(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-06-20
(45)【発行日】2024-06-28
(54)【発明の名称】ディスプレイ装置及びその製造方法
(51)【国際特許分類】
G09F 9/30 20060101AFI20240621BHJP
G09F 9/00 20060101ALI20240621BHJP
【ＦＩ】
G09F9/30 309
G09F9/30 308D
G09F9/30 365
G09F9/30 338
G09F9/00 302
【請求項の数】
8
(21)【出願番号】P 2020104075
(22)【出願日】2020-06-16
(65)【公開番号】P2020204770
(43)【公開日】2020-12-24
【審査請求日】2023-06-15
(31)【優先権主張番号】10-2019-0072418
(32)【優先日】2019-06-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】512187343
【氏名又は名称】三星ディスプレイ株式會社
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】１， Ｓａｍｓｕｎｇ－ｒｏ， Ｇｉｈｅｕｎｇ－ｇｕ， Ｙｏｎｇｉｎ－ｓｉ， Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
(74)【代理人】
【識別番号】110000051
【氏名又は名称】弁理士法人共生国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】呉 彦 錫
(72)【発明者】
【氏名】金 ヒョン 植
(72)【発明者】
【氏名】崔 正 ミン
(72)【発明者】
【氏名】金 相 烈
(72)【発明者】
【氏名】田 宇 植
【審査官】西田 光宏
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１２２６０８（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／００４７５４４（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１１０５３２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１４８６７２（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１０９３０９０９９（ＣＮ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１８３０１５（ＵＳ，Ａ１）
【文献】中国特許出願公開第１０９６７１８６４（ＣＮ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１６２６３７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１９／０７３６７８（ＷＯ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１９０３８９（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／０１５９０７７（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ０９Ｆ ９／００－９／４６
Ｇ０９Ｇ ３／１２－３／１４
Ｇ０９Ｇ ３／３０－３／３２９１
Ｈ０１Ｌ ２１／０２
Ｈ０１Ｌ ２１／７６
Ｈ０１Ｌ ２３／５２
Ｈ０１Ｌ ２７／１２
Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／４６
Ｈ１０Ｋ ５０／００－９９／００
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の薄膜トランジスタ、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に連結される複数のディスプレイ素子が配置された表示領域、及び前記表示領域の外周辺に位置する第１非表示領域を含む基板と、前記基板を垂直方向に貫通する貫通部と、
前記貫通部と前記表示領域との間に位置する第２非表示領域と、
前記複数の薄膜トランジスタと前記複数のディスプレイ素子との間に位置し、前記第２非表示領域の一部まで延長される平坦化層と、
前記複数のディスプレイ素子上に位置し、順次に積層された第１無機封止層、有機封止層、及び第２無機封止層を含む封止層と、を備え、
前記複数のディスプレイ素子のそれぞれは、前記平坦化層上に位置する画素電極、前記画素電極上の対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間の中間層を含み、
前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とは、前記貫通部に至るように延長されて前記第２非表示領域で互いに直接接し、
前記第２非表示領域において、前記第１無機封止層は、前記第１無機封止層下に位置する他の無機層に直接接し、
前記中間層の終端及び前記対向電極の終端のそれぞれは、前記平坦化層の終端を越えて延長されて前記平坦化層の終端と前記貫通部との間で前記第１無機封止層に直接接し、
前記平坦化層の縁端は、前記中間層の縁端及び前記対向電極の縁端が前記第１無機封止層に直接接する部分から離隔されることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項2】
前記第２非表示領域において、前記第１無機封止層は、前記基板の上面に直接接することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項3】
前記基板は、順次に積層された第１基底層、第１バリア層、第２基底層、及び第２バリア層を含み、前記第２非表示領域において、前記第１無機封止層は、前記第２バリア層に直接接することを特徴とする請求項２に記載のディスプレイ装置。
【請求項4】
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれの半導体層とゲート電極との間に位置する第１無機絶縁層と、前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれの前記ゲート電極とソース電極との間、及び前記ゲート電極とドレイン電極との間に位置する第２無機絶縁層と、を更に含み、
前記第２非表示領域において、前記第１無機封止層に直接接する前記他の無機層は、前記第１無機絶縁層又は前記第２無機絶縁層であることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項5】
前記第２非表示領域において、前記平坦化層上には、前記貫通部を取り囲む第１内部ダムが更に位置し、前記有機封止層は、前記第１内部ダムによって区画された領域外に位置することを特徴とする請求項４に記載のディスプレイ装置。
【請求項6】
前記平坦化層上に位置し、前記画素電極のエッジを覆う画素定義膜を更に含み、前記第１内部ダムは、前記画素定義膜と同一材質を含むことを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項7】
前記第２非表示領域において、前記平坦化層上には、前記第１内部ダムから離隔された位置に、前記貫通部を取り囲む第２内部ダムを更に含むことを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
【請求項8】
前記第２非表示領域において、前記第２無機絶縁層上には、前記平坦化層によって覆われた複数のデータ線が位置し、前記第１内部ダムは、前記複数のデータ線のうちの少なくとも一部に重畳して位置することを特徴とする請求項５に記載のディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
