特許 7511627 基板処理装置及び基板処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-27

(45)【発行日】2024-07-05

(54)【発明の名称】基板処理装置及び基板処理方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240628BHJP

   H01L 21/306 20060101ALI20240628BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 643Z

H01L21/304 643A

H01L21/304 648G

H01L21/304 651B

H01L21/304 651L

H01L21/306 E

【請求項の数】 11

(21)【出願番号】P 2022208238

(22)【出願日】2022-12-26

(65)【公開番号】P2023112662

(43)【公開日】2023-08-14

【審査請求日】2023-07-31

(31)【優先権主張番号】P 2022014140

(32)【優先日】2022-02-01

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000002428

【氏名又は名称】芝浦メカトロニクス株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100081961

【弁理士】

【氏名又は名称】木内 光春

(74)【代理人】

【識別番号】100112564

【弁理士】

【氏名又は名称】大熊 考一

(74)【代理人】

【識別番号】100163500

【弁理士】

【氏名又は名称】片桐 貞典

(74)【代理人】

【識別番号】230115598

【弁護士】

【氏名又は名称】木内 加奈子

(72)【発明者】

【氏名】▲高▼北（埀野） 陽子

【審査官】小池 英敏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１６－８６１１６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１７０６３７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１６７１６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１２７９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－５６２１８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６

Ｈ０１Ｌ ２１／０２７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を保持して回転させる回転部と、
前記回転部により回転する前記基板の被処理面に対して、吐出部から処理液を供給することにより前記基板を処理する処理液供給部と、
上部が開口した容器を有し、前記容器が前記吐出部から前記基板への前記処理液の供給を遮断する遮断位置と、前記容器が前記吐出部から前記基板への前記処理液の供給を許容する許容位置との間で、前記吐出部に対して相対移動可能な受容部と、
を有する基板処理装置。

【請求項2】

基板を保持して回転させる回転部と、
前記回転部により回転する前記基板の被処理面に対して、吐出部から処理液を供給することにより前記基板を処理する処理液供給部と、
上部が開口した容器を有し、前記容器が前記吐出部から前記基板への前記処理液の供給を遮断する遮断位置と、前記容器が前記吐出部から前記基板への前記処理液の供給を許容する許容位置との間で、前記吐出部に対して相対移動可能な受容部と、
前記回転部に接離する方向に移動可能に設けられ、前記基板に非接触で対向する遮蔽部と、を有し、
前記遮蔽部には、前記基板に対向する面と前記基板との間に気体を供給する給気部が設けられている基板処理装置。

【請求項3】

前記吐出部は、前記遮蔽部に設けられている請求項２記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記吐出部は、前記基板の前記被処理面上に前記処理液を吐出する吐出位置と、前記基板の前記被処理面の上方から外れた待機位置との間を移動可能に設けられ、
前記容器は、前記遮断位置を維持した状態で、前記吐出位置から前記待機位置へ移動可能に設けられている請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記容器は、前記遮断位置を維持した状態で、前記吐出部とともに前記吐出位置へ移動可能に設けられている請求項４記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記容器が前記遮断位置から前記許容位置へ相対移動する場合に、前記吐出部の下方を通過する前記容器の外側面が、前記遮断位置側が下方になるように傾斜した傾斜面である請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記容器が前記遮断位置から前記許容位置へ相対移動する場合に、前記吐出部の下方を通過する前記容器の外側面に、前記外側面を流れる前記処理液の前記被処理面への落下を遮断する副受容部を有する請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記容器の上縁は、前記副受容部の上縁よりも前記許容位置側にある請求項７記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記容器には、前記吐出部が対向する貫通孔が設けられている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記容器が前記遮断位置と前記許容位置との間で相対移動する場合に、前記吐出部の下方を通過する前記容器の上縁に、前記吐出部が通過する溝が設けられている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。

【請求項11】

回転部により回転する基板の被処理面に対して、処理液供給部の吐出部から処理液を供給することにより前記基板を処理する基板処理方法において、
上部が開口した容器を有する受容部が遮断位置に移動し、
前記吐出部から前記処理液を吐出し、
前記容器が前記吐出部から吐出される前記処理液の前記基板への供給を遮断し、
流量調整部及び温度調整部が、前記吐出部から吐出される前記処理液の流量及び温度を調整し、
前記容器が許容位置に相対移動することにより、前記吐出部から前記基板の前記被処理面に前記処理液を供給する基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体や液晶パネルなどを製造する製造工程では、半導体ウェーハや液晶基板などの基板の被処理面に、処理液を供給することにより被処理面を処理する基板処理装置が用いられている。

【0003】

例えば、チャンバ内で回転テーブルに保持された基板を回転させながら、基板の回転中心付近にエッチング用の処理液を供給して、基板の表面に処理液を広げることにより、基板を一枚ずつ処理する枚葉式のエッチング装置が使用されている。また、エッチング処理後、別のチャンバ内において、回転テーブルに保持された基板を回転させながら、基板の回転中心付近に洗浄用の処理液を供給することにより、基板を洗浄する洗浄装置が使用されている。

【0004】

このような基板処理装置には、基板上に処理液を供給する機構として、例えば、処理液を吐出するノズルが先端に設けられた揺動アームが設けられている。揺動アームは、ノズルが基板上から外れる待機位置と、ノズルが基板の中央の上方に来る吐出位置との間を揺動可能に設けられ、吐出位置において、回転する基板に処理液を供給することにより、基板を処理する。

【0005】

ここで、所望の処理レートを得るために、基板に供給する処理液は、適切な流量、温度に調整する必要がある。このため、処理液を供給するノズルから、予め処理液を吐出させた状態で、流量及び温度を調整してから、基板に供給することが行われている。このように、製品となる基板に処理液を吐出する本吐出の前に、処理液を吐出した状態とすることをダミー吐出と呼ぶ。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２００７－２５８４６２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

ダミー吐出を行う際には、処理液が滴下する箇所に基板が存在しないと、回転テーブルの周囲に処理液が飛散してパーティクルの発生源となる。このため、ダミー吐出の際には、製品とならない基板を、回転テーブルに保持しておく必要がある。このようなダミー吐出のための基板を、ダミー基板と呼ぶ。ダミー吐出を行う際には、ダミー基板が必要となるため、処理液を吐出させる前後にダミー基板を搬入、搬出する作業を行わなければならず、処理時間が長くなり、スループットが低下する。

