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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-11
(45)【発行日】2024-07-22
(54)【発明の名称】キャパシタ、電気回路、回路基板、機器、及び蓄電デバイス
(51)【国際特許分類】
H01G 4/33 20060101AFI20240712BHJP
H01G 4/10 20060101ALI20240712BHJP
H01G 4/30 20060101ALI20240712BHJP
【ＦＩ】
H01G4/33
H01G4/33 102
H01G4/10
H01G4/30 544
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2023539775
(86)(22)【出願日】2023-03-27
(86)【国際出願番号】 JP2023012325
(87)【国際公開番号】W WO2023223677
(87)【国際公開日】2023-11-23
【審査請求日】2023-06-28
(31)【優先権主張番号】P 2022081901
(32)【優先日】2022-05-18
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】314012076
【氏名又は名称】パナソニックＩＰマネジメント株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004314
【氏名又は名称】弁理士法人青藍国際特許事務所
(74)【代理人】
【識別番号】100107641
【弁理士】
【氏名又は名称】鎌田 耕一
(74)【代理人】
【識別番号】100163463
【弁理士】
【氏名又は名称】西尾 光彦
(72)【発明者】
【氏名】竹内 宏樹
(72)【発明者】
【氏名】菊地 諒介
(72)【発明者】
【氏名】網井 圭
【審査官】田中 晃洋
(56)【参考文献】
【文献】特表２０２１－５２８８５６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００６－０５４４６５（ＪＰ，Ａ）
【文献】特表２０１５－５０６０８９（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０２０／２１８６１７（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｇ ４／３３
Ｈ０１Ｇ ４／１０
Ｈ０１Ｇ ４／３０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第一電極と、第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間に配置された誘電体と、を備え、
前記誘電体は、Ｈｆ1-x-yＳｉxＧａyＯzで表される組成を有する酸化物を含み、
前記組成において、ｚは前記酸化物の電気的中性を保つための値であり、
前記組成は、０．０１≦ｘ、０．０５≦ｙ≦０．１１、及び０．０９≦ｘ＋ｙ≦０．１５の条件を満たす、
キャパシタ。
【請求項2】
前記酸化物は、蛍石構造を含む、請求項１に記載のキャパシタ。【請求項3】
前記酸化物は、正方晶相及び直方晶相からなる群より選ばれる少なくとも１つを含む、請求項２に記載のキャパシタ。【請求項4】
請求項１から３のいずれか１項に記載のキャパシタを備えた、電気回路。【請求項5】
請求項１から３のいずれか１項に記載のキャパシタを備えた、回路基板。【請求項6】
請求項１から３のいずれか１項に記載のキャパシタを備えた、機器。【請求項7】
請求項１から３のいずれか１項に記載のキャパシタを備えた、蓄電デバイス。【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、キャパシタ、電気回路、回路基板、機器、及び蓄電デバイスに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、ＨｆＯ2にドーパントを添加して誘電特性を変化させることが知られている。
【0003】
例えば、非特許文献１には、Ｓｉ、Ａｌ、及びＺｒ等の元素がドーピングされたＨｆＯ2膜が反強誘電性を示すことが記載されている。
【0004】
また、特許文献１には、第１電極層と、誘電体層と、第２電極層とを備えたキャパシタが記載されている。誘電体層は第１電極層上に形成されている。第２電極層は誘電体層上に形成されている。誘電体層は金属酸化物を含み、その金属酸化物は、Ｈｆの一部がＢｉ及び５価以上の元素によって置換されたＨｆＯ2を含む。誘電体層は反強誘電体性を有する。このため、誘電体層は、バイアス電界を印加することによって高い誘電率を示す。
【0005】
非特許文献２には、Ｍｇ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｃｏ、及びＮｉ等のドーパントのＨｆＯ2の強誘電性への影響が記載されている。ＧａがドープされたＨｆＯ2は強誘電性を有している。
【0006】
非特許文献３には、Ｈｆ1-xＢxＯ2膜（ここで、Ｂ＝Ｚｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｙ等）において強誘電性がみられることが記載されている。
【0007】
非特許文献４には、０．１ＣｅＯ2－０．９ＨｆＯ2薄膜が強誘電性を示すことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【文献】国際公開第２０１９／２０８３４０号
【非特許文献】
【0009】
【文献】M.H.Park et al, Advanced Materials, 2015, 27, 1811-1831
【文献】S. Starschich et al, Journal of Materials Chemistry C, 2017, 5, 333
【文献】Hyo Jeong Kim et al, Phys. Status Solidi RRL 2021, 15, 2100028
【文献】T. Shiraishi et al, Applied Physics Letters, 2019, 114, 232902
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
非特許文献１及び特許文献１に記載の技術は、大容量かつ高効率な充放電の観点から再検討の余地を有する。そこで、本開示は、Ｈｆを含む酸化物を誘電体に用いつつ、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利なキャパシタを提供する。
【課題を解決するための手段】
【0011】
本開示のキャパシタは、
第一電極と、
第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間に配置された誘電体と、を備え、
