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/145 20060101AFI20240618BHJP

   H03H 9/25 20060101ALI20240618BHJP

【ＦＩ】

H03H9/145 D

H03H9/145 C

H03H9/145 Z

H03H9/25 C

【請求項の数】 13

(21)【出願番号】P 2022517692

(86)(22)【出願日】2021-04-22

(86)【国際出願番号】 JP2021016309

(87)【国際公開番号】W WO2021220936

(87)【国際公開日】2021-11-04

【審査請求日】2022-09-08

(31)【優先権主張番号】P 2020078148

(32)【優先日】2020-04-27

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】110001232

【氏名又は名称】弁理士法人大阪フロント特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】渡辺 宗久

(72)【発明者】

【氏名】大門 克也

(72)【発明者】

【氏名】岩本 英樹

【審査官】志津木 康

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１９／０５９２０８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１９／１２３８１０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１８－１８２５４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－１１９５６９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０３Ｈ３／００７－３／１０

Ｈ０３Ｈ９／００－９／７６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

圧電性基板と、
前記圧電性基板上に設けられており、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、
前記圧電性基板上における前記ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている一対の反射器である、第１の反射器及び第２の反射器と、
を備え、
前記複数の電極指が一方向に延びており、
前記ＩＤＴ電極の隣り合う前記電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている部分が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記複数の電極指が延びる方向両側に配置されている一対のエッジ領域と、を有し、
前記一対のエッジ領域を含み、かつ前記一対のエッジ領域と弾性波伝搬方向において重なる領域が一対の拡張エッジ領域であり、
前記一対の拡張エッジ領域において一対の音速調整部が設けられており、前記一対の音速調整部における音速が前記中央領域における音速よりも低く、
前記一対の音速調整部のうち一方の音速調整部が、前記第１の反射器側に位置する第１の端部と、前記第２の反射器側に位置する第２の端部と、を有し、前記一対の音速調整部のうち他方の音速調整部が、前記第１の反射器側に位置する第３の端部と、前記第２の反射器側に位置する第４の端部と、を有し、
前記第１の端部、前記第２の端部、前記第３の端部及び前記第４の端部が、弾性波伝搬方向において前記一対のエッジ領域の外側に位置し、
前記第１の端部及び前記第３の端部と、前記第２の端部及び前記第４の端部との２組の端部のうち少なくとも一方が、前記複数の電極指が延びる方向において重なっておらず、
前記一対の音速調整部が、前記第１の反射器及び前記第２の反射器の弾性波伝搬方向における外側に至っている、弾性波装置。

【請求項2】

圧電性基板と、
前記圧電性基板上に設けられており、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、
前記圧電性基板上における前記ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている一対の反射器である、第１の反射器及び第２の反射器と、
を備え、
前記複数の電極指が一方向に延びており、
前記ＩＤＴ電極の隣り合う前記電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている部分が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記複数の電極指が延びる方向両側に配置されている一対のエッジ領域と、を有し、
前記一対のエッジ領域を含み、かつ前記一対のエッジ領域と弾性波伝搬方向において重なる領域が一対の拡張エッジ領域であり、
前記一対の拡張エッジ領域において一対の音速調整部が設けられており、前記一対の音速調整部における音速が前記中央領域における音速よりも低く、
前記一対の音速調整部のうち一方の音速調整部が、前記第１の反射器側に位置する第１の端部と、前記第２の反射器側に位置する第２の端部と、を有し、前記一対の音速調整部のうち他方の音速調整部が、前記第１の反射器側に位置する第３の端部と、前記第２の反射器側に位置する第４の端部と、を有し、
前記第１の端部、前記第２の端部、前記第３の端部及び前記第４の端部が、弾性波伝搬方向において前記一対のエッジ領域の外側に位置し、
前記第１の端部及び前記第３の端部と、前記第２の端部及び前記第４の端部との２組の端部のうち少なくとも一方が、前記複数の電極指が延びる方向において重なっておらず、
前記一対の音速調整部が延びる方向及び弾性波伝搬方向が交叉している、弾性波装置。

【請求項3】

圧電性基板と、
前記圧電性基板上に設けられており、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、
前記圧電性基板上における前記ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている一対の反射器である、第１の反射器及び第２の反射器と、
を備え、
前記複数の電極指が一方向に延びており、
前記ＩＤＴ電極の隣り合う前記電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている部分が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記複数の電極指が延びる方向両側に配置されている一対のエッジ領域と、を有し、
前記一対のエッジ領域を含み、かつ前記一対のエッジ領域と弾性波伝搬方向において重なる領域が一対の拡張エッジ領域であり、
前記一対の拡張エッジ領域において一対の音速調整部が設けられており、前記一対の音速調整部における音速が前記中央領域における音速よりも低く、
前記一対の音速調整部のうち一方の音速調整部が、前記第１の反射器側に位置する第１の端部と、前記第２の反射器側に位置する第２の端部と、を有し、前記一対の音速調整部のうち他方の音速調整部が、前記第１の反射器側に位置する第３の端部と、前記第２の反射器側に位置する第４の端部と、を有し、
前記第１の端部、前記第２の端部、前記第３の端部及び前記第４の端部が、弾性波伝搬方向において前記一対のエッジ領域の外側に位置し、
前記第１の端部及び前記第３の端部と、前記第２の端部及び前記第４の端部との２組の端部のうち少なくとも一方が、前記複数の電極指が延びる方向において重なっておらず、
前記中央領域を含み、かつ前記中央領域と弾性波伝搬方向において重なる領域が拡張中央領域であり、
前記第１の反射器及び前記第２の反射器が、それぞれ複数の電極指を有し、
前記ＩＤＴ電極の前記複数の電極指、前記第１の反射器の前記複数の電極指及び前記第２の反射器の前記複数の電極指において、前記拡張中央領域における幅よりも広い幅広部が設けられていることにより、前記一対の音速調整部が構成されている、弾性波装置。