【0008】

また、ダミー吐出中に流量、温度を調整した後、ダミー基板を搬出して、製品となる基板を搬入して本吐出が行われるまでに、ノズルに処理液を供給する配管内の処理液の温度が下がってしまう。すると、本吐出のために処理液を供給する際には、低い温度の処理液が吐出されてしまうため、所望の処理レートが得られない。さらに、一旦、ダミー吐出を止めてから本吐出までに時間がかかると、ノズルへ処理液の供給を再開する際の流量の変動が大きくなるため、適切な流量を維持できない場合が生じる。

【0009】

これに対処するため、処理液を吐出するノズルが待機位置にある状態で、待機位置に設けられたダミーディスペンス用のポットに対して、予め処理液を供給しながら流量及び温度を調整することが行われている（特許文献１参照）。しかし、この場合、待機位置においてノズルから処理液を吐出するとしても、本吐出を行うときには、一旦、処理液の吐出を止めてから、ノズルを揺動させて、基板の回転中心上となる吐出位置に移動させる必要がある。このため、上記と同様に、ノズルから再度処理液を吐出する際の温度低下、流量変動の問題が生じる。

【0010】

本発明の実施形態は、ダミー吐出から本吐出へ短時間で移行でき、処理液を所望の流量及び温度に維持しやすい基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0011】

本発明の実施形態の基板処理装置は、基板を保持して回転させる回転部と、前記回転部により回転する前記基板の被処理面に対して、吐出部から処理液を供給することにより前記基板を処理する処理液供給部と、上部が開口した容器を有し、前記容器が前記吐出部から前記基板への前記処理液の供給を遮断する遮断位置と、前記容器が前記吐出部から前記基板への前記処理液の供給を許容する許容位置との間で、前記吐出部に対して相対移動可能な受容部と、を有する。

【0012】

本発明の実施形態の基板処理方法は、回転部により回転する基板の被処理面に対して、処理液供給部の吐出部から処理液を供給することにより前記基板を処理する基板処理方法において、上部が開口した容器を有する受容体が遮断位置に移動し、前記吐出部から前記処理液を吐出し、前記容器が前記吐出部から吐出される前記処理液の前記基板への供給を遮断し、流量調整部及び温度調整部が、前記吐出部から吐出される前記処理液の流量及び温度を調整し、前記容器が許容位置に相対移動することにより、前記吐出部から前記基板の前記被処理面に前記処理液を供給する。

【発明の効果】

【0013】

本発明の実施形態は、ダミー吐出から本吐出へ短時間で移行でき、処理液を所望の流量及び温度に維持しやすい基板処理装置及び基板処理方法を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0014】

【図1】第１の実施形態の基板処理装置を示す簡略構成図である。

【図2】図１の基板処理装置において、吐出部及び容器が待機位置にある状態（Ａ）、遮断位置を維持しつつ移動している状態（Ｂ）、許容位置にある状態（Ｃ）を示す簡略構成図である。

【図3】遮断位置と許容位置との間で変位する吐出部と容器を示す説明図である。

【図4】容器の傾斜面に処理液が付着した状態（Ａ）、容器の鉛直方向の側面に処理液が付着した状態（Ｂ）、容器の変形例（Ｃ）を示す説明図である。

【図5】第２の実施形態の基板処理装置の容器が待機位置にある状態（Ａ）、遮断位置にある状態（Ｂ）を示す簡略構成図である。

【図6】第２の実施形態の基板処理装置において吐出部がダミー吐出している状態（Ａ）、本吐出している状態（Ｂ）を示す簡略構成図である。

【図7】容器に副受容部を設けた変形例を示す斜視図である。

【図8】図７の変形例の動作を示す説明図である。

【図9】容器に貫通孔を設けた変形例を示す説明図である。

【図10】容器に溝を設けた変形例を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0015】

以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
[第１の実施形態］
図１に示すように、第１の実施形態の基板処理装置１は、箱状の容器であるチャンバ１ａを備え、前工程でカセット（ＦＯＵＰ）に複数枚収容されて搬送されてきた基板Ｗに対して、チャンバ１ａ内で１枚ずつ処理を行う枚葉処理の装置である。基板Ｗは、カセットから搬送ロボットによって１枚ずつ取り出され、バッファユニットに一時的に載置された後、チャンバ１ａへの搬送及び処理が行われる。なお、本実施形態により処理される基板Ｗは、例えば、半導体ウェーハである。以下、基板Ｗのパターン等が形成された面を被処理面とする。

【0016】

基板処理装置１は、例えば、回転する基板Ｗに処理液Ｌを供給することによって、不要な膜を除去して回路パターンを残すエッチング装置である。本実施形態では、処理液Ｌとして、リン酸（Ｈ３ＰＯ４）を含む水溶液（以下、リン酸溶液とする）を使用する。リン酸溶液は、処理レートを確保するために高温とすることが必要であり、温度低下を防ぐ必要性が高い。但し、使用する処理液Ｌは、これには限定されず、例えば、フッ酸及び硝酸の混合液、酢酸、硫酸及び過酸化水素水の混合液（ＳＰＭ：Sulfuric acid-hydrogen Peroxide Mixture）等、酸系の液体を広く用いることができる。

【0017】

基板処理装置１は、図１～図３に示すように、回転部１０、処理液供給部２０、受容部３０、制御部５０を有する。

【0018】

（回転部）
回転部１０は、基板Ｗを保持して回転する。回転部１０は、回転体１１、駆動源１２、保持部１３を有する。回転体１１は、基板Ｗに間隔を空けて対向する対向面１１ａを有する。回転体１１は、一端が対向面１１ａによって塞がれた円筒形状である。対向面１１ａは、基板Ｗよりも大きな径の円形の面である。回転体１１は、処理液Ｌに対して耐性を有する材料で形成されている。例えば、ＰＴＦＥ、ＰＣＴＦＥなどのフッ素系の樹脂により、回転体１１を構成することが好ましい。

【0019】

駆動源１２は、回転体１１を回転させる。駆動源１２はモータであり、図示しない設置面又は設置面に設置された架台に固定されたベース上に設けられている。なお、チャンバ１ａ内の回転体１１の周囲には、回転する基板Ｗから飛散する処理液Ｌを、基板Ｗの周囲から受けるカバー１ｂが設けられている。つまり、カバー１ｂは、回転体１１及び基板Ｗを囲う円筒形状であって、その円筒形状の上方は、回転体１１及び基板Ｗ側に向かうように傾斜している。

