(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-06-19
(45)【発行日】2024-06-27
(54)【発明の名称】太陽電池の製造方法、仕掛太陽電池基板、及び太陽電池
(51)【国際特許分類】
H01L 31/0747 20120101AFI20240620BHJP
【ＦＩ】
H01L31/06 455
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2021511381
(86)(22)【出願日】2020-03-16
(86)【国際出願番号】 JP2020011484
(87)【国際公開番号】W WO2020203227
(87)【国際公開日】2020-10-08
【審査請求日】2023-02-14
(31)【優先権主張番号】P 2019068106
(32)【優先日】2019-03-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000000941
【氏名又は名称】株式会社カネカ
(74)【代理人】
【識別番号】100100480
【弁理士】
【氏名又は名称】藤田 隆
(72)【発明者】
【氏名】阿部 祐介
(72)【発明者】
【氏名】吉田 航
(72)【発明者】
【氏名】日野 将志
【審査官】吉岡 一也
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１８－０１０９１６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－００５２５３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１８－１６３９８８（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１５／０６０４３２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００８－０１０８６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００２－２００５９９（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０３５８４９５（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ３１／０４－３１／２０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
半導体基板の第１主面側に、一導電型半導体層、逆導電型半導体層、第１電極層、及び第２電極層を備え、前記半導体基板と前記第１電極層の間に前記一導電型半導体層が介在し、さらに前記半導体基板と前記第２電極層の間に前記逆導電型半導体層が介在する太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の第１主面側に前記逆導電型半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、
前記逆導電型半導体層上に酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とするリフトオフ層を形成するリフトオフ層形成工程と、
前記半導体基板を平面視したときに、一部が前記リフトオフ層と重なり部分をもつように前記一導電型半導体層を形成する第２半導体層形成工程と、
リフトオフ液で前記リフトオフ層を溶解することで、前記一導電型半導体層の前記重なり部分を除去するリフトオフ工程を含み、
前記リフトオフ層形成工程では、１５０℃以下の製膜温度で第１反応ガスを吹き付けて前記リフトオフ層を製膜する、太陽電池の製造方法。
【請求項2】
前記リフトオフ層上に保護層を製膜する保護層形成工程を含み、前記保護層は、酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とし、前記リフトオフ層よりも密度が高い、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項3】
前記半導体基板を基準として前記逆導電型半導体層の外側に所定の形状のレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、エッチング液で前記逆導電型半導体層の一部を除去するエッチング工程と、
前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程を含み、
前記レジスト層形成工程では、前記半導体基板を平面視したときに、前記逆導電型半導体層に前記レジスト層と重ならない非重畳部分があり、
前記エッチング工程では、前記逆導電型半導体層の前記非重畳部分の一部又は全部を除去する、請求項１又は２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項4】
前記リフトオフ層上に、酸化シリコンを主成分とする保護層を形成する保護層形成工程を含み、前記保護層形成工程では、１５０℃以下の温度で第２反応ガスを吹き付けて前記保護層を製膜するものであり、
前記第２反応ガスは、シランガスと、二酸化炭素と、水素ガスを含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項5】
前記第２反応ガスは、シランガスに対する水素ガスの流量比が５０以上である、請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項6】
前記保護層形成工程での前記保護層の製膜温度は、実質的に前記リフトオフ層形成工程での前記リフトオフ層の製膜温度以上であって、前記リフトオフ層形成工程での前記リフトオフ層の製膜温度との温度差が５０℃以下である、請求項４又は５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項7】
半導体基板の第１主面側に、一導電型半導体層、逆導電型半導体層、第１電極層、及び第２電極層を備え、前記半導体基板と前記第１電極層の間に前記一導電型半導体層が介在し、さらに前記半導体基板と前記第２電極層の間に前記逆導電型半導体層が介在する太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の第１主面側に前記逆導電型半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、
前記逆導電型半導体層上に酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とするリフトオフ層を形成するリフトオフ層形成工程と、
前記リフトオフ層上に、酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とし前記リフトオフ層よりも密度が高い保護層を製膜する保護層形成工程と、
前記半導体基板を平面視したときに、前記リフトオフ層と重なり部分をもつように前記一導電型半導体層を形成する第２半導体層形成工程と、
リフトオフ液で前記リフトオフ層を溶解することで、前記一導電型半導体層の前記重なり部分を除去するリフトオフ工程を含み、
前記リフトオフ工程は、前記保護層形成工程の以後に行うものであり、
前記保護層形成工程では、１５０℃以下の温度で第２反応ガスを吹き付けて前記保護層を製膜するものであり、
前記第２反応ガスは、シランガスと、二酸化炭素と、水素ガスとを含むものであって、シランガスに対する水素ガスの流量比が５０以上である、太陽電池の製造方法。
【請求項8】
半導体基板の第１主面側に、一導電型半導体層と、逆導電型半導体層を備えた仕掛太陽電池基板であって、前記半導体基板を基準として、前記逆導電型半導体層の外側にリフトオフ層を有し、
前記リフトオフ層は、前記半導体基板を基準として、外側に前記一導電型半導体層が積層されており、
前記一導電型半導体層は、前記半導体基板を平面視したときに前記リフトオフ層と重なり部分があり、
前記リフトオフ層は、リフトオフ液に浸すことで、溶解して前記一導電型半導体層の前記重なり部分を除去可能であり、
前記リフトオフ層は、酸化シリコンを主成分とし、２重量％のフッ化水素酸に浸したときのエッチング速度が５ｎｍ／ｓ以上である、仕掛太陽電池基板。
【請求項9】
前記リフトオフ層上に保護層を有し、前記保護層は、酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とし、前記リフトオフ層よりも密度が高い、請求項８に記載の仕掛太陽電池基板。
【請求項10】
前記リフトオフ層上に保護層を有し、前記保護層は、酸化シリコンを主成分とし、屈折率が前記リフトオフ層の屈折率よりも高い、請求項８又は９に記載の仕掛太陽電池基板。
【請求項11】
半導体基板の第１主面側に、導電型半導体層を備えた仕掛太陽電池基板であって、前記半導体基板を基準として、前記導電型半導体層の外側にリフトオフ層と保護層がこの順に積層されており、
前記リフトオフ層は、酸化シリコンを主成分とし、２重量％のフッ化水素酸に浸したときのエッチング速度が５ｎｍ／ｓ以上であり、
前記保護層は、酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とし、前記リフトオフ層よりも密度が高い、仕掛太陽電池基板。
【請求項12】
前記半導体基板の第２主面側の最表面に前記リフトオフ層よりも２重量％のフッ化水素酸に浸したときのエッチング速度が遅い第２保護層が被覆されている、請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の仕掛太陽電池基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、太陽電池の製造方法、仕掛太陽電池基板、及び太陽電池に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体基板の裏面側にのみ電極層を設けたバックコンタクト型の太陽電池が開発されている（特許文献１）。
