特許 7507502 多層基板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-20

(45)【発行日】2024-06-28

(54)【発明の名称】多層基板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240621BHJP

   H05K 1/03 20060101ALI20240621BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 T

H05K1/03 610H

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2022144278

(22)【出願日】2022-09-12

(65)【公開番号】P2023143623

(43)【公開日】2023-10-06

【審査請求日】2022-09-12

(31)【優先権主張番号】63/269,836

(32)【優先日】2022-03-24

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】111124134

(32)【優先日】2022-06-28

(33)【優先権主張国・地域又は機関】TW

(73)【特許権者】

【識別番号】514209308

【氏名又は名称】佳勝科技股▲ふん▼有限公司

(74)【代理人】

【識別番号】100206335

【弁理士】

【氏名又は名称】太田 和宏

(74)【代理人】

【識別番号】100116872

【弁理士】

【氏名又は名称】藤田 和子

(74)【代理人】

【識別番号】100120857

【弁理士】

【氏名又は名称】渡邉 聡

(72)【発明者】

【氏名】李 弘榮

【審査官】小林 大介

(56)【参考文献】

【文献】特開２００９－０７１０２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００６－３４４８２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１５／０５００８０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２００７／０２６７１３８（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ３／４６

Ｈ０５Ｋ １／０３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

下から上に積層され、それぞれ片面板又は両面板であり、それぞれが融点を有する液晶高分子基板と少なくとも１つの金属層とを含む積層板を複数層含み、
複数の前記液晶高分子基板は、数が３以上の奇数であり、最も中間に位置する前記液晶高分子基板の融点が複数の前記液晶高分子基板の複数の前記融点の中で最も低く、複数の前記液晶高分子基板の複数の前記融点が、最も中間に位置する前記液晶高分子基板から離れる方向に向かって漸増し、
前記積層板は、
第１融点を有する第１液晶高分子基板と少なくとも１個の第１金属層とを有する第１積層板と、
第２融点を有する第２液晶高分子基板と少なくとも１個の第２金属層とを有し前記第１積層板の上に配置される第２積層板と、
第３融点を有する第３液晶高分子基板と少なくとも１個の第３金属層とを有し前記第２積層板の上に配置される第３積層板と、
第４融点を有する第４液晶高分子基板と少なくとも１個の第４金属層とを有し前記第３積層板の上に配置される第４積層板と、
第５融点を有する第５液晶高分子基板と少なくとも１個の第５金属層とを有し前記第４積層板の上に配置される第５積層板と、
を有し、
前記第１積層板と前記第２積層板と前記第３積層板と前記第４積層板と前記第５積層板とがこの順番に積層され、
前記第２融点と前記第４融点は実質的に同じでかつ前記第３融点より高く、
前記第１融点と前記第５融点は実質的に同じであり、
前記第１融点は前記第２融点より高く、
前記第５融点は前記第４融点より高い、
多層基板。

【請求項2】

前記第２融点及び前記第４融点は、前記第３融点より３３℃から５７℃高い請求項１に記載の多層基板。

【請求項3】

前記第２融点及び前記第４融点は、前記第３融点より３３℃から４７℃高く、前記第１融点及び前記第５融点は、前記第３融点より４３℃から５７℃高い請求項１に記載の多層基板。

【請求項4】

複数の前記液晶高分子基板は、同じ液晶高分子を含む請求項１に記載の多層基板。

【請求項5】

複数の前記液晶高分子基板は、サーモトロピック液晶高分子、熱可塑性液晶高分子又はそれらの組み合わせを含む請求項１～４の何れか１項に記載の多層基板。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示内容は、多層基板に関し、特に、異なる融点の液晶高分子基板を複数層含む多層基板に関する。

【背景技術】

【0002】

スマートフォン、タブレットコンピュータ及びノートパソコンのような現在の移動装置に使用される中央処理装置（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ；ＣＰＵ）のクロックレート（ｃｌｏｃｋ ｒａｔｅ）が殆どギガヘルツ（ｇｉｇａｈｅｒｔｚ；ＧＨｚ）以上であるため、移動装置は、中央処理装置の要求に対応するために、高周波回路を採用する必要がある。また、高周波回路の要求を満たすために、メーカーは、抵抗－静電容量遅延（ＲＣ ｄｅｌａｙ）による悪影響を減少しなければならない。

【0003】

液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ；ＬＣＰ）は、低吸湿性、耐熱性、耐薬品性及び誘電特性に優れているため、高周波回路や高速伝送ライン用回路の基板として好適である。多層基板を作製する積層体は複数層の誘電体層を含み、積層体を熱圧着する時に、これらの誘電体層は熱源からの距離が異なり、受熱が不均一となり、多層基板の圧着不良という問題を引き起こす。上記に鑑みて、上記問題を克服するために、新規な多層基板の開発が望まれている。

【発明の概要】

【0004】

本開示内容は、下から上に積層され、それぞれ片面板又は両面板であり、それぞれ融点を有する液晶高分子基板及び少なくとも１つの金属層をそれぞれ含む積層板（Ｌａｍｉｎａｔｅ；Ｌａｍｉｎａｔｅｄ ｐｌａｔｅ；Ｌａｍｉｎａｔｅｄ ｐａｎｅｌ）を複数層含み、複数の液晶高分子基板は、数が３以上の奇数である場合、最も中間に位置する第１中間基板を含み、第１中間基板の第１融点が複数の液晶高分子基板の融点の中で最も低く、複数の液晶高分子基板の融点が第１中間基板から離れる方向に向かって漸増し、複数の液晶高分子基板は、数が４以上の偶数である場合、最も中間に位置する第２中間基板及び第３中間基板を含み、第２中間基板の第２融点又は第３中間基板の第３融点が複数の液晶高分子基板の融点の中で最も低く、第２融点及び第３融点が実質的に同じであり、複数の液晶高分子基板の融点が第２中間基板及び第３中間基板から離れる方向に向かって漸増する多層基板を提供する。

