特許 7521973 インダクタ部品

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-16

(45)【発行日】2024-07-24

(54)【発明の名称】インダクタ部品

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/06 20060101AFI20240717BHJP

   H01F 27/00 20060101ALI20240717BHJP

   H01F 27/29 20060101ALI20240717BHJP

【ＦＩ】

H01F17/06 D

H01F27/00 Q

H01F27/29 P

H01F27/29 123

【請求項の数】 21

(21)【出願番号】P 2020142763

(22)【出願日】2020-08-26

(65)【公開番号】P2022038325

(43)【公開日】2022-03-10

【審査請求日】2022-03-09

【審判番号】

【審判請求日】2023-10-06

(73)【特許権者】

【識別番号】000006231

【氏名又は名称】株式会社村田製作所

(74)【代理人】

【識別番号】100087985

【弁理士】

【氏名又は名称】福井 宏司

(72)【発明者】

【氏名】吉岡 由雅

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 克文

【合議体】

【審判長】岩間 直純

【審判官】行武 哲太郎

【審判官】渡辺 努

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１７－１３０５８４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－５３４８３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平６－１２００７６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

H01F17/00

H01F17/06

H01F27/00

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

主面を有する素体と、
前記素体内においてターン数が０．５ターン以下で前記主面と平行に延びるインダクタ配線と、
前記インダクタ配線から前記主面に向かう厚さ方向に延び、前記インダクタ配線に接続された垂直配線と、
前記主面に露出している複数の端子部と、を備え、
複数の前記端子部のうちの少なくとも１つは、前記インダクタ配線に電気的に接続された外部端子であり、
複数の前記端子部のうちの前記外部端子を除く他の端子部は、前記インダクタ配線に電気的に接続されていないダミー部であり、
前記厚さ方向から視たときに前記主面は、前記主面の幾何中心に対して２回対称形状となっており、
前記厚さ方向から視たときに、前記主面を、前記端子部の数と同数で互いに合同な複数の仮想領域に分割したとき、
前記各仮想領域には、前記端子部が１つずつ配置されており、
前記ダミー部のうちの１つを特定ダミー部とし、前記特定ダミー部が設けられている前記仮想領域に対して前記幾何中心を中心とする２回対称位置の前記仮想領域に設けられている前記端子部を特定端子部としたとき、
前記特定ダミー部の形状は、前記特定端子部の形状と異なり、
複数の前記端子部は、前記主面の幾何中心に対して２回対称位置に配置されており、
前記ダミー部は、互いに前記主面の幾何中心に対して２回対称位置に配置されている第１ダミー部及び第２ダミー部を含み、
前記特定ダミー部は前記第１ダミー部であり、前記特定端子部は前記第２ダミー部である
インダクタ部品。

【請求項2】

主面を有する素体と、
前記素体内においてターン数が０．５ターン以下で前記主面と平行に延びるインダクタ配線と、
前記インダクタ配線から前記主面に向かう厚さ方向に延び、前記インダクタ配線に接続された垂直配線と、
前記主面に露出している複数の端子部と、を備え、
複数の前記端子部のうちの少なくとも１つは、前記インダクタ配線に電気的に接続された外部端子であり、
複数の前記端子部のうちの前記外部端子を除く他の端子部は、前記インダクタ配線に電気的に接続されていないダミー部であり、
前記厚さ方向から視たときに前記主面は、前記主面の幾何中心に対して２回対称形状となっており、
前記厚さ方向から視たときに、前記主面を、前記端子部の数と同数で互いに合同な複数の仮想領域に分割したとき、
前記各仮想領域には、前記端子部が１つずつ配置されており、
前記ダミー部のうちの１つを特定ダミー部とし、前記特定ダミー部が設けられている前記仮想領域に対して前記幾何中心を中心とする２回対称位置の前記仮想領域に設けられている前記端子部を特定端子部としたとき、
前記特定ダミー部の形状は、前記特定端子部の形状と異なり、
前記外部端子には、前記厚さ方向に向かって窪む凹部が設けられている
インダクタ部品。

【請求項3】

主面を有する素体と、
前記素体内においてターン数が０．５ターン以下で前記主面と平行に延びるインダクタ配線と、
前記インダクタ配線から前記主面に向かう厚さ方向に延び、前記インダクタ配線に接続された垂直配線と、
前記主面に露出している複数の端子部と、を備え、
複数の前記端子部のうちの少なくとも１つは、前記インダクタ配線に電気的に接続された外部端子であり、
複数の前記端子部のうちの前記外部端子を除く他の端子部は、前記インダクタ配線に電気的に接続されていないダミー部であり、
前記厚さ方向から視たときに前記主面は、前記主面の幾何中心に対して２回対称形状となっており、
前記厚さ方向から視たときに、前記主面を、前記端子部の数と同数で互いに合同な複数の仮想領域に分割したとき、
前記各仮想領域には、前記端子部が１つずつ配置されており、
前記ダミー部のうちの１つを特定ダミー部とし、前記特定ダミー部が設けられている前記仮想領域に対して前記幾何中心を中心とする２回対称位置の前記仮想領域に設けられている前記端子部を特定端子部としたとき、
前記特定ダミー部の形状は、前記特定端子部の形状と異なり、
前記垂直配線として第１垂直配線と第２垂直配線とを備えており、
前記インダクタ配線は、線状に延びる配線本体と、前記配線本体の第１端部に設けられ前記第１垂直配線が接続される第１パッドと、前記配線本体の第２端部に設けられ前記第２垂直配線が接続されている第２パッドと、を有し、
前記インダクタ配線は複数設けられており、
前記複数のインダクタ配線のうちの１つを第１インダクタ配線、他のうちの１つを第２インダクタ配線としたとき、
前記第１インダクタ配線における前記第１パッド及び前記第２パッドのうちの１つが、前記第２インダクタ配線における前記第１パッド及び前記第２パッドのうちの１つと同一のパッドである
インダクタ部品。

【請求項4】

複数の前記端子部は、前記主面の幾何中心に対して２回対称位置に配置されており、
前記ダミー部は、前記主面の幾何中心に対して２回対称とならない位置に配置されている
請求項２又は請求項３に記載のインダクタ部品。

【請求項5】

前記ダミー部は複数設けられており、前記複数のダミー部のうち少なくとも１つは、他の前記ダミー部と異なる形状である
請求項４に記載のインダクタ部品。

【請求項6】

前記主面は四角形状であり、
前記主面の幾何中心を通り前記主面の一辺に平行な仮想直線を引き、前記主面を第１領域と第２領域とに仮想的に分割したとき、
前記第１領域には、前記ダミー部が設けられていない
請求項２～請求項５のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項7】

前記第２領域には、前記第２領域における前記外部端子の数以上の数の前記ダミー部が設けられている
請求項６に記載のインダクタ部品。

【請求項8】

前記厚さ方向から視たとき、前記ダミー部の面積は、前記外部端子の面積と同じである
請求項１～請求項７のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項9】

前記厚さ方向から視たときに、前記ダミー部の少なくとも一部は、前記インダクタ配線と重なる位置に配置されている
請求項１～請求項８のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項10】

前記外部端子及び前記ダミー部は複数設けられており、前記ダミー部の数は、前記外部端子よりも少ない
請求項１～請求項９のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項11】

前記垂直配線として第１垂直配線と第２垂直配線とを備えており、
前記インダクタ配線は、線状に延びる配線本体と、前記配線本体の第１端部に設けられ前記第１垂直配線が接続される第１パッドと、前記配線本体の第２端部に設けられ前記第２垂直配線が接続される第２パッドと、を有し、
前記配線本体は複数設けられており、
前記端子部は４つ以上設けられている
請求項１～請求項１０のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項12】

前記端子部は、導電性を有する複数の層を備えている
請求項１～請求項１１のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項13】

前記厚さ方向から視たとき、前記外部端子のうちの半分以上が、前記ダミー部と光学的に同じ色である
請求項１～請求項１２のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項14】

前記外部端子の表面は、平滑部と、前記平滑部よりも表面粗さの大きい粗部とで構成されており、
前記ダミー部の表面は、前記平滑部よりも表面粗さが大きくなっている
請求項１～請求項１３のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項15】

前記平滑部は、前記垂直配線上に配置されている
請求項１４に記載のインダクタ部品。

【請求項16】

前記凹部は、前記垂直配線上に配置されている
請求項２に記載のインダクタ部品。

【請求項17】

前記素体は、前記インダクタ配線を覆う磁性層と、前記磁性層に積層された絶縁層とを有し、
前記絶縁層の外面が前記主面を構成しており、
前記ダミー部は、前記磁性層上に配置されており、且つ前記絶縁層に接している
請求項１～請求項１６のいずれか１項に記載のインダクタ部品。

【請求項18】

前記第１インダクタ配線の前記配線本体は、直線状に延びており、
前記第２インダクタ配線は、互いに異なる方向に延びる２つの直線部と前記直線部同士を繋ぐ接続部とからなる
請求項３に記載のインダクタ部品。

【請求項19】

前記厚さ方向から視たときに、前記ダミー部の少なくとも一部は、前記接続部と重なる位置に配置されている
請求項１８に記載のインダクタ部品。

【請求項20】

主面を有する素体と、
前記素体内においてターン数が０．５ターン以下で前記主面と平行に延びるインダクタ配線と、
前記インダクタ配線から前記主面に向かう厚さ方向に延び、前記インダクタ配線に接続された垂直配線と、
前記主面に露出している複数の端子部と、を備え、
複数の前記端子部のうちの少なくとも１つは、前記インダクタ配線に電気的に接続された外部端子であり、
複数の前記端子部のうちの前記外部端子を除く他の端子部は、前記インダクタ配線に電気的に接続されていないダミー部であり、
前記厚さ方向から視たときに前記主面は、前記主面の幾何中心に対して２回対称形状となっており、
前記厚さ方向から視たときに、前記主面を、前記端子部の数と同数で互いに合同な複数の仮想領域に分割したとき、
前記各仮想領域には、前記端子部が１つずつ配置されており、
前記ダミー部のうちの１つを特定ダミー部とし、前記特定ダミー部が設けられている前記仮想領域に対して前記幾何中心を中心とする２回対称位置の前記仮想領域に設けられている前記端子部を特定端子部としたとき、
前記特定ダミー部の形状は、前記特定端子部の形状と異なり、
前記素体は、前記インダクタ配線を覆う磁性層と、前記磁性層に積層された絶縁層とを有し、
前記絶縁層の外面が前記主面を構成しており、
前記ダミー部は、前記磁性層が前記絶縁層に露出している部分である
インダクタ部品。

【請求項21】

前記垂直配線として第１垂直配線と第２垂直配線とを備えており、
前記インダクタ配線は、線状に延びる配線本体と、前記配線本体の第１端部に設けられ前記第１垂直配線が接続される第１パッドと、前記配線本体の第２端部に設けられ前記第２垂直配線が接続されている第２パッドと、を有し、
前記インダクタ配線は複数設けられており、
前記複数のインダクタ配線のうちの１つを第１インダクタ配線、他のうちの１つを第２インダクタ配線としたとき、
前記第１インダクタ配線における前記第１パッド及び前記第２パッドのうちの１つが、前記第２インダクタ配線における前記第１パッド及び前記第２パッドのうちの１つと同一のパッドである
請求項２０に記載のインダクタ部品。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、インダクタ部品に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１に開示されているインダクタ部品は、磁性材料を含んだ直方体状の素体を備えている。素体の内部には、２つのインダクタ配線が配置されている。各インダクタ配線は、渦巻き状に延びている。また、２つのインダクタ配線は、素体内部において並べて配置されている。インダクタ配線の両端部は、素体の外面に露出している。すなわち、インダクタ配線の４つの端部が、素体の外面に露出している。素体の外面には、各インダクタ配線の端部を覆うように４つの外部端子が形成されている。４つの外部端子は、素体の各角部に配置されている。また、４つの外部端子は、すべて同一の形状である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１３-２１１３３０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

インダクタ部品において、インダクタ配線の配置や形状等によっては、インダクタ部品の向きを特定したいことがある。しかし、特許文献１のインダクタ部品に設けられた外部端子は、すべて同じ形状である上、素体のそれぞれの角部に配置されている。そのため、特許文献１に開示のインダクタ部品の向きを、外見のみに基づいて正確に特定することは困難である。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一態様は、主面を有する素体と、前記素体内においてターン数が０．５ターン以下で前記主面と平行に延びるインダクタ配線と、前記インダクタ配線から前記主面に向かう厚さ方向に延び、前記インダクタ配線に接続された垂直配線と、前記主面に露出している複数の端子部と、を備え、複数の前記端子部のうちの少なくとも１つは、前記インダクタ配線に電気的に接続された外部端子であり、複数の前記端子部のうちの前記外部端子を除く他の端子部は、前記インダクタ配線に電気的に接続されていないダミー部であり、前記厚さ方向から視たときに前記主面は、前記主面の幾何中心に対して２回対称形状となっており、前記厚さ方向から視たときに、前記主面を、前記端子部の数と同数で互いに合同な複数の仮想領域に分割したとき、前記各仮想領域には、前記端子部が１つずつ配置されており、前記ダミー部のうちの１つを特定ダミー部とし、前記特定ダミー部が設けられている前記仮想領域に対して前記幾何中心を中心とする２回対称位置の前記仮想領域に設けられている前記端子部を特定端子部としたとき、前記特定ダミー部の形状は、前記特定端子部の形状と異なるインダクタ部品である。