【0020】

保持部１３は、基板Ｗを回転体１１に保持する。保持部１３は、基板Ｗの周縁に複数設けられ、図示しない開閉機構によって、基板Ｗの縁部に接する閉位置と、基板Ｗの縁部から離れる開位置との間を移動可能に設けられている。保持部１３は、対向面１１ａと平行に且つ間隔を空けて、基板Ｗを保持する。基板Ｗの対向面１１ａ側の面と反対側の面が被処理面となる。

【0021】

（処理液供給部）
処理液供給部２０は、図２（Ｃ）に示すように、回転体１１により回転する基板Ｗの被処理面に対して、吐出部２１から処理液Ｌを供給することにより、基板Ｗを処理する。本実施形態では、処理液供給部２０は、保持部１３に保持された基板Ｗの被処理面に、リン酸溶液である処理液Ｌを供給することによりエッチング処理を行う。

【0022】

処理液供給部２０は、吐出部２１、揺動アーム２２、揺動機構２３を有する。吐出部２１は、基板Ｗの被処理面の中心付近に向けて処理液Ｌを供給するノズルである。吐出部２１には、チャンバ１ａ外のタンクＴから配管２４を介して処理液Ｌであるリン酸溶液が供給される。処理液Ｌの供給経路である配管２４には、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）２５、ヒータ２６が設けられている。処理液Ｌの流量は、流量調整部であるＭＦＣ２５によって調整され、処理液Ｌの温度は温度調整部であるヒータ２６によって調整される。ＭＦＣ２５は、流量センサが内蔵されており、流量センサにより検出される流量と、設定された流量とのフィードバックによって、流量バルブを制御する。配管２４には図示しない温度センサが設けられ、この温度センサの検出温度に基づいて、ヒータ２６の温度、処理液Ｌの吐出の有無等が制御される。また、タンクＴには、処理液Ｌの排液経路Ｚが接続され、バルブＶ１の開閉によって排液の有無を切り替えることができる。

【0023】

揺動アーム２２は、先端に吐出部２１が設けられている。この吐出部２１は、所謂ノズルである。揺動アーム２２は、吐出部２１が基板Ｗの被処理面上に処理液Ｌを吐出する吐出位置（図１、図２（Ｃ）参照）と、基板Ｗの被処理面の上方から外れた待機位置（図２（Ａ））との間を揺動可能に設けられている。本実施形態の吐出位置は、回転体１１上の基板Ｗの被処理面の回転中心に対応する位置の直上である。待機位置は、吐出位置から退避して基板Ｗの搬入や搬出を可能とする位置である。なお、待機位置は、基板Ｗの被処理面の上方から外れていれば良いが、好ましくはカバー１ｂの外方である。

【0024】

揺動機構２３は、吐出部２１が吐出位置と待機位置との間を移動するように、揺動アーム２２を揺動させる機構である。また、揺動機構２３は、上下に移動することにより、吐出部２１を基板Ｗに接離する方向に移動させる。

【0025】

（受容部）
受容部３０は、上部が開口した容器３１と、揺動アーム３２と、揺動機構３３と、回収経路３４とを有する。容器３１は、揺動アーム３２と、揺動機構３３によって、吐出部２１から基板Ｗへの処理液Ｌの供給を遮断する遮断位置（図１、図２（Ａ）、（Ｂ）、図３（Ａ）参照）と、吐出部２１から基板Ｗへの処理液Ｌの供給を許容する許容位置（図２（Ｃ）、図３（Ｄ）参照）との間で、吐出部２１に対して相対移動可能である。また、容器３１は、基板Ｗの被処理面の上方から外れた待機位置へも移動可能である。待機位置は、好ましくはカバー１ｂの外方である。

【0026】

遮断位置は、受容部３０の容器３１が吐出部２１の下方（直下）に位置し、処理液Ｌを受ける位置である。また、遮断位置は、基板処理装置１における絶対的な位置ではなく、吐出部２１が移動すると、遮断位置も移動する。つまり、遮断位置は、吐出部２１の位置に対する相対的な位置となる。

【0027】

許容位置は、受容部３０の容器３１が吐出部２１の下方（直下）から外れ、処理液Ｌを受けることができない位置である。つまり、容器３１が許容位置にあるとき、吐出部２１が容器３１の最外端（縁部）から外側にいるために、処理液Ｌの吐出を妨げることがない。許容位置も、基板処理装置１における絶対的な位置ではなく、吐出部２１の位置に対して相対的に決まる位置である。また、許容位置は、容器３１が吐出部２１から外れていて、処理液Ｌの吐出の妨げにならない位置であれば、どこであっても良い。吐出部２１の位置に対して予め決められた位置であっても良いし、１か所としても、複数個所としても良い。例えば、吐出部２１から処理液Ｌを吐出している間、容器３１が待機位置に戻っている場合には、待機位置が許容位置となる。

【0028】

但し、本実施形態では、図２（Ｃ）に示すように、吐出部２１から基板Ｗの被処理面に向けて処理液Ｌを吐出している間、許容位置にある容器３１は、吐出部２１の近傍に位置づけられている。このように許容位置が吐出部２１の近傍にあると、吐出部２１からの処理液Ｌの吐出を終了した後に、容器３１を短時間で遮断位置に位置づけることができる。これにより、吐出終了時に吐出部２１から処理液Ｌが垂れ落ちたとしても、基板Ｗ上に落ちることを防止することができる。このため、吐出部２１から基板Ｗの被処理面に向けて処理液Ｌを吐出している間は、容器３１を吐出部２１の近傍に位置づけることが好ましい。なお、これに限らずに、上述したように、吐出部２１から吐出している間は、容器３１を待機位置に位置づけてもよい。この場合は、吐出部２１から吐出を停止した際、又は吐出停止直前には、容器３１を吐出部２１の近傍に位置づけると良い。

【0029】

容器３１は、上部が開口した逆円錐形状の部材である。このため、容器３１が遮断位置から許容位置へ相対移動する場合に、吐出部２１の下方を通過する容器３１の外側面は、図３に示すように、遮断位置側が下方になるように傾斜した傾斜面３１ａとなっている。さらに、容器３１の下部には、回収口３１ｂが設けられている。容器３１は、処理液Ｌに対して耐性を有する材料で形成されている。例えば、ＰＴＦＥ、ＰＣＴＦＥなどのフッ素系の樹脂により、容器３１を構成することが好ましい。