【0005】

幾つかの実施形態において、複数の積層板は、第４融点を有する第１液晶高分子基板及び少なくとも１つの第１金属層を含む第１積層板と、第５融点を有する第２液晶高分子基板及び少なくとも１つの第２金属層を含む第２積層板と、第６融点を有する第３液晶高分子基板及び少なくとも１つの第３金属層を含む第３積層板と、を含み、第２積層板は、第１積層板と第３積層板との間に設けられ、第４融点及び第６融点が実質的に同じであり且つ第５融点よりも高い。

【0006】

幾つかの実施形態において、第４融点及び第６融点は、第５融点より３３℃から５７℃高い。

【0007】

幾つかの実施形態において、多層基板は、第７融点を有する第４液晶高分子基板及び少なくとも１つの第４金属層を含む第４積層板と、第８融点を有する第５液晶高分子基板及び少なくとも１つの第５金属層を含む第５積層板と、を更に含み、第４積層板は第３積層板の上に設けられ、第５積層板は第１積層板の下に設けられ、第７融点及び第８融点が実質的に同じであり、第７融点は第６融点より高く、第８融点は第４融点よりも高い。

【0008】

幾つかの実施形態において、第４融点及び第６融点は、第５融点より３３℃から４７℃高く、第７融点及び第８融点は、第５融点より４３℃から５７℃高い。

【0009】

幾つかの実施形態において、複数の積層板は、第４融点を有する第１液晶高分子基板及び少なくとも１つの第１金属層を含む第１積層板と、第５融点を有する第２液晶高分子基板及び少なくとも１つの第２金属層を含む第２積層板と、第６融点を有する第３液晶高分子基板及び少なくとも１つの第３金属層を含む第３積層板と、第７融点を有する第４液晶高分子基板及び少なくとも１つの第４金属層を含む第４積層板と、を含み、第１積層板～第４積層板は下から上に順に積層され、第５融点及び第６融点が実質的に同じであり、第４融点及び第７融点が実質的に同じであり、第４融点及び第７融点は第５融点又は第６融点よりも高い。

【0010】

幾つかの実施形態において、第４融点及び第７融点は、第５融点又は第６融点より３３℃から５７℃高い。

【0011】

幾つかの実施形態において、第１中間基板に最も近い液晶高分子基板の融点は、第１融点より３３℃から５７℃高く、第２中間基板及び第３中間基板に最も近い液晶高分子基板の融点は、第２融点又は第３融点より３３℃から５７℃高い。

【0012】

幾つかの実施形態において、複数の液晶高分子基板は、同じ液晶高分子を含む。

【0013】

幾つかの実施形態において、前記の何れか１項の多層基板において、複数の液晶高分子基板は、サーモトロピック（Ｔｈｅｒｍｏｔｒｏｐｉｃ）液晶高分子、熱可塑性（Ｔｈｅｒｍｏｐｌａｓｔｉｃ）液晶高分子又はそれらの組み合わせを含む。

【0014】

前述の一般的な説明及び以下の具体的な説明は、単に例示的かつ説明的なものであり、請求される本開示内容に対する更なる説明を提供することを意図していることを理解すべきである。
明細書の内容を参照し、添付図面と合わせて、本開示内容の上記及び他の態様、特徴、及び他のメリットをより明確に理解する。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本開示の一実施形態による多層基板を示す模式図である。

【図2】本開示の別の実施形態による多層基板を示す模式図である。

【図3】本開示の別の実施形態による多層基板を示す模式図である。

【図4】本開示の別の実施形態による、多層基板を形成するための積層体を示す模式図である。

【図5】本開示の別の実施形態による多層基板を示す模式図である。

【図6】本開示の別の実施形態による、多層基板を形成するための積層体を示す模式図である。

【図7】本開示の別の実施形態による多層基板を示す模式図である。

【図8】本開示の別の実施形態による多層基板を示す模式図である。

【図9】本開示の別の実施形態による多層基板を示す模式図である。

【図10】本開示の別の実施形態による多層基板を示す模式図である。

【図11】本開示の別の実施形態による、多層基板を形成するための積層体を示す模式図である。

【図12】本開示内容の別の実施形態による多層基板を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本開示内容の複数の実施形態を図面によって開示し、説明を明確にするために、多くの実務上の細部を以下の説明において併せて説明する。しかしながら、これらの実務上の細部は、本開示内容を制限するために適用されないことを理解すべきである。すなわち、本開示内容の一部の実施形態において、これらの実務上の細部は、必要ではない。また、図面を簡略化するために、幾つかの従来の慣用の構造及び素子が図面において簡単かつ概略的に示される。

【0017】

本開示内容において、第１、第２及び第３などを用いる語彙が、種々のエレメント、素子、領域、層及び／又はブロックを説明することに用いられることは理解されることができる。しかし、これらのエレメント、要素、領域、層及び／又はブロックはこれらの用語に限定されるべきではない。これらの語彙は、単一のエレメント、要素、領域、層及び／又はブロックを識別することに用いられることのみに限られる。したがって、以下の第１エレメント、素子、領域、層及び／又はブロックは、本開示内容の趣旨を逸脱することなく、第２エレメント、素子、領域、層及び／又はブロックとも呼ばれる。