このバックコンタクト型の太陽電池は、一対の電極層間や異なる導電型の半導体層同士が近い位置に配されるため、高精度で一対の電極層や異なる導電型の半導体層をパターニングしなければならない。
このバックコンタクト型の太陽電池は、一対の電極層間や異なる導電型の半導体層同士が近い位置に配されるため、高精度で一対の電極層や異なる導電型の半導体層をパターニングしなければならない。
【0003】
そこで、高精度にパターニングする方法として、特許文献１には、リフトオフを利用して半導体層をパターニングする方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１３－１２０８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、太陽電池の製造コストを下げるためには、大量の太陽電池を同時に形成する必要がある。そこで、本発明者は、特許文献１のリフトオフの方法を参考に、大面積（縦１２００ｍｍ×横１０００ｍｍ）のプラズマＣＶＤ装置で複数の基板に対して同時に酸化シリコン層でリフトオフ層を製膜し、バックコンタクト型の太陽電池を試作した。
しかしながら、試作したリフトオフの方法では、小面積で製膜する際には良好な品質の太陽電池が得られるものの、大面積で製膜する際に、基板間での膜厚分布が大きくなり、品質に偏りが発生し、歩留まりが悪いという問題が生じていた。
しかしながら、試作したリフトオフの方法では、小面積で製膜する際には良好な品質の太陽電池が得られるものの、大面積で製膜する際に、基板間での膜厚分布が大きくなり、品質に偏りが発生し、歩留まりが悪いという問題が生じていた。
【0006】
そこで、本発明は、従来に比べて大量生産が容易で、歩留まりが良好な太陽電池の製造方法及び太陽電池を提供することを目的とする。
本発明は、太陽電池を製造するにあたって、従来に比べて、効率良くリフトオフでき、製造効率を向上できる仕掛太陽電池基板を提供することを目的とする。
本発明は、太陽電池を製造するにあたって、従来に比べて、効率良くリフトオフでき、製造効率を向上できる仕掛太陽電池基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
上記した課題を解決するための本発明の一つの様相は、半導体基板の第１主面側に、一導電型半導体層、逆導電型半導体層、第１電極層、及び第２電極層を備え、前記半導体基板と前記第１電極層の間に前記一導電型半導体層が介在し、さらに前記半導体基板と前記第２電極層の間に前記逆導電型半導体層が介在する太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の第１主面側に前記逆導電型半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、前記逆導電型半導体層上に酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とするリフトオフ層を形成するリフトオフ層形成工程と、前記半導体基板を平面視したときに、一部が前記リフトオフ層と重なり部分をもつように前記一導電型半導体層を形成する第２半導体層形成工程と、リフトオフ液で前記リフトオフ層を溶解することで、前記一導電型半導体層の前記重なり部分を除去するリフトオフ工程を含み、前記リフトオフ層形成工程では、１５０℃以下の製膜温度で第１反応ガスを吹き付けて前記リフトオフ層を製膜する、太陽電池の製造方法である。
【0008】
ここでいう「一導電型」とはｎ型又はｐ型であることをいい、「逆導電型」とは一導電型とは逆の導電型、すなわち、一導電型がｎ型の場合にはｐ型をいい、一導電型がｐ型の場合にはｎ型をいう。
ここでいう「主成分」とは、全成分の５０％以上を占める成分をいう。
ここでいう「主成分」とは、全成分の５０％以上を占める成分をいう。
【0009】
本様相によれば、リフトオフ層をリフトオフ液で溶解することで一導電型半導体層のパターニングが可能であるため、フォトレジストでパターニングする従来の方法に比べて、低コストで製造できる。
本様相によれば、１５０℃以下の製膜温度で酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とするリフトオフ層を形成するので、たとえ大面積の製膜装置であっても面内の膜厚分布が均一で密度が粗いリフトオフ層を形成できる。そのため、大量生産が可能であるとともに、リフトオフ液によるエッチング速度が大きいリフトオフ層を容易に製膜できる。
本様相によれば、１５０℃以下の製膜温度で酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とするリフトオフ層を形成するので、たとえ大面積の製膜装置であっても面内の膜厚分布が均一で密度が粗いリフトオフ層を形成できる。そのため、大量生産が可能であるとともに、リフトオフ液によるエッチング速度が大きいリフトオフ層を容易に製膜できる。
【0010】
好ましい様相は、前記リフトオフ層上に保護層を製膜する保護層形成工程を含み、前記保護層は、酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とし、前記リフトオフ層よりも密度が高いことである。
【0011】
好ましい様相は、前記半導体基板を基準として前記逆導電型半導体層の外側に所定の形状のレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、エッチング液で前記逆導電型半導体層の一部を除去するエッチング工程と、前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程を含み、前記レジスト層形成工程では、前記半導体基板を平面視したときに、前記逆導電型半導体層に前記レジスト層と重ならない非重畳部分があり、前記エッチング工程では、前記逆導電型半導体層の前記非重畳部分の一部又は全部を除去することである。
【0012】
ところで、通常、高温（例えば、１８０℃以上）で酸化シリコン層を製膜する場合、原料ガスを水素希釈すると、膜中に取り込まれる水素原子が増加する。そのため、本発明者は、低温（１５０℃以下）で製膜した場合にも、原料ガスを水素希釈すると、疎な膜が形成されると考えていた。しかしながら、実際に、水素希釈した原料ガスで酸化シリコン層を低温製膜すると、予想に反して緻密な膜が形成されていた。
【0013】
この結果から導き出される好ましい様相は、前記リフトオフ層上に、酸化シリコンを主成分とする保護層を形成する保護層形成工程を含み、前記保護層形成工程では、１５０℃以下の温度で第２反応ガスを吹き付けて前記保護層を製膜するものであり、前記第２反応ガスは、シランガスと、二酸化炭素と、水素ガスを含むことである。
【0014】
本様相によれば、水素ガスで希釈された第２反応ガスを用いて低温で保護層を製膜するため、容易に緻密な保護層を形成できる。
【0015】
好ましい様相は、前記第２反応ガスは、シランガスに対する水素ガスの流量比が５０以上である。
【0016】
ところで、同一の製膜室で複数の層を連続的に製膜する場合、高温条件（例えば、１８０℃以上）で製膜した後に、低温条件（例えば、１５０℃以下）で製膜すると、製膜室の温度が低温条件に達するまで、冷却する必要がある。低温条件で製膜した後に高温条件で製膜する場合も同様に、製膜室の温度が高温条件に達するまで加熱する必要がある。
ここで、製膜装置は、一般的に、高温条件から低温条件まで降温する時間に比べて、低温条件から高温条件に昇温する時間は短い。
ここで、製膜装置は、一般的に、高温条件から低温条件まで降温する時間に比べて、低温条件から高温条件に昇温する時間は短い。
【0017】
そこで、好ましい様相は、前記保護層形成工程での前記保護層の製膜温度は、実質的に前記リフトオフ層形成工程での前記リフトオフ層の製膜温度以上であって、前記リフトオフ層形成工程での前記リフトオフ層の製膜温度との温度差が５０℃以下である。
【0018】
ここでいう「保護層の製膜温度が実質的にリフトオフ層の製膜温度以上である」とは、外気や装置の性能等による製膜時の製膜温度の僅かな温度変動（例えば、３℃）を許容するものである。例えば、保護層の製膜温度が（リフトオフ層の製膜温度－３℃）以上となる場合も含む。
【0019】
本様相によれば、効率良く連続的に製膜できる。
【0020】
本発明の一つの様相は、半導体基板の第１主面側に、一導電型半導体層、逆導電型半導体層、第１電極層、及び第２電極層を備え、前記半導体基板と前記第１電極層の間に前記一導電型半導体層が介在し、さらに前記半導体基板と前記第２電極層の間に前記逆導電型半導体層が介在する太陽電池の製造方法であって、前記半導体基板の第１主面側に前記逆導電型半導体層を形成する第１半導体層形成工程と、前記逆導電型半導体層上に酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とするリフトオフ層を形成するリフトオフ層形成工程と、前記リフトオフ層上に、酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とし前記リフトオフ層よりも密度が高い保護層を製膜する保護層形成工程と、前記半導体基板を平面視したときに、前記リフトオフ層と重なり部分をもつように前記一導電型半導体層を形成する第２半導体層形成工程と、リフトオフ液で前記リフトオフ層を溶解することで、前記一導電型半導体層の前記重なり部分を除去するリフトオフ工程を含み、前記リフトオフ工程は、前記保護層形成工程の以後に行うものであり、前記保護層形成工程では、１５０℃以下の温度で第２反応ガスを吹き付けて前記保護層を製膜するものであり、前記第２反応ガスは、シランガスと、二酸化炭素と、水素ガスとを含むものであって、シランガスに対する水素ガスの流量比が５０以上である、太陽電池の製造方法である。
