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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-16
(45)【発行日】2024-07-24
(54)【発明の名称】磁性粒子およびその製造方法、ならびに磁心およびコイル部品
(51)【国際特許分類】
H01F 1/24 20060101AFI20240717BHJP
H01F 1/26 20060101ALI20240717BHJP
H01F 27/255 20060101ALI20240717BHJP
H01F 17/04 20060101ALI20240717BHJP
B22F 1/102 20220101ALI20240717BHJP
B22F 3/00 20210101ALI20240717BHJP
B22F 1/00 20220101ALI20240717BHJP
H01F 1/22 20060101ALN20240717BHJP
【ＦＩ】
H01F1/24
H01F1/26
H01F27/255
H01F17/04 F
B22F1/102 100
B22F3/00 B
B22F1/00 Y
H01F1/22
【請求項の数】
19
(21)【出願番号】P 2022011023
(22)【出願日】2022-01-27
(65)【公開番号】P2022119737
(43)【公開日】2022-08-17
【審査請求日】2023-08-10
(31)【優先権主張番号】P 2021016771
(32)【優先日】2021-02-04
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000006231
【氏名又は名称】株式会社村田製作所
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100221501
【弁理士】
【氏名又は名称】式見 真行
(74)【代理人】
【識別番号】100197583
【弁理士】
【氏名又は名称】高岡 健
(72)【発明者】
【氏名】税所 亮太
(72)【発明者】
【氏名】久保田 博信
【審査官】後藤 嘉宏
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２０１８／１３１５３６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１９－１０４９５４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００９－１５５５４５（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｆ １／２４
Ｈ０１Ｆ １／２６
Ｈ０１Ｆ ２７／２５５
Ｈ０１Ｆ １７／０４
Ｂ２２Ｆ １／１０２
Ｂ２２Ｆ ３／００
Ｂ２２Ｆ １／００
Ｈ０１Ｆ １／２２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
金属磁性体のコアと、前記コアの表面を被覆する被膜とを有する磁性粒子であって、前記被膜は、
金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つも含まない第１金属アルコキシド；および
金属原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上含む第２金属アルコキシド
を用いた反応生成物を含有し、
前記第１金属アルコキシドは以下の一般式（１）で表される化合物、またはその混合物であり、
前記第２金属アルコキシドは、Ｓｉ原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上有する化合物である、磁性粒子：
【化1】
ｘはＭ １ の価数であって、１～４の整数である；
Ｒ １ は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基または－Ｃ（Ｒ ２ ）＝ＣＨ－ＣＯ－Ｒ ３ （式中、Ｒ ２ は炭素原子数１～１０のアルキル基であり、Ｒ ３ は炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数１～３０のアルキルオキシ基または炭素原子数１～３０のアルケニルオキシ基である）である；Ｒ １ のうち、隣接する２つのＲ １ は、前記アルキル基のとき、互いに結合して、該２つのＲ １ が結合する酸素原子および該酸素原子が結合するＭ １ 原子とともに、１つの環を形成してもよい）。
【請求項2】
前記第２金属アルコキシドは、以下の一般式（２Ａ）で表される化合物、またはその混合物である、請求項１に記載の磁性粒子：【化2】
Ｒ３１は、炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基である）。
【請求項3】
前記一般式（２Ａ）において、Ｒ３１は炭素原子数１～１０の２価炭化水素基である、請求項２に記載の磁性粒子。
【請求項4】
前記一般式（２Ａ）において、Ｒ３１は炭素原子数２～８の２価炭化水素基である、請求項３に記載の磁性粒子。
【請求項5】
前記被膜は、前記第１金属アルコキシドを５重量％以上９５重量％以下、および前記第２金属アルコキシドを５重量％以上９５重量％以下で用いて作製される反応生成物を含み、前記重量比率は、前記第１金属アルコキシドおよび前記第２金属アルコキシドの合計重量を１００重量％としたときの比率である、請求項１～４のいずれかに記載の磁性粒子。
【請求項6】
前記被膜は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の平均厚みを有する、請求項１～５のいずれかに記載の磁性粒子。
【請求項7】
前記金属磁性体がＦｅを含む、請求項１～６のいずれかに記載の磁性粒子。
【請求項8】
前記金属磁性体が、Ｆｅ、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、Ｆｅ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金、またはＦｅ－Ｎｉ合金である、請求項１～６のいずれかに記載の磁性粒子。
【請求項9】
金属磁性体のコア、金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つも含まない第１金属アルコキシド、金属原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上含む第２金属アルコキシドおよび溶媒を混合すること；前記第１金属アルコキシドおよび前記第２金属アルコキシドを加水分解して乾燥することにより、前記金属磁性体のコアおよび前記コアの表面を被覆する被膜を有する磁性粒子を得ること
を含み、
前記第１金属アルコキシドは以下の一般式（１）で表される化合物、またはその混合物であり、
前記第２金属アルコキシドは、Ｓｉ原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上有する化合物である、磁性粒子の製造方法：
【化3】
ｘはＭ １ の価数であって、１～４の整数である；
Ｒ １ は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基または－Ｃ（Ｒ ２ ）＝ＣＨ－ＣＯ－Ｒ ３ （式中、Ｒ ２ は炭素原子数１～１０のアルキル基であり、Ｒ ３ は炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数１～３０のアルキルオキシ基または炭素原子数１～３０のアルケニルオキシ基である）である；Ｒ １ のうち、隣接する２つのＲ １ は、前記アルキル基のとき、互いに結合して、該２つのＲ １ が結合する酸素原子および該酸素原子が結合するＭ １ 原子とともに、１つの環を形成してもよい）。
【請求項10】
前記第２金属アルコキシドは、以下の一般式（２Ａ）で表される化合物、またはその混合物である、請求項９に記載の磁性粒子の製造方法：【化4】
Ｒ３１は、炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基である）。
【請求項11】
前記一般式（２Ａ）において、Ｒ３１は炭素原子数１～１０の２価炭化水素基である、請求項１０に記載の磁性粒子の製造方法。
【請求項12】
前記一般式（２Ａ）において、Ｒ３１は炭素原子数２～８の２価炭化水素基である、請求項１１に記載の磁性粒子の製造方法。
【請求項13】
前記第１金属アルコキシドおよび前記第２金属アルコキシドを混合する際の重量比率は、前記第１金属アルコキシドおよび前記第２金属アルコキシドの合計重量を１００重量％としたとき、前記第２金属アルコキシドの比率が５重量％以上９５重量％以下である、請求項９～１２のいずれかに記載の磁性粒子の製造方法。
【請求項14】
前記被膜は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の平均厚みを有する、請求項９～１３のいずれかに記載の磁性粒子の製造方法。
【請求項15】
前記金属磁性体がＦｅを含む、請求項９～１４のいずれかに記載の磁性粒子の製造方法。
【請求項16】
前記金属磁性体が、Ｆｅ、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、Ｆｅ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金、またはＦｅ－Ｎｉ合金である、請求項９～１４のいずれかに記載の磁性粒子の製造方法。
【請求項17】
請求項１～８のいずれかに記載の磁性粒子を含む、磁心。
【請求項18】
請求項１７の磁心と、該磁心の周囲に巻回されたコイルとを有して成るコイル部品。
【請求項19】
請求項１～８のいずれかに記載の磁性粒子と樹脂とを含む素体と、前記素体に埋め込まれたコイルとを備えるコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、磁性粒子およびその製造方法、ならびに磁性粒子を用いた磁心およびコイル部品にも関する。
【背景技術】
【0002】
様々な電気機器および電子機器において、インダクタ、チョークコイルなどのコイル部品が用いられている。コイル部品は、一般的にコイルと磁心から構成される。近年、電気機器および電子機器の小型化が進んでおり、これに伴い、これらに用いられるコイル部品も小型化が求められている。また、コイル部品は、小型であることに加え、優れた磁気的、電気的および機械的特性を有することが求められることから、磁心は、高透磁率、高磁束密度、低損失、高強度であることが求められる。中でも、高周波領域での使用においては、渦電流損の増加を抑制するために、磁心は高比抵抗であることが求められる。このような要求を満たすために、軟磁性材料を微細な粒子（粉末）とし、各粒子の表面を絶縁被膜で覆って圧縮成形した磁心が知られている。例えば、特許文献１には、表面が炭素で被覆され、さらにケイ素酸化物が主体の金属酸化物で被覆された磁性粒子の粉末を圧縮成形した磁心が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１３－２０９６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、本願の発明者等は、従来の磁心（例えば特許文献１に記載の磁心）では以下の問題が生じることを見出した：
磁性粒子は相互に付着または凝集し易く、圧縮成形時において、十分な充填性を有さないため、得られる磁心の比透磁率は比較的低かった；
被膜は十分な耐破壊性を有さず、圧縮成形時において、破壊され易いため、得られる磁心の比抵抗は比較的低かった。
磁性粒子は相互に付着または凝集し易く、圧縮成形時において、十分な充填性を有さないため、得られる磁心の比透磁率は比較的低かった；
被膜は十分な耐破壊性を有さず、圧縮成形時において、破壊され易いため、得られる磁心の比抵抗は比較的低かった。
【0005】
従って、本発明の目的は、比透磁率および比抵抗がより十分に高い磁心の製造に用いられる磁性粒子およびその製造方法、ならびに当該磁性粒子を用いた磁心およびコイル部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、上記問題を解消すべく鋭意検討した結果、磁心の製造に用いられる磁性材料のコアの表面に、特定の被膜を形成することにより、高比抵抗かつ高比透磁率の磁心を製造できることを見出し、本発明に至った。
【0007】
本発明は、
金属磁性体のコアと、前記コアの表面を被覆する被膜とを有する磁性粒子であって、
前記被膜は、
金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つも含まない第１金属アルコキシド；および
