特許 7507248 飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴおよび飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの形成方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-19

(45)【発行日】2024-06-27

(54)【発明の名称】飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴおよび飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの形成方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 29/78 20060101AFI20240620BHJP

   H01L 29/12 20060101ALI20240620BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20240620BHJP

【ＦＩ】

H01L29/78 652M

H01L29/78 653A

H01L29/78 652T

H01L29/78 658F

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2022549591

(86)(22)【出願日】2021-02-15

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-04-05

(86)【国際出願番号】 EP2021053595

(87)【国際公開番号】W WO2021165182

(87)【国際公開日】2021-08-26

【審査請求日】2022-10-18

(31)【優先権主張番号】102020202053.1

(32)【優先日】2020-02-19

(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE

(73)【特許権者】

【識別番号】591245473

【氏名又は名称】ロベルト・ボッシュ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング

【氏名又は名称原語表記】ＲＯＢＥＲＴ ＢＯＳＣＨ ＧＭＢＨ

(74)【代理人】

【識別番号】100118902

【弁理士】

【氏名又は名称】山本 修

(74)【代理人】

【識別番号】100196508

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 淳一

(74)【代理人】

【氏名又は名称】鳥居 健一

(74)【代理人】

【識別番号】100201743

【弁理士】

【氏名又は名称】井上 和真

(72)【発明者】

【氏名】バリングハウス，イェンス

(72)【発明者】

【氏名】クレープス，ダニエル

【審査官】杉山 芳弘

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１２－１９０９８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１５３７８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１６／００２３８６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開昭６２－１３０５６５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２９／７８

Ｈ０１Ｌ ２９／１２

Ｈ０１Ｌ ２１／３３６

Ｈ０１Ｌ ２１／２８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ＭＯＳＦＥＴ（２００）であって、
ｎ型ドープソース領域（１６）と、
ソースコンタクト部（２２）と、
前記ソースコンタクト部（２２）から前記ｎ型ドープソース領域（１６）まで延び、前記ソースコンタクト部（２２）とともに第１の導電接続を形成し、前記ｎ型ドープソース領域（１６）とともに第２の導電接続を形成するコンタクト構造（２０）と、
障壁層（３２）と、
絶縁層（１８）と
を備え、
前記コンタクト構造（２０）が、前記障壁層（３２）と前記絶縁層（１８）との間に埋め込まれており、当該コンタクト構造に二次元電子ガスが形成されるように構成されている部分を、前記第１の導電接続と前記第２の導電接続との間に有する、ＭＯＳＦＥＴ（２００）。

【請求項2】

前記部分が電圧に依存する抵抗を有し、
ＭＯＳＦＥＴの動作電圧の存在下で、前記電圧に依存する抵抗がＭＯＳＦＥＴの他の全ての抵抗の合計より小さく、
前記動作電圧より高い電圧の存在下で、前記電圧に依存する抵抗がＭＯＳＦＥＴの少なくとも１つの抵抗成分より高い、請求項１に記載のＭＯＳＦＥＴ（２００）。

【請求項3】

前記コンタクト構造（２０）が複数の構成のグループを有し、前記グループが、
グラフェン層と、
少なくとも１つの窒化ガリウム層と少なくとも１つの窒化アルミニウムガリウム層とを含む層システムと、
硫化モリブデン層と
を有する、請求項１または２に記載のＭＯＳＦＥＴ（２００）。

【請求項4】

前記コンタクト構造（２０）の下方に前記ｎ型ドープソース領域（１６）に隣接して配置されているｐ型ドープ遮蔽領域（２４）をさらに有し、
前記障壁層（３２）が前記ｐ型ドープ遮蔽領域（２４）の一部である、請求項１から３のいずれか一項に記載のＭＯＳＦＥＴ（２００）。

