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特許7519257基板処理方法および基板処理装置

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-10

(45)【発行日】2024-07-19

(54)【発明の名称】基板処理方法および基板処理装置

(51)【国際特許分類】

B05D 3/00 20060101AFI20240711BHJP

B05C 5/00 20060101ALI20240711BHJP

B05C 11/10 20060101ALI20240711BHJP

B05D 1/26 20060101ALI20240711BHJP

【ＦＩ】

B05D3/00 D

B05C5/00 101

B05C11/10

B05D1/26 Z

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2020171239

(22)【出願日】2020-10-09

(65)【公開番号】P2022062985

(43)【公開日】2022-04-21

【審査請求日】2023-06-20

(73)【特許権者】

【識別番号】000207551

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮホールディングス

(74)【代理人】

【識別番号】100093056

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷勉

(74)【代理人】

【識別番号】100142930

【弁理士】

【氏名又は名称】戸高弘幸

(74)【代理人】

【識別番号】100175020

【弁理士】

【氏名又は名称】杉谷知彦

(74)【代理人】

【識別番号】100180596

【弁理士】

【氏名又は名称】栗原要

(74)【代理人】

【識別番号】100195349

【弁理士】

【氏名又は名称】青野信喜

(72)【発明者】

【氏名】佐川栄寿

(72)【発明者】

【氏名】山本聡

(72)【発明者】

【氏名】和食雄大

【審査官】鏡宣宏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１６－１１５８４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－２１８５９６（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平１０－２４４２０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０７－２５１１１５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｂ０５Ｄ１／００－７／２６

Ｂ０５Ｃ１／００－２１／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板処理方法であって、
第１ポンプ室に対して第１ピストンを移動させることにより前記第１ポンプ室の容積を減少させ、前記第１ポンプ室に連通される第１弁を開き、前記第１ポンプ室から前記第１弁を介してノズルに処理液を送り、前記ノズルから基板に処理液を吐出する供給工程と、
前記第１ピストンの位置を検出する検出工程と、
前記検出工程によって得られた検出結果に基づいて判定期間における前記第１ピストンの位置の変化を取得し、前記判定期間における前記第１ピストンの位置の変化に基づいて前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定するリーク判定工程と、
前記第１弁を閉じ、前記第１ポンプ室の圧力を目標値に保つように前記第１ピストンの位置を調整する定圧工程と、
を備え、
前記判定期間の全部は、前記定圧工程が実行される期間に含まれる
基板処理方法。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理方法において、
前記第１弁は、
前記第１ポンプ室に連通される入口ポートと、
前記ノズルに連通される出口ポートと、
を備え、
前記定圧工程は、前記第１ポンプ室の圧力を、前記第１弁の前記入口ポートに付与する
基板処理方法。

【請求項3】

請求項１または２に記載の基板処理方法において、
前記目標値は、大気圧よりも高い
基板処理方法。

【請求項4】

請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記第１ポンプ室と前記第１弁との間の高低差、および、前記第１ポンプ室と前記ノズルとの間の高低差の少なくともいずれかが大きくなるにしたがって前記目標値が高くなるように、前記目標値は設定される
基板処理方法。

【請求項5】

請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記供給工程は、前記ノズルを処理位置に配置させ、
前記定圧工程は、前記ノズルを待機位置に配置させる
基板処理方法。

【請求項6】

請求項１から５のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、前記第１ポンプ室の容積を減少させる前記第１ピストンの位置の変化と、前記第１ポンプ室の容積を増大させる前記第１ピストンの位置の変化とを区別する
基板処理方法。

【請求項7】

請求項１から６のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、前記判定期間における前記第１ピストンの移動距離に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。

【請求項8】

請求項１から７のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、前記判定期間における前記第１ピストンの平均速度に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。

【請求項9】

請求項１から８のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記判定期間は、第１判定期間を含み、
前記定圧工程が始まった後、前記第１ポンプ室の圧力が初めて前記目標値の許容範囲内になる第１時刻から、前記第１判定期間は始まる
基板処理方法。

【請求項10】

請求項９に記載の基板処理方法において、
前記第１判定期間の時間長は、４秒以上、かつ、８秒以下である
基板処理方法。

【請求項11】

請求項９または１０に記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、
前記第１判定期間を、複数の分割期間に区分し、
各分割期間における前記第１ピストンの移動距離を算出し、
前記第１ピストンの移動距離が第１閾値以上である前記分割期間を、変化期間として特定し、
前記変化期間の数に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。

【請求項12】

請求項１１に記載の基板処理方法において、
前記分割期間の数は、８つ以下である
基板処理方法。

【請求項13】

請求項１１または１２に記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、前記分割期間の数に対する前記変化期間の数の比に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。

【請求項14】

請求項１１から１３のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、
前記第１ピストンの移動距離が前記第１閾値よりも大きな第２閾値以上である前記変化期間を、異常期間として特定し、
前記異常期間を除く前記変化期間の数に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。

【請求項15】

請求項１１から１４のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記リーク判定工程は、
前記変化期間を、前記第１ピストンが前記第１ポンプ室の容積を減少させる正変化期間、および、前記第１ピストンが前記第１ポンプ室の容積を増大させる負変化期間のいずれかに分類し、
前記正変化期間の数、および、前記負変化期間の数に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定する
基板処理方法。

【請求項16】

請求項１から１５のいずれかに記載の基板処理方法において、
前記第１弁を閉じ、前記第１ポンプ室に連通される第２弁を開き、前記第１ポンプ室に対して前記第１ピストンを移動させることにより前記第１ポンプ室の容積を増大させ、前記第２弁を介して前記第１ポンプ室に処理液を充填する第１充填工程と、
を備え、
前記供給工程は、前記第２弁を閉じ、
前記定圧工程は、前記第２弁を閉じ、
前記供給工程は、前記第１ピストンを、所定の第１距離だけ移動させ、
前記第１充填工程は、前記第１ピストンを、所定の第１原点位置まで移動させ、
前記判定期間は、第２判定期間を含み、
前記第２判定期間は、前記定圧工程が実行される期間の全部であり、
前記リーク判定工程は、
前記定圧工程が終了する時の前記第１ピストンの位置、
前記供給工程が始まる時の前記第１ピストンの位置、
前記供給工程が終了する時の前記第１ピストンの位置、
前記第１充填工程が始まる時の前記第１ピストンの位置、および、
前記第１充填工程における前記第１ピストンの移動距離
の少なくともいずれかに基づいて、前記第２判定期間における前記第１ピストンの移動距離を推定する
基板処理方法。

【請求項17】

請求項１から１５のいずれかに記載の基板処理方法において、
第２ポンプ室に対して第２ピストンを移動させることにより前記第２ポンプ室の容積を増大させ、前記第１ポンプ室および前記第２ポンプ室に連通される第２弁を閉じ、前記第１ポンプ室に連通されずに前記第２ポンプ室に連通される第３弁を開き、前記第３弁を介して前記第２ポンプ室に処理液を充填する第２充填工程と、
を備え、
前記第１充填工程は、前記第１弁を閉じ、前記第２弁を開き、前記第３弁を閉じ、前記第２ポンプ室に対して前記第２ピストンを移動させることにより前記第２ポンプ室の容積を減少させ、前記第１ポンプ室に対して前記第１ピストンを移動させることにより前記第１ポンプ室の容積を増大させ、前記第２ポンプ室から前記第２弁を介して前記第１ポンプ室に処理液を送り、
前記供給工程は、第２弁を閉じ、
前記定圧工程は、第２弁を閉じる
基板処理方法。

【請求項18】

請求項１７に記載の基板処理方法において、
前記供給工程は、前記第１ピストンを、所定の第１距離だけ移動させ、
前記第１充填工程は、前記第１ピストンを、所定の第１原点位置まで移動させ、
前記第１充填工程は、前記第１ピストンが前記第１原点位置に到達するまで、前記第２ピストンを移動させ、
前記第２充填工程は、前記第２ピストンを、所定の第２原点位置まで移動させ、
前記検出工程は、前記第２ピストンの位置を検出し、
前記判定期間は、第２判定期間を含み、
前記第２判定期間は、前記定圧工程が実行される期間の全部であり、
前記リーク判定工程は、
前記定圧工程が終了する時の前記第１ピストンの位置、
前記供給工程が始まる時の前記第１ピストンの位置、
前記供給工程が終了する時の前記第１ピストンの位置、
前記第１充填工程が始まる時の前記第１ピストンの位置、
前記第１充填工程における前記第１ピストンの移動距離、
前記第１充填工程における前記第２ピストンの移動距離、
前記第１充填工程が終了する時の前記第２ピストンの位置、
前記第２充填工程が始まる時の前記第２ピストンの位置、および、
前記第２充填工程における前記第２ピストンの移動距離、
の少なくともいずれかに基づいて、前記第２判定期間における前記第１ピストンの移動距離を推定する
基板処理方法。

【請求項19】

請求項１８に記載の基板処理方法において、
前記第１弁を閉じ、前記第２弁を閉じ、前記第３弁を開き、前記第１ポンプ室と前記第２ポンプ室とに連通される第４弁を開き、前記第１ポンプ室に対して前記第１ピストンを移動させることにより前記第１ポンプ室の容積を減少させ、前記第２ポンプ室に対して前記第２ピストンを静止させ、前記第１ポンプ室から前記第２ポンプ室に処理液を戻す戻し工程と、
を備え、
前記供給工程は、前記第４弁を閉じ、
前記定圧工程は、前記第４弁を閉じ、
前記第１充填工程は、前記第４弁を閉じ、
前記第２充填工程は、前記第４弁を閉じ、
前記戻し工程は、前記第１ピストンを、所定の第２距離だけ移動させる
基板処理方法。

【請求項20】

基板処理装置であって、
第１ポンプ室と、
前記第１ポンプ室に対して移動し、前記第１ポンプ室の容積を変える第１ピストンと、
前記第１ピストンの位置を検出する第１位置センサと、
前記第１ポンプ室の圧力を検出する第１圧力センサと、
前記第１ポンプ室に連通される第１弁と、
前記第１弁に連通されるノズルと、
前記第１位置センサの検出結果および前記第１圧力センサの検出結果を取得し、前記第１ピストンを移動させ、前記第１弁を開閉させる制御部と、
を備え、
制御部は、
リーク判定処理と、
定圧制御と
を行い、
前記リーク判定処理では、前記制御部は、前記第１位置センサの検出結果に基づいて、判定期間における前記第１ピストンの位置の変化を取得し、前記判定期間における前記第１ピストンの位置の変化に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定し、
前記定圧制御では、前記制御部は、前記第１弁を閉じ、前記第１ポンプ室の圧力を目標値に保つように前記第１圧力センサの検出結果に基づいて前記第１ピストンの位置を調整し、
前記判定期間の全部は、前記定圧制御が実行される期間に含まれる
基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板処理方法および基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、基板処理装置を備える。基板処理装置は、ポンプとノズルと配管を備える。配管は、ポンプとノズルを連通接続する。ポンプは、ノズルに処理液を送る。ノズルは、処理液を基板に吐出する。

【0003】

基板処理装置は、弁と流量計を備える。弁と流量計はそれぞれ、配管上に設けられる。弁は、配管内の流路を開閉する。流量計は、配管を流れる処理液の流量を検出する。

【0004】

基板に処理液を供給する工程では、弁は開き、流量計は基板に供給する処理液の流量を検出する。弁からの処理液のリークを検知する工程では、弁は閉じ、流量計は弁からリークする処理液の流量を検出する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１７－４６０１７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。弁からの処理液のリークが発生している場合であっても、弁からリークされる処理液の量は極めて少ない。したがって、流量計の検出結果に基づいて、弁からの処理液のリークの有無を適切に判定し難い場合がある。

【0007】

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、弁からの処理液のリークの有無を適切に判定できる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板処理方法であって、第１ポンプ室に対して第１ピストンを移動させることにより前記第１ポンプ室の容積を減少させ、前記第１ポンプ室に連通される第１弁を開き、前記第１ポンプ室から前記第１弁を介してノズルに処理液を送り、前記ノズルから基板に処理液を吐出する供給工程と、前記第１ピストンの位置を検出する検出工程と、前記検出工程によって得られた検出結果に基づいて判定期間における前記第１ピストンの位置の変化を取得し、前記判定期間における前記第１ピストンの位置の変化に基づいて前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定するリーク判定工程と、前記第１弁を閉じ、前記第１ポンプ室の圧力を目標値に保つように前記第１ピストンの位置を調整する定圧工程と、を備え、前記判定期間の全部は、前記定圧工程が実行される期間に含まれる基板処理方法である。

【0009】

基板処理方法は、供給工程を備える。供給工程は、第１弁を開く。供給工程は、第１ポンプ室に対して第１ピストンを移動させることにより第１ポンプ室の容積を減少させる。供給工程は、第１ポンプ室から第１弁を介してノズルに処理液を送る。供給工程は、ノズルから基板に処理液を吐出する。このため、供給工程は、基板を適切に処理できる。

【0010】

基板処理方法は、検出工程とリーク判定工程と定圧工程を備える。検出工程は、第１ピストンの位置を検出する。リーク判定工程は、検出工程によって得られた検出結果に基づいて、判定期間における第１ピストンの位置の変化を取得する。リーク判定工程は、判定期間における第１ピストンの位置の変化に基づいて第１弁からの処理液のリークの有無を判定する。以下では、第１弁からの処理液のリークを、単に「リーク」と呼ぶ。定圧工程は、第１弁を閉じる。定圧工程は、第１ポンプ室の圧力を目標値に保つように第１ピストンの位置を調整する。このため、仮に定圧工程においてリークが発生する場合、定圧工程はリークを継続的に発生させることができる。ここで、判定期間の全部は、定圧工程が実行される期間に含まれる。したがって、リーク判定工程は、リークの有無を好適に判定できる。

【0011】

上述の基板処理方法において、前記第１弁は、前記第１ポンプ室に連通される入口ポートと、前記ノズルに連通される出口ポートと、を備え、前記定圧工程は、前記第１ポンプ室の圧力を、前記第１弁の前記入口ポートに付与することが好ましい。定圧工程は、第１弁の入口ポートが受ける圧力を、目標値に保つ。よって、仮に定圧工程において第１弁が処理液をリークする場合、定圧工程はリークの発生期間を好適に長くすることができる。

【0012】

上述の基板処理方法において、前記目標値は、大気圧よりも高いことが好ましい。定圧工程は、リークを好適に顕在化させることができる。よって、リーク判定工程は、リークの有無を好適に判定できる。

【0013】

上述の基板処理方法において、前記第１ポンプ室と前記第１弁との間の高低差、および、前記第１ポンプ室と前記ノズルとの間の高低差の少なくともいずれかが大きくなるにしたがって前記目標値が高くなるように、前記目標値は設定されることが好ましい。例えば、第１ポンプ室と第１弁との間の高低差に関わらず、定圧工程は、リークを適切に顕在化させることができる。例えば、第１ポンプ室とノズルとの間の高低差に関わらず、定圧工程は、リークを適切に顕在化させることができる。よって、リーク判定工程は、リークの有無を好適に判定できる。

【0014】

上述の基板処理方法において、前記供給工程は、前記ノズルを処理位置に配置させ、前記定圧工程は、前記ノズルを待機位置に配置させることが好ましい。仮に定圧工程においてリークが発生する場合であっても、基板に対する処理の品質を好適に保つことができる。

【0015】

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記第１ポンプ室の容積を減少させる前記第１ピストンの位置の変化と、前記第１ポンプ室の容積を増大させる前記第１ピストンの位置の変化とを区別することが好ましい。リーク判定工程は、リークの向きを好適に特定できる。具体的には、第１弁が、第１ポンプ室からノズルに処理液をリークするのか、ノズルから第１ポンプ室に処理液をリークするのかを、リーク判定工程は好適に判別できる。

【0016】

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記判定期間における前記第１ピストンの移動距離に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。

【0017】

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記判定期間における前記第１ピストンの平均速度に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。

【0018】

上述の基板処理方法において、前記判定期間は、第１判定期間を含み、前記定圧工程が始まった後、前記第１ポンプ室の圧力が初めて前記目標値の許容範囲内になる第１時刻から、前記第１判定期間は始まることが好ましい。第１判定期間は、第１時刻の前の期間を含まない。第１時刻の前の期間では、定圧工程は、第１ポンプ室の圧力を目標値に近づけるために、第１ピストンを移動させる。よって、リーク判定工程は、リークの有無を精度良く判定できる。第１判定期間は、第１時刻から始まる。すなわち、第１判定期間は、第１時刻の直後の期間を含む。リークは、第１時刻の直後の期間に、発生し易い。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。

【0019】

上述の基板処理方法において、前記第１判定期間の時間長は、８秒以下であることが好ましい。第１判定期間は、比較的に短い。よって、リーク判定工程は、リークの有無を速やかに判定できる。

【0020】

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記第１判定期間を、複数の分割期間に区分し、各分割期間における前記第１ピストンの移動距離を算出し、前記第１ピストンの移動距離が第１閾値以上である前記分割期間を、変化期間として特定し、前記変化期間の数に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。変化期間の数を用いることにより、リーク判定工程は、第１ピストンの位置の変化が継続的に発生しているか否かを好適に判別できる。上述の通り、定圧工程は、リークの発生期間を長くすることができる。よって、定圧工程とリーク判定工程の組み合わせによって、リークの有無を精度良く判定できる。

【0021】

上述の基板処理方法において、前記分割期間の数は、８つ以下であることが好ましい。分割期間の数は、比較的に少ない。よって、リーク判定工程は、リークの有無を容易に判定できる。

【0022】

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記分割期間の数に対する前記変化期間の数の比に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。

【0023】

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記第１ピストンの移動距離が前記第１閾値よりも大きな第２閾値以上である前記変化期間を、異常期間として特定し、前記異常期間を除く前記変化期間の数に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。異常期間では、第１ピストンは過度に移動する。第１ピストンの過度の移動は、リークに起因しない可能性が高い。リーク判定工程は、変化期間の数から異常期間の数を除く。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。

