特許 7512320 電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-06-28

(45)【発行日】2024-07-08

(54)【発明の名称】電子機器

(51)【国際特許分類】

   H05K 9/00 20060101AFI20240701BHJP

【ＦＩ】

H05K9/00 R

【請求項の数】 16

(21)【出願番号】P 2022065380

(22)【出願日】2022-04-11

(65)【公開番号】P2023155812

(43)【公開日】2023-10-23

【審査請求日】2023-04-14

(73)【特許権者】

【識別番号】310021766

【氏名又は名称】株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント

(74)【代理人】

【識別番号】110000154

【氏名又は名称】弁理士法人はるか国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】土田 真也

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 勝志

(72)【発明者】

【氏名】菅原 信之

(72)【発明者】

【氏名】野澤 鉄文

【審査官】石坂 博明

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１１－１９８８６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－１５０５１７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－１１７４２１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－１４５０４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２６７９２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２３８８１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２２／０５９２６３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２１／０１８５８６４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の面と第２の面とを有している回路基板と、
前記第１の面を覆い、前記回路基板のシールドとして機能する第１部材と、
前記第２の面側に配置されている第２部材と
を有し、
前記第１部材は、前記第１の面に実装されている電子部品を取り囲んでいる第１包囲領域を有し、前記第１包囲領域は、その少なくとも一部に、前記回路基板の外縁の外側に位置している第１外側領域を有し、
前記第２部材は、前記回路基板の外縁の外側に位置している第２外側領域を有し、
前記第１外側領域と前記第２外側領域のうち一方は、前記第１外側領域と前記第２外側領域のうちの他方に固定されている少なくとも１つの外側固定部と、前記少なくとも１つの外側固定部から前記回路基板の外縁に沿った方向に離れている少なくとも１つの凸部とを有し、前記第１部材と前記第２部材は前記少なくとも１つの外側固定部と前記少なくとも１つの凸部により互いに接触している
電子機器。

【請求項2】

前記第２部材は、前記第２の面を覆い、前記回路基板のシールドとして機能する部材であり、前記第２の面に実装されている電子部品を取り囲んでいる第２包囲領域を有し、
前記第２包囲領域は、その少なくとも一部に、前記第２外側領域を有している
請求項１に記載される電子機器。

【請求項3】

前記第１包囲領域は、前記回路基板の前記第１の面に形成されているグラウンドパターンと接している第１内側領域を有している
請求項１に記載される電子機器。

【請求項4】

前記第１内側領域は、前記回路基板に固定されている少なくとも１つの内側固定部と、前記少なくとも１つの内側固定部から前記第１包囲領域の延伸方向に離れており、前記グラウンドパターンに接している少なくとも１つの内側接触部とを有している
請求項３に記載される電子機器。

【請求項5】

前記少なくとも１つの外側固定部と前記少なくとも１つの凸部は、前記第１部材と前記第２部材との接点であり、
前記少なくとも１つの内側固定部と前記少なくとも１つの内側接触部は、前記第１部材と前記グラウンドパターンとの接点であり、
前記回路基板の前記外縁を挟んで隣り合う２つの前記接点の距離は、前記第１部材が遮蔽するノイズの波長の３分の１未満である
請求項４に記載される電子機器。

【請求項6】

前記少なくとも１つの外側固定部と前記少なくとも１つの凸部は、前記第１部材と前記第２部材との接点であり、
前記少なくとも１つの内側固定部と前記少なくとも１つの内側接触部は、前記第１部材と前記グラウンドパターンとの接点であり、
前記回路基板の前記外縁を挟んで隣り合う２つの前記接点の距離は、２０ｍｍ以下である
請求項４に記載される電子機器。

【請求項7】

前記少なくとも１つの凸部は、板金加工により形成されている
請求項１に記載される電子機器。

【請求項8】

前記第１外側領域と前記第２外側領域のうち一方は、前記回路基板の外縁に沿った方向に離れている複数の凸部を有し、
前記複数の凸部のうちの隣り合う２つの凸部の間に前記少なくとも１つの外側固定部が形成されている
請求項１に記載される電子機器。

【請求項9】

前記第１外側領域と前記第２外側領域のうち一方は、前記第１外側領域と前記第２外側領域のうちの他方に固定されている複数の外側固定部を有し、
前記複数の外側固定部のうちの隣り合う２つの外側固定部の間に前記少なくとも１つの凸部が形成されている
請求項１に記載される電子機器。

【請求項10】

前記第１外側領域と前記第２外側領域のうち一方は、前記回路基板の外縁に沿った方向に離れている複数の凸部を有し、
前記２つの外側固定部の間に、前記複数の凸部のうちの２つ以下の凸部が形成されている
請求項９に記載される電子機器。

【請求項11】

前記少なくとも１つの外側固定部と前記少なくとも１つの凸部との間の距離は、前記第１部材又は前記第２部材が遮蔽するノイズの波長の３分の１未満である
請求項１に記載される電子機器。

【請求項12】

前記少なくとも１つの外側固定部と前記少なくとも１つの凸部との間の距離は、２０ｍｍ以下である
請求項１に記載される電子機器。

【請求項13】

前記第１外側領域と前記第２外側領域のうち一方は、前記第１外側領域と前記第２外側領域のうちの他方に固定されている複数の外側固定部と、前記回路基板の外縁に沿った方向に離れている複数の凸部とを有し、
前記複数の外側固定部のうちの隣り合う２つの外側固定部の間に、前記複数の凸部のうちの２つ以下の凸部が形成され、
前記第１内側領域は、前記少なくとも１つの内側固定部として複数の内側固定部を含み、隣り合う２つの内側固定部の間に、前記少なくとも１つの内側接触部として、２つ以下の内側接触部が形成され、
前記複数の外側固定部と前記２つ以下の凸部は、前記第１部材と前記第２部材との接点であり、
前記複数の内側固定部と前記２つ以下の内側接触部は、前記第１部材と前記グラウンドパターンとの接点であり、
隣り合う２つの前記接点の距離はいずれも前記第１部材又は前記第２部材が遮蔽するノイズの波長の３分の１未満である
請求項４に記載される電子機器。