【請求項5】

前記ソースコンタクト部（２２）と前記ｐ型ドープ遮蔽領域（２４）とを少なくとも部分的に導電的に接続する金属コンタクト部（４２）をさらに備え、
前記金属コンタクト部（４２）が任意的にニッケル、チタン、アルミニウム、またはこれらの合金を有する、請求項４に記載のＭＯＳＦＥＴ（２００）。

【請求項6】

前記障壁層（３２）が誘電層、例えば酸化物または窒化物を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のＭＯＳＦＥＴ（２００）。

【請求項7】

前記障壁層（３２）の下方に前記ｎ型ドープソース領域（１６）に隣接して配置されているｐ型ドープ遮蔽領域（２４）をさらに備え、
前記障壁層（３２）が少なくとも１つの開口部を有し、前記開口部を通して前記ソースコンタクト部（２２）と前記ｐ型ドープ遮蔽領域（２４）とが導電的に接続されている、請求項６に記載のＭＯＳＦＥＴ（２００）。

【請求項8】

前記ｎ型ドープソース領域（１６）が炭化ケイ素および／または窒化ガリウムを有する、請求項１から７のいずれか一項に記載のＭＯＳＦＥＴ（２００）。

【請求項9】

チャネル領域をさらに備え、
前記チャネル領域が横方向または垂直方向に形成されている、請求項１から８のいずれか一項に記載のＭＯＳＦＥＴ（２００）。

【請求項10】

ＭＯＳＦＥＴの形成方法であって、
ｎ型ドープソース領域を形成する工程（６１０）と、
障壁層を形成する工程（６２０）と、
横方向に少なくとも前記ｎ型ドープソース領域の一部と前記障壁層の一部とにわたって延びるコンタクト構造を、前記ｎ型ドープソース領域と導電的に接触するように形成する工程（６３０）と、
前記障壁層上に配置されている前記コンタクト構造の部分上に誘電層を形成する工程（６４０）と
を備え、
前記コンタクト構造が、前記部分において、そこに二次元電子ガスを形成するように構成されている（６５０）、ＭＯＳＦＥＴの形成方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴおよび飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの形成方法に関する。

【背景技術】

【0002】

大きなバンドギャップを備えた半導体（例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）または窒化ガリウム（ＧａＮ））をパワーエレクトロニクスに適用するには、通常、縦型チャネル領域を備えたパワーＭＯＳＦＥＴ（ＴＭＯＳＦＥＴ）または横型チャネル領域を備えたパワーＭＯＳＦＥＴ（ＶＤＭＯＳＦＥＴ）が使用される。チャネル領域の設計パラメータによって、特に、ターンオン電圧、オン状態での抵抗（オン抵抗Ｒ_ＯＮ）、および飽和電流（短絡耐性）が調整され得る。このようなパワーＭＯＳＦＥＴのチャネル領域は、ＪＦＥＴを形成する（ＪＭＯＳＦＥＴの）ドーピングされた別の領域としばしば追加的に組み合わされることによって、より良好な遮蔽と、したがってより高い絶縁破壊電圧をもたらす。ＳｉＣの場合、通常、ニッケルシリサイドに合金化されるニッケルがソースコンタクト部として使用される。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0003】

従来技術によるＶＤＭＯＳＦＥＴ、ＴＭＯＳＦＥＴ、またはＪＭＯＳＦＥＴにおいて、可能な限り低いＲ_ＯＮと可能な限り低い飽和電流とは最適化目標として相容れずに対立し得る。原則として、オン抵抗Ｒ_ＯＮが低ければ、飽和電流がそれに応じて大きくなり、結果として短絡耐性が損なわれる。したがって、十分に低いＲ_ＯＮとそれにもかかわらず十分に低い飽和電流との間の妥協点を見いだすことが必要となり得る。

【課題を解決するための手段】

【0004】

様々な実施例において、低電圧下でＭＯＳＦＥＴのチャネルにおける抵抗より著しく低い抵抗を有し、高電圧下でチャネル抵抗より著しく大きい抵抗を有し得るコンタクト構造（このコンタクト構造は高電圧下で飽和挙動を示すので飽和コンタクト部とも呼ばれる）を備えたＭＯＳＦＥＴが提供される。