【0024】

上述の基板処理方法において、前記リーク判定工程は、前記変化期間を、前記第１ピストンが前記第１ポンプ室の容積を減少させる正変化期間、および、前記第１ピストンが前記第１ポンプ室の容積を増大させる負変化期間のいずれかに分類し、前記正変化期間の数、および、前記負変化期間の数に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定することが好ましい。リーク判定工程は、リークの向きを考慮して、第１弁からの処理液のリークの有無を判定する。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。

【0025】

上述の基板処理方法において、前記第１弁を閉じ、前記第１ポンプ室に連通される第２弁を開き、前記第１ポンプ室に対して前記第１ピストンを移動させることにより前記第１ポンプ室の容積を増大させ、前記第２弁を介して前記第１ポンプ室に処理液を充填する第１充填工程と、を備え、前記供給工程は、前記第２弁を閉じ、前記定圧工程は、前記第２弁を閉じ、前記供給工程は、前記第１ピストンを、所定の第１距離だけ移動させ、前記第１充填工程は、前記第１ピストンを、所定の第１原点位置まで移動させ、前記判定期間は、第２判定期間を含み、前記第２判定期間は、前記定圧工程が実行される期間の全部であり、前記リーク判定工程は、前記定圧工程が終了する時の前記第１ピストンの位置、前記供給工程が始まる時の前記第１ピストンの位置、前記供給工程が終了する時の前記第１ピストンの位置、前記第１充填工程が始まる時の前記第１ピストンの位置、および、前記第１充填工程における前記第１ピストンの移動距離の少なくともいずれかに基づいて、前記第２判定期間における前記第１ピストンの移動距離を推定することが好ましい。

【0026】

基板処理方法は、第１充填工程を備える。よって、第１ポンプ室に処理液を好適に充填できる。供給工程および定圧工程では、第２弁は閉じる。よって、供給工程は、処理液を基板に好適に供給できる。定圧工程は、第１ポンプ室の圧力を目標値に好適に保つことができる。供給工程は、第１ピストンを、所定の第１距離だけ移動させる。すなわち、供給工程における第１ピストンの移動距離は、既知である。第１充填工程は、第１ピストンを、所定の第１原点位置まで移動させる。すなわち、第１充填工程が終了する時の第１ピストンの位置は、既知である。この条件のもとでは、以下の（ａ）－（ｅ）はそれぞれ、定圧工程における第１ピストンの移動距離に応じて、変動する。第２判定期間は、定圧工程が実行される期間の全部である。よって、リーク判定工程は、（ａ）－（ｅ）の少なくともいずれかの検出結果に基づいて、第２判定期間における第１ピストンの移動距離を好適に推定できる。
（ａ）：定圧工程が終了する時の第１ピストンの位置
（ｂ）：供給工程が始まる時の第１ピストンの位置
（ｃ）：供給工程が終了する時の第１ピストンの位置
（ｄ）：第１充填工程が始まる時の第１ピストンの位置
（ｅ）：第１充填工程における第１ピストンの移動距離

【0027】

上述の基板処理方法において、第２ポンプ室に対して前記第２ピストンを移動させることにより前記第２ポンプ室の容積を増大させ、前記第１ポンプ室および前記第２ポンプ室に連通される第２弁を閉じ、前記第１ポンプ室に連通されずに前記第２ポンプ室に連通される第３弁を開き、前記第３弁を介して前記第２ポンプ室に処理液を充填する第２充填工程と、を備え、前記第１充填工程は、前記第１弁を閉じ、前記第２弁を開き、前記第３弁を閉じ、前記第２ポンプ室に対して前記第２ピストンを移動させることにより前記第２ポンプ室の容積を減少させ、前記第１ポンプ室に対して前記第１ピストンを移動させることにより前記第１ポンプ室の容積を増大させ、前記第２ポンプ室から前記第２弁を介して前記第１ポンプ室に処理液を送り、前記供給工程は、第２弁を閉じ、前記定圧工程は、第２弁を閉じることが好ましい。第１充填工程は、第２ポンプ室を用いて、第１ポンプ室に処理液を好適に充填できる。第２充填工程は、第２ポンプ室に処理液を好適に充填できる。供給工程および定圧工程では、第２弁は閉じる。よって、供給工程および定圧工程を適切に実行できる。

【0028】

上述の基板処理方法において、前記供給工程は、前記第１ピストンを、所定の第１距離だけ移動させ、前記第１充填工程は、前記第１ピストンを、所定の第１原点位置まで移動させ、前記第１充填工程は、前記第１ピストンが前記第１原点位置に到達するまで、前記第２ピストンを移動させ、前記第２充填工程は、前記第２ピストンを、所定の第２原点位置まで移動させ、前記検出工程は、前記第２ピストンの位置を検出し、前記判定期間は、第２判定期間を含み、前記第２判定期間は、前記定圧工程が実行される期間の全部であり、前記リーク判定工程は、前記定圧工程が終了する時の前記第１ピストンの位置、前記供給工程が始まる時の前記第１ピストンの位置、前記供給工程が終了する時の前記第１ピストンの位置、前記第１充填工程が始まる時の前記第１ピストンの位置、前記第１充填工程における前記第１ピストンの移動距離、前記第１充填工程における前記第２ピストンの移動距離、前記第１充填工程が終了する時の前記第２ピストンの位置、前記第２充填工程が始まる時の前記第２ピストンの位置、および、前記第２充填工程における前記第２ピストンの移動距離、の少なくともいずれかに基づいて、前記第２判定期間における前記第１ピストンの移動距離を推定することが好ましい。供給工程は、第１ピストンを、所定の第１距離だけ移動させる。第１充填工程は、第１ピストンを、所定の第１原点位置まで移動させる。第１充填工程は、第１ピストンが第１原点位置に到達するまで、第２ピストンを移動させる。第２充填工程は、第２ピストンを、所定の第２原点位置まで移動させる。すなわち、供給工程における第１ピストンの移動距離は、既知である。第１充填工程が終了する時の第１ピストンの位置は、既知である。第１充填工程における第２ピストンの移動距離は、第１充填工程における第１ピストンの移動距離によって決まる。第２充填工程が終了する時の第２ピストンの位置は、既知である。この条件のもとでは、上述した（ａ）－（ｅ）はそれぞれ、定圧工程における第１ピストンの移動距離に応じて、変動する。さらに、以下の（ｆ）－（ｉ）もそれぞれ、定圧工程における第１ピストンの移動距離に応じて、変動する。第２判定期間は、前記定圧工程が実行される期間の全部である。よって、リーク判定工程は、（ａ）－（ｉ）の少なくともいずれかの検出結果に基づいて、第２判定期間における第１ピストンの移動距離を好適に推定できる。
（ｆ）：前記第１充填工程における前記第２ピストンの移動距離
（ｇ）：前記第１充填工程が終了する時の前記第２ピストンの位置
（ｈ）：前記第２充填工程が始まる時の前記第２ピストンの位置
（ｉ）：前記第２充填工程における前記第２ピストンの移動距離

【0029】

上述の基板処理方法において、前記第１弁を閉じ、前記第２弁を閉じ、前記第３弁を開き、前記第１ポンプ室と前記第２ポンプ室とに連通される第４弁を開き、前記第１ポンプ室に対して前記第１ピストンを移動させることにより前記第１ポンプ室の容積を減少させ、前記第２ポンプ室に対して前記第２ピストンを静止させ、前記第１ポンプ室から前記第２ポンプ室に処理液を戻す戻し工程と、を備え、前記供給工程は、前記第４弁を閉じ、前記定圧工程は、前記第４弁を閉じ、前記第１充填工程は、前記第４弁を閉じ、前記第２充填工程は、前記第４弁を閉じ、前記戻し工程は、前記第１ピストンを、所定の第２距離だけ移動させることが好ましい。基板処理方法は、戻し工程を備える。戻し工程は、第１ポンプ室から第２ポンプ室に処理液を戻す。例えば、仮にエアが第１ポンプ室に混入した場合であっても、戻し工程は、第１ポンプ室から第２ポンプ室に処理液とともにエアを戻すことができる。このため、エアが混入した処理液を基板に供給することを、防止できる。よって、基板に対する処理の品質を好適に保つことができる。供給工程、定圧工程、第１充填工程、および、第２充填工程では、第４弁は閉じる。よって、供給工程、定圧工程、第１充填工程、および、第２充填工程を好適に実行できる。戻し工程は、第１ピストンを、所定の第２距離だけ移動させる。すなわち、戻し工程における第１ピストンの移動距離は、既知である。この条件のもとでは、依然として、上述した（ａ）－（ｉ）はそれぞれ、定圧工程における第１ピストンの移動距離に応じて、変動する。この条件のもとでは、（ａ）－（ｉ）の変動量と、定圧工程における第１ピストンの移動距離との関係は、維持される。よって、戻し工程が実行される場合であっても、リーク判定工程は、（ａ）－（ｉ）の少なくともいずれかの検出結果に基づいて、第２判定期間における第１ピストンの移動距離を好適に推定できる。

【0030】

本発明は、基板処理装置であって、第１ポンプ室と、前記第１ポンプ室に対して移動し、前記第１ポンプ室の容積を変える第１ピストンと、前記第１ピストンの位置を検出する第１位置センサと、前記第１ポンプ室の圧力を検出する第１圧力センサと、前記第１ポンプ室に連通される第１弁と、前記第１弁に連通されるノズルと、前記第１位置センサの検出結果および前記第１圧力センサの検出結果を取得し、前記第１ピストンを移動させ、前記第１弁を開閉させる制御部と、を備え、制御部は、リーク判定処理と、定圧制御とを行い、前記リーク判定処理では、前記制御部は、前記第１位置センサの検出結果に基づいて、判定期間における前記第１ピストンの位置の変化を取得し、前記判定期間における前記第１ピストンの位置の変化に基づいて、前記第１弁からの処理液のリークの有無を判定し、前記定圧制御では、前記制御部は、前記第１弁を閉じ、前記第１ポンプ室の圧力を目標値に保つように前記第１圧力センサの検出結果に基づいて前記第１ピストンの位置を調整し、前記判定期間の全部は、前記定圧制御が実行される期間に含まれる基板処理装置である。

【0031】

制御部は、リーク判定処理と定圧制御を行う。リーク判定処理では、制御部は、第１位置センサの検出結果に基づいて、判定期間における第１ピストンの位置の変化を取得する。リーク判定処理では、制御部は、判定期間における第１ピストンの位置の変化に基づいて、第１弁からの処理液のリークの有無を判定する。定圧制御では、制御部は、第１弁を閉じる。定圧制御では、制御部は、第１ポンプ室の圧力を目標値に保つように、第１圧力センサの検出結果に基づいて第１ピストンの位置を調整する。このため、仮に定圧制御が実行されるときにリークが発生する場合、定圧制御はリークの発生期間を長くすることができる。ここで、判定期間の全部は、定圧制御が実行される期間に含まれる。したがって、リーク判定処理は、リークの有無を好適に判定できる。

【発明の効果】

【0032】

本発明によれば、第１弁からの処理液のリークの有無を適切に判定できる。

【図面の簡単な説明】

【0033】

【図1】第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。

【図2】基板処理装置の動作の手順を示すフローチャートである。

【図3】第１充填工程における基板処理装置を示す図である。

【図4】定圧工程における基板処理装置を示す図である。

【図5】供給工程における基板処理装置を示す図である。

【図6】第１ピストンの位置の時間的な変化を示すグラフである。

【図7】図７（ａ）、７（ｂ）、７（ｃ）はそれぞれ、定圧工程における第１ピストンの位置の変化を模式的に示す図である。

【図8】定圧工程における第１ポンプ室の圧力の時間的な変化を例示するグラフである。

【図9】第１判定期間における第１位置センサの検出結果の一例を示すグラフである。

【図10】図１０（ａ）、１０（ｂ）はそれぞれ、分割期間における第１ピストンの移動距離の例である。

【図11】第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。

【図12】基板処理装置の動作の手順を示すフローチャートである。

【図13】第１充填工程における基板処理装置を示す図である。

【図14】戻し工程における基板処理装置を示す図である。

【図15】定圧工程における基板処理装置を示す図である。

【図16】供給工程における基板処理装置を示す図である。

【図17】図１７（ａ）は、第１ピストンの位置の時間的な変化を示すグラフであり、図１７（ｂ）は、第２ピストンの位置の時間的な変化を示すグラフである。

【図18】変形実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

第１実施形態
以下、図面を参照して本発明の第１実施形態を説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。第１実施形態に係る基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに処理を行う装置である。

【0035】

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、または、太陽電池用基板である。

【0036】

１．基板処理装置１の概要
基板処理装置１は、処理ユニット３を備える。処理ユニット３は、基板Ｗを処理する。

【0037】

処理ユニット３は、基板保持部５と回転駆動部６を備える。基板保持部５は基板Ｗを保持する。具体的には、基板保持部５は基板Ｗを略水平姿勢で保持する。基板保持部５は、例えば、基板Ｗの裏面（下面）を吸着保持する。回転駆動部６は、基板保持部５に連結する。回転駆動部６は、基板保持部５を回転させる。これにより、基板保持部５に保持された基板Ｗは、鉛直方向Ｚと平行な軸線回りに回転する。

【0038】

処理ユニット３は、カップ７を備える。カップ７は、基板保持部５の側方を囲むように配置される。カップ７は、基板Ｗから飛散した処理液を受けとめて回収する。

【0039】

基板処理装置１は処理液供給源９を備える。処理液供給源９は、処理液を貯留する。処理液は、例えば、基板Ｗに塗膜を形成するための塗膜材料である。塗膜材料は、例えば、レジスト膜材料である。塗膜は、例えば、レジスト膜である。

【0040】

処理ユニット３は、処理液供給装置１０を備える。処理液供給装置１０は、処理液供給源９に連通接続される。処理液供給装置１０は、基板保持部５に支持される基板Ｗに処理液を供給する。処理液供給装置１０は、例えば、基板Ｗの上面に処理液を供給する。

【0041】

２．処理液供給装置１０の構成
処理液供給装置１０は、第１ポンプ１１とノズル４１を備える。第１ポンプ１１は、ノズル４１に処理液を送る。ノズル４１は、基板保持部５に保持される基板Ｗに処理液を吐出する。

【0042】

第１ポンプ１１は、第１ポンプ室１２を備える。第１ポンプ室１２は空間である。第１ポンプ室１２は処理液を収容する。第１ポンプ室１２は処理液で満たされる。第１ポンプ室１２の容積は可変である。

【0043】

第１ポンプ１１は、筐体１３とダイヤフラム１４を備える。筐体１３とダイヤフラム１４は、第１ポンプ室１２を区画する。筐体１３は、例えば、円筒形状を呈する。筐体１３は、筐体１３の内部に形成される内部空間を有する。筐体１３は、開放されている一端部を有する。ダイヤフラム１４は、筐体１３の一端部に取り付けられる。ダイヤフラム１４は、筐体１３の内部空間を閉塞する。第１ポンプ室１２は、ダイヤフラム１４によって閉塞された筐体１３の内部空間に相当する。ダイヤフラム１４は、可撓性を有する。ダイヤフラム１４は、例えば、ローリングダイヤフラムである。ダイヤフラム１４の材質は、例えば合成樹脂である。

【0044】

第１ポンプ１１は、開口１５、１６を有する。開口１５、１６はそれぞれ、筐体１３に形成される。開口１５、１６はそれぞれ、第１ポンプ室１２に連通する。

【0045】

第１ポンプ１１は第１ピストン１８を備える。第１ピストン１８は、第１ポンプ室１２に対して移動する。

【0046】

第１ピストン１８は、第１端を有する。第１ピストン１８の第１端は、ダイヤフラム１４に取り付けられる。第１ピストン１８が第１ポンプ室１２に対して移動するとき、ダイヤフラム１４は変形し、第１ポンプ室１２の容積は変わる。

【0047】

第１ポンプ１１は第１駆動部１９を備える。第１駆動部１９は、第１ピストン１８に連結される。第１駆動部１９は、第１ピストン１８を移動させる。第１駆動部１９は、例えば、電動モータである。第１駆動部１９は、例えば、ステッピングモータである。

【0048】

第１ピストン１８は、第２端を有する。第１ピストン１８の第２端は、第１駆動部１９に連結される。より詳しくは、第１駆動部１９は、回転動力を出力する。第１ピストン１８と第１駆動部１９は、第１駆動部１９の回転動力を第１ピストン１８の直線運動に変換する不図示の機構を介して連結される。

【0049】

第１ピストン１８は、往復直線移動する。図１は、正方向Ｅ１ｐおよび負方向Ｅ１ｎを示す。負方向Ｅ１ｎは、正方向Ｅ１ｐの反対方向である。例えば、第１駆動部１９が正回転するとき、第１ピストン１８は正方向Ｅ１ｐに移動する。第１ピストン１８が正方向Ｅ１ｐに移動するとき、第１ピストン１８は第１ポンプ室１２に近づく。第１ピストン１８が正方向Ｅ１ｐに移動するとき、第１ポンプ室１２の容積は減少する。例えば、第１駆動部１９が逆回転するとき、第１ピストン１８は負方向Ｅ１ｎに移動する。第１ピストン１８が負方向Ｅ１ｎに移動するとき、第１ピストン１８は第１ポンプ室１２から遠ざかる。第１ピストン１８が負方向Ｅ１ｎに移動するとき、第１ポンプ室１２の容積は増大する。

【0050】

処理液供給装置１０は、第１圧力センサ２１を備える。第１圧力センサ２１は、第１ポンプ室１２の圧力を検出する。第１圧力センサ２１は、例えば、筐体１３に取り付けられる。

【0051】

処理液供給装置１０は、第１位置センサ２２を備える。第１位置センサ２２は、第１ピストン１８の位置を検出する。第１位置センサ２２は、例えば、第１駆動部１９に取り付けられる。

