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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-16
(45)【発行日】2024-07-24
(54)【発明の名称】磁気記録媒体
(51)【国際特許分類】
G11B 5/70 20060101AFI20240717BHJP
G11B 5/78 20060101ALI20240717BHJP
G11B 5/73 20060101ALI20240717BHJP
G11B 5/584 20060101ALI20240717BHJP
G11B 21/10 20060101ALI20240717BHJP
G11B 23/107 20060101ALI20240717BHJP
G11B 23/30 20060101ALI20240717BHJP
G11B 15/43 20060101ALI20240717BHJP
G11B 5/008 20060101ALI20240717BHJP
G11B 5/00 20060101ALI20240717BHJP
【ＦＩ】
G11B5/70
G11B5/78
G11B5/73
G11B5/584
G11B21/10 W
G11B23/107
G11B23/30 E
G11B15/43
G11B5/008
G11B5/00 D
【請求項の数】
27
(21)【出願番号】P 2020203196
(22)【出願日】2020-12-08
(62)【分割の表示】P 2020556817の分割
【原出願日】2020-10-08
(65)【公開番号】P2021064433
(43)【公開日】2021-04-22
【審査請求日】2023-08-14
(31)【優先権主張番号】P 2019186904
(32)【優先日】2019-10-10
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000002185
【氏名又は名称】ソニーグループ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100112874
【弁理士】
【氏名又は名称】渡邊 薫
(72)【発明者】
【氏名】山鹿 実
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 徹
(72)【発明者】
【氏名】橋本 香奈子
【審査官】川中 龍太
(56)【参考文献】
【文献】特開２０００－１６３７３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１０－２４１１４３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－１２６３２０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－０３９６３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／１７１６６５（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００６－０９９９１９（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ１１Ｂ ５／６２ － ５／８２
Ｇ１１Ｂ ５／５６ － ５／６０
Ｇ１１Ｂ ５／００ － ５／０２４
Ｇ１１Ｂ １５／４３
Ｇ１１Ｂ ２１／１０
Ｇ１１Ｂ ２３／００ － ２３／５０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
リールと
リールに巻装されたテープ状の磁気記録媒体と、
前記リールと前記磁気記録媒体を収容するカートリッジケースとを有し、
前記磁気記録媒体は磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ Ｔ が５．４μｍ以下 であり、
前記磁気記録媒体に対して、窒素導入環境下で、４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、前記磁気記録媒体が熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上であり、且つ、前記磁気記録媒体の長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上であり、且つ、
前記磁気記録媒体の温度２５℃、相対湿度５０％で測定されるポアソン比ρが０．４０以下である、
磁気記録カートリッジ。
【請求項2】
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ
Ｔ
が５．３μｍ以下である、請求項１に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項3】
前記ポアソン比が０．３８以下である、請求項１又は２に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項4】
前記ベース層が、ポリエステルを主たる成分として含む、請求項１～３のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項5】
前記ベース層の厚みが、４．２μｍ以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項6】
前記ベース層の厚みが、４．０μｍ以下である、請求項１～５のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項7】
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上である、請求項１～６のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項8】
前記磁気記録媒体を温度６０℃で７２時間保持した時の前記磁気記録媒体の幅方向の収縮率が、－０．０３５％以上である、請求項１～７のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項9】
前記磁性層の平均厚みｔ
ｍ
が８０ｎｍ以下である、請求項１～８のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項10】
前記磁性層の平均厚みｔ
ｍ
が５０ｎｍ以下である、請求項１～９のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項11】
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項12】
前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含む、請求項１１に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項13】
前記磁気記録媒体の長手方向における保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下である、請求項１～１２のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項14】
前記磁性層は、磁化反転間距離Ｌの最小値が４８ｎｍ以下となるようにデータを記録可能に構成されている、請求項１～１３のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項15】
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下である、請求項１～１４のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項16】
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下である、請求項１～１５のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項17】
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子体積が１５００ｎｍ
３
以下である、請求項１～１６のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項18】
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子体積が１３００ｎｍ
３
以下である、請求項１～１７のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項19】
前記磁性層は前記磁気記録媒体の長手方向に延びる複数のサーボバンドを有する、請求項１～１８のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項20】
前記磁性層の表面全体の面積Ｓに対する前記複数のサーボバンドの総面積Ｓ
SB
の比率Ｒ
S
（＝（Ｓ
SB
／Ｓ）×１００）が４．０％以下である、請求項１９に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項21】
前記サーボバンドのサーボバンド幅は95μm以下である、請求項１９又は２０に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項22】
前記複数のサーボバンドには所定角度φで傾斜する直線状のサーボパターンが記録されており、
前記所定角度φは５°～２５° である、
請求項１９～２１のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項23】
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
前記通信部を介して記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、前記通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む、
請求項１～２２のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項24】
前記調整情報は前記磁気記録媒体の幅関連情報を含む、請求項２３に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項25】
前記磁性層は複数のサーボバンドを有し、
前記幅関連情報は、前記サーボバンド間の距離を含む、
請求項２４に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項26】
前記熱機械分析は、前記磁気記録媒体を長さ３０ｍｍかつ幅４．０ ｍｍに切り出した第１のサンプルを用い、前記第1のサンプル を測定対象部分が１０．０ ｍｍになるように熱機械分析装置 にセットし、窒素導入環境下にて、１℃／分の昇温速度で４０℃から１５０℃まで昇温していったときに、前記第1のサンプルの前記測定対象部分が５μｍ伸びた状態を維持するための荷重変化を測定するものである 、
請求項１～２５のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【請求項27】
前記ポアソン比ρは、
前記磁気記録媒体を長さ１５０ｍｍかつ幅1/2インチに切り出した第2のサンプルを用い、前記第2のサンプルをチャック間の距離が１００ｍｍとなるように前記第2のサンプルの長手方向の両端部をチャックして引張試験機 にセットし、温度２５℃相対湿度５０％の環境下で、前記引張試験機により前記第2のサンプルに引っ張り速度０．５mm/minで前記第2のサンプルの長手方向に引っ張るように応力をかけたときに測定される寸法変化量を用いて、以下の式により求められるものであり、
前記初期長は、前記応力が０．５Nであるときの前記引張試験機により計測される前記第2のサンプルの長手方向の長さであり、
前記初期幅は、前記応力が０．５Nであるときのデジタル寸法測定器により計測される前記第2のサンプルの長手方向中央部分における幅であり、
前記長さの寸法変化量は、前記応力が０．５Nから１．０Nに変化したときの前記引張試験機により計測される前記第2のサンプルの長手方向の長さの変化量であり、
前記幅の寸法変化量は、前記応力が０．５Nから１．０Nに変化したときの前記デジタル寸法測定器により計測される前記第2のサンプルの長手方向中央部分における幅の変化量である、
請求項１～２６のいずれか一項に記載の磁気記録カートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本技術は、磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【0002】
例えばＩｏＴ、ビッグデータ、及び人工知能などの発展に伴い、収集及び保存されるデータの量が大幅に増加している。大量のデータを記録するための媒体として、しばしば磁気記録媒体が用いられる。
【0003】
磁気記録媒体に関して、これまでに種々の技術が提案されている。例えば下記特許文献１には、磁気記録媒体の基板と、その基板の表面に設けられ、情報を記録する磁性層と、前記磁性層を保護する保護膜と、その保護膜の上に形成された潤滑層と、前記基板の裏面に設けられたバックコート層とを備え、反転温度（ＴＩ）は、１００℃を超えることを特徴とする磁気記録媒体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開平１１－３９６３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
磁気記録媒体は、例えば磁気記録カートリッジに収容される。磁気記録カートリッジ１つ当たりの記録容量をさらに増やすために、磁気記録カートリッジに収容される磁気記録媒体（例えば磁気記録テープ）をより薄くして（全厚を低減して）、磁気記録カートリッジ１つ当たりのテープ長を増加させることが考えられる。
しかしながら、磁気記録媒体の全厚が薄くなるにつれて、磁気記録媒体の長期保存後に、記録又は再生が良好に行われない場合がある。そこで、本技術は、全厚が薄いにもかかわらず、長期保存後においても、再生又は記録を良好に行うことができる磁気記録媒体を提供することを目的とする。
しかしながら、磁気記録媒体の全厚が薄くなるにつれて、磁気記録媒体の長期保存後に、記録又は再生が良好に行われない場合がある。そこで、本技術は、全厚が薄いにもかかわらず、長期保存後においても、再生又は記録を良好に行うことができる磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本技術は、
リールと
リールに巻装されたテープ状の磁気記録媒体と、
前記リールと前記磁気記録媒体を収容するカートリッジケースとを有し、
前記磁気記録媒体は磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ Ｔ が５．４μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体に対して、窒素導入環境下で、４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、前記磁気記録媒体が熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上であり、且つ、前記磁気記録媒体の長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上であり、且つ、
前記磁気記録媒体の温度２５℃、相対湿度５０％で測定されるポアソン比ρが０．４０以下である、
磁気記録カートリッジを提供する。
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ Ｔ は５．３μｍ以下でありうる。
前記ポアソン比は０．３８以下でありうる。
前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含みうる。
前記ベース層の厚みは、４．２μｍ以下でありうる。
前記ベース層の厚みは、４．０μｍ以下でありうる。
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は６５％以上でありうる。
前記磁気記録媒体を温度６０℃で７２時間保持した時の前記磁気記録媒体の幅方向の収縮率は、－０．０３５％以上でありうる。
前記磁性層の平均厚みｔ ｍ は８０ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層の平均厚みｔ ｍ は５０ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含みうる。
前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。
前記磁気記録媒体の長手方向における保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下でありうる。
前記磁性層は、磁化反転間距離Ｌの最小値が４８ｎｍ以下となるようにデータを記録可能に構成されていてよい。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子体積が１５００ｎｍ ３ 以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子体積が１３００ｎｍ ３ 以下でありうる。
前記磁性層は前記磁気記録媒体の長手方向に延びる複数のサーボバンドを有しうる。
前記磁性層の表面全体の面積Ｓに対する前記複数のサーボバンドの総面積Ｓ SB の比率Ｒ S （＝（Ｓ SB ／Ｓ）×１００）が４．０％以下でありうる。
前記サーボバンドのサーボバンド幅は95μm以下でありうる。
前記複数のサーボバンドには所定角度φで傾斜する直線状のサーボパターンが記録されており、
前記所定角度φは５°～２５°でありうる。
前記磁気記録カートリッジは、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
前記通信部を介して記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、前記通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備えていてよく、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含みうる。
前記調整情報は前記磁気記録媒体の幅関連情報を含みうる。
前記磁性層は複数のサーボバンドを有し、
前記幅関連情報は、前記サーボバンド間の距離を含みうる。
前記熱機械分析は、前記磁気記録媒体を長さ３０ｍｍかつ幅４．０ｍｍに切り出した第１のサンプルを用い、前記第1のサンプルを測定対象部分が１０．０ｍｍになるように熱機械分析装置にセットし、窒素導入環境下にて、１℃／分の昇温速度で４０℃から１５０℃まで昇温していったときに、前記第1のサンプルの前記測定対象部分が５μｍ伸びた状態を維持するための荷重変化を測定するものであってよい。
前記ポアソン比ρは、
前記磁気記録媒体を長さ１５０ｍｍかつ幅1/2インチに切り出した第2のサンプルを用い、前記第2のサンプルをチャック間の距離が１００ｍｍとなるように前記第2のサンプルの長手方向の両端部をチャックして引張試験機にセットし、温度２５℃相対湿度５０％の環境下で、前記引張試験機により前記第2のサンプルに引っ張り速度０．５mm/minで前記第2のサンプルの長手方向に引っ張るように応力をかけたときに測定される寸法変化量を用いて、以下の式により求められるものであってよく、
ここで、当該式において、
前記初期長は、前記応力が０．５Nであるときの前記引張試験機により計測される前記第2のサンプルの長手方向の長さであり、
前記初期幅は、前記応力が０．５Nであるときのデジタル寸法測定器により計測される前記第2のサンプルの長手方向中央部分における幅であり、
前記長さの寸法変化量は、前記応力が０．５Nから１．０Nに変化したときの前記引張試験機により計測される前記第2のサンプルの長手方向の長さの変化量であり、
前記幅の寸法変化量は、前記応力が０．５Nから１．０Nに変化したときの前記デジタル寸法測定器により計測される前記第2のサンプルの長手方向中央部分における幅の変化量であってよい。
リールと
リールに巻装されたテープ状の磁気記録媒体と、
前記リールと前記磁気記録媒体を収容するカートリッジケースとを有し、
前記磁気記録媒体は磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ Ｔ が５．４μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体に対して、窒素導入環境下で、４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、前記磁気記録媒体が熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上であり、且つ、前記磁気記録媒体の長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上であり、且つ、
前記磁気記録媒体の温度２５℃、相対湿度５０％で測定されるポアソン比ρが０．４０以下である、
磁気記録カートリッジを提供する。
前記磁気記録媒体の平均厚みｔ Ｔ は５．３μｍ以下でありうる。
前記ポアソン比は０．３８以下でありうる。
前記ベース層は、ポリエステルを主たる成分として含みうる。
前記ベース層の厚みは、４．２μｍ以下でありうる。
前記ベース層の厚みは、４．０μｍ以下でありうる。
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比は６５％以上でありうる。
前記磁気記録媒体を温度６０℃で７２時間保持した時の前記磁気記録媒体の幅方向の収縮率は、－０．０３５％以上でありうる。
前記磁性層の平均厚みｔ ｍ は８０ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層の平均厚みｔ ｍ は５０ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含みうる。
前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。
前記磁気記録媒体の長手方向における保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下でありうる。
前記磁性層は、磁化反転間距離Ｌの最小値が４８ｎｍ以下となるようにデータを記録可能に構成されていてよい。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子体積が１５００ｎｍ ３ 以下でありうる。
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子体積が１３００ｎｍ ３ 以下でありうる。
前記磁性層は前記磁気記録媒体の長手方向に延びる複数のサーボバンドを有しうる。
前記磁性層の表面全体の面積Ｓに対する前記複数のサーボバンドの総面積Ｓ SB の比率Ｒ S （＝（Ｓ SB ／Ｓ）×１００）が４．０％以下でありうる。
前記サーボバンドのサーボバンド幅は95μm以下でありうる。
前記複数のサーボバンドには所定角度φで傾斜する直線状のサーボパターンが記録されており、
前記所定角度φは５°～２５°でありうる。
前記磁気記録カートリッジは、
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
前記通信部を介して記録再生装置から受信した情報を前記記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、前記通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備えていてよく、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含みうる。
前記調整情報は前記磁気記録媒体の幅関連情報を含みうる。
前記磁性層は複数のサーボバンドを有し、
前記幅関連情報は、前記サーボバンド間の距離を含みうる。
