特許 7521283 電気光学装置及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-16

(45)【発行日】2024-07-24

(54)【発明の名称】電気光学装置及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   G02F 1/1368 20060101AFI20240717BHJP

【ＦＩ】

G02F1/1368

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2020118307

(22)【出願日】2020-07-09

(65)【公開番号】P2022015457

(43)【公開日】2022-01-21

【審査請求日】2023-05-12

(73)【特許権者】

【識別番号】000002369

【氏名又は名称】セイコーエプソン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100179475

【弁理士】

【氏名又は名称】仲井 智至

(74)【代理人】

【識別番号】100216253

【弁理士】

【氏名又は名称】松岡 宏紀

(74)【代理人】

【識別番号】100225901

【弁理士】

【氏名又は名称】今村 真之

(72)【発明者】

【氏名】伊藤 智

【審査官】植田 裕美子

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０３４８２２（ＪＰ，Ａ）

【文献】登録実用新案第３１９７９８９（ＪＰ，Ｕ）

【文献】特開２０１８－１４６８７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－１４８３８７（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／０７４０６０（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００５－０６２７６１（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０２Ｆ １／１３６－１／１３６８

Ｇ０２Ｆ １／１３３３

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｈ０１Ｌ ２７／１２，２９／７８６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

データ線と、
画素電極と、
前記データ線に電気的に接続されたソース領域と、前記画素電極に電気的に接続された
ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に配置されたチャネル領域と
、前記ソース領域と前記チャネル領域との間に配置された第１ＬＤＤ領域と、前記ドレイ
ン領域と前記チャネル領域との間に配置された第２ＬＤＤ領域と、を有し、第１方向に沿
って配置された半導体層を含むトランジスターと、
走査信号が供給され、断面視で前記半導体層を挟んで配置され、平面視で前記半導体層
と重畳する遮光層及びゲート配線と、
前記遮光層と前記ゲート配線とを電気的に接続し、平面視で前記チャネル領域の一部及
び前記第２ＬＤＤ領域に沿って配置された中継電極と、
前記中継電極の側面に沿って配置され、前記遮光層及び前記ゲート配線と接する反射防
止膜と、を備え、
前記中継電極は、平面視において、前記チャネル領域と重なるように前記第１方向と交
差する第２方向に沿って延在する第１部分と、前記第１部分の端部から前記第２ＬＤＤ領
域に沿うように前記第１方向に沿って延在する第２部分と、前記第１部分の端部から前記
チャネル領域に沿うように前記第１方向とは反対方向の第３方向に沿って突出する第３部
分と、を有し、
前記第３部分は、平面視において、前記チャネル領域の前記第１ＬＤＤ領域側の端部に
沿う領域には配置されていないことを特徴とする電気光学装置。

【請求項2】

請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記遮光層は、前記半導体層の下側に配置され、前記ゲート配線は、前記半導体層の上
側に配置され、当該ゲート配線は、前記トランジスターのゲート電極と電気的に接続され
ていることを特徴とする電気光学装置。

【請求項3】

請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記中継電極は、プラグを含むことを特徴とする電気光学装置。

【請求項4】

請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記中継電極は、Ｈ字形状であることを特徴とする電気光学装置。

【請求項5】

請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記反射防止膜は、絶縁性材料であることを特徴とする電気光学装置。

【請求項6】

データ線と、
画素電極と、
前記データ線に電気的に接続されたソース領域と、前記画素電極に電気的に接続された
ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に配置されたチャネル領域と
、前記ソース領域と前記チャネル領域との間に配置された第１ＬＤＤ領域と、前記ドレイ
ン領域と前記チャネル領域との間に配置された第２ＬＤＤ領域と、を有する半導体層を含
むトランジスターと、
走査信号が供給され、断面視で前記半導体層を挟んで配置され、平面視で前記半導体層
と重畳する遮光層及びゲート配線と、
前記遮光層と前記ゲート配線とを電気的に接続し、平面視で前記チャネル領域の一部及
び前記第２ＬＤＤ領域に沿って配置された中継電極と、
前記中継電極の側面に沿って配置され、前記遮光層及び前記ゲート配線と接する反射防
止膜と、を備え、
前記中継電極は、プラグと、前記プラグと前記反射防止膜との間に、導電性のバリア層
と、を含むことを特徴とする電気光学装置。

【請求項7】

請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする
電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

電気光学装置として、画素にスイッチング素子を備えたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。このような液晶装置は、例えば、電子機器としてのプロジェクターのライトバルブとして用いられる。