【0030】

揺動アーム３２は、図１及び図２に示すように、先端に容器３１が設けられている。容器３１は、揺動アーム３２によって、遮断位置と許容位置との間を移動可能に設けられている。

【0031】

揺動機構３３は、容器３１が遮断位置と許容位置との間を移動するように、揺動アーム３２を揺動させる機構である。また、揺動機構３３は、容器３１を待機位置に移動させる。さらに、揺動機構３３は、上下に移動することにより、容器３１を基板Ｗに接離する方向に移動させる。揺動アーム３２及び揺動機構３３には、回収口３１ｂに接続された回収経路３４が設けられている。回収経路３４は、揺動アーム３２に沿って配置され、チャンバ１ａ外のタンクＴまで延びている。これにより、容器３１で回収した処理液Ｌが、回収経路３４を通じてタンクＴへ戻る経路が構成されている。また、回収経路３４はバルブＶ２が設けられた配管に分岐しており、排液経路Ｚに接続されている。これにより、容器３１で回収した処理液Ｌが、回収経路３４、排液経路Ｚを介して排出される経路が構成されている。

【0032】

なお、図１及び図２においては、揺動アーム２２と揺動アーム３２について、分かり易くするために、便宜的に揺動する軸の位置をずらして、両者の水平方向の長さが相違するように描かれている。但し、受容部３０の容器３１は遮断位置を保ったまま、吐出部２１と一緒に移動するため、実際には揺動アーム２２と揺動アーム３２の揺動軸は同軸上にあって、水平方向の長さが同じである。また、揺動アーム３２の長さを伸縮可能に構成してもよい。これにより、揺動アーム２２の揺動軌跡上を、揺動アーム３２が揺動及び伸縮移動することにより、容器３１と吐出部２１が一緒に移動することが可能となる。

【0033】

なお、図示はしないが、基板処理装置１には、洗浄液としての炭酸水、温純水（ＤＩＷ）、アンモニア水－過酸化水素水混合液（ＡＰＭ：Ammonia-hydrogen peroxide mixture）を供給するための洗浄液供給ノズルが、揺動機構によって基板Ｗの回転中心に移動可能に設けられている。例えば、リン酸溶液によるエッチングの前に、洗浄液供給ノズルから基板Ｗの被処理面に対して炭酸水を供給することにより、基板Ｗの洗浄が行われる。エッチングの後に、洗浄液供給ノズルから基板Ｗの被処理面にＡＰＭを供給することにより、残留有機物を除去する。さらに、洗浄液供給ノズルから基板Ｗの被処理面にＤＩＷを供給することによって、ＡＰＭがＤＩＷに置換される。

【0034】

（制御部）
制御部５０は、基板処理装置１の各部を制御する。制御部５０は、基板処理装置１の各種の機能を実現するべく、プログラムを実行するプロセッサ、プログラムや動作条件などの各種情報を記憶するメモリ、各要素を駆動する駆動回路を有する。なお、制御部５０は、情報を入力する入力装置、情報を表示する表示装置を有している。本実施形態の制御部５０は、駆動源１２、保持部１３、揺動機構２３、３３、ＭＦＣ２５、ヒータ２６などを制御する。特に、制御部５０は、上記の流量センサ、温度センサの検出値に基づいて、ＭＦＣ２５、ヒータ２６を制御することにより、以下に説明するように、処理液Ｌの流量及び温度を制御する。

【0035】

［動作］
以上のような本実施形態の基板処理装置１の動作を、図１～図３を参照して説明する。なお、以下のような手順により基板Ｗを処理する基板処理方法も、本実施形態の一態様である。

【0036】

まず、処理対象となる基板Ｗは、搬送ロボットによって回転体１１上に搬入され、保持部１３によって保持される。回転体１１が、比較的高速な所定速度（例えば、２００～３００ｒｐｍ程度）で回転することにより基板Ｗが回転し、その基板Ｗの被処理面に、洗浄液供給ノズルから炭酸水を供給することにより、被処理面を洗浄する。そして、回転体１１が、比較的低速な所定速度（例えば、５０ｒｐｍ程度）で回転することにより、基板Ｗが当該速度で回転する。

【0037】

一方、図２（Ａ）に示すように、処理液供給部２０の吐出部２１は、基板Ｗの被処理面の上方から外れた待機位置にある。また、受容部３０の容器３１も、基板Ｗの被処理面の上方から外れた待機位置にあるとともに、吐出部２１から基板Ｗへの処理液Ｌの供給を遮断する遮断位置にある。つまり、容器３１は、その上部の開口が吐出部２１の下方にあることにより、吐出部２１から吐出された処理液Ｌが容器３１内に落下する位置にある。

【0038】

このように、吐出部２１及び容器３１が待機位置にある状態から、図２（Ｂ）に示すように、容器３１が遮断位置にある状態を維持しながら、揺動アーム２２及び揺動アーム３２がそれぞれ一緒に又は同時に揺動することにより、図１に示すように、吐出部２１及び容器３１が一緒又は同時に吐出位置に移動する。つまり、基板Ｗの回転中心に対応する位置の直上に、吐出部２１が位置付けられる。このように吐出部２１及び容器３１の移動中においても、吐出部２１に残留した処理液Ｌの落下が、容器３１によって防止される。

【0039】

そして、タンクＴからの処理液Ｌの供給が開始されると、図１、図３（Ａ）に示すように、吐出部２１の吐出口から容器３１内に処理液Ｌが継続的に吐出される。つまり、吐出部２１から吐出される処理液Ｌが、容器３１によって基板Ｗへ落下することが防止された状態でダミー吐出が行われる。このように吐出部２１から処理液Ｌを吐出しながら、ＭＦＣ２５によって流量が調整されるとともに、ヒータ２６によって温度が調整される。例えば、リン酸溶液の場合、１５０℃～１６０℃になるように調整される。容器３１内に吐出された処理液Ｌは、回収口３１ｂ及び回収経路３４を介して回収される。

【0040】

処理液Ｌが所望の温度に達したか否かは、上記のように、配管２４に設けられた温度センサの検出温度に基づいて判断される。つまり、温度センサの検出温度が所望の温度になったら、吐出部２１からのダミー吐出を停止する。また、吐出を開始してから、ＭＦＣ２５の流量センサにより検出される流量が、設定された流量に達して安定するまでにはある程度の時間がかかるが、所望の温度に達するまで処理液Ｌの吐出を継続することによって所望の流量に達するので、温度調整と同時に流量調整もできる。