【請求項14】

前記第１外側領域と前記第２外側領域のうち一方は、前記第１外側領域と前記第２外側領域のうちの他方に固定されている複数の外側固定部と、前記回路基板の外縁に沿った方向に離れている複数の凸部とを有し、
前記複数の外側固定部のうちの隣り合う２つの外側固定部の間に、前記複数の凸部のうちの２つ以下の凸部が形成され、
前記第１内側領域は、前記少なくとも１つの内側固定部として複数の内側固定部を含み、隣り合う２つの内側固定部の間に、前記少なくとも１つの内側接触部として、２つ以下の内側接触部が形成され、
前記複数の外側固定部と前記２つ以下の凸部は、前記第１部材と前記第２部材との接点であり、
前記複数の内側固定部と前記２つ以下の内側接触部は、前記第１部材と前記グラウンドパターンとの接点であり、
隣り合う２つの前記接点の距離はいずれも２０ｍｍ以下である
請求項４に記載される電子機器。

【請求項15】

前記第１包囲領域は、前記回路基板の前記第１の面に形成されているグラウンドパターンと接している第１内側領域を有し、
前記第２包囲領域は、前記回路基板の前記第２の面に形成されている第２グラウンドパターンと接している第２内側領域を有している
請求項２に記載される電子機器。

【請求項16】

前記第１内側領域は、固定具によって前記回路基板に固定されている少なくとも１つの第１内側固定部と、前記少なくとも１つの第１内側固定部から第１包囲領域の延伸方向に離れており、前記グラウンドパターンに凸部を介して接している少なくとも１つの第１接触部とを有し、
前記第２内側領域は、前記固定具によって前記回路基板に固定されている少なくとも１つの第２内側固定部と、前記少なくとも１つの第２内側固定部から第２包囲領域の延伸方向に離れており、前記第２グラウンドパターンに凸部を介して接している少なくとも１つの第２接触部とを有している
請求項１５に記載される電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、電子機器において、回路基板に実装されるチップやデータの伝送線路から出るノイズを遮蔽するノイズ対策（ＥＭＩ対策）が行われている。下記特許文献１に記載される電子機器では、回路基板の外周部に設けられているグラウンドパターンに、回路基板を覆う基板シールドの縁が接することにより、回路基板シールドの外にノイズが漏れることを抑制している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１８－１４８０２６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記特許文献１の構造では、回路基板の外周部の全周に亘ってグラウンドパターンが必要であるため、グラウンドパターンの領域の分だけ電子部品の実装領域が狭められる。

【0005】

本開示の目的は、回路基板におけるグラウンドパターンの領域を狭めることができる電子機器を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示に係る電子機器は、第１の面と第２の面とを有している回路基板と、前記第１の面を覆い、前記回路基板のシールドとして機能する第１部材と、前記第２の面側に配置されている第２部材とを有し、前記第１部材は、前記第１の面に実装されている電子部品を取り囲んでいる第１包囲領域を有し、前記第１包囲領域は、その少なくとも一部に、前記回路基板の外縁の外側に位置している第１外側領域を有し、前記第２部材は、前記回路基板の外縁の外側に位置している第２外側領域を有し、前記第１外側領域と前記第２外側領域のうち一方は、前記第１外側領域と前記第２外側領域のうちの他方に固定されている少なくとも１つの外側固定部 と、前記少なくとも１つの外側固定部から前記回路基板の外縁に沿った方向に離れている少なくとも１つの凸部とを有し、前記第１部材と前記第２部材は前記少なくとも１つの外側固定部と前記少なくとも１つの凸部により互いに接触している。これによれば、回路基板におけるグラウンドパターンの領域の広さを抑制できるようになる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1A】本開示の実施形態の一例である電子機器の内部に設けられる回路基板ユニットの平面図である。

【図1B】回路基板ユニットの底面図である。

【図2A】回路基板ユニットの分解斜視図である。

【図2B】回路基板ユニットの分解斜視図である。

【図2C】図１ＡのＩＩＣ－ＩＩＣ線における断面図である。

【図2D】図１ＡのＩＩＤ－ＩＩＤ線における断面図である。

【図3A】回路基板ユニットから上側基板シールドを取り外した状態を示す平面図である。

【図3B】回路基板ユニットから下側基板シールドを取り外した状態を示す底面図である。

【図4】図１ＡのＩＶ－ＩＶ線における断面図である。

【図5】図１ＡのＶ－Ｖ線における断面図である。

【図6】外側接触領域における上側基板シールドと下側基板シールドとの断面を示す模式図である。

【図7】図３Ａの部分拡大図であり、回路基板の上側グラウンドパターンと、下側基板シールドの外側接触領域とを示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［１．回路基板ユニットの概要］
図１Ａは、本開示の実施形態の一例である電子機器の内部に設けられる回路基板ユニット１０の表側を示す平面図である。図１Ｂは、回路基板ユニット１０の裏側を示す底面図である。図２Ａ及び図２Ｂは、回路基板ユニット１０の構成要素を示す分解斜視図である。各図に示すように、回路基板ユニット１０は、回路基板２０と、第１回路基板シールド３０（第１部材）と、第２回路基板シールド４０（第２部材）とを有している。回路基板２０は、第１の面２０Ｕ（図２Ａを参照）と第２の面２０Ｄ（図２Ｂを参照）とを有している。第１回路基板シールド３０は、回路基板２０の第１の面２０Ｕを覆っている。第２回路基板シールド４０は、回路基板２０の第２の面２０Ｄを覆っている。図１Ａに示すように、回路基板ユニット１０には、ヒートパイプ１１とヒートシンク１２が取り付けられている。