前記誘電体は、Ｈｆ1-x-yＳｉxＧａyＯzで表される組成を有する酸化物を含み、
前記組成において、ｚは前記酸化物の電気的中性を保つための値であり、
前記組成は、０．０１≦ｘ、０．０５≦ｙ≦０．１１、及び０．０９≦ｘ＋ｙ≦０．１５の条件を満たす。
第一電極と、
第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間に配置された誘電体と、を備え、
前記誘電体は、Ｈｆ1-x-yＳｉxＧａyＯzで表される組成を有する酸化物を含み、
前記組成において、ｚは前記酸化物の電気的中性を保つための値であり、
前記組成は、０．０１≦ｘ、０．０５≦ｙ≦０．１１、及び０．０９≦ｘ＋ｙ≦０．１５の条件を満たす。
【発明の効果】
【0012】
本開示によれば、Ｈｆを含む酸化物を誘電体に用いつつ、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利なキャパシタを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0013】
【発明を実施するための形態】
【0014】
（本開示の基礎となった知見）
例えば、反強誘電体では、所定の電界強度の範囲において、電界強度の増加に伴い電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量が大きくなる。このような電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量の非線形な関係は、その誘電体を備えたキャパシタにおいて大容量な充放電を可能にする観点から有利である。一方、このような非線形な関係のためにＨｆＯ2にドーパントを添加させて得られた誘電体を備えたキャパシタにおいて、ヒステリシスロスが発生しうる。ヒステリシスロスにより、充電のために電圧を上昇させて貯蔵された電荷量に対して、放電にて出力される電荷量が少なくなる。このようなヒステリシスロスの発生は、キャパシタの充電により貯蔵されたエネルギーに対して放電においてキャパシタから出力可能なエネルギーが小さくなるというエネルギー損失の問題を生じさせる。このことは、高効率なキャパシタの充放電の観点から有利とは言い難い。
例えば、反強誘電体では、所定の電界強度の範囲において、電界強度の増加に伴い電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量が大きくなる。このような電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量の非線形な関係は、その誘電体を備えたキャパシタにおいて大容量な充放電を可能にする観点から有利である。一方、このような非線形な関係のためにＨｆＯ2にドーパントを添加させて得られた誘電体を備えたキャパシタにおいて、ヒステリシスロスが発生しうる。ヒステリシスロスにより、充電のために電圧を上昇させて貯蔵された電荷量に対して、放電にて出力される電荷量が少なくなる。このようなヒステリシスロスの発生は、キャパシタの充電により貯蔵されたエネルギーに対して放電においてキャパシタから出力可能なエネルギーが小さくなるというエネルギー損失の問題を生じさせる。このことは、高効率なキャパシタの充放電の観点から有利とは言い難い。
【0015】
上記の文献によれば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｙ、Ｌａ、及びＣｅ等の元素をＨｆＯ2に添加することにより、明瞭な強誘電性又は反強誘電性が発現すると理解される。一方、ＧａをＨｆＯ2に添加した報告では、わずかな強誘電性が確認されているに過ぎない。添加によりわずかな強誘電性がみられるにすぎないＧａを、ＳｉとともにＨｆＯ2に添加した報告はされていない。
【0016】
このような事情に鑑み、本発明者らは、Ｈｆを含む酸化物を誘電体に用いつつ、大容量かつ高効率な充放電が可能なキャパシタを実現できないか鋭意検討を重ねた。その結果、本発明者らは、Ｈｆを含む所定の組成を有する酸化物を含む誘電体を用いて、キャパシタにおいて、電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量の非線形な関係と、ヒステリシスロスの抑制とを実現できることを見出した。この新たな知見に基づき、本発明者らは本開示のキャパシタを案出した。
【0017】
（本開示に係る一態様の概要）
本開示の第１態様に係るキャパシタは、
第一電極と、
第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間に配置された誘電体と、を備え、
前記誘電体は、Ｈｆ1-x-yＳｉxＧａyＯzで表される組成を有する酸化物を含み、
前記組成において、ｚは前記酸化物の電気的中性を保つための値であり、
前記組成は、０．０１≦ｘ、０．０５≦ｙ≦０．１１、及び０．０９≦ｘ＋ｙ≦０．１５の条件を満たす。
本開示の第１態様に係るキャパシタは、
第一電極と、
第二電極と、
前記第一電極と前記第二電極との間に配置された誘電体と、を備え、
前記誘電体は、Ｈｆ1-x-yＳｉxＧａyＯzで表される組成を有する酸化物を含み、
前記組成において、ｚは前記酸化物の電気的中性を保つための値であり、
前記組成は、０．０１≦ｘ、０．０５≦ｙ≦０．１１、及び０．０９≦ｘ＋ｙ≦０．１５の条件を満たす。
【0018】
第１態様によれば、電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量の関係が非線形な関係になりやすい。加えて、キャパシタの充放電においてヒステリシスロスが抑制されやすい。このため、第１態様に係るキャパシタは、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利である。
【0019】
本開示の第２態様において、例えば、第１態様に係るキャパシタでは、前記酸化物は、蛍石構造を含んでいてもよい。第２態様によれば、電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量の関係が非線形な関係によりなりやすい。
【0020】
本開示の第３態様において、例えば、第２態様に係るキャパシタでは、前記酸化物は、正方晶相及び直方晶相からなる群より選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。第３態様によれば、電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量の関係が非線形な関係によりなりやすい。
【0021】
本開示の第４態様に係る電気回路は、第１態様から第３態様のいずれか１つの態様に係るキャパシタを備えている。第４態様によれば、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利な電気回路を提供できる。