【0041】

なお、温度センサは、容器３１内に設けられていてもよい。つまり、容器３１において、処理液Ｌが吐出される位置に温度センサが張り出していて、その温度センサによって温度を検知して、所望の温度に達した場合、処理液Ｌの吐出を一時停止するという制御を行ってもよい。さらに、温度センサを設けずに、予め決められた時間に達するまで処理液Ｌを吐出してもよい。つまり、予め実験等で、所望の温度に達する時間を求めておいて、その時間が経過すれば、所望の温度の処理液Ｌが吐出されているとして吐出を停止してもよい。

【0042】

処理液Ｌが所望の流量、温度となった場合には、図３（Ｂ）に示すように、吐出部２１からの処理液Ｌの吐出を停止する。そして、図３（Ｃ）に示すように、容器３１を許容位置に移動させ、図２（Ｃ）、図３（Ｄ）に示すように、吐出部２１から、上記のように流量と温度が調整された処理液Ｌの吐出を再開し、基板Ｗへ処理液Ｌを供給する。この遮断位置から許容位置に変位する際の吐出の停止時間は、例えば、５秒以内、好ましくは３秒以内である。このように処理液Ｌの吐出停止から吐出再開までの時間は非常に短いため、処理液Ｌの流動が停止して配管内に滞留する時間を短くすることができ、基板Ｗへ処理液Ｌを供給開始する際の流量変動及び温度低下が抑制される。なお、吐出再開時は、許容位置とされる位置まで容器３１が移動し終わらなくても、容器３１が吐出部２１の下から外れていれば良い。

【0043】

吐出部２１から所望の流量及び温度で吐出された処理液Ｌが、基板Ｗに供給されることにより、基板Ｗの被処理面が処理される。つまり、基板Ｗの被処理面を処理するための本吐出が行われる。例えば、吐出部２１からのリン酸溶液が、基板Ｗの被処理面の中心に連続的に供給されると、リン酸溶液が回転する基板Ｗの外周に向けて順次移動することにより、被処理面の炭酸水がリン酸溶液によって置換されつつ、窒化膜の一部がエッチングされて除去される。所定の処理時間が経過すると、図３（Ｅ）に示すように、処理液供給部２０は処理液Ｌの供給を停止する。

【0044】

その後、図１、図３（Ｆ）に示すように、揺動アーム３２を揺動させて容器３１を遮断位置に移動させてから、図２（Ｂ）に示すように、遮断位置を維持した状態で、揺動アーム２２及び揺動アーム３２が揺動することにより、図２（Ａ）に示すように、吐出部２１とともに容器３１を待機位置に移動させる。吐出部２１及び容器３１の移動中においても、吐出部２１に残留した処理液Ｌの落下が、容器３１によって防止される。

【0045】

エッチング処理が終了すると、回転体１１が、比較的高速な所定速度（例えば、２００～３００ｒｐｍ程度）にて回転し、洗浄液供給部が基板Ｗの被処理面に温純水を供給することにより、基板Ｗ上のリン酸溶液を温純水に置換する。その後、基板Ｗが回転を停止して、保持部１３による保持が解放された基板Ｗを、搬送ロボットがチャンバ１ａから搬出する。

【0046】

なお、処理液Ｌを吐出せずに経過した時間が長ければ長いほど、配管２４は温度が低下する。それに起因して、吐出時の処理液Ｌの温度も低下する。さらに、基板Ｗへ処理液Ｌを供給し終えて、吐出停止した場合にも、配管２４内で残留している処理液Ｌは、時間経過とともに温度低下する。このため、例えば、最初に基板Ｗを処理する際や、基板Ｗの処理が完了し、その次の基板Ｗが搬入されるまでの時間が所定時間以上経過した場合に、ダミー吐出を行うことが好ましい。

【0047】

また、所定時間以内に、次の基板Ｗが搬入されるか否かを判断して、そのタイミングでダミー吐出するか否かを判断してもよい。例えば、所定時間以内に、基板Ｗが搬入されないと判断されれば、次の基板Ｗを処理するときまで待って、ダミー吐出を行う。これにより、基板Ｗを処理する度にダミー吐出をする必要がなくなる。所定時間以内に、次の基板Ｗが搬入されるか否かは、作業者が判断してもよいし、制御部５０が、前工程の装置から基板Ｗが搬送されて来ることを通知する信号を受信せずに所定時間経過したか否かによって判断してもよい。また、制御部５０が、前工程の装置から送信された信号に基づいて、基板処理装置１に基板Ｗが搬送されて来る時間を算出し、これに基づいてダミー吐出するか否かを判断してもよい。

【0048】

［効果］
（１）本実施形態の基板処理装置１は、基板Ｗを保持して回転させる回転部１０と、回転部１０により回転する基板Ｗの被処理面に対して、吐出部２１から処理液Ｌを供給することにより基板Ｗを処理する処理液供給部２０と、上部が開口した容器３１を有し、吐出部２１からの処理液Ｌの供給を遮断する遮断位置と、吐出部２１からの処理液Ｌの供給を許容する許容位置との間で、吐出部２１に対して相対移動可能な受容部３０と、を有する。

【0049】

本実施形態の基板処理方法は、回転部１０により回転する基板Ｗの被処理面に対して、処理液供給部２０の吐出部２１から処理液Ｌを供給することにより基板Ｗを処理する基板処理方法において、上部が開口した容器３１を有する受容部３０が遮断位置に移動し、吐出部２１から処理液Ｌを吐出し、容器３１が吐出部２１から吐出される処理液Ｌの基板Ｗへの供給を遮断し、流量調整部であるＭＦＣ２５及び温度調整部であるヒータ２６が、吐出部２１から吐出される処理液Ｌの流量及び温度を調整し、容器３１が許容位置に相対移動することにより、吐出部２１から基板Ｗの被処理面に処理液Ｌを供給する。

【0050】

このため、製品となる基板Ｗの上方でダミー吐出を行った後、短時間で本吐出へ移行することができるので、調整後の処理液Ｌの流量及び温度を維持しやすい。このため、処理レートの低下を抑制しつつ、ダミー基板を用いて、処理液Ｌの流量及び温度を調整する必要が無いため、ダミー基板を搬入、搬出する時間を不要として、スループットを向上させることができる。また、容器３１と吐出部２１は、基板Ｗの上方で相対移動することによりダミー吐出から本吐出へと切り替えるので、移動距離が短く、切り替えを短時間で行うことができる。