【0021】
本様相によれば、リフトオフ層をリフトオフ液で溶解することで一導電型半導体層のパターニングが可能であるため、フォトレジストでパターニングする従来の方法に比べて、製造工程を簡略化でき、低コストで製造できる。
本様相によれば、保護層形成工程において、１５０℃以下でかつ水素ガスでシランガスが希釈された第２反応ガスで保護層を製膜するため、緻密な保護層を形成できる。
本様相によれば、保護層形成工程において、１５０℃以下でかつ水素ガスでシランガスが希釈された第２反応ガスで保護層を製膜するため、緻密な保護層を形成できる。
【0022】
ここで、近年の太陽電池の製造工程では、一拠点のみで製造されるのではなく、多拠点で製造されることがある。すなわち、一の拠点で太陽電池の仕掛品たる仕掛太陽電池基板を製造し、他の拠点で当該仕掛太陽電池基板を用いて太陽電池を製造する場合がある。そのため、完成品の構造だけではなく、仕掛品たる仕掛太陽電池基板の構造も太陽電池の量産化には重要である。
【0023】
本発明の一つの様相は、半導体基板の第１主面側に、一導電型半導体層と、逆導電型半導体層を備えた仕掛太陽電池基板であって、前記半導体基板を基準として、前記逆導電型半導体層の外側にリフトオフ層を有し、前記リフトオフ層は、前記半導体基板を基準として、外側に前記一導電型半導体層が積層されており、前記一導電型半導体層は、前記半導体基板を平面視したときに前記リフトオフ層と重なり部分があり、前記リフトオフ層は、リフトオフ液に浸すことで、溶解して前記一導電型半導体層の前記重なり部分を除去可能であり、前記リフトオフ層は、酸化シリコンを主成分とし、２重量％のフッ化水素酸に浸したときのエッチング速度が５ｎｍ／ｓ以上である、仕掛太陽電池基板である。
【0024】
本様相によれば、効率良くリフトオフでき、製造効率を向上できる。
【0025】
好ましい様相は、前記リフトオフ層上に保護層を有し、前記保護層は、酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とし、前記リフトオフ層よりも密度が高いことである。
【0026】
ところで、本発明者が検討を重ねた結果、以下のことを発見した。すなわち、酸化シリコンは、密度が大きくなると屈折率が大きくなり、密度が小さくなると屈折率が小さくなる傾向がある。また、酸化シリコンは、密度が大きくなると、フッ化水素酸におけるエッチング速度が大きくなり、密度が小さくなると、フッ化水素酸におけるエッチング速度が小さくなる傾向がある。
そこで、本発明者は、酸化シリコンにおいて、屈折率とフッ化水素酸におけるエッチング速度の相関関係を検討したところ、屈折率とフッ化水素酸におけるエッチング速度の間に一定の相関がみられ、ある範囲の屈折率にすることで良好にエッチングされ、効率良くリフトオフできることを発見した。
そこで、本発明者は、酸化シリコンにおいて、屈折率とフッ化水素酸におけるエッチング速度の相関関係を検討したところ、屈折率とフッ化水素酸におけるエッチング速度の間に一定の相関がみられ、ある範囲の屈折率にすることで良好にエッチングされ、効率良くリフトオフできることを発見した。
【0027】
好ましい様相は、前記リフトオフ層上に保護層を有し、前記保護層は、酸化シリコンを主成分とし、屈折率が前記リフトオフ層の屈折率よりも高いことである。
【0028】
本様相によれば、保護層のエッチング速度をリフトオフ層のエッチング速度よりも遅くできる。
【0029】
本発明の一つの様相は、半導体基板の第１主面側に、導電型半導体層を備えた仕掛太陽電池基板であって、前記半導体基板を基準として、前記導電型半導体層の外側にリフトオフ層と保護層がこの順に積層されており、前記リフトオフ層は、酸化シリコンを主成分とし、２重量％のフッ化水素酸に浸したときのエッチング速度が５ｎｍ／ｓ以上であり、前記保護層は、酸化シリコン又は窒化シリコンを主成分とし、前記リフトオフ層よりも密度が高い、仕掛太陽電池基板である。
【0030】
本様相によれば、効率良くリフトオフでき、製造効率を向上できる。
【0031】
好ましい様相は、前記半導体基板の第２主面側の最表面に前記リフトオフ層よりも２重量％のフッ化水素酸に浸したときのエッチング速度が遅い第２保護層が被覆されていることである。
【0032】
また、上記様相は、前記半導体基板の第２主面側の最表面に前記リフトオフ層よりも前記リフトオフ液に対する耐性を有する第２保護層が被覆されていてもよい。
【0033】
本発明の一つの様相は、半導体基板の第１主面側に、一導電型半導体層、逆導電型半導体層、第１電極層、及び第２電極層を備え、前記半導体基板と前記第１電極層の間に前記一導電型半導体層が介在し、さらに前記半導体基板と前記第２電極層の間に前記逆導電型半導体層が介在する太陽電池であって、真性半導体層を有し、前記真性半導体層は、前記半導体基板と、前記一導電型半導体層及び前記逆導電型半導体層とのそれぞれの間に介在し、さらに前記半導体基板の前記第１主面の広がり方向において、前記一導電型半導体層と前記逆導電型半導体層の間にも介在しており、前記真性半導体層は、前記一導電型半導体層と前記逆導電型半導体層の間から前記第１主面に対する直交方向に露出している、太陽電池である。
【0034】
本様相によれば、電極層間や導電型が異なる半導体層の接触を真性半導体層で防止できるため、安全性に優れた太陽電池となる。
本様相によれば、上記した様相の製造方法で形成できるため、大量生産が容易である。
本様相によれば、上記した様相の製造方法で形成できるため、大量生産が容易である。
【0035】
好ましい様相は、前記真性半導体層は、第１真性層と、第２真性層で構成されており、前記第１真性層は、前記半導体基板と前記逆導電型半導体層の間に介在しており、前記第２真性層は、前記半導体基板と前記一導電型半導体層の間に介在しており、前記第２真性層は、前記半導体基板を基準として、前記逆導電型半導体層の外側を覆っていないことである。
【0036】
より好ましい様相は、前記第２真性層は、前記半導体基板を基準として、前記逆導電型半導体層の外側面と面一又は外側面よりも内側に位置していることである。
【発明の効果】
【0037】
本発明の太陽電池の製造方法及び太陽電池によれば、従来に比べて大量生産が容易で歩留まりが良好となる。
本発明の仕掛太陽電池基板によれば、太陽電池を製造するにあたって、従来に比べて、効率良くリフトオフでき、製造効率を向上できる。
本発明の仕掛太陽電池基板によれば、太陽電池を製造するにあたって、従来に比べて、効率良くリフトオフでき、製造効率を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【0038】
【図1】本発明の第１実施形態の太陽電池を模式的に示した斜視図である。
【図4】図１の太陽電池の製造方法の説明図であり、（ａ）は第１真性半導体層形成工程における断面図を表し、（ｂ）は第１半導体層形成工程における断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図5】図１の太陽電池の製造方法の図４の各工程に続く工程の説明図であり、（ａ）はリフトオフ層形成工程における断面図を表し、（ｂ）は第１保護層形成工程における断面図を表し、（ｃ）は第２保護層形成工程における断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図6】図１の太陽電池の製造方法の図５の各工程に続く工程の説明図であり、（ａ）はレジスト層形成工程における断面図を表し、（ｂ）はエッチング工程における断面図を表し、（ｃ）はレジスト層除去工程における断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図7】図１の太陽電池の製造方法の図６の各工程に続く工程の説明図であり、（ａ）は第２真性半導体層形成工程における断面図を表し、（ｂ）は第２半導体層形成工程における断面図を表し、（ｃ）はリフトオフ工程における断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図8】図１の太陽電池の製造方法の図７の各工程に続く工程の説明図であり、（ａ）は反射防止層形成工程における断面図を表し、（ｂ）は透明電極層形成工程における断面図を表し、（ｃ）は金属電極層形成工程における断面図を表す。なお、各工程において製膜した層のみをハッチングで示し、残りのハッチングを省略している。
【図9】本発明の実施例及び比較例の測定に使用するトレーの説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0039】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、表裏については、受光面側を表、その反対側を裏とする。
【0040】
本発明の第１実施形態の太陽電池１は、バックコンタクト型の太陽電池であり、図１のように、支持基板となる半導体基板５の裏側主面２６（第１主面）側に一対の電極層２，３が形成され、表側主面２５（第２主面）側には電極層２，３が形成されていないものである。本実施形態の太陽電池１は、ヘテロ接合型の太陽電池でもある。
【0041】
太陽電池１は、図１のように、半導体基板５の表側主面２５側に第１真性半導体層６及び反射防止層７がこの順に積層されている。
太陽電池１は、半導体基板５の裏側主面２６側の一部分に、第２真性半導体層１０（第２真性層）、一導電型半導体層１１、第１電極層２が積層されており、半導体基板５の裏側主面２６側の他の部分に、第３真性半導体層１５（第１真性層）、逆導電型半導体層１６、第２電極層３が積層されている。
