(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-12
(45)【発行日】2024-07-23
(54)【発明の名称】ミスト発生装置及びそれを備える浴槽装置
(51)【国際特許分類】
A61H 33/10 20060101AFI20240716BHJP
A47K 3/00 20060101ALI20240716BHJP
F24F 6/12 20060101ALI20240716BHJP
【ＦＩ】
A61H33/10 N
A61H33/10 A
A61H33/10 G
A47K3/00 Z
F24F6/12 101Z
【請求項の数】
12
(21)【出願番号】P 2020217031
(22)【出願日】2020-12-25
(65)【公開番号】P2021159744
(43)【公開日】2021-10-11
【審査請求日】2023-10-13
(31)【優先権主張番号】P 2020062114
(32)【優先日】2020-03-31
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000010087
【氏名又は名称】ＴＯＴＯ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100088694
【弁理士】
【氏名又は名称】弟子丸 健
(74)【代理人】
【氏名又は名称】松下 満
(74)【代理人】
【識別番号】100098475
【弁理士】
【氏名又は名称】倉澤 伊知郎
(74)【代理人】
【識別番号】100130937
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 泰史
(74)【代理人】
【識別番号】100159846
【弁理士】
【氏名又は名称】藤木 尚
(72)【発明者】
【氏名】川瀬 元太
(72)【発明者】
【氏名】戸崎 正道
(72)【発明者】
【氏名】碇 洋平
(72)【発明者】
【氏名】八板 遼平
(72)【発明者】
【氏名】奥野 祐一
(72)【発明者】
【氏名】三尾 俊平
(72)【発明者】
【氏名】牧 愛子
【審査官】松江 雅人
(56)【参考文献】
【文献】特開２００８－１８０６２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１３－１７６４２８（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００５－３３４２２３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００７－６８５８６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－２００５３３（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ａ６１Ｈ ３３／０６，３３／１０
Ａ４７Ｋ ３／００
Ｆ２４Ｆ ６／１２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
浴槽本体に用いられるミスト発生装置であって、加熱され水温を制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを加熱することで温度制御されたミストを生成するミスト生成部と、
上方が開放された滞留空間を形成する上記浴槽本体内に、上記ミスト生成部により生成されたミストを供給するミスト供給部と、を備え、
上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記浴槽本体の上記滞留空間内に滞留されるように構成される、ミスト発生装置。
【請求項2】
上記ミスト生成部は、水温を検知する水温検知手段を備える、請求項１に記載のミスト発生装置。
【請求項3】
上記ミスト生成部は、６０℃以上に加熱された水を温度制御すると共に温度制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱すると共に加熱されたミストを温度制御する、請求項１又は２に記載のミスト発生装置。
【請求項4】
滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さに、上記浴槽本体の深さに相当する高さを加えた高さ位置よりも下方に形成される、請求項１乃至３の何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項5】
滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さ位置よりも上方に形成される、請求項４に記載のミスト発生装置。
【請求項6】
滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さに、１００ｍｍ～２００ｍｍの間の数値を加えた高さ位置よりも下方に形成される、請求項４又は５に記載のミスト発生装置。
【請求項7】
上記ミスト供給部は上記浴槽本体内の水の溢れ部より上方に配置される、請求項１乃至６の何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項8】
上記浴槽本体内の水の上記溢れ部は、上記浴槽本体の上記溢れ面である、請求項７に記載のミスト発生装置。
【請求項9】
さらに、上記浴槽本体が配置される浴室内の気温を検知する気温検知手段を備える、請求項１乃至８の何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項10】
上記ミスト供給部は、下方向きに開口するミスト供給口部を備える、請求項１乃至９の何れか１項に記載のミスト発生装置。
【請求項11】
浴槽装置であって、請求項１乃至１０の何れか１項に記載のミスト発生装置と、
上記ミスト発生装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記浴槽本体と、を備える浴槽装置。
【請求項12】
上記ミスト発生装置の上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記浴槽本体の短辺側に配置される、請求項１１に記載の浴槽装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ミスト発生装置に係り、特に、浴槽装置に用いられるミスト発生装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、特許文献１に示すように、サウナ浴をするための浴槽サウナ装置が知られており、このような浴槽サウナ装置は、ミストを用いたサウナ空間を形成するために浴槽本体の上部に設けられる浴槽蓋を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００８－０１８１３０号公報
【文献】特開２０１４－０５７９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に示すような浴槽サウナ装置においては、サウナ空間を形成するために浴槽蓋が必要であることから、使用者の位置が拘束されてしまい快適性が損なわれると共に、使用者の利便性に欠けるという問題があった。
【0005】
これに対し、特許文献２に示すように、超音波霧化ユニットが提案され、上昇気流によって霧が拡散しやすくならないように、霧化槽の水温を上昇させないように制御することが提案されている。
【0006】
しかしながら、このような超音波霧化ユニットを採用しようとすれば、ミストの温度を高めると霧が拡散してしまう問題が生じてしまい、結局、ミストの拡散を防ごうとすれば特許文献１に示すような浴槽蓋を設ける必要が生じてしまうという問題がある。
【0007】
そこで、本発明は、上述した従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、加熱された状態のミストが、上方が開放された滞留空間内に滞留できるミスト発生装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上述した課題を解決するために、本発明の一実施形態は、浴槽本体に用いられるミスト発生装置であって、加熱され水温を制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを加熱することで温度制御されたミストを生成するミスト生成部と、上方が開放された滞留空間を形成する浴槽本体内に、上記ミスト生成部により生成されたミストを供給するミスト供給部と、を備え、上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記浴槽本体の上記滞留空間内に滞留されるように構成されることを特徴としている。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記浴槽本体の上記滞留空間内に滞留されるように構成される。よって、加熱された状態のミストが浴槽本体の上方が開放された滞留空間内に滞留できる。これにより、ミストが浴槽本体の蓋が取付けられていない上方が開放された滞留空間内に滞留できるため使用者の蓋を取付ける必要を省いて利便性が向上されると共に、使用者が浴槽本体内で蓋なしでミストにより温まることができるため使用者の快適性も向上される。また、使用者が浴槽本体内でミストにより温まることができるため、使用者が水に浸かる場合と比べて圧迫感を生じずに体の負担を低減した状態でミスト浴ができ、さらに、水に浸かる場合と比べて緩やかに使用者に熱の刺激が伝わるため使用者の体の負担を低減しつつミスト浴ができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記ミスト供給部から供給されたミストが上記浴槽本体の上記滞留空間内に滞留されるように構成される。よって、加熱された状態のミストが浴槽本体の上方が開放された滞留空間内に滞留できる。これにより、ミストが浴槽本体の蓋が取付けられていない上方が開放された滞留空間内に滞留できるため使用者の蓋を取付ける必要を省いて利便性が向上されると共に、使用者が浴槽本体内で蓋なしでミストにより温まることができるため使用者の快適性も向上される。また、使用者が浴槽本体内でミストにより温まることができるため、使用者が水に浸かる場合と比べて圧迫感を生じずに体の負担を低減した状態でミスト浴ができ、さらに、水に浸かる場合と比べて緩やかに使用者に熱の刺激が伝わるため使用者の体の負担を低減しつつミスト浴ができる。
【0009】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部は、水温を検知する水温検知手段を備える。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部は、水温を検知する水温検知手段を備えるので、水温を検知してより確実に水温を制御することができる。よって、ミスト生成部及びミスト供給部が、加熱された状態のミストを浴槽本体の滞留空間内により確実に滞留させることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト生成部は、水温を検知する水温検知手段を備えるので、水温を検知してより確実に水温を制御することができる。よって、ミスト生成部及びミスト供給部が、加熱された状態のミストを浴槽本体の滞留空間内により確実に滞留させることができる。
【0010】
本発明の一実施形態において、好ましくは、上記ミスト生成部は、６０℃以上に加熱された水を温度制御すると共に温度制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱すると共に加熱されたミストを温度制御する。
このように構成された本発明の一実施形態においては、水又はミストを６０℃以上に加熱することにより、仮に菌が水中に含まれていた場合でも、少なくとも一部の菌(例えばレジオネラ菌)の影響を抑制できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、水又はミストを６０℃以上に加熱することにより、仮に菌が水中に含まれていた場合でも、少なくとも一部の菌(例えばレジオネラ菌)の影響を抑制できる。
【0011】
本発明の一実施形態において、好ましくは、滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さに、上記浴槽本体の深さに相当する高さを加えた高さ位置よりも下方に形成される。
このように構成された本発明の一実施形態においては、滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さに、上記浴槽本体の深さに相当する高さを加えた高さ位置よりも下方に形成されるので、滞留境界面が高すぎる位置に形成されることを抑制し、使用者の快適性を高めることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さに、上記浴槽本体の深さに相当する高さを加えた高さ位置よりも下方に形成されるので、滞留境界面が高すぎる位置に形成されることを抑制し、使用者の快適性を高めることができる。
【0012】
本発明の一実施形態において、好ましくは、滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さ位置よりも上方に形成される。
このように構成された本発明の一実施形態においては、滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さ位置よりも上方に形成されるので、浴槽本体内に座っている使用者の体の上部までミスト入浴がしやすくなると共に、通常の水をはる水位よりも上部まで使用者の体を温めることができ、使用者の快適性をより高めることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さ位置よりも上方に形成されるので、浴槽本体内に座っている使用者の体の上部までミスト入浴がしやすくなると共に、通常の水をはる水位よりも上部まで使用者の体を温めることができ、使用者の快適性をより高めることができる。
【0013】
本発明において、好ましくは、滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さに、１００ｍｍ～２００ｍｍの間の数値を加えた高さ位置よりも下方に形成される。
このように構成された本発明の一実施形態においては、滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さに、１００ｍｍ～２００ｍｍの間の数値を加えた高さ位置よりも下方に形成されるので、滞留境界面が浴槽本体内に座っている使用者の顔の位置より下方に形成されやすくなり、使用者の快適性をさらに高めることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、滞留されたミストの上部側の滞留境界面は、上記浴槽本体の溢れ面の高さに、１００ｍｍ～２００ｍｍの間の数値を加えた高さ位置よりも下方に形成されるので、滞留境界面が浴槽本体内に座っている使用者の顔の位置より下方に形成されやすくなり、使用者の快適性をさらに高めることができる。
【0014】
本発明において、好ましくは、上記ミスト供給部は上記浴槽本体内の水の溢れ部より上方に配置される。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト供給部は浴槽本体内の水の溢れ部より上方に配置されるので、浴槽本体内の水が汚水の流れとしてミスト供給部から上流側に侵入することを抑制できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト供給部は浴槽本体内の水の溢れ部より上方に配置されるので、浴槽本体内の水が汚水の流れとしてミスト供給部から上流側に侵入することを抑制できる。
【0015】
