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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-02
(45)【発行日】2024-07-10
(54)【発明の名称】画像形成装置
(51)【国際特許分類】
B41J 2/447 20060101AFI20240703BHJP
B41J 2/45 20060101ALI20240703BHJP
H04N 1/036 20060101ALI20240703BHJP
【ＦＩ】
B41J2/447 101B
B41J2/45
B41J2/447 101P
B41J2/447 101A
H04N1/036
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2023128001
(22)【出願日】2023-08-04
(65)【公開番号】P2024031853
(43)【公開日】2024-03-07
【審査請求日】2023-08-14
(31)【優先権主張番号】P 2022132721
(32)【優先日】2022-08-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2022132722
(32)【優先日】2022-08-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000001007
【氏名又は名称】キヤノン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110003281
【氏名又は名称】弁理士法人大塚国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】赤木 太輔
(72)【発明者】
【氏名】関 広高
【審査官】上田 正樹
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２０－０７８９１８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２２－０９６９６３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２２－０９６９６７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２１－０３０５６５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２３－１４１８７３（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０２１／００８０８５３（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ４１Ｊ ２／４４７
Ｂ４１Ｊ ２／４５
Ｈ０４Ｎ １／０３６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
画像形成装置であって、回転するように駆動される感光体と、
前記感光体の軸方向において異なる位置に配置された複数の発光部を含む露光ヘッドであって、前記画像形成装置の出力解像度に対応する画像を前記複数の発光部により形成する当該露光ヘッドと、
補正データに基づいて、前記複数の発光部の駆動を制御する制御部と、
を備え、
前記画像は、少なくとも第１画素及び第２画素を含み、
前記制御部は、前記補正データに基づいて、前記複数の発光部のうち第１の数の発光部が前記第１画素を形成し、かつ前記複数の発光部のうち前記第１の数と異なる第２の数の発光部が前記第２画素を形成するように、前記複数の発光部の前記駆動を制御する、
画像形成装置。
【請求項2】
前記複数の発光部のうちの少なくとも２つの発光部は、前記軸方向において互いに重複する、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項3】
前記少なくとも２つの発光部は、前記軸方向において【数2】
【請求項4】
前記露光ヘッドは、前記感光体の周方向にＭ行（Ｍは２以上の整数）及び前記軸方向にＮ列（Ｎは２以上の整数）を有する二次元的に配列された複数の発光部を含み、前記Ｎ列のうち各列のＭ個の発光部のうちの少なくとも２つは、前記軸方向において互いに重複する、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項5】
前記Ｎ列のうち各列の前記Ｍ個の発光部の各々は、隣接する発光部に対して前記軸方向において【数3】
【請求項6】
前記補正データは、前記軸方向における画像幅を補正するためのデータである、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項7】
前記第１の数の発光部は、第１画素データで前記第１画素を形成するように駆動され、前記第２の数の発光部は、第２画素データで前記第２画素を形成するように駆動される、
請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項8】
前記第１画素データ及び前記第２画素データは、対応する発光部の発光又は非発光を示す二値のビットデータである、請求項７に記載の画像形成装置。
【請求項9】
前記制御部は、ある画像の画像幅を補正すべきでない場合には、前記露光ヘッドの前記複数の発光部を、当該画像の各画素を形成するために同じ数の発光部が駆動されるように制御する、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項10】
前記画像の画素の各々は、前記画像の前記画素のピッチよりも小さい前記軸方向のピッチで配置される複数の補助画素から構成され、前記制御部は、画像幅を補正するための前記補正データに基づいて、前記第１画素を構成する補助画素の数を制御し、
制御される前記数の補助画素は、前記第１画素を形成するために使用される発光部に対応する、
請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項11】
前記画像幅が拡大される場合、前記第１画素を構成する補助画素の前記数は、前記画像幅が補正されない場合に前記第１画素を構成する補助画素の数よりも大きい、請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項12】
前記画像幅が縮小される場合、前記第１画素を構成する補助画素の前記数は、前記画像幅が補正されない場合に前記第１画素を構成する補助画素の数よりも小さい、請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項13】
前記露光ヘッドは、データを保持するデータ保持部と、
前記データ保持部により保持される前記データに基づいて、前記複数の発光部のうちの対応する発光部を発光するように駆動する駆動部と、
を含む少なくとも１つの発光チップを含む、請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項14】
前記発光チップは、同期信号が入力される入力端子を含み、前記駆動部は、前記同期信号により示される期間中に、前記複数の発光部のうちの前記対応する発光部を発光するように駆動する、
請求項１３に記載の画像形成装置。
【請求項15】
前記複数の発光部の各々は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子である、請求項１に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、複数の発光部を有する露光装置を使用して画像を形成する画像形成装置に関する。
【背景技術】
【0002】
電子写真方式の画像形成装置は、回転駆動される感光体を露光することで感光体に静電潜像を形成し、当該静電潜像をトナーで現像することにより画像を形成する。なかでも、露光のために有機ＥＬ（Electro-Luminescence）素子を用いる有機ＥＬ型の露光装置は、レーザ光を用いるレーザ走査型の露光装置と比較して小型化、静音性の向上及び低コスト化が容易であるために、近年注目を集めている。
【0003】
特許文献１は、有機ＥＬ型の露光装置の露光ヘッドにおいて、同一のシリコン基板上に発光素子の配列及び駆動回路を設けることにより、装置の小型化を促進する技術を開示している。
【0004】
特許文献２は、基板上のチップの取付位置のばらつき又は基板の熱膨張に起因する画像の位置ずれを精細に補償するために、一群の発光素子の駆動に用いる画像データを高解像度化して補正する技術を開示している。
【0005】
特許文献３は、有機ＥＬ素子の二次元配列において、各列の発光素子を階段状にずらして配置し、それら発光素子を逐次的に発光させることで感光体上の各画素領域を多重的に露光する技術（いわゆる多重露光）を開示している。多重露光は、レーザ光ほど強い光を発することのできない有機ＥＬ素子を使用する有機ＥＬ型の露光装置において、十分な濃度の画像を形成するために必要な露光量を確保することを可能にする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【文献】特開２０２１－３５７６５号公報
【文献】特開２０１９－２１７６５３号公報
【文献】特開２０２２－９６９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
特許文献２において示唆されているように、露光装置又は画像形成装置を製造する際に部品の配置にいくらかの誤差が生じることは避け難い。製造後にも、温度変化のような環境要因、又は運搬、設置若しくは使用時の物理的な力が装置内部の部品の配置のずれを引き起こすことがあり得る。感光体を１ラインずつレーザ光で走査するレーザ走査型の露光装置ならば、単純に走査範囲を調整して画像形成位置を変更し又は画像形成範囲を拡縮することができるが、ＬＥＤ素子又は有機ＥＬ素子などで露光を行う露光装置では同様の技術を採用できない。特許文献２により開示された技術は、高精細な位置ずれの補償を可能にするものの、画像データの解像度変換のための重み付け演算など比較的負荷の高い処理を要するために回路規模が大きくなりがちで、小型化や低コスト化が望まれる装置には必ずしも適さない。
【0008】
本発明は、画像形成範囲の誤差を補償するための改善された仕組みを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
ある観点によれば、画像形成装置であって、回転するように駆動される感光体と、前記感光体の軸方向において異なる位置に配置された複数の発光部を含む露光ヘッドであって、前記画像形成装置の出力解像度に対応する画像を前記複数の発光部により形成する当該露光ヘッドと、補正データに基づいて、前記複数の発光部の駆動を制御する制御部と、を備え、前記画像は、少なくとも第１画素及び第２画素を含み、前記制御部は、前記補正データに基づいて、前記複数の発光部のうち第１の数の発光部が前記第１画素を形成し、かつ前記複数の発光部のうち前記第１の数と異なる第２の数の発光部が前記第２画素を形成するように、前記複数の発光部の前記駆動を制御する、画像形成装置が提供される。
【発明の効果】
【0012】
本発明によれば、画像形成範囲の誤差を補償するための改善された仕組みが提供される。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【図1】一実施形態に係る画像形成装置の概略的な構成を示す構成図。
【図2】一実施形態に係る感光体及び露光ヘッドの構成についての説明図。
【図3】一実施形態に係る露光ヘッドのプリント基板の構成についての説明図。
【図4】一実施形態に係る発光チップ及び発光チップ内の発光素子配列についての説明図。
【図5】一実施形態に係る発光チップの概略的な構成を示す平面図。
【図6】一実施形態に係る発光チップの概略的な構成を示す断面図。
【図7】一実施形態に係る露光装置の制御構成を示す回路図。
【図8】一実施形態に係る発光チップのレジスタへのアクセスに関連する信号チャート。
【図9】一実施形態に係る発光チップへの画像データの送信に関連する信号チャート。
【図10】一実施形態に係る発光チップの詳細な構成を示す機能ブロック図。
【図11】階段状に配列された発光素子による多重露光についての説明図。
【図12A】入力画像データに基づく発光制御の手順についての説明図。
【図12B】入力画像データに基づく発光制御の手順についての説明図。
【図12C】入力画像データに基づく発光制御の手順についての説明図。
【図12D】入力画像データに基づく発光制御の手順についての説明図。
【図13A】第１のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図13B】第１のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図13C】第１のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図13D】第１のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図14A】第２のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図14B】第２のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図14C】第２のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図14D】第２のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図15A】第３のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図15B】第３のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図15C】第３のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図15D】第３のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図。
【図16A】倍率誤差の補償（画素値の挿入）を含む発光制御の手順についての説明図。
【図16B】倍率誤差の補償（画素値の挿入）を含む発光制御の手順についての説明図。
【図16C】倍率誤差の補償（画素値の挿入）を含む発光制御の手順についての説明図。
【図16D】倍率誤差の補償（画素値の挿入）を含む発光制御の手順についての説明図。
【図17A】倍率誤差の補償（画素値の間引き）を含む発光制御の手順についての説明図。
【図17B】倍率誤差の補償（画素値の間引き）を含む発光制御の手順についての説明図。
【図17C】倍率誤差の補償（画素値の間引き）を含む発光制御の手順についての説明図。
【図17D】倍率誤差の補償（画素値の間引き）を含む発光制御の手順についての説明図。
【図18】倍率誤差の補償（複数個の画素値の挿入）を含む発光制御の手順についての説明図。
【図19】補助画素配列を用いた画素値の出力制御の実装例についての説明図。
【図20A】第１ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図20B】第２ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図20C】第３ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図20D】第４ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図21】位置ずれが検出された場合の補助画素配列における画素値のシフトについての説明図。
【図22A】位置ずれ補償の場合の第１ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図22B】位置ずれ補償の場合の第２ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図22C】位置ずれ補償の場合の第３ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図22D】位置ずれ補償の場合の第４ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図23】倍率誤差が検出された場合の補助画素配列における画素値の挿入についての説明図。
【図24A】倍率誤差補償（誤差倍率＜１）の場合の第１ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図24B】倍率誤差補償（誤差倍率＜１）の場合の第２ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図24C】倍率誤差補償（誤差倍率＜１）の場合の第３ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図24D】倍率誤差補償（誤差倍率＜１）の場合の第４ライン周期における画素値の読出し元の補助画素についての説明図。
【図25】倍率誤差が検出された場合の補助画素配列における画素値の間引きについての説明図。
【発明を実施するための形態】
【0014】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【0015】