【0003】

液晶装置は、例えば、基板の上に、走査線と、半導体層と、ゲート電極とが、順に配置されている。走査線と、ゲート電極とは、コンタクトホールを介して電気的に接続されている。液晶装置は、プロジェクターのレーザー光源などからの強い光が、トランジスターの半導体層に入射するとＴＦＴ特性が変化するという問題がある。

【0004】

例えば、特許文献１には、ゲート電極と、半導体層の下に配置された下側遮光膜との間に、半導体層のＬＤＤ領域を囲むように逆Ｕ字形状に溝を形成し、溝の中に導電性遮光膜を埋めることにより、ＬＤＤ領域の遮光性を向上させる技術が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１１－１８６１０８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、特許文献１の技術によれば、導電性遮光膜などの電極によって反射した迷光がＬＤＤ領域に入射し、ＴＦＴ特性が変化するという課題がある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

電気光学装置は、データ線と、画素電極と、前記データ線に電気的に接続されたソース
領域と、前記画素電極に電気的に接続されたドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレ
イン領域との間に配置されたチャネル領域と、前記ソース領域と前記チャネル領域との間
に配置された第１ＬＤＤ領域と、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に配置され
た第２ＬＤＤ領域と、を有し、第１方向に沿って配置された半導体層を含むトランジスタ
ーと、走査信号が供給され、断面視で前記半導体層を挟んで配置され、平面視で前記半導
体層と重畳する遮光層及びゲート配線と、前記遮光層と前記ゲート配線とを電気的に接続
し、平面視で前記チャネル領域の一部及び前記第２ＬＤＤ領域に沿って配置された中継電
極と前記中継電極の側面に沿って配置され、前記遮光層及び前記ゲート配線と接する反射
防止膜と、を備え、前記中継電極は、平面視において、前記チャネル領域と重なるように
前記第１方向と交差する第２方向に沿って延在する第１部分と、前記第１部分の端部から
前記第２ＬＤＤ領域に沿うように前記第１方向に沿って延在する第２部分と、前記第１部
分の端部から前記チャネル領域に沿うように前記第１方向とは反対方向の第３方向に沿っ
て突出する第３部分と、を有し、前記第３部分は、平面視において、前記チャネル領域の
前記第１ＬＤＤ領域側の端部に沿う領域には配置されていない。
前記遮光層は、前記半導体層の下側に配置され、前記ゲート配線は、前記半導体層の上
側に配置され、当該ゲート配線は、前記トランジスターのゲート電極と電気的に接続され
ている。

【0008】

電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備える。

【0009】

電気光学装置の製造方法は、基板の上に遮光層を形成する工程と、前記基板及び前記遮光層の上に、半導体層と、絶縁層と、を順に形成する工程と、前記遮光層に到達すると共に、前記半導体層のＬＤＤ領域を囲むように、前記絶縁層に凹部を形成する工程と、前記凹部の側壁に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜を含む前記凹部の中にプラグを埋め込んで中継電極を形成する工程と、前記半導体層の上に、前記中継電極と電気的に接続されるゲート電極を形成する工程と、を有する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】本実施形態の液晶装置の構成を示す平面図。

【図2】図１に示す液晶装置のＨ－Ｈ’線に沿う断面図。

【図3】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。

【図4】画素の構成を示す平面図。

【図5】液晶装置の構成を示す断面図。

【図6】図４に示す画素のＡ部を拡大して示す平面図。

【図7】図６に示すトランジスターのＢ－Ｂ’線に沿う断面図。

【図8】中継電極の製造方法を示すフローチャート。

【図9】中継電極の製造方法を示す断面図。

【図10】中継電極の製造方法を示す断面図。

【図11】中継電極の製造方法を示す断面図。

【図12】中継電極の製造方法を示す断面図。

【図13】中継電極の製造方法を示す断面図。

【図14】電子機器としてのプロジェクターの構成を示す模式図。

【発明を実施するための形態】

【0011】

図１及び図２に示すように、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス又は石英などである。

【0012】

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に、正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。

【0013】

シール材１４は、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、例えば、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサーが混入されている。

【0014】

シール材１４の内側には、表示に寄与する複数の画素Ｐを配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しない周辺回路などが設けられた周辺領域Ｅ１が配置されている。

【0015】

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と１辺部との間には、データ線駆動回路２２が設けられている。また、１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、検査回路２５が設けられている。さらに、１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路２４が設けられている。１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

