特許 7514215 検査方法、半導体装置の製造方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-02

(45)【発行日】2024-07-10

(54)【発明の名称】検査方法、半導体装置の製造方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/66 20060101AFI20240703BHJP

   G01R 31/26 20200101ALI20240703BHJP

【ＦＩ】

H01L21/66 X

G01R31/26 F

【請求項の数】 21

(21)【出願番号】P 2021147888

(22)【出願日】2021-09-10

(65)【公開番号】P2023040744

(43)【公開日】2023-03-23

【審査請求日】2023-03-13

(73)【特許権者】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(74)【代理人】

【識別番号】110004026

【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ

(72)【発明者】

【氏名】岡本 和晃

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 啓太

(72)【発明者】

【氏名】藤原 郁夫

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 和拓

【審査官】庄司 一隆

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－１５０１６１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０３４３０３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭６１－０４４４３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－０５２８５４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５９－１０７６５０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－０４５７４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－０３６４８９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２１－０７２３４７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０７－０５０３３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開昭５４－０９１０４９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６６

Ｇ０１Ｒ ３１／２６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体光検知素子に電圧を印加しながら前記半導体光検知素子にパルス光を照射し、
前記パルス光の照射後における前記半導体光検知素子の出力を測定し、
最大ピークの出現後であって前記パルス光の照射から第１時間経過後における前記半導体光検知素子の第１出力値を、前記出力から抽出する、半導体光検知素子の検査方法。

【請求項2】

前記半導体光検知素子は、
半導体層と、
前記半導体層の上に設けられた複数の受光素子と、
を含み、
前記複数の受光素子のそれぞれは、
第１導電形の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域に接する第２導電形の第２半導体領域と、
を含む、請求項１記載の半導体光検知素子の検査方法。

【請求項3】

前記複数の受光素子の少なくとも１つには、降伏電圧を超える前記電圧が印加される、請求項２記載の半導体光検知素子の検査方法。

【請求項4】

前記パルス光の照射及び前記出力の測定を繰り返す、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体光検知素子の検査方法。

【請求項5】

前記パルス光の強度を変更しながら、前記パルス光の照射を繰り返す、請求項４記載の半導体光検知素子の検査方法。

【請求項6】

前記電圧を変更しながら、前記パルス光の照射、前記出力の測定、及び前記第１出力値の抽出を繰り返す、請求項４記載の半導体光検知素子の検査方法。

【請求項7】

前記最大ピークの出現後であって前記パルス光の照射から第２時間経過後における前記半導体光検知素子の第２出力をさらに抽出する、請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体光検知素子の検査方法。

【請求項8】

前記第１時間は、前記パルス光の照射のためのトリガ信号を基準に計測される、請求項１～７のいずれか１つに記載の半導体光検知素子の検査方法。

【請求項9】

前記パルス光の光量Ｅ（ｎＷ／φ１ｍｍ）、前記パルス光の波長λ（ｎｍ）、及び前記パルス光の周波数ν（Ｈｚ）を用いて、第１式によって算出される値Ｘは、０．８以上６以下であり、
前記第１式は、Ｘ＝Ｅ×λ／ν、である、請求項１～８いずれか１つに記載の半導体光検知素子の検査方法。

【請求項10】

前記第１時間は、１マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下である、請求項１～９のいずれか１つに記載の半導体光検知素子の検査方法。

【請求項11】

前記第１出力値に基づいて、前記半導体光検知素子を評価する、請求項１～１０のいずれか１つに記載の半導体光検知素子の検査方法。

【請求項12】

半導体ウェーハに複数の前記半導体光検知素子を形成し、
前記複数の半導体光検知素子のそれぞれに対して、請求項１～１１のいずれか１つに記載の半導体光検知素子の検査方法を実行する、半導体装置の製造方法。

【請求項13】

前記複数の半導体光検知素子のそれぞれを、前記第１出力値に基づいて評価し、
前記複数の半導体光検知素子のそれぞれの前記評価を示すウェーハマップを生成する、請求項１２記載の半導体装置の製造方法。

【請求項14】

前記半導体ウェーハをダイシングし、前記複数の半導体光検知素子をそれぞれ個片化する、請求項１２又は１３に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項15】

電圧印加中の半導体光検知素子にパルス光を照射したときの出力を受信し、
最大ピークの出現後であって前記パルス光の照射から第１時間経過後における前記半導体光検知素子の第１出力値を、前記出力から抽出する、半導体光検知素子の検査装置。

【請求項16】

請求項１５記載の半導体光検知素子の検査装置と、
前記半導体光検知素子を保持するステージと、
前記パルス光を前記半導体光検知素子に照射する光源と、
前記電圧を印加し、前記出力を測定するプローブと、
を備えた、半導体光検知素子の検査システム。

【請求項17】

前記光源と、前記検査装置には、同じトリガ信号が入力される、請求項１６記載の半導体光検知素子の検査システム。

【請求項18】

前記ステージ及び前記プローブの一方を他方に対して相対的に移動させる第１駆動部をさらに備えた、請求項１６又は１７に記載の半導体光検知素子の検査システム。

【請求項19】

前記光源を移動させる第２駆動部をさらに備えた、請求項１６～１８のいずれか１つに記載の半導体光検知素子の検査システム。

【請求項20】

コンピュータに、
電圧印加中の半導体光検知素子にパルス光を照射したときの出力を受信させ、
最大ピークの出現後であって前記パルス光の照射から第１時間経過後における前記半導体光検知素子の第１出力値を、前記出力から抽出させる、
半導体光検知素子の検査プログラム。

【請求項21】

請求項２０に記載の半導体光検知素子の検査プログラムを記憶した記憶媒体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、検査方法、半導体装置の製造方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体に関する。

【背景技術】

【0002】

光を検知する半導体光検知素子がある。この半導体光検知素子について、より短い時間で検査できる技術が求められている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０２１－０７２３４７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の実施形態によれば、より短い時間で半導体光検知素子を検査可能な、検査方法、半導体装置の製造方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体が提供される。

【課題を解決するための手段】

【0005】

実施形態に係る検査方法では、半導体光検知素子に電圧を印加しながら、前記半導体光検知素子にパルス光を照射する。さらに、前記検査方法では、前記パルス光の照射後における前記半導体光検知素子の出力を測定する。さらに、前記検査方法では、最大ピークの出現後であって前記パルス光の照射から第１時間経過後における前記半導体光検知素子の第１出力値を、前記出力から抽出する。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、半導体光検知素子の一例を示す模式的断面図である。

