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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-05
(45)【発行日】2024-07-16
(54)【発明の名称】パターン化された転写物品
(51)【国際特許分類】
B32B 7/06 20190101AFI20240708BHJP
B32B 3/26 20060101ALI20240708BHJP
B32B 3/30 20060101ALI20240708BHJP
【ＦＩ】
B32B7/06
B32B3/26 Z
B32B3/30
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2021570719
(86)(22)【出願日】2020-05-26
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2022-08-01
(86)【国際出願番号】 IB2020054988
(87)【国際公開番号】W WO2020240419
(87)【国際公開日】2020-12-03
【審査請求日】2023-05-25
(31)【優先権主張番号】62/855,651
(32)【優先日】2019-05-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】US
(73)【特許権者】
【識別番号】505005049
【氏名又は名称】スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー
(74)【代理人】
【識別番号】100130339
【弁理士】
【氏名又は名称】藤井 憲
(74)【代理人】
【識別番号】100110803
【弁理士】
【氏名又は名称】赤澤 太朗
(74)【代理人】
【識別番号】100135909
【弁理士】
【氏名又は名称】野村 和歌子
(74)【代理人】
【識別番号】100133042
【弁理士】
【氏名又は名称】佃 誠玄
(74)【代理人】
【識別番号】100171701
【弁理士】
【氏名又は名称】浅村 敬一
(72)【発明者】
【氏名】ゴトリック，ケビン ダブリュ．
(72)【発明者】
【氏名】ジョネス，スコット ジェイ．
(72)【発明者】
【氏名】タイ，フイウェン
(72)【発明者】
【氏名】フランケル，ジョアン エム．
(72)【発明者】
【氏名】オウィングス，ロバート アール．
(72)【発明者】
【氏名】ヴェラマカンニ，ヴァスカール ブイ．
(72)【発明者】
【氏名】ブルス，ジェアンヌ エム．
(72)【発明者】
【氏名】ロウェ，ディヴィッド ジェイ．
(72)【発明者】
【氏名】ソウサ，マシュー イー．
(72)【発明者】
【氏名】ギヴォット，ブラッドリー エル．
【審査官】斎藤 克也
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１８／１７８８０２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／０８８７０２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１６／１２５２１２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】国際公開第２０１８／００３８４７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特表２０１６－５３７７９３（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第００／０４１８９３（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１９－０６４１００（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｂ３２Ｂ １／００ － ４３／００
Ｂ４４Ｃ １／１６ － １／１７５
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
転写物品であって、金属層又はドープされた半導体層を含む剥離層と、
前記剥離層を覆う第１のアクリレート層であって、前記第１のアクリレート層が、２～５０グラム／インチの剥離値で前記剥離層から剥離可能である、第１のアクリレート層と、
前記第１のアクリレート層を覆う機能層であって、前記機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕無機層を含み、前記微小破砕無機層が３ナノメートル～２００ナノメートルの厚さである、機能層と、
を含み、
前記転写物品が３マイクロメートル未満の厚さを有する、
転写物品。
【請求項2】
パターン化された物品の製造方法であって、金属層又はドープされた半導体層から選択された剥離層から、転写物品を除去することであって、前記転写物品が、
前記剥離層を覆う第１のアクリレート層であって、前記剥離層と前記第１のアクリレート層との間の剥離値が、２～５０グラム／インチである、第１のアクリレート層と、
前記第１のアクリレート層を覆う機能層であって、前記機能層が、少なくとも１つの無機層を含む、機能層と、を含む、除去することと、
前記第１のアクリレート層を、２００ミクロン未満の周期を有する構造体を含むツールと接触させて、前記機能層の少なくとも１つの無機層に、その間に亀裂が散在するように複数のツールマークを形成して、パターン化された物品に微小破砕無機層を提供することと、
を含む、方法。
【請求項3】
物品であって、第１の主面及び第２の主面を有する第１の機能層であって、前記第１の機能層が、
前記第１の主面を形成する第１のアクリレート層と、
前記第１のアクリレート層上の第２の機能層であって、前記第２の機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を有する金属層のスタックを含み、前記微小破砕金属層は、５ナノメートル～１００ナノメートルの厚さである、第２の機能層と、
前記第２の主面を形成する第２のアクリレート層と、を含む、第１の機能層と、
前記第１のアクリレート層上の第１の接着剤層と、
前記第２のアクリレート層上の第２の接着剤層であって、前記第２の接着剤層が、光学的に透明である、第２の接着剤層と、
前記第１の接着剤層上の第１のポリマーフィルム層であって、前記第１のポリマーフィルム層が、前記第１の接着剤層に接触する第１の主面と、第２の主面とを有する、第１のポリマーフィルム層と、
前記第２の接着剤層上の第２のポリマーフィルム層と、
を含む、物品。
【請求項4】
パターン化された抗菌性物品であって、第１のアクリレート層と、前記第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、前記金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕された銀又は酸化銀の層を含み、前記微小破砕された銀又は酸化銀の層は、５ナノメートル～１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
前記機能層上の基材であって、前記基材が、ポリマーフィルムを含む、基材と、
を含む、抗菌性物品。
【請求項5】
誘電体物品であって、パターン化された構造であって、
第１のアクリレート層と、前記第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、前記金属層のスタックは、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む少なくとも１つの微小亀裂金属層を含み、前記金属フレークの少なくとも一部分は、前記微小亀裂金属層の平面外に存在し、前記クレバスは、１ミクロン～５０ミクロンの平均幅を有する、機能層と、
前記パターン化された構造上の少なくとも１つの裏材であって、前記誘電体物品が、９ＧＨｚ～１０ＧＨｚでＱＷＥＤスプリットポスト誘電体共振器空洞内で測定されるとき、０．１２のｔａｎδ最大値を有する、裏材と、
を含む、パターン化された構造、を含む、誘電体物品。
【請求項6】
物品であって、ポリマーフィルム基材と、
前記ポリマーフィルム基材を覆う光学的に透明な接着剤の層と、
前記光学的に透明な接着剤の前記層を覆うパターン化された構造であって、前記パターン化された構造は、
第１のアクリレート層と、前記第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、前記金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、前記微小破砕金属層は、５ナノメートル～１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
前記パターン化された構造上の裏材と、
を含む、パターン化された構造と、
を含む、物品。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【0001】
スパッタリングは、大きな領域にわたって１桁のナノメートル厚さ制御を有する無機薄膜を堆積させることができ、ロールツーロール製造に好適であり得る高精度真空蒸着プロセスである。真空蒸着基材は、スパッタリングプロセスで利用される高温、紫外線（ＵＶ）放射、及びイオンに曝露されたときに歪み及び劣化を実質的に含まないままであるように、十分な温度及び化学的安定性を有するべきである。適切な真空蒸着基材材料も真空安定性を有するべきであり、真空チャンバー内で低圧に曝露されたときに、揮発性化合物を実質的に放出すべきでない。
【0002】
スパッタリングを使用して、例えば、金属層及び金属酸化物層などの無機薄膜層のスタックを基材上に堆積させることができる。異なる屈折率を有する薄膜無機層の材料、厚さ、及び配列順序は、物品の審美的外観及び透過特性を微調整するように選択することができる。例えば、複数の金属層及び金属酸化物層のスタックを有する物品は、異なる視野角で見たときに異なる色を有するように見える場合がある。
【発明の概要】
【0003】
基材上にスパッタ蒸着された薄膜無機層のスタックを含む物品は、非常に望ましい審美的外観を有することができる。しかしながら、物品が表面に、特に、複合曲率を有する表面に適用される場合、金属層は、延伸される、又は歪む可能性があり、物品の所望の審美的特性又は光管理特性を不必要に変化させる可視的な亀裂様の欠陥を形成することがある。金属層、金属層が適用される基材、又はその両方が、より延伸性が高い材料で作製されている場合、物品が面に適用されるときに、金属層は特定の領域で薄くなり、物品の外観又は光管理性能に望ましくない変化を引き起こす可能性がある。
【0004】
一般に、本開示は、少なくとも１つの超薄膜無機層を含む、その上に機能層を有する、寸法安定性であるが可撓性のアクリレート基材を含む転写物品を目的とする。いくつかの実施例では、転写物品の機能層内の無機層は、スパッタリングプロセスによって形成され、約３ｎｍ～約２００ｎｍの厚さを有する。安定したアクリレート基材及び少なくとも１つの薄い無機層を含有する転写物品を、その後、ツール及び微小破砕によって接触させる。無機層の微小破砕された表面は、ヒトの目が約０．５メートル～１メートルの通常の視野距離で解像するのが困難である高密度の亀裂がその間に散在する複数のツールマークを含む。一実施例では、微小破砕無機層は、１ｍｍ２当たり約０．３～約２０００個のツールマークを含むことができ、１ｍｍ２当たり約０．３～約１００００個の亀裂を含むことができる。
【0005】
いくつかの実施形態では、拡散反射性である微小破砕無機層を含む転写物品が、少なくとも１つの寸法で延伸され、表面に適用されるとき、微小破砕無機層中の亀裂は、適用プロセス中に延伸及び歪みに対応し、表面に適合するように、必要に応じて変動する量で膨張する。表面に適用されると、転写物品は、通常の視野距離で人間の観察者に曇った外観を提供するほど十分に小さいクレバスによって分離されたフレークの配列を有する微小亀裂物品を形成する。微小亀裂物品は、その主面に対して選択された視野角で一貫した色及び良好な全体的な審美的外観を備えた調整可能な反射性能を提供する実質的に均一な表面を有する。したがって、無機層を微小破砕すると、物品が１つ以上の方向に延伸され、複合表面に適用又は接着結合されてラミネート物品を形成するときに、無機材料のスタックを含む物品の審美的外観をより効果的に制御することが可能になる。無機層を微小破砕すると、無機層が所望の周波数範囲内の電磁信号に対して透過性になり、これにより、通信デバイスにおいて有用な物品を作製することができる。
【0006】
一実施形態では、その上に機能層を有するアクリレート基材を含む転写物品は、少なくとも１つの超薄膜無機層を含み、約５０ＭＰａ～約１０００ＭＰａの弾性率範囲を有する低弾性率基材に転写される。低弾性率基材上にある間、無機薄膜層のスタック内の少なくとも１つの無機層は、ツールに対してパターン破砕され、その中に、その間に亀裂が散在するツールマークの好適な配列を有する微小破砕無機層を提供する。無機薄層を低弾性率基材に転写することにより、パターン化プロセスを完了するために必要とされる圧力が低減され、ツールマーク及びその間に散在する亀裂が、通常の視野距離でヒトの目に対して解像不能であるように、ツールマークの解像度を増大させる。
【0007】
一態様では、本開示は、転写物品であって、
第１のアクリレート層であって、第１のアクリレート層が、２～５０グラム／インチの剥離値で金属層又はドープされた半導体層を含む剥離層から剥離可能である、第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを有する少なくとも１つの微小破砕無機層を含み、微小破砕無機層が約３ナノメートル～約２００ナノメートルの厚さであり、転写物品が３マイクロメートル未満の厚さを有する、機能層と、を含む、転写物品に関する。
第１のアクリレート層であって、第１のアクリレート層が、２～５０グラム／インチの剥離値で金属層又はドープされた半導体層を含む剥離層から剥離可能である、第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを有する少なくとも１つの微小破砕無機層を含み、微小破砕無機層が約３ナノメートル～約２００ナノメートルの厚さであり、転写物品が３マイクロメートル未満の厚さを有する、機能層と、を含む、転写物品に関する。
【0008】
別の態様では、本開示は、パターン化された物品の製造方法であって、
金属層又はドープされた半導体層から選択された剥離層から、転写物品を除去することであって、転写物品が、
剥離層を覆う第１のアクリレート層であって、剥離層と第１のアクリレート層との間の剥離値が、２～５０グラム／インチである、第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層が、少なくとも１つの無機層を含む、機能層と、を含む、除去することと、
第１のアクリレート層を、約２００ミクロン未満の周期を有する構造体を含むツールと接触させて、機能層の少なくとも１つの無機層に、その間に亀裂が散在するように複数のツールマークを形成して、パターン化された物品に微小破砕無機層を提供することと、を含む、方法に関する。
金属層又はドープされた半導体層から選択された剥離層から、転写物品を除去することであって、転写物品が、
剥離層を覆う第１のアクリレート層であって、剥離層と第１のアクリレート層との間の剥離値が、２～５０グラム／インチである、第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層が、少なくとも１つの無機層を含む、機能層と、を含む、除去することと、
第１のアクリレート層を、約２００ミクロン未満の周期を有する構造体を含むツールと接触させて、機能層の少なくとも１つの無機層に、その間に亀裂が散在するように複数のツールマークを形成して、パターン化された物品に微小破砕無機層を提供することと、を含む、方法に関する。
【0009】
一態様では、本開示は、物品であって、
第１の主面及び第２の主面を有する機能層であって、機能層が、
第１の主面を形成する第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層上の機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを有する少なくとも１つの微小破砕金属層を有する金属層のスタックを含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
第２の主面を形成する第２のアクリレート層と、を含む、機能層と、
第１のアクリレート層上の第１の接着剤層と、
第２のアクリレート層上の第２の接着剤層であって、第２の接着剤層が、光学的に透明である、第２の接着剤層と、
第１の接着剤層上の第１のポリマーフィルム層であって、第１のポリマーフィルム層が、第１の接着剤層に接触する第１の主面と、第２の主面とを有する、第１のポリマーフィルム層と、
第２の接着剤層上の第２のポリマーフィルム層と、を含む、物品に関する。
第１の主面及び第２の主面を有する機能層であって、機能層が、
第１の主面を形成する第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層上の機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを有する少なくとも１つの微小破砕金属層を有する金属層のスタックを含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
第２の主面を形成する第２のアクリレート層と、を含む、機能層と、
第１のアクリレート層上の第１の接着剤層と、
第２のアクリレート層上の第２の接着剤層であって、第２の接着剤層が、光学的に透明である、第２の接着剤層と、
第１の接着剤層上の第１のポリマーフィルム層であって、第１のポリマーフィルム層が、第１の接着剤層に接触する第１の主面と、第２の主面とを有する、第１のポリマーフィルム層と、
第２の接着剤層上の第２のポリマーフィルム層と、を含む、物品に関する。
【0010】
一態様では、本開示は、パターン化された抗菌性物品であって、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを有する少なくとも１つの微小破砕銀又は酸化銀層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
機能層上の基材であって、基材が、ポリマーフィルムを含む、基材と、
を含む、物品に関する。
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを有する少なくとも１つの微小破砕銀又は酸化銀層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
機能層上の基材であって、基材が、ポリマーフィルムを含む、基材と、
を含む、物品に関する。
【0011】
一態様では、本開示は、誘電体物品であって、
パターン化された構造であって、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、クレバス間に散在する複数の金属フレークを有する少なくとも１つの微小亀裂金属層を含み、金属フレークの少なくとも一部分は、微小亀裂金属層の平面外に存在し、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、機能層と、
パターン化された構造上の少なくとも１つの裏材であって、誘電体物品が、９ＧＨｚ～１０ＧＨｚでＱＷＥＤスプリットポスト誘電体共振器空洞内で測定されるとき、０．１２のｔａｎδ最大値を有する、裏材と、
を含む、パターン化された構造、を含む、誘電体物品に関する。
パターン化された構造であって、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、クレバス間に散在する複数の金属フレークを有する少なくとも１つの微小亀裂金属層を含み、金属フレークの少なくとも一部分は、微小亀裂金属層の平面外に存在し、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、機能層と、
パターン化された構造上の少なくとも１つの裏材であって、誘電体物品が、９ＧＨｚ～１０ＧＨｚでＱＷＥＤスプリットポスト誘電体共振器空洞内で測定されるとき、０．１２のｔａｎδ最大値を有する、裏材と、
を含む、パターン化された構造、を含む、誘電体物品に関する。
【0012】
一態様では、本開示は、物品であって、
ポリマーフィルム基材と、
ポリマーフィルム基材を覆う光学的に透明な接着剤の層と、
光学的に透明な接着剤の層を覆うパターン化された構造であって、パターン化された構造は、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを有する、少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
パターン化された構造上の裏材と、
を含む、パターン化された構造と、
を含む、物品に関する。
ポリマーフィルム基材と、
ポリマーフィルム基材を覆う光学的に透明な接着剤の層と、
光学的に透明な接着剤の層を覆うパターン化された構造であって、パターン化された構造は、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを有する、少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
パターン化された構造上の裏材と、
を含む、パターン化された構造と、
を含む、物品に関する。
【0013】
本発明の１つ以上の実施形態の詳細を、添付図面及び以下の説明に示す。本発明の他の特徴、目的、及び利点は、明細書及び図面、並びに特許請求の範囲から明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】本開示による転写物品の一実施形態の概略断面図である。
【0015】
【0016】
【図3】本開示の物品をパターン化するのに好適なロールツーロールパターン化プロセスの概略図である。
【0017】
【図4】本開示の物品の無機層のパターン化された表面の一実施形態を示す、斜視概略俯瞰図である。
【0018】
【図5】本開示の物品の無機層のパターン化された表面の一実施形態を示す、斜視概略俯瞰図である。
【0019】
【0020】
【0021】
【図8】実施例１３で利用されたエンボスパターンの写真である。
【0022】
【図9】実施例１３の物品のエンボス加工された領域及びエンボス加工されていない領域の写真である。
【0023】
【図10】実施例１４の物品の抗菌性能のプロットである。
【0024】
【図11】実施例１５の物品の写真及び９ＧＨｚ測定値である。
【0025】
【図12】実施例１５で利用されたエンボス加工ツールの写真である。
【0026】
【図13】実施例１５における物品のエンボス加工された表面の写真である。
【0027】
【図14】実施例１５の物品の写真及び９ＧＨｚ測定値である。
【0028】
【図15】実施例１５の物品の写真である。
【0029】
【図16】実施例１６の物品の写真である。
【0030】
図中の同様の符号は、同様の要素を示している。
【発明を実施するための形態】
【0031】
図１を参照すると、転写物品１０は、剥離層１４と重なる任意選択の剥離層基材１２を含む。第１のアクリレート層１６は、剥離表面１７に沿って剥離層１４に接触する。機能層１８は、第１のアクリレート層１６に接触する第１の主面１９を含む。様々な実施形態では、機能層１８は、審美特性、反射特性、又は透過特性、環境特性、抗菌特性などを含むがこれらに限定されない、いくつかの機能特性を有する転写物品１０を提供するように選択された１つ以上の層のスタックを含むことができる。機能層１８は、機能層１８内の任意の点に配置され得る少なくとも１つの無機層２０を含み、いくつかの実施形態では、その間に少なくとも１つの無機層２０が散在する１つ以上の有機層を含んでもよい。図１の実施形態では、機能層１８は、第１のアクリレート層１６と同じであっても異なっていてもよい第２のアクリレート層２４を含む。図１の実施形態では、任意選択の接着剤層２２は、第２のアクリレート層２４（存在する場合）を覆う。いくつかの実施例では、任意選択の接着剤層２２を使用して、転写物品１０を対象の表面に、又は別の物品（図１には示されていない）に付着することができる。
【0032】
様々な実施形態では、第１のアクリレート層１６及び機能層１８の組み合わせは、約３マイクロメートル未満、又は２マイクロメートル未満、又は１マイクロメートル未満、又は０．５マイクロメートル未満、又は０．２５マイクロメートル未満、又は０．１マイクロメートル未満の厚さを有する。
【0033】