【0006】

上記構成のインダクタ部品では、特定ダミー部の形状が、特定ダミー部とおよそ対角に位置する特定端子部の形状と異なっている。そのため、特定ダミー部の形状を指標とすることで、インダクタ部品の向きがより正確に特定しやすくなる。

【発明の効果】

【0007】

本開示の一態様によれば、インダクタ部品の向きが特定できる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】インダクタ部品の分解斜視図。

【図2】インダクタ部品の透過上面図。

【図3】図２における３－３線に沿うインダクタ部品の断面図。

【図4】図２における４－４線に沿うインダクタ部品の断面図。

【図5】図２における５－５線に沿うインダクタ部品の断面図。

【図6】インダクタ部品の第１側面を示す側面図。

【図7】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図8】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図9】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図10】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図11】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図12】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図13】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図14】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図15】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図16】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図17】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図18】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図19】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図20】インダクタ部品の製造方法の説明図。

【図21】インダクタ部品の外部端子の一部を拡大した断面図。

【図22】変更例のインダクタ部品の透過上面図。

【図23】変更例のインダクタ部品の透過上面図。

【図24】変更例のインダクタ部品の上面図。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、インダクタ部品について説明する。なお、図面は理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものとは異なる場合がある。

【0010】

図１に示すように、インダクタ部品１０は、全体として、厚さ方向Ｔｄに５つの層が積層されたような構造になっている。なお、以下の説明では、厚さ方向Ｔｄの一方側を上側とし、その反対側を下側とする。

【0011】

第１層Ｌ１は、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２と、内磁路部５１と、外磁路部５２と、によって構成されている。

【0012】

第１層Ｌ１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、長方形状となっている。なお、この長方形状の長辺に沿う方向を長手方向Ｌｄ、短辺に沿う方向を短手方向Ｗｄとする。
第１インダクタ配線２０Ｒは、第１配線本体２１Ｒと、第１配線本体２１Ｒの第１端部に設けられた第１パッド２２Ｒと、第１配線本体２１Ｒの第２端部に設けられた第２パッド２３Ｒと、によって構成されている。第１配線本体２１Ｒは、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄに直線状に延びている。第１配線本体２１Ｒにおいて長手方向Ｌｄの第１端側の第１端部には、第１パッド２２Ｒが接続されている。第１パッド２２Ｒの短手方向Ｗｄの寸法は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの寸法よりも大きくなっている。第１パッド２２Ｒは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略正方形状になっている。また、第１配線本体２１Ｒにおいて長手方向Ｌｄの第２端側の第２端部には第２パッド２３Ｒが接続されている。第２パッド２３Ｒの短手方向Ｗｄの寸法は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの寸法よりも大きくなっている。第２パッド２３Ｒは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１パッド２２Ｒと同じ略正方形状になっている。なお、第１インダクタ配線２０Ｒは、第１層Ｌ１の短手方向Ｗｄの第２端側に寄って配置されている。

【0013】

第２インダクタ配線２０Ｌは、第２配線本体２１Ｌと、第２配線本体２１Ｌの第１端部に設けられた第１パッド２２Ｌと、第２配線本体２１Ｌの第２端部に設けられた上述の第２パッド２３Ｒと、によって構成されている。

【0014】

第２配線本体２１Ｌは、２つの直線部とこれらを繋ぐ部分とを有していて、全体としてＬ字状に延びている。具体的には、第２配線本体２１Ｌは、長手方向Ｌｄに延びる長直線部３１と、短手方向Ｗｄに延びる短直線部３２と、これらを繋ぐ接続部３３とからなる。

【0015】

図２に示すように、第１層Ｌ１の短手方向Ｗｄの中央を通り、且つ長手方向Ｌｄに延びる直線を対称軸ＡＸとしたとき、長直線部３１は、対称軸ＡＸに対して第１配線本体２１Ｒと線対称の位置に配置されている。また、長直線部３１が長手方向Ｌｄに延びる長さは、第１配線本体２１Ｒが長手方向Ｌｄに延びる長さよりもやや長くなっている。また、長直線部３１の短手方向Ｗｄの寸法は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの寸法と等しくなっている。長直線部３１の長手方向Ｌｄの第１端側の第１端は、第１パッド２２Ｌに接続されている。長直線部３１の長手方向Ｌｄの第２端側の第２端は、接続部３３の第１端に接続されている。

【0016】

接続部３３のうち、長直線部３１と繋がっていない第２端は、短手方向Ｗｄの第２端側を向いている。すなわち、接続部３３は、第２配線本体２１Ｌにおいて、長手方向Ｌｄの第１端側から短手方向Ｗｄの第２端側に向かって９０度に湾曲している。

【0017】

接続部３３の短手方向Ｗｄの第２端側を向いている第２端は、短直線部３２の第１端に接続されている。短直線部３２の長手方向Ｌｄの寸法は、長直線部３１の短手方向Ｗｄの寸法と等しくなっている。短直線部３２のうち、短手方向Ｗｄの第２端側を向く第２端は、第１配線本体２１Ｒに接続された第２パッド２３Ｒに接続されている。すなわち、第１インダクタ配線２０Ｒにおける第２パッド２３Ｒが、第２インダクタ配線２０Ｌにおける第２パッド２３Ｒと同一のパッドである。

【0018】

上記、第２インダクタ配線２０Ｌのターン数は、仮想ベクトルに基づいて定められている。仮想ベクトルの始点は、第２配線本体２１Ｌの配線幅の中央を通って第２配線本体２１Ｌの延設方向に延びる中心軸線Ｃ２上に配置されている。そして、仮想ベクトルは、厚さ方向Ｔｄから視たときに第２配線本体２１Ｌの始点を第１端に配置した状態から中心軸線Ｃ２の第２端まで移動させたときに、仮想ベクトルの向きが回転した角度が３６０度のときに、ターン数は１．０ターンとして定められる。ただし、仮想ベクトルの向きが、複数回巻回する場合、連続する同一方向の巻回である場合にターン数が増加するものとする。仮想ベクトルの向きが、１回前に巻回した方向と異なる方向に巻回した場合、ターン数は再度０ターンからカウントする。例えば、時計回りに１８０度巻回し、その後反時計回りに１８０度巻回した場合は０．５ターンとなる。本実施形態では、第２配線本体２１Ｌ上に仮想的に配置された仮想ベクトルの向きは、接続部３３で９０度回転される。そのため、第２配線本体２１Ｌが巻回されているターン数は、０．２５ターンとなっている。なお、第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２は、第２配線本体２１Ｌが延びる方向と直交する方向において第２配線本体２１Ｌの中間点を辿った線である。すなわち、第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略Ｌ字状になっている。

【0019】

図２に示すように、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１の長手方向Ｌｄの第１端側の第１端には、第１パッド２２Ｌが接続されている。当該第１パッド２２Ｌは、第１配線本体２１Ｒに接続された第１パッド２２Ｒと、同一の形状である。すなわち、第１パッド２２Ｌは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、略正方形状である。また、当該第１パッド２２Ｌは対称軸ＡＸに対して、第１配線本体２１Ｒに接続された第１パッド２２Ｒに線対称に配置されている。

【0020】

第１層Ｌ１において、第１配線本体２１Ｒに対して第１パッド２２Ｒを挟んだ反対側からは、第１支持配線４１が延びている。すなわち、第１支持配線４１は、第１パッド２２Ｒにおける長手方向Ｌｄの第１端側の縁から延びている。第１支持配線４１は、長手方向Ｌｄと平行に直線状に延びている。第１支持配線４１は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄの第１端側の第１側面９１まで延びていて、第１側面９１に露出している。同様に、第１層Ｌ１において、第２配線本体２１Ｌに対して第１パッド２２Ｌを挟んだ反対側からも、第１支持配線４１が延びている。

【0021】

第１層Ｌ１において、第１配線本体２１Ｒに対して第２パッド２３Ｒを挟んだ反対側からは、第２支持配線４２が延びている。すなわち、第２支持配線４２は、第２パッド２３Ｒにおける長手方向Ｌｄの第２端側の縁から延びている。第２支持配線４２は、長手方向Ｌｄと平行に直線状に延びている。第２支持配線４２は、第１層Ｌ１の長手方向Ｌｄの第２端側の第２側面９２まで延びていて、第２側面９２に露出している。なお、本実施形態では、第２配線本体２１Ｌの短直線部３２に対して第２パッド２３Ｒを挟んだ反対側には、支持配線は設けられていない。

【0022】

第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌは、導電性材料からなっている。本実施形態において、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの組成は、銅の比率が９９ｗｔ％以上で硫黄の比率が０．１ｗｔ％以上１．０ｗｔ％以下とすることができる。

【0023】

第１支持配線４１及び第２支持配線４２の材質は、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌと同じ導電性材料である。ただし、第１支持配線４１のうち、第１側面９１に露出している露出面４１Ａを含む一部分は、Ｃｕ酸化物になっている。同様に、第２支持配線４２のうち第２側面９２に露出している露出面４２Ａを含む一部分は、Ｃｕ酸化物になっている。

【0024】

図１に示すように、第１層Ｌ１において、第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌとの間の領域は、内磁路部５１となっている。内磁路部５１の材質は、金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。この実施形態では、金属磁性粉は、Ｆｅ系合金又はアモルファス合金からなる金属磁性粉である。より具体的には、金属磁性粉は、鉄を含むＦｅＳｉＣｒ系金属粉である。また、金属磁性粉の平均粒子径は、約５マイクロメートルとすることができる。

【0025】

なお、この実施形態において、金属磁性粉の粒子径とは、内磁路部５１を切断した断面で現れる金属磁性粉の断面形状において、その断面形状の縁から縁までに引ける線分のうち最も長い長さである。そして、平均粒子径とは、内磁路部５１を切断した断面で現れる金属磁性粉のうち、ランダムな３点以上の金属磁性粉の粒子径の平均である。

【0026】

第１層Ｌ１において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１インダクタ配線２０Ｒよりも短手方向Ｗｄの第２端側の領域、及び第２インダクタ配線２０Ｌよりも短手方向Ｗｄの第１端側の領域は、外磁路部５２となっている。外磁路部５２の材質は、内磁路部５１と同じ磁性材料となっている。

【0027】

本実施形態において、第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの寸法、すなわち、第１インダクタ配線２０Ｒ、第２インダクタ配線２０Ｌ、第１支持配線４１、及び第２支持配線４２の厚さ方向Ｔｄの寸法は、およそ４０マイクロメートルとすることができる。

【0028】

第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの下側の面である下面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第１層Ｌ１と同じ長方形状の第２層Ｌ２が積層されている。第２層Ｌ２は、２つの絶縁樹脂６１と、絶縁樹脂磁性層５３と、によって構成されている。

【0029】

絶縁樹脂６１は、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とを、厚さ方向Ｔｄの下側から覆っている。絶縁樹脂６１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２との外縁より僅かに広い範囲を覆うような形状となっている。その結果、一方の絶縁樹脂６１は、直線の帯状となっている。他方の絶縁樹脂６１は、略Ｌ字状に延びる帯状となっている。絶縁樹脂６１の材質は、絶縁性の樹脂であり、この実施形態では、例えばポリイミド系樹脂であるとすることができる。絶縁樹脂６１は第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌよりも絶縁性が高くなっている。絶縁樹脂６１は、第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌとの数及び配置に対応して、短手方向Ｗｄに２つ並んで設けられているとともに、端部において互いに接続されている。

【0030】

第２層Ｌ２において、２つの絶縁樹脂６１を除く部分は、絶縁樹脂磁性層５３となっている。絶縁樹脂磁性層５３の材質は、上述した内磁路部５１や外磁路部５２と同じ磁性材料となっている。

【0031】

第２層Ｌ２の厚さ方向Ｔｄの下側の面である下面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第２層Ｌ２と同じ長方形状の第３層Ｌ３が積層されている。第３層Ｌ３は、第１磁性層５４となっている。そのため、第１磁性層５４は、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌとよりも下側に配置されている。第１磁性層５４の材質は、上述した内磁路部５１や外磁路部５２、絶縁樹脂磁性層５３と同じ金属磁性粉を含有する有機樹脂となっている。

【0032】

一方、第１層Ｌ１の厚さ方向Ｔｄの上側の面である上面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第１層Ｌ１と同じ長方形状の第４層Ｌ４が積層されている。第４層Ｌ４は、２つの第１垂直配線７１と、１つの第２垂直配線７２と、第２磁性層５５とによって構成されている。

