特許 7508083 弾性波デバイスパッケージ、及び、弾性波デバイスを含むモジュール

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-21

(45)【発行日】2024-07-01

(54)【発明の名称】弾性波デバイスパッケージ、及び、弾性波デバイスを含むモジュール

(51)【国際特許分類】

   H03H 9/25 20060101AFI20240624BHJP

   H01L 23/00 20060101ALI20240624BHJP

【ＦＩ】

H03H9/25 A

H01L23/00 B

【請求項の数】 4

(21)【出願番号】P 2020053695

(22)【出願日】2020-03-25

(65)【公開番号】P2021153282

(43)【公開日】2021-09-30

【審査請求日】2023-03-13

(73)【特許権者】

【識別番号】518453730

【氏名又は名称】三安ジャパンテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100098202

【弁理士】

【氏名又は名称】中村 信彦

(72)【発明者】

【氏名】熊谷 浩一

(72)【発明者】

【氏名】中村 博文

(72)【発明者】

【氏名】門川 裕

【審査官】綿引 隆

(56)【参考文献】

【文献】特開２００４－２０１２８５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０１５５４６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－２５１３２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－０１２７５１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０３Ｈ ９／１４５

Ｈ０３Ｈ ９／２５

Ｈ０３Ｈ ９／４２ － Ｈ０３Ｈ ９／４４

Ｈ０３Ｈ ９／６４

Ｈ０３Ｈ ９／６８

Ｈ０３Ｈ ９／７２

Ｈ０３Ｈ ９／７６

Ｈ０１Ｌ ２３／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

圧電基板の一面に櫛形電極を形成してなる一面を備えた弾性波デバイスと、
前記弾性波デバイスの前記一面との間に隙間を形成させた状態で前記弾性波デバイスを搭載するパッケージ基板と、
前記パッケージ基板における前記弾性波デバイスの搭載側に形成されて、前記パッケージ基板と前記弾性波デバイスとの間に前記櫛形電極を囲む中空部を形成する封止樹脂とを備えると共に、
前記封止樹脂と前記弾性波デバイスとの間に、前記弾性波デバイスにおける前記一面と反対の他面の全体と前記弾性波デバイスの端面とが覆われるように導電性樹脂層を形成させてなり、
しかも、前記導電性樹脂層を前記封止樹脂と同系の樹脂から構成し、かつ、前記導電性 樹脂層のシート抵抗を１kΩ/□ないし３MΩ/□の範囲としてなる、中空構造を有する弾性波デバイスパッケージ。

【請求項2】

前記導電性樹脂層が、前記弾性波デバイスの端面を覆う部分に連続して前記パッケージ基板の前記搭載側の面の少なくとも一部を覆う延長部分を備えるようにしてなる、請求項１に記載の中空構造を有する弾性波デバイスパッケージ。

【請求項3】

前記延長部分を、前記パッケージ基板の前記搭載側の面に形成された外部接続端子につながった電極に電気的に接続させてなる、請求項２に記載の中空構造を有する弾性波デバイスパッケージ。

【請求項4】

少なくとも一つの弾性波デバイスを含むモジュールであって、
圧電基板の一面に櫛形電極を形成してなる一面を備えた弾性波デバイスと、
前記弾性波デバイス以外のモジュール構成要素と、
前記弾性波デバイスの前記一面との間に隙間を形成させた状態で前記弾性波デバイスを搭載すると共に、前記構成要素を搭載するモジュール基板と、
前記モジュール基板における前記弾性波デバイスの搭載側に形成されて、前記モジュール基板と前記弾性波デバイスとの間に前記櫛形電極を囲む中空部を形成する封止樹脂とを備えると共に、
前記封止樹脂と前記弾性波デバイスとの間に限り前記弾性波デバイスにおける前記一面と反対の他面の少なくとも一部を覆う導電性樹脂層を形成させてなり、
しかも、前記導電性樹脂層を前記封止樹脂と同系の樹脂から構成し、かつ、前記導電性樹脂層のシート抵抗を１kΩ/□ないし３MΩ/□の範囲としてなる、弾性波デバイスを含むモジュール。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この発明は、弾性波デバイスパッケージ、及び、弾性波デバイスを含むモジュールの改良に関する。