最近、ディスプレイ装置の前面から物理的ボタンなどが除去され、画像を表示する表示領域が拡大されている。一例として、表示領域を拡大させるために、カメラのようなディスプレイ装置の機能を拡張させるための別途の部材を表示領域内に配置させたディスプレイ装置が紹介されている。一方、カメラのような別途の部材を表示領域内に配置するためには、表示領域内に、別途の部材が位置することができる溝又は貫通部などを形成する必要がある。但し、表示領域内に形成された溝又は貫通部は、外部の水分などが表示領域内に浸透する新たな透湿経路にもなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】韓国公開特許第１０－２０１７－００６５０５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、表示領域内の貫通部を介して外部の水分などが浸透することを遮断するディスプレイ装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるディスプレイ装置は、複数の薄膜トランジスタ、前記複数の薄膜トランジスタに電気的に連結される複数のディスプレイ素子が配置された表示領域、及び前記表示領域の外周辺に位置する第１非表示領域を含む基板と、前記基板を垂直方向に貫通する貫通部と、前記貫通部と前記表示領域との間に位置する第２非表示領域と、前記複数のディスプレイ素子上に位置し、順次に積層された第１無機封止層、有機封止層、及び第２無機封止層を含む封止層と、を備え、前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とは、前記貫通部に至るように延長されて前記第２非表示領域で互いに直接接し、前記第２非表示領域において、前記第１無機封止層は、前記第１無機封止層の下に位置する他の無機層に直接接する。
【0006】
前記第２非表示領域において、前記第１無機封止層は、前記基板の上面に直接接し得る。
前記基板は、順次に積層された第１基底層、第１バリア層、第２基底層、及び第２バリア層を含み、前記第２非表示領域において、前記第１無機封止層は、前記第２バリア層に直接接し得る。
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれの半導体層とゲート電極との間に位置する第１無機絶縁層と、前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれの前記ゲート電極とソース電極との間、及び前記ゲート電極とドレイン電極との間に位置する第２無機絶縁層と、を更に含み、前記第２非表示領域において、前記第１無機封止層に直接接する前記他の無機層は、前記第１無機絶縁層又は前記第２無機絶縁層であり得る。
前記複数の薄膜トランジスタと前記複数のディスプレイ素子との間に位置する平坦化層を更に含み、前記平坦化層は、前記第２非表示領域の一部まで延長され得る。
前記複数のディスプレイ素子のそれぞれは、前記平坦化層上に位置する画素電極、前記画素電極上の対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間の中間層を含み、前記中間層に含まれる少なくとも一部の層及び前記対向電極は、前記平坦化層の外側まで延長され得る。
前記第２非表示領域において、前記平坦化層上には、前記貫通部を取り囲む第１内部ダムが更に位置し、前記有機封止層は、前記第１内部ダムによって区画された領域外に位置し得る。
前記平坦化層上に位置し、前記画素電極のエッジを覆う画素定義膜を更に含み、前記第１内部ダムは、前記画素定義膜と同一材質を含み得る。
前記第２非表示領域において、前記平坦化層上には、前記第１内部ダムから離隔された位置に、前記貫通部を取り囲む第２内部ダムを更に含み得る。
前記第２非表示領域において、前記第２無機絶縁層上には、前記平坦化層によって覆われた複数のデータ線が位置し、前記第１内部ダムは、前記複数のデータ線のうちの少なくとも一部に重畳して位置し得る。
前記基板は、順次に積層された第１基底層、第１バリア層、第２基底層、及び第２バリア層を含み、前記第２非表示領域において、前記第１無機封止層は、前記第２バリア層に直接接し得る。
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれの半導体層とゲート電極との間に位置する第１無機絶縁層と、前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれの前記ゲート電極とソース電極との間、及び前記ゲート電極とドレイン電極との間に位置する第２無機絶縁層と、を更に含み、前記第２非表示領域において、前記第１無機封止層に直接接する前記他の無機層は、前記第１無機絶縁層又は前記第２無機絶縁層であり得る。
前記複数の薄膜トランジスタと前記複数のディスプレイ素子との間に位置する平坦化層を更に含み、前記平坦化層は、前記第２非表示領域の一部まで延長され得る。
前記複数のディスプレイ素子のそれぞれは、前記平坦化層上に位置する画素電極、前記画素電極上の対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間の中間層を含み、前記中間層に含まれる少なくとも一部の層及び前記対向電極は、前記平坦化層の外側まで延長され得る。
前記第２非表示領域において、前記平坦化層上には、前記貫通部を取り囲む第１内部ダムが更に位置し、前記有機封止層は、前記第１内部ダムによって区画された領域外に位置し得る。
前記平坦化層上に位置し、前記画素電極のエッジを覆う画素定義膜を更に含み、前記第１内部ダムは、前記画素定義膜と同一材質を含み得る。
前記第２非表示領域において、前記平坦化層上には、前記第１内部ダムから離隔された位置に、前記貫通部を取り囲む第２内部ダムを更に含み得る。
前記第２非表示領域において、前記第２無機絶縁層上には、前記平坦化層によって覆われた複数のデータ線が位置し、前記第１内部ダムは、前記複数のデータ線のうちの少なくとも一部に重畳して位置し得る。
【0007】
上記目的を達成するためになされた本発明の一態様によるディスプレイ装置の製造方法は、表示領域、前記表示領域の外周辺に位置する第１非表示領域、及び前記表示領域によって少なくとも一部が囲まれた第２非表示領域を含むディスプレイ装置の製造方法であって、前記表示領域において、基板上に、複数の薄膜トランジスタ、前記複数の薄膜トランジスタを覆う平坦化層、及び前記平坦化層上に位置して前記複数の薄膜トランジスタに電気的に連結される複数の画素電極を形成する段階と、前記第２非表示領域内に金属層を形成する段階と、前記複数の画素電極上に、中間層及び対向電極を形成する段階と、前記金属層を前記基板から除去する段階と、前記対向電極上に、第１無機封止層、有機封止層、及び第２無機封止層を順次に形成する段階と、前記第２非表示領域の中央部に、前記基板を貫通する貫通部を形成する段階と、を有し、前記中間層に含まれる少なくとも一部の層及び前記対向電極は、前記表示領域から前記第２非表示領域に延長されて前記金属層上に形成され、前記金属層上に形成された前記中間層に含まれる少なくとも一部の層及び前記対向電極は、前記金属層の除去によって前記基板から分離される。
【0008】
前記金属層は、前記複数の画素電極と同時に形成され得る。
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれは、半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含み、前記金属層は、前記半導体層、前記ゲート電極、又は前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同時に形成され得る。
前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とは、前記金属層が除去された領域で互いに直接接し、前記第１無機封止層は、前記金属層が除去された領域で、前記第１無機封止層下に位置する他の無機層に直接接し、前記貫通部は、前記基板と共に、前記第１無機封止層、前記第２無機封止層、及び前記他の無機層を貫通して形成され得る。
