(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B1)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-10
(45)【発行日】2024-07-19
(54)【発明の名称】蒸着装置
(51)【国際特許分類】
C23C 14/24 20060101AFI20240711BHJP
【ＦＩ】
C23C14/24 J
【請求項の数】
6
(21)【出願番号】P 2023175252
(22)【出願日】2023-10-10
【審査請求日】2023-12-25
【早期審査対象出願】
(73)【特許権者】
【識別番号】300075751
【氏名又は名称】株式会社オプトラン
(74)【代理人】
【識別番号】100133411
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 龍郎
(74)【代理人】
【識別番号】100067677
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 彰司
(72)【発明者】
【氏名】黄 新偉
(72)【発明者】
【氏名】呉 博尋
【審査官】富永 泰規
(56)【参考文献】
【文献】特開２００８－３０４４９７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０２－３０５９５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－０９６６４１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｃ２３Ｃ １４／００ － １４／５８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
内部が所定の圧力に減圧可能となっている真空チャンバと、前記真空チャンバ内に回転自在に設けられた１つの円形の基板ホルダと、
前記基板ホルダの下面に保持された複数の基板と、
蒸着材料の蒸気を噴出する複数の真空蒸着源と、を有し、
前記基板ホルダは、前記真空蒸着源の蒸着材料の蒸気を噴出する方向に前記基板の膜形成面が臨むように、前記複数の基板を保持するようになっており、
前記基板ホルダが、前記真空蒸着源のそれぞれに対して、前記複数の基板の前記真空蒸着源からの距離と角度が最適となるように、前記基板を保持し、
前記基板ホルダには、前記複数の基板のそれぞれが個別に載置されるように、独立した複数の基板載置部が設けられており、前記それぞれの基板載置部は、前記複数の基板の前記真空蒸着源からの距離と角度が最適となるように、その高さと下面の傾きが異なっており、
前記真空蒸着源が、第１真空蒸発源および第２真空蒸着源の２つからなり、
前記基板載置部は、前記蒸着材料の蒸気の飛翔分布を考慮して、断面上で前記第１真空蒸発源および前記第２真空蒸着源のそれぞれから、前記各基板までの距離と角度が同じになるように、その高さと下面の傾きが異なって形成されている蒸着装置。
【請求項2】
前記基板ホルダは、前記真空蒸着源のそれぞれに臨む下面が凹状になっており、その下面に、前記複数の基板が配列して設置されている請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項3】
前記基板ホルダは、成膜処理において、駆動モータにより回転駆動される請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項4】
前記蒸着装置が、前記基板ホルダを保持するホルダ支持部を有しており、前記ホルダ支持部が、前記真空チャンバの上部に突出して設けられた駆動モータより前記真空チャンバ内の下方に伸びる回転軸の下部に取り付けられ、前記ホルダ支持部の下面に、前記基板の膜形成面が前記真空蒸着源側に臨むように、前記基板を保持する前記基板ホルダが設けられている請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項5】
前記基板ホルダの断面は、各第１真空蒸発源および第２真空蒸着源側に臨むそれぞれの下面が凹状に形成された緩やかなＭ型となる請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項6】
