特許 7516220 酸化物超電導線材および超電導ケーブル

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-05

(45)【発行日】2024-07-16

(54)【発明の名称】酸化物超電導線材および超電導ケーブル

(51)【国際特許分類】

   H01B 12/06 20060101AFI20240708BHJP

【ＦＩ】

H01B12/06 ZAA

【請求項の数】 3

(21)【出願番号】P 2020192416

(22)【出願日】2020-11-19

(65)【公開番号】P2022081094

(43)【公開日】2022-05-31

【審査請求日】2023-06-28

(73)【特許権者】

【識別番号】000005186

【氏名又は名称】株式会社フジクラ

(74)【代理人】

【識別番号】100106909

【弁理士】

【氏名又は名称】棚井 澄雄

(74)【代理人】

【識別番号】100126882

【弁理士】

【氏名又は名称】五十嵐 光永

(74)【代理人】

【識別番号】100160093

【弁理士】

【氏名又は名称】小室 敏雄

(74)【代理人】

【識別番号】100169764

【弁理士】

【氏名又は名称】清水 雄一郎

(72)【発明者】

【氏名】藤田 真司

【審査官】井上 弘亘

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１６－０３３８８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０３２３６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０１－０３１３１３（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｂ １２／０６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に積層された中間層と、
前記中間層上に積層された超電導層と、を備え、
前記基板、前記中間層、および前記超電導層が積層された積層方向と、長手方向と、の双方に直交する方向を幅方向とするとき、前記超電導層の前記幅方向における両端部には、前記超電導層の前記幅方向における中央部よりも厚さが小さい薄層部が形成され、
前記幅方向における前記基板の寸法をＷとするとき、前記薄層部の前記幅方向における寸法は０．１５Ｗ～０．２５Ｗである、酸化物超電導線材。

【請求項2】

前記薄層部の厚さの平均値が、前記中央部の厚さの平均値の０．５２～０．６３倍である、請求項１に記載の酸化物超電導線材。

【請求項3】

芯材と、
請求項１または２に記載の酸化物超電導線材と、を備え、
前記酸化物超電導線材が前記芯材に螺旋状に巻き付けられている、超電導ケーブル。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、酸化物超電導線材および超電導ケーブルに関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、基板と、基板上に積層された中間層と、中間層上に積層された超電導層と、を備えた酸化物超電導線材が開示されている。このような酸化物超電導線材は、芯材に螺旋状に巻き付けられることで、超電導ケーブルとして用いられる場合がある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３－１２３２１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

芯材に巻き付けられることで、酸化物超電導線材は捻回された状態となる。捻回により、幅方向における両端部に位置する超電導層には、引張歪が作用する。この引張歪により、超電導層にクラック等の劣化が生じる場合がある。超電導層を薄くするとこのような劣化を抑制可能であるが、その場合には、酸化物超電導線材が流すことができる臨界電流値が低下してしまう。

【0005】

本発明はこのような事情を考慮してなされ、酸化物超電導線材が流すことができる臨界電流値を確保しつつ、捻回による超電導層の劣化を抑制することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

上記課題を解決するために、本発明の第１態様に係る超電導線材は、基板と、前記基板上に積層された中間層と、前記中間層上に積層された超電導層と、を備え、前記基板、前記中間層、および前記超電導層が積層された積層方向と、長手方向と、の双方に直交する方向を幅方向とするとき、前記超電導層の前記幅方向における両端部には、前記超電導層の前記幅方向における中央部よりも厚さが小さい薄層部が形成され、前記幅方向における前記基板の寸法をＷとするとき、前記薄層部の前記幅方向における寸法は０．２９Ｗ以下である。

【0007】

上記態様によれば、超電導層の幅方向の両端部に薄層部が形成されている。薄層部では超電導層の厚みが小さいことで、引張歪に対する強度が高められており、捻回に伴う引張歪によって超電導層の両端部にクラックなどが生じることが抑制できる。これにより、捻回に伴う超電導層の劣化を抑制できる。さらに、超電導層の幅方向における中央部まで厚みを小さくする場合と比較して、超電導層の断面積を確保し、酸化物超電導線材が流すことができる臨界電流値を確保することができる。

