特許7515119IP Force 特許公報全文掲載

ホーム > 特許ランキング > 国立大学法人　奈良先端科学技術大学院大学 > 特許7515119

技術分野

新規な薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

塗布法による成膜は、スパッタ法等の真空系の成膜装置を用いる従来法と比べて、より簡易な構成（工程、装置）で、また低コストにての成膜を実現でき、高い生産性に加え、大面積にての成膜やより複雑なパターンにての成膜をも可能とする点で有望視されている。そのため、半導体層の成膜のみならず、薄膜トランジスタを構成する各層の成膜においても塗布法の適用が検討されている。 しかし、一般に、塗布法によって成膜・製造された薄膜トランジスタにおいては、半導体層の形成時に使用する前駆体に由来する不純物の存在、不完全な金属酸化物の形成、さらにはチャネル層の活性化が難しい等の種々の要因により、高い移動度を有するチャネル層、ひいては薄膜トランジスタを実現することは難しい。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明者らは、の課題を解決するべく鋭意研究を重ねた結果、金属酸化物半導体層に対して、エキシマレーザー光照射又はＹＡＧレーザー光照射を実施する、特にＵＶ光照射とエキシマレーザー光照射又はＹＡＧレーザー光照射とを組みわせて実施したところ、金属酸化物半導体層を電極（導体）に変換するとともに、金属酸化物半導体層を移動度の高いチャネル層に変換でき、高移動度のトップゲート型薄膜トランジスタとなること・・・　続きを知財ポータルサイト IP Force にログインして見る

発明の効果[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明によれば、１２ｃｍ２／Ｖｓ以上、１８ｃｍ２／Ｖｓ以上、２０ｃｍ２／Ｖｓ以上、３０ｃｍ２／Ｖｓ以上であり、例えば１２ｃｍ２／Ｖｓ～８０ｃｍ２／Ｖｓ、１２ｃｍ２／Ｖｓ～７０ｃｍ２／Ｖｓ、１２ｃｍ２／Ｖｓ～６０ｃｍ２／Ｖｓ、１８ｃｍ２／Ｖｓ～８０ｃｍ２／Ｖｓ、１８ｃｍ２／Ｖｓ～７０ｃｍ２／Ｖｓ、１８ｃｍ２／Ｖｓ～６０ｃｍ２／Ｖｓ、１８ｃｍ２／Ｖｓ～５０ｃｍ２／Ｖｓ、１８ｃｍ２／Ｖｓ～５０ｃｍ２／Ｖｓ、２０ｃｍ２／Ｖｓ～８０ｃｍ２／Ｖｓ、２０ｃｍ２／Ｖｓ～７０ｃｍ２／Ｖｓ、２０ｃｍ２／Ｖｓ～６０ｃｍ２／Ｖｓ、３０ｃｍ２／Ｖｓ～８０ｃｍ２／Ｖｓ、３０ｃｍ２／Ｖｓ～７０ｃｍ２／Ｖｓ、３０ｃｍ２／Ｖｓ～６０ｃｍ２／Ｖｓ、３０ｃｍ２／Ｖｓ～５０ｃｍ２／Ｖｓ、３０ｃｍ２／Ｖｓ～５０ｃｍ２／Ｖｓの範囲の高移動度を有するトップゲート型薄膜トランジスタを提供することができる。
また本発明の製造方法によれば、エキシマレーザー光照射又はＹＡＧレーザー光照射により金属酸化物半導体層を活性化して、移動度の高いチャネル層に変換することにより、さらには金属酸化物半導体層をＵＶ光照射することで導体（電極）に変換することによって、高移動度のトップゲート型薄膜トランジスタを製造できる。

この特許の権利範囲[特許請求の範囲]

知財ポータルサイト IP Force にログインして確認する (無料)

この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1】 図１は、実施例で製造した構造体Ａを示す断面図である。
【図2】 図２は、実施例で製造したトップゲート型薄膜トランジスタを示す断面図である。
【図3】 図３は、実施例１で製造したトップゲート型薄膜トランジスタの伝達特性を示すグラフである。
【図4】 図４は、実施例７で製造したトップゲート型薄膜トランジスタの伝達特性を示すグラフである。
【図5】 図５は、本発明のトップゲート型薄膜トランジスタの製造方法における（Ａ）工程～（Ｅ）工程を示す図である。
【図6】 図６は、一般的なトップゲート型薄膜トランジスタを示す図であり、図６（ａ）はトップコンタクト式の構造の断面を示し、図６（ｂ）はボトムコンタクト式の構造の断面を示す。

代表図 図1本件の代表的な図

全ての図面はログインすると無料で閲覧できます。ログイン・ユーザー登録

［広告欄］

ログインすれば広告は減ります

ログインすれば広告は減ります

Copyright © Science Impact Inc. All Rights Reserved.