本発明において、好ましくは、上記浴槽本体内の水の上記溢れ部は、上記浴槽本体の上記溢れ面である。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト供給部は浴槽本体内の水の溢れ面より上方に配置されるので、浴槽本体内の水が汚水としてミスト供給部から上流側に侵入することを抑制できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト供給部は浴槽本体内の水の溢れ面より上方に配置されるので、浴槽本体内の水が汚水としてミスト供給部から上流側に侵入することを抑制できる。
【0016】
本発明において、好ましくは、ミスト発生装置は、さらに、上記浴槽本体が配置される浴室内の気温を検知する気温検知手段を備える。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト発生装置は、さらに、上記浴槽本体が配置される浴室内の気温を検知する気温検知手段を備えるので、浴槽本体が配置される浴室内の気温に応じて、ミスト生成部は、加熱された状態のミストを生成することができ、ミスト生成部及びミスト供給部が、加熱された状態のミストを浴槽本体の滞留空間内により確実に滞留させることができる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト発生装置は、さらに、上記浴槽本体が配置される浴室内の気温を検知する気温検知手段を備えるので、浴槽本体が配置される浴室内の気温に応じて、ミスト生成部は、加熱された状態のミストを生成することができ、ミスト生成部及びミスト供給部が、加熱された状態のミストを浴槽本体の滞留空間内により確実に滞留させることができる。
【0017】
本発明において、好ましくは、上記ミスト供給部は、下方向きに開口するミスト供給口部を備える。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト供給部は、下方向きに開口するミスト供給口部を備えるので、ミスト供給部のミスト供給口部から供給されたミストが浴槽本体内に到達するまでの移動距離をミスト供給部のミスト供給口部が横向きや上向きに開口する場合と比べて比較的短い移動距離にするように抑制でき、ミストがミスト供給口部から浴槽本体内に到達するまでにミストの温度が低下される等の変化を受け、浴槽本体内に到達されるミストの温度を調整しにくくなることを抑制できる。よって、加熱された状態のミストが浴槽本体の上方が開放された滞留空間内により滞留しやすくできる。また、例えば、ミスト供給部は、下方向きに開口するミスト供給口部を備えるので、浴槽本体内の水が汚水の流れとしてミスト供給部から上流側に侵入することを抑制できる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、ミスト供給部は、下方向きに開口するミスト供給口部を備えるので、ミスト供給部のミスト供給口部から供給されたミストが浴槽本体内に到達するまでの移動距離をミスト供給部のミスト供給口部が横向きや上向きに開口する場合と比べて比較的短い移動距離にするように抑制でき、ミストがミスト供給口部から浴槽本体内に到達するまでにミストの温度が低下される等の変化を受け、浴槽本体内に到達されるミストの温度を調整しにくくなることを抑制できる。よって、加熱された状態のミストが浴槽本体の上方が開放された滞留空間内により滞留しやすくできる。また、例えば、ミスト供給部は、下方向きに開口するミスト供給口部を備えるので、浴槽本体内の水が汚水の流れとしてミスト供給部から上流側に侵入することを抑制できる。
【0018】
本発明において、好ましくは、浴槽装置であって、上記ミスト発生装置と、上記ミスト発生装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記浴槽本体と、を備える。
また、本発明の一実施形態は、浴槽装置であって、本発明の一実施形態のミスト発生装置と、上記ミスト発生装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記浴槽本体とを備えることを特徴としている。
また、本発明の一実施形態は、浴槽装置であって、本発明の一実施形態のミスト発生装置と、上記ミスト発生装置の上記ミスト供給部から供給されるミストを受け入れる上記滞留空間を形成する上記浴槽本体とを備えることを特徴としている。
【0019】
本発明において、好ましくは、上記ミスト発生装置の上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記浴槽本体の短辺側に配置される。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト発生装置の上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記浴槽本体の短辺側に配置されるので、ミスト供給部から供給されるミストが浴槽本体内の滞留空間において短辺側の左右方向において比較的均一に供給され、ミストの滞留が乱れることが抑制される。さらに、ミストが短辺側の左右方向において比較的均一に整ったミストの流れが供給され、このミストが長辺側に沿って進むので、使用者に癒し効果及び高級感を与えるような視覚的な効果を発生させやすくできる。
このように構成された本発明の一実施形態においては、上記ミスト発生装置の上記ミスト生成部及び上記ミスト供給部は、上記浴槽本体の短辺側に配置されるので、ミスト供給部から供給されるミストが浴槽本体内の滞留空間において短辺側の左右方向において比較的均一に供給され、ミストの滞留が乱れることが抑制される。さらに、ミストが短辺側の左右方向において比較的均一に整ったミストの流れが供給され、このミストが長辺側に沿って進むので、使用者に癒し効果及び高級感を与えるような視覚的な効果を発生させやすくできる。
【発明の効果】
【0020】
本発明のミスト発生装置によれば、加熱された状態のミストが、上方が開放された滞留空間内に滞留できる。
【図面の簡単な説明】
【0021】
【図1】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の斜視図である。
【図2】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の構造を説明する断面図である。
【図3】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図4】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図5】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図6】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図7】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図8】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置からのミスト供給動作を説明する図である。
【図9】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から滞留空間に供給されたミストの温度を仮想滞留空間において測定する測定装置の上面図である。
【図10】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から滞留空間に供給されたミストの温度を仮想滞留空間において測定する測定装置の正面図である。
【図11】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から滞留空間に供給されたミストの温度を仮想滞留空間において測定する測定装置の側面図である。
【図12】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置から供給されたミストによるミスト雰囲気温度の変化の様子を示す図である。
【図13】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から滞留空間に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差の範囲を示す図である。
【図14】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストの粒径の計測装置の斜視図である。
【図15】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストの粒径の計測装置の上面図である。
【図16】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストの粒径を、粒子径分布測定装置により測定した粒子径分布データの一例を示す図である。
【図17】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストに関し、ミストの温度と室内の温度との温度差と、ミストの粒径との関係を示す図である。
【図18】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストが仮想滞留空間に供給された状態を観察する観察装置の斜視図である。
【図19】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストが仮想滞留空間に供給された状態を、温度差と、ミストの粒径とに応じて比較する図である。
【図20】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストが滞留しているかの判定に関し、透過率の測定装置を示す図である。
【図21】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストによるミスト入浴と、通常の湯船浴との違いを、熱流束と時間経過により示す図である。
【図22】本発明の第１実施形態によるミスト発生装置のミスト供給部から供給されるミストによるミスト入浴と、通常の湯船浴とのそれぞれにおいて、１０分入浴後に使用者の皮膚温を測定した結果を示す図である。
【図23】本発明の第２実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の斜視図である。
【図24】本発明の第２実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置を側面から見た側面図である。
【発明を実施するための形態】
【0022】
以下では、本明細書に開示する本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。以下の説明から、当業者にとって、本発明の多くの改良や他の実施の形態が明らかである。従って、以下の説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実行する最良の態様を当業者に教示する目的で提供されたものである。本発明の精神を逸脱することなく、その構造及び／又は機能の詳細を実質的に変更することができる。
【0023】
以下、添付図面を参照して本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた水回り機器である浴槽装置について説明する。
図１は本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の斜視図であり、図２は本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置を側面から見た側面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の第１実施形態によるミスト発生装置１を備えた水回り機器である浴槽装置２は、浴室３に設けられる。水回り機器は、浴室、浴室の洗い場床、トイレ、洗面所、キッチン等の水を使うための吐水装置が設けられている機器である。ミスト発生装置１は、水回り機器の浴槽本体、浴室の洗い場床、シャワールーム、手洗いボウル、洗面台ボウル、キッチンシンクに用いられるミスト発生装置である。浴室３は、箱型の空間であり、内部で水を使用するため一定程度密閉された室内空間５を形成している。水には、外気温（常温）より温度の高い水、加熱された水(いわゆる湯)も含む。浴室３内には、ミスト発生装置１を操作する操作部２８が設けられている。操作部２８は、浴槽装置２への水の貯水操作、温度設定等も行うことができる。操作部２８は、供給されるミストの温度を設定できる操作機能、供給されるミストの粒径を設定できる操作機能等を有していてもよい。操作部２８は、浴室３外に設けられてもよく、又は、リモコン等の遠隔操作部でもよい。浴槽装置２には、水の供給を行う供給装置７が設けられている。浴槽装置２は、さらに、ミスト発生装置１の後述するミスト供給部から供給されるミストを受け入れる滞留空間４を形成する浴槽本体６を備えている。
図１は本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の斜視図であり、図２は本発明の第１実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置を側面から見た側面図である。
図１及び図２に示すように、本発明の第１実施形態によるミスト発生装置１を備えた水回り機器である浴槽装置２は、浴室３に設けられる。水回り機器は、浴室、浴室の洗い場床、トイレ、洗面所、キッチン等の水を使うための吐水装置が設けられている機器である。ミスト発生装置１は、水回り機器の浴槽本体、浴室の洗い場床、シャワールーム、手洗いボウル、洗面台ボウル、キッチンシンクに用いられるミスト発生装置である。浴室３は、箱型の空間であり、内部で水を使用するため一定程度密閉された室内空間５を形成している。水には、外気温（常温）より温度の高い水、加熱された水(いわゆる湯)も含む。浴室３内には、ミスト発生装置１を操作する操作部２８が設けられている。操作部２８は、浴槽装置２への水の貯水操作、温度設定等も行うことができる。操作部２８は、供給されるミストの温度を設定できる操作機能、供給されるミストの粒径を設定できる操作機能等を有していてもよい。操作部２８は、浴室３外に設けられてもよく、又は、リモコン等の遠隔操作部でもよい。浴槽装置２には、水の供給を行う供給装置７が設けられている。浴槽装置２は、さらに、ミスト発生装置１の後述するミスト供給部から供給されるミストを受け入れる滞留空間４を形成する浴槽本体６を備えている。
【0024】
浴槽本体６は、浴槽装置２の浴槽本体６が配置される室内空間５に向けて上方が開放された滞留空間４を形成する。浴槽本体６は、浴槽（湯船）であり、内側の滞留空間４内に水が貯水できるようになっている。浴槽本体６は、上面視で長方形に形成され、長方形の長辺側に長辺側部分６ｄが形成され、短辺側に短辺側部分６ｅが形成されている。短辺側部分６ｅは、長辺側部分６ｄに比べて浴槽の幅が短くなっている。
滞留空間４は、浴槽本体６の内側において概ね直方体形状に形成される空間である。図２に示すように使用者Ａが入浴する際には、滞留空間４の下部側に３４℃乃至４５℃の水Ｂが貯水され、使用者Ａが座った状態で入浴することができる。なお、後述するように、図２においては、滞留空間４内の水Ｂの上方にはミストが滞留した状態（ミストの滞留層Ｃが形成されている状態）となっている。滞留空間４は、浴槽本体６の上端部６ａまで形成され、天面側が開口されている。浴槽本体６は、滞留空間４の天面を覆うような蓋を省略した状態で、後述するようにミストが滞留空間４内に滞留されるようになっている。なお、滞留空間４内に水Ｂが貯水されずにミストが滞留されていてもよい。浴槽本体６の形状は実施形態のような箱状に限定されず、滞留空間を形成できる形状であればよい。例えば、浴槽本体６が上面視で円形や楕円形に形成され、内側にボウル状の滞留空間が形成されていてもよい。浴槽本体６の底面は使用者が寝浴姿勢や座り姿勢に近い姿勢をとれるように斜めに形成されていてもよく、底面に段部が形成されていてもよく又は形成されていなくてもよい。浴槽本体６の壁部の頂辺部が、一定の高さで水平に形成されている必要はなく高さが変化するように形成されていてもよい。例えば、浴槽本体６の壁部の頂辺部が、側面視で、斜め上方又は下方に延びる形状、一部が下方に凹む弓状に延びる形状や、略直角を形成するような形状とされてもよい。