【請求項4】

前記一対のエッジ領域の、前記複数の電極指が延びる方向における外側に、一対の高音速領域が配置されており、
前記一対の高音速領域における音速が、前記中央領域における音速よりも高い、請求項１～３のいずれか１項に記載の弾性波装置。

【請求項5】

前記第１の端部及び前記第３の端部と、前記第２の端部及び前記第４の端部との双方が、前記複数の電極指が延びる方向において重なっていない、請求項１～４のいずれか１項に記載の弾性波装置。

【請求項6】

前記一対の音速調整部が延びる方向及び弾性波伝搬方向が平行である、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。

【請求項7】

前記一対の音速調整部が、質量付加膜が設けられていることにより構成されている、請求項１～６のいずれか１項に記載の弾性波装置。

【請求項8】

前記第１の反射器及び前記第２の反射器が、それぞれ複数の電極指を有し、
前記ＩＤＴ電極の前記複数の電極指が延びる方向と直交する方向において、前記第１の端部よりも外側に位置する前記第１の反射器の前記電極指の本数と、前記第３の端部よりも外側に位置している前記第１の反射器の前記電極指の本数とが互いに異なる構成、及び前記ＩＤＴ電極の前記複数の電極指が延びる方向と直交する方向において、前記第２の端部の外側に位置する前記第２の反射器の前記電極指の本数と、前記第４の端部よりも外側に位置する前記第２の反射器の前記電極指の本数とが互いに異なる構成のうち、少なくとも一方の構成を有する、請求項１～７のいずれか１項に記載の弾性波装置。

【請求項9】

前記圧電性基板が、高音速材料層と、前記高音速材料層上に直接的または間接的に設けられている圧電体層と、を有し、
前記高音速材料層を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬する弾性波の音速よりも高い、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。

【請求項10】

前記圧電性基板が、前記高音速材料層と前記圧電体層との間に設けられている、低音速膜を有し、
前記低音速膜を伝搬するバルク波の音速が、前記圧電体層を伝搬するバルク波の音速よりも低い、請求項９に記載の弾性波装置。

【請求項11】

前記高音速材料層が高音速支持基板である、請求項９または１０に記載の弾性波装置。

【請求項12】

前記圧電性基板が支持基板を有し、
前記高音速材料層が、前記支持基板上に設けられている高音速膜である、請求項９または１０に記載の弾性波装置。

【請求項13】

前記圧電性基板が音響反射膜と、前記音響反射膜上に設けられている圧電体層と、を有し、
前記音響反射膜が、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層と、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層と、を有し、
前記高音響インピーダンス層と前記低音響インピーダンス層とが交互に積層されている、請求項１～８のいずれか１項に記載の弾性波装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、弾性波装置に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、弾性波装置は携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、圧電基板上にＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極が設けられている。さらに、圧電基板上には、ＩＤＴ電極を覆うように、酸化シリコン膜が設けられている。酸化シリコン膜上には、平面視において、ＩＤＴ電極の複数の電極指の先端部と重なるように、質量付加膜が設けられている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１９－０６８３０９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１においては、ピストンモードを成立させ、横モードによるスプリアスを抑制し得る。しかしながら、高次モードまでをも抑制することは困難である。

【0005】

本発明の目的は、横モード及び高次モードを抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明に係る弾性波装置は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に設けられており、複数の電極指を有するＩＤＴ電極と、前記圧電性基板上における前記ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向両側に設けられている一対の反射器である、第１の反射器及び第２の反射器とを備え、前記ＩＤＴ電極の隣り合う前記電極指が弾性波伝搬方向において重なり合っている部分が交叉領域であり、前記交叉領域が、前記複数の電極指が延びる方向における中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記複数の電極指が延びる方向両側に配置されている一対のエッジ領域とを有し、前記一対のエッジ領域を含み、かつ前記一対のエッジ領域と弾性波伝搬方向において重なる領域が一対の拡張エッジ領域であり、前記一対の拡張エッジ領域において一対の音速調整部が設けられており、前記一対の音速調整部における音速が前記中央領域における音速よりも低く、前記一対の音速調整部のうち一方の音速調整部が、前記第１の反射器側に位置する第１の端部と、前記第２の反射器側に位置する第２の端部とを有し、前記一対の音速調整部のうち他方の音速調整部が、前記第１の反射器側に位置する第３の端部と、前記第２の反射器側に位置する第４の端部とを有し、前記第１の端部、前記第２の端部、前記第３の端部及び前記第４の端部が、弾性波伝搬方向において前記一対のエッジ領域の外側に位置し、前記第１の端部及び前記第３の端部と、前記第２の端部及び前記第４の端部との２組の端部のうち少なくとも一方が、前記複数の電極指が延びる方向において重なっていない。

【発明の効果】

【0007】

本発明に係る弾性波装置によれば、横モード及び高次モードを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。

【図2】図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の、第１の拡張エッジ領域を通る断面を示す断面図である。

【図3】図３は、図１中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。

【図4】図４は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の、第２の拡張エッジ領域を通る断面を示す断面図である。

【図5】図５は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の、中央領域を通る断面を示す断面図である。

