特許 7514828 半導体発光素子

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-03

(45)【発行日】2024-07-11

(54)【発明の名称】半導体発光素子

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/38 20100101AFI20240704BHJP

   H01L 33/40 20100101ALI20240704BHJP

【ＦＩ】

H01L33/38

H01L33/40

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2021524731

(86)(22)【出願日】2020-05-14

(86)【国際出願番号】 JP2020019313

(87)【国際公開番号】W WO2020246215

(87)【国際公開日】2020-12-10

【審査請求日】2023-05-11

(31)【優先権主張番号】P 2019105735

(32)【優先日】2019-06-05

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】520133916

【氏名又は名称】ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100109210

【弁理士】

【氏名又は名称】新居 広守

(74)【代理人】

【識別番号】100137235

【弁理士】

【氏名又は名称】寺谷 英作

(74)【代理人】

【識別番号】100131417

【弁理士】

【氏名又は名称】道坂 伸一

(72)【発明者】

【氏名】政元 啓明

(72)【発明者】

【氏名】大屋 満明

(72)【発明者】

【氏名】林 茂生

(72)【発明者】

【氏名】廣木 均典

(72)【発明者】

【氏名】粂 雅博

(72)【発明者】

【氏名】西川 学

【審査官】高椋 健司

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１６／１６３０８３（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１３－０４８１９９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－０１２７０９（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１２／１４４０４６（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１２－１１４３２９（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１４／０２９１７１４（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

化合物半導体からなる半導体層と、
前記半導体層上に配置された、給電部と前記給電部から延伸する延伸部とを有する電極とを備え、
前記給電部の幅は、前記延伸部の幅より大きく、
前記電極は、前記半導体層側に配置された電極層と、前記電極層の上に配置された配線層とを有し、
前記電極層は、前記給電部に配置された第１金属層と、前記第１金属層よりも前記延伸部側に配置され且つ前記第１金属層と直接接続する第２金属層とを有し、
前記第１金属層及び前記第２金属層は、前記半導体層にオーミック接続し、
前記第１金属層の導電率は、前記第２金属層の導電率よりも高く、
前記配線層は、前記第１金属層及び前記第２金属層上に連続して配置される
半導体発光素子。

【請求項2】

前記第２金属層は、前記給電部に配置され、
前記第２金属層が配置された前記給電部の領域において、前記第２金属層の最大幅は前記給電部の最大幅以下で、前記延伸部の最大幅より大きい
請求項１に記載の半導体発光素子。

【請求項3】

前記第２金属層は、前記延伸部に配置され、
前記第２金属層が配置された前記延伸部の領域において、前記第２金属層の最大幅は前記延伸部の最大幅以下で、前記給電部の最大幅より小さい
請求項１または２に記載の半導体発光素子。

【請求項4】

前記第２金属層は、前記給電部から前記延伸部の方向への位置に対する前記電極層の幅の微分値が極小となる位置を含む領域、または前記微分値が不連続となる位置を含む領域に配置されている
請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。

【請求項5】

前記延伸部において、前記第２金属層の前記第１金属層側とは反対側に位置し且つ前記第２金属層に直接接続する第３金属層が配置され、
前記第１金属層と前記第３金属層は同一材料で形成される
請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。

【請求項6】

前記延伸部において、前記第３金属層の前記第２金属層側とは反対側に位置し且つ前記第３金属層に直接接続する第４金属層が配置され、
前記第２金属層と前記第４金属層は同一材料で形成される
請求項５に記載の半導体発光素子。

【請求項7】

前記第２金属層と前記第４金属層とは離間している
請求項６に記載の半導体発光素子。

【請求項8】

前記電極は、前記延伸部における前記給電部側と反対側に分岐部を有し、
前記第４金属層は、前記分岐部に配置されている
請求項６または７に記載の半導体発光素子。

【請求項9】

前記電極は、前記延伸部における前記給電部側と反対側に分岐部を有し、
前記第２金属層は、前記分岐部に配置されている
請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。

【請求項10】

前記延伸部は、前記給電部側と反対側に、前記給電部側の幅よりも幅の小さい部分を有する
請求項１～９のいずれか１項に記載の半導体発光素子。

【請求項11】

前記延伸部は、前記延伸部の延伸方向先端に向かって前記幅が段差状に狭くなるように前記幅が変化している
請求項１０に記載の半導体発光素子。

【請求項12】

前記延伸部は、前記延伸部の延伸方向先端に向かって幅が漸次狭くなる
請求項１０に記載の半導体発光素子。

【請求項13】

前記電極層と前記配線層の間に拡散バリア層を有する
請求項１～１２のいずれか１項に記載の半導体発光素子。

【請求項14】

前記拡散バリア層は前記第２金属層と同一材料で構成される
請求項１３に記載の半導体発光素子。

【請求項15】

前記延伸部において、前記配線層の配線抵抗値は、前記電極層の配線抵抗値よりも小さい
請求項１～１４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、半導体発光素子に関する。

【背景技術】

【0002】

ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の半導体発光素子は、照明用途又はディスプレイ用途等の様々な機器の光源として利用されている。種々の光源の中でも、大きな光出力の領域では、例えば、ＬＥＤは、ＤＲＬ（Ｄａｙｔｉｍｅ Ｒｕｎｎｉｎｇ Ｌｉｇｈｔｓ）及びＨＬ（Ｈｅａｄ Ｌａｍｐ）等の車載用照明装置の光源に用いられている。

【0003】

半導体発光素子は、例えば、活性層（発光層）と、活性層の両側の半導体層と、電極とを備える。電極は、半導体層とオーミック接触する電極層と、電極層に積層された配線層とを有する。平面視において、電極は、幅が変化する部分を有するように形成されることがある。この場合、電極を構成する電極層及び配線層の各々に、幅が変化する部分が形成される。

【0004】

しかしながら、電極に幅が変化する部分が存在すると、電極の幅が狭くなる部分で電極層の電流密度が局所的に大きくなり、エレクトロマイグレーション（ＥＭ）が発生して電極層が劣化するおそれがある。

【0005】

従来、電流密度が大きくなる部分でのエレクトロマイグレーションを抑制するために、電流密度が大きくなる部分において電極層を分断して、その電極層を分断した部分に絶縁層を設ける技術が提案されている（例えば特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【文献】特開２０１４－２２４１３号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

しかしながら、特許文献１に開示された技術では、エレクトロマイグレーションを抑制することができるものの、駆動電圧が増加するという課題がある。

【0008】

本開示は、このような課題を解決するためになされたものであり、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制できる半導体発光素子を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

本開示に係る半導体発光素子の一態様は、化合物半導体からなる半導体層と、前記半導体層上に配置された、給電部と前記給電部から延伸する延伸部とを有する電極とを備え、前記給電部の幅は、前記延伸部の幅より大きく、前記電極は、前記半導体層側に配置された電極層と、前記電極層の上に配置された配線層とを有し、前記電極層は、前記給電部に配置された第１金属層と、前記第１金属層よりも前記延伸部側に配置され且つ前記第１金属層と直接接続する第２金属層とを有し、前記第１金属層及び前記第２金属層は、前記半導体層にオーミック接続し、前記第１金属層の導電率は、前記第２金属層の導電率よりも高く、前記配線層は、前記第１金属層及び前記第２金属層上に連続して配置される。

【発明の効果】

【0010】

本開示によれば、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施の形態１に係る半導体発光素子の構成を示す図である。

【図2A】図２Ａは、実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法において、基板を準備する工程を示す図である。

【図2B】図２Ｂは、実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法において、半導体積層構造を形成する工程を示す図である。

【図2C】図２Ｃは、実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法において、半導体積層構造をエッチングする工程を示す図である。

【図2D】図２Ｄは、実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法において、絶縁膜を形成する工程を示す図である。

【図2E】図２Ｅは、実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法において、ｐ側電極を形成する工程を示す図である。

【図2F】図２Ｆは、実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法において、ｎ側電極のｎ側電極層における第１金属層及び第３金属層を形成する工程を示す図である。

【図2G】図２Ｇは、実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法において、ｎ側電極のｎ側電極層における第２金属層を形成する工程を示す図である。

【図2H】図２Ｈは、実施の形態１に係る半導体発光素子の製造方法において、ｎ側電極のｎ側配線層を形成する工程を示す図である。

【図3】図３は、比較例１の半導体発光素子のｎ側電極周辺の構成と横方向（延伸部の延伸方向）におけるｎ側電極のｎ側電極層の電流密度とを示す図である。

【図4】図４は、比較例２の半導体発光素子のｎ側電極周辺の構成と横方向（延伸部の延伸方向）におけるｎ側電極のｎ側電極層の電流密度とを示す図である。

【図5】図５は、実施の形態１に係る半導体発光素子のｎ側電極周辺の構成と横方向（延伸部の延伸方向）におけるｎ側電極のｎ側電極層の電流密度とを示す図である。

【図6】図６は、実施の形態１に係る半導体発光素子のｎ側電極におけるｎ側電極層の変形例を示す図である。

【図7】図７は、実施の形態１に係る半導体発光素子のｎ側電極におけるｎ側電極層の他の変形例を示す図である。

【図8】図８は、実施の形態１に係る半導体発光素子のｎ側電極におけるｎ側電極層のさらに他の変形例を示す図である。

【図9】図９は、実施の形態１に係る半導体発光素子のｎ側電極のｎ側電極層において、ｎ側電極の幅が変化する位置（幅変化位置）から延伸部の延伸方向の距離と、電流密度との関係を示す図である。

【図10】図１０は、実施の形態１に係る半導体発光素子のｎ側電極のｎ側電極層の複数のバリエーションの各々において、第２金属層が設けられる所望の範囲を示す図である。

【図11】図１１は、実施の形態１の変形例１に係る半導体発光素子の構成を示す図である。

【図12】図１２は、実施の形態１の変形例１に係る半導体発光素子の他の構成を示す図である。

【図13】図１３は、実施の形態１の変形例２に係る半導体発光素子の構成を示す図である。

【図14】図１４は、実施の形態１の変形例２に係る半導体発光素子の他の構成を示す図である。

【図15】図１５は、実施の形態１の変形例３に係る半導体発光素子の構成を示す図である。

【図16】図１６は、実施の形態１の変形例３に係る半導体発光素子の他の構成を示す図である。

【図17】図１７は、実施の形態１の変形例３に係る半導体発光素子のさらに他の構成を示す図である。

【図18】図１８は、実施の形態１の変形例４に係る半導体発光素子の構成を示す図である。

【図19】図１９は、実施の形態１の変形例４に係る半導体発光素子の他の構成を示す図である。

【図20】図２０は、実施の形態１の変形例４に係る半導体発光素子のさらに他の構成を示す図である。

【図21】図２１は、実施の形態１の変形例５に係る半導体発光素子の構成を示す図である。

【図22】図２２は、実施の形態２に係る半導体発光素子の構成を示す図である。

【図23】図２３は、実施の形態２の変形例１に係る半導体発光素子の構成を示す図である。

【図24】図２４は、実施の形態２の変形例２に係る半導体発光素子の構成を示す図である。

【図25】図２５は、実施の形態２の変形例２に係る半導体発光素子の他の構成を示す図である。

【図26】図２６は、実施の形態２の変形例２に係る半導体発光素子のさらに他の構成を示す図である。

【図27】図２７は、実施の形態２の変形例３に係る半導体発光素子の構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

