特許 7524195 デジタル・アナログコントローラが基準とするタッチ検知システム、並びに関連するシステム、方法、及びデバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-19

(45)【発行日】2024-07-29

(54)【発明の名称】デジタル・アナログコントローラが基準とするタッチ検知システム、並びに関連するシステム、方法、及びデバイス

(51)【国際特許分類】

   G06F 3/041 20060101AFI20240722BHJP

   G06F 3/044 20060101ALI20240722BHJP

【ＦＩ】

G06F3/041 522

G06F3/041 512

G06F3/044 120

【請求項の数】 30

(21)【出願番号】P 2021537761

(86)(22)【出願日】2019-10-26

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-02-28

(86)【国際出願番号】 US2019058233

(87)【国際公開番号】W WO2020139452

(87)【国際公開日】2020-07-02

【審査請求日】2022-10-25

(31)【優先権主張番号】62/785,141

(32)【優先日】2018-12-26

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】16/379,687

(32)【優先日】2019-04-09

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(73)【特許権者】

【識別番号】397050741

【氏名又は名称】マイクロチップ テクノロジー インコーポレイテッド

【氏名又は名称原語表記】ＭＩＣＲＯＣＨＩＰ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ

(74)【代理人】

【識別番号】110000626

【氏名又は名称】弁理士法人英知国際特許商標事務所

(72)【発明者】

【氏名】ヨンソン、フレドリック

(72)【発明者】

【氏名】コリンズ、リチャード ピー．

(72)【発明者】

【氏名】ポートマン、ライオネル ニコラス

【審査官】佐藤 光起

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－００５８８２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１８－５０４７１５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０９－１５２９３２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１３５５４３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０４７２６３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－０１０５０５（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０６Ｆ ３／０４１

Ｇ０６Ｆ ３／０４４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

タッチ検知システムであって、
波形形状に対するコードを出力するように構成されたデジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）コントローラであって、前記コード又は前記波形形状は、前記タッチ検知システムにおいて制限値を下回る電磁放射（ＥＭＥ）を示すことに関連付けられて記憶される、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）コントローラと、
前記ＤＡＣコントローラによって出力された前記コードに応答して、第１の整形された基準信号を出力するように構成されたＤＡＣと、
前記第１の整形された基準信号に応答して、タッチセンサに駆動信号を提供するように構成されたドライバと、
前記駆動信号の変化した信号レベルに応答して、タッチを検出するように構成されたタッチ検出器と、を備える、タッチ検知システム。

【請求項2】

前記ＤＡＣコントローラは、ｎビットコードのシーケンスを記憶するように構成され、前記ＤＡＣコントローラによって出力される前記波形形状に対する前記コードは、前記記憶されたｎビットコードのシーケンスのうちの１つを含むビットストリームである、請求項１に記載のシステム。

【請求項3】

前記記憶されたｎビットコードのシーケンスのうちの少なくとも１つの他のシーケンスは、前記タッチ検知システムにおいて異なる制限値を下回るＥＭＥを示すことに関連付けられる、請求項２に記載のシステム。

【請求項4】

前記ＤＡＣコントローラは、ｎビットコードのシーケンスを記憶するように構成され、前記記憶されたｎビットコードのシーケンスのそれぞれは、異なるサンプリングレートに関連付けられる、請求項１に記載のシステム。

【請求項5】

前記ＤＡＣコントローラは、第１の基本周波数に応答して、第１の波形形状に対する第１のコードを出力し、第２の基本周波数に応答して、第２の波形形状に対する第２のコードを出力するように構成されており、
前記第１の基本周波数は第１のサンプリングレートに関連付けられ、前記第２の基本周波数は第２のサンプリングレートに関連付けられる、請求項４に記載のシステム。

【請求項6】

前記ＤＡＣコントローラは、
前記第１の整形された基準信号の形状に対応する第１のｎビットコードのシーケンスに少なくとも部分的に基づいた第１のビットストリームを提供し、
第２の整形された基準信号の形状に対応する第２のｎビットコードのシーケンスに少なくとも部分的に基づいた第２のビットストリームを提供するように構成される、請求項５に記載のシステム。

【請求項7】

前記ＤＡＣコントローラは、第１のサンプリングレートに関連付けられた第１のレートで前記第１のビットストリームを提供し、第２のサンプリングレートに関連付けられた第２のレートで前記第２のビットストリームを提供するように構成される、請求項６に記載のシステム。

【請求項8】

１つ以上のメモリを更に備え、該１つ以上のメモリは、
波形形状に対するｎビットコードのシーケンスと、
基本と前記ｎビットコードのシーケンスのうちの少なくともいくつかとの関連性を特徴付ける定性的電磁放射（ＥＭＥ）情報と、
アプリケーションシステムに関する状態情報と、を記憶するように構成される、請求項１に記載のシステム。

【請求項9】

第１のｎビットコードのシーケンス及び第２のｎビットコードのシーケンスは、同じ基本周波数に関連付けられ、前記定性的ＥＭＥ情報は、
前記基本周波数と前記第１のｎビットコードのシーケンスとの高調波の第１の特徴付けと、
前記基本周波数と前記第２のｎビットコードのシーケンスとの高調波の第２の特徴付けと、を含む、請求項８に記載のシステム。

【請求項10】

前記状態情報及び前記定性的ＥＭＥ情報に応答して、前記ｎビットコードのシーケンスのうちの１つのｎビットコードのシーケンスを選択するように構成された選択論理を更に備える、請求項８に記載のシステム。

【請求項11】

タッチ検知方法であって、
デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）に波形形状に対する第１のコードを提供するステップであって、前記第１のコード又は前記波形形状は、タッチ検知システムにおいて制限値を下回る電磁放射（ＥＭＥ）に関連付けられて記憶される、提供するステップと、
前記波形形状に対する前記第１のコードに応答して、ドライバに第１の整形された基準信号を提供するステップと、
前記第１の整形された基準信号に応答して、タッチセンサに駆動信号を提供するステップと、
前記駆動信号の変化した信号レベルに応答して、タッチを検出するステップと、を含む、タッチ検知方法。

【請求項12】

前記波形形状に対する前記第１のコードを提供するステップは、ｎビットコードのシーケンスを含むビットストリームを提供するステップを含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項13】

前記駆動信号を第１のサンプリングレートで測定するステップと、
サンプリングレートが第１のサンプリングレートから第２のサンプリングレートに変化したことを検出したことに応答して、前記ＤＡＣに波形形状に対する第２のコードを提供するステップと、
前記第２の波形形状に対する前記第２のコードに応答して、前記ドライバに第２の基準信号を提供するステップと、
前記第２の基準信号に応答して、前記タッチセンサに第２の駆動信号を提供するステップと、
前記第２の駆動信号を前記第２のサンプリングレートで測定するステップと、を更に含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項14】

前記第２のサンプリングレートは、前記第１のサンプリングレートより低い、外来ノイズに対する感受性に関連付けられる、請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記第１のサンプリングレートに関連付けられた第１のレートで、前記第１の波形形状に対する前記第１のコードの第１のビットストリームを提供するステップと、
前記第２のサンプリングレートに関連付けられた第２のレートで、前記第２の波形形状に対する前記第２のコードの第２のビットストリームを提供するステップと、を更に含む、請求項１３に記載の方法。

【請求項16】

前記駆動信号を提供する前記ステップに応答して第１のタッチ測定を実施するステップと、
アプリケーションシステムの状態情報が変化したことを検出したことに応答して、前記ＤＡＣに第２の波形形状に対する第２のコードを提供するステップと、
前記第２の波形形状に対する前記第２のコードに応答して、前記ドライバに第２の整形された基準信号を提供するステップと、
前記第２の基準信号に応答して、前記タッチセンサに第２の駆動信号を提供するステップと、
前記第２の駆動信号を提供するステップに応答して、第２のタッチ測定を実施するステップと、を含む、請求項１１に記載の方法。

【請求項17】

前記第２の波形形状に関連付けられた高調波が、前記アプリケーションシステムに関する前記変化した状態情報、及び前記第２の波形形状に関連付けられた高調波に関する定性的ＥＭＥ情報に応答して、前記第１の波形形状に関連付けられた高調波より好ましい電磁放射（ＥＭＥ）の特徴を有するように、電磁放射（ＥＭＥ）の特徴を決定するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。

【請求項18】

電磁放射（ＥＭＥ）を制御するようにタッチ検知システムを構成するためのシステムであって、該システムは、
検知された信号に応答して、タッチセンサにおけるタッチを検出するように構成されたタッチ検知システムと、
放射制御ソフトウェアであって、プロセッサによって実行されたときに、
検知動作中に前記タッチセンサによって放射されたＥＭＥに応答して取得されたＥＭＥ測定値を受信することと、
前記ＥＭＥ測定値及び１つ以上の放射要件に応答して、前記タッチセンサにおける前記タッチを検出するために、前記タッチ検知システムによって使用される基準信号の形状を評価することと、
タッチを検出するために使用される前記基準信号の改善された形状を使用するように、前記タッチ検知システムを構成することであって、前記改善された形状は、前記１つ以上の放射要件を下回る前記ＥＭＥ測定値に対応する、構成することと、を行うように構成される、放射制御ソフトウェアと、を備える、システム。

【請求項19】

前記改善された形状である前記形状は、フラットトップのエッジと、１つ以上の非単調部分を有する立ち上がりエッジと、１つ以上の非単調部分を有する立ち下がりエッジと、のうちの１つ以上によって特徴付けられる、請求項１８に記載のシステム。

【請求項20】

前記放射制御ソフトウェアは、前記改善された形状が前記基準信号の他の形状に対してＥＭＥを最小化することを検出したことに応答して、前記改善された形状を選択するように構成される、請求項１８に記載のシステム。

【請求項21】

前記タッチ検知システムは、前記基準信号の前記改善された形状を記憶するように構成される、請求項１８に記載のシステム。

【請求項22】

前記１つ以上の放射要件は、規格によって規定された放射要件を含む、請求項１８に記載のシステム。

【請求項23】

前記１つ以上の放射要件は、カスタマ要件によって規定された放射要件を含む、請求項１８に記載のシステム。

【請求項24】

前記タッチセンサによって示されたＥＭＥに応答してＥＭＥ測定値を提供するように構成された放射測定機器を更に備える、請求項１８に記載のシステム。

【請求項25】

電磁輻射（ＥＭＥ）を制御するようにタッチ検知システムを構成するための方法であって、該方法は、
検知動作のために基準信号を提供するステップであって、前記基準信号のそれぞれは異なる形状を有する、提供するステップと、
前記検知動作中にタッチセンサによって放射された電磁輻射（ＥＭＥ）を示す測定値に応答して、基準信号の改善された形状を検出するステップと、
前記改善された形状を有する前記基準信号を生成するための命令を記憶するステップと、を含む、方法。