【0033】

第１垂直配線７１は、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌにおける第１パッド２２Ｒ、２２Ｌの上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第１パッド２２Ｒには、第１垂直配線７１、第１配線本体２１Ｒの第１端部及び第１支持配線４１が接続されている。第１パッド２２Ｌには、第１垂直配線７１、第２配線本体２１Ｌの第１端部及び第１支持配線４１が接続されている。２つの第１垂直配線７１は、対称軸ＡＸに対して線対称となる位置に配置されている。第１垂直配線７１の材質は、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌと同じ材質になっている。第１垂直配線７１は、正四角柱状となっており、正四角柱の軸線方向が厚さ方向Ｔｄと一致している。

【0034】

図２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、正方形状の第１垂直配線７１の各辺の寸法は、正方形状の第１パッド２２Ｒ、２２Ｌの各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。そのため、第１パッド２２Ｒ、２２Ｌの面積は、第１パッド２２Ｒ、２２Ｌとの接続箇所における第１垂直配線７１の面積よりも大きくなっている。なお、厚さ方向Ｔｄの上側から視たときに、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１は、略正方形状の第１パッド２２Ｒ、２２Ｌの幾何中心と一致している。第１垂直配線７１は、第１パッド２２Ｒ、２２Ｌの数に対応して２つ設けられている。

【0035】

図１に示すように、第２垂直配線７２は、第１インダクタ配線２０Ｒにおける第２パッド２３Ｒの上面に、他の層を介することなく直接接続されている。すなわち、第２パッド２３Ｒには、第２垂直配線７２、第１配線本体２１Ｒの第２端部、第２配線本体２１Ｌの第２端部及び第２支持配線４２が接続されている。第２垂直配線７２の材質は、第１インダクタ配線２０Ｒと同じ材質となっている。第２垂直配線７２は、正四角柱状となっており、正四角柱の軸線方向が厚さ方向Ｔｄと一致している。

【0036】

図２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、正方形状の第２垂直配線７２の各辺の寸法は、正方形状の第２パッド２３Ｒの各辺の寸法よりも僅かに小さくなっている。そのため、第２パッド２３Ｒの面積は、第２パッド２３Ｒとの接続箇所における第２垂直配線７２の面積よりも大きくなっている。なお、厚さ方向Ｔｄの上側から視たときに、第２垂直配線７２の中心軸線ＣＶ２は、略正方形状の第２パッド２３Ｒの幾何中心と一致している。第２垂直配線７２は、第２パッド２３Ｒの数に対応して１つ設けられている。

【0037】

図１に示すように、第４層Ｌ４において、２つの第１垂直配線７１と１つの第２垂直配線７２とを除く部分は、第２磁性層５５となっている。そのため、第２磁性層５５は、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、各支持配線４１、４２との上面に積層されている。第２磁性層５５の材質は、上述した第１磁性層５４と同じ磁性材料となっている。

【0038】

インダクタ部品１０において、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５と、によって、磁性層５０が構成されている。内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５とは、接続されており、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌを取り囲んでいる。このように、磁性層５０は第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌに対して閉磁路を構成している。そのため、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌは、磁性層５０の内部で延びている。なお、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第１磁性層５４と、第２磁性層５５と、は、区別して図示しているが、磁性層５０として一体化されていて境界が確認できないこともある。

【0039】

第４層Ｌ４の厚さ方向Ｔｄの上側の面である上面には、厚さ方向Ｔｄから視たときに第４層Ｌ４と同じ長方形状の第５層Ｌ５が積層されている。第５層Ｌ５は、４つの端子部８０と、絶縁層９０と、によって構成されている。４つの端子部８０のうち２つは、第１垂直配線７１に電気的に接続された第１外部端子８１である。また、４つの端子部８０のうち１つは、第２垂直配線７２に電気的に接続された第２外部端子８２である。すなわち、第１外部端子８１及び第２外部端子８２は、各インダクタ配線２０Ｒ、２０Ｌに電気的に接続されている。４つの端子部８０のうち、第１外部端子８１及び第２外部端子８２を除く残りの１つは、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌのいずれにも電気的に接続されていないダミー部８３である。

【0040】

図２に示すように、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄの中央を通り、短手方向Ｗｄに平行な仮想直線ＢＸを引いたとき、上述の対称軸ＡＸと仮想直線ＢＸとが交差する第５層Ｌ５の上面上の点が第５層Ｌ５の幾何中心Ｇである。４つの端子部８０は、厚さ方向Ｔｄから視たときに第５層Ｌ５の幾何中心Ｇに対して２回対称位置に配置されている。

【0041】

第１外部端子８１は、第１垂直配線７１の上面に、他の層を介することなく直接接続されている。第１外部端子８１は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっており、第２磁性層５５上にも位置している。第１外部端子８１が第１垂直配線７１と接触している面積は、第１外部端子８１の全体の面積に対して半分以下である。第１外部端子８１の長方形の長辺は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短辺は、第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。第１外部端子８１は、第１垂直配線７１の数に対応して２つ設けられている。

【0042】

第２外部端子８２は、第２垂直配線７２の上面に、他の層を介することなく直接的に接続されている。第２外部端子８２が第２垂直配線７２と接触している面積は、第２外部端子８２の全体の面積に対して半分以下である。第２外部端子８２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状となっており、第２磁性層５５上にも位置している。第２外部端子８２の長方形の長辺は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短辺は、第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。

【0043】

図３に示すように、ダミー部８３は、第４層Ｌ４の第２磁性層５５の上面に、配置されている。図２に示すように、ダミー部８３は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と、異なる形状をしている。本実施形態では、ダミー部８３は、厚さ方向Ｔｄから視たときに楕円形状になっている。なお、ダミー部８３の形状はこれに限らず、例えば、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と異なる形状であるならば、長方形状、円形状等であってもよい。ダミー部８３の楕円の長軸は、第５層Ｌ５の長手方向Ｌｄと平行に延びており、短軸は第５層Ｌ５の短手方向Ｗｄと平行に延びている。

【0044】

厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の大半の部分は、第２インダクタ配線２０Ｌと重なっている。より具体的には、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３は、第２インダクタ配線２０Ｌにおける接続部３３と重なる位置に配置されている。また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の面積は、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の面積と同じである。なお、本実施形態において、「面積が同じ」とは、製造上の誤差を許容するものである。したがって、ダミー部８３と第１外部端子８１及び第２外部端子８２との面積の差が±１０％以内であれば、面積が同じであるとみなせる。

【0045】

第５層Ｌ５において、端子部８０を除く部分は、絶縁層９０となっている。換言すると、第４層Ｌ４の上面のうち、２つの第１外部端子８１と、１つの第２外部端子８２と、１つのダミー部８３とによって覆われていない範囲は、第５層Ｌ５の絶縁層９０によって覆われている。絶縁層９０は、磁性層５０よりも絶縁性が高く、本実施形態では、絶縁層９０はソルダーレジストとなっている。絶縁層９０の厚さ方向Ｔｄの寸法は、端子部８０のいずれの厚さ方向Ｔｄの寸法よりも小さくなっている。

【0046】

本実施形態においては、磁性層５０と、絶縁樹脂６１と、絶縁層９０とによって、素体ＢＤが構成されている。すなわち、素体ＢＤは、厚さ方向Ｔｄから視たとき、長方形状になっている。本実施形態において、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、約０．２ミリメートルとすることができる。

【0047】

素体ＢＤの表面のうち、絶縁層９０における厚さ方向Ｔｄの上側の面が主面ＭＦとなっている。したがって、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌは、素体ＢＤの主面ＭＦと平行に延びている。そして、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２Ｒから主面ＭＦに向かって第１垂直配線７１が厚さ方向Ｔｄに延びている。第１垂直配線７１は主面ＭＦに露出している。第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌから主面ＭＦに向かって第１垂直配線７１が厚さ方向Ｔｄに延びている。当該第１垂直配線７１は主面ＭＦに露出している。第１インダクタ配線２０Ｒの第２パッド２３Ｒからは主面ＭＦに向かって第２垂直配線７２が厚さ方向Ｔｄに延びている。第２垂直配線７２は主面ＭＦに露出している。端子部８０の上面は、主面ＭＦに露出し、主面ＭＦよりも厚さ方向Ｔｄの上側に位置している。すなわち、ダミー部８３を含む各端子部８０の外縁は、絶縁層９０に接している。なお、本実施形態のように、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２における主面ＭＦに露出している面の少なくとも一部が、第１外部端子８１及び第２外部端子８２に覆われていることもある。

【0048】

素体ＢＤは主面ＭＦに垂直な第１側面９３を有している。なお、第１層Ｌ１の第１側面９１は、素体ＢＤの第１側面９３の一部である。また、素体ＢＤは主面ＭＦに垂直な側面であって第１側面９３と平行な第２側面９４を有している。なお、第１層Ｌ１の第２側面９２は、素体ＢＤの第２側面９４の一部である。すなわち、第１支持配線４１は、第１インダクタ配線２０Ｒから主面ＭＦと平行に延び、端部が素体ＢＤの第１側面９３に露出している。同様に、第２支持配線４２は、第１インダクタ配線２０Ｒから主面ＭＦと平行に延び、端部が素体ＢＤの第２側面９４に露出している。

【0049】

本実施形態では、第５層Ｌ５の幾何中心Ｇは、主面ＭＦの幾何中心Ｇと一致する。また、厚さ方向Ｔｄから視たときに、主面ＭＦの幾何中心Ｇと素体ＢＤの幾何中心Ｇとは一致している。本実施形態において、主面ＭＦは、主面ＭＦの幾何中心Ｇに対して２回対称形状になっている。なお、主面ＭＦにおける外縁の形状が幾何中心Ｇに対して２回対称形状であればよく、主面ＭＦの厚さ方向Ｔｄの形状は考慮されない。例えば、主面ＭＦの端子部８０が配置されている開口は、幾何中心Ｇに対して２回対称形状でなくてもよい。

【0050】

図２に示すように、主面ＭＦの幾何中心Ｇを通り、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの一辺に平行な仮想直線ＢＸにおいて、主面ＭＦを第１領域と第２領域に仮想的に分割したとする。本実施形態では、仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第１端側を第１領域としたとき、第１領域には、ダミー部８３が設けられていない。仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第２端側を第２領域としたとき、第２領域には、第２領域に設けられた第２外部端子８２の数と同じ数のダミー部８３が設けられている。なお、主面ＭＦの幾何中心Ｇを通り、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの一辺に平行な位置、すなわち対称軸ＡＸと同じ位置に仮想直線を引き、主面ＭＦを第１領域と第２領域に仮想的に分割したとする。例えば、対称軸ＡＸと同じ位置の仮想直線よりも短手方向Ｗｄの第２端側の領域を第１領域としたとき、第１領域には、ダミー部８３が設けられていない。また、対称軸ＡＸと同じ位置の仮想直線よりも短手方向Ｗｄの第１端側の領域を第２領域としたとき、第２領域には、第１外部端子８１と同じ数のダミー部８３が設けられている。ただし、幾何中心を通り、主面の一辺と平行な仮想直線が複数存在する場合、そのうちの１つの仮想直線で主面を仮想的に分割したときの第１領域でダミー部が設けられておらず、第２領域において第２領域に設けられた外部端子以上のダミー部が設けられていればよい。

【0051】

また、本実施形態に設けられたダミー部８３は１つであり、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部同士が、主面ＭＦの幾何中心Ｇに対して２回対称とならない位置に配置されている。

【0052】

ここで、図２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たときに、仮想直線ＢＸと対称軸ＡＸとによって、主面ＭＦを、端子部８０の数と同数で互いに合同な複数の仮想領域に分割したとする。すなわち、仮想直線ＢＸと対称軸ＡＸとによって、主面ＭＦを４つ長方形状の仮想領域に分割したとする。このとき、４つの仮想領域には、端子部８０が１つずつ配置されている。

【0053】

具体的には、仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第１端側、且つ対称軸ＡＸよりも短手方向Ｗｄの第２端側の仮想領域を第１仮想領域ＶＡ１とする。第１仮想領域ＶＡ１には、端子部８０のうちの第１外部端子８１が設けられている。仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第２端側、且つ対称軸ＡＸよりも短手方向Ｗｄの第２端側の仮想領域を第２仮想領域ＶＡ２とする。第２仮想領域ＶＡ２には、第２外部端子８２が設けられている。仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第１端側、且つ対称軸ＡＸよりも短手方向Ｗｄの第１端側の仮想領域を第３仮想領域ＶＡ３とする。第３仮想領域ＶＡ３には、第１外部端子８１が配置されている。また、仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第２端側、且つ対称軸ＡＸよりも短手方向Ｗｄの第１端側の仮想領域を第４仮想領域ＶＡ４とする。第４仮想領域ＶＡ４には、ダミー部８３が設けられている。