【0022】
本開示の第５態様に係る回路基板は、第１態様から第３態様のいずれか１つの態様に係るキャパシタを備えている。第５態様によれば、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利な回路基板を提供できる。
【0023】
本開示の第６態様に係る機器は、第１態様から第３態様のいずれか１つの態様に係るキャパシタを備えている。第６態様によれば、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利な機器を提供できる。
【0024】
本開示の第７態様に係る蓄電デバイスは、第１態様から第３態様のいずれか１つの態様に係るキャパシタを備えている。第７態様によれば、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利な蓄電デバイスを提供できる。
【0025】
（実施の形態）
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【0026】
図１は、本開示のキャパシタの一例を示す断面図である。図１に示す通り、キャパシタ１ａは、第一電極１１と、第二電極１２と、誘電体２０とを備えている。誘電体２０は、第一電極１１と第二電極１２との間に配置されている。誘電体２０は、Ｈｆ1-x-yＳｉxＧａyＯzで表される組成を有する酸化物を含んでいる。この組成において、ｚはこの酸化物の電気的中性を保つための値である。加えて、この組成は、０．０１≦ｘ、０．０５≦ｙ≦０．１１、及び０．０９≦ｘ＋ｙ≦０．１５の条件を満たす。これにより、キャパシタ１ａにおいて電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量の関係が非線形な関係になりやすく、キャパシタ１ａの充放電においてヒステリシスロスが抑制されやすい。このため、キャパシタ１ａは、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利である。
【0027】
上記の組成におけるｚは、酸化物の電気的中性が保たれる限り特定の値に限定されない。ｚは、例えば、ｙの値及び誘電体２０の作製プロセスによって変動しうる。ｚは、例えば、１．９≦ｚ＜２の条件を満たす。
【0028】
誘電体２０の上記の酸化物の構造は特定の構造に限定されない。この酸化物は、例えば蛍石構造を含む。この場合、キャパシタ１ａにおいて、電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量の関係が非線形な関係によりなりやすい。酸化物の全体が蛍石構造を有していてもよく、酸化物の一部が蛍石構造を有していてもよい。
【0029】
誘電体２０の上記の酸化物が蛍石構造を含む場合、この酸化物は、正方晶相及び直方晶相からなる群より選ばれる少なくとも１つを含んでいてもよい。この場合、キャパシタ１ａにおいて、電界強度の変化量に対する誘電体の分極の変化量の関係が非線形な関係によりなりやすい。酸化物の全体が正方晶相及び直方晶相からなる群より選ばれる少なくとも１つを有していてもよく、酸化物の一部が正方晶相及び直方晶相からなる群より選ばれる少なくとも１つを有していてもよい。
【0030】
キャパシタ１ａにおいて、第一電極１１、第二電極１２、及び誘電体２０の形状は特定の形状に限定されない。図１に示す通り、第一電極１１、第二電極１２、及び誘電体２０のそれぞれは、例えば層状に形成されている。
【0031】
第一電極１１の厚みは特定の値に限定されない。第一電極１１の厚みは、例えば５０ｎｍ以上である。これにより、キャパシタ１ａにおいて内部抵抗が小さくなりやすい。第一電極１１の厚みは、例えば５００ｎｍ以下である。これにより、複数のキャパシタ１ａを集積して使用する場合に全体の容量密度が大きくなりやすい。
【0032】
第一電極１１の材料は特定の材料に限定されない。第一電極１１は、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔａ、及びＺｒ等の金属を含んでいてもよい。第一電極１１は、ＴｉＮ及びＴａＮ等の導電性の窒化物を含んでいてもよい。第一電極１１は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）、及びＺｎＯ等の導電性の酸化物を含んでいてもよい。第一電極１１が酸化雰囲気で形成される場合、第一電極１１は、望ましくは、Ｐｔ、Ａｕ、ＩＴＯ、及びＺｎＯからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む。第一電極１１が還元雰囲気で形成される場合、第一電極１１は、望ましくは、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む。
【0033】
第二電極１２の厚みは特定の値に限定されない。第二電極１２の厚みは、例えば５０ｎｍ以上である。これにより、キャパシタ１ａにおいて内部抵抗が小さくなりやすい。第二電極１２の厚みは、例えば５００ｎｍ以下である。これにより、複数のキャパシタ１ａを集積して使用する場合に全体の容量密度が大きくなりやすい。
【0034】
第二電極１２の材料は特定の材料に限定されない。第二電極１２は、例えば、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔａ、及びＺｒ等の金属を含んでいてもよい。第二電極１２は、ドープされた多結晶シリコンを含んでいてもよい。第二電極１２は、ＴｉＮ及びＴａＮ等の導電性の窒化物を含んでいてもよい。第二電極１２は、ＩＴＯ、ＡＴＯ、及びＺｎＯ等の導電性の酸化物を含んでいてもよい。第二電極１２は、ポリアニリン及びポリピロール等の導電性の有機ポリマーを含んでいてもよい。第二電極１２が酸化雰囲気に曝される場合、第二電極１２は、望ましくは、Ｐｔ、Ａｕ、ＩＴＯ、ＡＴＯ、及びＺｎＯからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む。第二電極１２が還元雰囲気に曝される場合、第二電極１２は、望ましくは、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮ、及びドープされた多結晶シリコンからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む。例えば、第二電極１２を形成した後にアニール処理を行って誘電体２０において結晶化を促す場合に、第二電極１２の周囲に供給されるガスによって第二電極１２が酸化雰囲気又は還元雰囲気に曝されうる。アニール処理において第二電極１２が酸化雰囲気に曝される場合、第二電極１２は、より望ましくは、Ｐｔ、ＩＴＯ、ＡＴＯ、及びＺｎＯからなる群より少なくとも１つを含む。アニール処理において第二電極１２が還元雰囲気に曝される場合、第二電極１２は、より望ましくは、Ｐｔ、ＴｉＮ、及びＴａＮからなる群より少なくとも１つを含む。