（実施の形態）
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。従って、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、並びに、工程及び工程の順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。

【0013】

また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺などは必ずしも一致していない。なお、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

【0014】

（実施の形態１）
［半導体発光素子］
まず、実施の形態１に係る半導体発光素子１の構成について、図１を用いて説明する。図１において、（ａ）は、実施の形態１に係る半導体発光素子１の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における同半導体発光素子１の垂直断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ－Ｂ線における同半導体発光素子１の水平断面図である。なお、図１では、各部材の位置関係を分かりやすくするために、（ａ）の平面図にも便宜的にハッチングを施している。このことは、以下の図面においても同様である。

【0015】

図１に示すように、実施の形態１に係る半導体発光素子１は、半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０に設けられたｎ側電極２０及びｐ側電極３０とを有する。本実施の形態において、半導体発光素子１は、一方側にｎ側電極２０及びｐ側電極３０の両方が形成された片面電極構造の発光ダイオード（ＬＥＤ）チップである。

【0016】

半導体積層構造１０は、基板１１と、ｎ型半導体層１２（第１導電型半導体層）と、発光層となる活性層１３と、ｐ型半導体層１４（第２導電型半導体層）とを有する。ｎ型半導体層１２、活性層１３及びｐ型半導体層１４は、基板１１に形成された半導体積層体である。具体的には、ｎ型半導体層１２、活性層１３及びｐ型半導体層１４は、基板１１の上に、この順で積層されている。

【0017】

ｎ型半導体層１２、活性層１３及びｐ型半導体層１４は、化合物半導体からなる。本実施の形態において、ｎ型半導体層１２、活性層１３及びｐ型半導体層１４は、ＧａＮ等のＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体によって構成されている。

【0018】

ｎ側電極２０は、第１電極であり、ｎ型半導体層１２の上に配置されている。具体的には、ｎ側電極２０は、ｐ型半導体層１４及び活性層１３の一部を除去することで部分的にｎ型半導体層１２を露出させた露出領域に形成されている。一方、ｐ側電極３０は、第２電極であり、ｐ型半導体層１４の上に配置されている。

【0019】

本実施の形態において、半導体積層構造１０の上には、絶縁膜４０が形成されている。そして、ｎ側電極２０は、絶縁膜４０の開口部から露出するｎ型半導体層１２の上に形成され、ｐ側電極３０は、絶縁膜４０の開口部から露出するｐ型半導体層１４の上に形成されている。なお、絶縁膜４０は、例えば、ＳｉＯ_２等からなる酸化膜である。

【0020】

ｎ側電極２０は、ｎ型半導体層１２側に配置されたｎ側電極層２１と、ｎ側電極層２１の上に配置されたｎ側配線層２２とを有する。具体的には、ｎ側電極層２１は、ｎ型半導体層１２の上に積層されており、ｎ側配線層２２は、ｎ側電極層２１の上に積層されている。なお、ｎ型半導体層１２とｎ側電極層２１とは接触しており、また、ｎ側電極層２１とｎ側配線層２２とは接触している。本実施の形態において、ｎ側電極層２１とｎ側配線層２２とは、上面視において、同一形状である。

【0021】

ｎ側電極２０は、給電部Ｅ１と、給電部Ｅ１から延伸する延伸部Ｅ２とを有する。給電部Ｅ１は、ｎ側電極２０において給電端子１００が接続される部分である。つまり、給電部Ｅ１には、電子が供給される。給電端子１００は、例えば、バンプ又はワイヤ等である。延伸部Ｅ２は、給電部Ｅ１に給電された電子をｎ型半導体層１２に配電する。本実施の形態において、延伸部Ｅ２の延伸方向と直交する方向において、給電部Ｅ１の幅は、延伸部Ｅ２の幅より大きい。つまり、延伸部Ｅ２の幅は、給電部Ｅ１の幅よりも小さい。したがって、ｎ側電極２０は、幅が変化する部分を有する。つまり、ｎ側電極層２１及びｎ側配線層２２の各々は、幅が変化する部分を有する。

【0022】

ｎ側電極層２１は、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置された第２金属層２１ｂとを有する。本実施の形態において、第２金属層２１ｂは、第１金属層２１ａと直接接続している。第１金属層２１ａ及び第２金属層２１ｂは、金属材料によって構成されている。

【0023】

ｎ側電極層２１は、さらに、延伸部Ｅ２において第３金属層２１ｃを有する。第３金属層２１ｃは、金属材料によって構成されている。第３金属層２１ｃは、第２金属層２１ｂの第１金属層２１ａ側とは反対側に位置している。したがって、第２金属層２１ｂは、延伸部Ｅ２の延伸方向において、第１金属層２１ａと第３金属層２１ｃとの間に位置している。つまり、ｎ側電極層２１は、延伸部Ｅ２の延伸方向において第１金属層２１ａと第３金属層２１ｃとに分断されており、その分断された部分には、第２金属層２１ｂが設けられている。本実施の形態において、第３金属層２１ｃは、第２金属層２１ｂに直接接続している。

【0024】

第２金属層２１ｂは、少なくとも延伸部Ｅ２の延伸方向に対してｎ側電極層２１の幅が変化する位置近傍に配置されている。本実施の形態において、第２金属層２１ｂは、ｎ側電極層２１の幅が変化する位置を跨いでいる。つまり、第２金属層２１ｂは、給電部Ｅ１と延伸部Ｅ２との両方に形成されている。

【0025】

第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃの各々は、ｎ型半導体層１２に接触している。具体的には、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃは、ｎ型半導体層１２にオーミック接続している。

【0026】

第１金属層２１ａの導電率は、第２金属層２１ｂの導電率よりも高い。また、第３金属層２１ｃの導電率は、第２金属層２１ｂの導電率よりも高い。さらに、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃは、活性層１３で発生した光を反射するために、光反射性を有する金属材料によって構成されているとよい。本実施の形態において、第１金属層２１ａと第３金属層２１ｃとは、同一材料で形成されている。

【0027】

第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、または、アルミニウムを含む合金によって構成することができる。本実施の形態において、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃは、アルミニウムによって構成されている。

【0028】

第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃよりも導電率が低い第２金属層２１ｂは、例えば、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）の中から選ばれる少なくとも１種類の金属材料、あるいは、これらの少なくとも１種類の金属材料を含む合金によって構成することができる。本実施の形態において、第２金属層２１ｂは、チタンによって構成されている。

【0029】

また、ｎ側電極層２１の上に積層されたｎ側配線層２２は、ｎ側電極層２１の第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃの上に連続して配置されている。つまり、ｎ側配線層２２は、給電部Ｅ１及び延伸部Ｅ２にわたって連続して形成されている。

【0030】

ｎ側配線層２２の給電部Ｅ１に対応する部分には、給電端子１００が接続される。ｎ側配線層２２の給電部Ｅ１から電子が給電されることで、ｎ側電極２０の給電部Ｅ１から延伸部Ｅ２にかけて電流が流れ、ｎ側電極２０の給電部Ｅ１及び延伸部Ｅ２の全域に配電される。

【0031】

ｎ側配線層２２は、金属材料によって構成されている。ｎ側配線層２２の配線抵抗値は、ｎ側電極層２１の配線抵抗値よりも小さくなっているとよい。つまり、ｎ側配線層２２は、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃで構成されるｎ側電極層２１の平均配線抵抗値よりも低い配線抵抗値の金属材料によって構成されているとよい。特に、延伸部Ｅ２において、ｎ側配線層２２の配線抵抗値は、延伸部Ｅ２におけるｎ側電極層２１の配線抵抗値（平均配線抵抗値）よりも小さくなっているとよい。ｎ側配線層２２は、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）の中から選ばれる少なくとも１種類の金属材料、あるいは、これらの少なくとも１種類の金属材料を含む合金によって構成することができる。

【0032】

ｐ側電極３０は、ｐ型半導体層１４側に配置されたｐ側電極層３１と、ｐ側電極層３１の上に配置されたｐ側配線層３２とを有する。本実施の形態において、ｐ側電極３０は、ｐ側電極層３１を構成する金属材料とｐ側配線層３２を構成する金属材料とが相互拡散することを抑制するために、ｐ側拡散バリア層３３を有する。ｐ側拡散バリア層３３は、ｐ側電極層３１とｐ側配線層３２との間に配置される。

【0033】

ｐ側電極層３１は、ｐ型半導体層１４の上に積層されており、ｐ側拡散バリア層３３は、ｐ側電極層３１の上に積層されており、ｐ側配線層３２は、ｐ側拡散バリア層３３の上に積層されている。なお、ｐ側電極層３１とｐ側拡散バリア層３３とｐ側配線層３２とは、上面視において、同一形状である。

【0034】

ｐ側電極層３１は、ｐ型半導体層１４に接触している。具体的には、ｐ側電極層３１は、ｐ型半導体層１４にオーミック接続している。

【0035】

本実施の形態において、ｐ側電極層３１及びｐ側配線層３２は、金属材料によって構成されている。ｐ側電極層３１は、活性層１３で発生した光を反射するために、光反射性を有する金属材料によって構成されているとよい。

【0036】

ｐ側電極層３１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）の中から選ばれる少なくとも１種類の金属材料、あるいは、これらの少なくとも１種類の金属材料を含む合金によって構成することができる。本実施の形態において、ｐ側電極層３１は、銀によって構成されている。

【0037】

また、ｐ側配線層３２は、例えば、金（Ａｕ）によって構成されており、ｐ側拡散バリア層３３は、例えば、チタン（Ｔｉ）によって構成されている。

【0038】

このように構成される半導体発光素子１では、ｎ側電極２０及びｐ側電極３０に所定の駆動電圧が印加されることで、活性層１３で光が生成される。活性層１３で生成された光は、ｐ側電極３０側ではなく基板１１側から取り出される。つまり、半導体発光素子１の光取り出し方向は、図１の紙面の下方向である。

【0039】

［半導体発光素子の製造方法］
次に、実施の形態１に係る半導体発光素子１の製造方法について、図２Ａ～図２Ｈを用いて説明する。図２Ａ～図２Ｈは、実施の形態１に係る半導体発光素子１の製造方法を説明するための図である。

【0040】

まず、図２Ａに示すように、基板１１を準備する。本実施の形態では、基板１１には半導体からなる透光性基板として、ＧａＮからなるウエハ（ＧａＮ基板）を用いている。

【0041】

次に、図２Ｂに示すように、基板１１の上に、有機金属気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ法）により、ｎ型半導体層１２と、活性層１３と、ｐ型半導体層１４とを順に積層することで、半導体積層構造１０を形成する。

【0042】

本実施の形態において、ｎ型半導体層１２は、ｎ型窒化物半導体層（例えばＧａＮ層）であり、活性層１３は、窒化物半導体発光層であり、ｐ型半導体層１４は、ｐ型窒化物半導体層である。活性層１３を構成する窒化物半導体発光層は、少なくともＧａとＮとを含み、必要に応じて適量のＩｎを含ませることで、所望の発光波長を得ることができる。本実施の形態では、活性層１３はＩｎＧａＮ層であり、発光ピーク波長が４５０ｎｍとなるようにＩｎ組成比を設定している。

【0043】

次に、図２Ｃに示すように、半導体積層構造１０に対して、ｐ型半導体層１４と活性層１３とｎ型半導体層１２との一部をドライエッチングにより除去することで、ｎ型半導体層１２の一部をｐ型半導体層１４及び活性層１３から露出させる。これにより、ｎ型半導体層１２の一部に露出領域を形成することができる。