滞留空間４は、浴槽本体６の内側において概ね直方体形状に形成される空間である。図２に示すように使用者Ａが入浴する際には、滞留空間４の下部側に３４℃乃至４５℃の水Ｂが貯水され、使用者Ａが座った状態で入浴することができる。なお、後述するように、図２においては、滞留空間４内の水Ｂの上方にはミストが滞留した状態（ミストの滞留層Ｃが形成されている状態）となっている。滞留空間４は、浴槽本体６の上端部６ａまで形成され、天面側が開口されている。浴槽本体６は、滞留空間４の天面を覆うような蓋を省略した状態で、後述するようにミストが滞留空間４内に滞留されるようになっている。なお、滞留空間４内に水Ｂが貯水されずにミストが滞留されていてもよい。浴槽本体６の形状は実施形態のような箱状に限定されず、滞留空間を形成できる形状であればよい。例えば、浴槽本体６が上面視で円形や楕円形に形成され、内側にボウル状の滞留空間が形成されていてもよい。浴槽本体６の底面は使用者が寝浴姿勢や座り姿勢に近い姿勢をとれるように斜めに形成されていてもよく、底面に段部が形成されていてもよく又は形成されていなくてもよい。浴槽本体６の壁部の頂辺部が、一定の高さで水平に形成されている必要はなく高さが変化するように形成されていてもよい。例えば、浴槽本体６の壁部の頂辺部が、側面視で、斜め上方又は下方に延びる形状、一部が下方に凹む弓状に延びる形状や、略直角を形成するような形状とされてもよい。
【0025】
ミスト発生装置１は、水回り機器である浴槽装置２に用いられる。ミスト発生装置１は、ミストを生成するミスト生成部８と、ミストを浴槽本体６内に供給するミスト供給部１０とを備えている。
【0026】
ミスト生成部８は、加熱され水温を制御された水からミストを生成する、又は、水から生成されたミストを加熱することで温度制御されたミストを生成する。ミスト生成部８は、浴槽本体６の短辺側の短辺側部分６ｅに配置されている。短辺側部分６ｅの上部には、ミスト生成部８を配置する台状の部分が形成されている。
【0027】
ミスト生成部８は、内部に水を貯溜するタンク１２と、水を給水源からタンク１２に給水する給水路１４と、水をタンク１２から排水管に排水する排水路１６と、タンク１２の内側の底部に設けられた超音波振動子１８と、タンク１２の内側の底部に設けられたヒーター２０と、タンク１２の内側に設けられた水温検知手段である水温計測器２２と、タンク１２の外側に設けられた気温検知手段である室内温度計測器２４と、超音波振動子１８及びヒーター２０を制御する制御部２６と、を備えている。
【0028】
タンク１２は、直方体形状に形成されている。タンク１２の下部の側壁に給水路１４と排水路１６とが接続されている。タンク１２の中央近傍の側壁にミスト供給部１０が接続されている。給水路１４には、給水路１４を開閉する給水路開閉弁３０が設けられている。排水路１６には、排水路１６を開閉する排水路開閉弁３２が設けられている。
【0029】
超音波振動子１８は、タンク１２内の水に超音波を発振して、液面の水を振動させ、液面から水を微粒子状にさせ、所定の粒径のミスト（霧）を生じさせることができる。超音波振動子１８は、制御部２６と電気的に接続され、超音波振動子１８の超音波の発振出力、周波数等を調整することにより、発生させるミストの粒径を変更できるようになっている。超音波振動子１８は、所定の粒径のミストを生じさせる他の装置、例えばスチームによるミスト発生装置、圧力噴霧によるミスト発生装置、アーク放電によるミスト発生装置等に変更されてもよい。また、本実施形態においては超音波振動子１８は、タンク１２内に１つ設けられているが、タンク１２内に複数設けられていてもよい。
【0030】
制御部２６は、ヒーター２０により、タンク１２内の水を加熱する機能を有すると共にタンク１２内の水の温度を制御する機能を有する。例えば、ヒーター２０は、給水温（例えば２０℃程度の室温）の水温の水を室温以上の６０℃以上まで加熱することができる。また例えば、制御部２６は、ヒーター２０により、一旦６０℃以上に加熱された水を以後、後述する所定の温度差が０℃以上とされるように上昇又は低下させるように温度制御することができる。よって、ミスト生成部８は、６０℃以上に加熱された水を温度制御すると共に温度制御された水からミストを生成する。なお、ミスト生成部８は、給湯器において６０℃以上に加熱された上でミスト生成部８に供給された水からミストを生成してもよい。ミスト生成部８は、タンク１２内の水を室温以上の温度に加熱し、室温以上の温度で上昇気流を生じさせるようなミストを、ミストの粒径等の状態に応じて、ミストの温度を調整しながら滞留しやすいように設定によりコントロールする機能を有する。なお、水を６０℃以上に加熱するので、少なくとも一部の菌（例えばレジオネラ菌）の繁殖を抑制する対策も可能となる。なお、ヒーター２０が水（又はミスト）を一旦６０℃以上に加熱する工程を省略し、この工程の代わりに他の菌抑制手段、例えば、ＵＶ光による除菌手段、除菌剤を添加する菌抑制手段等が設けられてもよい。このとき、ヒーター２０は水（又はミスト）を６０℃未満の温度まで加熱できる。
なお、ヒーター２０は、タンク１２内の水の水位よりも高い位置に設けられ、水から生成されたミストを加熱してもよい。このとき、ヒーター２０は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱することができる。また例えば、制御部２６は、ヒーター２０により、６０℃以上に加熱されたミストを以後後述する所定の温度差が０℃以上とされるようにタンク１２内のミストの温度を上昇又は低下させるように温度制御することができる。このとき、ミスト生成部８は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱すると共に加熱されたミストを温度制御する。
なお、ヒーター２０は、ヒーター２０がタンク１２内の水の水位よりも低い位置に設けられた状態で、水から生成されたミストを加熱してもよい。このとき、タンク１２からタンク１２内の水の水位よりも低い位置に設けられたヒーター２０までミストを通すダクトが設けられ、このダクトを通ってヒーター２０に供給されるミストをヒーター２０が加熱させる。このダクトの下流側はミスト供給部１０又はタンク１２に接続され、ヒーター２０が加熱したミストが再びミスト供給部１０又はタンク１２に戻される。
なお、ヒーター２０は、タンク１２内の水の水位よりも高い位置に設けられ、水から生成されたミストを加熱してもよい。このとき、ヒーター２０は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱することができる。また例えば、制御部２６は、ヒーター２０により、６０℃以上に加熱されたミストを以後後述する所定の温度差が０℃以上とされるようにタンク１２内のミストの温度を上昇又は低下させるように温度制御することができる。このとき、ミスト生成部８は、水から生成されたミストを６０℃以上に加熱すると共に加熱されたミストを温度制御する。
なお、ヒーター２０は、ヒーター２０がタンク１２内の水の水位よりも低い位置に設けられた状態で、水から生成されたミストを加熱してもよい。このとき、タンク１２からタンク１２内の水の水位よりも低い位置に設けられたヒーター２０までミストを通すダクトが設けられ、このダクトを通ってヒーター２０に供給されるミストをヒーター２０が加熱させる。このダクトの下流側はミスト供給部１０又はタンク１２に接続され、ヒーター２０が加熱したミストが再びミスト供給部１０又はタンク１２に戻される。
【0031】
水温計測器２２は、タンク１２内の水の水温を検知する。制御部２６は、水温計測器２２と電気的に接続され、制御部２６がタンク１２内の水の水温を認識できる。
室内温度計測器２４は、浴槽本体６が配置される室内空間５のタンク１２の外側の空気の温度を検知する。制御部２６は、室内温度計測器２４と電気的に接続され、制御部２６が室内空間５の空気の温度を認識できる。なお、ミストの供給開始前（ミスト生成部８が駆動される前）の状態においては、室内空間５の空気の温度と、滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい又は比較的近い温度であると仮定されるので、制御部２６は、室内温度計測器２４が測定した室内空間５の空気の温度を、滞留空間４内の空気の温度と推定できる。
室内温度計測器２４は、浴槽本体６が配置される室内空間５のタンク１２の外側の空気の温度を検知する。制御部２６は、室内温度計測器２４と電気的に接続され、制御部２６が室内空間５の空気の温度を認識できる。なお、ミストの供給開始前（ミスト生成部８が駆動される前）の状態においては、室内空間５の空気の温度と、滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい又は比較的近い温度であると仮定されるので、制御部２６は、室内温度計測器２４が測定した室内空間５の空気の温度を、滞留空間４内の空気の温度と推定できる。
【0032】
制御部２６は、ＣＰＵ及びメモリ等を内蔵し、メモリ等に記録された所定の制御プログラムに基づいてミストの発生を実行するように接続された機器を制御する。制御部２６は、超音波振動子１８、ヒーター２０、水温計測器２２、室内温度計測器２４、操作部２８等と電気的に接続されている。制御部２６は、さらに、給水路１４に設けられた給水路開閉弁３０と、排水路に設けられた排水路開閉弁３２とも電気的に接続され、これらを制御できる。
【0033】
ミスト供給部１０は、ミスト生成部８により生成されたミストを、浴槽本体６が配置される室内に向けて上方が開放された滞留空間４を形成する滞留部である浴槽本体６内に供給する。ミスト供給部１０は、図２に示す流路の断面により示されるように、ミスト生成部８から滞留空間４の一端の上部まで直線的に延びる流路を形成している。ミスト供給部１０の開口部は、正面から（滞留空間４側から）見て、浴槽本体６の短辺側部分６ｅに沿って横長の長方形に形成されている。開口部は、短辺側部分６ｅのほぼ全体にわたる幅を有するように形成されている。ミスト供給部１０は浴槽本体６内の水の溢れ部６ｃより上方に配置される。本実施形態においては、この溢れ部６ｃは、浴槽本体６の溢れ面６ｂである。変形例として溢れ部６ｃは、浴槽本体６内に設けられたオーバーフロー口でもよい。また、ミスト供給部１０は、浴槽本体６の短辺側の短辺側部分６ｅに配置されている。短辺側部分６ｅの上部には、ミスト供給部１０を配置する台状の部分が形成されている。ミスト供給部１０は、体積あたりの供給量を、例えば０．０３ｍＬ／ｍｉｎ・Ｌ～１．５ｍＬ／ｍｉｎ・Ｌの範囲にしている。ミスト供給部１０は、例えば、浴槽本体６の体積３３０Ｌの滞留空間４に１１ｍＬ／ｍｉｎの単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。また、例えば、ミスト供給部１０は、温度差や粒径の測定の仮想滞留空間や、他の水回り機器等の体積４．３２Ｌの滞留空間４に６ｍＬ／ｍｉｎの単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。超音波振動子１８の個数、出力、超音波を照射する向き、ミスト生成部８内の水位、又は、ミスト生成部８内やミスト供給部１０内の流路形状等によりミストの供給量が制御できる。
【0034】
ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、加温された状態のミストを生成すると共に、ミストの温度を制御し、このミストを滞留空間４内に滞留させやすくする。この内容について説明する。
ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストが浴槽本体６の滞留空間４内に滞留されるように構成される。また、ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差によって生じる上昇気流がミストを上昇させようとする力がミスト供給部１０から供給されたミストの粒径に応じたミストの重さを超えないような、温度差を生じるように構成される。想定される室内空間５の空気の温度範囲に応じてミスト生成部８に供給される水の温度、ヒーター２０による加熱温度、又は超音波振動子１８の周波数を予め設定することで、室内温度計測器２４を用いず（室内温度計測器２４の計測結果に依ることなく）、このようなミスト供給が達成されてもよい。また、供給時の設定の調整によりこのようなミスト供給が達成されてもよい。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差が、好ましくは１００℃以下、より好ましくは６０℃以下、さらに好ましくは４５℃以下とされるように構成される。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、加温された状態のミストを生成すると共に、ミストの粒径を制御し、このミストを滞留空間４内に滞留させやすくする。
ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１０から供給されたミストが浴槽本体６の滞留空間４内に滞留されるように構成される。また、ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差によって生じる上昇気流がミストを上昇させようとする力がミスト供給部１０から供給されたミストの粒径に応じたミストの重さを超えないような、温度差を生じるように構成される。想定される室内空間５の空気の温度範囲に応じてミスト生成部８に供給される水の温度、ヒーター２０による加熱温度、又は超音波振動子１８の周波数を予め設定することで、室内温度計測器２４を用いず（室内温度計測器２４の計測結果に依ることなく）、このようなミスト供給が達成されてもよい。また、供給時の設定の調整によりこのようなミスト供給が達成されてもよい。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差が、好ましくは１００℃以下、より好ましくは６０℃以下、さらに好ましくは４５℃以下とされるように構成される。ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、加温された状態のミストを生成すると共に、ミストの粒径を制御し、このミストを滞留空間４内に滞留させやすくする。
【0035】
次に、図２、図３乃至図８により、上述した本発明の第１実施形態によるミスト発生装置の動作を説明する。
図３乃至図８においては、ミスト発生装置１は、浴槽装置２の浴槽本体６とほぼ一体に見えるように浴槽本体６の上部に組み込まれている。図３乃至図８に示すミスト発生装置１の基本構造は、図２に示すミスト発生装置１の基本構造とほぼ同じであるので、図３乃至図８においても図２と同様の符号を付して説明する。
図３乃至図８においては、ミスト発生装置１は、浴槽装置２の浴槽本体６とほぼ一体に見えるように浴槽本体６の上部に組み込まれている。図３乃至図８に示すミスト発生装置１の基本構造は、図２に示すミスト発生装置１の基本構造とほぼ同じであるので、図３乃至図８においても図２と同様の符号を付して説明する。
【0036】
図２に示すように、ミスト発生装置１の動作の開始前の待機状態において、浴槽本体６の滞留空間４の下半分には約３８℃の水が貯溜された状態となっている。浴室３内の室内空間５の空気の温度と滞留空間４内の空気の温度とはほぼ等しい温度となっている。給水路開閉弁３０及び排水路開閉弁３２は閉弁されている。タンク１２内には水が無い状態となっている。超音波振動子１８及びヒーター２０は停止された状態である。
【0037】