【図2】図２は、半導体光検知素子の別の一例を示す模式的断面図である。

【図3】図３は、第１実施形態に係る検査方法を示すフローチャートである。

【図4】図４は、半導体光検知素子の出力を例示するグラフである。

【図5】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、検査対象を例示する模式図である。

【図6】図６は、第１実施形態の第１変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。

【図7】図７は、第１実施形態の第２変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。

【図8】図８は、第１実施形態の第３変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。

【図9】図９は、半導体光検知素子の特性を例示するグラフである。

【図10】図１０は、半導体光検知素子の特性を例示するグラフである。

【図11】図１１は、第１実施形態の第４変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。

【図12】図１２は、半導体光検知素子の特性を例示するグラフである。

【図13】図１３は、半導体光検知素子の特性を例示するグラフである。

【図14】図１４は、第１実施形態の第５変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。

【図15】図１５は、半導体光検知素子の特性を例示するグラフである。

【図16】図１６は、第１実施形態の第６変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。

【図17】図１７は、第１実施形態の第７変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。

【図18】図１８は、半導体ウェーハにおける複数の半導体光検知素子のばらつきを例示する模式図である。

【図19】図１９は、第２実施形態に係る製造方法を示すフローチャートである。

【図20】図２０は、ウェーハマップを例示する模式図である。

【図21】図２１は、第２実施形態の第１変形例に係る製造方法を示すフローチャートである。

【図22】図２２は、第３実施形態に係る検査システムを示す模式図である。

【図23】図２３は、第３実施形態に係る検査システムを示す模式図である。

【図24】図２４（ａ）及び図２４（ｂ）は、第３実施形態の変形例に係る検査システムを示す模式図である。

【図25】図２５は、ハードウェア構成を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0008】

［第１実施形態］
図１は、半導体光検知素子の一例を示す模式的断面図である。
第１実施形態に係る検査方法は、半導体光検知素子の検査に用いられる。検査では、半導体光検知素子１００の品質が評価される。まず、図１を参照して、半導体光検知素子の構造について説明する。図１に示すように、半導体光検知素子１００は、ｐ^＋形半導体基板１０１、ｐ^－形半導体層１０２、受光素子１１０、絶縁部１２０、絶縁層１３０、クエンチ部１４０、電極１５１、及びパッド１５２を含む。

【0009】

ここでは、ｎ^＋及びｐ^＋、ｐ、ｐ^－の表記は、各不純物濃度の相対的な高低を表す。すなわち、「＋」が付されている表記は、「＋」及び「－」のいずれも付されていない表記よりも不純物濃度が相対的に高く、「－」が付されている表記は、いずれも付されていない表記よりも不純物濃度が相対的に低いことを示す。これらの表記は、それぞれの領域にｐ形不純物とｎ形不純物の両方が含まれている場合には、それらの不純物が補償しあった後の正味の不純物濃度の相対的な高低を表す。ｐ形は第１導電形の一例であり、ｎ形は第２導電形の一例である。各半導体領域のｐ形とｎ形を反転させて各実施形態を実施してもよい。

【0010】

説明のために、ｐ^＋形半導体基板１０１からｐ^－形半導体層１０２に向かうをＺ方向とする。Ｚ方向に垂直であり且つ互いに交差する２方向を、Ｘ方向及びＹ方向とする。また、ｐ^＋形半導体基板１０１からｐ^－形半導体層１０２に向かう方向を「上」と言い、その反対方向を「下」と言う。これらの方向は、ｐ^＋形半導体基板１０１とｐ^－形半導体層１０２との相対的な位置関係に基づき、重力の方向とは無関係である。

【0011】

ｐ^＋形半導体基板１０１は、電極１５１の上に設けられる。ｐ^－形半導体層１０２は、ｐ^＋形半導体基板１０１の上に設けられる。複数の受光素子１１０が、ｐ^－形半導体層１０２の上に設けられる。複数の受光素子１１０は、Ｘ方向及びＹ方向に沿って配列される。

【0012】

各受光素子１１０は、ｐ形半導体領域１１１及びｎ^＋形半導体領域１１２を含む。ｐ形半導体領域１１１は、第１半導体領域の一例である。ｎ^＋形半導体領域１１２は、第２半導体領域の一例である。ｐ形半導体領域１１１は、ｐ^＋形半導体基板１０１及びｐ^－形半導体層１０２を介して電極１５１と電気的に接続される。ｎ^＋形半導体領域１１２は、ｐ形半導体領域１１１の上に設けられる。ｐ形半導体領域１１１とｎ^＋形半導体領域１１２との間で、ｐｎ接合が形成される。

【0013】

絶縁部１２０は、ｐ^－形半導体層１０２中に設けられ、Ｘ－Ｙ面に沿って各受光素子１１０の周りに設けられる。絶縁層１３０は、複数の受光素子１１０及び絶縁部１２０の上に設けられる。パッド１５２は、クエンチ部１４０を介して、ｎ^＋形半導体領域１１２と電気的に接続される。例えば、クエンチ部１４０は、絶縁層１３０中に設けられる。

【0014】

パッド１５２には、電極１５１に対して正の電圧が印加される。すなわち、受光素子１１０には、逆方向の電圧が印加される。受光素子１１０は、ＰＩＮダイオード又はアバランシェフォトダイオードである。好ましくは、受光素子１１０には、降伏電圧よりも大きな電圧が印加される。すなわち、受光素子１１０は、ガイガーモードで動作するアバランシェフォトダイオードである。半導体光検知素子１００の動作時に、受光素子１１０へ印加される電圧が降伏電圧未満の場合、クエンチ部１４０は省略可能である。

【0015】

上方から絶縁層１３０を通して受光素子１１０に光が入射すると、ｐ^－形半導体層１０２又は受光素子１１０で電荷が発生する。この電荷に基づく信号を検出することで、半導体光検知素子１００への光の入射を検知できる。

【0016】

図２は、半導体光検知素子の別の一例を示す模式的断面図である。
図２に示す半導体光検知素子２００は、絶縁層２０１、ｐ^－形半導体層２０２、受光素子２１０、絶縁部２２０、ビア２２１、反射層２３０、絶縁層２３１、クエンチ部２４０、パッド２５１、及びパッド２５２を含む。