＜１．画像形成装置の概略的な構成＞
図１は、一実施形態に係る画像形成装置１の概略的な構成の一例を示している。画像形成装置１は、読取部１００、作像部１０３、定着部１０４及び搬送部１０５を備える。読取部１００は、原稿台に置かれた原稿を光学的に読み取って、読取画像データを生成する。作像部１０３は、例えば、読取部１００によって生成された読取画像データに基づき、或いは、ネットワークを介して外部装置から受信される印刷用画像データに基づき、シートに画像を形成する。
図１は、一実施形態に係る画像形成装置１の概略的な構成の一例を示している。画像形成装置１は、読取部１００、作像部１０３、定着部１０４及び搬送部１０５を備える。読取部１００は、原稿台に置かれた原稿を光学的に読み取って、読取画像データを生成する。作像部１０３は、例えば、読取部１００によって生成された読取画像データに基づき、或いは、ネットワークを介して外部装置から受信される印刷用画像データに基づき、シートに画像を形成する。
【0016】
作像部１０３は、画像形成部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ及び１０１ｄを有する。画像形成部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ及び１０１ｄは、それぞれ、ブラック、イエロー、マゼンタ及びシアンのトナー像を形成する。画像形成部１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ及び１０１ｄの構成は同様であり、以下では、総称して画像形成部１０１ともいう。画像形成部１０１の感光体１０２は、画像形成時、図の時計回り方向に回転駆動される。帯電器１０７は、感光体１０２を帯電させる。露光ヘッド１０６は、感光体１０２を露光して、感光体１０２の表面上に静電潜像を形成する。現像器１０８は、感光体１０２の静電潜像をトナーで現像して、トナー像を形成する。感光体１０２の表面上に形成されたトナー像は、転写ベルト１１１上を搬送されるシートに転写される。４つの感光体１０２のトナー像を重ねてシートに転写することで、ブラック、イエロー、マゼンタ及びシアンという４つの色成分を含むカラー画像を形成することができる。
【0017】
搬送部１０５は、シートの給送及び搬送を制御する。具体的には、搬送部１０５は、内部格納ユニット１０９ａ及び１０９ｂと、外部格納ユニット１０９ｃと、手差しユニット１０９ｄと、のうちの指定されたユニットから画像形成装置１の搬送路にシートを給送する。給送されたシートは、レジストレーションローラ１１０まで搬送される。レジストレーションローラ１１０は、各感光体１０２のトナー像がシートに転写されるように、適切なタイミングでシートを転写ベルト１１１上へ搬送する。上述したように、シートが転写ベルト１１１上を搬送されている間に、シートにトナー像が転写される。定着部１０４は、トナー像が転写されたシートを加熱し及び加圧することによりトナー像をシートに定着させる。トナー像の定着後、シートは排出ローラ１１２によって画像形成装置１の外部に排出される。転写ベルト１１１の対向位置には、光学センサ１１３が配置される。光学センサ１１３は、画像形成部１０１によって転写ベルト１１１に形成されるテストチャートを光学的に読取る。後述する画像コントローラ７００は、光学センサ１１３により読取られたテストチャートについて画像形成範囲の誤差が検出された場合、その後のジョブの実行時に誤差を補償するための制御を行う。
【0018】
なお、ここでは転写ベルト１１１上のシートに各感光体１０２からトナー像が直接的に転写される例を説明したが、トナー像は、各感光体１０２から中間転写体を介して間接的にシートに転写されてもよい。また、ここでは複数の色のトナーを用いてカラー画像を形成する例を説明したが、本開示に係る技術は、単一の色のトナーを用いてモノクロ画像を形成する画像形成装置にも適用可能である。
【0019】
＜２．露光ヘッドの構成例＞
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、感光体１０２及び露光ヘッド１０６を示している。露光ヘッド１０６は、発光素子配列２０１と、発光素子配列２０１が実装されるプリント基板２０２と、ロッドレンズアレイ２０３と、プリント基板２０２及びロッドレンズアレイ２０３を支持するハウジング２０４と、を有する。感光体１０２は、円筒状の形状を有する。露光ヘッド１０６は、その長手方向が感光体１０２の軸方向Ｄ１と平行となり、ロッドレンズアレイ２０３が取付けられた面が感光体１０２の表面に対向するように配置される。感光体１０２が周方向Ｄ２に回転している間に、露光ヘッド１０６の発光素子配列２０１は光を射出し、ロッドレンズアレイ２０３がその光を感光体１０２の表面上に集光する。
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、感光体１０２及び露光ヘッド１０６を示している。露光ヘッド１０６は、発光素子配列２０１と、発光素子配列２０１が実装されるプリント基板２０２と、ロッドレンズアレイ２０３と、プリント基板２０２及びロッドレンズアレイ２０３を支持するハウジング２０４と、を有する。感光体１０２は、円筒状の形状を有する。露光ヘッド１０６は、その長手方向が感光体１０２の軸方向Ｄ１と平行となり、ロッドレンズアレイ２０３が取付けられた面が感光体１０２の表面に対向するように配置される。感光体１０２が周方向Ｄ２に回転している間に、露光ヘッド１０６の発光素子配列２０１は光を射出し、ロッドレンズアレイ２０３がその光を感光体１０２の表面上に集光する。
【0020】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、プリント基板２０２の構成の一例を示している。なお、図３（Ａ）は、コネクタ３０５が実装されている面を示し、図３（Ｂ）は、発光素子配列２０１が実装されている面（コネクタ３０５が実装されている面とは反対側の面）を示している。図４は、発光チップ４００、及び発光チップ４００内の発光素子６０２の配列を概略的に示している。
【0021】
本実施形態において、発光素子配列２０１は、二次元的に配列された複数の発光素子を有する。発光素子配列２０１は、全体として、感光体の軸方向Ｄ１にＮ列及び周方向Ｄ２にＭ行の発光素子を含み、ここでＭ及びＮは２以上の整数である。図３（Ｂ）の例では、発光素子配列２０１は、各々が複数の発光素子全体のうちのサブセットを含む２０個の発光チップ４００－１～４００－２０に分けて構成され、発光チップ４００－１～４００－２０は、軸方向Ｄ１に沿って千鳥状に配列される。発光チップ４００－１～４００－２０を総称して発光チップ４００ともいう。図３（Ｂ）に示したように、２０個の発光チップの全ての発光素子が軸方向Ｄ１において占める範囲は、入力画像データの最大幅Ｗ０が占める範囲よりも広い。したがって、軸方向Ｄ１の両端に位置するいくつかの発光素子は、画像形成範囲の誤差が検出されない限り、感光体１０２を露光するために使用されなくてよい。プリント基板２０２の各発光チップ４００は、コネクタ３０５を介して、画像コントローラ７００（図７）に接続される。なお、以下では、説明の便宜上、軸方向Ｄ１に沿って並ぶ発光チップ４００－１～４００－２０の枝番の小さい側を「左」、枝番の大きい側を「右」と称することがある。例えば、発光チップ４００－１は左端の発光チップ４００、発光チップ４００－２０は右端の発光チップである。
【0022】
１つの発光チップ４００の各行に配列される発光素子６０２の個数Ｊ（Ｊ＝Ｎ／２０）は、例えば７４８に等しくてよい（Ｊ＝７４８）。一方、１つの発光チップ４００の各列に配列される発光素子６０２の個数Ｍは、例えば４に等しくてよい（Ｍ＝４）。つまり、例示的な実施形態において、各発光チップ４００は、軸方向Ｄ１に７４８個、周方向Ｄ２に４個として、計２９９２（＝７４８×４）個の発光素子６０２を有する。周方向Ｄ２に隣り合う発光素子６０２の中心点の間の間隔ＰＣは、例えば１２００ｄｐｉの解像度に対応する約２１．１６μｍであってよい。軸方向Ｄ１に隣り合う発光素子６０２の中心点の間の間隔もまた約２１．１６μｍであってよく、この場合、７４８個の発光素子６０２は軸方向Ｄ１において約１５．８ｍｍの長さを占める。なお、図４には、説明の便宜上、各発光チップ４００において発光素子６０２が完全に格子状に配列されている例を示しているが、実際には、各列のＭ個（Ｍ＝４）の発光素子６０２は階段状に配列される。この点については、後にさらに説明する。
【0023】
図５は、発光チップ４００の概略的な構成を示す平面図である。各発光チップ４００の複数の発光素子６０２は、例えば、シリコン基板である発光基板４０２の上に形成される。また、発光基板４０２には、複数の発光素子６０２を駆動するための回路部４０６が設けられる。パッド４０８－１～４０８－９には、画像コントローラ７００と通信するための信号線や、電源に接続するための電源線や、グラウンドに接続するためのグラウンド線が接続される。信号線や、電源線や、グラウンド線は、例えば、金でできたワイヤであってよい。
【0024】
図６は、図５のＡ－Ａ線での断面の一部を示している。発光基板４０２上には複数の下部電極５０４が形成される。隣接する２つの下部電極５０４の間には、長さｄのギャップが設けられる。下部電極５０４の上には発光層５０６が設けられ、発光層５０６の上には上部電極５０８が設けられる。上部電極５０８は、複数の下部電極５０４に対する１つの共通電極である。下部電極５０４と上部電極５０８との間に電圧が印加されると、下部電極５０４から上部電極５０８に電流が流れることで発光層５０６が発光する。したがって、１つの下部電極５０４と、当該下部電極５０４に対応する発光層５０６及び上部電極５０８の部分領域が１つの発光素子６０２を構成する。即ち、本実施形態において、発光基板４０２は、複数の発光素子６０２を含む。
【0025】
発光層５０６には、例えば、有機ＥＬ膜を使用することができる。上部電極５０８は、発光層５０６の発光波長を透過させるように、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの透明電極で構成される。なお、本実施形態では、上部電極５０８の全体が発光層５０６の発光波長を透過させているが、上部電極５０８の全体が発光波長を透過させる必要はない。具体的には、各発光素子６０２からの光が通過する部分領域が発光波長を透過させればよい。
【0026】
なお、図６では、１つの連続的な発光層５０６が形成されているが、下部電極５０４の幅Ｗと同等の幅を各々有する複数の発光層５０６が下部電極５０４の上にそれぞれ形成されてもよい。また、図６では、上部電極５０８が複数の下部電極５０４に対する１つの共通電極として形成されているが、下部電極５０４の幅Ｗと同等の幅を各々有する複数の上部電極５０８が下部電極５０４のそれぞれに対応して形成されてもよい。また、各発光チップ４００の下部電極５０４のうち第１の複数の下部電極５０４が第１の発光層５０６により覆われ、第２の複数の下部電極５０４が第２の発光層５０６により覆われてもよい。同様に、各発光チップ４００の下部電極５０４のうち第１の複数の下部電極５０４に対応して第１の上部電極５０８が共通に形成され、第２の複数の下部電極５０４に対応して第２の上部電極５０８が共通に形成されてもよい。これらのような構成においても、１つの下部電極５０４と、当該下部電極５０４に対応する発光層５０６及び上部電極５０８の領域が１つの発光素子６０２を構成する。
【0027】
図７は、発光チップ４００を制御するための制御構成に関連する回路図である。画像コントローラ７００は、複数の信号線（ワイヤ）を介してプリント基板２０２と通信する制御回路である。画像コントローラ７００は、ＣＰＵ７０１、クロック生成部７０２、画像データ処理部７０３、レジスタアクセス部７０４、及び発光制御部７０５を有する。発光制御部７０５は、露光ヘッド１０６と共に露光装置を構成する構成要素である。発光制御部７０５は、プリント基板２０２との間の信号線を終端する。プリント基板２０２上のｎ番目の発光チップ４００－ｎ（ｎは１から２０までの整数）は、信号線ＤＡＴＡｎ及び信号線ＷＲＩＴＥｎを介して発光制御部７０５へ接続される。信号線ＤＡＴＡｎは、画像データを画像コントローラ７００から発光チップ４００－ｎへ送信するために使用される。信号線ＷＲＩＴＥｎは、画像コントローラ７００が発光チップ４００－ｎのレジスタに制御データを書き込むために使用される。
【0028】
発光制御部７０５と各発光チップ４００との間には、さらに１つの信号線ＣＬＫ、１つの信号線ＳＹＮＣ、及び１つの信号線ＥＮが設けられる。信号線ＣＬＫは、信号線ＤＡＴＡｎ及びＷＲＩＴＥｎでのデータの送信のためのクロック信号を送信するために使用される。発光制御部７０５は、クロック生成部７０２からの基準クロック信号に基づき生成したクロック信号を信号線ＣＬＫに出力する。信号線ＳＹＮＣ及び信号線ＥＮに送信される信号については後述する。
【0029】
ＣＰＵ７０１は、画像形成装置１の全体を制御する。画像データ処理部７０３は、読取部１００又は外部装置から受信される画像データに対して画像処理を行って、プリント基板２０２上の発光チップ４００の発光素子６０２の発光のオン・オフを制御するための二値のビットマップ形式の画像データを生成する。ここでの画像処理は、例えば、ラスタ変換、階調補正、色変換、及びハーフトーン処理を含み得る。画像データ処理部７０３は、生成した画像データを、入力画像データとして発光制御部７０５に送信する。レジスタアクセス部７０４は、各発光チップ４００内のレジスタに書き込むべき制御データをＣＰＵ７０１から受信して発光制御部７０５に送信する。
【0030】
図８は、発光チップ４００のレジスタに制御データを書き込む場合における各信号線の信号レベルの推移を示している。信号線ＥＮには、通信の間、ハイレベルとなって通信中であることを示すイネーブル信号が出力される。発光制御部７０５は、イネーブル信号の立ち上がりに同期して、スタートビットを信号線ＷＲＩＴＥｎに送信する。続いて、発光制御部７０５は、書き込み動作であることを示すライト識別ビットを送信し、その後、制御データを書き込むレジスタのアドレス（本例では４ビット）と、制御データ（本例では８ビット）を送信する。発光制御部７０５は、レジスタへの書き込みの際に、例えば、信号線ＣＬＫに送信するクロック信号の周波数を３ＭＨｚとする。
【0031】
図９は、各発光チップ４００に画像データを送信する場合における各信号線の信号レベルの推移を示している。信号線ＳＹＮＣには、感光体１０２における各ラインの露光タイミングを示す周期的なライン同期信号が出力される。感光体１０２の周速度を２００ｍｍ／ｓとし、周方向の解像度を１２００ｄｐｉ（約２１．１６μｍ）とすると、ライン同期信号は、約１０５．８μｓの周期で出力される。発光制御部７０５は、ライン同期信号の立ち上がりに同期して、画像データを信号線ＤＡＴＡ１～ＤＡＴＡ２０に送信する。本実施形態において、各発光チップ４００は、２９９２個の発光素子６０２を有するため、約１０５．８μｓの周期内に計２９９２個の発光素子６０２それぞれの発光・非発光を示す画像データを各発光チップ４００に送信する必要がある。そのため、本例では、図９に示すように、画像データの送信の際、発光制御部７０５は、信号線ＣＬＫに送信するクロック信号の周波数を３０ＭＨｚに設定する。
【0032】
図１０は、１つの発光チップ４００（ｎ番目の発光チップ４００－ｎ）の詳細な構成を示す機能ブロック図である。図５にも示したように、発光チップ４００は、９個のパッド（入力端子）４０８―１～４０８－９を有する。パッド４０８－１及びパッド４０８―２は、電源線により、電源電圧ＶＣＣに接続される。発光チップ４００の回路部４０６の各回路には、この電源電圧ＶＣＣによる電力が供給される。パッド４０８－３及びパッド４０８－４は、グラウンド線により、グラウンドに接続される。回路部４０６の各回路及び上部電極５０８は、パッド４０８－３及びパッド４０８－４を介してグラウンドに接続される。信号線ＣＬＫは、パッド４０８－５を介して、転送部１００３、レジスタ１１０２及びラッチ部１００４－００１～７４８に接続される。信号線ＳＹＮＣ及びＤＡＴＡｎは、パッド４０８－６及び４０８－７を介して、転送部１００３に接続される。信号線ＥＮ及びＷＲＩＴＥｎは、パッド４０８－８及び４０８－９を介して、レジスタ１１０２に接続される。レジスタ１１０２には、例えば発光素子６０２の所望の発光強度を示す制御データが格納される。
【0033】
転送部１００３は、信号線ＳＹＮＣからのライン同期信号を起点として、信号線ＣＬＫからのクロック信号に同期して、各々１つの発光素子６０２の発光又は非発光を示す一連の画素値を含む入力画像データを信号線ＤＡＴＡｎから受信する。転送部１００３は、信号線ＤＡＴＡｎからシリアルに受信される一連の画素値について、Ｍ個（例えば、Ｍ＝４）の画素値の単位でシリアル－パラレル変換を行う。例えば、転送部１００３は、カスケード接続された４個のＤフリップフロップを有し、４クロックにわたって入力される画素値ＤＡＴＡ－１、ＤＡＴＡ－２、ＤＡＴＡ－３、ＤＡＴＡ－４を並列化してラッチ部１００４－００１～１００４－７４８へ出力する。また、転送部１００３は、ライン同期信号を遅延させるための４個のＤフリップフロップをさらに有し、ライン同期信号が入力されてから４クロック遅れたタイミングで信号線ＬＡＴ１を介してラッチ部１００４－００１へ第１ラッチ信号を出力する。
【0034】