金属原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上含む第２金属アルコキシド
を用いた反応生成物を含有する、磁性粒子に関する。
金属磁性体のコアと、前記コアの表面を被覆する被膜とを有する磁性粒子であって、
前記被膜は、
金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つも含まない第１金属アルコキシド；および
金属原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上含む第２金属アルコキシド
を用いた反応生成物を含有する、磁性粒子に関する。
【0008】
本発明はまた、
金属磁性体のコア、金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つも含まない第１金属アルコキシド、金属原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上含む第２金属アルコキシドおよび溶媒を混合すること；
前記第１金属アルコキシドおよび前記第２金属アルコキシドを加水分解して乾燥することにより、前記金属磁性体のコアおよび前記コアの表面を被覆する被膜を有する磁性粒子を得ること
を含む、磁性粒子の製造方法に関する。
金属磁性体のコア、金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つも含まない第１金属アルコキシド、金属原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上含む第２金属アルコキシドおよび溶媒を混合すること；
前記第１金属アルコキシドおよび前記第２金属アルコキシドを加水分解して乾燥することにより、前記金属磁性体のコアおよび前記コアの表面を被覆する被膜を有する磁性粒子を得ること
を含む、磁性粒子の製造方法に関する。
【発明の効果】
【0009】
本発明の磁性粒子によれば、比透磁率および比抵抗がより十分に高い磁心を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】本発明の磁性粒子のコアと、コアを覆う被膜を示す摸式的な断面図である。
【図2】本発明の磁性粒子における被膜とコアとの界面の主たる結合状態を示す模式的な概念図である。
【図3】本発明の磁性粒子における被膜の主たる構造を示す模式的な概念図である。
【図4】本発明の磁心を用いたコイル部品を示す模式的な正面見取り図である。
【図5】本発明の磁性粒子を用いた別のコイル部品を示す模式的な内部透視斜視図である。
【図6】従来の磁性粒子における被膜の主たる構造を示す模式的概念図である。
【発明を実施するための形態】
【0011】
［磁性粒子］
本発明に係る磁性粒子は、図１に示すように、金属磁性体のコア２と、当該コア２の表面を被覆する被膜３とを有する磁性粒子１である。図１は、本発明の磁性粒子のコアと、コアを覆う被膜を示す摸式的な断面図である。
本発明に係る磁性粒子は、図１に示すように、金属磁性体のコア２と、当該コア２の表面を被覆する被膜３とを有する磁性粒子１である。図１は、本発明の磁性粒子のコアと、コアを覆う被膜を示す摸式的な断面図である。
【0012】
コアとは、金属磁性体の粒子のことであり、その表面を被膜により被覆されている。金属磁性体としては、特に限定されないが、軟磁性材料、特に鉄を含む軟磁性材料が好ましい。軟磁性材料を用いることにより、高い磁束密度および高い透磁率を有する磁心を得ることができる。
【0013】
鉄を含む軟磁性材料としては、特に限定されないが、例えば、鉄、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｎｉ合金、Ｆｅ－Ｃｏ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金等が挙げられる。
【0014】
金属磁性体のコアの平均粒子径は、特に限定されず、例えば、０．０１μｍ以上３００μｍ以下であってもよく、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは０．５μｍ以上２００μｍ以下、より好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下であり得る。
【0015】
平均粒子径はＤ５０を用いている。Ｄ５０は、体積基準で粒度分布を求め、全体積を１００％とした累積曲線において、累積値が５０％となる点の粒径のことである。
【0016】
本明細書中、平均粒子径はＨＥＬＯＳ（Ｈ３１９０）＆ＲＯＤＯＳ(Ｓｙｍｐａｔｅｃ製)により測定された値を用いている。
【0017】
被膜３は、コア２と対比させて、「シェル」とも称され得る層であり、通常は電気絶縁被膜である。被膜は、金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つも含まない第１金属アルコキシドおよび金属原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上含む第２金属アルコキシドの反応生成物を含有し、例えば、第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドの反応生成物により構成されていてもよい。反応生成物は通常、ゾル－ゲル反応生成物のことである。
【0018】
被膜は、詳しくは、上記金属アルコキシドの各々から形成された複数の層が積層されたものではなく、上記金属アルコキシド混合物の反応物から形成された網の目構造（単層構造）を有している。第１金属アルコキシドは、反応性が比較的高く、図２に示すように、被膜３とコア２との界面において、主として、被膜３をコア２と比較的強固な結合により定着させる。他方、第２金属アルコキシドは、密な網の目構造の形成を防止し、被膜３を、応力緩和性（または柔軟性）を有する適度に粗な網の目構造にて形成するとともに、被膜表面に滑り性を付与する。より詳しくは、例えば、第２金属アルコキシドが後述の一般式（２Ａ）で表される化合物である場合、被膜３が有する「応力緩和性（または柔軟性）」、「適度に粗な網目構造」および「滑り性」は、図３に示すように、第２金属アルコキシドが有する２価の炭化水素基４により提供されるものと考えられる。例えば、被膜が「応力緩和性（または柔軟性）」および「適度に粗な網目構造」を有すると、当該被膜は十分な耐破壊性を有し、圧縮成形によっても破壊され難いため、得られる磁心はより十分に高い比抵抗を有し得る。また例えば、被膜が「滑り性」を有すると、磁性粒子は相互に付着または凝集し難く、圧縮成形時において、十分な充填性を有するため、得られる磁心はより十分に高い比透磁率を有し得る。しかも、第２金属アルコキシドは被膜中、第１金属アルコキシドと化学結合（詳しくは共有結合）しつつ含まれるため、単なるブレンドにより含まれる添加剤とは異なり、時間の経過または環境の変化によっても、被膜からその外部に滲出し難い。このため、本発明で得られる、より十分に高い比透磁率および比抵抗は、時間の経過または環境の変化によっても、継続して得ることができる。被膜が第２金属アルコキシド由来の成分を含まない場合、例えば図６に示すように、被膜は、比較的密な網の目構造となり、「応力緩和性（または柔軟性）」も「滑り性」も有さないため、比透磁率および比抵抗は低下する。図２は、本発明の磁性粒子における被膜とコアとの界面の主たる結合状態を示す模式的な概念図である。図３は、本発明の磁性粒子における被膜の主たる構造を示す模式的な概念図である。図６は、従来の磁性粒子における被膜の主たる構造を示す模式的概念図である。図３に示すように、被膜３は、炭素原子と結合していない金属原子および炭素原子と結合している金属原子を含む。
なお、被膜３はコア２の表面に直接接触していてもよく、被膜３とコア２の間に絶縁性の被膜が別途配置されていてもよい。
なお、被膜３はコア２の表面に直接接触していてもよく、被膜３とコア２の間に絶縁性の被膜が別途配置されていてもよい。
【0019】
第１金属アルコキシドは、金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つも含まない金属アルコキシドであり、当該金属が有する全ての手がアルコキシ基（－ＯＲ１）と結合した金属アルコキシドである。金属原子－炭素原子結合とは金属原子と炭素原子との直接的な共有結合のことである。金属原子－炭素原子結合における炭素原子とは、１価の炭化水素基（例えば、アルキル基およびアルケニル基）を構成する炭素原子または２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基）を構成する炭素原子のことである。第１金属アルコキシドはこのような金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つも有さない。
【0020】
第１金属アルコキシドは、詳しくは、以下の一般式（１）で表される化合物またはその混合物である。
【0021】
【化1】
【0022】
式（１）中、Ｍ１は、金属原子であって、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＡｌまたはＺｒであり、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、ＡｌまたはＺｒである。さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくはＳｉ、ＴｉまたはＡｌであり、より好ましくはＳｉまたはＡｌであり、さらに好ましくはＳｉである。
ｘはＭ１の価数であって、１～４の整数、好ましくは３または４である。Ｍ１がＳｉ、ＴｉまたはＺｒのとき、ｘは４である。Ｍ１がＡｌのとき、ｘは３である。
Ｒ１は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基または一般式：－Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ－ＣＯ－Ｒ３で表される基（式中、Ｒ２およびＲ３は、後述の通りである）であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基である。Ｒ１としてのアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。ｘの数に応じた単数または複数のＲ１について、全てのＲ１は、それぞれ独立して、上記アルキル基から選択されてもよいし、または全てのＲ１は、上記アルキル基から選択された相互に同じ基であってもよい。
Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基である。Ｒ２としてのアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基が挙げられる。
Ｒ３は炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数１～３０のアルキルオキシ基または炭素原子数１～３０のアルケニルオキシ基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～２０（より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～５）のアルキル基、炭素原子数１０～３０（特に１４～２４）のアルキルオキシ基、または炭素原子数１０～３０（特に１４～２４）のアルケニルオキシ基である。Ｒ３としての好ましいアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基、ならびにウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、ミリスチル基、ペンタデシル基、セチル基、ヘプタデシル基、ステアリル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。Ｒ３としてのアルキルオキシ基としては、例えば、式：－Ｏ－ＣｐＨ２ｐ＋１（式中、ｐは１～３０の整数である）で表される基が挙げられる。Ｒ３としてのアルケニルオキシ基としては、例えば、式：－Ｏ－ＣｑＨ２ｑ－１（式中、ｑは１～３０の整数である）で表される基が挙げられる。
ｘはＭ１の価数であって、１～４の整数、好ましくは３または４である。Ｍ１がＳｉ、ＴｉまたはＺｒのとき、ｘは４である。Ｍ１がＡｌのとき、ｘは３である。