【0035】
図１に示す通り、キャパシタ１ａは、例えば支持体３０をさらに備えている。第一電極１１は、例えば、支持体３０上に配置されている。これにより、第一電極１１、誘電体２０、及び第二電極１２を含む積層体が支持体３０によって支持され、キャパシタ１ａの機械的強度が高くなりやすい。支持体３０は、例えば、第一電極１１を形成するための基材として使用されうる。キャパシタ１ａにおいて、支持体３０は省略されてもよい。
【0036】
支持体３０は、特定の支持体に限定されない。支持体３０は、導電体であってもよいし、半導体であってもよいし、絶縁体であってもよい。支持体３０が導電体である場合、支持体３０と第一電極１１とが一体化されていてもよい。
【0037】
支持体３０の厚みは特定の値に限定されない。支持体３０の厚みは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であってもよいし、５００ｎｍより大きくてもよい。
【0038】
図２Ａに示す通り、例えば、キャパシタ１ａを備えた電気回路３を提供できる。電気回路３は、キャパシタ１ａを備える限り、特定の回路に限定されない。電気回路３は、能動回路であってもよいし、受動回路であってもよい。電気回路３は、放電回路であってもよいし、平滑回路であってもよいし、デカップリング回路であってもよいし、カップリング回路であってもよい。電気回路３は、キャパシタ１ａを備えているので、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利である。
【0039】
図２Ｂに示す通り、例えば、キャパシタ１ａを備えた回路基板５を提供できる。回路基板５は、キャパシタ１ａを備えているので、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利である。例えば、回路基板５は、キャパシタ１ａを含む電気回路３を備えている。
【0040】
図２Ｃに示す通り、例えば、キャパシタ１ａを備えた機器７を提供できる。機器７は、キャパシタ１ａを備えているので、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利である。機器７は、例えば、キャパシタ１ａを含む回路基板５を備えている。機器７は、電子機器であってもよいし、通信機器であってもよいし、信号処理装置であってもよいし、電源装置であってもよい。機器７は、サーバーであってもよいし、ＡＣアダプタであってもよいし、アクセラレータであってもよいし、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイであってもよい。機器７は、ＵＳＢ充電器であってもよいし、ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）であってもよいし、ＰＣ、スマートフォン、及びタブレットＰＣ等の情報端末であってもよいし、イーサーネットスイッチであってもよい。
【0041】
図２Ｄに示す通り、例えば、キャパシタ１ａを備えた蓄電デバイス９を提供できる。蓄電デバイス９は、キャパシタ１ａを備えているので、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利である。図２Ｄに示す通り、例えば、蓄電デバイス９を用いて、蓄電システム５０を提供できる。蓄電システム５０は、蓄電デバイス９と、発電装置２とを備えている。蓄電システム５０において、発電装置２における発電に伴い得られる電気が蓄電デバイス９に蓄えられる。発電装置２は、例えば、太陽光発電又は風力発電のための装置である。蓄電デバイス９は、例えば、リチウムイオン電池及び鉛蓄電池等の二次電池を備えたデバイスである。
【0042】
キャパシタ１ａの製造方法の一例を説明する。まず、支持体３０の主面上に第一電極１１を形成する。第一電極１１の形成には、例えば、真空プロセス、めっき、又は塗布を適用しうる。真空プロセスの例は、ＤＣスパッタリング法、ＲＦマグネトロンスパッタリング法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、及び化学気相成長（ＣＶＤ）である。支持体３０として、アルミニウム箔及びジルコニウム箔等の金属箔を用い、支持体３０と第一電極１１とが一体的に構成されていてもよい。一例として、支持体３０としてのｃ面サファイア単結晶基板上にＲＦマグネトロンスパッタリング法によってＰｔ（１１１）膜をエピタキシャル成長させてもよい。
【0043】
次に、第一電極１１の上に、誘電体２０又は誘電体２０の前駆体として、Ｈｆ1-x-yＳｉxＧａyＯzで表される組成を有する酸化物を含む膜が形成される。誘電体２０又は誘電体２０の前駆体は、第一電極１１の形成と同様に真空プロセスを用いて形成できる。もしくは、Chemical Solution Deposition（CSD）法を用いた、ディップコーティング、スピンコーティング、及びダイコーティング等の湿式プロセスによって、誘電体２０又は誘電体２０の前駆体が形成されてもよい。
【0044】
例えば、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によって誘電体２０のための膜を形成した場合、その膜はアモルファスでありうる。アモルファスのままでは膜の比誘電率が小さいので、例えば、この膜に対してRapid Thermal Anneal(RTA)処理がなされ、結晶化が促される。
【0045】
次に、誘電体２０の上に第二電極１２が形成される。第二電極１２の形成には、第一電極１１と同様に、真空プロセス、めっき、又は塗布を適用しうる。このようにして、キャパシタ１ａを製造できる。
【0046】
図３は、本開示のキャパシタの別の一例を示す断面図である。図３に示すキャパシタ１ｂは、特に説明する部分を除き、キャパシタ１ａと同様に構成されている。キャパシタ１ａの構成要素と同一又は対応するキャパシタ１ｂの構成要素には、同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。キャパシタ１ａに関する説明は、技術的に矛盾しない限り、キャパシタ１ｂにも当てはまる。
【0047】
図３に示す通り、キャパシタ１ｂにおいて、第一電極１１の少なくとも一部は多孔質である。このような構成によれば、第一電極１１の表面積が大きくなりやすく、キャパシタ１ｂの静電容量が高くなりやすい。このような多孔質の構造は、例えば、金属箔のエッチング及び粉末の焼結処理等によって形成できる。
【0048】
図３に示す通り、例えば、第一電極１１の多孔質な部位の表面上に誘電体２０の膜が形成されている。この場合、誘電体２０の成膜方法として、原子層堆積法（ＡＬＤ法）又はＣＶＤ法及びミストＣＶＤ法等の化学気相法を採用できる。
【0049】