【0005】

これによって、可能な限り低いＲ_ＯＮを達成するようにチャネルが最適化され得、また、高電圧下で電流を制限するために飽和コンタクト部が使用され得るので、両方の最適化目標が互いに切り離され得る。

【0006】

様々な実施例において、コンタクト構造にそのような飽和コンタクト部の挙動を生じさせるために、ＭＯＳＦＥＴの半導体材料（例えば、ＳｉＣ）に接触するコンタクト構造にグラフェンが用いられてもよい。グラフェンにおける二次元電子ガス（２ＤＥＧ）の高い可動性によって、低電圧下で非常に低い抵抗が達成され得る。ただし、二次元電子ガスの荷電体（電子）のドリフト速度は非常に低い飽和電圧を有するので、臨界電圧を超えるとその可動性が大幅に低下する。それによって、ＭＯＳＦＥＴ（例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ）に流れる電流は高電圧下で効果的にコンタクト構造の抵抗によって制限され得る。

【0007】

図１は、ソースコンタクト部がＭＯＳＦＥＴのチャネルと接続するグラフェンコンタクト構造を備えた（パワー）ＭＯＳＦＥＴのシミュレーションによる出力特性曲線（実線）を、従来のＴＭＯＳＦＥＴ（破線）、および純グラフェン抵抗（一点鎖線）と比較して示す。低電圧下では電流がＭＯＳＦＥＴのチャネルの抵抗によって制限される一方、高電圧下では接触抵抗が電流の制限を定める。

【0008】

本明細書では、「低い電圧」、「小さい電圧」または「微少電圧」は、ＭＯＳＦＥＴの動作電圧の大きさの範囲内の電圧、例えば数ボルトの電圧、例としては約１０Ｖまでの電圧と理解される。「高い電圧」あるいは「大きい電圧」は、動作電圧の数倍、例えば２倍またはそれ以上の電圧、例としては約２０Ｖまたはそれ以上の電圧と理解される。

【0009】

飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの長所は、飽和コンタクト部を備えていないＭＯＳＦＥＴにおいて相容れない最適化パラメータである飽和電流（それとともに短絡耐性）とＲ_ＯＮとが互いから独立して最適化可能である、あるいは最適化されることである。これによって、低いＲ_ＯＮを同時に高い短絡耐性（小さい飽和電流）で達成することができる。

【0010】

上記の態様のさらなる構成は、従属請求項および明細書に記載されている。本発明の実施形態は図面に表されており、以下の説明においてより詳細に説明される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】従来技術のＴＭＯＳＦＥＴ、および純グラフェン抵抗と比較した、様々な実施例によるグラフェンコンタクト構造を備えたＭＯＳＦＥＴのシミュレーションによる伝達特性曲線の図である。

【図2】様々な実施例による飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの概略的な断面図である。

【図3】様々な実施例による飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの等価回路図である。

【図4A】様々な実施例による飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの概略的な断面図である。

【図4B】様々な実施例による飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの概略的な断面図である。

【図5A】様々な実施例による飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの形成方法の概略的な説明図である。

【図5B】様々な実施例による飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの形成方法の概略的な説明図である。

【図5C】様々な実施例による飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの形成方法の概略的な説明図である。

【図6】様々な実施例による飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの形成方法のフローチャートである。

【発明を実施するための形態】

【0012】

図２、図４Ａ、および図４Ｂには、それぞれ、様々な実施例による飽和コンタクト部２００を備えたＭＯＳＦＥＴの概略的な断面図が示されている。以下では説明のために縦型チャネル領域を備えたＪＭＯＳＦＥＴを記述するが、実施例は、他の構造を備えたＭＯＳＦＥＴ、例えば、ＪＭＯＳＦＥＴを形成せず垂直方向のチャネル領域を備えたＭＯＳＦＥＴ（ＴＭＯＳＦＥＴ）、または横方向のチャネル領域を備えたＭＯＳＦＥＴ（ＶＤＭＯＳＦＥＴ）にも関すると理解される。