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれの半導体層とゲート電極との間の第１無機絶縁層、並びに前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれのゲート電極とソース電極との間、及び前記ゲート電極とドレイン電極との間の第２無機絶縁層は、前記第２非表示領域の少なくとも一部まで延長され、前記金属層は、前記第１無機絶縁層上又は前記第２無機絶縁層上に形成され得る。
前記基板は、順次に積層された第１基底層、第１バリア層、第２基底層、及び第２バリア層を含み、前記第１無機封止層は、前記金属層が除去された領域で、前記第２バリア層に直接接し得る。
前記平坦化層上に、前記複数の画素電極のエッジを覆う画素定義膜を形成する段階を更に含み、前記平坦化層は、前記金属層から一定間隔離隔されるように前記第２非表示領域の一部まで延長され、前記第２非表示領域において、前記平坦化層上には、前記画素定義膜と同一材質を含む第１内部ダムが形成され得る。
前記第１内部ダムは、前記貫通部を取り囲むように形成され、前記有機封止層は、前記第１内部ダムによって区画された領域外に位置し得る。
前記中間層に含まれる少なくとも一部の層は、前記金属層と前記平坦化層との間の離隔された領域で、前記第１無機封止層下に位置する他の無機層に接し得る。
前記第２非表示領域内には、前記平坦化層によって覆われた複数のデータ線が形成され、前記第１内部ダムは、前記複数のデータ線のうちの少なくとも一部に重畳して形成され得る。
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれは、半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含み、前記金属層は、前記半導体層、前記ゲート電極、又は前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同時に形成され得る。
前記第１無機封止層と前記第２無機封止層とは、前記金属層が除去された領域で互いに直接接し、前記第１無機封止層は、前記金属層が除去された領域で、前記第１無機封止層下に位置する他の無機層に直接接し、前記貫通部は、前記基板と共に、前記第１無機封止層、前記第２無機封止層、及び前記他の無機層を貫通して形成され得る。
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれの半導体層とゲート電極との間の第１無機絶縁層、並びに前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれのゲート電極とソース電極との間、及び前記ゲート電極とドレイン電極との間の第２無機絶縁層は、前記第２非表示領域の少なくとも一部まで延長され、前記金属層は、前記第１無機絶縁層上又は前記第２無機絶縁層上に形成され得る。
前記基板は、順次に積層された第１基底層、第１バリア層、第２基底層、及び第２バリア層を含み、前記第１無機封止層は、前記金属層が除去された領域で、前記第２バリア層に直接接し得る。
前記平坦化層上に、前記複数の画素電極のエッジを覆う画素定義膜を形成する段階を更に含み、前記平坦化層は、前記金属層から一定間隔離隔されるように前記第２非表示領域の一部まで延長され、前記第２非表示領域において、前記平坦化層上には、前記画素定義膜と同一材質を含む第１内部ダムが形成され得る。
前記第１内部ダムは、前記貫通部を取り囲むように形成され、前記有機封止層は、前記第１内部ダムによって区画された領域外に位置し得る。
前記中間層に含まれる少なくとも一部の層は、前記金属層と前記平坦化層との間の離隔された領域で、前記第１無機封止層下に位置する他の無機層に接し得る。
前記第２非表示領域内には、前記平坦化層によって覆われた複数のデータ線が形成され、前記第１内部ダムは、前記複数のデータ線のうちの少なくとも一部に重畳して形成され得る。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、ディスプレイ装置は、カメラのような別途の部材が配置される貫通部を含み、貫通部を取り囲む領域で、封止層の第１無機膜と第２無機膜とが直接接し、第１無機膜が下の他の無機膜に直接接することにより、非表示領域を最小化させ、貫通部を介した外部の水分などの浸透を遮断することができる。しかし、そのような効果により、本発明の範囲が限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の一実施形態によるディスプレイ装置の一例を概略的に図示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
本発明は、多様な変更を加えることができ、様々な実施形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述する実施形態を参照することで、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、多様な形態に具現される。
【0012】
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用される。
【0013】
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
【0014】
以下の実施形態において、「含む」又は「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴又は構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴又は構成要素が付加される可能性を予め排除するものではない。
【0015】
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が、他の部分の上又は上部にあるとする場合、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在する場合も含む。
【0016】
図面では、説明の便宜のために、構成要素の大きさが誇張されたり縮小されたりする。例えば、図面に示した各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示しているため、本発明は、必ずしも図示しているものに限定されるものではない。
【0017】
ある実施形態が異なって具現可能な場合、特定の工程順序は、説明する順序と異なるように遂行され得る。例えば、連続して説明する２つの工程が実質的に同時に遂行され、説明する順序と反対の順序に進められ得る。
【0018】
以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。図面を参照して説明する際に、同一であるか又は対応する構成要素は、同一図面符号を付する。
【0019】
【0020】
図１及び図２を参照すると、本実施形態によるディスプレイ装置１０は、映像を表示する表示領域ＤＡ、表示領域ＤＡの外周辺に位置する第１非表示領域ＰＡ１、及び表示領域ＤＡによって少なくとも一部が取り囲まれた第２非表示領域ＰＡ２を含む。それは、基板１００が、表示領域ＤＡ、第１非表示領域ＰＡ１、及び第２非表示領域ＰＡ２を有するものとして理解される。
【0021】
表示領域ＤＡにはディスプレイ素子が位置し、第１非表示領域ＰＡ１は、各種電子素子や印刷回路基板などが電気的に付着される領域であるパッド領域などを含む。
【0022】
表示領域ＤＡには、ディスプレイ素子以外にも、ディスプレイ素子に電気的に連結される薄膜トランジスタ２１０が位置する。図２では、ディスプレイ素子として、有機発光素子３００が表示領域ＤＡに位置するように図示している。有機発光素子３００が薄膜トランジスタ２１０に電気的に連結されるということは、有機発光素子３００の画素電極３１０が薄膜トランジスタ２１０に電気的に連結されるものとして理解される。