【0016】

対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に遮光膜１８が設けられている。遮光膜１８は、例えば、光反射性を有する金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。遮光膜１８としては、例えば、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）を用いることができる。

【0017】

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子７０に接続されている。以降、１辺部に沿った方向をＸ方向とし、１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。また、Ｚ方向から見ることを平面視といい、図２、６等の断面図に示したようにＺ方向に沿う断面で見ることを断面視という。

【0018】

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極２７と、スイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、「トランジスター３０」と呼称する）と、データ線（図示せず）と、これらを覆う第１配向膜２８とが形成されている。

【0019】

画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜で形成されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、トランジスター３０、第１配向膜２８を含むものである。

【0020】

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁層３３と、絶縁層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜１８、対向電極３１、第２配向膜３２を含むものである。

【0021】

遮光膜１８は、図１に示すように表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮光して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

【0022】

絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

【0023】

対向電極３１は、例えば、ＩＴＯなどの透明導電膜からなり、絶縁層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。

【0024】

画素電極２７を覆う第１配向膜２８および対向電極３１を覆う第２配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。第１配向膜２８及び第２配向膜３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

【0025】

このような液晶装置１００は、例えば、透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。なお、反射型の液晶装置に適用するようにしてもよい。

【0026】

図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａ（２つの電極のうち一方の電極、遮光層）および複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。例えば、走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。

【0027】

走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、トランジスター３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。

【0028】

走査線３ａはトランジスター３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはトランジスター３０のソース領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、トランジスター３０のドレイン領域に電気的に接続されている。

【0029】

データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。

【0030】

データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１～Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１～ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。

【0031】

液晶装置１００は、スイッチング素子であるトランジスター３０が走査信号ＳＣ１～ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１～Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１～Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。

【0032】

保持された画像信号Ｄ１～Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、２つの容量配線の間に容量膜としての誘電体層を有するものである。

【0033】

図４に示すように、画素Ｐは、隣り合う画素電極２７と画素電極２７との間に、データ線６ａや走査線３ａが配置されている。また、データ線６ａと走査線３ａとが交差する部分にトランジスター３０が配置されている。

【0034】

図５に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０と、を備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、石英である。素子基板１０は、第１基材１０ａの上に、走査線３ａと、トランジスター３０と、データ線６ａと、容量素子１６と、画素電極２７と、第１配向膜２８と、を備えている。

【0035】

具体的には、第１基材１０ａの上に、酸化シリコンなどからなる絶縁層１１ａが配置されている。絶縁層１１ａの上には、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）などからなる遮光層としても機能する走査線３ａが配置されている。走査線３ａは、半導体層３０ａと重畳する２つの電極のうちの一方の一態様である。

【0036】

走査線３ａ及び絶縁層１１ａの上には、酸化シリコンなどからなる絶縁層１１ｂが配置されている。絶縁層１１ｂの上には、トランジスター３０が配置されている。

【0037】

トランジスター３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたアルミニウム等からなるゲート電極３０ｇ（２つの電極のうちの他方）と、を有する。

【0038】

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のトランジスター３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、第１ＬＤＤ領域３０ｓ１と、ソース領域３０ｓと、ＬＤＤ領域としての第２ＬＤＤ領域３０ｄ１と、ドレイン領域３０ｄとを備えている。

【0039】

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。

【0040】

ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇの上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｃが配置されている。絶縁層１１ｃの上には、中継電極６０を介してゲート電極３０ｇと電気的に接続されたアルミニウムなどからなるゲート配線３０ｇ１（２つの電極のうちの他方）が配置されている。なお、ゲート配線３０ｇ１は、中継電極６０を介して走査線３ａとも電気的に接続されている。ゲート配線３０ｇ１は、半導体層３０ａと重畳する２つの電極のうちの他方の一態様である。

【0041】

ゲート配線３０ｇ１及び絶縁層１１ｃの上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｄが配置されている。絶縁層１１ｄの上には、コンタクトホールＣＮＴ１ａを介してドレイン領域３０ｄと電気的に接続されたアルミニウムなどからなる中継配線５１が配置されている。中継配線５１及び絶縁層１１ｄの上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｅが配置されている。

【0042】

絶縁層１１ｅの上には、コンタクトホールＣＮＴ２を介してソース領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａが配置されている。データ線６ａ及び絶縁層１１ｅの上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｆが配置されている。絶縁層１１ｆの上には、共通電位が印加される共通配線５２が配置されている。共通配線５２の上には、酸化シリコン等からなる層間絶縁層としての絶縁層１１ｈが配置されている。