【0013】

飽和コンタクト部２００を備えたＭＯＳＦＥＴは、ｎ型ドープソース領域１６と、ソースコンタクト２２とともにソースコンタクト部１６からｎ型ドープソース領域１６まで延び、ソースコンタクト部２２と第１の導電接続を形成し、ｎ型ドープソース領域１６とともに第２の導電接続を形成するコンタクト構造２０と、障壁層３２と、誘電層１８とを有してもよい。

【0014】

飽和コンタクト部２００を備えたＭＯＳＦＥＴは、基本的にＭＯＳＦＥＴに一般に用いられる方法で形成することができる別の構造、例えば、ｐ型ドープチャネル領域１４と、ｎ型ドープドリフト領域１２と、基板１０と、ドレイン接続１６と、ゲート領域２８と、ゲート誘電体３０とをさらに有してもよい。

【0015】

飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴは、例えばｎ型ドープソース領域１６、ｐ型ドープチャネル領域１４、およびｎ型ドープドリフト領域１２を形成するためにドーピングされる、あるいはドーピングされた半導体材料として、および／または基板１０として、例えば炭化ケイ素および／または窒化ガリウムを有してもよく、および／または他の（例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ向けに）適した半導体材料を有してもよい。

【0016】

様々な実施例において、ｎ型ドープソース領域１６におけるドーピング濃度がｎ型ドープドリフト領域１２より高くてもよい。例えば、ソース領域１６が約１Ｅ１９／ｃｍ^３でドーピングされていてもよく、ドリフト領域１２が約１Ｅ１６／ｃｍ^３でドーピングされていてもよい。以下では簡略的に「ｎ型ドープ」という表現が用いられる。

【0017】

コンタクト構造２０は、障壁層３２と誘電層１８との間に埋め込まれており、そこに二次元電子ガスが形成される、あるいは形成され得るように構成されている部分を、第１の導電接続と第２の導電接続との間に有してもよい。

【0018】

二次元電子ガス２ＤＥＧの形成によって、コンタクト構造２０の上記部分が電圧に依存する抵抗を有し得る。例えば、ＭＯＳＦＥＴの動作電圧（あるいは動作電圧と同程度の高さの電圧、例えば、約０Ｖから約１０Ｖ）の存在下で、電圧に依存する抵抗を小さく、例えばｐ型ドープチャネル領域１４の抵抗より小さくすることができる。動作電圧より高い電圧（例えば、何倍もの電圧、または何倍も高い電圧）の存在下で、電圧に依存する抵抗を高く、例えば、ｐ型ドープチャネル領域１４の抵抗より高くすることができる。

【0019】

様々な実施例において、コンタクト構造２０は、二次元電子ガスを形成するのに適した、グラフェン層と、少なくとも１つの窒化ガリウム層と少なくとも１つの窒化アルミニウムガリウム層とを有する層システム、硫化モリブデン層、または他の層、あるいは他の層システムを有してもよい。この場合、層あるいは層構造は、例えば、層の厚さ、数、層システムの個々の層の相対位置等に関して、２ＤＥＧの形成が可能となるように形成されていてもよい。２ＤＥＧの形成を可能にするために考慮すべきである構成パラメータは、当業者に知られている、または基本的に知られているであろう。

【0020】

コンタクト構造２０は、ｎ型ドープソース領域１６全体にわたって（例示的に図２、図４Ａ、図４Ｂ、および図５Ａから図５Ｃに表されているように）延びてもよく、またはｎ型ドープソース領域１６の上面の一部のみを覆ってもよい（図示せず）。

【0021】

コンタクト構造２０は、ソースコンタクト部２２全体の下方に（図２、図４Ａ、図４Ｂ、および図５Ａから図５Ｃに例示的に表されているように）延びてもよく、例えばソースコンタクト部２２の一部の下方のみに延びてもよく（図示せず）、および／または例えばその表面に開口部を有してもよい（図４Ｂ）。