ｋ番目のラッチ部（データ保持部）１００４－ｋ（ｋは１から７４８までの整数）は、第ｋラッチ信号の入力と同時に転送部１００３から入力される４つの画素値ＤＡＴＡ－１、ＤＡＴＡ－２、ＤＡＴＡ－３、ＤＡＴＡ－４をラッチ回路により保持する。また、最後段のラッチ部１００４－７４８を除いて、ｋ番目のラッチ部１００４－ｋは、第ｋラッチ信号を４クロック分遅延させて第（ｋ＋１）ラッチ信号を信号線ＬＡＴ（ｋ＋１）を介してラッチ部１００４－（ｋ＋１）へ出力する。そして、ｋ番目のラッチ部１００４－ｋは、第ｋラッチ信号の信号周期の間、ラッチ回路により保持している４つの画素値に基づく駆動信号を電流駆動部１１０４へ出力し続ける。例えば、ラッチ部１００４－１へ第１ラッチ信号が入力されるタイミングとラッチ部１００４－２へ第２ラッチ信号が入力されるタイミングとの間には、４クロック分の遅延がある。そのため、ラッチ部１００４－１は１、２、３及び４番目の画素値に基づく駆動信号を電流駆動部１１０４へ出力するのに対し、ラッチ部１００４－２は５、６、７及び８番目の画素値に基づく駆動信号を電流駆動部１１０４へ出力する。概していうと、ラッチ部１００４－ｋは（４ｋ－３）、（４ｋ－２）、（４ｋ－１）及び（４ｋ）番目の画素値に基づく駆動信号を電流駆動部１１０４へ出力する。したがって、図１０に示した実施形態では、７４８個のラッチ部１００４－００１～１００４－７４８によって、２９９２（＝７４８×４）個の発光素子６０２の駆動を制御するための２９９２個の駆動信号が電流駆動部１１０４へ略並列的に出力される。各駆動信号は、ハイレベル又はローレベルを示す二値信号である。
【0035】
電流駆動部１１０４は、それぞれ発光層５０６の部分領域を含む２９９２個の発光素子６０２にそれぞれ対応する２９９２個の発光駆動回路を有する。各発光駆動回路は、対応する駆動信号が発光のオンを意味するハイレベルを示している間、レジスタ１１０２内の制御データにより示される発光強度に対応する駆動電圧を、対応する発光素子６０２の発光層５０６に印加する。それにより、発光層５０６に電流が流れて発光素子６０２が発光する。なお、制御データは、各発光素子６０２について１つの個別の発光強度を示してもよく、発光素子６０２のグループごとに１つの発光強度を示してもよく、又は全ての発光素子６０２に共通の１つの発光強度を示してもよい。
【0036】
＜３．多重露光の制御＞
図４には各発光チップ４００において発光素子６０２が完全に格子状に配列されている例を示したが、実際には、本実施形態において、各列のＭ個の発光素子６０２は一定のピッチで階段状に配列され得る。図１１は、階段状に配列された発光素子による多重露光についての説明図である。ここでは、Ｍ＝４である場合の、発光チップ４００－１における発光素子の配置の例が部分的に示されている。図中のＲｊ＿ｍ（ｊ＝｛０，１，...，Ｊ－１｝、ｍ＝｛０，１，２，３｝）は、軸方向に左からｊ列目、周方向に上からｍ行目の発光素子６０２を表す。発光素子の周方向のピッチＰＣは、上述したように、約２１．１６μｍであってよい。各列のＭ個の発光素子のうちの隣り合う２つの発光素子の間の、軸方向における間隔、即ち発光素子の軸方向のピッチＰＡは、４８００ｄｐｉの解像度に対応する約５μｍであってよい。
図４には各発光チップ４００において発光素子６０２が完全に格子状に配列されている例を示したが、実際には、本実施形態において、各列のＭ個の発光素子６０２は一定のピッチで階段状に配列され得る。図１１は、階段状に配列された発光素子による多重露光についての説明図である。ここでは、Ｍ＝４である場合の、発光チップ４００－１における発光素子の配置の例が部分的に示されている。図中のＲｊ＿ｍ（ｊ＝｛０，１，...，Ｊ－１｝、ｍ＝｛０，１，２，３｝）は、軸方向に左からｊ列目、周方向に上からｍ行目の発光素子６０２を表す。発光素子の周方向のピッチＰＣは、上述したように、約２１．１６μｍであってよい。各列のＭ個の発光素子のうちの隣り合う２つの発光素子の間の、軸方向における間隔、即ち発光素子の軸方向のピッチＰＡは、４８００ｄｐｉの解像度に対応する約５μｍであってよい。
【0037】
このように各列の４個の発光素子が階段状に配列されることで、それら４個の発光素子のうちの隣り合うどの２つの発光素子も、軸方向において部分的に重複する範囲を占める。そして、入力画像データの各画素位置に対応する列の４個の発光素子が感光体１０２が回転している間に逐次的に発光することにより、各画素位置に対応するスポットが感光体１０２の表面上に形成される。ここで、各画素位置に対応するスポットは、シート上に形成される画像の画素にも対応する。図１１の例では、入力画像データのｉ番目のラインの左端の画素値が発光オンを示している場合、発光素子Ｒ０＿０、Ｒ０＿１、Ｒ０＿２、Ｒ０＿３が感光体１０２の表面上のラインＬｉにそれぞれ対向するタイミングで逐次的に発光する。その結果、ラインＬｉの左端のスポット領域が多重的に露光され、対応するスポットＳＰ０が形成される。同様に、入力画像データのｉ番目のラインの左からｊ番目の画素値が発光オンを示している場合、発光素子Ｒｊ＿０、Ｒｊ＿１、Ｒｊ＿２、Ｒｊ＿３が感光体１０２の表面上のラインＬｉにそれぞれ対向するタイミングで逐次的に発光する。その結果、ラインＬｉの左からｊ番目のスポット領域が多重的に露光され、対応するスポットＳＰｊが形成される。
【0038】
図１１から理解されるように、本実施形態において、軸方向に隣り合う２つの列の発光素子もまた、軸方向において部分的に重複する範囲を占める。同様に、軸方向に隣り合う２つの発光チップ４００のうちの、左の発光チップ４００の右端列の発光素子、及び右の発光チップ４００の左端列の発光素子もまた、軸方向において部分的に重複する範囲を占める。２０個の発光チップ４００の全体にわたって、発光素子の軸方向のピッチＰＡは約５μｍで一定である。これら発光チップ４００の各列の４個の発光素子が適切なタイミングで逐次的に発光することで、感光体１０２の表面上に、一定のスポット間隔を有し互いに部分的に重複する一連のスポットからなる、滑らかな静電潜像のラインが形成され得る。そして、そうしたラインが周方向に連続的に形成される結果として、２次元の静電潜像が生み出される。
【0039】
なお、ここでは、ラインＬｉの左端のスポット領域が発光素子Ｒ０＿０、Ｒ０＿１、Ｒ０＿２、Ｒ０＿３からの光に露光されるものとして説明した。実際には、発光素子Ｒ０＿０、Ｒ０＿１、Ｒ０＿２、Ｒ０＿３は、全ての発光チップ４００の最も左の発光素子ではなく、それらのさらに左側に、通常は（画像形成範囲の誤差が検出されない限り）発光することのない発光素子の列が存在し得る。右端についても同様のことが言える。
【0040】
また、本開示に係る技術は、隣り合うどの２つの発光素子も軸方向において部分的に重複する範囲を占めるように各列のＭ個の発光素子が階段状に配置される上述した例には限定されない。例えば、各列のＭ個の発光素子は、そのうち少なくとも２つの隣り合う発光素子が軸方向において互いに重複するように配置されてもよい。
【0041】
図１２Ａ～図１２Ｄは、入力画像データに基づく発光制御の手順についての説明図である。画像形成に際して、発光制御部７０５は、二値のビットマップ形式の入力画像データＩＭ１を画像データ処理部７０３から受信する。図１２Ａの左では、２次元の画素値配列である入力画像データＩＭ１の上からｉ番目のラインの左からｊ番目の画素値を（ｊ，ｉ）と表記している（ｊ＝｛０，１，２，...｝、ｉ＝｛０，１，２，...｝）。発光制御部７０５は、入力画像データＩＭ１の先頭に（Ｍ－１）ライン分のダミーの画素値を付加する。Ｍ＝４の場合、付加されるダミーの画素値を含めると、画素値のインデックスｉのレンジは｛－３，－２，－１，０，１，２，...｝となる。ダミーの画素値は、例えば発光のオフを意味するゼロであってよい。発光制御部７０５は、１ラインの画素値の個数が軸方向の発光素子の個数に等しくなるように入力画像データＩＭ１の左右にもダミーの画素値を付加し得るが、説明の簡明さのために、ここでは軸方向に関しては実効的な画素値のみを示している。
【0042】
画像形成の最初のライン周期ｔ０において、発光制御部７０５は、入力画像データＩＭ１の上から４ラインの画素値を読出し、読出した画素値の２９９２（＝７４８×４）個ごとのサブセットを信号線ＤＡＴＡｎを介して発光チップ４００－ｎへ出力する。図１２Ａの右に示した発光チップ４００－１に注目すると、ライン周期ｔ０の期間中に、（０，－３）から（７４８，０）までの画素値を含む読出し範囲ＲＤ内の画像データが、信号線ＤＡＴＡ１を介して入力される。発光チップ４００－１は、入力された画像データをシリアル－パラレル変換し、それら画素値に基づく駆動信号を２９９２個の発光素子へそれぞれ供給する。例えば、画素値（０，－３）、（０，－２）、（０，－１）、（０，０）及び（１，－３）に基づく駆動信号が、発光素子Ｒ０＿０、Ｒ０＿１、Ｒ０＿２、Ｒ０＿３及びＲ１＿０へ供給される。とりわけ、図中で破線で示したように、発光素子Ｒ０＿３を含む４行目の発光素子に、入力画像データＩＭ１のインデクスｉ＝０のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号が供給される。その結果、感光体１０２の表面上のラインＬ０が、入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の画素値集合に従って露光される。但し、この時点では、多重露光の途中であり、静電潜像のラインＬ０の形成は完了しない。
【0043】
図１２Ｂには、次のライン周期ｔ０＋１の期間中の発光チップ４００－１の駆動の様子が示されている。ライン周期ｔ０＋１において、発光制御部７０５は、入力画像データＩＭ１の読出し範囲ＲＤを１ライン下へ移動させ、（０，－２）から（７４８，１）までの画素値を読出して、信号線ＤＡＴＡ１を介して発光チップ４００－１へ出力する。発光チップ４００－１は、入力されたそれら画素値に基づく駆動信号を２９９２個の発光素子へ供給する。例えば、画素値（０，－２）、（０，－１）、（０，０）、（０，１）及び（１，－２）に基づく駆動信号が、発光素子Ｒ０＿０、Ｒ０＿１、Ｒ０＿２、Ｒ０＿３及びＲ１＿０へ供給される。ライン周期ｔ０＋１においては、発光素子Ｒ０＿２を含む３行目の発光素子に入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号が供給される。このとき、感光体１０２が周方向に回転しているため、感光体１０２の表面上のラインＬ０は、発光チップ４００－１の３行目の発光素子に対向している。その結果、感光体１０２の表面上のラインＬ０は、再び入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の画素値集合に従って露光される。
【0044】
図１２Ｃには、次のライン周期ｔ０＋２の期間中の発光チップ４００－１の駆動の様子が示されている。ライン周期ｔ０＋２において、発光制御部７０５は、入力画像データＩＭ１の読出し範囲ＲＤをさらに１ライン下へ移動させ、（０，－１）から（７４８，２）までの画素値を読出して、信号線ＤＡＴＡ１を介して発光チップ４００－１へ出力する。発光チップ４００－１は、入力されたそれら画素値に基づく駆動信号を２９９２個の発光素子へ供給する。ライン周期ｔ０＋２においては、発光素子Ｒ０＿１を含む２行目の発光素子に入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号が供給される。このとき、感光体１０２の表面上のラインＬ０は、発光チップ４００－１の２行目の発光素子に対向している。その結果、感光体１０２の表面上のラインＬ０は、三たび入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の画素値集合に従って露光される。
【0045】
図１２Ｄには、次のライン周期ｔ０＋３の期間中の発光チップ４００－１の駆動の様子が示されている。ライン周期ｔ０＋３において、発光制御部７０５は、入力画像データＩＭ１の読出し範囲ＲＤをさらに１ライン下へ移動させ、（０，０）から（７４８，３）までの画素値を読出して、信号線ＤＡＴＡ１を介して発光チップ４００－１へ出力する。発光チップ４００－１は、入力されたそれら画素値に基づく駆動信号を２９９２個の発光素子へ供給する。ライン周期ｔ０＋３においては、発光素子Ｒ０＿０を含む１行目の発光素子に入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号が供給される。このとき、感光体１０２の表面上のラインＬ０は、発光チップ４００－１の１行目の発光素子に対向している。その結果、感光体１０２の表面上のラインＬ０は、四たび入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の画素値集合に従って露光される。この時点で、発光チップ４００の各列の４個の発光素子による多重露光が行われたことになり、静電潜像のラインＬ０の形成が完了する。静電潜像のラインＬ０に後続するラインも、こうしたライン周期の繰り返しを通じて、同様に感光体１０２の表面上に形成され得る。
【0046】
このように、本実施形態では、各画素位置の画素値に基づく駆動信号が、発光素子配列の対応する列の４つの発光素子へ入力される。具体的には、例えば、画素値（０，０）に基づく駆動信号が、４つの発光素子Ｒ０＿３、Ｒ０＿２、Ｒ０＿１及びＲ０＿０へ入力される。そして、これら４つの発光素子が駆動信号に従って発光すると、画素値（０，０）に対応するスポットが、感光体１０２の表面上に形成される。同様に、画素値（１，０）に基づく駆動信号が、４つの発光素子Ｒ１＿３、Ｒ１＿２、Ｒ１＿１及びＲ１＿０へ入力される。そして、これら４つの発光素子が駆動信号に従って発光すると、画素値（１，０）に対応するスポットが、感光体１０２の表面上に形成される。
このようにして、本実施形態では、複数の発光部（例えば、発光素子）が、画像の画素を形成するための画素値（画素データ）で駆動される。例えば、軸方向において１２００ｄｐｉの出力解像度の画像を形成する場合、各画素は、通常、軸方向において４８００ｄｐｉのピッチＰＡで配置された４つの発光部を用いて形成される。１画素を形成するために使用される発光部の数は、各列の発光部の数Ｍと等しくてよく、軸方向におけるＭ個の発光部のピッチは、出力解像度の１／Ｍに相当するピッチとなる。換言すると、１画素を形成するために使用されるＭ個の発光部のうち少なくとも２つの発光部は、軸方向において、
だけ重複し、ここでＰは出力解像度に対応する１画素の軸方向の長さである。なお、重複の長さは、上記例には限定されない。
このようにして、本実施形態では、複数の発光部（例えば、発光素子）が、画像の画素を形成するための画素値（画素データ）で駆動される。例えば、軸方向において１２００ｄｐｉの出力解像度の画像を形成する場合、各画素は、通常、軸方向において４８００ｄｐｉのピッチＰＡで配置された４つの発光部を用いて形成される。１画素を形成するために使用される発光部の数は、各列の発光部の数Ｍと等しくてよく、軸方向におけるＭ個の発光部のピッチは、出力解像度の１／Ｍに相当するピッチとなる。換言すると、１画素を形成するために使用されるＭ個の発光部のうち少なくとも２つの発光部は、軸方向において、
【数1】
【0047】
本節での説明から理解されるように、発光制御部７０５は、入力画像データＩＭ１のＭラインにわたる読出し範囲から読出される画素値に基づいて、複数の発光素子６０２を発光させる。その読出し範囲は、ライン周期ごとに１ラインずつ移動する。このような読出し範囲の制御は、次に説明する画像形成範囲の誤差の補償においても同様に行われる。
【0048】
＜４．画像形成範囲の誤差の補償＞
上述したように、露光装置又は画像形成装置を製造する際に部品の配置にいくらかの誤差が生じることは避け難い。製造後にも、温度変化のような環境要因、又は運搬、設置若しくは使用時の物理的な力が装置内部の部品の配置のずれを引き起こすことがあり得る。画像形成部１０１のこうした配置の誤差又はずれは、画像形成範囲の誤差をもたらす。画像形成範囲の誤差は、典型的には、位置ずれ成分及び倍率誤差成分の一方又は双方を含み得る。位置ずれ成分は、画像形成位置の変位を表す。複数の色成分の画像間の相対的なずれ、及びシートに対する画像形成位置の全体的なずれは、位置ずれ成分の例である。倍率誤差成分は、画像形成範囲の拡大又は縮小を表す。露光ヘッド１０６における熱膨張に起因する画像形成範囲の拡大は、倍率誤差成分の例である。
上述したように、露光装置又は画像形成装置を製造する際に部品の配置にいくらかの誤差が生じることは避け難い。製造後にも、温度変化のような環境要因、又は運搬、設置若しくは使用時の物理的な力が装置内部の部品の配置のずれを引き起こすことがあり得る。画像形成部１０１のこうした配置の誤差又はずれは、画像形成範囲の誤差をもたらす。画像形成範囲の誤差は、典型的には、位置ずれ成分及び倍率誤差成分の一方又は双方を含み得る。位置ずれ成分は、画像形成位置の変位を表す。複数の色成分の画像間の相対的なずれ、及びシートに対する画像形成位置の全体的なずれは、位置ずれ成分の例である。倍率誤差成分は、画像形成範囲の拡大又は縮小を表す。露光ヘッド１０６における熱膨張に起因する画像形成範囲の拡大は、倍率誤差成分の例である。
【0049】