任意の剥離層基材１２は、剥離層１４を支持することができる任意選択の材料を含むことができ、好適な例としては、ポリマー材料及び金属が挙げられるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、剥離層基材１２は熱収縮可能であり得、所定の温度で収縮することができる。好適な剥離層基材１２は、任意の好適な手段によって熱収縮可能であるように処理される任意の有機ポリマー層から選択することができる。一実施形態では、剥離層基材１２は、そのガラス転移温度Ｔｇを超える温度で配向し、次いで冷却することによって熱収縮可能にすることができる半結晶性ポリマー又は非晶質ポリマーである。有用な半結晶性ポリマーフィルムの例としては、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、及びシンジオタクチックポリスチレン（ｓＰＳ）などのポリオレフィン；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、及びポリエチレン－２，６－ナフタレートなどのポリエステル；ポリビニリデンジフルオリド、及びエチレン：テトラフルオロエチレンコポリマー（ＥＴＦＥ）などのフルオロポリマー；ナイロン６及びナイロン６６などのポリアミド；ポリフェニレンオキシド及びポリフェニレンスルフィドが挙げられるが、これらに限定されない。非晶質ポリマーフィルムの例としては、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、アタクチックポリスチレン（ａＰＳ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ノルボルネン系環状オレフィンポリマー（ＣＯＰ）、及び環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）が挙げられる。いくつかのポリマー材料は、半結晶性形態及び非晶質形態の両方で利用可能である。上記に列挙したものなどの半結晶性ポリマーは、ピーク結晶化温度まで加熱及び冷却することによって熱収縮可能にすることもできる。
【0034】
いくつかの実施形態では、厚さおよそ０．００２インチ（０．０５ｍｍ）の二軸又は一軸延伸ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）は、二軸延伸ポリプロピレン（ＢＯＰＰ）フィルムと同様に、剥離層基材１２にとって好都合の選択であると考えられる。二軸延伸ポリプロピレン（ＢＯＰＰ）は、ＥｘｘｏｎＭｏｂｉｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｈｏｕｓｔｏｎ，ＴＸ）、Ｃｏｎｔｉｎｅｎｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒｓ（Ｓｗｉｎｄｏｎ，ＵＫ）、Ｋａｉｓｅｒｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ（Ｔａｉｐｅｉ Ｃｉｔｙ，Ｔａｉｗａｎ）、及びＰＴ Ｉｎｄｏｐｏｌｙ Ｓｗａｋａｒｓａ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ（ＩＳＩ）（Ｊａｋａｒｔａ，Ｉｎｄｏｎｅｓｉａ）を含む、複数の商業供給元から市販されている。
【0035】
剥離層１４は、金属層又はドープされた半導体層を含むことができる。図１に示す実施形態では、第１のアクリレート層１６は、剥離層１４及び機能層１８と直接接触している。図１に示す実施形態では、任意選択の剥離層基材１２は、剥離層１４と直接接触しているが、他の実施形態では、剥離層基材１２と剥離層１４との間に追加の層が存在し得る（図１には示されていない）。
【0036】
いくつかの実施形態では、剥離層１４と第１のアクリレート層１６との間の剥離表面１７に沿った剥離値は、５０ｇ／インチ、４０ｇ／インチ、３０ｇ／インチ、２０ｇ／インチ、１５ｇ／インチ、１０ｇ／インチ、９ｇ／インチ、８ｇ／インチ、７ｇ／インチ、６ｇ／インチ、５ｇ／インチ、４ｇ／インチ、又は３ｇ／インチ未満である。いくつかの実施形態では、剥離層１４と第１のアクリレート層１６との間の剥離値は、１ｇ／インチ、２ｇ／インチ、３ｇ／インチ又は４ｇ／インチを超える。いくつかの実施形態では、剥離層１４と第１のアクリレート層１６との間の剥離値は、１～５０ｇ／インチ、１～４０ｇ／インチ、１～３０ｇ／インチ、１～２０ｇ／インチ、１～１５ｇ／インチ、１～１０ｇ／インチ、１～８ｇ／インチ、２～５０ｇ／インチ、２～４０ｇ／インチ、２～３０ｇ／インチ、２～２０ｇ／インチ、２～１５ｇ／インチ、２～１０ｇ／インチ、又は２～８ｇ／インチである。
【0037】
転写物品１０を使用して第１のアクリレート層１６及びその上に機能層１８を転写し、それによって、剥離層１４及び／又は剥離層基材１２を再使用することができる。一実施例では、転写物品１０は、機能層１８が第１のアクリレート層１６と対象の表面との間に位置する状態で、対象の表面に適用することができる。転写物品１０が対象の表面に適用された後、剥離層１４及び基材１２が存在する場合、剥離層１４及び基材１２を転写物品１０から除去することができる。次いで、第１のアクリレート層１６及び機能層１８は、対象の表面上に残される。いくつかの実施形態では、任意選択の接着剤層２２は、機能層１８が対象の表面により効果的に付着するのを助けることができる。
【0038】
いくつかの実施形態では、剥離層１４は、個々の元素金属、混合物として２種以上の金属、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせから選択される、金属層を含み得る。いくつかの実施形態では、限定することを意図するものではないが、剥離層１４は、好都合には、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｕ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅ、Ｔｉ、又はＮｂから形成されてもよく、約３ｎｍ～約３０００ｎｍの厚さを有してもよい。
【0039】
いくつかの実施形態では、剥離層１４は、ドープされた半導体層を含むことができる。いくつかの実施形態では、限定することを意図するものではないが、ドープされた半導体層は、好都合には、約３ｎｍ～約３０００ｎｍの間の厚さを有するＳｉ、ＢドープＳｉ、ＡｌドープＳｉ、ＰドープＳｉから形成され得る。剥離層１４のための特に好適なドープされた半導体層は、ＡｌドープＳｉであり、Ａｌ組成百分率は約１０％である。
【0040】
様々な例示的実施形態では、剥離層１４は、蒸着、反応蒸着、スパッタリング、反応スパッタリング、化学蒸着、プラズマ強化化学蒸着、及び原子層堆積により調製することができる。
【0041】
転写物品１０内の第１のアクリレート層１６及び第２のアクリレート層２４は、同じ材料で作製されても異なる材料から作製されてもよい。いくつかの実施形態では、第１のアクリレート層１６又は第２のアクリレート層２４は、アクリレート又はアクリルアミドを含むことができる。アクリレート層がモノマーのフラッシュ蒸着、蒸着、その後の架橋により形成される場合、揮発性のアクリレート及びメタクリレート（本明細書において「（メタ）アクリレート」と称される）モノマー、又はアクリルアミド若しくはメタクリルアミド（本明細書において「（メタ）アクリルアミドと称される）モノマーが有用であり、揮発性アクリレートモノマーが好ましい。様々な実施形態では、好適な（メタ）アクリレートモノマー又は（メタ）アクリルアミドモノマーは、蒸発器内で蒸発され、蒸着コーターにおいて液体又は固体のコーティングに凝縮され、スピンコーティングなどとして堆積されるのに十分な蒸気圧を有する。
【0042】
好適なモノマーの例としては、ヘキサンジオールジアクリレート、エトキシエチルアクリレート、シアノエチル（モノ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、オクタデシルアクリレート、イソデシルアクリレート、ラウリルアクリレート、ベータ－カルボキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ジニトリルアクリレート、ペンタフルオロフェニルアクリレート、ニトロフェニルアクリレート、２－フェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，２，２－トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングルコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロポキシル化ネオペンチルグリコールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ビスフェノールＡエポキシジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、エトキシル化トリメチロールプロパントリアクリレート、プロピル化トリメチロールプロパントリアクリレート、トリス（２－ヒドロキシエチル）－イソシアヌレートトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、フェニルチオエチルアクリレート、ナフチルオキシエチルアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ＭＩＲＡＭＥＲ Ｍ２１０（Ｍｉｗｏｎ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．（Ｋｏｒｅａ）から入手可能）、ＫＡＹＡＲＡＤ Ｒ－６０４（Ｎｉｐｐｏｎ Ｋａｙａｋｕ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．（Ｔｏｋｙｏ，Ｊａｐａｎ）から入手可能）、（ＲａｄＣｕｒｅ Ｃｏｒｐ．（Ｆａｉｒｆｉｅｌｄ，Ｎ．Ｊ．）から入手可能な）商品番号ＲＤＸ８００９４のエポキシアクリレート、及びこれらの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。例えば、ビニルエーテル、ビニルナフタレン、アクリロニトリル、及びこれらの混合物などのポリマー層に様々な他の硬化性材料が含まれてもよい。
【0043】
トリシクロデカンジメタノールジアクリレートは、機能層中の成分層のうちのいずれかのアクリレート材料として使用することができ、いくつかの実施形態では、例えば、凝縮有機コーティング、続いてＵＶ、電子ビーム、又はプラズマ開始フリーラジカル重合によって適用され得る。アクリレート層１６、２４の厚さは、約１０ｎｍ～１００００ｎｍの厚さが好都合であると考えられ、約１０ｎｍ～５０００ｎｍの厚さが特に好適であると考えられる。いくつかの実施形態では、アクリレート層１６、２４の厚さは、約１０ｎｍ～３０００ｎｍであり得る。
【0044】
いくつかの実施形態では、機能層１８は、対象の電磁波長にわたって反射特性、反射防止特性、部分吸収特性、偏光特性、リターディング特性、回折特性、散乱特性、又は透過特性を有することができる審美的光学層である。機能層は、少なくとも１つ又は複数の無機層２０を含み、これらの無機層は、様々な実施形態では、対象の電磁波長にわたって所定の光学効果を提供するように選択された同じ又は異なる厚さ及び屈折率を有し得る金属層及び金属酸化物層を含む。
【0045】
様々な実施形態では、機能層１８は、約５ミクロン未満、又は約２ミクロン未満、又は約１ミクロン未満、又は約０．５ミクロン未満の厚さを有する。
【0046】
様々な実施形態では、限定することを意図するものではないが、機能層１８内の無機層２０は、個々の元素金属、混合物として２種以上の金属、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせから選択される、金属を含み得る。いくつかの実施形態では、限定することを意図するものではないが、無機層２０は、Ａｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｂ、並びにこれらの混合物、合金、及び酸化物から選択される。いくつかの実施形態では、機能層１８の無機層２０は、その間に金属層が散在する、例えば、ＳｉＡｌＯｘ、ＮｂＯｘ、並びにこれらの混合物及び組み合わせなどの金属酸化物の層を含む。
【0047】
いくつかの実施形態では、無機層又は複数の無機層２０は、スパッタリング、蒸着、又はフラッシュ蒸着によって適用され、約３～約２００ｎｍ、又は約３～約１００ｎｍ、又は約３ｎｍ～約５０ｎｍ、又は約３ｎｍ～約２０ｎｍ、又は約３ｎｍ～約１５ｎｍ、又は約３ｎｍ～約１０ｎｍ、又は約３ｎｍ～約５ｎｍの厚さである。
【0048】
いくつかの実施形態では、機能層１８は、複数の金属層のスタックを含み、スタック内の金属層のうちの少なくともいくつかは、金属酸化物層、ポリマー層、又はこれらの混合物及び組み合わせによって分離される。様々な実施形態では、スタック内の各金属層は、実質的に同じ厚さを有することができ、又はスタック内の金属層は、異なる厚さを有することができる。いくつかの実施形態では、限定することを意図するものではないが、複数の無機層中の各無機層は、約５ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有する。様々な実施形態では、無機層のスタックは、約２～約１００個の層、又は約２～１０個の層、又は約２～５個の層を含み得る。
【0049】
１つの例示的実施形態では、機能層１８は、同じであっても異なっていてもよい金属層又は金属酸化物層を含む複数の無機層を含み、アクリレート層によって分離され、同じ又は異なる厚さを有してもよい。いくつかの実施形態では、機能層１８内のアクリレート層は、転写物品における第１のアクリレート層１６及び第２のアクリレート層２４と同じであっても異なっていてもよく、第１のアクリレート層１６及び第２のアクリレート層２４と同じ又は異なる厚さを有してもよい。
【0050】
いくつかの実施形態では、機能層１８は、図１に概略的に示されるように、その主面１９、２１に沿って、又は無機層２０の露出表面上、又はその両方に、１つ以上の任意選択のバリア層２５、２７を含むことができる。１つ以上のバリア層２５、２７は、個々の元素金属、混合物として２種以上の金属、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせを含み得る。
【0051】
いくつかの実施形態では、バリア層２５、２７は、金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、並びに酸化物、窒化物、及び酸窒化物の金属合金から選択され得る。いくつかの実施形態では、バリア層１５、２７は、シリカなどの酸化ケイ素、アルミナなどの酸化アルミニウム、チタニアなどの酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、酸化ニオビウム、及びこれらの組み合わせから選択される、金属酸化物が挙げられ得る。いくつかの実施形態では、バリア層２５、２７の金属酸化物は、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、ケイ素酸化アルミニウム、窒化アルミニウムケイ素、及び酸窒化アルミニウムケイ素、ＣｕＯ、ＴｉＯ２、ＩＴＯ、ＺｎＯ、酸化亜鉛アルミニウム、ＺｒＯ２、及びイットリア安定化ジルコニアが挙げられる。好ましい窒化物としては、Ｓｉ３Ｎ４及びＴｉＮが挙げられる。
【0052】
いくつかの例示的実施形態において、バリア層２５、２７は、典型的には、反応蒸着、反応スパッタリング、化学蒸着、プラズマ強化化学蒸着、及び原子層堆積により調製することができる。好ましい方法としては、反応スパッタリング及びプラズマ強化化学蒸着及び原子層堆積などの真空調製が挙げられる。
【0053】
バリア層２５、２７は、薄層として好都合に適用することができる。例えば、バリア層材料、例えばケイ素酸化アルミニウムは、良好なバリア特性、並びにアクリレート層に対する良好な界面接着性を提供することができる。かかる層は、スパッタリングにより好都合に適用され、厚さ約３～１００ｎｍが好都合であると考えられ、およそ厚さ２７ｎｍが特に好適であると考えられる。いくつかの実施形態では、バリア層は、０．２、０．１、０．０５、０．０１、０．００５、又は０．００１ｇ／ｍｍ２／日未満の水蒸気透過率を有してもよく、したがって、無機層２０に良好な環境抵抗を提供する。
【0054】
転写物品１０上の任意選択の接着剤層２２は、５０ＭＰａ～約１０００ＭＰａ、又は約１００ＭＰａ～約５００ＭＰａの低弾性率を有する粘弾性接着剤又はエラストマ性接着剤を含むことができる。好適な粘弾性接着剤又はエラストマ性接着剤としては、米国特許出願公開第２０１６／００１６３３８号（Ｒａｄｃｌｉｆｆｅら）に記載のもの、例えば、感圧性接着剤（ＰＳＡ）、ゴム系接着剤（例えば、ゴム、ウレタン）、及びシリコーン系接着剤が挙げられる。粘弾性接着剤又はエラストマ性接着剤としては、室温では非粘着性であるが、温度上昇時に一時的に粘着性となり、基材に結合できる熱活性化接着剤も挙げられる。熱活性化接着剤は、活性化温度で活性化し、この温度を上回ると、ＰＳＡと同様の粘弾性特性を有する。粘弾性接着剤又はエラストマ性接着剤は、実質的に透過性（transparent）で光学的に透明（clear）でもよい。
【0055】
粘弾性接着剤又はエラストマ性接着剤２２のいずれかが、粘弾性の光学的に透明な接着剤でもよい。エラストマ性材料は、約２０パーセント超、又は約５０パーセント超、又は約１００パーセント超の破断伸びを有してもよい。
【0056】
粘弾性接着剤層又はエラストマ性接着剤層２２は、実質的に１００パーセント固形の接着剤として直接適用されてもよく、又は溶剤型接着剤をコーティングし、溶剤を気化させることによって形成してもよい。粘弾性接着剤又はエラストマ性接着剤は、溶融し、溶融状態で適用された後に、冷却されて粘弾性又はエラストマ性接着剤層を形成する熱溶融型接着剤でもよい。好適な粘弾性接着剤又はエラストマ性接着剤としては、いずれも３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓａｉｎｔ Ｐａｕｌ，ＭＮ）から入手可能な、エラストマ性のポリウレタン又はシリコーン接着剤、及び粘弾性の光学的に透明な接着剤ＣＥＦ２２、８１７ｘ及び８１８ｘが挙げられる。他の有用な粘弾性接着剤又はエラストマ性接着剤としては、スチレンブロックコポリマー、（メタ）アクリルブロックコポリマー、ポリビニルエーテル、ポリオレフィン及びポリ（メタ）アクリレート系のＰＳＡが挙げられる。いくつかの実施形態では、接着剤層２２は、ＵＶ硬化接着剤を含むことができる。
【0057】
再び図１を参照すると、第１のアクリレート層１６は、剥離表面１７に沿って剥離層１４から除去され得る。図２の実施形態にて得られた転写物品１００は、第１のアクリレート層１１６と、少なくとも１つの無機層１２０を有する機能層１１８と、第２のアクリレート層１２４とを含み、接着剤層１２２は、パターン化可能な構造１５０を形成する（図２）。いくつかの実施形態では、剥離層１４からの除去後に空気に面する第１のアクリレート層１１６の表面１２１は、少なくとも１つの無機層１２０の形状を変化させるために、ツールと接触することができる。いくつかの実施形態では、機能層１１８内の無機層１２０に選択される材料及び厚さに応じて、機能層１１８を支持するために第１のアクリレート層１１６を必要としない場合があり、機能層１１８は、少なくとも１つの無機層１２０の形状を変化させるためにツールと接触してもよい。第１のアクリレート層１１６の下にある比較的軟質の低弾性率接着剤層１２２、又は機能層１１８は、少なくとも１つの無機層１２０をパターン化するプロセス中のより低い圧力を可能にする。
【0058】
別の実施形態では、転写の後、第１のアクリレート層１１６を中間基材上に適用してから、パターン化工程を行う。例えば、図２に示すように、第１のアクリレート層は、第１のアクリレート層１１６が低弾性率層１３０と接触してパターン化可能な構造１５０を作製するように、低弾性率層１３０に適用されてもよい。低弾性率層１３０は、約５０ＭＰａ～約１０００ＭＰａ、又は約１００ＭＰａ～約５００ＭＰａの弾性率を有する任意の材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、低弾性率層１３０は、接着剤層であり、いくつかの実施形態では、感圧接着剤、結合接着剤などであってもよい。様々な実施形態では、低弾性率層１３０は、アクリル接着剤又はアクリル感圧接着剤である。
【0059】
【0060】
図２のパターン化可能な構造１５０は、低弾性率層１３０を有するか有さないかにかからわらず、ツールと接触して、表面の平面の残りの部分から、実質的に平坦な表面から、凸状の、凹状の、又はそれらの組み合わせである領域を含む成形表面へと、機能層１１８内の少なくとも１つの無機層１２０の形状を変化させることができる。パターン化可能な構造１５０は、例えば、回転式エンボス加工、単一ニップエンボス加工、スポットエンボス加工、全体的なエンボス加工、彫刻、マイクロエンボス加工などを含む多種多様な技術を使用して、ツールと接触することができる。いくつかの実施形態では、限定することを意図するものではないが、パターン化可能な構造１５０は、ロールツーロールプロセスにおいて、パターン化されたニップローラーと接触する、連続ニップローラーを通過する、又は平行ニップローラー間を通過する。例えば、図３に概略的に示されるように、パターン化可能な構造１５０は、ローラー１６０とローラー１７０との間を通過する。ローラー１６０上の表面１６４から外向きに延びる凸部１６２は、第１のアクリレート１１６又は機能層１１８に当たり、機能層１１８の少なくとも１つの無機層１２０内に凹状パターン要素を形成する。図３の実施例における凸部１６２は、無機層１２０内に雌型（凹状）パターン要素を形成するが、ローラー１６０はまた、無機層１２０又はそれらの組み合わせに雄型（凸状）パターン要素を形成する凹部を含むことができる。様々な実施形態では、ローラー１６０、１７０は、鋼などの剛性材料、又はゴム若しくはポリマー材料などの柔軟な材料であってもよい。
【0061】
無機層１２０内に凹状又は凸状のツールマークを形成するために使用されるツール内の凸部／凹部の形状は、広く変動し得る。好適な形状としては、これらに限定されるものではないが、半球、角錐、円錐、直線状又は回路状の隆起部、正方形及び矩形のブロックなどが挙げられ、本明細書でツールマークと称される無機層１２０内に多種多様なパターン要素を形成するために使用されてもよい。ツールは、例えば、刻印マーク、縞マーク、切断マーク、並びにこれらの混合及び組み合わせを含む、無機層１２０に多種多様なツールマークを形成するように好適に構成することができる。凸部／凹部１６２は、ツール１６０の表面１６４上に規則的又は不規則なアレイで配置されてもよく、同様に、凸部／凹部１６２によって形成されたツールマークは、無機層１２０全体に、又は無機層１２０の特定の領域内に配置されてもよく、無機層のいくつかの領域は、実質的に平坦であり、ツールマークを含まなくてもよい。
【0062】
ここで図４を参照すると、転写物品２００の一実施形態は、パターン化された無機層２２０をその上に有する機能層２１８の下にある第１のアクリレート層２１６を含む（明確にするために機能層２１８内の他の層は省略されている）。主面２９９を含む、無機層２２０は、約１ｎｍ～約２５０ｎｍ、又は約３ｎｍ～約２００ｎｍ、又は約５ｎｍ～約１００ｎｍ、又は約１０ｎｍ～約５０ｎｍの厚さｔを有する。パターン化された無機層２２０は、ツールによって処理されて、その表面２２９内に、刻印された凹状（雌型）ツールマーク２８０の規則的なアレイを形成している。ツールマークは、半球形の断面形状を有し、約５００ミクロン未満、又は約２５０ミクロン未満、又は約１５０ミクロン未満、又は約１００ミクロン未満の平均中心間間隔ｄを有する。様々な実施形態では、ツールマーク２８０は、表面２２９上に、１ｍｍ２当たり約０．３～約２０００個、又は１ｍｍ２当たり約１～約１０００個、又は１ｍｍ２当たり約１０～約５００個、又は１ｍｍ２当たり約５０～約１００個で存在する。様々な例示的実施形態では、ツールマーク２８０は、表面２２９の下方に、約５ミクロン～約１００ミクロン、又は約１ミクロン～約１０ミクロン、又は約１ミクロン～約５ミクロンの深さｒを有する。
【0063】
例えば、刻印マーク２８０を形成するツールの衝撃力、互いに対するツールマークの近接度、ツールマークの深さ、例えば、無機層２２０の厚さ、第１のアクリレート層２１６の厚さなどの転写物品２００の特性、などのような少なくとも１つの因子により、無機層２２０の表面２２９を破砕させ、微小破砕又は亀裂２８２の配列を形成する。亀裂２８２の少なくとも一部分、及び場合によっては実質的に全てが、ツールマーク２８０から発出し、ツールマーク２８０の間を伝播し、それによって、ツールマーク２８０の間に亀裂２８２が散在するアレイ２９０を形成する。加えて、刻印されたツールマーク２８０としてのツールの衝撃もまた、ツールマーク２８０のうちの少なくともいくつかの内部に亀裂２８４を形成する。亀裂２８４はまた、ツールマーク２８０から外向きに伝搬し、新しい亀裂を形成すること、又は他の亀裂と接合してアレイ２９０を形成することができる。様々な実施形態では、亀裂２８２、２８４は、無機層２２０の表面２２９上に、１ｍｍ２当たり約０．３～約１００００個、又は１ｍｍ２当たり約１～約５０００個、又は１ｍｍ２当たり約１０～約１０００個、又は１ｍｍ２当たり約５０～約５００個で存在する。図４に示すように、亀裂２８２、２８４のうちの少なくともいくつか、ほとんどの場合には亀裂２８２、２８４の大部分は、無機層２２０の厚さを通って、第１の主面２２９Ａからその第２の主面２２９Ｂまで完全に延び、他の亀裂２８２は、第１の主面２２９Ａ上の領域を占有し、無機層２２０の厚さを通って第２の主面２２９Ｂに向かって途中までしか延びない。