【0008】

ここで、前記薄層部の前記幅方向における寸法は０．１５Ｗ～０．２５Ｗであってもよい。

【0009】

本願発明者らが検討したところ、薄層部の寸法を上記範囲としたときに、少なくとも効果が得られることが確認された。

【0010】

また、前記薄層部の厚さの平均値が、前記中央部の厚さの平均値の０．５２～０．６３倍であってもよい。

【0011】

この場合、薄層部を形成しない場合と比較して、１ｍあたりの捻回数が１０．４～１４．６の範囲において、Ｉｃ１／Ｉｃ０の値を０．０２以上改善することが可能となる。

【0012】

本発明の第２態様に係る超電導ケーブルは、芯材と、上記第１態様の酸化物超電導線材と、を備え、前記酸化物超電導線材が前記芯材に螺旋状に巻き付けられている。

【0013】

上記態様によれば、巻き付けにより超電導層が捻回されることに伴う劣化を抑制しながら、臨界電流値の大きさを確保した超電導ケーブルを提供できる。

【発明の効果】

【0014】

本発明の上記態様によれば、酸化物超電導線材が流すことができる臨界電流値を確保しつつ、捻回による超電導層の劣化を抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0015】

【図1】本実施形態に係る酸化物超電導線材の横断面図である。

【図2】本実施形態に係る超電導ケーブルの側面図である。

【図3】薄層部を有する超電導層を形成する方法の一例を示す図である。

【図4】比較例、実施例１、および実施例２の超電導層の厚さの分布を示す図である。

【図5】比較例、実施例１、および実施例２の捻回試験の結果を示す図である。

【図6】捻回により生じる歪の分布を示す図である。

【図7】超電導層の厚みと不可逆歪の関係を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0016】

以下、本実施形態の酸化物超電導線材および超電導ケーブルについて図面に基づいて説明する。
図１に示すように、酸化物超電導線材１０は、基板１１、中間層１２、超電導層１３、および保護層１４をこの順に積層して構成された積層体１５を有している。図２に示すように、酸化物超電導線材１０は、超電導ケーブル１の構成部材として用いられてもよい。超電導ケーブル１は、芯材２と、酸化物超電導線材１０と、を備えている。酸化物超電導線材１０は、芯材２に螺旋状に巻き付けられる。図２では１本の酸化物超電導線材１０が芯材２に巻き付けられているが、複数の酸化物超電導線材１０が芯材２に巻き付けられてもよい。

【0017】

（方向定義）
本実施形態では、酸化物超電導線材１０の長手方向を単に長手方向といい、積層体１５が積層された方向を積層方向という。また、長手方向および積層方向の双方に直交する方向を幅方向という。図１は、長手方向に直交する断面（横断面）である。図１における左右方向が幅方向である。

【0018】

基板１１は、テープ状の金属基板である。金属基板を構成する金属の具体例として、ハステロイ（登録商標）に代表されるニッケル合金、ステンレス鋼、ニッケル合金に集合組織を導入した配向Ｎｉ－Ｗ合金などが挙げられる。

【0019】

中間層１２は、多層構成でもよく、例えば基板１１側から超電導層１３側に向かう順で、拡散防止層、ベッド層、配向層、キャップ層等を有してもよい。これらの層は必ずしも１層ずつ設けられるとは限らず、一部の層を省略する場合や、同種の層を２以上繰り返し積層する場合もある。中間層１２は、金属酸化物であってもよい。配向性に優れた中間層１２の上に超電導層１３を成膜することにより、配向性に優れた超電導層１３を得ることが容易になる。

【0020】

超電導層１３は、酸化物超電導体から構成される。酸化物超電導体としては、例えば一般式ＲＥＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｙ（ＲＥ１２３）等で表されるＲＥ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ系酸化物超電導体が挙げられる。希土類元素ＲＥとしては、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕのうちの１種又は２種以上が挙げられる。ＲＥ１２３の一般式において、ｙは７－ｘ（酸素欠損量）である。

【0021】

本実施形態における超電導層１３の幅方向の両端部には、薄層部１３ｂが形成されている。薄層部１３ｂは、超電導層１３の幅方向の中央部１３ａよりも、積層方向における厚さが小さい部分である。薄層部１３ｂのうち保護層１４側の面は、幅方向における外側に向かうに従い、中間層１２側に向かうように傾斜している。このため、薄層部１３ｂの積層方向における厚さは、幅方向における外側に向かうに従って小さくなっている。