Ｒ１は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基または一般式：－Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ－ＣＯ－Ｒ３で表される基（式中、Ｒ２およびＲ３は、後述の通りである）であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基である。Ｒ１としてのアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。ｘの数に応じた単数または複数のＲ１について、全てのＲ１は、それぞれ独立して、上記アルキル基から選択されてもよいし、または全てのＲ１は、上記アルキル基から選択された相互に同じ基であってもよい。
Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基である。Ｒ２としてのアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基が挙げられる。
Ｒ３は炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数１～３０のアルキルオキシ基または炭素原子数１～３０のアルケニルオキシ基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～２０（より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～５）のアルキル基、炭素原子数１０～３０（特に１４～２４）のアルキルオキシ基、または炭素原子数１０～３０（特に１４～２４）のアルケニルオキシ基である。Ｒ３としての好ましいアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基、ならびにウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、ミリスチル基、ペンタデシル基、セチル基、ヘプタデシル基、ステアリル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。Ｒ３としてのアルキルオキシ基としては、例えば、式：－Ｏ－ＣｐＨ２ｐ＋１（式中、ｐは１～３０の整数である）で表される基が挙げられる。Ｒ３としてのアルケニルオキシ基としては、例えば、式：－Ｏ－ＣｑＨ２ｑ－１（式中、ｑは１～３０の整数である）で表される基が挙げられる。
【0023】
式（１）中、複数のＲ１のうち、隣接する２つのＲ１は、アルキル基のとき、互いに結合して、当該２つのＲ１が結合する酸素原子および該酸素原子が結合するＭ１原子とともに、１つの環（例えば５～８員環、特に６員環）を形成してもよい。隣接する２つのＲ１が互いに結合してなる１つの環として、例えば、一般式（１Ｘ）で表される６員環が挙げられる。
【0024】
【化2】
【0025】
式（１Ｘ）中、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ独立して、水素原子または炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは水素原子または炭素原子数１～５のアルキル基である。Ｒ４、Ｒ５およびＲ６の合計炭素原子数は通常、０～１２であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２～８である。式（１Ｘ）中、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６としてのアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基が挙げられる。
【0026】
第１金属アルコキシドとして、例えば、以下の一般式（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｂ'）、（１Ｃ）および（１Ｄ）で表される化合物が挙げられる。第１金属アルコキシドは、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは一般式（１Ａ）、（１Ｂ）、（１Ｃ）または（１Ｄ）で表される化合物またはそれらの混合物であり、より好ましくは一般式（１Ａ）、（１Ｂ）または（１Ｃ）で表される化合物またはそれらの混合物であり、さらに好ましくは一般式（１Ａ）または（１Ｃ）で表される化合物またはそれらの混合物であり、特に好ましくは一般式（１Ａ）で表される化合物またはそれらの混合物である。
【0027】
【化3】
【0028】
式（１Ａ）中、Ｒ１は、それぞれ独立して、式（１）におけるＲ１と同様のＲ１である。Ｒ１は、それぞれ独立して、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０、より好ましくは１～５のアルキル基である。
【0029】
このような一般式で表される化合物（１Ａ）の具体例を以下の表に示す。
【表1】
【0030】
【化4】
【0031】
式（１Ｂ）中、Ｒ１は、それぞれ独立して、式（１）におけるＲ１と同様のＲ１である。Ｒ１は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、それぞれ独立して、好ましくは炭素原子数１～１０のアルキル基または前記した一般式：－Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ－ＣＯ－Ｒ３で表される基（式中、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ、一般式（１）で説明したＲ２およびＲ３と同様である）であり、より好ましくは炭素原子数１～１０（特に１～５）のアルキル基である。
式（１Ｂ）において、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、以下の基であることが好ましい。Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基である。Ｒ２としてのアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基が挙げられる。Ｒ３は炭素原子数１～３０のアルキル基であり、好ましくは炭素原子数１～２０（より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～５）のアルキル基である。Ｒ３としての好ましいアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基、ならびにウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、ミリスチル基、ペンタデシル基、セチル基、ヘプタデシル基、ステアリル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。
式（１Ｂ）において、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、以下の基であることが好ましい。Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基である。Ｒ２としてのアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基が挙げられる。Ｒ３は炭素原子数１～３０のアルキル基であり、好ましくは炭素原子数１～２０（より好ましくは１～１０、さらに好ましくは１～５）のアルキル基である。Ｒ３としての好ましいアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基、ならびにウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、ミリスチル基、ペンタデシル基、セチル基、ヘプタデシル基、ステアリル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。
【0032】
このような一般式で表される化合物（１Ｂ）の具体例を以下の表に示す。
【表2】
【0033】
【化5】
【0034】
式（１Ｂ’）中、Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６は、それぞれ独立して、水素原子、または炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基である。Ｒａ１、Ｒａ２、Ｒａ３、Ｒａ４、Ｒａ５およびＲａ６としてのアルキル基は、Ｒ１としてのアルキル基と同様である。
【0035】
このような一般式で表される化合物（１Ｂ’）の具体例を以下の表に示す。
【表3】
【0036】
【化6】
【0037】
式（１Ｃ）中、Ｒ１は、それぞれ独立して、式（１）におけるＲ１と同様のＲ１である。Ｒ１は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、それぞれ独立して、好ましくは炭素原子数１～１０のアルキル基または前記した一般式：－Ｃ（Ｒ２）＝ＣＨ－ＣＯ－Ｒ３で表される基（式中、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ、一般式（１）で説明したＲ２およびＲ３と同様である）であり、より好ましくは炭素原子数１～１０（特に１～５）のアルキル基である。
式（１Ｃ）において、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、以下の基であることが好ましい。Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基である。Ｒ２としてのアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基が挙げられる。Ｒ３は炭素原子数１～３０のアルキルオキシ基または炭素原子数１～３０のアルケニルオキシ基であり、好ましくは炭素原子数１０～３０（特に１４～２４）のアルキルオキシ基、または炭素原子数１０～３０（特に１４～２４）のアルケニルオキシ基である。Ｒ３としてのアルキルオキシ基としては、例えば、式：－Ｏ－ＣｐＨ２ｐ＋１（式中、ｐは１～３０の整数である）で表される基が挙げられる。Ｒ３としてのアルケニルオキシ基としては、例えば、式：－Ｏ－ＣｑＨ２ｑ－１（式中、ｑは１～３０の整数である）で表される基が挙げられる。
式（１Ｃ）において、Ｒ２およびＲ３はそれぞれ、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、以下の基であることが好ましい。Ｒ２は、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基である。Ｒ２としてのアルキル基としては、Ｒ１としてのアルキル基と同様のアルキル基が挙げられる。Ｒ３は炭素原子数１～３０のアルキルオキシ基または炭素原子数１～３０のアルケニルオキシ基であり、好ましくは炭素原子数１０～３０（特に１４～２４）のアルキルオキシ基、または炭素原子数１０～３０（特に１４～２４）のアルケニルオキシ基である。Ｒ３としてのアルキルオキシ基としては、例えば、式：－Ｏ－ＣｐＨ２ｐ＋１（式中、ｐは１～３０の整数である）で表される基が挙げられる。Ｒ３としてのアルケニルオキシ基としては、例えば、式：－Ｏ－ＣｑＨ２ｑ－１（式中、ｑは１～３０の整数である）で表される基が挙げられる。
【0038】
このような一般式で表される化合物（１Ｃ）の具体例を以下の表に示す。
【0039】
【表4】
【0040】
【化7】
【0041】
式（１Ｄ）中、Ｒ１は、それぞれ独立して、式（１）におけるＲ１と同様のＲ１である。Ｒ１は、それぞれ独立して、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０、より好ましくは１～５のアルキル基である。
【0042】
このような一般式で表される化合物（１Ｄ）の具体例を以下の表に示す。
【0043】
【表5】
【0044】
一般式（１）で表される化合物（１）は、市販品として入手することもできるし、または公知の方法により製造することもできる。
例えば、化合物（１Ａ）は、市販品であるオルトケイ酸テトラエチル（東京化成工業社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（１Ｂ）は、市販品であるオルトチタン酸テトラブチル（東京化成工業社製）、チタンテトライソプロポキシド（東京化成工業社製）、Ｔ－５０（日本曹達社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（１Ｂ’）は、市販品であるＴＯＧ（日本曹達社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（１Ｃ）は、市販品であるアルミニウムトリイソプロポキシド（関東化学社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（１Ｄ）は、市販品であるジルコニウム（ＩＶ）テトラブトキシド（商品名ＴＢＺＲ、日本曹達社製）、ジルコニウムテトライソプロポキシド（東京化成工業社製）、ＺＲ－１８１（日本曹達社製）として入手することができる。