【0051】

また、吐出部２１からの吐出終了後、短時間で、受容部３０を許容位置から遮断位置へ移動させることが可能なため、吐出終了後のノズルから垂れ落ちる処理液Ｌを受けることができ、基板Ｗへ処理液Ｌが落下することを防止できる。

【0052】

（２）吐出部２１は、基板Ｗの被処理面上に処理液Ｌを吐出する吐出位置と、基板Ｗの被処理面の上方から外れる待機位置との間を移動可能に設けられ、受容部３０は、遮断位置を維持した状態で、吐出位置から待機位置へ移動可能に設けられている。このため、基板Ｗへ処理液Ｌを供給した後に、吐出部２１から処理液Ｌが落下して基板Ｗに付着することが防止されるので、基板Ｗの被処理面の処理の均一性が維持される。

【0053】

（３）受容部３０は、遮断位置を維持した状態で吐出部２１とともに吐出位置へ移動可能に設けられている。このため、吐出位置へ移動する際にも、吐出部２１から処理液Ｌの基板Ｗの被処理面への落下が防止され、処理前の基板Ｗが部分的に処理されることによる品質の低下を防止できる。

【0054】

（４）容器３１が遮断位置から許容位置へ相対移動する場合に、吐出部２１の下方を通過する容器３１の外側面が、遮断位置側が下方になるように傾斜した傾斜面３１ａである。このため、図４（Ａ）に示すように、吐出部２１から容器３１の上縁に処理液Ｌが滴下した場合であっても、図４（Ｂ）に示す鉛直方向の面である場合に比べて付着量を低減できるので、容器３１の側面が汚れることを低減でき、処理液Ｌが流れ落ち難くなる。また、図４（Ｃ）に示すように、容器３１の外側面の一部が傾斜面３１ａであってもよい。

【0055】

［第２の実施形態］
［構成］
本発明の第２の実施形態を、図５及び図６を参照して説明する。なお、本実施形態の構成は、基本的には上記の第１の実施形態と同様であり、同一の部材は同一の符号を付して説明は省略する。但し、本実施形態の基板処理装置６は、基板Ｗの被処理面を洗浄後に、揮発性の処理液Ｌを供給して乾燥させる乾燥装置であり、処理液Ｌの供給側に遮蔽部４０が設けられている。遮蔽部４０は、回転部１０に接離する方向に移動可能に設けられ、基板Ｗに非接触で対向する。

【0056】

遮蔽部４０は、遮蔽板４１、基体部４２を有する。遮蔽板４１は、基板Ｗよりも大きな径を有する円盤形状の部材である。遮蔽板４１の中心には、開口４１ａが設けられている。基体部４２は、円柱形状の部材であり、図示しない昇降機構によって、上下動可能に設けられている。基体部４２の底部に、遮蔽板４１が同軸に設けられている。

【0057】

基体部４２には、ガスＧが流通するガス流路４２ａが設けられている。ガス流路４２ａの一端は、基体部４２の側面に達し、図示しないガス供給源に接続された配管４３に接続されている。ガスＧは、基板Ｗの表面の空気をパージすることにより、基板Ｗの表面の水と空気中の酸素が結びついてウォーターマークが生じることを防ぐために用いられる。本実施形態のガスＧとしては、例えば、Ｎ_２などの希ガスを用いる。ガス流路４２ａの他端は径が拡張されて、遮蔽板４１の開口４１ａに達して給気部４２ｂとなっている。これにより、ガス供給源からのガスＧは、ガス流路４２ａを介して、遮蔽板４１の中央から基板Ｗの被処理面に供給可能に設けられている。

【0058】

また、基体部４２には、処理液Ｌが流通する処理液供給部４４が設けられている。処理液供給部４４は、基体部４２の上部に達し、図示しない処理液Ｌの液供給源の配管４５に接続されている。なお、処理液Ｌの流量、温度は、ＭＦＣ２５、ヒータ２６によって調整されることは、上記の第１の実施形態と同様である。

【0059】

本実施形態の処理液供給部４４を流れる処理液Ｌとしては、例えば、ＩＰＡ（isopropyl alcohol）などの揮発性溶剤を用いる。ＩＰＡは表面張力が小さいため、蒸発する際に、表面張力による基板Ｗのパターン倒壊が生じにくい。処理液供給部４４の他端は、ガス流路４２ａに気密に貫通して、遮蔽板４１の開口４１ａに達して、ノズルである吐出部４４ａとなっている。これにより、液供給源からの処理液Ｌは、処理液供給部４４を介して、遮蔽板４１の中央の吐出部４４ａから、基板Ｗの被処理面に供給可能に設けられている。

【0060】

なお、図示はしないが、基板処理装置６には、洗浄液としての温純水（ＤＩＷ）を供給するための洗浄液供給ノズル、塩酸－過酸化水素水混合液（ＨＰＭ：Hydrochloric acid-hydrogen peroxide mixture）を供給するための処理液供給ノズル、アンモニア－過酸化水素水混合液（ＡＰＭ）を供給するための処理液供給ノズルが、揺動機構によって、基板Ｗの回転中心に移動可能に設けられている。

【0061】

［動作］
以上のような本実施形態の基板処理装置６の動作を、図５及び図６を参照して説明する。なお、以下のような手順により基板Ｗを処理する基板処理方法も、本実施形態の一態様である。

【0062】

まず、処理対象となる基板Ｗは、搬送ロボットによって、回転体１１上に搬入され、保持部１３によって保持される。そして、回転体１１を、比較的高速な所定速度（例えば、２００～３００ｒｐｍ程度）にて回転させながら、回転する基板Ｗの被処理面に、ガス流路４２ａを介して、遮蔽板４１の中央から基板Ｗの被処理面にガスＧとしてのＮ_２ガスを供給するとともに、洗浄液供給ノズル、処理液供給ノズルから、ＤＩＷ、ＨＰＭ、ＤＩＷ、ＡＰＭ、ＤＩＷの順でこれらの液を供給する。これにより、基板Ｗの被処理面が洗浄されて、ＤＩＷで液盛りされる。