内部が所定の圧力に減圧可能となっている真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に回転自在に設けられた１つの円形の基板ホルダと、
前記基板ホルダの下面に保持された複数の基板と、
蒸着材料の蒸気を噴出する複数の真空蒸着源と、を有し、
前記基板ホルダは、前記真空蒸着源の蒸着材料の蒸気を噴出する方向に前記基板の膜形成面が臨むように、前記複数の基板を保持するようになっており、
前記基板ホルダが、前記真空蒸着源のそれぞれに対して、前記複数の基板の前記真空蒸着源からの距離と角度が最適となるように、前記基板を保持し、
前記基板ホルダが、リングドーナツ形状であり、
前記基板ホルダには、前記複数の基板のそれぞれが個別に載置されるように、独立した複数の基板載置部が設けられており、前記それぞれの基板載置部は、前記複数の基板の前記真空蒸着源からの距離と角度が最適となるように、その高さと下面の傾きが異なっており、
前記真空蒸着源が、第１真空蒸発源および第２真空蒸着源の２つからなり、
前記基板載置部は、前記蒸着材料の蒸気の飛翔分布を考慮して、断面上で前記第１真空蒸発源および前記第２真空蒸着源のそれぞれから、前記各基板までの距離と角度が同じになるように、その高さと下面の傾きが異なって形成されている蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、真空蒸着源よりの蒸着材料を、基板ホルダに配置された基板に蒸着させる蒸着装置に関する。
【背景技術】
【0002】
基板に蒸着材料を蒸着させて成膜し、基板に所定の膜を形成する蒸着装置が知られており、三次元基板に機能性多層膜を堆積させる手法として遊星回転子機構が提案されている。
このような蒸着装置では、１ロット当りの基板登載数を増やすことが求められていた。
このような蒸着装置では、１ロット当りの基板登載数を増やすことが求められていた。
【0003】
このような蒸着装置としては、真空チャンバ内に、公転させながらその公転軌道上で遊星歯車や伝動ベルトなどの自転手段にて自転させる基板ホルダ（遊星回転子）を設け、その基板ホルダに複数の基板を設置し、基板ホルダを自公転させながら、真空蒸着源により加熱気化された蒸着材料を基板上に堆積されて成膜されるものが提案されていた。（例えば、文献１、文献２参照）。
【0004】
【文献】特開２０１７－１１０２６０号公報
【文献】ＷＯ２０２２/０４０２４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
このような、従来の蒸着装置においては、稼働効率を上げ生産性を向上させるため、１ロット当たりの基板搭載数を増やしたい要望があった。
その要望に叶えるためには、基板を設置する基板ホルダのサイズを大きくする、基板ホルダの数を増やすといった対策が考えられる。
しかしながら、基板ホルダのサイズを大きくしたり、基板ホルダの数を増やしたりすると、以下のような技術的課題が起こってしまうものであった。
基板ホルダのサイズを大きくすると、膜厚の均一性を確保するために基板ホルダと蒸発源の距離を長くしなければならず、蒸着速度が低くなってしまい、チャンバも高く大きな構成しなければならなくなる。
基板ホルダのサイズを大きくすると、基板ホルダの重量が大きくなるために、基板ホルダの回転部のベアリングや駆動部の消耗が激しく、故障し易くなる。
基板ホルダの数を増やすと、基板ホルダの回転機構がより複雑になり、故障し易くなる。
基板ホルダのサイズを大きくして重量が増すと、基板ホルダの駆動部で発生した摩耗粉が膜の中に混入してしまうリスクがある。
基板ホルダのサイズを大きくすると、原料原子が大角度で斜入射することとなり、膜形成において陰になる部分ができ易くなり、膜厚が均一とはならずに島状構造が形成されてしまう。それにより、隣り合う島同士が合体するときに引っ張り応力が生じ、圧縮応力の膜が作り難くなる。
その要望に叶えるためには、基板を設置する基板ホルダのサイズを大きくする、基板ホルダの数を増やすといった対策が考えられる。
しかしながら、基板ホルダのサイズを大きくしたり、基板ホルダの数を増やしたりすると、以下のような技術的課題が起こってしまうものであった。
基板ホルダのサイズを大きくすると、膜厚の均一性を確保するために基板ホルダと蒸発源の距離を長くしなければならず、蒸着速度が低くなってしまい、チャンバも高く大きな構成しなければならなくなる。
基板ホルダのサイズを大きくすると、基板ホルダの重量が大きくなるために、基板ホルダの回転部のベアリングや駆動部の消耗が激しく、故障し易くなる。