【0017】

ｐ^－形半導体層２０２は、絶縁層２０１の上に設けられる。複数の受光素子２１０は、ｐ^－形半導体層２０２の上に設けられる。複数の受光素子２１０は、Ｘ方向及びＹ方向に沿って配列される。各受光素子２１０は、ｐ形半導体領域２１１及びｎ^＋形半導体領域２１２を含む。ｐ形半導体領域２１１は、第１半導体領域の一例である。ｎ^＋形半導体領域２１２は、第２半導体領域の一例である。ｎ^＋形半導体領域２１２は、ｐ形半導体領域２１１の上に設けられる。ｐ形半導体領域２１１とｎ^＋形半導体領域２１２との間で、ｐｎ接合が形成される。

【0018】

反射層２３０は、ｐ^－形半導体層２０２及び複数の受光素子２１０の上に設けられる。絶縁部２２０は、Ｘ－Ｙ面に沿って各受光素子２１０の周りにそれぞれ設けられ、Ｚ方向に反射層２３０を貫通する。ビア２２１は、絶縁部２２０の内側に設けられ、ｐ形半導体領域２１１と電気的に接続される。パッド２５１は、ビア２２１と電気的に接続される。

【0019】

絶縁層２３１は、反射層２３０の上に設けられる。パッド２５２は、クエンチ部２４０を介して、ｎ^＋形半導体領域２１２と電気的に接続される。例えば、クエンチ部２４０は、絶縁層２３１中に設けられる。

【0020】

パッド２５２には、パッド２５１に対して正の電圧が印加される。すなわち、受光素子２１０には、逆方向の電圧が印加される。受光素子２１０は、ＰＩＮダイオード又はアバランシェフォトダイオードである。好ましくは、受光素子２１０には、降伏電圧よりも大きな電圧が印加される。半導体光検知素子２００の動作時に、受光素子２１０へ印加される電圧が降伏電圧未満の場合、クエンチ部２４０は省略可能である。

【0021】

下方から絶縁層２０１を通して受光素子２１０に光が入射すると、ｐ^－形半導体層２０２又は受光素子２１０で電荷が発生する。この電荷に基づく信号を検出することで、半導体光検知素子２００への光の入射を検知できる。

【0022】

図３は、第１実施形態に係る検査方法を示すフローチャートである。
まず、半導体光検知素子に電圧を印加する（ステップＳ１）。ステップＳ１では、ｐｎ接合に逆方向の電圧が印加される。受光素子がガイガーモードで動作される場合、受光素子の降伏電圧よりも大きな電圧が印加される。半導体光検知素子への電圧の印加により、半導体光検知素子が光を検知可能な状態となる。以降では、半導体光検知素子の動作のために印加する電圧を「動作電圧」と呼ぶ。

【0023】

動作電圧の印加中、半導体光検知素子に、パルス光を照射する（ステップＳ２）。例えば、パルス光の周波数は、１ｋＨｚよりも高く、１０００ｋＨｚよりも低い。パルス光の光量は、例えばパルス光の周波数が１００ｋＨｚ、波長が９０５ｎｍである場合、１００ｎＷ／φ１ｍｍ以上であることが好ましい。

【0024】

続いて、パルス光の照射後における、半導体光検知素子の出力を測定する（ステップＳ３）。上述した通り、半導体光検知素子は、パルス光を検知する。パルス光の検知は、の受光素子１１０又は２１０に加わる電圧の変化として、パッド１５２又は２５２から出力される。

【0025】

図４は、半導体光検知素子の出力を例示するグラフである。
図４において、横軸は時間Ｔを示し、縦軸は出力（電圧）Ｖを示す。時間Ｔ＝０は、パルス光の照射タイミングを示す。パルス光が半導体光検知素子に照射されると、光が半導体光検知素子に瞬間的に入射する。これに応じて、半導体光検知素子１００又は２００に含まれるほぼ全ての受光素子で電圧の変化が生じることで、出力Ｖ０の大きなピークが測定される。その後は、受光素子の一部において、半導体光検知素子内に残存した電荷
に起因する連続的な電圧の変化により、微弱な出力が測定される。換言すると、パルス光に応じた最大ピークの出現後にも半導体光検知素子内に電荷が残存するように、ステップＳ２では、光量の大きなパルス光が照射される。

【0026】

最大ピークの出現後であってパルス光の照射から第１時間経過後における、半導体光検知素子の第１出力値を、測定された出力から抽出する（ステップＳ４）。図４に示す時間ｔ１における出力Ｖ１が、第１時間及び第１出力値に対応する。第１出力値Ｖ１を、出力から抽出する。好ましい一例として、第１時間は、１マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下である。より好ましくは、第１時間は、２マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下である。

【0027】

全ての半導体光検知素子に対する測定が完了したか判定する（ステップＳ５）。測定が完了していない半導体光検知素子が存在する場合、次の半導体光検知素子へ、パルス光の照射位置、測定端子等を移動させる（ステップＳ６）。次の半導体光検知素子に対して、ステップＳ１～Ｓ４が実行される。なお、検査対象である全ての半導体光検知素子に対してステップＳ１～Ｓ３が実行された後に、各半導体光検知素子の測定結果についてステップＳ４が実行されても良い。すなわち、ステップＳ４は、ステップＳ５の後に実行されても良い。また、検査対象の半導体光検知素子が１つのみである場合は、ステップＳ５が省略される。

【0028】

抽出された第１出力値に基づいて、半導体光検知素子を評価する（ステップＳ７）。例えば、予め、評価の基準となる第１出力値が用意される。ここでは、評価の基準となる第１出力値を、第１基準値と呼ぶ。抽出された第１出力値と第１基準値とを比較することで、半導体光検知素子を評価する。具体的には、第１出力値と第１基準値との差を、予め設定された閾値と比較する。差が小さいほど、品質は良いと判定される。分類される品質の数に応じて、閾値の数が設定される。

【0029】

複数の半導体光検知素子を評価する場合、抽出された複数の第１出力値に基づいて、各半導体光検知素子が評価されても良い。具体的には、複数の第１出力値の平均値及び標準偏差σが算出される。平均値と標準偏差σを用いて、閾値が設定される。平均値との差が小さいほど、その半導体光検知素子の品質は良いと評価される。例えば、平均値±３σ、平均値±２σ、及び平均値±σの複数の閾値が設定される。この方法によれば、ユーザが予め閾値を用意する必要が無い。ユーザの知識、経験などに依らず、より適切な閾値を設定できる。