前記熱機械分析は、前記磁気記録媒体を長さ３０ｍｍかつ幅４．０ｍｍに切り出した第１のサンプルを用い、前記第1のサンプルを測定対象部分が１０．０ｍｍになるように熱機械分析装置にセットし、窒素導入環境下にて、１℃／分の昇温速度で４０℃から１５０℃まで昇温していったときに、前記第1のサンプルの前記測定対象部分が５μｍ伸びた状態を維持するための荷重変化を測定するものであってよい。
前記ポアソン比ρは、
前記磁気記録媒体を長さ１５０ｍｍかつ幅1/2インチに切り出した第2のサンプルを用い、前記第2のサンプルをチャック間の距離が１００ｍｍとなるように前記第2のサンプルの長手方向の両端部をチャックして引張試験機にセットし、温度２５℃相対湿度５０％の環境下で、前記引張試験機により前記第2のサンプルに引っ張り速度０．５mm/minで前記第2のサンプルの長手方向に引っ張るように応力をかけたときに測定される寸法変化量を用いて、以下の式により求められるものであってよく、
前記初期長は、前記応力が０．５Nであるときの前記引張試験機により計測される前記第2のサンプルの長手方向の長さであり、
前記初期幅は、前記応力が０．５Nであるときのデジタル寸法測定器により計測される前記第2のサンプルの長手方向中央部分における幅であり、
前記長さの寸法変化量は、前記応力が０．５Nから１．０Nに変化したときの前記引張試験機により計測される前記第2のサンプルの長手方向の長さの変化量であり、
前記幅の寸法変化量は、前記応力が０．５Nから１．０Nに変化したときの前記デジタル寸法測定器により計測される前記第2のサンプルの長手方向中央部分における幅の変化量であってよい。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本技術に従う磁気記録媒体の一例の断面の模式図である。
【図2】磁気記録媒体に設けられるデータバンド及びサーボバンドの例を示す図である。
【図3】サーボバンドにおけるサーボパターンの例を示す図である。
【図4】サーボバンドにおけるサーボパターンの例を示す図である。
【図5】磁性粒子の構成を示す断面図である。
【図6】変形例における磁性粒子の構成を示す断面図である。
【図7】記録再生装置の構成を示す概略図である。
【図8】変形例の磁気記録媒体の断面の模式図である。
【図9】磁性層のＴＥＭ写真の例である。
【図10】カートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。
【図11】カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。
【図12】熱機械分析装置による測定結果の一例である。
【図13】カートリッジの変形例の構成の一例を示す分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態を示したものであり、本技術の範囲がこれらの実施形態のみに限定されることはない。
【0009】
本技術について、以下の順序で説明を行う。
１．本技術の説明
２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
（３）物性及び構造
（４）磁気記録媒体の製造方法
（５）記録再生装置
（６）カートリッジ
（７）カートリッジの変形例
（８）効果
（９）変形例
３．実施例
１．本技術の説明
２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
（１）磁気記録媒体の構成
（２）各層の説明
（３）物性及び構造
（４）磁気記録媒体の製造方法
（５）記録再生装置
（６）カートリッジ
（７）カートリッジの変形例
（８）効果
（９）変形例
３．実施例
【0010】
１．本技術の説明
【0011】
本発明者らは、種々の全厚の薄い磁気記録媒体について検討した。その結果、本発明者らは、特定の構成を有する磁気記録媒体が、長期保存後においても、再生又は記録を良好に行うことができることを見出した。すなわち、本技術に従う磁気記録媒体は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、磁気記録媒体の平均厚みｔＴが５．４μｍ以下であり、前記磁気記録媒体に対して、４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上であり、且つ、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上であり、且つ、ポアソン比が０．４０以下である。
【0012】
磁気記録媒体を長期保存した後の当該磁気記録媒体の記録又は再生において、データ信号を書きこんだり又は読み出したりできなくなることによって、記録又は再生に通常よりも多くの時間を要する場合又は記録又は再生ができない場合がある。このような現象は、磁気記録媒体に高容量のデータを書き込むために磁気記録媒体の全厚をより薄くすることに伴い又は記録再生が行われるデータトラックの幅をより狭くすることに伴い、現れやすくなる。このような現象は、特に、データトラックがテープ長手方向に平行に設けられている系に関して特に表れやすい。全厚がより薄くなるにつれてこのような現象が生じる要因に関して、磁気記録媒体の全厚がより薄くなるにつれて磁気記録媒体の変形（特には幅方向の変形）が生じやすくなること及び高容量化のためにトラック幅が狭くなっていくことが、重要な要因であると考えられる。
磁気記録媒体の変形は、例えば磁気記録媒体に生じたひずみが緩和される際に起こりうる。当該ひずみは特には磁気記録媒体に熱がかかる場合に生じやすく、磁気記録媒体の全厚がより薄くなることによって、熱によるひずみはさらに生じやすくなる。磁気記録媒体に熱がかかる場合の例として、例えば磁気記録媒体の製造工程のうちのカレンダー工程及び乾燥工程を挙げることができる。
本技術に従う磁気記録媒体は、全厚が薄いにもかかわらず、上記構成を有することによって、長期保存した後においても再生又は記録を良好に行うことができる。これは、上記構成によって、長期保存時におけるひずみの緩和を抑制することができるためと考えられる。
磁気記録媒体の変形は、例えば磁気記録媒体に生じたひずみが緩和される際に起こりうる。当該ひずみは特には磁気記録媒体に熱がかかる場合に生じやすく、磁気記録媒体の全厚がより薄くなることによって、熱によるひずみはさらに生じやすくなる。磁気記録媒体に熱がかかる場合の例として、例えば磁気記録媒体の製造工程のうちのカレンダー工程及び乾燥工程を挙げることができる。
本技術に従う磁気記録媒体は、全厚が薄いにもかかわらず、上記構成を有することによって、長期保存した後においても再生又は記録を良好に行うことができる。これは、上記構成によって、長期保存時におけるひずみの緩和を抑制することができるためと考えられる。
【0013】
本技術に従う磁気記録媒体は、４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上、好ましくは７５℃以上、より好ましくは８０℃以上であり、且つ、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上、好ましくは９５℃以上、より好ましくは１００℃以上である。切り替わり温度及び収縮開始温度が上記数値範囲内にあることによって、長期保存後においても、再生又は記録を良好に行うことができる。
また、前記切り替わり温度は、例えばベース層の物性（例えばガラス転移温度など）などを含む種々の要因を変更することによって、調整することができる。なお、前記切り替わり温度は、例えば１２０℃以下、１１０℃以下、又は１００℃以下であってよい。
前記収縮開始温度も、例えばベース層の物性（例えばガラス転移温度など）などを含む種々の要因を変更することによって、調整することができる。なお、前記収縮開始温度は、例えば１３０℃以下、１２０℃以下、又は１１０℃以下であってよい。
前記切り替わり温度及び前記収縮開始温度の上限値は、ベース層材料のガラス転移温度によって定められうる。前記切り替わり温度及び前記収縮開始温度の下限値は、ベース層以外の層の材料及び製造工程における熱履歴によって定められうる。
前記切り替わり温度及び前記収縮開始温度の測定方法については、以下２．において説明する。
また、前記切り替わり温度は、例えばベース層の物性（例えばガラス転移温度など）などを含む種々の要因を変更することによって、調整することができる。なお、前記切り替わり温度は、例えば１２０℃以下、１１０℃以下、又は１００℃以下であってよい。
前記収縮開始温度も、例えばベース層の物性（例えばガラス転移温度など）などを含む種々の要因を変更することによって、調整することができる。なお、前記収縮開始温度は、例えば１３０℃以下、１２０℃以下、又は１１０℃以下であってよい。
前記切り替わり温度及び前記収縮開始温度の上限値は、ベース層材料のガラス転移温度によって定められうる。前記切り替わり温度及び前記収縮開始温度の下限値は、ベース層以外の層の材料及び製造工程における熱履歴によって定められうる。
前記切り替わり温度及び前記収縮開始温度の測定方法については、以下２．において説明する。
【0014】
本技術に従う磁気記録媒体のポアソン比は、０．４０以下であり、好ましくは０．３８以下であり、より好ましくは０．３６以下である。前記ポアソン比がこの数値範囲内にあることによって、長期保存後の磁気記録媒体の幅方向の変形を抑制することができる。
また、本技術に従う磁気記録媒体の前記ポアソン比は、例えば０．２０以上であり、好ましくは０．２３以上であり、より好ましくは０．２６以上、さらにより好ましくは０．３０以上でありうる。ポアソン比が低すぎると、テープ長手方向にかかる張力のコントロールによってテープ幅を変化させることができなくなる。
また、本技術に従う磁気記録媒体の前記ポアソン比は、例えば０．２０以上であり、好ましくは０．２３以上であり、より好ましくは０．２６以上、さらにより好ましくは０．３０以上でありうる。ポアソン比が低すぎると、テープ長手方向にかかる張力のコントロールによってテープ幅を変化させることができなくなる。
【0015】
本技術に従う磁気記録媒体の平均厚みｔＴは、５．４μｍ以下であり、より好ましくは５．３μｍ以下であり、さらにより好ましくは５．２μｍ以下、５．０μｍ以下又は４．６μｍ以下でありうる。本技術に従う磁気記録媒体はこのように薄いものであるので、例えば１つの磁気記録カートリッジ中に巻き取られるテープ長をより長くすることができ、これにより１つの磁気記録カートリッジ当たりの記録容量を高めることができる。
本技術に従う磁気記録媒体の幅は、例えば５ｍｍ～３０ｍｍであり、特には７ｍｍ～２５ｍｍであり、より特には１０ｍｍ～２０ｍｍ、さらにより特には１１ｍｍ～１９ｍｍでありうる。本技術に従うテープ状磁気記録媒体の長さは、例えば５００ｍ～１５００ｍでありうる。例えばＬＴＯ８規格に従うテープ幅は１２．６５ｍｍであり、長さは９６０ｍである。
本技術に従う磁気記録媒体の幅は、例えば５ｍｍ～３０ｍｍであり、特には７ｍｍ～２５ｍｍであり、より特には１０ｍｍ～２０ｍｍ、さらにより特には１１ｍｍ～１９ｍｍでありうる。本技術に従うテープ状磁気記録媒体の長さは、例えば５００ｍ～１５００ｍでありうる。例えばＬＴＯ８規格に従うテープ幅は１２．６５ｍｍであり、長さは９６０ｍである。
【0016】
本技術に従う磁気記録媒体はテープ状であり、例えば長尺状の磁気記録テープでありうる。本技術に従うテープ状磁気記録媒体は、例えば磁気記録カートリッジ内に収容されていてよい。より具体的には、当該磁気記録カートリッジ内のリールに巻き付けられた状態で、当該カートリッジ内に収容されていてよい。
【0017】
本技術に従う磁気記録媒体は、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を備えている。これら４層は、この順に積層されていてよい。本技術に従う磁気記録媒体は、これらの層に加えて、他の層を含んでいてよい。当該他の層は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜選択されてよい。本技術に従う磁気記録媒体は、例えば塗布型の磁気記録媒体でありうる。前記塗布型の磁気記録媒体について、以下２．においてより詳細に説明する。
【0018】
２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）
【0019】
（１）磁気記録媒体の構成
【0020】
まず、図１を参照して、第１の実施形態に係る磁気記録媒体１０の構成について説明する。磁気記録媒体１０は、例えば垂直配向処理を施した磁気記録媒体であって、図１に示すように、長尺状のベース層（基体ともいう）１１と、ベース層１１の一方の主面上に設けられた下地層（非磁性層）１２と、下地層１２上に設けられた磁性層（記録層ともいう）１３と、ベース層１１の他方の主面上に設けられたバック層１４とを備える。本明細書内において、磁気記録媒体１０の両主面のうち、磁性層１３が設けられた側の面を磁性面又は磁性層側表面ともいい、当該磁性面とは反対側の面（バック層１４が設けられた側の面）をバック面ともいう。
【0021】
磁気記録媒体１０はテープ状であり、記録再生の際には長手方向に走行される。また、磁気記録媒体１０は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成されていてよく、例えば最短記録波長が上記範囲内にある記録再生装置に用いられうる。この記録再生装置は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備えるものであってもよい。
【0022】
（２）各層の説明
【0023】
（ベース層）
【0024】
ベース層１１は、磁気記録媒体１０の支持体として機能しうるものであり、例えば可撓性を有する長尺状の非磁性基体であり、特には非磁性のフィルムでありうる。ベース層１１の厚みは、例えば４．８μｍ以下、好ましくは４．６μｍ以下、より好ましくは４．４μｍ以下、さらにより好ましくは４．２μｍ以下、４．０μｍ以下、又は３．８μｍ以下である。ベース層１１の厚みは、例えば２．０μｍ以上、好ましくは２．２μｍ以上、より好ましくは２．４μｍ以上、さらにより好ましくは２．６μｍ以上でありうる。
【0025】
ベース層１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルのベース層１１以外の層（すなわち下地層１２、磁性層１３及びバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（ベース層１１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、ベース層１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
【0026】
ベース層１１は、例えば、ポリエステルを主たる成分として含む。前記ポリエステルは、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）、及びポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの１種又は２種以上の混合物であってよい。本明細書内において、「主たる成分」とは、ベース層を構成する成分のうち最も含有割合が高い成分であることを意味する。例えばベース層１１の主たる成分がポリエステルであることは、ベース層１１中のポリエステルの含有割合が例えばベース層１１の質量に対して５０質量％以上、６０質量％以上、７０質量％以上、８０質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、若しくは９８質量％以上であることを意味してよく、又は、ベース層１１がポリエステルのみから構成されることを意味してもよい。
この実施態様において、ベース層１１は、ポリエステルに加えて、以下で述べるポリエステル以外の樹脂を含んでもよい。
本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層１１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。
この実施態様において、ベース層１１は、ポリエステルに加えて、以下で述べるポリエステル以外の樹脂を含んでもよい。
本技術の好ましい実施態様に従い、ベース層１１は、ＰＥＴ又はＰＥＮから形成されてよい。
【0027】
本技術の他の実施態様において、ベース層１１は、ポリエステル以外の樹脂から形成されていてもよい。ベース層１１を形成する樹脂は、例えばポリオレフィン系樹脂、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、及びその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含みうる。ベース層１１は、これら樹脂のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、又は積層されていてもよい。
【0028】
ポリオレフィン系樹脂は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）及びＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）、及びＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）及びＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。
【0029】
その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、及びＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。
【0030】
（磁性層）
【0031】
磁性層１３は、例えば垂直記録層でありうる。磁性層１３は、磁性粉及び潤滑剤を含みうる。磁性層１３は、磁性粉及び潤滑剤に加えて、例えば結着剤を含んでよく、特には結着剤及び導電性粒子をさらに含んでよい。磁性層１３は、必要に応じて、例えば研磨剤及び防錆剤などの添加剤をさらに含んでいてもよい。
【0032】
磁性層１３は細孔を有する。すなわち、磁性層１３は、多数の細孔が設けられた表面を有する。好ましくは、磁性層１３のうち、磁気記録媒体１０の記録及び／又は再生において磁気ヘッドと接触する領域に細孔が設けられており、特に好ましくは、当該領域の全体にわたって細孔が設けられていてよい。
当該細孔は、磁性層１３の表面に対して垂直に開口していてよい。当該細孔は、例えば、磁気記録媒体１０のバック層側表面に設けられた多数の突部を押し当てることにより形成されうる。この場合、当該細孔は、当該突部に対応するものでありうる。
なお、図１において当該細孔が符号１３Ａにより示されているが、図１は、本技術のより良い理解のための模式図であり、図１に示される細孔１３Ａの形状は、必ずしも実際の形状を示すものでない。
当該細孔は、磁性層１３の表面に対して垂直に開口していてよい。当該細孔は、例えば、磁気記録媒体１０のバック層側表面に設けられた多数の突部を押し当てることにより形成されうる。この場合、当該細孔は、当該突部に対応するものでありうる。
なお、図１において当該細孔が符号１３Ａにより示されているが、図１は、本技術のより良い理解のための模式図であり、図１に示される細孔１３Ａの形状は、必ずしも実際の形状を示すものでない。
【0033】
磁性層１３の平均厚みｔｍは、好ましくは３５ｎｍ≦ｔｍ≦１２０ｎｍであり、より好ましくは３５ｎｍ≦ｔｍ≦１００ｎｍであり、特に好ましくは３５ｎｍ≦ｔｍ≦９０ｎｍであり、さらにより好ましくは３５ｎｍ≦ｔｍ≦８０ｎｍであり、特に好ましくは３５ｎｍ≦ｔｍ≦５０ｎｍでありうる。磁性層１３の平均厚みｔｍが上記数値範囲内にあることが、電磁変換特性の向上に貢献する。
特に好ましくは、前記磁性層の平均厚みｔｍは８０ｎｍ以下であってよく、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下である。この数値範囲内の平均厚みを有することが、磁気記録媒体１０の記録再生特性の向上に貢献する。
特に好ましくは、前記磁性層の平均厚みｔｍは８０ｎｍ以下であってよく、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下である。この数値範囲内の平均厚みを有することが、磁気記録媒体１０の記録再生特性の向上に貢献する。
【0034】
磁性層１３の平均厚みｔｍは、例えば、以下のようにして求められる。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片化サンプルの前記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層１３の平均厚みｔｍ［ｎｍ］とする。なお、前記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片化サンプルの前記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層１３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層１３の平均厚みｔｍ［ｎｍ］とする。なお、前記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
【0035】
磁性層１３は、好ましくは垂直配向している磁性層である。本明細書内において、垂直配向とは、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が３５％以下であることをいう。当該角形比Ｓ１の測定方法は、以下で別途説明する。
なお、磁性層１３は、面内配向（長手配向）している磁性層であってもよい。すなわち、磁気記録媒体１０が水平記録型の磁気記録媒体であってもよい。しかしながら、高記録密度化という点で、垂直配向がより好ましい。
なお、磁性層１３は、面内配向（長手配向）している磁性層であってもよい。すなわち、磁気記録媒体１０が水平記録型の磁気記録媒体であってもよい。しかしながら、高記録密度化という点で、垂直配向がより好ましい。
【0036】
（サーボパターン）
【0037】
磁性層１３には、サーボパターンが記録されている。例えば、図２Ａに示されるとおり、磁性層は、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを有していてよい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気記録媒体１０の幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボ信号が予め書き込まれていてよい。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録されうる。
【0038】
磁性層１３は、例えば少なくとも一つのデータバンドと少なくとも二つのサーボバンドとを有しうる。データバンドの数は例えば２～１０であり、特には３～６、より特には４又は５でありうる。サーボバンドの数は、例えば３～１１であり、特には４～７であり、より特には５又は６でありうる。これらサーボバンド及びデータバンドは、例えばテープ状の磁気記録媒体（特には長尺状の磁気記録テープ）の長手方向に延びるように、特には略平行となるように配置されていてよい。このようにデータバンド及びサーボバンドを有する磁気記録媒体として、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に従う磁気記録テープを挙げることができる。すなわち、本技術に従う磁気記録媒体は、ＬＴＯ規格に従う磁気記録テープであってよい。例えば、本技術に従う磁気記録媒体は、ＬＴＯ８又はそれ以降の規格に従う磁気記録テープであってよい。
【0039】
磁性層１３の表面全体の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの比率ＲS（＝（ＳSB／Ｓ）×１００）は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。
なお、サーボバンドＳＢのサーボバンド幅ＷSBは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅ＷSBは、記録ヘッド製造の観点から、好ましくは１０μｍ以上である。