【図6】図６は、本発明の第１の実施形態の第１の変形例に係る弾性波装置の平面図である。

【図7】図７は、本発明の第１の実施形態の第２の変形例に係る弾性波装置の平面図である。

【図8】図８は、本発明の第１の実施形態の第３の変形例に係る弾性波装置の平面図である。

【図9】図９は、本発明の第１の実施形態の第４の変形例に係る弾性波装置の平面図である。

【図10】図１０は、本発明の第１の実施形態の第５の変形例に係る弾性波装置の平面図である。

【図11】図１１は、本発明の第１の実施形態の第６の変形例に係る弾性波装置の平面図である。

【図12】図１２は、本発明の第１の実施形態の第７の変形例に係る弾性波装置の、第１の拡張エッジ領域を通る断面を示す断面図である。

【図13】図１３は、本発明の第１の実施形態の第８の変形例に係る弾性波装置の、第１の拡張エッジ領域を通る断面を示す断面図である。

【図14】図１４は、本発明の第１の実施形態の第９の変形例に係る弾性波装置の、第１の拡張エッジ領域を通る断面を示す断面図である。

【図15】図１５は、本発明の第１の実施形態の第１０の変形例に係る弾性波装置の、第１の拡張エッジ領域を通る断面を示す断面図である。

【図16】図１６は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の、第１の拡張エッジ領域を通る断面を示す断面図である。

【図17】図１７は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

【0010】

なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。

【0011】

図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。

【0012】

弾性波装置１においては、ピストンモードを成立させることにより、横モードを抑制している。弾性波装置１は、圧電性基板２を有する。圧電性基板２上にはＩＤＴ電極７が設けられている。ＩＤＴ電極７は複数の電極指を有する。ＩＤＴ電極７においては、中央領域Ｃ、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２が配置されている。第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２は、複数の電極指の先端を含む。さらに、弾性波装置１においては、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２が、ＩＤＴ電極７の外側にまで拡張されている。これらの領域は、第１の拡張エッジ領域Ｅｘ１及び第２の拡張エッジ領域Ｅｘ２である。第１の拡張エッジ領域Ｅｘ１及び第２の拡張エッジ領域Ｅｘ２において、第１の音速調整部Ｌ及び第２の音速調整部Ｍが設けられている。これにより、ピストンモードを成立させる。

【0013】

第１の音速調整部Ｌは第１の端部Ｌａ及び第２の端部Ｌｂを有する。第２の音速調整部Ｍは第３の端部Ｍａ及び第４の端部Ｍｂを有する。ここで、本実施形態の特徴は、弾性波装置１が以下の構成を有することにある。１）第１の拡張エッジ領域Ｅｘ１において第１の音速調整部Ｌが設けられており、第２の拡張エッジ領域Ｅｘ２において第２の音速調整部Ｍが設けられていること。２）第１の端部Ｌａ及び第３の端部Ｍａと、第２の端部Ｌｂ及び第４の端部Ｍｂとの２組の端部のうち少なくとも一方が、複数の電極指が延びる方向において重なっていないこと。それによって、横モードだけではなく、高次モードをも抑制することができる。上記効果の詳細を、本実施形態の構成の詳細と共に、以下において説明する。

【0014】

図２は、第１の実施形態に係る弾性波装置の、第１の拡張エッジ領域を通る断面を示す断面図である。

【0015】

図２に示すように、圧電性基板２は、支持基板３と、高音速材料層としての高音速膜４と、低音速膜５と、圧電体層６とを有する。より具体的には、支持基板３上に高音速膜４が設けられている。高音速膜４上に低音速膜５が設けられている。低音速膜５上に圧電体層６が設けられている。

【0016】

圧電性基板２の圧電体層６上に、上記ＩＤＴ電極７が設けられている。ＩＤＴ電極７に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。図２に示すように、圧電性基板２上における、ＩＤＴ電極７の弾性波伝搬方向両側に、一対の反射器が設けられている。より具体的には、一対の反射器は第１の反射器８及び第２の反射器９である。このように、本実施形態の弾性波装置１は弾性表面波共振子である。もっとも、本発明に係る弾性波装置は弾性波共振子には限定されず、弾性波共振子を有するフィルタ装置やマルチプレクサであってもよい。

【0017】

図１に示すように、ＩＤＴ電極７は、第１のバスバー１４、第２のバスバー１５、複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７を有する。第１のバスバー１４及び第２のバスバー１５は対向し合っている。複数の第１の電極指１６の一端は、それぞれ第１のバスバー１４に接続されている。複数の第２の電極指１７の一端は、それぞれ第２のバスバー１５に接続されている。複数の第１の電極指１６及び複数の第２の電極指１７は互いに間挿し合っている。なお、本明細書においては、弾性波伝搬方向をｘ方向とする。第１の電極指１６及び第２の電極指１７が延びる方向をｙ方向とする。本実施形態においては、ｘ方向とｙ方向とは直交する。

【0018】

第１の反射器８は複数の電極指１８を有する。第２の反射器９は複数の電極指１９を有する。本明細書においては、ＩＤＴ電極７の第１の電極指１６、第２の電極指１７、第１の反射器８の電極指１８及び第２の反射器９の電極指１９を、まとめて電極指と記載することがある。ＩＤＴ電極７、第１の反射器８及び第２の反射器９は適宜の金属からなる。ＩＤＴ電極７、第１の反射器８及び第２の反射器９は、積層金属膜からなっていてもよく、単層の金属膜からなっていてもよい。

【0019】

図２に示す圧電体層６の材料としては、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）などを用いることができる。

【0020】

低音速膜５は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜５を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜５の材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、五酸化タンタル、または、酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物を主成分とする材料を用いることができる。

【0021】

本実施形態では、高音速材料層は高音速膜４である。高音速材料層は相対的に高音速な層である。より具体的には、高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。高音速膜４の材料としては、例えば、シリコン、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。

【0022】

支持基板３の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどの各種セラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体または樹脂などを用いることもできる。

【0023】

本実施形態においては、圧電性基板２が、高音速材料層としての高音速膜４、低音速膜５及び圧電体層６がこの順序において積層された構成を有する。それによって、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。