例えば、化合物（１Ａ）は、市販品であるオルトケイ酸テトラエチル（東京化成工業社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（１Ｂ）は、市販品であるオルトチタン酸テトラブチル（東京化成工業社製）、チタンテトライソプロポキシド（東京化成工業社製）、Ｔ－５０（日本曹達社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（１Ｂ’）は、市販品であるＴＯＧ（日本曹達社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（１Ｃ）は、市販品であるアルミニウムトリイソプロポキシド（関東化学社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（１Ｄ）は、市販品であるジルコニウム（ＩＶ）テトラブトキシド（商品名ＴＢＺＲ、日本曹達社製）、ジルコニウムテトライソプロポキシド（東京化成工業社製）、ＺＲ－１８１（日本曹達社製）として入手することができる。
【0045】
被膜３（すなわち当該被膜を構成する反応物）を得るために必要な第１金属アルコキシドの配合量は通常、配合する金属アルコキシドの全重量（例えば第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドの全重量）に対して、５重量％以上９５重量％以下であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２０重量％以上８０重量％以下であり、より好ましくは３０重量％以上８０重量％以下であり、さらに好ましくは４０重量％以上８０重量％以下であり、特に好ましくは５０重量％以上７５重量％以下である。なお、上記重量比率（重量％）は、第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドの合計重量を１００重量％としたときの比率である。被膜は２種以上の第１金属アルコキシドを用いて作製されてもよく、その場合、それらの合計量が上記範囲内であればよい。被膜３を得るために必要な第１金属アルコキシドの配合量は、第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドの全配合量に対する第１金属アルコキシドの配合量の割合であってもよい。
【0046】
第２金属アルコキシドは、金属原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上（例えば２つ以上２０以下、特に２つ以上１２以下含む金属アルコキシドである。第２金属アルコキシドにおいて、２つ以上の金属原子－炭素原子結合を構成する炭素原子は、１価の炭化水素基（例えば、アルキル基およびアルケニル基）を構成する炭素原子および／または２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基）を構成する炭素原子である。第２金属アルコキシドにおいて、２つ以上の全ての金属原子－炭素原子結合を構成する炭素原子は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価の炭化水素基（例えば、アルキレン基）を構成する炭素原子である。第２金属アルコキシドの金属原子は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＡｌまたはＺｒであり、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、ＡｌまたはＺｒであり、より好ましくはＳｉ、ＴｉまたはＡｌであり、さらに好ましくはＳｉまたはＡｌであり、特に好ましくはＳｉである。第２金属アルコキシドはこのような金属原子－炭素原子結合を１分子中、２つ以上含む。
【0047】
第２金属アルコキシドにおける金属原子－炭素原子結合を構成する炭素原子が２価の炭化水素基を構成する炭素原子である場合において、第２金属アルコキシドは、１分子中、以下の一般式（２）で表される基（例えば、トリアルコキシシリル基）を２つ以上有する化合物である。
【0048】
【化8】
【0049】
式（２）中、Ｍ２は、金属原子であって、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＡｌまたはＺｒであり、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、ＡｌまたはＺｒであり、より好ましくはＳｉ、ＴｉまたはＡｌであり、さらに好ましくはＳｉまたはＡｌであり、特に好ましくはＳｉである。
ｙはＭ２の価数である。Ｍ２がＳｉ、ＴｉまたはＺｒのとき、ｙは３である。Ｍ２がＡｌのとき、ｙは２である。
Ｒ２１は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～３のアルキル基である。このようなアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。複数のＲ２１について、全てのＲ２１は、それぞれ独立して、上記アルキル基から選択されてもよいし、または全てのＲ２１は、上記アルキル基から選択された相互に同じ基であってもよい。
ｙはＭ２の価数である。Ｍ２がＳｉ、ＴｉまたはＺｒのとき、ｙは３である。Ｍ２がＡｌのとき、ｙは２である。
Ｒ２１は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～３のアルキル基である。このようなアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。複数のＲ２１について、全てのＲ２１は、それぞれ独立して、上記アルキル基から選択されてもよいし、または全てのＲ２１は、上記アルキル基から選択された相互に同じ基であってもよい。
【0050】
第２金属アルコキシドが有する２つ以上の一般式（２）の基（例えば、トリアルコキシシリル基）は、それぞれ独立して、上記一般式（２）の基（例えば、トリアルコキシシリル基）から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
【0051】
このような一般式（２）で表される基（例えば、トリアルコキシシリル基）の具体例を以下の表に示す。
【0052】
【表6】
【0053】
第２金属アルコキシドにおける２つ以上の全ての金属原子－炭素原子結合を構成する炭素原子が２価の炭化水素基を構成する炭素原子である場合において、第２金属アルコキシドは、例えば、以下の一般式（２Ａ）、（２Ｂ）、（２Ｃ）、（２Ｅ）もしくは（２Ｆ）で表される化合物またはこれらの混合物であってもよい。これらのうち、第２金属アルコキシドは、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは一般式（２Ａ）、（２Ｂ）もしくは（２Ｃ）で表される化合物またはこれらの混合物、より好ましくは一般式（２Ａ）もしくは（２Ｂ）で表される化合物またはこれらの混合物、さらに好ましくは、一般式（２Ａ）で表される化合物である。
【0054】
第２金属アルコキシドにおける２つ以上の全ての金属原子－炭素原子結合を構成する炭素原子が１価の炭化水素基を構成する炭素原子である場合において、第２金属アルコキシドは、例えば、以下の一般式（２Ｄ）で表される化合物、またはこれらの混合物であってもよい。
【0055】
【化9】
【0056】
式（２Ａ）中、Ｒ２１１およびＲ２１２は、それぞれ独立して、式（２）におけるＲ２１と同様の基である。詳しくは、３つのＲ２１１および３つのＲ２１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～３のアルキル基である。３つのＲ２１１および３つのＲ２１２は、それぞれ独立して、上記一般式（２）のＲ２１から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３１は、炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０の２価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数２～８の２価の炭化水素基であり、さらに好ましくは炭素原子数３～７の２価の炭化水素基であり、特に好ましくは炭素原子数４～７の２価の炭化水素基であり、最も好ましくは炭素原子数５～７の２価の炭化水素基である。Ｒ３１は分岐鎖状の炭化水素基であってもよく、好ましくは直鎖状の炭化水素基である。Ｒ３１としての２価の炭化水素基は、２価飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキレン基）であってもよいし、または２価不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニレン基）であってもよい。Ｒ３１としての２価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）である。Ｒ３１としての２価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）として、例えば、－（ＣＨ２）ｐ－（式中、ｐは１～１０、より好ましくは２～８、さらに好ましくは３～７、特に好ましくは４～７、最も好ましくは５～７の整数である）で表される基等が挙げられる。
Ｒ３１は、炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０の２価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数２～８の２価の炭化水素基であり、さらに好ましくは炭素原子数３～７の２価の炭化水素基であり、特に好ましくは炭素原子数４～７の２価の炭化水素基であり、最も好ましくは炭素原子数５～７の２価の炭化水素基である。Ｒ３１は分岐鎖状の炭化水素基であってもよく、好ましくは直鎖状の炭化水素基である。Ｒ３１としての２価の炭化水素基は、２価飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキレン基）であってもよいし、または２価不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニレン基）であってもよい。Ｒ３１としての２価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）である。Ｒ３１としての２価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）として、例えば、－（ＣＨ２）ｐ－（式中、ｐは１～１０、より好ましくは２～８、さらに好ましくは３～７、特に好ましくは４～７、最も好ましくは５～７の整数である）で表される基等が挙げられる。
【0057】
このような一般式で表される化合物（２Ａ）の具体例を以下の表に示す。
【0058】
【表7】
【0059】
【化10】
【0060】