磁性層１３は、例えば５以上のサーボバンドを有しうる。５以上のサーボトラックを確保するために、磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの割合ＲSは、好ましくは０．８％以上でありうる。
なお、サーボバンドＳＢのサーボバンド幅ＷSBは、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅ＷSBは、記録ヘッド製造の観点から、好ましくは１０μｍ以上である。
磁性層１３は、例えば５以上のサーボバンドを有しうる。５以上のサーボトラックを確保するために、磁性層１３の表面の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの割合ＲSは、好ましくは０．８％以上でありうる。
【0040】
磁性層１３の表面全体の面積Ｓに対するサーボバンドＳＢの総面積ＳSBの比率ＲSは、以下のようにして求められる。例えば、磁気記録媒体１０を、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマーカーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気記録媒体１０を光学顕微鏡で観察し、サーボバンド幅ＷSBおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合ＲSを求める。
割合ＲS［％］＝（（（サーボバンド幅ＷSB）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００
割合ＲS［％］＝（（（サーボバンド幅ＷSB）×（サーボバンド本数））／（磁気記録媒体１０の幅））×１００
【0041】
（記録トラック）
【0042】
磁性層１３は、図２Ｂに示すように、データバンドＤＢに複数の記録トラック（データトラックともいう）Ｔｋを形成可能に構成されている。
記録トラック幅ＷTkは、高記録容量を確保する観点から、例えば２．５０μｍ以下、好ましくは２．２０μｍ以下、より好ましくは２．００μｍ以下、さらにより好ましくは１．８０μｍ以下であってよい。
記録トラック幅ＷTkは、磁性粒子サイズの観点から、例えば０．０２μｍ以上、好ましくは０．４０μｍ以上であり、より好ましくは０．５０μｍ以上、さらにより好ましくは０．６０μｍ以上であってよい。
記録トラック幅ＷTkは、高記録容量を確保する観点から、例えば２．５０μｍ以下、好ましくは２．２０μｍ以下、より好ましくは２．００μｍ以下、さらにより好ましくは１．８０μｍ以下であってよい。
記録トラック幅ＷTkは、磁性粒子サイズの観点から、例えば０．０２μｍ以上、好ましくは０．４０μｍ以上であり、より好ましくは０．５０μｍ以上、さらにより好ましくは０．６０μｍ以上であってよい。
【0043】
磁性層１３は、上記のとおり、データバンドＤＢに複数の記録トラックＴｋを形成可能に構成されていてよい。すなわち、磁気記録媒体１０は、記録トラックを有していないものであってもよい。この場合において、磁気記録媒体１０は、例えば、上記数値範囲内にある記録トラック幅の記録トラックを形成するために用いられてよく、又は、上記数値範囲内にある記録トラック幅の記録トラックを形成する磁気記録装置において用いられるものであってもよい。
代替的には、磁気記録媒体１０は、記録トラックを有していてもよい。当該記録トラックが、上記数値範囲内の記録トラック幅を有しうる。
記録トラック幅が上記数値範囲内にあることが、薄い磁気記録媒体を長期保存した後においても良好に記録又は再生することに寄与する。また、記録トラック幅が上記数値範囲内にあることは、薄い磁気記録媒体のＳＮＲを向上することにも寄与する。
代替的には、磁気記録媒体１０は、記録トラックを有していてもよい。当該記録トラックが、上記数値範囲内の記録トラック幅を有しうる。
記録トラック幅が上記数値範囲内にあることが、薄い磁気記録媒体を長期保存した後においても良好に記録又は再生することに寄与する。また、記録トラック幅が上記数値範囲内にあることは、薄い磁気記録媒体のＳＮＲを向上することにも寄与する。
【0044】
記録トラック幅ＷTkは以下のようにして求められる。例えば、データが全面に記録された磁性層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は１０μｍ×１０μｍとし、当該１０μｍ×１０μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの１０μｍ×１０μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られた３つのＭＦＭ像から、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて、トラック幅を１０ヶ所測定し平均値（単純平均である）をとる。当該平均値が、記録トラック幅ＷTkである。なお、前記ＭＦＭの測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。
【0045】
磁性層１３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離Ｌの最小値が好ましくは４８ｎｍ以下、より好ましくは４４ｎｍ以下、さらにより好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離Ｌの最小値は、磁性粒子サイズによって考慮される。磁化反転間距離Ｌの最小値は以下のようにして求められる。例えば、データが全面に記録された磁性層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離Ｌの最小値とする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。
【0046】
磁気記録媒体１０は、好ましくは、前記記録トラック幅以下の再生トラック幅を有する再生ヘッドを用いて再生される。
磁気記録媒体１０の（再生トラック幅／記録トラック幅）の比は、好ましくは１．００以下、より好ましくは０．９０以下、さらにより好ましくは０．８５以下、０．８３以下、又は０．８０以下であってよい。
磁気記録媒体１０の（再生トラック幅／記録トラック幅）の比は、好ましくは０．５０以上、より好ましくは０．５２以上、さらにより好ましくは０．５４以上、０．５６以上、０．５８以上、又は０．６０以上であってよい。
磁気記録媒体１０の（再生トラック幅／記録トラック幅）の比は、例えば０．５０以上１．００以下、好ましくは０．５２以上０．９０以下、より好ましくは０．５６以上０．８５以下、さらにより好ましくは０．６０以上０．８５以下でありうる。
（再生トラック幅／記録トラック幅）の比が上記数値範囲内にあることが、薄い磁気記録媒体を長期保存した後においても良好に再生することに寄与する。また、（再生トラック幅／記録トラック幅）の比が上記数値範囲内にあることは、薄い磁気記録媒体のＳＮＲを向上することにも寄与する。
磁気記録媒体１０は、前記比が上記数値範囲内となる再生ヘッドを含む記録再生装置における使用に適している。
磁気記録媒体１０の（再生トラック幅／記録トラック幅）の比は、好ましくは１．００以下、より好ましくは０．９０以下、さらにより好ましくは０．８５以下、０．８３以下、又は０．８０以下であってよい。
磁気記録媒体１０の（再生トラック幅／記録トラック幅）の比は、好ましくは０．５０以上、より好ましくは０．５２以上、さらにより好ましくは０．５４以上、０．５６以上、０．５８以上、又は０．６０以上であってよい。
磁気記録媒体１０の（再生トラック幅／記録トラック幅）の比は、例えば０．５０以上１．００以下、好ましくは０．５２以上０．９０以下、より好ましくは０．５６以上０．８５以下、さらにより好ましくは０．６０以上０．８５以下でありうる。
（再生トラック幅／記録トラック幅）の比が上記数値範囲内にあることが、薄い磁気記録媒体を長期保存した後においても良好に再生することに寄与する。また、（再生トラック幅／記録トラック幅）の比が上記数値範囲内にあることは、薄い磁気記録媒体のＳＮＲを向上することにも寄与する。
磁気記録媒体１０は、前記比が上記数値範囲内となる再生ヘッドを含む記録再生装置における使用に適している。
【0047】
再生トラック幅は、前記（再生トラック幅／記録トラック幅）の比を考慮して当業者により適宜選択されてよい。再生トラック幅は、磁気記録媒体１０を再生するために用いられる再生ヘッドにより決まるものである。
再生トラック幅は、例えば２．００μｍ以下、好ましくは１．８０μｍ以下、より好ましくは１．６０μｍ以下、さらにより好ましくは１．４０μｍ以下であってよい。
再生トラック幅は、例えば０．２０μｍ以上であり、好ましくは０．３０μｍ以上、より好ましくは０．４０μｍ以上、さらにより好ましくは０．５０μｍ以上であってよい。
磁気記録媒体１０の再生トラック幅は、上記数値範囲内にあってよく、例えば０．４０μｍ以上２．５０μｍ以下であり、好ましくは０．５０μｍ以上２．２０μｍ以下、より好ましくは０．６０μｍ以上２．００μｍ以下であってよい。
再生トラック幅は、例えば２．００μｍ以下、好ましくは１．８０μｍ以下、より好ましくは１．６０μｍ以下、さらにより好ましくは１．４０μｍ以下であってよい。
再生トラック幅は、例えば０．２０μｍ以上であり、好ましくは０．３０μｍ以上、より好ましくは０．４０μｍ以上、さらにより好ましくは０．５０μｍ以上であってよい。
磁気記録媒体１０の再生トラック幅は、上記数値範囲内にあってよく、例えば０．４０μｍ以上２．５０μｍ以下であり、好ましくは０．５０μｍ以上２．２０μｍ以下、より好ましくは０．６０μｍ以上２．００μｍ以下であってよい。
【0048】
（サーボパターンの具体例）
【0049】
本技術の磁気記録媒体の磁性層１３に記録されるサーボパターンのより具体的な例を以下で図３及び図４を参照して説明する。図３は、磁気記録媒体１０の磁性層１３に形成されるデータバンド及びサーボバンドの模式図である。図４は、各サーボバンドが有するサーボパターンを示す図である。
図３に示されるとおり、磁性層１３は４つのデータバンドｄ０～ｄ３を有する。磁性層１３は、各データバンドを２つのサーボバンドで挟むように、合計で５つのサーボバンドＳ０～Ｓ４を有する。
図４に示されるとおり、各サーボバンドは、所定角度φで傾斜する直線状の５本のサーボパターン（例えばサーボパターンＡ１～Ａ５）と、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する直線状の５本のサーボパターン（例えばサーボパターンＢ１～Ｂ５）と、所定角度φで傾斜する直線状の４本のサーボパターン（例えばサーボパターンＣ１～Ｃ４）と、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する直線状の４本のサーボパターン（例えばサーボパターンＤ１～Ｄ４）と、からなるフレーム単位（１サーボフレーム）を繰り返し有する。前記所定角度φは、例えば５°～２５°であり、特には１１°～２５°でありうる。
サーボバンドＳ０～Ｓ４それぞれのサーボバンド幅Ｌ１（図３参照）は、例えば１００μｍ以下、特には６０μｍ以下、より特には５０μｍ以下であり、さらには４０μｍ以下であってよい。サーボバンド幅Ｌ１は、例えば１５μｍ以上、特には２５μｍ以上であってよい。
図３に示されるとおり、磁性層１３は４つのデータバンドｄ０～ｄ３を有する。磁性層１３は、各データバンドを２つのサーボバンドで挟むように、合計で５つのサーボバンドＳ０～Ｓ４を有する。
図４に示されるとおり、各サーボバンドは、所定角度φで傾斜する直線状の５本のサーボパターン（例えばサーボパターンＡ１～Ａ５）と、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する直線状の５本のサーボパターン（例えばサーボパターンＢ１～Ｂ５）と、所定角度φで傾斜する直線状の４本のサーボパターン（例えばサーボパターンＣ１～Ｃ４）と、この信号と逆方向に同じ角度で傾斜する直線状の４本のサーボパターン（例えばサーボパターンＤ１～Ｄ４）と、からなるフレーム単位（１サーボフレーム）を繰り返し有する。前記所定角度φは、例えば５°～２５°であり、特には１１°～２５°でありうる。
サーボバンドＳ０～Ｓ４それぞれのサーボバンド幅Ｌ１（図３参照）は、例えば１００μｍ以下、特には６０μｍ以下、より特には５０μｍ以下であり、さらには４０μｍ以下であってよい。サーボバンド幅Ｌ１は、例えば１５μｍ以上、特には２５μｍ以上であってよい。
【0050】
（磁性粉）
【0051】
磁性層１３に含まれる磁性粉をなす磁性粒子として、例えば六方晶フェライト、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）、Ｃｏ含有スピネルフェライト、ガンマヘマタイト、マグネタイト、二酸化クロム、コバルト被着酸化鉄、及びメタル（金属）などを挙げることができるが、これらに限定されない。前記磁性粉は、これらのうちの１種であってよく、又は、２種以上の組合せであってもよい。好ましくは、前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含みうる。特に好ましくは、前記磁性粉は、六方晶フェライトである。前記六方晶フェライトは、特に好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。前記ε酸化鉄は、特に好ましくはＡｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含みうる。これらの磁性粒子については、例えば磁性層１３の製造方法、テープの規格、及びテープの機能などの要因に基づいて当業者により適宜選択されてよい。
【0052】
磁性粒子の形状は、磁性粒子の結晶構造に依拠している。例えば、バリウムフェライト（ＢａＦｅ）及びストロンチウムフェライトは六角板状でありうる。ε酸化鉄は球状でありうる。コバルトフェライトは立方状でありうる。メタルは紡錘状でありうる。磁気記録媒体１０の製造工程においてこれらの磁性粒子が配向される。
磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上でありうる。
磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１．０以上３．５以下、より好ましくは１．０以上３．１以下、さらにより好ましくは１．０以上２．８以下、特に好ましくは１．１以上２．５以下でありうる。
磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上でありうる。
磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１．０以上３．５以下、より好ましくは１．０以上３．１以下、さらにより好ましくは１．０以上２．８以下、特に好ましくは１．１以上２．５以下でありうる。
【0053】
（磁性粉が六方晶フェライトを含む実施態様）
【0054】
本技術の好ましい実施態様に従い、磁性粉は六方晶フェライトを含み、より特には六方晶フェライトを含有するナノ粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）の粉末を含みうる。六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状又はほぼ六角板状を有する。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含みうる。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライト又はストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外に、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外に、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
【0055】
より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ１２Ｏ１９で表される平均組成を有しうる。ここで、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａ及びＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、Ｐｂ、及びＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。
【0056】
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下、２５ｎｍ以下、２２ｎｍ以下、２１ｎｍ以下、又は２０ｎｍ以下でありうる。前記平均粒子サイズは、例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上でありうる。例えば、前記磁性粉の平均粒子サイズは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上３０ｎｍ以下、１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、又は１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下でありうる。磁性粉の平均粒子サイズが上記上限値以下である場合（例えば５０ｎｍ以下、特には３０ｎｍ以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズが上記下限値以上である場合（例えば１０ｎｍ以上、好ましくは１２ｎｍ以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
【0057】
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、好ましくは１以上３．５以下、より好ましくは１以上３．１以下、又は２以上３．１以下、さらにより好ましくは２以上３以下でありうる。磁性粉の平均アスペクト比が上記数値範囲内にあることによって、磁性粉の凝集を抑制することができ、さらに、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。これは、磁性粉の垂直配向性の向上をもたらしうる。
【0058】
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており且つ粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図９にＴＥＭ写真の例を示す。図９において、例えばａ及びｄで示される粒子が、その厚みを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡａｖｅを求める。
続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図９において、例えばｂ及びｃで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢａｖｅを求める。平均板径ＤＢａｖｅが、平均粒子サイズである。
そして、平均最大板厚ＤＡａｖｅ及び平均板径ＤＢａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢａｖｅ／ＤＡａｖｅ）を求める。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており且つ粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図９にＴＥＭ写真の例を示す。図９において、例えばａ及びｄで示される粒子が、その厚みを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡａｖｅを求める。
続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図９において、例えばｂ及びｃで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢａｖｅを求める。平均板径ＤＢａｖｅが、平均粒子サイズである。
そして、平均最大板厚ＤＡａｖｅ及び平均板径ＤＢａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢａｖｅ／ＤＡａｖｅ）を求める。
【0059】
磁性粉が六方晶フェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５９００ｎｍ3以下、より好ましくは３４００ｎｍ3以下、さらに好ましくは２５００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは１５００ｎｍ3以下、特に好ましくは１３００ｎｍ3以下である。また、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５００ｎｍ3以上３４００ｎｍ3以下、より好ましくは１０００ｎｍ3以上２５００ｎｍ3以下、さらに好ましくは１０００ｎｍ3以上１５００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ3以上１３００ｎｍ3以下である。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば５９００ｎｍ3以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば５００ｎｍ3以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
磁性粉の平均粒子体積が上記上限値以下である場合（例えば５９００ｎｍ3以下である場合）、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子体積が上記下限値以上である場合（例えば５００ｎｍ3以上である場合）、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
【0060】
磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べたとおり、平均最大板厚ＤＡａｖｅおよび平均板径ＤＢａｖｅを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
【0061】
本技術の特に好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、バリウムフェライト磁性粉又はストロンチウムフェライト磁性粉であり、より好ましくはバリウムフェライト磁性粉でありうる。バリウムフェライト磁性粉は、バリウムフェライトを主相とする鉄酸化物の磁性粒子（以下「バリウムフェライト粒子」という。）を含む。バリウムフェライト磁性粉は、例えば高温多湿環境でも抗磁力が落ちないなど、データ記録の信頼性が高い。このような観点から、バリウムフェライト磁性粉は、前記磁性粉として好ましい。
【0062】
バリウムフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、５０ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下である。
【0063】
磁性層１３が磁性粉としてバリウムフェライト磁性粉を含む場合、磁性層１３の平均厚みｔｍ［ｎｍ］が、３５ｎｍ≦ｔｍ≦１００ｎｍであることが好ましく、特に好ましくは８０ｎｍ以下である。
また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは１６５ｋＡ／ｍ以上２７５ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である。保磁力Ｈｃは、より好ましくは２４０ｋＡ／ｍ以下、さらにより好ましくは２２５ｋＡ／ｍ以下、さらにより好ましくは２１０ｋＡ／ｍ以下であってもよく、さらにより好ましくは２００ｋＡ／ｍ以下であってもよい。