【請求項26】

前記検知動作中に前記基準信号を提供する前記ステップは、
第１の検知動作中に第１の基準信号を提供するステップであって、前記第１の基準信号は予め選択された形状を有する、提供するステップと、
前記第１の検知動作中に第１のＥＭＥ測定値を受信するステップと、
前記第１のＥＭＥ測定値は放射要件より大きいことを判定するステップと、
第２の検知動作中に第２の基準信号を提供するステップであって、前記第２の基準信号は第２の形状を有する、提供するステップと、
前記第２の検知動作中に第２のＥＭＥ測定値を受信するステップと、
前記第２のＥＭＥ測定値は前記放射要件より小さいことを判定するステップと、を含む、請求項２５に記載の方法。

【請求項27】

前記第１のＥＭＥ測定値及び前記第２のＥＭＥ測定値のうちの小さい方に対応する前記第１の形状及び前記第２の形状のうちの１つを選択するステップを更に含む、請求項２６に記載の方法。

【請求項28】

前記第１のＥＭＥ測定値は前記放射要件以上であることを検出するステップと、
検知動作中に前記タッチセンサによって放射されたＥＭＥに影響を及ぼし得る、前記第１の形状の変化を決定するステップと、
前記決定された変化に応答して、前記第２の形状に対応するｎビットコードのシーケンスを選択するステップと、を更に含む、請求項２６に記載の方法。

【請求項29】

前記第２の形状に対応する前記ｎビットコードのシーケンスを選択する前記ステップは、前記第１の形状の前記決定された変化に対応する前記ｎビットコードのシーケンスのうちの少なくともいくつかのｎビットコードを選択するステップを含む、請求項２８に記載の方法。

【請求項30】

少なくともいくつかのｎビットコードを選択する前記ステップは、前記ｎビットコードのシーケンスの非単調部分に対応する少なくともいくつかのｎビットコードを選択するステップを含む、請求項２９に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

（優先権の主張）
本出願は、２０１８年１２月２６日に出願された米国特許仮出願第６２／７８５，１４１号の、「ＤＩＧＩＴＡＬ－ＴＯ－ＡＮＡＬＯＧ ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ－ＲＥＦＥＲＥＮＣＥＤ ＴＯＵＣＨ ＳＥＮＳＩＮＧ ＳＹＳＴＥＭ，ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＳＹＳＴＥＭＳ，ＭＥＴＨＯＤＳ，ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥＳ」についての出願日遡及の特典を主張し、かつ２０１９年４月９日に出願された米国特許出願第１６／３７９，６８７号の、「ＤＩＧＩＴＡＬ－ＴＯ－ＡＮＡＬＯＧ ＣＯＮＴＲＯＬＬＥＲ－ＲＥＦＥＲＥＮＣＥＤ ＴＯＵＣＨ ＳＥＮＳＩＮＧ ＳＹＳＴＥＭＳ，ＡＮＤ ＲＥＬＡＴＥＤ ＳＹＳＴＥＭＳ，ＭＥＴＨＯＤＳ，ＡＮＤ ＤＥＶＩＣＥＳ」についての出願日遡及の特典を主張し、これらのそれぞれの開示は、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。

【0002】

（発明の分野）
本開示のシステム、方法、及びデバイスは、概して静電容量式タッチ検知に関し、より具体的には、いくつかの実施形態は、タッチセンサにおける改善された電磁放射制御のための技法に関する。

【背景技術】

【0003】

典型的なタッチインターフェースシステムは、タッチインターフェースシステムの接触検知面に近接している、又は接触検知面と物理的に接触している物体に応答するタッチセンサ（例えば、制限するものではないが、静電容量センサ及び／又は抵抗センサ）を組み込むことができる。かかる応答は、タッチインターフェースシステムに対する物体の場所を含む、接触に関する情報を推測するために捕捉され、解釈され得る。

【0004】

ラップトップコンピュータ及びタブレットのキーボードを含むパーソナルコンピュータと共に使用されるタッチパッドは、多くの場合、タッチインターフェースシステムを組み込むか、又はタッチインターフェースシステムと連携して動作する。ディスプレイは、多くの場合、ユーザがグラフィカルユーザインターフェース（ＧＵＩ）及び／又はコンピュータアプリケーションと対話することを可能にするために、タッチインターフェースシステムの素子（典型的には少なくともタッチセンサ）を組み込むタッチスクリーンを含む。タッチディスプレイを組み込むデバイスの例としては、ポータブルメディアプレイヤー、テレビ、スマートフォン、タブレットコンピュータ、パーソナルコンピュータ、及びスマートウォッチなどのウェアラブルデバイスが数例として挙げられる。更に、自動車、電化製品（例えば、オーブン、冷蔵庫、又は洗濯機）セキュリティシステム、現金自動預払機（ＡＴＭ）、住宅環境制御システム、及び産業機器の制御パネルは、ボタン、スライダ、ホイール、及び他のタッチ素子を有効にするなどのために、タッチインターフェースシステムをディスプレイ及びハウジングに結合することができる。

【0005】

タッチセンサは電磁場及び電磁輻射などの電磁放射（ＥＭＥ）を放射するが、従来、タッチセンサの設計者は、主に、近くのデバイスからのＥＭＥに対するタッチセンサの感受性を最小化することを考慮してきた。タッチセンサは、過去には、ＥＭＥ限度が非常に寛大であった環境で使用されていた。しかしながら、限度は、タッチセンサの機能及び設置される環境に基づいてタッチセンサに適用される。本開示の発明者らは、自動車用途など、タッチセンサの新しい用途の厳密なＥＭＥ限度を満たすために、タッチセンサを試験し、較正し、操作するための技法及びシステムが必要とされることを理解している。

【0006】

本開示は、特定の実施形態を具体的に指摘し明確に請求する特許請求の範囲をもって結論とするが、本開示の範囲内の実施形態の様々な特徴及び利点は、添付の図面と併せて読むと、以下の説明からより容易に確認することができる。

【0007】

【0008】

【0009】

【0010】

【0011】

【0012】

【0013】

【0014】

【0015】

【0016】

【0017】

【0018】

【0019】

【0020】

【図面の簡単な説明】

【0021】

【図1】例示的な方形波形の周期を示す。

【図2】デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）近似である例示的な方形波形を示す。

【図3A】波形が単調増加している、ＤＡＣから出力される信号の波形の例示的なエッジを示す。

【図3B】波形が非単調部分を含む、ＤＡＣから出力される信号の波形の例示的なエッジを示す。

【図4】開示される実施形態による、ＥＭＥを制御するようにタッチ検知システムを構成するためのシステムを示す。

【図5】開示される実施形態による、放射制御ソフトウェアを示す。

【図6】開示される実施形態による、ＥＭＥを制御するようにタッチ検知システム（図４のタッチ検知システムなど）を構成するためのプロセスを示す。

【図7】開示される実施形態による、基準信号の特定の形状についてタッチセンサにおけるＥＭＥを評価するためのプロセスを示す。

【図8】開示される実施形態による、タッチセンサにおいてＥＭＥを最小化する波形の形状を決定するために分析され得る、許容可能な形状のリストを収集するためのプロセスを示す。

【図9】開示された実施形態による、コスト関数を取得するためのプロセスを示す。

【図10】開示される実施形態による、タッチセンサによって放射されるＥＭＥを制御するように整形されたドライバ基準信号を提供するように構成されたタッチ検知システムを示す。

【図11】開示される実施形態による、差動基準信号形状を利用する外来ノイズを補正するためのプロセスを示す。

【図12】開示される実施形態による、サンプリングレートを変える（例えば、外来ノイズを補正するため）タッチ検知システムに応答して、基準信号の波形の形状を変えるように構成されたＤＡＣコントローラを示す。

【図13】開示される実施形態による、タッチ検知システムの一部であるか、又はタッチ検知システムと連携して動作するＥＭＥ制御回路を示す。

【図14】開示される実施形態による、アプリケーションシステムに応答して、基本及び波形形状を動的に選択するためのプロセスを示す。

【発明を実施するための形態】

【0022】

以下の詳細な説明では、本明細書の一部をなし、本開示を実施し得る具体的な例示的実施形態を例示として示す添付の図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本開示を実施できるように十分に詳細に説明される。しかしながら、他の実施形態が利用されてもよく、本開示の範囲から逸脱することなく、構造、材料、及びプロセスの変更が行われ得る。

【0023】

本明細書に提示する図は、任意の特定の方法、システム、デバイス、又は構造の実際の図であることを意図するものではなく、本開示の実施形態を説明するために用いられる理想化した表現にすぎない。本明細書に提示する図面は、必ずしも縮尺どおりに描かれていない。様々な図面における類似の構造又は構成要素は、読者の便宜のために同一又は類似の付番を保持し得る。しかしながら、付番における類似性は、構造又は構成要素が必ずしもサイズ、組成、構成、又は任意の他の特性において同一であることを意味するものではない。

【0024】

本明細書で概して説明され、図面に例示される実施形態の構成要素は、多種多様な異なる構成で配置及び設計され得ることが容易に理解されるであろう。したがって、様々な実施形態の以下の説明は、本開示の範囲を限定することを目的とするものではなく、単に様々な実施形態を表すものである。実施形態の様々な態様が図面に提示され得るが、図面は、具体的に指示されていない限り、必ずしも尺度どおりに描画されていない。

【0025】

以下の説明は、当業者が開示される実施形態を実施することを可能にするのを補助するための実施例を含み得る。「例示的な」、「例として」、「例えば」という用語の使用は、関連する説明が、説明的なものであることを意味し、本開示の範囲は、実施例及び法的等価物を包含することを意図するものであり、かかる用語の使用は、実施形態又は本開示の範囲を特定の構成要素、ステップ、特徴、機能などに限定することを意図するものではない。