第一電極１１は、例えば、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｈｆ、及びＢｉ等の弁金属を含んでいる。第二電極１２は、例えば、銀含有ペーストの固化物、グラファイト等のカーボン材料、又は上記固化物及びカーボン材料の双方を含んでいてもよい。
【0050】
キャパシタ１ａ及び１ｂは、電解キャパシタであってもよい。この場合、例えば、第一電極１１と第二電極１２との間に電解質１３が配置されている。誘電体２０と第二電極１２との間に電解質１３が配置されていてもよい。キャパシタ１ｂにおいて、電解質１３は、例えば、第一電極１１の多孔質な部位の周囲の空隙を充填するように配置されている。
【0051】
電解質は、例えば、酸化マンガン、電解液、及び導電性高分子からなる群より選択される少なくとも一つを含む。導電性高分子の例は、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、及びこれらの誘導体である。電解質は、酸化マンガン等のマンガン化合物であってもよい。電解質は、固体電解質を含んでいてもよい。
【実施例】
【0052】
以下、本開示を実施例に基づいて、さらに詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
【0053】
（実施例１）
ＲＦマグネトロンスパッタリング法によって、ｃ面サファイア単結晶基板上に１００ｎｍの厚みを有するＰｔ（１１１）膜をエピタキシャル成長させ、Ｐｔ電極を得た。次に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によって、Ｐｔ電極上に２０ｎｍの厚みを有するＨｆ含有層を形成した。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０５３であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．０５６であった。次に、Ｈｆ含有層が形成されたサファイア単結晶基板を７００℃の窒素雰囲気で３０秒間加熱し、ＲＴＡ処理を行った。これにより、Ｈｆ含有層の構造は、アモルファス構造から、反強誘電性を示す正方晶相又は強誘電性を示す直方晶相を有するように変化したと理解される。その後、真空蒸着法によって、Ｈｆ含有層の上に１００ｎｍの厚みを有するＡｕ膜を形成し、Ａｕ電極を得た。このようにして、実施例１に係るキャパシタを作製した。
ＲＦマグネトロンスパッタリング法によって、ｃ面サファイア単結晶基板上に１００ｎｍの厚みを有するＰｔ（１１１）膜をエピタキシャル成長させ、Ｐｔ電極を得た。次に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法によって、Ｐｔ電極上に２０ｎｍの厚みを有するＨｆ含有層を形成した。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０５３であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．０５６であった。次に、Ｈｆ含有層が形成されたサファイア単結晶基板を７００℃の窒素雰囲気で３０秒間加熱し、ＲＴＡ処理を行った。これにより、Ｈｆ含有層の構造は、アモルファス構造から、反強誘電性を示す正方晶相又は強誘電性を示す直方晶相を有するように変化したと理解される。その後、真空蒸着法によって、Ｈｆ含有層の上に１００ｎｍの厚みを有するＡｕ膜を形成し、Ａｕ電極を得た。このようにして、実施例１に係るキャパシタを作製した。
【0054】
マルバーンパナリティカル社製のＸ線回折（ＸＲＤ）装置Aerisを用いて、実施例１に係るキャパシタのＨｆ含有層の結晶構造を評価した。ＸＲＤにおいて、Ｃｕ‐Ｋα線（波長λ＝０．１５４１８ｎｍ）をＸ線として用いた。図４に、実施例１に係るキャパシタのＨｆ含有層のＸＲＤプロファイルを示す。図４において、縦軸はＸＲＤの強度を示し、横軸は回折角を示す。図４において、符号「ｍ」で示されるピークは単斜晶に由来し、符号「ｏ／ｔ／ｃ」で示されるピークは、直方晶、正方晶、及び立方晶からなる群より選ばれる少なくとも１つに由来する。図４によれば、実施例１に係るキャパシタのＨｆ含有層は、単斜晶をわずかに含むものの、主たる相は、直方晶、正方晶、及び立方晶からなる群より選ばれる少なくとも１つの蛍石構造であると理解された。
【0055】
リガク社製の波長分散型蛍光Ｘ線分析（ＷＤＸＲＦ）装置ZSX-Primusを用いて、実施例１に係るキャパシタのＨｆ含有層の組成を決定した。この組成をＨｆ1-x-yＡxＢyＯ2で表したときの元素Ａ、元素Ｂ、ｘの値、及びｙの値を表１に示す。
【0056】
ラジアントテクノロジー社製の強誘電体テスターPremier IIを用いて、実施例１に係るキャパシタに対してPolarization-Electric field測定を行って、実施例１に係るキャパシタのＰ－Ｅカーブを得た。このＰ－Ｅカーブに基づいて実施例１に係るキャパシタの誘電特性を評価した。図５は、実施例１に係るキャパシタのＰ－Ｅカーブであり、Ｈｆ含有層における分極と電界強度との関係を示す。図５において、縦軸は分極を示し、横軸は電界強度を示す。Ｐ－Ｅカーブにおいて、Ｐ－Ｅカーブ、第一直線、及び第二直線によって囲まれる部分の面積ＳPE［μＣ・ＭＶ／ｃｍ3］を求めた。第一直線は、電界強度が０［ＭＶ／ｃｍ2］以上であり、かつ、分極が０［μＣ／ｃｍ2］である条件を満たす直線である。第二直線は、電界強度が０［ＭＶ／ｃｍ2］であり、かつ、分極が０［μＣ／ｃｍ2］以上である条件を満たす直線である。図５に示す通り、実施例１に係るキャパシタにおいて、昇圧時（充電）及び降圧時（放電）において大きなヒステリシスロスは発生しておらず、エネルギー損失を低減できることが示唆された。キャパシタのヒステリシスロスに関し、面積ＳPEが１５［Ｊ／ｃｍ3］以下である場合を「Ａ」と評価し、それ以外の場合を「Ｘ」と評価した。結果を表１に示す。
【0057】
電界強度を増加させて得られたＰ－Ｅカーブにおいて、電界強度を変数とする分極の微分値を求めて実施例１に係るキャパシタのＨｆ含有層の比誘電率を決定した。図６は、実施例１に係るキャパシタのＨｆ含有層の比誘電率と電界強度との関係を示す。図６に示す通り、０ＭＶ／ｃｍ（電圧印加なし）の電界強度におけるＨｆ含有層の比誘電率は約３０であったのに対し、３．０ＭＶ／ｃｍから３．５ＭＶ／ｃｍの電界強度におけるＨｆ含有層の比誘電率は約５０に増加している。このように、実施例１に係るキャパシタにおいて、分極及び電界強度は非線形な関係を有していた。キャパシタにおける分極と電界強度との関係の非線形性に関し、各電界強度における比誘電率の最小値に対する最大値の比が１．５以上である場合に非線形性ありと評価し、それ以外の場合に非線形なしと評価した。結果を表１に示す。
【0058】