また、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に測定した保磁力Ｈｃが、好ましくは１６０ｋＡ／ｍ以上２８０ｋＡ／ｍ以下、より好ましくは１６５ｋＡ／ｍ以上２７５ｋＡ／ｍ以下、更により好ましくは１７０ｋＡ／ｍ以上２７０ｋＡ／ｍ以下である。保磁力Ｈｃは、より好ましくは２４０ｋＡ／ｍ以下、さらにより好ましくは２２５ｋＡ／ｍ以下、さらにより好ましくは２１０ｋＡ／ｍ以下であってもよく、さらにより好ましくは２００ｋＡ／ｍ以下であってもよい。
【0064】
（磁性粉がε酸化鉄を含む実施態様）
【0065】
本技術の他の好ましい実施態様に従い、前記磁性粉は、好ましくはε酸化鉄を含むナノ粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）の粉末を含みうる。ε酸化鉄粒子は微粒子でも高保磁力を得ることができる。ε酸化鉄粒子に含まれるε酸化鉄は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。
【0066】
ε酸化鉄粒子は、球状若しくはほぼ球状を有しているか、又は、立方体状若しくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、媒体の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制できる。したがって、磁性粉の分散性を高め、より良好なＳＮＲ（Signal-to-Noise Ratio）を得ることができる。
【0067】
ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、図５に示すように、コア部２１と、このコア部２１の周囲に設けられた２層構造のシェル部２２とを備える。２層構造のシェル部２２は、コア部２１上に設けられた第１シェル部２２ａと、第１シェル部２２ａ上に設けられた第２シェル部２２ｂとを備える。
【0068】
コア部２１は、ε酸化鉄を含む。コア部２１に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ２Ｏ３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ２Ｏ３からなるものがより好ましい。
【0069】
第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部２２ａは、コア部２１の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部２１の周囲全体を覆っていてもよい。コア部２１と第１シェル部２２ａの交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部２１の表面全体を覆っていることが好ましい。
【0070】
第１シェル部２２ａは、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金又はＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金などの軟磁性体を含みうる。α－Ｆｅは、コア部２１に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。
【0071】
第２シェル部２２ｂは、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部２２ｂは、α酸化鉄、酸化アルミニウム、又は酸化ケイ素を含みうる。α酸化鉄は、例えばＦｅ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３、及びＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含みうる。第１シェル部２２ａがα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部２２ａに含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。
【0072】
ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部２２ａを有することで、熱安定性を確保することができ、これによりコア部２１単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ且つ／又はε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部２２ｂを有することで、磁気記録媒体１０の製造工程及びその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆びなどが発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。
【0073】
ε酸化鉄粒子は、図６に示されるとおり、単層構造のシェル部２３を有していてもよい。この場合、シェル部２３は、第１シェル部２２ａと同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部２２を有していることがより好ましい。
【0074】
ε酸化鉄粒子は、コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよく、又は、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。これらの場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体の保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはアルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及びインジウム（Ｉｎ）からなる群より選ばれる１種以上である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ２－ｘＭｘＯ３結晶（ここで、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。
具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ２－ｘＭｘＯ３結晶（ここで、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくは、Ａｌ、Ｇａ、及びＩｎからなる群より選ばれる１種以上である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。
【0075】
磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下である。磁気記録媒体１０では、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、良好なＳＮＲを得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０（例えば４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０）において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。
【0076】
磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．５以下、より好ましくは１．０以上３．１以下、さらにより好ましくは１．０以上２．５以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができると共に、磁性層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。
【0077】
磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。
まず、測定対象となる磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルの前記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。
次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。
続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。
【0078】
磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５５００ｎｍ3以下、より好ましくは２７０ｎｍ3以上５５００ｎｍ3以下、さらにより好ましくは９００ｎｍ3以上５５００ｎｍ3以下である。磁性粉の平均粒子体積が５５００ｎｍ3以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が２７０ｎｍ3以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。
【0079】
ε酸化鉄粒子が球状またはほぼ球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬaveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬave 3
Ｖ＝（π/６）×ＤＬave 3
【0080】
ε酸化鉄粒子が立方体状の形状を有している場合、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣaveを求める。次に、平均辺長ＤＣaveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖave（粒子体積）を求める。
Ｖave＝ＤＣave 3
磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜及びタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気記録媒体１０の磁性層側表面及びバック層側表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法又はスパッタリング法により磁性層側表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向及び厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層１３の厚み方向に対して磁性層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率及び加速電圧は適宜調整されてよい。
次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣaveを求める。次に、平均辺長ＤＣaveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖave（粒子体積）を求める。
Ｖave＝ＤＣave 3
【0081】
（磁性粉がＣｏ含有スピネルフェライトを含む実施態様）
【0082】
本技術のさらに他の好ましい実施態様に従い、磁性粉は、Ｃｏ含有スピネルフェライトを含有するナノ粒子（以下「コバルトフェライト粒子」ともいう）の粉末を含みうる。すなわち、当該磁性粉は、コバルトフェライト磁性粉でありうる。コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト磁性粒子は、例えば、立方体状又はほぼ立方体状を有している。Ｃｏ含有スピネルフェライトは、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上をさらに含んでいてもよい。
【0083】
コバルトフェライトは、例えば以下の式（１）で表される平均組成を有する。
ＣｏｘＭｙＦｅ２Ｏｚ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ及びｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）
ＣｏｘＭｙＦｅ２Ｏｚ・・・（１）
（但し、式（１）中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｕ、及びＺｎからなる群より選ばれる１種以上の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ及びｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）
【0084】
コバルトフェライト磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは２３ｎｍ以下である。コバルトフェライト磁性粉の保磁力Ｈｃは、好ましくは２５００Ｏｅ以上、より好ましくは２６００Ｏｅ以上３５００Ｏｅ以下である。
【0085】
磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは１０ｎｍ以上２３ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０において、良好な電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１０ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、より優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉がコバルトフェライト粒子の粉末を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比及び平均粒子サイズは、磁性粉がε酸化鉄粒子を含む場合と同じ方法で求められる。
【0086】
磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは１５０００ｎｍ3以下、より好ましくは１０００ｎｍ3以上１２０００ｎｍ3以下である。磁性粉の平均粒子体積が１５０００ｎｍ3以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が１０００ｎｍ3以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１０ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。なお、磁性粉の平均粒子体積は、ε酸化鉄粒子が立方体状の形状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同じである。
【0087】
（潤滑剤）
【0088】
前記磁性層は、潤滑剤を含む。前記潤滑剤は、脂肪酸及び脂肪酸エステルから選ばれる１種又は２種以上であってよく、好ましくは脂肪酸及び脂肪酸エステルの両方を含みうる。
前記脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）又は（２）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物及び一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
また、前記脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）又は（４）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物及び一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
前記潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物及び一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方、及び／又は一般式（３）に示される化合物及び一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方を含むことによって、繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、前記一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）rＣＯＯ－（ＣＨ2）sＣＨ（ＣＨ3）2・・・（４）
（但し、前記一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
前記脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）又は（２）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物及び一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
また、前記脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）又は（４）により示される化合物であってよい。例えば、前記脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物及び一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく又は両方が含まれていてもよい。
前記潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物及び一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方、及び／又は一般式（３）に示される化合物及び一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方を含むことによって、繰り返しの記録又は再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。
ＣＨ3（ＣＨ2）kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ2）mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、前記一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）pＣＯＯ（ＣＨ2）qＣＨ3 ・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）
ＣＨ3（ＣＨ2）rＣＯＯ－（ＣＨ2）sＣＨ（ＣＨ3）2・・・（４）
（但し、前記一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）
【0089】
（結着剤）
【0090】
結着剤としては、ポリウレタン系樹脂又は塩化ビニル系樹脂などに架橋反応が行われた構造を有する樹脂が好ましい。しかしながら結着剤はこれらに限定されるものではなく、磁気記録媒体１０に対して要求される物性などに応じて、その他の樹脂を適宜配合してもよい。配合する樹脂としては、通常、塗布型の磁気記録媒体１０において一般的に用いられる樹脂であれば、特に限定されない。
【0091】
前記結着剤として、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリ弗化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、及び合成ゴムから選ばれる１つ又は２つ以上の組み合わせが用いられうる。
【0092】
また、前記結着剤として、熱硬化性樹脂又は反応型樹脂が用いられてもよい。熱硬化性樹脂又は反応型樹脂の例としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、及び尿素ホルムアルデヒド樹脂などが挙げられる。
【0093】
また、上述した各結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ３Ｍ、－ＯＳＯ３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）２などの極性官能基が導入されていてもよい。ここで、式中Ｍは、水素原子、又は、例えばリチウム、カリウム、及びナトリウムなどのアルカリ金属である。
【0094】
更に、極性官能基としては、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３＋Ｘ－の末端基を有する側鎖型のもの、及び、＞ＮＲ１Ｒ２＋Ｘ－の主鎖型のものが挙げられる。ここで、式中Ｒ１、Ｒ２、及びＲ３は、互いに独立に水素原子又は炭化水素基であり、Ｘ－は、例えば弗素、塩素、臭素、若しくはヨウ素などのハロゲン元素イオン、又は、無機若しくは有機イオンである。また、極性官能基としては、－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、及びエポキシ基なども挙げられる。
【0095】
（添加剤）
【0096】
磁性層１３は、非磁性補強粒子として、酸化アルミニウム（α、β、又はγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）などをさらに含有していてもよい。
【0097】
（下地層）
【0098】
下地層１２は、非磁性粉及び結着剤を主成分として含む非磁性層である。下地層１２は、さらに潤滑剤を含む。上述の磁性層１３に含まれる結着剤及び潤滑剤に関する説明が、下地層１２に含まれる結着剤及び潤滑剤についても当てはまる。下地層１２は、必要に応じて、導電性粒子、硬化剤、及び防錆剤などのうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
【0099】
下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．６μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．８μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層１２の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みｔｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。
【0100】
（非磁性粉）
【0101】
下地層１２に含まれる非磁性粉は、例えば、無機粒子及び有機粒子から選ばれる少なくとも１種を含みうる。１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、又は、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物、及び金属硫化物から選ばれる１種又は２種以上の組み合わせを含む。より具体的には、無機粒子は、例えばオキシ水酸化鉄、ヘマタイト、酸化チタン、及びカーボンブラックから選ばれる１種又は２種以上でありうる。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、及び板状などの各種形状が挙げられるが、これらに特に限定されるものではない。
【0102】
（バック層）
【0103】
バック層１４は、結着剤及び非磁性粉を含みうる。バック層１４は、必要に応じて潤滑剤、硬化剤、及び帯電防止剤などの各種添加剤を含んでいてもよい。上述の下地層１２に含まれる結着剤及び非磁性粉について述べた説明が、バック層１４に含まれる結着剤及び非磁性粉についても当てはまる。
【0104】
バック層１４の平均厚みｔｂは、ｔｂ≦０．６μｍであることが好ましく、ｔｂ≦０．３μｍであることがより好ましく、ｔｂ≦０．２μｍであることがさらにより好ましい。バック層１４の平均厚みｔｂが上記範囲内にあることで、磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴをｔＴ≦５．４μｍにした場合でも、下地層１２及びベース層１１の厚みを厚く保つことが出来、これにより磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことが出来る。
【0105】