【0023】
第２非表示領域ＰＡ２は、表示領域ＤＡによって少なくとも一部が取り囲まれ、表示領域ＤＡと貫通部Ｈとの間に位置する。図１は、第２非表示領域ＰＡ２が表示領域ＤＡ内に位置し、表示領域ＤＡによって全体的に取り囲まれた構成を図示しているが、本発明はそれに限定されるものではない。例えば、第２非表示領域ＰＡ２の一部は、第１非表示領域ＰＡ１に当接する。
【0024】
貫通部Ｈは、ディスプレイ装置１０の機能のための別途の部材又はディスプレイ装置１０に新たな機能を追加する別途の部材のための空間になる。例えば、貫通部Ｈには、センサ、光源、カメラモジュールなどが位置する。貫通部Ｈは、２以上形成され得る。
【0025】
一方、貫通部Ｈは、基板１００、及び基板１００上に積層された複数の層を垂直方向に貫通する領域であるため、外部の水分又は酸素が貫通部Ｈによって露出したディスプレイ装置１０の内部垂直側面を介して、ディスプレイ装置１０の内部に浸透し得る。しかし、本発明によると、第２非表示領域ＰＡ２に貫通部Ｈを取り囲む堀（ｍｏａｔ）領域ＭＡを含むことにより、上述のような透湿を効果的に防止することができる。堀領域ＭＡについては、図３以降で詳細に後述するが、以下では、図２を参照して、ディスプレイ装置１０の構成について先ず説明する。
【0026】
基板１００は、多様な素材を含む。画像が基板１００方向に具現される背面発光型である場合、基板１００は、透明な材質から形成されなければならない。しかし、画像が基板１００の反対方向に具現される前面発光型である場合、基板１００は、必ずしも透明な材質によって形成する必要はない。その場合、金属で基板１００を形成することができる。金属で基板１００を形成する場合、基板１００は、鉄、クロム、マンガン、ニッケル、チタン、モリブデン、ステンレススチール（ＳＵＳ）、インバー合金、インコネル合金、コバール合金などを含む。
【0027】
一例として、基板１００は、第１基底層１０１、第１バリア層１０２、第２基底層１０３、及び第２バリア層１０４が順次に積層された多層構造を有する。
【0028】
第１基底層１０１及び第２基底層１０３は、例えばＳｉＯ２を主成分にする透明なガラス材質からなる。しかし、第１基底層１０１及び第２基底層１０３は、必ずしもそれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材質から形成され得る。プラスチック材質は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）などである。
【0029】
第１基底層１０１及び第２基底層１０３は、互いに同一であるか又は異なる厚みを有する。例えば、第１基底層１０１及び第２基底層１０３のそれぞれは、ポリイミドを含み、３μｍ～２０μｍの厚みを有する。
【0030】
第１バリア層１０２及び第２バリア層１０４は、外部異物が基板１００を介してディスプレイ装置１０の内部に浸透することを防止する層であり、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）及び／又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）のような無機物を含む単層又は多層である。一例として、第１バリア層１０２は隣接層間の接着力を向上させるための非晶質シリコン層とシリコンオキサイド層との多層であり、第２バリア層はシリコンオキサイド層である。また、第１バリア層１０２及び第２バリア層１０４のそれぞれは、４，０００Å～７，０００Åの厚みを有するが、本発明は、それに限定されるものではない。
【0031】
基板１００上には、バッファ層が更に形成される。バッファ層は、基板１００を介して浸透する異物又は湿気を遮断する。例えば、バッファ層は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、アルミニウムオキサイド、アルミニウムナイトライド、チタンオキサイド、又はチタンナイトライドなどの無機物や、ポリイミド、ポリエステル、アクリルなどの有機物を含み、例示した材料のうちの複数の積層体によって形成され得る。一実施形態において、上述の基板１００の第２バリア層１０４は、多層構造を有するバッファ層の一部として理解される。
【0032】
基板１００の表示領域ＤＡには薄膜トランジスタ２１０が配置され、薄膜トランジスタ２１０以外に、薄膜トランジスタ２１０に電気的に連結されるディスプレイ素子が配置される。図２では、ディスプレイ素子として、有機発光素子３００を図示している。ここで、基板１００の第１非表示領域ＰＡ１にも、薄膜トランジスタ（図示せず）が配置され得る。第１非表示領域ＰＡ１に位置する薄膜トランジスタは、例えば表示領域ＤＡ内に印加される電気的信号を制御するための回路部の一部である。
【0033】
薄膜トランジスタ２１０は、非晶質シリコン、多結晶シリコン、又は有機半導体物質を含む半導体層２１１、ゲート電極２１３、ソース電極２１５及びドレイン電極２１７を含む。一方、基板１００上にバッファ層が配置された場合、半導体層２１１は、バッファ層上に位置する。
【0034】
半導体層２１１の上部には、ゲート電極２１３が配置され、ゲート電極２１３に印加される信号によってソース電極２１５とドレイン電極２１７とが電気的に連結される。ゲート電極２１３は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうちの１以上の物質を含み、単層構造又は多層構造を有する。この場合、半導体層２１１とゲート電極２１３との絶縁性を確保するために、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、又はシリコンオキシナイトライドのような無機物によって形成される第１無機絶縁層１２０が、半導体層２１１とゲート電極２１３との間に介在する。第１無機絶縁層１２０は、表示領域ＤＡ、第１非表示領域ＰＡ１、及び第２非表示領域ＰＡ２に亘って形成される。
【0035】
ゲート電極２１３の上部には、第２無機絶縁層１３０が配置され、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、又はシリコンオキシナイトライドのような無機物を含み、単層構造又は多層構造を有するように形成される。第２無機絶縁層１３０は、表示領域ＤＡ、第１非表示領域ＰＡ１、及び第２非表示領域ＰＡ２に亘って形成される。
【0036】
第２無機絶縁層１３０の上部には、ソース電極２１５及びドレイン電極２１７が配置される。ソース電極２１５及びドレイン電極２１７は、第２無機絶縁層１３０及び第１無機絶縁層１２０に形成されたコンタクトホールを介して、半導体層２１１にそれぞれ電気的に連結される。ソース電極２１５及びドレイン電極２１７は、導電性などを考慮し、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）のうちの１以上の物質を含み、単層構造又は多層構造を有する。
【0037】
上記構造の薄膜トランジスタ２１０の保護のために、薄膜トランジスタ２１０を覆う保護膜（図示せず）が配置される。保護膜は、例えば、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、又はシリコンオキシナイトライドのような無機物で形成される。保護膜は、単層又は多層である。
【0038】
薄膜トランジスタ２１０上には、平坦化層１４０が配置される。例えば、図２に示すように、薄膜トランジスタ２１０よりも高い位置に有機発光素子３００が配置される場合、平坦化層１４０は、薄膜トランジスタ２１０を覆い、薄膜トランジスタ２１０による屈曲を平坦化する役割を行う。平坦化層１４０は、例えば、アクリル、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、又はヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）のような有機絶縁物を含む。図２では、平坦化層１４０を単層に図示しているが、多層であるというように多様な変形が可能である。ここで、本実施形態によるディスプレイ装置１０は、保護膜及び平坦化層１４０をいずれも有するが、必要に応じて平坦化層１４０のみを有する。