【0054】

第４仮想領域ＶＡ４に設けられたダミー部８３を特定ダミー部８３Ｓとし、特定ダミー部８３Ｓが設けられている第４仮想領域ＶＡ４に対して主面ＭＦの幾何中心Ｇを中心とする２回対称位置の仮想領域に設けられている端子部８０を特定端子部８０Ｓとする。すなわち、特定端子部８０Ｓは、第１仮想領域ＶＡ１に設けられている第１外部端子８１である。厚さ方向Ｔｄから視たときに、特定ダミー部８３Ｓの形状は楕円形状であり、特定端子部８０Ｓの形状と異なっている。

【0055】

次に、各配線について詳述する。
図２に示すように、厚さ方向Ｔｄから視たとき、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１は、長手方向Ｌｄに延びている。なお、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１は、第１配線本体２１Ｒが延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて第１配線本体２１Ｒの中間点を辿った線である。

【0056】

上述したように、第２インダクタ配線２０Ｌの第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２は略Ｌ字状に延びている。ここで、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１の配線長は、第１配線本体２１Ｒの配線長よりも長くなっている。加えて、第２配線本体２１Ｌは、接続部３３および短直線部３２を有している。したがって、第２配線本体２１Ｌの配線長の方が、第１配線本体２１Ｒの配線長よりも、長くなっている。具体的には、第２配線本体２１Ｌの配線長は、第１配線本体２１Ｒの配線長の１．２倍以上である。

【0057】

上記の配線長の違いを反映して、第２インダクタ配線２０Ｌのインダクタンス値は、第１インダクタ配線２０Ｒのインダクタンス値の１．１倍以上になっている。また、本実施形態では、第１インダクタ配線２０Ｒのインダクタンス値はおよそ２．５ｎＨとすることができる。

【0058】

第１インダクタ配線２０Ｒの第１配線本体２１Ｒは、素体ＢＤにおける長手方向Ｌｄの外縁の一辺に沿って延びている。第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌ及び第２パッド２３Ｒは、素体ＢＤの幾何中心Ｇに対して対称的な位置に配置されている。本実施形態では、第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌと第２パッド２３Ｒとは、幾何中心Ｇを中心として２回対称の位置に配置されている。

【0059】

第１インダクタ配線２０Ｒは、第２インダクタ配線２０Ｌと互いに平行に延びる平行部分を有している。具体的には、第１配線本体２１Ｒと、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１とが平行部分に該当する。これら第１配線本体２１Ｒ及び長直線部３１は、第１層Ｌ１において短手方向Ｗｄに並設されている。なお、平行部分は、実質的に平行であればよく、製造誤差を許容する。

【0060】

以下の説明では、短手方向Ｗｄにおける第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１と、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１における中心軸線Ｃ２との距離を配線本体間のピッチＸ１とする。すなわち、配線本体間のピッチは、隣り合う平行部分のピッチである。

【0061】

また、隣り合う平行部分の間隔、すなわち、図２の第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの第１端側と第２配線本体２１Ｌの長直線部３１の短手方向Ｗｄの第２端側との間の距離は、例えば、およそ２００マイクロメートルになっている。

【0062】

図２に示すように、短手方向Ｗｄの第２端側に位置する平行部分である、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１から、第１配線本体２１Ｒに最も近い短手方向Ｗｄの素体ＢＤの端、すなわち第２端側の端までの距離を第１距離Ｙ１とする。

【0063】

短手方向Ｗｄの第１端側に位置する平行部分である長直線部３１の中心軸線Ｃ２から、長直線部３１に最も近い短手方向Ｗｄの素体ＢＤの端、すなわち第１端側の端までの距離を第２距離Ｙ２とする。本実施形態において、第１距離Ｙ１は、第２距離Ｙ２と同じ寸法である。

【0064】

短手方向Ｗｄにおいて、配線本体間のピッチＸ１は、第１距離Ｙ１及び第２距離Ｙ２と寸法が異なっている。具体的には、配線本体間のピッチＸ１は、およそ「２５０マイクロメートル」とすることができる。第１距離Ｙ１、及び第２距離Ｙ２は、およそ「１７５マイクロメートル」とすることができる。第１距離Ｙ１、及び第２距離Ｙ２は、ピッチＸ１の２分の１よりもやや大きいことが好ましい。

【0065】

また、本実施形態では、ピッチＸ１、第１距離Ｙ１、第２距離Ｙ２の平均値は、「２００マイクロメートル」である。上記平均値に対するピッチＸ１の割合は「１２５％」である。また、上記平均値に対する第１距離Ｙ１及び第２距離Ｙ２の割合は、「８７．５％」である。したがって、上記平均値に対するピッチＸ１、第１距離Ｙ１及び第２距離Ｙ２の割合は、いずれも５０％以上且つ１５０％以下である。

【0066】

第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２Ｒに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、長手方向Ｌｄに延びている。第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、第１支持配線４１が延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて第１支持配線４１の中間点を辿った線である。

【0067】

第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第１インダクタ配線２０Ｒに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１とは異なる直線上に位置する。

【0068】

また、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線は、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１を通過する。すなわち、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線は、第１垂直配線７１と第１パッド２２Ｒとの接続面の中心を通過する。

【0069】

第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、長手方向Ｌｄに延びている。第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、第１支持配線４１が延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて第１支持配線４１の中間点を辿った線である。

【0070】

第１支持配線４１の中心軸線Ａ１は、第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第２インダクタ配線２０Ｌに接続している第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線と第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２とは異なる直線上に位置する。

【0071】

また、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線は、第１垂直配線７１の中心軸線ＣＶ１を通過する。すなわち、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の延長線は、第１垂直配線７１と第１パッド２２Ｌとの接続面の中心を通過する。

【0072】

なお、第１インダクタ配線２０Ｒに接続している第１支持配線４１と、第２インダクタ配線２０Ｌに接続している第１支持配線４１とは、対称軸ＡＸを基準に線対称の位置に配置されている。

【0073】

また、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、長手方向Ｌｄに延びている。第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、第２支持配線４２が延びる方向と直交する方向、すなわち短手方向Ｗｄにおいて第２支持配線４２の中間点を辿った線である。

【0074】

第２支持配線４２の中心軸線Ａ２は、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１よりも短手方向Ｗｄの外側に位置している。すなわち、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２と第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１とは異なる直線上に位置する。

【0075】

また、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２上には、第２垂直配線７２が配置されている。そして、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２の延長線は、第２垂直配線７２の中心軸線ＣＶ２を通過する。すなわち、第２支持配線４２の中心軸線Ａ２の延長線は、第２垂直配線７２と第２パッド２３Ｒとの接続面の中心を通過する。

【0076】

第１インダクタ配線２０Ｒから延びている第１支持配線４１及び第２支持配線４２は、短手方向Ｗｄにおいて同じ位置に配置されている。すなわち、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第２支持配線４２の中心軸線Ａ２とは同一直線上に位置している。なお、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの最小線幅を基準に、１０％以内のずれであれば、同一直線上にある、とみなす。具体的には、本実施形態における第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの最小線幅は、第１配線本体２１Ｒ及び第２配線本体２１Ｌの線幅である５０マイクロメートルとすることができる。したがって、本実施形態における「同一直線上」とは、２つの軸線の最短距離が５マイクロメートル以内の場合であり、「異なる直線上」とは、２つの軸線の最短距離が５マイクロメートルを超える場合である。

【0077】

上述したように、第１層Ｌ１において、各第１支持配線４１は、対称軸ＡＸを基準として、線対称に配置されている。したがって、図２に示すように、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第２端側の端から、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までの距離Ｑ１は、素体ＢＤの短手方向Ｗｄの第１端側の端から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までの距離Ｑ２と同じである。

【0078】

一方、短手方向Ｗｄにおいて、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までのピッチＰ１は、上述の距離Ｑ１及び距離Ｑ２よりも大きくなっている。具体的には、ピッチＰ１は、距離Ｑ１及び距離Ｑ２のおよそ２倍の長さである。

【0079】

図４に示すように、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの配線幅Ｈ１は第２配線本体２１Ｌの短手方向Ｗｄの配線幅Ｈ２と等しくなっている。また、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌは同一の第１層Ｌ１に配置されているため、第１配線本体２１Ｒと第２配線本体２１Ｌの厚さ方向Ｔｄの寸法も同じである。したがって、第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１に直交する断面での第１配線本体２１Ｒの断面積は、第２配線本体２１Ｌの断面積と等しくなっている。なお、本実施形態において、第１配線本体２１Ｒと第２配線本体２１Ｌとの断面積の差が、各配線本体２１Ｒ、２１Ｌの断面積に対して１０％以内であれば、断面積が等しい、とみなす。

【0080】

図４及び図５に示すように、第１支持配線４１の短手方向Ｗｄの配線幅Ｗ１は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの配線幅Ｈ１よりも小さくなっている。ここで、第１支持配線４１と第１配線本体２１Ｒとは同一の第１層Ｌ１に設けられており、厚さ方向Ｔｄの寸法は略同じである。したがって、配線幅の違いを反映して各第１支持配線４１の断面積は、第１配線本体２１Ｒの断面積よりも小さくなっている。

【0081】

同様に、図２及び図４に示すように第２支持配線４２の短手方向Ｗｄの配線幅Ｗ２は、第１配線本体２１Ｒの短手方向Ｗｄの配線幅Ｈ１よりも小さくなっている。したがって、配線幅の違いを反映して、第２支持配線４２の断面積は、第１配線本体２１Ｒの断面積よりも小さくなっている。

【0082】

図６に示すように、素体ＢＤにおける長手方向Ｌｄの第１端側の第１側面９３からは、２つの第１支持配線４１の端が露出している。各第１支持配線４１において第１側面９３に露出している露出面４１Ａの形状は、中心軸線Ａ１と直交する第１支持配線４１の断面形状を若干引き延ばしたような形状になっている。その結果として、第１支持配線４１の露出面４１Ａの面積は、中心軸線Ａ１と直交する断面における、素体ＢＤの内部での第１支持配線４１の断面積よりも大きくなっている。同様に、第２支持配線４２は、素体ＢＤの長手方向Ｌｄの第２端側の第２側面９４に露出している。第２支持配線４２において第２側面９４に露出している露出面４２Ａの面積は、中心軸線Ａ２と直交する断面における、素体ＢＤの内部での第２支持配線４２の断面積よりも大きくなっている。これにより、第１支持配線４１、第２支持配線４２と、素体ＢＤの第１側面９３及び第２側面９４との接触面積が大きくなり、互いの密着性が向上する。なお、あくまで断面積の大小が上記関係を満たせばよく、例えば、露出面４１Ａは、一方に引き延ばされつつ、他方が素体ＢＤの引き延ばされた部分に覆われた形状であってもよい。

【0083】

なお、第１側面９３において露出している第１支持配線４１は２つであり、第２側面９４において露出している第２支持配線４２は１つであり、露出している支持配線の数が異なっている。

【0084】

次に、端子部８０について詳述する。
４つの端子部８０は、例えば、導電性を有する複数の層を備えている。本実施形態では、第１外部端子８１は、図２１に示すように、第１金属層１１１と、第２金属層１１２と、第３金属層１１３の３層構造となっている。第１金属層１１１は、第１垂直配線７１及び、第２磁性層５５の上面の上に積層されている。第１金属層１１１の厚さ方向Ｔｄの寸法はおよそ５マイクロメートルとすることができる。第１金属層１１１の材質は銅である。第２金属層１１２は、第１金属層１１１の上面の上に積層されている。第２金属層１１２の厚さ方向Ｔｄの寸法は、およそ５マイクロメートルとすることができる。第２金属層１１２の材質は、ニッケルである。第３金属層１１３は第２金属層１１２の上面に積層されている。第３金属層１１３の厚さ方向Ｔｄの寸法はおよそ０．１マイクロメートルとすることができる。第３金属層１１３の材質は金である。なお、第２外部端子８２及びダミー部８３も第１外部端子８１と同じ積層構造である。

【0085】

第１外部端子８１において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、厚さ方向Ｔｄの下側に存在する第２磁性層５５及び第１垂直配線７１が透けて見えることがある。したがって、第１外部端子８１においては、下側に第２磁性層５５が存在しているか第１垂直配線７１が存在しているかによって、異なる見え方をする。第１外部端子８１から第１垂直配線７１が透けて見える領域は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１外部端子８１の半分以下の領域である。

【0086】

同様に、第２外部端子８２において、厚さ方向Ｔｄの下側に存在する第２磁性層５５及び第２垂直配線７２が透けて見えることがある。したがって、第２外部端子８２においては、下側に第２磁性層５５が存在しているか第２垂直配線７２が存在しているかによって、異なる見え方をする。第２外部端子８２から第２垂直配線７２が透けて見える領域は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第２外部端子８２の半分以下の領域である。