【0009】

以下の説明では、図２などに示すＺ軸のＺ１方向及びＺ２方向を、それぞれ上方及び下方と称する。そして、回路基板２０の第１の面２０Ｕを上面２０Ｕと称し、回路基板２０の第２の面２０Ｄを下面２０Ｄと称する。第１回路基板シールド３０を上側基板シールド３０と称し、第２回路基板シールド４０を下側基板シールド４０と称する。また、以下の説明では、回路基板２０が、図２などに示すＸ軸に沿った外縁２０Ｆ，２０Ｂと、Ｙ軸に沿った外縁２０Ｌ，２０Ｒを有する例を説明する。図２などに示すＸ軸のＸ１方向及びＸ２方向を、それぞれ左方向及び右方向と称し、Ｙ軸のＹ１方向及びＹ２方向を、それぞれ前方及び後方と称する。回路基板２０の前側の外縁２０Ｆ、後側の外縁２０Ｄ、左側の外縁２０Ｌ、右側の外縁２０Ｒを、それぞれ、前縁２０Ｆ，後縁２０Ｄ，左縁２０Ｌ，右縁２０Ｒと称することもある。ただし、これらの方向及び配置位置は、回路基板ユニット１０の部品、部材、及び部分などの要素の形状や相対的な位置関係を説明するため規定されるものであり、電子機器における回路基板ユニット１０の姿勢を限定するものではない。

【0010】

［２．回路基板ユニットの内部構造］
図２Ａに示すように、回路基板２０の上面２０Ｕには、集積回路チップ２１ａ，２１ｂやトランジスタ２１ｃなどの複数の電子部品が実装されている。また、図２Ｂに示すように、回路基板２０の下面２０Ｄにも、集積回路チップ２１ｄ，２１ｅなどの複数の電子部品が実装されている。なお、図２Ｂに示す例において、集積回路チップ２１ｄの下面は、熱伝導部材により覆われている。

【0011】

上側基板シールド３０及び下側基板シールド４０は、回路基板２０上で発生する電磁波などのノイズが回路基板ユニット１０の外部に漏れることを抑制するためのものである。上側基板シールド３０及び下側シールド部材４０は、鉄やアルミニウムなどの導電性の金属板に絞り加工などの板金加工を施すことで製造される。上側基板シールド３０は、複数の螺子５１，５２によって、下側基板シールド４０に固定されている。回路基板２０は、複数の螺子５１によって、上側基板シールド３０及び下側基板シールド４０に固定されている。なお、回路基板２０及び基板シールド３０，４０は、螺子５１，５２に限らず、リベットなどにより固定されてもよい。

【0012】

図２Ｃは、図１ＡのＩＩＣ－ＩＩＣ線における断面図である。図２Ｄは、図１ＡのＩＩＤ－ＩＩＤ線における断面図である。図２Ｃ及び図２Ｄに示すように、回路基板２０の上側には、回路基板と上側基板シールド３０とによって閉じられた空間であるシールド空間Ｓ１が形成されている。また、回路基板２０の下側には、回路基板２０と下側基板シールド４０とによって閉じられた空間であるシールド空間Ｓ２が形成されている。

【0013】

図３Ａは、図１Ａに示した回路基板ユニット１０から上側基板シールド３０を取り外した状態を示す平面図である。図３Ｂは、図１Ｂに示した回路基板ユニット１０から下側基板シールド４０を取り外した状態を示す底面図である。図３Ａ及び図３Ｂにおいてそれぞれハッチングが施された箇所には、電子回路の基準電位となるグラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄがそれぞれ形成されている。

【0014】

図３Ａに示すように、回路基板２０の上面２０Ｕに形成されている上側グラウンドパターン２２Ｕ（第１グラウンドパターン）は、この上面２０Ｕにおいて、集積回路チップ２１ａ，２１ｂやトランジスタ２１ｃなどの複数の電子部品が実装されている上側実装領域Ｒ１を取り囲んでいる。グラウンドパターン２２Ｕは、所定の幅を持った線状であり、実装領域Ｒ１を連続的に取り囲んでいる。グラウンドパターン２２Ｕの少なくとも一部分は、回路基板２０の縁に沿って形成されている。また、図３Ｂに示すように、回路基板２０の下面２０Ｄに形成されている下側グラウンドパターン２２Ｄ（第２グラウンドパターン）は、この下面２０Ｄにおいて、集積回路チップ２１ｅ，２１ｆなどの複数の電子部品が実装されている下側実装領域Ｒ２を取り囲んでいる。

【0015】

図１Ａ及び図２Ａに示すように、上側基板シールド３０は、回路基板２０の上面２０Ｕに実装されている集積回路チップ２１ａ，２１ｂやトランジスタ２１ｃなどの複数の電子部品（図２Ａを参照）を取り囲んでいる上側包囲領域３１（第１包囲領域）（図１Ａを参照）を有している。これと同様に、図１Ｂ及び図２Ｂに示すように、下側基板シールド４０は、回路基板２０の下面２０Ｄに実装されている集積回路チップ２１ｄ，２１ｅなどの複数の電子部品（図２Ｂを参照）を取り囲んでいる下側包囲領域４１（第２包囲領域）（図１Ｂを参照）を有している。回路基板ユニット１０の平面視において、上側基板シールド３０の上側包囲領域３１は、回路基板２０に重畳している部分と、下側基板シールド４０に重畳している部分を有している。また、下側基板シールド４０下側包囲領域４１は、回路基板２０に重畳している部分と、上側基板シールド３０に重畳している部分とを有している。上側包囲領域３１の少なくとも一部分は、下側包囲領域４１と重畳している。

【0016】

図１Ａに示すように、上側基板シールド３０の上側包囲領域３１は、回路基板２０の外縁の内側に位置している内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂ（第１内側接触領域）と、回路基板２０の外縁の外側に位置している外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒ（第１外側接触領域）を有している。これと同様に、図１Ｂに示すように、下側基板シールド４０の下側包囲領域４１は、回路基板２０の外縁の内側に位置している内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂ（第２内側接触領域）と、回路基板２０の外縁の外側に位置している外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒ（第２外側接触領域）を有している。

【0017】

図１Ａ及び図２Ａに示すように、上側基板シールド３０の上側包囲領域３１において、内側接触領域３２Ｆは、回路基板２０の前縁２０Ｆに沿って形成されており、内側接触領域３２Ｂは、回路基板２０の後縁２０Ｂに沿って形成されている。また、上側基板シールド３０の上側包囲領域３１において、外側接触領域３３Ｌは、回路基板２０の左縁２０Ｌに沿って形成されており、外側接触領域３３Ｒは、回路基板２０の右縁２０Ｒに沿って形成されている。内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂは、外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒと接している。そして、内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂ及び外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒは、回路基板２０の上面２０Ｕにおいてノイズの発生源となる複数の電子部品が実装されている上側実装領域Ｒ１（図３Ａを参照）の全周を囲っている。内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂ及び外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒは、上側実装領域Ｒ１の縁の位置から外側に向かって所定の幅を有するように形成されており、且つ、上側実装領域Ｒ１の全周を囲うように連続的に形成されている。