【0026】

更に、図示及び説明する具体的な実装形態は、単なる例であり、本明細書において別段の指定がない限り、本開示を実施する唯一の方式と解釈されるべきでない。要素、回路、及び機能は、不要に詳述して本開示を不明瞭にしないように、ブロック図の形態で示され得る。逆に、図示し、説明する具体的な実施例は、単に例示的なものであり、本明細書において別段の指定がない限り、本開示を実施する唯一の方法と解釈されるべきではない。更に、様々なブロック間での論理のブロック定義及びパーティショニングは、例示的な具体的実施例である。当業者には、本開示が多数の他のパーティショニングソリューションによって実施され得ることが容易に明らかになるであろう。大部分については、タイミングの考察などに関する詳細は省略されており、かかる詳細は、本開示の完全な理解を得るために必要ではなく、当業者の能力の範囲内である。

【0027】

本明細書で説明される情報及び信号は、様々な異なる技術及び技法のいずれかを使用して表されてもよい。例えば、本明細書をとおして参照され得るデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、記号、及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁場若しくは磁性粒子、光場若しくは光学粒子、又はこれらの任意の組み合わせによって表されてもよい。いくつかの図面は、表示及び説明を明確にするために、単一の信号として信号を例示してよい。当業者は、信号が信号のバスを表し得、このバスは様々なビット幅を有してもよく、本開示は、単一のデータ信号を含む任意の数のデータ信号で実施され得ると理解されたい。

【0028】

「第１」、「第２」などの表記を使用した、本明細書の要素に対する任意の言及は、かかる制限が明示的に記載されていない限り、それらの要素の数量又は順序を限定しないと理解されたい。むしろ、これらの表記は、本明細書において、２つ以上の要素又は要素の例を区別する便利な方法として使用される。したがって、第１の要素及び第２の要素への言及は、２つの要素のみが用いられ得ること、又は何らかの方法で第１の要素が第２の要素に先行しなければならないことを意味するものではない。また、特に明記しない限り、一組の要素は、１つ以上の要素を含んでもよい。同様に、時には、単数形で言及される要素もまた、要素の１つ以上のインスタンスを含んでもよい。

【0029】

本明細書に開示する実施形態に関連して記載する様々な例示的な論理ブロック、モジュール、及び回路は、汎用プロセッサ、専用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ、ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ、ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ、ＦＰＧＡ）若しくは他のプログラマブル論理デバイス、別個のゲート若しくはトランジスタ論理、別個のハードウェア構成要素、又は本明細書に記載の機能を実施するように設計され、これらの任意の組み合わせを用いて遂行され得る、又は実施され得る。汎用プロセッサ（本明細書では、ホストプロセッサ又は単にホストとも称され得る）は、マイクロプロセッサであってもよいが、代替的に、プロセッサは、任意の従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、又は状態機械でもあってもよい。プロセッサはまた、ＤＳＰとマイクロプロセッサとの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと組み合わせた１つ以上のマイクロプロセッサ、又は任意の他のかかる構成の組み合わせとして実装されてよい。プロセッサを含む汎用コンピュータは専用コンピュータとみなされ、汎用コンピュータは、本開示の実施形態に関連するコンピューティング命令（例えば、ソフトウェアコード）を実行するように構成される。

【0030】

また、実施形態は、フローチャート、フロー図、構造図、又はブロック図として示すプロセスに関して説明され得ることを留意されたい。フローチャートは、順次プロセスとして動作行為を説明してもよいが、これらの行為の多くは、別の順序で、並行して、又は実質的に同時に実施されてもよい。加えて、行為の順序は再調整され得る。プロセスは、方法、スレッド、機能、手順、サブルーチン、サブプログラムなどに対応し得る。更に、本明細書で開示される方法は、ハードウェア、ソフトウェア、又はその両方で実施されてもよい。ソフトウェアで実施される場合、機能は、コンピュータ可読媒体上の１つ以上の命令又はコードとして記憶されてよい、又は送信されてよい。コンピュータ可読媒体は、コンピュータ記憶媒体及びコンピュータプログラムのある場所から別の場所への転送を容易にする任意の媒体など通信媒体の両方を含む。

【0031】

本開示で説明される実施形態の目的として理解されるように、静電容量センサは、静電容量センサの接触検知領域との物体（指又はスタイラスなど）の接触、又は静電容量センサの接触検知領域に対する物体の近似に応答し得る。本開示では、「接触」及び「タッチ」は、接触検知エリアとの物体の物理的接触及び物理的に接触せずに接触検知エリアに近接する物体の存在の両方を包含することを意味している。静電容量センサとの実際の物理的接触は必要とされない。

【0032】

物体が静電容量センサに接触するときに、接触場所にある又は接触場所の付近にあるセンサ内で静電容量の変化が生じ得る。アナログ取得フロントエンドは、特定の閾値を満たす場合、タッチを「検出」し得る。「荷電後転送（Charge-then-transfer）」は、静電容量変化を検出するために一部のタッチ取得フロントエンドにおいて実施される技法であり、それにより、検知コンデンサは、静電容量における変化に応答して荷電（例えば、より速く、又は遅く荷電）され、複数の転送サイクルにわたって電荷が積分コンデンサに転送される。このような荷電転送に関連付けられた電荷の量は、アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）によってデジタル信号に変換されてもよく、デジタルコントローラは、物体がセンサに接触した場合、それらのデジタル信号を処理して測定値を決定してもよい。

【0033】

自己静電容量センサは、グラウンドへの静電容量の変化を検出／これに応答する静電容量電界センサである。これらは、典型的には、タッチに対して独立して反応する列及び列のアレイでレイアウトされる。非限定的な例によって、自己静電容量センサは、浮動端子を有する共通の集積ＣＭＯＳプッシュプルドライバ回路を使用した繰り返し荷電後転送サイクルを採用する回路を含んでもよい。相互静電容量センサは、２つの電極（駆動電極及び検知電極）間の静電容量の変化を検出／変化に応答する静電容量電界センサである。駆動電極及び検知電極対は、駆動線と検知線とのそれぞれの交点にコンデンサを形成する。自己静電容量及び相互静電容量技法は、同じタッチインターフェースで使用されてもよく、互いに相補的であってもよく、例えば、自己静電容量は、相互静電容量を使用して検出されたタッチを確認するために使用されてもよい。

【0034】

タッチセンサは、例えば、タッチパッド又はディスプレイスクリーンの接触検知面に組み込まれ得る２次元（２－Ｄ）接触検知面のための２－Ｄ配置に重ねられてもよく、関連アプライアンスとのユーザ相互作用を容易にし得る。絶縁保護層（例えば、樹脂、ガラス、プラスチックなど）を使用して、タッチセンサを覆ってもよい。本明細書で使用するとき、「タッチディスプレイ」又は「タッチパネル」は、２－Ｄタッチセンサを組み込んでいるディスプレイ（液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ＬＣＤ、又は発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイなど）である。

【0035】

電荷転送技法を採用する相互静電容量センサのマトリクスセンサアプローチを使用するタッチスクリーンの例を使用すると、駆動電極は、基板の一方の側の行に延在してもよく、検知電極は、基板の他方側の列に延在してもよく、Ｎ×Ｍノードの「マトリクス」アレイを画定するようにする。各ノードは、駆動電極の導電線と検知電極の導電線との交点に対応する。駆動電極は、所与の行内のノードの全てを同時に駆動し（すなわち交流（Ａ／Ｃ）刺激を提供する）、検知電極は、所与の列内のノードの全てを検知する。駆動電極と検知電極との静電容量結合は、ノード位置で、タッチイベントを示す静電容量変化に応答して、別個に測定されてもよく、又は両方とも測定されてもよい。例えば、駆動信号が行２の駆動電極に印加され、列３の検知電極が活性である場合、ノード位置は、（行２，列３）である。ノードは、駆動電極及び検知電極の異なる組み合わせを介して順序付けることによって走査され得る。あるモードでは、駆動電極は、検知電極が全て連続的に監視されている間に順次駆動されてよい。別のモードでは、各検知電極が順次サンプリングされてもよい。

【0036】

自己静電容量センサのマトリクスセンサアプローチを使用するタッチスクリーンの例を使用して、電極は、Ｎ×Ｍノードの「マトリクス」アレイを画定するために行及び列に延在してもよい。マトリクスセンサは、それぞれのノードの電極を用いて構築されてもよく、それぞれの電極は個々にアドレス可能であるか、又はそれぞれの行及び列はアドレス指定可能な電極であってもよく、それぞれのノードは、固有の行／列の対に対応する。駆動信号（すなわち、Ａ／Ｃ刺激）は、センサの電極に繰り返し提供される。物体がセンサに接触すると、物体と電極との間の結合によって電極に引き込まれる電流が増加し、それにより見掛けのセンサ静電容量が増加し、センサ静電容量のこの増加が検出され得る。例えば、駆動信号が電極行２及び電極列３に印加される間に静電容量の増加が検出された場合、タッチの場所は行２、列３であり得る。補間技法を使用して、ノード間の場所を特定することができる。ノードは、電極の行及び列の組み合わせを通じて配列決定することによって順次走査され得る。

【0037】

上述の駆動信号（すなわち、ＡＣ刺激）は、ＥＭＥの１つの原因である。静電容量は、典型的に、駆動信号と同期して測定される。したがって、測定のサンプリングレートとＥＭＥの放射頻度との間には直接関係がある。

【0038】

電磁放射（ＥＭＥ）は、空間を通じて伝搬する電磁場（ＥＭＦ）の電磁波内で伝達されるエネルギー（例えば、電磁輻射（ＥＭＲ））、及び材料を通じて伝導される電流で伝達されるエネルギー（例えば、伝導放射）を広く含むことを意味する。

【0039】

放射測定は、ＥＭＥを示す任意の測定可能な値を広く含むことを意味する。測定機器は、デバイスによって引き起こされるＥＭＥの無線測定の手法（すなわち、測定機器とデバイスとの間の物理的接続なし）、デバイスによって引き起こされるＥＭＥの有線測定の手法（すなわち、測定機器とワイヤなどのデバイスとの間に少なくとも１つの物理的接続あり）、又は無線測定の手法と有線測定の手法との組み合わせを使用する手法を使用し得る。