使用者が操作部２８を操作しミスト発生装置１のミストの供給制御を開始させる。ミストの供給開始前に、室内温度計測器２４は、室内空間５の空気の温度を測定し、制御部２６は、室内空間５の空気の温度を認識する。制御部２６は、給水路開閉弁３０を開弁し、水を給水路１４からタンク１２内に供給する。排水路開閉弁３２は閉弁されたままである。タンク１２内に予め決められた水量の水が貯溜されると、給水路開閉弁３０は開弁される。次に、制御部２６は、ヒーター２０を作動させ、水を給水された水の水温から６０℃以上まで加熱する。制御部２６は、水が６０℃以上まで加熱された後、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の浴槽装置２が使用される浴室３内の温度との温度差が、０℃以上とされるように、タンク１２内の水の温度をヒーター２０の起動及び停止により調整する。次いで、制御部２６は、超音波振動子１８を作動させ、タンク１２内にミストを生じさせる。
【0038】
図３においては、ミスト供給部１０から滞留空間４内へのミストの供給が開始された直後の状態が示される。
タンク１２内に生じたミストは、ミスト供給部１０から浴槽本体６内の滞留空間４に供給される。ミストは、ミスト供給部１０から自然に溢れ出し、矢印Ｆ１に示すように、ミストの自重により自由落下しながら滞留空間４内に供給される。このように、ミストが下方への移動速度以外の他の方向への移動速度を持つことが抑制されている。従って、ミストが滞留空間４内において、撹拌、拡散、上昇等の移動をしにくくされている。
タンク１２内に生じたミストは、ミスト供給部１０から浴槽本体６内の滞留空間４に供給される。ミストは、ミスト供給部１０から自然に溢れ出し、矢印Ｆ１に示すように、ミストの自重により自由落下しながら滞留空間４内に供給される。このように、ミストが下方への移動速度以外の他の方向への移動速度を持つことが抑制されている。従って、ミストが滞留空間４内において、撹拌、拡散、上昇等の移動をしにくくされている。
【0039】
図４においては、ミストの供給開始から約１０秒経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。供給されたミストは、水Ｂの水面の上方且つ滞留空間４内の低い部分に滞留を開始している。ミストは、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の浴槽装置２が使用される室内空間５の温度との温度差が、０℃以上とされているので、自身の自重に打ち勝つほどの上昇気流をミストの温度により生じさせにくくなっている。よって、ミストは、滞留空間４内の比較的低い部分に滞留する。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。供給されたミストは、水Ｂの水面の上方且つ滞留空間４内の低い部分に滞留を開始している。ミストは、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の浴槽装置２が使用される室内空間５の温度との温度差が、０℃以上とされているので、自身の自重に打ち勝つほどの上昇気流をミストの温度により生じさせにくくなっている。よって、ミストは、滞留空間４内の比較的低い部分に滞留する。
【0040】
図５においては、ミストの供給開始から約３０秒経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、徐々に増加し、ミストが滞留空間４内の徐々に高い部分まで滞留されるようになってきている。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、徐々に増加し、ミストが滞留空間４内の徐々に高い部分まで滞留されるようになってきている。
【0041】
図６においては、ミストの供給開始から約１分経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、徐々に増加し、ミストが滞留空間４内のさらに高い部分まで滞留されるようになってきている。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、徐々に増加し、ミストが滞留空間４内のさらに高い部分まで滞留されるようになってきている。
【0042】
図７においては、ミストの供給開始から約１分３０秒経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、さらに増加し、ミストが滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、さらに増加し、ミストが滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。
【0043】
図８においては、ミストの供給開始から約２分経過後の状態が示される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。ミストは、主に滞留空間４内において水Ｂの水面より上方且つ滞留空間４内の頂部より下方の領域に滞留している。ミストのうち一部は、水Ｂに落下して吸収され、又は浴槽本体６の壁面に水滴となって付着され、又は浴槽本体６の上端部６ａの縁を超えて流出する。このようにミストのうち一部は消失又は拡散されるものの、主なミストは、滞留空間４内に滞留する。すなわち、ミストは滞留空間４内において緩やかに流動しつつも滞留空間４から拡散するには至らず安定的な滞留層Ｃを形成する。滞留層Ｃは、水Ｂの水面より上方において、一定以上の密度のミストが単位空間内に存在することにより形成される。滞留層は、白い雲状に認識される。滞留層は下部側においてミストの密度が比較的高く、上部側においてミストの密度が比較的低くなるように形成されている。滞留層の存在により、滞留空間４の頂部までミストが満たされているように視認される。
ミスト供給部１０から滞留空間４へのミストの供給は継続されている。滞留空間４内に供給されたミストが、滞留空間４内の頂部（浴槽本体６の上端部６ａ）に近い部分まで滞留されている。ミストは、主に滞留空間４内において水Ｂの水面より上方且つ滞留空間４内の頂部より下方の領域に滞留している。ミストのうち一部は、水Ｂに落下して吸収され、又は浴槽本体６の壁面に水滴となって付着され、又は浴槽本体６の上端部６ａの縁を超えて流出する。このようにミストのうち一部は消失又は拡散されるものの、主なミストは、滞留空間４内に滞留する。すなわち、ミストは滞留空間４内において緩やかに流動しつつも滞留空間４から拡散するには至らず安定的な滞留層Ｃを形成する。滞留層Ｃは、水Ｂの水面より上方において、一定以上の密度のミストが単位空間内に存在することにより形成される。滞留層は、白い雲状に認識される。滞留層は下部側においてミストの密度が比較的高く、上部側においてミストの密度が比較的低くなるように形成されている。滞留層の存在により、滞留空間４の頂部までミストが満たされているように視認される。
【0044】
滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ（高さ位置Ｍ０）に、上記浴槽本体６の深さＬ１に相当する高さを加えた高さ位置Ｍ１よりも下方に形成される。滞留境界面６６はミストが空気中に一定以上の濃度となっている滞留層Ｃと、ミストが空気中に一定未満の濃度となっている空気層Ｊとの間の境界領域を示している。滞留境界面６６は、ミストが滞留しながらある程度動いているため、上下方向にやや高さを持った領域で規定されると共に、水平方向に広がる領域として規定される。なお、浴槽本体６の溢れ面６ｂは、浴槽本体６の側壁のうち最も高さが低い部分、すなわち水が浴槽本体６の上限まで溜まると最初に溢れ出す部分である。
【0045】
また、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ位置Ｍ０よりも上方に形成されている。さらに、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ（高さ位置Ｍ０）に、１００ｍｍ～２００ｍｍの間の数値を加えた高さ位置（高さ位置Ｍ２～高さ位置Ｍ３）よりも下方に形成されている。滞留境界面６６が浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さよりも高い位置となる場合には、使用者は浴槽を越える位置までのミスト入浴効果、すなわち湯船より高い高さまでの温浴効果を得ることができる。ミスト生成部８を駆動（使用）している間は、ミストが浴槽本体６内に供給されミストの滞留が継続されている。
ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、滞留境界面６６の高さ位置が、上述のような所定の高さ位置になるような、ミストの温度と室内の温度との温度差、ミストの粒径、ミストの供給量等を規定するように構成されている。
ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、滞留境界面６６の高さ位置が、上述のような所定の高さ位置になるような、ミストの温度と室内の温度との温度差、ミストの粒径、ミストの供給量等を規定するように構成されている。
【0046】
次に、図９乃至図１１を参照して、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度、及びミストの供給開始前の浴槽装置２が使用される室内の温度のそれぞれの計測方法について説明する。
ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度は、想定される水回り機器の形状に対応する箱状装置３５により測定できる。箱状装置３５は、想定される水回り機器の滞留空間の形状を模擬した仮想滞留空間３４と、仮想滞留空間３４の中央に配置され且つ温度を測定するＫ熱電対３６とを備えている。
仮想滞留空間３４は実際の滞留空間４の形状を模擬しつつもサイズを小さくして形成されている。仮想滞留空間の大きさ及び形状は、想定される水回り機器により決定され、浴槽装置２の場合の浴槽、浴室の洗い場床、シャワールーム、洗面台の場合の洗面シンク、キッチンの場合のキッチンシンク等の大きさ及び形状に対応するように決定される。仮想滞留空間３４は、例えば、上面視で、短辺が１２０ｍｍ、長辺が３００ｍｍの長方形を形成し、正面視で、高さが１２０ｍｍ、長辺が３００ｍｍの直方体を形成する。箱状装置３５の仮想滞留空間３４は、天井面が省略されて開口されている。このような仮想滞留空間３４の中心位置に、Ｋ熱電対３６の感温部が配置され、仮想滞留空間３４内の空気の温度を測定している。Ｋ熱電対３６は、上面視で、短辺に沿う方向において側壁から内側に６０ｍｍの位置、且つ長辺に沿う方向において側壁から内側に１５０ｍｍの位置、且つ高さ方向において底部から上方に６０ｍｍの位置に位置する。例えば、Ｋ熱電対の感温部サイズは、φ４．５ｍｍ×５０ｍｍとされている。Ｋ熱電対３６は、温度ロガー（図示せず）に電気的に接続される。例えば、Ｋ熱電対３６（アズワン社製型番L-TN-4-K）の測定データを温度ロガー（キーエンス社製NR-500シリーズNR-TH08）で測定、記録し、温度ロガーの情報をパソコンに記録する。なお、ミストを生じさせるもととなる水は水道水であり、ミストを生じさせるもととなる水の水質は水道水の水質に基づく。さらに、各計測方法（測定方法）が実施される室内においては、室内に空気の流れを生じさせるような空調等の風は供給されない状態である。
ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度は、想定される水回り機器の形状に対応する箱状装置３５により測定できる。箱状装置３５は、想定される水回り機器の滞留空間の形状を模擬した仮想滞留空間３４と、仮想滞留空間３４の中央に配置され且つ温度を測定するＫ熱電対３６とを備えている。
仮想滞留空間３４は実際の滞留空間４の形状を模擬しつつもサイズを小さくして形成されている。仮想滞留空間の大きさ及び形状は、想定される水回り機器により決定され、浴槽装置２の場合の浴槽、浴室の洗い場床、シャワールーム、洗面台の場合の洗面シンク、キッチンの場合のキッチンシンク等の大きさ及び形状に対応するように決定される。仮想滞留空間３４は、例えば、上面視で、短辺が１２０ｍｍ、長辺が３００ｍｍの長方形を形成し、正面視で、高さが１２０ｍｍ、長辺が３００ｍｍの直方体を形成する。箱状装置３５の仮想滞留空間３４は、天井面が省略されて開口されている。このような仮想滞留空間３４の中心位置に、Ｋ熱電対３６の感温部が配置され、仮想滞留空間３４内の空気の温度を測定している。Ｋ熱電対３６は、上面視で、短辺に沿う方向において側壁から内側に６０ｍｍの位置、且つ長辺に沿う方向において側壁から内側に１５０ｍｍの位置、且つ高さ方向において底部から上方に６０ｍｍの位置に位置する。例えば、Ｋ熱電対の感温部サイズは、φ４．５ｍｍ×５０ｍｍとされている。Ｋ熱電対３６は、温度ロガー（図示せず）に電気的に接続される。例えば、Ｋ熱電対３６（アズワン社製型番L-TN-4-K）の測定データを温度ロガー（キーエンス社製NR-500シリーズNR-TH08）で測定、記録し、温度ロガーの情報をパソコンに記録する。なお、ミストを生じさせるもととなる水は水道水であり、ミストを生じさせるもととなる水の水質は水道水の水質に基づく。さらに、各計測方法（測定方法）が実施される室内においては、室内に空気の流れを生じさせるような空調等の風は供給されない状態である。
【0047】
図１２に示すように、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度は、本実施形態のミスト供給部１０から箱状装置３５内の仮想滞留空間３４に対し、ミスト供給を開始した後、十分に時間が経過（例えば２５００[ｓ]経過）し、温度上昇がほぼ止まった際の最高温度であるミスト雰囲気温度Ｔ１（例えば４３℃）により規定されている。
図１２においては、縦軸は仮想滞留空間３４内のＫ熱電対３６が計測した温度（ミスト雰囲気温度）[℃]であり、横軸は計測開始からの経過時間[ｓ]である。図１２において、ミスト雰囲気温度の計測例が示されている。この計測例においては、開始時の室内の温度Ｔ０＝－５℃、ミスト生成部８において生成された当初のミスト温度が６０℃である。ミスト供給部１０から滞留空間に供給されたミストの温度はやや低下された温度となっており、この温度をミスト雰囲気温度により測定する。ミスト供給が開始された後、時間経過とともに、仮想滞留空間３４内の温度が上昇し、温度上昇がほぼ一定の値Ｔ１に収束される。ミスト供給部１０からのミストの供給が継続している場合、仮想滞留空間３４内のミストの温度が収束する値は、ミスト供給部１０から仮想滞留空間３４に供給されたミストの温度となる。よって、実際にミスト供給部１０から滞留空間４に供給されるミストの温度は仮想滞留空間３４において得られたミストの温度（ミスト雰囲気温度）となると想定される。
図１２においては、縦軸は仮想滞留空間３４内のＫ熱電対３６が計測した温度（ミスト雰囲気温度）[℃]であり、横軸は計測開始からの経過時間[ｓ]である。図１２において、ミスト雰囲気温度の計測例が示されている。この計測例においては、開始時の室内の温度Ｔ０＝－５℃、ミスト生成部８において生成された当初のミスト温度が６０℃である。ミスト供給部１０から滞留空間に供給されたミストの温度はやや低下された温度となっており、この温度をミスト雰囲気温度により測定する。ミスト供給が開始された後、時間経過とともに、仮想滞留空間３４内の温度が上昇し、温度上昇がほぼ一定の値Ｔ１に収束される。ミスト供給部１０からのミストの供給が継続している場合、仮想滞留空間３４内のミストの温度が収束する値は、ミスト供給部１０から仮想滞留空間３４に供給されたミストの温度となる。よって、実際にミスト供給部１０から滞留空間４に供給されるミストの温度は仮想滞留空間３４において得られたミストの温度（ミスト雰囲気温度）となると想定される。
【0048】