【0064】
図５における別の例示的実施形態を参照すると、転写物品３００の別の実施形態は、パターン化された無機層３２０をその上に有する機能層３１８の下にある第１のアクリレート層３１６を含む（明確にするために機能層３１８内の他の層は省略されている）。主面３２９を含む、無機層３２０は、約１ｎｍ～約２５０ｎｍ、又は約３ｎｍ～約２００ｎｍ、又は約５ｎｍ～約１００ｎｍ、又は約１０ｎｍ～約５０ｎｍの厚さｔを有する。無機層３２０は、ツールによって処理されて、その表面３２９内に、刻印された凹状（雌型）の直線状の縞ツールマーク３８０の規則的なアレイを形成している。縞ツールマーク３８０は、矩形断面形状を有し、約１５ｍｍ未満、又は約１０ｍｍ未満、又は約５ｍｍ未満、又は約２ｍｍ未満、又は約１ｍｍ未満、又は約５００ミクロン未満、又は約１００ミクロン未満、又は約５０ミクロン未満の平均中心間間隔ｄを有する。様々な実施形態では、ツールマーク３８０は、表面３２９上に、１ｍｍ２当たり約５０～約１００個で存在する。様々な例示的実施形態では、ツールマーク３８０は、表面３２９の下方に、約０．５ミクロン～約１００ミクロン、又は約１ミクロン～約１０ミクロン、又は約１ミクロン～約５ミクロンの深さを有する。様々な実施形態では、ツールマーク３８０は、約５０ミクロン～約２００ミクロン、又は約２０ミクロン～５０ミクロンの幅ｗを有する。
【0065】
例えば、刻印マーク３８０を形成するツールの衝撃力、互いに対するツールマークの近接度、ツールマークの深さ、例えば、無機層３２０の厚さ、第１のアクリレート層３１６の厚さ、無機層３２０の厚さなどの転写物品３００の特性、などのような因子により、無機層３２０の表面３２９を破砕させ、微小破砕又は亀裂３８２の配列を形成する。亀裂３８２の少なくとも一部分、及び場合によっては実質的に全てが、ツールマーク３８０から発出し、ツールマーク３８０の間を伝播し、それによって、ツールマーク３８０の間に亀裂３８２が散在するアレイ３９０を形成する。加えて、刻印されたツールマーク３８０としてのツールの衝撃もまた、ツールマーク３８０のうちの少なくともいくつかの境界の内部に亀裂３８４を形成する。亀裂３８４はまた、ツールマーク３８０から外向きに伝搬し、新しい亀裂を形成すること、又は他の亀裂と接合してアレイ３９０を形成することができる。様々な実施形態では、亀裂３８２は、無機層３２０の表面３２９上に、１ｍｍ２当たり約０．３～約１００００個、又は１ｍｍ２当たり約１～約５０００個、又は１ｍｍ２当たり約１０～約１０００個、又は１ｍｍ２当たり約５０～約５００個で存在する。図５に示すように、亀裂３８２のうちの少なくともいくつか、ほとんどの場合には亀裂３８２の大部分は、無機層３２０の厚さを通って、第１の主面３２９Ａからその第２の主面３２９Ｂまで完全に延び、他の亀裂３８２は、第１の主面３２９Ａ上の領域を占有し、無機層３２０の厚さを通って第２の主面３２９Ｂに向かって途中までしか延びない。
【0066】
ここで図６を参照すると、転写物品４００の別の実施形態は、パターン化された無機層４２０をその上に有する機能層４１８の下にある第１のアクリレート層４１６を含む（明確にするために機能層４１８内の他の層は省略されている）。無機層４２０は、ツールによって処理されて、刻印された凹状（雌型）ツールマーク４８０の規則的なアレイを形成する主面４２９を含む。ツールマーク４８０は、半球形の断面形状を有し、約５００ミクロン未満、又は約２５０ミクロン未満、又は約１５０ミクロン未満、又は約１００ミクロン未満の平均中心間間隔を有する。様々な実施形態では、ツールマーク４８０は、表面４２９上に、１ｍｍ２当たり約０．３～約２０００個、又は１ｍｍ２当たり約１～約１０００個、又は１ｍｍ２当たり約１０～約５００個、又は１ｍｍ２当たり約５０～約１００個で存在する。様々な例示的実施形態では、ツールマーク４８０は、表面４２９の下方に、約０．５ミクロン～約１０ミクロン、又は約１ミクロン～約１０ミクロン、又は約１ミクロン～約５ミクロンの深さを有する。
【0067】
刻印マーク４８０を形成するツールの打撃は、無機層４２０の表面４２９を破砕させ、微小破砕又は亀裂４８２の配列を形成する。亀裂４８２の少なくとも一部分、及び場合によっては実質的に全てが、ツールマーク４８０から発出し、ツールマーク４８０の間を伝播し、それによって、ツールマーク４８０の間に亀裂４８２が散在するアレイ４９０を形成する。加えて、刻印されたツールマーク４８０としてのツールの衝撃もまた、ツールマーク４８０のうちの少なくともいくつかの内部に亀裂４８４を形成する。亀裂４８４はまた、ツールマーク４８０から外向きに伝搬し、新しい亀裂を形成すること、又は他の亀裂と接合してアレイ４９０を形成することができる。様々な実施形態では、亀裂４８２は、無機層４２０の表面４２９上に、１ｍｍ２当たり約０．３～約１００００個、又は１ｍｍ２当たり約１～約５０００個、又は１ｍｍ２当たり約１０～約１０００個、又は１ｍｍ２当たり約５０～約５００個で存在する。図６に示すように、亀裂４８２のうちの少なくともいくつか、ほとんどの場合には亀裂４８２の大部分は、無機層４２０の厚さを通って、第１の主面４２９Ａからその第２の主面４２９Ｂまで完全に延び、他の亀裂４８２は、第１の主面４２９Ａ上の領域を占有し、無機層４２０の厚さを通って第２の主面４２９Ｂに向かって途中までしか延びない。
【0068】
図６の実施形態では、パターン化された無機層４２０は、同じ又は異なるツールによって第２の時間打たれ、ツールの第１の打撃から生じる第１のアレイ４９０上に重ね合わされた刻印されたツールマーク４８６の第２のアレイ４９２を形成する。一般に、重ね合わされたツールマークの第２のアレイ４９２は、約２０００ミクロン未満、又は約１０００ミクロン未満、又は約７５０ミクロン未満の周期を有し、半球、角錐、円錐、直線状又は回路状の隆起部、正方形及び矩形のブロックなどを含むが、これらに限定されない多種多様な断面形状を有し得る。ツールマークの第２のアレイ４９２は、多種多様な用途を有してもよく、いくつかの実施形態では、表面４２９の視覚的特性又は電気的特性を変更することができる無機層４２０の表面４２９上にマクロパターンを課すように使用することができる。例えば、ツールマークの第２のアレイ４９２は、ロゴ若しくはパターンなどの審美的デザインとして観察者が見ることができ、表面４２９の全部又は一部につや消し仕上げを施すことができ、選択された領域又は選択された視野角で無機層４２０の表面反射率を変動させることができ、選択された領域又は選択された視野角で無機層４２０によって引き起こされる表面散乱を変えることができ、又は無機層４２０の磁気的特性若しくは電気的特性を変更するために使用することができる。
【0069】
ここで図７を参照すると、ラミネート構造６１０を形成するために対象の表面６００に付着される転写物品５１０の一部分が示されている。転写物品５１０は、表面６００上に接着剤層５３０と、第１のアクリレート層５１６と、少なくとも１つの無機層５２０を含む機能層５１８とを含む。転写物品５１０はまた、明確にするために図７から省略される、第２のアクリレート層、接着剤層など（例えば、図１を参照）のような他の層を含んでもよい。無機層は、その間にクレバス５８３が散在する刻印されたツールマーク５８０のアレイを有するパターン化された表面５３９を含む。転写物品５１０が表面６００に適用される前に少なくとも一次元で延伸される場合、特に、転写物品が、縁部又は複合曲率を有する表面６００（図７には示されていない）に適用される場合、ツールマーク５８０間の亀裂は、拡大及び拡張してクレバス５８３を形成し、微小亀裂無機層５９４を作製する。様々な実施形態では、クレバス５８３は、適用プロセス中の延伸の程度に応じて、約１ミクロン～約５０ミクロン、又は約１０ミクロン～約４０ミクロン、又は約１ミクロン～約１０ミクロンの平均幅を有する。
【0070】
クレバス５８３は、ランダムに成形されたフレーク５８５によって分離される。様々な実施形態では、フレーク５８５は、約５００ミクロン未満、又は約２００ミクロン未満、又は約１００ミクロン未満のキャリパ直径又はフェレット直径を有する。本出願では、フェレット直径という用語は、明確に画定された配向で２つの接線の距離から粒子の輪郭に対する直径の群の共有基準を指す。例えば、フェレット直径は、任意の角度における粒子の２つの平行な接線間の距離として定義される。
【0071】
フレーク５８５は、クレバス５８３の間を移動し、フレーク５８５の少なくとも一部分は、その縁部５８７を露出させる無機層５２０によって占有される平面６２０から押し出される。いくつかの実施形態では、クレバス５８３は、無機層５２０の全厚を通って、第１の主面５３９Ａからその第２の主表面５３９Ｂまで延びる。いくつかの実施形態では、無機材料のフレーク５８５の露出した縁部５８７は、微小亀裂無機層５９４に有用な審美的効果又は機能的効果を提供することができる。
【0072】
一実施例では、微小亀裂無機層５９４が金属層又は金属酸化物層を含む場合、露出した縁部５８７は、無機層５２０の一部分を露出させて、抗細菌、抗菌、又は抗バイオフィルムの効果のうちの少なくとも１つを強化するラミネート物品６１０を提供することができる。層５２０が、２４時間接触後に黄色ブドウ球菌（Ｓ．ａｕｒｅｕｓ）及びミュータンスレンサ球菌（Ｓ．ｍｕｔａｎｓ）に対して少なくとも１ｌｏｇの微生物減少、少なくとも２ｌｏｇの減少、少なくとも３ｌｏｇの減少、少なくとも４ｌｏｇの減少を呈する限り、多種多様な金属酸化物ＭＯｘをこのような用途に使用することができる。ｌｏｇ減少値は、ＩＳＯ試験法 ＩＳＯ ２２１９６：２０１１「Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｏｆ ａｎｔｉｂａｃｔｅｒｉａｌ ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｎ ｐｌａｓｔｉｃｓ ａｎｄ ｏｔｈｅｒ ｎｏｎ－ｐｏｒｏｕｓ ｓｕｒｆａｃｅｓ」に従って、試験材料に適応するようにその試験方法の適切な改良を行って、測定される。
【0073】
無機層５２０にとって好適な抗菌性金属及び金属酸化物としては、銀、酸化銀、酸化銅、酸化金、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化クロム、並びにこれらの混合物、合金、及び組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されない。いくつかの実施形態では、限定することを意図するものではないが、無機層５２０の金属酸化物は、ＡｇＣｕＺｎＯｘ、ＡｇドープＺｎＯｘ、ＡｇドープＺｎＯ、ＡｇドープＴｉＯ２、ＡｌドープＺｎＯ、及びＴｉＯｘから選択される。
【0074】
無機層５２０は、任意の抗菌有効量の金属、金属酸化物ＭＯｘ、又はこれらの混合物及び組み合わせを含むことができる。様々な実施形態では、限定することを意図するものではないが、金属酸化物層５２０は、１００ｃｍ２当たり１００ｍｇ未満、４０ｍｇ未満、２０ｍｇ未満、又は５ｍｇ未満のＭＯｘを含むことができる。
【0075】
別の実施形態では、フレーク５８５間のクレバス５８３は、５Ｇの通信デバイスにおいて有用であり得る、選択された周波数範囲にわたって電磁信号に対して透過性である好適な誘電特性を有する無機層５２０を提供することができる。例えば、ＩＰＣ標準ＴＭ－６５０ ２．５．５．１３に記載されているように、９．５ＧＨｚのスプリットポスト誘電体共振器の空洞内で測定したときに、微小破砕無機層５２０が０．１２のｔａｎδを有する場合、層５２０は、それらの非微小破砕状態と比較して、モバイルデバイス間で伝送される通信信号に対してより透過性であり得る。いくつかの実施形態では、微小破砕無機層５２０は、約３３の実数誘電率及び約４の複素誘電率を有し得る。
【0076】
別の実施例では、クレバス５８３及びフレーク５８５は、近赤外信号に対する透過性を提供するように選択することができ、これにより、表面上での高度に適合可能な近ＩＲセンサカバー構造の形成を可能にすることができる。
【0077】
別の実施例では、クレバス５８３及びフレーク５８５は、近赤外信号に対する反射性及び可視光に対する透過性を提供するように選択することができる。例えば、このような構成は、高度に適合可能な可視光センサカバーを形成することができる。
【0078】
他の実施例では、フレーク５８５の縁部は、露出されると、無機層５２０にとって有用な色変化、反射性、透過性、又は他の審美的効果を提供することができ、これは、例えば、車両外部又は内部などの複雑な表面又は複合表面に適用され得る有用な装飾フィルムを提供することができる。例えば、いくつかの実施形態では、転写物品５１０は、４００～７５０ｎｍの可視波長では反射性であり、約８３０ｎｍを超える波長では少なくとも部分的に透過性である。
【0079】
例えば、周囲条件に曝露されると、いくつかのフレーク５８５が経時的に酸化し、この検出可能な色変化を使用して、例えば製品の貯蔵寿命を評価することができる。色変化が望ましくない場合、フレーク５８５を含む金属層の一方又は両方の表面に、例えば金属酸化物の１つ以上の保護バリア層を重ねることができる。別の実施例では、金属層は、例えば、物品が複合曲率を有する表面にわたって２次元又は３次元で延伸されるときなど、選択された波長範囲にわたって光に曝露されたときに、フレーク５８５が変色効果をもたらすように構成され得る。
【0080】
本開示の装置は、以下の非限定的な実施例において更に記載される。
【実施例】
【0081】
これらの実施例は例示を目的としたものであり、添付の特許請求の範囲を限定することを意図しない。本明細書の実施例及び他の箇所における全ての部、百分率、比などは、別途指示がない限り、重量に基づくものである。
試験方法
抗菌性殺菌特性試験
【表1】
抗菌性殺菌特性試験
【0082】
改正ＩＳＯ２２１９６：２０１１方法「Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ ｏｆ Ａｎｔｉｂａｃｔｅｒｉａｌ Ａｃｔｉｖｉｔｙ ｏｎ Ｐｌａｓｔｉｃ ａｎｄ Ｏｔｈｅｒ Ｎｏｎ－Ｐｏｒｏｕｓ Ｓｕｒｆａｃｅｓ」を、実施例の物品の抗菌特性の評価に使用した。試験サンプルを平方試験片（１インチ（２．５４ｃｍ）×１インチ（２．５４ｃｍ）、ｎ＝２）に切断した。ミュータンスレンサ球菌（Ｓｔｒｅｐｔｏｃｏｃｃｕｓ ｍｕｔａｎｓ）（ＡＴＣＣ２７３５２）の接種材料をリン酸緩衝液及び人工唾液中で調製した。人工唾液の組成を以下のように調製した：ブタ胃タイプＩＩＩ由来のムチン（２．２ｇ／Ｌ、Ｓｉｇｍａ－Ａｌｄｒｉｃｈ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｓｔ．Ｌｏｕｉｓ，ＭＯ）から入手）、ＮａＣｌ（０．３８１ｇ／Ｌ）、ＣａＣｌ２・２Ｈ２Ｏ（０．２１３ｇ／Ｌ）、ＫＨ２ＰＯ４（０．７３８ｇ／Ｌ）、及びＫＣｌ（１．１１４ｇ／Ｌ）。
【0083】
１×１０６コロニー形成単位／ｍＬ（ｃｆｕ／ｍＬ）の標的濃度を有する細菌接種材料（１５９マイクロリットル）を、実施例１の物品のマイクロエンボス加工された表面上に広げ、３７℃で２４時間インキュベートした。比較例として、マイクロエンボス加工されていない表面を有する試験片を接種材料で処理した（比較例Ａ）。インキュベーション後、試験片サンプルをＤｅｙ＼Ｅｎｇｌｅｙ中和ブロス中和ブロス（Ｂｅｃｔｏｎ Ｄｉｃｋｉｎｓｏｎ Ｃｏｍｐａｎｙ（Ｆｒａｎｋｌｉｎ Ｌａｋｅｓ，ＮＪ）から入手）中で中和し、プレート計数培養法を使用して生細胞数にアクセスした。プレート計数培養法では、Ｂｕｔｔｅｒｆｉｅｌｄの緩衝液（３Ｍ ｃｏｍｐａｎｙから入手）中の中和ブロス（１ｍＬ）の１０倍連続希釈を実施することによって、生細菌を計数した。各希釈物（１００マイクロリットル）のアリコートを、トリプチックソイ寒天プレート（Ｈａｒｄｙ Ｄｉａｇｎｏｓｔｉｃｓ（Ｓａｎｔａ Ｍａｒｉａ，ＣＡ）から入手）上に塗沫した。プレートを、３７℃で嫌気条件で４８時間インキュベートした。インキュベーション後、コロニーを手動で計数した。
変色試験
変色試験
【0084】
変色試験媒体は、ケチャップ（６．２５ｇ）、マスタード（６．２５ｇ）、及び水（８７．５ｇ）を含有する酸性溶液（ｐＨ３．７）であった。各サンプルストリップ［長さ３インチ（７．６２ｍｍ）×幅１インチ（２．５４ｃｍ）］を酸性溶液に１分間、５分間、１０分間、又は６０分間浸漬した。各浸漬期間後、試験ストリップを、変色試験媒体から除去し、脱イオン水で完全にすすぎ、色差について視覚的に検査した。
促進耐候試験
促進耐候試験
【0085】
標準的な実験室用の水を９５℃に加熱し、物品を２４時間水浸した。水浸後、周囲光下で目視検査により退色について物品を調べた。
微小破砕確認試験
微小破砕確認試験
【0086】
１００倍対物レンズ（Ｋｅｙｅｎｃｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ（Ｉｔａｓｃａ，ＩＬ））を有するＶＨＸ－６０００シリーズＫｅｙｅｎｃｅデジタル顕微鏡を、可視光透過モードで使用して、フィルム物品中の破砕からの光漏れを観察した。破砕は、より低い可視光透過率の非破砕表面によって囲まれたより高い可視光透過領域として可視であった。
微小破砕破砕密度試験
微小破砕破砕密度試験
【0087】
１００倍対物レンズ（Ｋｅｙｅｎｃｅ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ（Ｉｔａｓｃａ，ＩＬ））を有するＶＨＸ－６０００シリーズＫｅｙｅｎｃｅデジタル顕微鏡を、可視光透過モードで使用して、フィルム物品中の破砕からの光漏れを観察した。破砕は、より低い可視光透過率の非破砕表面によって囲まれたより高い可視光透過領域として可視であった。Ｉｍａｇｅ Ｊ ｖ１．５２ａ（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｈｅａｌｔｈ（ＵＳＡ））の「粒子計数」機能を使用して顕微鏡画像を分析した。破砕密度は、所与の画像の破砕の総数を画像の平方面積で除算することによって計算した。
ＮＩＲ／可視散乱比試験
ＮＩＲ／可視散乱比試験
【0088】
サンプルを超音波プロ分光光度計（Ｈｕｎｔｅｒ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ（Ｒｅｓｔｏｎ，ＶＡ））を使用して特徴付けた。サンプルの可視透過率及び近赤外（ＮＩＲ）透過率を、３５０ｎｍ～１０５０ｎｍの５ｎｍ刻みで測定し、８５０ｎｍ及び９４０ｎｍは、２つの主要な関心領域であった。全透過率及び拡散透過率を測定し、スペクトル透過率を２つの差として計算した。散乱比は、拡散透過率と全透過率との比として定義された。
５Ｇスペクトル透過率測定（６０～９０ＧＨｚ透過スペクトルデータ試験装置）
５Ｇスペクトル透過率測定（６０～９０ＧＨｚ透過スペクトルデータ試験装置）
【0089】
Ｔｈｏｍａｓ Ｋｅａｔｉｎｇ Ｌｔｄ．（Ｂｉｌｌｉｎｇｓｈｕｒｓｔ，ＵＫ）によって設計及び構築された自由空間測定システムを使用した。自由空間システムを、Ｎ５２９０Ａ ９００Ｈｚ～１１０ＧＨｚ ＰＮＡ ＭＭ－Ｗａｖｅ Ｋｅｙｓｉｇｈｔ ＶＮＡ（Ｖｅｃｔｏｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ａｎａｌｙｚｅｒ）及び分析ソフトウェアと組み合わせて、０度の入射での材料を通るパワーの透過率を含む、複素材料特性の決定のためのパワー測定ツールを提供した。使用したＴｈｏｍａｓ Ｋｅａｔｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍは、６０～９０ＧＨｚの擬似光学システムであった。Ｋｅｙｓｉｇｈｔ ＶＮＡハードウェアは「ゼロゲイン」回路であり、これにより、波形フィードホーン（ポートＳ１）の開口部にあるガウシアンビームウエストが楕円鏡によって再集束されて、サンプル位置にビームウエストを形成し、第２の鏡を介してＳ２ポートに渡され、そこで第２の波形フィードホーンがビームをＶＮＡ導波路に供給した。測定のために、６０ＧＨｚ～９０ＧＨｚの周波数範囲から動作するＮ５２９０Ａ ＰＮＡ ＭＭ Ｗａｖｅ Ｓｙｓｔｅｍを使用した。透過率測定値は、複素ＳパラメータＳ１２に関連付けられた正規化されたパワーとして、ベクトルネットワーク分析器で直接測定した。
９．５ＧＨｚスプリットポスト誘電体共振器タンデルタ（Ｔａｎδ）測定
９．５ＧＨｚスプリットポスト誘電体共振器タンデルタ（Ｔａｎδ）測定
【0090】
ＩＰＣ標準ＴＭ－６５０２．５．５．１３に従って、０．８５ｍｍエアギャップ空洞を有する９．５ＧＨｚスプリットポスト誘電体共振器（ＳＰＤＲ）を使用した。標準的なＳＰＤＲ設定において、複素誘電率の虚数部と複素誘電率の実数部との比である９．５ＧＨｚのタンデルタ材料特性は、ＳＰＤＲ空気空洞に例示的な物品を挿入し、空洞共振中心周波数の変化を測定し、共振周波数帯域幅の変化を測定することで得られた。このＳＰＤＲ測定技術を用いた最大測定可能９．５ＧＨｚタンデルタは、試験したサンプルの厚さ（＜０．８５ｍｍの空洞幅）について０．１２の値であった。調製例１、２、及び３は全て、転写前に、最大測定可能９．５ＧＨｚタンデルタ＞０．１２（検出限界の外側）を有した。転写後、調製例３における転写スタックの最大測定可能９．５ＧＨｚタンデルタは、＞０．１２（検出限界の外側）であった。
調製例１．Ａｇコーティングされた転写スタック
調製例１．Ａｇコーティングされた転写スタック
【0091】
この実施例の転写フィルムは、プラズマ前処理ステーションと第１のスパッタリングシステムとの間に配置された第２の蒸発器及び硬化システムを加えて、かつ、米国特許第８６５８２４８号（Ａｎｄｅｒｓｏｎ及びＲａｍｏｓ）に記載されている蒸発器を使用して、米国特許出願公開第２０１００３１６８５２号（Ｃｏｎｄｏら）に記載されているコーターと同様のロールツーロール真空コーター上で作製された。コーターを、アルミニウム化された二軸延伸ポリプロピレンフィルム剥離層の不定長ロール（厚さ９８０マイクロインチ（０．０２５０ｍｍ）、幅１４インチ（３５．６ｃｍ））（Ｔｏｒａｙ Ｐｌａｓｔｉｃｓ（Ａｍｅｒｉｃａ）（Ｎｏｒｔｈ Ｋｉｎｇｓｔｏｗｎ，ＲＩ）からＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２の商品名で入手）とねじ留めした。次いで、剥離層を、３２ｆｐｍ（９．８ｍ／分）の一定のライン速度で前進させた。
【0092】
第１のアクリレート層、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（Ｓａｒｔｏｍｅｒ ＵＳＡ（Ｅｘｔｏｎ，ＰＡ）からＳＡＲＴＯＭＥＲ ＳＲ８３３Ｓの商品名で入手）を、超音波噴霧及びフラッシュ蒸着によって剥離層に適用して、１２．５インチ（３１．８ｃｍ）のコーティング幅を作製した。蒸発器への液体モノマーの流れは、０．６７ｍＬ／分であった。窒素ガスの流速は、１００毎分標準立方センチメートル（ｓｃｃｍ）であり、蒸発器の温度を、５００°Ｆ（２６０℃）に設定した。プロセスドラム温度は、１４°Ｆ（－１０℃）であった。その後、このモノマーコーティングを、７．０ｋＶ及び１０．０ｍＡで動作する電子ビーム硬化銃により直下流で硬化させて、１８０ｎｍ厚のアクリレート層を得た。
【0093】
第１のアクリレート層の上に、銀反射体層を、＞９９％銀カソード標的の直流（ＤＣ）スパッタリングによって堆積させた。システムを、３０ｆｐｍ（毎分９．１メートル）のライン速度で３ｋＷで動作させた。同じパワー及びライン速度でその後に２回堆積させ、銀の９０ｎｍ層を作製した。
【0094】
銀層の上に、酸化ケイ素アルミニウムの酸化物層を交流（ＡＣ）反応スパッタリングによって堆積させた。カソードは、Ｓｉ（９０％）／Ａｌ（１０％）の標的を有し、Ｓｏｌｅｒａｓ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ＵＳ（Ｂｉｄｄｅｆｏｒｄ，ＭＥ）から入手した。スパッタリング中のカソードに関する電圧を、フィードバック制御ループにより制御し、制御ループは、電圧をモニターし、酸素流を制御した。パワー３２ｋＷでシステムを動作させて、銀反射体上に１２ｎｍ厚の酸化ケイ素アルミニウム層を堆積させた。
調製例２．酸化物／Ａｇコーティングされた転写スタック
調製例２．酸化物／Ａｇコーティングされた転写スタック
【0095】
本調製例の転写フィルムは、銀層及び酸化物層の堆積の順序を逆にしたことを除いて、調製例１と同様に作製した。
調製例３．Ａｌ系金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）転写スタック
調製例３．Ａｌ系金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）転写スタック
【0096】
調製例１の第１の部分に記載の手順に従って、コーティングされた第１のアクリレート層を有する剥離層を調製した。第１のアクリレート層の上に、アルミニウム反射体層を堆積させた。アルゴンガスを採用し、かつ、２ｋＷのパワーで動作する従来のＤＣスパッタリングプロセスを用いて、Ａｌの厚さ６０ｎｍの層を堆積させた。カソードＡｌ標的は、ＡＣＩ Ａｌｌｏｙｓ（Ｓａｎ Ｊｏｓｅ，ＣＡ）から入手した。
【0097】