バック層１４の平均厚みｔｂは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴを測定する。平均厚みｔＴの測定方法は以下「（３）物性及び構造」に記載されているとおりである。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔＢ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔｂ［μｍ］を求める。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
ｔｂ［μｍ］＝ｔＴ［μｍ］－ｔＢ［μｍ］
ｔｂ［μｍ］＝ｔＴ［μｍ］－ｔＢ［μｍ］
【0106】
バック層１４の２つの面のうち、磁気記録媒体１０のバック層側表面を形成する面は、好ましくは多数の突部が設けられている。磁気記録媒体１０がロール状に巻き取られることによって、当該多数の突部によって、磁性層１３に多数の細孔が形成されうる。
【0107】
突部は、例えばバック層形成用塗料中に粒子を含めることによって形成されうる。当該粒子は、例えばカーボンブラックなどの無機粒子でありうる。当該粒子の粒径は、磁性層１３に形成されるべき細孔のサイズに応じて適宜選択されうる。
【0108】
バック層１４に含まれる粒子（特には無機粒子）の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以上２７０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。また、当該非磁性粉は、２以上の粒度分布を有していてもよい。
【0109】
（３）物性及び構造
【0110】
（磁気記録媒体の平均厚みｔＴ）
【0111】
磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴは、ｔＴ≦５．４μｍであり、より好ましくは５．３μｍ以下であり、さらにより好ましくは５．２μｍ以下、５．０μｍ以下、又は４．６μｍ以下でありうる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴが上記数値範囲内にあることによって（例えばｔＴ≦５．４μｍであることによって）、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を従来よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴの下限値は特に限定されるものではないが、例えば、３．５μｍ≦ｔＴである。
【0112】
磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔＴ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
【0113】
（切り替わり温度及び収縮開始温度）
【0114】
磁気記録媒体１０は、４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上、好ましくは７５℃以上、より好ましくは８０℃以上であり、且つ、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上、好ましくは９５℃以上、より好ましくは１００℃以上である。熱膨張から熱収縮へ切り換わる温度が７０℃未満であると、使用環境（特に温度が高い環境）においても長時間の保存でテープの収縮が起こり、長時間の保存後に幅方向の変化が大きくなり、データの読み書きが困難になる。また、収縮開始温度についても同様のことが言え、さらに、この温度が９０℃より低い場合は製造工程のうちの磁気記録媒体が高温にさらされる工程において収縮が開始するために、張力の変動が生じたりそれに伴う幅の変化が生じたりすることで、磁気記録媒体の形状がより不安定になる。切り替わり温度及び収縮開始温度が上記数値範囲内にあることによって、長期保存後においても、再生又は記録を良好に行うことができる。
また、前記切り替わり温度は、例えば１２０℃以下、１１０℃以下、又は１００℃以下であってよい。
前記収縮開始温度は、例えば１３０℃以下、１２０℃以下、又は１１０℃以下であってよい。
また、前記切り替わり温度は、例えば１２０℃以下、１１０℃以下、又は１００℃以下であってよい。
前記収縮開始温度は、例えば１３０℃以下、１２０℃以下、又は１１０℃以下であってよい。
【0115】
切り替わり温度及び収縮開始温度の測定は、具体的には、以下のとおりにして行われる。
まず、磁気記録媒体１０を長さ３０ｍｍ（１０．０ｍｍの測定対象部分＋サンプル固定用部分）、幅４．０ｍｍに切り出し、サンプルを作製する。次に、サンプルを日立ハイテクサイエンス社製の熱機械分析装置（TMA/SS7100）にセットし、４０℃から１５０℃まで昇温していったときに、サンプルが５μｍ伸びた状態を維持するための荷重変化を測定する。昇温時間は１℃／分とし、サンプリング時間は１回／秒とし、窒素導入環境下にて測定を行う。測定された荷重変化から、サンプルが熱膨張から熱収縮に切り替わる温度を切り替わり温度とし、サンプルの長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる温度を収縮開始温度とする。
前記切り替わり温度及び収縮開始温度の例を、図１２を参照しながら説明する。図１２に示されるとおり、サンプルが５μｍ伸びた状態を維持するための荷重が減少から増加に転じた時の温度Ａが、前記切り替わり温度である。また、前記切り替わり温度からさらに昇温させ、当該荷重がＸ軸を横切るときの位置での温度Ｂが、前記収縮開始温度である。
まず、磁気記録媒体１０を長さ３０ｍｍ（１０．０ｍｍの測定対象部分＋サンプル固定用部分）、幅４．０ｍｍに切り出し、サンプルを作製する。次に、サンプルを日立ハイテクサイエンス社製の熱機械分析装置（TMA/SS7100）にセットし、４０℃から１５０℃まで昇温していったときに、サンプルが５μｍ伸びた状態を維持するための荷重変化を測定する。昇温時間は１℃／分とし、サンプリング時間は１回／秒とし、窒素導入環境下にて測定を行う。測定された荷重変化から、サンプルが熱膨張から熱収縮に切り替わる温度を切り替わり温度とし、サンプルの長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる温度を収縮開始温度とする。
前記切り替わり温度及び収縮開始温度の例を、図１２を参照しながら説明する。図１２に示されるとおり、サンプルが５μｍ伸びた状態を維持するための荷重が減少から増加に転じた時の温度Ａが、前記切り替わり温度である。また、前記切り替わり温度からさらに昇温させ、当該荷重がＸ軸を横切るときの位置での温度Ｂが、前記収縮開始温度である。
【0116】
（ポアソン比）
【0117】
磁気記録媒体１０のポアソン比は、０．４０以下であり、好ましくは０．３８以下であり、より好ましくは０．３６以下である。前記ポアソン比が上記上限値（例えば０．４）より大きくなると、張力に対する幅の変化量を大きくなりすぎるため、製造工程内での幅変化 特に裁断時の幅変化を少なくすることが難しくなる。
また、本技術に従う磁気記録媒体の前記ポアソン比は、例えば０．１０以上であり、好ましくは０．１５以上であり、より好ましくは０．２５以上、さらにより好ましくは０．３０以上でありうる。前記ポアソン比が上記下限値（例えば０．１）より小さくなると、磁気記録媒体の長手方向の張力を変えても当該磁気記録媒体の幅方向の変化が少なくなるため、張力による幅変化をさせることができなくなってしまう。
また、前記切り替わり温度及び前記収縮開始温度が上記で述べた数値範囲内にあり且つ前記ポアソン比が上記数値範囲内にあることによって、長期保存時におけるひずみの緩和が抑制され且つ長手方向の張力に対する幅方向の変化を好ましい範囲内に制御することができる。これにより、長期保存後におけるデータ信号の記録及び／又は再生をより良好に行うことができる。
また、本技術に従う磁気記録媒体の前記ポアソン比は、例えば０．１０以上であり、好ましくは０．１５以上であり、より好ましくは０．２５以上、さらにより好ましくは０．３０以上でありうる。前記ポアソン比が上記下限値（例えば０．１）より小さくなると、磁気記録媒体の長手方向の張力を変えても当該磁気記録媒体の幅方向の変化が少なくなるため、張力による幅変化をさせることができなくなってしまう。
また、前記切り替わり温度及び前記収縮開始温度が上記で述べた数値範囲内にあり且つ前記ポアソン比が上記数値範囲内にあることによって、長期保存時におけるひずみの緩和が抑制され且つ長手方向の張力に対する幅方向の変化を好ましい範囲内に制御することができる。これにより、長期保存後におけるデータ信号の記録及び／又は再生をより良好に行うことができる。
【0118】
ポアソン比は以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを１５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製したのち、チャック間の距離が１００ｍｍとなるようにサンプルの長手方向の両端部をチャックし、初期荷重０．５Ｎをかけ、その際のサンプルの長手方向の長さを初期長とし、サンプルの幅を初期幅とする。続いて、引張速度０．５ｍｍ／ｍｉｎで、引張り試験機（株式会社島津製作所製、ＡＧ－１００Ｄ）にて引張り長手方向の長さと、キーエンス社製のデジタル寸法測定器ＬＳ－７０００にて幅の、それぞれの寸法変化量を測定する。その後、以下の式よりポアソン比ρを求める。
【0119】
引っ張り試験機（株式会社島津製作所製、ＡＧ－１００Ｄ）による前記測定は以下のとおりに行われる。
まず、１／２インチの幅を有する磁気記録媒体１０を１５０ｍｍの長さにカットして測定サンプルを準備する。温度２５℃相対湿度５０％の一定環境下において、上記引っ張り試験機に、当該測定サンプルをその幅全体をカバーするように固定できる２つの治具を取り付ける。当該２つの治具によって、当該測定サンプルの長さ方向における２つの端をそれぞれチャックする。チャック間距離は１００ｍｍとする。当該測定サンプルのチャック後、当該測定サンプルを長さ方向に引っ張るように応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は０．５mm/minとする。応力を０．５Ｎから１．０Ｎへ変化させたときの伸び量を測定する。当該伸び量が、前記長さの寸法変化量に相当する。また、当該応力の変化時における長手方向中央部分（チャックから５０ｍｍの位置）の幅方向の変化量が、前記幅の寸法変化量に相当する。
まず、１／２インチの幅を有する磁気記録媒体１０を１５０ｍｍの長さにカットして測定サンプルを準備する。温度２５℃相対湿度５０％の一定環境下において、上記引っ張り試験機に、当該測定サンプルをその幅全体をカバーするように固定できる２つの治具を取り付ける。当該２つの治具によって、当該測定サンプルの長さ方向における２つの端をそれぞれチャックする。チャック間距離は１００ｍｍとする。当該測定サンプルのチャック後、当該測定サンプルを長さ方向に引っ張るように応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は０．５mm/minとする。応力を０．５Ｎから１．０Ｎへ変化させたときの伸び量を測定する。当該伸び量が、前記長さの寸法変化量に相当する。また、当該応力の変化時における長手方向中央部分（チャックから５０ｍｍの位置）の幅方向の変化量が、前記幅の寸法変化量に相当する。
【0120】
（幅方向の収縮率）
【0121】
磁気記録媒体１０の幅方向の収縮率は、好ましくは－０．０３５％以上であり、より好ましくは－０．０３０％以上であり、さらにより好ましくは－０．０２８以上であってよい。幅方向の収縮率が上記数値範囲内にあることが、磁気記録媒体を長期保存した場合にも前記記録再生装置における使用への適性が変わらないことに貢献しうる。当該適性が変わらないことによって、例えばオフトラック現象など、磁気記録にとって望ましくない現象が起こりにくくなる。また、前記幅方向の収縮率は、例えば０．００％以下であってよい。
【0122】
前記幅方向の収縮率は以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを５０ｍｍの長さに切り出しサンプルを作製する。当該サンプルの磁性層側の表面に、長手方向に約１５ｍｍ、幅方向に約１０ｍｍ離して針で圧痕を２箇所つけ（前記針の形状：三角錐、前記表面に対する前記針の仰角：１１０度）、ＴＯＰＣＯＮ社製 顕微鏡ＴＵＭ－２２０ＥＳ及び測定データ処理装置ＣＯＲＤＩＮＡＴＥ ＣＯＭＰＵＴＥＲ ＣＡ－１Ｂを用いて、２点間の幅方向の距離Ｔ１［ｍｍ］を計測する。次に、張力をかけない状態でサンプルを、温度２５℃且つ湿度４５～５５％の室内環境中に置かれており且つ温度６０℃に設定された恒温槽（湿度は設定されていない）で７２時間保存する。続いて、サンプルを恒温槽から取り出し、室温で１時間放置したのち、Ｔ１の測定方法と同じ方法で、サンプルの２点間の幅方向の距離Ｔ２［ｍｍ］を計測する。その後、以下の式より幅方向の収縮率を求める。
幅方向の収縮率［％］＝（（Ｔ１－Ｔ２）／Ｔ１）×１００
上述のようにして、１ｍのテープからほぼ等間隔に３本、５０ｍｍの長さのサンプルを切り出し、３本のサンプルについて同様の測定を行い、各サンプルの幅方向の収縮率［％］の平均値を幅方向の収縮率［％］とする。
幅方向の収縮率［％］＝（（Ｔ１－Ｔ２）／Ｔ１）×１００
上述のようにして、１ｍのテープからほぼ等間隔に３本、５０ｍｍの長さのサンプルを切り出し、３本のサンプルについて同様の測定を行い、各サンプルの幅方向の収縮率［％］の平均値を幅方向の収縮率［％］とする。
【0123】
（長手方向の収縮率）
【0124】
磁気記録媒体１０の長手方向の収縮率は、好ましくは０．１０％以下であり、より好ましくは０．０８％以下である。長手方向の収縮率が上記数値範囲内にあることによって、磁気記録媒体を長期保存した場合にも前記記録再生装置における使用への適性が変わらないことに貢献しうる。当該適性が変わらないことによって、例えばオフトラック現象など、磁気記録にとって望ましくない現象が起こりにくくなる。また、前記長手方向の収縮率は、例えば０．００％以上であってよい。
【0125】
前記長手方向の収縮率は、サンプルの長手方向の距離Ｌ１［ｍｍ］及び保存後のサンプルの長手方向の距離Ｌ２［ｍｍ］を測定し、以下の式より長手方向の収縮率を求めること以外は幅方向の収縮率と同様にして求められる。
長手方向の収縮率（％）＝（（Ｌ１－Ｌ２）／Ｌ１）×１００
長手方向の収縮率（％）＝（（Ｌ１－Ｌ２）／Ｌ１）×１００
【0126】
なお、前記収縮率は、例えば以下のとおりに調整することができる。磁気記録媒体１０における収縮を抑制するために、例えば磁気記録媒体１０の塗布工程又は乾燥工程においてベース張力を調整することが行われてよく、又は、塗布工程において巻き取り張力を調整することが行われてもよい。また、磁気記録媒体１０に生じた収縮を緩和するために、例えば磁気記録媒体１０をカートリッジに収容した状態で５０℃５０％Ｒｈ環境で２～１０日間保存することが行われてよく、又は、磁気記録媒体１０の硬化工程後の製造工程内で５０~８０℃の環境で１５時間から１００時間保存することが行われてもよい。
【0127】
（垂直方向に測定した角形比Ｓ２）
【0128】
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）に測定した角形比Ｓ２は、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７３％以上、さらにより好ましくは８０％以上である。角形比Ｓ２が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、よりドライブ側の制御がし易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ２が上記数値範囲内にあること（例えば６５％以上であること）を意味してもよい。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ２が上記数値範囲内にあること（例えば６５％以上であること）を意味してもよい。
【0129】
垂直方向における角形比Ｓ２は以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、ＶＳＭを用いて磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトン又はエタノールなどが用いられて塗膜（下地層１２、磁性層１３及びバック層１４など）が払拭され、ベース層１１のみが残される。そして、得られたベース層１１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）とされる。その後、ＶＳＭを用いてベース層１１の垂直方向（磁気記録媒体１０の垂直方向）に対応する補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループが測定される。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ及び補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）及び残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ２（％）が計算される。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
角形比Ｓ２（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ及び補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）及び残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ２（％）が計算される。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
角形比Ｓ２（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
【0130】
（長手方向に測定した角形比Ｓ１）
【0131】
磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に測定した角形比Ｓ１が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、２７％以下、又は２５％以下、更により好ましくは２０％以下である。角形比Ｓ１が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、より優れたＳＮＲを得ることができる。したがって、より優れた電磁変換特性を得ることができる。また、サーボ信号形状が改善され、ドライブ側の制御がより行い易くなる。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ１が上記数値範囲内にあること（例えば３５％以下であること）を意味しうる。本技術に従う磁気記録媒体は好ましくは垂直配向している。
本明細書内において、磁気記録媒体が垂直配向しているとは、磁気記録媒体の角形比Ｓ１が上記数値範囲内にあること（例えば３５％以下であること）を意味しうる。本技術に従う磁気記録媒体は好ましくは垂直配向している。
【0132】
長手方向における角形比Ｓ１は、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０及びベース層１１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ２と同様にして求められる。
【0133】
角形比Ｓ１及びＳ２は、例えば磁性層形成用塗料に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料に対する磁場の印加時間、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態、又は磁性層形成用塗料中における固形分の濃度を調整することにより所望の値に設定される。具体的には例えば、磁場の強度を強くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁場の印加時間を長くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、磁性粉の分散状態を向上するほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。また、固形分の濃度を低くするほど、角形比Ｓ１が小さくなるのに対して、角形比Ｓ２が大きくなる。なお、上記の調整方法は単独で使用してもよいし、２以上組み合わせて使用してもよい。
【0134】
（算術平均粗さＲａ）
【0135】
磁気記録媒体１０の磁性層側表面（以下「磁性面」ともいう）の算術平均粗さＲａは、好ましくは２．５ｎｍ以下、より好ましくは２．０ｎｍ以下である。Ｒａが２．５ｎｍ以下であると、より優れたＳＮＲを得ることができる。
【0136】
算術平均粗さＲａは以下のようにして求められる。まず、磁性層１３の表面をＡＦＭにより観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトを用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い（注１）、タッピング周波数として、200-400Hzのチューニングにて測定を行う。次に、ＡＦＭ像を512×512（＝262,144）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１～262,144）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（平均面）Ｚａｖｅ（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（262,144））／262,144）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ”（ｉ）（＝｜Ｚ（ｉ）－Ｚａｖｅ｜）を求め、算術平均粗さＲａ［ｎｍ］（＝（Ｚ”（１）＋Ｚ”（２）＋・・・＋Ｚ”（262,144））／262,144）を算出する。この際には、画像処理として、Flatten order 2及びplanefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
（注１）Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L（カンチレバー長）＝１２５μｍ
（注１）Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L（カンチレバー長）＝１２５μｍ
【0137】
（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１０の長手方向における保磁力Ｈｃは、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
磁気記録媒体１０の長手方向における保磁力Ｈｃは、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。長手方向における保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下であると、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
【0138】
磁気記録媒体１０の長手方向に測定した保磁力Ｈｃは、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。長手方向にける保磁力Ｈｃが１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。
【0139】