次に、ミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度の計測方法について説明する。ミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度は、水回り機器が使用される室内のうち仮想滞留空間３４の外側に配置された室温用Ｋ熱電対５０により測定される。仮想滞留空間３４の外側の室温用Ｋ熱電対５０は、箱状装置３５と同じ室内空間内に配置され、室内温度計測器２４を模擬している。よって、室温用Ｋ熱電対５０により測定された温度が室内温度計測器２４が測定した室内の温度に対応する。仮想滞留空間等を用いたシミュレーション等においてはこの室温用Ｋ熱電対５０により測定された温度を室内の温度として使用する。室温用Ｋ熱電対５０は、仮想滞留空間３４の頂部の高さに配置され、上面視で、短辺に沿う方向において側壁から外側に６０ｍｍ離れた位置、且つ長辺に沿う方向において仮想滞留空間３４の一端の側壁から内側方向に１５０ｍｍの位置に位置する。室温用Ｋ熱電対５０は、仮想滞留空間３４の外側に延びる支持部３８により仮想滞留空間３４の外部で固定されている。水回り機器が使用される室内の温度は、ミスト供給が仮想滞留空間３４に開始される前に、室温用Ｋ熱電対５０により測定される。室温用Ｋ熱電対は、仮想滞留空間内のＫ熱電対３６と同じＫ熱電対を使用している。室温用Ｋ熱電対５０は、このような場所に限られず、ミスト生成部８の外側且つ近傍の位置に配置できる。また、室温用Ｋ熱電対５０は、ミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度を測定できればよいので、仮想滞留空間３４内に配置されたＫ熱電対３６によりミストの供給開始前の仮想滞留空間３４内の空気の温度を計測してもよい。
【0049】
次に、図１３を参照して、ミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差の範囲（図１３中の点が付された領域により示す）について説明する。
上述のようにしてミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度とが規定できる。よって、これらのミストの温度と室内の温度との温度差が規定できる。この温度差が０℃以上とされることにより、加熱後に調整されるミストの温度がミストの供給開始前の室温と同じ温度かより高い温度に設定される。
図１３においては、縦軸においてミストの温度[℃]を示し、横軸において室内の温度[℃]を示している。さらに、ミストの温度と室内の温度との温度差が０℃となる線Ｃ１が示される。よって、温度差が０℃以上とされる範囲が線Ｃ１より上方に示される。また、図１３には、ミストの温度と室内の温度との温度差が１００℃となる線Ｃ２が示される。ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差が、０℃以上且つ１００℃以下とされるように構成される。温度差が１００℃までとなる比較的高温のミストの温度を設定できることにより、水回り機器の浴槽本体６の洗浄にミストを使用する時に、ミストの洗浄性や汚れを落としやすくする能力を向上させることができる。例えば、水が沸騰する温度に近い高温のミストを利用して比較的高い洗浄性能を奏することができる。なお、ミストは沸騰温度（例えば１００℃）になると、水蒸気の態様に変化してミストの霧の粒が消失するので、ミスト供給部１０から供給されたミスト温度は１００℃以下とされる（線Ｃ５以下の領域により示す）。
上述のようにしてミスト供給部１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度とが規定できる。よって、これらのミストの温度と室内の温度との温度差が規定できる。この温度差が０℃以上とされることにより、加熱後に調整されるミストの温度がミストの供給開始前の室温と同じ温度かより高い温度に設定される。
図１３においては、縦軸においてミストの温度[℃]を示し、横軸において室内の温度[℃]を示している。さらに、ミストの温度と室内の温度との温度差が０℃となる線Ｃ１が示される。よって、温度差が０℃以上とされる範囲が線Ｃ１より上方に示される。また、図１３には、ミストの温度と室内の温度との温度差が１００℃となる線Ｃ２が示される。ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、温度差が、０℃以上且つ１００℃以下とされるように構成される。温度差が１００℃までとなる比較的高温のミストの温度を設定できることにより、水回り機器の浴槽本体６の洗浄にミストを使用する時に、ミストの洗浄性や汚れを落としやすくする能力を向上させることができる。例えば、水が沸騰する温度に近い高温のミストを利用して比較的高い洗浄性能を奏することができる。なお、ミストは沸騰温度（例えば１００℃）になると、水蒸気の態様に変化してミストの霧の粒が消失するので、ミスト供給部１０から供給されたミスト温度は１００℃以下とされる（線Ｃ５以下の領域により示す）。
【0050】
また、ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、上記温度差が、０℃以上且つ６０℃以下とされるように構成される。ミストの温度と室内の温度との温度差が６０℃となる線Ｃ３が示される。温度差が６０℃までとなるような比較的高温のミストの使用を抑制することにより、水回り機器の浴槽本体６の洗浄にミストを使用する時に、火傷する可能性をより低減しつつもミストの洗浄性を向上させることができる。
【0051】
また、ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、上記温度差が、０℃以上且つ４５℃以下とされるように構成される。ミストの温度と室内の温度との温度差が４５℃となる線Ｃ４が示される。温度差が４５℃までに比較的低温のミストを使用することにより、水回り機器の使用者がミストにより火傷する可能性をほぼなくすことができる。
【0052】
また、図１３において、ミストの温度が、３５度以上（線Ｄ１により示す）且つ４５度以下（線Ｄ２により示す）に設定されれば、使用者の体温程度又は体温より温かい温度に設定しつつ、使用者がミストにより火傷する可能性をほぼなくすことができる。
【0053】
次に、図１４を参照して、ミスト供給部１０から供給されるミストの粒径の計測装置及び計測方法について説明する。
ミストの粒径の計測装置３７は、前述と同じ大きさ及び形状の仮想滞留空間３４を設定する箱状装置３９と、粒子径分布測定装置５３とを備えている。この箱状装置３９の側壁、すなわち仮想滞留空間３４の側方の壁の中央近傍に、２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形の開口５２を形成し、この開口５２に蓋５５が取り付けられている。
ミストの粒径の計測装置３７は、前述と同じ大きさ及び形状の仮想滞留空間３４を設定する箱状装置３９と、粒子径分布測定装置５３とを備えている。この箱状装置３９の側壁、すなわち仮想滞留空間３４の側方の壁の中央近傍に、２０ｍｍ×２０ｍｍの正方形の開口５２を形成し、この開口５２に蓋５５が取り付けられている。
【0054】
図１５に示すように、粒子径分布測定装置５３は、開口５２の近傍且つ正面に粒径計測レーザーの計測領域Ｅが位置するように配置された粒径計測レーザー５４を備えている。上面視で、粒径計測レーザー５４のレーザー光が仮想滞留空間３４の長辺と平行になるように粒径計測レーザー５４が配置されている。粒径計測レーザー５４から発信されるレーザー光が通過する計測領域Ｅが開口５２の正面に位置している。計測領域Ｅは、開口５２から１５０ｍｍの距離に位置する。粒子径分布測定装置５３は、さらに、このレーザー光の回折・散乱光を検出するように計測レンズ５６を備えている。
【0055】
この開口に蓋５５を取付けた状態で、仮想滞留空間３４内にミストの供給を開始する。ミスト供給部１０からのミストの供給口は図示を省略している。ミストの供給開始から１分後に蓋５５を開放し、ミストを粒径計測レーザー５４の計測領域Ｅに向けて漏出させる。粒径計測レーザー５４の透過率６０％～９０％の状態で計測レンズ５６により散乱光分布を計測する。例えば、粒径計測レーザー５４及び計測レンズ５６は、マイクロトラック・ベル株式会社製のスプレー粒子径分布測定装置のエアロトラック LDSA-SPRシリーズのLDSA-SPR1500Aを使用する。粒子径分布データを１０回測定し、この粒子径分布データをＰＣに記録する。ＰＣにおいて１０回の粒子径分布データを平均化する。図１６には、粒子径分布測定装置５３により測定された粒子径分布データの一例を示す。図１６においては、左側縦軸において頻度[％]を示し、右側縦軸において累積[％]を示し、横軸において粒径[μｍ]を示している。例えば、ＰＣは、このように得られた粒子径分布データを分析し、この粒子径分布データの２０％タイル値粒径Ｇ、ザウター平均粒径Ｈを粒径データとして取得する。ザウター平均粒径は、全粒子の全表面積に対する全粒子の全体積と同じ表面積対体積率を有する粒径を示す。ザウター平均粒径により平均粒径をもとめることにより少ない数の大粒径を有する粒子による測定値への影響を抑制できる。
【0056】
ミスト供給部１０から供給されるミストの大部分の粒径は、３．１μｍ以上且つ４０μｍ以下となるように、ミスト生成部８等が構成される。この範囲の上限及び下限において、少ない数の大粒径の粒子や小粒径の粒子の測定に与える影響等を受けにくくするため、ミストのザウター平均粒径が、４０μｍ以下であると共に、ミストのザウター平均粒径が、３．１μｍ以上とされる、このような条件を満たすようにミストの粒径を規定している。
ミスト供給部１０から供給されるミストの大部分の粒径は、３．６μｍ以上且つ２０μｍ以下となるように、ミスト生成部８等が構成される。この範囲の上限及び下限において、少ない数の大粒径の粒子や小粒径の粒子の測定に与える影響等を受けにくくするため、ミストのザウター平均粒径とザウター平均粒径との平均値が、３．６μｍ以上であると共に、ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、２０μｍ以下とされる、このような条件を満たすようにミストの粒径を規定している。
ミスト供給部１０から供給されるミストの大部分の粒径は、４．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となるように、ミスト生成部８等が構成される。この範囲の上限及び下限において、少ない数の大粒径の粒子や小粒径の粒子の影響等を受けにくくするため、ミストのザウター平均粒径が、４．１μｍ以上であり且つ１０μｍ以下とされる、このような条件を満たすようにミストの粒径を規定している。
ミスト供給部１０から供給されるミストの大部分の粒径は、３．６μｍ以上且つ２０μｍ以下となるように、ミスト生成部８等が構成される。この範囲の上限及び下限において、少ない数の大粒径の粒子や小粒径の粒子の測定に与える影響等を受けにくくするため、ミストのザウター平均粒径とザウター平均粒径との平均値が、３．６μｍ以上であると共に、ミスト供給部から供給されるミストのザウター平均粒径が、２０μｍ以下とされる、このような条件を満たすようにミストの粒径を規定している。
ミスト供給部１０から供給されるミストの大部分の粒径は、４．１μｍ以上且つ１０μｍ以下となるように、ミスト生成部８等が構成される。この範囲の上限及び下限において、少ない数の大粒径の粒子や小粒径の粒子の影響等を受けにくくするため、ミストのザウター平均粒径が、４．１μｍ以上であり且つ１０μｍ以下とされる、このような条件を満たすようにミストの粒径を規定している。
【0057】
次に、図１７を参照して、温度差と粒径との関係を説明する。
図１７においては、縦軸において粒径[μｍ]を示し、横軸において温度差ΔＴ[℃]を示している。これらの粒径と温度差ΔＴとの好ましい範囲を図１７において点状の領域により示している。ミスト生成部８及びミスト供給部１０により、ミストの温度と室内の温度との温度差が０℃以上且つ１００℃以下となる範囲において所定の温度差が設定できる。上述同様に、温度差は０℃以上且つ６０℃以下、０℃以上且つ４５℃以下等に変更可能である。
図１７においては、縦軸において粒径[μｍ]を示し、横軸において温度差ΔＴ[℃]を示している。これらの粒径と温度差ΔＴとの好ましい範囲を図１７において点状の領域により示している。ミスト生成部８及びミスト供給部１０により、ミストの温度と室内の温度との温度差が０℃以上且つ１００℃以下となる範囲において所定の温度差が設定できる。上述同様に、温度差は０℃以上且つ６０℃以下、０℃以上且つ４５℃以下等に変更可能である。
【0058】
ミストのザウター平均粒径が、４０μｍ以下となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されている。よってミストの大部分の粒径が４０μｍ以下となっている。
なお、仮にミストの粒径が４０μｍである場合には、終端速度ｖは４５．３ｍｍ／ｓと求められる。水滴の終端速度ｖの算定方法については、次のように表すことができる。空気の分子粘性係数をμ、水滴の半径（ミストの粒径の半分）をｒとすると、ρ＝103kg/m-3、ｇ＝9.8m/s2、μ＝1.8X10-5N・sec/m2(15℃)より、
となり、終端速度v(∞)は水滴の半径の２乗に比例する。なお、この式が適用できる範囲は、Ｒｅ＜１、すなわちｒ＜０．１ｍｍの範囲である。
ミストの粒径が４０μｍであることによりミストの終端速度が４５．３ｍｍ／ｓとなる場合、供給されたミストはおよそ１０秒で滞留空間の底部に到達（例えばミスト供給部１０から滞留空間４の底部まで４５ｃｍとする）し、ミストが消失すると仮定される。すなわちミストの供給から消失まで少なくとも１０秒前後ミストが滞留することになる。このように１０秒前後ミストが滞留すれば、この間にさらに新しくミストが供給でき、ミストの滞留層Ｃが維持しやすくなる。図１７において、ザウター平均粒径が４０μｍよりも大きくなる場合には、ミストの消失までの平均時間がより短くなるため、ミストの消失によりミストの滞留層が形成されにくくなる。
なお、仮にミストの粒径が４０μｍである場合には、終端速度ｖは４５．３ｍｍ／ｓと求められる。水滴の終端速度ｖの算定方法については、次のように表すことができる。空気の分子粘性係数をμ、水滴の半径（ミストの粒径の半分）をｒとすると、ρ＝103kg/m-3、ｇ＝9.8m/s2、μ＝1.8X10-5N・sec/m2(15℃)より、
ミストの粒径が４０μｍであることによりミストの終端速度が４５．３ｍｍ／ｓとなる場合、供給されたミストはおよそ１０秒で滞留空間の底部に到達（例えばミスト供給部１０から滞留空間４の底部まで４５ｃｍとする）し、ミストが消失すると仮定される。すなわちミストの供給から消失まで少なくとも１０秒前後ミストが滞留することになる。このように１０秒前後ミストが滞留すれば、この間にさらに新しくミストが供給でき、ミストの滞留層Ｃが維持しやすくなる。図１７において、ザウター平均粒径が４０μｍよりも大きくなる場合には、ミストの消失までの平均時間がより短くなるため、ミストの消失によりミストの滞留層が形成されにくくなる。
【0059】
ミストのザウター平均粒径が、２０μｍ以下となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されてもよい。このときミストの大部分の粒径が２０μｍ以下となっている。仮にミストの粒径が２０μｍである場合には、終端速度ｖは１１．３ｍｍ／ｓと求められ、供給されたミストが滞留空間の底部に到達するまでに少なくともおよそ４０秒を要することになり、滞留空間４の底へ比較的早期に落下するミストの割合をより減少できる。
【0060】
ミストのザウター平均粒径が、１０μｍ以下となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されてもよい。このときミストの大部分の粒径が１０μｍ以下となっている。仮にミストの粒径が１０μｍである場合には、終端速度ｖは２．８ｍｍ／ｓと求められ、供給されたミストが滞留空間４の底部に到達するまでに少なくともおよそ１６０秒を要することになり、滞留空間４内に滞留されるミストの継続時間をより長くでき、滞留空間４の底へ比較的早期に落下するミストの割合をさらに減少できる。
【0061】