画像形成装置１のＣＰＵ７０１は、こうした画像形成範囲の誤差を補償する必要があるかを判定するために、定期的に、ユーザからの指示に応じて、又は何らかのトリガ条件が満たされた場合に、キャリブレーションを実行する。具体的には、ＣＰＵ７０１は、テストチャートを転写ベルト１１１上に形成するように画像形成部１０１を制御する。ここでのテストチャートは、既知のパターンを有する画像であってよい。テストチャートの形成においても、上述した露光ヘッド１０６の発光素子配列によって多重露光が行われる。また、ＣＰＵ７０１は、転写ベルト１１１上に形成されたテストチャートを光学的に読取るように光学センサ１１３を制御する。光学センサ１１３は、テストチャートの読取結果を表す読取画像データをＣＰＵ７０１へ出力する。そして、ＣＰＵ７０１は、読取画像データを既知のパターンと比較することにより、多重露光を通じて形成される画像の画像形成範囲の誤差を検出する。したがって、本実施形態に係るＣＰＵ７０１は、画像形成範囲の誤差（位置ずれ又は倍率誤差）を検出する検出部として機能し得る。キャリブレーションの結果として、周方向の誤差が検出された場合には、ＣＰＵ７０１は、感光体１０２の回転と発光チップ４００の発光との間の相対的なタイミングを調整することにより、周方向の誤差を補償することができる。一方、軸方向の誤差が検出された場合には、ＣＰＵ７０１は、検出された誤差を示す補正データを発光制御部７０５へ出力し又は送信することにより、検出された軸方向の位置ずれ量Ｘ及び／又は誤差倍率Ｙを発光制御部７０５へ通知する。位置ずれ量Ｘは、正負いずれかの値であり得る。誤差倍率Ｙは、Ｙ＝１の場合に倍率誤差が無いことを表し、Ｙ＞１の場合に画像形成範囲の拡大が検出されたことを表し、Ｙ＜１の場合に画像形成範囲の縮小が検出されたことを表す。
【0050】
＜４－１．位置ずれの補償＞
発光制御部７０５は、軸方向の位置ずれが検出された場合、上述した多重露光の発光制御の手順において、露光ヘッド１０６の複数の発光素子６０２の少なくとも１つの行に対応する入力画像データの画素値集合を、位置ずれを補償するようにシフトさせる。このとき、発光制御部７０５は、ＣＰＵ７０１から入力される位置ずれ量Ｘ及び／又は誤差倍率Ｙに基づいて、入力画像データの画素値集合をシフトさせ得る。ＣＰＵ７０１は、位置ずれ量Ｘ及び／又は誤差倍率Ｙに基づく位置ずれの補正のための補正データを発光制御部７０５へ送信してもよく、発光制御部７０５は、当該補正データに基づいて入力画像データの画素値集合をシフトさせてもよい。例えば、図３（Ｂ）に示した幅Ｗ０が軸方向Ｄ１における通常の実効的な画像形成位置を示すとすると、画像の位置ずれが左方向へのずれである場合に、画像形成位置を右方向へシフトすることで位置ずれをキャンセルすることができる。同様に、画像の位置ずれが右方向へのずれである場合に、画像形成位置を左方向へシフトすることで位置ずれをキャンセルすることができる。このような位置ずれをキャンセルするための画像形成位置の（或いは画素値集合の）シフト方向を、以下の説明においてキャンセル方向という。以下、位置ずれ量Ｘが異なるいくつかのシナリオについて、軸方向の位置ずれを補償するための発光制御の例を説明する。
発光制御部７０５は、軸方向の位置ずれが検出された場合、上述した多重露光の発光制御の手順において、露光ヘッド１０６の複数の発光素子６０２の少なくとも１つの行に対応する入力画像データの画素値集合を、位置ずれを補償するようにシフトさせる。このとき、発光制御部７０５は、ＣＰＵ７０１から入力される位置ずれ量Ｘ及び／又は誤差倍率Ｙに基づいて、入力画像データの画素値集合をシフトさせ得る。ＣＰＵ７０１は、位置ずれ量Ｘ及び／又は誤差倍率Ｙに基づく位置ずれの補正のための補正データを発光制御部７０５へ送信してもよく、発光制御部７０５は、当該補正データに基づいて入力画像データの画素値集合をシフトさせてもよい。例えば、図３（Ｂ）に示した幅Ｗ０が軸方向Ｄ１における通常の実効的な画像形成位置を示すとすると、画像の位置ずれが左方向へのずれである場合に、画像形成位置を右方向へシフトすることで位置ずれをキャンセルすることができる。同様に、画像の位置ずれが右方向へのずれである場合に、画像形成位置を左方向へシフトすることで位置ずれをキャンセルすることができる。このような位置ずれをキャンセルするための画像形成位置の（或いは画素値集合の）シフト方向を、以下の説明においてキャンセル方向という。以下、位置ずれ量Ｘが異なるいくつかのシナリオについて、軸方向の位置ずれを補償するための発光制御の例を説明する。
【0051】
（１）第１のシナリオ
第１のシナリオにおいて、位置ずれ量Ｘは、軸方向のピッチＰＡに等しい（Ｘ＝ＰＡ）。ピッチＰＡは、補償可能な位置ずれの最小単位である。ここでは、キャンセル方向は右方向であるものとする。図１３Ａ～図１３Ｄは、第１のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図である。
第１のシナリオにおいて、位置ずれ量Ｘは、軸方向のピッチＰＡに等しい（Ｘ＝ＰＡ）。ピッチＰＡは、補償可能な位置ずれの最小単位である。ここでは、キャンセル方向は右方向であるものとする。図１３Ａ～図１３Ｄは、第１のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図である。
【0052】
図１３Ａの左には、３ラインのダミー画素値が先頭に付加された入力画像データＩＭ１が再び示されている。発光制御部７０５は、位置ずれ量Ｘ＝ＰＡであることから、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目（インデックスｉ＝－３である行）の画素値集合ＰＧ１を選択する。そして、発光制御部７０５は、選択した画素値集合ＰＧ１をキャンセル方向へ１画素分シフトさせた後に、２９９２個ごとの画素値のサブセットを入力画像データＩＭ１から読出して、各サブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１３Ａの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ１は、発光素子配列のうちの１行目の発光素子に対応する。但し、シフトの結果として、画素値集合ＰＧ１の左端の画素値（０，－３）に基づく駆動信号は、発光素子Ｒ０＿０ではなく発光素子Ｒ１＿０へ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０には、発光のオフを意味する駆動信号が供給されてよく、よって発光素子Ｒ０＿０は発光しない。図中で破線で示したように、入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号は、図１２Ａの例と同様に、発光素子Ｒ０＿３を含む４行目の発光素子へ供給される。
【0053】
図１３Ｂへ移り、次のライン周期ｔ０＋１において、入力画像データＩＭ１からの画素値の読出し範囲ＲＤは１ライン下へ移動する。発光制御部７０５は、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目（インデックスｉ＝－２である行）の画素値集合ＰＧ２を選択する。そして、発光制御部７０５は、選択した画素値集合ＰＧ２をキャンセル方向へ１画素分シフトさせた後に、２９９２個ごとの画素値のサブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１３Ｂの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ２は、発光素子配列のうちの１行目の発光素子に対応する。但し、シフトの結果として、画素値集合ＰＧ２の左端の画素値（０，－２）に基づく駆動信号は、発光素子Ｒ０＿０ではなく発光素子Ｒ１＿０へ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０には、やはり発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。図中で破線で示したように、入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号は、図１２Ｂの例と同様に、発光素子Ｒ０＿２を含む３行目の発光素子へ供給される。
【0054】
図１３Ｃへ移り、次のライン周期ｔ０＋２において、入力画像データＩＭ１からの画素値の読出し範囲ＲＤは１ライン下へさらに移動する。発光制御部７０５は、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目（インデックスｉ＝－１である行）の画素値集合ＰＧ３を選択する。そして、発光制御部７０５は、選択した画素値集合ＰＧ３をキャンセル方向へ１画素分シフトさせた後に、２９９２個ごとの画素値のサブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１３Ｃの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ３は、発光素子配列のうちの１行目の発光素子に対応する。但し、シフトの結果として、画素値集合ＰＧ３の左端の画素値（０，－１）に基づく駆動信号は、発光素子Ｒ０＿０ではなく発光素子Ｒ１＿０へ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０には、やはり発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。図中で破線で示したように、入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号は、図１２Ｃの例と同様に、発光素子Ｒ０＿１を含む２行目の発光素子へ供給される。
【0055】
図１３Ｄへ移り、次のライン周期ｔ０＋３において、入力画像データＩＭ１からの画素値の読出し範囲ＲＤは１ライン下へさらに移動する。発光制御部７０５は、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目の画素値集合ＰＧ４を選択する。画素値集合ＰＧ４は、入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の実効的な画素値を含む。そして、発光制御部７０５は、選択した画素値集合ＰＧ４をキャンセル方向へ１画素分シフトさせた後に、２９９２個ごとの画素値のサブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１３Ｄの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ４は、発光素子配列のうちの１行目の発光素子に対応する。但し、シフトの結果として、画素値集合ＰＧ４の左端の画素値（０，０）に基づく駆動信号は、発光素子Ｒ０＿０ではなく発光素子Ｒ１＿０へ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０には、やはり発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。
【0056】
ライン周期ｔ０～ｔ０＋３の発光制御の結果として、感光体１０２の表面上のラインＬ０の実効的な画像形成位置は、画素値集合がシフトされない通常時と比較して、軸方向のピッチＰＡの分だけ右方向へ移動することになる。例えば、入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の左端の画素値（０，０）に対応するスポットは、発光素子Ｒ０＿３、Ｒ０＿２、Ｒ０＿１、及びＲ１＿０が発光することで形成される。但し、露光ヘッド１０６等の部品の配置が左方向へピッチＰＡの分だけずれていることから、感光体１０２、転写ベルト１１１又はシート上の最終的な画像形成位置は、位置ずれがキャンセルされる結果として通常時と略同等となる。
【0057】
このように、１ピッチ分の位置ずれ補償を行う本シナリオでは、例えば、画素値（０，０）に基づく駆動信号が、４つの発光素子Ｒ０＿３、Ｒ０＿２、Ｒ０＿１及びＲ１＿０へ入力される。そして、これら４つの発光素子が駆動信号に従って発光すると、画素値（０，０）に対応するスポットが、感光体１０２の表面上の１ピッチ分シフトした位置に形成される。同様に、画素値（１，０）に基づく駆動信号が、４つの発光素子Ｒ１＿３、Ｒ１＿２、Ｒ１＿１及びＲ２＿０へ入力される。そして、これら４つの発光素子が駆動信号に従って発光すると、画素値（１，０）に対応するスポットが、感光体１０２の表面上の１ピッチ分シフトした位置に形成される。これを図１２Ａ～図１２Ｄを用いて説明した位置ずれ補償なしの場合と比較すると、同じ画素位置に対応するスポットを形成するために用いられる発光素子の組合せが、位置ずれ補償を行う場合には変化する。例えば、画素値（０，０）に対応するスポット形成用の発光素子の組合せは、位置ずれ補償なしの場合には（Ｒ０＿３，Ｒ０＿２，Ｒ０＿１，Ｒ０＿０）であるのに対し、本シナリオでは（Ｒ０＿３，Ｒ０＿２，Ｒ０＿１，Ｒ１＿０）である。他の画素位置についても同様である。
【0058】
第１のシナリオから理解されるように、発光制御部７０５は、シフト対象の画素値集合として、キャンセル方向において後端にあたる発光素子を有する行に対応する画素値集合を少なくとも選択する。キャンセル方向が右方向である場合には、後端にあたるのは発光素子Ｒ０＿０を有する第１行である。キャンセル方向が左方向である場合には、後端にあたるのは発光素子Ｒ０＿３を有する第４行である。発光制御部７０５は、こうした画素値集合の選択位置を、ライン周期ごとに読出し範囲の移動に伴って周方向に移動させながら、選択した画素値集合をシフトさせて複数の発光素子６０２を駆動させる。それにより、軸方向における実効的な画像形成位置を、複数のライン周期にわたってキャンセル方向に変位させたまま維持することができる。
【0059】
（２）第２のシナリオ
第２のシナリオにおいて、位置ずれ量Ｘは、軸方向のピッチＰＡの２倍である（Ｘ＝２×ＰＡ）。ここでも、キャンセル方向は右方向であるものとする。図１４Ａ～図１４Ｄは、第２のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図である。
第２のシナリオにおいて、位置ずれ量Ｘは、軸方向のピッチＰＡの２倍である（Ｘ＝２×ＰＡ）。ここでも、キャンセル方向は右方向であるものとする。図１４Ａ～図１４Ｄは、第２のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図である。
【0060】
図１４Ａの左には、３ラインのダミー画素値が先頭に付加された入力画像データＩＭ１が再び示されている。発光制御部７０５は、位置ずれ量Ｘ＝２×ＰＡであることから、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目の画素値集合ＰＧ１及び２行目の画素値集合ＰＧ２を選択する。そして、発光制御部７０５は、選択した画素値集合ＰＧ１及びＰＧ２をキャンセル方向へ１画素分シフトさせた後に、２９９２個ごとの画素値のサブセットを入力画像データＩＭ１から読出して、各サブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１４Ａの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ１及びＰＧ２は、発光素子配列のうちの１行目及び２行目の発光素子にそれぞれ対応する。但し、シフトの結果として、各画素値集合の左端の画素値に基づく駆動信号は、左から２列目の発光素子へ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０及びＲ０＿１には、発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号は、図１２Ａの例と同様に、発光素子Ｒ０＿３を含む４行目の発光素子へ供給される。
【0061】
図１４Ｂへ移り、次のライン周期ｔ０＋１において、入力画像データＩＭ１からの画素値の読出し範囲ＲＤは１ライン下へ移動する。発光制御部７０５は、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目の画素値集合ＰＧ２及び２行目の画素値集合ＰＧ３を選択する。そして、発光制御部７０５は、選択した画素値集合ＰＧ２及びＰＧ３をキャンセル方向へ１画素分シフトさせた後に、２９９２個ごとの画素値のサブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１４Ｂの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ２及びＰＧ３は、発光素子配列のうちの１行目及び２行目の発光素子にそれぞれ対応する。但し、シフトの結果として、各画素値集合の左端の画素値に基づく駆動信号は、左から２列目の発光素子へ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０及びＲ０＿１には、発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号は、図１２Ｂの例と同様に、発光素子Ｒ０＿２を含む３行目の発光素子へ供給される。
【0062】
図１４Ｃへ移り、次のライン周期ｔ０＋２において、入力画像データＩＭ１からの画素値の読出し範囲ＲＤは１ライン下へさらに移動する。発光制御部７０５は、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目の画素値集合ＰＧ３及び２行目の画素値集合ＰＧ４を選択する。画素値集合ＰＧ４は、入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の実効的な画素値を含む。そして、発光制御部７０５は、選択した画素値集合ＰＧ３及びＰＧ４をキャンセル方向へ１画素分シフトさせた後に、２９９２個ごとの画素値のサブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１４Ｃの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ３及びＰＧ４は、発光素子配列のうちの１行目及び２行目の発光素子にそれぞれ対応する。但し、シフトの結果として、各画素値集合の左端の画素値に基づく駆動信号は、左から２列目の発光素子へ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０及びＲ０＿１には、発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。