【0022】

本実施形態では、基板１１、中間層１２、超電導層１３、および保護層１４（すなわち、積層体１５）の幅方向における寸法をＷと表す。詳細は後述するが、薄層部１３ｂの幅方向における寸法は、０．２９Ｗ以下であることが好ましく、０．１５Ｗ～０．２５Ｗであることがより好ましい。

【0023】

保護層１４は、事故時に発生する過電流をバイパスしたり、超電導層１３と保護層１４の上に設けられる層との間で起こる化学反応を抑制したりする等の機能を有する。保護層１４を構成する材料としては、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）又はこれらの１種以上を含む合金（例えばＡｇ合金、Ｃｕ合金、Ａｕ合金）が挙げられる。保護層１４は、２種以上の金属又は２層以上の金属層から構成されてもよい。保護層１４は、蒸着法、スパッタ法等により形成することができる。保護層１４は、超電導層１３上に略均一な厚さで形成される。本実施形態では、超電導層１３の幅方向における両端部（薄層部１３ｂ）の保護層１４側の面が傾斜しているため、この傾斜に沿うように、保護層１４の幅方向における両端部も傾斜して形成されている。

【0024】

図１に示すように、積層体１５の外周には安定化層１６が設けられていてもよい。安定化層１６は、事故時に発生する過電流をバイパスしたり、超電導層１３及び保護層１４を機械的に補強したりする等の機能を有する。安定化層１６の材質としては、例えば銅を採用可能である。

【0025】

次に、酸化物超電導線材１０の製造方法の一例について説明する。なお、以下で説明する製造方法は一例であり、他の製造方法を採用してもよい。

【0026】

まず基板１１を用意する。
次に、基板１１上に中間層１２を積層する。中間層１２は、ＩＢＡＤ（Ion-Beam-Assisted Deposition）法、ＰＬＤ（Pulsed Laser Deposition）法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法などの蒸着法を用いて形成できる。

【0027】

次に、中間層１２上に超電導層１３を積層する。超電導層１３は、ＰＬＤ法を用いて形成できる。図３に、ＰＬＤ法を用いて超電導層１３を形成する様子を示す。図３に示すように、超電導層１３を形成するためのターゲットＴを、基板１１のうち中間層１２が積層された面に対向するように配置する。ターゲットＴは酸化物超電導体により形成されている。ターゲットＴにレーザー光Ｌを照射することで、ターゲットＴの構成粒子を叩き出し、若しくは蒸発させて、プルームＰを発生させる。プルームＰに含まれるターゲットＴの構成粒子が、中間層１２上に積層することで、中間層１２の表面に超電導層１３が形成される。

【0028】

超電導層１３を形成する際、図３に示すように、基板１１および中間層１２の幅方向における両端部とターゲットＴとの間を遮るように、２つの遮蔽部材Ｓを設けるとよい。これにより、基板１１および中間層１２の両端部には、超電導層１３が積層されにくくなる。したがって、超電導層１３の幅方向における両端部を、中央部１３ａよりも薄くし、薄層部１３ｂを形成することができる。なお、プルームＰは遮蔽部材Ｓと中間層１２との間の隙間にも進入するため、中間層１２のうち遮蔽部材Ｓと対向している部分にも超電導層１３が形成される。

【0029】

遮蔽部材Ｓと対向する部分における超電導層１３の厚さは、中間層１２と遮蔽部材Ｓとの間の隙間の寸法（積層方向における距離）によって調整できる。また、基板１１および中間層１２に対する、遮蔽部材Ｓの幅方向における相対的な位置を調整することで、薄層部１３ｂの幅方向における寸法を調整できる。すなわち、遮蔽部材Ｓの積層方向および幅方向の位置を調整することで、薄層部１３ｂの寸法や厚さを調整することが可能である。

【0030】

次に、超電導層１３上に保護層１４を積層する。保護層１４は、スパッタ法等によって形成できる。これにより、積層体１５が得られる。
次に、必要に応じて酸素アニール処理を行った後、積層体１５の外周に安定化層１６を形成する。これにより酸化物超電導線材１０が得られる。安定化層１６は、めっき等により形成できる。