太陽電池１は、図２のように、縦方向Ｙにおいて、一導電型半導体層１１と逆導電型半導体層１６の間に第２真性半導体層１０が介在している。
太陽電池１は、半導体基板５の裏側主面２６側の一部分に、第２真性半導体層１０（第２真性層）、一導電型半導体層１１、第１電極層２が積層されており、半導体基板５の裏側主面２６側の他の部分に、第３真性半導体層１５（第１真性層）、逆導電型半導体層１６、第２電極層３が積層されている。
太陽電池１は、図２のように、縦方向Ｙにおいて、一導電型半導体層１１と逆導電型半導体層１６の間に第２真性半導体層１０が介在している。
【0042】
太陽電池１は、図１のように、略四角形状であり、互いに直交する四辺を有している。すなわち、太陽電池１は、横方向Ｘに延びる横辺と、縦方向Ｙに延びる縦辺を備えている。
【0043】
電極層２，３は、図３のように、半導体層１１，１６から電気を取り出す集電極であり、裏面視したときに、ともに櫛状であり、互いに入り組んだ形状となっている。
すなわち、第１電極層２は、第１バスバー電極部４０と第１フィンガー電極部４１を備えており、第１フィンガー電極部４１は、第１バスバー電極部４０から第１バスバー電極部４０に対して直交する方向に延びている。
同様に第２電極層３は、第２バスバー電極部４５と第２フィンガー電極部４６を備えており、第２フィンガー電極部４６は、第２バスバー電極部４５から第２バスバー電極部４５に対して直交する方向に延びている。
すなわち、第１電極層２は、第１バスバー電極部４０と第１フィンガー電極部４１を備えており、第１フィンガー電極部４１は、第１バスバー電極部４０から第１バスバー電極部４０に対して直交する方向に延びている。
同様に第２電極層３は、第２バスバー電極部４５と第２フィンガー電極部４６を備えており、第２フィンガー電極部４６は、第２バスバー電極部４５から第２バスバー電極部４５に対して直交する方向に延びている。
【0044】
バスバー電極部４０，４５は、裏面視したときに、縦辺に沿って縦方向Ｙに延び、横方向Ｘに互いに平行となっている。
フィンガー電極部４１，４６は、横方向Ｘに互いに入り組んで延びている。
すなわち、第１フィンガー電極部４１は、第１バスバー電極部４０から第２バスバー電極部４５に向かって横方向Ｘに直線状に延び、第２フィンガー電極部４６は、第２バスバー電極部４５から第１バスバー電極部４０に向かって横方向Ｘに直線状に延びている。フィンガー電極部４１，４６は、縦方向Ｙに交互に並んでいる。
フィンガー電極部４１，４６は、横方向Ｘに互いに入り組んで延びている。
すなわち、第１フィンガー電極部４１は、第１バスバー電極部４０から第２バスバー電極部４５に向かって横方向Ｘに直線状に延び、第２フィンガー電極部４６は、第２バスバー電極部４５から第１バスバー電極部４０に向かって横方向Ｘに直線状に延びている。フィンガー電極部４１，４６は、縦方向Ｙに交互に並んでいる。
【0045】
電極層２，３は、図２のように、半導体基板５側から順に透明電極層２０，２１と、金属電極層２２，２３が積層した多層構造となっている。なお、電極層２，３は、金属電極層２２，２３のみの単層構造であってもよいし、透明電極層２０，２１のみの単層構造であってもよい。
【0046】
半導体層１１，１６は、図３のように、電極層２，３の下地をなし、裏面視したときに、電極層２，３と同様、ともに櫛状であって、互いに入り組んだ形状となっている。
裏面視したときに、一導電型半導体層１１と逆導電型半導体層１６の間には、蛇行した分離溝３５が形成されており、一導電型半導体層１１の下地となる第２真性半導体層１０が分離溝３５に充填されている。すなわち、一導電型半導体層１１と逆導電型半導体層１６は、半導体基板５の広がり方向において第２真性半導体層１０によって電気的に絶縁されている。
第２真性半導体層１０は、一導電型半導体層１１と逆導電型半導体層１６の間から厚み方向（半導体基板５の裏側主面２６に対する直交方向）に露出している。すなわち、一導電型半導体層１１は、半導体基板５の厚み方向において逆導電型半導体層１６と重なっておらず、逆導電型半導体層１６も一導電型半導体層１１と重なっていない。
裏面視したときに、一導電型半導体層１１と逆導電型半導体層１６の間には、蛇行した分離溝３５が形成されており、一導電型半導体層１１の下地となる第２真性半導体層１０が分離溝３５に充填されている。すなわち、一導電型半導体層１１と逆導電型半導体層１６は、半導体基板５の広がり方向において第２真性半導体層１０によって電気的に絶縁されている。
第２真性半導体層１０は、一導電型半導体層１１と逆導電型半導体層１６の間から厚み方向（半導体基板５の裏側主面２６に対する直交方向）に露出している。すなわち、一導電型半導体層１１は、半導体基板５の厚み方向において逆導電型半導体層１６と重なっておらず、逆導電型半導体層１６も一導電型半導体層１１と重なっていない。
【0047】
続いて、本実施形態の太陽電池１の製造方法について説明する。なお、従来と同様のものについては、説明を省略する。
【0048】
本実施形態の太陽電池１は、一又は複数の製造拠点で製造するものである。
本実施形態の太陽電池１は、第１仕掛太陽電池基板９９及び第２仕掛太陽電池基板１００を経て、製造されるものである。
本実施形態の太陽電池１は、第１仕掛太陽電池基板９９及び第２仕掛太陽電池基板１００を経て、製造されるものである。
【0049】
まず、図４（ａ）のように、プラズマＣＶＤ装置によって、半導体基板５の表側主面２５上に第１真性半導体層６を製膜し、裏側主面２６上に第３真性半導体層１５を製膜する（第１真性半導体形成工程）。
【0050】
続いて、図４（ｂ）のように、上記工程と同一又は異なるプラズマＣＶＤ装置によって、第３真性半導体層１５上に逆導電型半導体層１６を製膜する（第１半導体層形成工程）。
【0051】
続いて、図５（ａ）のように、上記工程と同一又は異なるプラズマＣＶＤ装置によって、逆導電型半導体層１６上に第１反応ガスを吹き付けてリフトオフ層５０を製膜する（リフトオフ層形成工程）。
【0052】
リフトオフ層形成工程において製膜されるリフトオフ層５０の膜厚は、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましい。
この範囲であれば、後述するリフトオフ用エッチング液が含浸しやすく、リフトオフしやすい。
また、このときの製膜条件としては、以下の条件を満たすことが好ましい。
基板温度（製膜温度）は、１５０℃以下であり、１００℃以上１４０℃以下であることが好ましい。
圧力は、１８０Ｐａ以上２２０Ｐａ以下であることが好ましい。
パワー密度は、０．０１Ｗ／ｃｍ2以上１．００Ｗ／ｃｍ2以下であることが好ましい。
第１反応ガスの成分は、シランガス（ＳｉＨ4）と、二酸化炭素（ＣＯ2）を含み、ＳｉＨ4に対するＣＯ2の流量比（ＳｉＨ4の流量を１としたときのＣＯ2の流量比）が１０以上４００以下である好ましい。
リフトオフ層５０は、半導体基板５を平面視したときに、逆導電型半導体層１６の全体と重なるように製膜されていることが好ましい。
リフトオフ層５０は、半導体基板５を平面視したときに、半導体基板５の面積の９０％以上の範囲で製膜されていることが好ましい。
この範囲であれば、後述するリフトオフ用エッチング液が含浸しやすく、リフトオフしやすい。
また、このときの製膜条件としては、以下の条件を満たすことが好ましい。
基板温度（製膜温度）は、１５０℃以下であり、１００℃以上１４０℃以下であることが好ましい。
圧力は、１８０Ｐａ以上２２０Ｐａ以下であることが好ましい。
パワー密度は、０．０１Ｗ／ｃｍ2以上１．００Ｗ／ｃｍ2以下であることが好ましい。
第１反応ガスの成分は、シランガス（ＳｉＨ4）と、二酸化炭素（ＣＯ2）を含み、ＳｉＨ4に対するＣＯ2の流量比（ＳｉＨ4の流量を１としたときのＣＯ2の流量比）が１０以上４００以下である好ましい。
リフトオフ層５０は、半導体基板５を平面視したときに、逆導電型半導体層１６の全体と重なるように製膜されていることが好ましい。
リフトオフ層５０は、半導体基板５を平面視したときに、半導体基板５の面積の９０％以上の範囲で製膜されていることが好ましい。
【0053】
続いて、図５（ｂ）のように、リフトオフ層形成工程から連続して同じプラズマＣＶＤ装置の製膜室内において、リフトオフ層５０上に第２反応ガスを吹き付けて第１保護層５１を製膜する（第１保護層形成工程）。
【0054】
第１保護層形成工程で製膜される第１保護層５１の膜厚は、リフトオフ層５０の膜厚よりも厚く、２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましい。
この範囲であれば、後述するレジスト除去溶液でリフトオフ層５０が溶解することを防止できる。
また、このときの製膜条件としては、以下の条件を満たすことが好ましい。
基板温度（製膜温度）は、１５０℃以下であり、１００℃以上１４０℃以下であることが好ましい。
第１保護層５１の製膜時の製膜温度は、実質的にリフトオフ層５０の製膜温度以上であることが好ましい。
また、第１保護層５１の製膜時の製膜温度は、リフトオフ層５０の製膜時の製膜温度との温度差が５０℃以下であることが好ましく、２０℃以下であることがより好ましく、５℃以下であることが特に好ましい。
この範囲であれば、速やかに昇温できるため、同一のプラズマＣＶＤ装置の製膜室内で連続的に製膜できる。
圧力は、１８０Ｐａ以上２２０Ｐａ以下であることが好ましい。
パワー密度は、０．０１Ｗ／ｃｍ2以上１．００Ｗ／ｃｍ2以下であることが好ましい。
第２反応ガスは、シランガス（ＳｉＨ4）と、二酸化炭素（ＣＯ2）と、水素ガス（Ｈ2）を含み、ＳｉＨ4に対するＣＯ2の流量比（ＳｉＨ4を１としたときのＣＯ2の流量比）が１以上１００以下であり、ＳｉＨ4に対するＨ2の流量比（ＳｉＨ4を１としたときのＨ2の流量比）が５０以上３００以下であること好ましい。