【0063】

次に、図５（Ａ）に示すように、容器３１が基板Ｗの被処理面の上方及び遮蔽板４１の下方から外れた待機位置にある状態から、揺動アーム３２が揺動することにより、図５（Ｂ）に示すように、遮断位置に移動する。遮断位置は、容器３１が吐出部４４ａの下方（直下）に位置し、処理液Ｌを受ける位置である。これにより、容器３１は、基板Ｗの回転中心に対応する位置の直上に移動する。なお、本実施形態において、待機位置は、容器３１が吐出部４４ａの下方（直下）から外れ、処理液Ｌを受けることができない許容位置でもある。

【0064】

そして、タンクＴからの処理液Ｌの供給が開始されると、図６（Ａ）に示すように、吐出部４４ａの吐出口から容器３１内に処理液Ｌが継続的に吐出される。つまり、吐出部４４ａから吐出される処理液Ｌが、容器３１によって基板Ｗへ落下することが防止された状態でダミー吐出が行われる。このように吐出部４４ａから処理液Ｌを吐出しながら、ＭＦＣ２５によって流量が調整されるとともに、ヒータ２６によって温度が調整される。例えば、ＩＰＡの場合、５０℃程度の温度に調整される。容器３１内に吐出された処理液Ｌは、回収口３１ｂ及び回収経路３４を介して回収される。

【0065】

処理液Ｌが所望の流量、温度となった場合には、吐出部４４ａからの処理液Ｌの吐出を停止する。そして、図５（Ａ）に示すように、容器３１が待機位置に移動する。次に、図６（Ｂ）に示すように、遮蔽部４０を下降させることにより、遮蔽板４１が基板Ｗの被処理面に対して、数ｍｍ程度の距離まで接近して停止する。ガス流路４２ａには、Ｎ_２ガスが供給されているので、給気部４２ｂから噴き出すＮ_２ガスが、基板Ｗの被処理面と遮蔽板４１の間の狭い領域に流れて、酸素を含む空気をパージする。

【0066】

これとともに、再度、吐出部４４ａからの処理液Ｌの吐出を開始し、基板Ｗへ処理液Ｌを供給する。この間の吐出停止時間は、上記の実施形態と同様である。本実施形態では、容器３１が遮蔽板４１の下方から外れる待機位置まで移動して、遮蔽板４１を下降させる動作を必要とするが、この場合であっても、供給停止時間を５秒以内に収めることが可能である。このように吐出部４４ａから吐出された処理液Ｌは、所望の流量及び温度によって、基板Ｗに供給されることにより、温純水が処理液Ｌによって置換される。つまり、基板Ｗの被処理面を処理するための本吐出が行われる。

【0067】

例えば、吐出部４４ａからのＩＰＡが、基板Ｗの被処理面の中心に連続的に供給されると、ＩＰＡが回転する基板Ｗの外周に向けて順次移動することにより、被処理面上の温純水がＩＰＡによって置換される。所定の処理時間が経過すると、処理液供給部２０は、処理液Ｌの供給を停止する。回転する基板Ｗ上のＩＰＡは蒸発して消失するので、基板Ｗの被処理面が乾燥する。

【0068】

基板Ｗの被処理面が乾燥すると、遮蔽部４０が上昇して、ガスＧの供給を停止するとともに、基板Ｗが回転を停止する。その後、搬送ロボットが、保持部１３による保持が解放された基板Ｗを、チャンバ１ａから搬出する。

【0069】

［効果］
本実施形態の基板処理装置６は、回転部１０に接離する方向に移動可能に設けられ、基板Ｗに非接触で対向する遮蔽部４０を有し、遮蔽部４０には、基板Ｗの被処理面に対して処理液Ｌを吐出する吐出部４４ａと、遮蔽部４０の基板Ｗに対向する面と基板Ｗとの間に気体を供給する給気部４２ｂと、が設けられている。さらに、本実施形態の基板処理装置６には、上部が開口した容器３１を有し、吐出部４４ａからの処理液Ｌの供給を遮断する遮断位置と、吐出部４４ａからの処理液Ｌの供給を許容する許容位置との間で、吐出部２１に対して相対移動可能な受容部３０も設けられている。

【0070】

このように、遮蔽部４０を有する基板処理装置６の場合、吐出部４４ａは上下に移動するが、揺動できる構成にはなっていない。このため、従来は、ダミー吐出を行うには、ダミー基板を用いて行う必要があるため、ダミー基板を搬入搬出する工程が必要となるとともに、処理液Ｌの流量、温度を調整した後に、ダミー基板の搬出、製品基板の搬入を行ってから、本吐出を行う必要があり、本吐出を行うまでに時間がかかるので、調整した流量、温度が変化してしまうことがあった。また、遮蔽部４０を水平移動可能に構成し、遮蔽部４０を含む処理液Ｌを吐出する吐出部４４ａが待機位置にある状態で、待機位置に設けられたダミーディスペンス用のポットに対して、予め処理液Ｌを供給しながら流量及び温度を調整することも考えられる。しかし、遮蔽部４０を水平移動させて待機位置に退避させたときに必要となるスペースが過大で、チャンバ１ａ自体が大きくなり、基板処理装置６が大型化してしまう。

【0071】

本実施形態では、吐出部４４ａの吐出位置においてダミー吐出を行うことができるので、ダミー基板の搬入搬出工程が不要となるとともに、処理液Ｌの流量、温度を調整した直後に、本吐出を行うことができる。つまり、容器３１が退避して遮蔽板４１が下りるまでの時間は、ダミー基板から処理基板へ切替えるための所要時間に比べて、直後と言える程度に短い時間である。このため、スループットを向上させることができるとともに、流量、温度の変化を抑制して、処理レートの低下を抑制できる。

【0072】

［変形例］
上記の実施形態は、以下のような変形例も構成可能である。
（１）第２の実施形態の遮蔽部４０と吐出部４４ａとは、別体としてもよい。つまり、遮蔽部４０とは別に、第１の実施形態のような吐出部２１が設けられていてもよい。これにより、吐出部２１と容器３１とが、遮断位置を維持した状態で待機位置へ移動することができ、処理液Ｌの基板Ｗへの落下を防止できる。