【0031】

次に、具体的な実験例を用いて、薄層部１３ｂの好ましい寸法等について説明する。
表１に示すように、３種類の酸化物超電導線材（比較例、実施例１、実施例２）を用意した。

【0032】

【表1】

【0033】

比較例、実施例１、および実施例２の酸化物超電導線材は、いずれも、基板１１、中間層１２、超電導層１３、保護層１４、および安定化層１６を有している。基板１１として、幅Ｗが４ｍｍ、厚さが７５μｍ、長さが３００ｍｍのハステロイを用いた。中間層１２として、ＡＬ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＩＢＡＤ－ＭｇＯ、ＣｅＯ_２の各層を積層した。超電導層１３の酸化物超電導体として、ＧｄＢＣＯを採用し、ＰＬＤ法によって中間層１２上に積層した。超電導層１３を積層する際、実施例１および実施例２については、図３に示すような２つの遮蔽部材Ｓを配置し、薄層部１３ｂを形成した。比較例については、遮蔽部材Ｓを用いなかったため、超電導層１３の幅方向における両端部の厚みは、中央部１３ａと同様になった。実施例１、２において、遮蔽部材Ｓの位置を調整することで、薄層部１３ｂの幅方向の寸法および厚さの分布を異ならせた。

【0034】

比較例、実施例１、および実施例２について、幅方向における超電導層１３の厚さの分布を測定した。具体的には、硝酸を用いて超電導層１３をエッチングし、中間層１２を幅方向全体にわたって露出させた。中間層１２の表面と超電導層１３の表面との段差を幅方向に位置を変えて触針式段差計を用いて測定することで、図４に示す測定結果が得られた。図４の横軸は超電導層１３の幅方向における位置を示しており、縦軸は超電導層１３の厚さを示している。

【0035】

図４に示すように、比較例については、幅方向の全域にわたって、超電導層１３の厚さが略一定となった。幅方向の全域における平均膜厚は２．０μｍであった。実施例１については、幅方向における両端から中央に向けて１ｍｍの範囲内において、超電導層１３の厚さが中央部１３ａよりも厚さが小さくなった。実施例２については、幅方向における両端から中央に向けて０．６ｍｍの範囲内において、超電導層１３の厚さが中央部１３ａよりも小さくなった。

【0036】

つまり、表１に示すように、薄層部１３ｂの幅方向の寸法は、実施例１については１ｍｍ、実施例２については０．６ｍｍとなった。基板１１の幅Ｗは４ｍｍであるため、実施例１の薄層部１３ｂの幅方向の寸法は０．２５Ｗ、実施例２の薄層部１３ｂの幅方向の寸法は０．１５Ｗである。薄層部１３ｂにおいては、超電導層１３の厚さは中央側が最も大きく、両端側が最も小さく形成されていた。薄層部１３ｂの厚さの平均値は、実施例１において１．０μｍ、実施例２において１．３μｍとなった。薄層部１３ｂの厚さは、中央側が最も大きく、両端側が最も小さく形成されていた。

【0037】

表１の「比率Ｒ」の欄は、薄層部１３ｂの厚さの平均値の、中央部１３ａの厚さの平均値に対する比率Ｒを示している。実施例１では、Ｒ＝１．０÷２．０=０．５である。実施例２では、Ｒ=１．３÷２．０=０．６５（≒０．７）である。
比較例、実施例１、および実施例２に共通して、銀によって保護層１４を形成し、銅めっきによって安定化層１６を形成した。

【0038】

比較例、実施例１、および実施例２について、捻回試験を行った結果を図５に示す。捻回試験の詳細は以下の通りである。まず、捻回を行う前に、各実験例のサンプルについて、臨界電流値Ｉｃ０を測定する。次に、捻回装置を用いて各実験例のサンプルを捻回する。捻回装置は、０．２４ｍの間隔を空けて配置された２つのチャックを有している。２つのチャックは、互いが対向する方向（酸化物超電導線材のサンプルの長手方向）に沿う軸線を中心として、相対回転可能となっている。２つのチャックでサンプルの長手方向における両端部を把持し、２つのチャックを相対回転させることで、サンプルを捻回することができる。なお、２つのチャックは、サンプルに２ｋｇｆの張力をかけるように構成されている。