この範囲であれば、緻密な第１保護層５１を形成できる。
第１保護層５１は、半導体基板５を平面視したときに、リフトオフ層５０の全体と重なるように製膜されていることが好ましい。
第１保護層５１は、半導体基板５を平面視したときに、半導体基板５の面積の９０％以上の範囲で製膜されていることが好ましい。
この範囲であれば、後述するレジスト除去溶液でリフトオフ層５０が溶解することを防止できる。
また、このときの製膜条件としては、以下の条件を満たすことが好ましい。
基板温度（製膜温度）は、１５０℃以下であり、１００℃以上１４０℃以下であることが好ましい。
第１保護層５１の製膜時の製膜温度は、実質的にリフトオフ層５０の製膜温度以上であることが好ましい。
また、第１保護層５１の製膜時の製膜温度は、リフトオフ層５０の製膜時の製膜温度との温度差が５０℃以下であることが好ましく、２０℃以下であることがより好ましく、５℃以下であることが特に好ましい。
この範囲であれば、速やかに昇温できるため、同一のプラズマＣＶＤ装置の製膜室内で連続的に製膜できる。
圧力は、１８０Ｐａ以上２２０Ｐａ以下であることが好ましい。
パワー密度は、０．０１Ｗ／ｃｍ2以上１．００Ｗ／ｃｍ2以下であることが好ましい。
第２反応ガスは、シランガス（ＳｉＨ4）と、二酸化炭素（ＣＯ2）と、水素ガス（Ｈ2）を含み、ＳｉＨ4に対するＣＯ2の流量比（ＳｉＨ4を１としたときのＣＯ2の流量比）が１以上１００以下であり、ＳｉＨ4に対するＨ2の流量比（ＳｉＨ4を１としたときのＨ2の流量比）が５０以上３００以下であること好ましい。
この範囲であれば、緻密な第１保護層５１を形成できる。
第１保護層５１は、半導体基板５を平面視したときに、リフトオフ層５０の全体と重なるように製膜されていることが好ましい。
第１保護層５１は、半導体基板５を平面視したときに、半導体基板５の面積の９０％以上の範囲で製膜されていることが好ましい。
【0055】
続いて、図５（ｃ）のように、リフトオフ層形成工程から連続して同じプラズマＣＶＤ装置の製膜室内において、第１真性半導体層６上に第３反応ガスを吹き付けて第２保護層５２を製膜する（第２保護層形成工程）。
すなわち、第２保護層形成工程では、表側の最表面に第２保護層５２を製膜し、第１仕掛太陽電池基板９９が形成される。
すなわち、第２保護層形成工程では、表側の最表面に第２保護層５２を製膜し、第１仕掛太陽電池基板９９が形成される。
【0056】
第２保護層形成工程で製膜される第２保護層５２の膜厚は、リフトオフ層５０の膜厚よりも厚く、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましい。
また、このときの製膜条件としては、以下の条件を満たすことが好ましい。
基板温度（製膜温度）は、１５０℃以下であり、１００℃以上１４０℃以下であることが好ましい。
第２保護層５２の製膜時の製膜温度は、実質的にリフトオフ層５０の製膜温度以上であることが好ましい。
第２保護層５２の製膜時の製膜温度は、第１保護層５１の製膜時の製膜温度との温度差が５０℃以下であることが好ましく、２０℃以下であることがより好ましく、５℃以下であることが特に好ましい。
この範囲であれば、速やかに温度調節ができるため、同一のプラズマＣＶＤ装置の製膜室内で連続的に製膜できる。
圧力は、１８０Ｐａ以上２２０Ｐａ以下であることが好ましい。
パワー密度は、０．０１Ｗ／ｃｍ2以上１．００Ｗ／ｃｍ2以下であることが好ましい。
第３反応ガスは、シランガス（ＳｉＨ4）と、二酸化炭素（ＣＯ2）と、水素ガス（Ｈ2）を含み、ＳｉＨ4に対するＣＯ2の流量比（ＳｉＨ4を１としたときのＣＯ2の流量比）が１以上４００以下であり、ＳｉＨ4に対するＨ2の流量比（ＳｉＨ4を１としたときのＨ2の流量比）が０超過３００以下であること好ましい。
第２保護層５２は、半導体基板５を平面視したときに、半導体基板５の面積の９０％以上の範囲で製膜されていることが好ましい。
また、このときの製膜条件としては、以下の条件を満たすことが好ましい。
基板温度（製膜温度）は、１５０℃以下であり、１００℃以上１４０℃以下であることが好ましい。
第２保護層５２の製膜時の製膜温度は、実質的にリフトオフ層５０の製膜温度以上であることが好ましい。
第２保護層５２の製膜時の製膜温度は、第１保護層５１の製膜時の製膜温度との温度差が５０℃以下であることが好ましく、２０℃以下であることがより好ましく、５℃以下であることが特に好ましい。
この範囲であれば、速やかに温度調節ができるため、同一のプラズマＣＶＤ装置の製膜室内で連続的に製膜できる。
圧力は、１８０Ｐａ以上２２０Ｐａ以下であることが好ましい。
パワー密度は、０．０１Ｗ／ｃｍ2以上１．００Ｗ／ｃｍ2以下であることが好ましい。
第３反応ガスは、シランガス（ＳｉＨ4）と、二酸化炭素（ＣＯ2）と、水素ガス（Ｈ2）を含み、ＳｉＨ4に対するＣＯ2の流量比（ＳｉＨ4を１としたときのＣＯ2の流量比）が１以上４００以下であり、ＳｉＨ4に対するＨ2の流量比（ＳｉＨ4を１としたときのＨ2の流量比）が０超過３００以下であること好ましい。
第２保護層５２は、半導体基板５を平面視したときに、半導体基板５の面積の９０％以上の範囲で製膜されていることが好ましい。
【0057】
そして、必要に応じて第１仕掛太陽電池基板９９を別の拠点（例えば、別の建物や別の部屋）に移し、図６（ａ）のように、スクリーン印刷等により、第１仕掛太陽電池基板９９の第１保護層５１上に櫛状にパターニングされた液体状のレジスト材料を塗布し、さらに第２保護層５２上に液体状のレジスト材料を塗布し、両面にレジスト材料が塗布された基板に熱処理を施し、乾燥させてレジスト層５５，５６を形成する（レジスト層形成工程）。
【0058】
このとき、第１保護層５１上には、レジスト材料が塗布されレジスト層５５が形成された部分（レジスト形成領域６０）と、レジスト材料が塗布されずレジスト層５５が形成されていない部分（レジスト非形成領域６１）が存在している。すなわち、レジスト層形成工程後の基板には、厚み方向において、逆導電型半導体層１６上にレジスト層５５が重畳した重畳部分（レジスト形成領域６０）と、レジスト層５５が重畳していない非重畳部分（レジスト非形成領域６１）がある。
【0059】
図６（ｂ）のように、レジスト層５５，５６が形成された基板をレジスト用エッチング液（エッチング液）に浸し、レジスト層５５が形成されていない非重畳部分（レジスト非形成領域６１）の一部又は全部において、第３真性半導体層１５、逆導電型半導体層１６、リフトオフ層５０、及び第１保護層５１を除去する（エッチング工程）。
【0060】
このとき使用されるレジスト用エッチング液としては、例えば、フッ化水素酸と硝酸との混合溶液（フッ硝酸）やオゾンとフッ化水素酸を含む溶液などが使用できる。
このとき、半導体基板５は、レジスト非形成領域６１において、裏側主面２６側の層が剥離した剥離領域６２が形成されている。
このとき、半導体基板５は、レジスト非形成領域６１において、裏側主面２６側の層が剥離した剥離領域６２が形成されている。
【0061】
図６（ｃ）のように、レジスト除去溶液により、レジスト層５５，５６を除去し、必要に応じて基板をフッ化水素酸で洗浄する（レジスト層除去工程）。
【0062】
このとき、リフトオフ層５０は、第１保護層５１によって保護されているため、実質的に溶解せず、レジスト層５５，５６のみが剥離される。また、基材をフッ化水素酸で洗浄してもリフトオフ層５０が実質的に溶解しない。
【0063】
続いて、図７（ａ）のように、プラズマＣＶＤ装置によって、裏側主面全面に第２真性半導体層１０を製膜する（第２真性半導体層形成工程）。
すなわち、第２真性半導体層形成工程では、半導体基板５を基準としてリフトオフ層５０の外側であって、かつ、半導体基板５を平面視したときに、リフトオフ層５０と重なり部分をもつように第２真性半導体層１０を製膜する。
すなわち、第２真性半導体層形成工程では、半導体基板５を基準としてリフトオフ層５０の外側であって、かつ、半導体基板５を平面視したときに、リフトオフ層５０と重なり部分をもつように第２真性半導体層１０を製膜する。
【0064】
このとき、第２真性半導体層１０は、図７（ａ）のように、一部が第１保護層５１ａ（５１）上から隣接する半導体基板５の剥離領域６２ａ（６２）に跨って形成されており、剥離領域６２ａから隣接する第１保護層５１ｂ上に跨って形成されている。
【0065】
図７（ｂ）のように、同一又は異なるプラズマＣＶＤ装置によって第２真性半導体層１０上に一導電型半導体層１１を製膜し、第２仕掛太陽電池基板１００を形成する（第２半導体層形成工程）。
すなわち、第２半導体層形成工程では、半導体基板５を基準として第２真性半導体層１０の外側であって、かつ、半導体基板５を平面視したときに、リフトオフ層５０と重なり部分をもつように一導電型半導体層１１を製膜する。
すなわち、第２半導体層形成工程では、半導体基板５を基準として第２真性半導体層１０の外側であって、かつ、半導体基板５を平面視したときに、リフトオフ層５０と重なり部分をもつように一導電型半導体層１１を製膜する。
【0066】
必要に応じて第２仕掛太陽電池基板１００を別の拠点（例えば、別の建物や別の部屋）に移し、第２仕掛太陽電池基板１００をリフトオフ用エッチング液（リフトオフ液）に浸し、図７（ｃ）のように、リフトオフ層５０を溶解してリフトオフし、リフトオフ層５０上の層を除去する（リフトオフ工程）。
【0067】
リフトオフ工程で使用されるリフトオフ用エッチング液としては、例えば、フッ化水素酸などが使用できる。
このとき、第２仕掛太陽電池基板１００は、半導体基板５の裏側主面２６側では、リフトオフ層５０と接する層全てが溶解又は剥離し、半導体基板５の表側主面２５側では第２保護層５２も溶解又は第１真性半導体層６から剥離する。