ミストのザウター平均粒径が、３．１μｍ以上となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されてもよい。このときミストの大部分の粒径が３．１μｍ以上となっている。ミスト供給部１０から供給されたミストの内、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４外へ拡散するミストの割合を減少できるとともにミストが滞留空間４内に滞留される割合を増加させ、ミストが滞留空間４内に効率的に滞留される。
【0062】
ミストのザウター平均粒径が、３．６μｍ以上となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されてもよい。このときミストの大部分の粒径が３．６μｍ以上となっている。ミスト供給部１０から供給されたミストの内、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４外へ拡散するミストの割合をより減少できるとともにミストが滞留空間４内に滞留される割合をより増加させ、ミストが滞留空間４内により効率的に滞留される。
【0063】
ミストのザウター平均粒径が、４．１μｍ以上となるように、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が構成されてもよい。このときミストの大部分の粒径が４．１μｍ以上となっている。ミスト供給部１０から供給されたミストの内、滞留空間４内に滞留されずに滞留空間４外へ拡散するミストの割合をさらに減少できるとともにミストが滞留空間４内に滞留される割合をさらに増加させ、ミストが滞留空間４内にさらに効率的に滞留される。
【0064】
次に、図１８及び図１９を参照して、温度差と、粒径と、仮想滞留空間５８内のミストの状態との関係を、さらに説明する。図１８は、仮想滞留空間内の状態を観察する箱状観察装置を示している。図１９においては、温度差と、ザウター平均粒径との９通りの組み合わせについて、仮想滞留空間５８内のミストの状態を、比較して示している。
【0065】
図１９に示すように、仮想滞留空間５８内のミストの状態は、想定される水回り機器の形状に対応する箱状観察装置５５により測定できる。箱状観察装置５５は、想定される水回り機器の滞留空間の形状を模擬した仮想滞留空間５８と、仮想滞留空間５８内のミストの様子を観察、記録するカメラ６２とを備えている。図１８に示すように、箱状観察装置５５の仮想滞留空間５８は、斜視図で、短辺が１２０ｍｍ、長辺が３００ｍｍ、高さが２４０ｍｍの直方体を形成する。仮想滞留空間５８は、天井面が省略されて上方に開口されている。箱状観察装置５５の仮想滞留空間５８の１つの側壁は透明板６０により形成され、箱状観察装置５５の斜め上方に配置されたカメラ６２により仮想滞留空間５８の内部を観察、記録できるようになっている。箱状観察装置５５の仮想滞留空間５８の短辺側の側壁の高さ１２０ｍｍの位置に横幅７０ｍｍ、高さ４０ｍｍの供給口６４が形成されている。この供給口６４がミスト供給部１０に接続されている。
【0066】
図１９においては、ミスト供給部１０から所定の粒径及び温度差を生じるミストを供給し、滞留状態をカメラ６２により撮影した写真を９つのパターンで比較して示している。各パターンの写真図において、参考として滞留境界面が生じると想定される位置を、点線により示している。
図１９においては、縦軸にミスト供給部１０から供給されるミストのザウター平均粒径を示し、横軸に、ミストの温度と室内の温度との温度差ΔＴを示している。
図１９のパターン例Ａにおいては、ミストのザウター平均粒径が５０μｍ～６０μｍ、且つ温度差５℃（ミストの温度２０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において比較的早く底部に向けて落下し、消失するため、ミストが仮想滞留空間５８内に滞留していない状態となっている。この写真の撮影のタイミングはミストの供給開始後２分を経過した時刻である。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
図１９においては、縦軸にミスト供給部１０から供給されるミストのザウター平均粒径を示し、横軸に、ミストの温度と室内の温度との温度差ΔＴを示している。
図１９のパターン例Ａにおいては、ミストのザウター平均粒径が５０μｍ～６０μｍ、且つ温度差５℃（ミストの温度２０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において比較的早く底部に向けて落下し、消失するため、ミストが仮想滞留空間５８内に滞留していない状態となっている。この写真の撮影のタイミングはミストの供給開始後２分を経過した時刻である。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
【0067】
図１９のパターン例Ｂにおいては、ミストのザウター平均粒径が５０μｍ～６０μｍ、且つ温度差２５℃（ミストの温度４０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において比較的早く底部に向けて落下し、消失するため、ミストが仮想滞留空間５８内に滞留していない状態となっている。
図１９のパターン例Ｃにおいても、ミストのザウター平均粒径が５０μｍ～６０μｍ、且つ温度差４５℃（ミストの温度６０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において比較的早く底部に向けて落下し、消失するため、ミストが仮想滞留空間５８内に滞留していない状態となっている。
図１９のパターン例Ｃにおいても、ミストのザウター平均粒径が５０μｍ～６０μｍ、且つ温度差４５℃（ミストの温度６０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において比較的早く底部に向けて落下し、消失するため、ミストが仮想滞留空間５８内に滞留していない状態となっている。
【0068】
図１９のパターン例Ｄにおいては、ミストのザウター平均粒径が４μｍ～８μｍ、且つ温度差５℃（ミストの温度２０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において濃度はやや薄いながらも滞留層Ｃを形成している状態となっている。ミストの粒径が比較的小さいため、終端速度も比較的小さく、落下速度は遅くなっている。一方で、温度差により生じる上昇気流も小さい。これにより、ミストが滞留しながら、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層が形成されている。
【0069】
図１９のパターン例Ｅにおいては、ミストのザウター平均粒径が４μｍ～８μｍ、且つ温度差２５℃（ミストの温度４０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において濃度の高い滞留層Ｃを形成している状態となっている。ミストの粒径が比較的小さいため、終端速度も比較的小さく、落下速度は遅くなっている。温度差により生じる上昇気流も若干生じている。ここで、温度差によって生じる上昇気流がミストを上昇させようとする力がミストの重さを超えないようにしつつも、ミストの落下を抑制してミストの滞留が比較的長く生じている。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃが形成されている。
【0070】
図１９のパターン例Ｆにおいては、ミストのザウター平均粒径が４μｍ～８μｍ、且つ温度差４５℃（ミストの温度６０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において濃度の高い滞留層Ｃを形成している状態となっている。ミストの粒径が比較的小さいため、終端速度も比較的小さく、落下速度は遅くなっている。さらに、温度差により生じる上昇気流が温度差２５℃の場合と比べてやや強まっている。しかしながら、依然として、温度差によって生じる上昇気流がミストを上昇させようとする力がミストの重さを超えないようになっており、ミストの落下を抑制してミストの滞留が比較的長く生じている。上昇気流がやや強くなっているため、局所的にミストが滞留層Ｃから浮き上がるような状態となっている部分があるが、全体としてはミストの滞留層Ｃが引き続き維持されている。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層が形成されている。局所的にミストが上昇している部分があったとしても仮想滞留空間５８の半分以上の領域において滞留境界面６６が維持されている場合には、滞留境界面６６が形成されているとする。
【0071】
図１９のパターン例Ｇにおいては、ミストのザウター平均粒径が１．２μｍ、且つ温度差５℃（ミストの温度２０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において浮き上がるように拡散している状態となっている。温度差により生じる上昇気流は比較的小さい。しかしながら、ミストの粒径がさらに小さいため、終端速度がさらに小さく、落下速度はさらに遅くなっている。よって、ミストの重さが軽く、わずかな上昇気流により拡散している。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
図１９のパターン例Ｈにおいては、ミストのザウター平均粒径が１．２μｍ、且つ温度差２５℃（ミストの温度４０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において浮き上がるように拡散している状態となっている。ミストの粒径がさらに小さいため、終端速度もさらに小さく、落下速度はさらに遅くなっている。その上、温度差により生じる上昇気流がさらに強くなっている。よって、ミストの重さが軽く、より強い上昇気流により拡散している。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
図１９のパターン例Ｉにおいては、ミストのザウター平均粒径が１．２μｍ、且つ温度差４５℃（ミストの温度６０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において浮き上がるように拡散している状態となっている。ミストの粒径がさらに小さいため、終端速度もさらに小さく、落下速度はさらに遅くなっている。その上、温度差により生じる上昇気流がさらに強くなっている。よって、ミストの重さが軽く、さらに強い上昇気流により拡散している。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
図１９のパターン例Ｈにおいては、ミストのザウター平均粒径が１．２μｍ、且つ温度差２５℃（ミストの温度４０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において浮き上がるように拡散している状態となっている。ミストの粒径がさらに小さいため、終端速度もさらに小さく、落下速度はさらに遅くなっている。その上、温度差により生じる上昇気流がさらに強くなっている。よって、ミストの重さが軽く、より強い上昇気流により拡散している。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
図１９のパターン例Ｉにおいては、ミストのザウター平均粒径が１．２μｍ、且つ温度差４５℃（ミストの温度６０℃且つミストの供給開始前の室内の温度１５℃）のとき、ミスト供給部１０から供給されたミストが仮想滞留空間５８内において浮き上がるように拡散している状態となっている。ミストの粒径がさらに小さいため、終端速度もさらに小さく、落下速度はさらに遅くなっている。その上、温度差により生じる上昇気流がさらに強くなっている。よって、ミストの重さが軽く、さらに強い上昇気流により拡散している。よって、仮想滞留空間５８内において上面に滞留境界面を形成するようなミストの滞留層Ｃは形成されていない。
【0072】
次に、図２０を参照して、浴槽本体６内の滞留空間４（又は仮想滞留空間等）において、ミストが滞留状態となっているか（上面に滞留境界面６６を形成するようなミストの滞留層Ｃを形成しているか）否かの判定装置及びその判定方法について説明する。
図２０に示すように、透過率の測定装置６８を用いて浴槽本体６内の滞留空間４内部において測定された内部透過率と、滞留空間４外部において測定された外部透過率と、を比較し、外部透過率よりも内部透過率が低い場合に、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定できる。より具体的には、内部透過率／外部透過率＜１となることにより滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。
図２０に示すように、透過率の測定装置６８を用いて浴槽本体６内の滞留空間４内部において測定された内部透過率と、滞留空間４外部において測定された外部透過率と、を比較し、外部透過率よりも内部透過率が低い場合に、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定できる。より具体的には、内部透過率／外部透過率＜１となることにより滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。
【0073】
例えば、図１９のパターン例Ｅに示すように、滞留空間４内部にミストが滞留している状態では、内部透過率が低下する。一方で、ミストは主に滞留空間４内部に留まっており、滞留境界面６６より上方において測定される外部透過率は、比較的高い値となっている。よって、内部透過率／外部透過率＜１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定される。
図１９のパターン例Ａに示すように、滞留空間４内部にミストが滞留せず、ミストが主に落下して消失している状態では、内部透過率及び外部透過率は、いずれも比較的高い値のままである。よって、内部透過率／外部透過率＝１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定されない。
図１９のパターン例Ｉに示すように、滞留空間４内部から外部にミストが拡散していく状態では、内部透過率及び外部透過率は、いずれも透過率がやや低い同様の値となると考えられる。よって、内部透過率／外部透過率＝１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定されない。
図１９のパターン例Ａに示すように、滞留空間４内部にミストが滞留せず、ミストが主に落下して消失している状態では、内部透過率及び外部透過率は、いずれも比較的高い値のままである。よって、内部透過率／外部透過率＝１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定されない。
図１９のパターン例Ｉに示すように、滞留空間４内部から外部にミストが拡散していく状態では、内部透過率及び外部透過率は、いずれも透過率がやや低い同様の値となると考えられる。よって、内部透過率／外部透過率＝１となり、滞留空間４内部にミストが滞留していると判定されない。
【0074】
次に、図２０を参照して、透過率の測定装置６８について説明する。
透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に配置された第１レーザー装置７０と、レーザーを受ける第１透過率計測装置７２とを備えている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、滞留空間４の上端より下方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の深さに対して３割程度の深さ位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第１レーザー装置７０から発振されるレーザー光の強度に対し、第１透過率計測装置７２で測定したレーザー光の強度を測定し、透過率を測定する。