【0018】

また、図１Ｂ及び図２Ｂに示すように、下側基板シールド４０の下側包囲領域４１において、内側接触領域４２Ｆは、回路基板２０の前縁２０Ｆに沿って形成され、内側接触領域４２Ｂは、回路基板２０の後縁２０Ｂに沿って形成され、外側接触領域４３Ｌは、回路基板２０の左縁２０Ｌに沿って形成され、外側接触領域４３Ｒは、回路基板２０の右縁２０Ｒに沿って形成されている。内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂは、外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒと接している。内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂ及び外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒは、回路基板２０の下面２０Ｄにおいてノイズの発生源となる複数の電子部品が実装されている下側実装領域Ｒ２（図３Ｂを参照）の全周を囲っている。内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂ及び外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒは、下側実装領域Ｒ２の縁の位置から外側に向かって所定の幅を有するように形成されており、且つ、下側実装領域Ｒ２の全周を囲うように連続的に形成されている。

【0019】

［３．回路基板の内側におけるノイズの遮断構造］
図４は、図１ＡのＩＶ－ＩＶ線における断面図である。上側基板シールド３０の内側接触領域３２Ｆ（図１Ａを参照）は、図４に示すように、回路基板２０の上面２０Ｕと接している。上側基板シールド３０の内側接触領域３２Ｂも、回路基板２０の上面２０Ｕと接している。より具体的には、内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂは、回路基板２０の上面２０Ｕに形成されている上側グラウンドパターン２２Ｕ（図３Ａのハッチングで示した箇所を参照）と接している。図２Ｃ及び図４に示すように、内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂにおいて、上側基板シールド３０が回路基板２０のグラウンドパターン２２Ｕと接することにより、回路基板２０の上面２０Ｕで発生した電磁波などのノイズが、その上面２０Ｕと上側基板シールド３０によって閉じられたシールド空間Ｓ１の外側に漏れることを抑制できる。

【0020】

また、図４に示すように、下側基板シールド４０の内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂ（図１Ｂを参照）は、回路基板２０の下面２０Ｄに形成されている下側グラウンドパターン２２Ｄ（図３Ｂのハッチングで示した箇所を参照）と接している。図２Ｃ及び図４に示すように、内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂにおいて、下側基板シールド４０が回路基板２０のグラウンドパターン２２Ｄと接することにより、回路基板２０の下面２０Ｄで発生したノイズが、その下面２０Ｄと下側基板シールド４０によって閉じられたシールド空間Ｓ２の外側に漏れることを抑制できる。

【0021】

上側基板シールド３０の内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂは、図２Ａ、図２Ｂ、及び図４に示すように、回路基板２０に固定するための複数の取付穴３６（内側固定部）を有している。これと同様に、下側基板シールド４０の内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂも、回路基板２０に固定するための複数の取付穴４６を有している。回路基板２０のグラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄは、複数の取付穴２６を有している。図４に示すように、上側基板シールド３０、回路基板２０、及び、下側基板シールド４０にそれぞれ設けられている取付穴３６，２６，４６の位置は一致しており、これらの取付穴３６，２６，４６に、１本の螺子５１が取り付けられている。このように、１本の螺子で上側基板シールド３０、回路基板２０、及び、下側基板シールド４０を共締めすることにより、取付穴３６，２６，４６の位置において、基板シールド３０，４０が、回路基板２０のグラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄに接触し、回路基板２０上で発生したノイズの遮断性能を向上できる。

【0022】

図３Ａに示すように、回路基板２０の上面２０Ｕに形成されている上側グラウンドパターン２２Ｕは、上方に突出している複数の凸部６１Ｕを有している。凸部６１Ｕの位置は、上側グラウンドパターン２２Ｕに設けられた取付穴２６から、上側グラウンドパターン２２Ｕの延伸方向に離れている。換言すると、上側グラウンドパターン２２Ｕの延伸方向において、隣り合う２つの取付穴２６の間に凸部６１Ｕは形成されている。これと同様に、図３Ｂに示すように、回路基板２０の下面２０Ｄに形成されている下側グラウンドパターン２２Ｄは、下方に突出している複数の凸部６１Ｄを有している。凸部６１Ｄの位置は、下側グラウンドパターン２２Ｄに設けられた取付穴２６から、下側グラウンドパターン２２Ｄの延伸方向に離れている。凸部６１Ｕ，６１Ｄは、半田などの導電性の部材をグラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄに載せることによって形成されてよい。隣り合う取付穴２６の間において形成される凸部６１Ｕ，６１Ｄの数は、２個以下が好ましい。

【0023】

路基板２０上で発生したノイズの遮断性能を向上できる。また、凸部６１Ｕ，６１Ｂは、基板シールド３０，４０に板金加工を施すことで形成されてよい。このようにすることで、回路基板２０の内側における凸部６１Ｕ，６１Ｄの形成を容易にできる。

【0024】

図１Ａ及び図４に示すように、上側基板シールド３０の内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂは、凸部６１Ｕを介して上側グラウンドパターン２２Ｕに接触している内側接触部３８ （第１接触部）を有している。これと同様に、下側基板シールド４０の内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂ（図１Ｂを参照）は、凸部６１Ｄを介して下側グラウンドパターン２２Ｄに接触している内側接触部４８（第２接触部）を有している。このようにすることで、凸部６１Ｕ，６１Ｄの位置において、基板シールド３０，４０と回路基板２０のグラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄとの接触の安定性が十分に確保され、回路基板２０上で発生したノイズの遮断性能を向上できる。

【0025】

以下の説明では、螺子５１が差し込まれる回路基板２０及び基板シールド３０，４０の取付穴２６，３６，４６の位置と、凸部６１Ｕ，６１Ｄが設けられる位置とを、内側接点とも称する。回路基板２０のグラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄ上に設けられる複数の内側接点のうち、隣り合う２つの内側接点の間の距離は、外部への漏洩を抑制したいノイズの波長に基づいて決定することが望ましい。