【0052】

第１位置センサ２２は、例えば、エンコーダである。エンコーダは、第１駆動部１９の回転角度を検出する。エンコーダは、第１駆動部１９の回転角度を示すパルス（電気パルス信号）を出力する。ここで、第１駆動部１９の回転角度は、第１ピストン１８の位置に相当する。第１駆動部１９の回転量は、第１ピストン１８の移動距離に比例する。

【0053】

処理液供給装置１０は、配管３１を備える。配管３１は、第１ポンプ室１２とノズル４１とを連通接続する。配管３１は、第１端と第２端を有する。配管３１の第１端は、開口１５に接続される。配管３１の第２端は、ノズル４１に接続される。

【0054】

処理液供給装置１０は、第１弁３２を備える。第１弁３２は、配管３１に設けられる。第１弁３２は、配管３１内における流路を開閉する。配管３１内における流路は、第１ポンプ室１２とノズル４１との間の流路に相当する。第１弁３２は、第１ポンプ室１２およびノズル４１に連通される。

【0055】

第１弁３２は、弁本体３３と入口ポート３４と出口ポート３５を備える。弁本体３３は、流路を開閉する。入口ポート３４は、弁本体３３の一次側に連通する。出口ポート３５は、弁本体３３の二次側に連通する。入口ポート３４および出口ポート３５は、配管３１と接続する。入口ポート３４は、第１ポンプ室１２に連通される。出口ポート３５は、ノズル４１に連通される。

【0056】

処理液供給装置１０は、配管３６を備える。配管３６は、処理液供給源９と第１ポンプ室１２とを連通接続する。配管３６は、第１端と第２端を有する。配管３６の第１端は、処理液供給源９に接続される。配管３６の第２端は、開口１６に接続される。

【0057】

処理液供給装置１０は、第２弁３７を備える。第２弁３７は、配管３６に設けられる。第２弁３７は、配管３６内における流路を開閉する。配管３６内における流路は、第１ポンプ室１２と処理液供給源９との間の流路に相当する。第２弁３７は、第１ポンプ室１２に連通される。第２弁３７は、ノズル４１に連通されない。

【0058】

処理液供給装置１０は、ノズル移動機構４２を備える。ノズル移動機構４２は、ノズル４１を移動させる。ノズル移動機構４２は、ノズル４１を処理位置と待機位置に移動させる。図１は、処理位置に配置されるノズル４１を破線で示す。図１は、待機位置に配置されるノズル４１を実線で示す。

【0059】

ノズル４１が処理位置に位置するとき、ノズル４１は、基板Ｗを狙う。例えば、ノズル４１が処理位置に位置するとき、ノズル４１は、基板保持部５の上方に位置する。例えば、ノズル４１が処理位置に位置するとき、ノズル４１は、平面視において、基板保持部５に保持される基板Ｗと重なる。ノズル４１が待機位置に位置するとき、ノズル４１は、基板Ｗを狙わない。例えば、ノズル４１が待機位置に位置するとき、ノズル４１は、平面視において、基板保持部５に保持される基板Ｗと重ならない。例えば、ノズル４１が待機位置に位置するとき、ノズル４１は、カップ７の外方に配置される。

【0060】

処理液供給装置１０は、ノズル待機部４３を備える。ノズル待機部４３は、例えば、待機ポットである。ノズル待機部４３は、ノズル４１の待機位置に配置される。ノズル待機部４３は、カップ７の外方に配置される。ノズル４１は、ノズル待機部４３において待機する。ノズル待機部４３は、例えば、ノズル４１の少なくとも一部を収容する。ノズル待機部４３は、例えば、ノズル４１から吐出された処理液を受ける。ノズル４１がノズル待機部４３に配置されるとき、ノズル４１はダミーディスペンスを行うことが可能である。

【0061】

ここで、第１弁３２は、例えば、第１ポンプ室１２よりも高い位置に配置される。図１は、第１ポンプ室１２と第１弁３２との間の高低差Ｈ１を示す。高低差Ｈ１は、鉛直方向Ｚにおける第１ポンプ室１２と第１弁３２との間の距離である。

【0062】

ノズル４１は、例えば、第１ポンプ室１２よりも高い位置に配置される。図１は、第１ポンプ室１２とノズル４１との間の高低差Ｈ２を示す。高低差Ｈ２は、鉛直方向Ｚにおける第１ポンプ室１２とノズル４１との間の距離である。

【0063】

処理液供給装置１０は、制御部４５を備える。制御部４５は、回転駆動部６、第１駆動部１９、第１圧力センサ２１、第１位置センサ２２、第１弁３２、第２弁３７、および、ノズル移動機構４２と、通信可能に接続される。制御部４５は、第１圧力センサ２１および第１位置センサ２２によって検出された検出結果を取得する。制御部４５は、回転駆動部６、第１駆動部１９、および、ノズル移動機構４２を作動させる。制御部４５は、第１弁３２および第２弁３７を開閉する。

【0064】

処理液供給装置１０は、記憶部４７を備える。記憶部４７は、各種の情報を記憶する。記憶部４７は、制御部４５に通信可能に接続される。制御部４５は、記憶部４７に記憶される情報を参照する。

【0065】

制御部４５は、例えば、各種処理を実行するプロセッサ（例えば、中央演算処理装置（ＣＰＵ））、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）と、各種情報を記憶する半導体メモリを備える。記憶部４７は、半導体メモリおよびハードディスクの少なくともいずれかを備える。

【0066】

３．動作
第１実施形態の基板処理装置１の基本的な動作例を説明する。図２は、基板処理装置１の動作の手順を示すフローチャートである。

【0067】

基板処理装置１は、サイクル動作Ｃを繰り返し行う。各サイクル動作Ｃは、第１充填工程ＣＡと定圧工程ＣＣと供給工程ＣＳを含む。第１充填工程ＣＡと定圧工程ＣＣと供給工程ＣＳは、この順に実行される。

【0068】

［ステップＳ１：第１充填工程ＣＡ］
図３は、第１充填工程ＣＡにおける基板処理装置１を示す図である。図３は、便宜上、基板処理装置１を簡略に示す。第１充填工程ＣＡは、第１ポンプ室１２に処理液を充填する。

【0069】

制御部４５は、ノズル移動機構４２によってノズル４１を待機位置に配置させる。ノズル４１は、ノズル待機部４３に配置される。

【0070】

制御部４５は、第１弁３２を閉じる。制御部４５は、第２弁３７を開く。制御部４５は、第１ピストン１８を負方向Ｅ１ｎに移動させる。第１ポンプ室１２の容積は増大する。処理液は、処理液供給源９から、配管３６および第２弁３７を通じて、第１ポンプ室１２に流れる。第１ポンプ室１２は、開口１６を通じて、処理液を吸い込む。

【0071】

図３は、第１充填工程ＣＡが始まる時の第１ピストン１８を実線で示す。図３は、第１充填工程ＣＡが終了する時の第１ピストン１８を破線で示す。第１充填工程ＣＡが始まる時の第１ピストン１８の位置を、位置ＰＡｓと呼ぶ。第１充填工程ＣＡが終了する時の第１ピストン１８の位置を、位置ＰＡｅと呼ぶ。第１充填工程ＣＡにおける第１ピストン１８の移動距離を、移動距離ＬＡと呼ぶ。移動距離ＬＡは、位置ＰＡｓと位置ＰＡｅとの差である。移動距離ＬＡは、絶対値である。

【0072】

［ステップＳ２：定圧工程ＣＣ］
図４は、定圧工程ＣＣにおける基板処理装置１を示す図である。定圧工程ＣＣは、第１ポンプ室１２の圧力を一定に保つ。

【0073】

定圧工程ＣＣにおいても、ノズル４１は待機位置に配置される。

【0074】

定圧工程ＣＣでは、制御部４５は、定圧制御を行う。定圧制御では、制御部４５は、第１弁３２と第２弁３７を閉じる。第１ポンプ室１２は閉塞される。定圧制御では、制御部４５は、第１ポンプ室１２の圧力を目標値Ｆに保つように、第１ピストン１８の位置を調整する。定圧制御では、制御部４５は、第１圧力センサ２１の検出結果に基づいて、第１ピストン１８の位置を調整する。定圧工程ＣＣでは、第１ポンプ室１２の圧力は、第１弁３２の入口ポート３４に付与される。

【0075】

例えば、制御部４５は、第１圧力センサ２１の検出結果に基づいて、第１ピストン１８の位置をフィードバック制御する。第１圧力センサ２１の検出結果が目標値Ｆよりも低いとき、制御部４５は、第１ピストン１８を正方向Ｅ１ｐに移動させ、第１ポンプ室１２の圧力を上げる。第１圧力センサ２１の検出結果が目標値Ｆよりも高いとき、制御部４５は、第１ピストン１８を負方向Ｅ１ｎに移動させ、第１ポンプ室１２の圧力を下げる。

【0076】

目標値Ｆは、大気圧よりも高いことが好ましい。目標値Ｆは、例えば、５ｋＰａ以上であることが好ましい。目標値Ｆは、例えば、７ｋＰａ以上であることが好ましい。目標値Ｆは、例えば、１０ｋＰａ以上であることが好ましい。本明細書では、圧力を、大気圧を基準としたゲージ圧で表記する。

【0077】

目標値Ｆは、高低差Ｈ１および高低差Ｈ２の少なくともいずれかに基づいて、設定されることが好ましい。例えば、高低差Ｈ１が大きくなるにしたがって目標値Ｆが高くなるように、目標値Ｆが設定される。例えば、高低差Ｈ２が大きくなるにしたがって目標値Ｆが高くなるように、目標値Ｆが設定される。

【0078】

図４は、定圧工程ＣＣが始まる時の第１ピストン１８を実線で示す。図４は、定圧工程ＣＣが終了する時の第１ピストン１８を破線で示す。定圧工程ＣＣが始まる時の第１ピストン１８の位置を、位置ＰＣｓと呼ぶ。定圧工程ＣＣが終了する時の第１ピストン１８の位置を、位置ＰＣｅと呼ぶ。定圧工程ＣＣにおける第１ピストン１８の移動距離を、移動距離ＬＣと呼ぶ。移動距離ＬＣは、位置ＰＣｓと位置ＰＣｅの差である。移動距離ＬＣは、絶対値である。

【0079】

［ステップＳ３：供給工程ＣＳ］
図５は、供給工程ＣＳにおける基板処理装置１を示す図である。供給工程ＣＳは、基板Ｗに処理液を供給し、基板Ｗに処理を行う。

【0080】

制御部４５は、ノズル４１を処理位置に配置させる。ノズル４１は、待機位置から処理位置に移動する。基板保持部５は、基板Ｗを保持する。制御部４５は、回転駆動部６によって基板保持部５を回転させる。これにより、基板保持部５に保持される基板Ｗは、回転する。

【0081】

制御部４５は、第１弁３２を開く。制御部４５は、第２弁３７を閉じる。制御部４５は、第１ピストン１８を正方向Ｅ１ｐに移動させる。第１ポンプ室１２の容積は、減少する。第１ポンプ室１２は、開口１５を通じて、処理液を吐き出す。処理液は、配管３１および第１弁３２を介して、ノズル４１に流れる。ノズル４１は、処理液を基板Ｗに吐出する。カップ７は、基板Ｗから飛散された処理液を受ける。

【0082】

図５は、供給工程ＣＳが始まる時の第１ピストン１８を実線で示す。図５は、供給工程ＣＳが終了する時の第１ピストン１８を破線で示す。供給工程ＣＳが始まる時の第１ピストン１８の位置を、位置ＰＳｓと呼ぶ。供給工程ＣＳが終了する時の第１ピストン１８の位置を、位置ＰＳｅと呼ぶ。供給工程ＣＳにおける第１ピストン１８の移動距離を、移動距離ＬＳと呼ぶ。移動距離ＬＳは、位置ＰＳｓと位置ＰＳｅの差である。移動距離ＬＳは、絶対値である。

【0083】

供給工程ＣＳが終了することによって、１つのサイクル動作Ｃが終了する。１つのサイクル動作Ｃが終了した後、新たなサイクル動作Ｃが始まる。すなわち、第１充填工程ＣＡが始まる。

【0084】

図６は、第１ピストン１８の位置の時間的な変化を示すグラフである。定圧工程ＣＣが始まる時は、例えば、第１充填工程ＣＡが終了する時と同時である。供給工程ＣＳが始まる時は、例えば、定圧工程ＣＣが終了する時と同時である。第１充填工程ＣＡが始まる時は、例えば、供給工程ＣＳが終了する時と同時である。

【0085】

第１充填工程ＣＡでは、制御部４５は、第１ピストン１８を、第１原点位置Ｐ０まで移動させる。すなわち、位置ＰＡｅは、常に、第１原点位置Ｐ０である。

【0086】

定圧工程ＣＣでは、位置ＰＣｓは、位置ＰＡｅと実質的に等しい。このため、位置ＰＣｓは、第１原点位置Ｐ０と実質的に等しい。

【0087】

定圧工程ＣＣでは、第１ピストン１８は、静止することもあり、正方向Ｅ１ｐに移動することもあり、負方向Ｅ１ｎに移動することもある。移動距離ＬＣは、複数のサイクル動作Ｃの間で、ばらつくことがある。移動距離ＬＣがばらつく原因の１つは、第１弁３２からの処理液のリークである。第１弁３２からの処理液のリークは、第１弁３２が閉じているときに、第１弁３２が処理液をリークすることである。言い換えれば、第１弁３２からの処理液のリークは、第１弁３２が閉じているときに、処理液が弁本体３３を通じて流れることである。以下では、第１弁３２からの処理液のリークを、適宜に「リーク」と呼ぶ。

【0088】

図７（ａ）、７（ｂ）、７（ｃ）はそれぞれ、定圧工程ＣＣにおける第１ピストン１８の位置の変化を模式的に示す図である。

【0089】

図７（ａ）では、リークが生じていない。このため、第１ポンプ室１２とノズル４１との間において、処理液は流れない。処理液は、ノズル４１から垂れない。処理液のしずくは、ノズル４１から落ちない。処理液は、ノズル４１内の流路の全部を実質的に満たす。ノズル４１内の処理液の液位は、ノズル４１の吐出口と略同じ高さ位置に保たれる。ノズル４１内の処理液の液位は、例えば、ノズル４１内の処理液の下面である。

【0090】

第１弁３２からの処理液のリークが生じていないので、処理液はノズル４１から第１ポンプ室１２に流入せず、かつ、処理液は第１ポンプ室１２からノズル４１に流出しない。このため、第１ポンプ室１２の圧力の変動は、比較的に小さい。よって、第１ピストン１８の位置の変化は比較的に小さい。

【0091】

図７（ｂ）では、リークが生じている。具体的には、第１弁３２は、弁本体３３を通じて、処理液をリークする。リークの向きは、入口ポート３４から出口ポート３５に向かう方向である。処理液は、第１弁３２を通じて、第１ポンプ室１２からノズル４１に流れる。ここで、処理液が第１弁３２を通じて第１ポンプ室１２からノズル４１に流れるリークを、順方向リークと呼ぶ。順方向リークが生じているので、処理液は、ノズル４１から垂れる。例えば、処理液のしずくは、ノズル４１から落ちる。ノズル待機部４３は、ノズル４１から垂れた処理液を受ける。

【0092】

順方向リークが生じた時、処理液は、第１ポンプ室１２からノズル４１に流出する。第１ポンプ室１２から流出する処理液によって、第１ポンプ室１２の圧力は低下する。制御部４５は、第１ピストン１８を正方向Ｅ１ｐに移動させ、第１ポンプ室１２の容積を減少させる。これにより、第１ポンプ室１２の圧力は高くなる。第１ポンプ室１２の圧力は、順方向リークが生じた時の圧力に戻る。

【0093】

このため、順方向リークは、継続して発生し易い。順方向リークの発生期間は、長くなり易い。順方向リークによって流れる処理液の量は、多くなり易い。よって、第１ピストン１８の位置の変化は大きくなり易い。

【0094】

仮に、制御部４５が定圧制御を行わない場合、順方向リークが生じた後の第１ポンプ室１２の圧力は、順方向リークが生じる前の第１ポンプ室１２の圧力よりも、低くなる。第１ポンプ室１２の圧力が低いほど、処理液は第１ポンプ室１２から流出し難い。よって、順方向リークは、継続して発生し難い。順方向リークの発生期間は、長くなり難い。順方向リークによって流れる処理液の量は、多くなり難い。よって、第１ピストン１８の位置の変化は大きくなり難い。

【0095】

図７（ｃ）では、リークが生じている。図７（ｃ）に示すリークは、図７（ｂ）に示すリークと、リークの向きが異なる。具体的には、第１弁３２は、弁本体３３を通じて、出口ポート３５から入口ポート３４に処理液をリークする。処理液は、第１弁３２を通じて、ノズル４１から第１ポンプ室１２に流れる。ここで、処理液が第１弁３２を通じてノズル４１から第１ポンプ室１２に流れるリークを、逆方向リークと呼ぶ。処理液は、ノズル４１内の流路の全部を満たさなくなる。例えば、ノズル４１内の処理液の液位は、ノズル４１の吐出口から上昇する。

【0096】

逆方向リークが生じた時、処理液は、ノズル４１から第１ポンプ室１２に流入する。第１ポンプ室１２に流入する処理液によって、第１ポンプ室１２の圧力は高くなる。制御部４５は、第１ピストン１８を負方向Ｅ１ｎに移動させ、第１ポンプ室１２の容積を増大させる。これにより、第１ポンプ室１２の圧力は低くなる。第１ポンプ室１２の圧力は、逆方向リークが生じた時の圧力に戻る。このため、逆方向リークは、継続して発生し易い。逆方向リークの発生期間は、長くなり易い。逆方向リークによって流れる処理液の量は、多くなり易い。よって、第１ピストン１８の位置の変化は大きくなり易い。