上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトン又はエタノールなどが用いられて塗膜（下地層１２、磁性層１３及びバック層１４など）が払拭され、ベース層１１のみが残される。そして、得られたベース層１１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いてベース層１１の垂直方向（磁気記録媒体１０の垂直方向）に対応する補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループが測定される。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ及び補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃが求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ及び補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（ベース層１１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃが求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
【0140】
（４）磁気記録媒体の製造方法
【0141】
本技術は、本技術に従う磁気記録媒体の製造方法も提供する。当該製造方法は、ベース層の一方の面に下地層及び磁性層を形成し且つ他方の面にバック層を形成して積層体を形成する積層体形成工程と、前記積層体形成工程において得られた積層体を、６０℃以上８０℃以下の条件下で２４時間以上７２時間以下保存する熱履歴緩和処理工程と、を含み、前記熱履歴緩和処理工程を経て磁気記録媒体が製造される。
前記熱履歴緩和処理工程によって、当該磁気記録媒体の製造時に与えられる熱によるひずみが緩和されると考えられる。
前記熱履歴緩和処理工程によって、当該磁気記録媒体の製造時に与えられる熱によるひずみが緩和されると考えられる。
【0142】
本技術に従う製造方法は、当該磁気記録媒体の製造時に前記熱が与えられる工程として、例えばカレンダー工程及び／又は加熱処理工程を挙げることができる。そのため、前記熱履歴緩和処理工程は、前記カレンダー工程及び／又は加熱処理工程の後に行われることが好ましい。
【0143】
以下で、磁気記録媒体１０の製造方法に含まれる各工程について説明する。
【0144】
（積層体形成工程）
【0145】
積層体形成工程において、ベース層の一方の面に下地層及び磁性層が形成され且つ他方の面にバック層が形成され、これにより、磁性層、下地層、ベース層、及びバック層がこの順に積層された層構造を有する積層体が形成される。磁性層、下地層、及びバック層の形成について以下でより詳細に説明する。
【0146】
まず、非磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉及び結着剤などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。次に、結着剤及び非磁性粉などを溶剤に混練及び／又は分散させることにより、バック層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料、下地層形成用塗料、及びバック層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置、及び混練装置を用いることができる。
【0147】
上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及びシクロヘキサノンなどのケトン系溶媒；例えばメタノール、エタノール、及びプロパノールなどのアルコール系溶媒；例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、及びエチレングリコールアセテートなどのエステル系溶媒；ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、及びジオキサンなどのエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、及びキシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒；並びに、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、及びクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒などが挙げられる。これらのうちの１つが用いられてもよく、又は、２以上の混合物が用いられてもよい。
【0148】
上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、及びロールニーダーなどの混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えばロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」など）、ホモジナイザー、及び超音波分散機などの分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。
【0149】
次に、下地層形成用塗料をベース層１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉をベース層１１の長手方向（走行方向）に磁場配向させたのちに、ベース層１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このような磁場配向処理によって、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｓ１）を向上することができる。磁性層１３の形成後、ベース層１１の他方の主面にバック層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、バック層１４を形成する。これにより、積層体が得られる。
【0150】
角形比Ｓ１及びＳ２は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度の調整、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度の調整、又は磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（例えば乾燥温度及び乾燥時間など）の調整により、所望の値に設定されうる。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。角形比Ｓ１をさらに高めるためには（すなわち角形比Ｓ２をさらに低めるためには）、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｓ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｓ１及びＳ２の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。
【0151】
（カレンダー工程及び加熱処理工程）
【0152】
その後、前記積層体形成工程において得られた積層体にカレンダー処理を行い、磁性層１３の表面を平滑化する。次に、カレンダー処理が施された積層体をロール状に巻き取ったのち、この状態で積層体に加熱処理を行うことにより、バック層１４の表面の多数の突部１４Ａを磁性層１３の表面に転写する。これにより、磁性層１３の表面に細孔（多数の孔部１３Ａ）が形成される。
【0153】
前記加熱処理の温度は、５５℃以上７５℃以下であることが好ましい。この数値範囲内の温度を前記加熱処理の温度として採用することによって、前記突部の形状が磁性層１３に良好に転写される。前記加熱処理の温度が低すぎる場合（例えば５５℃未満）である場合、突部の形状が十分に転写されないことがある。前記加熱処理の温度が高すぎる場合（例えば７５℃超）である場合、細孔量が多くなりすぎ、磁性層１３の表面の潤滑剤が過多になってしまう虞がある。ここで、前記加熱処理の温度は、積層体を保持する雰囲気の温度である。
【0154】
前記加熱処理の時間は、１５時間以上４０時間以下であることが好ましい。前記加熱処理の時間をこの数値範囲内とすることにより、前記突部の形状が磁性層１３に良好に転写される。前記加熱処理の時間が短すぎる場合（例えば１５時間未満である場合）、突部の形状が十分に転写されないことがある。生産性の低下の抑制のために、前記加熱処理の時間は例えば４０時間以下とすることが望ましい。
【0155】
（熱履歴緩和処理工程）
【0156】
熱履歴緩和処理工程において、前記積層体形成工程において得られた積層体（特には前記カレンダー処理及び／又は前記加熱処理後の積層体）を、５０℃以上８０℃以下、好ましくは６０℃以上７５℃以下の条件下で、１０時間以上１００時間以下、好ましくは２４時間以上７２時間以下保存する。このように保存されることで、熱履歴（特にはカレンダー工程及び／又は加熱処理工程）における熱履歴が緩和される。当該緩和によって、ひずみが除去されると考えられる。
【0157】
熱履歴緩和処理工程は、さらに、前記積層体に、幅方向の長さ１／２インチあたり０．１Ｎ以下の張力を長手方向にかけながら８０℃以上１５０℃以下、特には１００℃以上１２０℃以下の条件下で１５秒以上２４０秒以下、特には６０秒以上１８０秒以下走行させる低張力熱処理工程を含みうる。０．１Ｎ以下の低張力をかけながら走行させる処理を行うことによって、それまでの工程で生じたひずみを除去することができる。
【0158】
（裁断工程）
【0159】
最後に、積層体を所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする磁気記録媒体１０が得られる。磁気記録媒体１０にはサーボパターンが記録される。サーボパターンの記録は、例えば当技術分野で既知のサーボライタにより行われてよい。
【0160】
以上の製造方法では、バック層１４の表面に設けられた多数の突部１４Ａを、磁性層１３の表面に転写することにより、磁性層１３の表面に細孔が形成されるが、細孔の形成方法はこれに限定されるものではない。例えば、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤の種類の調整及び／又は磁性層形成用塗料の乾燥条件の調整によって、磁性層１３の表面に細孔が形成されてもよい。また、例えば磁性層形成用塗料の溶剤が乾燥する過程において、磁性層形成用塗料に含まれる固形物と溶剤の偏在により細孔が形成されうる。また、磁性層形成用塗料を塗布する過程において、磁性層形成用塗料に含まれる溶剤は、下層を塗布乾燥させた際に形成された下地層１２の細孔を通って下地層１２にも吸収されうる。前記塗布後の乾燥工程で下地層１２から磁性層１３を通って溶剤が移動することによって、磁性層１３と下地層１２とを連通する細孔が形成されうる。
【0161】
（５）記録再生装置
【0162】
［記録再生装置の構成］
【0163】
次に、図７を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の記録及び再生を行う記録再生装置３０の構成の一例について説明する。
【0164】
記録再生装置３０は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有している。また、記録再生装置３０は、磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している。ここでは、説明を容易とするために、記録再生装置３０が、１つの磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有している場合について説明するが、記録再生装置３０が、複数の磁気記録カートリッジ１０Ａを装填可能な構成を有していてもよい。
【0165】
記録再生装置３０は、ネットワーク４３を介してサーバ４１及びパーソナルコンピュータ（以下「ＰＣ」という。）４２等の情報処理装置に接続されており、これらの情報処理装置から供給されたデータを磁気記録カートリッジ１０Ａに記録可能に構成されている。記録再生装置３０の最短記録波長は、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは７５ｎｍ以下、更により好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下である。
【0166】
記録再生装置３０は、図７に示すように、スピンドル３１と、記録再生装置側のリール３２と、スピンドル駆動装置３３と、リール駆動装置３４と、複数のガイドローラ３５と、ヘッドユニット３６と、通信インターフェース（以下、Ｉ／Ｆ）３７と、制御装置３８とを備えている。
【0167】
スピンドル３１は、磁気記録カートリッジ１０Ａを装着可能に構成されている。磁気記録カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape Open）規格に準拠しており、カートリッジケース１０Ｂに磁気記録媒体１０を巻装した単一のリール１０Ｃを回転可能に収容している。磁気記録媒体１０には、サーボ信号としてハの字状のサーボパターンが予め記録されている。リール３２は、磁気記録カートリッジ１０Ａから引き出された磁気記録媒体１０の先端を固定可能に構成されている。
【0168】
スピンドル駆動装置３３は、スピンドル３１を回転駆動させる装置である。リール駆動装置３４は、リール３２を回転駆動させる装置である。磁気記録媒体１０に対してデータの記録又は再生を行う際には、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが、スピンドル３１とリール３２とを回転駆動させることによって、磁気記録媒体１０を走行させる。ガイドローラ３５は、磁気記録媒体１０の走行をガイドするためのローラである。
【0169】
ヘッドユニット３６は、磁気記録媒体１０にデータ信号を記録するための複数の記録ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているデータ信号を再生するための複数の再生ヘッドと、磁気記録媒体１０に記録されているサーボ信号を再生するための複数のサーボヘッドとを備える。記録ヘッドとしては例えばリング型ヘッドを用いることができるが、記録ヘッドの種類はこれに限定されるものではない。
【0170】
通信Ｉ／Ｆ３７は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置と通信するためのものであり、ネットワーク４３に対して接続される。
【0171】
制御装置３８は、記録再生装置３０の全体を制御する。例えば、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、情報処理装置から供給されるデータ信号をヘッドユニット３６により磁気記録媒体１０に記録する。また、制御装置３８は、サーバ４１及びＰＣ４２等の情報処理装置の要求に応じて、ヘッドユニット３６により、磁気記録媒体１０に記録されたデータ信号を再生し、情報処理装置に供給する。
【0172】
［記録再生装置の動作］
【0173】
次に、上記構成を有する記録再生装置３０の動作について説明する。
【0174】
まず、磁気記録カートリッジ１０Ａを記録再生装置３０に装着し、磁気記録媒体１０の先端を引き出して、複数のガイドローラ３５及びヘッドユニット３６を介してリール３２まで移送し、磁気記録媒体１０の先端をリール３２に取り付ける。
【0175】
次に、図示しない操作部を操作すると、スピンドル駆動装置３３とリール駆動装置３４とが制御装置３８の制御により駆動され、リール１０Ｃからリール３２へ向けて磁気記録媒体１０が走行されるように、スピンドル３１とリール３２とが同方向に回転される。これにより、磁気記録媒体１０がリール３２に巻き取られつつ、ヘッドユニット３６によって、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。
【0176】
また、リール１０Ｃに磁気記録媒体１０を巻き戻す場合は、上記とは逆方向に、スピンドル３１とリール３２とが回転駆動されることにより、磁気記録媒体１０がリール３２からリール１０Ｃに走行される。この巻き戻しの際にも、ヘッドユニット３６による、磁気記録媒体１０への情報の記録または磁気記録媒体１０に記録された情報の再生が行われる。
【0177】
（６）カートリッジ
【0178】
［カートリッジの構成］
【0179】
本技術は、本技術に従う磁気記録媒体を含む磁気記録カートリッジ（テープカートリッジともいう）も提供する。当該磁気記録カートリッジ内において、前記磁気記録媒体は、例えばリールに巻き付けられていてよい。当該磁気記録カートリッジは、例えば 記録再生装置と通信を行う通信部と、記憶部と、前記通信部を介して前記記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、前記記録再生装置の要求に応じて、前記記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備えていてよい。前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含みうる。
【0180】
図１０を参照して、上述の構成を有する磁気記録媒体１０を備えるカートリッジ１０Ａの構成の一例について説明する。
【0181】
図１０は、カートリッジ１０Ａの構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０Ａは、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気記録カートリッジであり、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１０Ｂの内部に、磁気テープ（テープ状の磁気記録媒体）１０が巻かれたリール１０Ｃと、リール１０Ｃの回転をロックするためのリールロック２１４およびリールスプリング２１５と、リール１０Ｃのロック状態を解除するためのスパイダ２１６と、下シェル２１２Ａと上シェル２１２Ｂに跨ってカートリッジケース１０Ｂに設けられたテープ引出口２１２Ｃを開閉するスライドドア２１７と、スライドドア２１７をテープ引出口２１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング２１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト２１９と、カートリッジメモリ２１１とを備える。リール１０Ｃは、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ２１３Ａとフランジ２１３Ｂとにより構成される。磁気テープ１０の一端部には、リーダーピン２２０が設けられている。
【0182】
カートリッジメモリ２１１は、カートリッジ１０Ａの１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０Ａが記録再生装置３０にロードされた状態において、カートリッジメモリ２１１は、記録再生装置３０のリーダライタ（図示せず）と対向するようになっている。カートリッジメモリ２１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置３０、具体的にはリーダライタ（図示せず）と通信を行う。
【0183】
［カートリッジメモリの構成］
【0184】
図１１を参照して、カートリッジメモリ２１１の構成の一例について説明する。
【0185】
図１１は、カートリッジメモリ２１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ２１１は、規定の通信規格でリーダライタ（図示せず）と通信を行うアンテナコイル（通信部）３３１と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３３２と、アンテナコイル３３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３３と、アンテナコイル３３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３３４と、検波・変調回路３３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３３６とを備える。また、カートリッジメモリ２１１は、アンテナコイル３３１に対して並列に接続されたキャパシタ３３７を備え、アンテナコイル３３１とキャパシタ３３７により共振回路が構成される。
【0186】
メモリ３３６は、カートリッジ１０Ａに関連する情報等を記憶する。メモリ３３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。例えば、カートリッジ１０Ａが次世代以降のＬＴＯフォーマット規格に準拠したものである場合には、メモリ３３６は、約３２ＫＢの記憶容量を有する。
【0187】
メモリ３３６は、第１の記憶領域３３６Ａと第２の記憶領域３３６Ｂとを有する。第１の記憶領域３３６Ａは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格のカートリッジメモリ（以下「従来のカートリッジメモリ」という。）の記憶領域に対応しており、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報を記憶するための領域である。ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報は、例えば製造情報（例えばカートリッジ１０Ａの固有番号等）、使用履歴（例えばテープ引出回数（Thread Count）等）等である。
【0188】
第２の記憶領域３３６Ｂは、従来のカートリッジメモリの記憶領域に対する拡張記憶領域に相当する。第２の記憶領域３３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。ここで、付加情報とは、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格で規定されていない、カートリッジ１０Ａに関連する情報を意味する。付加情報の例としては、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報、または磁気テープ１０に記憶された動画のサムネイル情報等が挙げられるが、これらのデータに限定されるものではない。テンション調整情報は、磁気テープ１０に対するデータ記録時における、隣接するサーボバンド間の距離（隣接するサーボバンドに記録されたサーボパターン間の距離）を含む。隣接するサーボバンド間の距離は、磁気テープ１０の幅に関連する幅関連情報の一例である。サーボバンド間の距離の詳細については後述する。以下の説明において、第１の記憶領域３３６Ａに記憶される情報を「第１の情報」といい、第２の記憶領域３３６Ｂに記憶される情報を「第２の情報」ということがある。
【0189】
メモリ３３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクのうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。具体的には、例えば、カートリッジ１０Ａが次世代以降のＬＴＯフォーマット規格に準拠したものである場合には、メモリ３３６は約１６ＫＢの記憶容量を有する２つのバンクを有し、２つのバンクのうちの一方のバンクにより第１の記憶領域３３６Ａが構成され、他のバンクにより第２の記憶領域３３６Ｂが構成されてもよい。
【0190】
アンテナコイル３３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置３０と通信を行う。具体的には、例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。
【0191】
コントローラ３３５は、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置３０から受信した情報をメモリ３３６に記憶する。コントローラ３３５は、記録再生装置３０の要求に応じて、メモリ３３６から情報を読み出し、アンテナコイル３３１を介して記録再生装置３０に送信する。
【0192】
（７）カートリッジの変形例
【0193】
［カートリッジの構成］
上述の一実施形態では、磁気テープカートリッジが、１リールタイプのカートリッジである場合について説明したが、２リールタイプのカートリッジであってもよい。すなわち、本技術のカートリッジは、磁気テープが巻き取られるリールを１つ又は複数（例えば２つ）有してよい。以下で、図１３を参照しながら、２つのリールを有する本技術の磁気記録カートリッジの例を説明する。