【0087】

ダミー部８３において、厚さ方向Ｔｄの下側に存在する第２磁性層５５が透けて見えることがある。なお、ダミー部８３は、垂直配線上には設けられていない。したがって、この実施形態では、ダミー部８３はほぼ全体が均一な見え方をする。一方、第１外部端子８１から透けて見える第２磁性層５５の領域は、第１外部端子８１の半分以上の領域である。第２外部端子８２から透けて見える第２磁性層５５の領域は、第２外部端子８２の半分以上の領域である。すなわち、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の全体と、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の半分以上の領域とが、光学的に同じ色である。ここでの同じ色とは、例えば、色差計を用いたときに、ＲＧＢを示す数値の差異が、所定の範囲内であるときに同じ色とみなす。なお、所定の範囲は例えば、１０％等である。

【0088】

図２１に示すように、第１外部端子８１において、厚さ方向Ｔｄから視たときの第１垂直配線７１上には、厚さ方向Ｔｄの下側に向かって窪む凹部１２０が設けられている。凹部１２０は、第１外部端子８１の厚さ方向Ｔｄの上側の面から、例えば数マイクロメートルほど窪んでいる。

【0089】

図２１に示すように、第１外部端子８１の表面は、平滑部１２１と平滑部１２１よりも表面粗さの大きい粗部１２２で構成されている。本実施形態では、粗部１２２の表面粗さは、平滑部１２１の表面粗さの１．５倍ほど大きくなっている。表面粗さは、光干渉式表面粗さ計（ＺＹＧＯ社製ＮｅｗＶｉｅｗ）を用いて測定することができる。

【0090】

第１外部端子８１において平滑部１２１は、第１垂直配線７１における厚さ方向Ｔｄの上側の表面が平坦であることを反映して表面粗さが小さくなっている。したがって、厚さ方向Ｔｄから視たときに、平滑部１２１は、第１外部端子８１の第１垂直配線７１上に設けられている。なお、凹部１２０上はすべて平滑部１２１となっている。また、第１外部端子８１において粗部１２２は、磁性層５０に金属磁性粉が含まれていることに起因して磁性層５０の表面に凹凸が生じていることを反映して、表面粗さが大きくなっている。したがって、厚さ方向Ｔｄから視たときに、粗部１２２は、第１外部端子８１における第２磁性層５５上に設けられている。

【0091】

第２外部端子８２においても、上述した第１外部端子８１と同様に、凹部１２０が窪んでいる。また、第２外部端子８２の表面は、平滑部１２１と、平滑部１２１よりも表面粗さの大きい粗部１２２とで構成されている。

【0092】

第２外部端子８２において平滑部１２１は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第２外部端子８２の第２垂直配線７２上に設けられている。すなわち、凹部１２０上はすべて平滑部１２１となっている。また、第２外部端子８２において粗部１２２は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第２外部端子８２における第２磁性層５５上に設けられている。

【0093】

なお、上述したとおり、ダミー部８３の全域は、第２磁性層５５上に設けられている。したがって、ダミー部８３の表面粗さは、第１外部端子８１の粗部１２２及び第２外部端子８２の粗部１２２と同程度である。したがって、ダミー部８３の表面粗さは、第１外部端子８１の平滑部１２１及び第２外部端子８２の平滑部１２１よりも大きくなっている。

【0094】

次に、インダクタ部品１０の製造方法を説明する。
図７に示すように、先ず、ベース部材準備工程を行う。具体的には、板状のベース部材１０１を準備する。ベース部材１０１の材質は、セラミックスである。ベース部材１０１は、厚さ方向Ｔｄから視ると、四角形状となっている。各辺の寸法は、インダクタ部品１０が複数個収容される寸法となっている。以下の説明では、ベース部材１０１の面方向に直交する方向を厚さ方向Ｔｄとして説明する。

【0095】

次に、図８に示すように、ベース部材１０１の上面全体にダミー絶縁層１０２を塗布する。次に、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１インダクタ配線２０Ｒ、第２インダクタ配線２０Ｌが配置される範囲より僅かに広い範囲に、フォトリソグラフィによって、絶縁樹脂６１をパターニングする。

【0096】

次に、シード層１０３を形成するシード層形成工程を行う。具体的には、ベース部材１０１の上面側から、スパッタリングによって、絶縁樹脂６１及びダミー絶縁層１０２の上面に銅のシード層１０３を形成する。なお、図面において、シード層１０３は、太線で図示する。

【0097】

次に、図９に示すように、シード層１０３の上面のうち、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とを形成しない部分を被覆する第１被覆部１０４を形成する第１被覆工程を行う。具体的には、先ず、シード層１０３の上面全体に感光性のドライフィルムレジストを塗布する。次に、ダミー絶縁層１０２の上面の範囲全てと、絶縁樹脂６１の上面のうち、絶縁樹脂６１が覆う範囲の外縁部の上面とについて、露光することで硬化させる。その後、塗布したドライフィルムレジストのうち硬化していない部分を、薬液により剥離除去する。これにより、塗布したドライフィルムレジストのうち、硬化している部分が、第１被覆部１０４として形成される。一方で、塗布したドライフィルムレジストのうち、薬液に除去されて第１被覆部１０４に被覆されていない部分には、シード層１０３が露出している。第１被覆部１０４の厚さ方向Ｔｄの寸法である第１被覆部１０４の厚みは、図４に示すインダクタ部品１０の第１インダクタ配線２０Ｒの第１配線本体２１Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの第２配線本体２１Ｌの厚みよりも僅かに大きくなっている。なお、後述する他の工程におけるフォトリソグラフィも、同様の工程であるので詳細な説明は省略する。

【0098】

次に、図１０に示すように、絶縁樹脂６１の上面のうちの、第１被覆部１０４に被覆されていない部分に、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２と、を電解めっきで形成する配線加工工程を行う。具体的には、電解銅めっきを行い、絶縁樹脂６１の上面において、シード層１０３が露出している部分から、銅を成長させる。これにより、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２と、が形成される。したがって、この実施形態では、複数のインダクタ配線を形成する工程と、異なるインダクタ配線のパッド間を接続する複数の第１支持配線４１及び第２支持配線４２を形成する工程とが同一工程である。また、第１インダクタ配線２０Ｒ、第２インダクタ配線２０Ｌと第１支持配線４１及び第２支持配線４２とは、同一平面上に形成される。なお、図１０では、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌが図示されていて、各支持配線４１、４２は図示されていない。

【0099】

次に、図１１に示すように、第２被覆部１０５を形成する第２被覆工程を行う。第２被覆部１０５を形成する範囲は、第１被覆部１０４の上面全体と、各支持配線の上面全体と、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの上面のうち第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２を形成しない範囲である。この範囲に、第１被覆部１０４を形成した方法と同一のフォトリソグラフィによって、第２被覆部１０５を形成する。また、第２被覆部１０５の厚さ方向Ｔｄの寸法は、第１被覆部１０４と同一となっている。

【0100】

次に、各垂直配線７１、７２を形成する垂直配線加工工程を行う。具体的には、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌのうち、第２被覆部１０５に被覆されていない部分に、電解銅めっきによって第１垂直配線７１と、第２垂直配線７２と、を形成する。また、垂直配線加工工程においては、成長する銅の上端が第２被覆部１０５の上面より僅かに低い位置となるように設定している。具体的には、後述する切削前の各垂直配線７１、７２の厚さ方向Ｔｄの寸法が、各インダクタ配線２０Ｒ、２０Ｌの厚さ方向Ｔｄの寸法と同一になるように設定している。

【0101】

次に、図１２に示すように、第１被覆部１０４及び第２被覆部１０５を取り除く被覆部除去工程を行う。具体的には、薬品によって第１被覆部１０４及び第２被覆部１０５をウェットエッチングすることにより、第１被覆部１０４及び第２被覆部１０５を剥離する。なお、図１２においては、第１垂直配線７１が図示されていて、第２垂直配線７２は図示されていない。

【0102】

次に、シード層１０３をエッチングするシード層エッチング工程を行う。シード層１０３についてエッチングを行うことで、露出しているシード層１０３を除去する。このように、各インダクタ配線と、各支持配線と、はＳＡＰ（Ｓｅｍｉ Ａｄｄｉｔｉｖｅ Ｐｒｏｃｅｓｓ：セミアディティブ工法）で形成される。

【0103】

次に、図１３に示すように、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５を積層する第２磁性層加工工程を行う。具体的には、先ず、ベース部材１０１の上面側に、磁性層５０の材質である磁性粉を含む樹脂を塗布する。このとき、各垂直配線７１、７２の上面も覆うように磁性粉を含む樹脂を塗布する。次に、プレス加工して磁性粉を含む樹脂を固めることで、ベース部材１０１の上面側に内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５を形成する。

【0104】

次に、図１４に示すように、第２磁性層５５の上側部分を、各垂直配線７１、７２の上面が露出するまで削る。このとき、第２磁性層５５の上面が、各垂直配線７１、７２の上面よりも厚さ方向Ｔｄの上側に位置するように、第２磁性層５５を削る。なお、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５とは、一体的に形成されるが、図面においては、内磁路部５１と、外磁路部５２と、絶縁樹脂磁性層５３と、第２磁性層５５とも区別して図示している。

【0105】

次に、図１５に示すように、絶縁層加工工程を行う。具体的には、第２磁性層５５の上面と、各垂直配線７１、７２の上面とのうち、端子部８０を形成しない部分に、フォトリソグラフィによって、絶縁層９０として機能するソルダーレジストをパターニングする。なお、本実施形態において、絶縁層９０の上面、すなわち素体ＢＤの主面ＭＦに直交する方向は、厚さ方向Ｔｄとなっている。

【0106】

次に、図１６に示すように、ベース部材切削工程を行う。具体的には、ベース部材１０１及びダミー絶縁層１０２を全て切削によって除去する。なお、ダミー絶縁層１０２を全て切削する結果、各絶縁樹脂の下側部分についても、一部切削により除去されるが、各インダクタ配線２０Ｒ、２０Ｌは除去されない。

【0107】

次に、図１７に示すように、第１磁性層５４を積層する第１磁性層加工工程を行う。具体的には、先ず、ベース部材１０１の下側面に、第１磁性層５４の材質である磁性粉を含む樹脂を塗布する。次に、プレス加工することで、磁性粉を含む樹脂を固めることで、ベース部材１０１の下側面に第１磁性層５４を形成する。

【0108】

次に、第１磁性層５４の下端部分を削る。例えば、各外部端子８１、８２の上面から第１磁性層５４の下面までの寸法が、所望の値となるように、第１磁性層５４の下端部分を削る。

【0109】

次に、図１８に示すように、端子部加工工程を行う。具体的には、第２磁性層５５の上面と、各垂直配線７１、７２の上面と、のうち、絶縁層９０に覆われていない部分に、第１外部端子８１と、第２外部端子８２と、ダミー部８３とを形成する。この工程では、先ず、第１外部端子８１、第２外部端子８２、及びダミー部８３それぞれについて、銅の無電解めっきによって第１金属層１１１を形成する。次に、ニッケルの無電解めっきによって第２金属層１１２を形成する。その後、金の無電解めっきによって第３金属層１１３を形成する。また、第１金属層１１１と第２金属層１１２との間にパラジウムなどの触媒層があってもよい。これらにより３層構造の第１外部端子８１と、第２外部端子８２と、ダミー部８３とが形成される。

【0110】

各垂直配線７１、７２の上面は第２磁性層５５の上面よりも、厚さ方向Ｔｄの下側に位置している。そのため、各垂直配線７１、７２上の各外部端子８１、８２には、厚さ方向Ｔｄの下側に向かって窪む凹部１２０が形成される。また、第１外部端子８１及び第２外部端子８２には、その下側に位置する垂直配線７１、７２又は第２磁性層５５の表面粗さを反映して、平滑部１２１及び粗部１２２が形成される。

【0111】

なお、図１８においては、第１外部端子８１が図示されていて、第２外部端子８２及びダミー部８３は、図示されていない。また、図１８においては、凹部１２０、平滑部１２１、及び粗部１２２の図示は省略している。

【0112】

次に、図１９に示すように、個片化加工工程を行う。具体的には、破断線ＤＬにてダイシングにより個片化する。これにより、インダクタ部品１０を得ることができる。
ダイシングする前の状態では、例えば、図２０に示すように、複数のインダクタ部品が、長手方向Ｌｄと短手方向Ｗｄとに並設され、素体ＢＤや第１支持配線４１及び、第２支持配線４２で個々のインダクタ部品は繋がっている。具体的には、第１支持配線４１は、第１支持配線４１同士で繋がっており、第２支持配線４２は第２支持配線４２同士で繋がっている。破断線ＤＬ上に含まれる、第１支持配線４１及び第２支持配線４２が厚さ方向Ｔｄで切断されることで、第１支持配線４１の切断面を第１側面９３に露出面４１Ａとして露出させる。また、第２支持配線４２の切断面を第２側面９４に露出面４２Ａとして露出させる。