基板ホルダの数を増やすと、基板ホルダの回転機構がより複雑になり、故障し易くなる。
基板ホルダのサイズを大きくして重量が増すと、基板ホルダの駆動部で発生した摩耗粉が膜の中に混入してしまうリスクがある。
基板ホルダのサイズを大きくすると、原料原子が大角度で斜入射することとなり、膜形成において陰になる部分ができ易くなり、膜厚が均一とはならずに島状構造が形成されてしまう。それにより、隣り合う島同士が合体するときに引っ張り応力が生じ、圧縮応力の膜が作り難くなる。
【0006】
本発明は前記のような従来の問題点に着目してなされたものであり、基板ホルダの基板登載数を増やしつつ、蒸着速度を高くすることができ、より高い生産性を達成することができる蒸着装置を得ることを目的とする。
本発明の他の目的は、膜厚の均一性を確保しつつ、成膜速度の高い成膜処理を達成することができる蒸着装置を得ることである。
本発明の他の目的は、膜厚の均一性を確保しつつ、成膜速度の高い成膜処理を達成することができる蒸着装置を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
前記目的達成のために、本発明に係る蒸着装置は、内部が所定の圧力に減圧可能となっている真空チャンバと、前記真空チャンバ内に回転自在に設けられた１つの円形の基板ホルダと、前記基板ホルダの下面に保持された複数の基板と、蒸着材料の蒸気を噴出する複数の真空蒸着源と、を有し、前記基板ホルダは、前記真空蒸着源の蒸着材料の蒸気を噴出する方向に前記基板の膜形成面が臨むように、前記複数の基板を保持するようになっており、前記基板ホルダが、前記真空蒸着源のそれぞれに対して、前記複数の基板の前記真空蒸着源からの距離と角度が最適となるように、前記基板を保持することを特徴とする。
【0008】
本発明の他の特徴は、蒸着装置が、内部が所定の圧力に減圧可能となっている真空チャンバと、前記真空チャンバ内にホルダ支持部を介して回転自在に設けられ、成膜処理において、駆動モータにより回転駆動される１つの円形の基板ホルダと、前記基板ホルダの下面に保持された複数の基板と、蒸着材料の蒸気を噴出する複数の真空蒸着源と、を有し、前記基板ホルダは、前記真空蒸着源のそれぞれに臨む下面が凹状になっており、その下面に、前記複数の基板が配列して設置されており、前記基板ホルダには、前記複数の基板のそれぞれが個別に載置されるように、独立した複数の基板載置部が設けられており、前記蒸着材料の蒸気の飛翔分布を考慮して、前記真空蒸着源のそれぞれに対して、前記複数の基板の前記真空蒸着源からの距離と角度が最適となるように、前記基板載置部に前記基板が保持されることである。
【発明の効果】
【0009】
本発明によれば、基板ホルダと蒸発源の距離を短くすることにより、基板ホルダの基板登載数を増やしつつ、蒸着速度を高くすることができ、より高い生産性を達成することができるようになる。
さらに、本発明によれば、膜厚の均一性を確保しつつ、成膜速度の高い成膜処理を達成することができる。
さらに、本発明によれば、膜厚の均一性を確保しつつ、成膜速度の高い成膜処理を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【発明を実施するための形態】
【0011】
以下に、本発明の蒸着装置の実施の形態について、図面に関連付けて説明する。
【0012】
図１は、本発明の実施形態に係る蒸着装置の内部構成を示す図であり、図２のI-I’線からの断面図であり、図２は、図１に示した蒸着装置の上面図であり、図３は、図１に示した蒸着装置の正面図であり、図４は、図３に示した蒸着装置のII-II’線からの断面図である。
【0013】
図１～図４に示すように、本実施形態の蒸着装置１は、たとえば、成膜チャンバである真空チャンバ２に、図示しない排気管および真空ポンプが接続されており、内部が所定の圧力に減圧可能となっている。真空蒸着による成膜時における真空チャンバ２内の背圧は、たとえば１０－２～１０－５Ｐａ程度である。
【0014】
真空チャンバ２の内部下方には、成膜材料供給部３として、第１真空蒸発源４および第２真空蒸着源５が配置されている。第１真空蒸発源４の内部に第１蒸着材料が収容されており、また、第２真空蒸発源５の内部に第２蒸着材料が収容されている。
なお、蒸着材料としては、種々のものが使用される。