（実施例２）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０７８であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．０６１であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係るキャパシタを作製した。実施例２に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の結晶構造、Ｈｆ含有層の組成、及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０７８であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．０６１であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、実施例２に係るキャパシタを作製した。実施例２に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の結晶構造、Ｈｆ含有層の組成、及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0059】
（実施例３）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０３５であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．０６１であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係るキャパシタを作製した。実施例３に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の結晶構造、Ｈｆ含有層の組成、及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０３５であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．０６１であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、実施例３に係るキャパシタを作製した。実施例３に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の結晶構造、Ｈｆ含有層の組成、及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0060】
（実施例４）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０３５であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．１０２であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るキャパシタを作製した。実施例４に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の結晶構造、Ｈｆ含有層の組成、及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０３５であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．１０２であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、実施例４に係るキャパシタを作製した。実施例４に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の結晶構造、Ｈｆ含有層の組成、及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0061】
（実施例５）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０１４であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．１０２であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係るキャパシタを作製した。実施例５に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の結晶構造、Ｈｆ含有層の組成、及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０１４であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．１０２であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、実施例５に係るキャパシタを作製した。実施例５に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の結晶構造、Ｈｆ含有層の組成、及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0062】
（比較例１）
Ｓｉ及びＧａを含まないＨｆＯ2の組成を有するようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係るキャパシタを作製した。比較例１に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。図７は、比較例１に係るキャパシタの誘電体における分極と電界強度との関係を示すグラフ（Ｐ－Ｅカーブ）である。図７において、縦軸は分極を示し、横軸は電界強度を示す。図８は、比較例１に係るキャパシタのＨｆ含有層の比誘電率と電界強度との関係を示す。図８において、縦軸は比誘電率を示し、横軸は電界強度を示す。
Ｓｉ及びＧａを含まないＨｆＯ2の組成を有するようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例１に係るキャパシタを作製した。比較例１に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。図７は、比較例１に係るキャパシタの誘電体における分極と電界強度との関係を示すグラフ（Ｐ－Ｅカーブ）である。図７において、縦軸は分極を示し、横軸は電界強度を示す。図８は、比較例１に係るキャパシタのＨｆ含有層の比誘電率と電界強度との関係を示す。図８において、縦軸は比誘電率を示し、横軸は電界強度を示す。
【0063】