【0026】

上側基板シールド３０の内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂにおいて、凸部６１Ｕと接触する内側接触部３８は、取付穴３６から内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂの延伸方向に離れている。また、隣り合う２つの凸部６１Ｕの一方の凸部６１Ｕと接触する内側接触部３８は、他方の凸部６１Ｕと接触する内側接触部３８から内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂの延伸方向に離れている。これと同様に、下側基板シールド４０の内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂにおいて、凸部６１Ｄと接触する内側接触部４８は、取付穴４６から、内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂの延伸方向に離れており、隣り合う２つの凸部６１Ｂの一方の凸部６１Ｂと接触する内側接触部４８は、他方の凸部６１Ｂと接触する内側接触部４８から内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂの延伸方向に離れている。そして、それらの距離（すなわち、隣り合う２つの内側接点の間の距離）は、基板シールド３０，４０が遮蔽するノイズの波長の３分の１未満、より好ましくは、波長の４分の１未満に設定されてよい。また、隣り合う２つの内側接点の間の距離は、いずれも２０ｍｍであることが好ましい。これにより、無線通信などで使用される周波数帯のノイズの漏洩を効果的に抑制できる。隣り合う２つの内側接点の間の距離は、いずれも１５ｍｍ以下であることが好ましい。隣り合う２つの接点の間の距離は、いずれも１０ｍｍ以下であることが更に好ましい。

【0027】

図３Ａ及び図３Ｂにおいて、取付穴２６，３６，４６を略同じサイズの丸で示し、凸部６１Ｕ，６１Ｄを取付穴２６，３６，４６よりも小さい丸で示している。図３Ａ及び図３Ｂに示すように、内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂ，４２Ｆ，４２Ｂに設けられている複数の取付穴２６，３６，４６と、複数の凸部６１Ｕ，６１Ｂとの位置における全ての内側接点において、隣り合う２つの内側接点の間の距離は、いずれも２０ｍｍ以下（５ＧＨｚに対応する波長の３分の１未満）に設定されている。このようにすることで、内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂ，４２Ｆ，４２Ｂからノイズが漏洩することを、より効果的に抑制できる。

【0028】

［４．回路基板の外側におけるノイズの遮断構造］
図５は、図１ＡのＶ－Ｖ線における断面図である。上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ（図１Ａを参照）と、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ（図１Ｂを参照）は、図２Ｄ及び図５に示すように、互いに接触している。また、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｒと、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｒも、互いに接触している。このように、外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒ，４３Ｌ，４３Ｒにおいて、上側基板シールド３０が下側基板シールド４０に接触することにより、回路基板２０上で発生したノイズが、基板シールド３０，４０によって閉じられたシールド空間Ｓ１，Ｓ２の外側に漏れることを抑制できる。すなわち、回路基板２０の外側にノイズを遮断する領域を確保できるため、回路基板２０の内側において、グラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄの領域を狭めることができる。

【0029】

図３Ａに示すように、回路基板２０の上面２０Ｕには、回路基板２０の左縁２０Ｌに沿って上側グラウンドパターン２２Ｕが形成されていない領域２３Ｕと、回路基板２０の右縁２０Ｒに沿って上側グラウンドパターン２２Ｕの取付穴２６及び凸部６１Ｕが形成されていない領域２４Ｕが存在する。それらの領域２３Ｕ，２４Ｕに向かうノイズを、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒによって遮断することにより、シールド空間Ｓ１の外側にノイズが漏れることを抑制し、且つ、上側グラウンドパターン２２Ｕの領域を狭め、回路基板２０の縁（図３Ａでは左縁２０Ｌ及び右縁２０Ｒ）の付近まで、電子部品が実装される上側実装領域Ｒ１を拡張できる。

【0030】

また、図３Ｂに示すように、回路基板２０の下面２０Ｄにも、回路基板２０の左縁２０Ｌに沿って下側グラウンドパターン２２Ｄが形成されていない領域２３Ｄと、回路基板２０の右縁２０Ｒに沿って下側グラウンドパターン２２Ｄの取付穴２６及び凸部６１Ｄが形成されていない領域２４Ｄが存在する。また、図２Ｄに示すように、それらの領域２３Ｄ，２４Ｄに向かうノイズを、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒによって遮断することにより、シールド空間Ｓ２の外側にノイズが漏れることを抑制し、且つ、下側グラウンドパターン２２Ｄの領域を狭め、回路基板２０の縁（図３Ｂでは左縁２０Ｌ及び右縁２０Ｒ）の付近まで、電子部品が実装される下側実装領域Ｒ２を拡張できる。

【0031】

図３Ｂ及び図５に示すように、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒは、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒに固定するための複数の取付穴３７（外側固定部）を有している。また、図３Ａ及び図５に示すように、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒも、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒに固定するための複数の取付穴４７を有している。図５に示すように、基板シールド３０，４０にそれぞれ設けられている取付穴３７，４７の位置は一致しており、これらの取付穴３７，４７に、１本の螺子５２が取り付けられている。このように、１本の螺子で基板シールド３０，４０を共締めすることにより、取付穴３７，４７の位置において、上側基板シールド３０が下側基板シールド４０に接触し、回路基板２０上で発生したノイズの遮断性能を向上できる。

【0032】

図３Ａに示すように、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒは、上方に突出している複数の凸部６２（外側接触凸部）を有している。凸部６２の位置は、外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒに設けられた取付穴４７から、回路基板２０の左縁２０Ｌ、右縁２０Ｒに沿った方向（外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒの延伸方向）に離れている。換言すると、外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒの延伸方向において、２つの取付穴４７の間に凸部６２が形成されている。下側基板シールド４０の凸部６２は、外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒに板金加工を施すことで形成されている。このようにすることで、下側基板シールド４０における凸部６２の形成が容易になる。これに限らず、半田などの導電性の部材を外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒに載せることよって凸部６２が形成されてもよい。隣り合う取付穴４７の間において形成される凸部６２は、２個以下が好ましい。

【0033】

図１Ａ及び図５に示すように、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒは、下側基板シールド４０の凸部６２と接触している外側接触部６３を有している。これにより、凸部６２の位置において、上側基板シールド３０と下側基板シールドと４０の接触を図り、回路基板２０上で発生したノイズの遮断性能を向上できる。