各真空蒸着源４、５には、たとえば不図示の抵抗加熱、電子ビーム加熱、レーザービーム加熱、電子銃などの加熱手段が設けられており、真空蒸発源において蒸着材料が加熱されて気化すると蒸着材料の蒸気が噴出する。
なお、この実施形態では、複数の蒸着源として真空蒸着源を２つ設けているが、後述するように、真空蒸着源の数は限定されるものではなく、真空蒸着源を３つ設ける等、種々の態様が可能である（図９参照）。
なお、蒸着材料としては、種々のものが使用される。
各真空蒸着源４、５には、たとえば不図示の抵抗加熱、電子ビーム加熱、レーザービーム加熱、電子銃などの加熱手段が設けられており、真空蒸発源において蒸着材料が加熱されて気化すると蒸着材料の蒸気が噴出する。
なお、この実施形態では、複数の蒸着源として真空蒸着源を２つ設けているが、後述するように、真空蒸着源の数は限定されるものではなく、真空蒸着源を３つ設ける等、種々の態様が可能である（図９参照）。
【0015】
次に、真空チャンバ２内には、第１真空蒸発源４および第２真空蒸着源５の蒸着材料の蒸気を噴出する方向（図１の点線の矢印）に、光学基板である成膜対象としての基板６を膜形成面が成膜材料供給部３側に臨むように保持する基板ホルダ７が設けられている。
なお、図１においては、第１真空蒸発源４および第２真空蒸着源５の蒸着材料の蒸気を噴出する方向が、点線の矢印にて示されている。
また、図１では、基板６は、その一部のみが簡略して記載されている（詳細は、図４および図６を参照）。
なお、図１においては、第１真空蒸発源４および第２真空蒸着源５の蒸着材料の蒸気を噴出する方向が、点線の矢印にて示されている。
また、図１では、基板６は、その一部のみが簡略して記載されている（詳細は、図４および図６を参照）。
【0016】
基板ホルダ７は、真空チャンバ２内において、その上方からホルダ支持部８により回転自在に支持されており、成膜処理において、真空チャンバ２の上部に設けられた駆動モータ９により、矢印Ａ方向に回転駆動される。
すなわち、ホルダ支持部８は、真空チャンバ２の上部に突出して設けられた駆動モータ９から真空チャンバ２内の下方に伸びる回転軸１０の下部１０ａに取り付けられ、ホルダ支持部８の下面８ａに、基板６を膜形成面が成膜材料供給部３側に臨むように保持する基板ホルダ７が設けられている。
なお、ホルダ支持部８の構成は、この実施形態に限定されず、以下に詳しく説明する基板ホルダ７を回転自在に支持するものであれば、いかなる形状のものでも良い。
すなわち、ホルダ支持部８は、真空チャンバ２の上部に突出して設けられた駆動モータ９から真空チャンバ２内の下方に伸びる回転軸１０の下部１０ａに取り付けられ、ホルダ支持部８の下面８ａに、基板６を膜形成面が成膜材料供給部３側に臨むように保持する基板ホルダ７が設けられている。
なお、ホルダ支持部８の構成は、この実施形態に限定されず、以下に詳しく説明する基板ホルダ７を回転自在に支持するものであれば、いかなる形状のものでも良い。
【0017】
次に、ホルダ支持部８の下面８ａに取り付けられた基板ホルダ７について説明する。
本願発明の特徴は、基板ホルダ７が、複数の真空蒸着源４、５の蒸着材料の蒸気を噴出する方向に基板６の膜形成面が臨むように、複数の基板６を保持するようになっていると共に、基板ホルダ７が、蒸着材料の蒸気の飛翔分布を考慮して、真空蒸着源４、５のそれぞれに対して、複数の基板６の真空蒸着源４、５からの距離と角度が最適となるように、基板６を保持するようになっていることである。
そのため、本実施形態では、後述するように、この基板ホルダ７を、平面上で円形に形成して設け、その円形の中心点７ｘの両側の下面７ａ、すなわち、それぞれ各第１真空蒸発源４および第２真空蒸着源５側に臨む下面７ａを、断面上で凹状にして、その下面７ａに、複数の基板６を配列して設置している。
これにより、基板ホルダ７の断面形状は、図１もしくは図６に示すように、緩やかなＭ型を形成するようになる。
本願発明の特徴は、基板ホルダ７が、複数の真空蒸着源４、５の蒸着材料の蒸気を噴出する方向に基板６の膜形成面が臨むように、複数の基板６を保持するようになっていると共に、基板ホルダ７が、蒸着材料の蒸気の飛翔分布を考慮して、真空蒸着源４、５のそれぞれに対して、複数の基板６の真空蒸着源４、５からの距離と角度が最適となるように、基板６を保持するようになっていることである。
そのため、本実施形態では、後述するように、この基板ホルダ７を、平面上で円形に形成して設け、その円形の中心点７ｘの両側の下面７ａ、すなわち、それぞれ各第１真空蒸発源４および第２真空蒸着源５側に臨む下面７ａを、断面上で凹状にして、その下面７ａに、複数の基板６を配列して設置している。