【0040】

タッチセンサのＥＭＥ、より具体的には、タッチセンサを形成する電極の１つ以上のアレイのＥＭＥは、特定の用途のＥＭＥ限度を超える場合がある。Ｎ×Ｍタッチセンサの面積が増加するにつれて、タッチセンサのＥＭＥも増加する。タッチセンサのＥＭＲは、電磁界（ＥＭＦ）の伝搬（すなわち、輻射）波であり、この波が電磁輻射エネルギーを運ぶ。

【0041】

とりわけ、タッチセンサのドライバによって使用される基準信号の波形は、検知動作中にタッチセンサによって放射されるＥＭＲの量に影響を及ぼし得る。波形の１つのエッジから別のエッジへの急激な遷移は、ＥＭＲを増加させる高調波を生成する。図１は、立ち上がりエッジ２、トップエッジ３、立ち下がりエッジ４、及びボトムエッジ５を含む、例示的な方形波形１の周期を示す。遷移部６、７、及び８は、増加したＥＭＲに対応する。図１は単純な例である。図２は、ＤＡＣ近似である例示的な方形波形１０を示す。エッジ間の遷移並びに方形波形１０のエッジを形成する遷移単調部分は、ＥＭＲに寄与する。

【0042】

波形のエッジは、高調波、ひいてはかかる高調波を生成するＥＭＲを制御するように整形され得る。タッチセンサにおいて波形を整形するための従来の技法は、パッシブフィルタを使用することであるが、特定のハードウェアを使用することで、それぞれのタッチセンサが特定のソリューションに結び付けられ、異なる用途ではＥＭＥ限度を満たさないか又は同じ用途でも異なる国では限度を満たさない場合がある。例えば、欧州において近くの無線周波数（ＲＦ）アンテナを用いる用途に使用されるパッシブフィルタを有するタッチセンサは、米国における同じ用途に対するＥＭＥ限度を満たさない場合があり、異なる周波数帯域を使用するＲＦアンテナを用いた用途に対するＥＭＥ限度も満たさない場合がある。

【0043】

更に、パッシブフィルタがドライバ基準信号の波形を整形するために使用されるとき、検知スピードのトレードオフが存在する。検知スピードは、タッチプロセッサがどれだけ速くタッチセンサとの接触を特定し得るかである。検知スピードは、取込みレートの影響を受け、取込みレートは、タッチプロセッサがどのくらいの頻度でタッチセンサの電極の静電容量を測定するかである（取込みレートは、本明細書で「サンプリングレート」とも称される）。取込みレートが高いほど、検知スピードが速くなる。最適な取込みレートは、ドライバ基準信号がフラットトップを有するときに達成されるが、パッシブフィルタは、フラットトップではなく下方に傾斜するトップを有する波形の信号を提供する。

【0044】

最後に、本開示の発明者らに既知のパッシブフィルタリング技法は、タッチセンサドライバの非線形性を補正しない。

【0045】

したがって、本開示の発明者らは、パッシブフィルタリング技法の欠点の一部又は全てを伴わない波形整形技法の必要性を理解している。

【0046】

波形の非単調部分は、高調波、ひいてはドライバ基準信号のＥＭＲを制御するために使用され得る。図３Ａは、ＤＡＣ出力波形の例示的なエッジ１２を示し、エッジ１２は単調増加として付けられ得る。図３Ｂは、ＤＡＣ出力波形の例示的なエッジ１３を示し、エッジ１３は、非単調性として特徴付けられ得る部分１４を含み、そのため、エッジ１３も非単調として特徴付けられる。本開示では、意図的に導入された非単調部分を有する波形は、「任意の波形」と称され、かかる波形を有する信号は、「任意の信号」と称される。

【0047】

高調波を制御するため、及びより一般的にＥＭＥを制御するため、タッチセンサドライバの基準信号に対する任意の波形を生成するために使用され得る波形整形技法が必要とされている。

【0048】

いくつかの開示される実施形態は、概して、タッチセンサのドライバによって使用される基準信号の波形を整形して、検知動作中にタッチセンサによって放射されるＥＭＥを制限することに関する。開示される実施形態では、整形は、検知動作に使用可能なサンプリング周波数の１つ以上の周波数帯域に対して実施されてもよい。整形は、基準信号の波形の一部又は波形全体に実施されてもよい。１つ以上の周波数帯域に対して予め規定された限度を下回る（又は予め規定された範囲内の）ＥＭＥに対応することが検出される、１つ以上の形状が選択されてもよい。選択された形状に対応する、ｎビットデジタルコード（本明細書では、「ｎビットコード」とも称される）が記憶されてもよい。いくつかの実施形態では、選択された形状は任意の形状であってもよい。いくつかの実施形態では、選択された形状は、非単調及び／又は単調部分を含んでもよく、ｎビットコードのシーケンスのうちの少なくともいくつかのｎビットコードは、かかる部分に対応し得る。

【0049】

開示される実施形態は、本明細書に記載されるものを含むがこれらに限定されない、多くの利点及び利益を有することが理解されるべきである。例えば、いくつかの開示される実施形態では、ドライバの基準電圧を生成するために使用可能な、ＤＡＣの既知及び未知の非線形性によって、少なくとも部分的に引き起こされる電磁輻射が克服され得る。

【0050】

開示される実施形態では、ドライバ基準信号の波形の形状（すなわち、「波形形状」）は、ＤＡＣによって出力されるドライバ基準信号の波形の形状及び／又はかかる形状を有する信号を生成するためにＤＡＣに適用されるｎビットコードのシーケンスに関して記述される場合がある。

【0051】

図４は、ＥＭＥを制御するようにタッチ検知システム１１０を構成するためのシステム１００の一実施形態を示す。システム１００は、タッチ検知システム１１０、タッチセンサ１３０、測定機器１４０、放射制御ソフトウェア１５０、及び放射要件１６０を含んでもよい。タッチ検知システム１１０は、一般に、タッチセンサ１３０における静電容量を測定し、それらの測定値に応答してタッチを検出し、報告するように構成される。

【0052】

タッチ検知システム１１０は、ＤＡＣが基準とするドライバ１１１及び１１２、ｎビットＤＡＣ１１３及び１１４、ＤＡＣ制御１１５、並びにタッチ検出器１１６を含んでもよい。ｎビットＤＡＣ１１３及び１１４は、ビットストリーム１１７及び１１８をそれぞれ受信し、ビットストリーム１１７及び１１８に応答してドライバ基準信号１１９及び１２０を出力するように構成される。図４に示す例では、基準信号１１９及び１２０は、出力基準１１９及び入力基準１２０として標識されるが、これは、この例が、タッチセンサ１３０の電極の行及び列に別個のドライバを使用するためである。他の実施形態では、１つのドライバ又は２つを超えるドライバなど、この例とは異なる数のドライバが使用されてもよい。

【0053】

ＤＡＣ制御１１５は、それぞれｎビットＤＡＣ１１３及び１１４にビットストリーム１１７及び１１８を提供するように構成される。開示される実施形態では、ビットストリーム１１７及び１１８は信号形状に対応する。ＤＡＣ制御１１５は、メモリ（図示せず）内に信号形状のビットストリームを記憶し得る。例えば、４ビットＤＡＣを使用する場合、ＤＡＣ制御１１５は、４ビットコードのシーケンスを記憶し、その４ビットコードのシーケンスは、所望の形状を有する波形に対応する。ＤＡＣ制御１１５は、ｎビットコードの第１のシーケンスを記憶して、ｎビットＤＡＣ１１３に基準信号１１９を生成させ、ｎビットのコードの第２のシーケンスを記憶して、ｎビットＤＡＣ１１４に基準信号１２０を生成させ得る。

【0054】

図４に示す例では、ＤＡＣ制御１１５は、ｎビットＤＡＣ１１３及び１１４の両方を制御する。別の実施形態では、タッチ検知システム１１０は、複数のＤＡＣ制御モジュールを含んでもよく、例えば、それぞれのｎビットＤＡＣは、専用のＤＡＣ制御モジュールから制御されても（すなわち、ビットストリームを受信しても）よい。

【0055】

測定機器１４０は、概して、タッチセンサ１３０から放射されるＥＭＥ１３２を測定するように構成される。より具体的には、測定機器１４０は、検知動作中にタッチセンサ１３０から放射されたＥＭＥ１３２を測定し、検出動作中にＥＭＥ１３２に対応する放射測定値１４２を放射制御ソフトウェア１５０に提供するように構成される。測定機器１４０としては、ＥＭＥ１３２を直接的又は間接的に測定するための任意の好適なセンサ（単数又は複数）、例えば、スペクトル分析器、ガウスメーター、ＥＭＦメーター、体内電圧を測定するためのマルチメーター（mustimeters）、Ｅ場センサ、及び／又はＨ場センサが挙げられ得る。放射制御ソフトウェア１５０は、概して、検知動作に対応する放射測定値１４２を分析し、分析結果に基づいて、ｎビットコードのシーケンス、ひいては検知動作中に使用されたドライバ基準信号１１９及び１２０の形状を評価するように構成される。例えば、放射制御ソフトウェア１５０は、放射測定値１４２を適用可能なＥＭＥ要件１６０と比較することによって、ｎビットコードのシーケンスを評価し得る。放射測定値１４２が適用可能な限度を下回る場合、ｎビットコードのシーケンスは、ＤＡＣ制御１１５によって記憶され得る。放射測定値１４２が適用可能な限度を超える場合、放射制御ソフトウェア１５０は、試験のために、新しい信号形状に対するｎビットコードの新しいシーケンスをＤＡＣ制御１１５に提供し得る。ｎビットコードのシーケンスを選択し、検知動作を実施し、ＥＭＥ１３２を測定し、測定されたＥＭＥ１３２及び放射要件１６０に基づいてｎビットコードのシーケンスを評価するプロセスは、許容可能な信号形状が特定されるまで繰り返されてもよい。

【0056】

放射要件１６０は、規格１６２及び／又はカスタム要件１６４を含んでもよい。例として、規格１６２は、自動車用途で使用される電気デバイス及び電子デバイスにおける電磁干渉を制御するための規格であるＣＩＳＰＲ２５などの自動車規格であってもよい。カスタム要件１６４は、例えば、顧客要件、規格を超える要件、及び規格が存在しないか又は業界で受け入れられた規格がない用途に対する要件を含む、任意のものであってもよい。