【0018】

本開示内容において、積層板は、片面板又は両面板であってもよい。片面板は、１層の液晶高分子基板及び液晶高分子基板の表面に位置する１層の金属層を含む。両面板は、１層の液晶高分子基板及び液晶高分子基板の上面及び下面にそれぞれ位置する２層の金属層を含む。上記金属層は、エッチングされていない金属箔片又は金属箔片をエッチングして形成された金属配線であってもよい。金属層が金属配線である場合、積層板は回路基板とも呼ばれる。

【0019】

本開示内容は、下から上に積層された積層板を複数層含む多層基板を提供する。複数の積層板は、それぞれ片面板又は両面板である。複数の積層板は、液晶高分子基板及び少なくとも１つの金属層をそれぞれ含む。複数の液晶高分子基板は、それぞれ融点を有する。積層板は、数が奇数又は偶数である。液晶高分子基板は、数が３以上の奇数である場合、最も中間に位置する第１中間基板を含み、第１中間基板の第１融点が複数の液晶高分子基板の融点の中で最も低く、複数の液晶高分子基板の融点が第１中間基板から離れる方向に向かって漸増する。つまり、第１中間基板から多層基板の上面にかけて液晶高分子基板の融点は下から上に漸増し、第１中間基板から多層基板の下面にかけて液晶高分子基板の融点は上から下に漸増する。複数の液晶高分子基板は、数が４以上の偶数である場合、最も中間に位置する第２中間基板及び第３中間基板を含み、第２中間基板は第３中間基板の上に位置し、第２中間基板の第２融点又は第３中間基板の第３融点が複数の液晶高分子基板の融点の中で最も低く、第２融点及び第３融点が実質的に同じであり、複数の液晶高分子基板の融点が第２中間基板及び第３中間基板から離れる方向に向かって漸増する。つまり、第２中間基板から多層基板の上面にかけて液晶高分子基板の融点は下から上に漸増し、第３中間基板から多層基板の下面にかけて液晶高分子基板の融点は上から下に漸増する。幾つかの実施形態において、上記中間基板の融点は２８３℃～２８７であり、例えば２８３℃、２８４℃、２８５℃、２８６℃又は２８７℃である。幾つかの実施形態において、上記中間基板に隣接する液晶高分子基板の融点は、中間基板の融点より３３℃から５７℃高い。例えば、３３℃、３６℃、３９℃、４２℃、４５℃、４８℃、５１℃、５４℃又は５７℃である。

【0020】

幾つかの実施形態において、液晶高分子基板のそれぞれは同じ種類の液晶高分子を含む。幾つかの実施形態において、液晶高分子基板のそれぞれは異なる種類の液晶高分子を含む。幾つかの実施形態において、液晶高分子基板は、サーモトロピック液晶高分子、熱可塑性液晶高分子又はそれらの組み合わせを含む。

【0021】

多層基板の製造方法は、上記積層板を複数層含む積層体を熱圧着（例えば、一次熱圧着）するステップを含む。多層基板を製造する場合、熱源は、積層体の上面及び下面に置かれる。幾つかの実施形態において、熱源に最も近い液晶高分子基板の融点はＴ_ｍであり、熱圧着の温度はＴ_ｍ－３０℃～Ｔ_ｍ℃である。積層体のうち積層体の上面及び下面に近い積層板は受熱が多く、積層体の上面及び下面から遠い積層板は受熱が少ないため、積層板の受熱が不均一となる。これらの積層板内の金属層を担持するための液晶高分子基板は何れも同じ融点の液晶高分子を含むと、積層体は受熱の不均一により圧着不良となる可能性がある。しかしながら、本開示内容の積層板における液晶高分子基板は、異なる融点を有し、最も中間に位置する液晶高分子基板の融点が最も低く、最も外側（すなわち最も上方及び最も下方）に位置する液晶高分子基板の融点が最も高く、残りの液晶高分子基板の融点が外側（すなわち上方及び下方）に向かって漸増する。そのため、熱圧着過程において、各層の液晶高分子基板が変形する程度が近く、これにより、積層体で形成された多層基板は良好な平坦度を有し且つ歩留まりが高いというメリットを有する。また、液晶高分子は、比較的低い吸水率、誘電率、損失係数、熱膨張係数、及び優れた寸法安定性、電気性、ガスバリア性及び熱伝導率を有するため、一般的な誘電体材料よりも多層基板の絶縁基板材料として適している。

【0022】

以下、本開示内容による多層基板の種々の実施形態を図面によって説明する。本開示内容による多層基板内の積層板の数は、設計の要求に応じて任意に調整することができ、数は、例えば３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９、２０又は２１であるが、これらに限定されない。図１、図２、図３、図５、図７、図８、図９、図１０及び図１２は、本開示内容の種々の実施形態による多層基板を示す模式図である。図１、図２、図３、図５、図７、図８、図９、図１０及び図１２は、３層、４層、３層、４層、５層、７層、１３層、３層、７層の積層板をそれぞれ含む多層基板の実施態様をそれぞれ示す。

【0023】

図１に示すように、多層基板１００は、３層の積層板、すなわち、第１積層板１１０、第２積層板１２０及び第３積層板１３０を含む。積層板の数は任意に調整可能であり、これに限定されない。第１積層板１１０、第２積層板１２０及び第３積層板１３０は、それぞれ、片面板又は両面板である。第１積層板１１０、第２積層板１２０及び第３積層板１３０は、第１融点を有する第１液晶高分子基板、第２融点を有する第２液晶高分子基板及び第３融点を有する第３液晶高分子基板をそれぞれ含む。第２液晶高分子基板は、最も中間に位置する中間基板であり、全ての融点のうち、第２融点は最も低く、第１融点、第２融点及び第３融点は、第２液晶高分子基板から離れる方向に向かって漸増する。つまり、第１融点及び第３融点は、第２融点よりも高い。幾つかの実施形態において、第１融点及び第３融点が実質的に同じであり、上記融点の分布が対称であるため、多層基板１００を熱圧着して形成する過程において、第１積層板１１０及び第３積層板１３０の変形程度が近く、これにより、多層基板１００は良好な平坦度を有し且つ歩留まりが高い。幾つかの実施形態において、第１融点及び第３融点は、第２融点より３３℃から５７℃高い。