反射性Ａｌ層の上に、第２のアクリレート層を適用した。第２のアクリレート層は、ＳＡＲＴＯＭＥＲ ＳＲ８３３Ｓ＋３％ ＣＮ １４７（Ｓａｒｔｏｍｅｒ ＵＳＡ（Ｅｘｔｏｎ，ＰＡ）から入手）の噴霧及び蒸着によってモノマー溶液から生成した。第２のアクリレート層を、噴霧器への混合物の流速が０．６７ｍＬ／分、ガス流速が６０ｓｃｃｍ、蒸発器温度が２６０℃で適用した。Ａｌ層上に凝縮されると、コーティングされたアクリレートは、７ｋＶ及び１０ｍＡで動作する電子ビームで硬化されて、２９０ｎｍの厚さの層を提供した。この第２のアクリレート層は、機能性金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）転写スタックの絶縁層を提供した。
【0098】
第２のアクリレート層の上に、第１の反射層と同様の方法で第２のＡｌ反射層を堆積させた。アルゴンガスを採用し、かつ２ｋＷのパワーで動作する従来のＤＣスパッタリングプロセスを採用して、Ａｌの厚さ８ｎｍの層を堆積させた。
【0099】
この調製例の促進耐候性試験は、可視の退色を示した。
調製例４．耐候性Ａｌ系ＭＩＭ転写スタック
調製例４．耐候性Ａｌ系ＭＩＭ転写スタック
【0100】
調製例１の第１の部分に記載の手順に従って、コーティングされた第１のアクリレート層を有する剥離層を調製した。第１のアクリレート層の上に、アルミニウム反射体層を堆積させた。アルゴンガスを採用し、かつ、２ｋＷのパワーで動作する従来のＤＣスパッタリングプロセスを用いて、Ａｌの厚さ６０ｎｍの層を堆積させた。カソードＡｌ標的は、ＡＣＩ Ａｌｌｏｙｓ（Ｓａｎ Ｊｏｓｅ，ＣＡ）から入手した。
【0101】
反射性Ａｌ層の上に、第２のアクリレート層を適用した。第２のアクリレート層は、ＳＡＲＴＯＭＥＲ ＳＲ８３３Ｓ＋３％ ＣＮ １４７（Ｓａｒｔｏｍｅｒ ＵＳＡ（Ｅｘｔｏｎ，ＰＡ）から入手）の噴霧及び蒸着によってモノマー溶液から生成した。アクリレート層を、噴霧器への混合物の流速が０．６７ｍＬ／分、ガス流速が６０ｓｃｃｍ、蒸発器温度が２６０℃で適用した。Ａｌ層上に凝縮されると、コーティングされたアクリレートは、７ｋＶ及び１０ｍＡで動作する電子ビームで硬化されて、２９０ｎｍの厚さの層を提供した。この第２のアクリレート層は、機能性金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）転写スタックの絶縁層を提供した。
【0102】
第２のアクリレート層の上に、第１の無機バリア層を適用した。バリア層の酸化物材料は、４０ｋＨｚのＡＣ電源を用いるＡＣ反応スパッタ堆積プロセスによって適用された。カソードは、Ｓｉ（９０％）／Ａｌ（１０％）の回転標的を有し、Ｓｏｌｅｒａｓ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ＵＳから入手した。スパッタリング中のカソードに関する電圧を、フィードバック制御ループにより制御し、制御ループは、電圧をモニターし、酸素流を制御した。パワー１６ｋＷでシステムを動作させて、第２のアクリレート層上に１２ｎｍ厚の酸化ケイ素アルミニウム層を堆積した。
【0103】
第１の無機バリア層の上に、第１の反射層と同様の方法で第２の反射層を堆積させた。アルゴンガスを採用し、かつ、２ｋＷのパワーで動作する従来のＤＣスパッタリングプロセスを用いて、Ａｌの厚さ８ｎｍの層として第２の反射層を堆積させた。
【0104】
第２の反射層の上に、第１の無機バリア層と同様の方法で第２の無機バリア層を適用した。
【0105】
第３のアクリレート層を、第２の無機バリア層の上に堆積させた。この層は、ＳＡＲＴＯＭＥＲ ＳＲ８３３Ｓ＋６％Ｄｙｎａｓｉｌａｎ １１８９（Ｅｖｏｎｉｋ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ（Ｅｓｓｅｎ，ＤＥ）から入手）の噴霧及び蒸着によってモノマー溶液から生成した。噴霧器へのこの混合物の流速は、０．６７ｍＬ／分であった。ガス流速は６０ｓｃｃｍであり、蒸発器の温度は２６０℃であった。第２の無機バリア層上に凝縮されると、コーティングされたアクリレートは、７ｋＶ及び１０ｍＡで動作する電子ビームで硬化されて、２９０ｎｍの厚さの層を提供した。この調製例の促進耐候性試験は、ＭＩＭ転写スタックに可視の退色を示さなかった。
調製例５．可視反射体ＮＩＲ透過転写スタック
調製例５．可視反射体ＮＩＲ透過転写スタック
【0106】
この実施例に記載の転写フィルムは、プラズマ前処理ステーションと第１のスパッタリングシステムとの間に配置された第２の蒸発器及び硬化システムを加えて、かつ、米国特許第８６５８２４８号（Ａｎｄｅｒｓｏｎ及びＲａｍｏｓ）に記載されている蒸発器を使用して、米国特許出願公開第２０１００３１６８５２号（Ｃｏｎｄｏら）に記載されているコーターと同様のロールツーロール真空コーター上で作製された。コーターには、厚さ０．１７８ｍｍ、幅１４インチ（３５．６ｃｍ）のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの長さ１０００フィートのロールの形の基材（ＤｕＰｏｎｔ Ｔｅｉｊｉｎ Ｆｉｌｍｓ（Ｃｈｅｓｔｅｒ，ＶＡ）からＭＥＬＩＮＥＸＳＴ５０４の商品名で入手）が装備された。フィルムを、チタンカソードを用いて２０Ｗで動作する窒素プラズマによって、３．０メートル／分のウェブ速度を使用して処理し、フィルムの裏側を０℃に冷却されたコーティングドラムと接触させたまま維持した。
【0107】
プラズマ処理されたＰＥＴ基材表面に、ＳｉＡｌの剥離層が前のプラズマ処理工程とインラインで堆積された。Ａｒガスを採用し、かつ、１６ｋＷのパワーで動作する従来のＡＣスパッタリングプロセスを使用して、基材上にＳｉＡｌ合金の厚さ３７ｎｍの層を堆積させた。カソードは、Ｓｉ（９０％）／Ａｌ（１０％）の標的を有し、Ｓｏｌｅｒａｓ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ＵＳから入手した。
【0108】
ＳｉＡｌ剥離層の上に、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートの第１のアクリレート層（Ｓａｒｔｏｍｅｒ ＵＳＡ（Ｅｘｔｏｎ、ＰＡ）からＳＡＲＴＯＭＥＲ ＳＲ８３３Ｓの商品名で入手）がインラインで堆積された。アクリレート層を超音波噴霧及びフラッシュ蒸着によって適用して、１２．５インチ（３１．８ｃｍ）のコーティング幅を作製した。第１のアクリレート層を、噴霧器への流速が０．４ｍＬ／分、ガス流速が６０ｓｃｃｍ、蒸発器温度が２６０℃で適用した。ＳｉＡｌ層上に凝縮されると、このモノマーコーティングは、７．０ｋＶ及び１０．０ｍＡで動作する電子ビーム硬化ガンで直ちに硬化されて、５５ｎｍの厚さの層が提供された。
【0109】
第１のアクリレート層の上に、ニオビウム酸化物（ＮｂＯｘ）の第１の無機酸化物層を別個のパスで適用した。２ｋＷのパワーで動作する従来のＤＣスパッタリングプロセスを用いて、４５０ｓｃｃｍのアルゴン及び１４ｓｃｃｍの酸素ガス流を使用して、１．９５ｆｐｍ（０．５９メートル／分）のライン速度で、ＮｂＯｘの厚さ約６６ｎｍの層を基材上に堆積させた。カソードは、亜酸化物ＮｂＯｘの標的を有し、Ｓｏｌｅｒａｓ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ＵＳから入手した。
【0110】
第１のニオビウム酸化物層の上に、酸化ケイ素アルミニウム（ＳｉＡｌＯｘ）の第２の無機酸化物層を適用した。カソードは、Ｓｉ（９０％）／Ａｌ（１０％）の標的を有し、Ｓｏｌｅｒａｓ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ＵＳ（Ｂｉｄｄｅｆｏｒｄ，ＭＥ）から入手した。２２ｋＷのパワーでアルゴン及び酸素ガスを用いる従来のＡＣスパッタリングプロセスを使用して、４．７１ｆｐｍ（１．４３メートル／分）のライン速度でニオビウム酸化物層上にＳｉＡｌＯｘ酸化物の厚さ９１ｎｍの層を堆積させた。
【0111】
第２の無機層の上に、ＮｂＯｘの第３の無機酸化物層を、第１の無機ニオビウム酸化物層と同じ方法（４５０ｓｃｃｍのアルゴン及び１４ｓｃｃｍの酸素ガス流を使用した１．９５ｆｐｍ（０．５９メートル／分）のライン速度）で別個のパスで適用して、ＮｂＯｘの約６６ｎｍの厚さの層を堆積させた。
比較例Ａ．転写ベースのエンボス加工されていない物品．
比較例Ａ．転写ベースのエンボス加工されていない物品．
【0112】
ＰＥＴＧフィルムを高温プレート上で１００℃に加熱し、調製例１の転写スタックの酸化物表面を高温ＰＥＴＧ表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２ライナーを破棄し、ＰＥＴＧ表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。「微小破砕確認試験験」は、「抗菌性殺菌特性試験」によって試験した物品の表面に微小破砕が存在しないことを確認した。銀含有転写スタック物品の抗菌性能を、試験方法「抗菌性殺菌特性試験」に従って測定した。測定された生細胞数は、１×１０６ｃｆｕ／ｃｍ２であった。
実施例１．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
実施例１．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
【0113】
ＰＥＴＧフィルムを高温プレート上で１００℃に加熱し、調製例１の転写スタックの酸化物表面を高温ＰＥＴＧ表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、ＰＥＴＧ表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。第１のアクリル層は、１ｃｍの間隔で銀含有転写スタックに破砕を誘発するために、直線状の鋭利な鋼製かみそり状縁部を用いてマイクロエンボス加工した。「微小破砕確認試験験」は、「抗菌性殺菌特性試験」によって試験した物品の表面に微小破砕が存在することを確認した。マイクロエンボス加工された銀含有転写スタック物品の抗菌性能を、試験方法「抗菌性殺菌特性試験」に従って測定した。測定された生細胞数は、１×１０１．８ｃｆｕ／ｃｍ２であった。
実施例２．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
実施例２．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
【0114】
ＰＥＴＧフィルムを高温プレート上で１００℃に加熱し、調製例２の転写スタックの酸化物表面を高温ＰＥＴＧ表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、ＰＥＴＧ表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。第１のアクリル層は、１ｃｍの間隔で銀含有転写スタックに破砕を誘発するために、直線状の鋭利な鋼製かみそり状縁部を用いてマイクロエンボス加工した。「変色試験」をマイクロエンボス加工された銀含有転写スタック物品表面に対して実施し、識別可能な退色は観察されなかった。
比較例Ｂ．転写ベースのエンボス加工されていない物品．
比較例Ｂ．転写ベースのエンボス加工されていない物品．
【0115】
８５１８フィルムの接着剤表面を、調製例３の転写スタックの第２の反射層表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、８５１８フィルム表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。次いで、ＳＶ４８０フィルムを、ハンドローラーを用いて空気に面する第１のアクリレート層にラミネートした。「５Ｇスペクトル透過率測定」は、２６ｄＢの透過損失を示した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在しないことを確認した。
【0116】
次いで、完全な構造を、手で、機械方向に３０％の伸長まで一軸延伸した。延伸により、脆い転写スタック構造が、（ビルトインソフトウェア測定ツールを備えたデジタルＫｅｙｅｎｃｅ ＶＨＸ－６０００顕微鏡を使用して測定して）５００ミクロンのオーダーの寸法の個別のフレークに破断された。これらの大きな個別のフレークは、サンプル表面から１０ｃｍの視野距離で周囲光条件下で目視検査することによって識別可能であった。
実施例３．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
実施例３．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
【0117】
８５１８フィルムの接着剤表面を、調製例３の転写スタックの第２の反射層表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、８５１８フィルム表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。
【0118】
第１のアクリレート層を、スチールローラー付きマイクロエンボスツール１でマイクロエンボス加工し、６８ショアＡゴムラミネーターによって、９０ポンド／線形ニップラミネーション力を用いて表面に裏材を付けた。マイクロエンボス加工ツールフィルムを破棄した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在することを確認した。「微小破砕破砕密度試験」は、７２個の亀裂／ｍｍ２を示した。平均クレバスの幅は１５ミクロンであった。
【0119】
ＳＶ４８０フィルムを、空気に面する第１のアクリレート層にラミネートした。完全な構造を、手で、機械方向に３０％の伸長まで一軸延伸した。延伸により、示された微小破砕から延伸方向に（ビルトインソフトウェア測定ツールを備えたデジタルＫｅｙｅｎｃｅ ＶＨＸ－６０００顕微鏡を使用して測定して）約２００ミクロン未満のフェレット直径を有する個別のフレークへの更なる破砕を開始することにより、脆い転写スタック構造が破断された。これらのより小さな個別のフレークは、サンプル表面から１０ｃｍの視野距離で周囲光条件下で目視検査することによって識別可能でなかった。
実施例４．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品
実施例４．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品
【0120】
８５１８フィルムの接着剤表面を、調製例３の転写スタックの第２の反射層表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、８５１８フィルム表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。
【0121】
第１のアクリレート層を、スチールローラー付きマイクロエンボスツール２でマイクロエンボス加工し、６８ショアＡゴムラミネーターによって、９０ポンド／線形ニップラミネーション力を用いて表面に裏材を付けた。マイクロエンボス加工ツールフィルムを破棄した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在することを確認した。
【0122】
ＳＶ４８０フィルムを、空気に面する第１のアクリレート層にラミネートした。完全な構造を、破砕線の方向に沿って、手で、３０％の伸張まで一軸延伸した。延伸により、脆い転写スタック構造が、延伸方向に沿ったフェレット直径が（ビルトインソフトウェア測定ツールを備えたデジタルＶＨＸ－６０００顕微鏡を使用して測定して）５００ミクロン程度の寸法の個別のフレークに破断された。これらの大きな個別のフレークは、サンプル表面から１０ｃｍの視野距離で周囲光条件下で目視検査することによって識別可能であった。
【0123】
実施例５．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．８５１８フィルムの接着剤表面を、調製例３の転写スタックの第２の反射層表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、８５１８フィルム表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。
【0124】
第１のアクリレート層を、スチールローラー付きマイクロエンボスツール２でマイクロエンボス加工し、６８ショアＡゴムラミネーターによって、９０ポンド／線形ニップラミネーション力を用いて表面に裏材を付けた。マイクロエンボス加工ツールフィルムを破棄した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在することを確認した。
【0125】
ＳＶ４８０フィルムを、空気に面する第１のアクリレート層にラミネートした。完全な構造を、破砕線に垂直に、手で、３０％の伸張まで一軸延伸した。延伸により、脆い転写スタック構造が、（ビルトインソフトウェア測定ツールを備えたデジタルＫｅｙｅｎｃｅ ＶＨＸ－６０００顕微鏡を使用して測定して）延伸方向に沿ったフェレット直径が２００ミクロンのオーダーの寸法の個別のフレークに破断された。これらのより小さい横方向の個別のフレークは、サンプル表面から１０ｃｍの視野距離で周囲光条件下で目視検査することによって識別可能でなかった。
実施例６．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
実施例６．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
【0126】
８５１８フィルムの接着剤表面を、調製例３の転写スタックの第２の反射層表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、８５１８フィルム表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。９．５ＧＨｚスプリットポスト誘電体共振器のタンデルタ測定値は、検出限界（＞０．１２）の範囲外であると判断された。
【0127】
第１のアクリレート層を、スチールローラー付きマイクロエンボスツール３でマイクロエンボス加工し、６８ショアＡゴムラミネーターによって、９０ポンド／線形ニップラミネーション力を用いて表面に裏材を付けた。マイクロエンボス加工ツールフィルムを破棄した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在することを確認した。
【0128】
９．５ＧＨｚスプリットポスト誘電体共振器のタンデルタ測定値は、０．１１５であると判断された。次いで、ＳＶ４８０フィルムを、空気に面する第１のアクリレート層にラミネートした。「５Ｇスペクトル透過率測定」は、９ｄＢの透過損失を示した。
【0129】
次いで、完全な構造を、手で、３０％の伸長まで延伸した。延伸により、脆い転写スタック構造が、（ビルトインソフトウェア測定ツールを備えたデジタルＫｅｙｅｎｃｅ ＶＨＸ－６０００顕微鏡を使用して測定して）延伸方向に沿ったフェレット直径が２００ミクロンのオーダーの寸法の個別のフレークに破断された。これらのより小さな個別のフレークは、サンプル表面から１０ｃｍの視野距離で周囲光条件下で目視検査することによって識別可能でなかった。キューブコーナーの交互配向の０．９ｃｍ幅のレーンは可視であり、サンプル表面から１０ｃｍの視野距離における周囲光条件下での目視検査によって識別可能であった。各０．９ｃｍのレーン領域は、４５度の入射角で周囲光条件下で見ると、視覚的に識別可能な表面散乱誘導輝度を有した。
実施例７．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
実施例７．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
【0130】
８５１８フィルムの接着剤表面を、調製例３の転写スタックの第２の反射層表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、８５１８フィルム表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。
【0131】
第１のアクリレート層を、スチールローラー付きマイクロエンボスツール３でマイクロエンボス加工し、６８ショアＡゴムラミネーターによって、９０ポンド／線形ニップラミネーション力を用いて表面に裏材を付けた。マイクロエンボス加工ツールフィルムを破棄した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在することを確認した。「促進耐候性」試験は、表面が灰色に変わったため、薄い第２の反射性Ａｌ層が酸化したことを示す可視の退色を示した。
実施例８．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
実施例８．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
【0132】
８５１８フィルムの接着剤表面を、調製例４の転写スタックの第３のアクリレート層表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、８５１８フィルム表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。
【0133】
第１のアクリレート層を、スチールローラー付きマイクロエンボスツール３でマイクロエンボス加工し、６８ショアＡゴムラミネーターによって、９０ポンド／線形ニップラミネーション力を用いて表面に裏材を付けた。マイクロエンボス加工ツールフィルムを破棄した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在することを確認した。「促進耐候性」試験は、表面が目に見えて着色されたままであるため、薄い第２の反射性Ａｌ層に酸化が皆無に等しいことを示す可視の退色が皆無に等しいことを示した。
実施例９．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
実施例９．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
【0134】
第１のライナーをＯＣＡから除去し、接着剤表面を透明な２インチ×３インチ（５．０８ｃｍ×７．６２ｃｍ）のホウケイ酸ガラススライドにラミネートした。第２のライナーをＯＣＡから除去し、ＯＣＡの接着剤表面を調製例５の転写スタックの第３の無機層表面にラミネートした。ＳｉＡｌコーティングされたＰＥＴ基材を破棄し、ＯＣＡ表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。
【0135】
第１のアクリレート層を、スチールローラー付きマイクロエンボスツール３でマイクロエンボス加工し、６８ショアＡゴムラミネーターによって、９０ポンド／線形ニップラミネーション力を用いて表面に裏材を付けた。マイクロエンボス加工ツールフィルムを破棄した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在することを確認した。
【0136】
９．５ＧＨｚスプリットポスト誘電体共振器のタンデルタ測定値は、０．０１８であると判断された。
【0137】
「ＮＩＲ／可視散乱比試験」は、測定セットアップをホウケイ酸ガラススライドに向けることによって完了した。測定値を表２に示す。
実施例１０．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
【表2】
【0138】
第１のライナーを第１のＯＣＡから除去し、接着剤表面を透明な２インチ×３インチ（５．０８ｃｍ×７．６２ｃｍ）のホウケイ酸ガラススライドにラミネートした。第２のライナーをＯＣＡから除去し、ＯＣＡフィルムの接着剤表面を調製例５の転写スタックの第３の無機層表面にラミネートした。ＳｉＡｌコーティングされたＰＥＴ基材を破棄し、ＯＣＡ表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。
【0139】
第１のアクリレート層を、スチールローラー付きマイクロエンボスツール３でマイクロエンボス加工し、６８ショアＡゴムラミネーターによって、９０ポンド／線形ニップラミネーション力を用いて表面に裏材を付けた。マイクロエンボス加工ツールフィルムを破棄した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在することを確認した。
【0140】
第１のライナーを第２のＯＣＡから除去し、第２のＯＣＡの接着剤表面をマイクロエンボス加工されたた第１のアクリレート表面にラミネートした。第２のライナーを第２のＯＣＡから除去し、ＯＣＡの接着剤表面を透明な２インチ×３インチ（５．０８ｃｍ×７．６２ｃｍ）のホウケイ酸ガラススライドにラミネートした。
【0141】
「ＮＩＲ／可視散乱比試験」は、第１のガラススライドに向かって測定することによって完了した。表３に示される測定値。
実施例１１．転写ベースのマイクロエンボス加工された物品．
【表3】
【0142】