【0057】

図５は、波形最適化装置１５２、コード発生器１５４、及び放射分析器１５６を含む放射制御ソフトウェア１５０の一実施形態を示す。波形最適化装置１５２は、概して、検知動作中にタッチセンサ１３０から放射されるＥＭＥを理論的に改善するための、波形の形状の変化を決定するように構成される。一実施形態では、波形最適化装置１５２は、最適化アルゴリズムに基づき、より具体的には、以下により詳細に記載されるようにコスト関数の出力に従って、変化を選択してもよい。開示される実施形態は、波形最適化装置１５２によって決定される波形の形状の実際の変化が実際に最適であることを必要としないことを理解されたい。

【0058】

コード発生器１５４は、概して、波形最適化装置１５２によって選択される波形の形状に対応するｎビットコードのシーケンスを生成するように構成される。放射分析器１５６は、概して、測定機器１４０からの放射測定値１４２を分析し、タッチセンサ１３０から放射されたＥＭＥが、様々な放射要件と比較してどうであるかを決定するように構成される。

【0059】

開示される実施形態では、ＥＭＥを改善する波形形状を見つけるために、任意の好適な包括最適化アルゴリズムが使用されてもよい。一実施形態では、試験されるｎビットコードのそれぞれのシーケンスは、包括最適化アルゴリズムのパラメータである。場合によっては、ｎビットコードのシーケンスのリストは長い可能性があり、そのため、最適化アルゴリズムは過剰な時間を浪費する可能性があり、そのため、一実施形態では、ｎビットコードのシーケンスのリストを使用することに加えて、又はｎビットコードのシーケンスのリストを使用する代わりに、より少数のパラメータが波形を表すために使用されてもよい。例えば、波形は、異なる瞬間で評価される多項式として表されてもよく、包括最適化アルゴリズムのパラメータは、ある瞬間における多項式の係数である。別の例として、波形は、スプライン、ベジェ曲線、又はテイラー級数の係数として表すことができ、これにより、複雑な形状をパラメータの限定されたリストで表すことが可能になる。

【0060】

図６は、開示される実施形態による、ＥＭＥを制御するようにタッチ検知システム（タッチ検知システム１１０など）を構成するためのプロセス２００を示す。動作２０１では、基準信号が、いくつかの検知動作中にドライバに提供される。異なる検知動作中に提供される基準信号のそれぞれは、異なる形状を有する。換言すれば、第１の検知動作中に提供される基準信号は、後続の検知動作中に提供される基準信号とは異なる形状を有する。動作２０２では、基準信号を提供すると同時に、タッチセンサによって放射されたＥＭＥに応答して基準信号の最適な形状が検出される。一実施形態では、基準信号の最適な形状は、適用可能なＥＭＥ限度を下回る第１の形状であるために検出され得る。別の実施形態では、基準信号の最適な形状は、試験を受けたいくつかの形状の最も低いＥＭＥ測定値に対応する（すなわち、形状は最小ＥＭＥ測定値に対応する）ために検出され得る。一実施形態では、基準信号の最適な形状は、試験を受けたいくつかの形状の、ＥＭＥ限度を下回る最も低いＥＭＥ測定値に対応するために検出され得る。動作２０３では、ＤＡＣに最適な形状を有する基準信号を発生させるための命令が記憶される。命令は、最適な形状に対応するｎビットコードのシーケンスであってもよく、又は該ｎビットコードのシーケンスを含んでもよい。

【0061】

図７は、開示される実施形態による、基準信号の特定の形状に対するタッチセンサにおけるＥＭＥを評価するためのプロセス２１０を示す。動作２１１では、ドライバ基準信号が検知動作のために提供され、基準信号は予め選択された形状を有する。動作２１２では、検知動作中にタッチセンサによって放射されたＥＭＥが測定される。動作２１３では、ＥＭＥ測定値が適用可能な限度を下回るためにＥＭＥが許容可能である場合、動作２１６で、基準信号の現在の形状に対応するｎビットコードのシーケンスが記憶され、プロセス２１０は終了する。許容可能でない場合、動作２１４で、測定されたＥＭＥに応答して基準信号の新しい形状が選択され、動作２１５で、新しい形状を有する、ドライバのための新しい基準信号が提供され、動作２１２が再び実施される。

【0062】

図８は、開示される実施形態による、タッチセンサにおけるＥＭＥを改善する信号形状を決定するために分析され得る、許容可能な信号形状のリストを収集するためのプロセス２２０を示す。動作２２１では、ドライバ基準信号が検知動作のために提供され、基準信号は予め選択された信号形状を有する。動作２２２では、検知動作中にタッチセンサによって放射されたＥＭＥが測定される。動作２２３では、ＥＭＥ測定値が適用可能な限度を下回るためにＥＭＥが許容可能である場合、動作２２７で、基準信号の現在の形状に対応するｎビットコードのシーケンスが記憶される。

【0063】

動作２２４では、試験する信号形状がそれ以上存在するかどうかが決定され、存在しない場合、プロセス２２０は終了する。一実施形態では、試験された信号形状は、予め選択された信号形状のセットであってもよく、プロセス２２０は、全ての予め選択された信号形状が試験された場合に終了する。

【0064】

別の実施形態では、コスト関数が使用されてもよく、コスト関数を最小化する形状が見出されたときに、プロセス２２０は終了する。コスト関数は、放射測定値を分析し、放射要件に対するＥＭＥの適合性を評価する出力を戻し得る。

【0065】

より多くの信号形状が試験されるべきである場合、動作２２５で、基準信号の新しい信号形状が選択され、動作２２６で、新しい信号形状を有する、ドライバのための新しい基準信号が提供される。ｎビットコードの複数のシーケンスが存在する場合、最も低いＥＭＥを有するｎビットコードのシーケンスが選択され得る。

【0066】

図９は、開示される実施形態による、プロセス２２０で使用されるコスト関数などのコスト関数を取得するためのプロセス２３０のフローチャートを示す。図９の実施形態では、コスト関数は、放射要件の遵守の改善を表すためにより低い値を返し、放射要件の遵守の悪化を表すためにより高い値を返し得る。他の実施形態では、他の慣例が使用されてもよい。

【0067】

動作２３１で、いくつかの放射測定値が受信される。放射測定値は、特定の波形形状に対応し得る。動作２３２では、放射測定値のうちの最も高い放射測定値が特定される。最も高い放射測定値は、規定された放射限度を上回るか又は下回るかにかかわらず特定され得る。

【0068】

動作２３３では、超過値が取得され、記憶される。超過値のそれぞれについて、超過値は、動作２３１のそれぞれの放射測定値と規定された放射限度との間の差を計算することによって取得され得る。

【0069】

動作２３４では、マージン値が取得され、記憶される。マージン値は、動作２３２で特定された最も高い放射測定値と規定された放射限度との間の差を計算することによって取得され得る。動作２３５では、超過値が合計され、合計された超過値は、コスト関数を増加させるために使用される。超過値が存在しない場合、動作２３６で、マージン値がコスト関数を減少させるために使用される。

【0070】

他の実施形態は、追加的に又は代替的に、合計された超過値からマージン値を減算し、その結果を使用して（結果が正でるか又は負であるかに応じて）コスト関数の増加又は減少のいずれかを行うことによって、コスト関数を取得し得る。

【0071】

いくつかの実施形態では、放射要件は、いくつかの周波数帯域における放射限度を規定する場合があり、プロセス２３０などのプロセスは、周波数帯域のそれぞれについて波形形状に関連付けられたコスト関数を決定するために使用され得る。他の実施形態では、放射要件は、いくつかの周波数帯域を規定し、それぞれの周波数帯域について、異なる測定方法に対する放射限度を規定する場合があり、プロセス２３０などのプロセスは、それぞれの組み合わせ周波数帯域及び測定方法について波形形状に関連付けられたコスト関数を決定するために使用され得る。例えば、放射要件は、スペクトルをＲＦＩＤ帯域、長波（ＬＷ）帯域、及び中波（ＭＷ）帯域に分割し、それぞれの周波数帯域について、ピーク（ＰＫ）、準ピーク（ＱＰ）、及び／又は平均（ＡＶ）放射に対する放射限度を規定する場合がある。したがって、対象とする周波数帯域と測定方法とのそれぞれの組み合わせについて、コスト関数が決定され得る。

【0072】

いくつかの実施形態では、構成プロセス（プロセス２００、２１０、及び２２０など）は、異なる基本周波数を有する異なるサンプリングレートに対して複数回実施されてもよい。ｎビットコードの複数のシーケンスが記憶されてもよく、ｎビットコードのそれぞれのシーケンスは、特定のサンプリングレート／基本周波数に対してＥＭＥを最適化する信号形状に関連付けられる。異なる基本周波数に対するｎビットコードの複数のシーケンスを記憶するいくつかの利点は、図１０及び図１１に関連して説明される。

【0073】

いくつかの開示される実施形態は、概して、ＤＡＣが基準とするタッチセンサドライバに関し、タッチセンサで放射されるＥＭＥの量を制御することに関する。より具体的には、ＤＡＣは、ＥＭＥ限度を満たすようにタッチセンサで放射されるＥＭＥの量を制御するように整形された波形を有する、整形された基準信号を生成するように制御される。かかる限度は、例えば、規格によって規定されてもよく、又はタッチ検知システムが使用される特定の用途のためにカスタマイズされてもよい。

【0074】

図１０は、開示される実施形態による、タッチセンサによって放射されるＥＭＥを制御するように整形された基準信号３０６及び３０７を提供するように構成されたタッチ検知システム３００の一実施形態を示す。図１０に示す実施例では、タッチ検知システム３００は、概して、自己静電容量検知技法を実施するように構成される。タッチ検知システム３００は、ドライバ３０１及び３０２、ｎビットＤＡＣ３０３及び３０４、並びにタッチ検出器３０５を含んでもよい。タッチコントローラ３１０は、基準信号３０６及び３０７の改善された形状に対応するｎビットコード３１１を記憶している。ビットストリーム発生器３１２は、ＤＡＣコントローラ３１０が、受信したクロック信号と連携して、ｎビットＤＡＣ３０３及び３０４に改善された形状を有する基準信号を出力させるビットストリーム３０８及び３０９を生成することを可能にする論理である。より具体的には、ビットストリーム発生器３１２は、例えば、タッチ検知システム３００によって使用される所望のサンプリングレートに基づいて、ビットストリーム３０８及び３０９がｎビットＤＡＣ３０３及び３０４に提供されるレートを制御し得る。ドライバ３０１及び３０２は、基準信号３０６及び３０７にそれぞれ応答して、タッチセンサ（図示せず）の電極を駆動するための駆動信号３１５及び３１６をそれぞれ出力し得る。