【背景技術】

【0002】

モバイル通信機器中に使用されている弾性波デバイスは、一般に、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの圧電基板上に櫛形電極（IDT：Inter-Digital Transducer)を形成してバンドパスフィルタなど周波数フィルタとして機能するよう、構成されている。バンドパスフィルタ機能の場合、その中心周波数は、用いる圧電基板の弾性波伝搬速度と前記櫛形電極の電極指ピッチや電極指の長さなどで決定される。近年のモバイル通信における使用周波数帯の高周波化に伴い、弾性波デバイスを構成する櫛形電極の電極指ピッチは微細化する傾向にある。このため櫛形電極に帯電した場合、前記対向する櫛形電極間での電荷量の差が従来よりも櫛形電極間には大きな電界（電位差）となるため、一般にESD（Electro-Static Discharge）破壊と呼ばれる櫛形電極間で放電による破壊、損傷がが起こりやすくなっている。

【0003】

ここで、近年は弾性波デバイスの製造ラインにおいては自動化が進み、人間が製造工程中にデバイスに触れる機会は減ったため、HBM（Human Body Model)モード によるESD破壊は減る傾向にある。

【0004】

その一方で、自動化装置内で弾性波デバイスが摩擦や静電誘導により帯電し、帯電した弾性波デバイスが金属に接触することによるESD破壊が起こりやすくなっている。

【0005】

このようなESD破壊は、CDM（Charged Device Model）モードと呼ばれ、弾性波デバイスではこれまで構造上の有効な対策がとられていなかった。このため、弾性波デバイスの製造にあたっては、製造ラインにおいて静電気が発生し易い個所に静電気除去装置(イオナイザ）を設置するなどの対策をとることが余儀なくされており、また、弾性波デバイスの実装工程においても静電気管理をとることが余儀なくされており、これらを実現するための設備投資や工数増加が弾性波デバイス及びこれを含んで構成される部品、機器のコストアップを招いている。

【0006】

また、弾性波デバイスの機能の多様化により、一つの弾性波デバイス中に１０個以上の櫛形電極を有するものも現れており、これらの中には、弾性波デバイスの外部端子に接続されず、電位が外部から固定されない、フローティングの電極パターンも存在する。このようなフローティングの電極パターンに一旦電荷が蓄積されると電荷は抜けにくく、ESD破壊の原因になりやすい。

【0007】

なお、弾性波デバイスの製造過程での焦電破壊を防止するため、製造過程において弾性波デバイスを構成する弾性波デバイスの電極パターンに導電性部材を接触させておく技術として特許文献１に示されるものがある。また、同様の目的から、弾性波デバイスの製造過程において、前記弾性波デバイスの電極パターンの形成面を導電性高分子を含む保護膜によって覆っておき、後にこれを取り去る技術として、特許文献２及び３に示されるものがある。しかるに、これら特許文献１～３のものは、ESD破壊の抑止を目的とするものでなく、また、ESD破壊の抑止に寄与する構造を弾性波デバイス自体に持たせるようにするものではない。なお、特許文献４を構成する導電性樹脂層は、接地用導体パターンに接続することが構成要件となっており、本願の基本構成とは異なるものである。また、特許文献４の導電性樹脂は電磁シールド層としての機能を持たせるため、「厚さ１ｍｍ以下程度で１０Ω・ｃｍ以下の抵抗値を有するもの」とされており、抵抗値が低いものが望ましいとされている。本願のＥＳＤ耐性向上という目的に関しては、後述の理由から、導電性樹脂の金属膜並みの低抵抗化は必要とされておらず、目的、構成が異なっている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0008】

【文献】特開２００６－３３０５３号公報

【文献】特開平９－１７２３４９号公報

【文献】特開平９－１１６３６４号公報

【文献】特許第３４３９９７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

この発明が解決しようとする主たる問題点は、弾性波デバイスパッケージ、及び、弾性波デバイスを含むモジュールに、前記ESD破壊を抑止し得る構造、すなわち、ESD耐性を向上させる構造を、適切且つ合理的に付与できるようにする点にある。