【0044】

次に、図２Ｄに示すように、ｎ型半導体層１２の露出領域を含む半導体積層構造１０の上面全体に絶縁膜４０を成膜する。本実施の形態では、絶縁膜４０として、ＳｉＯ_２からなる酸化膜を成膜した。

【0045】

その後、図示しないが、絶縁膜４０の上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりｐ型半導体層１４に対応する位置におけるレジストに開口部を形成し、弗酸によるエッチングによりレジストの開口部内の絶縁膜４０を除去する。これにより、ｐ型半導体層１４が露出する。

【0046】

次に、図２Ｅに示すように、ｐ型半導体層１４の露出領域内に、ｐ側電極３０を形成する。具体的には、ＥＢ蒸着法を用いて、ｐ側電極層３１、ｐ側拡散バリア層３３及びｐ側配線層３２となる金属膜を順次成膜して金属積層膜を形成し、レジストリフトオフ法によりレジストと余分な金属積層膜を除去することで、絶縁膜４０を除去したｐ型半導体層１４の露出領域内にｐ側電極３０を形成する。これにより、ｐ側電極層３１、ｐ側拡散バリア層３３及びｐ側配線層３２の積層構造からなるｐ側電極を形成することができる。

【0047】

本実施の形態では、ｐ型半導体層１４に近い側から離れる方向に向かって、ｐ側電極層３１となるＡｇ層（膜厚０．２μｍ）とｐ側拡散バリア層３３となるＴｉ層（膜厚０．７μｍ）とｐ側配線層３２となるＡｕ層（膜厚１．０μｍ）とを順に成膜した。なお、ｐ側電極層３１、ｐ側拡散バリア層３３及びｐ側配線層３２となる金属膜の成膜方法は、ＥＢ蒸着法に限るものではなく、スパッタ法であってもよい。

【0048】

また、ｐ側電極３０は、絶縁膜４０と離間するように形成されていてもよい。つまり、ｐ側電極層３１と絶縁膜４０とは離間していてもよい。この場合、ｐ側電極３０と絶縁膜４０との間からｐ型半導体層１４が露出する。

【0049】

その後、図示しないが、全体を覆うようにレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりｎ型半導体層１２に対応する位置におけるレジストに開口部を形成し、弗酸によるエッチングによりレジストの開口部内の絶縁膜４０を除去する。これにより、ｎ型半導体層１２が露出する。

【0050】

次に、図２Ｆに示すように、ｎ型半導体層１２の露出領域内の一部に、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃを形成する。具体的には、ＥＢ蒸着法を用いて、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃとなる第１金属膜を成膜し、レジストリフトオフ法によりレジストと余分な第１金属膜を除去することで、絶縁膜４０を除去したｎ型半導体層１２の露出領域内に、離間した第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃを形成する。これにより、同一材料によって構成された第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃがｎ型半導体層１２に接するように形成される。なお、第１金属膜を除去した部分は、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃが形成されておらず、ｎ型半導体層１２が再び露出することになる。

【0051】

ｎ型半導体層１２上に直接積層される第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃは、ｎ型半導体層１２に対するオーミックコンタクト層として機能するとともに、光を反射する反射層として機能するので、Ａｌ等を含む金属材料によって構成されているとよい。本実施の形態では、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃとして、Ａｌ層（膜厚０．３μｍ）を形成した。なお、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃとなる第１金属膜の成膜方法は、ＥＢ蒸着法に限るものではなく、スパッタ法であってもよい。

【0052】

また、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃは、絶縁膜４０と離間するように形成されていてもよい。つまり、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃの各々と絶縁膜４０とは離間していてもよい。この場合、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃの各々と絶縁膜４０との間からｎ型半導体層１２が露出する。

【0053】

次に、図２Ｇに示すように、第１金属層２１ａと第３金属層２１ｃとの間のｎ型半導体層１２の露出領域に、第２金属層２１ｂを形成する。具体的には、全体を覆うようにレジストを塗布し、フォトリソグラフィにより第２金属層２１ｂに対応する位置におけるレジストに開口部を形成し、ＥＢ蒸着法を用いて、第２金属層２１ｂとなる第２金属膜を成膜し、レジストリフトオフ法によりレジストと余分な第２金属膜を除去することで、ｎ型半導体層１２が露出した露出領域に第２金属層２１ｂを形成する。これにより、第１金属層２１ａと第３金属層２１ｃとの間に埋め込まれるとともにｎ型半導体層１２に接するようにして第２金属層２１ｂが形成される。

【0054】

ｎ型半導体層１２上に直接積層される第２金属層２１ｂは、ｎ型半導体層１２に対するオーミックコンタクト層として機能するとともに、光を反射する反射層として機能する。さらに、第２金属層２１ｂは、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃよりもエレクトロマイグレーション耐性が高く、かつ、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃよりも導電率が低い金属材料によって構成されているとよい。したがって、第２金属層２１ｂを構成する金属材料としては、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒ等を用いることができる。本実施の形態では、第２金属層２１ｂとして、Ｔｉ層（膜厚０．３μｍ）を形成した。なお、第２金属層２１ｂとなる第２金属膜の成膜方法は、ＥＢ蒸着法に限るものではなく、スパッタ法であってもよい。

【0055】

このように、第１金属層２１ａと第３金属層２１ｃとの間に第２金属層２１ｂを形成することで、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃによって構成されたｎ側電極層２１を形成することができる。

【0056】

次に、図２Ｈに示すように、ｎ側電極層２１の上にｎ側配線層２２を形成する。具体的には、全体を覆うようにレジストを塗布し、フォトリソグラフィによりｎ側電極層２１に対応する位置におけるレジストに開口部を形成し、ＥＢ蒸着法を用いて、ｎ側配線層２２となる第３金属膜を成膜し、レジストリフトオフ法によりレジストと余分な第３金属膜を除去することで、ｎ側電極層２１の上にｎ側配線層２２を形成する。つまり、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃにわたって、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃの上に、ｎ側配線層２２を形成する。

【0057】

ｎ側電極層２１上に積層されるｎ側配線層２２は、ｎ側電極層２１よりもエレクトロマイグレーション耐性が高く、かつ、ｎ側電極層２１よりも平均配線抵抗値が低い金属材料によって構成されているとよい。したがって、ｎ側配線層２２を構成する金属材料としては、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ等を用いることができる。本実施の形態では、ｎ側配線層２２として、Ａｕ層（膜厚１．０μｍ）を形成した。なお、ｎ側配線層２２となる第３金属膜の成膜方法は、ＥＢ蒸着法に限るものではなく、スパッタ法であってもよい。

【0058】

このように、ｎ側電極層２１の上にｎ側配線層２２を形成することで、ｎ側電極層２１及びｎ側配線層２２の積層構造からなるｎ側電極２０を形成することができる。

【0059】

以上のようにして、図１に示される本実施の形態に係る半導体発光素子１を製造することができる。

【0060】

［作用効果など］
次に、本実施の形態における半導体発光素子１の作用効果について、図３～図５を用いて説明する。

【0061】

図３の（ａ）は、比較例１の半導体発光素子１Ｘのｎ側電極２０Ｘ周辺の構成を示す垂直断面図であり、図３の（ｂ）は、図３の（ａ）のＢ－Ｂ線における同ｎ側電極２０Ｘのｎ側電極層２１Ｘの水平断面図であり、図３の（ｃ）は、横方向（延伸部の延伸方向）における同ｎ側電極２０Ｘのｎ側電極層２１Ｘの電流密度を示す図である。

【0062】

図４の（ａ）は、比較例２の半導体発光素子１Ｙのｎ側電極２０Ｙ周辺の構成を示す垂直断面図であり、図４の（ｂ）は、図４の（ａ）のＢ－Ｂ線における同ｎ側電極２０Ｙのｎ側電極層２１Ｙの水平断面図であり、図４の（ｃ）は、横方向（延伸部の延伸方向）における同ｎ側電極２０Ｙのｎ側電極層２１Ｙの電流密度を示す図である。

【0063】

図５の（ａ）は、実施の形態１に係る半導体発光素子１のｎ側電極２０周辺の構成を示す垂直断面図であり、図５の（ｂ）は、図５の（ａ）のＢ－Ｂ線における同ｎ側電極２０のｎ側電極層２１の水平断面図であり、図５の（ｃ）は、横方向（延伸部の延伸方向）における同ｎ側電極２０のｎ側電極層２１の電流密度を示す図である。

【0064】

なお、図３の（ａ）、図４の（ａ）及び図５の（ａ）に示される矢印は、電子の流れを示している。

【0065】

図３の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、比較例１の半導体発光素子１Ｘにおけるｎ側電極２０Ｘは、基板１１上のｎ型半導体層１２の上に形成されたｎ側電極層２１Ｘと、ｎ側電極層２１Ｘの上に形成されたｎ側配線層２２Ｘとを有する。

【0066】

平面視において、ｎ側電極２０Ｘは、幅が変化する部分を有するように形成されている。具体的には、ｎ側電極２０Ｘは、給電部Ｅ１と、給電部Ｅ１から延伸し且つ給電部Ｅ１よりも幅が小さい延伸部Ｅ２とを有する。つまり、ｎ側電極２０Ｘ（ｎ側電極層２１Ｘ及びｎ側配線層２２Ｘ）は、幅が変化する部分を有する。

【0067】

このように構成された比較例１の半導体発光素子１Ｘでは、図３の（ｃ）に示すように、ｎ側電極２０Ｘの幅が変化する部分において、ｎ側電極層２１Ｘの電流密度が局所的に大きくなってエレクトロマイグレーション（ＥＭ）の臨界値を超えることがある。この結果、ｎ側電極２０Ｘにおける幅が変化する部分において、エレクトロマイグレーションが発生してｎ側電極層２１Ｘが劣化するおそれがある。

【0068】

そこで、ｎ側電極２０Ｘの幅が変化する部分でのエレクトロマイグレーションを抑制するために、比較例２の半導体発光素子１Ｙの構造を検討した。

【0069】

図４の（ａ）及び（ｂ）に示されるように、比較例２の半導体発光素子１Ｙにおけるｎ側電極２０Ｙは、比較例１の半導体発光素子１Ｘと同様に、基板１１上のｎ型半導体層１２の上に形成されたｎ側電極層２１Ｙと、ｎ側電極層２１Ｙの上に形成されたｎ側配線層２２Ｙとを有する。

【0070】

また、比較例２の半導体発光素子１Ｙでは、比較例１の半導体発光素子１Ｘと同様に、ｎ側電極２０Ｙの幅が変化している。具体的には、ｎ側電極２０Ｙは、給電部Ｅ１と、給電部Ｅ１から延伸し且つ給電部Ｅ１よりも幅が小さい延伸部Ｅ２とを有する。つまり、ｎ側電極２０Ｙ（ｎ側電極層２１Ｙ及びｎ側配線層２２Ｙ）は、幅が変化する部分を有する。

【0071】

一方、比較例２の半導体発光素子１Ｙでは、比較例１の半導体発光素子１Ｘと異なり、ｎ側電極２０Ｙの幅が変化する部分において、ｎ側電極層２１Ｙが分断されており、そのｎ側電極層２１Ｙが分断された部分に絶縁層５０Ｙが設けられている。つまり、ｎ側電極２０Ｙは、分離された２つのｎ側電極層２１Ｙと、２つのｎ側電極層２１Ｙの間に埋め込まれた絶縁層５０Ｙとを有する。