これにより、基板ホルダ７の断面形状は、図１もしくは図６に示すように、緩やかなＭ型を形成するようになる。
【0018】
すなわち、図１に示す断面図の場合では、基板ホルダ７の円形の中心点７ｘの左側の第１真空蒸発源４側に臨む下面７ａ１が、凹状に形成されると共に、基板ホルダ７の円形の中心点７ｘの右側の第２真空蒸発源５側に臨む下面７ａ２が、凹状に形成されている。
当然、基板ホルダ７は、成膜時に、ホルダ支持部８と共に回転されるので、基板ホルダ７の円周全てに渡って同様な断面形状となっている。すなわち、基板ホルダ７の中心点７ｘを通るどの断面形状も、図１もしくは図６に示す断面形状となる。
当然、基板ホルダ７は、成膜時に、ホルダ支持部８と共に回転されるので、基板ホルダ７の円周全てに渡って同様な断面形状となっている。すなわち、基板ホルダ７の中心点７ｘを通るどの断面形状も、図１もしくは図６に示す断面形状となる。
【0019】
そして、この実施形態では、図６に示すように、基板ホルダ７の凹状の下面７ａ１の真下、すなわち、凹状の下面７ａ１の中心点７ａ３より下方向に伸びた点線上に、第１真空蒸発源４が設けられる。
同様に、基板ホルダ７の凹状の下面７ａ２の真下、すなわち、凹状の下面７ａ２の中心点７ａ４より下方向に伸びた点線上に、第２真空蒸発源５が設けられる。
なお、この実施形態では、基板ホルダ７は、いわゆる円形の真ん中を丸く抜いて輪（トーラス）にしたリングドーナツ状に形成して設けられている。
このような構成とすることにより、基板ホルダ７に保持された基板６は、複数（この場合２個）の真空蒸発源４、５からの気化された蒸着材料を連続して受けるので、基板ホルダ７と成膜材料供給部３の間の距離を短くすることができ、それにより、基板ホルダ７の基板登載数を増やしつつ、蒸着速度を速くして、より高い生産性を達成することができるようになる。
同様に、基板ホルダ７の凹状の下面７ａ２の真下、すなわち、凹状の下面７ａ２の中心点７ａ４より下方向に伸びた点線上に、第２真空蒸発源５が設けられる。
なお、この実施形態では、基板ホルダ７は、いわゆる円形の真ん中を丸く抜いて輪（トーラス）にしたリングドーナツ状に形成して設けられている。
このような構成とすることにより、基板ホルダ７に保持された基板６は、複数（この場合２個）の真空蒸発源４、５からの気化された蒸着材料を連続して受けるので、基板ホルダ７と成膜材料供給部３の間の距離を短くすることができ、それにより、基板ホルダ７の基板登載数を増やしつつ、蒸着速度を速くして、より高い生産性を達成することができるようになる。
【0020】
次に、図５～図７を参照して、基板ホルダ７について詳細に説明する。
図５は、図１に示した基板ホルダ７の上面図であり、図６は、図５に示した基板ホルダ７のIII-III’線からの拡大断面図であり、図７は、図４に示した基板ホルダ７の下面図である。
まず、図１に示すように、基板ホルダ７は、ホルダ支持部８の下面８ａに取り付けられている。
そして、図５に示すように、基板ホルダ７は、上面から見て、中心点７ｘを中心として、円形の真ん中を丸く抜いて輪（トーラス）にしたリングドーナツ形状をしており、外円部７ｃと内円部７ｄとを有している。
図５は、図１に示した基板ホルダ７の上面図であり、図６は、図５に示した基板ホルダ７のIII-III’線からの拡大断面図であり、図７は、図４に示した基板ホルダ７の下面図である。
まず、図１に示すように、基板ホルダ７は、ホルダ支持部８の下面８ａに取り付けられている。
そして、図５に示すように、基板ホルダ７は、上面から見て、中心点７ｘを中心として、円形の真ん中を丸く抜いて輪（トーラス）にしたリングドーナツ形状をしており、外円部７ｃと内円部７ｄとを有している。
【0021】
この実施形態では、図６の拡大断面図に示すように、基板ホルダ７の断面としては、基板ホルダ７の円形の中心点７ｘの左側の第１真空蒸発源４側に臨む下面７ａ１および中心点７ｘの右側の第２真空蒸発源５側に臨む下面７ａ２が、それぞれ凹状に形成されている。
そして、図６の拡大断面図に示すように、この実施形態では、基板ホルダ７の下面７ａ１および下面７ａ２は、それぞれ弧を描いた凹状になっており、その下面７ａ１、７ａ２を形成すべく、複数の基板６のそれぞれを載置するための独立した複数の基板載置部７ｅが設けられている。