８５１８フィルムの接着剤表面を、調製例３の転写スタックの第２の反射層表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、８５１８フィルム表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。
【0143】
第１のアクリレート層を、スチールローラー付きマイクロエンボスツール４でマイクロエンボス加工し、６８ショアＡゴムラミネーターによって、９０ポンド／線形ニップラミネーション力を用いて表面に裏材を付けた。マイクロエンボス加工ツールフィルムを破棄した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在することを確認した。「微小破砕破砕密度試験」は、１２３個の亀裂／ｍｍ２を示した。
【0144】
次いで、ＳＶ４８０フィルムを、空気に面する第１のアクリレート層にラミネートした。完全な構造を、手で、機械方向に３０％の伸長まで一軸延伸した。延伸により、示された微小破砕から六角形パターン内の延伸方向に（ビルトインソフトウェア測定ツールを備えたデジタルＫｅｙｅｎｃｅ ＶＨＸ－６０００顕微鏡を使用して測定して）約２００ミクロン未満のフェレット直径を有する個別のフレークへの更なる破砕を開始することにより、脆い転写スタック構造が破断された。マイクロエンボスツール４の六角形の外側では、フェレット直径は、延伸方向において２００ミクロン超であった。これらの個別のフレークは、サンプル表面から１０ｃｍの視野距離で周囲光条件下で目視検査することによって識別可能でなかった。
実施例１２．マイクロエンボス加工された転写ベースの物品．
実施例１２．マイクロエンボス加工された転写ベースの物品．
【0145】
調製例１の酸化物表面を、１インチ当たり１０００ポンドの２つの鋼ローラーの間で３フィート／分でマイクロエンボスツール３の微細構造体表面にラミネートした。マイクロエンボス加工ツールフィルムを破棄した。８５１８フィルムの接着剤表面をマイクロエンボス加工された酸化物表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、８５１８フィルム表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。「微小破砕確認試験」は、試験した表面に微小破砕が存在することを確認した。完全な構造を、手で、機械方向に３０％の伸長まで一軸延伸した。延伸により、示された微小破砕から延伸方向に（ビルトインソフトウェア測定ツールを備えたデジタルＫｅｙｅｎｃｅ ＶＨＸ－６０００顕微鏡を使用して測定して）約２００ミクロン未満のフェレット直径を有する個別のフレークへの更なる破砕を開始することにより、脆い転写スタック構造が破断された。
実施例１３
実施例１３
【0146】
本実施例は、以下の層状構造体を含む転写物品スタックの構築方法を記載する：金属基材上［１８０ｎｍアクリレート／９０ｎｍ銀／１２ｎｍ酸化物］（アルミナ化二軸延伸ポリプロピレンフィルム、商品名ＴｏｒａｙＦＡＮ ＰＭＸ２でＴｏｒａｙ Ｐｌａｓｔｉｃｓ（Ａｍｅｒｉｃａ），Ｉｎｃ．（Ｎｏｒｔｈ Ｋｉｎｇｓｔｏｗｎ，ＲＩ）から市販されている）。
【0147】
転写可能な薄膜は、米国特許第８，６５８，２４８号（Ａｎｄｅｒｓｏｎら）及び同第７，０１８，７１３号（Ｐａｄｉｙａｔｈら）に記載されているコーターと同様の真空コーター上で製造された。このコーターを、厚さ９８０マイクロインチ（０．０２５０ｍｍ）、幅１４インチ（３５．６ｃｍ）のＴｏｒａｙＦＡＮ ＰＭＸ２の不定長ロールの形態の基材とねじ留めした。次いで、この基材を、３２ｆｐｍ（９．８ｍ／分）の一定のライン速度で前進させた。
【0148】
Ｓａｒｔｏｍｅｒ ＵＳＡ（Ｅｘｔｏｎ，ＰＡ）からの商品名ＳＡＲＴＯＭＥＲ ＳＲ８３３Ｓであるトリシクロデカンジメタノールジアクリレートに基づくアクリレート液を、超音波噴霧及びフラッシュ蒸着により適用して、幅１２．５インチ（３１．８ｃｍ）のコーティングを製造することによって、基材上に第１の有機層を形成した。その後、このモノマーコーティングを、７．０ｋＶ及び１０．０ｍＡで動作する電子ビーム硬化銃により直下流で硬化させた。蒸発器への液体モノマーの流れは、０．６７ｍＬ／分であり、窒素ガスの流速は、１００ｓｃｃｍであり、蒸発器の温度を、５００°Ｆ（２６０℃）に設定した。プロセスドラム温度は、１４°Ｆ（－１０℃）であった。
【0149】
この第１の有機層の上に、銀反射体層を、＞９９％銀カソード標的のＤＣスパッタリングによって堆積させた。システムを、３０ｆｐｍ（毎分９．１メートル）のライン速度で３ｋＷで動作させた。同じパワー及びライン速度でその後に２回堆積させ、銀の９０ｎｍ層を作製した。
【0150】
この銀層の上に、酸化ケイ素アルミニウムの酸化物層をＡＣ反応スパッタリングによって堆積させた。カソードは、Ｓｏｌｅｒａｓ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｃｏａｔｉｎｇｓ ＵＳ（Ｂｉｄｄｅｆｏｒｄ，（ＭＥ））から得られるＳｉ（９０％）／Ａｌ（１０％）の標的を有した。スパッタリング中のカソードに関する電圧を、フィードバック制御ループにより制御し、制御ループは、電圧が高いままであり、標的の電圧をクラッシュさせないように、電圧をモニターし、酸素流を制御した。パワー１６ｋＷでシステムを動作させて、銀反射体上に１２ｎｍ厚の酸化ケイ素アルミニウム層を堆積させた。
【0151】
ＴｏｒａｙＦＡＮ ＰＭＸ２フィルムのアルミニウム表面及び第１の有機層は、７．２ｇ／インチ（０．２８３ｇ／ｍｍ）の１８０剥離力で分離して、転写物品を形成した。
【0152】
転写物品を接着剤層に適用し、３Ｍ（Ｓｔ．Ｐａｕｌ，ＭＮ）から入手可能なＴＲＩＺＡＣＴ Ｆｏａｍ ＰＰＳツールを使用してエンボス加工した。図８に示すように、透過モード下で顕微鏡下で見たとき、金属層は遮光され、クレバスにより、光を逃げ、色が白色に見えることが可能になる。
実施例１４
実施例１４
【0153】
８５１８フィルムの接着剤表面を、調製例３の転写スタックの第２の反射層表面にラミネートした。ＴＯＲＡＹＦＡＮ ＰＭＸ２剥離ライナーを除去し、８５１８フィルム表面上に空気に面する（第１のアクリレート層外）転写スタックを残した。
【0154】
次に露出した第１のアクリレート層にＳＶ４８０をラミネートすることにより、構造１４－１を調製した。
【0155】
構造１４－１は、複合曲率を有する車両外面に適用され、大きな亀裂は、引っ掻きとして出現した。
【0156】
ＳＶ４８０フィルムのラミネーション前に、実施例１３のマイクロエンボスツール５を用いて関心領域の上に第１のアクリレート層をマイクロエンボス加工したことを除いて、構造１４－１の全ての層を含む構造１４－２を調製した。
【0157】
構造１４－２を、複合曲率を有する車両外面に適用し、結果を図９に示す。図９では、左側領域はマイクロエンボス加工されており、マイクロエンボス加工されていない右側領域と等しい量で延伸されている。前述したように、マイクロエンボス加工が存在しない場合、大きな亀裂は、同じ量の歪みで視覚的に明らかである。マイクロエンボス加工は、薄い無機層を有する機能層を含有する物品の外観を改善することができる。
実施例１５
実施例１５
【0158】
実施例１３に記載した技術を使用して、転写物品を調製し、以下の層状構造を提供した：［１８０ｎｍアクリレート／６０ｎｍＡｇ／１２ｎｍＳｉＡｌＯｘ］。
【0159】
以下の層を含む構造１５－１を調製した：［１８０ｎｍアクリレート／６０ｎｍＡｇ／１２ｎｍＳｉＡｌＯｘ／ＰＥＴＧ］。構造１５－１を調製するために、Ｐａｃｕｒの０．７５ｍｍ厚のＰＥＴＧを２２５°Ｆ（１０７℃）まで加熱し、銀含有機能層スタックを、ベースアクリレートを外向きに向けて表面に転写した。
【0160】
Ｓ．ｍｕｔａｎｓ ＡＴＣＣ２５１７５微生物学的試験を実施した後、構造１５－１は、＜０．５ＬｏｇＣＦＵ／ｃｍ２の細菌減少を示した。
【0161】
実施例１３のマイクロエンボスツール５を使用してマイクロエンボス加工された機能層を備える構造１５－１を含む構造１５－２を調製した。Ｓ．ｍｕｔａｎｓ ＡＴＣＣ２５１７５微生物学的試験を実施した後、構造１５－２は、＞３ＬｏｇＣＦＵ／ｃｍ２の細菌減少を示した。いかなる理論にも束縛されるものではないが、現在利用可能な証拠は、Ａｌフレークの露出した縁部が、細菌を致死量のＡｌに曝露して、機能層に細菌殺傷特性を付与することができることを示した。
【0162】
銀フレークを含む光学活性表面が変色するのを防ぐためにＡｇ層の下に酸化物層が含まれていたことを除いて、構造１５－２の全ての層を含む構造１５－３を調製した。構造１５－３のサンプルを、６．２５ｇのケチャップ、６．２５ｇのマスタード、及び８７．５ｇの水を含む溶液に、１分間、５分間、１０分間、及び６０分間曝露して、変色を評価したが、構造１５－３の他のサンプルは、曝露していないままであった。曝露したサンプルと曝露していないサンプルとの間には、実質的に銀の変色が観察されない場合があり、これは、アクリレート／酸化物層が、早期変色から銀層を保護したことを示した。
実施例１６
実施例１６
【0163】
実施例１３に記載した技術を使用して、転写物品を調製し、以下の層状構造を提供した：［２９０ｎｍアクリレート／６０ｎｍＡｇ／２９０ｎｍアクリレート／８ｎｍＳｉＡｌＯｘ／８ｎｍＧｅ／１２ｎｍＳｉＡｌＯｘ／２９０ｎｍアクリレート］。
【0164】
３Ｍから商品名ＣＯＮＴＲＯＬＴＡＣで入手可能な黒色接着剤の層に層状構造を適用した構造１６－１を調製した。
【0165】
スプリットポスト誘電体共振器（ＳＰＤＲ）は、連結によって識別されるＷｅｂサイトで入手可能なＩＰＣ標準ＴＭ－６５０ ２．５．５．１３（ｈｔｔｐｓ：／／ｗｗｗ．ｉｐｃ．ｏｒｇ／４．０＿Ｋｎｏｗｌｅｄｇｅ／４．１＿Ｓｔａｎｄａｒｄｓ／ｔｅｓｔ／２－５－５－１３．ｐｄｆ）に記載されているように、単一の周波数ポイントで誘電体の複素誘電率を測定するための正確な手法を提供する。９．５ＧＨｚの周波数は、将来５Ｇの移動通信展開が計画される、＞５ＧＨｚレジームの位置に起因する、好都合な測定周波数である。
【0166】
ＳＰＤＲでは、複素誘電率と実数誘電率との比、すなわち、誘電体に蓄えられたエネルギーの量で除した電磁エネルギー損失の量に比例する、ｔａｎδは、その誘電特性について測定されたときに、完全な物品（Ｃ１＋Ｃ２＋Ｃ３＋Ｃ４）について決定することができる。非導電性材料の場合、電気誘電率ｔａｎδは、ＳＰＤＲ空洞へのサンプルの挿入により、空洞共振中心周波数の測定された変化及び共振周波数帯域幅の測定された変化から正確に計算される。高導電性金属フィルムに起因して、十分に導電性の金属フィルムがＳＰＤＲ空洞に挿入された後に、空洞共振が完全に抑制され、消失する。
【0167】
エンボス加工されていない機能層のＳＰＤＲ測定値は、金属フィルムの高い導電性に起因して、損失が大きすぎた。結果として、転写されたフルフィルム金属機能層は、＞１０ｄＢの信号透過損失が懸念され得る電子デバイスエンクロージャに好適ではない場合がある。
【0168】
組み立てる前に、転写スタックを接着剤層に適用し、ＣＯＮＴＲＯＬＴＡＣ接着剤層に付着する前に、実施例１３のマイクロエンボスツール５を使用してマイクロエンボス加工したことを除いて、構造１６－１の全ての層を含む構造１６－２を調製した。
【0169】
ＳＰＤＲ測定は、構成１６－２についてｔａｎδ＝０．０６７、実数誘電率＝１４．２９、複素誘電率＝０．９５５を示し、これは、マイクロエンボス加工が金属フィルムを埋め込み導電フレークに変換して、９．５ＧＨｚで、測定可能なＳＰＤＲ特性を有する人工誘電体を作製したことを示した。構造１６－２の画像及びその対応するＳＰＤＲ測定値を図１１に示す。
【0170】
以下の層を含む、構造１６－３を調製した：［３００ｎｍアクリレート／１２ｎｍＳｉＡｌＯｘ／８ｎｍＧｅ／４５０ｎｍアクリレート／１２ｎｍＡｌ／１２ｎｍＳｉＡｌＯｘ／黒色ＣＯＮＴＲＯＬＴＡＣ接着剤］。構造１６－３を、図１２に示される角錐形構造体を有する３Ｍ ＴＲＩＺＡＣＴ ＳＴ７１９９研磨材のツールでマクロエンボス加工した。
【0171】
９．５ＧＨｚのＳＰＤＲ測定は、構造１６－３がマクロエンボス加工後の損失が大きすぎたことを示し、これは、その中の金属フィルムが、９．５ＧＨｚでの人工誘電体形成を誘導するために十分に破砕されなかったことを示した。金属薄膜をフレークに変換して人工誘電体を形成するためには、十分な高解像度のマイクロエンボス加工が必要である。
【0172】
転写スタックを接着剤層に適用し、ＣＯＮＴＲＯＬＴＡＣ接着剤層に付着する前に、実施例１３のマイクロエンボスツール５を使用してマイクロエンボス加工したことを除いて、構造体４－３の全ての層を含む構造１６－４を調製した。次いで、構造１６－４を、図１２に示される角錐形構造体を有する３Ｍ ＴＲＩＺＡＣＴ ＳＴ７１９９でマクロエンボス加工した。得られた構造を図１３に示す。
【0173】
これらの結果は、エンボス加工を複数の工程で実行し、重ね合わせることができることを示し、これは、関連する５Ｇの透過性能及び所望の審美的特性を有するマイクロエンボス加工された転写物品を提供することができる。
【0174】
転写スタックを接着剤層に適用し、オフセットしたキューブコーナーの幅約１ｃｍのレーンを有するキューブコーナージオメトリが含まれる、３Ｍから入手可能なＨＩＰプリズムダイヤモンドグレードのシートを使用して、転写スタックをマイクロエンボス加工したことを除いて、構造１６－３の全ての層を含む構造１６－５を調製した。得られた構造を図１４に示し、これは、０．１１５のｔａｎδ、３４．４８のε’、及び３．９７１のε’’を有する。いかなる理論にも束縛されるものではないが、現在利用可能な証拠は、巨視的には、微小破砕金属層のフレークは、別様にマイクロエンボス加工する散乱光の間に平面外に移動することを示し、興味深い視覚効果を生み出す。
実施例１７
実施例１７
【0175】
実施例１３に記載した技術を使用して、転写物品を調製し、次の層状構造を提供した：［１８０ｎｍアクリレート／６０ｎｍＡｌ／２９０ｎｍアクリレート／９ｎｍＡｌ］。実施例１３のマイクロエンボスツール５を使用して、転写物品をマイクロエンボス加工した。
【0176】
以下の層を含む、構造１７－１を調製した：［０．７５ｍｍＰＥＴＧ／８１４６光学的に透明な接着剤／１８０ｎｍアクリレート／６０ｎｍＡｌ／２９０ｎｍアクリレート／９ｎｍＡｌ／ブラックビニルＣＯＮＴＲＯＬＴＡＣ接着剤］。
【0177】
Ａｃｃｕｆｏｒｍ熱成形を使用して厚いＰＥＴＧを２２５°Ｆ（１０７℃）で加熱し、金属形状に５００ｐｓｉの背圧で５秒間成形して、曲線上の成形を試験した。図１６に示すように、下部領域はマイクロエンボス加工されておらず、上部領域はマイクロエンボス加工されており、マイクロエンボス加工は、目に見える亀裂の形成を防ぐのに役立ち得る。
【0178】
以下の層を含む構造１７－２を調製した：［５５ｎｍアクリレート／５９ｎｍＮｂＯｘ／９０．５ｎｍＳｉＡｌＯｘ／５９ｎｍＮｂＯｘ］。実施例１３のマイクロエンボスツール５を使用して、物品をマイクロエンボス加工した。
【0179】
高屈折率の酸化物（ＮｂＯｘ、５５０ｎｍでのｎ約２．３）及び低屈折率のアクリレート又は酸化物を有する構造１７－２などの構造は、可視光で反射性になり、近赤外線（ＮＩＲ）で部分的に透過性になるように調整できる（例えば、これらのＮＩＲ波長ウィンドウで動作するカメラセンサ及び光源があるため、対象の波長は８５０ｎｍ、９４０ｎｍである）。
【0180】
構造１７－２は、可視／ＮＩＲ散乱性能について光学的に試験され、ＮＩＲで動作する下にあるカメラセンサ及び光源を（人間の観察者から）効果的に隠すことがわかり、また、ＮＩＲセンサ／検出器の非表示／カモフラージュに役立つ適切な前方散乱係数を有した。
実施形態
実施形態Ａ．転写物品であって、
第１のアクリレート層であって、第１のアクリレート層が、２～５０グラム／インチの剥離値で金属層又はドープされた半導体層を含む剥離層から剥離可能である、第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕無機層を含み、微小破砕無機層が約３ナノメートル～約２００ナノメートルの厚さであり、転写物品が３マイクロメートル未満の厚さを有する、機能層と、
を含む、転写物品。
実施形態Ｂ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約１００００個の亀裂を含む、実施形態Ａに記載の転写物品。
実施形態Ｃ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約２０００個のツールマークを含む、実施形態Ａ又はＢに記載の転写物品。
実施形態Ｄ．複数の亀裂が、微小破砕無機層の第１の主面から、微小破砕無機層の第２の第２の主面まで延びる、実施形態Ａ～Ｃのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｅ．微小破砕無機層内のツールマークが、刻印マーク、縞マーク、切断マーク、及びこれらの組み合わせから選択される、実施形態Ａ～Ｄのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｆ．微小破砕無機層が、約５００ミクロン未満の平均間隔を有する刻印マークのアレイを含む、実施形態Ｅに記載の転写物品。
実施形態Ｇ．アレイ内の刻印マークが、約１５０ミクロン未満の平均間隔を有する、実施形態Ｅに記載の転写物品。
実施形態Ｈ．刻印マークが、約１ミクロン～約１０ミクロンの深さを有する、実施形態Ｇに記載の転写物品。
実施形態Ｉ．刻印マークが、半球状、角錐形、又はこれらの組み合わせから選択される断面形状を有する、実施形態Ｅに記載の転写物品。
実施形態Ｊ．刻印マークが、その内部に亀裂を含む、実施形態Ｅ～Ｉのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｋ．亀裂が、刻印マークから発出する、実施形態Ｅ～Ｊのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｌ．ツールマークが、約１５ｍｍ未満の平均間隔を有する細長い直線状の縞マークを含む、実施形態Ｅ～Ｋのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｍ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの不規則なアレイを含む、実施形態Ａ～Ｌのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｎ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの規則的なアレイを含む、実施形態Ａ～Ｍのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｏ．第１のアクリレート層が、剥離層から２～３０ｇ／インチの剥離値で剥離可能である、実施形態Ａ～Ｎのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｐ．第１のアクリレート層が、剥離層から２～１５ｇ／インチの剥離値で剥離可能である、実施形態Ａ～Ｏのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｑ．機能層を覆う低弾性率層を更に含み、低弾性率層は、約５０ＭＰａ～約１０００ＭＰａの弾性率を有する、実施形態Ａ～Ｐのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｒ．低弾性率層が接着剤層である、実施形態Ｑに記載の転写物品。
実施形態Ｓ．接着剤層がアクリル接着剤を含む、実施形態Ｒに記載の転写物品。
実施形態Ｔ．接着剤層が感圧接着剤を含む、実施形態Ｒ～Ｓのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｕ．接着剤層が感圧接着剤を含む、実施形態Ｒ～Ｓのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｖ．機能層の厚さが、１μｍ未満である、実施形態Ａ～Ｕのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｗ．機能層の厚さが、０．５μｍ未満である、実施形態Ａ～Ｖのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｘ．機能層が、絶縁層によって分離された複数の無機層を含み、複数の金属層及び金属酸化物層のうちの少なくとも１つの無機層が、微小破砕層である、実施形態Ａ～Ｗのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｙ．複数の無機層中の無機層が、実質的に同じ厚さを有し、複数の無機層中の各無機層が、約５ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有する、実施形態Ｘに記載の転写物品。
実施形態Ｚ．機能層が、
第１の無機層と、
第２の無機層と、
第１のアクリレート層と同じであっても異なっていてもよく、第１の無機層と第２の無機層との間にある第２のアクリレート層であって、第１の無機層及び第２の無機層のうちの少なくとも１つは、微小破砕層である、第２のアクリレート層と、
を含む、実施形態Ａ～Ｙのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態ＡＡ．第１の無機層が第１のアクリレート層を覆い、かつ第２の無機層の厚さよりも大きい厚さを有し、第１の無機層及び第２の無機層のそれぞれが、１００ナノメートル未満の厚さを有する、実施形態Ｚに記載の転写物品。
実施形態ＢＢ．機能層を覆う接着剤層を更に含む、実施形態Ｚ～ＡＡのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態ＣＣ．接着剤層が感圧接着剤を含む、実施形態ＢＢに記載の転写物品。
実施形態ＤＤ．接着剤がアクリル接着剤である、実施形態ＢＢに記載の転写物品。
実施形態ＥＥ．微小破砕無機層が、その上に重ね合わされたマクロパターンを更に含み、パターンが、約７５０ミクロン未満の周期を有するツールマークを含む、実施形態Ａ～ＤＤのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態ＦＦ．ツールマークが、刻印マークの規則的なアレイを含む、実施形態ＥＥに記載の転写物品。
実施形態ＧＧ．刻印マークが、約５００ミクロン未満の平均間隔を有する、実施形態ＦＦに記載の転写物品。
実施形態ＨＨ．微小破砕無機層が、元素金属、２種以上の金属の混合物、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせから選択される、実施形態Ａ～ＧＧのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態ＩＩ．微小破砕無機層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、並びにこれらの混合物及び合金から選択される金属である、実施形態ＨＨに記載の転写物品。
実施形態ＪＪ．機能層が対象の表面に隣接する状態で、実施形態Ａ～ＩＩのいずれか１つに記載の転写物品を対象の表面に適用することを含む方法。
実施形態ＫＫ．物品であって、
第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕無機層を含み、微小破砕無機層が約５ｎｍ～約１００ｎｍの厚さである、機能層と、
機能層上の低弾性率層であって、低弾性率層が、約０．１ＭＰａ～約１００ＭＰａの弾性率を有する少なくとも１つの層を含む、低弾性率層と、を含む、物品。
実施形態ＬＬ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約１００００個の亀裂を含む、実施形態ＫＫに記載の転写物品。
実施形態ＭＭ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約２０００個のツールマークを含む、実施形態ＫＫ又はＬＬに記載の転写物品。
実施形態ＮＮ．複数の亀裂が、微小破砕無機層の第１の主面から微小破砕無機層の第２の第２の主面まで延びる、実施形態ＫＫ～ＭＭのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＯＯ．微小破砕無機層内のツールマークが、刻印マーク、縞マーク、切断マーク、及びこれらの組み合わせから選択される、実施形態ＫＫ～ＮＮのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＰＰ．微小破砕無機層が、約５００ミクロン未満の平均間隔を有する刻印マークのアレイを含む、実施形態ＯＯに記載の物品。
実施形態ＱＱ．アレイ内の刻印マークが、約１５０ミクロン未満の平均間隔を有する、実施形態ＯＯに記載の物品。
実施形態ＲＲ．刻印マークが、約１ミクロン～約１０ミクロンの深さを有する、実施形態ＯＯに記載の物品。