式（２Ｂ）中、Ｒ２１１、Ｒ２１２、Ｒ２１３およびＲ２１４は、式（２）におけるＲ２１と同様の基である。詳しくは、３つのＲ２１１, ３つのＲ２１２, ３つのＲ２１３および３つのＲ２１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～３のアルキル基である。３つのＲ２１１, ３つのＲ２１２, ３つのＲ２１３および３つのＲ２１４は、それぞれ独立して、上記一般式（２）のＲ２１から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０の２価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数６～１０の２価の炭化水素基である。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、２価飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキレン基）であってもよいし、または２価不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニレン基）であってもよい。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）である。Ｒ３２としての２価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）として、例えば、－（ＣＨ２）ｑ－（式中、ｑは１～１０、より好ましくは６～１０の整数である）で表される基等が挙げられる。全てのＲ３２は、それぞれ独立して、当該Ｒ３２から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３３は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の１価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５の１価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数１～３の１価の炭化水素基である。Ｒ３３としての１価の炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキル基）であってもよいし、または不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニル基）であってもよい。Ｒ３３としての１価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）である。Ｒ３３としての１価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。全てのＲ３３は、それぞれ独立して、当該Ｒ３３から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０の２価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数６～１０の２価の炭化水素基である。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、２価飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキレン基）であってもよいし、または２価不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニレン基）であってもよい。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）である。Ｒ３２としての２価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）として、例えば、－（ＣＨ２）ｑ－（式中、ｑは１～１０、より好ましくは６～１０の整数である）で表される基等が挙げられる。全てのＲ３２は、それぞれ独立して、当該Ｒ３２から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３３は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の１価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５の１価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数１～３の１価の炭化水素基である。Ｒ３３としての１価の炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキル基）であってもよいし、または不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニル基）であってもよい。Ｒ３３としての１価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）である。Ｒ３３としての１価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。全てのＲ３３は、それぞれ独立して、当該Ｒ３３から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
【0061】
このような一般式で表される化合物（２Ｂ）の具体例を以下の表に示す。
【0062】
【表8】
【0063】
【化11】
【0064】
式（２Ｃ）中、Ｒ２１１およびＲ２１２は、式（２）におけるＲ２１と同様の基である。詳しくは、３つのＲ２１１,および３つのＲ２１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～３のアルキル基である。３つのＲ２１１および３つのＲ２１２は、それぞれ独立して、上記一般式（２）のＲ２１から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３４、Ｒ３５、およびＲ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の２価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５の２価の炭化水素基である。Ｒ３４、Ｒ３５、およびＲ３６としての２価の炭化水素基は、２価飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキレン基）であってもよいし、または２価不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニレン基）であってもよい。Ｒ３４、Ｒ３５、およびＲ３６としての２価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）である。Ｒ３４、Ｒ３５、およびＲ３６としての２価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）として、例えば、－（ＣＨ２）ｒ－（式中、ｒは１～１０、より好ましくは１～５の整数である）で表される基等が挙げられる。全てのＲ３４、Ｒ３５、およびＲ３６は、それぞれ独立して、上記２価の炭化水素基から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。Ｒ３４、Ｒ３５、およびＲ３６の総炭素原子数は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは３～２０、より好ましくは６～１０である。
Ｒ３４、Ｒ３５、およびＲ３６は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の２価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５の２価の炭化水素基である。Ｒ３４、Ｒ３５、およびＲ３６としての２価の炭化水素基は、２価飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキレン基）であってもよいし、または２価不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニレン基）であってもよい。Ｒ３４、Ｒ３５、およびＲ３６としての２価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）である。Ｒ３４、Ｒ３５、およびＲ３６としての２価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）として、例えば、－（ＣＨ２）ｒ－（式中、ｒは１～１０、より好ましくは１～５の整数である）で表される基等が挙げられる。全てのＲ３４、Ｒ３５、およびＲ３６は、それぞれ独立して、上記２価の炭化水素基から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。Ｒ３４、Ｒ３５、およびＲ３６の総炭素原子数は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは３～２０、より好ましくは６～１０である。
【0065】
このような一般式で表される化合物（２Ｃ）の具体例を以下の表に示す。
【0066】
【表9】
【0067】
【化12】
【0068】
式（２Ｄ）中、Ｒ２１１およびＲ２１２は、それぞれ独立して、式（２）におけるＲ２１と同様の基である。詳しくは、２つのＲ２１１および２つのＲ２１２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～３のアルキル基である。２つのＲ２１１および２つのＲ２１２は、それぞれ独立して、上記一般式（２）のＲ２１から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
【0069】
このような一般式で表される化合物（２Ｄ）の具体例を以下の表に示す。
【0070】
【表10】
【0071】
【化13】
【0072】
式（２Ｅ）中、Ｒ２１２およびＲ２１３は、式（２）におけるＲ２１と同様の基である。詳しくは、３つのＲ２１２および ３つのＲ２１３は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～３のアルキル基である。３つのＲ２１２および３つのＲ２１３は、それぞれ独立して、上記一般式（２）のＲ２１から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０の２価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数４～８の２価の炭化水素基である。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、２価飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキレン基）であってもよいし、または２価不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニレン基）であってもよい。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）である。Ｒ３２としての２価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）として、例えば、－（ＣＨ２）ｑ－（式中、ｑは１～２０、好ましくは１～１０、より好ましくは４～８の整数である）で表される基等が挙げられる。全てのＲ３２は、それぞれ独立して、当該Ｒ３２から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３３は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の１価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５の１価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数１～３の１価の炭化水素基である。Ｒ３３としての１価の炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキル基）であってもよいし、または不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニル基）であってもよい。Ｒ３３としての１価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）である。Ｒ３３としての１価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。全てのＲ３３は、それぞれ独立して、当該Ｒ３３から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～３０の１価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０の１価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数１～５の１価の炭化水素基である。Ｒ３４としての１価の炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキル基）であってもよいし、または不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニル基）であってもよい。Ｒ３４としての１価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）である。Ｒ３４としての１価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。全てのＲ３４は、それぞれ独立して、当該Ｒ３４から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０の２価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数４～８の２価の炭化水素基である。