また、このとき、第２真性半導体層１０は、リフトオフ層５０の被覆部分よりも内側部分のみが残り、半導体基板５を基準として、逆導電型半導体層１６の外側を覆っていない。
第２真性半導体層１０は、半導体基板５を基準として、逆導電型半導体層１６の外側面と面一又は外側面よりも内側に位置している。
このとき、リフトオフ用エッチング液によるリフトオフ層５０のエッチング速度は、一導電型半導体層１１のエッチング速度よりも速い。
また、第２保護層５２のエッチング速度は、第１真性半導体層６のエッチング速度よりも速い。
このとき、第２仕掛太陽電池基板１００は、半導体基板５の裏側主面２６側では、リフトオフ層５０と接する層全てが溶解又は剥離し、半導体基板５の表側主面２５側では第２保護層５２も溶解又は第１真性半導体層６から剥離する。
また、このとき、第２真性半導体層１０は、リフトオフ層５０の被覆部分よりも内側部分のみが残り、半導体基板５を基準として、逆導電型半導体層１６の外側を覆っていない。
第２真性半導体層１０は、半導体基板５を基準として、逆導電型半導体層１６の外側面と面一又は外側面よりも内側に位置している。
このとき、リフトオフ用エッチング液によるリフトオフ層５０のエッチング速度は、一導電型半導体層１１のエッチング速度よりも速い。
また、第２保護層５２のエッチング速度は、第１真性半導体層６のエッチング速度よりも速い。
【0068】
図８（ａ）のように、プラズマＣＶＤ装置によって、第１真性半導体層６上に反射防止層７を形成する（反射防止層形成工程）。
【0069】
反射防止層形成工程で使用する反応ガスは、シランガス（ＳｉＨ4）と、アンモニア（ＮＨ3）を含むことが好ましい。
【0070】
続いて、一導電型半導体層１１及び逆導電型半導体層１６上に電極層２，３を形成する。
【0071】
具体的には、まず、図８（ｂ）のように、一導電型半導体層１１及び逆導電型半導体層１６上に透明電極層２０，２１を形成する（透明電極層形成工程）。
透明電極層形成工程では、透明電極層２０，２１は、フォトレジスト法やマスク法等によって、パターニングされており、透明電極層２０は、一導電型半導体層１１上のみに形成され、透明電極層２１は、逆導電型半導体層１６上のみに形成される。すなわち、透明電極層２０は、逆導電型半導体層１６上に跨っておらず、透明電極層２１は、一導電型半導体層１１上に跨っていない。
透明電極層形成工程では、透明電極層２０，２１は、フォトレジスト法やマスク法等によって、パターニングされており、透明電極層２０は、一導電型半導体層１１上のみに形成され、透明電極層２１は、逆導電型半導体層１６上のみに形成される。すなわち、透明電極層２０は、逆導電型半導体層１６上に跨っておらず、透明電極層２１は、一導電型半導体層１１上に跨っていない。
【0072】
次に、図８（ｃ）のように、スクリーン印刷等により、透明電極層２０，２１上に金属電極層２２，２３を形成する（金属電極層形成工程）。
金属電極層形成工程では、金属電極層２２は、フォトレジスト法やマスク法等によって、透明電極層２０上のみに形成され、金属電極層２３は、透明電極層２１上のみに形成される。なお、透明電極層２１と金属電極層２２は、同時にパターニングされてもよい。
金属電極層形成工程では、金属電極層２２は、フォトレジスト法やマスク法等によって、透明電極層２０上のみに形成され、金属電極層２３は、透明電極層２１上のみに形成される。なお、透明電極層２１と金属電極層２２は、同時にパターニングされてもよい。
【0073】
そして、必要に応じてインターコネクタ等の配線部材を電極層２，３に取り付けて太陽電池１が完成する。
【0074】
続いて、太陽電池１を構成する各部位の詳細な構成について説明する。
【0075】
半導体基板５は、ｎ型又はｐ型の一方の導電型をもつ半導体基板である。
本実施形態の半導体基板５は、一導電型半導体層１１と同様の導電型をもつ一導電型半導体基板であり、具体的にはｎ型の単結晶シリコン基板である。
半導体基板５の平均厚みは、１２０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましく、１６０μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。
半導体基板５は、必要に応じて表側主面２５及び／又は裏側主面２６にテクスチャ構造を備えていてもよい。
本実施形態の半導体基板５は、一導電型半導体層１１と同様の導電型をもつ一導電型半導体基板であり、具体的にはｎ型の単結晶シリコン基板である。
半導体基板５の平均厚みは、１２０μｍ以上２５０μｍ以下であることが好ましく、１６０μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。
半導体基板５は、必要に応じて表側主面２５及び／又は裏側主面２６にテクスチャ構造を備えていてもよい。
【0076】
真性半導体層６，１０，１５は、半導体基板５への不純物の拡散を抑制し、表面の不動態化処理する層である。真性半導体層６，１０，１５は、ｉ型半導体層であり、実質的に導電性不純物を含まないものである。
ここでいう「実質的に導電性不純物を含まないもの」とは、完全にｎ型不純物やｐ型不純物などの導電性不純物を含まないものだけではなく、真性層として機能を維持し得る範囲で微量の導電性不純物を含むものも含む。
ここでいう「実質的に導電性不純物を含まないもの」とは、完全にｎ型不純物やｐ型不純物などの導電性不純物を含まないものだけではなく、真性層として機能を維持し得る範囲で微量の導電性不純物を含むものも含む。
【0077】
真性半導体層６，１０，１５は、半導体基板５への不純物の拡散を抑制し、表面の不動態化処理する機能を有すれば、特に限定されない。真性半導体層６，１０，１５としては、例えば、非晶質シリコン系半導体層であってもよいし、水素化非晶質シリコン系半導体層であってもよい。
【0078】
真性半導体層６，１０，１５の平均厚みは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることがより好ましい。この範囲であれば、半導体基板５に対するパッシベ―ション層として良好に機能しつつ、抵抗を低く抑えることができる。
【0079】
一導電型半導体層１１は、ｎ型又はｐ型の導電型をもつ半導体層であり、半導体基板５と同じ導電型をもつ半導体層である。
本実施形態の一導電型半導体層１１は、真性半導体層６，１０，１５と同様の半導体にｎ型のドーパント（リン等）を添加したｎ型の半導体層であり、具体的には、ｎ型非晶質シリコン層である。
一導電型半導体層１１の平均厚みは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることがより好ましい。
本実施形態の一導電型半導体層１１は、真性半導体層６，１０，１５と同様の半導体にｎ型のドーパント（リン等）を添加したｎ型の半導体層であり、具体的には、ｎ型非晶質シリコン層である。
一導電型半導体層１１の平均厚みは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0080】
逆導電型半導体層１６は、ｎ型又はｐ型の導電型をもつ半導体層であり、半導体基板５及び一導電型半導体層１１とは異なる導電型の半導体層である。
本実施形態の逆導電型半導体層１６は、真性半導体層６，１０，１５と同様の半導体にｐ型のドーパント（ホウ素等）を添加したｐ型半導体層であり、具体的には、ｐ型非晶質シリコン層である。
逆導電型半導体層１６の平均厚みは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることがより好ましい。
本実施形態の逆導電型半導体層１６は、真性半導体層６，１０，１５と同様の半導体にｐ型のドーパント（ホウ素等）を添加したｐ型半導体層であり、具体的には、ｐ型非晶質シリコン層である。
逆導電型半導体層１６の平均厚みは、２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましく、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0081】
反射防止層７は、透光性をもち、且つ光の反射を抑制する低反射層である。
反射防止層７は、例えば、酸化シリコン、酸化亜鉛、酸化チタンなどの金属酸化物や窒化シリコン等の金属窒化物などで形成できる。
反射防止層７は、入射光の光閉じ込め効果の観点から窒化シリコンで形成されていることが好ましい。
反射防止層７は、例えば、酸化シリコン、酸化亜鉛、酸化チタンなどの金属酸化物や窒化シリコン等の金属窒化物などで形成できる。
反射防止層７は、入射光の光閉じ込め効果の観点から窒化シリコンで形成されていることが好ましい。
【0082】
透明電極層２０，２１は、例えば、酸化亜鉛、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化チタン、酸化錫、酸化タングステン、酸化モリブデンなどの透明導電性酸化物で形成できる。
透明電極層２０，２１の平均厚みは、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
透明電極層２０，２１の平均厚みは、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【0083】
金属電極層２２，２３は、抵抗率が透明電極層２０，２１の抵抗率に比べて小さく、透明電極層２０，２１の補助電極層として機能する層である。
金属電極層２２，２３は、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、ニッケル、パラジウム等の金属又はこれらの金属を含む合金で形成できる。
金属電極層２２，２３の平均厚みは、１μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましい。