【0072】

このように構成された比較例２の半導体発光素子１Ｙのｎ側電極２０Ｙにおいては、図４の（ｃ）に示すように、絶縁層５０Ｙが設けられた部分でｎ側電極層２１Ｙの電流密度をゼロにすることができる。したがって、ｎ側電極２０Ｙの幅が変化する部分においてエレクトロマイグレーションが発生することを抑制することができる。

【0073】

しかしながら、図４に示される比較例２の半導体発光素子１Ｙでは、図４の（ａ）に示すように、ｎ側電極２０Ｙとｎ型半導体層１２とのオーミック接合面積が減少し、駆動電圧が増加する。

【0074】

これに対して、本実施の形態に係る半導体発光素子１では、図５の（ａ）及び（ｂ）に示すように、ｎ側電極２０は、ｎ側電極層２１と、ｎ側電極層２１の上に配置されたｎ側配線層２２とを有しており、ｎ側電極層２１は、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層２１ａよりも導電率が低い第２金属層２１ｂとを有する。

【0075】

このように構成されたｎ側電極２０においては、図５の（ａ）に示すように、第２金属層２１ｂが設けられた部分で、ｎ側電極層２１を流れる横方向の電流の一部をｎ側配線層２２にバイパスさせることができる。これにより、図５の（ｃ）に示すように、第２金属層２１ｂが設けられた部分でｎ側電極層２１の横方向の電流密度を小さくすることができる。したがって、ｎ側電極２０の幅が変化する部分において、電流密度がエレクトロマイグレーションの臨界値を超える部分を無くすことができる。また、絶縁層ではなく導電性を有する第２金属層２１ｂを用いることで、ｎ側電極層２１において電流密度がゼロになる部分が生じない。このため、本実施の形態に係る半導体発光素子１では、図４に示される比較例２の半導体発光素子１Ｙと比べて、ｎ側電極２０とｎ型半導体層１２とのオーミック接合面積を大きくすることができる。したがって、駆動電圧の増加を抑制することができる。

【0076】

以上、本実施の形態に係る半導体発光素子１によれば、ｎ側電極２０に幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。

【0077】

しかも、本実施の形態に係る半導体発光素子１では、光反射率が高いアルミニウムによって第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃを構成し、電流密度が高くなる部分にのみ反射率が高くないチタンによって第２金属層２１ｂを構成している。これにより、ｎ側電極層２２の平均反射率が低下することを抑制できるので、光取り出し効率が低下することを抑制できる。

【0078】

また、本実施の形態に係る半導体発光素子１では、ｎ側電極２０の延伸部Ｅ２において、ｎ側配線層２２の配線抵抗値は、延伸部Ｅ２におけるｎ側電極層２１の配線抵抗値（平均配線抵抗値）よりも小さくなっている。

【0079】

この構成により、ｎ側電極層２１とｎ側配線層２２とを並列回路としたときに、給電部Ｅ１から延伸部Ｅ２に向かってｎ側電極２０に供給される電子は、ｎ側電極層２１よりもｎ側配線層２２に流れやすくなる。つまり、ｎ側配線層２２への電流バイパス量を増加させることができる。したがって、エレクトロマイグレーションを一層効果的に抑制することができる。

【0080】

なお、本実施の形態に係る半導体発光素子１のように、ｎ側電極２０の幅が急激に変化する場合、ｎ側電極２０の幅が変化する位置は明確であるが、図６に示すように、ｎ側電極２０の幅が滑らかに変化する場合、ｎ側電極２０の幅が変化する位置は、給電部Ｅ１から延伸部Ｅ２に向かう方向への位置ｘに対するｎ側電極層２１の幅Ｌの微分値（ｄＬ／ｄｘ）が極小となる位置である。

【0081】

一方、図５の（ｂ）に示すように、ｎ側電極２０の幅が急激に変化する場合、給電部Ｅ１から延伸部Ｅ２に向かう方向への位置ｘに対するｎ側電極層２１の幅Ｌの微分値（ｄＬ／ｄｘ）は、不連続となる。

【0082】

したがって、ｎ側電極２０におけるｎ側電極層２１の第２金属層２１ｂは、給電部Ｅ１から延伸部Ｅ２に向かう方向への位置ｘに対するｎ側電極層２１の幅Ｌの微分値が極小となる位置を含む領域、又は、前記微分値が不連続となる位置を含む領域に配置されているとよい。

【0083】

また、図７の（ａ）～（ｃ）に示すように、ｎ側電極２０におけるｎ側電極層２１の第２金属層２１ｂの少なくとも一部が給電部Ｅ１に配置されている場合、第２金属層２１ｂが配置された給電部Ｅ１の領域において、第２金属層２１ｂの最大幅Ｗ_２１ｂは、給電部Ｅ１の最大幅Ｗ_Ｅ１以下で、且つ、延伸部Ｅ２の最大幅Ｗ_Ｅ２より大きくなっているとよい。

【0084】

また、図８の（ａ）～（ｃ）に示すように、ｎ側電極２０におけるｎ側電極層２１の第２金属層２１ｂの少なくとも一部が延伸部Ｅ２に配置されている場合、第２金属層２１ｂが配置された延伸部Ｅ２の領域において、第２金属層２１ｂの最大幅Ｗ_２１ｂは、延伸部Ｅ２の最大幅Ｗ_Ｅ２以下で、且つ、給電部Ｅ１の最大幅Ｗ_Ｅ１より小さくなっているとよい。

【0085】

ここで、図３に示すように、ｎ側電極２０Ｘの幅が不連続に変化する場合、幅変化位置の延伸部Ｅ２側が最も電流密度が高くなる。そこで、図５に示すように、幅変化位置を含む領域に第２金属層２１ｂを設けることによって、ｎ側電極２０における第２金属層２１ｂが配置された領域において電流の一部が上部のｎ側配線層２２にバイパスするため、ｎ側電極２０における横方向（延伸方向）の電流密度ピーク値を低減することができる。逆に、幅変化位置を含まず、幅変化位置の延伸部Ｅ２側のすぐ近傍（例えば幅変化位置から１０μｍ以内の距離）の位置から延伸部Ｅ２側にかけて第２金属層２１ｂを配置した場合は、その面積によらず、ｎ側電極２０が幅変化位置近傍の横方向の電流密度を所望の値まで低減することができなかった。また、幅変化位置よりも延伸方向とは逆側の位置では、第２金属層２１ｂが配置されていなくてもｎ側電極２０の幅が広くなるために電流密度は下がるので、幅変化位置よりも延伸方向の位置と比べて遠くまで第２金属層２１ｂを配置する必要はない。

【0086】

図９は、０．５ｍｍ角の半導体発光素子１を１Ａで駆動したときの、延伸部Ｅ２の各測定位置におけるｎ側電極の最大電流密度を示すグラフである。ｎ側電極は、図１（ａ）に示すように、給電部Ｅ１は半導体発光素子１の外周に沿って配置され、延伸部Ｅ２は、給電部Ｅ１から半導体発光素子１の中央部に向かって延びるように配置されている。ｎ側電極は膜厚１．２μｍのアルミニウムで構成され、延伸部Ｅ２の幅は５０μｍとして、延伸部Ｅ２内における測定位置を変化させて、各地点での最大電流密度を求めた。図９に示すように、幅変化位置から１００μｍの距離までの横方向の最大電流密度は、アルミニウムのエレクトロマイグレーションが発生するおそれがあるとされる値（１×１０^５［Ａ／ｃｍ^２］）を超えていた。よって、幅変化位置から延伸方向に対して１００μｍの位置までチタンからなる第２金属層２１ｂを配置させることで、横方向の最大電流密度をエレクトロマイグレーションの発生する値以下にすることができる。実際の使用に際しては、エレクトロマイグレーションの発生しない範囲の最大電流密度に抑えればよいので、半導体発光素子１の構成、ｎ側電極２０を構成する材料、または、延伸部Ｅ２の幅などの条件によって、第２金属層２１ｂの配置範囲を適宜設定してもよい。

【0087】

またここで、図６に示すように、ｎ側電極２０の幅が滑らかに変化する場合、幅変化位置の定義を、給電部Ｅ１から延伸部Ｅ２に向かう方向への位置ｘに対するｎ側電極層２１の幅Ｌの微分値（ｄＬ／ｄｘ）が極小となる位置とする。ここで、延伸部Ｅ２の幅が一定である場合は、一定幅の領域のうち最も給電部Ｅ１側に近いところが最も電流密度が高くなる。そこで、微分に基づく幅変化位置よりも延伸部Ｅ２側の電流密度が最も高い部分を含む領域に第２金属層２１ｂを設けることによって、横方向の電流密度ピーク値を低減することができる。この場合、ｎ側電極２０の幅が不連続に変化する場合のように、幅変化位置に必ずしも第２金属層２１ｂを配置する必要はない。また、幅変化位置では最大電流密度が発生する位置よりも電極幅は広くなっており、電極幅が広くなる効果で電流密度が下がるので、幅変化位置よりも延伸方向と逆側の位置では、幅変化位置よりも延伸方向の位置と比べて遠くまで第２金属層２１ｂを配置する必要はない。実際の使用に際しては、エレクトロマイグレーションの発生しない範囲の最大電流密度に抑えればよいので、半導体発光素子１の構成、ｎ側電極２０を構成する材料、延伸部Ｅ２の幅などの条件によって、第２金属層２１ｂの配置範囲を適宜設定してもよい。

【0088】

なお、延伸部Ｅ２の幅が漸次変化している場合は、電流密度の高くなる位置は形状に依存して変化する。

【0089】

以上より、第２金属層２１ｂは、幅変化位置から延伸方向に向かって１００μｍ以内の場所に配置されていることが望ましい。

【0090】

ここで、図１０の（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２金属層２１ｂは、給電部Ｅ１及び延伸部Ｅ２の両方にわたって設けられていてもよい。この場合、第２金属層２１ｂは、図１０の（ａ）に示すように、ｎ側電極層２１の幅が変化する位置ｘ_０を基準に延伸方向に１００μｍを超える領域にまで設けられていてもよいし、図１０の（ｂ）に示すように、ｎ側電極層２１の幅が変化する位置ｘ_０を基準に延伸方向に１００μｍ以内の領域のみに設けられていてもよい。

【0091】

また、図１０の（ｃ）及び（ｄ）に示すように、第２金属層２１ｂは、延伸部Ｅ２のみに設けられていてもよい。この場合、第２金属層２１ｂは、図１０の（ｃ）に示すように、ｎ側電極層２１の幅が変化する位置ｘ_０を基準に延伸方向に１００μｍ以内の領域のみに設けられていてもよいし、図１０の（ｄ）に示すように、ｎ側電極層２１の幅が変化する位置ｘ_０を基準に延伸方向に１００μｍを超える領域にまで設けられていてもよい。

【0092】

（実施の形態１の変形例１）
次に、実施の形態１の変形例１に係る半導体発光素子１Ａについて、図１１を用いて説明する。図１１において、（ａ）は、実施の形態１の変形例１に係る半導体発光素子１Ａの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における同半導体発光素子１Ａの垂直断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ－Ｂ線における同半導体発光素子１Ａの水平断面図である。

【0093】

本変形例に係る半導体発光素子１Ａは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１に対して、ｎ側電極２０Ａの構成が異なる。