【0030】

図５（ａ）及び図５（ｂ）は、検査対象を例示する模式図である。
検査方法ＩＭによって検査される半導体光検知素子１００又は２００は、図５（ａ）に示すように、個片化されていても良い。図５（ｂ）に示すように、半導体ウェーハＷに形成された複数の半導体光検知素子１００又は２００に対して、検査が実行されても良い。

【0031】

第１実施形態の利点を説明する。
参考例に係る光検知素子の評価方法では、半導体光検知素子に光が照射されない状態での測定と、単位受光素子辺り１光子程度の極めて微弱な光を照射したときの出力の測定と、を多数回繰り返す。そして、測定されたデータを解析することで、半導体光検知素子の光検出能力やノイズ特性、検知時の出力の大きさ(出力特性)、といった特性を互いに分離し、半導体光検知素子を評価している。
しかし、この方法では、検査に要する時間が長すぎる。半導体光検知素子の量産では、抜き取り検査のような、一部の半導体光検知素子の評価にしか参考例に係る評価方法を適用できない。このため、量産時において、より多くの（例えば全ての）半導体光検知素子を評価可能な、より短時間で完了できる検査方法が求められている。

【0032】

第１実施形態に係る検査方法では、半導体光検知素子に動作電圧を印加しながら、半導体光検知素子にパルス光を照射する。そして、パルス光の照射後における、半導体光検知素子の出力を測定する。次に、最大ピーク出現後であって、パルス光の照射から第１時間経過後における、半導体光検知素子の第１出力値を、出力から抽出する。発明者が検証したところ、最大ピーク後の出力も、ノイズ特性、感度特性、及び検知時の出力の大きさと関係していることが分かった。すなわち、第１出力値は、ノイズ特性、感度特性、及び出力特性の情報を含んだ複合的な値であることが分かった。この第１出力値は、短時間で得ることが可能である。このため、第１実施形態に係る検査方法によれば、ノイズ特性及び感度特性のそれぞれの詳細な評価は困難であるが、半導体光検知素子の全体の特性を簡易的且つ短時間で評価できる。例えば、良品の半導体光検知素子に対して、レファレンスの第１出力値を測定しておく。検査対象の半導体光検知素子の第１出力値がレファレンスからずれている場合、検査対象の半導体光検知素子のノイズ特性、感度特性、出力特性の何れかに異常があると評価することができる。

【0033】

より高精度な検査のために、第１時間も精度良く計測されることが好ましい。好ましくは、第１時間は、パルス光の照射のためのトリガ信号を基準に計測される。例えば、光源は、パルス光を発するパルスレーザダイオードを含む。パルスレーザダイオードがパルス光を照射するタイミングは、トリガ信号の送信又は受信のタイミングと実質的に同じである。トリガ信号を基準に用いることで、半導体光検知素子へのパルス光の入射タイミングに対する第１時間のばらつきを抑制できる。

【0034】

半導体光検知素子へ照射されるパルス光に関して、値Ｘは、０．８以上６以下であることが好ましい。値Ｘは、パルス光の光量Ｅ（ｎＷ／φ１ｍｍ）、パルス光の波長λ（ｎｍ）、及びパルス光の周波数ν（Ｈｚ）を用いて、以下の第１式により算出される。
Ｘ＝Ｅ×λ／ν

【0035】

値Ｘが大きいほど、半導体光検知素子に照射される光が、より強い（より明るい）ことを示す。値Ｘが０．８以上である場合、ノイズ特性、感度特性、及び出力特性の情報を十分に含んだ第１出力値が得られる。一方で、値Ｘが大きすぎると、検査対象である半導体光検知素子の性能を劣化させる可能性がある。具体的には、半導体光検知素子の半導体領域内に、結晶欠陥領域が発生又は拡大し、耐圧の低下、ノイズの増加などを引き起こす可能性がある。このため、値Ｘは、６以下であることが好ましい。

【0036】

（第１変形例）
図６は、第１実施形態の第１変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。
図６に示した第１変形例に係る検査方法ＩＭ１では、ステップＳ２及びＳ３のセットが繰り返し実行される。具体的には、ステップＳ３の後に、それまでのステップＳ２及びＳ３のセットの繰り返し回数ｘが、予め設定された回数ｍに達したか判定する（ステップＳ１１）。ｍは、２以上の整数である。回数ｘが回数ｍに達していない場合、ステップＳ２が再度実行される。ステップＳ２及びＳ３の繰り返し中、半導体光検知素子には一定の動作電圧が印加される。ステップＳ４では、複数の出力の平均から、第１出力値が抽出される。又は、それぞれの出力から第１出力値を抽出し、それらの第１出力値を平均化しても良い。

【0037】

測定系のノイズや熱ノイズなどにより、１回の測定結果から抽出された第１出力値が、実際の値から大きく変動する可能性がある。ステップＳ２及びＳ３を複数回実行し、それらの出力結果に基づいて第１出力値を決定することで、検査の精度を向上できる。

【0038】

（第２変形例）
図７は、第１実施形態の第２変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。
図７に示した第２変形例に係る検査方法ＩＭ２は、検査方法ＩＭと比べて、ステップＳ１２をさらに含む。ステップＳ１２では、最大ピークの出現後であってパルス光の照射から第２時間経過後における、半導体光検知素子の第２出力値を、測定された出力から抽出する。第２時間は、第１時間とは異なる。第２時間も、好ましくは、１マイクロ秒以上１００マイクロ秒以下である。

【0039】

ステップＳ７では、第１出力値及び第２出力値を用いて、半導体光検知素子が評価される。例えば、第１出力値及び第２出力値に対して、それぞれ、評価の基準となる第１基準値及び第２基準値が設定される。第１出力値と第１基準値との差が小さく、第２出力値と第２基準値との差が小さいほど、その半導体光検知素子の品質は良いと判定される。互いに異なる複数の時間での複数の出力値を用いることで、ノイズ等の影響を低減し、検査の精度を向上できる。

【0040】

図７に示す例に限らず、第１出力値及び第２出力値の他に、さらに他の時間の出力値を用いても良い。又は、多数の出力値を連続的に抽出し、最大ピーク後の特定期間における出力波形を取得しても良い。例えば、出力波形と予め用意された波形との距離を比較することで、品質を評価できる。