すなわち、図６の拡大断面図に示すように、この実施形態では、基板ホルダ７には、複数の基板６のそれぞれが個別に載置されるように、独立した複数の基板載置部７ｅが設けられており、それぞれの基板載置部７ｅは、その高さと下面の傾きが異なっている。
それにより、下面７ａ１および下面７ａ２が、気化された蒸着材料の飛翔分布を考慮して、それぞれ弧を描く凹状に形成されて、複数の基板６の真空蒸着源４、５からの距離と角度が最適となるようになっている。
このように、独立した複数の基板載置部７ｅとすることによって、基板６の位置および角度を個別に設定することができるようになる。
なお、この実施形態では、複数の基板６のそれぞれが個別に載置されるように、独立した複数の基板載置部７ｅが設けられていたが、これに限定されず、複数のリング状の基板載置部を設け、そのリング状の基板載置部に基板６を一列に配置するようにしても良い。この場合、その一列の基板６は、すべて同じ位置および角度を持つようになる。
また、複数の基板載置部７ｅの全てを繋げて１つの曲面を形成し、その曲面上に基板６を並べて配置するようにしても良い。
そして、図６の拡大断面図に示すように、この実施形態では、基板ホルダ７の下面７ａ１および下面７ａ２は、それぞれ弧を描いた凹状になっており、その下面７ａ１、７ａ２を形成すべく、複数の基板６のそれぞれを載置するための独立した複数の基板載置部７ｅが設けられている。
すなわち、図６の拡大断面図に示すように、この実施形態では、基板ホルダ７には、複数の基板６のそれぞれが個別に載置されるように、独立した複数の基板載置部７ｅが設けられており、それぞれの基板載置部７ｅは、その高さと下面の傾きが異なっている。
それにより、下面７ａ１および下面７ａ２が、気化された蒸着材料の飛翔分布を考慮して、それぞれ弧を描く凹状に形成されて、複数の基板６の真空蒸着源４、５からの距離と角度が最適となるようになっている。
このように、独立した複数の基板載置部７ｅとすることによって、基板６の位置および角度を個別に設定することができるようになる。
なお、この実施形態では、複数の基板６のそれぞれが個別に載置されるように、独立した複数の基板載置部７ｅが設けられていたが、これに限定されず、複数のリング状の基板載置部を設け、そのリング状の基板載置部に基板６を一列に配置するようにしても良い。この場合、その一列の基板６は、すべて同じ位置および角度を持つようになる。
また、複数の基板載置部７ｅの全てを繋げて１つの曲面を形成し、その曲面上に基板６を並べて配置するようにしても良い。
【0022】
図６の拡大断面図に示すように、基板ホルダ７の下面７ａが凹状に形成されているが、これは、複数の基板６が、真空蒸発源に対して、それぞれ最適な位置および角度となるようにするためであり、そのために、それぞれの基板載置部７ｅが、その高さと下面の傾きが異なって形成されている。
この実施形態では、上述した最適な位置および角度となるように調節する前提として、図６に示すように、基板ホルダ７の凹状の下面７ａ１の真下、すなわち、凹状の下面７ａ１の中心点７ａ３より下方向に伸びた点線上に、第１真空蒸発源４が設けられ、同様に、基板ホルダ７の凹状の下面７ａ２の真下、すなわち、凹状の下面７ａ２の中心点７ａ４より下方向に伸びた点線上に、第２真空蒸発源５が設けられている。
そして、上述した複数の基板６が、真空蒸発源に対して、それぞれ最適な位置および角度となる一例として、この実施形態では、図６に示す断面において、第１真空蒸発源４および第２真空蒸着源５のそれぞれから、各基板６までの距離と角度が同じになるように、それぞれの基板載置部７ｅが、その高さと下面の傾きが異なって形成されている。
この実施形態では、上述した最適な位置および角度となるように調節する前提として、図６に示すように、基板ホルダ７の凹状の下面７ａ１の真下、すなわち、凹状の下面７ａ１の中心点７ａ３より下方向に伸びた点線上に、第１真空蒸発源４が設けられ、同様に、基板ホルダ７の凹状の下面７ａ２の真下、すなわち、凹状の下面７ａ２の中心点７ａ４より下方向に伸びた点線上に、第２真空蒸発源５が設けられている。
そして、上述した複数の基板６が、真空蒸発源に対して、それぞれ最適な位置および角度となる一例として、この実施形態では、図６に示す断面において、第１真空蒸発源４および第２真空蒸着源５のそれぞれから、各基板６までの距離と角度が同じになるように、それぞれの基板載置部７ｅが、その高さと下面の傾きが異なって形成されている。
【0023】
図８は、第１真空蒸発源４に対して、複数の基板６が、それぞれ最適な位置および角度となるように配置されるようすを示した説明図である。