【0097】

仮に、制御部４５が定圧制御を行わない場合、逆方向リークが生じた後の第１ポンプ室１２の圧力は、逆方向リークが生じる前の第１ポンプ室１２の圧力よりも、高くなる。よって、逆方向リークは、継続して発生し難い。逆方向リークの発生期間は、長くなり難い。逆方向リークによって流れる処理液の量は、多くなり難い。よって、第１ピストン１８の位置の変化は大きくなり難い。

【0098】

リークが生じる場合、基板Ｗに対する処理の品質を好適に保つことができない。例えば、順方向リークが生じる場合、供給工程ＣＳにおいて、第１弁３２を閉じた後に、ノズル４１は不必要な処理液を基板Ｗに滴下するおそれがある。その結果、基板Ｗ上に塗布欠陥やパーティクルが発生するおそれがある。例えば、逆方向リークが生じる場合、第１ポンプ室１２とノズル４１との間の流路に空気が入る。その結果、レジストの一部が乾燥し、固化し、パーティクルとなるおそれがある。さらに、供給工程ＣＳにおいて、ノズル４１は、空気が混入された処理液を基板Ｗに吐出するおそれがある。さらに、ノズル４１が基板Ｗに供給する処理液の量を、適切に管理できなくなるおそれがある。

【0099】

図６を参照する。位置ＰＣｅは、移動距離ＬＣに応じて変動する。位置ＰＣｅは、第１原点位置Ｐ０を、定圧工程ＣＣにおける第１ピストンの移動方向に、移動距離ＬＣだけ、シフトした位置に相当する。

【0100】

供給工程ＣＳでは、位置ＰＳｓは、位置ＰＣｅと実質的に等しい。このため、位置ＰＳｓは、移動距離ＬＣに応じて変動する。供給工程ＣＳでは、制御部４５は、第１ピストン１８を、第１距離Ｌ１だけ、移動させる。すなわち、距離ＬＳは、常に、第１距離Ｌ１である。位置ＰＳｅは、正方向Ｅ１ｐに第１距離Ｌ１だけ、位置ＰＳｓをシフトした位置である。位置ＰＳｅは、移動距離ＬＣに応じて変動する。

【0101】

位置ＰＡｓは、位置ＰＳｅと実質的に等しい。このため、位置ＰＡｓは、移動距離ＬＣに応じて変動する。上述の通り、位置ＰＡｅは、第１原点位置Ｐ０である。このため、移動距離ＬＡも、移動距離ＬＣに応じて変動する。

【0102】

上述した目標値Ｆ、第１原点位置Ｐ０および第１距離Ｌ１は、予め設定されている。具体的には、基板処理装置１が上述した動作する前に、目標値Ｆ、第１原点位置Ｐ０および第１距離Ｌ１は設定されている。目標値Ｆ、第１原点位置Ｐ０および第１距離Ｌ１は、例えば、記憶部４７に記憶されている。第１原点位置Ｐ０および第１距離Ｌ１はそれぞれ、既知である。

【0103】

［ステップＳ４：検出工程］
図２を参照する。基板処理装置１は、サイクル動作Ｃと並行して、検出工程を行う。検出工程は、例えば、第１充填工程ＣＡ、定圧工程ＣＣおよび供給工程ＣＳが実行される期間に、実行される。検出工程では、第１圧力センサ２１は、第１ポンプ室１２の圧力を検出する。第１圧力センサ２１は、第１圧力センサ２１の検出結果を、制御部４５に出力する。検出工程では、第１位置センサ２２は、第１ピストン１８の位置を検出する。第１位置センサ２２は、第１位置センサ２２の検出結果を、制御部４５に出力する。

【0104】

［ステップＳ５：リーク判定工程］
基板処理装置１は、サイクル動作Ｃおよび検出工程と並行して、リーク判定工程を行う。リーク判定工程では、制御部４５は、リーク判定処理を行う。リーク判定処理では、制御部４５は、検出工程によって得られた検出結果に基づいて、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を取得する。リーク判定処理では、制御部４５は、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化に基づいて、第１弁３２からの処理液のリークの有無を判定する。

【0105】

図６は、判定期間Ｊを例示する。判定期間Ｊの全部は、定圧工程ＣＣが実行される期間に含まれる。すなわち、判定期間Ｊは、定圧工程ＣＣが実行されない期間を含まない。判定期間Ｊは、定圧工程ＣＣが実行される期間の少なくとも一部である。判定期間Ｊは、例えば、定圧工程ＣＣが実行される期間の全部であってもよい。ここで、定圧工程ＣＣが実行される期間は、定圧制御が実行される期間に相当する。

【0106】

制御部４５が取得する第１ピストン１８の位置の変化は、第１ピストン１８の移動距離、および、第１ピストン１８の平均速度の少なくともいずれかを含む。

【0107】

判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を取得するとは、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を算出すること、および、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を推定することの少なくともいずれかを含む。判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を算出するとは、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の２つ以上の位置の検出結果に基づいて、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を取得することである。判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を推定するとは、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の１つのみの位置の検出結果、および、判定期間Ｊ以外の期間における第１ピストン１８の１つ以上の位置の検出結果の少なくともいずれかに基づいて、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を取得することである。

【0108】

４．判定期間Ｊ
図８は、定圧工程ＣＣにおける第１ポンプ室１２の圧力の時間的な変化を例示するグラフである。時刻ＴＣｓは、定圧工程ＣＣが開始する時刻である。時刻ＴＣｅは、定圧工程ＣＣが終了する時刻である。

【0109】

判定期間Ｊは、第１判定期間Ｊ１と第２判定期間Ｊ２の少なくともいずれかを含む。

【0110】

第１判定期間Ｊ１は、例えば、定圧工程ＣＣが実行される期間の一部である。第１判定期間Ｊ１は、第１時刻ＴＪｓから始まる。制御部４５は、第１圧力センサ２１の検出結果に基づいて、第１時刻ＴＪｓを特定する。第１時刻ＴＪｓは、定圧工程ＣＣが始まった後、第１ポンプ室１２の圧力が初めて目標値Ｆの許容範囲Ｇ内になる時刻である。ここで、許容範囲Ｇは、目標値Ｆを含む。例えば、許容範囲Ｇは、目標値Ｆの±２ｋＰａの範囲である。例えば、許容範囲Ｇは、目標値Ｆの±２０％の範囲である。

【0111】

第１判定期間Ｊ１の時間の長さを、時間長Ｕ１と呼ぶ。時間長Ｕ１は、例えば、４秒以上である。時間長Ｕ１は、例えば、８秒以下である。

【0112】

時間長Ｕ１は、時刻ＴＪｅを規定する。時刻ＴＪｅは、第１時刻ＴＪｓから時間長Ｕ１が経過する時刻である。第１判定期間Ｊ１は、時刻ＴＪｅに終了する。但し、時刻ＴＪｅが時刻ＴＣｅよりも後になる場合、第１判定期間Ｊ１は時刻ＴＣｅに終了する。

【0113】

第２判定期間Ｊ２は、定圧工程ＣＣが実行される期間の全部である。すなわち、第２判定期間Ｊ２は、時刻ＴＣｓから時刻ＴＣｅまでの期間である。第２判定期間Ｊ２の時間の長さを、時間長Ｕ２と呼ぶ。時間長Ｕ２は、定圧工程ＣＣが実行される期間の時間長に相当する。時間長Ｕ２は、時刻ＴＣｓから時刻ＴＣｅまでの時間の長さに相当する。

【0114】

上述した許容範囲Ｇおよび時間長Ｕ１、Ｕ２は、予め設定されている。許容範囲Ｇおよび時間長Ｕ１、Ｕ２は、例えば、記憶部４７に記憶されている。

【0115】

５．リーク判定工程（リーク判定処理）の詳細
リーク判定処理には、多様な手順がある。以下では、第１－第６のリーク判定処理を例示する。制御部５１は、第１－第６のリーク判定処理の少なくとも１つを実行する。例えば、制御部５１は、第１－第６のリーク判定処理の２つを並行して実行してもよい。

【0116】

５－１．第１のリーク判定処理
第１のリーク判定処理は、第１判定期間Ｊ１において第１ピストン１８の位置が継続的に変化するか否かを判別する。

【0117】

図８を参照する。制御部４５は、第１判定期間Ｊ１を、複数の分割期間Ｄに区分する。分割期間Ｄの数ＮＤは、例えば、８つ以下である。分割期間Ｄの数ＮＤは、例えば、４つ以上である。各分割期間Ｄの時間長は、例えば、互いに等しい。各分割期間Ｄの時間長は、例えば、１秒である。

【0118】

制御部４５は、第１判定期間Ｊ１における第１ピストン１８の位置の検出結果に基づいて、各分割期間Ｄにおける第１ピストン１８の移動距離ＬＤを算出する。移動距離ＬＤは、分割期間Ｄが開始する時の第１ピストン１８の位置と分割期間Ｄが終了する時の第１ピストン１８の位置との差である。移動距離ＬＤは、絶対値である。

【0119】

制御部４５は、各移動距離ＬＤを第１閾値Ｋ１と比較する。制御部４５は、第１閾値Ｋ１以上の移動距離ＬＤを含む分割期間Ｄを、変化期間ＤＣとして特定する。制御部４５は、第１閾値Ｋ１未満の移動距離ＬＤを含む分割期間Ｄを、変化期間ＤＣとして特定しない。

【0120】

制御部４５は、変化期間ＤＣの数ＮＣを計数する。数ＮＣは、数ＮＤ以下である。数ＮＣが大きくなるほど、第１ピストン１８の位置が、継続的に、有意に変化すると言える。言い換えれば、数ＮＣが大きくなるほど、第１ピストン１８の位置が有意に変化する期間が長いと言える。

【0121】

制御部４５は、数ＮＣに基づいて、リークの有無を判定する。

【0122】

例えば、制御部４５は、数ＮＣを、第１基準値Ｒ１と比較する。数ＮＣが第１基準値Ｒ１以上である場合、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0123】

例えば、制御部４５は、数ＮＤに対する数ＮＣの比Ａを算出する。制御部４５は、比Ａを第２基準値Ｒ２と比較する。比Ａが第２基準値Ｒ２以上である場合、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0124】

第１のリーク判定処理の具体例を説明する。

【0125】

図９は、第１判定期間Ｊ１における第１位置センサ２２の検出結果の一例を示すグラフである。図９では、第１ピストン１８の位置を、パルス数［ｐｌｓ］によって示す。第１ピストン１８が正方向Ｅ１ｐに移動するとき、パルス数は増加するものとする。第１ピストン１８が負方向Ｅ１ｎに移動するとき、パルス数は減少するものとする。

【0126】

図９に示す例は、第１判定期間Ｊ１における第１ピストン１８の６個の位置の検出結果を含む。具体的には、位置ＰＪｓ、ＰＪ１－ＰＪ４、ＰＪｅはそれぞれ、第１時刻ＴＪｓおよび時刻ｔ２－ｔ４、ＴＪｅにおける第１ピストン１８の位置の検出結果である。

【0127】

制御部４５は、第１時刻ＴＪｓおよび時刻ｔ２－ｔ４、ＴＪｅによって、第１判定期間Ｊ１を、分割期間Ｄ１－Ｄ５に区分する。例えば、分割期間Ｄ１は、第１時刻ＴＪｓから時刻ｔ１までの期間である。分割期間Ｄの数ＮＤは、例えば、５である。

【0128】

図１０（ａ）は、分割期間Ｄにおける第１ピストン１８の移動距離ＬＤの第１例である。制御部４５は、図９に示す検出結果の例に基づいて、図１０（ａ）に示す移動距離ＬＤを算出する。ここで、各分割期間Ｄ１―Ｄ５における第１ピストン１８の移動距離ＬＤをそれぞれ、移動距離ＬＤ１－ＬＤ５と呼ぶ。例えば、制御部４５は、位置ＰＪｓと位置ＰＪ１との差を、移動距離ＬＤ１として算出する。同様に、制御部４５は、移動距離ＬＤ２－ＬＤ５を算出する。

【0129】

さらに、制御部４５は、図９に示す検出結果の例に基づいて、各分割期間Ｄ１－Ｄ５における第１ピストン１８の移動方向を、特定する。例えば、分割期間Ｄ２では、第１ピストン１８の位置（パルス数）は減少する。このため、制御部４５は、分割期間Ｄ２における第１ピストン１８の移動方向を負方向Ｅ１ｎとして特定する。

【0130】

ここで、第１閾値Ｋ１が５０［ｐｌｓ］であるとする。図１０（ａ）に示す第１例では、移動距離ＬＤ１は第１閾値Ｋ１未満である。よって、制御部４５は、移動距離ＬＤ１を含む分割期間Ｄ１を、変化期間ＤＣと特定しない。移動距離ＬＤ２は、第１閾値Ｋ１以上である。よって、制御部４５は、移動距離ＬＤ２を含む分割期間Ｄ２を、変化期間ＤＣと特定する。同様に、移動距離ＬＤ３－ＬＤ５はそれぞれ、第１閾値Ｋ１以上である。よって、制御部４５は、分割期間Ｄ３－Ｄ５をそれぞれ、変化期間ＤＣと特定する。その結果、変化期間の数ＮＣは、４である。数ＮＤに対する数ＮＣの比Ａは、８０％である。

【0131】

ここで、第１基準値Ｒ１が２であるとする。第１例では、数ＮＣは、第１基準値Ｒ１以上である。よって、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0132】

あるいは、第２基準値Ｒ２が５０％であるとする。第１例では、比Ａは、第２基準値Ｒ２以上である。よって、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0133】

図１０（ｂ）は、分割期間Ｄにおける第１ピストン１８の移動距離ＬＤの第２例である。なお、図１０（ｂ）に示す第２例は、図９に示す検出結果の例と無関係である。

【0134】

制御部４５は、第１判定期間Ｊ１を分割期間Ｄ１－Ｄ５に区分する。制御部４５は、図９に示す検出結果の例とは異なる検出結果に基づいて、図１０（ｂ）に示す移動距離ＬＤ１－ＬＤ５を算出する。

【0135】

ここで、第１閾値Ｋ１が５０［ｐｌｓ］であるとする。図１０（ｂ）に示す第２例では、移動距離ＬＤ１－ＬＤ３はそれぞれ、第１閾値Ｋ１以上である。よって、制御部４５は、分割期間Ｄ１―Ｄ３を、変化期間ＤＣと特定する。移動距離ＬＤ４－ＬＤ５はそれぞれ、第１閾値Ｋ１未満である。よって、制御部４５は、分割期間Ｄ４―Ｄ５を、変化期間ＤＣと特定しない。その結果、変化期間の数ＮＣは、３である。数ＮＤに対する数ＮＣの比Ａは、６０％である。

【0136】

ここで、第１基準値Ｒ１が２であるとする。第２例では、数ＮＣは、第１基準値Ｒ１以上である。よって、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0137】

【0138】

上述した第１閾値Ｋ１、第１基準値Ｒ１および第２基準値Ｒ２は、予め設定されている。第１閾値Ｋ１、第１基準値Ｒ１および第２基準値Ｒ２は、例えば、記憶部４７に記憶されている。

【0139】

５－２．第２のリーク判定処理
第２のリーク判定処理は、第１ポンプ室１２の容積を減少させる第１ピストン１８の位置の変化と、第１ポンプ室１２の容積を増大させる第１ピストン１８の位置の変化とを区別する。これにより、第２のリーク判定処理は、リークの有無の判定に加え、リークの向きを特定する。なお、第１のリーク判定処理と同様の処理については、適宜に簡略に説明する。

【0140】

制御部４５は、第１判定期間Ｊ１を、複数の分割期間Ｄに区分する。制御部４５は、第１判定期間Ｊ１における第１ピストン１８の位置の検出結果に基づいて、各分割期間Ｄにおける第１ピストン１８の移動距離ＬＤを算出する。制御部４５は、移動距離ＬＤが第１閾値Ｋ１以上である分割期間Ｄを、変化期間ＤＣとして特定する。

【0141】

さらに、制御部４５は、変化期間ＤＣを、正変化期間ＤＣｐと負変化期間ＤＣｎに分類する。正変化期間ＤＣｐは、第１ピストン１８が正方向Ｅ１ｐに移動する変化期間ＤＣである。すなわち、正変化期間ＤＣｐは、第１ピストン１８が第１ポンプ室１２の容積を減少させる変化期間ＤＣである。負変化期間ＤＣｎは、第１ピストン１８が負方向Ｅ１ｎに移動する変化期間ＤＣである。すなわち、負変化期間ＤＣｎは、第１ピストン１８が第１ポンプ室１２の容積を増大させる変化期間ＤＣである。

【0142】

制御部４５は、正変化期間ＤＣｐの数ＮＣｐを計数する。制御部４５は、負変化期間ＤＣｎの数ＮＣｎを計数する。数ＮＣｐと数ＮＣｎの合計は、数ＮＣと等しい。

【0143】

制御部４５は、数ＮＣｐと数ＮＣｎとに基づいて、リークの有無を判定する。

【0144】

例えば、制御部４５は、数ＮＣｐを、第３基準値Ｒ３と比較する。数ＮＣｐが第３基準値Ｒ３以上である場合、制御部４５は、リークが生じており、かつ、第１弁３２は第１ポンプ室１２からノズル４１に処理液をリークすると判定する。すなわち、数ＮＣｐが第３基準値Ｒ３以上である場合、制御部４５は、順方向リークが生じていると判定する。制御部４５は、数ＮＣｎを、第４基準値Ｒ４と比較する。数ＮＣｎが第４基準値Ｒ４以上である場合、制御部４５は、リークが生じており、かつ、第１弁３２はノズル４１から第１ポンプ室１２に処理液をリークすると判定する。すなわち、数ＮＣｎが第４基準値Ｒ４以上である場合、制御部４５は、逆方向リークが生じていると判定する。