【0041】

（第３変形例）
図８は、第１実施形態の第３変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。
図８に示した第３変形例に係る検査方法ＩＭ３は、検査方法ＩＭと比べて、ステップＳ１３ａ及びＳ１３ｂをさらに含む。ステップＳ１３ａは、ステップＳ３の後に実行される。ステップＳ４は、ステップＳ１３ａの前に実行されても良いし、ステップＳ１３ａの後に実行されても良い。ステップＳ１３ａでは、終了条件が満たされたか判定する。

【0042】

終了条件が満たされていないと判定された場合、ステップＳ１３ｂで、パルス光の照射条件を変更する。照射条件は、光量を調整することで変更されても良いし、パルス光の周波数を調整することで変更されても良い。光量は、光源の光度を調整することで変更できる。変更後の照射条件は、それまでの照射条件とは異なる。パルス光の照射条件の変更後、ステップＳ２が再度実行される。

【0043】

例えば、終了条件は、ステップＳ２～Ｓ４のセットが、予め設定された回数実行されることである。ステップＳ１３ｂにおける照射条件の変更量が一定である場合、変更後の照射条件が予め設定された値に達することが、終了条件として設定されても良い。

【0044】

図９及び図１０は、半導体光検知素子の特性を例示するグラフである。
図９において、横軸は時間Ｔを示し、縦軸は出力Ｖを示す。図９は、各光量における出力の測定結果を示す。図１０において、横軸は光量Ｌを示し、縦軸は第１出力値Ｖ１を示す。図１０は、光量を変更したときの第１出力値の変化を示す。

【0045】

図９及び図１０に示すように、最大ピーク出現後の出力は、パルス光の光量に依存して変化する。検査方法ＩＭ３によれば、互いに異なる複数の光量のパルス光に基づく複数の第１出力値が得られる。ステップＳ７では、複数の第１出力値に基づいて品質が評価される。例えば、それぞれの光量のパルス光に基づく第１出力値に対して、第１基準値がそれぞれ設定される。複数の第１出力値と複数の第１基準値のそれぞれの比較結果に基づいて、品質が評価される。

【0046】

（第４変形例）
図１１は、第１実施形態の第４変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。
図１１に示した第４変形例に係る検査方法ＩＭ４は、検査方法ＩＭと比べて、ステップＳ１４ａ及びＳ１４ｂをさらに含む。ステップＳ１４ａは、ステップＳ３の後に実行される。ステップＳ４は、ステップＳ１４ａの前に実行されても良いし、ステップＳ１４ａの後に実行されても良い。ステップＳ１４ａでは、終了条件が満たされたか判定する。終了条件が満たされていないと判定された場合、ステップＳ１４ｂで、印加される動作電圧を変更する。変更後の動作電圧は、それまでに印加された動作電圧とは異なる。電圧の変更後、ステップＳ２が再度実行される。

【0047】

例えば、終了条件は、ステップＳ２～Ｓ４のセットが、予め設定された回数実行されることである。ステップＳ１４ｂにおける電圧の変更量が一定である場合、動作電圧が予め設定された値に達することが、終了条件として設定されても良い。

【0048】

図１２及び図１３は、半導体光検知素子の特性を例示するグラフである。
図１２において、横軸は時間Ｔを示し、縦軸は出力Ｖを示す。図１２は、各動作電圧における出力の測定結果を示す。図１３において、横軸は動作電圧Ｖｏｐを示し、縦軸は第１出力値Ｖ１を示す。図１３は、動作電圧を変更したときの第１出力値の変化を示す。

【0049】

図１２及び図１３に示すように、最大ピーク出現後の出力は、動作電圧に依存して変化する。検査方法ＩＭ４によれば、互いに異なる複数の動作電圧に基づく複数の第１出力値が得られる。ステップＳ７では、複数の第１出力値に基づいて品質が評価される。例えば、それぞれの電圧に基づく第１出力値に対して、第１基準値がそれぞれ設定される。複数の第１出力値と複数の第１基準値のそれぞれの比較結果に基づいて、品質が評価される。

【0050】

（第５変形例）
図１４は、第１実施形態の第５変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。
図１４に示した第５変形例に係る検査方法ＩＭ５は、検査方法ＩＭと比べて、ステップＳ１５ａ及びＳ１５ｂをさらに含む。ステップＳ１５ａは、ステップＳ３の後に実行される。ステップＳ４は、ステップＳ１５ａの前に実行されても良いし、ステップＳ１５ａの後に実行されても良い。ステップＳ１５ａでは、終了条件が満たされたか判定する。終了条件が満たされていないと判定された場合、ステップＳ１５ｂで、測定の条件を変更する。変更される条件は、パルス光の照射条件又は動作電圧である。変更後の条件は、それまでに設定された条件とは異なる。条件の変更後、ステップＳ２が再度実行される。

【0051】

例えば、終了条件は、ステップＳ２～Ｓ４のセットが、予め設定された回数実行されることである。ステップＳ１５ｂにおける動作電圧又はパルス光の照射条件の変更量が一定である場合、予め設定された値に動作電圧又は照射条件が達することが、終了条件として設定されても良い。

【0052】

図１５は、半導体光検知素子の特性を例示するグラフである。
図１５において、横方向はパルス光の光量Ｌを示す。奥行き方向は動作電圧Ｖｏｐを示す。縦方向は第１出力値Ｖ１を示す。図１５は、パルス光の光量Ｌ及び動作電圧Ｖｏｐを変更したときの第１出力値Ｖ１の変化を示す。

【0053】

図１５に示すように、検査方法ＩＭ５によれば、互いに異なる複数の動作電圧及び複数のパルス光の照射条件に基づく複数の第１出力値が得られる。ステップＳ７では、複数の第１出力値に基づいて品質が評価される。例えば、それぞれの電圧及び光量の組み合わせに基づく第１出力値に対して、第１基準値がそれぞれ設定される。複数の第１出力値と複数の第１基準値のそれぞれの比較結果に基づいて、品質が評価される。