【0113】

なお、個片化加工工程の後、各インダクタ部品１０は、酸素存在下で一定期間放置される。これにより、第１支持配線４１の露出面４１Ａを含む一部、及び第２支持配線４２の露出面４２Ａを含む一部が酸化され、Ｃｕ酸化物となる。

【0114】

次に、本実施形態の作用について説明する。
第１外部端子８１及び第２外部端子８２を、低角度から光を照らしたとき、平滑部１２１と粗部１２２とでは表面粗さの違いによる光学的な色の違いが生じる。低角度から光を当てたとき、表面粗さが相対的に小さい面の方が、輝度が低く見え、表面粗さが相対的に大きい面の方が、輝度が高く見える。したがって、第１外部端子８１及び第２外部端子８２において、粗部１２２の方が平滑部１２１よりも色が明るく見える。上述した第１外部端子８１及び第２外部端子８２上における色の違いは、上記のような表面粗さの違いにも起因している。

【0115】

一方で、ダミー部８３の表面粗さは、粗部１２２と同程度の表面粗さである。そのため、上述のように低角度からダミー部８３に光を当てた場合でも、ダミー部８３は全体的に同じ色で見える。ダミー部８３の色は、第１外部端子８１及び第２外部端子８２における粗部１２２とおおむね同じである。

【0116】

次に、本実施形態の効果について説明する。
（１）上記実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たとき、ダミー部８３の形状は、第１外部端子８１及び第２外部端子８２とは異なっている。すなわち、特定ダミー部８３Ｓの形状は、特定端子部８０Ｓの形状とは異なっている。また、本実施形態においてインダクタ部品１０に設けられたダミー部８３は１つであるため、ダミー部８３は主面ＭＦの幾何中心Ｇに対して非対称的に設けられている。したがって、ダミー部８３によって、インダクタ部品１０の向きを簡便に特定できる。インダクタ部品１０の向きが判別できると、例えば、インダクタ部品１０を基板に実装する際に正しく設置しやすくなる。

【0117】

また、端子部８０は主面ＭＦの幾何中心Ｇに対して２回対称位置に配置されている。仮に、端子部８０が非対称位置に配置されている場合と比較して、インダクタ部品１０の重量のバランスがよくなり、実装時に傾きが生じにくくなる。

【0118】

（２）上記実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の面積は、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と等しくなっている。そのため、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と同じようにダミー部８３を、基板等に対してはんだ付けする際に、これら４つの端子部８０上に塗布されるはんだの量を均一化できる。したがって、インダクタ部品１０が傾いて基板等に実装されることを抑制できる。

【0119】

（３）上記実施形態において、主面ＭＦ上において、第１領域にはダミー部８３が設けられていない。また、上記実施形態において設けられたダミー部８３の数は１つである。すなわち、インダクタ部品１０にはダミー部８３が最低限の数しか設けられていない。ダミー部８３の数を最小限にすることで、インダクタ部品１０の重量が増加することを抑制できる。

【0120】

（４）上記実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の大半の部分は、第２インダクタ配線２０Ｌと重なっている。第２インダクタ配線２０Ｌは、第２インダクタ配線２０Ｌの周囲に配置された磁性層５０とは、異なる材質からなる。そのため、第２インダクタ配線２０Ｌと磁性層５０とでは線形膨張係数が異なる。したがって、インダクタ部品１０に温度変化が生じたときに、第２インダクタ配線２０Ｌと磁性層５０との変形量の違いに起因して、インダクタ部品１０に反り等が生じることがある。ダミー部８３が第２インダクタ配線２０Ｌと重なって配置されることで、このインダクタ部品１０の反り等を抑制する補強部として、ダミー部８３が機能し得る。

【0121】

（５）上記実施形態において、端子部８０はいずれも第１金属層１１１、第２金属層１１２、第３金属層１１３からなる。すなわち、ダミー部８３は、第１外部端子８１及び第２外部端子８２とで同じ工程で形成可能である。したがって、ダミー部８３を新たに設けるにあたって、インダクタ部品１０の製造工程数の増加を抑制できる。

【0122】

（６）上記実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３の全体と、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の半分以上の領域とが、光学的に同じ色である。第１外部端子８１及び第２外部端子８２の検査を行うときに、これらの表面の色を判定して品質を担保することがある。そのため、ダミー部８３が第１外部端子８１及び第２外部端子８２と同じ色を有していると、ダミー部８３においても同様の色の判定による検査を適用できる。

【0123】

（７）上記実施形態において、第１外部端子８１及び第２外部端子８２は、粗部１２２を備えている。インダクタ部品１０を実装するとき、端子部８０と基板とをはんだで実装する場合がある。粗部１２２では、平滑部１２１に比較して表面積が大きくなっているため、はんだとの接触面積が増える。これにより、はんだでの接続強度が保たれやすい。

【0124】

（８）上記実施形態において、第１外部端子８１及び第２外部端子８２は、平滑部１２１を備えている。また、平滑部１２１は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、各垂直配線７１、７２上に配置されている。上述したように、インダクタ部品１０を実装するとき、端子部８０と基板とをはんだで実装する場合がある。平滑部１２１では、粗部１２２よりも表面粗さが小さいためはんだの濡れ性がよくなる。したがって、はんだ付けの際に、はんだが平滑部１２１に広がりやすくなり、はんだによる導電性の確保を確実にできる。

【0125】

（９）上記実施形態では、第１外部端子８１及び第２外部端子８２に凹部１２０が設けられている。インダクタ部品１０を基板等に実装する際に、球状のはんだボールをインダクタ部品に装着した後、はんだを溶かして実装することがある。その際に、凹部１２０が存在することで、はんだボールを置きやすくなる。また、凹部１２０は厚さ方向Ｔｄから視たときに、各垂直配線７１、７２上に形成されている。そのため、上記のようにはんだボールを形成して実装する場合において、はんだボールが溶けたときに、凹部１２０にはんだが広がりやすく、厚さ方向Ｔｄから視たときに、垂直配線７１、７２上にはんだが行き渡りやすくなる。

【0126】

（１０）上記実施形態において、ダミー部８３は第２磁性層５５の上面に配置されており、ダミー部８３の外縁は、絶縁層９０に接している。上述したように、第２磁性層５５の上面に絶縁層９０をパターニングした後、パターニングされていない箇所に無電解めっきにより端子部８０が形成される。そのため、絶縁層９０のパターニングの形状によって、簡便にダミー部８３を外部端子８１、８２と異なる形状で形成できる。

【0127】

（１１）上記実施形態において、第１インダクタ配線２０Ｒにおける第２パッド２３Ｒが、第２インダクタ配線２０Ｌにおける第２パッド２３Ｒと同一のパッドである。上記実施形態のインダクタ部品１０では、各インダクタ配線がそれぞれ異なる２つのパッドを有しているインダクタ部品よりも、１つのパッドと１つの垂直配線の分だけ磁性層５０の体積が大きくなる。磁性層５０の体積が大きいことで、インダクタンスの取得効率が大きくなりやすい。

【0128】

（１２）上記実施形態において、第１配線本体２１Ｒは直線状に延びている。また、第２配線本体２１Ｌは、長手方向Ｌｄに延びる長直線部３１と、短手方向Ｗｄに延びる短直線部３２と、これらを繋ぐ接続部３３とからなり、Ｌ字状に延びている。すなわち、第１インダクタ配線２０Ｒにおいても、第２インダクタ配線２０Ｌにおいても接続部が少なく、配線のターン数が小さくなっている。インダクタ配線２０Ｒ、２０Ｌのターン数が小さく、配線の引き回しが少ないため、各インダクタ配線２０Ｒ、２０Ｌでの直流抵抗が小さくなり、インダクタンス取得効率が確保されやすい。

【0129】

（１３）上記実施形態において、ピッチＸ１、第１距離Ｙ１、第２距離Ｙ２の平均値は、「２００マイクロメートル」である。上記平均値に対するピッチＸ１の割合は「１２５％」である。また、上記平均値に対する第１距離Ｙ１及び第２距離Ｙ２の割合は、「８７．５％」である。

【0130】

上記の割合に偏りが生じると、素体ＢＤ内におけるインダクタ配線２０Ｒ、２０Ｌの配置が偏った状態となる。素体ＢＤ内で、インダクタ配線の配置に偏りがある場合、素体ＢＤの重量バランスにも偏りが生じ、インダクタ部品が傾いて基板に実装されるおそれがある。そのため、各インダクタ配線が素体ＢＤ内で大きく偏りがない状態で配置されると好ましい。具体的には、上記の割合が、５０％以上且つ１５０％以下であると好ましく、本実施形態では、各割合の値が上記範囲内に収まっており好ましい状態である。

【0131】

（１４）上記実施形態において、第１距離Ｙ１、第２距離Ｙ２よりもピッチＸ１の方が長くなっている。ピッチＸ１が第１距離Ｙ１、第２距離Ｙ２よりも長いほうが、第２配線本体２１Ｌの短直線部３２の長さが長くなりやすく、第２インダクタ配線２０Ｌの配線長を長く設計しやすい。

【0132】

（１５）上記実施形態において、隣り合う平行部分における配線本体間の間隔は、２００マイクロメートルである。インダクタ配線間での磁束の乱れを抑制するという観点では、最小の間隔は５０マイクロメートル以上であることが好ましく、さらに、およそ１００マイクロメートル以上であればなお好適である。

【0133】

（１６）上記実施形態において、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、約０．２ミリメートルである。素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法が小さいほど、インダクタ部品１０を基板に実装した際に、基板から突出する寸法が小さくなる。したがって、上記実施形態のインダクタ部品１０は、厚さ方向Ｔｄの寸法が大きい場合には実装できなかったようなところにも実装が可能である。

【0134】

（１７）上記実施形態において、第１層Ｌ１に、第１インダクタ配線２０Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌと、第１支持配線４１と、第２支持配線４２とが存在する。複数のインダクタ部品１０が並設された状態、つまりダイシングする前の状態では、複数のインダクタ配線の間を、第１支持配線４１及び第２支持配線４２で繋ぐ構成を採用できる。複数の第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの間を第１支持配線４１及び第２支持配線４２で繋いでおけば、インダクタ配線を支持するための絶縁基板等を要さずとも、これらインダクタ配線を支持し、位置決めできる。したがって、インダクタ配線を支持するための絶縁基板等が不要という点で、インダクタ部品１０の薄型化に寄与できる。

【0135】

（１８）上記実施形態において、第１支持配線４１及び第２支持配線４２は、磁性層５０と密着している。磁性層５０と第１支持配線４１及び第２支持配線４２とが密着することで、磁性層５０の体積を確保することができ、インダクタ部品１０のインダクタンスの取得効率が確保されやすい。

【0136】

（１９）上記実施形態において、第１支持配線４１の露出面４１Ａは、本実施形態ではＣｕ酸化物になっている。露出面４１ＡがＣｕ酸化物であるため、露出面４１Ａでは導電性が小さくなっている。そのため、仮に、他の電気部品と露出面４１Ａとが接触した場合でも、露出面４１Ａを介して電流が流れることを抑制できる。この点、第２支持配線４２についても同様である。

【0137】

本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
・素体ＢＤの内部におけるインダクタ配線は、３つ以上設けられていてもよい。

【0138】

図２２に示す例では、第１インダクタ配線２０Ｒ、及び第２インダクタ配線２０Ｌに加えて、第３インダクタ配線２０Ｘ、第４インダクタ配線２０Ｙが素体ＢＤ内に延びている。第３インダクタ配線２０Ｘの第３配線本体２１Ｘは、第１インダクタ配線２０Ｒの第１配線本体２１Ｒと平行に延びている。第３配線本体２１Ｘは、第１配線本体２１Ｒと、第２配線本体２１Ｌの長直線部３１との間に配置されている。第３配線本体２１Ｘの第１端は、第２配線本体２１Ｌの短直線部３２に接続されている。すなわち、第３インダクタ配線２０Ｘは、配線の一部を第２インダクタ配線２０Ｌと共有している。第３配線本体２１Ｘの第２端には、第１パッド２２Ｘが接続されている。

【0139】

第４インダクタ配線２０Ｙの第４配線本体２１Ｙは、第１インダクタ配線２０Ｒの第１配線本体２１Ｒと平行に延びている。第４配線本体２１Ｙは、第１配線本体２１Ｒと、第３配線本体２１Ｘとの間に配置されている。第４配線本体２１Ｙの第１端は、第２配線本体２１Ｌの短直線部３２に接続されている。すなわち、第４インダクタ配線２０Ｙは、配線の一部を第２インダクタ配線２０Ｌと共有している。第４配線本体２１Ｙの第２端には、第１パッド２２Ｙが接続されている。

【0140】

なお、第１インダクタ配線２０Ｒの第１配線本体２１Ｒは、素体ＢＤの外縁の一辺に平行に延びている。第１インダクタ配線２０Ｒの第２パッド２３Ｒと、第２インダクタ配線２０Ｌの第２パッド２３Ｒとは、同一のパッドである。第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌ及び第２パッド２３Ｒは、幾何中心Ｇを挟んで、対称的な位置に配置されている。すなわち、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌは、素体ＢＤの四角形状の３辺に沿って配置され、素体ＢＤの広範囲で延びている。したがって、インダクタ部品のインダクタンスの取得範囲を大きく確保しやすい。