実施形態ＳＳ．刻印マークが、半球状、角錐形、又はこれらの組み合わせから選択される断面形状を有する、実施形態ＯＯ～ＲＲのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＴＴ．刻印マークが、その内部に亀裂を含む、実施形態ＯＯ～ＳＳのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＵＵ．亀裂が、刻印マークから発出する、実施形態ＯＯ～ＴＴのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＶＶ．ツールマークが、約１５ｍｍ未満の平均間隔を有する細長い直線状の縞マークを含む、実施形態ＯＯ～ＵＵのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＷＷ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの不規則なアレイを含む、実施形態ＫＫ～ＶＶのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＸＸ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの規則的なアレイを含む、実施形態ＫＫ～ＷＷのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＹＹ．第１のアクリレート層が、金属及び半導体酸化物から選択される剥離層から２～３０ｇ／インチの剥離値で剥離可能である、実施形態ＫＫ～ＸＸのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＺＺ．第１のアクリレート層が、金属及び半導体酸化物から選択される剥離層から２～３０ｇ／インチの剥離値で剥離可能である、実施形態ＫＫ～ＹＹのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＡＡＡ．機能層に覆う接着剤層を更に含む、実施形態ＫＫ～ＺＺのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＢＢＢ．機能層の厚さが、１μｍ未満である、実施形態ＫＫ～ＡＡＡのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＣＣＣ．機能層の厚さが、０．５μｍ未満である、実施形態ＫＫ～ＡＡＡのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＤＤＤ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの不規則なアレイを含む、実施形態ＫＫ～ＣＣＣのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＥＥＥ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの規則的なアレイを含む、実施形態ＫＫ～ＤＤＤのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＦＦＦ．ツールマークが、その内部に亀裂を含む、実施形態ＫＫ～ＥＥＥのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＧＧＧ．機能層が、絶縁層によって分離された複数の無機層を含み、複数の金属層のうちの少なくとも１つの無機層が、微小破砕無機層である、実施形態ＫＫ～ＦＦＦのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＨＨＨ．複数の無機層中の無機層が、実質的に同じ厚さを有し、複数の無機層中の各無機層が、約５ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有する、実施形態ＧＧＧに記載の物品。
実施形態ＩＩＩ．機能層が、第１の金属層と、第２の金属層と、第１のアクリレート層と同じであっても異なっていてもよく、第１の金属層と第２の金属層との間にある第２のアクリレート層であって、第１の金属層及び第２の金属層のうちの少なくとも１つが微小破砕層である、第２のアクリレート層と、を含む、実施形態ＫＫ～ＨＨＨのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＪＪＪ．第１の金属層が第１のアクリレート層を覆い、かつ第２の金属層の厚さよりも大きい厚さを有し、第１の金属層及び第２の金属層のそれぞれが、１００ナノメートル未満の厚さを有する、実施形態ＩＩＩに記載の物品。
実施形態ＫＫＫ．微小破砕無機層が、その上に重ね合わされたパターンを更に含み、パターンが、約７５０ミクロン未満の周期を有するツールマークを含む、実施形態ＫＫ～ＪＪＪのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＬＬＬ．微小破砕無機層が、元素金属、２種以上の金属の混合物、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせから選択される、実施形態ＫＫ～ＫＫＫのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＭＭＭ．微小破砕無機層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｕ、並びにこれらの混合物及び合金から選択される金属である、実施形態ＬＬＬに記載の転写物品。
実施形態ＮＮＮ．機能層が、剥離層と対象の表面との間にある状態で、実施形態ＫＫ～ＭＭＭのいずれか一項に記載の転写物品を対象の表面に適用することを含む方法。
実施形態ＯＯＯ．パターン化された物品の製造方法であって、
金属層又はドープされた半導体層から選択された剥離層から、転写物品を除去することであって、転写物品が、
剥離層を覆う第１のアクリレート層であって、剥離層と第１のアクリレート層との間の剥離値が、２～５０グラム／インチである、第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層が、少なくとも１つの無機層を含む、機能層と、を含む、除去することと、
第１のアクリレート層を、約２００ミクロン未満の周期を有する構造体を含むツールと接触させて、機能層の少なくとも１つの無機層に、その間に亀裂が散在するように複数のツールマークを形成して、パターン化された物品に微小破砕無機層を提供することと、
を含む、方法。
実施形態ＰＰＰ．転写物品の機能層を、約１０００ＭＰａ未満の弾性率を有する低弾性率材料の層にラミネートして、パターン化可能な構造を形成することを更に含む、実施形態ＯＯＯに記載の方法。
実施形態ＱＱＱ．低弾性率材料の層が、接着剤を含む、実施形態ＰＰＰに記載の方法。
実施形態ＲＲＲ．パターン化工程の後に、パターン化された物品の接着剤層を対象の基材に適用する工程を更に含む、実施形態ＱＱＱに記載の方法。
実施形態ＳＳＳ．剥離層がポリマー基材を覆う、実施形態ＯＯＯ～ＲＲＲのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＴＴＴ．機能層の厚さが、５μｍ未満である、実施形態ＯＯＯ～ＳＳＳのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＵＵＵ．機能層の厚さが、１μｍ未満である、実施形態ＯＯＯ～ＳＳＳのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＶＶＶ．機能層の厚さが、０．５μｍ未満である、実施形態ＯＯＯ～ＳＳＳのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＷＷＷ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約１００００個の亀裂を含む、実施形態ＯＯＯ～ＶＶＶのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＸＸＸ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約２０００個のツールマークを含む、実施形態ＯＯＯ～ＶＶＶのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＹＹＹ．複数の亀裂が、微小破砕無機層の第１の主面から微小破砕無機層の第２の第２の主面まで延びる、実施形態ＯＯＯ～ＸＸＸのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＺＺＺ．微小破砕無機層内のツールマークが、刻印マーク、縞マーク、切断マーク、及びこれらの組み合わせから選択される、実施形態ＯＯＯ～ＹＹＹのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＡＡＡＡ．微小破砕無機層が、約５００ミクロン未満の平均間隔を有する刻印マークのアレイを含む、実施形態ＺＺＺに記載の方法。
実施形態ＢＢＢＢ．アレイ内の刻印マークが、約１５０ミクロン未満の平均間隔を有する、実施形態ＡＡＡＡに記載の方法。
実施形態ＣＣＣＣ．刻印マークが、約１ミクロン～約１０ミクロンの深さを有する、実施形態ＺＺＺ～ＢＢＢＢのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＤＤＤＤ．刻印マークが、半球状、角錐形、又はこれらの組み合わせから選択される断面形状を有する、実施形態ＺＺＺ～ＣＣＣＣのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＥＥＥＥ．刻印マークが、その内部に亀裂を含む、実施形態ＺＺＺ～ＤＤＤＤのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＦＦＦＦ．亀裂が、刻印マークから発出する、実施形態ＺＺＺ～ＥＥＥＥのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＧＧＧＧ．ツールマークが、約１５ｍｍ未満の平均間隔を有する細長い直線状の縞マークを含む、実施形態ＺＺＺ～ＦＦＦＦのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＨＨＨＨ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの不規則なアレイを含む、実施形態ＯＯＯ～ＧＧＧＧのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＩＩＩＩ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの規則的なアレイを含む、実施形態ＯＯＯ～ＧＧＧＧのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＪＪＪＪ．機能層が、絶縁層によって分離された複数の金属層を含み、複数の金属層のうちの少なくとも１つの金属が、ツールに対して破壊される、実施形態ＯＯＯ～ＩＩＩＩのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＫＫＫＫ．複数の金属層中の金属層が、実質的に同じ厚さを有し、複数の金属層中の各金属層が、約１００ｎｍ未満の厚さを有する、実施形態ＪＪＪＪに記載の方法。
実施形態ＬＬＬＬ．複数の金属層中の金属層が、実質的に異なる厚さを有し、複数の金属層中の各金属層が、約１００ｎｍ未満の厚さを有する、実施形態ＪＪＪＪに記載の方法。
実施形態ＭＭＭＭ．機能層が、第１の金属層と、第２の金属層と、第１の金属層と第２の金属層との間にある第２のアクリレート層であって、第１の金属層及び第２の金属層のうちの少なくとも１つがツールに対して破壊される、第２のアクリレート層と、を含む、実施形態ＯＯＯ～ＬＬＬＬのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＮＮＮＮ．第１の金属層が第１のアクリレート層を覆い、かつ第２の金属層の厚さよりも大きい厚さを有し、第１の金属層及び第２の金属層のそれぞれが、１００ナノメートル未満の厚さを有する、実施形態ＭＭＭＭに記載の方法。
実施形態ＯＯＯＯ．パターン化された物品を更に１回以上パターン化して、マルチパターン化された物品を形成することを更に含む、実施形態ＯＯＯ～ＮＮＮＮのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＰＰＰＰ．マルチパターン化された物品が、パターンがその上に重ね合わされた少なくとも１つの微小破砕金属層を更に含み、パターンは、約７５０ミクロン未満の周期を有する刻印されたツールマークを含む、実施形態ＯＯＯＯに記載の方法。
実施形態ＱＱＱＱ．ツールマークが、刻印マークの規則的なアレイを含む、実施形態ＰＰＰＰに記載の方法。
実施形態ＲＲＲＲ．刻印マークが、約５００ミクロン未満の平均間隔を有する、実施形態ＱＱＱＱに記載の方法。
実施形態ＳＳＳＳ．刻印マークが、約１ミクロン～約１０ミクロンの深さを有する、実施形態ＲＲＲＲに記載の方法。
実施形態ＴＴＴＴ．刻印マークが、半球状、角錐形、又はこれらの混合及び組み合わせから選択される断面形状を有する、実施形態ＳＳＳＳに記載の方法。
実施形態ＵＵＵＵ．機能層内の無機層が、個々の金属、混合物として２種以上の金属、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせから選択される、実施形態ＯＯＯ～ＴＴＴＴのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＶＶＶＶ．金属層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｅ、Ａｕ、並びにこれらの混合物及び合金から選択される金属である、実施形態ＵＵＵに記載の方法。
実施形態ＷＷＷＷ．方法であって、
第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層が約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さであり、機能層が３マイクロメートル未満の厚さを有する、機能層と、を含む、パターン化された転写物品を選択することと、
パターン化された転写物品を基材に適用してラミネート構造を形成することであって、ラミネート構造は、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む微小亀裂金属層を含み、複数の金属フレークは、微小亀裂金属層の平面外に存在する少なくとも一部分を含み、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、形成することと、
を含む、方法。
実施形態ＸＸＸＸ．ｈパターン化された転写物品、適用する工程の前又は適用する工程中に少なくとも２次元で延伸される、実施形態ＷＷＷＷに記載の方法。
実施形態ＹＹＹＹ．パターン化された転写物品は、適用する工程の前又は適用する工程中に３次元で延伸される、実施形態ＷＷＷＷに記載の方法。
実施形態ＺＺＺＺ．パターン化された転写物品が、接着剤層を更に含み、接着剤層は、ラミネート構造においてパターン化された転写物品と基材との間にある、実施形態ＷＷＷＷ～ＹＹＹＹのいずれか１つに記載の方法。
実施形態Ａ１．物品であって、
第１の主面及び第２の主面を有する機能層であって、機能層が、
第１の主面を形成する第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層上の機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を有する金属層のスタックを含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
第１のアクリレート層上の第１の接着剤層であって、第１の接着剤層が、光学的に透明である、第１の接着剤層と、
第１の接着剤層上の第１のポリマーフィルム層と、
機能層の第２の主面上の第２のポリマーフィルム層と、
第２のポリマーフィルム層の主面上にあり、かつ機能層の反対側にある第２の接着剤層と、
を備える、物品。
実施形態Ａ２．第２のポリマーフィルムと機能層の第２の主面との間に第３の接着剤層を更に備える、実施形態Ａ１に記載の物品。
実施形態Ａ３．第２の接着剤層が、結合接着剤を含む、実施形態Ａ１に記載の物品。
実施形態Ａ４．金属層のスタックが、絶縁層によって分離された複数の金属層を含み、スタック内の金属層のうちの少なくとも１つが、微小破砕金属層である、実施形態Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ａ５．複数の金属層中の金属層が、実質的に同じ厚さを有し、複数の金属層中の各金属層が、約１００ｎｍ未満の厚さを有する、実施形態Ａ４に記載の物品。
実施形態Ａ６．複数の金属層中の金属層が、実質的に異なる厚さを有し、複数の金属層中の各金属層が、約１００ｎｍ未満の厚さを有する、実施形態Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ａ７．機能層が、第１の金属層と、第２の金属層と、第１のアクリレート層と同じであっても異なっていてもよく、第１の金属層と第２の金属層との間にある第２のアクリレート層であって、第１の金属層及び第２の金属層のうちの少なくとも１つが微小破砕金属層である、第２のアクリレート層と、を含む、実施形態Ａ１～Ａ６のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ａ８．第１の金属層が第１のアクリレート層を覆い、かつ第２の金属層の厚さよりも大きい厚さを有し、第１の金属層及び第２の金属層のそれぞれが、１００ナノメートル未満の厚さを有する、実施形態Ａ７に記載の物品。
実施形態Ａ９．機能層内の金属層のうちの少なくとも１つが、バリア層の間にある、実施形態Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ａ１０．バリア層が、０．１ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過率を有する、実施形態Ａ９に記載の物品。
実施形態Ａ１１．バリア層が、０．００５ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過率を有する、実施形態Ａ９に記載の物品。
実施形態Ａ１２．バリア層が、個々の金属、混合物として２種以上の金属、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせから選択される、実施形態Ａ９～Ａ１１のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ａ１３．第２の接着剤層を表面に適用して、ラミネート構造を形成することを含む、方法。
実施形態Ａ１４．表面が複合曲率を有する、実施形態Ａ１３に記載の方法。
実施形態Ａ１５．微小破砕金属層が、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む微小亀裂金属層を含むように、表面の複合曲率にわたってパターン化された抗菌性物品を延伸することを含み、金属フレークの少なくとも一部分は、微小亀裂金属層の平面外に存在し、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、実施形態Ａ１４に記載の方法。
実施形態Ｂ１．パターン化された抗菌性物品であって、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
機能層上の基材であって、基材が、ポリマーフィルムを含む、基材と、
を含む、物品。
実施形態Ｂ２．金属酸化物層が、酸化銀を含む、実施形態Ｂ１に記載の物品。
実施形態Ｂ３．金属酸化物層が、ＳｉＡｌＯｘを含む、実施形態Ｂ２に記載の物品。
実施形態Ｂ４．基材が、ポリエステルフィルムを含む、実施形態Ｂ１～Ｂ３のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｂ５．ポリエステルフィルムが、ＰＥＴｇを含む、実施形態Ｂ４に記載の物品。
実施形態Ｂ６．金属層のスタックが、第１のアクリレート層上に銀層を含み、銀層上に酸化銀層を含む、実施形態Ｂ１～Ｂ５のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｂ７．金属層のスタックが、第１のアクリレート層上に第１の酸化銀層を含み、第１の酸化銀層上に銀層の第１の主面を含み、銀層の第２の主面上に第２の酸化銀層を含む、実施形態Ｂ６に記載の物品。
実施形態Ｂ８．実施形態Ｂ１の基材を表面に適用して、ラミネート構造を形成することを含む、方法。
実施形態Ｂ９．表面が複合曲率を有する、実施形態Ｂ８に記載の方法。
実施形態Ｂ１０．微小破砕金属層が、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む微小亀裂金属層を含むように、表面の複合曲率にわたってパターン化された抗菌性物品を延伸することを含み、金属フレークの少なくとも一部分は、微小亀裂金属層の平面外に存在し、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、実施形態Ｂ９に記載の方法。
実施形態Ｂ１１．微小破砕金属層中の金属フレークが、１ｃｍ２当たり３ｌｏｇ ＣＦＵ超の抗菌減少を提供する、実施形態Ｂ１０に記載の方法。
実施形態Ｂ１２．微小破砕金属層中の金属フレークのうちの少なくともいくつかが、露出した縁部を含む、実施形態Ｂ１１に記載の方法。
実施形態Ｂ１３．パターン化された抗菌性物品であって、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタックと及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む少なくとも１つの微小亀裂金属層を含み、金属フレークの少なくとも一部分は、微小亀裂金属層の平面外に存在し、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、機能層と、
機能層上の基材であって、基材が、ポリマーフィルムを含む、基材と、
を含む、物品。
実施形態Ｃ１．誘電体物品であって、
パターン化された構造であって、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む少なくとも１つの微小亀裂金属層を含み、金属フレークの少なくとも一部分は、微小亀裂金属層の平面外に存在し、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、機能層と、
パターン化された構造上の少なくとも１つの裏材であって、誘電体物品が、９ＧＨｚ～１０ＧＨｚでＱＷＥＤスプリットポスト誘電体共振器空洞内で測定されるとき、０．１２のｔａｎδ最大値を有する、裏材と、
を含む、パターン化された構造、を含む、誘電体物品。
実施形態Ｃ２．誘電体物品が、３０の実数誘電率最大値を有する、実施形態Ｃ１に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ３．裏材が、光吸収材料を含む、実施形態Ｃ１又はＣ２に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ４．裏材が、黒色ポリマーフィルムである、実施形態Ｃ３に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ５．物品が、裏材の反対側の機能層の主面上に、形成された層を更に含む、実施形態Ｃ１～Ｃ４のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ６．裏材が、その上にパターン化された構造を有する第１の主面と、接着剤の層を含む第２の主面と、を備える、実施形態Ｃ１～Ｃ５のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ７．機能層が、アクリレート層のスタック、並びに金属層及び金属酸化物層のうちの１つを含み、金属層及び金属酸化物層が、Ａｌ、Ａｇ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、並びにこれらの混合物及び組み合わせから選択される金属を含む、実施形態Ｃ１～Ｃ６のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ８．金属層が、異なる厚さを有する、実施形態Ｃ７に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ９．スタックが、金属及び金属酸化物のうちの少なくとも１つの層と交互配置されているアクリレート層を含む、実施形態Ｃ７又はＣ８に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１０．金属酸化物層が、ＳｉＡｌＯｘである、実施形態Ｃ９に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１１．金属層が、１００ミクロン未満の厚さを有する、実施形態Ｃ７～Ｃ１０のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１２．スタックが、アクリレート／Ａｇ／アクリレート／ＳｉＡｌＯｘ／Ｇｅ／ＳｉＡｌＯｘ／アクリレートを含む、実施形態Ｃ７～Ｃ１１のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１３．パターン化された物品が、微小破砕金属層の上に重ね合わされた第２のパターンを含む、実施形態Ｃ１～Ｃ１２のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１４．第２のパターンが、約７５０ミクロン未満の周期を有する構造体の巨視的パターンを含む、実施形態Ｃ１３に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１５．第２のパターン内の構造体が、角錐形凹部を含む、実施形態Ｃ１４に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１６．パターン化された転写物品を基材に適用して、ラミネート構造を形成することを含み、パターン化された転写物品は、第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層を含み、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さであり、ラミネート構造は、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む微小亀裂金属層を含み、複数の金属フレークは、微小亀裂金属層の平面外に存在する少なくとも一部分を含み、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、方法。