透過率の測定装置６８は、さらに、滞留空間４外部に配置された第２レーザー装置７４と、レーザーを受ける第２透過率計測装置７６とを備えている。第２レーザー装置７４と、第２透過率計測装置７６とは、滞留空間４の上端より上方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の上端に対して。第１レーザー装置７０及び第１透過率計測装置７２と対称の位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第２レーザー装置７４から発振されるレーザー光の強度に対し、第２透過率計測装置７６で測定したレーザー光の強度を測定し、透過率を測定する。なお、透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とを配置しているが、滞留空間４に代えて上述のような仮想滞留空間内にこれらの装置を配置して仮想的に透過率の予想測定を行ってもよい。このときには、仮想滞留空間の外部に第２レーザー装置７４と第２透過率計測装置７６とが配置される。
より具体的な装置構成としては、キーエンス社製デジタルファイバアンプFS-N11MNから発せられたレーザー光を同社製FU-77TZ（第１レーザー装置７０又は第２レーザー装置７４）を通して発振し、同社製FU-77TZ（第１透過率計測装置７２又は第２透過率計測装置７６）にて受光する。受光した光はファイバアンプFS-N11MNへと返され、光量に応じて例えば1-5Vの電圧出力を行う。出力された電圧は、同社製NR-500シリーズNR-HA08にて計測し、PC上で0~100%の値にスケーリングする。透過率のデータは例えばサンプリング周期100msにて計測される。例えば、ミストをほぼ定量で供給開始してから15分以内において、最初に定常状態と判断できる30秒間の透過率のデータを平均して算出する。
透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に配置された第１レーザー装置７０と、レーザーを受ける第１透過率計測装置７２とを備えている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、滞留空間４の上端より下方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の深さに対して３割程度の深さ位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第１レーザー装置７０から発振されるレーザー光の強度に対し、第１透過率計測装置７２で測定したレーザー光の強度を測定し、透過率を測定する。
透過率の測定装置６８は、さらに、滞留空間４外部に配置された第２レーザー装置７４と、レーザーを受ける第２透過率計測装置７６とを備えている。第２レーザー装置７４と、第２透過率計測装置７６とは、滞留空間４の上端より上方側に１５０ｍｍの位置（例えば滞留空間４の上端に対して。第１レーザー装置７０及び第１透過率計測装置７２と対称の位置）において水平方向に１５０ｍｍ離れて配置されている。第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とは、上面視で滞留空間４の中央近傍に配置される。第２レーザー装置７４から発振されるレーザー光の強度に対し、第２透過率計測装置７６で測定したレーザー光の強度を測定し、透過率を測定する。なお、透過率の測定装置６８は、滞留空間４内部に第１レーザー装置７０と、第１透過率計測装置７２とを配置しているが、滞留空間４に代えて上述のような仮想滞留空間内にこれらの装置を配置して仮想的に透過率の予想測定を行ってもよい。このときには、仮想滞留空間の外部に第２レーザー装置７４と第２透過率計測装置７６とが配置される。
より具体的な装置構成としては、キーエンス社製デジタルファイバアンプFS-N11MNから発せられたレーザー光を同社製FU-77TZ（第１レーザー装置７０又は第２レーザー装置７４）を通して発振し、同社製FU-77TZ（第１透過率計測装置７２又は第２透過率計測装置７６）にて受光する。受光した光はファイバアンプFS-N11MNへと返され、光量に応じて例えば1-5Vの電圧出力を行う。出力された電圧は、同社製NR-500シリーズNR-HA08にて計測し、PC上で0~100%の値にスケーリングする。透過率のデータは例えばサンプリング周期100msにて計測される。例えば、ミストをほぼ定量で供給開始してから15分以内において、最初に定常状態と判断できる30秒間の透過率のデータを平均して算出する。
【0075】
次に、図２１及び図２２を参照して、ミスト入浴と通常の湯船浴との使用者への熱の伝わり方の違いについて説明する。
図２１においては、浴槽装置２の浴槽本体６内に使用者が座って入浴している状態において、４０℃の水を通常の入浴水位（入浴した際に使用者の脇の上かつ肩の下になる水位で、例えば、入浴した際に４５０ｍｍとなる） まではって湯船浴の入浴をした場合の水から使用者に伝わる熱流束と、４０℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、４３℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、４５℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、の時間経過を示している。縦軸は、熱流束[Ｗ／ｍ2]を示し、横軸は入浴開始からの時間[ｓ]を示している。熱流束[Ｗ／ｍ2]は、平均的な体形の使用者の背中の中央部に計測部を配置し、使用者に伝わる熱流束を計測する。ミスト雰囲気状態は、浴槽本体６内に十分にミストが満たされている状態を示している。
時間０[Ｓ]から４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合には、熱流束が初期に急激に上昇する。よって、入浴開始時に使用者に与える熱の刺激が大きいことが分かる。一方で、ミスト入浴をした場合には、熱流束の初期の上昇は比較的抑えられ、緩やかに上昇する。よって、入浴開始時に使用者に与える熱の刺激が湯船浴に比べて小さいことが分かる。
また、４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合と、４０℃のミストで使用者がミスト入浴をした場合とでは、４０℃のミストの方が熱流束が低く、使用者の温度の体感が低くなる。４０℃のミストのミスト入浴によれば、低い刺激でゆるやかに使用者の体を温めることができる。
図２１においては、浴槽装置２の浴槽本体６内に使用者が座って入浴している状態において、４０℃の水を通常の入浴水位（入浴した際に使用者の脇の上かつ肩の下になる水位で、例えば、入浴した際に４５０ｍｍとなる） まではって湯船浴の入浴をした場合の水から使用者に伝わる熱流束と、４０℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、４３℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、４５℃のミストを同じ浴槽本体６内に満たした状態（ミスト雰囲気状態）でミスト入浴をした場合の使用者に伝わる熱流束と、の時間経過を示している。縦軸は、熱流束[Ｗ／ｍ2]を示し、横軸は入浴開始からの時間[ｓ]を示している。熱流束[Ｗ／ｍ2]は、平均的な体形の使用者の背中の中央部に計測部を配置し、使用者に伝わる熱流束を計測する。ミスト雰囲気状態は、浴槽本体６内に十分にミストが満たされている状態を示している。
時間０[Ｓ]から４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合には、熱流束が初期に急激に上昇する。よって、入浴開始時に使用者に与える熱の刺激が大きいことが分かる。一方で、ミスト入浴をした場合には、熱流束の初期の上昇は比較的抑えられ、緩やかに上昇する。よって、入浴開始時に使用者に与える熱の刺激が湯船浴に比べて小さいことが分かる。
また、４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合と、４０℃のミストで使用者がミスト入浴をした場合とでは、４０℃のミストの方が熱流束が低く、使用者の温度の体感が低くなる。４０℃のミストのミスト入浴によれば、低い刺激でゆるやかに使用者の体を温めることができる。
【0076】
また、図２１に示すように、４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合と、４３℃のミストで使用者がミスト入浴をした場合とでは、使用者に作用する熱流束が同程度となる。図２２においては、１０分間湯船入浴又はミスト入浴をした後に使用者の皮膚温を測定した結果が示されている。４０℃の水で使用者が湯船浴をした場合と、４３℃のミストで使用者がミスト入浴をした場合とでは、使用者にほぼ同等の温まりを生じていることが分かる。このようにミスト入浴によれば、入浴開始時の加温された水による刺激を抑制し、体に優しい入浴を可能にする。例えば、使用者が４３℃の水の中に入浴する場合は非常に熱く感じるため短時間しか入浴できないが、使用者が４３℃のミストの中に入ってミスト入浴する場合には、やや低い温度に感じるため同じ温度の水と比べて長時間浸かることが可能になる。また、水と比べてミストは、やや低い温度の体感を使用者に与えるので、ゆるやかに使用者の体をやや遅い速度で温めることができ、温めによる使用者への体の負担も少ない。また、ミスト入浴によれば、使用者への水圧の負担が少なく、水によるような体への水圧の圧迫がないため、長時間のミスト入浴を可能にする。さらに、ミスト入浴によれば、水の表面がミストで覆われるような露天風呂のような視覚効果を使用者に与えることができ、贅沢さや癒し効果を使用者に与えることもできる。
【0077】
次に、本実施形態の構成による効果を説明する。
このように構成された本発明の第１実施形態においては、ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から供給されたミストが浴槽本体６の滞留空間４内に滞留されるように構成される。よって、加熱された状態のミストが浴槽本体６の上方が開放された滞留空間４内に滞留できる。これにより、ミストが浴槽本体６の蓋が取付けられていない上方が開放された滞留空間４内に滞留できるため使用者の蓋を取付ける必要を省いて利便性が向上されると共に、使用者が浴槽本体６内で蓋なしでミストにより温まることができるため使用者の快適性も向上される。また、使用者が浴槽本体６内でミストにより温まることができるため、使用者が水に浸かる場合と比べて圧迫感を生じずに体の負担を低減した状態でミスト浴ができ、さらに、水に浸かる場合と比べて緩やかに使用者に熱の刺激が伝わるため使用者の体の負担を低減しつつミスト浴ができる。
このように構成された本発明の第１実施形態においては、ミスト生成部８及びミスト供給部１０は、ミスト供給部１０から供給されたミストが浴槽本体６の滞留空間４内に滞留されるように構成される。よって、加熱された状態のミストが浴槽本体６の上方が開放された滞留空間４内に滞留できる。これにより、ミストが浴槽本体６の蓋が取付けられていない上方が開放された滞留空間４内に滞留できるため使用者の蓋を取付ける必要を省いて利便性が向上されると共に、使用者が浴槽本体６内で蓋なしでミストにより温まることができるため使用者の快適性も向上される。また、使用者が浴槽本体６内でミストにより温まることができるため、使用者が水に浸かる場合と比べて圧迫感を生じずに体の負担を低減した状態でミスト浴ができ、さらに、水に浸かる場合と比べて緩やかに使用者に熱の刺激が伝わるため使用者の体の負担を低減しつつミスト浴ができる。
【0078】
このように構成された本発明の第１実施形態においては、ミスト生成部８は、水温を検知する水温検知手段を備えるので、水温を検知してより確実に水温を制御することができる。よって、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が、加熱された状態のミストを浴槽本体６の滞留空間４内により確実に滞留させることができる。
【0079】
このように構成された本発明の第１実施形態においては、水又はミストを６０℃以上に加熱することにより、仮に菌が水中に含まれていた場合でも、少なくとも一部の菌(例えばレジオネラ菌)の影響を抑制できる。
【0080】
このように構成された本発明の第１実施形態においては、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さに、浴槽本体６の深さに相当する高さを加えた高さ位置よりも下方に形成されるので、滞留境界面６６が高すぎる位置に形成されることを抑制し、使用者の快適性を高めることができる。
【0081】
このように構成された本発明の第１実施形態においては、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さ位置よりも上方に形成されるので、浴槽本体６内に座っている使用者の体の上部までミスト入浴がしやすくなると共に、通常の水をはる水位よりも上部まで使用者の体を温めることができ、使用者の快適性をより高めることができる。
【0082】
このように構成された本発明の第１実施形態においては、滞留されたミストの上部側の滞留境界面６６は、浴槽本体６の溢れ面６ｂの高さに、１００ｍｍ～２００ｍｍの間の数値を加えた高さ位置よりも下方に形成されるので、滞留境界面６６が浴槽本体６内に座っている使用者の顔の位置より下方に形成されやすくなり、使用者の快適性をさらに高めることができる。
【0083】
このように構成された本発明の第１実施形態においては、ミスト供給部１０は浴槽本体６内の水の溢れ部より上方に配置されるので、浴槽本体６内の水が汚水の流れとしてミスト供給部１０から上流側に侵入することを抑制できる。
【0084】
このように構成された本発明の第１実施形態においては、ミスト供給部１０は浴槽本体６内の水の溢れ面６ｂより上方に配置されるので、浴槽本体６内の水が汚水としてミスト供給部１０から上流側に侵入することを抑制できる。
【0085】
このように構成された本発明の第１実施形態においては、ミスト発生装置１は、さらに、浴槽本体６が配置される浴室内の気温を検知する室内温度計測器２４を備えるので、浴槽本体６が配置される浴室内の気温に応じて、ミスト生成部８は、加熱された状態のミストを生成することができ、ミスト生成部８及びミスト供給部１０が、加熱された状態のミストを浴槽本体６の滞留空間４内により確実に滞留させることができる。
【0086】
また、本発明の第１実施形態は、浴槽装置であって、本発明の第１実施形態のミスト発生装置と、ミスト発生装置１のミスト供給部１０から供給されるミストを受け入れる滞留空間４を形成する浴槽本体６とを備えることを特徴としている。
【0087】
このように構成された本発明の第１実施形態においては、ミスト発生装置１のミスト生成部８及びミスト供給部１０は、浴槽本体６の短辺側に配置されるので、ミスト供給部１０から供給されるミストが浴槽本体６内の滞留空間４において短辺側の左右方向において比較的均一に供給され、ミストの滞留が乱れることが抑制される。さらに、ミストが短辺側の左右方向において比較的均一に整ったミストの流れが供給され、このミストが長辺側に沿って進むので、使用者に癒し効果及び高級感を与えるような視覚的な効果を発生させやすくできる。
【0088】
次に、図２３及び図２４を参照して、本発明の第２実施形態によるミスト発生装置１０１について説明する。第２実施形態のミスト発生装置１０１は、ミスト供給部が下方向きのミスト供給口部を備える点が上述した第１実施形態とは異なる。ここでは、本発明の第２実施形態の第１実施形態とは異なる点のみを説明し、同様な部分については図面に同じ参照符号を付して説明を省略する。
図２３は、本発明の第２実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の斜視図であり、図２４は本発明の第２実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置を側面から見た側面図である。