【0094】

具体的には、図１１の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、本変形例に係る半導体発光素子１Ａのｎ側電極２０Ａは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１のｎ側電極２０と同様に、ｎ側電極層２１Ａとｎ側配線層２２Ａとを有するが、本変形例に係る半導体発光素子１Ａにおけるｎ側電極２０Ａのｎ側電極層２１Ａは、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃに加えて、第４金属層２１ｄ及び第５金属層２１ｅを有する。

【0095】

本変形例においても、ｎ側電極２０Ａは、給電部Ｅ１と延伸部Ｅ２とを有しており、第４金属層２１ｄは、延伸部Ｅ２において、第３金属層２１ｃの第２金属層２１ｂ側とは反対側に位置している。第４金属層２１ｄは、第３金属層２１ｃに直接接続している。本変形例において、第４金属層２１ｄは、第２金属層２１ｂと同一材料で形成されている。具体的には、第４金属層２１ｄは、第２金属層２１ｂと同様に、チタンによって構成されている。

【0096】

また、第５金属層２１ｅは、延伸部Ｅ２において、第４金属層２１ｄの第３金属層２１ｃ側とは反対側に位置している。第５金属層２１ｅは、第４金属層２１ｄに直接接続している。本変形例において、第５金属層２１ｅは、第１金属層２１ａと同一材料で形成されている。具体的には、第５金属層２１ｅは、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃと同様に、アルミニウムによって構成されている。

【0097】

第４金属層２１ｄ及び第５金属層２１ｅは、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃと同様に、ｎ型半導体層１２に接触している。具体的には、第４金属層２１ｄ及び第５金属層２１ｅは、ｎ型半導体層１２にオーミック接続している。

【0098】

また、本変形例におけるｎ側電極２０Ａでは、幅が変化する位置（幅変化位置）が複数設けられている。したがって、ｎ側電極層２１Ａ及びｎ側配線層２２Ａの各々に幅変化位置が複数設けられている。

【0099】

具体的には、本変形例におけるｎ側電極２０Ａでは、上記実施の形態１におけるｎ側電極２０と同様に、給電部Ｅ１と延伸部Ｅ２との境界部分が幅変化位置になっているとともに、延伸部Ｅ２の一部に幅変化位置が設けられている。つまり、本変形例におけるｎ側電極２０Ａは、２段階に幅が変化しており、ｎ側電極２０Ａには２つの幅変化位置が存在している。

【0100】

本変形例において、ｎ側電極２０Ａの延伸部Ｅ２では、延伸部Ｅ２の延伸方向先端に向かって幅が段差状に狭くなるように幅が変化している。そして、ｎ側電極層２１Ａの第４金属層２１ｄは、延伸部Ｅ２のこの幅変化位置の近傍に設けられている。

【0101】

以上、本変形例に係る半導体発光素子１Ａによれば、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１と同様に、ｎ側電極２０Ａは、ｎ側電極層２１Ａと、ｎ側電極層２１Ａの上に配置されたｎ側配線層２２Ａとを有しており、ｎ側電極層２１Ａは、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層２１ａよりも導電率が低い第２金属層２１ｂとを有する。

【0102】

この構成により、ｎ側電極２０Ａに幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。また、光取り出し効率が低下することを抑制することができる。

【0103】

しかも、本変形例に係る半導体発光素子１Ａにおけるｎ側電極２０Ａには、電流経路方向に対して幅変化位置が複数存在しており、ｎ側電極層２１Ａにおける複数の幅変化位置のそれぞれに、第１金属層２１ａよりも導電率が低い金属層が設けられている。具体的には、ｎ側電極層２１Ａの２つの幅変化位置の一方には第２金属層２１ｂが設けられ、ｎ側電極層２１Ａの２つの幅変化位置の他方には第４金属層２１ｄが設けられている。この構成により、ｎ側電極２０Ａに幅変化位置が複数設けられていて電流密度が高くなる箇所が複数存在する場合であっても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを効果的に抑制することができる。

【0104】

なお、本変形例におけるｎ側電極２０Ａの延伸部Ｅ２では、ｎ側電極層２１Ａの電流密度が大きくなる部分として幅が変化する部分が設けられており、ｎ側電極層２１Ａの延伸部Ｅ２における幅が変化する部分に第４金属層２１ｄが設けられていたが、これに限らない。例えば、ｎ側電極層２１Ａの電流密度が大きくなる部分は、ｎ側電極２０Ａの延伸部Ｅ２に設けられた屈曲部であってもよい。屈曲部では、電気力線が密になり電流密度が高くなる。ｎ側電極層２１Ａの延伸部Ｅ２に屈曲部が設けられている場合、屈曲部の近傍に第４金属層２１ｄを設ければよい。

【0105】

また、本変形例における半導体発光素子１Ａでは、ｎ側電極２０Ａのｎ側電極層２１Ａの延伸部Ｅ２の一部に幅変化位置が存在していたが、これに限るものではなく、図１２に示すように、ｎ側電極層２１Ａの延伸部Ｅ２に幅変化位置が存在していなくてもよい。

【0106】

（実施の形態１の変形例２）
次に、実施の形態１の変形例２に係る半導体発光素子１Ｂについて、図１３を用いて説明する。図１３において、（ａ）は、実施の形態１の変形例２に係る半導体発光素子１Ｂの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における同半導体発光素子１Ｂの垂直断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ－Ｂ線における同半導体発光素子１Ｂの水平断面図である。

【0107】

本変形例に係る半導体発光素子１Ｂは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１に対して、ｎ側電極２０Ｂの形状が異なる。

【0108】

具体的には、図１３の（ｃ）に示すように、本変形例におけるｎ側電極２０Ｂの延伸部Ｅ２は、給電部Ｅ１側と反対側に、給電部Ｅ１側の幅よりも幅の小さい部分を有する。したがって、延伸部Ｅ２におけるｎ側電極層２１Ｂ及びｎ側配線層２２Ｂの各々は、給電部Ｅ１側と反対側に、給電部Ｅ１側の幅よりも幅の小さい部分を有する。

【0109】

本変形例において、ｎ側電極２０Ｂの延伸部Ｅ２は、延伸部Ｅ２の延伸方向先端に向かって幅が漸次狭くなる形状である。具体的には、ｎ側電極２０Ｂの延伸部Ｅ２は、延伸部Ｅ２の延伸方向先端に向かって先細りのテーパ状である。したがって、ｎ側電極層２１Ｂ及びｎ側配線層２２Ｂの各々が、延伸部Ｅ２の延伸方向先端に向かって先細りのテーパ状になっている。より具体的には、ｎ側電極層２１Ｂにおいては、第２金属層２１ｂの延伸部Ｅ２の部分と第３金属層２１ｃとで略二等辺三角形のテーパ状になっている。

【0110】

以上、本変形例に係る半導体発光素子１Ｂでも、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１と同様に、ｎ側電極２０Ｂは、ｎ側電極層２１Ｂと、ｎ側電極層２１Ｂの上に配置されたｎ側配線層２２Ｂとを有しており、ｎ側電極層２１Ｂは、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層２１ａよりも導電率が低い第２金属層２１ｂとを有する。

【0111】

これにより、ｎ側電極２０Ｂに幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。また、光取り出し効率が低下することを抑制することができる。

【0112】

しかも、本変形例に係る半導体発光素子１Ｂでは、ｎ側電極２０Ｂの延伸部Ｅ２が、給電部Ｅ１側と反対側に給電部Ｅ１側の幅よりも幅の小さい部分を有する。

【0113】

この構成により、ｎ側電極２０Ｂの面積を小さくすることができるので、ｐ側電極３０の面積（つまり発光面積）を大きくすることができる。これにより、半導体発光素子１Ｂの光出力を向上させることができる。この場合、ｎ側電極２０Ｂの延伸部Ｅ２では先端に近づくにしたがって電流量が少なくなるため、本変形例のように、延伸部Ｅ２の給電部Ｅ１側とは反対側（先端側）の幅を小さくしても電流密度はあまり大きくならないのでエレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる。つまり、電流密度がエレクトロマイグレーションの臨界値を超えない程度にｎ側電極２０Ｂの延伸部Ｅ２の先端を細くしてｎ側電極２０の面積を小さくするとともにｐ側電極３０の面積を大きくするとよい。このように、本変形例に係る半導体発光素子１Ｂによれば、エレクトロマイグレーションの抑制効果を維持しつつ、半導体発光素子１Ｂの光出力を向上させることができる。

【0114】

なお、図１３に示される半導体発光素子１Ｂでは、延伸部Ｅ２の全体が先細りのテーパ状となっていたが、これに限るものではなく、例えば、図１４に示すように、延伸部Ｅ２の一部（図１４では第３金属層２１ｃ）が先細りのテーパ状となっていてもよい。

【0115】

（実施の形態１の変形例３）
次に、実施の形態１の変形例３に係る半導体発光素子１Ｃについて、図１５を用いて説明する。図１５において、（ａ）は、実施の形態１の変形例３に係る半導体発光素子１Ｃの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における同半導体発光素子１Ｃの垂直断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ－Ｂ線における同半導体発光素子１Ｃの水平断面図である。

【0116】

本変形例に係る半導体発光素子１Ｃは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１に対して、ｎ側電極２０Ｃの構成が異なる。

【0117】

具体的には、図１５の（ａ）及び（ｃ）に示すように、本変形例に係る半導体発光素子１Ｃのｎ側電極２０Ｃは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１のｎ側電極２０と同様に、ｎ側電極層２１Ｃとｎ側配線層２２Ｃとを有するが、本変形例に係る半導体発光素子１Ｃにおけるｎ側電極２０Ｃのｎ側電極層２１Ｃは、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃに加えて、第４金属層２１ｄ及び第５金属層２１ｅを有する。

【0118】

また、本変形例でも、ｎ側電極２０Ｃは、給電部Ｅ１と延伸部Ｅ２とを有しているが、本変形例におけるｎ側電極２０Ｃは、延伸部Ｅ２における給電部Ｅ１側と反対側に分岐部ＤＰを有する。具体的には、延伸部Ｅ２では、分岐部ＤＰで２つの枝電極に分岐されている。ｎ側電極２０Ｃに分岐部ＤＰを設けることで、少ない電極面積で半導体発光素子１Ｃの全体に効率的に給電することができる。なお、本変形例において、分岐部ＤＰで分岐した後の電極（枝電極）の幅は、分岐部ＤＰで分岐する電極の幅よりも小さくなっている。

【0119】

第４金属層２１ｄは、延伸部Ｅ２において、第３金属層２１ｃの第２金属層２１ｂ側とは反対側に位置している。第４金属層２１ｄは、分岐部ＤＰに配置されている。また、第４金属層２１ｄは、第３金属層２１ｃに直接接続している。本変形例において、第４金属層２１ｄは、第２金属層２１ｂと同一材料で形成されている。具体的には、第４金属層２１ｄは、第２金属層２１ｂと同様に、チタンによって構成されている。

【0120】

また、第５金属層２１ｅは、延伸部Ｅ２において、第４金属層２１ｄの第３金属層２１ｃ側とは反対側に位置している。第５金属層２１ｅは、分岐部ＤＰで分岐した後の枝電極に配置されている。第５金属層２１ｅは、第４金属層２１ｄに直接接続している。本変形例において、第５金属層２１ｅは、第１金属層２１ａと同一材料で形成されている。具体的には、第５金属層２１ｅは、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃと同様に、アルミニウムによって構成されている。

