特許7515578最適化された活性領域の歪みおよび改善されたレーザーダイオード性能のための歪み設計されたクラッド層

発明の名称　最適化された活性領域の歪みおよび改善されたレーザーダイオード性能のための歪み設計されたクラッド層

出願人　エヌライト， インコーポレイテッド　（識別番号 522126279）

　　　　特許公開件数ランキング 13870 位（0件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 11686 位（0件）（共同出願を含む）

公報番号　特許-7515578

公報発行日　2024年7月12

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_B1-7515578

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