【0063】
図１４Ｄへ移り、次のライン周期ｔ０＋３において、入力画像データＩＭ１からの画素値の読出し範囲ＲＤは１ライン下へさらに移動する。発光制御部７０５は、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目の画素値集合ＰＧ４及び２行目の画素値集合ＰＧ５を選択する。画素値集合ＰＧ４及びＰＧ５は、入力画像データＩＭ１の実効的な画素値を含む。そして、発光制御部７０５は、選択した画素値集合ＰＧ４及びＰＧ５をキャンセル方向へ１画素分シフトさせた後に、２９９２個ごとの画素値のサブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１４Ｄの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ４及びＰＧ５は、発光素子配列のうちの１行目及び２行目の発光素子にそれぞれ対応する。但し、シフトの結果として、各画素値集合の左端の画素値に基づく駆動信号は、左から２列目の発光素子へ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０及びＲ０＿１には、発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。
【0064】
ライン周期ｔ０～ｔ０＋３の発光制御の結果として、感光体１０２の表面上のラインＬ０の実効的な画像形成位置は、画素値集合がシフトされない通常時と比較して、軸方向のピッチＰＡの２倍の分だけ右方向へ移動することになる。例えば、入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０の左端の画素値（０，０）に対応するスポットは、発光素子Ｒ０＿３、Ｒ０＿２、Ｒ１＿１、及びＲ１＿０が発光することで形成される。但し、露光ヘッド１０６等の部品の配置が左方向へ２×ＰＡだけずれていることから、感光体１０２、転写ベルト１１１又はシート上の最終的な画像形成位置は、位置ずれがキャンセルされる結果として通常時と略同等となる。
【0065】
このように、２ピッチ分の位置ずれ補償を行う本シナリオでは、例えば、画素値（０，０）に基づく駆動信号が、４つの発光素子Ｒ０＿３、Ｒ０＿２、Ｒ１＿１及びＲ１＿０へ入力される。同様に、画素値（１，０）に基づく駆動信号が、４つの発光素子Ｒ１＿３、Ｒ１＿２、Ｒ２＿１及びＲ２＿０へ入力される。これを図１２Ａ～図１２Ｄを用いて説明した位置ずれ補償なしの場合と比較すると、同じ画素位置に対応するスポットを形成するために用いられる発光素子の組合せが、位置ずれ補償を行う場合には、補償される位置ずれの量に応じて変化する。例えば、画素値（０，０）に対応するスポット形成用の発光素子の組合せは、位置ずれ補償なしの場合には（Ｒ０＿３，Ｒ０＿２，Ｒ０＿１，Ｒ０＿０）であるのに対し、本シナリオでは（Ｒ０＿３，Ｒ０＿２，Ｒ１＿１，Ｒ１＿０）である。他の画素位置についても同様である。
【0066】
第１及び第２のシナリオから理解されるように、発光制御部７０５は、位置ずれの大きさ（Ｘの絶対値）と発光素子６０２の軸方向のピッチＰＡとに基づいて、Ｍ行の発光素子６０２のうちのどの行に対応する画素値集合をシフトさせるかを選択する。例えば、キャンセル方向が右方向である場合、選択される行は次の通りであってよい：
・｜Ｘ｜＝ＰＡ → 第１行
・｜Ｘ｜＝２×ＰＡ → 第１行，第２行
・｜Ｘ｜＝３×ＰＡ → 第１行，第２行，第３行
・｜Ｘ｜≧４×ＰＡ → 第１行，第２行，第３行，第４行
キャンセル方向が左方向である場合、選択される行は次の通りであってよい：
・｜Ｘ｜＝ＰＡ → 第４行
・｜Ｘ｜＝２×ＰＡ → 第４行，第３行
・｜Ｘ｜＝３×ＰＡ → 第４行，第３行，第２行
・｜Ｘ｜≧４×ＰＡ → 第４行，第３行，第２行，第１行
・｜Ｘ｜＝ＰＡ → 第１行
・｜Ｘ｜＝２×ＰＡ → 第１行，第２行
・｜Ｘ｜＝３×ＰＡ → 第１行，第２行，第３行
・｜Ｘ｜≧４×ＰＡ → 第１行，第２行，第３行，第４行
キャンセル方向が左方向である場合、選択される行は次の通りであってよい：
・｜Ｘ｜＝ＰＡ → 第４行
・｜Ｘ｜＝２×ＰＡ → 第４行，第３行
・｜Ｘ｜＝３×ＰＡ → 第４行，第３行，第２行
・｜Ｘ｜≧４×ＰＡ → 第４行，第３行，第２行，第１行
【0067】
（３）第３のシナリオ
第３のシナリオにおいて、位置ずれ量Ｘは、軸方向のピッチＰＡの５倍である（Ｘ＝５×ＰＡ）。ここでも、キャンセル方向は右方向であるものとする。図１５Ａ～図１５Ｄは、第３のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図である。
第３のシナリオにおいて、位置ずれ量Ｘは、軸方向のピッチＰＡの５倍である（Ｘ＝５×ＰＡ）。ここでも、キャンセル方向は右方向であるものとする。図１５Ａ～図１５Ｄは、第３のシナリオの位置ずれ補償を含む発光制御の手順についての説明図である。
【0068】
図１５Ａの左には、３ラインのダミー画素値が先頭に付加された入力画像データＩＭ１が再び示されている。発光制御部７０５は、位置ずれ量Ｘ＝５×ＰＡであることから、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目、２行目、３行目及び４行目の画素値集合ＰＧ１、ＰＧ２、ＰＧ３及びＰＧ４を選択する。そして、発光制御部７０５は、画素値集合ＰＧ１を右方向へ２画素分シフトさせると共に、画素値集合ＰＧ２～ＰＧ４を右方向へ１画素分シフトさせる。図１５Ａの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ１～ＰＧ４は、発光素子配列のうちの１行目～４行目の発光素子にそれぞれ対応する。但し、シフトの結果として、画素値集合ＰＧ１の左端の画素値（０，－３）に基づく駆動信号は、左から３列目の発光素子Ｒ２＿０へ供給される。画素値集合ＰＧ２～ＰＧ４の左端の画素値に基づく駆動信号は、左から２列目の発光素子へそれぞれ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０、Ｒ０＿１、Ｒ０＿２、Ｒ０＿３及びＲ１＿０には、発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。
【0069】
図１５Ｂへ移り、次のライン周期ｔ０＋１において、入力画像データＩＭ１からの画素値の読出し範囲ＲＤは１ライン下へ移動する。発光制御部７０５は、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目、２行目、３行目及び４行目の画素値集合ＰＧ２、ＰＧ３、ＰＧ４及びＰＧ５を選択する。そして、発光制御部７０５は、画素値集合ＰＧ２を右方向へ２画素分シフトさせると共に、画素値集合ＰＧ３～ＰＧ５を右方向へ１画素分シフトさせる。図１５Ｂの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ２～ＰＧ５は、発光素子配列のうちの１行目～４行目の発光素子にそれぞれ対応する。但し、シフトの結果として、画素値集合ＰＧ２の左端の画素値（０，－２）に基づく駆動信号は、左から３列目の発光素子Ｒ２＿０へ供給される。画素値集合ＰＧ３～ＰＧ５の左端の画素値に基づく駆動信号は、左から２列目の発光素子へそれぞれ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０、Ｒ０＿１、Ｒ０＿２、Ｒ０＿３及びＲ１＿０には、発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。
【0070】
図１５Ｃへ移り、次のライン周期ｔ０＋２において、入力画像データＩＭ１からの画素値の読出し範囲ＲＤは１ライン下へさらに移動する。発光制御部７０５は、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目、２行目、３行目及び４行目の画素値集合ＰＧ３、ＰＧ４、ＰＧ５及びＰＧ６を選択する。そして、発光制御部７０５は、画素値集合ＰＧ３を右方向へ２画素分シフトさせると共に、画素値集合ＰＧ４～ＰＧ６を右方向へ１画素分シフトさせる。図１５Ｃの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ３～ＰＧ６は、発光素子配列のうちの１行目～４行目の発光素子にそれぞれ対応する。但し、シフトの結果として、画素値集合ＰＧ３の左端の画素値（０，－１）に基づく駆動信号は、左から３列目の発光素子Ｒ２＿０へ供給される。画素値集合ＰＧ４～ＰＧ６の左端の画素値に基づく駆動信号は、左から２列目の発光素子へそれぞれ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０、Ｒ０＿１、Ｒ０＿２、Ｒ０＿３及びＲ１＿０には、発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。
【0071】
図１５Ｄへ移り、次のライン周期ｔ０＋３において、入力画像データＩＭ１からの画素値の読出し範囲ＲＤは１ライン下へさらに移動する。発光制御部７０５は、シフト対象の画素値集合として、読出し範囲ＲＤ内の１行目、２行目、３行目及び４行目の画素値集合ＰＧ４、ＰＧ５、ＰＧ６及びＰＧ７を選択する。そして、発光制御部７０５は、画素値集合ＰＧ４を右方向へ２画素分シフトさせると共に、画素値集合ＰＧ５～ＰＧ７を右方向へ１画素分シフトさせる。図１５Ｄの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ４～ＰＧ７は、発光素子配列のうちの１行目～４行目の発光素子にそれぞれ対応する。但し、シフトの結果として、画素値集合ＰＧ４の左端の画素値（０，０）に基づく駆動信号は、左から３列目の発光素子Ｒ２＿０へ供給される。画素値集合ＰＧ５～ＰＧ７の左端の画素値に基づく駆動信号は、左から２列目の発光素子へそれぞれ供給される。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子Ｒ０＿０、Ｒ０＿１、Ｒ０＿２、Ｒ０＿３及びＲ１＿０には、発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。
【0072】
ライン周期ｔ０～ｔ０＋３の発光制御の結果として、感光体１０２の表面上のラインＬ０の実効的な画像形成位置は、画素値集合がシフトされない通常時と比較して、軸方向のピッチＰＡの５倍の分だけ右方向へ移動することになる。例えば、入力画像データＩＭ１のラインＤＬ０のの左端の画素値（０，０）に対応するスポットは、発光素子Ｒ１＿３、Ｒ１＿２、Ｒ１＿１、及びＲ２＿０が発光することで形成される。但し、露光ヘッド１０６等の部品の配置が左方向へ５×ＰＡだけずれていることから、感光体１０２、転写ベルト１１１又はシート上の最終的な画像形成位置は、位置ずれがキャンセルされる結果として通常時と略同等となる。
【0073】
第１～第３のシナリオから理解されるように、発光制御部７０５は、位置ずれの大きさ（Ｘの絶対値）と発光素子６０２の軸方向のピッチＰＡとに基づいて、選択した少なくとも１つの行の各々に対応する画素値集合を何列分シフトさせるかを決定する。例えば、位置ずれの大きさ｜Ｘ｜が軸方向のピッチＰＡのｘ倍（ｘは自然数）であるものとする。この場合、発光制御部７０５は、キャンセル方向において後端にあたる発光素子を有する行から先端にあたる発光素子を有する行への順に、ｘ画素分のシフト量をラウンドロビン方式でそれぞれの行へ分配する。一例として、Ｍ＝４かつキャンセル方向が右方向である場合、キャンセル方向における後端は１行目に、先端は４行目に位置する。よって、発光制御部７０５は、第１行→第２行→第３行→第４行→第１行→第２行→...という順に、シフト量の合計がｘに達するまで１画素ずつシフト量を４つの行へ分配する。他の例として、Ｍ＝４かつキャンセル方向が左方向である場合、キャンセル方向における後端は４行目に、先端は１行目に位置する。よって、発光制御部７０５は、第４行→第３行→第２行→第１行→第４行→第３行→...という順に、シフト量の合計がｘに達するまで１画素ずつシフト量を４つの行へ分配する。こうして分配されるシフト量に従って入力画像データの１つ以上の画素値集合をキャンセル方向にシフトさせて複数の発光素子６０２を発光させることで、画像形成位置の軸方向の位置ずれを、ピッチＰＡの粒度で柔軟に補償することができる。
【0074】
＜４－２．倍率誤差の補償＞
発光制御部７０５は、軸方向の倍率誤差が検出された場合、上述した多重露光の発光制御の手順において、誤差倍率Ｙに応じて、入力画像データを構成する画素位置のうちの１つ以上の画素位置を選択する。そして、発光制御部７０５は、選択した画素位置の各々が属する行の画素値集合に対し、各画素位置の画素値を挿入し又は間引いて、複数の発光素子６０２を発光させる。各画素位置の画素値を挿入するか又は間引くかは誤差倍率Ｙに依存し、Ｙ＜１である場合（即ち、画像形成範囲の縮小の場合）には画素値が挿入され、Ｙ＞１である場合（即ち、画像形成範囲の拡大の場合）には画素値が間引かれる。発光制御部７０５は、誤差倍率Ｙと発光素子６０２の軸方向のピッチＰＡとに基づいて、画素値の挿入又は間引きのために選択すべき画素位置の個数を決定し得る。以下、画像形成範囲の縮小に対する補償と画像形成範囲の拡大に対する補償に分けて詳しく説明する。
発光制御部７０５は、軸方向の倍率誤差が検出された場合、上述した多重露光の発光制御の手順において、誤差倍率Ｙに応じて、入力画像データを構成する画素位置のうちの１つ以上の画素位置を選択する。そして、発光制御部７０５は、選択した画素位置の各々が属する行の画素値集合に対し、各画素位置の画素値を挿入し又は間引いて、複数の発光素子６０２を発光させる。各画素位置の画素値を挿入するか又は間引くかは誤差倍率Ｙに依存し、Ｙ＜１である場合（即ち、画像形成範囲の縮小の場合）には画素値が挿入され、Ｙ＞１である場合（即ち、画像形成範囲の拡大の場合）には画素値が間引かれる。発光制御部７０５は、誤差倍率Ｙと発光素子６０２の軸方向のピッチＰＡとに基づいて、画素値の挿入又は間引きのために選択すべき画素位置の個数を決定し得る。以下、画像形成範囲の縮小に対する補償と画像形成範囲の拡大に対する補償に分けて詳しく説明する。
【0075】
＜４－２－１．画像形成範囲の縮小に対する補償＞
発光制御部７０５は、倍率誤差が検出された場合において、誤差倍率Ｙが１より小さいときに、選択される各画素位置が属する行の画素値集合に対して当該画素位置の画素値を挿入する。ここで、ある画素位置に画素値を挿入することは、当該画素位置を基準として軸方向の一方の側の画素値を画素値集合を拡張する方向へシフトさせること、及び、当該画素位置のシフト前の画素値のコピーを当該画素位置に与えること、を含む。
発光制御部７０５は、倍率誤差が検出された場合において、誤差倍率Ｙが１より小さいときに、選択される各画素位置が属する行の画素値集合に対して当該画素位置の画素値を挿入する。ここで、ある画素位置に画素値を挿入することは、当該画素位置を基準として軸方向の一方の側の画素値を画素値集合を拡張する方向へシフトさせること、及び、当該画素位置のシフト前の画素値のコピーを当該画素位置に与えること、を含む。
【0076】
図１６Ａ～図１６Ｄは、画像形成範囲の縮小に対する補償を含む発光制御の手順についての説明図である。ここでは、選択すべき画素位置の個数は１であるものとする（例えば、Ｗ０×（１－Ｙ）≒ＰＡ）。図１６Ａの左には、３ラインのダミー画素値が先頭に付加された入力画像データＩＭ２が示されている。発光制御部７０５は、誤差倍率Ｙが１より小さいことから、各ライン周期における読出し範囲ＲＤ内で画素値を挿入すべき画素位置を選択する。図１６Ａの例では、ライン周期ｔ０において、画素位置ＤＰ０が選択されている。選択された画素位置ＤＰ０は、読出し範囲ＲＤの１行目（インデックスｉ＝－３である行）に属する。発光制御部７０５は、この行の画素値集合ＰＧ１に対して画素値を挿入する。具体的には、発光制御部７０５は、画素位置ＤＰ０を基準として軸方向の右側の部分集合ＰＧ１ｂの画素値を１画素右へシフトさせ、画素位置ＤＰ０のシフト前の画素値（３，－３）のコピーを画素位置ＤＰ０に与える。そして、発光制御部７０５は、２９９２個ごとの画素値のサブセットを入力画像データＩＭ２から読出して、各サブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１６Ａの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ１は、発光素子配列の１行目の発光素子に対応する。画素値の挿入の結果として、選択された画素位置ＤＰ０の画素値（３，－３）に基づく駆動信号は発光素子Ｒ３＿０及び発光素子Ｒ４＿０へ供給され、１行目の実効的な発光素子の範囲が１つの発光素子の分だけ拡大している。
【0077】