【0075】

タッチ検出器３０５は、駆動信号３１６の信号レベルを測定し、タッチ検知システム３００に動作可能に結合されたタッチセンサにおける接触によって引き起こされる信号レベルの変化を検出するように構成される。より具体的には、タッチ検出器３０５は、タッチセンサに接触する物体からの見掛けの追加静電容量によって生じる電流の増加を検出し得る。タッチ検出器３０５は、閾値を満たす又は閾値を超える信号レベルの変化を検出した場合にタッチを報告する。

【0076】

図１０に示される例示的なシステムでは、駆動信号３１６を測定するタッチ検出器３０５が示されているが、開示される実施形態はそのように限定されない。タッチ検出器３０５はまた、駆動信号３１５を測定してタッチを検出するか、又は駆動信号３１６及び駆動信号３１６の両方を測定してタッチを検出してもよい。図１０に示される例示的なシステムは、２つのドライバ３０１及び３０２を含むが、駆動信号をタッチセンサに提供するために他のドライブ数、例えば、１つのドライバ又は２つを超えるドライバが使用されてもよいことを理解されたい。図１０に示される例示的なシステムは、自己静電容量検知技法を実施するように構成されており、本明細書に記載の企図される動作は、自己静電容量検知に関連して説明されているが、開示される実施形態はそのように限定されない。別の実施形態では、タッチ検知システム３００は、相互静電容量検知のために構成されてもよく、駆動信号及び検知信号は、整形された基準信号に応答してタッチセンサに提供され、タッチ検出器３０５は、検知信号を測定してタッチセンサにおけるタッチを検出するように構成される。

【0077】

場合によっては、サンプリングレートの周波数により、測定は外来ノイズの影響を受けやすくなり得るが、異なる周波数によって、測定は外来ノイズの影響を受けにくくも受けやすくもなり得る。いくつかの開示される実施形態は、概して、タッチセンサにおける外来ノイズの影響を補正することに関する。開示される実施形態では、サンプリングレートは、外来ノイズに応答して第１のサンプリングレートから第２のサンプリングレートに変わり得る。より具体的には、開示される実施形態では、サンプリングレートは、第１のサンプリングレートより外来ノイズの影響を受けにくい（すなわち、ほとんど影響されない）第２のサンプリングレートに変わり得る。第１のサンプリングレートは第１の基本周波数に関連付けられてもよく、第２のサンプリングレートは第２の基本周波数に関連付けられてもよい。ドライバによって使用可能な基準信号の形状は、第２の基本周波数に応答して変わり得る。

【0078】

図１１は、異なる基準信号形状を利用する、外来ノイズを補正するためのプロセス３２０の一実施形態を示す。動作３２１では、第１のドライバ基準信号が出力される。ドライバ基準信号は、第１のサンプリングレートに対する第１の基本周波数に対応する第１の形状を有する。動作３２２では、タッチセンサは、第１の基本周波数に関連付けられた第１のサンプリングレートで測定される。動作３２３では、第２の基本周波数は、検出された干渉に応答して決定される。一実施形態では、外来ノイズに対する感受性を低減する第２のサンプリングレートが決定され、第２の基本周波数は、第２のサンプリングレートに基づいて決定される。一実施形態では、第２の基本周波数及び第２のサンプリングレートは、それぞれに、所定の関連性を有する、いくつかの所定の基本周波数及び所定のサンプリングレートのうちの１つであってもよい。動作３２４では、ドライバのための第２の基準信号が提供される。第２の基準信号は、第１の形状とは異なる第２の形状を有し、第２の形状は、第２の基本周波数に関連付けられる。動作３２５では、タッチセンサは、第１の基本周波数に関連付けられた第２のサンプリングレートでサンプリングされる。

【0079】

図１２は、サンプリングレートを変える（例えば、外来ノイズを補正するため）タッチ検知システムに応答して、基準信号の形状を変えるように構成されたＤＡＣコントローラ４００の一実施形態を示す。ＤＡＣコントローラ４００は、プロセッサ４０１、プログラムメモリ４０２、及びデータメモリ４０６を含む（データメモリ４０６は、実装形態によって単にプログラムメモリの一部であり得る）。プログラムメモリ４０２は、基準信号の形状を変えるようにＤＡＣを制御することを含む、開示された実施形態を実施することに関連する様々な用途のプログラムを記憶するように構成される。この例では、コードセレクタ４０３、基本周波数検出４０４、及びビットストリーム発生器４０５は、プログラムメモリ４０２に記憶される。データメモリ４０６は、基準信号の改善された形状に対するｎビットコードのシーケンス４０７を記憶するように構成される。それぞれの記憶されたｎビットコードのシーケンス４０７は、特定の基本周波数、ｆ₀、４０８に関連付けられる。一実施形態では、ｎビットコードのシーケンス４０７及び基本周波数４０８はルックアップテーブル（ＬＵＴ）として記憶されてもよく、ＬＵＴは、基本周波数４０８、基本周波数ｆ₀に対応するサンプリングレート、又はいくつかの他のキーの値を使用して検索可能であってもよい。

【0080】

ＤＡＣコントローラ４００の企図される動作では、基本周波数検出４０４は、例えば、ビットストリーム発生器４０５が新しいサンプリングレートに適応するようにビットストリームレートを変えたため、サンプリングレートは変化したと判断する。基本周波数検出４０４は、新しいサンプリングレートに関連付けられた基本周波数を決定する。コードセレクタ４０３は、基本周波数を使用して、データメモリ４０６に記憶されたｎビットコードのシーケンス４０７の中から１つのｎビットコードのシーケンスを選択する。別の実施形態では、コードセレクタ４０３は、ビットストリーム発生器４０５のビットストリームレートに基づいて決定された新しいサンプリングレートを使用してもよい（この場合、基本周波数検出４０４は省略されてもよい）。コードセレクタ４０３は、選択されたｎビットコードのシーケンスをビットストリーム発生器４０５に提供して、ＤＡＣのためのビットストリームを生成する。

【0081】

用途によっては、ＥＭＥ要件は、非常に厳密である場合があり、全てのＥＭＥ限度が単一の基本周波数及び波形形状によって満たされ得るわけではない。別の言い方をすれば、複数のＥＭＥ限度が特定の用途に関連付けられる場合があり、望ましくない高調波、すなわち、タッチシステムにＥＭＥ限度のうちの少なくとも１つを超えさせる高調波を発生させない単一の基本周波数及び波形形状の組み合わせを見出すことはできない。

【0082】

例えば、企図される用途では、ＥＭＥ限度は、ＲＦＩＤ、ＬＷ、及びＭＷ帯域に対して施行され得る。所与の基本周波数及び波形形状を用いて動作するタッチシステムは、ＲＦＩＤ及びＬＷに対するＥＭＥ限度を尊重する（すなわち、満たす）ことができ得るが、ＭＷに対するＥＭＥ限度を超える。あるいは、異なる基本及び波形形状又は同じ基本及び異なる波形形状を使用するタッチシステムは、ＲＦＩＤ及びＭＷに対するＥＭＥ限度を尊重するが、ＬＷに対するＥＭＥ限度を超え得る。換言すれば、この実施例では、ＲＦＩＤ及びＬＷに対するＥＭＥ限度を満たす基本及び形状が見出され、ＲＦＩＤ及びＭＷに対するＥＭＥ限度を満たす基本及び形状が見出されるが、ＲＦＩＤ、ＭＷ、及びＬＷに対するＥＭＥ限度を満たす基本及び形状は見出されない。

【0083】

このように、いくつかの開示される実施形態は、概して、放射制御回路と、システムレベルの使用情報及び定性的ＥＭＥ情報に少なくとも部分的に基づいてタッチ検知システムのためのタッチ検知基本周波数及び／又は波形形状の動的選択を実施するように構成された、放射制御回路を含むタッチ検知システムと、に関する。システムレベルの使用情報は、例えば、タッチ検知システムがその一部であるアプリケーションシステム内の他のデバイスの現在の状態に関する情報であってもよく、又はシステムレベルの使用情報は、ＥＭＥ限度を優先する（例えば、ＭＷ限度をＬＷ限度より優先する）方法に関する命令であってもよい。

【0084】

定性的ＥＭＥ情報は、関連する基本周波数及び波形形状の定性的特徴、並びに／又は、ＥＭＥの観点から、基本周波数及び波形形状の関連性を定性的に特徴付けるために使用され得る情報である。定性的ＥＭＥ情報としては、基本及び波形形状の様々な対に関して、例えば、高調波に関する情報、特定の帯域及び／若しくは領域に関するＥＭＥ限度に関する情報、特定のＥＭＥ限度が満たされているか若しくは試験されたかどうかに関する情報、又はアプリケーションシステムに関連するＥＭＥ限度が所与の基本及び波形形状によって満たされ得るかどうかを決定するために使用され得る任意の他の情報が挙げられ得る。満たされたＥＭＥ限度は、例えば、動作中に生じる可能性があるＥＭＥレベル、スペクトル（例えば、ＬＷ、ＭＷ、及びＲＦＩＤ）の満たされた部分、及び特定の地理的領域（例えば、北米、南米、及び欧州）に対して満たされた限度として表現され得る。満たされたＥＭＥ限度に関する情報はまた、例えば、地理的領域又は帯域によって満たされない、破られたＥＭＥ限度に関する情報を含んでもよい。

【0085】

図１３は、開示される実施形態による、タッチ検知システム５０２の一部であるか、又はタッチ検知システム５０２と連携して動作する、ＥＭＥ制御回路５０５を示す。開示される実施形態では、タッチ検知システム５０２は、タッチ検出回路５０３、タッチ検知回路５０４、及びＥＭＥ制御回路５０５を含んでもよく、また、タッチセンサ５０１も含むタッチシステム５００の一部である。図１３に示す実施形態では、タッチシステム５００は、他のデバイス及び／又は構成要素（図示せず）を含み得る、より包括的なアプリケーションシステムの一部であるサブシステムである。タッチ検知回路５０４は、タッチセンサ５０１への検知信号５１２（例えば、駆動信号）を提供及び受信するように構成されてもよく、タッチ検出回路５０３は、検知信号５１２に基づいた測定値５１１に応答してタッチ５１３を報告するように構成されてもよい。