実施形態Ｃ１７．パターン化された転写物品は、付着する工程の前又は付着する工程中に少なくとも２次元で延伸される、実施形態Ｃ１６に記載の方法。
実施形態Ｃ１８．パターン化された転写物品は、付着する工程の前又は付着する工程中に３次元で延伸される、実施形態Ｃ１６に記載の方法。
実施形態Ｃ１９．パターン化された転写物品が、パターン化された転写物品と基材との間に接着剤層を更に含む、実施形態Ｃ１～Ｃ１８のいずれか１つに記載の方法。
実施形態Ｃ２０．実施形態Ｃ１６のパターン化された転写物品を、微小破砕金属層の亀裂がクレバスを形成するように、複合曲率を有する表面に適用することを含み、フレークのうちの少なくともいくつかがクレバスで分離し、微小亀裂金属層の平面の外側にフレークの少なくともいくつかの縁部を露出させる、方法。
実施形態Ｄ１．物品であって、
ポリマーフィルム基材と、
ポリマーフィルム基材を覆う光学的に透明な接着剤の層と、
光学的に透明な接着剤の層を覆うパターン化された構造であって、パターン化された構造は、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
パターン化された構造上の裏材と、を含む、パターン化された構造と、
を含む、物品。
実施形態Ｄ２．裏材が、可視光吸収材料を含む、実施形態Ｄ１に記載の物品。
実施形態Ｄ３．裏材が、黒色ポリマーフィルムである、実施形態Ｄ２に記載の物品。
実施形態Ｄ４．裏材が、その上にパターン化された構造を有する第１の主面と、接着剤の層を含む第２の主面と、を備える、実施形態Ｄ１～Ｄ３のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ５．接着剤が、光吸収性である、実施形態Ｄ４に記載の物品。
実施形態Ｄ６．接着剤が、黒色である、実施形態Ｄ５に記載の物品。
実施形態Ｄ７．機能層が、アクリレート層のスタック、並びに金属層及び金属酸化物層のうちの１つを含み、金属層及び金属酸化物層が、Ａｌ、Ａｇ、Ｇｅ、Ｔｉ、並びにこれらの混合物及び組み合わせから選択される金属を含む、実施形態Ｄ１～Ｄ６のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ８．金属層が、異なる厚さを有する、実施形態Ｄ７に記載の物品。
実施形態Ｄ９．スタックが、金属及び金属酸化物のうちの少なくとも１つの層と交互配置されているアクリレート層を含む、実施形態Ｄ７又はＤ８に記載の物品。
実施形態Ｄ１０．金属酸化物が、ＳｉＡｌＯｘ、ＮｂＯｘ、並びにこれらの混合物及び組み合わせから選択される、実施形態Ｄ９に記載の物品。
実施形態Ｄ１１．金属層が、１００ミクロン未満の厚さを有する、実施形態Ｄ７～Ｄ１０のいずれか一項に記載の物品。
実施形態Ｄ１２．スタックが、交互配置されている１つアクリレート層及びＡｌ層を含む、実施形態Ｄ７～Ｄ１１のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ１３．アクリレート層及びＡｌ層が、異なる厚さを有する、実施形態Ｄ１２に記載の物品。
実施形態Ｄ１４．ポリマー基材が、熱成形性ポリマーを含む、実施形態Ｄ１～Ｄ１３のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ１５．ポリマー基材が、ポリエステルフィルム及びポリカーボネートフィルムから選択されるフィルムを含む、実施形態Ｄ１～Ｄ１４のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ１６．ポリエステルフィルムが、ＰＥＴｇである、実施形態Ｄ１５に記載の物品。
実施形態Ｄ１７．スタックが、アクリレート層及び金属酸化物層を含む、実施形態Ｄ７～Ｄ１６のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ１８．金属酸化物層が、５５０ｎｍで少なくとも約２の屈折率を有する金属酸化物の少なくとも１つの層を含む、実施形態Ｄ１７に記載の物品。
実施形態Ｄ１９．金属酸化物層が、ＳｉＡｌＯｘ、ＮｂＯｘ、及びこれらの組み合わせから選択される、実施形態Ｄ１８に記載の物品。
実施形態Ｄ２０．パターン化された物品が、微小破砕金属層の上に重ね合わされた第２のパターンを含む、実施形態Ｄ１～Ｄ１９のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ２１．第２のパターン内の構造体が、角錐形凹部を含む、実施形態Ｄ２０に記載の物品。
実施形態Ｄ２２．物品が、４００～７５０ｎｍの波長では反射性であり、約８３０ｎｍを超える波長では少なくとも部分的に透過性である、実施形態Ｄ１～Ｄ２１のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ２３．パターン化された転写物品を基材に適用して、ラミネート構造を形成することを含み、パターン化された転写物品は、第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層とを含む、機能層を含み、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さであり、ラミネート構造は、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む微小亀裂金属層を含み、複数の金属フレークは、微小亀裂金属層の平面外に存在する少なくとも一部分を含み、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、方法。
実施形態Ｄ２４．パターン化された転写物品は、付着する工程の前又は付着する工程中に少なくとも２次元で延伸される、実施形態Ｄ２３に記載の方法。
実施形態Ｄ２５．パターン化された転写物品は、付着する工程の前又は付着する工程中に３次元で延伸される、実施形態Ｄ２３に記載の方法。
実施形態Ｄ２６．実施形態Ｄ２３のパターン化された転写物品を、微小破砕金属層の亀裂が、クレバスを形成するように、複合曲率を有する表面に適用することを含み、フレークのうちの少なくともいくつかがクレバスで分離し、微小亀裂金属層の平面の外側にフレークの少なくともいくつかの縁部を露出させ、方法。
実施形態Ｄ２７．金属酸化物層が、ＮｂＯｘ、ＳｉＡｌＯｘ、及びこれらの組み合わせから選択される金属を含む、実施形態Ｄ１～Ｄ２６のいずれか１つに記載の物品を含むセンサ。
実施形態Ｄ２８．個々の金属酸化物層が、１１０ミクロン未満の厚さを有する、実施形態Ｄ２７に記載の物品。
実施形態
実施形態Ａ．転写物品であって、
第１のアクリレート層であって、第１のアクリレート層が、２～５０グラム／インチの剥離値で金属層又はドープされた半導体層を含む剥離層から剥離可能である、第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕無機層を含み、微小破砕無機層が約３ナノメートル～約２００ナノメートルの厚さであり、転写物品が３マイクロメートル未満の厚さを有する、機能層と、
を含む、転写物品。
実施形態Ｂ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約１００００個の亀裂を含む、実施形態Ａに記載の転写物品。
実施形態Ｃ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約２０００個のツールマークを含む、実施形態Ａ又はＢに記載の転写物品。
実施形態Ｄ．複数の亀裂が、微小破砕無機層の第１の主面から、微小破砕無機層の第２の第２の主面まで延びる、実施形態Ａ～Ｃのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｅ．微小破砕無機層内のツールマークが、刻印マーク、縞マーク、切断マーク、及びこれらの組み合わせから選択される、実施形態Ａ～Ｄのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｆ．微小破砕無機層が、約５００ミクロン未満の平均間隔を有する刻印マークのアレイを含む、実施形態Ｅに記載の転写物品。
実施形態Ｇ．アレイ内の刻印マークが、約１５０ミクロン未満の平均間隔を有する、実施形態Ｅに記載の転写物品。
実施形態Ｈ．刻印マークが、約１ミクロン～約１０ミクロンの深さを有する、実施形態Ｇに記載の転写物品。
実施形態Ｉ．刻印マークが、半球状、角錐形、又はこれらの組み合わせから選択される断面形状を有する、実施形態Ｅに記載の転写物品。
実施形態Ｊ．刻印マークが、その内部に亀裂を含む、実施形態Ｅ～Ｉのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｋ．亀裂が、刻印マークから発出する、実施形態Ｅ～Ｊのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｌ．ツールマークが、約１５ｍｍ未満の平均間隔を有する細長い直線状の縞マークを含む、実施形態Ｅ～Ｋのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｍ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの不規則なアレイを含む、実施形態Ａ～Ｌのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｎ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの規則的なアレイを含む、実施形態Ａ～Ｍのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｏ．第１のアクリレート層が、剥離層から２～３０ｇ／インチの剥離値で剥離可能である、実施形態Ａ～Ｎのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｐ．第１のアクリレート層が、剥離層から２～１５ｇ／インチの剥離値で剥離可能である、実施形態Ａ～Ｏのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｑ．機能層を覆う低弾性率層を更に含み、低弾性率層は、約５０ＭＰａ～約１０００ＭＰａの弾性率を有する、実施形態Ａ～Ｐのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｒ．低弾性率層が接着剤層である、実施形態Ｑに記載の転写物品。
実施形態Ｓ．接着剤層がアクリル接着剤を含む、実施形態Ｒに記載の転写物品。
実施形態Ｔ．接着剤層が感圧接着剤を含む、実施形態Ｒ～Ｓのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｕ．接着剤層が感圧接着剤を含む、実施形態Ｒ～Ｓのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｖ．機能層の厚さが、１μｍ未満である、実施形態Ａ～Ｕのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｗ．機能層の厚さが、０．５μｍ未満である、実施形態Ａ～Ｖのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｘ．機能層が、絶縁層によって分離された複数の無機層を含み、複数の金属層及び金属酸化物層のうちの少なくとも１つの無機層が、微小破砕層である、実施形態Ａ～Ｗのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態Ｙ．複数の無機層中の無機層が、実質的に同じ厚さを有し、複数の無機層中の各無機層が、約５ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有する、実施形態Ｘに記載の転写物品。
実施形態Ｚ．機能層が、
第１の無機層と、
第２の無機層と、
第１のアクリレート層と同じであっても異なっていてもよく、第１の無機層と第２の無機層との間にある第２のアクリレート層であって、第１の無機層及び第２の無機層のうちの少なくとも１つは、微小破砕層である、第２のアクリレート層と、
を含む、実施形態Ａ～Ｙのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態ＡＡ．第１の無機層が第１のアクリレート層を覆い、かつ第２の無機層の厚さよりも大きい厚さを有し、第１の無機層及び第２の無機層のそれぞれが、１００ナノメートル未満の厚さを有する、実施形態Ｚに記載の転写物品。
実施形態ＢＢ．機能層を覆う接着剤層を更に含む、実施形態Ｚ～ＡＡのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態ＣＣ．接着剤層が感圧接着剤を含む、実施形態ＢＢに記載の転写物品。
実施形態ＤＤ．接着剤がアクリル接着剤である、実施形態ＢＢに記載の転写物品。
実施形態ＥＥ．微小破砕無機層が、その上に重ね合わされたマクロパターンを更に含み、パターンが、約７５０ミクロン未満の周期を有するツールマークを含む、実施形態Ａ～ＤＤのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態ＦＦ．ツールマークが、刻印マークの規則的なアレイを含む、実施形態ＥＥに記載の転写物品。
実施形態ＧＧ．刻印マークが、約５００ミクロン未満の平均間隔を有する、実施形態ＦＦに記載の転写物品。
実施形態ＨＨ．微小破砕無機層が、元素金属、２種以上の金属の混合物、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせから選択される、実施形態Ａ～ＧＧのいずれか１つに記載の転写物品。
実施形態ＩＩ．微小破砕無機層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、並びにこれらの混合物及び合金から選択される金属である、実施形態ＨＨに記載の転写物品。
実施形態ＪＪ．機能層が対象の表面に隣接する状態で、実施形態Ａ～ＩＩのいずれか１つに記載の転写物品を対象の表面に適用することを含む方法。
実施形態ＫＫ．物品であって、
第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕無機層を含み、微小破砕無機層が約５ｎｍ～約１００ｎｍの厚さである、機能層と、
機能層上の低弾性率層であって、低弾性率層が、約０．１ＭＰａ～約１００ＭＰａの弾性率を有する少なくとも１つの層を含む、低弾性率層と、を含む、物品。
実施形態ＬＬ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約１００００個の亀裂を含む、実施形態ＫＫに記載の転写物品。
実施形態ＭＭ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約２０００個のツールマークを含む、実施形態ＫＫ又はＬＬに記載の転写物品。
実施形態ＮＮ．複数の亀裂が、微小破砕無機層の第１の主面から微小破砕無機層の第２の第２の主面まで延びる、実施形態ＫＫ～ＭＭのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＯＯ．微小破砕無機層内のツールマークが、刻印マーク、縞マーク、切断マーク、及びこれらの組み合わせから選択される、実施形態ＫＫ～ＮＮのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＰＰ．微小破砕無機層が、約５００ミクロン未満の平均間隔を有する刻印マークのアレイを含む、実施形態ＯＯに記載の物品。
実施形態ＱＱ．アレイ内の刻印マークが、約１５０ミクロン未満の平均間隔を有する、実施形態ＯＯに記載の物品。
実施形態ＲＲ．刻印マークが、約１ミクロン～約１０ミクロンの深さを有する、実施形態ＯＯに記載の物品。
実施形態ＳＳ．刻印マークが、半球状、角錐形、又はこれらの組み合わせから選択される断面形状を有する、実施形態ＯＯ～ＲＲのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＴＴ．刻印マークが、その内部に亀裂を含む、実施形態ＯＯ～ＳＳのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＵＵ．亀裂が、刻印マークから発出する、実施形態ＯＯ～ＴＴのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＶＶ．ツールマークが、約１５ｍｍ未満の平均間隔を有する細長い直線状の縞マークを含む、実施形態ＯＯ～ＵＵのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＷＷ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの不規則なアレイを含む、実施形態ＫＫ～ＶＶのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＸＸ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの規則的なアレイを含む、実施形態ＫＫ～ＷＷのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＹＹ．第１のアクリレート層が、金属及び半導体酸化物から選択される剥離層から２～３０ｇ／インチの剥離値で剥離可能である、実施形態ＫＫ～ＸＸのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＺＺ．第１のアクリレート層が、金属及び半導体酸化物から選択される剥離層から２～３０ｇ／インチの剥離値で剥離可能である、実施形態ＫＫ～ＹＹのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＡＡＡ．機能層に覆う接着剤層を更に含む、実施形態ＫＫ～ＺＺのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＢＢＢ．機能層の厚さが、１μｍ未満である、実施形態ＫＫ～ＡＡＡのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＣＣＣ．機能層の厚さが、０．５μｍ未満である、実施形態ＫＫ～ＡＡＡのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＤＤＤ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの不規則なアレイを含む、実施形態ＫＫ～ＣＣＣのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＥＥＥ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの規則的なアレイを含む、実施形態ＫＫ～ＤＤＤのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＦＦＦ．ツールマークが、その内部に亀裂を含む、実施形態ＫＫ～ＥＥＥのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＧＧＧ．機能層が、絶縁層によって分離された複数の無機層を含み、複数の金属層のうちの少なくとも１つの無機層が、微小破砕無機層である、実施形態ＫＫ～ＦＦＦのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＨＨＨ．複数の無機層中の無機層が、実質的に同じ厚さを有し、複数の無機層中の各無機層が、約５ｎｍ～約１００ｎｍの厚さを有する、実施形態ＧＧＧに記載の物品。
実施形態ＩＩＩ．機能層が、第１の金属層と、第２の金属層と、第１のアクリレート層と同じであっても異なっていてもよく、第１の金属層と第２の金属層との間にある第２のアクリレート層であって、第１の金属層及び第２の金属層のうちの少なくとも１つが微小破砕層である、第２のアクリレート層と、を含む、実施形態ＫＫ～ＨＨＨのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＪＪＪ．第１の金属層が第１のアクリレート層を覆い、かつ第２の金属層の厚さよりも大きい厚さを有し、第１の金属層及び第２の金属層のそれぞれが、１００ナノメートル未満の厚さを有する、実施形態ＩＩＩに記載の物品。
実施形態ＫＫＫ．微小破砕無機層が、その上に重ね合わされたパターンを更に含み、パターンが、約７５０ミクロン未満の周期を有するツールマークを含む、実施形態ＫＫ～ＪＪＪのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＬＬＬ．微小破砕無機層が、元素金属、２種以上の金属の混合物、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせから選択される、実施形態ＫＫ～ＫＫＫのいずれか１つに記載の物品。
実施形態ＭＭＭ．微小破砕無機層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｇｅ、Ａｕ、並びにこれらの混合物及び合金から選択される金属である、実施形態ＬＬＬに記載の転写物品。
実施形態ＮＮＮ．機能層が、剥離層と対象の表面との間にある状態で、実施形態ＫＫ～ＭＭＭのいずれか一項に記載の転写物品を対象の表面に適用することを含む方法。
実施形態ＯＯＯ．パターン化された物品の製造方法であって、
金属層又はドープされた半導体層から選択された剥離層から、転写物品を除去することであって、転写物品が、
剥離層を覆う第１のアクリレート層であって、剥離層と第１のアクリレート層との間の剥離値が、２～５０グラム／インチである、第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層が、少なくとも１つの無機層を含む、機能層と、を含む、除去することと、
第１のアクリレート層を、約２００ミクロン未満の周期を有する構造体を含むツールと接触させて、機能層の少なくとも１つの無機層に、その間に亀裂が散在するように複数のツールマークを形成して、パターン化された物品に微小破砕無機層を提供することと、
を含む、方法。
実施形態ＰＰＰ．転写物品の機能層を、約１０００ＭＰａ未満の弾性率を有する低弾性率材料の層にラミネートして、パターン化可能な構造を形成することを更に含む、実施形態ＯＯＯに記載の方法。
実施形態ＱＱＱ．低弾性率材料の層が、接着剤を含む、実施形態ＰＰＰに記載の方法。
実施形態ＲＲＲ．パターン化工程の後に、パターン化された物品の接着剤層を対象の基材に適用する工程を更に含む、実施形態ＱＱＱに記載の方法。
実施形態ＳＳＳ．剥離層がポリマー基材を覆う、実施形態ＯＯＯ～ＲＲＲのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＴＴＴ．機能層の厚さが、５μｍ未満である、実施形態ＯＯＯ～ＳＳＳのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＵＵＵ．機能層の厚さが、１μｍ未満である、実施形態ＯＯＯ～ＳＳＳのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＶＶＶ．機能層の厚さが、０．５μｍ未満である、実施形態ＯＯＯ～ＳＳＳのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＷＷＷ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約１００００個の亀裂を含む、実施形態ＯＯＯ～ＶＶＶのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＸＸＸ．微小破砕無機層が、１ｍｍ２当たり約０．３～約２０００個のツールマークを含む、実施形態ＯＯＯ～ＶＶＶのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＹＹＹ．複数の亀裂が、微小破砕無機層の第１の主面から微小破砕無機層の第２の第２の主面まで延びる、実施形態ＯＯＯ～ＸＸＸのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＺＺＺ．微小破砕無機層内のツールマークが、刻印マーク、縞マーク、切断マーク、及びこれらの組み合わせから選択される、実施形態ＯＯＯ～ＹＹＹのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＡＡＡＡ．微小破砕無機層が、約５００ミクロン未満の平均間隔を有する刻印マークのアレイを含む、実施形態ＺＺＺに記載の方法。