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、２価飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキレン基）であってもよいし、または２価不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニレン基）であってもよい。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）である。Ｒ３２としての２価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）として、例えば、－（ＣＨ２）ｑ－（式中、ｑは１～２０、好ましくは１～１０、より好ましくは４～８の整数である）で表される基等が挙げられる。全てのＲ３２は、それぞれ独立して、当該Ｒ３２から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３３は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０の１価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５の１価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数１～３の１価の炭化水素基である。Ｒ３３としての１価の炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキル基）であってもよいし、または不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニル基）であってもよい。Ｒ３３としての１価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）である。Ｒ３３としての１価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。全てのＲ３３は、それぞれ独立して、当該Ｒ３３から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～３０の１価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０の１価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数１～５の１価の炭化水素基である。Ｒ３４としての１価の炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキル基）であってもよいし、または不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニル基）であってもよい。Ｒ３４としての１価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）である。Ｒ３４としての１価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。全てのＲ３４は、それぞれ独立して、当該Ｒ３４から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
【0073】
このような一般式で表される化合物（２Ｅ）の具体例を以下の表に示す。
【0074】
【表11】
【0075】
【化14】
【0076】
式（２Ｆ）中、Ｒ２１２、Ｒ２１３およびＲ２１４は、それぞれ独立して、式（２）におけるＲ２１と同様の基である。詳しくは、３つのＲ２１２、３つのＲ２１３および３つのＲ２１４は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～３のアルキル基である。３つのＲ２１２、３つのＲ２１３および３つのＲ２１４は、それぞれ独立して、上記一般式（２）のＲ２１から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０の２価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数１～５の２価の炭化水素基である。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、２価飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキレン基）であってもよいし、または２価不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニレン基）であってもよい。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）である。Ｒ３２としての２価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）として、例えば、－（ＣＨ２）ｑ－（式中、ｑは１～１０、より好ましくは１～５の整数である）で表される基等が挙げられる。全てのＲ３２は、それぞれ独立して、当該Ｒ３２から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
Ｒ３２は、それぞれ独立して、炭素原子数１～２０の２価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～１０の２価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数１～５の２価の炭化水素基である。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、２価飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキレン基）であってもよいし、または２価不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニレン基）であってもよい。Ｒ３２としての２価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２価飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）である。Ｒ３２としての２価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキレン基）として、例えば、－（ＣＨ２）ｑ－（式中、ｑは１～１０、より好ましくは１～５の整数である）で表される基等が挙げられる。全てのＲ３２は、それぞれ独立して、当該Ｒ３２から選択されてもよいし、または相互に同じ基であってもよい。
【0077】
このような一般式で表される化合物（２Ｆ）の具体例を以下の表に示す。
【0078】
【表12】
【0079】
一般式（２Ａ）で表される化合物（２Ａ）、一般式（２Ｂ）で表される化合物（２Ｂ）、一般式（２Ｃ）で表される化合物（２Ｃ）、一般式（２Ｄ）で表される化合物（２Ｄ）、一般式（２Ｅ）で表される化合物（２Ｅ）および一般式（２Ｆ）で表される化合物（２Ｆ）は、市販品として入手することもできるし、または公知の方法により製造することもできる。
例えば、化合物（２Ａ）は、市販品である、１，１－ビス（トリメトキシシリル）メタン（東京化成工業社製）、１，２－ビス（トリメトキシシリル）エタン（東京化成工業社製）、１，６－ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン（東京化成工業社製）、１，８－ビス（トリメトキシシリル）オクタン（信越化学工業社製）、１，１０－ビス（トリメトキシシリル）デカン（ゲレスト社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（２Ｃ）は、市販品であるＸ―１２―５２６３ＨＰ（信越化学工業社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（２Ｄ）は、市販品であるジメチルジメトキシシラン（東京化成社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（２Ｆ）は、市販品であるトリス［３―（トリメトキシシリル）―プロピル］イソシアヌレート（東京化成社製）として入手することができる。
例えば、化合物（２Ａ）は、市販品である、１，１－ビス（トリメトキシシリル）メタン（東京化成工業社製）、１，２－ビス（トリメトキシシリル）エタン（東京化成工業社製）、１，６－ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン（東京化成工業社製）、１，８－ビス（トリメトキシシリル）オクタン（信越化学工業社製）、１，１０－ビス（トリメトキシシリル）デカン（ゲレスト社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（２Ｃ）は、市販品であるＸ―１２―５２６３ＨＰ（信越化学工業社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（２Ｄ）は、市販品であるジメチルジメトキシシラン（東京化成社製）として入手することができる。
また例えば、化合物（２Ｆ）は、市販品であるトリス［３―（トリメトキシシリル）―プロピル］イソシアヌレート（東京化成社製）として入手することができる。
【0080】
第２金属アルコキシドは、例えば、一般式（２Ａ）、（２Ｂ）、（２Ｃ）、（２Ｄ）、（２Ｅ）もしくは（２Ｆ）で表される化合物、またはこれらの混合物であってもよい。第２金属アルコキシドは、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは一般式（２Ａ）で表される化合物、またはこれらの混合物である。
【0081】
被膜３（すなわち当該被膜を構成する反応物）を得るために必要な第２金属アルコキシドの配合量は通常、配合する金属アルコキシドの全重量（例えば第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドの全重量）に対して、５重量％以上９５重量％以下であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２０重量％以上８０重量％以下であり、より好ましくは２０重量％以上７０重量％以下であり、さらに好ましくは２０重量％以上６０重量％以下であり、特に好ましくは２５重量％以上５０重量％以下である。なお、上記重量比率（重量％）は、第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドの合計重量を１００重量％としたときの比率である）。被膜は２種以上の第２金属アルコキシドを用いて作製されてもよく、その場合、それらの合計量が上記範囲内であればよい。被膜３を得るために必要な第２金属アルコキシドの配合量は、第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドの全配合量に対する第２金属アルコキシドの配合量の割合であってもよい。
【0082】
被膜３は第３金属アルコキシドを用いて作製されてもよい。詳しくは、被膜３は第３金属アルコキシドを用いて作製されてもよいし、または用いずに作製されてもよい。被膜３が第３金属アルコキシドを用いて作製される場合、被膜３は、第１金属アルコキシド、第２金属アルコキシドおよび第３金属アルコキシドの反応生成物を含有し、例えば、第１金属アルコキシド、第２金属アルコキシドおよび第３金属アルコキシドの反応生成物により構成されていてもよい。
【0083】
第３金属アルコキシドは、金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つのみ含む金属アルコキシドであり、例えば、当該金属が有する手のうち、１つの手は１価の炭化水素基（－Ｒ１２）と結合し、かつ残りの全ての手はアルコキシ基（－ＯＲ１１）と結合したアルコキシド化合物である。第３金属アルコキシドにおいて、金属原子－炭素原子結合は金属原子と炭素原子との直接的な共有結合のことである。第３金属アルコキシドにおいて、金属原子－炭素原子結合を構成する炭素原子は、１価の炭化水素基（例えば、アルキル基およびアルケニル基）を構成する炭素原子である。第３金属アルコキシドはこのような金属原子－炭素原子結合を１分子中、１つのみ含む。第３金属アルコキシドの金属原子は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｓｒ、Ｙ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、ＡｌまたはＺｒであり、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、ＡｌまたはＺｒであり、より好ましくはＳｉ、ＴｉまたはＡｌであり、さらに好ましくはＳｉまたはＡｌであり、特に好ましくはＳｉである。第３金属アルコキシドは、被膜３の表面自由エネルギーを低減させ、被膜３の表面に、より一層十分な滑り性を付与する。このようなより一層十分な滑り性は、第３金属アルコキシドが有する後述の１価の炭化水素基（Ｒ１２）に基づくものと考えられる。