【0024】

なお、圧電性基板２上に、ＩＤＴ電極７、第１の反射器８及び第２の反射器９を覆うように、保護膜が設けられていてもよい。この場合には、ＩＤＴ電極７、第１の反射器８及び第２の反射器９が破損し難い。保護膜には、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素などの誘電体を用いることができる。

【0025】

図３は、図１中のＩ－Ｉ線に沿う断面図である。図４は、第１の実施形態に係る弾性波装置の、第２の拡張エッジ領域を通る断面を示す断面図である。図５は、第１の実施形態に係る弾性波装置の、中央領域を通る断面を示す断面図である。

【0026】

図１及び図３に示すように、ＩＤＴ電極７において、第１の電極指１６と第２の電極指１７とがｘ方向において重なり合っている部分は、交叉領域Ａである。交叉領域Ａは、中央領域Ｃ及び一対のエッジ領域を有する。より具体的には、一対のエッジ領域は、上記第１のエッジ領域Ｅ１及び上記第２のエッジ領域Ｅ２である。中央領域Ｃは、交叉領域Ａにおいて、ｙ方向における中央側に位置している。第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２は、中央領域Ｃのｙ方向両側に配置されている。より具体的には、第１のエッジ領域Ｅ１は、中央領域Ｃの第１のバスバー１４側に配置されている。第２のエッジ領域Ｅ２は、中央領域Ｃの第２のバスバー１５側に配置されている。

【0027】

ＩＤＴ電極７は、第１のギャップ領域Ｇ１及び第２のギャップ領域Ｇ２を有する。第１のギャップ領域Ｇ１は、第１のエッジ領域Ｅ１及び第１のバスバー１４の間に位置する。第２のギャップ領域Ｇ２は、第２のエッジ領域Ｅ２及び第２のバスバー１５の間に位置する。第１のギャップ領域Ｇ１においては、第１の電極指１６及び第２の電極指１７のうち第１の電極指１６のみが設けられている。これにより、第１のギャップ領域Ｇ１における音速は中央領域Ｃにおける音速よりも高い。同様に、第２のギャップ領域Ｇ２においては、第１の電極指１６及び第２の電極指１７のうち第２の電極指１７のみが設けられている。これにより、第２のギャップ領域Ｇ２における音速は中央領域Ｃにおける音速よりも高い。中央領域Ｃにおける音速をＶｃとし、第１のギャップ領域Ｇ１及び第２のギャップ領域Ｇ２における音速をＶｇとしたときに、Ｖｃ＜Ｖｇである。このように、第１のギャップ領域Ｇ１及び第２のギャップ領域Ｇ２において、高音速領域が構成されている。

【0028】

ここで、一対のエッジ領域を含み、かつ一対のエッジ領域と弾性波伝搬方向において重なる領域が一対の拡張エッジ領域である。より具体的には、図２に示すように、第１のエッジ領域Ｅ１を含み、かつ第１のエッジ領域Ｅ１とｘ方向において重なる領域は、上記第１の拡張エッジ領域Ｅｘ１である。図４に示すように、第２のエッジ領域Ｅ２を含み、かつ第２のエッジ領域Ｅ２とｘ方向において重なる領域は、上記第２の拡張エッジ領域Ｅｘ２である。他方、図５に示すように、中央領域Ｃを含み、かつ中央領域Ｃとｘ方向において重なる領域は拡張中央領域Ｃｘである。

【0029】

図１に戻り、一対の拡張エッジ領域には、一対の音速調整部が設けられている。より具体的には、第１の拡張エッジ領域Ｅｘ１において上記第１の音速調整部Ｌが設けられている。第２の拡張エッジ領域Ｅｘ２において上記第２の音速調整部Ｍが設けられている。

【0030】

第１の音速調整部Ｌは、第１の反射器８及び第２の反射器９のｘ方向における外側に至っている。第１の音速調整部Ｌにおける音速は、中央領域Ｃにおける音速よりも低い。本実施形態においては、第１の音速調整部Ｌは、質量付加膜１２が設けられることにより構成されている。質量付加膜１２は帯状の形状を有する。１個の質量付加膜１２が、ＩＤＴ電極７、第１の反射器８及び第２の反射器９の全ての電極指上に設けられている。さらに、質量付加膜１２は、圧電性基板２上における、複数の電極指間の部分、ＩＤＴ電極７と第１の反射器８との間の部分、及びＩＤＴ電極７と第２の反射器９との間の部分にも設けられている。第１の音速調整部Ｌが延びる方向及びｘ方向は平行である。

【0031】

第２の音速調整部Ｍは、第１の反射器８及び第２の反射器９のｘ方向における外側に至っている。第２の音速調整部Ｍにおける音速は、中央領域Ｃにおける音速よりも低い。本実施形態においては、第２の音速調整部Ｍは、質量付加膜１３が設けられることにより構成されている。質量付加膜１３は帯状の形状を有する。１個の質量付加膜１３が、ＩＤＴ電極７、第１の反射器８及び第２の反射器９の全ての電極指上に設けられている。さらに、質量付加膜１３は、圧電性基板２上における、複数の電極指間の部分、ＩＤＴ電極７と第１の反射器８との間の部分、及びＩＤＴ電極７と第２の反射器９との間の部分にも設けられている。第２の音速調整部Ｍが延びる方向及びｘ方向は平行である。質量付加膜１２及び質量付加膜１３には、適宜の誘電体などを用いることができる。

【0032】

第１の音速調整部Ｌは第１の端部Ｌａ及び第２の端部Ｌｂを有する。第１の端部Ｌａは第１の反射器８側に位置する。第２の端部Ｌｂは第２の反射器９側に位置する。第２の音速調整部Ｍは、第３の端部Ｍａ及び第４の端部Ｍｂを有する。第３の端部Ｍａは第１の反射器８側に位置する。第４の端部Ｍｂは第２の反射器９側に位置する。本実施形態では、第１の端部Ｌａ、第２の端部Ｌｂ、第３の端部Ｍａ及び第４の端部Ｍｂは、ｘ方向において一対の反射器よりも外側に位置する。