【0086】

開示される実施形態では、ＥＭＥ制御回路５０５は、概して、特定のＥＭＥ要件を満たすために、アプリケーションシステムの状態を監視し、タッチ検知回路５０４の動作を制御するように構成されてもよい。ＥＭＥ制御回路５０５は、より広範なアプリケーションシステムに関する状態情報５０８と、改善された基本及び関連する波形形状に関する定性的ＥＭＥ情報５０７と、を（例えば、データメモリ、レジスタ、バッファ、及びそれらの組み合わせに）記憶し、記憶された状態情報５０８及び定性的ＥＭＥ情報５０７に少なくとも部分的に基づいて基本及び／又は波形形状を選択し、選択された基本及び／又は波形形状に応答して選択信号５１０を提供するように構成されてもよい。

【0087】

一実施形態では、ＥＭＥ制御回路５０５は、アプリケーションシステムに関するシステムレベルの使用情報５０９を受信し、受信されたシステムレベルの使用情報５０９に少なくとも部分的に基づいて状態情報５０８を記憶するように構成されてもよい。一実施形態では、アプリケーションシステムは、システムレベルの使用情報５０９をタッチシステム５００に提供し得る。例えば、アプリケーションシステムは、システムレベルの使用情報５０９として、システム内の他のデバイスに関する情報、それらのデバイスに関連付けられたＥＭＥ限度に関する情報、及び／又は領域設定（例えば、北米、南米、又は欧州）などのアプリケーション固有の設定に関する情報を提供し得る。一実施形態では、ＥＭＥ制御回路５０５、タッチ検知システム５０２、又はより一般的にタッチシステム５００は、アプリケーションシステムから、例えば、アプリケーションシステムのコンピュータ、サブシステム、又はスタックからシステムレベルの使用情報５０９を収集又は受信するための通信リンク又は通信プロトコルを含んでもよい。

【0088】

例えば、アプリケーションシステムが複数の無線送信機及び受信機を含む場合、システムレベルの使用情報５０９は、無線機がどの帯域及び／若しくは周波数を受信／送信するように構成されるか、並びに／又はどの帯域及び／若しくは周波数が実際に無線機によって受信／送信されているかに関する情報を含んでもよい。

【0089】

図１３に示す実施形態では、基本及び関連する波形形状（例えば、ｎビットコードのシーケンス）は、定性的ＥＭＥ情報５０７と共に記憶されてもよく、又は選択論理５０６によってアクセス可能な別のメモリ場所（図示せず）に記憶されてもよい。実際に、図１３に示す実施形態では、ＥＭＥ制御回路５０５は、ＤＡＣ（図示しないが、例えば、図１０のＤＡＣ３０３又は３０４）を制御するためのＤＡＣコントローラ（図１０に示すＤＡＣコントローラ３１０など）であっても又はＤＡＣコントローラの一部であってもよく、選択信号５１０は、例えば、ドライバ基準信号であってもよい。別の実施形態では、ＥＭＥ制御回路５０５は、別個のモジュール（すなわち、ＤＡＣコントローラとは別個のもの）であってもよく、タッチ検知回路５０４の一部であるＤＡＣコントローラに選択信号５１０を提供するように構成されてもよい。例えば、ＥＭＥ制御回路５０５は、好ましいＥＭＥの特徴を有する選択された基本及び形状に関する情報をＤＡＣコントローラに提供するように構成されてもよく、かかるＤＡＣコントローラは、次いで、ＥＭＥ制御回路５０５によって提供される情報に対応するｎビットコードのシーケンスを選択し得る。

【0090】

ＥＭＥ制御回路５０５は、状態情報５０８及び定性的ＥＭＥ情報５０７に少なくとも部分的に基づいて基本及び波形形状を動的に選択するように構成された基本及び波形形状選択論理５０６を含んでもよい。一実施形態では、基本及び波形形状選択論理５０６は、状態情報５０８を監視し、状態情報５０８の変化を検出するように構成されてもよい。基本及び波形形状選択論理５０６が変化を検出した場合、基本及び波形形状選択論理５０６は、定性的情報５０７及び新しい状態情報５０８に基づいて基本及び波形形状を選択し、選択に応答して選択信号５１０を提供するように構成されてもよい。

【0091】

図１４は、アプリケーションシステムに応答して基本及び波形形状を動的に選択するためのプロセス５２０の一実施形態を示す。

【0092】

動作５２１では、第１の基準信号に応答して、第１の検知信号が提供される。第１の基準信号は、第１の基本周波数に関連付けられた第１の波形形状に対応する形状を有し得る。第１の基本周波数及び第１の波形形状は、第１の基本周波数と第１の波形との関連性を特徴付ける定性的ＥＭＥ情報に記載されているような、アプリケーションシステムに関する好ましいＥＭＥの特徴を有し得る。動作５２２では、第１の検知信号に応答して、タッチ検知測定が実施される。一実施形態では、第１の検知信号は駆動信号であり、タッチ検知測定値は自己静電容量測定値である。動作５２３では、アプリケーションシステムに関する新しい状態情報が検出される。動作５２４では、新しい状態情報と、選択されたものを含む基本周波数及び波形形状のいくつかの対の関連性を特徴付ける定性的ＥＭＥ情報と、に応答して、第２の基本周波数及び／又は第２の波形形状が選択される。第２の基本周波数及び／又は第２の波形形状は、例えば、定性的ＥＭＥ情報が、第１の基本周波数及び第１の波形形状より、新しい情報を与えられたＥＭＥの観点からより好ましい（好ましくは、利用可能な基本周波数及び波形形状の他の組み合わせよりも好ましい）関連性を特徴付けるために選択され得る。より好ましいＥＭＥの特徴は、例えば、基本周波数及び関連する波形形状が、アプリケーションシステム内の様々なデバイスに対するＥＭＥ限度内か、又はアプリケーションシステムが配備されている地理的領域内のＥＭＥ限度内にあるＥＭＥをもたらすことを示し得る。

【0093】

動作５２５では、第２の基準信号が提供される。第２の基準信号は、第１の波形形状とは異なる第２の波形形状を有する。動作５２６では、第２の基準信号に応答して第２の検知信号が提供され、動作５２７では、第２の検知信号に応答してタッチセンサ測定が実施される。

【0094】

当業者であれば、開示される実施形態は多くの利点及び利益を有することを理解するであろう。例えば、無線アンテナの場所に基づいて、無線品質に基づいて、使用場所に基づいて（例えば、限定するものではないが、ＥＭＥに関連する特定の要件を有する国）、及び／又は他の機器（例えば、限定するものではないが、オーディオシステム、自動車のリモートエントリ機器、通信機器）の存在に基づいて、異なる電磁放射限度の遵守を可能にすること、世界中の無線帯域（例えば、限定するものではないが、周波数帯域）の割り当てに対するＥＭＥ要件の遵守を可能にすること、並びにハードウェアパッシブフィルタを使用せずにソフトウェアによってスペクトルコンテンツを制御する能力、などがある。

【0095】

更なる例として、開示される実施形態は、製造後に、ＤＡＣコントローラ及びより一般的にタッチ検知システムの調整を可能にし、それにより、そうでなければパッシブフィルタを使用するシステムに必要とされる再設計サイクルを省くことによって市場投入までの時間を短縮することができる。

【0096】

なお更なる例として、ＤＡＣソリューションをチューニングソフトウェア（例えば、放射制御ソフトウェア１５０）と組み合わせることにより、そうでなければ不必要な高調波で信号を引き起こすドライバステージにおける非線形性を補正することができる。

【0097】

なお更なる例として、ＤＡＣを制御するソフトウェアを使用して、ドライバのために整形された基準信号を生成することにより、ハードウェアパッシブフィルタなどの他のソリューションより高速な信号獲得を可能にする。

【0098】

本開示は、特定の例示される実施形態に関して本明細書に記載されているが、当業者は、本発明がそのように限定されないことを認識し、理解するであろう。むしろ、以下にそれらの法的等価物と共に特許請求されるような本発明の範囲から逸脱することなく、例示され、説明される実施形態に対して数多くの追加、削除、及び修正を行うことができる。加えて、一実施形態の特徴は、本発明者（又は本発明者ら）によって想到されるように、別の開示した実施形態の特徴と組み合わせることができるが、それでも、本開示の範囲内に包含される。

【0099】

本開示の更なる非限定的な実施形態は、以下のとおりである。

【0100】

実施形態１：タッチ検知システムであって、波形形状に対するコードを出力するように構成されたデジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）コントローラであって、前記コード又は前記波形形状は、前記タッチ検知システムにおいて限度を下回る電磁放射（ＥＭＥ）を示すことに関連付けられる、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）コントローラと、前記ＤＡＣコントローラによって出力された前記コードに応答して、第１の整形された基準信号を出力するように構成されたＤＡＣと、前記第１の整形された基準信号に応答して、タッチセンサに駆動信号を提供するように構成されたドライバと、前記駆動信号の変化した信号レベルに応答して、タッチを報告するように構成されたタッチ検出器と、を備える、タッチ検知システム。

【0101】

実施形態２：前記ＤＡＣコントローラは、ｎビットコードのシーケンスを記憶するように構成され、前記ＤＡＣコントローラによって出力される前記波形形状に対する前記コードは、前記記憶されたｎビットコードのシーケンスのうちの１つを含むビットストリームである、実施形態１に記載のシステム。

【0102】

実施形態３：前記記憶されたｎビットコードのシーケンスのうちの少なくとも１つの他のシーケンスは、前記タッチ検知システムにおいて異なる限度を下回るＥＭＥを示すことに関連付けられる、実施形態１及び２のいずれかに記載のシステム。

【0103】

実施形態４：前記ＤＡＣコントローラは、ｎビットコードのシーケンスを記憶するように構成され、前記記憶されたｎビットコードのシーケンスのそれぞれは、異なるサンプリングレートに関連付けられる、実施形態１～３のいずれかに記載のシステム。