【課題を解決するための手段】

【0010】

前記課題を達成するために、この発明にあっては、第一の観点から、弾性波デバイスパッケージを、
圧電基板の一面に櫛形電極を形成してなる一面を備えた弾性波デバイスと、
前記弾性波デバイスの前記一面との間に隙間を形成させた状態で前記弾性波デバイスを搭載するパッケージ基板と、
前記パッケージ基板における前記弾性波デバイスの搭載側に形成されて、前記パッケージ基板と前記弾性波デバイスとの間に前記櫛形電極を囲む中空部を形成する封止樹脂とを備えると共に、
前記封止樹脂と前記弾性波デバイスとの間に、前記弾性波デバイスにおける前記一面と反対の他面の全体と前記弾性波デバイスの端面とが覆われるように導電性樹脂層を形成させてなり、
しかも、前記導電性樹脂層を前記封止樹脂と同系の樹脂から構成し、かつ、前記導電性 樹脂層のシート抵抗を１kΩ/□ないし３MΩ/□の範囲としてなる、ものとした。

【0012】

また、前記導電性樹脂層が、前記弾性波デバイスの端面を覆う部分に連続して前記パッケージ基板の前記搭載側の面の少なくとも一部を覆う延長部分を備えるようにしておくことが、この発明の態様の一つとされる。

【0013】

また、前記延長部分を、前記パッケージ基板の前記搭載側の面に形成された外部接続端子につながった電極に電気的に接続させるようにしておくことが、この発明の態様の一つとされる。

【0014】

また、前記課題を達成するために、この発明にあっては、第二の観点から、弾性波デバイスを含むモジュールを、
少なくとも一つの弾性波デバイスを含むモジュールであって、
圧電基板の一面に櫛形電極を形成してなる一面を備えた弾性波デバイスと、
前記弾性波デバイス以外のモジュール構成要素と、
前記弾性波デバイスの前記一面との間に隙間を形成させた状態で前記弾性波デバイスを搭載すると共に、前記構成要素を搭載するモジュール基板と、
前記モジュール基板における前記弾性波デバイスの搭載側に形成されて、前記モジュール基板と前記弾性波デバイスとの間に前記櫛形電極を囲む中空部を形成する封止樹脂とを備えると共に、
前記封止樹脂と前記弾性波デバイスとの間に限り前記弾性波デバイスにおける前記一面と反対の他面の少なくとも一部を覆う導電性樹脂層を形成させてなり、
しかも、前記導電性樹脂層を前記封止樹脂と同系の樹脂から構成し、かつ、前記導電性樹脂層のシート抵抗を１kΩ/□ないし３MΩ/□の範囲としてなる、ものとした。

【発明の効果】

【0015】

この発明によれば、弾性波デバイスパッケージ、及び、弾性波デバイスを含むモジュールに、前記導電性樹脂層によって、前記ESD破壊を抑止し得る構造、すなわち、ESD耐性を向上させる構造を、適切且つ合理的に付与することができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】図１は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイスパッケージ（第一例）の斜視構成図である。

【図2】図２は、前記第一例の断面構成図である。

【図3】図３は、前記第一例の弾性波デバイスパッケージに形成される櫛形電極の要部平面図である。

【図4】図４は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイスパッケージ（第二例）の断面構成図である。

【図5】図５は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイスパッケージ（第三例）の断面構成図である。

【図6】図６は、この発明の一実施の形態にかかる弾性波デバイスを含むモジュール（第四例）の平面構成図である。

【図7】図７は、図６におけるＡ－Ａ線位置での断面構成図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、図１～図７に基づいて、この発明の典型的な実施の形態について、説明する。この実施の形態にかかる弾性波デバイスパッケージＤは、弾性波デバイス１（チップ）と、パッケージ基板２と、封止樹脂３（モールドレジン）と、導電性樹脂層４とを備える。

【0018】

（弾性波デバイス１）
弾性波デバイス１は、圧電基板の一面１ａに、櫛形電極１ｂ（IDT）を形成させてなる。すなわち、弾性波デバイス１は、板状をなし、また、その一面１ａを櫛形電極１ｂの形成面としている。