【0033】

なお、第１の端部Ｌａ、第２の端部Ｌｂ、第３の端部Ｍａ及び第４の端部Ｍｂは、ｘ方向においてＩＤＴ電極７よりも外側に位置していればよい。これにより、一対のエッジ領域における音速を、中央領域Ｃにおける音速よりも低くすることができる。

【0034】

本実施形態では、ｙ方向における各領域の配置が、中央領域Ｃ、一対の音速調整部及び一対の高音速領域の順序の配置とされている。それによって、ピストンモードが成立し、横モードを抑制することができる。

【0035】

ここで、音速調整部が延びる方向に沿う該音速調整部の寸法を、該音速調整部の長さとする。第２の音速調整部Ｍは第１の音速調整部Ｌよりも長い。より詳細には、第３の端部Ｍａは第１の端部Ｌａよりも、ｘ方向における外側に位置する。第４の端部Ｍｂは第３の端部Ｌｂよりも、ｘ方向における外側に位置する。このように、本実施形態においては、第１の端部Ｌａ及び第３の端部Ｍａと、第２の端部Ｌｂ及び第４の端部Ｍｂとの双方が、ｙ方向において重なっていない。それによって、高次モードをも抑制することができる。これを以下において説明する。

【0036】

メインモードは、ＩＤＴ電極７及び一対の反射器が設けられている領域において共振する。そのため、メインモードのエネルギーのほとんどは、ＩＤＴ電極７及び一対の反射器が設けられている領域に集中している。他方、高次モードは、圧電体層６の厚み方向において共振する。そのため、ＩＤＴ電極７及び一対の反射器が設けられている領域の外側においても、高次モードは共振する。高次モードは、第１の音速調整部Ｌの第１の端部Ｌａと、第１の音速調整部Ｌの第２の端部Ｌｂと、第２の音速調整部Ｍの第３の端部Ｍａと、第２の音速調整部Ｍの第４の端部Ｍｂとを結んだ線により囲まれた領域において共振する。この領域を高次モード共振領域とする。第１の音速調整部Ｌ及び第２の音速調整部Ｍが、一対の反射器のｘ方向における外側に至っている場合においても、高次モードは、上記高次モード共振領域において共振することとなる。ここで、第１の端部Ｌａ及び第３の端部Ｍａと、第２の端部Ｌｂ及び第４の端部Ｍｂとの双方が、ｙ方向において重なっている場合には、高次モード共振領域において、高次モードが一様に共振する。この場合、高次モード共振領域において、高次モードの位相が揃うこととなる。そのため、高次モードに起因する大きなスプリアスが生じる。

【0037】

これに対して、本実施形態においては、第１の端部Ｌａ及び第３の端部Ｍａと、第２の端部Ｌｂ及び第４の端部Ｍｂとの双方が、ｙ方向において重なっていない。これにより、高次モード共振領域における、高次モードの位相をずらすことができる。よって、高次モードの共振を抑制することができる。従って、弾性波装置１においては、横モードだけではなく、高次モードをも抑制することができる。

【0038】

なお、第１の端部Ｌａ及び第３の端部Ｍａと、第２の端部Ｌｂ及び第４の端部Ｍｂとの２組の端部のうち少なくとも一方が、ｙ方向において重なっていなければよい。この場合においても、横モード及び高次モードを抑制することができる。

【0039】

ここで、図１に示すように、ｙ方向から見たときの、第１の端部Ｌａと第３の端部Ｍａとの距離をＢ１とする。距離Ｂ１は、第１の端部Ｌａと第３の端部Ｍａとの距離のｘ方向の成分である。ｙ方向から見たときの、第２の端部Ｌｂと第４の端部Ｍｂとの距離をＢ２とする。距離Ｂ２は、第２の端部Ｌｂと第４の端部Ｍｂとの距離のｘ方向の成分である。距離Ｂ１は、特に限定されないが、例えば、共振波長の１／１００以上であることが好ましい。同様に、距離Ｂ２は、特に限定されないが、例えば、共振波長の１／１００以上であることが好ましい。これらの場合には、高次モード共振領域において、高次モードの位相を効果的にずらすことができ、高次モードを効果的に抑制することができる。

【0040】

本実施形態のように、第１の端部Ｌａが第１の反射器８よりもｘ方向において外側に位置する場合には、第１の端部Ｌａと第１の反射器８との距離の上限は特に限定されないが、共振波長の１／１００以上であることが好ましい。第３の端部Ｍａが第１の反射器８よりもｘ方向において外側に位置する場合には、第３の端部Ｍａと第１の反射器８との距離の上限は特に限定されないが、共振波長の１／１００以上であることが好ましい。これらの場合において、第１の端部Ｌａ及び第３の端部Ｍａがｙ方向において重なっていない場合には、高次モードを十分に抑制することができ、かつ弾性波装置１を小型にすることができる。同様に、第２の端部Ｌｂが第２の反射器９よりもｘ方向において外側に位置する場合には、第２の端部Ｌｂと第２の反射器９との距離の上限は特に限定されないが、共振波長の１／１００以上であることが好ましい。第４の端部Ｍｂが第２の反射器９よりもｘ方向において外側に位置する場合には、第４の端部Ｍｂと第２の反射器９との距離の上限は特に限定されないが、共振波長の１／１００以上であることが好ましい。これらの場合において、第２の端部Ｌｂ及び第４の端部Ｍｂがｙ方向において重なっていない場合には、高次モードを十分に抑制することができ、かつ弾性波装置１を小型にすることができる。