【0145】

例えば、制御部４５は、数ＮＤに対する数ＮＣｐの比Ａｐを算出する。制御部４５は、比Ａｐを、第５基準値Ｒ５と比較する。比Ａｐが第５基準値Ｒ５以上である場合、制御部４５は、順方向リークが生じていると判定する。例えば、制御部４５は、数ＮＤに対する数ＮＣｎの比Ａｎを算出する。制御部４５は、比Ａｎを、第６基準値Ｒ６と比較する。比Ａｎが第６基準値Ｒ６以上である場合、制御部４５は、逆方向リークが生じていると判定する。

【0146】

第２のリーク判定処理を、図１０（ａ）に示す第１例に適用する場合を説明する。

【0147】

制御部４５は、第１判定期間Ｊ１を分割期間Ｄ１－Ｄ５に区分する。分割期間Ｄの数ＮＤは、５である。制御部４５は、移動距離ＬＤ１－ＬＤ５を算出する。ここで、第１閾値Ｋ１が５０［ｐｌｓ］であるとする。制御部４５は、分割期間Ｄ２－Ｄ５をそれぞれ、変化期間ＤＣと特定する。変化期間ＤＣの数ＮＤは、４である。分割期間Ｄ２、Ｄ４では、第１ピストン１８は負方向Ｅ１ｎに移動する。よって、制御部４５は、分割期間Ｄ２、Ｄ４を負変化期間ＤＣｎと特定する。分割期間Ｄ３、Ｄ５では、第１ピストン１８は正方向Ｅ１ｐに移動する。よって、制御部４５は、分割期間Ｄ３、Ｄ５を正変化期間ＤＣｐと特定する。その結果、正変化期間ＤＣｐの数ＮＣｐは、２つである。数ＮＤに対する数ＮＣｐの比Ａｐは、４０％である。負変化期間ＤＣｎの数ＮＣｎは、２である。数ＮＤに対する数ＮＣｎの比Ａｎは、４０％である。

【0148】

ここで、第３基準値Ｒ３および第４基準値Ｒ４がそれぞれ、２であるとする。第１例では、数ＮＣｐは第３基準値Ｒ３以上である。よって、制御部４５は、順方向リークが生じていると判定する。数ＮＣｎは第４基準値Ｒ４以上である。よって、制御部４５は、逆方向リークが生じていると判定する。

【0149】

あるいは、第５基準値Ｒ５および第６基準値Ｒ６がそれぞれ、５０％であるとする。第１例では、比Ａｐは、第５基準値Ｒ５未満である。よって、制御部４５は、順方向リークが生じていると判定しない。比Ａｎは第６基準値Ｒ６未満である。よって、制御部４５は、逆方向リークが生じていると判定しない。

【0150】

第２のリーク判定処理を、図１０（ｂ）に示す第２例に適用する場合を説明する。

【0151】

制御部４５は、第１判定期間Ｊ１を分割期間Ｄ１－Ｄ５に区分する。分割期間Ｄの数ＮＤは、５である。制御部４５は、移動距離ＬＤ１－ＬＤ５を算出する。ここで、第１閾値Ｋ１が５０［ｐｌｓ］であるとする。制御部４５は、分割期間Ｄ１－Ｄ３をそれぞれ、変化期間ＤＣと特定する。変化期間ＤＣの数ＮＤは、３つである。分割期間Ｄ１－Ｄ２では、第１ピストン１８は正方向Ｅ１ｐに移動する。よって、制御部４５は、分割期間Ｄ１－Ｄ２を正変化期間ＤＣｐと特定する。分割期間Ｄ３では、第１ピストン１８は負方向Ｅ１ｎに移動する。よって、制御部４５は、分割期間Ｄ３を負変化期間ＤＣｎと特定する。その結果、正変化期間ＤＣｐの数ＮＣｐは、２である。数ＮＤに対する数ＮＣｐの比Ａｐは、４０％である。負変化期間ＤＣｎの数ＮＣｎは、１である。数ＮＤに対する数ＮＣｐの比Ａｐは、２０％である。

【0152】

ここで、第３基準値Ｒ３および第４基準値Ｒ４がそれぞれ、２であるとする。第２例では、数ＮＣｐは第３基準値Ｒ３以上である。よって、制御部４５は、順方向リークが生じていると判定する。数ＮＣｎは第４基準値Ｒ４未満である。よって、制御部４５は、逆方向リークが生じていると判定しない。

【0153】

【0154】

上述した第３－第６基準値Ｒ３－Ｒ６は、予め設定されている。第３－第６基準値Ｒ３－Ｒ６は、例えば、記憶部４７に記憶されている。

【0155】

５－３．第３のリーク判定処理
第３のリーク判定処理は、第１判定期間Ｊ１における第１ピストン１８の過度な位置の変化を排除する。なお、第１のリーク判定処理と同様の処理については、適宜に簡略に説明する。

【0156】

【0157】

さらに、制御部４５は、変化期間ＤＣにおける移動距離ＬＤを、第２閾値Ｋ２と比較する。第２閾値Ｋ２は、第１閾値Ｋ１よりも大きい。制御部４５は、第２閾値Ｋ２以上の移動距離ＬＤを含む変化期間ＤＣを、異常期間ＤＡとして特定する。制御部４５は、第２閾値Ｋ２未満の移動距離ＬＤを含む変化期間ＤＣを、異常期間ＤＡとして特定しない。

【0158】

制御部４５は、異常期間ＤＡの数ＮＡを計数する。数ＮＡは、数ＮＣ以下である。制御部４５は、異常期間ＤＡを除く分割期間Ｄの数ＮＤａを計数する。制御部４５は、異常期間ＤＡを除く変化期間ＤＣの数ＮＣａを計数する。

【0159】

制御部４５は、数ＮＣａに基づいて、リークの有無を判定する。

【0160】

例えば、制御部４５は、数ＮＣａが第１基準値Ｒ１以上である場合、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0161】

例えば、制御部４５は、数ＮＤａに対する数ＮＣａの比Ａａを算出する。比Ａａが第２基準値Ｒ２以上である場合、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0162】

第３のリーク判定処理を、図１０（ａ）に示す第１例に適用する場合を説明する。

【0163】

制御部４５は、第１判定期間Ｊ１を分割期間Ｄ１－Ｄ５に区分する。分割期間Ｄの数ＮＤは、５である。制御部４５は、移動距離ＬＤ１－ＬＤ５を算出する。ここで、第１閾値Ｋ１が５０［ｐｌｓ］であり、第２閾値Ｋ２が５００［ｐｌｓ］であるとする。制御部４５は、分割期間Ｄ２－Ｄ５をそれぞれ、変化期間ＤＣと特定する。変化期間ＤＣの数ＮＤは、４である。移動距離ＬＤ２は、第２閾値Ｋ２未満である。よって、制御部４５は、移動距離ＬＤ２を含む分割期間Ｄ２を、異常期間ＤＡと特定しない。同様に、移動距離ＬＤ３－ＬＤ５はそれぞれ、第２閾値Ｋ２未満である。よって、制御部４５は、分割期間Ｄ３―Ｄ５を、異常期間ＤＡと特定しない。異常期間ＤＡの数ＮＡは、零である。異常期間ＤＡを除く分割期間Ｄの数ＮＤａは、５である。異常期間ＤＡを除く変化期間ＤＣの数ＮＣａは、４である。数ＮＤａに対する数ＮＣａの比Ａａは、８０％である。

【0164】

ここで、第１基準値Ｒ１が２であるとする。第１例では、数ＮＣａは第１基準値Ｒ１以上である。よって、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0165】

あるいは、第２基準値Ｒ２が５０％であるとする。第１例では、比Ａａは、第２基準値Ｒ２以上である。よって、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0166】

第３のリーク判定処理を、図１０（ｂ）に示す第２例に適用する場合を説明する。

【0167】

制御部４５は、第１判定期間Ｊ１を分割期間Ｄ１－Ｄ５に区分する。分割期間Ｄの数ＮＤは、５である。制御部４５は、移動距離ＬＤ１－ＬＤ５を算出する。ここで、第１閾値Ｋ１が５０［ｐｌｓ］であり、第２閾値Ｋ２が５００［ｐｌｓ］であるとする。制御部４５は、分割期間Ｄ１－Ｄ３をそれぞれ、変化期間ＤＣと特定する。変化期間ＤＣの数ＮＤは、３つである。移動距離ＬＤ１は、第２閾値Ｋ２以上である。よって、制御部４５は、移動距離ＬＤ１を含む分割期間Ｄ１を、異常期間ＤＡと特定する。移動距離ＬＤ２－ＬＤ３はそれぞれ、第２閾値Ｋ２未満である。よって、制御部４５は、分割期間Ｄ２―Ｄ３を、異常期間ＤＡと特定しない。異常期間ＤＡの数ＮＡは、１つである。異常期間ＤＡを除く分割期間Ｄの数ＮＤａは、４つである。異常期間ＤＡを除く変化期間ＤＣの数ＮＣａは、２つである。数ＮＤａに対する数ＮＣａの比Ａａは、５０％である。

【0168】

ここで、第１基準値Ｒ１が２であるとする。第２例では、数ＮＣａは第１基準値Ｒ１以上である。よって、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0169】

あるいは、第２基準値Ｒ２が５０％であるとする。第２例では、比Ａａは、第２基準値Ｒ２以上である。よって、制御部４５は、リークが生じていると判定する。

【0170】

上述した第２閾値Ｋ２は、予め設定されている。第２閾値Ｋ２は、例えば、記憶部４７に記憶されている。

【0171】

５－４．第４のリーク判定処理
第４のリーク判定処理は、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の移動距離に基づいて、リークの有無を判定する。判定期間Ｊは、第１判定期間Ｊ１および第２判定期間Ｊ２の少なくともいずれかである。

【0172】

第１判定期間Ｊ１における第１ピストン１８の移動距離を、移動距離ＬＪと呼ぶ。移動距離ＬＪは、第１時刻ＴＪｓにおける第１ピストン１８の位置と、時刻ＴＪｅにおける第１ピストン１８の位置との差である。移動距離ＬＪは、絶対値である。

【0173】

制御部４５は、第１時刻ＴＪｓにおける第１ピストン１８の位置の検出結果と、時刻ＴＪｅにおける第１ピストン１８の位置の検出結果とに基づいて、移動距離ＬＪを算出する。第１時刻ＴＪｓにおける第１ピストン１８の位置の検出結果は、図９に示す位置ＰＪｓに相当する。時刻ＴＪｅにおける第１ピストン１８の位置の検出結果は、図９に示す位置ＰＪｅに相当する。

【0174】

制御部４５は、移動距離ＬＪに基づいて、リークの有無を判定する。

【0175】

例えば、制御部４５は、移動距離ＬＪと第３閾値Ｋ３と比較する。移動距離ＬＪが第３閾値Ｋ３以上である場合、制御部４５はリークが生じていると判定する。

【0176】

第２判定期間Ｊ２における第１ピストン１８の移動距離は、定圧工程ＣＣにおける第１ピストン１８の移動距離ＬＣに相当する。以下では、適宜に、第２判定期間Ｊ２における第１ピストン１８の移動距離を、移動距離ＬＣと記載する。上述の通り、移動距離ＬＣは、時刻ＴＣｓにおける第１ピストン１８の位置と、時刻ＴＣｅにおける第１ピストン１８の位置との差である。移動距離ＬＣは、絶対値である。

【0177】

制御部４５は、時刻ＴＣｓにおける第１ピストン１８の位置の検出結果と、時刻ＴＣｅにおける第１ピストン１８の位置の検出結果とに基づいて、移動距離ＬＣを算出する。時刻ＴＣｓにおける第１ピストン１８の位置の検出結果は、図６に示す位置ＰＣｓに相当する。時刻ＴＣｅにおける第１ピストン１８の位置の検出結果は、図６に示す位置ＰＣｅに相当する。

【0178】

制御部４５は、移動距離ＬＣに基づいて、リークの有無を判定する。

【0179】

例えば、制御部４５は、移動距離ＬＣと第４閾値Ｋ４と比較する。移動距離ＬＣが第４閾値Ｋ４以上である場合、制御部４５はリークが生じていると判定する。

【0180】

上述した第３閾値Ｋ３および第４閾値Ｋ４は、予め設定されている。第３閾値Ｋ３および第４閾値Ｋ４は、例えば、記憶部４７に記憶されている。

【0181】

５－５．第５のリーク判定処理
第５のリーク判定処理は、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の平均速度に基づいて、リークの有無を判定する。判定期間Ｊは、第１判定期間Ｊ１および第２判定期間Ｊ２の少なくともいずれかである。

【0182】

第１判定期間Ｊ１における第１ピストン１８の速度を、平均速度ＶＪと呼ぶ。平均速度ＶＪは、移動距離ＬＪを第１判定期間Ｊ１の時間長Ｕ１で除したものである。平均速度ＶＪは、図９に示す仮想線ＩＬの傾きに相当する。仮想線ＩＬは、位置ＰＪｓと位置ＰＪｅを結ぶ仮想的な直線である。

【0183】

制御部４５は、第１時刻ＴＪｓにおける第１ピストン１８の位置の検出結果と、時刻ＴＪｅにおける第１ピストン１８の位置の検出結果とに基づいて、移動距離ＬＪを算出する。制御部４５は、移動距離ＬＪと時間長Ｕ１から、平均速度ＶＪを取得する。

【0184】

制御部４５は、平均速度ＶＪに基づいて、リークの有無を判定する。

【0185】

例えば、制御部４５は、平均速度ＶＪと第５閾値Ｋ５と比較する。平均速度ＶＪが第５閾値Ｋ５以上である場合、制御部４５はリークが生じていると判定する。

【0186】

第２判定期間Ｊ２における第１ピストン１８の平均速度を、平均速度ＶＣと呼ぶ。平均速度ＶＣは、移動距離ＬＣを第２判定期間Ｊ２の時間長Ｕ２で除したものである。

【0187】

制御部４５は、時刻ＴＣｓにおける第１ピストン１８の位置の検出結果と、時刻ＴＣｅにおける第１ピストン１８の位置の検出結果とに基づいて、移動距離ＬＣを算出する。制御部４５は、移動距離ＬＣと時間長Ｕ２から、平均速度ＶＪを取得する。

【0188】

制御部４５は、平均速度ＶＣに基づいて、リークの有無を判定する。

【0189】

例えば、制御部４５は、平均速度ＶＣと第６閾値Ｋ６と比較する。平均速度ＶＣが第６閾値Ｋ６以上である場合、制御部４５はリークが生じていると判定する。

【0190】

上述した第５閾値Ｋ５および第６閾値Ｋ６は、予め設定されている。第５閾値Ｋ５および第６閾値Ｋ６は、例えば、記憶部４７に記憶されている。

【0191】

５－６．第６のリーク判定処理
第６のリーク判定処理は、第２判定期間Ｊ２における第１ピストン１８の移動距離ＬＣを、推定する。

【0192】

図３を参照する。上述した通り、サイクル動作Ｃは、以下の第１条件で実行される。
［第１条件］
供給工程ＣＳは、第１ピストン１８を、第１距離Ｌ１だけ、移動させる。
第１充填工程ＣＡは、第１ピストン１８を、第１原点位置Ｐ０まで移動させる。

【0193】

言い換えれば、移動距離ＬＳは、第１距離Ｌ１と等しい。位置ＰＡｅは、第１原点位置Ｐ０と等しい。

【0194】

第１条件の下では、位置ＰＣｅ、ＰＳｓ、ＰＳｅ、ＰＡｓおよび移動距離ＬＡはそれぞれ、移動距離ＬＣに応じて変動する。すなわち、位置ＰＣｅ、ＰＳｓ、ＰＳｅ、ＰＡｓおよび移動距離ＬＡの各変動量は、移動距離ＬＣと実質的に等しい。このため、位置ＰＣｅ、ＰＳｓ、ＰＳｅ、ＰＡｓおよび移動距離ＬＡの少なくともいずれかによって、移動距離ＬＣを推定可能である。

【0195】

例えば、制御部４５は、位置ＰＣｅに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、定圧工程ＣＣが終了する時の第１ピストン１８の１つの位置の検出結果に基づいて、位置ＰＣｅを取得する。制御部４５は、位置ＰＣｅと第１原点位置Ｐ０との差を、移動距離ＬＣと推定する。

【0196】

例えば、制御部４５は、位置ＰＳｓに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、供給工程ＣＳが始まる時の第１ピストン１８の位置の検出結果に基づいて、位置ＰＳｓを取得する。制御部４５は、位置ＰＳｓと第１原点位置Ｐ０との差を、移動距離ＬＣと推定する。

【0197】

例えば、制御部４５は、位置ＰＳｅに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、供給工程ＣＳが終了する時の第１ピストン１８の位置の検出結果に基づいて、位置ＰＳｅを取得する。制御部４５は、位置ＰＳｅと第１基準位置ＲＰ１との差を、移動距離ＬＣと推定する。ここで、第１基準位置ＲＰ１は、第１原点位置Ｐ０を正方向Ｅ１ｐに第１距離Ｌ１だけシフトした位置である。

【0198】

例えば、制御部４５は、位置ＰＡｓに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、第１充填工程ＣＡが始まる時の第１ピストン１８の位置の検出結果に基づいて、位置ＰＡｓを取得する。制御部４５は、位置ＰＡｓと第１基準位置ＲＰ１との差を、移動距離ＬＣと推定する。

【0199】

例えば、制御部４５は、移動距離ＬＡに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、第１充填工程ＣＡが始まる時の第１ピストン１８の位置の検出結果と、第１充填工程ＣＡが終了する時の第１ピストン１８の位置の検出結果とに基づいて、移動距離ＬＡを取得する。制御部４５は、移動距離ＬＡと第１距離Ｌ１との差を、移動距離ＬＣと推定する。

【0200】

その後、制御部４５は、推定された移動距離ＬＣに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第４のリーク判定処理と同様に、制御部４５は、推定された移動距離ＬＣを第４閾値Ｋ４と比較する。