【0121】

第４金属層２１ｄ及び第５金属層２１ｅは、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃと同様に、ｎ型半導体層１２に接触している。具体的には、第４金属層２１ｄ及び第５金属層２１ｅは、ｎ型半導体層１２にオーミック接続している。

【0122】

以上、本変形例に係る半導体発光素子１Ｃによれば、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１と同様に、ｎ側電極２０Ｃは、ｎ側電極層２１Ｃと、ｎ側電極層２１Ｃの上に配置されたｎ側配線層２２Ｃとを有しており、ｎ側電極層２１Ｃは、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層２１ａよりも導電率が低い第２金属層２１ｂとを有する。

【0123】

この構成により、ｎ側電極２０Ｃに幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。また、光取り出し効率が低下することを抑制することができる。

【0124】

しかも、本変形例に係る半導体発光素子１Ｃにおけるｎ側電極２０Ｃは、延伸部Ｅ２における給電部Ｅ１側と反対側に分岐部ＤＰを有する。ｎ側電極２０Ｃの分岐部ＤＰが設けられた箇所では、ｎ側電極層２１Ｃの電流密度が大きくなる。例えば、分岐部ＤＰで分岐した後の複数の電極（枝電極）の幅の和が分岐前の電極の幅よりも小さくなると、分岐部ＤＰでの電流密度が大きくなる。

【0125】

そこで、本変形例に係る半導体発光素子１Ｃにおけるｎ側電極２０Ｃでは、ｎ側電極層２１Ｃの分岐部ＤＰに第４金属層２１ｄが配置されている。

【0126】

この構成により、ｎ側電極２０Ｃに分岐部ＤＰが存在していても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを効果的に抑制することができる。

【0127】

なお、本変形例におけるｎ側電極２０Ｃの延伸部Ｅ２には、Ｙ字状に分岐するように分岐部ＤＰが設けられていたが、これに限らない。例えば、ｎ側電極２０Ｃの延伸部Ｅ２には、Ｔ字状に分岐するように分岐部ＤＰが設けられていてもよい。この場合、分岐前後で電極幅の和が等しくても分岐部は屈曲部となるので、分岐部で電気力線が密になって電流密度が大きくなる。したがって、Ｔ字状に分岐するようにｎ側電極２０Ｃの延伸部Ｅ２に分岐部ＤＰが設けられていても、ｎ側電極層２１Ｃの分岐部ＤＰに第４金属層２１ｄを設けることで、エレクトロマイグレーションを効果的に抑制することができる。

【0128】

なお、分岐部ＤＰに設けられる第４金属層２１ｄは、分岐部ＤＰの中心を基準に分岐方向に±１００μｍ以内の領域に少なくとも一部が存在するとよい。

【0129】

また、本変形例における半導体発光素子１Ｃでは、ｎ側電極層２１Ｃの分岐部ＤＰに第４金属層２１ｄが設けられていたが、これに限るものではない。例えば、図１６に示すように、ｎ側電極層２１Ｃは、第４金属層２１ｄ及び第５金属層２１ｅを有しておらず、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃのみを有している場合は、ｎ側電極層２１Ｃの分岐部ＤＰには第２金属層２１ｂが設けられてもよい。

【0130】

また、本変形例における半導体発光素子１Ｃのｎ側電極２０Ｃでは、給電部Ｅ１から１つの延伸部Ｅ２が延伸していたが、これに限らない。例えば、図１７に示すように、給電部Ｅ１から複数（図１７では４本）の延伸部Ｅ２が延伸していてもよい。この場合、ｎ側電極層２１Ｃにおける複数の延伸部Ｅ２の各々の分岐部ＤＰに第４金属層２１ｄを設けるとよい。なお、複数の延伸部Ｅ２の全ての分岐部ＤＰに第４金属層２１ｄを設けなくてもよい。この場合、第２金属層２１ｂは、分岐部ＤＰの中心を基準に分岐方向に±１００μｍ以内の領域に少なくとも一部が存在するとよい。

【0131】

（実施の形態１の変形例４）
次に、実施の形態１の変形例４に係る半導体発光素子１Ｄについて、図１８を用いて説明する。図１８において、（ａ）は、実施の形態１の変形例４に係る半導体発光素子１Ｄの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における同半導体発光素子１Ｄの垂直断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ－Ｂ線における同半導体発光素子１Ｄの水平断面図である。

【0132】

本変形例に係る半導体発光素子１Ｄは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１に対して、ｎ側電極２０Ｄの構成が異なる。

【0133】

具体的には、図１８の（ｂ）に示すように、本変形例に係る半導体発光素子１Ｄのｎ側電極２０Ｄは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１のｎ側電極２０において、さらに、ｎ側拡散バリア層２３を有する。つまり、本変形例におけるｎ側電極２０Ｄは、ｎ側電極層２１とｎ側配線層２２とに加えて、ｎ側拡散バリア層２３を有する。

【0134】

ｎ側拡散バリア層２３は、ｎ側電極層２１とｎ側配線層２２との間に配置されている。本変形例において、ｎ側拡散バリア層２３は、ｎ側電極層２１及びｎ側配線層２２の各々に接しているが、これに限らない。ｎ側拡散バリア層２３は、ｎ側電極層２１を構成する金属材料とｎ側配線層２２を構成する金属材料とが相互拡散することを抑制する。例えば、ｎ側拡散バリア層２３は、ｎ側電極層２１に含まれるアルミニウムとｎ側配線層２２に含まれる金との相互拡散を抑制する。

【0135】

ｎ側拡散バリア層２３は、例えば、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）及びタングステン（Ｗ）の中から選ばれる少なくとも１種類の金属材料、あるいは、これらの少なくとも１種類の金属材料を含む合金によって構成することができる。

【0136】

一例として、ｎ側電極層２１の第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃをＡｌ層（膜厚０．３μｍ）とし、ｎ側電極層２１の第２金属層２１ｂをＴｉ層（膜厚０．３μｍ）とし、ｎ側配線層２２をＡｕ層（膜厚１．０μｍ）とした場合、ｎ側拡散バリア層２３は、モリブデンによって構成されたＭｏ層（膜厚０．３７５μｍ）である。

【0137】

以上、本変形例に係る半導体発光素子１Ｄによれば、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１と同様に、ｎ側電極２０Ｄは、ｎ側電極層２１と、ｎ側電極層２１の上に配置されたｎ側配線層２２とを有しており、ｎ側電極層２１は、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層２１ａよりも導電率が低い第２金属層２１ｂとを有する。

【0138】

この構成により、ｎ側電極２０Ｄに幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。また、光取り出し効率が低下することを抑制することができる。

【0139】

また、本変形例に係る半導体発光素子１Ｄにおけるｎ側電極２０Ｄは、ｎ側電極層２１とｎ側配線層２２との間にｎ側拡散バリア層２３を有する。

【0140】

この構成により、ｎ側拡散バリア層２３によって、ｎ側電極層２１を構成する金属材料とｎ側配線層２２を構成する金属材料とが相互拡散することを抑制できる。したがって、長期信頼性に優れた半導体発光素子１Ｄを実現することができる。

【0141】

なお、本変形例における半導体発光素子１Ｄでは、ｎ側拡散バリア層２３とｎ側電極層２１とを異なる材料によって構成したが、これに限らない。例えば、ｎ側拡散バリア層２３は、ｎ側電極層２１の第２金属層２１ｂと同一材料で構成されていてもよい。この場合、ｎ側電極層２１の第２金属層２１ｂとｎ側拡散バリア層２３とを一体にして、図１９に示される半導体発光素子１Ｅのｎ側電極２０Ｅのように、ｎ側電極層２１Ｅの第２金属層２１ｂをｎ側拡散バリア層として機能させてもよい。図１９に示される半導体発光素子１Ｅでは、ｎ側電極層２１Ｅの第２金属層２１ｂをＴｉ層にしている。

【0142】

図１９に示される半導体発光素子１Ｅのｎ側電極２０Ｅは、ｎ側電極層２１Ｅの第２金属層２１ｂとなるＴｉ層とｎ側電極層２１Ｅの上のｎ側拡散バリア層となるＴｉ層とを別々に成膜することで形成することができる。例えば、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃ（例えばＡｌ層）と第２金属層２１ｂ（例えばＴｉ層）とを成膜してｎ側電極層２１Ｅを形成し、その後、ｎ側電極層２１Ｅの上に、ＥＢ蒸着法又はスパッタ法等で第２金属層２１ｂと同一材料のｎ側拡散バリア層（例えばＴｉ層）を成膜してフォトリソグラフィ法によって所定形状に形成する。

【0143】

また、ｎ側電極層２１Ｅの第２金属層２１ｂとなるＴｉ層とｎ側電極層２１Ｅの上のｎ側拡散バリア層となるＴｉ層とを別々に成膜するのではなく同時に成膜してもよい。例えば、第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃ（例えばＡｌ層）を島状に成膜して、その後、島状の第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃを覆うようにしてＥＢ蒸着法又はスパッタ法等でｎ側拡散バリア層となる第２金属層２１ｂ（例えばＴｉ層）を成膜してフォトリソグラフィ法によって所定形状に形成する。これにより、図２０に示されるような半導体発光素子１Ｆのｎ側電極２０Ｆを形成することができる。つまり、ｎ側拡散バリア層としても機能するｎ側電極層２１Ｆの第２金属層２１ｂ及びｎ側配線層２２の各々は、離間した第１金属層２１ａ及び第３金属層２１ｃの間の部分で窪んだ形状となる。このように、ｎ側電極層２１Ｆの第２金属層２１ｂと拡散バリア層とを一体にして同時に形成することで、製造工程を削減することができる。

【0144】

（実施の形態１の変形例５）
次に、実施の形態１の変形例５に係る半導体発光素子１Ｇについて、図２１を用いて説明する。図２１において、（ａ）は、実施の形態１の変形例５に係る半導体発光素子１Ｇの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における同半導体発光素子１Ｇの垂直断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ－Ｂ線における同半導体発光素子１Ｇの水平断面図であり、（ｄ）は、（ａ）のＣ－Ｃ線における同半導体発光素子１Ｇの垂直断面図であり、（ｅ）は、（ｄ）のＤ－Ｄ線における同半導体発光素子１Ｇの水平断面図である。

【0145】

本変形例に係る半導体発光素子１Ｇは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１に対して、ｐ側電極３０Ｇの構成が異なる。

【0146】

具体的には、図２１の（ａ）、（ｄ）及び（ｅ）に示すように、本変形例に係る半導体発光素子１Ｇのｐ側電極３０Ｇは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１のｐ側電極３０がｐ型ＧａＮ層上に配置されるのに対し、酸化物半導体層３４上に配置される構成になっている。

【0147】

酸化物半導体層３４は、ｐ型半導体層１４の上に配置される。本変形例において、酸化物半導体層３４は、ｐ型半導体層１４に接触している。

【0148】

酸化物半導体層３４は、化合物半導体によって構成されている。酸化物半導体層３４としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ；Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ；Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、又は、ＩｎＧａＺｎＯ_ｘ（ＩＧＺＯ）等の透明金属酸化物からなる透明導電膜を用いることができる。これにより、活性層１３で生成された光を酸化物半導体層３４を透過させて外部に取り出すことができる。つまり、活性層１３で生成された光は、基板１１側ではなくｐ側電極３０Ｇ側から取り出される。この場合、半導体発光素子１Ｇの光取り出し方向は、図２１の紙面の上方向である。なお、本変形例において、酸化物半導体層３４は、ＩＴＯによって構成されたＩＴＯ膜である。