【0054】

第３～第５変形例によれば、複数の第１出力値を用いて半導体光検知素子の品質を評価することで、ノイズ等の影響を低減し、検査の精度を向上できる。

【0055】

（第６変形例）
図１６は、第１実施形態の第６変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。
図１６に示した第６変形例に係る検査方法ＩＭ６は、検査方法ＩＭと比べて、ステップＳ１６ａ及びＳ１６ｂをさらに含む。ステップＳ１６ａは、ステップＳ５の後に実行される。ステップＳ１６ａでは、終了条件が満たされたか判定する。終了条件が満たされていないと判定された場合、ステップＳ１６ｂで、測定の条件を変更する。すなわち、検査方法ＩＭ６では、一定の条件で全ての半導体光検知素子からの出力が測定された後、異なる条件で全ての半導体光検知素子からの出力が再度測定される。

【0056】

ステップＳ１６ｂで変更される条件は、パルス光の照射条件及び動作電圧から選ばれる１つまたは２つである。検査方法ＩＭ６において、パルス光の照射条件のみが変更されて測定が繰り返されても良い。動作電圧のみが変更されて測定が繰り返されても良い。光量及び動作電圧の両方が変更されて測定が繰り返されても良い。変更後の条件は、それまでに設定された条件とは異なる。条件の変更後、ステップＳ１が再度実行される。例えば、終了条件は、全ての半導体光検知素子に対して、ステップＳ１～Ｓ４のセットが予め設定された回数実行されることである。

【0057】

条件を変更した後、パルス光の照射条件又は動作電圧が安定するまでに時間を要する場合がある。１つの半導体光検知素子に対して条件の変更及び測定を繰り返すと、条件の変更ごとに、条件の安定化のための時間が必要になる。この課題について、検査方法ＩＭ６では、条件が設定された後、検査対象である全ての半導体光検知素子の測定が完了するまで、その条件が変更されない。検査方法ＩＭ６によれば、条件の変更回数を削減し、条件の安定化のための時間を短縮できる。

【0058】

（第７変形例）
図１７は、第１実施形態の第７変形例に係る検査方法を示すフローチャートである。
図１７に示した第７変形例に係る検査方法ＩＭ７は、半導体ウェーハに対して実行される。検査方法ＩＭ７は、検査方法ＩＭと比べて、ステップＳ１７をさらに含む。ステップＳ１７は、ステップＳ５の後に実行される。

【0059】

図１８は、半導体ウェーハにおける複数の半導体光検知素子のばらつきを例示する模式図である。
図１８において、半導体ウェーハＷに形成された各半導体光検知素子の第１出力値の相対的な大きさが、グレースケールで示されている。図１８に示すように、各半導体光検知素子には、半導体ウェーハＷの位置に応じた特性のばらつきが生じる。ステップＳ１７では、ばらつきに応じて、第１出力値を補正する。

【0060】

半導体ウェーハＷ内の各位置に対して、補正量が予め設定される。補正量は、図１８に示したような、位置ごとの特性のばらつきに応じて決定される。補正量は、ばらつきが小さくなるように設定される。ステップＳ５が完了し、それぞれの半導体光検知素子から第１出力値が抽出された後、ステップＳ１７では、各半導体光検知素子の第１出力値をその位置に応じて補正する。ステップＳ７では、補正後の第１出力値を用いて半導体光検知素子を評価する。

【0061】

検査方法ＩＭ７によれば、半導体ウェーハ内の位置に応じた特性のばらつきを補正できる。特性のばらつきにより、半導体光検知素子に誤った評価がなされることを抑制できる。また、ユーザは、半導体ウェーハ内の位置ごとに第１基準値を用意する必要が無い。

【0062】

以上で説明した各変形例に係る検査方法は、適宜組み合わせることができる。例えば、検査方法ＩＭ２～ＩＭ６のいずれかにおいて、検査方法ＩＭ１のように、１つの条件について複数回測定が繰り返されても良い。検査方法ＩＭ３～ＩＭ６のいずれかにおいて、検査方法ＩＭ２のように、１つの出力から、互いに異なる複数の時間での出力値が抽出されても良い。検査方法ＩＭ及びＩＭ１～ＩＭ６のいずれかにおいて、検査方法ＩＭ７のように、半導体ウェーハのばらつきに応じて出力値が補正されても良い。

【0063】

［第２実施形態］
図１９は、第２実施形態に係る製造方法を示すフローチャートである。
図１９に示した製造方法ＭＭは、半導体装置の製造方法のうち、半導体ウェーハへの半導体光検知素子の形成までの製造方法に関する。半導体装置の製造方法ＭＭは、ステップＳ２１～Ｓ２３を含む。ステップＳ２１では、半導体ウェーハに、複数の半導体光検知素子が形成される。ステップＳ２２では、各半導体光検知素子に対する検査が実行される。ステップＳ２２では、検査方法ＩＭ及びＩＭ１～ＩＭ７のいずれかが実行される。ステップＳ２３では、各半導体光検知素子に対する検査結果に基づいてウェーハマップが作成される。

【0064】

図２０は、ウェーハマップを例示する模式図である。
ウェーハマップ３００は、半導体ウェーハにおける各半導体光検知素子の位置と、各半導体光検知素子の検査結果と、を示す。例えば図２０に示すように、半導体ウェーハに形成された複数の半導体光検知素子が示される。各半導体光検知素子の表示態様は、検査結果に応じて決定される。図２０の例では、検査により各半導体光検知素子に対して３段階のランク付けがなされている。ハッチングが付されていない半導体光検知素子の品質は、最も優れていることを示す。ハッチングの密度が高いほど、品質が良くないことを示す。

【0065】

作成されたウェーハマップ３００は、検査された半導体ウェーハＷと紐付けられる。製造方法ＭＭによれば、各半導体光検知素子の検査結果が紐付けられた半導体ウェーハが得られる。

【0066】

（第１変形例）
図２１は、第２実施形態の第１変形例に係る製造方法を示すフローチャートである。
図２１に示した製造方法ＭＭ１は、半導体光検知素子の製造方法に関する。製造方法ＭＭ１は、製造方法ＭＭと比べると、ステップＳ２３に代えてステップＳ２４を含む。ステップＳ２４では、半導体ウェーハがダイシングされる。これにより、半導体ウェーハに含まれるそれぞれの半導体光検知素子が、個片化される。製造方法ＭＭ１によれば、短時間で品質を評価しつつ、半導体光検知素子を製造できる。

【0067】

［第３実施形態］
図２２は、第３実施形態に係る検査システムを示す模式図である。
以上で説明した検査方法は、人によって実行されても良いし、検査方法に含まれる複数のステップの少なくとも一部が、装置によって自動的に実行されても良い。第３実施形態に係る検査システムは、第１実施形態に係る検査方法に好適である。例えば図２２に示すように、検査システム１は、検査装置１０、測定装置１５、プローバ２０、及び光源３０を含む。