【0201】

あるいは、制御部４５は、推定された移動距離ＬＣを時間長Ｕ２で除することにより、平均速度ＶＪを取得する。そして、制御部４５は、平均速度ＶＣに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第５のリーク判定処理と同様に、制御部４５は、平均速度ＶＣを第６閾値Ｋ６と比較する。

【0202】

上述した第１基準位置ＲＰ１は、予め設定されている。第１基準位置ＲＰ１は、例えば、記憶部４７に記憶されている。

【0203】

６．効果
第１実施形態の基板処理方法は、供給工程ＣＳを備える。このため、供給工程ＣＳは、基板を適切に処理できる。

【0204】

基板処理方法は、検出工程とリーク判定工程と定圧工程ＣＣを備える。検出工程は、第１ピストン１８の位置を検出する。リーク判定工程は、検出工程によって得られた検出結果に基づいて、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を取得する。リーク判定工程は、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化に基づいてリークの有無を判定する。定圧工程ＣＣは、第１弁３２を閉じる。定圧工程ＣＣは、第１ポンプ室１２の圧力を目標値Ｆに保つように第１ピストン１８の位置を調整する。このため、仮に定圧工程ＣＣにおいてリークが発生する場合、定圧工程ＣＣはリークの発生期間を長くすることができる。仮に定圧工程ＣＣにおいてリークが発生する場合、定圧工程ＣＣはリークを継続的に発生させることができる。ここで、判定期間Ｊの全部は、定圧工程が実行される期間に含まれる。したがって、リーク判定工程は、リークの有無を好適に判定できる。

【0205】

第１弁３２は、入口ポート３４と出口ポート３５を備える。入口ポート３４は、第１ポンプ室１２に連通される。出口ポート３５は、ノズル４１に連通される。定圧工程ＣＣは、第１ポンプ室１２の圧力を、第１弁３２の入口ポート３４に付与する。このため、定圧工程ＣＣは、第１弁３２の入口ポート３４が受ける圧力を、目標値Ｆに保つ。よって、仮に定圧工程ＣＣにおいて第１弁３２が処理液をリークする場合、定圧工程ＣＣはリークの発生期間を好適に長くすることができる。

【0206】

目標値Ｆは、大気圧よりも高い。このため、定圧工程ＣＣは、リークを好適に顕在化させることができる。よって、リーク判定工程ＣＣは、リークの有無を好適に判定できる。

【0207】

高低差Ｈ１、および、高低差Ｈ２の少なくともいずれかが大きくなるにしたがって目標値Ｆが高くなるように、目標値Ｆは設定される。例えば、高低差Ｈ１が大きくなるにしたがって目標値Ｆが高くなるように、目標値Ｆは設定される。この場合、高低差Ｈ１に関わらず、定圧工程ＣＣは、リークを適切に顕在化させることができる。例えば、高低差Ｈ２が大きくなるにしたがって目標値Ｆが高くなるように、目標値Ｆは設定される。この場合、高低差Ｈ２に関わらず、定圧工程ＣＣは、リークを適切に顕在化させることができる。よって、リーク判定工程は、リークの有無を好適に判定できる。

【0208】

供給工程ＣＳは、ノズル４１を処理位置に配置させる。定圧工程ＣＣは、ノズル４１を待機位置に配置させる。定圧工程ＣＣは、ノズル４１を待機位置に配置させた状態で、リークを顕在化させる。このため、基板Ｗに対する処理の品質を好適に保つことができる。

【0209】

リーク判定工程（例えば、第２のリーク判定処理）は、第１ポンプ室１２の容積を減少させる第１ピストン１８の位置の変化と、第１ポンプ室１２の容積を増大させる第１ピストン１８の位置の変化とを区別する。このため、リーク判定工程は、リークの向きを好適に特定できる。

【0210】

リーク判定工程（例えば、第１－第４、第６－第８の判定処理）は、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の移動距離に基づいて、リークの有無を判定する。このため、リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。

【0211】

判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の移動距離は、絶対値である。このため、リークの向きに関わらず、リーク判定工程は、リークの有無を判定できる。

【0212】

リーク判定工程（例えば、第５－第８のリーク判定処理）は、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の平均速度に基づいて、リークの有無を判定する。このため、リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。

【0213】

判定期間Ｊは、第１判定期間Ｊ１を含む。第１判定期間Ｊ１は、第１時刻ＴＪｓから始まる。第１時刻ＴＪｓは、定圧工程ＣＣが始まった後、第１ポンプ室１２の圧力が初めて目標値Ｆの許容範囲Ｇ内になる時刻である。第１判定期間Ｊ１は、第１時刻ＴＪｓの前の期間を含まない。第１時刻ＴＪｓの前の期間では、定圧工程ＣＣは、第１ポンプ室１２の圧力を目標値Ｆに近づけるために、第１ピストン１８を移動させる。よって、リーク判定工程は、リークの有無を精度良く判定できる。第１判定期間ＴＪｓは、第１時刻から始まる。すなわち、第１判定期間は、第１時刻ＴＪｓの直後の期間を含む。リークは、第１時刻ＴＪｓの直後の期間に、発生し易い。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。

【0214】

第１判定期間Ｊ１の時間長Ｕ１は、例えば、８秒以下である。このように、第１判定期間Ｊ１は、比較的に短い。よって、リーク判定工程は、リークの有無を速やかに判定できる。

【0215】

リーク判定工程（例えば、第１のリーク判定処理）は、第１判定期間Ｊ１を、複数の分割期間Ｄに区分する。リーク判定工程は、各分割期間Ｄにおける第１ピストン１８の移動距離ＬＤを算出する。リーク判定工程は、第１ピストン１８の移動距離ＬＤが第１閾値Ｋ１以上である分割期間Ｄを、変化期間ＤＣとして特定する。リーク判定処理は、変化期間ＤＣの数ＮＣに基づいて、リークの有無を判定する。変化期間ＤＣの数ＮＣを用いることにより、リーク判定工程は、第１ピストン１８の位置の変化が継続的に発生しているか否かを好適に判別できる。例えば、数ＮＣを用いることにより、リーク判定工程は、リークに起因する第１ピストン１８の継続的な位置の変化と、リークに起因しない第１ピストン１８の突発的な位置の変化とを好適に判別できる。上述の通り、定圧工程ＣＣは、リークの発生期間を長くすることができる。よって、定圧工程ＣＣとリーク判定工程との組み合わせにより、リークの有無を精度良く判定できる。

【0216】

分割期間Ｄの数ＮＤは、例えば、８つ以下である。このように、数ＮＤは、比較的に少ない。よって、リーク判定工程は、リークの有無を容易に判定できる。

【0217】

分割期間Ｄの数ＮＤは、例えば、４つ以上である。このため、リーク判定工程は、リークに起因する第１ピストン１８の継続的な位置の変化を好適に判別できる。

【0218】

リーク判定工程（例えば、第１の判定処理）は、分割期間Ｄの数ＮＤに対する変化期間ＤＣの数ＮＣの比Ａに基づいて、リークの有無を判定する。このため、リーク判定工程は、リークの有無を適切に判定できる。

【0219】

リーク判定工程（例えば、第３のリーク判定処理）は、第１ピストン１８の移動距離ＬＤが第１閾値Ｋ１よりも大きな第２閾値Ｋ２以上である変化期間ＤＣを、異常期間ＤＡとして特定する。リーク判定工程は、異常期間ＤＡを除く変化期間ＤＣの数ＮＣａに基づいて、リークの有無を判定する。ここで、異常期間ＤＡでは、第１ピストン１８は過度に移動する。第１ピストンの過度の移動は、リークに起因しない可能性が高い。リーク判定工程は、変化期間ＤＣの数ＮＣから異常期間ＤＡの数ＮＡを除く。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。

【0220】

リーク判定工程（例えば、第２のリーク判定処理）は、変化期間ＤＣを正変化期間ＤＣｐと負変化期間ＤＣｎに分類する。リーク判定工程は、正変化期間ＤＣｐの数ＮＣｐ、および、負変化期間ＤＣｎの数ＮＣｎに基づいて、リークの有無を判定する。このように、リーク判定工程は、リークの向きを考慮して、リークの有無を判定する。よって、リーク判定工程は、リークの有無を一層精度良く判定できる。例えば、リーク判定工程は、順方向リークの有無を好適に判定できる。リーク判定工程は、逆方向リークの有無を好適に判定できる。

【0221】

基板処理方法は、第１充填工程ＣＡを備える。よって、第１ポンプ室１２に処理液を好適に充填できる。

【0222】

供給工程ＣＳは、第２弁３７を閉じる。よって、供給工程ＣＳは、処理液を基板Ｗに好適に供給できる。定圧工程ＣＣは、第２弁３７を閉じる。よって、定圧工程ＣＣは、第１ポンプ室１２の圧力を目標値Ｆに好適に保つことができる。

【0223】

基板処理方法は、上述した第１条件で、実行される。このため、リーク判定工程（例えば、第６のリーク判定処理）は、位置ＰＣｅ、ＰＳｓ、ＰＳｅ、ＰＡｓおよび移動距離ＬＡの少なくともいずれかの検出結果に基づいて、移動距離ＬＣを好適に推定できる。

【0224】

基板処理装置１は、第１ポンプ室１２と、第１ピストン１８と、第１圧力センサ２１と、第１位置センサ２２と、第１弁３２と、ノズル４１と、制御部４５を備える。制御部４５は、リーク判定処理と定圧制御を行う。リーク判定処理では、制御部４５は、第１位置センサ２２の検出結果に基づいて、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を取得する。リーク判定処理では、制御部４５は、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化に基づいて、リークの有無を判定する。定圧制御では、制御部４５は、第１弁３２を閉じる。定圧制御では、制御部４５は、第１ポンプ室１２の圧力を目標値Ｆに保つように、第１圧力センサ２１の検出結果に基づいて第１ピストン１８の位置を調整する。このため、仮に定圧制御が実行されるときにリークが発生する場合、定圧制御はリークの発生期間を長くすることができる。仮に定圧制御が実行されるときにリークが発生する場合、定圧制御はリークを継続的に発生させることができる。ここで、判定期間Ｊの全部は、定圧制御が実行される期間に含まれる。したがって、制御部４５は、リーク判定処理によって、リークの有無を好適に判定できる。

【0225】

第２実施形態
以下、図面を参照して本発明の第２実施形態を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

【0226】

図１１は、第２実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す図である。第２実施形態に係る基板処理装置１は、処理液供給装置１０以外の構成に関して、第１実施形態と略同じである。第２実施形態に係る基板処理装置１は、処理液供給装置１０の構成の点で、第１実施形態と異なる。

【0227】

１．処理液供給装置１０の構成
第１ポンプ１１は、開口１５、１６に加えて、開口１７を備える。開口１７は、筐体１３に形成される。開口１７は、第１ポンプ室１２に連通する。

【0228】

処理液供給装置１０は、第２ポンプ５１を備える。第２ポンプ５１は、第１ポンプ１１と略同じ構成を備える。

【0229】

第２ポンプ５１は、第２ポンプ室５２と筐体５３とダイヤフラム５４と開口５５、５６、５７と第２ピストン５８と第２駆動部５９を備える。第２ポンプ室５２と筐体５３とダイヤフラム５４と開口５５、５６、５７と第２ピストン５８と第２駆動部５９はそれぞれ、第１ポンプ室１２と筐体１３とダイヤフラム１４と開口１５、１６、１７と第１ピストン１８と第１駆動部１９に対応する。

【0230】

図１１は、正方向Ｅ２ｐおよび負方向Ｅ２ｎを示す。負方向Ｅ２ｎは、正方向Ｅ２ｐの反対方向である。第２ピストン５８は、正方向Ｅ２ｐおよび負方向Ｅ２ｎに移動する。第２ピストン５８が正方向Ｅ２ｐおよび負方向Ｅ２ｎに移動するとき、第２ピストン５８は第２ポンプ室５２に対して移動する。第２ピストン５８が正方向Ｅ２ｐに移動するとき、第２ポンプ室５２の容積は減少する。第２ピストン５８が負方向Ｅ２ｎに移動するとき、第２ポンプ室５２の容積は増大する。

【0231】

処理液供給装置１０は、第２位置センサ６２を備える。第２位置センサ６２は、第２ピストン５８の位置を検出する。第２位置センサ６２は、例えば、第２駆動部５９に取り付けられる。第２位置センサ６２は、第１位置センサ２２と略同じ構造を有する。

【0232】

処理液供給装置１０は、配管７１を備える。配管７１は、第１ポンプ室１２と第２ポンプ室５２とを連通する。配管７１は、第１端と第２端を有する。配管７１の第１端は、開口１６に接続される。配管７１の第２端は、開口５５に接続される。

【0233】

処理液供給装置１０は、フィルタ８１を備える。フィルタ８１は、配管７１に設けられる。フィルタ８１は、処理液を濾過する。

【0234】

フィルタ８１は、フィルタ本体８２と複数（例えば３つ）の接続ポート８３、８４、８５を備えている。フィルタ本体８２は、濾過材と一次側流路と二次側流路（いずれも不図示）を含む。濾過材は、例えば多孔性の膜である。一次側流路は、濾過材の一次側に形成される処理液の流路である。二次側流路は、濾過材の二次側に形成される処理液の流路である。接続ポート８３は、一次側流路に連通する。接続ポート８４は、二次側流路に連通する。接続ポート８３、８４はそれぞれ、配管７１に接続される。接続ポート８３は、第２ポンプ室５２に連通される。接続ポート８４は、第１ポンプ室１２に連通される。接続ポート８５は、フィルタ本体８２内の気体を排出するためのポートである。接続ポート８５は、フィルタ本体８２内の処理液も排出可能である。

【0235】

処理液供給装置１０は、２つの弁７２ａ、７２ｂを備える。弁７２ａ、７２ｂはそれぞれ、配管７１に設けられる。弁７２ａは、第１ポンプ室１２とフィルタ８１との間に配置される。弁７２ｂは、第２ポンプ室５２とフィルタ８１との間に配置される。弁７２ａ、７２ｂはそれぞれ、配管７１内における流路を開閉する。配管７１内における流路は、第１ポンプ室１２と第２ポンプ室５２との間の第１流路に相当する。

【0236】

弁７２ａ、７２ｂを区別しない場合には、単に「第２弁７２」と総称する。第２弁７２は、第１ポンプ室１２と第２ポンプ室５２とに連通される。第２弁７２は、ノズル４１に連通されない。

【0237】

処理液供給装置１０は、配管７３を備える。配管７３は、処理液供給源９と第２ポンプ室５２とを連通接続する。配管７３は、第１端と第２端を有する。配管７３の第１端は、処理液供給源９に接続される。配管７３の第２端は、開口５６に接続される。

【0238】

処理液供給装置１０は、第３弁７４を備える。第３弁７４は、配管７３に設けられる。第３弁７４は、配管７３内における流路を開閉する。配管７３内における流路は、第２ポンプ室５２と処理液供給源９との間の流路に相当する。第３弁７４は、第２ポンプ室５２に連通される。第３弁７４は、第１ポンプ室１２に連通されない。第３弁７４は、ノズル４１に連通されない。

【0239】

処理液供給装置１０は、配管７５を備える。配管７５は、第１ポンプ室１２と第２ポンプ室５２とを連通接続する。配管７５は、配管７１と並列に設けられる。配管７５は、第１端と第２端を有する。配管７５の第１端は、開口１７に接続される。配管７５の第２端は、開口５７に接続される。

【0240】

処理液供給装置１０は、第４弁７６を備える。第４弁７６は、配管７５に設けられる。第４弁７６は、配管７５内における流路を開閉する。配管７５内における流路は、第１ポンプ室１２と第２ポンプ室５２との間の第２流路に相当する。第４弁７６は、第１ポンプ室１２と第２ポンプ室５２とに連通される。第４弁７６は、ノズル４１に連通されない。

【0241】

処理液供給装置１０は、配管７７を備える。配管７７は、フィルタ８１に連通接続される。配管７７は、第１端と第２端を有する。配管７７の第１端は、接続ポート８５に接続される。配管７７の第２端は、不図示の処理液回収部に接続される。

【0242】

処理液供給装置１０は、第５弁７８を備える。第５弁７８は、配管７７に設けられる。第５弁７８は、配管７７内における流路を開閉する。配管７７内における流路は、第１流路から分岐された流路に相当する。

【0243】

制御部４５は、第２駆動部５９、第２位置センサ６２、第２弁７２、第３弁７４、第４弁７６、および、第５弁７８に、通信可能に接続される。制御部４５は、第２位置センサ６２によって検出された検出結果を取得する。制御部４５は、第２駆動部５９を作動させる。制御部４５は、第２弁７２、第３弁７４、第４弁７６、および、第５弁７８を開閉する。

【0244】

２．動作
第２実施形態の基板処理装置１の基本的な動作例を説明する。図１２は、基板処理装置１の動作の手順を示すフローチャートである。

【0245】

基板処理装置１は、サイクル動作Ｃを繰り返し行う。各サイクル動作Ｃは、第１充填工程ＣＡと戻し工程ＣＲと定圧工程ＣＣと供給工程ＣＳと第２充填工程ＣＢを含む。第１充填工程ＣＡと戻し工程ＣＲと定圧工程ＣＣと供給工程ＣＳは、この順に実行される。第２充填工程ＣＢは、戻し工程ＣＲの後であって、第１充填工程ＣＡの前に、実行される。

【0246】

［ステップＳ１１：第１充填工程ＣＡ］
図１３は、第１充填工程ＣＡにおける基板処理装置１を示す図である。図１３は、便宜上、基板処理装置１を簡略に示す。第１充填工程ＣＡは、第１流路を通じて第２ポンプ室５２から第１ポンプ室１２に処理液を送る。