【0019】

また、弾性波デバイス１は、前記櫛形電極１ｂの形成面と反対の他面１ｃを有すると共に、その厚さ方向に沿った端面１ｄとを備える。

【0020】

櫛形電極１ｂの一例の要部平面図を図３に示す。櫛形電極１ｂを構成する図３中、符号Ｌ１で示す長い電極指１ｅの長さは例えば７０μｍ、隣り合う長い電極指１ｅ間の距離Ｌ２は例えば２．２μｍ、短い電極指１ｆの先との間に間隔Ｌ３を開けて形成されるフローティングの櫛形電極１ｇと短い電極指１ｆとの間の前記間隔Ｌ３は例えば０．４μｍとなるように形成される。

【0021】

（パッケージ基板２）
パッケージ基板２は、前記弾性波デバイス１の前記一面１ａとの間に隙間を形成させた状態で前記弾性波デバイス１を搭載する構成となっている。

【0022】

パッケージ基板２は、絶縁性を備えた板状の材料から構成されている。パッケージ基板２は、前記弾性波デバイス１の搭載側の表面２ａと、この搭載側の表面２ａと反対の裏面２ｂと、厚さ方向に沿った端面２ｃとを備える。

【0023】

パッケージ基板２は、弾性波デバイス１の端面１ｄの外側にパッケージ基板２の端面２ｃを、弾性波デバイス１の中心ｘ（図１及び図２参照）を巡るいずれの位置においても位置させる大きさに形成されている。

【0024】

弾性波デバイス１は、パッケージ基板２の表面２ａに形成させたバンプ２ｄに前記一面１ａを接しさせた状態でパッケージ基板２の前記表面２ａ上に載置される。バンプ２ｄと弾性波デバイス１とは超音波溶着などの公知の手法により固着される。前記バンプ２ｄは、ワイヤーボンディングのファーストボンドによって形成される、金スタッドバンプが典型例である。

【0025】

弾性波デバイス１の一面１ａと、パッケージ基板２の表面２ａとの間には、前記バンプ２ｄ分の隙間が、弾性波デバイス１の前記一面１ａのいずれの箇所においても形成されている。

【0026】

パッケージ基板２の裏面２ｂには外部接続端子２ｅが形成されている。パッケージ基板２に前記のように搭載された弾性波デバイス１はその櫛形電極１ｂの少なくとも一部をこの外部接続端子２ｅに電気的に接続させており、この外部接続端子２ｅによって弾性波デバイスパッケージＤと外部とが電気的に接続されるようになっている。

【0027】

（封止樹脂３）
封止樹脂３は、絶縁性及び疎水性を有し、前記パッケージ基板２の前記搭載側に形成されて、前記パッケージ基板２と協働して、前記弾性波デバイス１を気密状態に収める。この封止樹脂３によって、前記パッケージ基板２と前記弾性波デバイス１との間に前記櫛形電極１ｂを囲む中空部５が形成されると共に、パッケージ外部からの水分侵入が極力抑えられ耐湿性に優れた信頼性の高い弾性波デバイスパッケージＤを提供することができる。

【0028】

封止樹脂３は、弾性波デバイス１の他面１ｃ上に位置する上面部３ａと、弾性波デバイス１の端面１ｄの外側に位置すると共に前記パッケージ基板２の端面２ｃと面一となる端面部３ｂとを備える。封止樹脂３の絶縁性及び疎水性により、本発明を適用して提供される弾性波デバイスパッケージＤは、既存の標準化、規格化されたフィルタ部品などと同様に、検査装置での検査、包装、保管、基板実装などを行うことが可能となる。

【0029】

（導電性樹脂層４）
導電性樹脂層４は、前記封止樹脂３と前記弾性波デバイス１との間に前記弾性波デバイス１の他面１ｃの少なくとも８０％の範囲を覆うように形成されている。

【0030】

すなわち、かかる導電性樹脂層４は、パッケージ基板２の表面２ａ上に前記のように弾性波デバイス１を搭載させた状態から、封止樹脂３の形成に先だって、形成される。

【0031】

（第一例）
図１及び図２に示される第一例にあっては、前記導電性樹脂層４を、前記導電性樹脂層４によって前記弾性波デバイス１の前記他面１ｃの全体と、前記弾性波デバイス１の端面１ｄとが覆われるように形成させている。

【0032】

これにより、例えば、高電界内（静電気発生雰囲気内）に弾性波デバイスパッケージＤが置かれたとき、弾性波デバイスパッケージＤ同士の摩擦により電荷が発生したとき、あるいは、ダイシング工程後ダイシングテープなどから弾性波デバイスパッケージＤを剥離するときなどに、弾性波デバイス１を構成する櫛形電極１ｂに集中して帯電が生じないようにすることができる。