【0141】

図２２に示す例において、第３インダクタ配線２０Ｘの第３配線本体２１Ｘと第４インダクタ配線２０Ｙの第４配線本体２１Ｙは、第１配線本体２１Ｒと平行に延びる、平行部分である。平行部分における第１配線本体２１Ｒの中心軸線Ｃ１から第４配線本体２１Ｙの中心軸線Ｃ４までの距離で、平行部分の延びる方向と直交する方向における距離をピッチＸ１とする。平行部分における第２配線本体２１Ｌの中心軸線Ｃ２から第３配線本体２１Ｘの中心軸線Ｃ３までの距離で、平行部分の延びる方向と直交する方向における距離をピッチＸ２とする。また、第３配線本体２１Ｘの中心軸線Ｃ３から第４配線本体２１Ｙの中心軸線Ｃ４までの距離で、平行部分の延びる方向と直交する方向における距離をピッチＸ３とする。このとき、ピッチＸ１とピッチＸ２は等しくなっており、ピッチＸ３はピッチＸ１、Ｘ２よりも大きくなっている。

【0142】

この変更例のように、異なるピッチで各配線本体が配置されていてもよい。すなわち、各配線本体が、等間隔に配置されていなくてもよい。インダクタ配線の配線本体間のピッチが異なっている場合、各インダクタ配線から取得されるインダクタンス値の大小をつけやすく、インダクタ部品１０の使用条件に好適なインダクタンス値が得られるように設計しやすい。

【0143】

インダクタ配線が３つ以上存在し、且つこれらが互いに平行に延びる平行部分を有している場合、各ピッチに大きな差が生じると、素体内において各インダクタ配線が不均等に配置されることになる。そのため、外部端子の配置に偏りが生じたり、インダクタ部品の重量バランスが偏ったりする。したがって、ピッチの平均値に対する各ピッチの割合は、８５％以上且つ１１５％以下であることが好ましい。

【0144】

なお、図２２に示す例において、ピッチＸ１を「２５０マイクロメートル」とし、ピッチＸ２は「２５０マイクロメートル」、ピッチＸ３は「３１０マイクロメートル」とすることができる。したがって、上記ピッチの平均値はおよそ「２７０マイクロメートル」である。そして、ピッチの平均値に対する各ピッチの割合は、ピッチＸ１に関してはおよそ「９３％」、ピッチＸ２に関してはおよそ「９３％」、ピッチＸ３に関してはおよそ「１１５％」である。したがって、図２１に示す例では、すべてのピッチに関して、ピッチの平均値に対する各ピッチの割合は、８５％以上且つ１１５％以下である。

【0145】

・上記実施形態及び図２２に示す例において、ピッチの平均値に対する各ピッチの割合が８５％未満でもかまわないし、１１５％より大きくてもよい。
・図２２に示す例のように、ダミー部８３が複数設けられていてもよいし、ダミー部８３は異なる形状であってもよい。図２２に示す例では、厚さ方向Ｔｄから視たときに、端子部８０が８つ設けられている。厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１インダクタ配線２０Ｒの第１パッド２２Ｒ上には、第１外部端子８１Ａが設けられている。第２インダクタ配線２０Ｌの第１パッド２２Ｌ上には、第１外部端子８１Ｂが設けられている。第３インダクタ配線２０Ｘの第１パッド２２Ｘ上には、第１外部端子８１Ｃが設けられている。第４インダクタ配線２０Ｙの第１パッド２２Ｙ上には、第１外部端子８１Ｄが設けられている。第１インダクタ配線２０Ｒの第２パッド２３Ｒ上には、第２外部端子８２が設けられている。上記の外部端子は厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状であり、長辺が長手方向Ｌｄと平行に延びている。

【0146】

また、第２配線本体２１Ｌの接続部３３の上には、ダミー部８３Ａが設けられている。第３配線本体２１Ｘと第２配線本体２１Ｌの短直線部３２とが接続されている箇所には、ダミー部８３Ｂが設けられている。第４配線本体２１Ｙと第２配線本体２１Ｌの短直線部３２とが接続されている箇所には、ダミー部８３Ｃが設けられている。すなわち、ダミー部の数は、外部端子よりも少なくなっている。

【0147】

上記８つの端子部８０は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、主面ＭＦの幾何中心Ｇに対して、２回対称位置に配置されている。
素体ＢＤにおける長手方向Ｌｄの中央から幾何中心Ｇをとおり、短手方向Ｗｄに平行な仮想直線ＢＸを引いたとする。仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第１端側を第１領域としたとき、第１領域にはダミー部が設けられていない。仮想直線ＢＸよりも長手方向Ｌｄの第２端側を第２領域としたとき、第２領域には、３つのダミー部が設けられており、外部端子部の数以上のダミー部が設けられている。

【0148】

ダミー部のうち、接続部３３上に形成されたダミー部８３Ａは、他のダミー部と異なる形状をしている。具体的には、ダミー部８３Ａは、厚さ方向Ｔｄから視たときに、楕円形状であり、他のダミー部８３Ｂ、８３Ｃは、外部端子と同じ長方形状である。なお、ダミー部８３Ａの形状は楕円形状に限定されるわけではなく、例えば、外部端子と異なる長方形状、円形状であってもよい。

【0149】

図２２に示すように、ダミー部が複数設けられている場合において、複数のダミー部のうちの１つでも形状が外部端子と異なっていれば、インダクタ部品の方向を特定できる。また、図２２に示す例では、第２領域において、ダミー部の方が外部端子よりも数が多くなっている。インダクタ部品を、基板にはんだ付けする場合、端子部８０をはんだ付けするため、端子部８０が多いほどインダクタ部品の固着力が向上する。しかしながら、端子部８０の数を反映し、端子部８０の数と同じ数の垂直配線をインダクタ部品に備えると、磁性層５０の体積が減少し、インダクタンスの取得効率が悪くなる。したがって、図２２に示す例のインダクタ部品では、ダミー部の数を多くすることで、磁性層５０の体積を減少させず、インダクタ部品の固着を保持しやすくなる。

【0150】

図２３に示す例では、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌに加えて、第３インダクタ配線２０Ｖ、第４インダクタ配線２０Ｗが素体ＢＤ内に延びている。第３インダクタ配線２０Ｖは、第１インダクタ配線２０Ｒと同じ形状である。第４インダクタ配線２０Ｗは、第２インダクタ配線２０Ｌと同じ形状である。すなわち、第３配線本体２１Ｖは、直線状に延びており、第４配線本体２１Ｗは長直線部３１、短直線部３２、接続部３３を備えていて略Ｌ字状に延びている。

【0151】

第３配線本体２１Ｖの第１端は、第１パッド２２Ｖに接続され、第２端は第２パッド２３Ｖに接続されている。第４配線本体２１Ｗの第１端は、第１パッド２２Ｗに接続され、第２端は第２パッド２３Ｖに接続されている。厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１パッド２２Ｖ上には第３外部端子８１Ｅが設けられている。第１パッド２２Ｗ上には、第３外部端子８１Ｅが設けられている。第２パッド２３Ｖ上には第４外部端子８２Ｅが設けられている。第４配線本体２１Ｗの接続部３３上には、ダミー部８３Ｅが設けられている。厚さ方向Ｔｄから視たときの第３外部端子８１Ｅ及び第４外部端子８２Ｅの形状は長方形状で、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と同じである。ダミー部８３Ｅの形状は楕円形状で、ダミー部８３と同じである。図２３に示す例では、４つの第１外部端子と、２つの第２外部端子と、２つのダミー部８３とが設けられ、８つの端子部８０が備えられている。

【0152】

図２３に示す例においても、８つの端子部は、素体ＢＤの幾何中心Ｇに対して２回対称に設けられている。
・図２３に示す例のように、インダクタ配線が複数繋げられたパッドが素体ＢＤ内に複数設けられていてもよい。

【0153】

・図２３に示す例のように、ダミー部８３が複数設けられ、厚さ方向Ｔｄから視たときのダミー部８３の形状がすべてのダミー部８３で一致していてもよい。
・図２４に示すように、主面ＭＦの幾何中心Ｇに対してダミー部８３が２回対称位置に配置されていてもよい。図２４に示す例では、厚さ方向Ｔｄから視たときに、４つの端子部８０が設けられている。４つの端子部８０は、主面ＭＦの４隅に配置されており、主面ＭＦの幾何中心Ｇに対して２回対称位置に配置されている。４つの端子部８０のうち、長手方向Ｌｄの第１端側且つ短手方向Ｗｄの第１端側の隅には、第１外部端子８１が配置されている。長手方向Ｌｄの第２端側且つ短手方向Ｗｄの第２端側の隅には、第２外部端子８２が配置されている。なお、図示は省略するが、第１外部端子８１及び第２外部端子８２は、それぞれ素体ＢＤの内部で延びるインダクタ配線の端部に、垂直配線を介して接続されている。第１外部端子８１及び第２外部端子８２は厚さ方向Ｔｄから視たときに、長方形状で、同じ形状である。

【0154】

４つの端子部８０のうち、長手方向Ｌｄの第２端側且つ短手方向Ｗｄの第１端側の隅には、第１ダミー部８３が設けられている。第１ダミー部８３は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、楕円形状である。長手方向Ｌｄの第１端側且つ短手方向Ｗｄの第２端側の隅には、第２ダミー部８４が設けられている。第２ダミー部８４は、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１外部端子８１及び第２外部端子８２と同じ長方形状である。

【0155】

第１ダミー部８３及び第２ダミー部８４は、主面ＭＦの幾何中心Ｇに対して２回対称位置に配置されている。第１ダミー部８３の形状は、第１外部端子８１、第２外部端子８２、及び第２ダミー部８４と異なっている。

【0156】

また、図２４に示す例において、主面ＭＦの長手方向Ｌｄの中央を通り、短手方向Ｗｄに平行な第１仮想直線ＶＬ１と、主面ＭＦの短手方向Ｗｄの中央を通り、長手方向Ｌｄに平行な第２仮想直線ＶＬ２とで、主面ＭＦを４つの仮想領域に分割したとする。４つの仮想領域には、１つずつ端子部８０が設けられている。

【0157】

具体的には、第１仮想直線ＶＬ１よりも長手方向Ｌｄの第１端側、且つ第２仮想直線ＶＬ２よりも短手方向Ｗｄの第２端側の仮想領域を第１仮想領域ＶＡ１とする。第１仮想領域ＶＡ１には、第２ダミー部８４が設けられている。第１仮想直線ＶＬ１よりも長手方向の第２端側且つ、第２仮想直線ＶＬ２よりも短手方向Ｗｄの第２端側の仮想領域を第２仮想領域ＶＡ２とする。第２仮想領域ＶＡ２には、第２外部端子８２が設けられている。第１仮想直線ＶＬ１よりも長手方向Ｌｄの第１端側、且つ第２仮想直線ＶＬ２よりも短手方向Ｗｄの第１端側の仮想領域を第３仮想領域ＶＡ３とする。第３仮想領域ＶＡ３には、第１外部端子８１が設けられている。また、第１仮想直線ＶＬ１よりも長手方向Ｌｄの第２端側、且つ第２仮想直線ＶＬ２よりも短手方向Ｗｄの第１端側の仮想領域を第４仮想領域ＶＡ４とする。第４仮想領域ＶＡ４には、第４仮想領域ＶＡ４には、第１ダミー部８３が設けられている。すなわち、図２４に示す例では、特定ダミー部８３Ｓは、第１ダミー部８３であり、特定端子部８０Ｓは第２ダミー部８４である。

【0158】

図２４に示す例のように、第１ダミー部８３と第２ダミー部８４とが対称的に配置されていても、第１ダミー部８３の形状が他の端子部８０の形状と異なっていれば、インダクタ部品の向きを特定しやすい。

【0159】

・図２４に示す例において、特定ダミー部８３Ｓの形状は、特定端子部８０Ｓの形状と異なっていれば、どのような形状であってもよい。なお、特定ダミー部８３Ｓの形状及び特定端子部８０Ｓの形状が何れも四角形状であった場合でも、どちらかが正方形でどちらかが長方形であれば、特定ダミー部８３Ｓの形状は、特定端子部８０Ｓの形状とは異なっている。また、特定ダミー部８３Ｓの形状及び特定端子部８０Ｓの形状が相似関係であっても、外見上で区別できる程度に寸法が異なっていれば、特定ダミー部８３Ｓの形状は、特定端子部８０Ｓの形状とは異なっている。

【0160】

・上記実施形態において、第２インダクタ配線２０Ｌに接続部３３が設けられていなくてもよい。また、接続部３３は長直線部３１と短直線部３２とが直角に接続して、屈曲したような形状であってもよい。