【0041】

以下において、第１の実施形態の第１～第４の変形例を示す。第１～第４の変形例においては、第１の音速調整部Ｌ及び第２の音速調整部Ｍの位置のみが、第１の実施形態と異なる。第１～第４の変形例においても、第１の実施形態と同様に、横モード及び高次モードを抑制することができる。

【0042】

図６に示す第１の変形例においては、第１の端部Ｌａは第３の端部Ｍａよりもｘ方向における内側に位置する。他方、第２の端部Ｌｂは第４の端部Ｍｂよりもｘ方向における外側に位置する。なお、本変形例においては、第１の端部Ｌａ、第２の端部Ｌｂ、第３の端部Ｍａ及び第４の端部Ｍｂは、ｘ方向において一対のエッジ領域の外側に位置する。

【0043】

本変形例では、第１の音速調整部Ｌの長さ及び第２の音速調整部Ｍの長さは同じである。もっとも、第１の音速調整部Ｌの長さ及び第２の音速調整部Ｍの長さは異なっていてもよい。

【0044】

図７に示す第２の変形例においては、第１の端部Ｌａは、ＩＤＴ電極７と、第１の反射器８との間に位置している。第２の端部Ｌｂは、ＩＤＴ電極７と、第２の反射器９との間に位置している。第３の端部Ｍａは、第１の反射器８の、ＩＤＴ電極７に最も近い電極指１８上に位置する。第４の端部Ｍｂは、第２の反射器９の、ＩＤＴ電極７に最も近い電極指１９上に位置する。

【0045】

図８に示す第３の変形例においては、第１の端部Ｌａ及び第３の端部Ｍａは、それぞれ、第１の反射器８の異なる電極指１８上に位置している。より具体的には、上記異なる電極指１８のうちＩＤＴ電極７に近い方の電極指１８上に第１の端部Ｌａが設けられている。上記異なる電極指のうちＩＤＴ電極７から遠い方の電極指１８上に第３の端部Ｍａが設けられている。

【0046】

第２の端部Ｌｂ及び第４の端部Ｍｂは、それぞれ、第２の反射器９の異なる電極指１９上に位置している。より具体的には、上記異なる電極指１９のうちＩＤＴ電極７に近い方の電極指１９上に第２の端部Ｌｂが設けられている。上記異なる電極指のうちＩＤＴ電極７から遠い方の電極指１９上に第４の端部Ｍｂが設けられている。

【0047】

図９に示す第４の変形例においては、第１の音速調整部Ｌの長さ及び第２の音速調整部Ｍの長さは同じである。しかしながら、質量付加膜１２及び質量付加膜１３が、ｘ方向に対して傾斜して延びている。そのため、第１の音速調整部Ｌが延びる方向及びｘ方向は交叉している。第２の音速調整部Ｍが延びる方向及びｘ方向は交叉している。それによって、第１の端部Ｌａ及び第３の端部Ｍａと、第２の端部Ｌｂ及び第４の端部Ｍｂとの双方が、ｙ方向において重なっていない。なお、本変形例においては、第１の端部Ｌａ、第２の端部Ｌｂ、第３の端部Ｍａ及び第４の端部Ｍｂは、ｘ方向において一対のエッジ領域の外側に位置する。

【0048】

第１の音速調整部Ｌ及び第２の音速調整部Ｍが、ｘ方向に対して傾斜して延びている場合においても、第１の音速調整部Ｌの長さ及び第２の音速調整部Ｍの長さは異なっていてもよい。

【0049】

ところで、第１の実施形態においては、ＩＤＴ電極７、第１の反射器８及び第２の反射器９の複数の電極指上に、質量付加膜１２及び質量付加膜１３が直接的に設けられている。それによって、一対の音速調整部が構成されている。もっとも、これに限定されるものではない。以下において、質量付加膜が設けられている位置が第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第５の変形例及び第６の変形例を示す。なお、平面視において、第５の変形例及び第６の変形例の質量付加膜が設けられている位置は、第１の実施形態の質量付加膜が設けられている位置と同じである。本明細書において平面視とは、図２における上方から見る方向をいう。第５の変形例及び第６の変形例においても、第１の実施形態と同様に、横モード及び高次モードを抑制することができる。

【0050】

図１０に示す第５の変形例においては、質量付加膜１２及び質量付加膜１３は、ＩＤＴ電極７、第１の反射器８及び第２の反射器９の複数の電極指と、圧電性基板２との間に設けられている。なお、質量付加膜１２及び質量付加膜１３は、圧電性基板２上における、複数の電極指間の部分、ＩＤＴ電極７と第１の反射器８との間の部分、及びＩＤＴ電極７と第２の反射器９との間の部分にも設けられている。

【0051】

図１１に示す第６の変形例においては、ＩＤＴ電極７、第１の反射器８及び第２の反射器９を覆うように、圧電性基板２上に保護膜２３が設けられている。保護膜２３上に質量付加膜１２及び質量付加膜１３が設けられている。

【0052】

図２に戻り、第１の実施形態の圧電性基板２においては、高音速膜４上に、低音速膜５を介して間接的に圧電体層６が設けられている。もっとも、圧電性基板２の構成は上記に限定されない。以下において、圧電性基板の構成のみが第１の実施形態と異なる、第１の実施形態の第７～第９の変形例を示す。第７～第９の変形例においても、第１の実施形態と同様に、横モード及び高次モードを抑制することができる。加えて、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。

【0053】

図１２に示す第７の変形例においては、圧電性基板２２Ａは、支持基板３と、高音速膜４と、圧電体層６とを有する。本変形例においては、高音速材料層としての高音速膜４上に、直接的に圧電体層６が設けられている。

【0054】

図１３に示す第８の変形例においては、高音速材料層は高音速支持基板２４である。圧電性基板２２Ｂは、高音速支持基板２４と、低音速膜５と、圧電体層６とを有する。高音速支持基板２４上に低音速膜５が設けられている。低音速膜５上に圧電体層６が設けられている。