【0084】
第３金属アルコキシドは、例えば、以下の一般式（３）で表される化合物であってもよい。
【0085】
【化15】
【0086】
式（３）中、Ｒ１１は、それぞれ独立して、炭素原子数１～１０のアルキル基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１～５のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１～３のアルキル基である。このようなアルキル基として、例えば、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基等が挙げられる。全てのＲ１１は、それぞれ独立して、上記アルキル基から選択されてもよいし、または全てのＲ１１は、上記アルキル基から選択された相互に同じ基であってもよい。
Ｒ１２は、炭素原子数８～３０の１価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１２～２４の１価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数１４～２０の１価の炭化水素基である。Ｒ１２としての１価の炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキル基）であってもよいし、または不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニル基）であってもよい。Ｒ１２としての１価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）である。Ｒ１２としての１価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）として、例えば、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。
Ｒ１２は、炭素原子数８～３０の１価の炭化水素基であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは炭素原子数１２～２４の１価の炭化水素基であり、より好ましくは炭素原子数１４～２０の１価の炭化水素基である。Ｒ１２としての１価の炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルキル基）であってもよいし、または不飽和脂肪族炭化水素基（例えばアルケニル基）であってもよい。Ｒ１２としての１価の炭化水素基は、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）である。Ｒ１２としての１価の飽和脂肪族炭化水素基（特にアルキル基）として、例えば、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。
【0087】
このような一般式で表される化合物（３）の具体例を以下の表に示す。
【0088】
【表13】
【0089】
一般式（３）で表される化合物（３）は、市販品として入手することもできるし、または公知の方法により製造することもできる。
例えば、化合物（３）は、市販品であるオクタデシルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）、ヘキサデシルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）、デシルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）として入手することができる。
例えば、化合物（３）は、市販品であるオクタデシルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）、ヘキサデシルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）、デシルトリメトキシシラン（東京化成工業社製）として入手することができる。
【0090】
被膜３（すなわち当該被膜を構成する反応物）を得るための第３金属アルコキシドの配合量は通常、第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドの合計重量に対して、０重量％以上５０重量％以下であり、さらに高い比透磁率および比抵抗の観点から、好ましくは２重量％以上５０重量％以下である。被膜は２種以上の第３金属アルコキシドを用いて作製されてもよく、その場合、それらの合計量が上記範囲内であればよい。被膜３を得るための第３金属アルコキシドの配合量は、第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドの総配合量に対する第３金属アルコキシドの配合量の割合であってもよい。
【0091】
被膜３は通常、例えば、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上１００ｎｍ以下の平均膜厚を有している。
【0092】
被膜の平均膜厚は、磁性粒子の断面を走査型透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ、ＨＤ－２３００Ａ（日立ハイテクノロジーズ製））により測定することができる。当該平均膜厚は、１つの粒子に付き２箇所を計１０個の粒子で測定し、平均した値を用いてもよい。
【0093】
［磁性粒子の製造方法］
本発明の磁性粒子は、磁性体コアを、溶媒中、所定の金属アルコキシドとともに、撹拌することを含む方法により、製造することができる。磁性体コアは、予め表面に絶縁性の被膜が形成されているものを用いてもよい。所定の金属アルコキシドとは、少なくとも第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドを含む金属アルコキシド混合物のことである。溶媒はアルカリ性溶媒であることが好ましい。撹拌後、詳しくは、磁性体コアを濾別および洗浄し、加熱乾燥することにより、磁性体コアの表面に、網の目構造の被膜が形成されてなる磁性粒子を得ることができる。なお、被覆する方法は磁性体コア表面に所定の金属アルコキシド混合物を被覆できれば前記方法に限ったものでなく、スプレーや乾式混合などの他の公知の塗布法によりなされてもよい。従って、本発明の磁性粒子は、金属磁性体のコア、第１金属アルコキシド、第２金属アルコキシドおよび溶媒を混合すること；第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドを加水分解して乾燥することを含む、方法により製造することができる。
本発明の磁性粒子は、磁性体コアを、溶媒中、所定の金属アルコキシドとともに、撹拌することを含む方法により、製造することができる。磁性体コアは、予め表面に絶縁性の被膜が形成されているものを用いてもよい。所定の金属アルコキシドとは、少なくとも第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドを含む金属アルコキシド混合物のことである。溶媒はアルカリ性溶媒であることが好ましい。撹拌後、詳しくは、磁性体コアを濾別および洗浄し、加熱乾燥することにより、磁性体コアの表面に、網の目構造の被膜が形成されてなる磁性粒子を得ることができる。なお、被覆する方法は磁性体コア表面に所定の金属アルコキシド混合物を被覆できれば前記方法に限ったものでなく、スプレーや乾式混合などの他の公知の塗布法によりなされてもよい。従って、本発明の磁性粒子は、金属磁性体のコア、第１金属アルコキシド、第２金属アルコキシドおよび溶媒を混合すること；第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドを加水分解して乾燥することを含む、方法により製造することができる。
【0094】
溶媒中における第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシド（ならびに所望により含まれる第３金属アルコキシド）の配合比（すなわち使用量比）は通常、そのまま、被膜中における第１金属アルコキシド由来の成分および第２金属アルコキシド由来の成分（ならびに所望により含まれる第３金属アルコキシド由来の成分）の含有量比となるため、所望の含有量比に応じた配合比とすればよい。
【0095】
溶媒に対する第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシド（ならびに所望により含まれる第３金属アルコキシド）の合計配合量の比率は、本発明の磁性粒子が得られる限り特に限定されない。溶媒に対する第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシド（ならびに所望により含まれる第３金属アルコキシド）の合計配合量の比率を調整することにより、磁性粒子における被膜の含有量（すなわち被覆量）を制御することができる。詳しくは、当該合計配合量の比率が多いほど、被膜が厚くなる。他方、当該合計配合量の比率が少ないほど、被膜が薄くなる。
【0096】
溶媒を構成する溶媒としては、第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシド（ならびに所望により含まれる第３金属アルコキシド）等の各金属アルコキシドの反応を阻害しなければ特に限定されず、例えば、モノアルコール類、エーテル類、グリコール類またはグリコールエーテル類が好ましい。好ましい態様において、溶媒は、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、イソ－ブチルアルコール、１－ペンタノール、２－ペンタノール、２－メチル－２－ペンタノール等のモノアルコール類；２－メトキシエタノール、２－エトキシエタノール、２－ブトキシエタノール等のエーテル類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類；ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、またはジエチレングリコールモノヘキシルエーテル等のグリコールエーテル類であり得る。好ましい溶媒はモノアルコール類である。また、水を必要に応じて含んでいても良い。上記溶媒は、１種のみを用いても、または２種以上を用いてもよい。
【0097】
溶媒は種々の添加剤、例えば触媒、ｐＨ調整剤、安定化剤、増粘剤等を含んでいてもよい。上記添加剤としては、例えば、ホウ酸化合物等の酸化合物、アンモニウム塩等の塩基化合物が挙げられる。溶媒は通常、アンモニアや塩基化合物を含むことによりアルカリ性とすることができる。アルカリ性溶媒における塩基化合物の含有量は、金属アルコキシドのゾル－ゲル反応が進行する限り特に限定されない。
【0098】
撹拌時における溶媒の配合量は通常、特に限定されず、例えば、磁性体コアおよび溶媒の合計量に対して、１０重量％以上１００重量％以下、好ましくは２０重量％以上８０重量％以下であってもよい。
【0099】
磁性体コアを、溶媒中、所定の金属アルコキシドとともに、撹拌することにより、磁性体コア表面において、金属アルコキシドのゾル－ゲル反応が進行し、網目構造が形成されるものと考えられる。
撹拌時の混合物の温度は、磁性体コアの表面に各金属アルコキシドが均一に存在しつつ網目構造が形成される限り特に限定されず、例えば、１０℃以上７０℃以下であり、好ましくは１５℃以上３５℃以下である。
撹拌時間もまた、磁性体コアの表面に各金属アルコキシドが均一に存在しつつ網目構造が形成される限り特に限定されず、例えば、１０分以上５時間以下であり、好ましくは３０分以上３時間以下である。
撹拌時の混合物の温度は、磁性体コアの表面に各金属アルコキシドが均一に存在しつつ網目構造が形成される限り特に限定されず、例えば、１０℃以上７０℃以下であり、好ましくは１５℃以上３５℃以下である。
撹拌時間もまた、磁性体コアの表面に各金属アルコキシドが均一に存在しつつ網目構造が形成される限り特に限定されず、例えば、１０分以上５時間以下であり、好ましくは３０分以上３時間以下である。
【0100】
洗浄は、残存する触媒除去のために行う。例えば、濾過による残渣を洗浄溶媒と接触させることにより行う。洗浄溶媒は特に限定されず、例えば、アセトンであってもよい。洗浄は行ってもよいし、または行わなくてもよい。
【0101】