実施形態ＢＢＢＢ．アレイ内の刻印マークが、約１５０ミクロン未満の平均間隔を有する、実施形態ＡＡＡＡに記載の方法。
実施形態ＣＣＣＣ．刻印マークが、約１ミクロン～約１０ミクロンの深さを有する、実施形態ＺＺＺ～ＢＢＢＢのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＤＤＤＤ．刻印マークが、半球状、角錐形、又はこれらの組み合わせから選択される断面形状を有する、実施形態ＺＺＺ～ＣＣＣＣのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＥＥＥＥ．刻印マークが、その内部に亀裂を含む、実施形態ＺＺＺ～ＤＤＤＤのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＦＦＦＦ．亀裂が、刻印マークから発出する、実施形態ＺＺＺ～ＥＥＥＥのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＧＧＧＧ．ツールマークが、約１５ｍｍ未満の平均間隔を有する細長い直線状の縞マークを含む、実施形態ＺＺＺ～ＦＦＦＦのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＨＨＨＨ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの不規則なアレイを含む、実施形態ＯＯＯ～ＧＧＧＧのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＩＩＩＩ．微小破砕無機層が、亀裂によって分離されたツールマークの規則的なアレイを含む、実施形態ＯＯＯ～ＧＧＧＧのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＪＪＪＪ．機能層が、絶縁層によって分離された複数の金属層を含み、複数の金属層のうちの少なくとも１つの金属が、ツールに対して破壊される、実施形態ＯＯＯ～ＩＩＩＩのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＫＫＫＫ．複数の金属層中の金属層が、実質的に同じ厚さを有し、複数の金属層中の各金属層が、約１００ｎｍ未満の厚さを有する、実施形態ＪＪＪＪに記載の方法。
実施形態ＬＬＬＬ．複数の金属層中の金属層が、実質的に異なる厚さを有し、複数の金属層中の各金属層が、約１００ｎｍ未満の厚さを有する、実施形態ＪＪＪＪに記載の方法。
実施形態ＭＭＭＭ．機能層が、第１の金属層と、第２の金属層と、第１の金属層と第２の金属層との間にある第２のアクリレート層であって、第１の金属層及び第２の金属層のうちの少なくとも１つがツールに対して破壊される、第２のアクリレート層と、を含む、実施形態ＯＯＯ～ＬＬＬＬのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＮＮＮＮ．第１の金属層が第１のアクリレート層を覆い、かつ第２の金属層の厚さよりも大きい厚さを有し、第１の金属層及び第２の金属層のそれぞれが、１００ナノメートル未満の厚さを有する、実施形態ＭＭＭＭに記載の方法。
実施形態ＯＯＯＯ．パターン化された物品を更に１回以上パターン化して、マルチパターン化された物品を形成することを更に含む、実施形態ＯＯＯ～ＮＮＮＮのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＰＰＰＰ．マルチパターン化された物品が、パターンがその上に重ね合わされた少なくとも１つの微小破砕金属層を更に含み、パターンは、約７５０ミクロン未満の周期を有する刻印されたツールマークを含む、実施形態ＯＯＯＯに記載の方法。
実施形態ＱＱＱＱ．ツールマークが、刻印マークの規則的なアレイを含む、実施形態ＰＰＰＰに記載の方法。
実施形態ＲＲＲＲ．刻印マークが、約５００ミクロン未満の平均間隔を有する、実施形態ＱＱＱＱに記載の方法。
実施形態ＳＳＳＳ．刻印マークが、約１ミクロン～約１０ミクロンの深さを有する、実施形態ＲＲＲＲに記載の方法。
実施形態ＴＴＴＴ．刻印マークが、半球状、角錐形、又はこれらの混合及び組み合わせから選択される断面形状を有する、実施形態ＳＳＳＳに記載の方法。
実施形態ＵＵＵＵ．機能層内の無機層が、個々の金属、混合物として２種以上の金属、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせから選択される、実施形態ＯＯＯ～ＴＴＴＴのいずれか１つに記載の方法。
実施形態ＶＶＶＶ．金属層が、Ａｇ、Ａｌ、Ｓｅ、Ａｕ、並びにこれらの混合物及び合金から選択される金属である、実施形態ＵＵＵに記載の方法。
実施形態ＷＷＷＷ．方法であって、
第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層を覆う機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層が約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さであり、機能層が３マイクロメートル未満の厚さを有する、機能層と、を含む、パターン化された転写物品を選択することと、
パターン化された転写物品を基材に適用してラミネート構造を形成することであって、ラミネート構造は、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む微小亀裂金属層を含み、複数の金属フレークは、微小亀裂金属層の平面外に存在する少なくとも一部分を含み、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、形成することと、
を含む、方法。
実施形態ＸＸＸＸ．ｈパターン化された転写物品、適用する工程の前又は適用する工程中に少なくとも２次元で延伸される、実施形態ＷＷＷＷに記載の方法。
実施形態ＹＹＹＹ．パターン化された転写物品は、適用する工程の前又は適用する工程中に３次元で延伸される、実施形態ＷＷＷＷに記載の方法。
実施形態ＺＺＺＺ．パターン化された転写物品が、接着剤層を更に含み、接着剤層は、ラミネート構造においてパターン化された転写物品と基材との間にある、実施形態ＷＷＷＷ～ＹＹＹＹのいずれか１つに記載の方法。
実施形態Ａ１．物品であって、
第１の主面及び第２の主面を有する機能層であって、機能層が、
第１の主面を形成する第１のアクリレート層と、
第１のアクリレート層上の機能層であって、機能層は、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を有する金属層のスタックを含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
第１のアクリレート層上の第１の接着剤層であって、第１の接着剤層が、光学的に透明である、第１の接着剤層と、
第１の接着剤層上の第１のポリマーフィルム層と、
機能層の第２の主面上の第２のポリマーフィルム層と、
第２のポリマーフィルム層の主面上にあり、かつ機能層の反対側にある第２の接着剤層と、
を備える、物品。
実施形態Ａ２．第２のポリマーフィルムと機能層の第２の主面との間に第３の接着剤層を更に備える、実施形態Ａ１に記載の物品。
実施形態Ａ３．第２の接着剤層が、結合接着剤を含む、実施形態Ａ１に記載の物品。
実施形態Ａ４．金属層のスタックが、絶縁層によって分離された複数の金属層を含み、スタック内の金属層のうちの少なくとも１つが、微小破砕金属層である、実施形態Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ａ５．複数の金属層中の金属層が、実質的に同じ厚さを有し、複数の金属層中の各金属層が、約１００ｎｍ未満の厚さを有する、実施形態Ａ４に記載の物品。
実施形態Ａ６．複数の金属層中の金属層が、実質的に異なる厚さを有し、複数の金属層中の各金属層が、約１００ｎｍ未満の厚さを有する、実施形態Ａ１～Ａ３のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ａ７．機能層が、第１の金属層と、第２の金属層と、第１のアクリレート層と同じであっても異なっていてもよく、第１の金属層と第２の金属層との間にある第２のアクリレート層であって、第１の金属層及び第２の金属層のうちの少なくとも１つが微小破砕金属層である、第２のアクリレート層と、を含む、実施形態Ａ１～Ａ６のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ａ８．第１の金属層が第１のアクリレート層を覆い、かつ第２の金属層の厚さよりも大きい厚さを有し、第１の金属層及び第２の金属層のそれぞれが、１００ナノメートル未満の厚さを有する、実施形態Ａ７に記載の物品。
実施形態Ａ９．機能層内の金属層のうちの少なくとも１つが、バリア層の間にある、実施形態Ａ１～Ａ８のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ａ１０．バリア層が、０．１ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過率を有する、実施形態Ａ９に記載の物品。
実施形態Ａ１１．バリア層が、０．００５ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過率を有する、実施形態Ａ９に記載の物品。
実施形態Ａ１２．バリア層が、個々の金属、混合物として２種以上の金属、金属間化合物又は合金、半金属又はメタロイド、金属酸化物、金属及び混合金属酸化物、金属及び混合金属フッ化物、金属及び混合金属窒化物、金属及び混合金属炭化物、金属及び混合金属炭窒化物、金属及び混合金属酸窒化物、金属及び混合金属ホウ化物、金属及び混合金属オキシホウ化物、金属及び混合金属ケイ化物、ダイヤモンド様炭素、ダイヤモンド様ガラス、グラフェン、並びにこれらの組み合わせから選択される、実施形態Ａ９～Ａ１１のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ａ１３．第２の接着剤層を表面に適用して、ラミネート構造を形成することを含む、方法。
実施形態Ａ１４．表面が複合曲率を有する、実施形態Ａ１３に記載の方法。
実施形態Ａ１５．微小破砕金属層が、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む微小亀裂金属層を含むように、表面の複合曲率にわたってパターン化された抗菌性物品を延伸することを含み、金属フレークの少なくとも一部分は、微小亀裂金属層の平面外に存在し、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、実施形態Ａ１４に記載の方法。
実施形態Ｂ１．パターン化された抗菌性物品であって、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
機能層上の基材であって、基材が、ポリマーフィルムを含む、基材と、
を含む、物品。
実施形態Ｂ２．金属酸化物層が、酸化銀を含む、実施形態Ｂ１に記載の物品。
実施形態Ｂ３．金属酸化物層が、ＳｉＡｌＯｘを含む、実施形態Ｂ２に記載の物品。
実施形態Ｂ４．基材が、ポリエステルフィルムを含む、実施形態Ｂ１～Ｂ３のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｂ５．ポリエステルフィルムが、ＰＥＴｇを含む、実施形態Ｂ４に記載の物品。
実施形態Ｂ６．金属層のスタックが、第１のアクリレート層上に銀層を含み、銀層上に酸化銀層を含む、実施形態Ｂ１～Ｂ５のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｂ７．金属層のスタックが、第１のアクリレート層上に第１の酸化銀層を含み、第１の酸化銀層上に銀層の第１の主面を含み、銀層の第２の主面上に第２の酸化銀層を含む、実施形態Ｂ６に記載の物品。
実施形態Ｂ８．実施形態Ｂ１の基材を表面に適用して、ラミネート構造を形成することを含む、方法。
実施形態Ｂ９．表面が複合曲率を有する、実施形態Ｂ８に記載の方法。
実施形態Ｂ１０．微小破砕金属層が、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む微小亀裂金属層を含むように、表面の複合曲率にわたってパターン化された抗菌性物品を延伸することを含み、金属フレークの少なくとも一部分は、微小亀裂金属層の平面外に存在し、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、実施形態Ｂ９に記載の方法。
実施形態Ｂ１１．微小破砕金属層中の金属フレークが、１ｃｍ２当たり３ｌｏｇ ＣＦＵ超の抗菌減少を提供する、実施形態Ｂ１０に記載の方法。
実施形態Ｂ１２．微小破砕金属層中の金属フレークのうちの少なくともいくつかが、露出した縁部を含む、実施形態Ｂ１１に記載の方法。
実施形態Ｂ１３．パターン化された抗菌性物品であって、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタックと及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む少なくとも１つの微小亀裂金属層を含み、金属フレークの少なくとも一部分は、微小亀裂金属層の平面外に存在し、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、機能層と、
機能層上の基材であって、基材が、ポリマーフィルムを含む、基材と、
を含む、物品。
実施形態Ｃ１．誘電体物品であって、
パターン化された構造であって、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む少なくとも１つの微小亀裂金属層を含み、金属フレークの少なくとも一部分は、微小亀裂金属層の平面外に存在し、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、機能層と、
パターン化された構造上の少なくとも１つの裏材であって、誘電体物品が、９ＧＨｚ～１０ＧＨｚでＱＷＥＤスプリットポスト誘電体共振器空洞内で測定されるとき、０．１２のｔａｎδ最大値を有する、裏材と、
を含む、パターン化された構造、を含む、誘電体物品。
実施形態Ｃ２．誘電体物品が、３０の実数誘電率最大値を有する、実施形態Ｃ１に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ３．裏材が、光吸収材料を含む、実施形態Ｃ１又はＣ２に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ４．裏材が、黒色ポリマーフィルムである、実施形態Ｃ３に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ５．物品が、裏材の反対側の機能層の主面上に、形成された層を更に含む、実施形態Ｃ１～Ｃ４のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ６．裏材が、その上にパターン化された構造を有する第１の主面と、接着剤の層を含む第２の主面と、を備える、実施形態Ｃ１～Ｃ５のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ７．機能層が、アクリレート層のスタック、並びに金属層及び金属酸化物層のうちの１つを含み、金属層及び金属酸化物層が、Ａｌ、Ａｇ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｓｉ、並びにこれらの混合物及び組み合わせから選択される金属を含む、実施形態Ｃ１～Ｃ６のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ８．金属層が、異なる厚さを有する、実施形態Ｃ７に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ９．スタックが、金属及び金属酸化物のうちの少なくとも１つの層と交互配置されているアクリレート層を含む、実施形態Ｃ７又はＣ８に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１０．金属酸化物層が、ＳｉＡｌＯｘである、実施形態Ｃ９に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１１．金属層が、１００ミクロン未満の厚さを有する、実施形態Ｃ７～Ｃ１０のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１２．スタックが、アクリレート／Ａｇ／アクリレート／ＳｉＡｌＯｘ／Ｇｅ／ＳｉＡｌＯｘ／アクリレートを含む、実施形態Ｃ７～Ｃ１１のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１３．パターン化された物品が、微小破砕金属層の上に重ね合わされた第２のパターンを含む、実施形態Ｃ１～Ｃ１２のいずれか１つに記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１４．第２のパターンが、約７５０ミクロン未満の周期を有する構造体の巨視的パターンを含む、実施形態Ｃ１３に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１５．第２のパターン内の構造体が、角錐形凹部を含む、実施形態Ｃ１４に記載の誘電体物品。
実施形態Ｃ１６．パターン化された転写物品を基材に適用して、ラミネート構造を形成することを含み、パターン化された転写物品は、第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層を含み、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さであり、ラミネート構造は、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む微小亀裂金属層を含み、複数の金属フレークは、微小亀裂金属層の平面外に存在する少なくとも一部分を含み、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、方法。
実施形態Ｃ１７．パターン化された転写物品は、付着する工程の前又は付着する工程中に少なくとも２次元で延伸される、実施形態Ｃ１６に記載の方法。
実施形態Ｃ１８．パターン化された転写物品は、付着する工程の前又は付着する工程中に３次元で延伸される、実施形態Ｃ１６に記載の方法。
実施形態Ｃ１９．パターン化された転写物品が、パターン化された転写物品と基材との間に接着剤層を更に含む、実施形態Ｃ１～Ｃ１８のいずれか１つに記載の方法。
実施形態Ｃ２０．実施形態Ｃ１６のパターン化された転写物品を、微小破砕金属層の亀裂がクレバスを形成するように、複合曲率を有する表面に適用することを含み、フレークのうちの少なくともいくつかがクレバスで分離し、微小亀裂金属層の平面の外側にフレークの少なくともいくつかの縁部を露出させる、方法。
実施形態Ｄ１．物品であって、
ポリマーフィルム基材と、
ポリマーフィルム基材を覆う光学的に透明な接着剤の層と、
光学的に透明な接着剤の層を覆うパターン化された構造であって、パターン化された構造は、
第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層と、を含む機能層であって、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さである、機能層と、
パターン化された構造上の裏材と、を含む、パターン化された構造と、
を含む、物品。
実施形態Ｄ２．裏材が、可視光吸収材料を含む、実施形態Ｄ１に記載の物品。
実施形態Ｄ３．裏材が、黒色ポリマーフィルムである、実施形態Ｄ２に記載の物品。
実施形態Ｄ４．裏材が、その上にパターン化された構造を有する第１の主面と、接着剤の層を含む第２の主面と、を備える、実施形態Ｄ１～Ｄ３のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ５．接着剤が、光吸収性である、実施形態Ｄ４に記載の物品。
実施形態Ｄ６．接着剤が、黒色である、実施形態Ｄ５に記載の物品。
実施形態Ｄ７．機能層が、アクリレート層のスタック、並びに金属層及び金属酸化物層のうちの１つを含み、金属層及び金属酸化物層が、Ａｌ、Ａｇ、Ｇｅ、Ｔｉ、並びにこれらの混合物及び組み合わせから選択される金属を含む、実施形態Ｄ１～Ｄ６のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ８．金属層が、異なる厚さを有する、実施形態Ｄ７に記載の物品。
実施形態Ｄ９．スタックが、金属及び金属酸化物のうちの少なくとも１つの層と交互配置されているアクリレート層を含む、実施形態Ｄ７又はＤ８に記載の物品。
実施形態Ｄ１０．金属酸化物が、ＳｉＡｌＯｘ、ＮｂＯｘ、並びにこれらの混合物及び組み合わせから選択される、実施形態Ｄ９に記載の物品。
実施形態Ｄ１１．金属層が、１００ミクロン未満の厚さを有する、実施形態Ｄ７～Ｄ１０のいずれか一項に記載の物品。
実施形態Ｄ１２．スタックが、交互配置されている１つアクリレート層及びＡｌ層を含む、実施形態Ｄ７～Ｄ１１のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ１３．アクリレート層及びＡｌ層が、異なる厚さを有する、実施形態Ｄ１２に記載の物品。
実施形態Ｄ１４．ポリマー基材が、熱成形性ポリマーを含む、実施形態Ｄ１～Ｄ１３のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ１５．ポリマー基材が、ポリエステルフィルム及びポリカーボネートフィルムから選択されるフィルムを含む、実施形態Ｄ１～Ｄ１４のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ１６．ポリエステルフィルムが、ＰＥＴｇである、実施形態Ｄ１５に記載の物品。
実施形態Ｄ１７．スタックが、アクリレート層及び金属酸化物層を含む、実施形態Ｄ７～Ｄ１６のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ１８．金属酸化物層が、５５０ｎｍで少なくとも約２の屈折率を有する金属酸化物の少なくとも１つの層を含む、実施形態Ｄ１７に記載の物品。
実施形態Ｄ１９．金属酸化物層が、ＳｉＡｌＯｘ、ＮｂＯｘ、及びこれらの組み合わせから選択される、実施形態Ｄ１８に記載の物品。
実施形態Ｄ２０．パターン化された物品が、微小破砕金属層の上に重ね合わされた第２のパターンを含む、実施形態Ｄ１～Ｄ１９のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ２１．第２のパターン内の構造体が、角錐形凹部を含む、実施形態Ｄ２０に記載の物品。
実施形態Ｄ２２．物品が、４００～７５０ｎｍの波長では反射性であり、約８３０ｎｍを超える波長では少なくとも部分的に透過性である、実施形態Ｄ１～Ｄ２１のいずれか１つに記載の物品。
実施形態Ｄ２３．パターン化された転写物品を基材に適用して、ラミネート構造を形成することを含み、パターン化された転写物品は、第１のアクリレート層と、第１のアクリレート層上の金属層のスタック及び金属酸化物層とを含む、機能層を含み、金属層のスタックは、その間に亀裂が散在する複数のツールマークを含む少なくとも１つの微小破砕金属層を含み、微小破砕金属層は、約５ナノメートル～約１００ナノメートルの厚さであり、ラミネート構造は、クレバス間に散在する複数の金属フレークを含む微小亀裂金属層を含み、複数の金属フレークは、微小亀裂金属層の平面外に存在する少なくとも一部分を含み、クレバスは、約１ミクロン～約５０ミクロンの平均幅を有する、方法。
実施形態Ｄ２４．パターン化された転写物品は、付着する工程の前又は付着する工程中に少なくとも２次元で延伸される、実施形態Ｄ２３に記載の方法。
実施形態Ｄ２５．パターン化された転写物品は、付着する工程の前又は付着する工程中に３次元で延伸される、実施形態Ｄ２３に記載の方法。
実施形態Ｄ２６．実施形態Ｄ２３のパターン化された転写物品を、微小破砕金属層の亀裂が、クレバスを形成するように、複合曲率を有する表面に適用することを含み、フレークのうちの少なくともいくつかがクレバスで分離し、微小亀裂金属層の平面の外側にフレークの少なくともいくつかの縁部を露出させ、方法。
実施形態Ｄ２７．金属酸化物層が、ＮｂＯｘ、ＳｉＡｌＯｘ、及びこれらの組み合わせから選択される金属を含む、実施形態Ｄ１～Ｄ２６のいずれか１つに記載の物品を含むセンサ。
実施形態Ｄ２８．個々の金属酸化物層が、１１０ミクロン未満の厚さを有する、実施形態Ｄ２７に記載の物品。
【0181】
本発明の様々な実施形態を説明した。これらの実施形態及び他の実施形態は、以下の特許請求の範囲内にある。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