図２４においては、第２実施形態における滞留境界面６６は、第１実施形態における滞留境界面６６と同様に形成されるが、紙面の都合上、滞留境界面６６の形成される位置の説明に関する参照符号Ｍ０、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＬ１等を省略している。第２実施形態においても、滞留境界面６６の形成される位置の説明に関する参照符号Ｍ０、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＬ１等の説明は、第１実施形態における滞留境界面６６に関する説明及び図２等の記載により参照される。
図２３は、本発明の第２実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置の斜視図であり、図２４は本発明の第２実施形態によるミスト発生装置を備えた浴槽装置を側面から見た側面図である。
図２４においては、第２実施形態における滞留境界面６６は、第１実施形態における滞留境界面６６と同様に形成されるが、紙面の都合上、滞留境界面６６の形成される位置の説明に関する参照符号Ｍ０、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＬ１等を省略している。第２実施形態においても、滞留境界面６６の形成される位置の説明に関する参照符号Ｍ０、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３及びＬ１等の説明は、第１実施形態における滞留境界面６６に関する説明及び図２等の記載により参照される。
【0089】
図２３及び図２４に示すように、本発明の第２実施形態によるミスト発生装置１０１を備えた水回り機器である浴槽装置２は、浴室３に設けられる。水回り機器は、浴室、浴室の洗い場床、トイレ、洗面所、キッチン等の水を使うための吐水装置が設けられている機器である。ミスト発生装置１０１は、水回り機器の浴槽本体、浴室の洗い場床、シャワールーム、手洗いボウル、洗面台ボウル、キッチンシンクに用いられるミスト発生装置である。
【0090】
ミスト発生装置１０１は、水回り機器である浴槽装置２に用いられる。ミスト発生装置１０１は、ミストを生成するミスト生成部１０８と、ミストを浴槽本体６内に供給するミスト供給部１１０とを備えている。
【0091】
ミスト生成部１０８は、浴室３の壁面Ｗに取付けられ、浴槽本体６の高さよりも上方の高さに取付られている。ミスト生成部１０８は、浴槽本体６の上縁のうち短辺側の短辺側部分６ｅの上方に配置されている。ミスト生成部１０８は、浴槽本体６と離間して設けられている。すなわち、ミスト生成部１０８は、浴槽本体６に直接取付けられておらず、ミスト生成部１０８の底面と、短辺側部分６ｅとの間に隙間の空間部分が形成されている。なお、ミスト生成部１０８は、浴槽本体６と離間して設けられているが、変形例としてミスト生成部１０８は、浴槽本体６と接するように又は浴槽本体６に取付けられるように設けられていてもよい。なお、再び第２実施形態におけるミスト生成部１０８は、第１実施形態におけるミスト生成部８と、配置位置が異なる以外は、第１実施形態におけるミスト生成部８と、基本的に同様の構成要素及び機能を有している。よって、同様な部分については図面に同じ参照符号を付して説明を省略又は簡潔に説明し、主に異なる部分を説明する。
【0092】
ミスト生成部１０８は、水を給水源からタンク１２に給水する給水路１４と、水をタンク１２から排水管に排水する排水路１６と、タンク１２の内側の底部に設けられた超音波振動子１８と、タンク１２の内側の底部に設けられたヒーター２０と、タンク１２の内側に設けられた水温検知手段である水温計測器２２と、タンク１２の外側に設けられた気温検知手段である室内温度計測器２４と、超音波振動子１８及びヒーター２０を制御する制御部２６と、を備えている。
【0093】
タンク１２は、壁Ｗの表面側（浴室３の内部側）に取付けられている。タンク１２の下部の側壁に給水路１４と排水路１６とが接続されている。タンク１２の中央近傍の側壁にミスト供給部１１０が接続されている。給水路１４は、壁Ｗの表面側から裏面側（浴室３の外部側）まで延びている。排水路１６は、壁Ｗの表面側から裏面側まで延びている。制御部２６は、壁Ｗの裏面側に設けられている。
【0094】
ミスト供給部１１０は、ミスト生成部１０８により生成されたミストを、浴槽本体６が配置される室内に向けて上方が開放された滞留空間４を形成する滞留部である浴槽本体６内に供給する。ミスト供給部１１０は、浴槽本体６の短辺側の短辺側部分６ｅの上方に配置されている。ミスト供給部１１０は、図２４に示す流路の断面により示されるように、ミスト生成部１０８から滞留空間４の一端の上部まで横向きに延びるミスト供給流路１１１と、ミスト供給流路１１１の下流端と接続され下方向きに開口するミスト供給口部１１３を備える。
【0095】
ミスト供給流路１１１は、タンク１２の上下方向の中間部分からほぼ水平に延びる。なお、ミスト供給流路１１１は、タンク１２の上部から延びてもよい。また、ミスト供給流路１１１は、ミスト生成部１０８から滞留空間４側に向けて斜め下方に延びていてもよい。さらに、ミスト供給流路１１１は、下方向きのミスト供給口部１１３と合わせて横向きから弧状に湾曲して下向きとなる流路を形成していてもよい。ミスト供給流路１１１は、正面から（滞留空間４側から）見て、横長の長方形の流路（例えば流路断面）を形成している。ミスト供給流路１１１の底面１１１ａは、浴槽本体６の短辺側部分６ｅの左右方向（図２４の紙面の奥行方向）と平行に且つ平坦に延びると共に、短辺側部分６ｅの前後方向と平行に且つ平坦に延びている。ミスト供給流路１１１の滞留空間４側の正面には縦壁１１１ｂが形成され、ミスト供給部１１０中を通るミストが縦壁１１１ｂにより下方向きに導かれるようになっている。
【0096】
ミスト供給口部１１３は、ミスト供給流路１１１の下流端から下方向に延びている。ミスト供給口部１１３は、下方側に延びるダクト状の流路を形成している。ミスト供給口部１１３は、下方向きに開口する開口部を形成している。ミスト供給口部１１３は、その開口部の正面から見た場合（ミスト供給口部１１３の下方から上方を見た場合）、横長の長方形の流路（例えば流路断面）を形成している。ミスト供給口部１１３の左右方向（図２４の紙面の奥行方向）の幅は、ミスト供給流路１１１の左右方向（図２４の紙面の奥行方向）の幅と同じである。ミスト供給口部１１３の左右方向の幅は、ミスト供給流路１１１の左右方向の幅と異なっていてもよい。ミスト供給口部１１３の左右方向の幅は、短辺側部分６ｅの左右方向の幅よりも短い。なお、ミスト供給口部１１３の左右方向の幅は、短辺側部分６ｅのほぼ全体にわたる幅、例えば短辺側部分６ｅの滞留空間４の左右方向の幅と同じ幅であってもよい。また、ミスト供給口部１１３の左右方向の幅は、短辺側部分６ｅの滞留空間４の左右方向の幅の全体に対し半分程度の大きさの幅であってもよい。
【0097】
ミスト供給口部１１３の下端１１３ａは、浴槽本体６の短辺側部分６ｅの左右方向（図２４の紙面の奥行方向）と平行に延びている。下端１１３ａは、短辺側部分６ｅより浴槽本体６の内側の滞留空間４上に位置している。ミスト供給口部１１３は、滞留空間４の上方に位置する。ミスト供給口部１１３は、鉛直方向下方に向けて延びている。なお、ミスト供給口部１１３は、斜め下方に向けて延びていてもよい。ミスト供給口部１１３の開口方向に沿った仮想線Ｎは、浴槽本体６の短辺側部分６ｅより内側の空間内、例えば滞留空間４内に向けて延びる。
【0098】
ミスト供給口部１１３の下端１１３ａは、浴槽本体６内の水の溢れ部６ｃより上方に配置される。よって、浴槽本体６内の水が汚水の流れとしてミスト供給口部１１３から上流側に侵入することを抑制できる。なお、ミスト供給口部１１３の下端１１３ａは、滞留境界面６６の上端より下方に位置していてもよい。本実施形態においては、この溢れ部６ｃは、浴槽本体６の溢れ面６ｂであり、ミスト供給口部１１３の下端１１３ａは、浴槽本体６の短辺側部分６ｅより上方に配置されている。変形例として、溢れ部６ｃは、浴槽本体６内に設けられたオーバーフロー口でもよい。よって、ミスト供給口部１１３の下端１１３ａは、浴槽本体６内に設けられたオーバーフロー口より上方且つ短辺側部分６ｅより下方に位置していてもよい。
【0099】
ミスト供給口部１１３の長さ、例えばミスト供給流路１１１の下部から下端１１３ａまでの長さは変更可能である。ミスト供給口部１１３の下端１１３ａは、例えば溢れ部６ｃから上方に０ｍｍより高い位置に設けられ、また例えば、溢れ部６ｃから上方に５０ｍｍ以上高い位置に設けられている。また、下端１１３ａは、例えば短辺側部分６ｅから上方に４００ｍｍの高さ位置より低い位置に設けられ、また例えば短辺側部分６ｅから上方に１００ｍｍの高さ位置以下の位置に設けられる。よって、ミスト供給口部１１３の下端１１３ａは、例えば溢れ部６ｃの高さ位置より上方に０ｍｍより高く且つ短辺側部分６ｅから上方に４００ｍｍの高さ位置より低い、範囲内の高さ位置に位置決めされる。より好ましくは、ミスト供給口部１１３の下端１１３ａは、例えば溢れ部６ｃの高さ位置より上方に５０ｍｍ以上且つ短辺側部分６ｅから上方に１００ｍｍの高さ位置以下の、範囲内の高さ位置に位置決めされる。ミスト供給口部１１３の下端１１３ａが上述のように位置決めされることにより、下端１１３ａから滞留空間４までのミストの移動距離を、比較的短い移動距離にでき、滞留空間４内に供給されるミストの温度等のミストの供給制御をしやすくでき、さらに、ミストが滞留空間４内に供給される前に拡散されることを抑制できる。ミスト供給口部１１３の下端１１３ａは、上述のように溢れ部６ｃの高さ位置より上方に０ｍｍより高い高さに位置決めされることにより、例えば溢れ部６ｃが浴槽本体６の上部の辺よりも低い位置に位置する場合にも、浴槽本体６内の水が溢れ部６ｃから溢れ出る前に、浴槽本体６内の水が汚水の流れとして下端１１３ａから上流側に侵入することを抑制できる。さらに、ミスト供給口部１１３の下端１１３ａは、上述のようにより好ましくは溢れ部６ｃの高さ位置より上方に５０ｍｍより高い高さに位置決めされることにより、浴槽本体６内の水が汚水の流れとして下端１１３ａから上流側に侵入することをより抑制することができる。
【0100】
変形例として、ミスト供給口部１１３はミスト供給流路１１１の下部側に形成された開口部として形成され、下方向きに開口していてもよい。このような下部側開口のミスト供給口部１１３はミスト供給流路１１１から下方側にダクト状の流路として突出せずに開口部を形成している。下部側開口のミスト供給口部１１３は、その開口部の正面から見た場合（下部側開口のミスト供給口部１１３の下方から上方を見た場合）に横長の長方形の流路（流路断面）を形成している。下部側開口のミスト供給口部１１３の左右方向の幅は、ミスト供給流路１１１の左右方向の幅と同じである。下部側開口のミスト供給口部１１３の左右方向の幅は、短辺側部分６ｅの左右方向の幅よりも短い。なお、下部側開口のミスト供給口部１１３の左右方向の幅は、短辺側部分６ｅのほぼ全体にわたる幅、例えば短辺側部分６ｅにおける滞留空間４の左右方向の幅と同じ幅とされてもよい。また、下部側開口のミスト供給口部１１３の左右方向の幅は、滞留空間４の左右方向の幅の全体に対し半分程度の大きさの幅であってもよい。下部側開口のミスト供給口部１１３の左右方向の辺は、浴槽本体６の短辺側部分６ｅの左右方向と平行に延びている。下部側開口のミスト供給口部１１３は、短辺側部分６ｅより浴槽本体６の内側の滞留空間４の上方に位置している。下部側開口のミスト供給口部１１３は、鉛直方向下方に向けて開口しているが、斜め下方の滞留空間４に向けて開口していてもよい。下部側開口のミスト供給口部１１３は、浴槽本体６内の水の溢れ部６ｃより上方に配置され、下部側開口のミスト供給口部１１３は、浴槽本体６の短辺側部分６ｅより上方に配置されている。
【0101】
再び本実施形態において、ミスト供給部１１０は、体積あたりの供給量を、例えば０．０３ｍＬ／ｍｉｎ・Ｌ～１．５ｍＬ／ｍｉｎ・Ｌの範囲にしている。ミスト供給部１１０は、例えば、浴槽本体６の体積３３０Ｌの滞留空間４に１１ｍＬ／ｍｉｎの単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。また、例えば、ミスト供給部１１０は、温度差や粒径の測定の仮想滞留空間や、他の水回り機器等の体積４．３２Ｌの滞留空間４に６ｍＬ／ｍｉｎの単位時間あたりの供給量のミストを供給できる。超音波振動子１８の個数、出力、超音波を照射する向き、ミスト生成部１０８内の水位、又は、ミスト生成部１０８内やミスト供給部１１０内の流路形状等によりミストの供給量が制御できる。
【0102】
ミスト生成部１０８及びミスト供給部１１０は、加温された状態のミストを生成すると共に、ミストの温度を制御し、このミストを滞留空間４内に滞留させやすくする。この内容について説明する。ミスト生成部１０８及びミスト供給部１１０は、ミスト供給部１１０から滞留空間４に供給されたミストの温度とミストの供給開始前の水回り機器が使用される室内の温度との温度差が、０℃以上とされ、ミスト供給部１１０から供給されたミストが浴槽本体６の滞留空間４内に滞留されるように構成される。また、ミスト発生装置１０１のミスト生成部１０８及びミスト供給部１１０は、温度差によって生じる上昇気流がミストを上昇させようとする力がミスト供給部１１０から供給されたミストの粒径に応じたミストの重さを超えないような、温度差を生じるように構成される。想定される室内空間５の空気の温度範囲に応じてミスト生成部１０８に供給される水の温度、ヒーター２０による加熱温度、又は超音波振動子１８の周波数を予め設定することで、室内温度計測器２４を用いず（室内温度計測器２４の計測結果に依ることなく）、このようなミスト供給が達成されてもよい。また、供給時の設定の調整によりこのようなミスト供給が達成されてもよい。ミスト生成部１０８及びミスト供給部１１０は、温度差が、好ましくは１００℃以下、より好ましくは６０℃以下、さらに好ましくは４５℃以下とされるように構成される。ミスト生成部１０８及びミスト供給部１１０は、加温された状態のミストを生成すると共に、ミストの粒径を制御し、このミストを滞留空間４内に滞留させやすくする。
【0103】
第２実施形態のミスト発生装置１０１の動作、各種計測方法、作用（効果）等は、第１実施形態のミスト発生装置１の動作、各種計測方法、作用（効果）等と基本的に同様であるので第１実施形態の動作、各種計測方法、作用（効果）等と重複する部分については第１実施形態の説明を参照し、第２実施形態においては説明を省略する。
【0104】
このように構成された本発明の第２実施形態においては、ミスト供給部１１０は、下方向きに開口するミスト供給口部１１３を備えるので、ミスト供給部１１０のミスト供給口部１１３から供給されたミストが浴槽本体６内に到達するまでの移動距離をミスト供給部１１０のミスト供給口部１１３が横向きや上向きに開口する場合と比べて比較的短い移動距離にするように抑制でき、ミストがミスト供給口部１１３から浴槽本体６内に到達するまでにミストの温度が低下される等の変化を受け、浴槽本体６内に到達されるミストの温度を調整しにくくなることを抑制できる。よって、加熱された状態のミストが浴槽本体６の上方が開放された滞留空間４内により滞留しやすくできる。また、例えば、ミスト供給部１１０は、下方向きに開口するミスト供給口部１１３を備えるので、浴槽本体６内の水が汚水の流れとしてミスト供給部１１０から上流側に侵入することを抑制できる。
【符号の説明】
【0105】
１ ミスト発生装置
２ 浴槽装置
４ 滞留空間
６ 浴槽本体
６ｂ 溢れ面
６ｃ 溢れ部
８ ミスト生成部
１０ ミスト供給部
２４ 室内温度計測器
１０１ ミスト発生装置
１１０ ミスト供給部
１１３ ミスト供給口部
Ａ 使用者
Ｂ 水
Ｃ 滞留層
２ 浴槽装置
４ 滞留空間
６ 浴槽本体
６ｂ 溢れ面
６ｃ 溢れ部
８ ミスト生成部
１０ ミスト供給部
２４ 室内温度計測器
１０１ ミスト発生装置
１１０ ミスト供給部
１１３ ミスト供給口部
Ａ 使用者
Ｂ 水
Ｃ 滞留層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】