【0247】

制御部４５は、ノズル４１を待機位置に配置させる。ノズル４１は、ノズル待機部４３に配置される。

【0248】

制御部５１は、第１弁３２を閉じる。制御部５１は、第２弁７２を開く。制御部５１は、第３弁７４を閉じる。制御部５１は、第４弁７６を閉じる。制御部５１は、第５弁７８を閉じる。制御部５１は、第２ピストン５８を正方向Ｅ２ｐに移動させる。第２ポンプ室５２の容積は減少する。制御部５１は、第１ピストン１８を負方向Ｅ１ｎに移動させる。第１ポンプ室１２の容積は増大する。第２ポンプ室５２は、開口５５を通じて、処理液を吐き出す。処理液は、第２ポンプ室５２から、配管７１、第２弁７２およびフィルタ８１を通じて、第１ポンプ室１２に流れる。第１ポンプ室１２は、開口１６を通じて、処理液を吸い込む。これにより、第１ポンプ室１２に処理液を充填する。

【0249】

図１３は、第１充填工程ＣＡが始まる時の第１ピストン１８および第２ピストン５８を実線で示す。図１３は、第１充填工程ＣＡが終了する時の第１ピストン１８および第２ピストン５８を破線で示す。第１充填工程ＣＡが始まる時の第２ピストン５８の位置を、位置ＱＡｓと呼ぶ。第１充填工程ＣＡが終了する時の第２ピストン５８の位置を、位置ＱＡｅと呼ぶ。第１充填工程ＣＡにおける第２ピストン５８の移動距離を、移動距離ＭＡと呼ぶ。移動距離ＭＡは、位置ＱＡｓと位置ＱＡｅとの差である。移動距離ＭＡは、絶対値である。

【0250】

［ステップＳ１２：戻し工程ＣＲ］
図１４は、戻し工程ＣＲにおける基板処理装置１を示す図である。戻し工程ＣＲは、第２流路を通じて第１ポンプ室１２から第２ポンプ室５２に処理液を戻す。戻し工程ＣＲは、パージ工程とも呼ばれる。

【0251】

戻し工程ＣＲにおいても、ノズル４１は待機位置に配置される。

【0252】

制御部５１は、第１弁３２を閉じる。制御部５１は、第２弁７２を閉じる。制御部５１は、第３弁７４を開く。制御部５１は、第４弁７６を開く。制御部５１は、第１ピストン１８を正方向Ｅ１ｐに移動させる。第１ポンプ室１２の容積は減少する。制御部５１は、第２ピストン５８を第２ポンプ室５２に対して静止させる。第２ポンプ室５２の容積は変わらない。第１ポンプ室１２は、開口１５を通じて、処理液を吐き出す。仮に第１ポンプ室１２が気泡またはエアを含む場合、第１ポンプ室１２は、気泡または空気を、処理液とともに吐き出す。処理液は、第１ポンプ室１２から、配管７５および第４弁７６を通じて、第２ポンプ室５２に流れる。さらに、処理液は、第２ポンプ室５２から開口５６を通じて、配管７３に出る。

【0253】

図１４は、戻し工程ＣＲが始まる時の第１ピストン１８および第２ピストン５８を実線で示す。図１４は、戻し工程ＣＲが終了する時の第１ピストン１８を破線で示す。戻し工程ＣＲが始まる時の第１ピストン１８の位置を、位置ＰＲｓと呼ぶ。戻し工程ＣＲが終了する時の第１ピストン１８の位置を、位置ＰＲｅと呼ぶ。戻し工程ＣＲにおける第１ピストン１８の移動距離を、移動距離ＬＲと呼ぶ。移動距離ＬＲは、位置ＰＲｓと位置ＰＲｅとの差である。移動距離ＬＲは、絶対値である。移動距離ＬＲは、移動距離ＬＡよりも小さい。

【0254】

［ステップＳ１３：定圧工程ＣＣ］
図１５は、定圧工程ＣＣにおける基板処理装置１を示す図である。定圧工程ＣＣは、第１ポンプ室１２の圧力を一定に保つ。

【0255】

定圧工程ＣＣにおいても、ノズル４１は待機位置に配置される。

【0256】

制御部４５は、定圧制御を行う。定圧制御では、制御部４５は、第１弁３２と第２弁７２と第４弁７６を閉じる。第１ポンプ室１２は閉塞される。定圧制御では、制御部４５は、第１ポンプ室１２の圧力を目標値Ｆに保つように、第１ピストン１８の位置を調整する。定圧制御では、制御部４５は、第１圧力センサ２１の検出結果に基づいて、第１ピストン１８の位置を調整する。定圧工程ＣＣでは、第１ポンプ室１２の圧力は、第１弁３２の入口ポート３４に付与される。

【0257】

図１５は、定圧工程ＣＣが始まる時の第１ピストン１８を実線で示す。図１５は、定圧工程ＣＣが終了する時の第１ピストン１８を破線で示す。

【0258】

［ステップＳ１３：供給工程ＣＳ］
図１６は、供給工程ＣＳにおける基板処理装置１を示す図である。供給工程ＣＳは、基板Ｗに処理液を供給する。

【0259】

制御部４５は、ノズル４１を処理位置に配置させる。基板保持部５は、基板Ｗを保持する。制御部４５は、基板保持部５に保持される基板Ｗを回転させる。

【0260】

制御部４５は、第１弁３２を開く。制御部４５は、第２弁７２を閉じる。制御部４５は、第４弁７６を閉じる。制御部４５は、第１ピストン１８を正方向Ｅ１ｐに移動させる。第１ポンプ室１２の容積は、減少する。第１ポンプ室１２は、開口１５を通じて、処理液を吐き出す。処理液は、配管３１および第１弁３２を介して、ノズル４１に流れる。ノズル４１は、処理液を基板Ｗに吐出する。カップ７は、基板Ｗから飛散された処理液を受ける。

【0261】

図１６は、供給工程ＣＳが始まる時の第１ピストン１８を実線で示す。図１６は、供給工程ＣＳが終了する時の第１ピストン１８を破線で示す。

【0262】

［ステップＳ１５：第２充填工程ＣＢ］
図１５を参照する。図１５は、便宜上、定圧工程ＣＣに加えて、第２充填工程ＣＢも示す。第２充填工程ＣＢは、第２ポンプ室５２に処理液を充填する。

【0263】

制御部４５は、第２弁７２を閉じる。制御部４５は、第３弁７４を開く。制御部４５は、第４弁７６を閉じる。制御部４５は、第２ピストン５８を負方向Ｅ２ｎに移動させる。第２ポンプ室５２の容積は増大する。処理液は、処理液供給源９から、配管７３および第３弁７４を通じて、第２ポンプ室５２に流れる。第２ポンプ室５２は、開口５６を通じて、処理液を吸い込む。これにより、第２ポンプ室５２に処理液を充填する。

【0264】

図１５は、第２充填工程ＣＢが始まる時の第２ピストン５８を実線で示す。図１５は、第２充填工程ＣＢが終了する時の第２ピストン５８を破線で示す。第２充填工程ＣＢが始まる時の第２ピストン５８の位置を、位置ＱＢｓと呼ぶ。第２充填工程ＣＢが終了する時の第２ピストン５８の位置を、位置ＱＢｅと呼ぶ。第２充填工程ＣＢにおける第２ピストン５８の移動距離を、移動距離ＭＢと呼ぶ。移動距離ＭＢは、位置ＱＢｓと位置ＱＢｅとの差である。移動距離ＭＢは、絶対値である。

【0265】

供給工程ＣＳおよび第２充填工程ＣＢの両方が終了することによって、１つのサイクル動作Ｃが終了する。１つのサイクル動作Ｃが終了した後、新たなサイクル動作Ｃが始まる。すなわち、第１充填工程ＣＡが始まる。

【0266】

図１７（ａ）は、第１ピストン１８の位置の時間的な変化を示すグラフである。図１７（ｂ）は、第２ピストン５８の位置の時間的な変化を示すグラフである。

【0267】

図１７（ａ）を参照する。戻し工程ＣＲが始まる時は、例えば、第１充填工程ＣＡが終了する時と同時である。定圧工程ＣＣが始まる時は、例えば、戻し工程ＣＲが終了する時と同時である。第１充填工程ＣＡが始まる時は、例えば、供給工程ＣＳが終了する時と同時である。

【0268】

【0269】

戻し工程ＣＲでは、位置ＰＲｓは、位置ＰＡｅと実質的に等しい。このため、位置ＰＲｓは、第１原点位置Ｐ０と実質的に等しい。戻し工程ＣＲでは、制御部４５は、第１ピストン１８を、第２距離Ｌ２だけ、移動させる。すなわち、移動距離ＬＲは、常に、第２距離Ｌ２である。位置ＰＲｅは、第１原点位置Ｐ０を正方向Ｅ１ｐに第２距離Ｌ２だけシフトした位置である。

【0270】

定圧工程では、位置ＰＣｓは、位置ＰＲｅと実質的に等しい。複数のサイクル動作Ｃの間で、移動距離ＬＣは、ばらつくことがある。位置ＰＣｅは、移動距離ＬＣに応じて変動する。

【0271】

供給工程では、位置ＰＳｓは、位置ＰＣｅと実質的に等しい。このため、位置ＰＳｓは、移動距離ＬＣに応じて変動する。供給工程ＣＳでは、制御部４５は、第１ピストン１８を、第１距離Ｌ１だけ、移動させる。位置ＰＳｅは、位置ＰＳｓを正方向Ｅ１ｐに第１距離Ｌ１だけ、シフトした位置である。位置ＰＳｅは、移動距離ＬＣに応じて変動する。

【0272】

第１充填工程ＣＡでは、位置ＰＡｓは、位置ＰＳｅと実質的に等しい。このため、位置ＰＡｓは、移動距離ＬＣに応じて変動する。位置ＰＡｅは、上述の通り、第１原点位置Ｐ０である。このため、移動距離ＬＡも、移動距離ＬＣに応じて変動する。

【0273】

図１７（ｂ）を参照する。第２充填工程ＣＢが始まる時は、例えば、戻し工程ＣＲが終了する時と同時である。第２充填工程ＣＢが始まる時は、例えば、定圧工程ＣＣが始まる時と同時である。

【0274】

第１充填工程ＣＡが始まる時、位置ＱＡｓは、常に、第２原点位置Ｑ０である。第１充填工程ＣＡでは、制御部４５は、第１ピストン１８が第１原点位置Ｐ０に到達するまで、第２ピストン５８を移動させる。移動距離ＭＡは、移動距離ＬＡによって決まる。移動距離ＭＡは、移動距離ＬＡに比例する。例えば、移動距離ＭＡは、移動距離ＬＡと同じである。上述の通り、移動距離ＬＡは、移動距離ＬＣに応じて変動する。よって、移動距離ＭＡは、移動距離ＬＣに応じて変動する。位置ＱＡｅも、移動距離ＬＣに応じて変動する。

【0275】

戻し工程ＣＲでは、第２ピストン５８は、実質的に位置ＱＡｅに保たれる。

【0276】

第２充填工程ＣＢでは、位置ＱＢｓは、位置ＱＡｅと実質的に等しい。このため、位置ＱＢｓは、移動距離ＬＣに応じて変動する。第２充填工程ＣＢでは、制御部４５は、第２ピストン５８を、第２原点位置Ｑ０まで移動させる。すなわち、位置ＱＢｅは、常に、第２原点位置Ｑ０である。移動距離ＭＢは、移動距離ＭＡと実質的に等しい。よって、移動距離ＭＢも、移動距離ＬＣに応じて変動する。

【0277】

上述した第２原点位置Ｑ０および第２距離Ｌ２は、予め設定されている。第２原点位置Ｑ０および第２距離Ｌ２は、例えば、記憶部４７に記憶されている。第２原点位置Ｑ０および第２距離Ｌ２はそれぞれ、既知である。

【0278】

［ステップＳ１６：検出工程］
図１２を参照する。基板処理装置１は、サイクル動作Ｃと並行して、検出工程を行う。検出工程は、例えば、第１充填工程ＣＡ、戻し工程ＣＲ、定圧工程ＣＣ、供給工程ＣＳおよび第２充填工程ＣＢが実行される期間にわたって、行われる。検出工程では、第１圧力センサ２１は、第１ポンプ室１２の圧力を検出する。検出工程では、第１位置センサ２２は、第１ピストン１８の位置を検出する。検出工程では、第２位置センサ６２は、第２ピストン５８の位置を検出する。第１圧力センサ２１は、第１圧力センサ２１の検出結果を、制御部４５に出力する。第１位置センサ２２は、第１位置センサ２２の検出結果を、制御部４５に出力する。第２位置センサ６２は、第２位置センサ６２の検出結果を、制御部４５に出力する。

【0279】

［ステップＳ１７：リーク判定工程］
基板処理装置１は、サイクル動作Ｃおよび検出工程と並行して、リーク判定工程を行う。リーク判定工程では、制御部４５は、リーク判定処理を行う。リーク判定処理では、制御部４５は、検出工程によって得られた検出結果に基づいて判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化を取得する。リーク判定処理では、制御部４５は、判定期間Ｊにおける第１ピストン１８の位置の変化に基づいて、リークの有無を判定する。

【0280】

図１７（ａ）を参照する。図１７（ａ）は、判定期間Ｊを例示する。判定期間Ｊの全部は、定圧工程ＣＣが実行される期間に含まれる。すなわち、判定期間Ｊは、定圧工程ＣＣが実行されない期間を含まない。判定期間Ｊは、定圧工程ＣＣが実行される期間の少なくとも一部である。判定期間Ｊは、第１判定期間Ｊ１および第２判定期間Ｊ２の少なくともいずれかを含む。

【0281】

３．リーク判定工程（リーク判定処理）の詳細
第２実施形態では、第１実施形態で説明した第１－第５のリーク判定処理を、適用できる。第２実施形態では、第１実施形態で説明した第６のリーク判定処理を、若干変更した上で、適用できる。さらに、第２実施形態では、第２ピストン５８の位置の検出結果に基づいて、第２判定期間Ｊ２における第１ピストン１８の移動距離を推定できる。第７、第８のリーク判定処理を例示する。

【0282】

３－１．第７のリーク判定処理
第７のリーク判定処理は、第６のリーク判定処理を、第２実施形態のために変更したものである。第７のリーク判定処理は、第２判定期間Ｊ２における第１ピストン１８の移動距離ＬＣを推定する。

【0283】

上述した通り、サイクル動作Ｃは、以下の第２条件で実行される。
［第２条件］
供給工程ＣＳは、第１ピストン１８を、第１距離Ｌ１だけ、移動させる。
第１充填工程ＣＡは、第１ピストン１８を、第１原点位置Ｐ０まで移動させる。
第１充填工程ＣＡは、第１ピストン１８が第１原点位置Ｐ０に到達するまで、第２ピストン５８を移動させる。
第２充填工程ＣＢは、第２ピストン５８を、第２原点位置Ｑ０まで移動させる。
戻し工程ＣＲは、第１ピストン１８を、第２距離Ｌ２だけ、移動させる。

【0284】

言い換えれば、移動距離ＬＳは、第１距離Ｌ１と等しい。位置ＰＡｅは、第１原点位置Ｐ０と等しい。移動距離ＭＡは、移動距離ＬＡによって決まる。位置ＱＢｅは、第２原点位置Ｑ０と等しい。移動距離ＬＲは、第２距離Ｌ２と等しい。

【0285】

第２条件の下でも、位置ＰＣｅ、ＰＳｓ、ＰＳｅ、ＰＡｓおよび移動距離ＬＡはそれぞれ、移動距離ＬＣに応じて変動する。このため、位置ＰＣｅ、ＰＳｓ、ＰＳｅ、ＰＡｓおよび移動距離ＬＡの少なくともいずれかによって、移動距離ＬＣを推定可能である。

【0286】

例えば、制御部４５は、位置ＰＣｅに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、定圧工程ＣＣが終了する時の第１ピストン１８の１つの位置の検出結果に基づいて、位置ＰＣｅを取得する。制御部４５は、位置ＰＣｅと第２基準位置ＲＰ２との差を、移動距離ＬＣと推定する。ここで、第２基準位置ＲＰ２は、第１原点位置Ｐ０を正方向Ｅ１ｐに第２距離Ｌ２だけシフトした位置である。

【0287】

例えば、制御部４５は、位置ＰＳｓに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、供給工程ＣＳが始まる時の第１ピストン１８の位置の検出結果に基づいて、位置ＰＳｓを取得する。制御部４５は、位置ＰＳｓと第２基準位置ＲＰ２との差を、移動距離ＬＣと推定する。

【0288】

例えば、制御部４５は、位置ＰＳｅに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、供給工程ＣＳが終了する時の第１ピストン１８の位置の検出結果に基づいて、位置ＰＳｅを取得する。制御部４５は、位置ＰＳｅと第３基準位置ＲＰ３との差を、移動距離ＬＣと推定する。ここで、第３基準位置ＲＰ３は、正方向Ｅ１ｐに第３距離Ｌ３だけ、第１原点位置Ｐ０をシフトした位置である。第３距離Ｌ３は、第１距離Ｌ１と第２距離Ｌ２の合計である。

【0289】

例えば、制御部４５は、位置ＰＡｓに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、第１充填工程ＣＡが始まる時の第１ピストン１８の位置の検出結果に基づいて、位置ＰＡｓを取得する。制御部４５は、位置ＰＡｓと第３基準位置ＲＰ３との差を、移動距離ＬＣと推定する。

【0290】

例えば、制御部４５は、移動距離ＬＡに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、第１充填工程ＣＡが始まる時の第１ピストン１８の位置の検出結果と、第１充填工程ＣＡが終了する時の第１ピストン１８の位置の検出結果と、に基づいて、移動距離ＬＡを取得する。制御部４５は、移動距離ＬＡと第３距離Ｌ３との差を、移動距離ＬＣと推定する。

【0291】

制御部４５は、推定された移動距離ＬＣに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第４のリーク判定処理と同様に、制御部４５は、推定された移動距離ＬＣを第４閾値Ｋ４と比較する。

【0292】

あるいは、制御部４５は、推定された移動距離ＬＣを時間長Ｕ２で除することにより
、平均速度ＶＣを取得する。そして、制御部４５は、平均速度ＶＣに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第５のリーク判定処理と同様に、制御部４５は、平均速度ＶＣを第６閾値Ｋ６と比較する。