上述の一実施形態では、磁気テープカートリッジが、１リールタイプのカートリッジである場合について説明したが、２リールタイプのカートリッジであってもよい。すなわち、本技術のカートリッジは、磁気テープが巻き取られるリールを１つ又は複数（例えば２つ）有してよい。以下で、図１３を参照しながら、２つのリールを有する本技術の磁気記録カートリッジの例を説明する。
【0194】
図１３は、２リールタイプのカートリッジ１２１の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１２１は、合成樹脂製の上ハーフ１０２と、上ハーフ１０２の上面に開口された窓部１０２ａに嵌合されて固着される透明な窓部材１２３と、上ハーフ１０２の内側に固着されリール１０６、１０７の浮き上がりを防止するリールホルダー１２２と、上ハーフ１０２に対応する下ハーフ１０５と、上ハーフ１０２と下ハーフ１０５を組み合わせてできる空間に収納されるリール１０６、１０７と、リール１０６、１０７に巻かれた磁気テープＭＴ１と、上ハーフ１０２と下ハーフ１０５を組み合わせてできるフロント側開口部を閉蓋するフロントリッド１０９およびこのフロント側開口部に露出した磁気テープＭＴ１を保護するバックリッド１０９Ａとを備える。
【0195】
リール１０６は、磁気テープＭＴ１が巻かれる円筒状のハブ部１０６ａを中央部に有する下フランジ１０６ｂと、下フランジ１０６ｂとほぼ同じ大きさの上フランジ１０６ｃと、ハブ部１０６ａと上フランジ１０６ｃの間に挟み込まれたリールプレート１１１とを備える。リール１０７はリール１０６と同様の構成を有している。
【0196】
窓部材１２３には、リール１０６、１０７に対応した位置に、これらリールの浮き上がりを防止するリール保持手段であるリールホルダー１２２を組み付けるための取付孔１２３ａが各々設けられている。磁気テープＭＴ１は、第１の実施形態における磁気テープＴと同様である。
【0197】
（８）効果
【0198】
本技術に従う磁気記録媒体１０は、磁性層１３、下地層１２、ベース層１１、及びバック層１４を含み、磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴが５．３μｍ以下であり、前記磁気記録媒体に対して、４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上であり、且つ、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上であり、且つ、ポアソン比が０．４０以下である。これにより、磁気記録媒体１０は、全厚が５．３μｍ以下と非常に薄いにもかかわらず、長期保存後においても再生又は記録を良好に行うことができる。
【0199】
（９）変形例
【0200】
［変形例１］
【0201】
磁気記録媒体１０が、図８に示すように、ベース層１１の少なくとも一方の表面に設けられたバリア層１５をさらに備えるようにしてもよい。バリア層１５は、環境に応じたベース層１１の寸法変化を抑える為の層である。例えば、その寸法変化を及ぼす原因の一例としてベース層１１の吸湿性が挙げられ、バリア層１５によりベース層１１への水分の侵入速度を低減できる。バリア層１５は、金属又は金属酸化物を含む。金属としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｂａ、Ｐｔ、Ａｕ、及びＴａのうちの少なくとも１種を用いることができる。金属酸化物としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＯ、ＣｏＯ、ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、及びＺｒＯ２のうちの少なくとも１種を用いることができるし、上記金属の酸化物の何れかを用いることもできる。またダイヤモンド状炭素（Diamond-Like Carbon：ＤＬＣ）又はダイヤモンドなどを用いることもできる。
【0202】
バリア層１５の平均厚みは、好ましくは２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。バリア層１５の平均厚みは、磁性層１３の平均厚みｔｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、バリア層１５の厚みに応じて適宜調整される。
【0203】
［変形例２］
【0204】
磁気記録媒体１０は、ライブラリ装置に組み込まれてもよい。すなわち、本技術は、少なくとも一つの磁気記録媒体１０を備えているライブラリ装置も提供する。当該ライブラリ装置は、磁気記録媒体１０の長手方向に加わるテンションを調整可能な構成を有しており、上記で述べた記録再生装置３０を複数備えるものであってもよい。
【0205】
３．実施例
【0206】
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【0207】
以下の実施例及び比較例において、切り替わり温度、収縮開始温度、記録トラック幅、再生トラック幅、平均厚みｔＴ、ベース層の平均厚み、ポアソン比、長手方向の収縮率、幅方向の収縮率及びＳＮＲは、「２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）」にて説明した測定方法により求められた値である。
【0208】
（１）磁気テープの製造
以下に述べるとおり、実施例１～１３及び比較例１～２の磁気テープを製造した。下記表１に製造条件を示す。また、下記表２に、これら磁気テープの切り替わり温度、収縮開始温度、記録トラック幅、再生トラック幅、平均厚みｔＴ、ベース層の平均厚み、ポアソン比、長手方向の収縮率及び幅方向の収縮率を示す。
以下に述べるとおり、実施例１～１３及び比較例１～２の磁気テープを製造した。下記表１に製造条件を示す。また、下記表２に、これら磁気テープの切り替わり温度、収縮開始温度、記録トラック幅、再生トラック幅、平均厚みｔＴ、ベース層の平均厚み、ポアソン比、長手方向の収縮率及び幅方向の収縮率を示す。
【0209】
［実施例１］
【0210】
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物及び第２組成物をそれぞれ分散処理により調製した。
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物及び第２組成物をそれぞれ分散処理により調製した。
【0211】
（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ１２Ｏ１９）粒子の粉末（六角板状、平均アスペクト比２．８、平均粒子体積１９５０ｎｍ３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：６０質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。塩化ビニル系樹脂の詳細は以下のとおりであった：重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ２Ｏ３、平均粒径０．２μｍ）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ１２Ｏ１９）粒子の粉末（六角板状、平均アスペクト比２．８、平均粒子体積１９５０ｎｍ３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：６０質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。塩化ビニル系樹脂の詳細は以下のとおりであった：重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ２Ｏ３、平均粒径０．２μｍ）
【0212】
（第２組成物）
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：３．７質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：３．７質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
【0213】
次に、調製された第１組成物及び第２組成物を混合及び攪拌した。得られた混合物に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部、及び、ステアリン酸：２質量部を添加した。
【0214】
（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物を分散処理により調製した。
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物を分散処理により調製した。
【0215】
（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ２Ｏ３、平均長軸長０．１０μｍ）
カーボンブラック：２０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：３０質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。）
ポリウレタン系樹脂：５質量部
（当該ポリウレタン系樹脂のガラス転移温度Ｔｇは７５℃である。）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１９８．２質量部
トルエン：１９８．２質量部
シクロヘキサノン：６８．６質量部
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ２Ｏ３、平均長軸長０．１０μｍ）
カーボンブラック：２０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）
塩化ビニル系樹脂のシクロヘキサノン溶液：３０質量部
（当該溶液の組成は、樹脂分３０質量％及びシクロヘキサノン７０質量％である。）
ポリウレタン系樹脂：５質量部
（当該ポリウレタン系樹脂のガラス転移温度Ｔｇは７５℃である。）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１９８．２質量部
トルエン：１９８．２質量部
シクロヘキサノン：６８．６質量部
【0216】
得られた第３組成物に、硬化剤（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部及びミリスチン酸：２質量部を添加した。
【0217】
（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：９０質量部
大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）：１０質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（東ソー株式会社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。小粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：９０質量部
大粒径のカーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２７０ｎｍ）：１０質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（東ソー株式会社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
【0218】
（積層体形成工程）
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み４．０μｍ、長尺のポリエチレンテレフタレートフィルム（以下「ＰＥＴフィルム」という。）の一方の主面上に、乾燥及びカレンダー後の平均厚みが０．９μｍとなるように下地層を以下のようにして形成し、そして乾燥及びカレンダー後の平均厚みが８０ｎｍとなるように磁性層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＴフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させ、すなわち垂直配向させた。垂直配向度は６６％であった。続いて、ＰＥＴフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、平均厚み０．４μｍのバック層を形成した。これにより、積層体が得られた。
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み４．０μｍ、長尺のポリエチレンテレフタレートフィルム（以下「ＰＥＴフィルム」という。）の一方の主面上に、乾燥及びカレンダー後の平均厚みが０．９μｍとなるように下地層を以下のようにして形成し、そして乾燥及びカレンダー後の平均厚みが８０ｎｍとなるように磁性層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＴフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させ、すなわち垂直配向させた。垂直配向度は６６％であった。続いて、ＰＥＴフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布し、そして乾燥させることにより、平均厚み０．４μｍのバック層を形成した。これにより、積層体が得られた。
【0219】
（カレンダー工程、転写工程）
続いて、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。次に、得られた積層体をロール状に巻き取ったのち、この状態で積層体に６０℃、１０時間の加熱処理を行った。そして、内周側に位置している端部が反対に外周側に位置するように、積層体をロール状に巻き直したのち、この状態で積層体に６０℃、１０時間の加熱処理を再度行った。これにより、バック層の表面の多数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に多数の孔部が形成された。
続いて、カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。次に、得られた積層体をロール状に巻き取ったのち、この状態で積層体に６０℃、１０時間の加熱処理を行った。そして、内周側に位置している端部が反対に外周側に位置するように、積層体をロール状に巻き直したのち、この状態で積層体に６０℃、１０時間の加熱処理を再度行った。これにより、バック層の表面の多数の突部が磁性層の表面に転写され、磁性層の表面に多数の孔部が形成された。
【0220】
（熱履歴緩和処理工程）
さらに、積層体を７０℃で２４時間保存した。これにより、積層体のひずみが緩和され、切り替わり温度及び収縮開始温度が調整された。
さらに、積層体を７０℃で２４時間保存した。これにより、積層体のひずみが緩和され、切り替わり温度及び収縮開始温度が調整された。
【0221】
（裁断工程）
上述のようにして得られた積層体を１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、目的とする長尺状の磁気テープ（平均厚み５．４μｍ）が得られた。
上述のようにして得られた積層体を１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、目的とする長尺状の磁気テープ（平均厚み５．４μｍ）が得られた。
【0222】
（熱機械分析装置による測定）
当該磁気テープに対して、「２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）」において説明したとおりに熱機械分析装置による測定を行った。
当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は８０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
当該磁気テープに対して、「２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）」において説明したとおりに熱機械分析装置による測定を行った。
当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は８０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
【0223】
［実施例２］
非磁性支持体をＰＥＴフィルムからポリエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）に変更したこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
非磁性支持体をＰＥＴフィルムからポリエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）に変更したこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
【0224】
［実施例３］
転写工程を行った後の積層体に、幅方向の長さ１／２インチあたり０．１Ｎ以下の張力を長手方向にかけながら１１０℃の条件下で１２０秒間走行させる低張力熱処理工程を行ったこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は１００℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１１０℃であった。
転写工程を行った後の積層体に、幅方向の長さ１／２インチあたり０．１Ｎ以下の張力を長手方向にかけながら１１０℃の条件下で１２０秒間走行させる低張力熱処理工程を行ったこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は１００℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１１０℃であった。
【0225】
［実施例４］
熱履歴緩和処理工程における温度を６０℃に設定し、処理時間を７２時間に設定したこと以外は実施例３と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は１１０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１２０℃であった。
熱履歴緩和処理工程における温度を６０℃に設定し、処理時間を７２時間に設定したこと以外は実施例３と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は１１０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１２０℃であった。
【0226】
［実施例５］
熱履歴緩和処理工程における温度を７５℃に設定し、処理時間を４８時間に設定したこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１１０℃であった。
熱履歴緩和処理工程における温度を７５℃に設定し、処理時間を４８時間に設定したこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１１０℃であった。
【0227】
［実施例６］
熱履歴緩和処理工程における温度を６０℃に設定し、処理時間を７２時間に設定したこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定結果に基づくグラフが、図１２に示されている。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１２０℃であった。
熱履歴緩和処理工程における温度を６０℃に設定し、処理時間を７２時間に設定したこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定結果に基づくグラフが、図１２に示されている。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１２０℃であった。
【0228】
［実施例７］
実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
【0229】
［実施例８］
実施例３と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は１００℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１１０℃であった。
実施例３と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は１００℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１１０℃であった。
【0230】
［実施例９］
実施例３と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は１００℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１１０℃であった。
実施例３と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は１００℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１１０℃であった。
【0231】
［実施例１０］
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からストロンチウムフェライト粒子の粉末に変更したこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からストロンチウムフェライト粒子の粉末に変更したこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
【0232】
［実施例１１］
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からε酸化鉄ナノ粒子の粉末に変更したこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを得た。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からε酸化鉄ナノ粒子の粉末に変更したこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを得た。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
【0233】
［実施例１２］
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からコバルトフェライト粒子の粉末に変更したこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを得た。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
磁性層に含まれる磁性粉をバリウムフェライト粒子の粉末からコバルトフェライト粒子の粉末に変更したこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを得た。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
【0234】
［実施例１３］
実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
実施例２と同じ方法で磁気テープを製造した。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は９０℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は１００℃であった。
【0235】
［比較例１］