金属電極層２２，２３は、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、ニッケル、パラジウム等の金属又はこれらの金属を含む合金で形成できる。
金属電極層２２，２３の平均厚みは、１μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましい。
【0084】
続いて、仕掛太陽電池基板９９，１００を構成する各部位の詳細な構成について説明する。なお、太陽電池１と重複する構成については、説明を省略する。
【0085】
リフトオフ層５０は、リフトオフ用エッチング液で溶解する層である。
リフトオフ層５０は、窒化シリコン又は酸化シリコンを主成分とすることが好ましく、全成分のうち窒化シリコン又は酸化シリコンが９０％以上占めることが好ましい。本実施形態のリフトオフ層５０は、酸化シリコンを主成分とする酸化シリコン層である。
リフトオフ層５０として酸化シリコン層を使用した場合の屈折率は、１．４２以上１．５０以下であることが好ましい。
ここでいう「屈折率」とは、５５０ｎｍの光を照射したときの屈折率をいう。
この範囲であれば、リフトオフ用エッチング液でのエッチング速度が大きく、リフトオフしやすい。
リフトオフ層５０として酸化シリコン層を使用した場合の２重量％のフッ化水素酸に浸したときのエッチング速度は、３ｎｍ／ｓ以上であることが好ましく、５ｎｍ／ｓ以上であることがより好ましく、７ｎｍ／ｓ以上であることがさらに好ましい。
リフトオフ層５０は、窒化シリコン又は酸化シリコンを主成分とすることが好ましく、全成分のうち窒化シリコン又は酸化シリコンが９０％以上占めることが好ましい。本実施形態のリフトオフ層５０は、酸化シリコンを主成分とする酸化シリコン層である。
リフトオフ層５０として酸化シリコン層を使用した場合の屈折率は、１．４２以上１．５０以下であることが好ましい。
ここでいう「屈折率」とは、５５０ｎｍの光を照射したときの屈折率をいう。
この範囲であれば、リフトオフ用エッチング液でのエッチング速度が大きく、リフトオフしやすい。
リフトオフ層５０として酸化シリコン層を使用した場合の２重量％のフッ化水素酸に浸したときのエッチング速度は、３ｎｍ／ｓ以上であることが好ましく、５ｎｍ／ｓ以上であることがより好ましく、７ｎｍ／ｓ以上であることがさらに好ましい。
【0086】
第１保護層５１は、レジスト用エッチング液、第２真性半導体層形成工程前の洗浄に使用するフッ化水素酸からリフトオフ層５０を保護する層である。第１保護層５１は、窒化シリコン又は酸化シリコンを主成分とすることが好ましく、全成分のうち窒化シリコン又は酸化シリコンが９０％以上占めることが好ましい。
本実施形態の第１保護層５１は、リフトオフ層５０と同様、酸化シリコンを主成分とする酸化シリコン層である。
第１保護層５１として酸化シリコン層を使用した場合の屈折率は、リフトオフ層５０よりも高い屈折率であり、１．５０超過であることが好ましい。
この範囲であれば、レジスト用エッチング液、フッ化水素酸でのエッチング速度が低く、溶解しにくい。
本実施形態の第１保護層５１は、リフトオフ層５０と同様、酸化シリコンを主成分とする酸化シリコン層である。
第１保護層５１として酸化シリコン層を使用した場合の屈折率は、リフトオフ層５０よりも高い屈折率であり、１．５０超過であることが好ましい。
この範囲であれば、レジスト用エッチング液、フッ化水素酸でのエッチング速度が低く、溶解しにくい。
【0087】
第２保護層５２は、リフトオフ層５０に比べてレジスト用エッチング液及びリフトオフ用エッチング液に対する耐性を有し、レジスト用エッチング液及びリフトオフ用エッチング液から第１真性半導体層６を保護する層である。
第２保護層５２は、窒化シリコン又は酸化シリコンを主成分とすることが好ましく、全成分のうち窒化シリコン又は酸化シリコンが９０％以上占めることが好ましい。
本実施形態の第２保護層５２は、リフトオフ層５０や第１保護層５１と同様、酸化シリコンを主成分とする酸化シリコン層である。
第２保護層５２として酸化シリコン層を使用した場合の屈折率は、リフトオフ層５０よりも高い屈折率であり、１．５０超過であることが好ましい。
第２保護層５２は、窒化シリコン又は酸化シリコンを主成分とすることが好ましく、全成分のうち窒化シリコン又は酸化シリコンが９０％以上占めることが好ましい。
本実施形態の第２保護層５２は、リフトオフ層５０や第１保護層５１と同様、酸化シリコンを主成分とする酸化シリコン層である。
第２保護層５２として酸化シリコン層を使用した場合の屈折率は、リフトオフ層５０よりも高い屈折率であり、１．５０超過であることが好ましい。
【0088】
本実施形態の太陽電池１の製造方法によれば、一部がリフトオフ層５０と重なるように一導電型半導体層１１を形成し、リフトオフ層５０をリフトオフ液で溶解することでリフトオフ層５０上の一導電型半導体層１１を除去でき、一導電型半導体層１１のパターニングが可能である。そのため、フォトレジストでパターニングする従来の方法に比べて、低コストで製造できる。
本実施形態の太陽電池１の製造方法によれば、１５０℃以下の製膜温度でリフトオフ層５０を形成するので、たとえ大面積の製膜装置であっても、面内の膜厚分布が均一なリフトオフ層５０を形成できる。そのため、大量生産が可能である。
本実施形態の太陽電池１の製造方法によれば、１５０℃以下の製膜温度でリフトオフ層５０を形成するので、たとえ大面積の製膜装置であっても、面内の膜厚分布が均一なリフトオフ層５０を形成できる。そのため、大量生産が可能である。
【0089】
本実施形態の太陽電池１の製造方法によれば、第１保護層５１がリフトオフ層５０よりも高密度であり、レジスト用エッチング液に対する耐性が高い。そのため、エッチング工程においてレジスト用エッチング液に浸したときに、リフトオフ層５０が直接レジスト用エッチング液に浸される場合に比べて、リフトオフ層５０が溶解しにくく、レジスト用エッチング液によってリフトオフ層５０が溶解し、当該溶解によりリフトオフ層５０よりも外側の層が剥離することを防止できる。
【0090】
本実施形態の太陽電池１の製造方法によれば、櫛型にパターニングされたレジスト層５５を第１保護層５１上に形成し、半導体基板５を平面視したときに、逆導電型半導体層１６のレジスト層５５が重ならない部分をレジスト用エッチング液で溶解して除去してパターニングする。そのため、逆導電型半導体層１６の製膜時にマスク等を設けなくても、逆導電型半導体層１６のパターニングが可能である。
【0091】
本実施形態の太陽電池１の製造方法によれば、保護層形成工程において、１５０℃以下の温度で、シランガスと二酸化炭素と水素ガスを含む第２反応ガスを吹き付けて酸化シリコンを主成分とする第１保護層５１を製膜する。すなわち、水素希釈した低濃度の第２反応ガスを吹き付けて低温で製膜するため、緻密な第１保護層５１を形成できる。
【0092】
本実施形態の太陽電池１の製造方法によれば、リフトオフ層形成工程でのリフトオフ層５０の製膜温度と、第１保護層形成工程での第１保護層５１の製膜温度は、温度差が５０℃以下である。そのため、速やかな温度調節が可能であり、リフトオフ層５０と、第１保護層５１の製膜を連続的に行うことができる。
また、第１保護層形成工程での第１保護層５１の製膜温度と、第２保護層形成工程での第２保護層５２の製膜温度は、温度差が５０℃以下であるため、速やかな温度調節が可能であり、第１保護層５１と、第２保護層５２の製膜を連続的に行うことができる。
また、第１保護層形成工程での第１保護層５１の製膜温度と、第２保護層形成工程での第２保護層５２の製膜温度は、温度差が５０℃以下であるため、速やかな温度調節が可能であり、第１保護層５１と、第２保護層５２の製膜を連続的に行うことができる。
【0093】
本実施形態の仕掛太陽電池基板９９，１００によれば、リフトオフ層５０は、酸化シリコンを主成分とし、２重量％のフッ化水素酸に浸したときのエッチング速度が５ｎｍ／ｓ以上であるため、リフトオフ層５０を速やかに剥離できる。
【0094】
本実施形態の第２仕掛太陽電池基板１００によれば、リフトオフ層５０は、リフトオフ除去溶液に浸すことで溶解し、半導体基板５を平面視したときに一導電型半導体層１１のリフトオフ層５０との重なり部分を除去可能であり、リフトオフ層５０が酸化シリコンを主成分とし、屈折率が１．４２以上１．５０以下である。そのため、リフトオフする際に、エッチング速度を大きくすることができ、容易に一導電型半導体層１１をパターニングできる。
【0095】
本実施形態の第２仕掛太陽電池基板１００によれば、半導体基板５の表側主面２５側の最表面にリフトオフ層５０よりもリフトオフ液に対する耐性を有する第２保護層５２が被覆されている。そのため、エッチング工程においてリフトオフ液による半導体基板５の第２主面側の各層の損傷を抑制できる。
【0096】
本実施形態の太陽電池１によれば、一導電型半導体層１１と逆導電型半導体層１６が厚み方向に重ならず、電極層２，３間や導電型が異なる半導体層１１，１６の接触を真性半導体層１０，１５で防止できるため、安全性に優れた太陽電池となる。
【0097】
上記した実施形態では、逆導電型半導体層１６がｐ型の半導体層であり、一導電型半導体層１１がｎ型の半導体層であったが、本発明はこれに限定されるものではない。逆導電型半導体層１６がｎ型の半導体層であり、一導電型半導体層１１がｐ型の半導体層であってもよい。
【0098】
上記した実施形態では、半導体基板５は、ｎ型の半導体基板であったが、本発明はこれに限定されるものではない。半導体基板５は、ｐ型の半導体基板であってもよい。
【0099】
上記した実施形態では、リフトオフ層５０と、第１保護層５１と、第２保護層５２を同一のプラズマＣＶＤ装置の製膜室で製膜したが、本発明はこれに限定されるものではない。異なる製膜室で製膜してもよい。
【0100】