【0039】

例えば、２つのチャックを軸線回りに相対的に１回転（３６０°回転）させると、サンプルには、１ｍあたり４．１６（＝１÷０．２４）回の捻回が加えられる。所定の捻回を加えた後、サンプルを捻回装置から取り外して直線状に戻し、その状態における臨界電流値Ｉｃ１を測定する。臨界電流値Ｉｃ１を測定した後、当該サンプルを再び捻回装置に取り付け、前回よりも多い数の捻回を加える。その後、再び当該サンプルを捻回装置から取り外し直線状とし、臨界電流値Ｉｃ１を測定する。これを繰り返すことで、図５の結果が得られた。

【0040】

図５の横軸は１ｍあたりの捻回数を示しており、縦軸はＩｃ１／Ｉｃ０の値を示している。Ｉｃ１／Ｉｃ０の値が大きいほど、捻回によって臨界電流値が低下していないことを示す。図５に示すように、比較例では、捻回数が８．３以下ではＩｃ１／Ｉｃ０の値に変化は見られなかったが、捻回数が９．４を超えると、Ｉｃ１／Ｉｃ０の値が次第に低下した。Ｉｃ１／Ｉｃ０の値の低下は、捻回によって、超電導層１３の幅方向における両端部にクラックなどが生じたことが原因であると考えられる。

【0041】

実施例１、２では、捻回数が１０．４以下ではＩｃ１／Ｉｃ０の値に変化は見られなかった。このように、Ｉｃ１／Ｉｃ０の値が低下し始める捻回数が、比較例よりも大きくなった。捻回数が１１．５を超えると、Ｉｃ１／Ｉｃ０の値が次第に低下したが、低下の程度は比較例より小さくなった。このように、実施例１、２は比較例に比べて、捻回に対する臨界電流値の低下を抑制できることが確認できた。

【0042】

このような結果が得られた原因について考察する。酸化物超電導線材１０に捻回を加えたとき、酸化物超電導線材１０に作用する長手方向における歪εは、幅方向における位置によって異なる。より詳しくは、幅方向における位置をｘと表すと、歪εは以下の数式（１）により表される。

【0043】

【数1】

【0044】

数式（１）において、θは単位長さ当たりの捻り角であり、Ｗは酸化物超電導線材１０の幅である。数式（１）に基づいて、幅４ｍｍ、長さ２４０ｍｍの酸化物超電導線材１０を３．５回転だけ捻回した場合のグラフを作成すると、図６が得られる。図６の横軸は、酸化物超電導線材１０の幅方向における位置（ｘ）であり、縦軸は長手方向における歪εである。なお、ｘ＝０が酸化物超電導線材１０の幅方向における中心であり、ｘ＝－０．５およびｘ＝０．５が幅方向における両端である。εの値が正の範囲では引張歪が作用し、負の範囲では圧縮歪が作用する。

【0045】

数式（１）から明らかなように、θの値とは無関係に、ｘ＝±√（１／１２）Ｗのときに、ε＝０となる。すなわち、－０．５Ｗ＜ｘ＜－√（１／１２）Ｗおよび√（１／１２）Ｗ＜ｘ＜０．５Ｗの範囲では、酸化物超電導線材１０に引張歪が作用する。つまり、酸化物超電導線材１０のうち、幅方向における位置が両端から０．２９Ｗまでの範囲では引張歪が作用する。

【0046】

ここで、図７を用いて、超電導層１３の厚みと引張歪に対する強さの関係について説明する。図７の横軸は超電導層１３の厚さであり、縦軸は不可逆歪である。不可逆歪とは、先述のＩｃ１／Ｉｃ０の値が０．９９以下となる引張歪の値である。不可逆歪の値が大きいほど、引張歪によって臨界電流値が低下しにくいことを表している。図７の横軸は、超電導層１３の厚さである。図７に示すように、超電導層１３の厚みが小さいほど、不可逆歪の値が大きくなり、超電導層１３の引張歪に対する強度が増すことが分かる。なお、図７に示すデータは、幅４ｍｍの酸化物超電導線材１０について、液体窒素中で測定した結果である。