【0034】

図２Ｃ及び図２Ｄに示すように、回路基板２０の上面２０Ｕ側のシールド空間Ｓ１は、回路基板２０（より具体的には、上側グラウンドパターン２０Ｕ）と上側基板シールド３０の内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂとの接触、及び、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒと下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒとの接触によって形成されている。これと同様に、回路基板２０の下面２０Ｄ側のシールド空間Ｓ２は、回路基板２０（より具体的には、下側グラウンドパターン２０Ｄ）と下側基板シールド４０の内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂとの接触、及び、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒと下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒとの接触により形成される。つまり、図２Ｄに示すように、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒに形成されている凸部６２と、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒに設けられている外側接触部６３は、回路基板２０の上下にそれぞれ形成されているシールド空間Ｓ１，Ｓ２におけるノイズの対策で共用されている。外側接触領域３３Ｌ，４３Ｌにおいて、凸部６２及び外側接触部６３を介してシールド基板３０，４０が互いに接触し、外側接触領域３３Ｒ，４３Ｒにおいて、凸部６２及び外側接触部６３を介してシールド基板３０，４０が互いに接触することにより、回路基板２０の上下にそれぞれ形成されているシールド空間Ｓ１，Ｓ２からノイズが漏れることを抑制できる。

【0035】

以下の説明では、螺子５２が差し込まれる基板シールド３０，４０の取付穴３７，４７の位置と、凸部６２が設けられる位置とを、外側接点とも称する。つまり、外側接点とは、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒと、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒとが対向し、且つ平面視において重畳している部分において、上側基板シールド３０と下側基板シールド４０との接触が確保されている箇所である。上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒと、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒとに設けられる複数の外側接点のうち、隣り合う２つの外側接点の間の距離は、内側接点と同様に、外部への漏洩を抑制したいノイズの波長に基づいて決定することが望ましい。

【0036】

下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒにおいて、凸部６２は、取付穴３７から外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒの延伸方向に離れている。そして、取付穴３７と凸部６２との間の距離と、隣り合う２つの凸部６２の間の距離（すなわち、隣り合う２つの外側接点の間の距離）は、基板シールド３０，４０が遮蔽するノイズの波長の３分の１未満、より好ましくは、波長の４分の１未満に設定されてよい。取付穴３７と凸部６２との間の距離と、隣り合う２つの凸部６２の間の距離は、いずれも２０ｍｍに設定されてよい。このようにすることで、無線通信などで使用される周波数帯のノイズの漏洩を効果的に抑制できる。取付穴３７と凸部６２との間の距離と、隣り合う２つの凸部６２の間の距離は、いずれも１５ｍｍ以下であることが好ましい。取付穴３７と凸部６２との間の距離と、隣り合う２つの凸部６２の間の距離は、いずれも１０ｍｍ以下であることが更に好ましい。

【0037】

図３Ａ及び図３Ｂにおいて、取付穴３７，４７を略同じサイズの丸で示し、凸部６２を取付穴３７，４７よりも小さい丸（点）で示している。図３Ａ及び図３Ｂに示すように、外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒ，４３Ｌ，４３Ｒに設けられる全ての外側接点において、隣り合う２つの外側接点の間の距離は、いずれも２０ｍｍ以下に設定されてよい。このようにすることで、外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒ，４３Ｌ，４３Ｒからノイズが漏洩することを、より効果的に抑制できる。隣り合う２つの外側接点の間の距離は、いずれも１５ｍｍ以下であることが好ましい。隣り合う２つの外側接点の間の距離は、いずれも１０ｍｍ以下であることが更に好ましい。

【0038】

図３Ａ及び図５に示すように、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒにおいて、２つの取付穴３７の間に少なくとも１つの凸部６２が形成されている。また、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒにおいて、２つの凸部６２の間に１つの取付穴３７が形成されている。なお、２つの凸部６２の間に配置される取付穴３７の数は、２以上の複数であってもよい。

【0039】

図６は、外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒ，４３Ｌ，４３Ｒにおける上側基板シールド３０と下側基板シールド４０との断面の模式図であり、グラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄの延伸方向に沿った切断面で得られる断面の概略を示している。図６に示すように、上側基板シールド３０は、取付穴３７の位置で螺子５２の頭部５２ａによって下側基板シールド４０に押し付けられることにより、下側基板シールド４０と接触する。そして、下側基板シールド４０に対して撓むことにより、上側基板シールド３０の外側接触部６３が凸部６２と接触する。このため、上側基板シールド３０は、凸部６２が形成されている下側基板シールド４０よりも撓み易いことが望ましい。例えば、上側基板シールド３０は、下側基板シールド４０の材料とは異なる材料で形成されてよい。上側基板シールド３０は、下側基板シールド４０の材料よりも柔らかい（剛性が低い）材料で形成されてよい。例えば、上側基板シールド３０は、下側基板シールド４０の材料である鉄よりも柔らかいアルミニウムによって形成されてよい。また、少なくとも上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒにおける上側基板シールド３０の上下方向における厚みを、下側基板シールド４０の厚みより小さくしてもよい。

【0040】

図６に示すように、上側基板シールド３０は、下側基板シールド４０の凸部６２によって外側接触部６３が持ち上げられることにより、上方向に撓む。これにより、２つの凸部６２の間に隙間Ｃが形成される場合がある。ここで、下側基板シールド４０において、２つの取付穴４７の間に形成される凸部６２の数を３つにすると、これらの３つの凸部６２のうちの２つの間の凸部６２は、隙間Ｃの付近に配置される可能性がある。このため、図３Ａに示すように、下側基板シールド４０において、２つの取付穴４７の間に配置される凸部６２の数は、２つ以下とすることが望ましい。換言すると、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒにおいて、２つの取付穴３７の間に設けられる凸部６２と接触する外側接触部６３の数は、２つ以下とすることが望ましい。また、回路基板２０の上側グラウンドパターン２２Ｕにおいて、２つの取付穴２６の間に配置される凸部６１Ｕの数（内側接触部３８の数）も、２つ以下とすることが望ましく、図３Ｂに示すように、回路基板２０の下側グラウンドパターン２２Ｄにおいて、２つの取付穴２６の間に配置される凸部６１Ｄの数（内側接触部４８の数）も、２つ以下とすることが望ましい。このようにすることで、上側基板シールド３０と下側基板シールド４０との接触の安定性が十分に確保され、回路基板２０上で発生したノイズの遮断性能を向上できる。