図１６Ｂへ移り、次のライン周期ｔ０＋１において、読出し範囲ＲＤ内の画素位置ＤＰ０が再び選択されている。選択された画素位置ＤＰ０は、読出し範囲ＲＤの１行目（インデックスｉ＝－２である行）に属する。発光制御部７０５は、この行の画素値集合ＰＧ２に対して画素値を挿入する。具体的には、発光制御部７０５は、画素位置ＤＰ０を基準として軸方向の右側の部分集合ＰＧ２ｂの画素値を１画素右へシフトさせ、画素位置ＤＰ０のシフト前の画素値（３，－２）のコピーを画素位置ＤＰ０に与える。そして、発光制御部７０５は、２９９２個ごとの画素値のサブセットを入力画像データＩＭ２から読出して、各サブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１６Ｂの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ２は、発光素子配列の１行目の発光素子に対応する。画素値の挿入の結果として、選択された画素位置ＤＰ０の画素値（３，－２）に基づく駆動信号は発光素子Ｒ３＿０及び発光素子Ｒ４＿０へ供給され、ここでも１行目の実効的な発光素子の範囲が１つの発光素子の分だけ拡大している。
【0078】
図１６Ｃへ移り、次のライン周期ｔ０＋２において、読出し範囲ＲＤ内の画素位置ＤＰ０が三たび再び選択されている。選択された画素位置ＤＰ０は、読出し範囲ＲＤの１行目（インデックスｉ＝－１である行）に属する。発光制御部７０５は、この行の画素値集合ＰＧ３に対して画素値を挿入する。具体的には、発光制御部７０５は、画素位置ＤＰ０を基準として軸方向の右側の部分集合ＰＧ３ｂの画素値を１画素右へシフトさせ、画素位置ＤＰ０のシフト前の画素値（３，－１）のコピーを画素位置ＤＰ０に与える。そして、発光制御部７０５は、２９９２個ごとの画素値のサブセットを入力画像データＩＭ２から読出して、各サブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１６Ｃの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ３は、発光素子配列の１行目の発光素子に対応する。画素値の挿入の結果として、選択された画素位置ＤＰ０の画素値（３，－１）に基づく駆動信号は発光素子Ｒ３＿０及び発光素子Ｒ４＿０へ供給され、ここでも１行目の実効的な発光素子の範囲が１つの発光素子の分だけ拡大している。
【0079】
図１６Ｄへ移り、次のライン周期ｔ０＋３において、読出し範囲ＲＤ内の画素位置ＤＰ０が四たび再び選択されている。選択された画素位置ＤＰ０は、読出し範囲ＲＤの１行目（インデックスｉ＝０である行）に属する。発光制御部７０５は、この行の画素値集合ＰＧ４に対して画素値を挿入する。具体的には、発光制御部７０５は、画素位置ＤＰ０を基準として軸方向の右側の部分集合ＰＧ４ｂの画素値を１画素右へシフトさせ、画素位置ＤＰ０のシフト前の画素値（３，０）のコピーを画素位置ＤＰ０に与える。そして、発光制御部７０５は、２９９２個ごとの画素値のサブセットを入力画像データＩＭ２から読出して、各サブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１６Ｄの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ４は、発光素子配列の１行目の発光素子に対応する。画素値の挿入の結果として、選択された画素位置ＤＰ０の画素値（３，０）に基づく駆動信号は発光素子Ｒ３＿０及び発光素子Ｒ４＿０へ供給され、ここでも１行目の実効的な発光素子の範囲が１つの発光素子の分だけ拡大している。
【0080】
図１６Ａ～図１６Ｄにおいて破線で示したように、入力画像データＩＭ２のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号は、ライン周期ごとに順に発光素子配列の４行目、３行目、２行目、１行目の発光素子へ供給される。このうち、ライン周期ｔ０＋３においてラインＤＬ０の画素値集合ＰＧ４が右方へ拡大されているために、画素値の挿入が行われない通常時と比較して、画像形成範囲は軸方向のピッチＰＡの分だけ右方向へ拡大することになる。但し、例えば温度変化に起因して露光ヘッド１０６が誤差倍率Ｙの分だけ軸方向に収縮していることから、感光体１０２、転写ベルト１１１又はシート上の最終的な画像形成範囲は、倍率誤差がキャンセルされる結果として通常時と略同等となる。
【0081】
このように、１ピッチ分の画像形成範囲の縮小に対する補償を行う本シナリオでは、例えば、画素値（３，０）に基づく駆動信号は、インデックスｊ＝３である４つの発光素子Ｒ３＿ｍに加えて発光素子Ｒ４＿０へ入力される。そして、これら５つの発光素子が駆動信号に従って発光すると、画素値（３，０）に対応する拡大されたスポットが、感光体１０２の表面上に形成される。これを図１２Ａ～図１２Ｄを用いて説明した倍率誤差の補償なしの場合と比較すると、同じ画素位置に対応するスポットを形成するために用いられる発光素子の数が、倍率誤差の補償を行う場合には変化する。例えば、画素値（３，０）に対応するスポット形成用の発光素子の数は、倍率誤差の補償なしの場合には４つであるのに対し、本シナリオでは５つである。他の画素位置についても同様である。
【0082】
なお、ＣＰＵ７０１は、倍率誤差を打ち消すための補正データを発光制御部７０５へ送信し、発光制御部７０５は、当該補正データに基づいて、画像の画素の各々を形成するように駆動される発光部の数を制御してもよい。即ち、補正データは、軸方向における画像の幅を補正するためのデータであってもよい。
【0083】
ある実施例において、入力画像データのある画素値（又は画素位置）に対応するスポットを形成するために使用される発光部（例えば、発光素子）の数は、補正データに依存して変化し得る。換言すると、画像の画素を形成するために駆動される発光部の数は、補正データに依存して変化し得る。発光制御部７０５は、補正データに基づいて、次のように露光ヘッドの複数の発光部を制御することにより、画像の幅を補正し得る：
－第１の数の発光部を、第１画素データで画像の第１画素を形成するように駆動する；
－第１の数とは異なる第２の数の発光部を、第２画素データで画像の第２画素を形成するように駆動する。
－第１の数の発光部を、第１画素データで画像の第１画素を形成するように駆動する；
－第１の数とは異なる第２の数の発光部を、第２画素データで画像の第２画素を形成するように駆動する。
【0084】
画像の幅が補正されない場合には、発光制御部７０５は、当該画像の各画素を形成するために第１の数の発光部が駆動されるように、露光ヘッドの複数の発光部を制御し得る。画像の幅が拡大される場合には、少なくとも１つの画素が第１の数よりも大きい第２の数の発光部を使用して形成される。複数の発光部は軸方向においてピッチＰＡで配置されるため、それらは軸方向において異なる位置に配置されていると言える。
【0085】
＜４－２－２．画像形成範囲の拡大に対する補償＞
発光制御部７０５は、倍率誤差が検出された場合において、誤差倍率Ｙが１より大きいときに、選択される各画素位置が属する行の画素値集合に対して当該画素位置の画素値を間引く。ここで、ある画素位置に画素値を間引くことは、当該画素位置の間引き前の画素値を消去すること、及び、当該画素位置を基準として軸方向の一方の側の画素値を画素値集合を縮小する方向へシフトさせることを含む。
発光制御部７０５は、倍率誤差が検出された場合において、誤差倍率Ｙが１より大きいときに、選択される各画素位置が属する行の画素値集合に対して当該画素位置の画素値を間引く。ここで、ある画素位置に画素値を間引くことは、当該画素位置の間引き前の画素値を消去すること、及び、当該画素位置を基準として軸方向の一方の側の画素値を画素値集合を縮小する方向へシフトさせることを含む。
【0086】
図１７Ａ～図１７Ｄは、画像形成範囲の拡大に対する補償を含む発光制御の手順についての説明図である。ここでは、選択すべき画素位置の個数は１であるものとする（例えば、Ｗ０×（Ｙ－１）≒ＰＡ）。図１７Ａの左には、３ラインのダミー画素値が先頭に付加された入力画像データＩＭ２が示されている。発光制御部７０５は、誤差倍率Ｙが１より大きいことから、各ライン周期における読出し範囲ＲＤ内で画素値を間引くべき画素位置を選択する。図１７Ａの例では、ライン周期ｔ０において、画素位置ＤＰ０が選択されている。選択された画素位置ＤＰ０は、読出し範囲ＲＤの１行目（インデックスｉ＝－３である行）に属する。発光制御部７０５は、この行の画素値集合ＰＧ１から画素位置ＤＰ０の画素値を間引く。具体的には、発光制御部７０５は、画素位置ＤＰ０のシフト前の画素値（３，－３）を消去し、画素位置ＤＰ０を基準として軸方向の左側の部分集合ＰＧ１ａの画素値を１画素右へシフトさせる。そして、発光制御部７０５は、２９９２個ごとの画素値のサブセットを入力画像データＩＭ２から読出して、各サブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１７Ａの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ１は、発光素子配列の１行目の発光素子に対応する。画素値の間引きの結果として、選択された画素位置ＤＰ０の画素値（３，－３）に基づく駆動信号はどの発光素子にも供給されず、１行目の実効的な発光素子の範囲が１つの発光素子の分だけ縮小している。
【0087】
図１７Ｂへ移り、次のライン周期ｔ０＋１において、読出し範囲ＲＤ内の画素位置ＤＰ０が再び選択されている。選択された画素位置ＤＰ０は、読出し範囲ＲＤの１行目（インデックスｉ＝－２である行）に属する。発光制御部７０５は、この行の画素値集合ＰＧ２から画素位置ＤＰ０の画素値を間引く。具体的には、発光制御部７０５は、画素位置ＤＰ０のシフト前の画素値（３，－２）を消去し、画素位置ＤＰ０を基準として軸方向の左側の部分集合ＰＧ２ａの画素値を１画素右へシフトさせる。そして、発光制御部７０５は、２９９２個ごとの画素値のサブセットを入力画像データＩＭ２から読出して、各サブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１７Ｂの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ２は、発光素子配列の１行目の発光素子に対応する。画素値の間引きの結果として、選択された画素位置ＤＰ０の画素値（３，－２）に基づく駆動信号はどの発光素子にも供給されず、１行目の実効的な発光素子の範囲が１つの発光素子の分だけ縮小している。
【0088】
図１７Ｃへ移り、次のライン周期ｔ０＋２において、読出し範囲ＲＤ内の画素位置ＤＰ０が三たび再び選択されている。選択された画素位置ＤＰ０は、読出し範囲ＲＤの１行目（インデックスｉ＝－１である行）に属する。発光制御部７０５は、この行の画素値集合ＰＧ３から画素位置ＤＰ０の画素値を間引く。具体的には、発光制御部７０５は、画素位置ＤＰ０のシフト前の画素値（３，－１）を消去し、画素位置ＤＰ０を基準として軸方向の左側の部分集合ＰＧ３ａの画素値を１画素右へシフトさせる。そして、発光制御部７０５は、２９９２個ごとの画素値のサブセットを入力画像データＩＭ２から読出して、各サブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１７Ｃの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ３は、発光素子配列の１行目の発光素子に対応する。画素値の間引きの結果として、選択された画素位置ＤＰ０の画素値（３，－１）に基づく駆動信号はどの発光素子にも供給されず、１行目の実効的な発光素子の範囲が１つの発光素子の分だけ縮小している。
【0089】
図１７Ｄへ移り、次のライン周期ｔ０＋３において、読出し範囲ＲＤ内の画素位置ＤＰ０が四たび再び選択されている。選択された画素位置ＤＰ０は、読出し範囲ＲＤの１行目（インデックスｉ＝０である行）に属する。発光制御部７０５は、この行の画素値集合ＰＧ４から画素位置ＤＰ０の画素値を間引く。具体的には、発光制御部７０５は、画素位置ＤＰ０のシフト前の画素値（３，０）を消去し、画素位置ＤＰ０を基準として軸方向の左側の部分集合ＰＧ４ａの画素値を１画素右へシフトさせる。そして、発光制御部７０５は、２９９２個ごとの画素値のサブセットを入力画像データＩＭ２から読出して、各サブセットを各発光チップ４００－ｎへ出力する。図１７Ｄの右に示した発光チップ４００－１において、画素値集合ＰＧ４は、発光素子配列の１行目の発光素子に対応する。画素値の間引きの結果として、選択された画素位置ＤＰ０の画素値（３，０）に基づく駆動信号はどの発光素子にも供給されず、１行目の実効的な発光素子の範囲が１つの発光素子の分だけ縮小している。
【0090】
図１７Ａ～図１７Ｄにおいて破線で示したように、入力画像データＩＭ２のラインＤＬ０の実効的な画素値に基づく駆動信号は、ライン周期ごとに順に発光素子配列の４行目、３行目、２行目、１行目の発光素子へ供給される。このうち、ライン周期ｔ０＋３においてラインＤＬ０の画素値集合ＰＧ４が縮小されているために、画素値の間引きが行われない通常時と比較して、画像形成範囲は軸方向のピッチＰＡの分だけ縮小することになる。但し、例えば温度変化に起因して露光ヘッド１０６が誤差倍率Ｙの分だけ軸方向に膨張していることから、感光体１０２、転写ベルト１１１又はシート上の最終的な画像形成範囲は、倍率誤差がキャンセルされる結果として通常時と略同等となる。
【0091】
このように、１ピッチ分の画像形成範囲の拡大に対する補償を行う本シナリオでは、例えば、画素値（３，０）に基づく駆動信号は、インデックスｊ＝３である４つの発光素子Ｒ３＿ｍのうちの発光素子Ｒ３＿０を除く３つの発光素子へ入力される。そして、これら３つの発光素子が駆動信号に従って発光すると、画素値（３，０）に対応する縮小されたスポットが、感光体１０２の表面上に形成される。これを図１２Ａ～図１２Ｄを用いて説明した倍率誤差の補償なしの場合と比較すると、同じ画素位置に対応するスポットを形成するために用いられる発光素子の数が、倍率誤差の補償を行う場合には変化する。例えば、画素値（３，０）に対応するスポット形成用の発光素子の数は、倍率誤差の補償なしの場合には４つであるのに対し、本シナリオでは３つである。他の画素位置についても同様である。
【0092】
発光制御部７０５は、ＣＰＵ７０１から受信される補正データに基づいて、画素値を挿入する画素位置、又は画素値を間引く画素位置を決定し得る。換言すると、発光制御部７０５は、補正データに基づいて画素値を挿入し又は間引くことにより、形成される画像の軸方向における画像幅を制御し得る。即ち、補正データは、軸方向における画像幅を補正するためのデータである。
【0093】
ある実施例において、入力画像データのある画素値（又は画素位置）に対応するスポットを形成するために使用される発光部（例えば、発光素子）の数は、補正データに依存して変化し得る。換言すると、画像の画素値に基づく駆動信号に基づいて駆動される発光部の数は、補正データに依存して変化し得る。補償すべき倍率誤差が存在しない場合には、画像の各画素を形成するために、当該画素の対応する画素値に基づいて、第１の数の発光部が駆動される。補償すべき倍率誤差が存在する場合には、画像の少なくとも１つの画素が、当該画素の対応する画素値に基づいて、第２の数の発光部を駆動することにより形成される。
【0094】
画像幅が低減される場合には、少なくとも１つの画素が、第１の数よりも小さい第２の数の発光部を使用して形成される。複数の発光部は軸方向においてピッチＰＡで配置されるため、それらは軸方向において異なる位置に配置されていると言える。
【0095】
＜４－２－３．挿入画素位置及び間引き画素位置の選択＞
上述したように、発光制御部７０５は、誤差倍率Ｙと発光素子６０２の軸方向のピッチＰＡとに基づいて、画素値の挿入又は間引きのために選択すべき画素位置の個数を決定し得る。例えば、選択すべき画素位置の個数ｚは、誤差倍率Ｙ、ピッチＰＡ及び通常の画像形成範囲の幅Ｗ０を用いて、次式に従って決定され得る：
ｚ＝ｒｏｕｎｄ（Ｗ０×｜１－Ｙ｜／ＰＡ）
ここで、ｒｏｕｎｄは、引数を四捨五入した値を返す関数である。
上述したように、発光制御部７０５は、誤差倍率Ｙと発光素子６０２の軸方向のピッチＰＡとに基づいて、画素値の挿入又は間引きのために選択すべき画素位置の個数を決定し得る。例えば、選択すべき画素位置の個数ｚは、誤差倍率Ｙ、ピッチＰＡ及び通常の画像形成範囲の幅Ｗ０を用いて、次式に従って決定され得る：
ｚ＝ｒｏｕｎｄ（Ｗ０×｜１－Ｙ｜／ＰＡ）
ここで、ｒｏｕｎｄは、引数を四捨五入した値を返す関数である。
【0096】
発光制御部７０５は、決定した個数の画素位置を、軸方向においてはランダムに、周方向においては非ランダムに選択し得る。軸方向の挿入位置又は間引き位置の選択にランダム性を取り入れることで、補償の結果として画像のスジ又はモアレといった主観的な画質の劣化が生じる可能性を低減することができる。発光制御部７０５は、決定した個数の画素位置を、軸方向において画素ブロック単位でランダムに選択してもよい。例えば、２つの画素位置を選択する場合には、軸方向に並ぶＮ列の画素が左半分の画素ブロック及び右半分の画素ブロックに区分され、左半分の画素ブロックから１つの画素位置、右半分の画素ブロックから１つの画素位置がそれぞれランダムに選択され得る。それにより、選択される画素位置の偏りに起因して画像に歪みが生じる可能性を低減することができる。
【0097】
周方向の挿入位置又は間引き位置の選択は、上述した位置ずれの補償におけるシフト量の分配と同様の規則で行われ得る。例えば、ｚ個の画素値を挿入して画素値集合を右方向へシフトさせる場合、シフト方向における後端は１行目に、先端は４行目に位置する。よって、発光制御部７０５は、画素位置の選択個数がｚに達するまで第１行→第２行→第３行→第４行→第１行→第２行→...という順に周方向の画素位置を選択する。画素値集合を左方向へシフトさせる場合には、行の選択の順序は逆になる。図１８に、３個の画素位置を選択して画素値を挿入することにより画像形成範囲を３×ＰＡの分だけ拡大する場合の画素位置の選択の一例を示す。図１８の例では、入力画像データＩＭ３に設定される読出し範囲ＲＤ内で、第１行から画素位置ＤＰ１が、第２行から画素位置ＤＰ２が、第３行から画素位置ＤＰ３が選択されている。そして、選択された画素位置ＤＰ１、ＤＰ２及びＤＰ３よりも右側の画素値が、右方向へシフトされている。なお、説明の簡明さのために、ここでは選択される画素位置が発光チップ４００－１の発光素子に対応する画素位置に偏っている例を示しているが、実際には、選択される画素位置は軸方向の全体にわたって広く分散されてよい。