【0047】

図６、図７に示すデータから、以下のことが言える。比較例では、超電導層１３の幅方向における両端部の厚さが、実施例１、２よりも大きかった。このため、比較例では、捻回試験によって超電導層１３の両端部に作用した引張歪により、超電導層１３にクラックなどが生じ、Ｉｃ１の値の低下が少ない捻回数で生じた。これに対し、実施例１、２では、超電導層１３の幅方向の両端部に薄層部１３ｂが形成されている。そして、薄層部１３ｂでは超電導層１３の厚みが小さいことで、引張歪に対する強度が比較例よりも高められており、捻回試験に伴う引張歪によって超電導層１３の両端部にクラックなどが生じることが抑制された。これにより、Ｉｃ１の値の低下が抑制されたと考えられる。図６に示す通り、引張歪は幅方向における位置が両端から０．２９Ｗ以下の範囲に作用するため、薄層部１３ｂもこの範囲に形成するとよい。

【0048】

なお、実施例１、２では、薄層部１３ｂの幅が０．１５Ｗ～０．２５Ｗであった。少なくとも薄層部１３ｂの寸法をこの範囲内に設定することで、良好な結果が得られることが確認された。

【0049】

以上説明したように、実施例１、２の酸化物超電導線材１０は、基板１１と、基板１１上に積層された中間層１２と、中間層１２上に積層された超電導層１３と、を備えている。基板１１、中間層１２、および超電導層１３が積層された積層方向と、長手方向と、の双方に直交する方向を幅方向とするとき、超電導層１３の幅方向における両端部には、厚さが中央部１３ａよりも薄い薄層部１３ｂが形成されている。そして、幅方向における基板１１の寸法をＷとするとき、薄層部１３ｂの幅方向における寸法は０．２９Ｗ以下とする。このような構成により、酸化物超電導線材１０が流すことができる臨界電流値を確保しつつ、捻回による超電導層１３の劣化を抑制することが可能となる。

【0050】

また、図６に示すように、超電導層１３の幅方向における両端から０．２９Ｗの範囲に引張歪が印加することを考慮すると、薄層部１３ｂの幅方向における寸法は０．２９Ｗであることがより好ましい。これにより、超電導層１３のうち引張歪が生じる部分の厚さのみを薄くして、不必要に超電導層１３の断面積が低下することを回避できる。超電導層１３の断面積を確保することで、臨界電流値の大きさをより確実に確保することができる。

【0051】

また、表１の「比率Ｒ」の欄に示すように、実施例１、２では、薄層部１３ｂの厚さの平均値が、中央部１３ａの厚さの平均値の０．５２～０．６３倍となった。薄層部１３ｂの厚さをこのように設定することで、図５に示すように、１ｍあたりの捻回数が１０．４～１４．６の範囲において、Ｉｃ１／Ｉｃ０の値を、比較例に対して０．０２以上改善することが可能となる。

【0052】

また、上記のような酸化物超電導線材１０を、芯材２に螺旋状に巻き付けた構成の超電導ケーブル１によれば、巻き付けにより酸化物超電導線材１０が捻回されることに伴う超電導層１３の劣化を抑制しながら、臨界電流値の大きさを確保することができる。

【0053】

なお、本発明の技術的範囲は前記実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

【0054】

例えば、酸化物超電導線材１０は、超電導ケーブル１以外の用途に用いられてもよい。酸化物超電導線材１０の製造時、あるいは搬送時にも、酸化物超電導線材１０が捻回される場合がある。そのような場合に、超電導層１３の両端部にクラックなどが生じないようにする目的においても、本実施形態を好適に用いることができる。

【0055】

また、前記実施形態では、超電導層１３の薄層部１３ｂが傾斜していたが、薄層部１３ｂは傾斜していなくてもよい。すなわち、薄層部１３ｂの厚さが幅方向において均一であり、中央部１３ａに対して段差が生じていてもよい。
また、保護層１４および安定化層１６はなくてもよい。

【0056】

その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記した実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上記した実施形態や変形例を適宜組み合わせてもよい。

【符号の説明】

【0057】

１…超電導ケーブル ２…芯材 １０…酸化物超電導線材 １１…基板 １２…中間層 １３…超電導層 １３ａ…中央部 １３ｂ…薄層部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】