【0043】

絶縁層１１ｈの上には、容量素子１６が配置されている。具体的には、容量素子１６は、例えば、固定電位側の容量配線である第１容量配線１６ａと、トランジスター３０のドレイン領域３０ｄと電気的に接続された第２容量配線１６ｂと、第１容量配線１６ａと第２容量配線１６ｂとの間に配置された誘電体層１６ｃと、を備えている。第１容量配線１６ａは、コンタクトホールＣＮＴ５を介して共通配線５２と電気的に接続されている。

【0044】

容量素子１６の上には、酸化シリコン等からなる絶縁層１１ｉが配置されている。絶縁層１１ｉの上には、コンタクトホールＣＮＴ１を介して第２容量配線１６ｂと電気的に接続された画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜である。

【0045】

画素電極２７の上には、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着した第１配向膜２８が配置されている。第１配向膜２８の上には、シール材１４により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が配置されている。

【0046】

一方、対向基板２０は、第２基材２０ａの上（液晶層１５側）に、絶縁層３３と、対向電極３１と、第２配向膜３２と、を備えている。第２基材２０ａは、例えば、石英である。絶縁層３３は、例えば、酸化シリコンで構成されている。対向電極３１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電膜である。第２配向膜３２は、酸化シリコンなどの無機材料が斜方蒸着されて形成されている。

【0047】

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。次に、図６及び図７を参照しながら、画素Ｐの一部の構成について説明する。

【0048】

図６は、画素Ｐのうちトランジスター３０の構造を簡略化して示す平面図である。図７は、第１基材１０ａからゲート配線３０ｇ１までのトランジスター３０の構造を示す断面図である。

【0049】

図６及び図７に示すように、トランジスター３０は、平面視でデータ線６ａと走査線３ａとが交差する部分に重なって配置されている。図７に示すように、絶縁層１１ａの上には、走査線３ａが配置されている。走査線３ａの上には、絶縁層１１ｂ、半導体層３０ａ、ゲート絶縁層１１ｇ、ゲート電極３０ｇ（図５参照）、及び絶縁層１１ｃが配置されている。絶縁層１１ｃの上には、ゲート配線３０ｇ１が配置されている。

【0050】

ゲート配線３０ｇ１と走査線３ａとの間には、絶縁層１１ｂ，１１ｇ，１１ｃを貫く凹部６０ａに中継電極６０が配置されている。中継電極６０は、平面視で、半導体層３０ａの第２ＬＤＤ領域３０ｄ１およびチャネル領域３０ｃの延在する方向に沿って配置されている。中継電極６０の各上下端部は、それぞれゲート配線３０ｇ１と走査線３ａとにそれぞれ電気的に接続されている。中継電極６０は、導電性のプラグ６２で構成され、プラグ６２の外側面６２ａ、内側面６２ｂ、および反射防止膜６１で覆われている。内側面６２ｂはプラグ６２の半導体層３０ａが配置された側の面を示し、外側面６２ａは内側面６２ｂに対向する面を示している。

【0051】

このようにゲート配線３０ｇ１と走査線３ａとが、反射防止膜６１で外側面を覆われたプラグ６２を介して接続されることによって、Ｚ方向に交差する方向（ＸＹ方向ないし斜め方向）に進む光が半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃおよび第２ＬＤＤ領域３０ｄ１への入射することを効率よく抑制することができる。プラグ６２は、例えば、タングステン（Ｗ）やアルミニウム（Ａｌ）などで構成されている。

【0052】

反射防止膜６１は、その周辺の絶縁層の材料、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）より高い屈折率を有する絶縁性材料であることが好ましく、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）で構成されている。反射防止膜６１は、屈折率が酸化シリコンより高ければ高いほど高い反射防止効果を得ることができる。具体的には、中継電極６０の側面に垂直に入る光を吸光することができる。なお、反射防止膜６１の材料は、窒化シリコンであることに限定されず、例えば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）やアルミニウム（Ａｌ₂０₃）などでもよい。反射防止膜６１は、図６に示すように、平面視でＨ字形状の中継電極６０の外周に連続して配置されている。

【0053】

また、プラグ６２と反射防止膜６１との間に、導電性材料からなるバリア層を備えることが好ましい。即ち、中継電極６０とその周辺を断面視したときの構成は、タングステンであるプラグ６２、バリア層であるバリアメタル、反射防止膜６１である窒化シリコン、絶縁層である酸化シリコンの順になる。バリア層としては、反射率の低い導電性材料であり、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）などが挙げられる。