【0024】

図２に示すように、多層基板２００は、４層の積層板、すなわち、第１積層板２１０、第２積層板２２０、第３積層板２３０及び第４積層板２４０を含む。積層板の数は任意に調整可能であり、これに限定されない。第１積層板２１０、第２積層板２２０、第３積層板２３０及び第４積層板２４０は、それぞれ、片面板又は両面板である。第１積層板２１０、第２積層板２２０、第３積層板２３０及び第４積層板２４０は、第１融点を有する第１液晶高分子基板、第２融点を有する第２液晶高分子基板、第３融点を有する第３液晶高分子基板及び第４融点を有する第４液晶高分子基板をそれぞれ含む。第２、３液晶高分子基板はそれぞれ、最も中間に位置する第１、２中間基板であり、全ての融点のうち、第２又は第３融点は最も低く、第２融点及び第３融点が実質的に同じであり、第１融点、第２融点、第３融点及び第４融点は、第２、３液晶高分子基板から離れる方向に向かって漸増する。つまり、第１、第４融点は、第２又は第３融点よりも高い。幾つかの実施形態において、第１融点及び第４融点が実質的に同じであり、上記融点の分布が対称であるため、多層基板２００を熱圧着して形成する過程において、第１積層板２１０及び第４積層板２４０の変形程度が近く、第２積層板２２０及び第３積層板２３０の変形程度が近く、これにより、多層基板２００は良好な平坦度を有し且つ歩留まりが高い。幾つかの実施形態において、第１融点及び第４融点は、第２融点又は第３融点より３３℃から５７℃高い。

【0025】

図１及び図３を同時に参照し、図３の多層基板３００は図１の多層基板１００の一実施形態である。多層基板３００は、３層の片面板、すなわち、第１積層板３１０、第２積層板３２０及び第３積層板３３０を含む。第１積層板３１０は、第１融点を有する第１液晶高分子基板３１０Ａ及び第１金属層３１０Ｂを含む。第２積層板３２０は、第２融点を有する第２液晶高分子基板３２０Ａ及び第２金属層３２０Ｂを含む。第３積層板３３０は、第３融点を有する第３液晶高分子基板３３０Ａ及び第３金属層３３０Ｂを含む。第２積層板３２０は、第１積層板３１０と第３積層板３３０との間に設けられる。第１融点及び第３融点は、第２融点よりも高い。幾つかの実施形態において、第１融点及び第３融点が実質的に同じである。幾つかの実施形態において、第１融点及び第３融点は、第２融点より３３℃から５７℃高い。幾つかの実施形態において、第１金属層３１０Ｂ、第２金属層３２０Ｂ及び第３金属層３３０Ｂは、エッチングされていない金属箔片又は金属配線（図示せず）であってもよい。以下の表１は実施例１～６の多層基板３００を列挙する。幾つかの実施形態において、Ｍは２８３℃～２８７℃であり、例えば２８３℃、２８４℃、２８５℃、２８６℃又は２８７℃である。

【0026】

【表1】

【0027】

幾つかの実施形態において、第１、第２及び第３液晶高分子基板３１０Ａ、３２０Ａ、３３０Ａの厚さは、それぞれ独立して１～２０００μｍであり、例えば１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ、３００μｍ、５００μｍ、７００μｍ、９００μｍ、１０００μｍ、１３００μｍ又は１５００μｍであるが、これらに限定されない。

【0028】

幾つかの実施形態において、金属層を電気的に導通させるように、第１、第２及び第３液晶高分子基板３１０Ａ、３２０Ａ、３３０Ａ内に導電素子（例えば導電貫通孔）（図示せず）が設けられてもよい。幾つかの実施形態において、第１、第２及び第３液晶高分子基板３１０Ａ、３２０Ａ、３３０Ａのそれぞれは、異なる種類の液晶高分子を含む。幾つかの実施形態において、第１、第２及び第３液晶高分子基板３１０Ａ、３２０Ａ、３３０Ａのそれぞれは、同じ種類の液晶高分子を含む。幾つかの実施形態において、第１、第２及び第３液晶高分子基板３１０Ａ、３２０Ａ、３３０Ａはサーモトロピック液晶高分子を含み、サーモトロピック液晶高分子は、例えば、サーモトロピック液晶高分子樹脂である。サーモトロピック液晶高分子樹脂は、高耐熱型の第１型液晶ポリマー樹脂、中耐熱型の第２型液晶ポリマー樹脂及び低耐熱型の第３型液晶ポリマー樹脂を含む。