【0161】

・第２インダクタ配線２０Ｌの２つのパッドは、素体ＢＤの幾何中心Ｇに対称的な位置に配置されていなくてもよい。第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌとが一列に並び、各パッドも一列に並んだ場合、一方向に長いインダクタ部品となる。実装時に好適なインダクタ部品の形状となるように、上記実施形態の例における各パッドの位置を変更してもよい。

【0162】

・上記実施形態において、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１と第２支持配線４２の中心軸線Ａ２とが一致していなくてもよい。第１パッド２２Ｒ、２２Ｌ及び第２パッド２３Ｒの形状等に合わせて、各支持配線の配置は適宜変更できる。

【0163】

・上記実施形態において、第１配線本体２１Ｒと第２配線本体２１Ｌとで断面積が異なっていてもよく、第１配線本体２１Ｒと第２配線本体２１Ｌとで配線幅及び厚さ方向Ｔｄの寸法が異なっていてもよい。第１配線本体２１Ｒと第２配線本体２１Ｌとで断面積が異なっていれば、両者の配線長が同じであっても、インダクタンス値が異なり得る。

【0164】

・上記実施形態において、第１配線本体２１Ｒ及び第２配線本体２１Ｌのインダクタンス値は上記実施形態の例に限定されない。例えば、第１配線本体２１Ｒ及び第２配線本体２１Ｌが同じ配線長で第１インダクタ配線２０Ｒと第２インダクタ配線２０Ｌとが同じインダクタンス比であってもよい。

【0165】

・上記実施形態において、第１支持配線４１の位置は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１の短手方向Ｗｄの位置が、接続されている配線本体の中心軸線の短手方向Ｗｄの位置と同じであってもよい。なお、配線本体が接続している部分を備えている場合、配線本体のパッド側の端部が直線状であれば、当該直線状の部分の中心軸線に対して、第１支持配線４１の中心軸線Ａ１がずれていてもよい。

【0166】

・上記実施形態において、第１側面９１及び第２側面９２に露出している支持配線の数は、インダクタ配線の数に伴って、３つ以上になってもよいし、全て省略してもよい。
・上記実施形態において、磁性層５０に含まれる金属磁性粉の平均粒子径は、上記実施形態の例に限定されない。ただし、比透磁率を確保するためには、金属磁性粉の平均粒子径が、１マイクロメートル以上且つ、１０マイクロメートル以下であると好ましい。

【0167】

・上記実施形態において、第１磁性層５４及び第２磁性層５５に含まれる金属磁性粉は、Ｆｅを含む金属磁性粉でなくてもよい。また、金属磁性粉は、ＦｅＮｉやＦｅＳｉＣｒを含む金属磁性粉粉であってもよい。

【0168】

・上記実施形態において、平行部分の間隔は、配線間で生じる磁束の乱れを抑制するという観点では、５０マイクロメートル以上が好ましい。また、５０マイクロメートル未満の場合は、絶縁樹脂や絶縁無機物をインダクタ配線間に配置することが上記観点で好ましい。

【0169】

・上記実施形態において、ピッチＸ１と第１距離Ｙ１と第２距離Ｙ２とが等しくてもよいし、第１距離Ｙ１、及び第２距離Ｙ２の方が、ピッチＸ１よりも大きくてもよい。また、第１距離Ｙ１と第２距離Ｙ２とが異なっていてもよい。

【0170】

・上記実施形態において、各ピッチ、第１距離Ｙ１、及び第２距離Ｙ２の平均値に対する各ピッチ、第１距離Ｙ１、及び第２距離の割合が、５０％より小さくてもよいし、１５０％よりも大きくてもよい。

【0171】

・第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌにおける配線本体２１Ｒ、２１Ｌの形状は、ターン数が０．５ターン以下であれば、上記実施形態の例に限らない。例えば、配線本体２１Ｒ、２１Ｌは、波形状やミアンダ形状であってもよい。なお、配線本体２１Ｒ、２１Ｌがミアンダ形状の場合、異なる２つの配線本体２１Ｒ、２１Ｌのうち、第１パッド２２Ｒ、２２Ｌから直線状に延びる部分同士のピッチが、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌのピッチである。

【0172】

・上記実施形態において、素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法は、上記実施形態の例に限定されない。ただし、上述のように素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法が小さいほど、インダクタ部品１０を基板に実装した際に、基板から突出する寸法が小さくなり好ましい。具体的には、０．２５ミリメートル以下であるとよい。

【0173】

・上記実施形態において、第１層Ｌ１すなわち第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの厚さ方向Ｔｄの寸法は、上記実施形態の例に限定されない。ただし、上述のように素体ＢＤの厚さ方向Ｔｄの寸法に対して、１０分の１以上、且つ３分の１以下であることが好ましい。

【0174】

・上記実施形態において、第１インダクタ配線２０Ｒから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１から、第２インダクタ配線２０Ｌから延びる第１支持配線４１の中心軸線Ａ１までのピッチＰ１は上記実施形態の例に限定されない。例えば、ピッチＰ１と距離Ｑ１と距離Ｑ２が等しくなるように配置してもよい。

【0175】

・上記実施形態において、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌの組成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、銀や金であってもよい。
・上記実施形態において、磁性層５０の組成は、上記実施形態の例に限られない。例えば、磁性層５０の材質は、フェライト粉であってもよいし、フェライト粉と金属磁性粉との混合物であってもよい。

【0176】

・上記実施形態において、各支持配線４１、４２と磁性層５０との間に別の層が介在していてもよい。例えば、各支持配線４１、４２と磁性層５０との間に絶縁層が介在していてもよい。

【0177】

・上記実施形態において、素体ＢＤ内に延びるインダクタ配線は、１つであってもよい。
・上記実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、第１パッド２２Ｒ、２２Ｌ及び第２パッド２３Ｒの面積が第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２の面積と等しくてもよい。また、配線本体２１Ｒ、２１Ｌの延伸方向と直交する方向における第１パッド２２Ｒ、２２Ｌ及び第２パッド２３Ｒの長さ寸法が、各配線本体２１Ｒ、２１Ｌと同じであってもよい。

【0178】

・上記実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、各端子部８０が各仮想領域に１つずつ配置されていればよく、端子部８０が幾何中心Ｇに対して２回対称位置に配置されてなくてもよい。特定端子部８０Ｓと特定ダミー部８３Ｓとが２回対称位置になくても、特定端子部８０Ｓと特定ダミー部８３Ｓとが２回対称位置にある仮想領域に配置されていれば、特定端子部８０Ｓと特定ダミー部８３Ｓとは概ね対称的に配置されているといえる。したがって、この例でも、インダクタ部品１０の向きを特定しにくいという課題は生じ得る。そこで、上述した特定ダミー部８３Ｓの形状に関する構成を採用することで、インダクタ部品１０の向きを特定しやすくなる。

【0179】

・素体ＢＤの主面ＭＦを仮想領域に分割する際の分割の仕方は、適宜に変更できる。例えば、端子部８０の配置によっては、主面ＭＦを、二つの対角線で４つの仮想領域に分割してもよいし、長手方向Ｌｄに４つの仮想領域が並ぶように等分してもよい。つまり、各仮想領域が合同であり、且つ１つの仮想領域に１つの端子部８０が配置されるような分割の仕方であればよい。

【0180】

・上記実施形態において、外部端子８１、８２の金属層が省略され、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２が主面ＭＦに露出している部分が外部端子８１、８２として機能していてもよい。その場合でも、第１垂直配線７１及び第２垂直配線７２から直接的に第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌに電流を流すことができる。

【0181】

・上記実施形態において、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の外面が絶縁層によって覆われていてもよい。この場合、基板等に実装する前のインダクタ部品１０を保管している状態で、インダクタ部品１０の内部に各外部端子を介して意図せず電流が流れることを抑制できる。なお、この変更例の場合、インダクタ部品１０を基板等に実装する前に、洗浄等を行って第１外部端子８１及び第２外部端子８２を覆う絶縁層を取り除けばよい。

【0182】

・上記実施形態において、端子部８０の金属層は上記実施形態の第１金属層１１１、第２金属層１１２、第３金属層１１３に限定されない。また、触媒層を必要に応じて設けてよい。例えば、金やスズははんだの濡れ性を確保したり、ニッケルはエレクトロマイグレーションを抑制したり、外部端子８１、８２の金属層を各機能に応じて適切に設定することができる。また、ダミー部８３と第１外部端子８１及び第２外部端子８２とで異なる積層構造であってもよい。

【0183】

・さらに、ダミー部８３の材質は導電性を有する材質でなくてもよい。例えば、第２磁性層５５が絶縁層９０に露出している部分をダミー部８３としてもよい。このように、ダミー部８３が導電性を有する材質でなくても、ダミー部８３そのものは各インダクタ配線に電気的に接続されていないので、特に差し支えない。

【0184】

・上記実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときのダミー部８３の面積が、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の面積と異なっていてもよい。
・上記実施形態において、第１領域にダミー部が設けられていてもよい。上記実施形態の例において、第１領域にダミー部を追加した場合、第２領域にもダミー部を追加する等で、各仮想領域に１つずつ端子部８０が配置されていればよい。また、その場合、仮想直線ＢＸにおける第２領域においてダミー部の数が、外部端子の数よりも多くなってもよい。また、仮想直線ＢＸは、長手方向Ｌｄに平行に引いてもよい。

【0185】

・上記実施形態において、厚さ方向Ｔｄから視たときに、ダミー部８３がインダクタ配線上になくてもよい。端子部８０が各仮想領域に１つずつ配置されていれば、仮想領域をはみ出すことがないようにダミー部８３の配置は適宜変更してよい。

【0186】

・上記実施形態において、ダミー部８３において外部端子と同じ色の領域が、半分未満でもよいし、ダミー部８３の全域で、外部端子と色が異なっていてもよい。
・上記実施形態において、第１外部端子８１及び第２外部端子８２の表面粗さが、全域に亘って略一定であってもよい。

【0187】

・上記実施形態において、平滑部１２１が、第１外部端子８１及び第２外部端子８２における垂直配線７１、７２上に設けられていなくてもよい。すなわち、厚さ方向Ｔｄから視たときに、平滑部１２１が垂直配線上からずれていてもよい。第１外部端子８１及び第２外部端子８２のうち垂直配線上に位置していない箇所であっても、これら第１外部端子８１及び第２外部端子８２の表面を平滑化する処理を行えばよい。

【0188】

・上記実施形態において、第１外部端子８１及び第２外部端子８２において、凹部１２０が設けられていなくてもよい。また、第１外部端子８１及び第２外部端子８２に設けられた凹部１２０が、厚さ方向Ｔｄから視たときに、垂直配線７１、７２から外れた位置に設けられていてもよい。

【0189】

・上記実施形態において、第１支持配線４１の露出面４１Ａを含む一部及び第２支持配線４２の露出面４２Ａを含む一部の材質が、Ｃｕ酸化物でなくてもよい。第１支持配線４１及び第２支持配線４２としてＣｕ合金を用いた場合には、各露出面を含む一部分の材質として、Ｃｕ合金酸化物を採用するのが好適である。さらに、第１支持配線４１の露出面４１Ａ及び第２支持配線４２の露出面４２Ａに、樹脂製の絶縁層を積層してもよい。

【0190】

・上記実施形態において、第１支持配線４１及び第２支持配線４２を構成する材質がそのまま各露出面４１Ａにおいて露出していてもよい。
・ダイシングの方法や、ダイシングの後の処理によって、第１支持配線４１の露出面４１Ａの面積が素体ＢＤの内部での第１支持配線４１の断面積と等しくなることもあり得る。例えば、ダイシングの後に、露出面４１Ａを含む第１側面９１を研磨すると、露出面４１Ａの形状が素体ＢＤの内部での第１支持配線４１の断面形状と同じになるため、両者の断面積も同じになる。この点、第２支持配線４２についても同様である。

【0191】

・上記実施形態において、インダクタ部品１０の製造方法は、上記実施形態の例に限られない。例えば、第１実施形態及び第２実施形態において、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌ形成する工程と第１支持配線４１及び第２支持配線とが形成する工程とが別の工程でもよい。例えば、第１インダクタ配線２０Ｒ及び第２インダクタ配線２０Ｌを形成した後に、第１インダクタ配線２０Ｒと異なる材質で各支持配線４１、４２を形成してもよい。

【符号の説明】

【0192】

１０…インダクタ部品
２０Ｒ…第１インダクタ配線
２０Ｌ…第２インダクタ配線
２１Ｒ…第１配線本体
２１Ｌ…第２配線本体
２２Ｒ…第１パッド
２２Ｌ…第１パッド
２３Ｒ…第２パッド
５０…磁性層
７１…第１垂直配線
７２…第２垂直配線
８０…端子部
８０Ｓ…特定端子部
８１…第１外部端子
８２…第２外部端子
８３…ダミー部
８３Ｓ…特定ダミー部
ＢＤ…素体
ＭＦ…主面

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】