【0039】
表示領域ＤＡ内において、平坦化層１４０上には、画素電極３１０、対向電極３３０、及びその間に介在する、発光層を含む中間層３２０を有する有機発光素子３００が配置される。
【0040】
平坦化層１４０には、薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１５及びドレイン電極２１７のうちの少なくともいずれか一つを露出させる開口部が存在し、平坦化層１４０上には、開口部を介してソース電極２１５及びドレイン電極２１７のうちのいずれか一つとコンタクトして薄膜トランジスタ２１０に電気的に連結される画素電極３１０が配置される。
【0041】
画素電極３１０は、（半）透明電極又は反射型電極である。画素電極３１０が（半）透明電極である場合には、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＧＯ、又はＡＺＯを含む。画素電極３１０が反射型電極である場合には、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物などによって形成された反射漠、及びＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＩＧＯ、又はＡＺＯによって形成された層を有する。しかし、本発明はそれらに限定されるものではなく、画素電極３１０は、多様な材質を含み、その構造も単層又は多層になるというように、多様な変形が可能である。
【0042】
平坦化層１４０の上部には、画素定義膜１５０が配置される。画素定義膜１５０は、各副画素に対応する開口、即ち少なくとも画素電極３１０の中央部を露出させる開口を有することにより、画素を定義する役割を行う。また、図２に示すような場合、画素定義膜１５０は、画素電極３１０のエッジと画素電極３１０の上部の対向電極３３０との距離を増大させることにより、画素電極３１０のエッジにおけるアークなどの発生を防止する役割を行う。画素定義膜１５０は、例えばポリイミド又はＨＭＤＳＯのような有機絶縁物を含む。
【0043】
有機発光素子３００の中間層３２０は、発光層を含む。発光層は、所定の色相の光を放出する高分子有機物又は低分子有機物を含む。また、中間層３２０は、ホール輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、ホール注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）のうちの少なくともいずれか１層の機能層を含む。機能層は、有機物質を含む。一方、中間層３２０をなす複数の層のうちの一部、例えば機能層は、複数個の有機発光素子３００に亘って一体に形成される。
【0044】
対向電極３３０は、表示領域ＤＡを覆うように配置される。対向電極３３０は、複数個の有機発光素子３００で一体に形成され、複数個の画素電極３１０に対応する。対向電極３３０は、（半）透明電極又は反射型電極である。対向電極３３０が（半）透明電極である場合には、仕事関数が小さい金属、即ち、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びそれらの化合物によって形成される層と、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、又はＩｎ２Ｏ３のような（半）透明導電層と、を有する。対向電極３３０が反射型電極である場合には、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びそれらの化合物によって形成される層を有する。しかし、対向電極３３０の構成及び材料は、それらに限定されるものではなく、多様な変形が可能である。
【0045】
一方、ディスプレイ装置１０がイメージをディスプレイするためには、対向電極３３０に事前に設定された電気的信号が印加されなければならない。そのために、第１非表示領域ＰＡ１には電圧線４２０が位置し、対向電極３３０に事前に設定された電気的信号を伝達する。電圧線４２０は、共通電源電圧（ＥＬＶＳＳ）線である。
【0046】
電圧線４２０は、表示領域ＤＡ内の多様な導電層を形成する際に、同一物質によって同時に形成される。図２では、表示領域ＤＡ内の薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１５及びドレイン電極２１７が第２無機絶縁層１３０上に位置するように、第１非表示領域ＰＡ１で電圧線４２０が第２無機絶縁層１３０上に位置するように図示している。その場合、表示領域ＤＡ内の薄膜トランジスタ２１０のソース電極２１５及びドレイン電極２１７を第２無機絶縁層１３０上に形成する際に、同一物質によって同時に第１非表示領域ＰＡ１で第２無機絶縁層１３０上に電圧線４２０を形成するように理解される。それにより、電圧線４２０は、ソース電極２１５及びドレイン電極２１７と同一構造を有することになる。しかし、本発明は、それに限定されるものではなく、ゲート電極２１３を形成する際に、電圧線４２０を同一物質で同時に第１無機絶縁層１２０上に形成するというように、多様な変形が可能である。
【0047】
対向電極３３０は、電圧線４２０に直接コンタクトするか、或いは図２に示すように、保護導電層４２１を介して電圧線４２０に電気的に連結される。保護導電層４２１は、平坦化層１４０上に位置し、電圧線４２０上に延長されて電圧線４２０に電気的に連結される。それにより、対向電極３３０は、第１非表示領域ＰＡ１で保護導電層４２１にコンタクトし、保護導電層４２１もまた第１非表示領域ＰＡ１で電圧線４２０にコンタクトする。
【0048】
保護導電層４２１は、図２に示すように平坦化層１４０上に位置する。従って、表示領域ＤＡ内で平坦化層１４０上に位置する構成要素と同一物質によって同時に形成される。具体的には、表示領域ＤＡ内の画素電極３１０を平坦化層１４０上に形成する際に、同一物質により同時に第１非表示領域ＰＡ１で平坦化層１４０上に保護導電層４２１を形成する。それにより、保護導電層４２１は、画素電極３１０と同一構造を有する。保護導電層４２１は、図２に示すように、平坦化層１４０によって覆われずに露出した電圧線４２０の部分を覆う。それにより、第１制限ダム６１０や第２制限ダム６２０を形成する過程などにおいて、平坦化層１４０の外部に露出した電圧線４２０が損傷することを防止する。
【0049】
一方、外部からの酸素や水分などの不純物が平坦化層１４０を介して表示領域ＤＡ内に浸透することを防止するために、図２に示すように、平坦化層１４０が第１非表示領域ＰＡ１で開口１４０ｂを有するようにする。開口１４０ｂは、表示領域ＤＡを取り囲む。同時に、保護導電層４２１を形成する際に、保護導電層４２１が開口１４０ｂを充填するようにする。それにより、第１非表示領域ＰＡ１の平坦化層１４０に浸透した不純物が表示領域ＤＡ内の平坦化層１４０に浸透することを効果的に防止することができる。
【0050】
対向電極３３０上には、有機発光素子３００から発生した光の効率を向上させる役割を行うキャッピング層１６０が位置する。キャッピング層１６０は、対向電極３３０を覆い、対向電極３３０の外側に延長されて対向電極３３０の下部に位置する保護導電層４２１にコンタクトする。対向電極３３０は、表示領域ＤＡを覆い、表示領域ＤＡの外側に延長されるため、キャッピング層１６０も、表示領域ＤＡを覆い、表示領域ＤＡの外側の第１非表示領域ＰＡ１にまで延長される。キャッピング層１６０は、有機物を含む。
【0051】
上述のように、キャッピング層１６０は、有機発光素子３００から発生した光の効率を向上させる役割を行う。例えば、外部への光取り出し効率などを高める役割を行う。キャッピング層１６０による効率向上は、表示領域ＤＡで均一になされることが望ましい。その点を考慮し、キャッピング層１６０が下部層の上面の屈曲に対応する上面を有するようにすることが望ましい。即ち、図２に示すように、対向電極３３０上に位置するキャッピング層１６０の部分では、キャッピング層１６０の上面が対向電極３３０の上面の屈曲に対応する形状を有する。