【0098】
＜４－２－４．位置ずれの補償を伴う倍率誤差の補償＞
ここまでに説明した画素値の挿入又は間引きによって画像形成範囲を拡縮した場合、それに伴って画像形成位置が軸方向に変位することになる。発光制御部７０５は、前節で説明した位置ずれの補償と同様の考え方で、補償後の画像形成位置が正しい位置に合うように画像データの各ラインの画素値集合をシフトさせる。発光制御部７０５は、画像形成範囲の位置及び倍率が最終的に適切となる限り、位置ずれの補償のための画素値集合のシフト及び倍率誤差の補償のための画素値の挿入又は間引きのうち、どちらを先に行ってもよい。これらの点は、次節で説明する実装例にも当てはまる。
ここまでに説明した画素値の挿入又は間引きによって画像形成範囲を拡縮した場合、それに伴って画像形成位置が軸方向に変位することになる。発光制御部７０５は、前節で説明した位置ずれの補償と同様の考え方で、補償後の画像形成位置が正しい位置に合うように画像データの各ラインの画素値集合をシフトさせる。発光制御部７０５は、画像形成範囲の位置及び倍率が最終的に適切となる限り、位置ずれの補償のための画素値集合のシフト及び倍率誤差の補償のための画素値の挿入又は間引きのうち、どちらを先に行ってもよい。これらの点は、次節で説明する実装例にも当てはまる。
【0099】
＜５．補助画素配列を用いた実装例＞
前節で説明したように、発光制御部７０５は、入力画像データのＭラインの画素値のＪ×Ｍ個（例えば、Ｊ＝７４８、Ｍ＝４）ごとのサブセットを発光チップ４００－ｎへ出力する。画像コントローラ７００は、こうした画素値の出力制御のために、画素値を一時的に記憶する補助画素配列を含む画像メモリを備えていてもよい。本節では、そうした補助画素配列を用いた画素値の出力制御の実装例について説明する。
前節で説明したように、発光制御部７０５は、入力画像データのＭラインの画素値のＪ×Ｍ個（例えば、Ｊ＝７４８、Ｍ＝４）ごとのサブセットを発光チップ４００－ｎへ出力する。画像コントローラ７００は、こうした画素値の出力制御のために、画素値を一時的に記憶する補助画素配列を含む画像メモリを備えていてもよい。本節では、そうした補助画素配列を用いた画素値の出力制御の実装例について説明する。
【0100】
（１）基本的な出力制御
図１９は、補助画素配列を用いた画素値の出力制御の実装例についての説明図である。図１９の左には、発光制御部７０５が画像データ処理部７０３から受信する入力画像データＩＭ１が再び部分的に示されている。入力画像データＩＭ１には、３ライン分のダミーの画素値が付加されている。
図１９は、補助画素配列を用いた画素値の出力制御の実装例についての説明図である。図１９の左には、発光制御部７０５が画像データ処理部７０３から受信する入力画像データＩＭ１が再び部分的に示されている。入力画像データＩＭ１には、３ライン分のダミーの画素値が付加されている。
【0101】
図１９の中央には、画像メモリ（例えば、フレームメモリ）に含まれ得る補助画素配列７５０が部分的に示されている。補助画素配列７５０の各行は、入力画像データＩＭ１の各行の画素数のＭ倍の個数の補助画素からなる。図１９の例では、Ｍ＝４である。発光制御部７０５は、入力画像データの各行の各画素位置の画素値のＭ個のコピーを、補助画素配列７５０の対応する行のＭ個の補助画素にそれぞれ格納する。例えば、図１９を参照すると、入力画像データＩＭ１の画素値（０，０）の４個のコピーが、補助画素配列７５０の補助画素Ｐｘ１、Ｐｘ２、Ｐｘ３及びＰｘ４にそれぞれ格納されている。
【0102】
図１９の右には発光チップ４００－１の発光素子配列が示されている。発光制御部７０５は、露光ヘッド１０６に入力画像データＩＭ１の各画素位置に対応するスポットを形成させるために、補助画素配列７５０の対応する補助画素集合の補助画素から逐次的に画素値を読出して、読出した画素値を発光素子配列へ出力する。図１９の例では、あるライン周期において補助画素配列７５０内で画素値の読出し元となる補助画素が網掛けで示されている。とりわけ、このライン周期では、発光制御部７０５は、画素値（０，０）が格納された４つの補助画素のうち補助画素Ｐｘ４から画素値を読出して、読出した画素値を発光素子Ｒ０＿３へ出力する。
【0103】
図２０Ａ～図２０Ｄの左には、ライン周期ｔ０～ｔ０＋３にわたって補助画素配列７５０内でそれぞれ画素値の読出し元となる補助画素が、異なる濃度の網掛けで示されている。画素値（０，０）が格納された４つの補助画素に注目すると、ライン周期ｔ０では、補助画素Ｐｘ４から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４の左上隅のスポットＳＰの形成に使用される（図２０Ａ参照）。ライン周期ｔ０＋１では、補助画素Ｐｘ３から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４のスポットＳＰの形成に使用される（図２０Ｂ参照）。ライン周期ｔ０＋２では、補助画素Ｐｘ２から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４のスポットＳＰの形成に使用される（図２０Ｃ参照）。ライン周期ｔ０＋３では、補助画素Ｐｘ１から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４のスポットＳＰの形成に使用される（図２０Ｄ参照）。
【0104】
ここで説明した補助画素配列からの画素値の出力制御は、画像形成範囲の誤差が検出されない場合の基本的な制御の例である。この場合、静電潜像の各スポットはいずれも、入力画像データの対応する画素位置の同じ画素値がコピーされたＭ個の補助画素の集合（即ち、補助画素集合）から読出された画素値に基づく発光の結果として形成される。例えば、補助画素Ｐｘ１、Ｐｘ２、Ｐｘ３及びＰｘ４からなる補助画素集合Ｇ０，０が静電潜像ＩＭ４の１つのスポットＳＰの形成に関与する。一方、画像形成範囲の誤差が検出された場合には、画素値のシフト、挿入又は間引きの結果として、少なくとも１つの画素位置について対応するスポットの形成に関与する補助画素集合（を構成する補助画素）が相違することになる。換言すると、画像形成範囲の誤差が検出されない場合の少なくとも１つの画素位置に対応する第１の補助画素集合に対して、画像形成範囲の誤差が検出された場合の当該少なくとも１つの画素位置に対応する第２の補助画素集合は相違する。その結果として、補助画素集合に対応する発光素子の数が変化し、当該少なくとも１つの画素位置に対応するスポットの形成に関与する発光素子の数が相違することになる。以下、画像形成範囲の誤差として、位置ずれが検出された場合、１より小さい倍率の倍率誤差が検出された場合、及び１より大きい倍率の倍率誤差が検出された場合について、補助画素集合にどのような相違が生じ得るかを順に説明する。
【0105】
（２）位置ずれの補償
発光制御部７０５は、画像形成範囲の誤差として軸方向の位置ずれが検出された場合、補助画素配列の少なくとも１つの行の画素値を、検出された位置ずれをキャンセルする方向にシフトさせる。シフト量は、検出された位置ずれの大きさに依存して決定され得る。
発光制御部７０５は、画像形成範囲の誤差として軸方向の位置ずれが検出された場合、補助画素配列の少なくとも１つの行の画素値を、検出された位置ずれをキャンセルする方向にシフトさせる。シフト量は、検出された位置ずれの大きさに依存して決定され得る。
【0106】
図２１は、位置ずれが検出された場合の補助画素配列における画素値のシフトについての説明図である。図１９と同様に、図２１の左には入力画像データＩＭ１、中央には補助画素配列７５０が部分的に示されている。図２１の例では、１画素の１／４（例えば、４８００ｄｐｉ）に相当する量の軸方向（図中で左方向）の位置ずれが検出されたものとする。この場合、発光制御部７０５は、入力画像データの各行の各画素位置の画素値のＭ個のコピーを、補助画素１つ分だけ右方向へシフトさせて、補助画素配列７５０の対応する行のＭ個の補助画素にそれぞれ格納する。例えば、図２１を参照すると、入力画像データＩＭ１の画素値（０，０）の４個のコピーが、補助画素配列７５０の補助画素Ｐｘ２、Ｐｘ３、Ｐｘ４及びＰｘ５にそれぞれ格納されている。補助画素Ｐｘ２の左に隣接する補助画素Ｐｘ１の画素値は、例えば非発光を示すダミーの値に設定されてよい。図２１の例では、画素値のシフトに伴い非発光を示すダミーの値に設定される補助画素が、水平方向のストライプで示されている。
【0107】
図２１の右には発光チップ４００－１の発光素子配列が示されている。発光制御部７０５は、露光ヘッド１０６に入力画像データＩＭ１の各画素位置に対応するスポットを形成させるために、補助画素配列７５０の対応する補助画素集合の補助画素から逐次的に画素値を読出して、読出した画素値を発光素子配列へ出力する。図２１の例では、画素値のシフトに伴いダミーの値に設定された補助画素の画素値が発光素子Ｒ０＿０へ出力されることになる。
【0108】
図２２Ａ～図２２Ｄでは、位置ずれ補償の場合にライン周期ｔ０～ｔ０＋３にわたって補助画素配列７５０内でそれぞれ画素値の読出し元となる補助画素が、異なる濃度の網掛けで示されている。但し、画素値のシフトに伴いダミーの値に設定された補助画素は、水平方向のストライプで示されている。画素値（０，０）が格納された４つの補助画素に注目すると、ライン周期ｔ０では、補助画素Ｐｘ４から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４の左上隅のスポットＳＰの形成に使用される（図２２Ａ参照）。ライン周期ｔ０＋１では、補助画素Ｐｘ３から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４のスポットＳＰの形成に使用される（図２２Ｂ参照）。ライン周期ｔ０＋２では、補助画素Ｐｘ２から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４のスポットＳＰの形成に使用される（図２２Ｃ参照）。ライン周期ｔ０＋３では、補助画素Ｐｘ５から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４のスポットＳＰの形成に使用される（図２２Ｄ参照）。ダミーの値に設定された補助画素からの画素値は、位置ずれに起因して、本来の画像形成範囲から外れた位置を露光する発光素子Ｒ０＿０へ出力される。しかし、ダミーの値は非発光を示すため、発光素子Ｒ０＿０は発光しない。
【0109】
図２２Ａ～図２２Ｄから理解されるように、位置ずれが検出された場合の静電潜像の各スポットに対応する補助画素集合（第２の補助画素集合）は、位置ずれが検出されない場合の対応する補助画素集合（第１の補助画素集合）には含まれない補助画素を含む。例えば、スポットＳＰに対応する補助画素集合Ｇ０，０は、位置ずれが検出されない場合には補助画素Ｐｘ１、Ｐｘ２、Ｐｘ３及びＰｘ４から構成されていたのに対し、図２２Ａ～図２２Ｄの例では補助画素Ｐｘ２、Ｐｘ３、Ｐｘ４及びＰｘ５から構成される。
【0110】
（３）倍率誤差の補償（誤差倍率＜１）
発光制御部７０５は、画像形成範囲の誤差として軸方向の倍率誤差が検出された場合において、誤差倍率が１より小さいときに、補助画素配列の少なくとも１つの行の選択される補助画素位置に画素値を挿入する。挿入される画素値の個数は、誤差倍率の大きさに依存して決定され得る。誤差倍率の大きさは、ＣＰＵ７０１から発光制御部７０５へ入力される補正データにより示され得る。発光制御部７０５は、当該補正データに基づいて、画素値を挿入する画素位置を決定し得る。画素値の挿入は、上で説明したように、選択される補助画素位置を基準として軸方向の一方の側の画素値を画素値集合を拡張する方向へシフトさせること、及び、当該補助画素位置のシフト前の画素値のコピーを当該補助画素位置に与えることを含み得る。発光制御部７０５は、誤差倍率の大きさに基づいて決定した個数の補助画素位置（挿入位置）を、軸方向において、ランダムに又は画素ブロック単位でランダムに選択してもよい。
発光制御部７０５は、画像形成範囲の誤差として軸方向の倍率誤差が検出された場合において、誤差倍率が１より小さいときに、補助画素配列の少なくとも１つの行の選択される補助画素位置に画素値を挿入する。挿入される画素値の個数は、誤差倍率の大きさに依存して決定され得る。誤差倍率の大きさは、ＣＰＵ７０１から発光制御部７０５へ入力される補正データにより示され得る。発光制御部７０５は、当該補正データに基づいて、画素値を挿入する画素位置を決定し得る。画素値の挿入は、上で説明したように、選択される補助画素位置を基準として軸方向の一方の側の画素値を画素値集合を拡張する方向へシフトさせること、及び、当該補助画素位置のシフト前の画素値のコピーを当該補助画素位置に与えることを含み得る。発光制御部７０５は、誤差倍率の大きさに基づいて決定した個数の補助画素位置（挿入位置）を、軸方向において、ランダムに又は画素ブロック単位でランダムに選択してもよい。
【0111】
図２３は、倍率誤差が検出された場合の補助画素配列における画素値の挿入についての説明図である。図１９と同様に、図２３の左には入力画像データＩＭ１、中央には補助画素配列７５０が部分的に示されている。図２３の例では、誤差倍率が１．０を１画素の１／４に相当する量だけ下回っていることから、補助画素１つ分の画素値が挿入されるものとする。また、挿入位置として、左から４番目の補助画素位置が選択されたものとする。この場合、発光制御部７０５は、入力画像データの各行の各画素位置の画素値のＭ個のコピーを、補助画素配列７５０の対応する行のＭ個の補助画素にそれぞれ格納する。但し、発光制御部７０５は、左から４番目以降の補助画素位置の画素値を補助画素１つ分だけ右方向へシフトさせて、左から４番目の補助画素位置にシフト前の当該位置の画素値のコピーを挿入する。図２３の例では、選択された挿入位置にあたる補助画素が、水平方向のストライプで示されている。こうした画素値の挿入の結果として、入力画像データＩＭ１の画素値（０，０）の５個のコピーが、補助画素配列７５０の補助画素Ｐｘ１、Ｐｘ２、Ｐｘ３、Ｐｘ４及びＰｘ５にそれぞれ格納されている。
【0112】
図２３の右には発光チップ４００－１の発光素子配列が示されている。発光制御部７０５は、露光ヘッド１０６に入力画像データＩＭ１の各画素位置に対応するスポットを形成させるために、補助画素配列７５０の対応する補助画素集合の補助画素から逐次的に画素値を読出して、読出した画素値を発光素子配列へ出力する。図２３の例では、選択された挿入位置にあたる補助画素の画素値が発光素子Ｒ０＿３へ出力されることになる。
【0113】
図２４Ａ～図２４Ｄでは、倍率誤差補償（誤差倍率＜１）の場合にライン周期ｔ０～ｔ０＋３にわたって補助画素配列７５０内でそれぞれ画素値の読出し元となる補助画素が、異なる濃度の網掛けで示されている。但し、選択された挿入位置にあたる補助画素は、水平方向のストライプで示されている。画素値（０，０）が格納された５つの補助画素に注目すると、ライン周期ｔ０では、補助画素Ｐｘ４から読出された画素値（挿入された画素値）が静電潜像ＩＭ４の左上隅のスポットＳＰの形成に使用される（図２４Ａ参照）。ライン周期ｔ０＋１では、補助画素Ｐｘ３から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４のスポットＳＰの形成に使用される（図２４Ｂ参照）。ライン周期ｔ０＋２では、補助画素Ｐｘ２から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４のスポットＳＰの形成に使用される（図２４Ｃ参照）。ライン周期ｔ０＋３では、補助画素Ｐｘ１及びＰｘ５から読出された画素値が静電潜像ＩＭ４のスポットＳＰの形成に使用される（図２４Ｄ参照）。この場合、スポットＳＰの形成に５つの補助画素に対応する発光素子が関与するが、スポットＳＰのサイズは倍率誤差に起因して実際には縮小する。これが倍率誤差の補償に寄与する。
【0114】
図２４Ａ～図２４Ｄから理解されるように、倍率誤差が検出された場合の静電潜像の少なくとも１つのスポットに対応する補助画素集合（第２の補助画素集合）は、倍率誤差が検出されない場合の対応する補助画素集合（第１の補助画素集合）よりも多くの補助画素を含む。例えば、スポットＳＰに対応する補助画素集合Ｇ０，０は、倍率誤差が検出されない場合には４つの補助画素Ｐｘ１～Ｐｘ４から構成されていたのに対し、図２４Ａ～図２４Ｄの例では５つの補助画素Ｐｘ１～Ｐｘ５から構成される。
【0115】
ある実施例において、スポットＳＰの形成に関与する発光部（例えば、発光素子）の数は、対応する補助画素集合を構成する補助画素の数が変化することで変化する。即ち、スポットＳＰの形成に関与する発光部の数は、誤差倍率を示す補正データに基づいて制御される。換言すると、発光制御部７０５は、補正データに基づいて画素値を挿入し又は間引くことにより、形成される画像の軸方向における画像幅を制御し得る。即ち、補正データは、軸方向における画像幅を補正するためのデータである。
【0116】