【0041】

図３Ａ及び図３Ｂに示すように、外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒ，４３Ｌ，４３Ｒにおいて、隣り合う２つの取付穴３７，４７の間に配置される凸部６２の数（外側接触部６３の数）は、２つ以下である。また、内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂにおいて、隣り合う２つの取付穴３６の間に配置される凸部６１Ｕの数（内側接触部３８の数）も２つ以下であり、内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂにおいて、隣り合う２つの取付穴４６の間に配置される凸部６１Ｄの数（内側接触部４８の数）も２つ以下である。これにより、電子部品を取り囲んでいる領域からノイズが漏れることを効果的に抑制できる。

【0042】

図７は、図３Ａの部分拡大図であり、回路基板２０の上側グラウンドパターン２２Ｕと、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌとを示す図である。図７に示すように、回路基板２０の上側グラウンドパターン２２Ｕに形成されている取付穴２６と、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌに形成されている凸部６２は、回路基板２０の左縁２０Ｌを挟んで互いに反対側に位置している。また、上側基板シールド３０の内側接触領域３２Ｂ（図１Ａを参照）に形成されている取付穴３６（図３Ｂを参照）と、下側基板シールド４０の内側接触領域４２Ｂ（図１Ｂを参照）に形成されている取付穴４６は、上下のグラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄに共通して形成されている取付穴２６と同位置に配置されている。従って、図７に示す回路基板２０及下側シールド４０に、上側基板シールド３０が重なっている状態で、内側接触領域３２Ｂ，４２Ｂに形成されている取付穴２６，３６，４６と、外側接触領域４３Ｌに形成される凸部６２（外側接触領域３３Ｌにおける外側接触部６３）は、回路基板２０の左縁２０Ｌを挟んで互いに反対側に位置している。

【0043】

ここで、内側接触領域３２Ｂ，４２Ｂに形成されている取付穴２６，３６，４６から、回路基板２０の左縁２０Ｌを挟んで反対側に位置する最も近い凸部６２（外側接触部６３）との間の距離Ｄ１は、基板シールド３０，４０が遮蔽するノイズの波長の３分の１未満、より好ましくは、波長の４分の１未満に設定されてよい。また、距離Ｄ１は、２０ｍｍ以下、より好ましくは、１５ｍｍ以下、又は１０ｍｍ以下に設定されてもよい。また、取付穴２６，３６，４６から回路基板２０の左縁２０Ｌを挟んで反対側に位置する最も近い取付穴４７までの間に形成される凸部６２は、２個以下が好ましい。その場合、取付穴２６，３６，４６、４７から凸部６２までの距離、および、凸部６２の間の距離は、いずれも基板シールド３０，４０が遮蔽するノイズの波長の３分の１未満、より好ましくは、波長の４分の１未満に設定されてよく、また、２０ｍｍ以下、より好ましくは、１５ｍｍ以下、又は１０ｍｍ以下に設定されてもよい。このようにすることで、上側基板シールド３０における内側接触領域３２Ｂと外側接触領域３３Ｌとの境界、及び、下側基板シールド４０における内側接触領域４２Ｂと外側接触領域４３Ｌとの境界において、ノイズを遮蔽できるようになる。

【0044】

また、図７に示すように、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌに形成される取付穴４７と、上側グラウンドパターン２２Ｕに形成されている凸部６１Ｕは、回路基板２０の左縁２０Ｌを挟んで互いに反対側に位置している。また、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ（図１Ａを参照）に形成されている取付穴３７（図３Ｂを参照）は、下側基板シールド４０に形成されている取付穴４７と同位置に配置されている。従って、外側側接触領域３３Ｌ，４３Ｌに形成されている取付穴３７，４７と、上側グラウンドパターン２２Ｕに形成されている凸部６１Ｕは、回路基板２０の左縁２０Ｌを挟んで互いに反対側に位置している。また、取付穴３７，４７と、上側グラウンドパターン２２Ｕに凸部６１Ｕを介して接している上側基板シールド３０の内側接触部３８（図４を参照）とは、回路基板２０の左縁２０Ｌを挟んで互いに反対側に位置している。これと同様に、取付穴３７，４７は、下側グラウンドパターン２２Ｄの凸部６１Ｄ及びこれに接している下側基板シールド４０の内側接触部４８とは、回路基板２０の左縁２０Ｌを挟んで互いに反対側に位置してもよい。

【0045】

ここで、外側接触領域３３Ｌ，４３Ｌに形成されている取付穴３７，４７と、上側グラウンドパターン２２Ｕに形成されている凸部６１Ｕ（上側基板シールド３０の内側接触部３８）との間の距離Ｄ２は、距離Ｄ１と同様に、基板シールド３０，４０が遮蔽するノイズの波長の３分の１未満、より好ましくは、波長の４分の１未満に設定されてよい。また、距離Ｄ２は、２０ｍｍ以下、より好ましくは、１５ｍｍ以下、又は１０ｍｍ以下に設定されてもよい。また、取付穴３７，４７と、下側グラウンドパターン２２Ｄに形成されている凸部６１Ｄ（下側基板シールド４０の接触部４８）との間の距離も、基板シールド３０，４０が遮蔽するノイズの波長の３分の１未満、より好ましくは、波長の４分の１未満に設定されてよいし、２０ｍｍ以下、より好ましくは、１５ｍｍ以下、又は１０ｍｍ以下に設定されてもよい。このようにすることでも、上側基板シールド３０における内側接触領域３２Ｂと外側接触領域３３Ｌとの境界、及び、下側基板シールド４０における内側接触領域４２Ｂと外側接触領域４３Ｌとの境界において、ノイズを遮蔽できるようになる。