【0052】
キャッピング層１６０の上部には、封止層５００が位置する。封止層５００は、外部からの水分や酸素などから有機発光素子３００を保護する役割を行う。そのために、封止層５００は、有機発光素子３００が位置する表示領域ＤＡだけではなく、表示領域ＤＡの外側の第１非表示領域ＰＡ１にまで延長された形状を有する。封止層５００は、多層構造を有する。具体的に、図２に示すように、封止層５００は、第１無機封止層５１０、有機封止層５２０、及び第２無機封止層５３０を含む。
【0053】
第１無機封止層５１０は、キャッピング層１６０を覆い、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、及び／又はシリコンオキシナイトライドなどを含む。
【0054】
第１無機封止層５１０は、下部の構造物に沿って形成されるため、図２に示すように、上面が平坦ではない。有機封止層５２０は第１無機封止層５１０を覆って十分な厚みを有し、有機封止層５２０の上面は表示領域ＤＡの全般に亘って実質的に平坦である。有機封止層５２０は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサン、アクリル系樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸など）、又はその任意の組み合わせを含む。
【0055】
第２無機封止層５３０は、有機封止層５２０を覆い、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、及び／又はシリコンオキシナイトライドなどを含む。第２無機封止層５３０は、有機封止層５２０の外側に延長され、第１無機封止層５１０にコンタクトすることにより、有機封止層５２０を外部に露出させない。
【0056】
封止層５００は、第１無機封止層５１０、有機封止層５２０、及び第２無機封止層５３０を含む多層構造を介して、封止層５００内にクラックが発生しても、第１無機封止層５１０と有機封止層５２０との間、又は有機封止層５２０と第２無機封止層５３０との間でクラックを連結させない。それにより、外部からの水分や酸素などが表示領域ＤＡに浸透することになる経路形成を防止したり最小化させたりする。
【0057】
一方、封止層５００を形成する過程において、下部の構造物が損傷する。例えば、第１無機封止層５１０は、化学気相蒸着法を利用して形成される。化学気相蒸着法を利用して第１無機封止層５１０を形成する際に、第１無機封止層５１０が形成される直下の層が損傷する。従って、第１無機封止層５１０をキャッピング層１６０上に直接形成すると、有機発光素子３００から発生した光の効率を向上させる役割を行うキャッピング層１６０が損傷し、ディスプレイ装置の光効率が低下してしまう。従って、封止層５００を形成する過程でキャッピング層１６０の損傷を防止するために、キャッピング層１６０と封止層５００との間に保護層１７０が介在する。保護層１７０は、ＬｉＦを含む。
【0058】
上述のように、キャッピング層１６０は、表示領域ＤＡだけではなく、外側の第１非表示領域ＰＡ１にまで延長される。それにより、保護層１７０は、キャッピング層１６０の外側に延長されてキャッピング層１６０と封止層５００とを直接コンタクトさせない。その場合、保護層１７０は、キャッピング層１６０の終端１６０ａを覆い、保護層１７０の終端１７０ａが平坦化層１４０上に位置する。具体的に、図２に示すように、保護層１７０は、終端１７０ａが平坦化層１４０上で保護導電層４２１に直接コンタクトする。
【0059】
従って、封止層５００の最下層である第１無機封止層５１０は、有機物によって形成されたキャッピング層１６０に接することなく、ＬｉＦのような無機物によって形成された保護層１７０に接することになるため、封止層５００とその下部層との接合力が高く維持される。それにより、ディスプレイ装置１０の製造過程や、製造後の使用過程において、封止層５００が下部層から剥離されることを効果的に防止したり最小化させたりすることができる。
【0060】
一方、封止層５００を形成する際、具体的には、有機封止層５２０を形成する際に、有機封止層５２０形成用物質が事前に設定された領域内に位置するように限定することが必要である。そのために、図２に示すように、第１制限ダム６１０を第１非表示領域ＰＡ１に位置させる。具体的に、第１無機絶縁層１２０及び第２無機絶縁層１３０は勿論、平坦化層１４０は、図２に示すように、基板１００の表示領域ＤＡだけではなく、第１非表示領域ＰＡ１にも存在する。第１制限ダム６１０は、平坦化層１４０から離隔されるように第１非表示領域ＰＡ１に位置する。
【0061】
第１制限ダム６１０は、多層構造を有する。即ち、第１制限ダム６１０は、基板１００に近い部分から遠くなる方向に第１層６１１及び第２層６１３を含む。第１層６１１は表示領域ＤＡの平坦化層１４０を形成する際に同一物質によって同時に形成され、第２層６１３は表示領域ＤＡの画素定義膜１５０を形成する際に同一物質によって同時に形成される。
【0062】
ここで、図２に示すように、第１制限ダム６１０以外に、第１制限ダム６１０と平坦化層１４０の終端１４０ａとの間に第２制限ダム６２０も存在する。第２制限ダム６２０は、電圧線４２０上の保護導電層４２１部分上に位置する。第２制限ダム６２０も、平坦化層１４０から離隔されて第１非表示領域ＰＡ１に位置する。第２制限ダム６２０は、第１制限ダム６１０のように多層構造を有するが、第１制限ダム６１０よりは基板１００からの高さが低くなるように第１制限ダム６１０よりもより少数の層を含む。図２では、第２制限ダム６２０が、第１制限ダム６１０の第２層６１３と同一物質によって同時に形成されたように図示している。
【0063】
従って、有機封止層５２０は、第２制限ダム６２０によって位置が限定され、形成過程において、第２制限ダム６２０の外側に有機封止層５２０形成用物質が越えていくことが防止される。仮に有機封止層５２０形成用物質が部分的に第２制限ダム６２０の外側に越えていくとしても、第１制限ダム６１０によって位置が限定され、それ以上基板１００のエッジ１００ａ方向に有機封止層５２０形成用物質を移動させない。それに反し、化学気相蒸着法を介して形成される第１無機封止層５１０及び第２無機封止層５３０は、図２に示すように、第２制限ダム６２０及び第１制限ダム６１０を覆い、第１制限ダム６１０の外側まで形成される。
【0064】
一方、図２に示すように、第１非表示領域ＰＡ１にはクラック防止部６３０が位置する。クラック防止部６３０は、基板１００のエッジ１００ａの少なくとも一部に沿って延長される。例えば、クラック防止部６３０は、表示領域ＤＡをぐるりと一周する形状を有する。ここで、一部区間では、クラック防止部６３０が不連続である形状を有する。クラック防止部６３０は、ディスプレイ装置１０の製造過程中、母基板の切断時、又はディスプレイ装置１０の使用時、衝撃などにより無機物によって形成された第１無機絶縁層１２０及び第２無機絶縁層１３０に発生し得るクラックが表示領域ＤＡに伝達されることを防止する。
【0065】
クラック防止部６３０は、多様な形状を有し、図２に示すように、表示領域ＤＡに形成される一部構成要素と同一物質によって同時に形成されてもよく、また多層構造を有することもできる。図２では、クラック防止部６３０が下層６３０’と下層６３０’上に位置する上層６３０”とを有する多層構造であるように図示している。具体的に、図２では、クラック防止部６３０が第１無機絶縁層１２０と同一物質を含む下層６３０’と、第１無機絶縁層１２０上の第２無機絶縁層１３０と同一物質を含む上層６３０”とを含むように図示している。クラック防止部６３０は、基板１００上にバッファ層が形成された場合、バッファ層と同一物質を含む層を含む。そして、図２に示すように、クラック防止部６３０は、１個ではなく相互離隔された複数個であってもよい。