ある実施例において、発光制御部７０５は、補助画素配列７５０から各画素について補助画素集合の画素値を逐次的に読出して、当該画素の対応するスポットを形成するように発光素子配列へ出力する。即ち、１つの画素は、入力画像データ内の当該画素の画素位置に対応する補助画素の数と同じ数の発光素子を用いて形成される。発光制御部７０５は、補正データに基づいて、ある画素位置において補助画素集合に対して補助画素を挿入することにより、形成される画像の軸方向における画像幅を制御する。補助画素集合にいくつかの補助画素が挿入される場合、画像幅は挿入される補助画素の数だけ増加し、当該補助画素集合に関連する画素データに基づいて駆動される発光素子の数もそれに応じて増加する。
【0117】
（４）倍率誤差の補償（誤差倍率＞１）
発光制御部７０５は、画像形成範囲の誤差として軸方向の倍率誤差が検出された場合において、誤差倍率が１より大きいときに、補助画素配列の少なくとも１つの行の選択される補助画素位置の画素値を間引く。間引かれる画素値の個数は、誤差倍率の大きさに依存して決定され得る。画素値の間引きは、上で説明したように、選択される補助画素位置の間引き前の画素値を消去すること、及び、当該補助画素位置を基準として軸方向の一方の側の画素値を画素値集合を縮小する方向へシフトさせることを含み得る。発光制御部７０５は、誤差倍率の大きさに基づいて決定した個数の補助画素位置（間引き位置）を、軸方向において、ランダムに又は画素ブロック単位でランダムに選択してもよい。
発光制御部７０５は、画像形成範囲の誤差として軸方向の倍率誤差が検出された場合において、誤差倍率が１より大きいときに、補助画素配列の少なくとも１つの行の選択される補助画素位置の画素値を間引く。間引かれる画素値の個数は、誤差倍率の大きさに依存して決定され得る。画素値の間引きは、上で説明したように、選択される補助画素位置の間引き前の画素値を消去すること、及び、当該補助画素位置を基準として軸方向の一方の側の画素値を画素値集合を縮小する方向へシフトさせることを含み得る。発光制御部７０５は、誤差倍率の大きさに基づいて決定した個数の補助画素位置（間引き位置）を、軸方向において、ランダムに又は画素ブロック単位でランダムに選択してもよい。
【0118】
図２５は、倍率誤差が検出された場合の補助画素配列における画素値の間引きについての説明図である。図１９と同様に、図２５の左には入力画像データＩＭ１、中央には補助画素配列７５０が部分的に示されている。図２５の例では、誤差倍率が１．０を１画素の１／４に相当する量だけ上回っていることから、補助画素１つ分の画素値が間引かれるものとする。また、間引き位置として、左から４番目の補助画素位置が選択されたものとする。この場合、発光制御部７０５は、入力画像データの各行の各画素位置の画素値のＭ個のコピーを、補助画素配列７５０の対応する行のＭ個の補助画素にそれぞれ格納する。但し、発光制御部７０５は、左から４番目の補助画素位置の画素値を消去し、左から５番目以降の補助画素位置の画素値を補助画素１つ分だけ左方向へシフトさせる。こうした画素値の間引きの結果として、入力画像データＩＭ１の画素値（０，０）の３個のコピーが、補助画素配列７５０の補助画素Ｐｘ１、Ｐｘ２、及びＰｘ３にそれぞれ格納されている。
【0119】
したがって、静電潜像の少なくとも１つのスポットに対応する補助画素集合（第２の補助画素集合）は、倍率誤差が検出されない場合の対応する補助画素集合（第１の補助画素集合）よりも少ない補助画素を含む。例えば、倍率誤差が検出されない場合には、静電潜像の左上隅のスポットに対応する補助画素集合Ｇ０，０は４つの補助画素Ｐｘ１～Ｐｘ４から構成されていたのに対し、図２５の例では補助画素集合Ｇ０，０は３つの補助画素Ｐｘ１～Ｐｘ３から構成される。補助画素Ｐｘ４には、画素値（０，０）のコピーではなく画素値（１，０）のコピーが格納されることになる。このスポットの形成には３つの補助画素に対応する発光素子のみが関与するが、スポットのサイズは倍率誤差に起因して実際には拡大する。これが倍率誤差の補償に寄与する。
【0120】
ある実施例において、スポットＳＰの形成に関与する発光部（例えば、発光素子）の数は、対応する補助画素集合を構成する補助画素の数が変化することで変化する。即ち、スポットＳＰの形成に関与する発光部の数は、誤差倍率を示す補正データに基づいて制御される。換言すると、発光制御部７０５は、補正データに基づいて画素値を挿入し又は間引くことにより、形成される画像の軸方向における画像幅を制御し得る。即ち、補正データは、軸方向における画像幅を補正するためのデータである。
【0121】
ある実施例において、発光制御部７０５は、補助画素配列７５０から各画素について補助画素集合の画素値を逐次的に読出して、当該画素の対応するスポットを形成するように発光素子配列へ出力する。即ち、１つの画素は、入力画像データ内の当該画素の画素位置に対応する補助画素の数と同じ数の発光素子を用いて形成される。発光制御部７０５は、補正データに基づいて、ある画素位置において補助画素集合から補助画素を間引くことにより、形成される画像の軸方向における画像幅を制御する。補助画素集合からいくつかの補助画素が間引かれる場合、画像幅は間引かれる補助画素の数だけ減少し、当該補助画素集合に関連する画素データに基づいて駆動される発光素子の数もそれに応じて減少する。
【0122】
本節で説明した補助画素配列を用いた実装例によれば、離散的なビットの配列の操作という比較的複雑度の小さいアルゴリズムを通じて、画像形成範囲の多様な誤差を補償することが可能である。
【0123】
＜６．まとめ＞
ここまで、図１～図２５を用いて、様々な実施形態について詳細に説明した。上述した実施形態のある観点によれば、回転する感光体に対して周方向に配列されるＭ行の発光素子が逐次的に発光することにより多重露光を行う露光装置について、軸方向の画像の位置ずれが検出された場合に、検出された位置ずれを補償するための発光制御が行われる。その発光制御は、２次元的に配列された発光素子の少なくとも１つの行に対応する入力画像データの画素値集合を、検出された位置ずれをキャンセルする方向にシフトさせた後に、入力画像データに基づく駆動信号を発光素子に供給することを含む。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子には、発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。かかる構成によれば、解像度変換又は重み付け演算といった負荷の高い処理を要することなく、駆動信号の基礎となるデータの読出し順序を制御するだけで、画像の位置ずれの補償を実現することができる。例えば、キャリブレーションの結果、複数の色成分の画像間の相対的なずれ、又はシートを基準とした画像形成位置のずれが検出された場合に、位置ずれの影響を上述した発光制御によってキャンセルして、形成される画像の品質を良好に維持することができる。また、上述した実施形態によれば、回路規模を大きくすることなく、画像形成位置を調整して位置ずれを補償することが可能となるため、露光装置の小型化又は低コスト化を促進することができる。このようにして、画像の位置ずれを補償するための改善された仕組みが提供される。
ここまで、図１～図２５を用いて、様々な実施形態について詳細に説明した。上述した実施形態のある観点によれば、回転する感光体に対して周方向に配列されるＭ行の発光素子が逐次的に発光することにより多重露光を行う露光装置について、軸方向の画像の位置ずれが検出された場合に、検出された位置ずれを補償するための発光制御が行われる。その発光制御は、２次元的に配列された発光素子の少なくとも１つの行に対応する入力画像データの画素値集合を、検出された位置ずれをキャンセルする方向にシフトさせた後に、入力画像データに基づく駆動信号を発光素子に供給することを含む。シフトの結果として空白となる位置に対応する発光素子には、発光のオフを意味する駆動信号が供給され得る。かかる構成によれば、解像度変換又は重み付け演算といった負荷の高い処理を要することなく、駆動信号の基礎となるデータの読出し順序を制御するだけで、画像の位置ずれの補償を実現することができる。例えば、キャリブレーションの結果、複数の色成分の画像間の相対的なずれ、又はシートを基準とした画像形成位置のずれが検出された場合に、位置ずれの影響を上述した発光制御によってキャンセルして、形成される画像の品質を良好に維持することができる。また、上述した実施形態によれば、回路規模を大きくすることなく、画像形成位置を調整して位置ずれを補償することが可能となるため、露光装置の小型化又は低コスト化を促進することができる。このようにして、画像の位置ずれを補償するための改善された仕組みが提供される。
【0124】
また、上述した実施形態では、各列のＭ個の発光素子は、一定のピッチで階段状に配列される。そして、少なくともキャンセル方向において後端にあたる発光素子を有する行に対応する画素値集合が、キャンセル方向にシフトされ得る。したがって、検出された位置ずれが感光体の軸方向のどちら側へのずれであるかに応じて、画素値集合を適切に選択してシフトさせることができる。
【0125】
また、上述した実施形態では、検出された位置ずれの大きさと発光素子の軸方向のピッチとに基づいて、どの行に対応する画素値集合をシフトさせるか、及び各行に対応する画素値集合を何列分シフトさせるかが決定され得る。したがって、１画素に対応するスポットよりも小さい発光素子の軸方向のピッチを最小単位とする精細な粒度で、画像の位置ずれを補償することができる。
【0126】
また、上述した実施形態では、露光ヘッドは、各々が複数の発光素子のサブセットを含む複数の発光チップを有する。そして、それら複数の発光チップの全ての発光素子が軸方向において占める範囲は、入力画像データの最大幅が占める範囲よりも広い。かかる構成によれば、入力画像データの最大幅の外側の部分を位置ずれ補償のための余白として活用して、画像の端部を欠落させることなく位置ずれを補償することができる。
【0127】
上述した実施形態の他の観点によれば、回転する感光体に対して周方向に配列されるＭ行の発光素子が逐次的に発光することにより多重露光を行う露光装置について、軸方向の画像の倍率誤差が検出された場合に、検出された倍率誤差を補償するための発光制御が行われる。その発光制御は、入力画像データを構成する画素位置のうち誤差倍率に応じて選択される１つ以上の画素位置の各々が属する行の画素値集合に対し各画素位置の画素値を挿入し又は間引いた後に、入力画像データに基づく駆動信号を発光素子に供給することを含む。かかる構成によれば、解像度変換又は重み付け演算といった負荷の高い処理を要することなく、駆動信号の基礎となるデータに対する画素値の挿入又は間引きという簡易な処理だけで、倍率誤差の補償を実現することができる。例えば、キャリブレーションの結果、露光ヘッドにおける熱膨張に起因する画像形成範囲の拡大が検出された場合に、画像形成範囲の拡大の影響を上述した画素値の間引きによってキャンセルして、形成される画像の品質を良好に維持することができる。また、上述した実施形態によれば、回路規模を大きくすることなく、画像形成範囲を調整して倍率誤差を補償することが可能となるため、露光装置の小型化又は低コスト化を促進することができる。このようにして、画像の倍率誤差を補償するための改善された仕組みが提供される。
【0128】
また、上述した実施形態では、誤差倍率が１より小さい場合には、選択される各画素位置が属する行の画素値集合に対して、当該画素位置の画素値が挿入される。一方、誤差倍率が１より大きい場合には、選択される各画素位置が属する行の画素値集合に対して、当該画素位置の画素値が間引かれる。したがって、露光ヘッドの誤差に起因して画像形成範囲が縮小している場合又は拡大している場合に、それら縮小又は拡大の影響を適切にキャンセルすることができる。画素値の挿入は、選択される画素位置を基準として軸方向の一方の側の画素値を画素値集合を拡張する方向へシフトさせること、及び、当該画素位置のシフト前の画素値のコピーを当該画素位置に与えること、を含む。画素値の間引きは、選択される画素位置の間引き前の画素値を消去すること、及び、当該画素位置を基準として軸方向の一方の側の画素値を画素値集合を縮小する方向へシフトさせること、を含む。かかる構成によれば、形成される画像の変化を最小限に抑制しつつ倍率誤差を補償することができる。
【0129】
また、上述した実施形態では、検出された誤差倍率と、露光ヘッドにおける複数の発光素子の軸方向のピッチとに基づいて、画素値の挿入又は間引きのために選択すべき画素位置の個数が決定され得る。したがって、１画素に対応するスポットよりも小さい発光素子の軸方向のピッチを最小単位とする精細な粒度で、倍率誤差を補償することができる。
【0130】
なお、本明細書では、倍率誤差成分の例として、露光ヘッド１０６における熱膨張に起因する画像形成範囲の拡大について主に説明したが、本開示に係る技術はこの例には限定されない。例えば、シートの第１面に画像が形成された後に当該シートの第２面（第１面とは反対側の面）に画像が形成される場合に、第１面へのトナー像の定着のための加熱に起因してシートが縮むことがある。シートの縮みは、第１面と第２面との間で、シートサイズに対する画像サイズの比が相違する原因となる。こうした画像サイズのずれもまた、倍率誤差成分の例である。このような倍率誤差成分の誤差倍率Ｙは、次のように検出され得る。即ち、例えば、画像形成装置１のＣＰＵ７０１は、ユーザからの指示に応じて、キャリブレーションを実行する。具体的には、ＣＰＵ７０１は、テストチャートをシートの第１面及び第２面に形成するように画像形成部１０１を制御する。ここでのテストチャートは、既知のパターンを有する画像であってよい。テストチャートの形成においても、上述した露光ヘッド１０６の発光素子配列によって多重露光が行われる。テストチャートが形成されたシートはユーザによって読取部１００の原稿台に載置され、テストチャートが読取部１００によって光学的に読み取られる。読取部１００は、第１面及び第２面のテストチャートの読取結果を表す読取画像データをＣＰＵ７０１へ出力する。そして、ＣＰＵ７０１は、読取画像データを用いて、第１面のシートサイズに対する画像サイズの比と、第２面のシートサイズに対する画像サイズの比とを比較することにより、誤差倍率Ｙを算出する。ＣＰＵ７０１は、算出した誤差倍率Ｙを発光制御部７０５へ通知する。誤差倍率Ｙに基づく画素値の挿入又は間引きは、シートの第２面への画像形成時に行われ得る。
【0131】
ある変形例において、画像形成装置１の後段に、画像形成装置１によりシートに形成された画像を光学的に読取る読取装置が接続されてもよい。この実施形態では、シートの第１面及び第２面に形成されたテストチャートが、画像形成装置１の後段の読取装置により自動的に読取られてもよい。この場合、ユーザはシートを原稿台に載置する作業を行う必要性がなく、ユーザの作業の負荷を低減することができる。
【0132】
他の変形例において、上述した画素値の挿入又は間引きは、シートに形成すべき画像を拡大し又は縮小することを意図するユーザによりユーザインタフェースを介して指定される倍率に従って行われてもよい。
【0133】
上記実施形態においては、説明のために具体的な数値を用いたが、これら具体的な数値は例示であり、本発明は実施形態に用いられた具体的な数値に限定されない。具体的には、１つのプリント基板に設けられる発光チップの数は２０個に限定されず、１つ以上の任意の数とすることができる。また、各発光チップ４００の発光素子配列のサイズは、４行７４８列に限定されず、他の任意のサイズであってよい。また、発光素子の周方向のピッチ及び軸方向のピッチは、約２１．１６μｍ及び約５μｍに限定されず、他の任意の値であってよい。
【0134】
＜７．その他の実施形態＞
上記実施形態は、１つ以上の機能を実現するプログラムをネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出して実行する処理の形式でも実現可能である。また、１つ以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
上記実施形態は、１つ以上の機能を実現するプログラムをネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける１つ以上のプロセッサがプログラムを読出して実行する処理の形式でも実現可能である。また、１つ以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によっても実現可能である。
【0135】
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
【符号の説明】
【0136】
１：画像形成装置、１０２：感光体、１０６：露光ヘッド、１１３：光学センサ、４００：発光チップ、６０２：発光素子、７０１：ＣＰＵ（検出部）、７０５：発光制御部、７５０：補助画素配列、ＩＭ１：入力画像データ、ＰＡ：軸方向のピッチ、ＰＧ１～ＰＧ７：画素値集合、Ｒｊ＿ｍ：発光素子、ＲＤ：読出し範囲
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12A】
【図12B】
【図12C】
【図12D】
【図13A】
【図13B】
【図13C】
【図13D】
【図14A】
【図14B】
【図14C】
【図14D】
【図15A】
【図15B】
【図15C】
【図15D】
【図16A】
【図16B】
【図16C】
【図16D】
【図17A】
【図17B】
【図17C】
【図17D】
【図18】
【図19】
【図20A】
【図20B】
【図20C】
【図20D】
【図21】
【図22A】
【図22B】
【図22C】
【図22D】
【図23】
【図24A】
【図24B】
【図24C】
【図24D】
【図25】