非磁性支持体をＰＥＴフィルムからＡＲＡＭＩＤフィルムに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定によって得られたグラフが、図１２に示されている。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度、及び、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は検出されなかった。
非磁性支持体をＰＥＴフィルムからＡＲＡＭＩＤフィルムに変更したこと以外は実施例１と同じ方法で磁気テープを得た。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定によって得られたグラフが、図１２に示されている。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度、及び、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は検出されなかった。
【0236】
［比較例２］
熱履歴緩和処理工程を行わなかったこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを得た。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は５５℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は７０℃であった。
熱履歴緩和処理工程を行わなかったこと以外は実施例２と同じ方法で磁気テープを得た。
当該磁気テープに対して、実施例１と同じように熱機械分析装置による測定を行った。当該測定の結果、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度は５５℃であった。また、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度は７０℃であった。
【0237】
（２）評価
（長手方向の収縮率及び幅方向の収縮率の評価）
上記（１）において製造された実施例１～１３及び比較例１～２の磁気テープについて、長手方向の収縮率及び幅方向の収縮率を測定した。長手方向の収縮率及び幅方向の収縮率の測定は、「２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）」にて説明した測定方法により行われた。測定結果は下記表２に示されている。
（長手方向の収縮率及び幅方向の収縮率の評価）
上記（１）において製造された実施例１～１３及び比較例１～２の磁気テープについて、長手方向の収縮率及び幅方向の収縮率を測定した。長手方向の収縮率及び幅方向の収縮率の測定は、「２．本技術の実施形態（塗布型の磁気記録媒体の例）」にて説明した測定方法により行われた。測定結果は下記表２に示されている。
【0238】
（長期保存による再生への影響の評価）
実施例１～１３及び比較例１～２の磁気テープをカートリッジケース内に設けられたリールに巻き付けて、磁気記録カートリッジを得た。当該磁気テープの全長にサーボ信号を記録し、そして、情報を記録した。当該サーボ信号は、ハの字の磁気パターンの列からなるものであった。各磁気記録カートリッジにおける記録トラック幅が、表２に示されている。
次に、実施例１～１３及び比較例１～２の磁気記録カートリッジのそれぞれを、磁気記録再生装置により全長再生した。各磁気記録カートリッジの全長再生において用いた再生ヘッドの再生トラック幅が、表２に示されている。また、各磁気記録カートリッジの（再生トラック幅／記録トラック幅）の比も同表に示されている。
その後、各磁気記録カートリッジを３５℃６０％環境下で２０日間保存した。当該保存後、各磁気記録カートリッジを、上記と同じように全長再生した。
当該保存前後で全長再生に要する時間の差に基づき、各磁気記録カートリッジの磁気テープを以下の基準により評価した。評価結果が表２に示されている。
＜評価基準＞
１：全長再生においてリトライが発生しない、又は、全長再生においてリトライが発生するが、保存前の全長再生に要する時間に比べ、保存後の全長再生に要する時間が１．０２倍未満である。
２：全長再生においてリトライが発生し、これにより保存前の全長再生に要する時間に比べ、保存後の全長再生に要する時間が１．０２倍以上１．１倍未満である。
３：全長再生においてリトライが発生し、これにより保存前の全長再生に要する時間に比べ、保存後の全長再生に要する時間が１．１倍以上１．２倍未満である。
４：全長再生においてリトライが多発し、これにより保存前の全長再生に要する時間に比べ保存後の全長再生に要する時間が１．２倍以上になる。
５：全長再生においてフェイル（エラーによる再生停止）が発生し、全長再生できない。
実施例１～１３及び比較例１～２の磁気テープをカートリッジケース内に設けられたリールに巻き付けて、磁気記録カートリッジを得た。当該磁気テープの全長にサーボ信号を記録し、そして、情報を記録した。当該サーボ信号は、ハの字の磁気パターンの列からなるものであった。各磁気記録カートリッジにおける記録トラック幅が、表２に示されている。
次に、実施例１～１３及び比較例１～２の磁気記録カートリッジのそれぞれを、磁気記録再生装置により全長再生した。各磁気記録カートリッジの全長再生において用いた再生ヘッドの再生トラック幅が、表２に示されている。また、各磁気記録カートリッジの（再生トラック幅／記録トラック幅）の比も同表に示されている。
その後、各磁気記録カートリッジを３５℃６０％環境下で２０日間保存した。当該保存後、各磁気記録カートリッジを、上記と同じように全長再生した。
当該保存前後で全長再生に要する時間の差に基づき、各磁気記録カートリッジの磁気テープを以下の基準により評価した。評価結果が表２に示されている。
＜評価基準＞
１：全長再生においてリトライが発生しない、又は、全長再生においてリトライが発生するが、保存前の全長再生に要する時間に比べ、保存後の全長再生に要する時間が１．０２倍未満である。
２：全長再生においてリトライが発生し、これにより保存前の全長再生に要する時間に比べ、保存後の全長再生に要する時間が１．０２倍以上１．１倍未満である。
３：全長再生においてリトライが発生し、これにより保存前の全長再生に要する時間に比べ、保存後の全長再生に要する時間が１．１倍以上１．２倍未満である。
４：全長再生においてリトライが多発し、これにより保存前の全長再生に要する時間に比べ保存後の全長再生に要する時間が１．２倍以上になる。
５：全長再生においてフェイル（エラーによる再生停止）が発生し、全長再生できない。
【0239】
（ＳＮＲの評価）
さらに、実施例１～１３及び比較例１～２の磁気テープについてＳＮＲを評価した。評価結果は下記表２に示されている。ＳＮＲの評価方法は以下のとおりであった。
まず、記録／再生ヘッド及び記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。ＳＮＲについて、実施例１の値を基準として、それよりもＳＮＲが上昇したか又は低下したかという相対的な評価を行った。
Y. Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”, IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
さらに、実施例１～１３及び比較例１～２の磁気テープについてＳＮＲを評価した。評価結果は下記表２に示されている。ＳＮＲの評価方法は以下のとおりであった。
まず、記録／再生ヘッド及び記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。ＳＮＲについて、実施例１の値を基準として、それよりもＳＮＲが上昇したか又は低下したかという相対的な評価を行った。
Y. Okazaki: ”An Error Rate Emulation System.”, IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
【0240】
【表1】
【0241】
【表2】
【0242】
表２に示される結果より、以下のことが分かる。
【0243】
実施例１～１３の磁気テープはいずれも、長期保存による再生への影響の評価結果が１～３であった。すなわち、実施例１～１３の磁気テープは、長期保存によって全長再生に要する時間が多少増加するが、全長再生することができた。一方で、比較例１の磁気テープはリトライが多発し、比較例２の磁気テープは全長再生ができなかった。
【0244】
また、実施例１～１３の結果と比較例１及び２の結果を比較すると、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が８０℃以上であり、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が１００℃以上であることによって、長期保存による再生への影響を低減することができるとわかる。
【0245】
そして、実施例１～１３の結果と比較例１及び２の結果を比較すると、ポアソン比が０．４０以下、好ましくは０．３８以下であることによって、長期保存による再生への影響を低減することができるとわかる。
【0246】
そして、実施例１～１３の結果と比較例１及び２の結果を比較すると、幅方向の収縮率が０．０６％以下であることによって、長期保存による再生への影響を低減することができるとわかる。
【0247】
さらに、実施例１０～１２の磁気テープは、実施例２と磁性粉の種類が異なるが、実施例２と同程度の収縮率、全長再生評価結果、及びＳＮＲが得られた。そのため、磁性粉の種類を変更しても、本技術の効果が奏されることが分かる。
【0248】
実施例２、８及び１３を比較すると、実施例２は、実施例８及び１３よりもＳＮＲの評価結果が良好であった。そのため、（再生トラック幅／記録トラック幅）の比を、例えば０．５６以上、好ましくは０．６０以上とすることで、記録再生特性が向上されると考えられる。
【0249】
また、実施例３、８及び９を比較すると、実施例３は、実施例８及び９よりも、長期保存後の全長再生の評価結果が良好であった。そのため、（再生トラック幅／記録トラック幅）の比を、例えば０．８０以下、好ましくは０．７５以下、より好ましくは０．７０以下とすることで、長期保存による再生への影響を低減することができると考えられる。
【0250】
また、実施例１～１３と比較例１及び２の結果の比較から、長手方向の収縮率が、例えば０．１０％以下、好ましくは０．０８％以下であることが、本技術の効果を奏するために好ましいと考えられる。また、幅方向の収縮率が、例えば０．０６％以下、好ましくは０．０５％以下であることも、本技術の効果を奏するために好ましいと考えられる。
【0251】
以上、本技術の実施形態及び実施例について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態及び実施例に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
【0252】
例えば、上述の実施形態及び実施例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等を用いてもよい。また、化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。
【0253】
また、上述の実施形態及び実施例の構成、方法、工程、形状、材料、及び数値等は、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【0254】
また、本明細書において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書に段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。本明細書に例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0255】
なお、本技術は、以下のような構成をとることもできる。
〔１〕
磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
磁気記録媒体の平均厚みｔＴが５．４μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体に対して、４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上であり、且つ、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上であり、且つ、
ポアソン比が０．４０以下である、
テープ状の磁気記録媒体。
〔２〕
前記磁気記録媒体の平均厚みｔＴが５．３μｍ以下である、〔１〕に記載の磁気記録媒体。
〔３〕
前記ポアソン比が０．３８以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔４〕
前記ベース層が、ＰＥＴ及びＰＥＮのうちのいずれかから形成されている、〔１〕～〔３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔５〕
前記ベース層の厚みが、４．２μｍ以下である、〔１〕～〔４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔６〕
前記ベース層の厚みが、４．０μｍ以下である、〔１〕～〔５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔７〕
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上である、〔１〕～〔６〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔８〕
前記磁気記録媒体の幅方向の収縮率が、－０．０３５％以上である、〔１〕～〔７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔９〕
前記磁性層の平均厚みｔｍが８０ｎｍ以下である、〔１〕～〔８〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１０〕
前記磁性層の平均厚みｔｍが５０ｎｍ以下である、〔１〕～〔９〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１１〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含む、〔１〕～〔１０〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１２〕
前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含む、〔１１〕に記載の磁気記録媒体。
〔１３〕
前記磁気記録媒体の長手方向における保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下である、〔１〕～〔１２〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１４〕
前記磁性層は、磁化反転間距離Ｌの最小値が４８ｎｍ以下となるようにデータを記録可能に構成されている、〔１〕～〔１３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１５〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下である、〔１〕～〔１４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１６〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下である、〔１〕～〔１５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１７〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子体積が１５００ｎｍ３以下である、〔１〕～〔１６〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１８〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子体積が１３００ｎｍ３以下である、〔１〕～〔１７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１９〕
〔１〕～〔１８〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体を含む、
テープカートリッジ。
〔２０〕
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む、
〔１９〕に記載のテープカートリッジ。
〔２１〕
ベース層の一方の面に下地層及び磁性層を形成し且つ他方の面にバック層を形成して積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体形成工程において得られた積層体を、５０℃以上８０℃以下の条件下で１０時間以上１００時間以下保存する熱履歴緩和処理工程と、を含み、
前記熱履歴緩和処理工程を経て磁気記録媒体が製造され、
前記磁気記録媒体の平均厚みｔＴが５．４μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体に対して４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上であり、且つ、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上であり、且つ、
前記磁気記録媒体のポアソン比が０．４０以下である、
テープ状の磁気記録媒体の製造方法。
〔２２〕
前記熱履歴緩和処理工程が、前記積層体に、幅方向の長さ１／２インチあたり０．１Ｎ以下の張力を長手方向にかけながら８０℃以上１５０℃以下の条件下で１５秒以上２４０秒以下走行させる低張力熱処理工程を含む、
〔２１〕に記載の製造方法。
〔１〕
磁性層、下地層、ベース層、及びバック層を含み、
磁気記録媒体の平均厚みｔＴが５．４μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体に対して、４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上であり、且つ、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上であり、且つ、
ポアソン比が０．４０以下である、
テープ状の磁気記録媒体。
〔２〕
前記磁気記録媒体の平均厚みｔＴが５．３μｍ以下である、〔１〕に記載の磁気記録媒体。
〔３〕
前記ポアソン比が０．３８以下である、〔１〕又は〔２〕に記載の磁気記録媒体。
〔４〕
前記ベース層が、ＰＥＴ及びＰＥＮのうちのいずれかから形成されている、〔１〕～〔３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔５〕
前記ベース層の厚みが、４．２μｍ以下である、〔１〕～〔４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔６〕
前記ベース層の厚みが、４．０μｍ以下である、〔１〕～〔５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔７〕
前記磁気記録媒体の垂直方向における角形比が６５％以上である、〔１〕～〔６〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔８〕
前記磁気記録媒体の幅方向の収縮率が、－０．０３５％以上である、〔１〕～〔７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔９〕
前記磁性層の平均厚みｔｍが８０ｎｍ以下である、〔１〕～〔８〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１０〕
前記磁性層の平均厚みｔｍが５０ｎｍ以下である、〔１〕～〔９〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１１〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉が六方晶フェライト、ε酸化鉄、又はＣｏ含有スピネルフェライトを含む、〔１〕～〔１０〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１２〕
前記六方晶フェライトが、Ｂａ及びＳｒのうちの少なくとも１種を含み、且つ、前記ε酸化鉄が、Ａｌ及びＧａのうちの少なくとも１種を含む、〔１１〕に記載の磁気記録媒体。
〔１３〕
前記磁気記録媒体の長手方向における保磁力Ｈｃが２０００Ｏｅ以下である、〔１〕～〔１２〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１４〕
前記磁性層は、磁化反転間距離Ｌの最小値が４８ｎｍ以下となるようにデータを記録可能に構成されている、〔１〕～〔１３〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１５〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．５以下である、〔１〕～〔１４〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１６〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子サイズが５０ｎｍ以下である、〔１〕～〔１５〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１７〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子体積が１５００ｎｍ３以下である、〔１〕～〔１６〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１８〕
前記磁性層が磁性粉を含み、当該磁性粉の平均粒子体積が１３００ｎｍ３以下である、〔１〕～〔１７〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
〔１９〕
〔１〕～〔１８〕のいずれか一つに記載の磁気記録媒体を含む、
テープカートリッジ。
〔２０〕
記録再生装置と通信を行う通信部と、
記憶部と、
通信部を介して記録再生装置から受信した情報を記憶部に記憶し、かつ、記録再生装置の要求に応じて、記憶部から情報を読み出し、通信部を介して記録再生装置に送信する制御部と、を備え、
前記情報は、磁気記録媒体の長手方向にかかるテンションを調整するための調整情報を含む、
〔１９〕に記載のテープカートリッジ。
〔２１〕
ベース層の一方の面に下地層及び磁性層を形成し且つ他方の面にバック層を形成して積層体を形成する積層体形成工程と、
前記積層体形成工程において得られた積層体を、５０℃以上８０℃以下の条件下で１０時間以上１００時間以下保存する熱履歴緩和処理工程と、を含み、
前記熱履歴緩和処理工程を経て磁気記録媒体が製造され、
前記磁気記録媒体の平均厚みｔＴが５．４μｍ以下であり、
前記磁気記録媒体に対して４０℃～１５０℃の温度範囲について昇温速度１℃／分での熱機械分析が行われた場合に、熱膨張から熱収縮へ切り替わる切り替わり温度が７０℃以上であり、且つ、長手方向の長さが４０℃での長さよりも短くなる収縮開始温度が９０℃以上であり、且つ、
前記磁気記録媒体のポアソン比が０．４０以下である、
テープ状の磁気記録媒体の製造方法。
〔２２〕
前記熱履歴緩和処理工程が、前記積層体に、幅方向の長さ１／２インチあたり０．１Ｎ以下の張力を長手方向にかけながら８０℃以上１５０℃以下の条件下で１５秒以上２４０秒以下走行させる低張力熱処理工程を含む、
〔２１〕に記載の製造方法。
【符号の説明】
【0256】
１０ 磁気記録媒体
１１ ベース層
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層
１１ ベース層
１２ 下地層
１３ 磁性層
１４ バック層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