【0068】

光源３０は、検査対象である半導体光検知素子にパルス光ＰＬを照射する。プローバ２０は、半導体光検知素子を保持し、半導体光検知素子にパルス光が照射されたときの半導体光検知素子からの出力信号Ｓを取り出す。測定装置１５は、半導体光検知素子からの出力信号から、出力Ｖ（電圧）を測定する。検査装置１０は、出力Ｖから第１出力値を抽出し、第１出力値に基づいて半導体光検知素子を検査する。

【0069】

図２２に示すように、光源３０は、パルス発生器３１、電源ボード３２、電源３３、パルスレーザダイオード３４、及び分配器３５を含む。パルス発生器３１は、パルス光を照射させるためのトリガ信号ＴＳを出力する。電源ボード３２は、トリガ信号ＴＳを受信する。また、電源ボード３２には、電源３３から電力が供給される。電源ボード３２は、トリガ信号ＴＳを受信すると、パルスレーザダイオード３４へ駆動信号ＤＳを送信する。パルスレーザダイオード３４は、駆動信号ＤＳを受信すると、パルス光ＰＬを発する。

【0070】

分配器３５は、トリガ信号ＴＳを、分岐させる。これにより、トリガ信号ＴＳは、電源ボード３２に加え、検査装置１０へ送信される。検査装置１０は、トリガ信号ＴＳの受信タイミングを、第１時間の計測の起点として用いる。

【0071】

図２３は、第３実施形態に係る検査システムを示す模式図である。
図２３に示すように、プローバ２０は、ステージ２１、駆動部２２、プローブ２３、駆動部２４、及び制御部２５を含む。ステージ２１は、半導体ウェーハＷを保持する。駆動部２２は、ステージ２１を駆動させる。図２４の例では、プローブ２３として、２本の電極が用いられている。プローブ２３の形態は、図示した例に限定されない。プローブ２３に含まれる電極の数は、半導体光検知素子の形態に応じて、適宜変更可能である。

【0072】

プローブ２３は、ステージ２１の上方に２つ以上設けられる。各プローブ２３の先端を半導体光検知素子のパッド１５１及び１５２に接触させる。この状態で、半導体光検知素子に動作電圧が印加される。また、プローブ２３は、半導体光検知素子の出力信号を取り出す。駆動部２４は、プローブ２３及び光源３０を駆動させ、これらを検査対象の半導体光検知素子に向けて移動させる。プローブ２３及び光源３０は、それぞれ独立して駆動されても良いし、一体に駆動されても良い。制御部２５は、駆動部２２及び２４を制御する。制御部２５は、さらに光源３０を制御しても良い。

【0073】

駆動部２２及び２４は、それぞれアクチュエータを含む。アクチュエータは、例えばモータである。測定装置１５として、デジタルオシロスコープ（波形測定器）、又は、半導体パラメータアナライザなどの電圧測定装置を用いることができる。

【0074】

検査システム１は、図３に示す検査方法ＩＭを実行可能である。制御部２５は、いずれかの半導体光検知素子へ、プローブ２３及び光源３０を移動させる。プローブ２３は、その半導体光検知素子に動作電圧を印加する（ステップＳ１）。動作電圧の印加中、光源３０は、半導体光検知素子にパルス光を照射する（ステップＳ２）。測定装置１５は、パルス光の照射後における半導体光検知素子からのの出力を測定する（ステップＳ３）。検査装置１０は、最大ピークの出現後であってパルス光の照射から第１時間経過後における、半導体光検知素子の第１出力値を、測定された出力から抽出する（ステップＳ４）。制御部２５は、全ての半導体光検知素子に対する測定が完了したか判定する（ステップＳ５）。測定が完了していない半導体光検知素子が存在する場合、制御部２５は、その半導体光検知素子へ、プローブ２３及び光源３０を移動させる（ステップＳ６）。検査装置１０は、抽出された第１出力値に基づいて、半導体光検知素子を評価する（ステップＳ７）。

【0075】

検査装置１０は、半導体光検知素子について、ノイズ特性、感度特性、及び出力特性を含む全体の特性を、簡易的且つ短時間で評価できる。検査システム１は、半導体光検知素子へのパルス光の照射及び半導体光検知素子からの出力の測定が可能であり、第１実施形態に係る検査方法に好適である。

【0076】

プローバ２０は、図２３に示す例に限らず、個片化された半導体光検知素子に対して測定を実行可能であっても良い。この場合、駆動部２２及び２４は、省略可能である。

【0077】

好ましくは、検査の効率化のために、プローバ２０により、半導体ウェーハＷに対して測定が実行される。この場合、いずれかの半導体光検知素子を選択的に測定するために、駆動部２２及び２４の少なくとも一方が設けられることが好ましい。駆動部２２及び２４から選択される少なくとも１つの第１駆動部が設けられることで、ステージ２１及びプローブ２３の一方を他方に対して相対的に移動させることができる。また、図２３に示す例では、光源３０は、駆動部２４（第２駆動部）によって移動される。駆動部２４は、第１駆動部及び第２駆動部の両方として機能しうる。

【0078】

図２４（ａ）及び図２４（ｂ）は、第３実施形態の変形例に係る検査システムを示す模式図である。
図２４（ａ）に示すように、光源３０は、半導体ウェーハＷの全ての半導体光検知素子に対して、パルス光ＰＬを照射可能であっても良い。この場合、光源３０を移動させる必要は無い。

【0079】

図２３に示すプローバ２０では、光源３０が、ステージ２１の上方に設けられている。プローバ２０は、半導体光検知素子１００への検査に適用可能である。図２４（ｂ）に示すように、光源３０は、ステージ２１の下方に設けられても良い。図２４（ｂ）に示すプローバ２０ａは、半導体光検知素子２００への検査に適用可能である。各プローブ２３の先端は、半導体光検知素子２００のパッド２５１及び２５２に接触され、半導体光検知素子２００に動作電圧が印加される。光源３０は、駆動部２６によって駆動される。

【0080】

図２５は、ハードウェア構成を示す模式図である。
検査装置１０及び制御部２５は、例えば図２５に示すコンピュータ９０の構成をそれぞれ含む。コンピュータ９０は、ＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、記憶装置９４、入力インタフェース９５、出力インタフェース９６、及び通信インタフェース９７を含む。