【0149】

また、酸化物半導体層３４は、ｐ型半導体層１４との界面に薄いオーミックコンタクト層を含んでもよい。例えば、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｃｕ及びＦｅの中から選ばれる１種類の単体、又は、これらのいずれか１種類を含む合金等を、ｐ型半導体層１４に接する側の酸化物半導体層３４に含めることで、オーミックコンタクトのコンタクト抵抗値を低減することができる。

【0150】

本変形例において、ｐ側電極３０Ｇは、ｎ側電極２０と同様の構成であり、ｐ型半導体層１４側に配置されたｐ側電極層３１Ｇと、ｐ側電極層３１Ｇの上に配置されたｐ側配線層３２とを有する。具体的には、ｐ側電極層３１Ｇは、酸化物半導体層３４の上に積層されており、ｐ側配線層３２は、ｐ側電極層３１Ｇの上に積層されている。なお、ｐ側電極層３１Ｇとｐ側配線層３２とは、上面視において、同一形状である。

【0151】

ｐ側電極３０Ｇは、ｎ側電極２０と同様に、給電部Ｅ１と、給電部Ｅ１から延伸する延伸部Ｅ２とを有する。給電部Ｅ１は、ｐ側電極３０Ｇにおいて給電端子１００が接続される部分である。ｐ側電極３０Ｇにおいて、延伸部Ｅ２の延伸方向と直交する方向において、給電部Ｅ１の幅は、延伸部Ｅ２の幅より大きい。つまり、ｐ側電極３０Ｇにおいて、延伸部Ｅ２の幅は、給電部Ｅ１の幅よりも小さい。したがって、ｐ側電極３０Ｇは、幅が変化する部分を有する。つまり、ｐ側電極層３１Ｇ及びｐ側配線層３２の各々は、幅が変化する部分を有する。

【0152】

ｐ側電極層３１Ｇは、給電部Ｅ１に配置された第１金属層３１ａと、第１金属層３１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置された第２金属層３１ｂとを有する。本変形例において、第２金属層３１ｂは、第１金属層３１ａと直接接続している。第１金属層３１ａ及び第２金属層３１ｂは、金属材料によって構成されている。

【0153】

ｐ側電極層３１Ｇは、さらに、延伸部Ｅ２において第３金属層３１ｃを有する。第３金属層３１ｃは、金属材料によって構成されている。第３金属層３１ｃは、第２金属層３１ｂの第１金属層３１ａ側とは反対側に位置している。したがって、第２金属層３１ｂは、延伸部Ｅ２の延伸方向において、第１金属層３１ａと第３金属層３１ｃとの間に位置している。つまり、ｐ側電極層３１Ｇは、延伸部Ｅ２の延伸方向において第１金属層３１ａと第３金属層３１ｃとに分断されており、その分断された部分には、第２金属層３１ｂが設けられている。本変形例において、第３金属層３１ｃは、第２金属層３１ｂに直接接続している。

【0154】

第２金属層３１ｂは、少なくとも延伸部Ｅ２の延伸方向に対してｐ側電極層３１の幅が変化する位置近傍に配置されている。本変形例において、第２金属層３１ｂは、ｐ側電極層３１Ｇの幅が変化する位置を跨いでいる。つまり、第２金属層３１ｂは、給電部Ｅ１と延伸部Ｅ２との両方に形成されている。

【0155】

ｐ側電極３０Ｇにおいて、第１金属層３１ａ、第２金属層３１ｂ及び第３金属層３１ｃの各々は、酸化物半導体層３４に接触している。したがって、第１金属層３１ａ、第２金属層３１ｂ及び第３金属層３１ｃは、酸化物半導体層３４に対するオーミックコンタクト層として機能する材料によって構成されているとよい。

【0156】

また、第１金属層３１ａの導電率は、第２金属層３１ｂの導電率よりも高い。また、第３金属層３１ｃの導電率は、第２金属層３１ｂの導電率よりも高い。本変形例において、第１金属層３１ａと第３金属層３１ｃとは、同一材料で形成されている。

【0157】

第１金属層３１ａ及び第３金属層３１ｃは、例えば、Ａｌ、Ａｇの中から選ばれる少なくとも１種類の金属材料、あるいは、これらの少なくとも１種類の金属材料を含む合金によって構成することができる。本変形例において、第１金属層３１ａ及び第３金属層３１ｃは、アルミニウムによって構成されている。

【0158】

第１金属層３１ａ及び第３金属層３１ｃよりも導電率が低い第２金属層３１ｂは、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｒの中から選ばれる少なくとも１種類の金属材料、あるいは、これらの少なくとも１種類の金属材料を含む合金によって構成することができる。本変形例において、第２金属層３１ｂは、チタンによって構成されている。

【0159】

また、ｐ側電極層３１Ｇの上に積層されたｐ側配線層３２は、ｐ側電極層３１Ｇの第１金属層３１ａ、第２金属層３１ｂ及び第３金属層３１ｃの上に連続して配置されている。つまり、ｐ側配線層３２は、給電部Ｅ１及び延伸部Ｅ２にわたって連続して形成されている。ｐ側配線層３２の給電部Ｅ１に対応する部分には、給電端子１００が接続される。

【0160】

ｐ側配線層３２は、金属材料によって構成されている。ｐ側配線層３２の配線抵抗値は、ｐ側電極層３１Ｇの配線抵抗値よりも小さいとよい。つまり、ｐ側配線層３２は、第１金属層３１ａ、第２金属層３１ｂ及び第３金属層３１ｃで構成されるｐ側電極層３１Ｇの平均配線抵抗値よりも低い配線抵抗値の金属材料によって構成されているとよい。特に、延伸部Ｅ２において、ｐ側配線層３２の配線抵抗値は、延伸部Ｅ２におけるｐ側電極層３１Ｇの配線抵抗値（平均配線抵抗値）よりも小さくなっているとよい。ｐ側配線層３２は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕの中から選ばれる少なくとも１種類の金属材料、あるいは、これらの少なくとも１種類の金属材料を含む合金によって構成することができる。

【0161】

このように構成されるｐ側電極３０Ｇは、ｎ側電極２０と同様の構成であるので、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１のｎ側電極２０と同様の方法で形成することができる。一例として、ｐ側電極３０Ｇは、酸化物半導体層３４であるＩＴＯ層（膜厚０．２μｍ）上に形成されており、ｐ側電極層３１Ｇの第１金属層３１ａ及び第３金属層３１ｃがＡｌ層（膜厚０．３μｍ）で、ｐ側電極層３１Ｇの第２金属層３１ｂがＴｉ層（膜厚０．３μｍ）で、ｐ側配線層３２がＡｕ層（膜厚１．０μｍ）である。

【0162】

以上、本変形例に係る半導体発光素子１Ｇによれば、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１と同様に、ｎ側電極２０は、ｎ側電極層２１と、ｎ側電極層２１の上に配置されたｎ側配線層２２とを有しており、ｎ側電極層２１は、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層２１ａよりも導電率が低い第２金属層２１ｂとを有する。

【0163】

この構成により、ｎ側電極２０に幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。また、光取り出し効率が低下することを抑制することができる。

【0164】

さらに、本変形例に係る半導体発光素子１Ｇによれば、ｐ側電極３０Ｇは、ｐ側電極層３１Ｇと、ｐ側電極層３１Ｇの上に配置されたｐ側配線層３２とを有しており、ｐ側電極層３１Ｇは、給電部Ｅ１に配置された第１金属層３１ａと、第１金属層３１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層３１ａよりも導電率が低い第２金属層３１ｂとを有する。

【0165】

この構成により、ｐ側電極３０Ｇに幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。

【0166】

なお、本変形例に係る半導体発光素子１Ｇにおいて、ｐ側電極３０Ｇは、ｐ側拡散バリア層を有していなかったが、ｐ側電極３０Ｇは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１と同様に、ｐ側拡散バリア層３３を有していてもよい。この場合、ｐ側拡散バリア層は、ｐ側電極層３１Ｇとｐ側配線層３２との間に配置される。

【0167】

また、本変形例に係る半導体発光素子１Ｇにおいて、ｐ側電極３０Ｇに対して、上記実施の形態１の変形例１～５におけるｎ側電極２０の構成を適用してもよい。

【0168】

（実施の形態２）
次に、実施の形態２に係る半導体発光素子１Ｈについて、図２２を用いて説明する。図２２において、（ａ）は、実施の形態２に係る半導体発光素子１Ｈの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における同半導体発光素子１Ｈの垂直断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ－Ｂ線における同半導体発光素子１Ｈの水平断面図である。

【0169】

本実施の形態に係る半導体発光素子１Ｈは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１に対して、ｎ側電極２０Ｈの構成が異なる。

【0170】

具体的には、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１では、ｎ側電極２０のｎ側電極層２１は、第１金属層２１ａ、第２金属層２１ｂ及び第３金属層２１ｃを有していたが、本実施の形態に係る半導体発光素子１Ｈでは、図２２の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ｎ側電極２０Ｈのｎ側電極層２１Ｈは、第３金属層２１ｃを有しておらず、第１金属層２１ａ及び第２金属層２１ｂのみによって構成されている。本実施の形態では、ｎ側電極層２１Ｈの第２金属層２１ｂは、延伸部Ｅ２の全体にわたって形成されている。

【0171】

以上、本実施の形態に係る半導体発光素子１Ｈによれば、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１と同様に、ｎ側電極２０Ｈは、ｎ側電極層２１Ｈと、ｎ側電極層２１Ｈの上に配置されたｎ側配線層２２とを有しており、ｎ側電極層２１Ｈは、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層２１ａよりも導電率が低い第２金属層２１ｂとを有する。

【0172】

この構成により、ｎ側電極２０Ｈに幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。また、光取り出し効率が低下することを抑制することができる。

【0173】

（実施の形態２の変形例１）
次に、実施の形態２の変形例１に係る半導体発光素子１Ｉについて、図２３を用いて説明する。図２３において、（ａ）は、実施の形態２に係る半導体発光素子１Ｉの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における同半導体発光素子１Ｉの垂直断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ－Ｂ線における同半導体発光素子１Ｉの水平断面図である。

【0174】

本変形例に係る半導体発光素子１Ｉは、上記実施の形態２に係る半導体発光素子１Ｈに対して、ｎ側電極２０Ｉの構成が異なる。

【0175】

具体的には、図２３の（ｃ）に示すように、上記実施の形態１の変形例２に係る半導体発光素子１Ｂと同様に、本変形例におけるｎ側電極２０Ｉの延伸部Ｅ２は、給電部Ｅ１側と反対側に、給電部Ｅ１側の幅よりも幅の小さい部分を有する。したがって、延伸部Ｅ２におけるｎ側電極層２１Ｉ及びｎ側配線層２２Ｉの各々は、給電部Ｅ１側と反対側に、給電部Ｅ１側の幅よりも幅の小さい部分を有する。

【0176】

本変形例において、ｎ側電極２０Ｉの延伸部Ｅ２は、延伸部Ｅ２の延伸方向先端に向かって幅が漸次狭くなる形状である。具体的には、ｎ側電極２０Ｉの延伸部Ｅ２は、延伸部Ｅ２の延伸方向先端に向かって先細りのテーパ状である。したがって、ｎ側電極層２１Ｉ及びｎ側配線層２２Ｉの各々が、延伸部Ｅ２の延伸方向先端に向かって先細りのテーパ状になっている。より具体的には、ｎ側電極層２１Ｉにおいては、第２金属層２１ｂの延伸部Ｅ２の部分が略二等辺三角形のテーパ状になっている。