上記した実施形態では、第１保護層５１と第２保護層５２を別途工程にて製膜したが、本発明はこれに限定されるものではない。第１保護層５１と第２保護層５２を同時に成膜してもよい。
【0101】
上記した実施形態では、リフトオフ層５０と第１保護層５１を同様の材料で形成したが、本発明はこれに限定されるものではない。リフトオフ層５０と第１保護層５１は異なる材料で形成されていてもよい。
【0102】
上記した実施形態では、リフトオフ層５０と、第１保護層５１と、第２保護層５２をいずれも酸化シリコン層で形成していたが、本発明はこれに限定されるものではない。リフトオフ層５０と、第１保護層５１と、第２保護層５２を、窒化シリコンを主成分とする窒化シリコン層で形成してもよい。
【0103】
上記した実施形態では、リフトオフ層５０を一層で形成していたが、本発明はこれに限定されるものではない。リフトオフ層５０を複数の層で構成された積層体で形成してもよい。
【0104】
上記した実施形態では、第１保護層５１や第２保護層５２を一層で形成していたが、本発明はこれに限定されるものではない。第１保護層５１や第２保護層５２を複数の層で構成された積層体で形成してもよい。
【0105】
上記した実施形態は、本発明の技術的範囲に含まれる限り、各実施形態間で各構成部材を自由に置換や付加できる。
【実施例】
【0106】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施できる。
【0107】
（実施例１）
まず、図９のように縦９９８ｍｍ横１２００ｍｍの四角形状のトレーに縦５枚、横６枚の計３０枚（図９に示される１番から３０番）の鏡面研磨されたシリコンウェハ（縦横１５６．７５ｍｍ）を縦横碁盤状に配置し、これらのシリコンウェハに対してプラズマＣＶＤ装置によって酸化シリコン層を形成した。これを実施例１とした。
実施例１の酸化シリコン層の製膜条件は、基板温度１００℃、電極から基板までの距離１０ｍｍ、圧力２００Ｐａ、ガス流量比ＳｉＨ4：ＣＯ2を２５：４９００、及びパワー密度を０．２２Ｗ／ｃｍ2とした。
まず、図９のように縦９９８ｍｍ横１２００ｍｍの四角形状のトレーに縦５枚、横６枚の計３０枚（図９に示される１番から３０番）の鏡面研磨されたシリコンウェハ（縦横１５６．７５ｍｍ）を縦横碁盤状に配置し、これらのシリコンウェハに対してプラズマＣＶＤ装置によって酸化シリコン層を形成した。これを実施例１とした。
実施例１の酸化シリコン層の製膜条件は、基板温度１００℃、電極から基板までの距離１０ｍｍ、圧力２００Ｐａ、ガス流量比ＳｉＨ4：ＣＯ2を２５：４９００、及びパワー密度を０．２２Ｗ／ｃｍ2とした。
【0108】
（実施例２）
実施例１において、基板温度を１４０℃としたこと以外は同様にし、これを実施例２とした。
実施例１において、基板温度を１４０℃としたこと以外は同様にし、これを実施例２とした。
【0109】
（比較例１）
実施例１において、基板温度を１８０℃としたこと以外は同様にし、これを比較例１とした。
実施例１において、基板温度を１８０℃としたこと以外は同様にし、これを比較例１とした。
【0110】
（実施例３）
実施例１と同様のトレーに設置された鏡面研磨されたシリコンウェハに対し、プラズマＣＶＤ装置によって酸化シリコン層を形成し、これを実施例３とした。
実施例３の酸化シリコン層の製膜条件は、基板温度１４０℃、電極から基板までの距離１０ｍｍ、圧力２００Ｐａ、ガス流量比ＳｉＨ4：ＣＯ2：Ｈ2を１５０：４９００：９８００、及びパワー密度を０．３７Ｗ／ｃｍ2とした。すなわち、水素ガスで希釈して製膜を行った。
実施例１と同様のトレーに設置された鏡面研磨されたシリコンウェハに対し、プラズマＣＶＤ装置によって酸化シリコン層を形成し、これを実施例３とした。
実施例３の酸化シリコン層の製膜条件は、基板温度１４０℃、電極から基板までの距離１０ｍｍ、圧力２００Ｐａ、ガス流量比ＳｉＨ4：ＣＯ2：Ｈ2を１５０：４９００：９８００、及びパワー密度を０．３７Ｗ／ｃｍ2とした。すなわち、水素ガスで希釈して製膜を行った。
【0111】
（比較例２）
実施例３において、水素で希釈しなかったこと以外は同様にし、これを比較例２とした。すなわち、比較例２では、ガス流量比ＳｉＨ4：ＣＯ2を１５０：４９００として製膜を行った。
実施例３において、水素で希釈しなかったこと以外は同様にし、これを比較例２とした。すなわち、比較例２では、ガス流量比ＳｉＨ4：ＣＯ2を１５０：４９００として製膜を行った。
【0112】
実施例１～３及び比較例１，２に対してジェー・エー・ウーラム（J.A. Woollam）社製のエリプソンメーターによってシリコンウェハ上の酸化シリコンの５５０ｎｍの光を照射したときの屈折率を測定した。その後、２重量％のフッ化水素酸によって酸化シリコン層を溶解させ、再度エリプソンメーターによって５５０ｎｍの光を照射したときの屈折率を測定し、エッチング速度を算出した。また、トレーに設置された各１番から３０番のシリコンウェハにおいて、シリコンウェハ上の酸化シリコン層の最も厚い膜厚（最大膜厚Ｍａｘ）と、最も薄い膜厚（最小膜厚Ｍｉｎ）の差から、下記式（１）を用いて面内分布を算出した。
｛（Ｍａｘ－Ｍｉｎ）／Ｍｉｎ｝×１００・・・（１）
｛（Ｍａｘ－Ｍｉｎ）／Ｍｉｎ｝×１００・・・（１）
【0113】
また、リフトオフ性の評価として、エッチング溶液に１５分間浸漬し、リンス液でリンスを行った際の酸化シリコン層の剥離の程度で評価した。具体的には、剥離の程度が、目視観察で５０％以上９０％未満の剥離ではＢ、９０％以上の剥離ではＡとした。
【0114】
実施例１，２，３及び比較例１，２の測定結果を表１及び表２に示す。
【0115】
【表1】
【0116】
【表2】
【0117】
表１のように、低温で製膜した実施例１、２と、高温で製膜した比較例１の酸化シリコン層を比較すると、低温になる程エッチング速度が大きくなることがわかった。
このとき、実施例１、２の酸化シリコン層は、トレー内の面内分布が１０％以内と大面積のトレーで製膜しても膜厚が均一な層を形成できた。
また、実施例１，２のリフトオフ特性は、５０％以上であって良好であり、特に実施例１のリフトオフ特性は実施例２と比べても良好であることがわかった。
このとき、実施例１、２の酸化シリコン層は、トレー内の面内分布が１０％以内と大面積のトレーで製膜しても膜厚が均一な層を形成できた。
また、実施例１，２のリフトオフ特性は、５０％以上であって良好であり、特に実施例１のリフトオフ特性は実施例２と比べても良好であることがわかった。
【0118】
表２のように、水素希釈した実施例３の酸化シリコン層は、水素希釈しなかった比較例２に比べてエッチング速度が小さく、フッ化水素酸に溶解しにくいことがわかった。
【0119】
実施例１の酸化シリコン層のエッチング速度は、表１，２のように、実施例３の酸化シリコン層のエッチング速度の約９倍程度であり、実施例２の酸化シリコン層のエッチング速度は、実施例３の酸化シリコン層のエッチング速度の約６倍程度であった。
このことから、実施例１，２の酸化シリコン層のエッチング速度は、フッ化水素酸によって実施例３の酸化シリコン層に比べて極めて溶解しやすいことがわかった。
このことから、実施例１，２の酸化シリコン層のエッチング速度は、フッ化水素酸によって実施例３の酸化シリコン層に比べて極めて溶解しやすいことがわかった。
【0120】
上記の結果から、基板温度を１４０℃以下で製膜することで、大面積製膜装置でも面内分布が均一に所望のエッチング速度に制御した酸化シリコン層を製膜できることが示唆された。
基板温度以外を同一の製膜条件にしたときに、基板温度を１４０℃以下で製膜することで屈折率が低く、エッチング速度が高い酸化シリコン層を製膜できることが示唆された。
また、原料ガスを水素で希釈することで、基板温度を１４０℃以下であっても緻密な酸化シリコン層を製膜できることが示唆された。
以上のことから、実施例１又は実施例２の酸化シリコン層をリフトオフ層に使用し、実施例３の酸化シリコン層を保護層として使用することで、同一のプラズマＣＶＤ装置を使用して連続的に製膜できることが示唆された。
基板温度以外を同一の製膜条件にしたときに、基板温度を１４０℃以下で製膜することで屈折率が低く、エッチング速度が高い酸化シリコン層を製膜できることが示唆された。
また、原料ガスを水素で希釈することで、基板温度を１４０℃以下であっても緻密な酸化シリコン層を製膜できることが示唆された。
以上のことから、実施例１又は実施例２の酸化シリコン層をリフトオフ層に使用し、実施例３の酸化シリコン層を保護層として使用することで、同一のプラズマＣＶＤ装置を使用して連続的に製膜できることが示唆された。
【符号の説明】
【0121】
１ 太陽電池
２ 第１電極層
３ 第２電極層
５ 半導体基板
６ 第１真性半導体層
１０ 第２真性半導体層（真性半導体層，第２真性層）
１１ 一導電型半導体層
１５ 第３真性半導体層（真性半導体層，第１真性層）
１６ 逆導電型半導体層
２５ 表側主面（第２主面）
２６ 裏側主面（第１主面）
５０ リフトオフ層
５１ 第１保護層
５２ 第２保護層
５５，５６ レジスト層
６０ レジスト形成領域
６１ レジスト非形成領域
６２ 剥離領域
９９ 第１仕掛太陽電池基板
１００ 第２仕掛太陽電池基板
２ 第１電極層
３ 第２電極層
５ 半導体基板
６ 第１真性半導体層
１０ 第２真性半導体層（真性半導体層，第２真性層）
１１ 一導電型半導体層
１５ 第３真性半導体層（真性半導体層，第１真性層）
１６ 逆導電型半導体層
２５ 表側主面（第２主面）
２６ 裏側主面（第１主面）
５０ リフトオフ層
５１ 第１保護層
５２ 第２保護層
５５，５６ レジスト層
６０ レジスト形成領域
６１ レジスト非形成領域
６２ 剥離領域
９９ 第１仕掛太陽電池基板
１００ 第２仕掛太陽電池基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】