（比較例２）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０５３であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例２に係るキャパシタを作製した。比較例２に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。図９は、比較例２に係るキャパシタのＨｆ含有層の分極と電界強度との関係を示す。図９において、縦軸は分極を示し、横軸は電界強度を示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０５３であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例２に係るキャパシタを作製した。比較例２に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。図９は、比較例２に係るキャパシタのＨｆ含有層の分極と電界強度との関係を示す。図９において、縦軸は分極を示し、横軸は電界強度を示す。
【0064】
（比較例３）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０.０７７であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例３に係るキャパシタを作製した。比較例３に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０.０７７であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例３に係るキャパシタを作製した。比較例３に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0065】
（比較例４）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０.１５３であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例４に係るキャパシタを作製した。比較例４に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０.１５３であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例４に係るキャパシタを作製した。比較例４に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0066】
（比較例５）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０７８であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０.０２６であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例５に係るキャパシタを作製した。比較例５に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０７８であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０.０２６であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例５に係るキャパシタを作製した。比較例５に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0067】
（比較例６）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．１１３であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０.０６１であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例６に係るキャパシタを作製した。比較例６に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．１１３であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０.０６１であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例６に係るキャパシタを作製した。比較例６に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0068】
（比較例７）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．１０６であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例７に係るキャパシタを作製した。比較例７に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．１０６であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例７に係るキャパシタを作製した。比較例７に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0069】
（比較例８）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０７８であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．１０２であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例８に係るキャパシタを作製した。比較例８に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０７８であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．１０２であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例８に係るキャパシタを作製した。比較例８に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0070】
（比較例９）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０３５であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．１５３であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例９に係るキャパシタを作製した。比較例９に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｓｉの原子数の比が０．０３５であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数（総数）に対して、Ｇａの原子数の比が０．１５３であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例９に係るキャパシタを作製した。比較例９に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0071】