【0022】

様々な実施例において、飽和コンタクト部２００を備えたＭＯＳＦＥＴが、コンタクト構造２０の下方にｎ型ドープソース領域１６に隣接して配置されてもよいｐ型ドープ遮蔽領域２４をさらに有してもよい。この場合、コンタクト構造２０の上述の部分がｐ型ドープ遮蔽領域２４の上方に位置してもよい。

【0023】

様々な実施例において、例えば、コンタクト構造２０がグラフェンを有し、ｎ型ドープソース領域１６がｎ型ドープ炭化ケイ素を有し、ｐ型ドープ遮蔽領域２４がｐ型ドープ炭化ケイ素を有する場合、グラフェンがｎ型ドープ炭化ケイ素に対して低抵抗のコンタクト部を形成し得る。コンタクト構造２０とｐ型ドープ遮蔽領域２４との間の接点の伝導性は本質的に不良であってよく、さらなる対策が講じられなければ障壁層３２がｐ型ドープ遮蔽領域２４、例えばｐ型ドープ遮蔽領域２４の表面と境を接する表面に形成される。これが図２に表されている。言い換えれば、障壁層３２はｐ型ドープ遮蔽領域２４の一部であり得る。

【0024】

コンタクト構造２０（例えば、グラフェン、場合によっては、ｐ型ドープ遮蔽領域２４に対して本質的に不良な接触を形成する他の材料）がソースコンタクト部２２によって接触される領域において、様々な実施例において、ｐ型ドープＳｉＣとも良好な接触（すなわち低抵抗での接触）を形成する金属コンタクト部４２がコンタクト構造２０とｐ型ドープ遮蔽領域との間に形成されていてもよい。金属コンタクト部４２は、例えばニッケル、チタン、アルミニウム、またはこれらの合金を有してもよい。例えば、ニッケルコンタクト部は、ニッケルシリサイドが形成されるように合金化されていてもよい。金属コンタクト部４２によって、ｐ型ドープ遮蔽領域２４は同時に接続され得る。

【0025】

グラフェン２０とｐ型ドープ遮蔽領域（例えば、ｐ－ＳｉＣ領域）２４との間の境界面は障壁層３２を形成するので、ｐ型ドープ遮蔽領域２４上のグラフェン層２０には二次元電子ガスが発生する。この二次元電子ガスは理想的な飽和コンタクト部に近い挙動を示す。２ＤＥＧの可動性は小さい電圧下でＳｉＣにおける可動性よりも桁違いに高いので、低電圧下ではごく微少な抵抗のみがＲ_ＯＮに加えられる。これに関しては図３の等価回路図も参照されたい。より高い電圧下では、グラフェン層２０はすぐに飽和し、広い電圧範囲にわたって一定の電流密度のみを許容する（図１参照）。この電流密度は、ＭＯＳＦＥＴの動作点のある電流密度より高く、飽和電流密度より大幅に低くてもよい。つまり、飽和コンタクト部２００を備えたＭＯＳＦＥＴの出力特性曲線の直線状の領域では、電流の流れがグラフェン２０によって制限されないが、それに対して飽和コンタクト部２００を備えたＭＯＳＦＥＴの飽和範囲ではこれが制限される。このため、短絡の際に全電流が効果的に制限され、それによって、飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴ２００の出力特性が損なわれることなく短絡耐性が改善される。

【0026】

言い換えれば、ＭＯＳＦＥＴは、ソース領域１６／コンタクト構造２０の接触箇所とソースコンタクト部２２／コンタクト構造２０の接触箇所との間に、「飽和コンタクト部」として電圧に強く依存した抵抗を有する。低電圧下では抵抗が理想的には微小となり、高電圧下では抵抗がチャネル抵抗（すなわちｐ型ドープチャネル領域１４の抵抗）あるいはＭＯＳＦＥＴのドリフト領域１２の抵抗より著しく大きくなる。