【0177】

以上、本変形例に係る半導体発光素子１Ｉでも、上記実施の形態２に係る半導体発光素子１Ｈと同様に、ｎ側電極２０Ｉは、ｎ側電極層２１Ｉと、ｎ側電極層２１Ｉの上に配置されたｎ側配線層２２Ｉとを有しており、ｎ側電極層２１Ｉは、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層２１ａよりも導電率が低い第２金属層２１ｂとを有する。

【0178】

これにより、ｎ側電極２０Ｉに幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。また、光取り出し効率が低下することを抑制することができる。

【0179】

しかも、本変形例に係る半導体発光素子１Ｉでは、上記実施の形態１の変形例２に係る半導体発光素子１Ｂと同様に、ｎ側電極２０Ｉの延伸部Ｅ２が、給電部Ｅ１側と反対側に給電部Ｅ１側の幅よりも幅の小さい部分を有する。

【0180】

この構成により、上記実施の形態１の変形例２に係る半導体発光素子１Ｂと同様の効果を奏する。つまり、ｎ側電極２０Ｉの面積を小さくしてｐ側電極３０の面積（つまり発光面積）を大きくすることができるので、エレクトロマイグレーションの抑制効果を維持しつつ、半導体発光素子１Ｉの光出力を向上させることができる。また、この場合、ｎ側電極２０Ｂの延伸部Ｅ２では先端に近づくにしたがって電流量が少なくなるため、本変形例のように、延伸部Ｅ２の給電部Ｅ１側とは反対側（先端側）の幅を小さくしても電流密度はあまり大きくならないのでエレクトロマイグレーションの発生を抑制することができる。

【0181】

（実施の形態２の変形例２）
次に、実施の形態２の変形例２に係る半導体発光素子１Ｊについて、図２４を用いて説明する。図２４において、（ａ）は、実施の形態２の変形例２に係る半導体発光素子１Ｊの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における同半導体発光素子１Ｊの垂直断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ－Ｂ線における同半導体発光素子１Ｊの水平断面図である。

【0182】

本変形例に係る半導体発光素子１Ｊは、上記実施の形態２に係る半導体発光素子１Ｈに対して、ｎ側電極２０Ｊの構成が異なる。

【0183】

具体的には、図２４の（ｂ）に示すように、本変形例に係る半導体発光素子１Ｊのｎ側電極２０Ｊは、上記実施の形態２に係る半導体発光素子１Ｈのｎ側電極２０Ｈにおいて、さらに、ｎ側拡散バリア層２３を有する。つまり、本変形例におけるｎ側電極２０Ｊは、上記実施の形態１の変形例４に係る半導体発光素子１Ｄと同様に、ｎ側電極層２１Ｈとｎ側配線層２２とに加えて、ｎ側電極層２１Ｈとｎ側配線層２２との間に配置されたｎ側拡散バリア層２３を有する。

【0184】

以上、本変形例に係る半導体発光素子１Ｊによれば、上記実施の形態２に係る半導体発光素子１Ｈと同様に、ｎ側電極２０Ｊは、ｎ側電極層２１Ｈと、ｎ側電極層２１Ｈの上に配置されたｎ側配線層２２とを有しており、ｎ側電極層２１Ｈは、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層２１ａよりも導電率が低い第２金属層２１ｂとを有する。

【0185】

この構成により、ｎ側電極２０Ｊに幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。また、光取り出し効率が低下することを抑制することができる。

【0186】

また、本変形例に係る半導体発光素子１Ｊにおけるｎ側電極２０Ｊは、ｎ側電極層２１Ｈとｎ側配線層２２との間にｎ側拡散バリア層２３を有する。

【0187】

この構成により、上記実施の形態１の変形例４に係る半導体発光素子１Ｄと同様の効果を奏する。つまり、ｎ側拡散バリア層２３によって、ｎ側電極層２１Ｈを構成する金属材料とｎ側配線層２２を構成する金属材料とが相互拡散することを抑制できる。したがって、長期信頼性に優れた半導体発光素子１Ｊを実現することができる。

【0188】

なお、本変形例における半導体発光素子１Ｊでは、ｎ側拡散バリア層２３とｎ側電極層２１Ｈとを異なる材料によって構成したが、これに限らない。例えば、ｎ側拡散バリア層２３は、ｎ側電極層２１Ｈの第２金属層２１ｂと同一材料で構成されていてもよい。この場合、図１９に示される半導体発光素子１Ｅと同様に、ｎ側電極層２１Ｈの第２金属層２１ｂとｎ側拡散バリア層２３とを一体にして、図２５に示されるような半導体発光素子１Ｋとしてもよい。つまり、図２５に示される半導体発光素子１Ｋのｎ側電極２０Ｋのように、ｎ側電極層２１Ｋの第２金属層２１ｂをｎ側拡散バリア層として機能させてもよい。

【0189】

図２５に示される半導体発光素子１Ｋのｎ側電極２０Ｋは、ｎ側電極層２１Ｋの第２金属層２１ｂとなるＴｉ層とｎ側電極層２１Ｋの上のｎ側拡散バリア層となるＴｉ層とを別々に成膜することで形成することができるが、同時に成膜してもよい。例えば、第１金属層２１ａ（例えばＡｌ層）を形成し、その後、第１金属層２１ａを覆うようにしてＥＢ蒸着法又はスパッタ法等でｎ側拡散バリア層となる第２金属層２１ｂ（例えばＴｉ層）を成膜してフォトリソグラフィ法によって所定形状に形成する。これにより、図２６に示されるような半導体発光素子１Ｌのｎ側電極２０Ｌを形成することができる。つまり、ｎ側拡散バリア層としても機能するｎ側電極層２１Ｌの第２金属層２１ｂ及びｎ側配線層２２の各々は、延伸部Ｅ２で窪んだ形状となる。

【0190】

（実施の形態２の変形例３）
次に、実施の形態２の変形例３に係る半導体発光素子１Ｍについて、図２７を用いて説明する。図２７において、（ａ）は、実施の形態２の変形例３に係る半導体発光素子１Ｍの平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ－Ａ線における同半導体発光素子１Ｍの垂直断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＢ－Ｂ線における同半導体発光素子１Ｍの水平断面図である。

【0191】

本変形例に係る半導体発光素子１Ｍは、図２１に示される上記実施の形態１の変形例５に係る半導体発光素子１Ｇに対して、ｐ側電極３０Ｍの構成が異なる。

【0192】

具体的には、上記実施の形態１の変形例５に係る半導体発光素子１Ｇでは、ｐ側電極３０Ｇのｐ側電極層３１Ｇは、第１金属層３１ａ、第２金属層３１ｂ及び第３金属層３１ｃを有していたが、本変形例に係る半導体発光素子１Ｍでは、図２７の（ｂ）及び（ｃ）に示すように、ｐ側電極３０Ｍのｐ側電極層３１Ｍは、第３金属層３１ｃを有しておらず、第１金属層３１ａ及び第２金属層３１ｂのみによって構成されている。本変形例では、ｐ側電極層３１Ｍの第２金属層３１ｂは、延伸部Ｅ２の全体にわたって形成されている。

【0193】

以上、本変形例に係る半導体発光素子１Ｍによれば、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１と同様に、ｎ側電極２０は、ｎ側電極層２１と、ｎ側電極層２１の上に配置されたｎ側配線層２２とを有しており、ｎ側電極層２１は、給電部Ｅ１に配置された第１金属層２１ａと、第１金属層２１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層２１ａよりも導電率が低い第２金属層２１ｂとを有する。

【0194】

この構成により、ｎ側電極２０に幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。また、光取り出し効率が低下することを抑制することができる。

【0195】

さらに、本変形例に係る半導体発光素子１Ｍによれば、ｐ側電極３０Ｍは、ｐ側電極層３１Ｍと、ｐ側電極層３１Ｍの上に配置されたｐ側配線層３２とを有しており、ｐ側電極層３１Ｍは、給電部Ｅ１に配置された第１金属層３１ａと、第１金属層３１ａよりも延伸部Ｅ２側に配置され且つ第１金属層３１ａよりも導電率が低い第２金属層３１ｂとを有する。

【0196】

この構成により、ｐ側電極３０Ｍに幅が変化する部分が設けられていても、駆動電圧の増加を抑制しつつ、エレクトロマイグレーションを抑制することができる。

【0197】

なお、本変形例に係る半導体発光素子１Ｍにおいて、ｐ側電極３０Ｍは、ｐ側拡散バリア層を有していなかったが、ｐ側電極３０Ｍは、上記実施の形態１に係る半導体発光素子１と同様に、ｐ側拡散バリア層３３を有していてもよい。この場合、ｐ側拡散バリア層は、ｐ側電極層３１Ｍとｐ側配線層３２との間に配置される。

【0198】

（その他の変形例）
以上、本開示に係る半導体発光素子について、実施の形態１、２及びその変形例に基づいて説明したが、本開示は、上記の実施の形態１、２及びその変形例に限定されるものではない。

【0199】

例えば、上記の実施の形態１、２及びその変形例に対して当業者が思い付く各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で、上記の実施の形態１、２及びその変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。

【0200】

一例として、上記実施の形態１の変形例１に係る半導体発光素子１Ａのｎ側電極２０Ａの構成は、実施の形態２に係る半導体発光素子１Ｈのｎ側電極２０Ｈにも適用することができる。また、上記実施の形態１の変形例３に係る半導体発光素子１Ｃのｎ側電極２０Ｃの構成は、実施の形態２に係る半導体発光素子１Ｈのｎ側電極２０Ｈにも適用することができる。

【産業上の利用可能性】

【0201】

本開示に係る半導体発光素子は、照明用途又はディスプレイ用途等の様々な機器の光源として有用である。

【符号の説明】

【0202】

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ、１Ｈ、１Ｉ、１Ｊ、１Ｋ、１Ｌ、１Ｍ、１Ｘ、１Ｙ 半導体発光素子
１０ 半導体積層構造
１１ 基板
１２ ｎ型半導体層
１３ 活性層
１４ ｐ型半導体層
２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｈ、２０Ｉ、２０Ｊ、２０Ｋ、２０Ｌ、２０Ｘ、２０Ｙ ｎ側電極
２１、２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃ、２１Ｅ、２１Ｆ、２１Ｈ、２１Ｉ、２１Ｋ、２１Ｌ ｎ側電極層
２１ａ、３１ａ 第１金属層
２１ｂ、３１ｂ 第２金属層
２１ｃ、３１ｃ 第３金属層
２１ｄ 第４金属層
２１ｅ 第５金属層
２２、２２Ａ、２２Ｂ、２２Ｃ、２２Ｉ ｎ側配線層
２３ ｎ側拡散バリア層
３０、３０Ｇ、３０Ｍ ｐ側電極
３１、３１Ｇ、３１Ｍ ｐ側電極層
３２ ｐ側配線層
３３ ｐ側拡散バリア層
３４ 酸化物半導体層
４０ 絶縁膜
１００ 給電端子
Ｅ１ 給電部
Ｅ２ 延伸部

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図2E】

【図2F】

【図2G】

【図2H】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】

【図25】

【図26】

【図27】