【0029】

幾つかの実施形態において、高耐熱型の液晶ポリマー樹脂は、ｐ－ヒドロキシ安息香酸（ｐ－Ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏｉｃ Ａｃｉｄ、ＨＢＡ）、テレフタル酸（Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌｉｃ Ａｃｉｄ、ＴＡ）と４、４’ジオキシジフェノール（４、４’－ｄｉｏｘｙｄｉｐｈｅｎｏｌ、ＤＯＤＰ）との重合により形成される液晶ポリマー樹脂を含む。他の実施形態において、中耐熱型の液晶ポリマー樹脂は、ｐ－ヒドロキシ安息香酸（ＨＢＡ）と６－ヒドロキシ－２－ナフトエ酸（６－Ｈｙｄｒｏｘｙ－２－ｎａｐｈｔｈｏｉｃ Ａｃｉｄ、ＨＮＡ）との重合により形成される液晶ポリマー樹脂を含む。更なる実施例において、低耐熱型の液晶ポリマー樹脂は、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）とｐ－ヒドロキシ安息香酸（ＨＢＡ）との重合により形成される液晶ポリマー樹脂を含む。

【0030】

幾つかの実施形態において、本開示内容は、液晶高分子基板の融点を調整する方法を提供する。液晶高分子基板は、サーモトロピック液晶高分子樹脂を含む。加熱前の液晶高分子の融点は、融点Ｔ_ｍ１を有する。幾つかの実施形態において、融点Ｔ_ｍ１は２００℃～４００℃であり、例えば２５０℃、２７０℃、２８０℃、２９０℃、３００℃又は３５０℃である。ステップＡでは、液晶高分子を第１温度まで加熱し、且つ第１温度を第１時間維持する。第１温度は液晶高分子の第１融点以下である。幾つかの実施形態において、第１温度と融点Ｔ_ｍ１との差は、１００℃以下、例えば、２０℃、４０℃、６０℃又は８０℃である。幾つかの実施形態において、昇温レートは０．１℃／分～４０℃／分であり、例えば、０．２、０．５、１、５、１０、２０、３０、４０℃／分である。加熱レートが遅すぎると、プロセス時間が長すぎ、製造コストを増加させるおそれがある。加熱レートが速すぎると、液晶高分子の加熱が不均一になるおそれがある。幾つかの実施形態において、第１時間は１分間～４８時間であり、例えば１、５、２０又は３０分間又は１、５、１０、２０、３０、４０又は４８時間である。ステップＢでは、液晶高分子を第２温度まで降温し、改質液晶高分子を形成し、第２温度は第１温度より低い。この改質液晶高分子は融点Ｔ_ｍ２を有し、融点Ｔ_ｍ２は液晶高分子の融点Ｔ_ｍ１より高い。幾つかの実施例において、第２温度は室温以上であり、例えば３０℃、４０℃、５０℃又は６０℃である。幾つかの実施例において、第２温度は１００℃より低い。液晶高分子を第１温度まで加熱するとその構造を部分的に組換えさせることができるので、液晶高分子を第２温度まで降温する時、液晶高分子の結晶配列、大きさ及び形状は何れも変化し、そのため、液晶高分子の融点を増加させる。ステップＡ－Ｂを複数回繰り返して実行して液晶高分子の融点を向上させ、加温ごとの温度は何れも前回加温の温度より２０℃～５０℃高い。上記方法により、異なる融点を有する液晶高分子基板を作製することができる。液晶高分子基板は、同一又は異なる液晶高分子を含んでいてもよい。

【0031】

幾つかの実施形態において、第１、第２及び第３液晶高分子基板３１０Ａ、３２０Ａ、３３０Ａは、熱可塑性液晶高分子を含む。幾つかの実施形態において、熱可塑性液晶高分子は、（１）芳香族又は脂肪族ジカルボン酸、（２）芳香族ヒドロキシカルボン酸、（３）芳香族又は脂肪族ジヒドロキシ化合物、及び（４）芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシアミン又は芳香族アミノカルボン酸からなる群から選択される反応物を重合してなるものである。

【0032】

【化1】

【0033】

本開示内容は、液晶高分子基板の融点を調整する方法を提供する。液晶高分子基板は、熱可塑性液晶高分子を含む。加熱前の液晶高分子基板の融点は、融点Ｔ_ｍ１を有する。特定の温度で積層板を加熱し、加熱時間は１～２４時間であり、特定の温度はＴ_ｍ１－３０℃以上且つＴ_ｍ１ ℃未満であり、そのため積層板における液晶高分子基板の融点を高めることができる。幾つかの実施例において、加熱時間は、１、５、１０、１５、２０又は２４時間である。積層板を長時間加熱することにより、液晶高分子基板の融点を高めることができる。加熱時間の増加に伴い、液晶高分子基板の融点は増加する。上記方法により、異なる融点を有する液晶高分子基板を作製することができる。液晶高分子基板は、同一又は異なる液晶高分子を含んでいてもよい。

【0034】

幾つかの実施形態において、第１、第２及び第３金属層３１０Ｂ、３２０Ｂ、３３０Ｂは、それぞれ独立して銅基板、アルミニウム基板、ニッケル基板、パラジウム基板又は錫基板であるが、これらに限定されない。例えば、金属層は、銅箔（Ｃｏｐｐｅｒ ｆｏｉｌ）であってもよい。幾つかの実施形態において、第１、第２及び第３金属層３１０Ｂ、３２０Ｂ、３３０Ｂの厚さは、それぞれ独立して１００～５００μｍであり、例えば１５０μｍ、２００μｍ、２５０μｍ、３００μｍ、３５０μｍ、４００μｍ又は４５０μｍであるが、これらに限定されない。本開示内容における全ての液晶高分子基板及び金属層の実施形態について、何れも上記図３の実施形態を参照することができるため、後に説明を省略する。