【0054】

この構成によれば、バリア層は、タングステンよりも反射率が低いため、反射防止効果を得ることができる。なお、バリア層が導電性のある膜であることから、遮光膜として半導体層３０ａに近づけると、寄生容量などが生じ、トランジスター３０が誤動作する恐れがある。よって、中継電極６０の半導体層３０ａ側には、絶縁性材料の反射防止膜６１のみを配置することが好ましい。なお、図示しないが、ゲート電極３０ｇとゲート配線３０ｇ１とを電気的に接続する部分の中継電極６０も、同様の構成になっている。

【0055】

このような中継電極６０の構成によれば、中継電極６０の外側面に反射防止膜６１が配置されているので、中継電極６０に入射する光を吸収することが可能となり、光が中継電極６０で反射する場合と比較して、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１に向かう迷光を少なくすることができる。これにより、ＴＦＴ特性が変化することを抑えることができる。

【0056】

ゲート配線３０ｇ１は、中継電極６０を介して走査線３ａと電気的に接続されている。ゲート配線３０ｇ１は、例えば、窒化チタン（ＴｉＮ）、アルミニウム（Ａｌ）、窒化チタン（ＴｉＮ）の積層膜である。

【0057】

次に、トランジスター３０、主に中継電極６０の製造方法を、図８～図１３を参照しながら説明する。まず、図８に示すように、ステップＳ１１では、半導体（トランジスター３０）を形成する。具体的には、図９に示すように、第１基材１０ａの上に、絶縁層１１ａ、走査線３ａ、絶縁層１１ｂ、半導体層３０ａ、ゲート絶縁層１１ｇ、ゲート電極３０ｇ（図５参照）、絶縁層１１ｃを順に形成する。

【0058】

ステップＳ１２では、凹部６０ａを形成する。具体的には、図１０に示すように、絶縁層１１ｃ、ゲート絶縁層１１ｇ、絶縁層１１ｂにおける、走査線３ａと重なる位置に、エッチング処理を施すことによって凹部６０ａを形成する。

【0059】

ステップＳ１３では、図１１に示すように、凹部６０ａの側壁に反射防止膜６１を形成する。具体的には、凹部６０ａの中及び絶縁層１１ｃの上に、反射防止膜６１を成膜する。その後、反射防止膜６１に異方性エッチング処理を施す。これにより、絶縁層１１ｃの上の反射防止膜６１と、凹部６０ａの底の反射防止膜６１とが除去され、凹部６０ａの側壁のみに反射防止膜６１が形成される。

【0060】

ステップＳ１４では、凹部６０ａの中にプラグ６２を形成する。具体的には、図１２に示すように、凹部６０ａの中に、プラグ６２の材料であるタングステンを埋め込む。なお、上記したように、反射防止膜６１とプラグ６２との間に、バリア層を形成するようにしてもよい。以上により、中継電極６０が完成する。

【0061】

ステップＳ１５では、ゲート配線３０ｇ１を形成する。具体的には、図１３に示すように、絶縁層１１ｃの上に、ゲート配線３０ｇ１を形成する。ゲート配線３０ｇ１は、上記したように、積層膜である。ゲート配線３０ｇ１は、中継電極６０を介して、走査線３ａと電気的に接続される。

【0062】

図１４に示すように、本実施形態の電子機器としてのプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投写レンズ１２０７とを備えている。

【0063】

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

【0064】

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

【0065】

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

【0066】

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

【0067】

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投写され、画像が拡大されて表示される。

【0068】

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

【0069】

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

【0070】

以上述べたように、本実施形態の液晶装置１００は、画素Ｐと、画素Ｐをスイッチングするトランジスター３０と、を備え、走査信号が供給され、断面視でトランジスター３０の半導体層３０ａを挟んで配置されたゲート電極３０ｇ、言い換えれば、ゲート配線３０ｇ１と走査線３ａと、ゲート配線３０ｇ１と走査線３ａとの間に配置され、平面視で半導体層３０ａの第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の側方を遮光する中継電極６０と、を備え、中継電極６０の外側面には、反射防止膜６１が配置されている。

【0071】

この構成によれば、中継電極６０の外側面に反射防止膜６１が配置されているので、中継電極６０に入射する光を吸収、言い換えれば、吸光することが可能となり、光が中継電極６０で反射する場合と比較して、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１に向かう迷光を少なくすることができる。これにより、ＴＦＴ特性が変化することを抑えることができる。