この実施形態では、基板６は、突レンズ６からなっている。
各突レンズ６は、その表面に、膜厚が均一な所定の薄膜が形成されるために、その配列される位置に応じて、第１真空蒸発源４からの最適な距離と角度を取る必要がある。
そのため、各基板載置部７ｅは、図８に示すように、その下面に載置される各突レンズ６の第１真空蒸発源４からの距離と角度が最適となるように、その高さと下面の傾きが異なって設計されるようになっている。
なお、基板ホルダ７の回転速度等のパラメータによっても、各基板載置部７ｅの高さと下面の傾きが異なって設計される。
この実施形態では、基板６は、突レンズ６からなっている。
各突レンズ６は、その表面に、膜厚が均一な所定の薄膜が形成されるために、その配列される位置に応じて、第１真空蒸発源４からの最適な距離と角度を取る必要がある。
そのため、各基板載置部７ｅは、図８に示すように、その下面に載置される各突レンズ６の第１真空蒸発源４からの距離と角度が最適となるように、その高さと下面の傾きが異なって設計されるようになっている。
なお、基板ホルダ７の回転速度等のパラメータによっても、各基板載置部７ｅの高さと下面の傾きが異なって設計される。
【0024】
以上のように、本実施形態によれば、基板ホルダ７を、平面上で円形に形成して設け、その円形の中心点７ｘの両側の下面７ａ、すなわち、それぞれ各第１真空蒸発源４および第２真空蒸着源５側に臨む下面７ａ１、７ａ２を凹状にして、緩やかなＭ型となるように形成し、その下面７ａ１、７ａ２に、複数の基板６を配列して設置し、複数の基板を、真空蒸発源４、５に対して、それぞれ最適な位置および角度となるようにしたので、基板ホルダ７と真空蒸発源４、５の距離を画期的に短くすることができる。
それにより、以下のような効果を得ることができるようになった。
基板ホルダの基板登載数を増やしつつ、蒸着速度を高くすることができ、より高い生産性を達成することができる。
膜厚の均一性を確保しつつ、成膜速度の高い成膜処理を達成することができる。
基板ホルダの駆動部で発生する摩耗粉を著しく低減して、駆動部安定性を保つことができる。
真空チャンバの高さを低く設計することができる。
各基板６の真空蒸発源４、５からの距離と角度が最適となるようにしたので、圧縮応力の優れた膜を成膜することができる。
それにより、以下のような効果を得ることができるようになった。
基板ホルダの基板登載数を増やしつつ、蒸着速度を高くすることができ、より高い生産性を達成することができる。
膜厚の均一性を確保しつつ、成膜速度の高い成膜処理を達成することができる。
基板ホルダの駆動部で発生する摩耗粉を著しく低減して、駆動部安定性を保つことができる。
真空チャンバの高さを低く設計することができる。
各基板６の真空蒸発源４、５からの距離と角度が最適となるようにしたので、圧縮応力の優れた膜を成膜することができる。
【0025】
なお、本実施の形態を記載したが、この開示の一部をなす記載及び図面は、限定するものと理解すべきでない。ここで記載していない様々な実施の形態等が含まれる。
例えば、本実施形態では、図１および図９（ａ）に示すように、真空蒸着源を２つ設ける構成を説明したが、これに限定されず、図９（ｂ）に示すように、３つの真空蒸着源を設けるようにしても良いし、図９（ｃ）に示すように、４つの真空蒸着源を設けるようにしても良い。
図９は、基板ホルダ７を真空蒸着源を含めて下側から見て、複数の真空蒸発源の配置されるようすを示した説明図であり、図９（ａ）は、真空蒸着源を２つ設ける構成を示し、図９（ｂ）は、３つの真空蒸着源を設ける構成を示し、図９（ｃ）は、４つの真空蒸着源を設ける構成を示している。
このように、真空蒸着源の数を増やせば、その分コストはかかるが、より蒸着速度をアップさせることができ、生産性を向上させることができるようになる。
例えば、本実施形態では、図１および図９（ａ）に示すように、真空蒸着源を２つ設ける構成を説明したが、これに限定されず、図９（ｂ）に示すように、３つの真空蒸着源を設けるようにしても良いし、図９（ｃ）に示すように、４つの真空蒸着源を設けるようにしても良い。
図９は、基板ホルダ７を真空蒸着源を含めて下側から見て、複数の真空蒸発源の配置されるようすを示した説明図であり、図９（ａ）は、真空蒸着源を２つ設ける構成を示し、図９（ｂ）は、３つの真空蒸着源を設ける構成を示し、図９（ｃ）は、４つの真空蒸着源を設ける構成を示している。