【0035】

本開示内容の種々の実施形態による多層基板を形成するための積層体４００を示す模式図である図４を参照されたい。図４に示すように、積層体４００を熱圧着する前に、第１積層板３１０’、第２積層板３２０’及び第３積層板３３０’の第１金属層３１０Ｂ’、第２金属層３２０Ｂ’及び第３金属層３３０Ｂ’は、パターニングされた金属配線である。これらの積層板は、回路基板とも呼ばれる。幾つかの実施形態において、熱圧着の後、第１液晶高分子基板３１０Ａ及び第２液晶高分子基板３２０Ａは直接接触し、且つ第１金属層３１０Ｂ’の側壁（図示せず）を被覆し、第２液晶高分子基板３２０Ａ及び第３液晶高分子基板３３０Ａは直接接触し、且つ第２金属層３２０Ｂ’の側壁（図示せず）を被覆する。

【0036】

図２及び図５を同時に参照し、図５の多層基板５００は図２の多層基板２００の一実施形態である。多層基板５００は４層の片面板を含む。多層基板５００は、第１積層板５１０、第２積層板５２０、第３積層板５３０及び第４積層板５４０を含む。第１積層板５１０は、第１融点を有する第１液晶高分子基板５１０Ａ及び第１金属層５１０Ｂを含む。第２積層板５２０は、第２融点を有する第２液晶高分子基板５２０Ａ及び第２金属層５２０Ｂを含む。第３積層板５３０は、第３融点を有する第３液晶高分子基板５３０Ａ及び第３金属層５３０Ｂを含む。第４積層板５４０は、第４融点を有する第４液晶高分子基板５４０Ａ及び第４金属層５４０Ｂを含む。第１積層板５１０～第４積層板５４０は、下から上に順に積層される。第２融点及び第３融点が実質的に同じであり、第１融点及び第４融点が実質的に同じであり、第１融点及び第４融点は第２融点又は第３融点よりも高い。幾つかの実施形態において、第１融点及び第４融点は、第２融点又は第３融点より３３℃から５７℃高い。幾つかの実施形態において、第１金属層５１０Ｂ、第２金属層５２０Ｂ、第３金属層５３０Ｂ及び第４金属層５４０Ｂは、エッチングされていない金属箔片又は金属配線（図示せず）であってもよい。

【0037】

本開示内容の種々の実施形態による多層基板を形成するための積層体６００を示す模式図である図６を参照されたい。図６に示すように、積層体６００を熱圧着する前に、第１積層板５１０’、第２積層板５２０’、第３積層板５３０’及び第４積層板５４０’の第１金属層５１０Ｂ’、第２金属層５２０Ｂ’、第３金属層５３０Ｂ’及び第４金属層５４０’は、パターニングされた金属配線である。これらの積層板は、回路基板とも呼ばれる。幾つかの実施形態において、熱圧着の後、これらの液晶高分子基板は互いに直接接触し、且つ第１、第２及び第３金属層５１０Ｂ’、５２０Ｂ’、５３０Ｂ’の側壁（図示せず）を被覆する。熱圧着後の積層体６００の実施形態について、図４の実施形態を参照することができる。

【0038】

図７に示すように、多層基板７００は５層の片面板を含む。多層基板７００は、第１積層板７１０、第２積層板７２０、第３積層板７３０、第４積層板７４０及び第５積層板７５０を含む。第１積層板７１０は、第１融点を有する第１液晶高分子基板７１０Ａ及び第１金属層７１０Ｂを含む。第２積層板７２０は、第２融点を有する第２液晶高分子基板７２０Ａ及び第２金属層７２０Ｂを含む。第３積層板７３０は、第３融点を有する第３液晶高分子基板７３０Ａ及び第３金属層７３０Ｂを含む。第４積層板７４０は、第４融点を有する第４液晶高分子基板７４０Ａ及び第４金属層７４０Ｂを含む。第５積層板７５０は、第５融点を有する第５液晶高分子基板７５０Ａ及び第５金属層７５０Ｂを含む。第１積層板７１０～第５積層板７５０は、下から上に順に積層される。第３液晶高分子基板７３０Ａは、最も中間に位置する中間基板である。全ての融点のうち、第３融点は最も低く、第１融点、第２融点、第３融点、第４融点及び第５融点は、第３液晶高分子基板７３０Ａから離れる方向に向かって漸増する。つまり、第２融点及び第４融点は第３融点よりも高く、第１融点は第２融点よりも高く、第５融点は第４融点よりも高い。幾つかの実施形態において、第２融点及び第４融点が実質的に同じであり、第１融点及び第５融点が実質的に同じである。幾つかの実施形態において、第２融点及び第４融点は、第３融点より３３℃から４７℃高く、第１融点及び第５融点は、第３融点より４３℃から５７℃高い。以下の表２は実施例７～１０を列挙する。幾つかの実施形態において、Ｍは２８３℃～２８７℃であり、例えば２８３℃、２８４℃、２８５℃、２８６℃又は２８７℃である。

【0039】

【表2】

【0040】

図８に示すように、多層基板８００は７層の片面板を含む。多層基板８００は、第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７積層板８１０、８２０、８３０、８４０、８５０、８６０、８７０を含む。上記積層板は、第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７液晶高分子基板８１０Ａ、８２０Ａ、８３０Ａ、８４０Ａ、８５０Ａ、８６０Ａ、８７０Ａ、及び第１、第２、第３、第４、第５、第６、第７金属層８１０Ｂ、８２０Ｂ、８３０Ｂ、８４０Ｂ、８５０Ｂ、８６０Ｂ、８７０Ｂを含む。上記液晶高分子基板は、第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７融点をそれぞれ有する。第１積層板８１０～第７積層板８７０は、下から上に順に積層される。第４液晶高分子基板８４０Ａは、最も中間に位置する中間基板である。全ての融点のうち、第４融点は最も低く、第１融点、第２融点、第３融点、第４融点、第５融点、第６融点及び第７融点は、第４液晶高分子基板８４０Ａから離れる方向に向かって漸増する。つまり、第３融点及び第５融点は第４融点よりも高く、第２融点は第３融点よりも高く、第１融点は第２融点より高く、第６融点は第５融点より高く、第７融点は第６融点よりも高い。幾つかの実施形態において、第３融点及び第５融点が実質的に同じであり、第２融点及び第６融点が実質的に同じであり、第１融点及び第７融点が実質的に同じである。以下の表３は実施例１１を列挙する。幾つかの実施形態において、Ｍは２８３℃～２８７℃であり、例えば２８３℃、２８４℃、２８５℃、２８６℃又は２８７℃である。