【0046】

また、図７に示すように、回路基板２０及び下側基板シールド４０には、回路基板ユニット１０の製造工程において、回路基板２０と下側基板シールド４０を仮固定するための穴２９，４９が形成されている。ここで、この穴２９，４９を取付穴２９，４９とし、取付穴２９，４９の位置に上側基板シールドの取付穴３６を形成し、取付穴３６，２９，４９に１つの螺子５１を差し込むことにより、取付穴３６，２９，４９の位置で、回路基板２０及びシールド３０，４０を接触させてもよい。そして、取付穴３６，２９，４９と取付穴３７，４７との間の距離Ｄ３を、距離Ｄ１と同様に、基板シールド３０，４０が遮蔽するノイズの波長の３分の１未満、より好ましくは、波長の４分の１未満に設定してもよい。また、距離Ｄ３は、２０ｍｍ以下、より好ましくは、１５ｍｍ以下、又は１０ｍｍ以下に設定されてもよい。このようにすることでも、内側接触領域４２Ｂと外側接触領域４３Ｌとの境界において、ノイズを遮蔽できるようになる。

【0047】

また、以上に説明した上側基板シールド３０における内側接触領域３２Ｂと外側接触領域３３Ｌとの境界におけるノイズの遮蔽構造は、内側接触領域３２Ｆと外側接触領域３３Ｌとの境界、内側接触領域３２Ｂと外側接触領域３３Ｒとの境界、及び、内側接触領域３２Ｆと外側接触領域３３Ｒとの境界にも形成されてよい。このようにすることで、回路基板２０の上面２０Ｕにおいてノイズの発生源となる複数の電子部品が実装されている上側実装領域Ｒ１を取り囲う内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂ、及び外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒの境界の全てにおいて、ノイズを遮蔽できるようになる。すなわち、上側実装領域Ｒ１を連続的に取り囲んでいる領域において、ノイズを遮蔽できるようになる。また、下側基板シールド４０における内側接触領域４２Ｂと外側接触領域４３Ｌとの境界におけるノイズの遮蔽構造は、内側接触領域４２Ｆと外側接触領域４３Ｌとの境界、内側接触領域４２Ｂと外側接触領域４３Ｒとの境界、及び、内側接触領域４２Ｆと外側接触領域４３Ｒとの境界にも形成されてよい。このようにすることで、回路基板２０の下面２０Ｄにおいてノイズの発生源となる複数の電子部品が実装されている下側実装領域Ｒ２を取り囲う内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂ、及び外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒの境界の全てにおいて、ノイズを遮蔽できるようになる。すなわち、下側実装領域Ｒ２を連続的に取り囲んでいる領域において、ノイズを遮蔽できるようになる。

【0048】

［５．まとめ］
以上のように、本実施形態では、上側基板シールド３０の内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂが回路基板２０の上側グラウンドパターン２２Ｕに接触し、下側基板シールド４０の内側接触領域４２Ｆ，４２Ｂが回路基板２０の下側グラウンドパターン２２Ｄに接触している。そして、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌが下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌと接し、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｒが下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｒと接している。外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒ，４３Ｌ，４３Ｒは、取付穴３７，４７と凸部６２を含むことにより、外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒ，４３Ｌ，４３Ｒにおける基板シールド３０，４０の接触が図られている。このようにすることで、回路基板２０上で発生したノイズが回路基板ユニット１０の外部に漏れることを抑制できる。また、回路基板２０の外側にノイズを遮断する領域を確保できるため、回路基板２０の内側において、グラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄの領域を狭めることができる。その結果、回路基板２０において電子部品などを実装する面積を広げたり、回路基板２０を小型にすることができる。

【0049】

なお、本発明は、以上の実施形態に限定されるものではない。

【0050】

（１）実施形態では、回路基板２０の外側におけるノイズの遮断構造として、下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒが、上方に突出している複数の凸部６２を有し、これに上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒが接触する例を説明した。これに限らず、上側基板シールド３０の外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒが、下方に突出している複数の凸部６２を有し、これに下側基板シールド４０の外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒが接触するようにしてもよい。このようにすることでも、凸部６２の位置において、上側基板シールド３０と下側基板シールド４０とが接触し、回路基板２０上で発生したノイズの遮断性能を向上できる。

【0051】

（２）実施形態では、上側基板シールド３０の上側包囲領域３１が、回路基板２０の外縁の内側に位置している内側接触領域３２Ｆ，３２Ｂと、回路基板２０の外縁の外側に位置している外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒを有し、これらの接触領域で、回路基板２０の上面２０Ｕにおいて、電子部品が配置される領域の全周を囲う例を説明した。ここで、回路基板３０，４０において、回路基板２０の外縁の外側に位置している外側接触領域は、回路基板２０の外縁の全周を囲ってもよい。このようにすることで、回路基板２０の内側にグラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄを形成せずに、回路基板２０の外側にノイズが漏洩することを抑制できる。

【0052】

（３）実施形態では、上側基板シールド３０が、外側接触領域３３Ｌ，３３Ｒの２つの領域を有し、下側基板シールド４０が、外側接触領域４３Ｌ，４３Ｒの２つの領域を有する例を説明したが、基板シールド３０，４０が有する外側接触領域の数は、１つであってもよい。また、基板シールド３０，４０が互いに接触する外側接触領域において、取付穴３７の数と取付穴４７の数は１つであってもよく、凸部６２の数も１つであってもよい。このような例においても、回路基板２０の外側にノイズを遮断する領域を確保することができ、回路基板２０の内側において、グラウンドパターン２２Ｕ，２２Ｄの領域を狭めることができる。

【符号の説明】

【0053】

１０ 回路基板ユニット、２０ 回路基板、２０Ｕ 上面、２０Ｄ 下面、２１ａ，２１ｂ，２１ｄ，２１ｅ 集積回路チップ、２１ｃ トランジスタ、２２Ｕ 上側グラウンドパターン、２２Ｄ 下側グラウンドパターン、３０ 上側基板シールド、３１ 上側包囲領域、４０ 下側基板シールド、４１ 下側包囲領域、３２Ｆ，３２Ｂ，４２Ｆ，４２Ｂ 内側接触領域、３３Ｌ，３３Ｒ，４３Ｌ，４３Ｒ 外側接触領域、２６，３６，３７，４６，４７ 取付穴、３８，４８ 内側接触部、５１，５２ 螺子、６１Ｕ，６１Ｄ，６２ 凸部、６３ 外側接触部、Ｃ 隙間、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３ 距離、Ｓ１，Ｓ２ シールド空間。

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】