【0066】
クラック防止部６３０は、第１無機絶縁層１２０及び第２無機絶縁層１３０の一部が除去されることによって形成されたように理解される。即ち、図２に示すように、クラック防止部６３０の少なくともある一側には、第１無機絶縁層１２０及び第２無機絶縁層１３０が除去された溝が形成され、クラック防止部６３０は、溝に隣接する第１無機絶縁層１２０及び第２無機絶縁層１３０の残余分によって構成される。
【0067】
クラック防止部６３０は、図２に示すように、カバー層６５０によって覆われる。カバー層６５０は、例えば表示領域ＤＡに平坦化層１４０を形成する際に、同一物質によって同時に形成される。即ち、カバー層６５０は、無機物を含むクラック防止部６３０を覆う有機物によって形成された層である。カバー層６５０は、第１無機絶縁層１２０及び／又は第２無機絶縁層１３０の基板１００のエッジ１００ａ方向の終端を覆い、同時にクラック防止部６３０も覆う。
【0068】
図３は、図１のＡ部分を拡大して概略的に図示した平面図であり、図４は、図３の貫通部の一例を概略的に図示した平面図であり、図５は、図４のＩＩＩ－ＩＩＩ’断面の一例を概略的に図示した断面図である。また、図６及び図７のそれぞれは、図４のＩＩＩ－ＩＩＩ’断面の他の例を図示した断面図である。
【0069】
図３は、貫通部Ｈ及び貫通部Ｈ周辺を概略的に図示している。図３を参照すると、貫通部Ｈ周囲の表示領域ＤＡにはデータ線ＤＬに電気的に連結された複数の有機発光素子３００が配置され、第２非表示領域ＰＡ２は貫通部Ｈと表示領域ＤＡとの間にある映像が表示されない領域として定義される。
【0070】
データ線ＤＬは、第１方向に延長され、データドライバ１１００に電気的に連結される。一例として、データドライバ１１００は、ＣＯＰ（ｃｈｉｐ ｏｎ ｐａｎｅｌ）タイプであり、第１非表示領域ＰＡ１（図１）に配置されるか、或いは第１非表示領域ＰＡ１（図１）に具備された端子に電気的に連結された軟性回路基板（図示せず）上に配置される。
【0071】
一方、第１方向に延長されたデータ線ＤＬのうちの一部は、表示領域ＤＡ領域内に配置された貫通部Ｈにより、第１方向に沿って直線状に形成されなくなる。その場合、データ線ＤＬの一部は貫通部Ｈを迂回するように形成され、貫通部Ｈを迂回するデータ線ＤＬの一部は貫通部Ｈ周囲の第２非表示領域ＰＡ２に位置する。
【0072】
一方、図３には示していないが、スキャン線は、データ線ＤＬと交差する第２方向に沿って延長され、貫通部Ｈが形成された領域では、スキャン線の一部が貫通部Ｈを迂回するように形成される。他の例として、ディスプレイ装置１０（図１）は、表示領域ＤＡの両側にそれぞれ配置された２つのスキャンドライバを具備することにより、スキャン線が貫通部Ｈを迂回しないようにする。即ち、貫通部Ｈの左側に配置された有機発光素子３００に電気的に連結されるスキャン線と、貫通部Ｈの右側に配置された有機発光素子３００に電気的に連結されるスキャン線とは、互いに異なるスキャンドライバに連結される。
【0073】
【0074】
第２非表示領域ＰＡ２には、データ線ＤＬの一部が位置する。一例として、第２非表示領域ＰＡ２で、データ線ＤＬは、第２無機絶縁層１３０上に位置し、平坦化層１４０によって覆われる。
【0075】
第２非表示領域ＰＡ２の平坦化層１４０上には、第１内部ダム７１０が位置し、第１内部ダム７１０から離隔された第２内部ダム７２０が更に位置する。第２内部ダム７２０は、第１内部ダム７１０と貫通部Ｈとの間で平坦化層１４０上に位置する。
【0076】
第１内部ダム７１０及び第２内部ダム７２０は、表示領域の画素定義膜１５０（図２の１５０）を形成する際に、同一物質によって同時に形成され、貫通部Ｈをそれぞれ取り囲む。第１内部ダム７１０及び第２内部ダム７２０は、図３で説明した第１制限ダム６１０（図２）及び第２制限ダム６２０（図２）と同一の役割を行う。従って、有機封止層５２０の形成過程において、有機封止層５２０形成用物質が貫通部Ｈに向けて流れることを防止することにより、有機封止層５２０は、第１内部ダム７１０によって区画された領域外に位置する。第２内部ダム７２０は、有機封止層５２０形成用物質の流れを二次的に遮断する。一方、第１無機封止層５１０及び第２無機封止層５３０は、第２内部ダム７２０を経て貫通部Ｈまで延長されて形成される。
【0077】
第１内部ダム７１０及び第２内部ダム７２０は、第２非表示領域ＰＡ２に配置されたデータ線ＤＬのうちの少なくとも一部に重畳するように位置し、それにより、第２非表示領域ＰＡ２の面積が縮小される。
【0078】
第２非表示領域ＰＡ２には第１無機封止層５１０と第２無機封止層５３０とが直接接し、第１無機封止層５１０は、その下に存在する他の無機層に直接接する。更に具体的に、第２非表示領域ＰＡ２には無機物からなる層だけ存在する堀領域ＭＡが位置し、堀領域ＭＡで第１無機封止層５１０と第２無機封止層５３０とが直接接し、第１無機封止層５１０は、その下に存在する他の無機層に直接接する。一例として、第１無機絶縁層１２０及び第２無機絶縁層１３０が堀領域ＭＡまで延長されて形成される際に、第１無機封止層５１０は、第２無機絶縁層１３０に直接接する。
【0079】
他の例として、図６に示すように、第１無機絶縁層１２０は堀領域ＭＡまで延長され、第２無機絶縁層１３０は、第２非表示領域ＰＡ２で平坦化層１４０によって覆われる。その場合、堀領域ＭＡで、第１無機封止層５１０は、第１無機絶縁層１２０に直接接する。
【0080】
更に他の例として、図７に示すように、第１無機絶縁層１２０及び第２無機絶縁層１３０がいずれも堀領域ＭＡまで延長されず、第２非表示領域ＰＡ２で平坦化層１４０によって覆われる。その場合、堀領域ＭＡで、第１無機封止層５１０は、基板１００の上面に直接接する。具体的に、堀領域ＭＡで、第１無機封止層５１０は、第２バリア層１０４（図２）に直接接する。一方、基板１００上にバッファ層が更に形成される場合は、堀領域ＭＡで、第１無機封止層５１０は、バッファ層に直接接する。
【0081】
従って、堀領域ＭＡにより、貫通部Ｈによって現れたディスプレイ装置１０（図１）の側断面を介して外部の水分などが表示領域内部に浸透することを効果的に防止することができる。
【0082】
一方、従来は、貫通部Ｈを取り囲んで互いに離隔された複数の溝を基板１００の深さ方向に形成し、溝によって中間層３２０が短絡されて不連続的に形成されるようにすることで、貫通部Ｈを介する透湿を防止していた。しかし、透湿防止効果を向上させるためには、溝を多く形成しなければならず、それにより、第２非表示領域ＰＡ２の面積が増大してしまった。例えば、貫通部Ｈを取り囲む溝を２０個形成する場合に溝が位置する領域の長さは約３００μｍである一方、本発明によりディスプレイ装置１０（図１）が堀領域ＭＡを具備する場合、堀領域ＭＡの長さは１００μｍ以下に形成される。ここで、従来の溝が位置する領域の長さ及び本発明による堀領域ＭＡの長さは、いずれも貫通部Ｈが中心である円の半径方向に測定された長さを意味する。即ち、本発明によると、貫通部Ｈを取り囲む堀領域ＭＡにより、優秀な透湿防止効果を有すると共に第２非表示領域ＰＡ２の面積を縮小させることができる。
【0083】
また、堀領域ＭＡで、第１無機封止層５１０は、その下に存在する他の無機層に直接接することになるため、ディスプレイ装置１０（図１）の製造過程や製造後の使用過程において、封止層５００（図２）の剥離を効果的に防止することができる。
【0084】
【0085】
先ず、図８を参照すると、基板１００上に、薄膜トランジスタ２１０、及び薄膜トランジスタ２１０を覆う平坦化層１４０を形成する。一例として、薄膜トランジスタ２１０は表示領域ＤＡ内に位置し、平坦化層１４０は第２非表示領域（ＰＡ）の一部まで延長されて形成される。
【0086】
薄膜トランジスタ２１０は、半導体層２１１、ゲート電極２１３、ソース電極２１５、及びドレイン電極２１７を含み、半導体層２１１とゲート電極２１３との間には無機物からなる第１無機絶縁層１２０が形成され、第１無機絶縁層１２０は、表示領域ＤＡ、第１非表示領域ＰＡ１（図１）、及び第２非表示領域ＰＡ２に亘って形成される。また、ゲート電極２１３とソース電極２１５との間、及びゲート電極２１３とドレイン電極２１７との間に形成された第２無機絶縁層１３０は、無機物によって形成され、第１非表示領域ＰＡ１（図１）及び第２非表示領域ＰＡ２まで延長されて形成される。