【0041】

【表3】

【0042】

図９に示すように、多層基板９００は１３層の片面板を含む。多層基板９００は、第１、第２、第３、第４、第５、第６、第７、第８、第９、第１０、第１１、第１２、第１３積層板９１０、９２０、９３０、９４０、９５０、９６０、９７０、９８０、９９０、９９００、９９１０、９９２０、９９３０を含む。上記積層板は、第１、第２、第３、第４、第５、第６、第７、第８、第９、第１０、第１１、第１２及び第１３液晶高分子基板９１０Ａ、９２０Ａ、９３０Ａ、９４０Ａ、９５０Ａ、９６０Ａ、９７０Ａ、９８０Ａ、９９０Ａ、９９００Ａ、９９１０Ａ、９９２０Ａ、９９３０Ａ、及び第１、第２、第３、第４、第５、第６、第７、第８、第９、第１０、第１１、第１２及び第１３金属層９１０Ｂ、９２０Ｂ、９３０Ｂ、９４０Ｂ、９５０Ｂ、９６０Ｂ、９７０Ｂ、９８０Ｂ、９９０Ｂ、９９００Ｂ、９９１０Ｂ、９９２０Ｂ、９９３０Ｂを含む。上記液晶高分子基板は、第１、第２、第３、第４、第５、第６、第７、第８、第９、第１０、第１１、第１２及び第１３融点をそれぞれ有する。第１積層板９１０～第１３積層板９９３０は、下から上に順に積層される。第７液晶高分子基板９７０Ａは、最も中間に位置する中間基板である。全ての融点のうち、第７融点は最も低く、全ての融点は、第７液晶高分子基板９７０Ａから離れる方向に向かって漸増する。詳細には、第７融点は第１３融点に向かって漸増し、第７融点は第１融点に向かって漸増する。以下の表４は実施例１２を列挙する。幾つかの実施形態において、Ｍは２８３℃～２８７℃であり、例えば２８３℃、２８４℃、２８５℃、２８６℃又は２８７℃である。

【0043】

【表4】

【0044】

図２及び図１０を同時に参照し、図１０の多層基板１０００は図１の多層基板１００の一実施形態である。多層基板１０００は２層の片面板及び１層の両面板を含む。多層基板１０００は、第１積層板１０１０、第２積層板１０２０及び第３積層板１０３０を含む。第１積層板１０１０は、第１融点を有する第１液晶高分子基板１０１０Ａ及び第１金属層１０１０Ｂを含む。第２積層板１０２０は、第２融点を有する第２液晶高分子基板１０２０Ａ、第２下金属層１０２０Ｂ及び第２上金属層１０２０Ｃを含む。第３積層板１０３０は、第３融点を有する第３液晶高分子基板１０３０Ａ及び第３金属層１０３０Ｂを含む。第２積層板１０２０は、第１積層板１０１０と第３積層板１０３０との間に設けられる。第１融点及び第３融点は、第２融点よりも高い。幾つかの実施形態において、第１融点及び第３融点が実質的に同じである。幾つかの実施形態において、第１融点及び第３融点は、第２融点より３３℃から５７℃高い。幾つかの実施形態において、上記金属層は、エッチングされていない金属箔片又は金属配線（図示せず）であってもよい。

【0045】

本開示内容の種々の実施形態による多層基板を形成するための積層体１１００を示す模式図である図１１を参照されたい。図１１に示すように、積層体１１００を熱圧着する前に、第１積層板１０１０’、第２積層板１０２０’及び第３積層板１０３０’の第１金属層１０１０Ｂ’、第２下金属層１０２０Ｂ’、第２上金属層１０２０Ｃ’及び第３金属層１０３０Ｂ’は、パターニングされた金属配線である。これらの積層板は、回路基板とも呼ばれる。幾つかの実施形態において、熱圧着の後、これらの液晶高分子基板は互いに直接接触し、且つ第２下金属層１０２０Ｂ’及び第２上金属層１０２０Ｃ’の側壁（図示せず）を被覆する。熱圧着後の積層体１１００の実施形態について、図４の実施形態を参照することができる。

【0046】

図１２に示すように、多層基板１２００は、６層の片面板及び１層の両面板を含む。多層基板１２００は、第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７積層板１２１０、１２２０、１２３０、１２４０、１２５０、１２６０、１２７０を含む。上記積層板は第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７液晶高分子基板１２１０Ａ、１２２０Ａ、１２３０Ａ、１２４０Ａ、１２５０Ａ、１２６０Ａ及び１２７０Ａを含む。上記積層板も、第１金属層１２１０Ｂ、第２金属層１２２０Ｂ、第３金属層１２３０Ｂ、第４下金属層１２４０Ｂ、第４上金属層１２４０Ｃ、第５金属層１２５０Ｂ、第６金属層１２６０Ｂ及び第７金属層１２７０Ｂを含む。上記液晶高分子基板は、第１、第２、第３、第４、第５、第６及び第７融点をそれぞれ有する。第１積層板１２１０～第７積層板１２７０は、下から上に順に積層される。第４液晶高分子基板１２４０Ａは、最も中間に位置する中間基板である。全ての融点のうち、第４融点は最も低く、全ての融点は、第４液晶高分子基板１２４０Ａから離れる方向に向かって漸増する。詳細には、第４融点は第７融点に向かって漸増し、第４融点は第１融点に向かって漸増する。以下の表５は実施例１３を列挙する。幾つかの実施形態において、Ｍは２８３℃～２８７℃であり、例えば２８３℃、２８４℃、２８５℃、２８６℃又は２８７℃である。