【0055】

高音速支持基板２４の材料としては、例えば、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコン、サファイア、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶、アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、ＤＬＣ膜またはダイヤモンドなど、上記材料を主成分とする媒質を用いることができる。

【0056】

図１４に示す第９の変形例においては、圧電性基板２２Ｃは、高音速支持基板２４と、圧電体層６とを有する。本変形例においては、高音速材料層としての高音速支持基板２４上に、直接的に圧電体層６が設けられている。

【0057】

一方で、図１５に示す第１の実施形態の第１０の変形例においては、圧電性基板２２Ｄは、圧電体層のみからなる。圧電性基板２２Ｄは圧電基板である。この場合においても、第１の実施形態と同様に、横モード及び高次モードを抑制することができる。

【0058】

図１６は、第２の実施形態に係る弾性波装置の、第１の拡張エッジ領域を通る断面を示す断面図である。

【0059】

本実施形態は、圧電性基板３２が、音響反射膜３７を有する点において、第１の実施形態と異なる。より具体的には、圧電性基板３２は、支持基板３と、音響反射膜３７と、圧電体層６とを有する。支持基板３上に音響反射膜３７が設けられている。音響反射膜３７上に圧電体層６が設けられている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置３１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。

【0060】

音響反射膜３７は複数の音響インピーダンス層の積層体である。より具体的には、音響反射膜３７は、複数の低音響インピーダンス層と、複数の高音響インピーダンス層とを有する。低音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが低い層である。音響反射膜３７の複数の低音響インピーダンス層は、低音響インピーダンス層３５ａ及び低音響インピーダンス層３５ｂである。一方で、高音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが高い層である。音響反射膜３７の複数の高音響インピーダンス層は、高音響インピーダンス層３４ａ及び高音響インピーダンス層３４ｂである。低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に積層されている。なお、低音響インピーダンス層３５ａが、音響反射膜３７において最も圧電体層６側に位置する層である。

【0061】

音響反射膜３７は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ２層ずつ有する。もっとも、音響反射膜３７は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ少なくとも１層ずつ有していればよい。

【0062】

低音響インピーダンス層の材料としては、例えば、酸化ケイ素またはアルミニウムなどを用いることができる。高音響インピーダンス層の材料としては、例えば、白金またはタングステンなどの金属や、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素などの誘電体を用いることができる。

【0063】

弾性波装置３１は、音響反射膜３７を有するため、弾性波のエネルギーを圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。

【0064】

本実施形態における圧電性基板３２上の電極構造は、第１の実施形態と同様である。よって、ピストンモードが成立し、横モードを抑制することができる。加えて、第１の実施形態と同様に、高次モード共振領域における、高次モードの位相をずらすことができる。これにより、高次モードの共振を抑制することができる。従って、横モードだけではなく、高次モードをも抑制することができる。

【0065】

図１７は、第３の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。なお、図１７において符号を付していないが、第１の実施形態及び第２の実施形態と同様に、弾性波装置４１は、第１の拡張エッジ領域Ｅｘ１、第２の拡張エッジ領域Ｅｘ２及び拡張中央領域Ｃｘなどを有する。

【0066】

本実施形態においては、一対の音速調整部の構成及び配置が、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置４１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。

【0067】

ＩＤＴ電極４７、第１の反射器４８及び第２の反射器４９の複数の電極指は、幅広部を有する。それによって、一対の音速調整部が構成されている。より具体的には、幅広部における電極指の幅は、拡張中央領域Ｃｘおける電極指の幅よりも広い。これにより、拡張中央領域Ｃｘにおける音速よりも、一対の音速調整部における音速は低い。本実施形態の構成の詳細を以下において説明する。

【0068】

ＩＤＴ電極４７の複数の電極指は、第１のエッジ領域Ｅ１及び第２のエッジ領域Ｅ２において幅広部を有する。より具体的には、複数の第１の電極指５６は、第１のエッジ領域Ｅ１において、幅広部５６ａを有する。さらに、複数の第１の電極指５６は、第２のエッジ領域Ｅ２において、幅広部５６ｂを有する。同様に、複数の第２の電極指５７は、第１のエッジ領域Ｅ１において、幅広部５７ａを有する。さらに、複数の第２の電極指５７は、第２のエッジ領域Ｅ２において、幅広部５７ｂを有する。本実施形態においては、ＩＤＴ電極４７の全ての電極指が、幅広部を有する。もっとも、幅広部を有する電極指は、必ずしもＩＤＴ電極４７の全ての電極指ではなくともよい。

【0069】

ここで、弾性波装置４１においては、第１の音速調整部Ｌの第１の端部Ｌａは、第２の音速調整部Ｍの第３の端部Ｍａよりも、ｘ方向において内側に位置している。第１の端部Ｌａ及び第３の端部Ｍａは、第１の反射器４８に配置されている。より詳細には、第１の反射器４８の複数の電極指５８は、第１の拡張エッジ領域Ｅｘ１において幅広部５８ａを有する。第１の音速調整部Ｌの第１の端部Ｌａは、幅広部５８ａのうちＩＤＴ電極４７から最も遠い幅広部の、ＩＤＴ電極４７から遠い側の端部である。第１の反射器４８の複数の電極指５８は、第２の拡張エッジ領域Ｅｘ２において幅広部５８ｂを有する。第２の音速調整部Ｍの第３の端部Ｍａは、幅広部５８ｂのうちＩＤＴ電極４７から最も遠い幅広部の、ＩＤＴ電極４７から遠い側の端部である。第３の端部Ｍａが位置する電極指５８は、幅広部５８ａを有しない。