【0072】

また、２つの電極は、半導体層３０ａの下側に配置された走査線３ａと、半導体層３０ａの上側に配置されたゲート電極３０ｇ、言い換えれば、ゲート配線３０ｇ１と、であることが好ましい。

【0073】

この構成によれば、中継電極６０を利用することにより、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の側方の遮光性を向上させることができる。

【0074】

また、中継電極６０は、プラグ６２を含むことが好ましい。

【0075】

この構成によれば、中継電極６０がプラグ６２で構成されているので、例えば、タングステンプラグとして形成することにより、遮光性を向上させることができる。

【0076】

また、中継電極６０は、Ｈ字形状であることが好ましい。

【0077】

この構成によれば、中継電極６０はＨ字形状なので、例えば、半導体層３０ａの第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の側方を囲むように中継電極６０を配置することが可能となり、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の遮光性を向上させることができる。

【0078】

また、反射防止膜６１は、絶縁性材料であることが好ましい。

【0079】

この構成によれば、反射防止膜６１に絶縁性材料を用いるので、例えば、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１の近くにゲート電位である中継電極６０が配置されている場合でも、ＴＦＴ特性に影響を及ぼすことを抑えることができる。

【0080】

また、中継電極６０は、プラグ６２と反射防止膜６１との間に、導電性のバリア層を備えることが好ましい。

【0081】

この構成によれば、導電性のバリア層を備えることにより、例えば、ゲート電極３０ｇと走査線３ａとを電気的に接続することが可能になると共に、タングステンなどと比較して反射率を低下させることができる。

【0082】

また、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示品質を向上させることが可能なプロジェクター１０００を提供することができる。

【0083】

また、液晶装置１００の製造方法は、第１基材１０ａの上に走査線３ａを形成する工程と、第１基材１０ａ及び走査線３ａの上に、絶縁層１１ｂと、半導体層３０ａと、ゲート絶縁層１１ｇと、絶縁層１１ｃと、を順に形成する工程と、走査線３ａに到達すると共に、半導体層３０ａの第２ＬＤＤ領域３０ｄ１を囲むように、絶縁層１１ｃと、ゲート絶縁層１１ｇと、絶縁層１１ｂと、に凹部６０ａを形成する工程と、凹部６０ａの側壁に反射防止膜６１を形成する工程と、反射防止膜６１を含む凹部６０ａの中にプラグ６２を埋め込んで中継電極６０を形成する工程と、半導体層３０ａの上に、中継電極６０と電気的に接続されるゲート電極３０ｇを形成する工程と、を有する。

【0084】

この方法によれば、中継電極６０の側壁に反射防止膜６１を形成するので、中継電極６０に入射する光を吸収することが可能となり、光が中継電極６０で反射する場合と比較して、第２ＬＤＤ領域３０ｄ１に向かう迷光を少なくすることができる。これにより、ＴＦＴ特性が変化することを抑えることができる。

【0085】

なお、上記した実施形態では、中継電極６０の反射防止膜６１とプラグ６２との間にバリア層を設けたが、この構成に限定されず、例えば、中継電極６０と走査線３ａとが電気的に接続される凹部６０ａの底にバリア層を配置するようにしてもよい。この構成によれば、中継電極６０の底の反射防止性を向上させることができる。

【0086】

また、絶縁層１１ａの上に遮光性の走査線３ａを配置したが、この構成に限定されず、例えば、第１基材１０ａの中にタングステンの遮光膜を埋め込む構成にしてもよい。

【0087】

また、中継電極６０に反射防止膜６１を配置したが、この構成に限定されず、例えば、コンタクトホールの外側面に反射防止膜６１を配置するようにしてもよい。

【符号の説明】

【0088】

３ａ…２つの電極のうちの一方である走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ…絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１１ｈ，１１ｉ…絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量配線、１６ｂ…第２容量配線、１６ｃ…誘電体層、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８…第１配向膜、２９…配線、３０…トランジスター、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…ドレイン領域、３０ｄ１…ＬＤＤ領域としての第２ＬＤＤ領域、３０ｇ１…２つの電極のうちの他方であるゲート配線、３０ｇ…２つの電極のうちの他方であるゲート電極、３０ｓ…ソース領域、３０ｓ１…第１ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３２…第２配向膜、３３…絶縁層、５１…中継配線、５２…共通配線、６０…中継電極、６０ａ…凹部、６１…反射防止膜、６２…プラグ、７０…外部接続用端子、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としてのプロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投写レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】