【0027】

様々な実施例において、例えば、コンタクト構造２０が、ｎ型ドープソース領域１６ともｐ型ドープ遮蔽領域２４とも良好な導電接触を形成できる材料または材料の組み合わせを有する場合、障壁層３２が独立した障壁層３２、例えば酸化物層または窒化物層として形成されていてもよい。これが図４Ａおよび図４Ｂに例示的に表されている。

【0028】

障壁層３２は、図４Ａおよび図４Ｂに表されたものとは異なりソースコンタクト部２２の下方まで延びるのであれば、ｐ型ドープ遮蔽領域２４とも接触するために、場合によってはいくつかの箇所に（例えば、図面の平面に対して垂直に、すなわちＴＭＯＳＦＥＴではゲートが形成されている溝に沿って、一定の間隔で）開口部を有してもよい。

【0029】

図５Ａ、図５Ｂ、および図５Ｃは、それぞれ、様々な実施例による飽和コンタクト部２００を備えたＭＯＳＦＥＴの形成方法の概略的な説明図が示す。

【0030】

図５Ａは、グラフェン飽和コンタクト部２０を含む飽和コンタクト部２００を備えたＴＭＯＳＦＥＴの形成を説明する。例えばｐ型ドープチャネル領域１４、ｎ型ドープソース領域１６、およびｐ型ドープ遮蔽領域２４の埋め込み後、これらを活性化（図ａ）した後、グラフェンを、例えば全面的に、約１７００℃で成長させることができる（図ｂ）。その後、チャネル（トレンチ）５０が形成され、これに後処理（例えば、面取り）が（約１４００℃で）施されてもよい（図ｃ）。全てのさらなる工程、例えばゲート誘電体３０、例えばゲート酸化物の堆積、焼き鈍し、ゲート電極２８としてのポリシリコンの堆積等も同様にその後に実施されてもよく（図ｄ）、１４００℃の最高温度に制限され得る。

【0031】

代替的に、図５Ｂに表されているように、最初に溝５０が形成されこれに後処理（例えば、面取り）が施され（図ａ）、その後にグラフェン２０の成長が行われてもよい（図ｂ）。この場合、後続の工程では、トレンチ５０内のグラフェン２０は再び局所的に除去されなければならない（図ｃ）。さらなる工程は、図５Ａで説明されたように実施され得る（図ｄ）。

【0032】

図５Ｃで説明されているさらなる変形例では、トレンチ５０が形成および後処理の後、炭素カバー５２、いわゆる「カーボンキャップ」で満たされる（図ａ）。続いて、トレンチ５０内のみに残るように炭素カバー５２はエッチング除去されてもよい（図ｂ）。その後、グラフェン２０が成長させられる。ここで、炭素カバー５２で満たされているトレンチ５０にはグラフェン２０が存在していない（図ｃ）。最後に、プラズマエッチングによって炭素カバー５２が除去される。ここで、使用するエッチングは炭素カバー５２のみを除去しグラフェン２０を無傷のままにすることを確実にしなければならない。このために、例えば酸素プラズマが使用され得る（図ｄ）。

【0033】

図６は、様々な実施例による飽和コンタクト部を備えたＭＯＳＦＥＴの形成方法６００のフローチャートを示す。この方法は、ｎ型ドープソース領域を形成する工程（６１０）と、障壁層を形成する工程（６２０）と、横方向に少なくともｎ型ドープソース領域の一部と障壁層の一部とにわたって延びるコンタクト構造を、ｎ型ドープソース領域と導電的に接触するように形成する工程（６３０）と、障壁層上に配置されているコンタクト構造の部分上に誘電層を形成する工程を有し得る方法であって、コンタクト構造は、この部分において、そこに二次元電子ガスを形成するように構成されている（６４０）。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4A】

【図4B】

【図5A】

【図5B】

【図5C】

【図6】