【0070】

弾性波装置４１においては、第１の反射器４８のＩＤＴ電極４７に最も近い電極指５８から、連続して複数の電極指５８が、幅広部５８ａ及び幅広部５８ｂの双方を有する。該複数の電極指５８よりも、ＩＤＴ電極４７から遠い電極指５８が、幅広部５８ａ及び幅広部５８ｂのうち幅広部５８ｂのみを有する。もっとも、幅広部５８ａ及び幅広部５８ｂの配置は上記に限定されない。第３の端部Ｍａが第１の端部Ｌａよりもｘ方向における外側に位置している場合には、第３の端部Ｍａが位置する幅広部５８ｂが、第１の端部Ｌａが位置する幅広部５８ａよりも、ｘ方向において外側に位置していればよい。第１の端部Ｌａが第３の端部Ｍａよりもｘ方向における外側に位置している場合には、第１の端部Ｌａが位置する幅広部５８ａが、第３の端部Ｍａが位置する幅広部５８ｂよりも、ｘ方向において外側に位置していればよい。少なくとも１本の電極指５８が幅広部５８ａを有していればよく、少なくとも１本の電極指５８が幅広部５８ｂを有していればよい。

【0071】

図１７に示すように、第１の音速調整部Ｌの第２の端部Ｌｂは、第２の音速調整部Ｍの第４の端部Ｍｂよりも、ｘ方向において内側に位置している。第２の端部Ｌｂ及び第４の端部Ｍｂは、第２の反射器４９に配置されている。より詳細には、第２の反射器４９の複数の電極指５９は、第１の拡張エッジ領域Ｅｘ１において幅広部５９ａを有する。第１の音速調整部Ｌの第２の端部Ｌｂは、幅広部５９ａのうちＩＤＴ電極４７から最も遠い幅広部の、ＩＤＴ電極４７から遠い側の端部である。第２の反射器４９の複数の電極指５９は、第２の拡張エッジ領域Ｅｘ２において幅広部５９ｂを有する。第２の音速調整部Ｍの第４の端部Ｍｂは、幅広部５９ｂのうちＩＤＴ電極４７から最も遠い幅広部の、ＩＤＴ電極４７から遠い側の端部である。第４の端部Ｍｂが位置する電極指５９は、幅広部５９ａを有しない。

【0072】

弾性波装置４１においては、第２の反射器４９のＩＤＴ電極４７に最も近い電極指５９から、連続して複数の電極指５９が、幅広部５９ａ及び幅広部５９ｂの双方を有する。該複数の電極指５９よりも、ＩＤＴ電極４７から遠い電極指５９が、幅広部５９ａ及び幅広部５９ｂのうち幅広部５９ｂのみを有する。もっとも、幅広部５９ａ及び幅広部５９ｂの配置は上記に限定されない。第４の端部Ｍｂが第２の端部Ｌｂよりもｘ方向における外側に位置している場合には、第４の端部Ｍｂが位置する幅広部５９ｂが、第２の端部Ｌｂが位置する幅広部５９ａよりも、ｘ方向において外側に位置していればよい。第２の端部Ｌｂが第４の端部Ｍｂよりもｘ方向における外側に位置している場合には、第２の端部Ｌｂが位置する幅広部５９ａが、第４の端部Ｍｂが位置する幅広部５９ｂよりも、ｘ方向において外側に位置していればよい。少なくとも１本の電極指５９が幅広部５９ａを有していればよく、少なくとも１本の電極指５９が幅広部５９ｂを有していればよい。

【0073】

本実施形態においては、第１の実施形態と同様に、ｙ方向における各領域の配置が、中央領域Ｃ、一対の音速調整部及び一対の高音速領域の順序の配置とされている。それによって、ピストンモードが成立し、横モードを抑制することができる。

【0074】

さらに、第１の端部Ｌａ及び第３の端部Ｍａと、第２の端部Ｌｂ及び第４の端部Ｍｂとの双方が、ｙ方向において重なっていない。これにより、高次モード共振領域における、高次モードの位相をずらすことができる。よって、高次モードの共振を抑制することができる。従って、横モードだけではなく、高次モードをも抑制することができる。

【0075】

なおＩＤＴ電極４７、第１の反射器４８及び第２の反射器４９の複数の電極指が幅広部を有する場合にも、例えば、複数の電極指上に質量付加膜が設けられていてもよい。幅広部及び質量付加膜が設けられていることにより、一対の音速調整部が構成されていてもよい。

【符号の説明】

【0076】

１…弾性波装置
２…圧電性基板
３…支持基板
４…高音速膜
５…低音速膜
６…圧電体層
７…ＩＤＴ電極
８，９…第１，第２の反射器
１２，１３…質量付加膜
１４，１５…第１，第２のバスバー
１６，１７…第１，第２の電極指
１８，１９…電極指
２２Ａ～２２Ｄ…圧電性基板
２３…保護膜
２４…高音速支持基板
３１…弾性波装置
３２…圧電性基板
３４ａ，３４ｂ…高音響インピーダンス層
３５ａ，３５ｂ…低音響インピーダンス層
３７…音響反射膜
４１…弾性波装置
４７…ＩＤＴ電極
４８，４９…第１，第２の反射器
５６，５７…第１，第２の電極指
５６ａ，５６ｂ，５７ａ，５７ｂ…幅広部
５８，５９…電極指
５８ａ，５８ｂ，５９ａ，５９ｂ…幅広部
Ａ…交叉領域
Ｃ…中央領域
Ｃｘ…拡張中央領域
Ｅ１，Ｅ２…第１，第２のエッジ領域
Ｅｘ１，Ｅｘ２…第１，第２の拡張エッジ領域
Ｇ１，Ｇ２…第１，第２のギャップ領域
Ｌ，Ｍ…第１，第２の音速調整部
Ｌａ，Ｌｂ…第１，第２の端部
Ｍａ，Ｍｂ…第３，第４の端部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】