【0081】

ＲＯＭ９２は、コンピュータ９０の動作を制御するプログラムを格納している。ＲＯＭ９２には、上述した各処理をコンピュータ９０に実現させるために必要なプログラムが格納されている。ＲＡＭ９３は、ＲＯＭ９２に格納されたプログラムが展開される記憶領域として機能する。

【0082】

ＣＰＵ９１は、処理回路を含む。ＣＰＵ９１は、ＲＡＭ９３をワークメモリとして、ＲＯＭ９２又は記憶装置９４の少なくともいずれかに記憶されたプログラムを実行する。プログラムの実行中、ＣＰＵ９１は、システムバス９８を介して各構成を制御し、種々の処理を実行する。

【0083】

記憶装置９４は、プログラムの実行に必要なデータや、プログラムの実行によって得られたデータを記憶する。

【0084】

入力インタフェース（Ｉ／Ｆ）９５は、コンピュータ９０と入力装置９５ａとを接続する。入力Ｉ／Ｆ９５は、例えば、ＵＳＢ等のシリアルバスインタフェースである。ＣＰＵ９１は、入力Ｉ／Ｆ９５を介して、入力装置９５ａから各種データを読み込むことができる。

【0085】

出力インタフェース（Ｉ／Ｆ）９６は、コンピュータ９０と出力装置９６ａとを接続する。出力Ｉ／Ｆ９６は、例えば、Digital Visual Interface（ＤＶＩ）やHigh-Definition Multimedia Interface（ＨＤＭＩ（登録商標））等の映像出力インタフェースである。ＣＰＵ９１は、出力Ｉ／Ｆ９６を介して、出力装置９６ａにデータを送信し、出力装置９６ａに画像を表示させることができる。

【0086】

通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）９７は、コンピュータ９０外部のサーバ９７ａと、コンピュータ９０と、を接続する。通信Ｉ／Ｆ９７は、例えば、ＬＡＮカード等のネットワークカードである。ＣＰＵ９１は、通信Ｉ／Ｆ９７を介して、サーバ９７ａから各種データを読み込むことができる。

【0087】

記憶装置９４は、Hard Disk Drive（ＨＤＤ）及びSolid State Drive（ＳＳＤ）から選択される１つ以上を含む。入力装置９５ａは、マウス、キーボード、マイク（音声入力）、及びタッチパッドから選択される１つ以上を含む。出力装置９６ａは、モニタ及びプロジェクタから選択される１つ以上を含む。タッチパネルのように、入力装置９５ａと出力装置９６ａの両方の機能を備えた機器が用いられても良い。

【0088】

検査装置１０及び制御部２５の機能は、１つのコンピュータによって実現されても良いし、複数のコンピュータの協働により実現されても良い。上記の種々のデータの処理は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、磁気ディスク（フレキシブルディスク及びハードディスクなど）、光ディスク（ＣＤ－ＲＯＭ、ＣＤ－Ｒ、ＣＤ－ＲＷ、ＤＶＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ±Ｒ、ＤＶＤ±ＲＷなど）、半導体メモリ、又は、他の非一時的なコンピュータで読取可能な記録媒体（non-transitory computer-readable storage medium）に記録されても良い。

【0089】

例えば、記録媒体に記録された情報は、コンピュータ（または組み込みシステム）により読み出されることが可能である。記録媒体において、記録形式（記憶形式）は任意である。例えば、コンピュータは、記録媒体からプログラムを読み出し、このプログラムに基づいてプログラムに記述されている指示をＣＰＵで実行させる。コンピュータにおいて、プログラムの取得（または読み出し）は、ネットワークを通じて行われても良い。

【0090】

以上で説明した実施形態によれば、より短い時間で半導体光検知素子を検査可能な、検査方法、半導体装置の製造方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体が提供される。

【0091】

本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

【0092】

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体光検知素子に含まれる半導体層、半導体領域、絶縁部、絶縁層、クエンチ部、電極、パッドなど、検査システムに含まれる検査装置、測定装置、プローバ、光源などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

【0093】

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

【0094】

その他、本発明の実施の形態として上述した、検査方法、半導体装置の製造方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての検査方法、半導体装置の製造方法、検査装置、検査システム、プログラム、及び記憶媒体も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0095】

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

【0096】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0097】

１：検査システム、 １０：検査装置、 １５：測定装置、 ２０，２０ａ：プローバ、 ２１：ステージ、 ２２：駆動部、 ２３：プローブ、 ２４：駆動部、 ２５：制御部、 ３０：光源、 ３１：パルス発生器、 ３２：電源ボード、 ３３：電源、 ３４：パルスレーザダイオード、 ３５：分配器、 ９０：コンピュータ、 ９１：ＣＰＵ、 ９２：ＲＯＭ、 ９３：ＲＡＭ、 ９４：記憶装置、 ９５：入力インタフェース、 ９５ａ：入力装置、 ９６：出力インタフェース、 ９６ａ：出力装置、 ９７：通信インタフェース、 ９７ａ：サーバ、 ９８：システムバス、 １００：半導体光検知素子、 １０１：ｐ^＋形半導体基板、 １０２：ｐ^－形半導体層、 １１０：受光素子、 １１１：ｐ形半導体領域、 １１２：ｎ^＋形半導体領域、 １２０：絶縁部、 １３０：絶縁層、 １４０：クエンチ部、 １５１：電極、 １５２：パッド、 ２００：半導体光検知素子、 ２０１：絶縁層、 ２０２：ｐ^－形半導体層、 ２１０：受光素子、 ２１１：ｐ形半導体領域、 ２１２：ｎ^＋形半導体領域、 ２２０：絶縁部、 ２２１：ビア、 ２３０：反射層、 ２３１：絶縁層、 ２４０：クエンチ部、 ２５１：パッド、 ２５２：パッド、 ３００：ウェーハマップ、 ＤＳ：駆動信号、 ＩＭ，ＩＭ１～ＩＭ７：検査方法、 Ｌ：光量、 ＭＭ，ＭＭ１：製造方法、 ＰＬ：パルス光、 ＴＳ：トリガ信号、 Ｖ，Ｖ０：出力、 Ｖ１：第１出力値、 Ｖｏｐ：動作電圧、 Ｗ：半導体ウェーハ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】