【0033】

加えて、導電性樹脂層４と封止樹脂３とは樹脂同士で密着性高く両者を強固に一体化させた状態で弾性波デバイスパッケージＤを構成することができる。導電性樹脂層４は100μm以下の厚さで形成可能であり、この程度の厚みは、封止樹脂部３形成工程内の製造条件調整で全体のパッケージサイズへの影響を無くすことができる。このように導電性樹脂層４を新規に設けても、標準化されている規格内のパッケージサイズに収めることは可能である。導電性樹脂層４は、1kΩ/□～3MΩ/□程度のシート抵抗をもつものであることが望ましい。このようなシート抵抗を持つ導電性樹脂層４内の電荷の移動速度は金属膜に比し著しく遅くなる。したがって、導電性樹脂層４に帯電した場合の電荷の移動により発生する周囲の電界のピーク及び反対面に誘起される櫛形電極１ｂ間、あるいは、櫛形電極１ｂとフローティングの櫛形電極１ｇ間、あるいは、フローティングの櫛形電極１ｇ間の電位差を可及的に抑えることができる。なお、導電性樹脂層４のシート抵抗値は、一例ではあるが、樹脂基材中に一様に分散される導電性フィラーの粒径、密度を適宜設定することにより調整可能である。一般的な樹脂基材は、エポキシ系、シリコン系、ウレタン系、ポリイミド系などの樹脂があり、成型後の封止樹脂３との密着性向上の観点から、導電性樹脂層４と封止樹脂３は同系の樹脂基材とするのが望ましい。導電性樹脂層４の導電性フィラーは炭素系、金属系、導電性高分子系などのフィラーを適用可能である。

【0034】

（第二例）
図４に示される第二例にあっては、前記導電性樹脂層４が、前記弾性波デバイス１の端面１ｄを覆う部分４ａに連続して前記パッケージ基板２の前記搭載側の表面２ａの少なくとも一部を覆う延長部分４ｂを備えるようにしている。

【0035】

図示の例では、前記延長部分４ｂは、前記端面１ｄを覆う部分から垂下して前記表面２ａに突き当たる第一部分４ｃと、この第一部分４ｃの下端から外方に続き端末をパッケージ基板２の端面２ｃのやや内側に位置させる第二部分４ｄとを備えるようになっている。また、図示の例では、弾性波デバイス１の中心ｘを巡るいずれの箇所においても、導電性樹脂層４が、第一部分４ｃと第二部分４ｄとを持つようになっている。

【0036】

このようにした場合、第一に、導電性樹脂層４の面積を増大させることができ、弾性波デバイス１を構成する櫛形電極１ｂに集中して帯電が生じる事態をより防止しやすくなる。また、第二に、封止樹脂３を形成する際に、導電性樹脂層４の延長部分４ｂによって封止樹脂３を構成する樹脂が前記隙間内に進入することを防いで前記中空部５を形成することができる。

【0037】

この第二例では、このように前記延長部分４ｂによって前記中空部５を作るための前記隙間への封止樹脂３を構成する樹脂の進入を防ぐことができることから、この進入をできるだけ生じないように弾性波デバイス１の端面１ｄとパッケージ基板２の端面２ｃとの間の距離ｙ（図４参照）を大きく確保しておく必要がなく、前記第一例よりもかかる距離ｙを縮小可能である。したがって、第二例の構造は、弾性波デバイスパッケージＤのサイズの縮小に資する。また、サイズを縮小しない場合には弾性波デバイス１のサイズの可及的最大化が可能となり、弾性波デバイス１上に機能追加のための櫛形電極１ｂを形成する余地を設けやすくなる。

【0038】

（第三例）
図５に示される第三例にあっては、前記延長部分４ｂを、前記パッケージ基板２の前記搭載側の表面２ａに形成された外部接続端子２ｅにつながった電極２ｆに電気的に接続させるようにしている。

【0039】

このようにした場合、導電性樹脂層４に帯電した電荷を外部接続端子２ｅを利用して放電させ易くなることから、弾性波デバイスパッケージＤのESD耐性をより向上させることができる。この際、導電性樹脂層４が前述の適切な抵抗値を有する場合、前記放電が緩慢に行われるため、電界のピークが抑えられ、ESD耐性がより向上する。