【0073】

（２）吐出位置にある吐出部２１、４４ａから、遮断位置にある容器３１に対してダミー吐出をしながら、容器３１を許容位置に移動させることにより、本吐出に移行することもできる。この場合、ダミー吐出後に吐出を一時停止して、本吐出時に再度吐出することなく、所望の流量及び温度となった処理液Ｌを、連続して吐出し続ける。このため、流量及び温度の変化をより一層抑えることができる。なお、以下に述べる変形例も、ダミー吐出のための吐出を停止してから本吐出を開始する場合にも、吐出を継続して行いながら、ダミー吐出から本吐出へと切り替える場合にも有効である。

【0074】

（３）図７及び図８に示すように、容器３１が遮断位置から許容位置へ相対移動する場合に、吐出部２１の下方を通過する容器３１の外側面に、外側面を流れる処理液Ｌの被処理面への落下を遮断する副受容部３５を設けてもよい。副受容部３５は、容器３１の外側面の一部を覆うように、ポケット状に形成されている。容器３１の上縁は、副受容部３５の上縁よりも許容位置側にある。つまり、図８（Ａ）に示すように、容器３１の水平方向の最外縁の端部αよりも、副受容部３５の水平方向の最外縁の端部βが内側にある。副受容部３５の下部には、処理液Ｌの排出流路３６が設けられ、容器３１の回収経路３４に合流している。

【0075】

これにより、容器３１が許容位置に移動する際に、図８（Ｂ）に示すように、吐出部２１から落下した処理液Ｌが、容器３１の開口の上縁に付着して外側面を流れても、図８（Ｃ）に示すように副受容部３５に入るので、基板Ｗの被処理面への落下が防止される。つまり、容器３１の最外縁の端部αに処理液Ｌが流れ落ちて、容器３１の側面を伝ったとしても、基板Ｗには落下しない。このため、被処理面に処理液Ｌが落下した部分で反応が進んでしまい、品質が劣化することが防止される。なお、このような変形例は、上記の第１の実施形態のみならず、第２の実施形態にも適用可能である。つまり、上記の吐出部４４ａの下方に位置付けられる容器３１に、副受容部３５が設けられていてもよい。

【0076】

（４）図９（Ａ）に示すように、容器３１に、吐出部２１が対向する貫通孔３１ｄが設けられていてもよい。貫通孔３１ｄは容器３１の側面（傾斜面３１ａ）の一部に設けられている。また、貫通孔３１ｄの径は、吐出部２１の外径よりも大きい。このため、吐出部２１が容器３１の上にあっても、図９（Ｃ）に示すように、容器３１内の貫通孔３１ｄに対向する位置にある場合には、吐出部２１からの処理液Ｌが基板Ｗに落下する許容位置となる。そして、図９（Ｂ）に示すように、容器３１の上にある吐出部２１が、貫通孔３１ｄから外れた位置にある場合には、基板Ｗへの処理液Ｌの落下が遮断される遮断位置となる。

【0077】

これにより、図９（Ｂ）に示すように、容器３１が遮断位置にある場合には、吐出部２１の吐出位置の高さを、容器３１の上縁よりも低くしておき、許容位置とする場合には、吐出部２１を水平方向の短い距離を移動させればよい。このため、遮断位置にある場合に、吐出部２１から吐出した処理液Ｌが容器３１から撥ねて、基板Ｗに落下することが抑制される。なお、許容位置にある吐出部２１は、貫通孔３１ｄに挿通されてもよいし、貫通孔３１ｄの上方で対向してもよい。

【0078】

（５）図１０（Ａ）に示すように、容器３１が遮断位置と許容位置との間で移動する場合に、吐出部２１の下方を通過する容器３１の上縁に、吐出部２１が通過する溝３１ｅ（図中、黒く塗り潰した部分）が設けられていてもよい。これにより、図１０（Ｂ）に示すように、容器３１が遮断位置にある場合には、吐出部２１の吐出位置の高さを容器３１の上縁よりも低くしておき、図１０（Ｃ）に示すように、許容位置とする場合には、吐出部２１に溝３１ｅを通過させることができる。このため、遮断位置にある場合に、吐出部２１から吐出した処理液Ｌが容器３１から撥ねて、基板Ｗに落下することが抑制される。

【0079】

（６）容器３１及び吐出部２１が遮断位置及び許容位置との間で変位する場合には、両者が相対移動すればよい。つまり、容器３１が移動してもよいし、吐出部２１が移動してもよいし、容器３１及び吐出部２１の双方が移動してもよい。

【0080】

（７）遮断位置でダミー吐出する場合には、吐出部２１の吐出位置は、基板Ｗの中心の上方でなくてもよい。

【0081】

（８）容器３１の形状は、逆円錐形状には限定されない。処理液Ｌを遮断する効果がある形状であればよい。例えば、上記の図４（Ｂ）、図４（Ｃ）で例示した形状も、処理液Ｌを遮断することができる実施形態の変形例である。

【0082】

（９）ＤＩＷ等の上記で例示した各種の処理液の供給ノズルに対しても、上記の受容部３０を用いることによって、ダミー吐出と本吐出とを短時間で切り替えることができる。また、下面に対して液を供給する機構を設けてもよい。例えば、上面から流れ落ちるエッチング液から保護するための、ＤＩＷ等を下面に対して供給するための吐出部を設けても良い。

【0083】

（１０）本実施形態の処理対象となる基板Ｗは、半導体ウェーハには限定されず、各種ディスプレイ用の基板等、種々の対象に適用可能である。処理液の種類も、上記で例示したものには限定されず、処理対象、処理内容に応じて適宜変更可能である。

【0084】

［他の実施形態］
以上、本発明の実施形態及び各部の変形例を説明したが、この実施形態や各部の変形例は、一例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。前述したこれら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明に含まれる。

【符号の説明】

【0085】

１、６ 基板処理装置
１ａ チャンバ
１ｂ カバー
１０ 回転部
１１ 回転体
１１ａ 対向面
１２ 駆動源
１３ 保持部
２０ 処理液供給部
２１ 吐出部
２２ 揺動アーム
２３ 揺動機構
２４ 配管
２６ ヒータ
３０ 受容部
３１ 容器
３１ａ 傾斜面
３１ｂ 回収口
３１ｄ 貫通孔
３１ｅ 溝
３２ 揺動アーム
３３ 揺動機構
３４ 回収経路
３５ 副受容部
３６ 排出流路
４０ 遮蔽部
４１ 遮蔽板
４１ａ 開口
４２ 基体部
４２ａ ガス流路
４２ｂ 給気部
４３ 配管
４４ 処理液供給部
４４ａ 吐出部
４５ 配管
５０ 制御部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】