【0293】

上述した第２基準位置ＲＰ２、第３基準位置ＲＰ３および第３距離Ｌ３は、予め設定されている。第２基準位置ＲＰ２、第３基準位置ＲＰ３および第３距離Ｌ３は、例えば、記憶部４７に記憶されている。

【0294】

３－２．第８のリーク判定処理
第８のリーク判定処理は、第２ピストン５８の位置の検出結果に基づいて、第２判定期間Ｊ２における第１ピストン１８の移動距離ＬＣを推定する。

【0295】

第２条件の下では、位置ＱＡｅ、ＱＢｓおよび移動距離ＭＡ、ＭＢはそれぞれ、移動距離ＬＣに応じて変動する。このため、位置ＱＡｅ、ＱＢｓおよび移動距離ＭＡ、ＭＢの少なくともいずれかによって、移動距離ＬＣを推定可能である。

【0296】

例えば、制御部４５は、位置ＱＡｅに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、第１充填工程ＣＡが終了する時の第２ピストン５８の位置の検出結果に基づいて、位置ＱＡｅを取得する。制御部４５は、位置ＱＳｅと基準位置ＲＱ１との差を、移動距離ＬＣと推定する。ここで、基準位置ＲＱ１は、正方向Ｅ２ｐに距離Ｍ３だけ、第２原点位置Ｑ０をシフトした位置である。距離Ｍ３と第３距離Ｌ３との間には、以下の関係が成立する。第２ピストン５８が距離Ｍ３だけ移動するときの第２ポンプ室５２の容積の変化量は、第１ピストン１８が第３距離Ｌ３だけ移動するときの第１ポンプ室１２の容積の変化量と等しい。距離Ｍ３は、例えば、第３距離Ｌ３に比例定数を乗じたものである。距離Ｍ３は、例えば、第３距離Ｌ３と等しい。

【0297】

例えば、制御部４５は、位置ＱＢｓに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、第２充填工程ＣＢが始まる時の第２ピストン５８の位置の検出結果に基づいて、位置ＱＢｓを取得する。制御部４５は、位置ＱＢｓと基準位置ＲＱ１との差を、移動距離ＬＣと推定する。

【0298】

例えば、制御部４５は、移動距離ＭＡに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、第１充填工程ＣＡが始まる時の第２ピストン５８の位置の検出結果と、第１充填工程ＣＡが終了する時の第２ピストン５８の位置の検出結果と、に基づいて、移動距離ＭＡを取得する。制御部４５は、移動距離ＭＡと距離Ｍ３との差を、移動距離ＬＣと推定する。

【0299】

例えば、制御部４５は、移動距離ＭＢに基づいて、移動距離ＬＣを推定する。具体的には、制御部４５は、第２充填工程ＣＢが始まる時の第２ピストン５８の位置の検出結果と、第２充填工程ＣＢが終了する時の第２ピストン５８の位置の検出結果と、に基づいて、移動距離ＭＢを取得する。制御部４５は、移動距離ＭＢと距離Ｍ３との差を、移動距離ＬＣと推定する。

【0300】

【0301】

あるいは、制御部４５は、推定された移動距離ＬＣと時間長Ｕ２から、平均速度ＶＣを取得する。そして、制御部４５は、平均速度ＶＣに基づいて、リークの有無を判定する。例えば、第５のリーク判定処理と同様に、制御部４５は、平均速度ＶＣを第６閾値Ｋ６と比較する。

【0302】

上述した基準位置ＲＱ１および距離Ｍ３は、予め設定されている。基準位置ＲＱ１および距離Ｍ３は、例えば、記憶部４７に記憶されている。

【0303】

４．効果
第２実施形態によれば、実施形態１と同様の効果を奏する。さらに、第２実施形態によれば、以下の効果を奏する。

【0304】

第２実施形態の基板処理方法は、第２充填工程ＣＢを備える。よって、第２充填工程ＣＢは、第２ポンプ室５２に処理液を好適に充填できる。

【0305】

第１充填工程ＣＡは、第２ポンプ室５２から第２弁７２を介して第１ポンプ室１２に処理液を送る。よって、第１充填工程ＣＡは、第２ポンプ室５２を用いて、第１ポンプ室１２に処理液を好適に充填できる。

【0306】

供給工程ＣＳは、第２弁７２を閉じる。定圧工程ＣＣは、第２弁７２を閉じる。よって、供給工程ＣＳおよび定圧工程ＣＣを適切に実行できる。

【0307】

基板処理方法は、戻し工程ＣＲを備える。よって、基板Ｗに対する処理の品質を好適に保つことができる。

【0308】

供給工程ＣＳ、定圧工程ＣＣ、第１充填工程ＣＡ、および、第２充填工程ＣＢは、第４弁７６を閉じる。よって、供給工程ＣＳ、定圧工程ＣＣ、第１充填工程ＣＡ、および、第２充填工程ＣＢを好適に実行できる。

【0309】

第２実施形態の基板処理方法は、上述した第２条件で、実行される。このため、リーク判定工程（例えば、第７－第８リーク判定処理）は、位置ＰＣｅ、ＰＳｓ、ＰＳｅ、ＰＡｓ、移動距離ＬＡ、位置ＱＡｅ、ＱＢｓおよび移動距離ＭＡ、ＭＢの少なくともいずれかの検出結果に基づいて、移動距離ＬＣを好適に推定できる。

【0310】

第２条件に規定される通り、戻し工程ＣＲは、第１ピストン１８を、第２距離Ｌ２だけ移動させる。このため、基板処理方法が戻り工程ＣＲを含む場合であっても、第１実施形態と同様に、位置ＰＣｅ、ＰＳｓ、ＰＳｅ、ＰＡｓ、および、移動距離ＬＡは、移動距離ＬＣに応じて、変動する。よって、リーク判定工程は、第１実施形態で説明した第６のリーク判定処理と類似する第７のリーク判定処理を、好適に使用できる。

【0311】

本発明は、第１、第２実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

【0312】

（１）第２の判定処理と第３の判定処理を組み合わせてもよい。例えば、リーク判定工程は、異常期間ＤＡを除く正変化期間ＤＣｐの数ＮＣｐａ、および、異常期間ＤＡを除く負変化期間ＤＣｎの数ＮＣｐｎを計数してもよい。そして、リーク判定工程は、数ＮＣｐａ、および、数ＮＣｐｎに基づいて、リークの有無を判定してもよい。

【0313】

（２）第２の判定処理では、リーク判定工程は、変化期間ＤＣを正変化期間ＤＣｐと負変化期間ＤＣｎに分類した。すなわち、正変化期間ＤＣｐにおける移動距離ＬＤも、負変化期間ＤＣｎにおける移動距離ＬＤも、第１閾値Ｋ１以上である。但し、これに限られない。例えば、リーク判定工程は、第１ピストン１８の移動距離ＬＤが正方向Ｅ１ｐに第７閾値Ｋ７以上である分割期間Ｄを、正変化期間ＤＣｐとして特定してもよい。例えば、リーク判定工程は、第１ピストン１８の移動距離ＬＤが負方向Ｅ１ｎに第８閾値Ｋ８以上である分割期間Ｄを、負変化期間ＤＣｎとして特定してもよい。ここで、第８閾値Ｋ８は、第７閾値Ｋ７とは異なる。これによれば、リーク判定工程は、順方向リークの有無、および、逆方向リークの有無を一層精度良く判定できる。

【0314】

（３）第１の判定処理では、数ＮＣを１つの第１基準値Ｒ１と比較した。但し、これに限られない。例えば、数ＮＣを複数の基準値と比較してもよい。例えば、リーク判定工程は、数ＮＣを第７基準値Ｒ７および第８基準値Ｒ８と比較してもよい。ここで、第８基準値Ｒ８は、第７基準値Ｒ７よりも大きい。そして、数ＮＣが第７基準値Ｒ７未満である場合は、リーク判定工程は、リークが生じていない（レベル１）と判定する。数ＮＣが第７基準値Ｒ７以上で第８基準値Ｒ８未満である場合は、リーク判定工程は、リークが生じている可能性がある（レベル２）と判定する。数ＮＣが第８基準値Ｒ８以上である場合は、リーク判定工程は、リークが生じている可能性が高い（レベル３）と判定する。このように、リーク判定工程は、３つ以上のレベルを用いて、リークの有無を判定してもよい。

【0315】

（４）第１の判定処理では、比Ａを第２基準値Ｒ２と比較した。但し、これに限られない。例えば、比Ａを第２基準値Ｒ２と比較しなくてもよい。例えば、リーク判定工程は、比Ａに基づいてリークの発生確率を特定してもよい。例えば、リーク判定工程は、リークの発生確率を用いて、リークの有無を判定してもよい。

【0316】

（５）第１実施形態において、サイクル動作Ｃに含まれる各工程の順序を適宜に変更してもよい。第１実施形態では、第１充填工程ＣＡと定圧工程ＣＣと供給工程ＣＳを、この順に実行した。但し、これに限られない。例えば、第１充填工程ＣＡと供給工程ＣＳと定圧工程ＣＣとを、この順に実行してもよい。同様に、第２実施形態において、サイクル動作Ｃに含まれる各工程の順序を適宜に変更してもよい。

【0317】

（６）第２実施形態の基板処理方法は、戻し工程ＣＲを備えた。但し、これに限られない。例えば、戻し工程ＣＲを省いてもよい。この場合、第７―第８の判定処理では、第２距離Ｌ２を零とみなす。

【0318】

（７）第１実施形態において、リークが生じているとリーク判定工程が判定した場合、その後のサイクル動作Ｃ（供給工程ＣＳ）を中止してもよい。これにより、基板Ｗに対する処理の品質が低下することを未然に防止できる。あるいは、リークが生じているとリーク判定工程が判定した場合、ノズル待機部４３においてノズル４１からダミーディスペンスを実行してもよい。これにより、ノズル４１内の処理液の液位を適切に修正できる。他方、リークが生じていないとリーク判定工程が判定した場合、ダミーディスペンスを省略してもよい。これにより、基板Ｗに対する処理の品質を保ちつつ、処理液の消費量を効果的に低減できる。

【0319】

（８）第１実施形態では、第１ピストン１８の位置をパルス数で表記した。但し、これに限られない。例えば、第１ピストン１８の位置を、第１原点位置Ｐ０からの距離で表記してもよい。

【0320】

（９）高低差Ｈ１、Ｈ２と目標値Ｆとの関係について、説明する。図１８は、変形実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す図である。図１８は、基板処理装置１を簡略に示す。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

【0321】

基板処理装置１は、２つの処理ユニット３ａ、３ｂを備える。処理ユニット３ａの要素の符号には、適宜に「ａ」を付す。処理ユニット３ｂの要素の符号には、適宜に「ｂ」を付す。

【0322】

処理ユニット３ａは、チャンバ４ａを備える。チャンバ４ａは、ノズル４１ａ等を収容する。処理ユニット３ｂは、チャンバ４ｂを備える。チャンバ４ｂは、ノズル４１ｂ等を収容する。チャンバ４ａ、４ｂは、鉛直方向Ｚに積層される。チャンバ４ｂは、チャンバ４ａの下方に配置される。

【0323】

処理ユニット３ａは、処理液供給装置１０ａを備える。処理液供給装置１０ａは、第１ポンプ室１２ａを備える。処理ユニット３ｂは、処理液供給装置１０ｂを備える。処理液供給装置１０ｂは、第１ポンプ室１２ｂを備える。第１ポンプ室１２ａ、１２ｂはそれぞれ、チャンバ４ａ、４ｂの外部に配置される。第１ポンプ室１２ａ、１２ｂはそれぞれ、チャンバ４ａ、４ｂよりも下方に配置される。第１ポンプ室１２ｂは、第１ポンプ室１２ａと略同じ高さ位置に配置される。

【0324】

第１弁３２ａは、チャンバ４ａと略同じ高さ位置に配置される。第１弁３２ｂは、チャンバ４ｂと略同じ高さ位置に配置される。

【0325】

第１ポンプ室１２ａと第１弁３２ａとの間の高低差Ｈ１ａは、第１ポンプ室１２ｂと第１弁３２ｂとの間の高低差Ｈ１ｂよりも大きい。第１ポンプ室１２ａとノズル４１ａとの間の高低差Ｈ２ａは、第１ポンプ室１２ｂとノズル４１ｂとの間の高低差Ｈ２ｂよりも大きい。

【0326】

定圧工程ＣＣは、第１ポンプ室１２ａの圧力を目標値Ｆａに保つように、第１ピストン１８ａの位置を調整する。定圧工程ＣＣは、第１ポンプ室１２ｂの圧力を目標値Ｆｂに保つように、第１ピストン１８ｂの位置を調整する。ここで、目標値Ｆｂは、目標値Ｆａよりも小さい。例えば、目標値Ｆａは、２０ｋＰａである。例えば、目標値Ｆａは、１０ｋＰａである。

【0327】

このように、高低差Ｈ１が大きくなるにしたがって目標値Ｆが高くなるように、目標値Ｆが設定される。よって、高低差Ｈ１が大きい場合であっても、小さい場合であっても、定圧工程ＣＣは、リークを適切に顕在化させることができる。さらに、高低差Ｈ２が大きくなるにしたがって目標値Ｆが高くなるように、目標値Ｆが設定される。よって、高低差Ｈ２が大きい場合であっても、小さい場合であっても、定圧工程ＣＣは、リークを適切に顕在化させることができる。

【0328】

（１０）第１、第２実施形態では、処理液として、塗膜材料を例示した。但し、これに限られない。処理液は、例えば、薬液、溶剤および純水の少なくともいずれかでもよい。

【0329】

（１１）上述した第１、第２実施形態および上記（１）から（１０）で説明した各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

【符号の説明】

【0330】

１ … 基板処理装置
１２ … 第１ポンプ室
１８ … 第１ピストン
２１ … 第１圧力センサ
２２ … 第１位置センサ
３２ … 第１弁
３３ … 弁本体
３４ … 入口ポート
３５ … 出口ポート
３７ … 第２弁
４１ … ノズル
４４ … ノズル待機部
４５ … 制御部
４７ … 記憶部
５２ … 第２ポンプ室
５８ … 第２ピストン
６２ … 第２位置センサ
７２ … 第２弁
７４ … 第３弁
７６ … 第４弁
７８ … 第６弁
Ａ … 分割期間に対する変化期間の比
ＣＡ … 第１充填工程
ＣＢ … 第２充填工程
ＣＣ … 定圧工程
ＣＲ … 戻し工程
ＣＳ … 供給工程
Ｄ、Ｄ１－Ｄ５ … 分割期間
ＤＡ … 異常期間
ＤＣ … 変化期間
ＤＣｐ … 正変化期間
ＤＣｎ … 負変化期間
Ｅ１ｎ … 第１ピストンの正方向
Ｅ１ｐ … 第１ピストンの負方向
Ｅ２ｎ … 第２ピストンの正方向
Ｅ２ｐ … 第２ピストンの負方向
Ｆ、Ｆａ、Ｆｂ … 目標値
Ｇ … 許容範囲
Ｈ１、Ｈ１ａ、Ｈ１ｂ … 第１ポンプ室と第１弁との間の高低差
Ｈ２、Ｈ２ａ、Ｈ２ｂ … 第１ポンプ室とノズルとの間の高低差
Ｊ … 判定期間
Ｊ１ … 第１判定期間
Ｊ２ … 第２判定期間（定圧工程が実行される期間）
Ｋ１―Ｋ８ … 第１－第８閾値
ＬＣ … 定圧工程における第１ピストンの移動距離（第２判定期間における第１ピストンの移動距離）
ＬＤ、ＬＤ１－ＬＤ５ … 分割期間における第１ピストンの移動距離
ＬＡ … 第１充填工程における第１ピストンの移動距離
ＬＪ … 第１判定期間における第１ピストンの移動距離
ＬＲ … 戻し工程における第１ピストンの移動距離
ＬＳ … 供給工程における第１ピストンの移動距離
Ｌ１ … 第１距離
Ｌ２ … 第２距離
ＭＡ … 第１充填工程における第２ピストンの移動距離
ＭＢ … 第２充填工程における第２ピストンの移動距離
ＮＡ … 異常期間の数
ＮＣ … 変化期間の数
ＮＣａ … 異常期間を除く変化期間の数
ＮＣｐ … 正変化期間の数
ＮＣｎ … 負変化期間の数
ＮＤ … 分割期間の数
ＮＤａ … 異常期間を除く分割期間の数
ＰＡｓ … 第１充填工程が始まる時の第１ピストンの位置
ＰＡｅ … 第１充填工程が終了する時の第１ピストンの位置
ＰＣｓ … 定圧工程が始まる時の第１ピストンの位置
ＰＣｅ … 定圧工程が終了する時の第１ピストンの位置
ＰＲｓ … 戻し工程が始まる時の第１ピストンの位置
ＰＲｅ … 戻し工程が終了する時の第１ピストンの位置
ＰＳｓ … 供給工程が始まる時の第１ピストンの位置
ＰＳｅ … 供給工程が終了する時の第１ピストンの位置
Ｐ０ … 第１原点位置
ＱＡｓ … 第１充填工程が始まる時の第２ピストンの位置
ＱＡｅ … 第１充填工程が終了する時の第２ピストンの位置
ＱＢｓ … 第２充填工程が始まる時の第２ピストンの位置
ＱＢｅ … 第２充填工程が終了する時の第２ピストンの位置
Ｑ０ … 第２原点位置
Ｒ１－Ｒ６ … 第１－第６基準値
ＲＰ１－ＲＰ３ … 第１－第３基準位置
ＲＱ１ … 基準位置
ＴＪｓ … 第１時刻
Ｕ１ … 第１判定期間の時間長
Ｕ２ … 第２判定期間の時間長
ＶＪ … 第１判定期間における第１ピストンの平均速度
ＶＣ … 第２判定期間における第１ピストンの平均速度

【図1】