【0040】

（第四例）
図６に示される第四例は、弾性波デバイス１と、これ以外のモジュール構成要素６（抵抗器 (R)、インダクタ (L)、コンデンサ (C)など）を備えた弾性波デバイス１を含むモジュールＭを示している。前記フロントエンドモジュール構成要素６の代表例は、一般にチップ抵抗、チップインダクタ、チップコンデンサなどと呼ばれるものである。これらは端子金属が多方向の面に露出し、モジュール基板２’に表面実装される部品である。モジュール基板２’は前記パッケージ基板２同様絶縁性を有する。

【0041】

かかる弾性波デバイス１を含むモジュールＭは、モジュール基板２’との間に後述の中空部５を形成させた少なくとも一つの弾性波デバイス１を含む。かかる弾性波デバイス１を含むモジュールＭは、一面１ａを櫛形電極１ｂの形成面とする弾性波デバイス１と、前記弾性波デバイス１以外のモジュール構成要素６と、前記弾性波デバイス１の前記一面１ａとの間に隙間を形成させた状態で前記弾性波デバイス１を搭載すると共に前記構成要素６を搭載するモジュール基板２’と、前記パッケージ基板２と前記弾性波デバイス１との間に前記櫛形電極１ｂを囲む中空部５を形成させた状態で前記モジュール基板２’の前記搭載側に形成される前記弾性波デバイス１及び前記構成要素６の封止樹脂３とを備える。

【0042】

それと共に、かかる弾性波デバイス１を含むモジュールＭは、前記封止樹脂３と前記弾性波デバイス１との間に限り前記弾性波デバイス１の他面１ｃの少なくとも一部を覆う導電性樹脂層４を形成させた構成となっている。このような構成では、導電性樹脂層４によって前記構成要素６の端子間が短絡されることはない。

【0043】

このようにすれば、弾性波デバイス１についてESD耐性を確保し、それ以外の弾性波デバイスを含むモジュール構成要素６には導電性樹脂層４による影響が及ばないようにした弾性波デバイス１を含むモジュールＭの構成が可能となる。

【0044】

以下の工程は一例であるが、このようにすれば、モジュール基板２’上の弾性波デバイス１に対してのみ導電性樹脂層４を形成することができる。
（１）感光性を有する導電性樹脂からなるシートを用意する。
（２）前記シートを、封止樹脂３の形成に先立って、二つの弾性波デバイス１と二つの前記フロントモジュール構成要素６を搭載したモジュール基板２’上に被せたとき、二つの弾性波デバイス１上に位置される箇所のみがモジュール基板２’上に残存するように、フォトリソグラフィでパターニングする。

【0045】

なお、この第四例では、導電性樹脂部は弾性波デバイス１の他面１ｃの全体と弾性波デバイス１の端面１ｄとを覆うように形成されると共に、端面１ｄを覆う部分４ａに続く延長部４ｂを備えた構成となっているが、端面１ｄを覆う部分４ａがない態様でも良く、また、前記第一例と同様に延長部分４ｂがない態様でもあっても良い。

【0046】

なお、当然のことながら、本発明は以上に説明した実施態様に限定されるものではなく、本発明の目的を達成し得るすべての実施態様を含むものである。

【符号の説明】

【0047】

Ｄ 弾性波デバイスパッケージ
Ｍ 弾性波デバイスを含むモジュール
１ 弾性波デバイス
１ａ 一面
１ｂ 櫛形電極
１ｃ 他面
１ｄ 端面
１ｅ 長い電極指
１ｆ 短い電極指
１ｇ フローティングの櫛形電極
２ パッケージ基板
２’ モジュール基板
２ａ 表面
２ｂ 裏面
２ｃ 端面
２ｄ バンプ
２ｅ 外部接続端子
２ｆ 電極
３ 封止樹脂
３ａ 上面部
３ｂ 端面部
４ 導電性樹脂層
４ａ 端面を覆う部分
４ｂ 延長部分
４ｃ 第一部分
４ｄ 第二部分
５ 中空部
６ 弾性波デバイス以外のモジュール構成要素

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】