加熱乾燥により、洗浄で使用した溶媒が除去される。加熱温度は通常、１５℃以上（特に１５℃以上２５０℃以下）であり、溶媒除去の観点から、好ましくは１５℃以上２００℃以下である。加熱時間は通常、３０分以上（特に３０分以上２４時間以下）であり、溶媒除去の観点から、好ましくは６０分以上１２時間以下である。
【0102】
［磁心およびコイル部品］
本発明は、上記した本発明の磁性粒子を含む磁心も提供する。本発明の磁性粒子を用いた磁心は、高い比透磁率を有し、かつ、高い比抵抗を有する。従って、本発明の磁心をコイル部品の磁心として用いた場合に、高い電気特性を示しつつ、渦電流損を抑制することができる。本発明の磁心は、上記した本発明の磁性粒子を圧縮成形した圧粉磁心であってもよい。
本発明は、上記した本発明の磁性粒子を含む磁心も提供する。本発明の磁性粒子を用いた磁心は、高い比透磁率を有し、かつ、高い比抵抗を有する。従って、本発明の磁心をコイル部品の磁心として用いた場合に、高い電気特性を示しつつ、渦電流損を抑制することができる。本発明の磁心は、上記した本発明の磁性粒子を圧縮成形した圧粉磁心であってもよい。
【0103】
本発明はまた、図４に示すように、上記した本発明の圧粉磁心１１と、当該圧粉磁心の周囲に巻回されたコイル１２とを有して成るコイル部品１０をも提供する。図４は、本発明の圧粉磁心を用いたコイル部品を示す模式的な正面見取り図である。
【0104】
本発明の圧粉磁心１１は、当該分野で公知の方法により製造することができる。例えば、本発明の圧粉磁心は、本発明の磁性粒子に結合材（例えば、樹脂（例えばシリコン樹脂））を添加した混合粉末を圧縮成形し、得られた圧縮成形体を熱処理することにより得ることができる。
【0105】
本発明はさらに、図５に示すように、本発明の磁性粒子と樹脂（例えばシリコン樹脂）とを含む素体２１と、当該素体に埋め込まれたコイル２２とを備えるコイル部品２０も提供する。図５は、本発明の磁性粒子を用いた別のコイル部品を示す模式的な内部透視斜視図である。
【0106】
本発明のコイル部品２０は、当該分野で公知の方法により製造することができる。例えば、本発明のコイル部品２０は、本発明の磁性粒子に結合材（例えば、樹脂（例えばエポキシ樹脂やシリコン樹脂））を添加した混合粉末中にコイル２２を埋設し、圧縮成形し、得られた圧縮成形体を熱処理することにより得ることができる。
【実施例】
【0107】
（実施例Ａ１、比較例Ａ１～Ａ３、実施例Ｂ１～Ｂ４および実施例Ｃ１～Ｃ３）
１６重量％アンモニア水１０．０ｇを溶解した７０ｇのエタノールを準備した。この溶液に、後で添加する磁性体コア１００重量部に対する使用量が各実施例（または各比較例）の使用量（すなわち表１４～表１６に記載の量）になるように、第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドを加えた。
次に、磁性体コア（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金）（平均粒子３０μｍ）３０ｇを添加し、２５℃にて１２０分間撹拌した。反応溶液を濾別し、処理した粉体を８０℃で１２０分間乾燥させ、磁性体コアの表面に絶縁被膜を形成した。これにより磁性粒子を得た。
次に、得られた磁性粒子と、結合剤としてのエポキシ樹脂（磁性材料１００重量部に対し４．２重量部）とを混合し、４００ＭＰａの圧力で圧縮成形し、２００℃で１時間加熱して、内径４ｍｍ、外径９ｍｍおよび厚さ１ｍｍのトロイダルコア（すなわち圧粉磁心）、および３ｍｍ×３ｍｍ×１ｍｍの角板試料を作製した。
１６重量％アンモニア水１０．０ｇを溶解した７０ｇのエタノールを準備した。この溶液に、後で添加する磁性体コア１００重量部に対する使用量が各実施例（または各比較例）の使用量（すなわち表１４～表１６に記載の量）になるように、第１金属アルコキシドおよび第２金属アルコキシドを加えた。
次に、磁性体コア（Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金）（平均粒子３０μｍ）３０ｇを添加し、２５℃にて１２０分間撹拌した。反応溶液を濾別し、処理した粉体を８０℃で１２０分間乾燥させ、磁性体コアの表面に絶縁被膜を形成した。これにより磁性粒子を得た。
次に、得られた磁性粒子と、結合剤としてのエポキシ樹脂（磁性材料１００重量部に対し４．２重量部）とを混合し、４００ＭＰａの圧力で圧縮成形し、２００℃で１時間加熱して、内径４ｍｍ、外径９ｍｍおよび厚さ１ｍｍのトロイダルコア（すなわち圧粉磁心）、および３ｍｍ×３ｍｍ×１ｍｍの角板試料を作製した。
【0108】
（評価）
・比透磁率
作製したトロイダルコイルについてアジレント・テクノロジー株式会社製のＲＦインピーダンスアナライザー（Ｅ４９９１Ａ）を用いて、１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓでの比透磁率を測定した（ｎ＝３の平均値を表に示す）。比透磁率の平均値を以下の基準に基づいて判定した。
◎◎：３５以上（最良）；
◎：３２以上３５未満（優良）；
○：３０以上３２未満（良）；
×：３０未満（不合格）。
判定結果「○」以上を合格とした。
・比透磁率
作製したトロイダルコイルについてアジレント・テクノロジー株式会社製のＲＦインピーダンスアナライザー（Ｅ４９９１Ａ）を用いて、１ＭＨｚ、１Ｖｒｍｓでの比透磁率を測定した（ｎ＝３の平均値を表に示す）。比透磁率の平均値を以下の基準に基づいて判定した。
◎◎：３５以上（最良）；
◎：３２以上３５未満（優良）；
○：３０以上３２未満（良）；
×：３０未満（不合格）。
判定結果「○」以上を合格とした。
【0109】
・比抵抗
角板試料について株式会社アドバンテスト社製の高抵抗測定器（Ｒ８３４０Ａ ＵＬＴＲＡ ＨＩＧＨ ＲＥＳＩＳＴＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ）を用い、９００Ｖの直流電圧を印加し、５秒後の抵抗を測定し、試料寸法から比抵抗を算出した（ｎ＝３の平均値を表に示す）。比抵抗の平均値を以下の基準に基づいて判定した。
◎◎：５×１０１２Ω・ｃｍ以上（最良）；
◎：１×１０１０Ω・ｃｍ以上５×１０１２Ω・ｃｍ未満（優良）；
○：１×１０８Ω・ｃｍ以上１×１０１０Ω・ｃｍ未満（良）；
×：１×１０８Ω・ｃｍ未満（不合格）。
判定結果「○」以上を合格とした。
角板試料について株式会社アドバンテスト社製の高抵抗測定器（Ｒ８３４０Ａ ＵＬＴＲＡ ＨＩＧＨ ＲＥＳＩＳＴＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ）を用い、９００Ｖの直流電圧を印加し、５秒後の抵抗を測定し、試料寸法から比抵抗を算出した（ｎ＝３の平均値を表に示す）。比抵抗の平均値を以下の基準に基づいて判定した。
◎◎：５×１０１２Ω・ｃｍ以上（最良）；
◎：１×１０１０Ω・ｃｍ以上５×１０１２Ω・ｃｍ未満（優良）；
○：１×１０８Ω・ｃｍ以上１×１０１０Ω・ｃｍ未満（良）；
×：１×１０８Ω・ｃｍ未満（不合格）。
判定結果「○」以上を合格とした。
【0110】
・総合判定
比透磁率および比抵抗の判定結果に基づいて、総合的に判定した。
◎◎：２つの判定結果が◎◎であった；
◎：２つの判定結果のうち、最も低い判定結果が◎であった；
○：２つの判定結果のうち、最も低い判定結果が○であった；
×：２つの判定結果のうち、最も低い判定結果が×であった。
総合判定結果「○」以上を合格とした。総合判定結果「×」を不合格とした。
比透磁率および比抵抗の判定結果に基づいて、総合的に判定した。
◎◎：２つの判定結果が◎◎であった；
◎：２つの判定結果のうち、最も低い判定結果が◎であった；
○：２つの判定結果のうち、最も低い判定結果が○であった；
×：２つの判定結果のうち、最も低い判定結果が×であった。
総合判定結果「○」以上を合格とした。総合判定結果「×」を不合格とした。
【0111】
（測定）
・被膜３の平均膜厚
被膜の平均膜厚をＨＤ－２３００Ａ（日立ハイテクノロジーズ）によって測定した。
・被膜３の平均膜厚
被膜の平均膜厚をＨＤ－２３００Ａ（日立ハイテクノロジーズ）によって測定した。
【0112】
【表14】
【0113】
実施例Ａ１と比較例Ａ１～Ａ３との比較より、第１金属アルコキシドに加えて第２金属アルコキシドも用いて被膜を作製することによって、圧粉磁心はより十分に高い比透磁率および比抵抗を兼備できることが明らかである。第２金属アルコキシドが有する２価炭化水素基による滑り性により、磁性粒子の充填性がより十分に優れるため、より高い比透磁率を有し得る。第２金属アルコキシドにて得られる被膜の応力緩和性に基づいて、被膜の耐破壊性がより十分に優れるため、リング成形後もより高い比抵抗を維持できる。
比較例Ａ１より、磁性粉そのままでは抵抗が低いことが明らかである。被膜が無いため、比抵抗が低下することが明らかである。
比較例Ａ２より、第１金属アルコキシドだけでは比透磁率および比抵抗が共に低いことが明らかである。第１金属アルコキシドだけでは、磁性粒子の充填性が低いため、比透磁率が低下するものと考えられる。第１金属アルコキシドだけでは、被膜の応力緩和性が低く、リング成形時に被膜が破壊されるため、比抵抗が低下するものと考えられる。
比較例Ａ３より、第２金属アルコキシドだけでは比透磁率および比抵抗が共に低いことが明らかである。第２金属アルコキシドだけでは、被膜の強度が低く、リング成形時に被膜が破壊されるため、比抵抗が低下するものと考えられる。
比較例Ａ１より、磁性粉そのままでは抵抗が低いことが明らかである。被膜が無いため、比抵抗が低下することが明らかである。
比較例Ａ２より、第１金属アルコキシドだけでは比透磁率および比抵抗が共に低いことが明らかである。第１金属アルコキシドだけでは、磁性粒子の充填性が低いため、比透磁率が低下するものと考えられる。第１金属アルコキシドだけでは、被膜の応力緩和性が低く、リング成形時に被膜が破壊されるため、比抵抗が低下するものと考えられる。
比較例Ａ３より、第２金属アルコキシドだけでは比透磁率および比抵抗が共に低いことが明らかである。第２金属アルコキシドだけでは、被膜の強度が低く、リング成形時に被膜が破壊されるため、比抵抗が低下するものと考えられる。
【0114】
【表15】
【0115】
実施例Ａ１およびＢ１～Ｂ４より、第１金属アルコキシドと第２金属アルコキシドの併用により、圧粉磁心はより十分に高い比透磁率および比抵抗を兼備できることが明らかである。
実施例Ａ１およびＢ１～Ｂ２と実施例Ｂ３～Ｂ４との比較より、第２金属アルコキシドの２価炭化水素基の炭素数が２～８であれば、より高い比透磁率および比抵抗が得られることが明らかである。
実施例Ａ１と実施例Ｂ１～Ｂ４との比較より、第２金属アルコキシドの２価炭化水素基の炭素数が３～７（特に４～７）であれば、より十分に高い比透磁率および比抵抗が得られることが明らかである。
実施例Ａ１およびＢ１～Ｂ２と実施例Ｂ３～Ｂ４との比較より、第２金属アルコキシドの２価炭化水素基の炭素数が２～８であれば、より高い比透磁率および比抵抗が得られることが明らかである。
実施例Ａ１と実施例Ｂ１～Ｂ４との比較より、第２金属アルコキシドの２価炭化水素基の炭素数が３～７（特に４～７）であれば、より十分に高い比透磁率および比抵抗が得られることが明らかである。
【0116】
【表16】
【0117】
実施例Ａ１およびＣ１～Ｃ３より、第１金属アルコキシドの金属がＳｉ以外であっても、圧粉磁心はより十分に高い比透磁率および比抵抗を兼備できることが明らかである。
実施例Ａ１およびＣ１～Ｃ２と実施例Ｃ３との比較より、第１金属アルコキシドの金属がＳｉ、ＡｌまたはＴｉであれば、より高い比透磁率および比抵抗が得られることが明らかである。
実施例Ａ１と実施例Ｃ１～Ｃ３との比較より、第１金属アルコキシドの金属がＳｉであれば、より十分に高い比透磁率および比抵抗が得られることが明らかである。
実施例Ａ１およびＣ１～Ｃ２と実施例Ｃ３との比較より、第１金属アルコキシドの金属がＳｉ、ＡｌまたはＴｉであれば、より高い比透磁率および比抵抗が得られることが明らかである。
実施例Ａ１と実施例Ｃ１～Ｃ３との比較より、第１金属アルコキシドの金属がＳｉであれば、より十分に高い比透磁率および比抵抗が得られることが明らかである。
【産業上の利用可能性】
【0118】
本発明の磁性粒子は、コイル部品の材料として好適に用いられる。かかるコイル部品として、例えば、インダクタ、チョークコイルなどが挙げられる。
【符号の説明】
【0119】
１ 磁性粒子
２ コア
３ 被膜
４ ２価炭化水素基
１０ コイル部品
１１ 圧粉磁心
１２ コイル
２０ コイル部品
２１ 素体
２２ コイル
２ コア
３ 被膜
４ ２価炭化水素基
１０ コイル部品
１１ 圧粉磁心
１２ コイル
２０ コイル部品
２１ 素体
２２ コイル
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】