【0087】
次に、平坦化層１４０にドレイン電極２１７を露出させる開口部を形成し、平坦化層１４０上に画素電極３１０を形成する。画素電極３１０は、基板１００上に画素電極３１０を形成するための金属物質を形成した後、それをパターニングして形成する。画素電極３１０は、開口部を介してドレイン電極２１７にコンタクトする。
【0088】
一方、画素電極３１０を形成する際に、第２非表示領域ＰＡ２には金属層Ｍが共に形成される。従って、金属層Ｍは、画素電極３１０と同一材質を含む。金属層Ｍは、第２非表示領域ＰＡ２の中央部分に形成され、第２非表示領域ＰＡ２まで延長された平坦化層１４０の終端から一定距離離隔される。
【0089】
他の例として、金属層Ｍは、薄膜トランジスタ２１０を形成する過程中に形成される。一例として、金属層Ｍは、ゲート電極２１３と共に形成されるか、又はソース電極２１５及びドレイン電極２１７と共に形成される。或いは、金属層Ｍは、半導体層２１１と共に形成される。
【0090】
ここで、金属層Ｍが半導体層２１１と共に形成される場合、金属層Ｍは基板１００上に直接形成され、金属層Ｍがゲート電極２１３と共に形成される場合、金属層Ｍは基板１００上又は第１無機絶縁層１２０上に形成され、金属層Ｍがソース電極２１５及びドレイン電極２１７と共に形成される場合、金属層Ｍは、基板１００、第１無機絶縁層１２０、又は第２無機絶縁層１３０の上に形成される。
【0091】
次に、図９に示すように、画素電極３１０上に画素定義膜１５０を形成する。画素定義膜１５０は、画素電極３１０のエッジを覆うが、画素電極３１０の中央部を露出させる開口を含む。一方、画素定義膜１５０を形成する過程において、第２非表示領域ＰＡ２には第１内部ダム７１０が形成される。また、必要に応じて、第２内部ダム７２０を第１内部ダム７１０と共に形成する。第１内部ダム７１０及び第２内部ダム７２０は、第２非表示領域ＰＡ２で平坦化層１４０上に位置する。
【0092】
一方、画素定義膜１５０の開口によって露出された画素電極３１０上に、中間層３２０及び対向電極３３０を積層して有機発光素子３００を形成する。その際、中間層３２０に含まれる少なくとも一部の層は、表示領域ＤＡ及び第２非表示領域ＰＡ２の全体に一体に形成される。また、対向電極３３０、対向電極３３０の上に形成されたキャッピング層１６０、及び保護層１７０も、表示領域ＤＡ及び第２非表示領域ＰＡ２の全体に一体に形成される。従って、中間層３２０又は中間層３２０に含まれる一部の層、対向電極３３０、キャッピング層１６０、及び保護層１７０は、第２非表示領域ＰＡ２の金属層Ｍ上に連続的に積層される。
【0093】
【0094】
金属層Ｍは、基板１００方向にレーザＬを照射して除去する。レーザＬ照射によって金属層Ｍを加熱して基板１００から金属層Ｍを除去すると、金属層Ｍ上に積層された中間層３２０、又は中間層３２０に含まれる一部の層、対向電極３３０、キャッピング層１６０、及び保護層１７０は、金属層Ｍと共に基板１００から分離され、それにより、中間層３２０などに含まれる有機膜が表示領域ＤＡから貫通部Ｈまで連続して形成されることを防止することができる。
【0095】
一方、金属層Ｍ及び平坦化層１４０は互いに一定距離離隔されて形成され、中間層３２０に含まれる一部の層が金属層Ｍと平坦化層１４０との間の離隔領域で金属層Ｍの直下に位置する無機層と接するようにする。従って、中間層３２０に含まれる一部の層などが金属層Ｍによって段差が発生して段差部位に応力が集中することから金属層Ｍの除去時に金属層Ｍに対応する領域だけが容易に分離され、金属層Ｍの除去時に中間層３２０に含まれる一部の層が平坦化層１４０又は第２内部ダム７２０の側面に沿って剥離されることを防止することができる。
【0096】
金属層Ｍを除去した後には、第１無機封止層５１０、有機封止層５２０、及び第２無機封止層５３０を順次に形成した後、第２非表示領域ＰＡ２内に貫通部Ｈを形成する。
【0097】
第１無機封止層５１０及び第２無機封止層５３０は、表示領域ＤＡだけでなく、第２非表示領域ＰＡ２にも形成される。それに反し、有機封止層５２０は、第１内部ダム７１０及び第２内部ダム７２０によって形成領域が制限される。従って、第２非表示領域ＰＡ２において、平坦化層１４０の外側では、第１無機封止層５１０と第２無機封止層５３０とが互いに直接接する。
【0098】
一方、貫通部Ｈは、基板１００、及び基板１００上に積層された第１無機絶縁層１２０、第２無機絶縁層１３０、第１無機封止層５１０、及び第２無機封止層５３０を垂直方向に貫通して形成される。従って、堀領域ＭＡは、第２非表示領域ＰＡ２から金属層Ｍが除去された領域のうち、貫通部Ｈを除いた領域として定義される。
【0099】
金属層Ｍの除去により、堀領域ＭＡで、第１無機封止層５１０は、下部の他の無機層に直接接する。一例として、第１無機封止層５１０は、第２無機絶縁層１３０に直接接し、それにより、貫通部Ｈの側断面から水分などが表示領域ＤＡ側に浸透することを効果的に防止することができる。従って、従来の、透湿防止のために貫通部Ｈを取り囲む溝を基板１００の深さ方向に形成することに比べ、ディスプレイ装置１０（図１）の製造工程が単純化される。
【0100】
一方、図１１では、第１無機封止層５１０が堀領域ＭＡで第２無機絶縁層１３０に直接接する例を図示しているが、本発明は、それに限定されるものではなく、図６及び図７で示したように、第１無機絶縁層１２０及び第２無機絶縁層１３０の形成領域を設定することにより、第１無機封止層５１０は、堀領域ＭＡで、第１無機絶縁層１２０に直接接するか、或いは基板１００に直接接する。
【0101】
以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【符号の説明】
【0102】
１０ ディスプレイ装置
１００ 基板
１００ａ エッジ
１０１、１０３ 第１、第２基底層
１０２、１０４ 第１、第２バリア層
１２０、１３０ 第１、第２無機絶縁層
１４０ 平坦化層
１４０ａ、１６０ａ、１７０ａ 終端
１５０ 画素定義膜
１６０ キャッピング層
１７０ 保護層
２１０ 薄膜トランジスタ
２１１ 半導体層
２１３ ゲート電極
２１５ ソース電極
２１７ ドレイン電極
３００ 有機発光素子
３１０ 画素電極
３２０ 中間層
３３０ 対向電極
４２０ 電圧線
４２１ 保護導電層
５００ 封止層
５１０、５３０ 第１、第２無機封止層
５２０ 有機封止層
６１０、６２０ 第１、第２制限ダム
６１１、６１３ 第１、第２層
６３０ クラック防止部
６３０’ 下層
６３０” 上層
６５０ カバー層
７１０、７２０ 第１、第２内部ダム
１１００ データドライバ
ＤＡ 表示領域
ＤＬ データ線
Ｈ 貫通部
Ｍ 金属層
ＭＡ 堀領域
ＰＡ１、ＰＡ２ 第１、第２非表示領域
１００ 基板
１００ａ エッジ
１０１、１０３ 第１、第２基底層
１０２、１０４ 第１、第２バリア層
１２０、１３０ 第１、第２無機絶縁層
１４０ 平坦化層
１４０ａ、１６０ａ、１７０ａ 終端
１５０ 画素定義膜
１６０ キャッピング層
１７０ 保護層
２１０ 薄膜トランジスタ
２１１ 半導体層
２１３ ゲート電極
２１５ ソース電極
２１７ ドレイン電極
３００ 有機発光素子
３１０ 画素電極
３２０ 中間層
３３０ 対向電極
４２０ 電圧線
４２１ 保護導電層
５００ 封止層
５１０、５３０ 第１、第２無機封止層
５２０ 有機封止層
６１０、６２０ 第１、第２制限ダム
６１１、６１３ 第１、第２層
６３０ クラック防止部
６３０’ 下層
６３０” 上層
６５０ カバー層
７１０、７２０ 第１、第２内部ダム
１１００ データドライバ
ＤＡ 表示領域
ＤＬ データ線
Ｈ 貫通部
Ｍ 金属層
ＭＡ 堀領域
ＰＡ１、ＰＡ２ 第１、第２非表示領域
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】