このように、真空蒸着源の数を増やせば、その分コストはかかるが、より蒸着速度をアップさせることができ、生産性を向上させることができるようになる。
【0026】
また、本実施形態では、基板ホルダ７が、図１０（ａ）に示すようなＭ型断面形状となっていたが、これに限定されず、図１０（ｂ）に示すようなＭ型断面形状になるように構成しても良い。
すなわち、前述した実施形態では、基板ホルダ７は、円形の真ん中を丸く抜いて輪（トーラス）にしたリングドーナツ形状となっており、その断面形状が図１０（ａ）に示すようになっていたが、円形の真ん中を丸く抜く必要はなく、図１０（ｂ）に示すような円形のＭ型断面形状になるようにしても良い。
図１０（ｂ）に示す基板ホルダ７の場合、円形の真ん中を丸く抜かない円形としている。
なお、この実施形態では、複数の基板６のそれぞれが個別に載置されるように、独立した複数の基板載置部７ｅが設けられていたが、これに限定されず、複数のリング状の基板載置部を設け、そのリング状の基板載置部に基板６を一列に配置するようにしても良い。この場合、その一列の基板６は、すべて同じ位置および角度を持つようになる。
また、複数の基板載置部７ｅの全てを繋げて１つの曲面を形成し、その曲面上に基板６を並べて配置するようにしても良い。
また、例えば、真空チャンバ２内に酸素イオンなどのイオンを成膜対象基板に照射するイオンソースを設け、イオンビームアシスト真空蒸着を行うようにしても良い。
すなわち、前述した実施形態では、基板ホルダ７は、円形の真ん中を丸く抜いて輪（トーラス）にしたリングドーナツ形状となっており、その断面形状が図１０（ａ）に示すようになっていたが、円形の真ん中を丸く抜く必要はなく、図１０（ｂ）に示すような円形のＭ型断面形状になるようにしても良い。
図１０（ｂ）に示す基板ホルダ７の場合、円形の真ん中を丸く抜かない円形としている。
なお、この実施形態では、複数の基板６のそれぞれが個別に載置されるように、独立した複数の基板載置部７ｅが設けられていたが、これに限定されず、複数のリング状の基板載置部を設け、そのリング状の基板載置部に基板６を一列に配置するようにしても良い。この場合、その一列の基板６は、すべて同じ位置および角度を持つようになる。
また、複数の基板載置部７ｅの全てを繋げて１つの曲面を形成し、その曲面上に基板６を並べて配置するようにしても良い。
また、例えば、真空チャンバ２内に酸素イオンなどのイオンを成膜対象基板に照射するイオンソースを設け、イオンビームアシスト真空蒸着を行うようにしても良い。
【符号の説明】
【0027】
１・・・蒸着装置、２・・・真空チャンバ、４・・・第１真空蒸着源、
５・・・第２真空蒸着源、６・・・基板、７・・・基板ホルダ、８・・・ホルダ支持部、９・・・駆動モータ、１０…回転軸
５・・・第２真空蒸着源、６・・・基板、７・・・基板ホルダ、８・・・ホルダ支持部、９・・・駆動モータ、１０…回転軸
【要約】 （修正有）
【課題】基板ホルダの基板登載数を増やしつつ、蒸着速度を高くすることができ、より高い生産性を達成することができると共に、膜厚の均一性を確保しつつ、成膜速度の高い成膜処理を達成することができる。
【解決手段】蒸着装置が、内部が所定の圧力に減圧可能となっている真空チャンバ２と、真空チャンバ内に回転自在に設けられた１つの円形の基板ホルダ７と、基板ホルダの下面に保持された複数の基板６と、蒸着材料の蒸気を噴出する複数の真空蒸着源４、５と、を有し、基板ホルダは、真空蒸着源の蒸着材料の蒸気を噴出する方向に基板の膜形成面が臨むように、複数の基板を保持するようになっており、基板ホルダが、真空蒸着源のそれぞれに対して、複数の基板の真空蒸着源からの距離と角度が最適となるように、基板を保持する構成となっている。
【選択図】図１
【解決手段】蒸着装置が、内部が所定の圧力に減圧可能となっている真空チャンバ２と、真空チャンバ内に回転自在に設けられた１つの円形の基板ホルダ７と、基板ホルダの下面に保持された複数の基板６と、蒸着材料の蒸気を噴出する複数の真空蒸着源４、５と、を有し、基板ホルダは、真空蒸着源の蒸着材料の蒸気を噴出する方向に基板の膜形成面が臨むように、複数の基板を保持するようになっており、基板ホルダが、真空蒸着源のそれぞれに対して、複数の基板の真空蒸着源からの距離と角度が最適となるように、基板を保持する構成となっている。
【選択図】図１
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】