【0104】

実施形態５：前記ＤＡＣコントローラは、第１の基本周波数に応答して、第１の波形形状に対する第１のコードを出力し、第２の基本周波数に応答して、第２の波形形状に対する第２のコードを出力するように構成され、前記第１の基本周波数は第１のサンプリングレートに関連付けられ、前記第２の基本周波数は第２のサンプリングレートに関連付けられる、実施形態１～４のいずれかに記載のシステム。

【0105】

実施形態６：前記ＤＡＣコントローラは、前記第１の整形された基準信号の形状に対応する第１のｎビットコードのシーケンスに少なくとも部分的に基づいた第１のビットストリームを提供し、第２の整形された基準信号の形状に対応する第２のｎビットコードのシーケンスに少なくとも部分的に基づいた第２のビットストリームを提供するように構成される、実施形態１～５のいずれかに記載のシステム。

【0106】

実施形態７：前記ＤＡＣコントローラは、第１のサンプリングレートに関連付けられた第１のレートで前記第１のビットストリームを提供し、第２のサンプリングレートに関連付けられた第２のレートで前記第２のビットストリームを提供するように構成される、実施形態１～６のいずれかに記載のシステム。

【0107】

実施形態８：１つ以上のメモリを更に備え、該１つ以上のメモリは、波形形状に対するｎビットコードのシーケンスと、基本と前記ｎビットコードのシーケンスのうちの少なくともいくつかとの関連性を特徴付ける定性的電磁放射（ＥＭＥ）情報と、アプリケーションシステムに関する状態情報と、を記憶するように構成される、実施形態１～７のいずれかに記載のシステム。

【0108】

実施形態９：第１のｎビットコードのシーケンス及び第２のｎビットコードのシーケンスは、同じ基本周波数に関連付けられており、前記定性的ＥＭＥ情報は、前記基本周波数と第１のｎビットコードのシーケンスとの高調波の第１の特徴付けと、前記基本周波数と前記第２のｎビットコードのシーケンスとの高調波の第２の特徴付けと、を含む、実施形態１～８のいずれかに記載のシステム。

【0109】

実施形態１０：前記状態情報及び前記定性的ＥＭＥ情報に応答して、前記ｎビットコードのシーケンスのうちの１つのｎビットコードのシーケンスを選択するように構成された選択論理を更に備える、実施形態１～９のいずれかに記載のシステム。

【0110】

実施形態１１：タッチ検知方法であって、デジタル・アナログ変換器（ＤＡＣ）に波形形状に対する第１のコードを提供するステップであって、前記第１のコード又は前記波形形状は、タッチ検知システムにおける限度を下回る電磁放射（ＥＭＥ）に関連付けられる、提供するステップと、前記波形形状に対する前記第１のコードに応答して、ドライバに第１の整形された基準信号を提供するステップと、前記第１の整形された基準信号に応答して、タッチセンサに駆動信号を提供するステップと、前記駆動信号の変化した信号レベルに応答して、タッチを報告するステップと、を含む、タッチ検知方法。

【0111】

実施形態１２：前記波形形状に対する前記第１のコードを提供するステップは、ｎビットコードのシーケンスを含むビットストリームを提供するステップを含む、実施形態１１に記載の方法。

【0112】

実施形態１３：前記駆動信号を第１のサンプリングレートで測定するステップと、サンプリングレートが第１のサンプリングレートから第２のサンプリングレートに変化したことを検出したことに応答して、前記ＤＡＣに波形形状に対する第２のコードを提供するステップと、前記第２の波形形状に対する前記第２のコードに応答して、前記ドライバに第２の基準信号を提供するステップと、前記第２の基準信号に応答して、前記タッチセンサに第２の駆動信号を提供するステップと、前記第２の駆動信号を前記第２のサンプリングレートで測定するステップと、を更に含む、実施形態１１～１２のいずれかに記載の方法。

【0113】

実施形態１４：前記第２のサンプリングレートは、前記第１のサンプリングレートより低い、外来ノイズに対する感受性に関連付けられる、実施形態１１～１３のいずれかに記載の方法。

【0114】

実施形態１５：前記第１のサンプリングレートに関連付けられた第１のレートで、前記第１の波形形状に対する前記第１のコードの第１のビットストリームを提供するステップと、前記第２のサンプリングレートに関連付けられた第２のレートで、前記第２の波形形状に対する前記第２のコードの第２のビットストリームを提供するステップと、を更に含む、実施形態１１～１４のいずれかに記載の方法。

【0115】

実施形態１６：前記駆動信号を提供する前記ステップに応答して、第１のタッチ測定を実施するステップと、アプリケーションシステムの状態情報が変化したことを検出したことに応答して、前記ＤＡＣに第２の波形形状に対する第２のコードを提供するステップと、前記第２の波形形状に対する前記第２のコードに応答して、前記ドライバに第２の整形された基準信号を提供するステップと、前記第２の基準信号に応答して、前記タッチセンサに第２の駆動信号を提供するステップと、前記第２の駆動信号を提供するステップに応答して、第２のタッチ測定を実施するステップと、を含む、実施形態１１～１５のいずれかに記載の方法。

【0116】

実施形態１７：前記第２の波形形状に関連付けられた高調波は、前記アプリケーションシステムに関する変化した状態情報、及び前記第２の波形形状に関連付けられた高調波に関する定性的ＥＭＥ情報に応答して、より好ましい電磁放射（ＥＭＥ）の特徴を有することを決定するステップを更に含む、実施形態１１～１６のいずれかに記載の方法。

【0117】

実施形態１８：電磁放射（ＥＭＥ）を制御するようにタッチ検知システムを構成するためのシステムであって、該システムは、検知された信号に応答して、タッチセンサにおけるタッチを検出するように構成されたタッチ検知システムと、放射制御ソフトウェアであって、プロセッサによって実行されたときに、検知動作中に前記タッチセンサによって放射されたＥＭＥに応答して取得されたＥＭＥ測定値を受信することと、前記ＥＭＥ測定値及び１つ以上の放射要件に応答して、前記タッチセンサにおける前記タッチを検出するために、前記タッチ検知システムによって使用される基準信号の形状を評価することと、タッチを検出するために使用される前記基準信号の改善された形状を使用するように、前記タッチ検知システムを構成することであって、前記改善された形状は、前記１つ以上の放射要件を下回る前記ＥＭＥ測定値に対応する、構成することと、を行うように構成される、放射制御ソフトウェアと、を備える、システム。

【0118】

実施形態１９：前記改善された形状である前記形状は、実質的にフラットトップのエッジと、１つ以上の非単調部分を有する立ち上がりエッジと、１つ以上の非単調部分を有する立ち下がりエッジと、のうちの１つ以上によって特徴付けられる、実施形態１８に記載のシステム。

【0119】

実施形態２０：前記放射制御ソフトウェアは、前記改善された形状が前記基準信号の他の形状に対してＥＭＥを最小化することを検出したことに応答して、前記改善された形状を選択するように構成される、実施形態１８及び１９のいずれかに記載のシステム。

【0120】

実施形態２１：前記タッチ検知システムは、前記基準信号の前記改善された形状を記憶するように構成される、実施形態１８～２０のいずれかに記載のシステム。

【0121】

実施形態２２：前記１つ以上の放射要件は、規格によって規定された放射要件を含む、実施形態１８～２１のいずれかに記載のシステム。

【0122】

実施形態２３：前記１つ以上の放射要件は、カスタマ要件によって規定された放射要件を含む、実施形態１８～２２のいずれかに記載のシステム。

【0123】

実施形態２４：前記タッチセンサによって示されたＥＭＥに応答してＥＭＥ測定値を提供するように構成された放射測定機器を更に備える、実施形態１８～２３のいずれかに記載のシステム。

【0124】

実施形態２５：電磁輻射（ＥＭＥ）を制御するようにタッチ検知システムを構成する方法であって、該方法は、検知動作のために基準信号を提供するステップであって、前記基準信号のそれぞれは異なる形状を有する、提供するステップと、前記検知動作中にタッチセンサによって放射された電磁輻射（ＥＭＥ）を示す測定値に応答して、基準信号の改善された形状を検出するステップと、最適な形状を有する前記基準信号を生成するための命令を記憶するステップと、を含む、方法。

【0125】

実施形態２６：前記検知動作中に前記基準信号を提供する前記ステップは、第１の検知動作中に第１の基準信号を提供するステップであって、前記第１の基準信号は予め選択された形状を有する、提供するステップと、前記第１の検知動作中に第１のＥＭＥ測定値を受信するステップと、前記第１のＥＭＥ測定値は放射要件より大きいことを決定するステップと、第２の検知動作中に第２の基準信号を提供するステップであって、前記第２の基準信号は第２の形状を有する、提供するステップと、前記第２の検知動作中に第２のＥＭＥ測定値を受信するステップと、前記第２のＥＭＥ測定値は前記放射要件より小さいことを決定するステップと、を含む、実施形態２５に記載の方法。

【0126】

実施形態２７：前記第１のＥＭＥ測定値及び前記第２のＥＭＥ測定値のうちの小さい方に対応する前記第１の形状及び前記第２の形状のうちの１つを選択するステップを更に含む、実施形態２５及び２６のいずれかに記載の方法。

【0127】

実施形態２８：前記第１のＥＭＥ測定値は前記放射要件以上であることを検出するステップと、検知動作中に前記タッチセンサによって放射されたＥＭＥに影響を及ぼし得る、前記第１の形状の変化を決定するステップと、前記決定された変化に応答して、前記第２の形状に対応するｎビットコードのシーケンスを選択するステップと、を更に含む、実施形態２５～２７のいずれかに記載の方法。

【0128】

実施形態２９：前記第２の形状に対応する前記ｎビットコードのシーケンスを選択する前記ステップは、前記第１の形状の前記決定された変化に対応する前記ｎビットコードのシーケンスのうちの少なくともいくつかのｎビットコードを選択するステップを含む、実施形態２５～２８のいずれかに記載の方法。

【0129】

実施形態３０：少なくともいくつかのｎビットコードを選択する前記ステップは、前記ｎビットコードのシーケンスの非単調部分に対応する少なくともいくつかのｎビットコードを選択するステップを含む、実施形態２５～２９のいずれかに記載の方法。

【図1】

【図2】

【図3A】

【図3B】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】