（比較例１０）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｔｉ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｔｉの原子数の比が０．０１６であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｔｉ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｎｂの原子数の比が０．００５であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例１０に係るキャパシタを作製した。比較例１０に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｔｉ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｔｉの原子数の比が０．０１６であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｔｉ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｎｂの原子数の比が０．００５であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例１０に係るキャパシタを作製した。比較例１０に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0072】
（比較例１１）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｒ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｓｒの原子数の比が０．００５であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｒ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｎｂの原子数の比が０．００３であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例１１に係るキャパシタを作製した。比較例１１に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｒ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｓｒの原子数の比が０．００５であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｓｒ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｎｂの原子数の比が０．００３であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例１１に係るキャパシタを作製した。比較例１１に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0073】
（比較例１２）
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｇｄ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｇｄの原子数の比が０．０５９であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｇｄ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｎｂの原子数の比が０．００６であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例１２に係るキャパシタを作製した。比較例１２に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｇｄ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｇｄの原子数の比が０．０５９であった。Ｈｆ含有層において、Ｈｆ、Ｇｄ、及びＮｂの原子数（総数）に対して、Ｎｂの原子数の比が０．００６であった。このようにＨｆ含有層の形成のためのＲＦマグネトロンスパッタリングの条件を調整した以外は、実施例１と同様にして、比較例１２に係るキャパシタを作製した。比較例１２に係るキャパシタの、Ｈｆ含有層の組成及び誘電特性を実施例１と同様に評価した。結果を表１に示す。
【0074】
表１に示す通り、実施例１から５に係るキャパシタにおいて、分極及び電界強度に関し非線形な関係が認められた。加えて、実施例１から５に係るキャパシタにおいてヒステリシスロスは小さかった。このため、実施例１から５に係るキャパシタが大容量かつ高効率な充放電の観点から有利であると示唆された。一方、比較例１、６から１２に係るキャパシタでは、分極及び電界強度において非線形な関係が認められなかった。例えば、比較例１に係るキャパシタでは、図７及び図８に示す通り、Ｈｆ含有層は常誘電体的な誘電特性を有していた。比較例２から５に係るキャパシタでは、分極及び電界強度において非線形な関係が認められたものの、ヒステリシスロスが大きかった。例えば、比較例２に係るキャパシタでは、図９に示す通り、Ｈｆ含有層は反強誘電体的な誘電特性を有するものの、ヒステリシスロスが大きく、高効率な充放電の観点から有利であるとは言い難かった。
【0075】
図１０は、実施例１から５及び比較例１から９に係るキャパシタのＨｆ含有層におけるＳｉの組成比及びＧａの組成比と、誘電体の誘電特性との関係を示すグラフである。図１０において、縦軸は、Ｈｆ含有層における、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数に対するＧａの原子数の比ｙである。横軸は、Ｈｆ含有層における、Ｈｆ、Ｓｉ、及びＧａの原子数に対するＳｉの原子数の比ｘである。図１０において、「○」のプロットは実施例を示し、「×」のプロットは比較例を示す。図１０に示す通り、キャパシタの誘電体に含まれる、Ｈｆ1-x-yＳｉxＧａyＯzの組成の酸化物が０．０１≦ｘ、０．０５≦ｙ≦０．１１、及び０．０９≦ｘ＋ｙ≦０．１５の条件を満たすと、大容量かつ高効率な充放電が可能となりやすい。
【0076】
【表1】
【産業上の利用可能性】
【0077】
本開示のキャパシタは、大容量かつ高効率な充放電の観点から有利である。
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】