【0047】

【表5】

【0048】

本開示内容は、積層板を複数層含む多層基板を提供する。複数の積層板は、異なる融点の液晶高分子基板を複数層含む。最も中間に位置する液晶高分子基板の融点は最も低く、最も外側に位置する液晶高分子基板の融点は最も高く、残りの液晶高分子基板の融点は外側に向かって漸増する。上記積層板の積層体を熱圧着して多層基板を形成するとき、融点が異なるため、各層の液晶高分子基板が変形する程度が近く、これにより、多層基板は良好な平坦度を有し且つ歩留まりが高く、そのため多層基板は良好な電気的性能を有する。

【0049】

本開示内容は、幾つかの実施形態を参照してかなり詳細に説明されたが、他の実施形態も可能である。従って、添付の特許請求の範囲の精神及び範囲は、本明細書に含まれる実施形態の記載に限定されるべきではない。

【0050】

本開示内容の範囲又は精神から逸脱しない場合、本開示内容の構造に対する様々な修正及び変更が行われ得ることは、当業者には明らかである。前述内容に鑑み、本開示内容は、添付の特許請求の範囲内に入る本開示内容の修正及び変更を包含することを意図している。

【符号の説明】

【0051】

１００、２００、３００、５００、７００、８００、９００、１０００、１２００ 多層基板
４００、６００、１１００ 積層体
１１０、２１０、３１０、３１０’、５１０、５１０’、７１０、８１０、９１０、１０１０、１２１０ 第１積層板
１２０、２２０、３２０、３２０’、５２０、５２０’、７２０、８２０、９２０、１０２０、１２２０ 第２積層板
１３０、２３０、３３０、３３０’、５３０、５３０’、７３０、８３０、９３０、１０３０、１２３０ 第３積層板
２４０、５４０、５４０’、７４０、８４０、９４０、１２４０ 第４積層板
３１０Ａ、５１０Ａ、７１０Ａ、８１０Ａ、９１０Ａ、１０１０Ａ、１２１０Ａ 第１液晶高分子基板
３１０Ｂ、３１０Ｂ’、５１０Ｂ、５１０Ｂ’、７１０Ｂ、８１０Ｂ、９１０Ｂ、１０１０Ｂ、１０１０Ｂ’、１２１０Ｂ 第１金属層
３２０Ａ、５２０Ａ、７２０Ａ、８２０Ａ、９２０Ａ、１０２０Ａ、１２２０Ａ 第２液晶高分子基板
３２０Ｂ、３２０Ｂ’、５２０Ｂ、５２０Ｂ’、７２０Ｂ、８２０Ｂ、９２０Ｂ、１２２０Ｂ 第２金属層
３３０Ａ、５３０Ａ、７３０Ａ、８３０Ａ、９３０Ａ、１０３０Ａ、１２３０Ａ 第３液晶高分子基板
３３０Ｂ、３３０Ｂ’、５３０Ｂ、５３０Ｂ’、７３０Ｂ、８３０Ｂ、９３０Ｂ、１０３０Ｂ、１０３０Ｂ’、１２３０Ｂ 第３金属層
５４０Ａ、７４０Ａ、８４０Ａ、９４０Ａ、１２４０Ａ 第４液晶高分子基板
５４０Ｂ、５４０Ｂ’７４０Ｂ、８４０Ｂ、９４０Ｂ 第４金属層
７５０、８５０、９５０、１２５０ 第５積層板
７５０Ａ、８５０Ａ、９５０Ａ、１２５０Ａ 第５液晶高分子基板
７５０Ｂ、８５０Ｂ、９５０Ｂ、１２５０Ｂ 第５金属層
８６０、９６０、１２６０ 第６積層板
８６０Ａ、９６０Ａ、１２６０Ａ 第６液晶高分子基板
８６０Ｂ、９６０Ｂ、１２６０Ｂ 第６金属層
８７０、９７０、１２７０ 第７積層板
８７０Ａ、９７０Ａ、１２７０Ａ 第７液晶高分子基板
８７０Ｂ、９７０Ｂ、１２７０Ｂ 第７金属層
９８０ 第８積層板
９８０Ａ 第８液晶高分子基板
９８０Ｂ 第８金属層
９９０ 第９積層板
９９０Ａ 第９液晶高分子基板
９９０Ｂ 第９金属層
１０２０Ｂ、１０２０Ｂ’ 第２下金属層
１０２０Ｃ、１０２０Ｃ’ 第２上金属層
１２４０Ｂ 第４下金属層
１２４０Ｃ 第４上金属層
９９００ 第１０積層板
９９００Ａ 第１０液晶高分子基板
９９００Ｂ 第１０金属層
９９１０ 第１１積層板
９９１０Ａ 第１１液晶高分子基板
９９１０Ｂ 第１１金属層
９９２０ 第１２積層板
９９２０Ａ 第１２液晶高分子基板
９９２０Ｂ 第１２金属層
９９３０ 第１３積層板
９９３０Ａ 第１３液晶高分子基板
９９３０Ｂ 第１３金属層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】