特許 7524224 表示パネル及び表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-19

(45)【発行日】2024-07-29

(54)【発明の名称】表示パネル及び表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/00 20060101AFI20240722BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240722BHJP

   H10K 59/40 20230101ALI20240722BHJP

   H10K 50/844 20230101ALI20240722BHJP

   H10K 77/10 20230101ALI20240722BHJP

   H10K 59/131 20230101ALI20240722BHJP

   G06F 3/041 20060101ALI20240722BHJP

【ＦＩ】

G09F9/00 366A

G09F9/30 348A

G09F9/30 365

G09F9/30 309

G09F9/30 330

H10K59/40

H10K50/844

H10K77/10

H10K59/131

G06F3/041 430

【請求項の数】 15

(21)【出願番号】P 2021568085

(86)(22)【出願日】2020-04-09

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2023-07-10

(86)【国際出願番号】 CN2020083962

(87)【国際公開番号】W WO2021203360

(87)【国際公開日】2021-10-14

【審査請求日】2023-04-05

(73)【特許権者】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(73)【特許権者】

【識別番号】511121702

【氏名又は名称】成都京東方光電科技有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＣＨＥＮＧＤＵ ＢＯＥ ＯＰＴＯＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１１８８，Ｈｅｚｕｏ Ｒｄ．，（Ｗｅｓｔ Ｚｏｎｅ），Ｈｉ－ｔｅｃｈ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ｚｏｎｅ，Ｃｈｅｎｇｄｕ，Ｓｉｃｈｕａｎ，６１１７３１，Ｐ．Ｒ．ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100108453

【弁理士】

【氏名又は名称】村山 靖彦

(74)【代理人】

【識別番号】100110364

【弁理士】

【氏名又は名称】実広 信哉

(72)【発明者】

【氏名】▲張▼ 波

(72)【発明者】

【氏名】董 向丹

(72)【発明者】

【氏名】王 蓉

(72)【発明者】

【氏名】苟 ▲結▼

(72)【発明者】

【氏名】程 博

【審査官】小野 博之

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０１０５８４０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／０３３１１６０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／００９１２５２（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００３３８３１（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０１９／０１３１３７５（ＵＳ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１９／０３０８８７（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１９／０３８８８４（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ ９／００－９／４６

Ｇ０２Ｆ １／１３－１／１４１

１／１５－１／１９

Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８

４４／００

４５／６０

Ｈ１０Ｋ ５０／００－９９／００

Ｇ０６Ｆ ３／００－３／０４８９５

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、前記表示領域から離れた前記周辺領域の一側に位置するパッド領域と、を含む基板と、
前記基板上に配置され、前記周辺領域に位置し、且つ前記表示領域を囲むバリアであって、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する片側バリア構造を含む少なくとも１つのバリアと、
前記基板に配置された有機絶縁構造であって、積層配置された複数のサブ絶縁構造を含み、前記複数のサブ絶縁構造における各サブ絶縁構造の一部が前記表示領域に位置し、前記複数のサブ絶縁構造における各サブ絶縁構造が、前記表示領域と前記片側バリア構造との間に位置する第１境界を有し、そのうち、任意の隣接する２つの前記サブ絶縁構造に対して、前記基板から離れた側の前記サブ絶縁構造の第１境界は、前記基板に近い側の前記サブ絶縁構造の第１境界よりも前記表示領域に近く、任意の隣接する２つの前記サブ絶縁構造の第１境界間の間隔は２０μｍ以上である有機絶縁構造と、
前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に配置されたタッチ電極パターンと、
前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に配置され、一端が前記タッチ電極パターンに電気的に接続され、他端が前記パッド領域に接続されたタッチ信号線であって、前記周辺領域における部分の前記基板上での正射影が各前記サブ絶縁構造の第１境界と交差するタッチ信号線と、を含む、
表示パネル。

【請求項2】

任意の隣接する２つの前記サブ絶縁構造の第１境界間の間隔は２５μｍ～６０μｍである、
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項3】

前記有機絶縁構造の複数の前記サブ絶縁構造は、
前記基板上に配置された第１平坦化層と、
前記基板から離れた前記第１平坦化層の一側に位置する第２平坦化層と、
前記基板から離れた前記第２平坦化層の一側に位置するピクセル定義層と、を含む、
請求項１に記載の表示パネル。

【請求項4】

前記サブ絶縁構造の第１境界と前記片側バリア構造との間に間隔を有する、
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項5】

前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に位置する封止層をさらに含み、
前記タッチ電極パターン及び前記タッチ信号線は、いずれも前記基板から離れた前記封止層の一側に位置する、
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項6】

前記封止層は、
第１無機封止層と、
前記基板から離れた前記第１無機封止層の一側に位置する第２無機封止層と、
前記第１無機封止層と前記第２無機封止層との間に位置する有機封止層と、を含む、
請求項５に記載の表示パネル。

【請求項7】

前記有機絶縁構造と前記片側バリア構造との間に溝が形成され、前記封止層の前記基板上での正射影は、前記有機絶縁構造の前記基板上での正射影、前記溝の前記基板上での正射影、及び前記片側バリア構造の前記基板上での正射影を同時に覆い、前記片側バリア構造は前記基板と前記封止層との間に位置する、
請求項５に記載の表示パネル。

【請求項8】

前記基板から離れた前記封止層の一側に配置されたタッチ絶縁層をさらに含み、
前記タッチ電極パターンは、複数のタッチ駆動電極と複数のタッチ感知電極を含み、前記タッチ駆動電極とタッチ感知電極とが交差して配置され、前記タッチ駆動電極と前記タッチ感知電極とが交差する箇所は前記タッチ絶縁層によって絶縁分離され、各前記タッチ駆動電極と各前記タッチ感知電極はそれぞれ１本の前記タッチ信号線に対応して接続される、
請求項５に記載の表示パネル。

【請求項9】

前記タッチ駆動電極は、第１方向に沿って配列された複数の駆動電極ユニットと、各隣り合う２つの前記駆動電極ユニット間に接続された接続部と、を有し、
前記タッチ感知電極は、第２方向に沿って配列された複数の感知電極ユニットと、各隣り合う２つの前記感知電極ユニット間に接続されたブリッジと、を有し、
前記第１方向と前記第２方向が交差し、前記駆動電極ユニット、前記接続部及び前記感知電極ユニットは、いずれも前記基板から離れた前記タッチ絶縁層の一側に位置し、且つ同一層に位置し、前記ブリッジは前記タッチ絶縁層と前記封止層との間に位置する、
請求項８に記載の表示パネル。

【請求項10】

前記タッチ信号線は、前記タッチ絶縁層と前記封止層との間に位置する第１伝送部と、前記封止層から離れた前記タッチ絶縁層の一側に位置する第２伝送部と、を含み、前記第２伝送部は、前記タッチ絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第１伝送部と電気的に接続される、
請求項８に記載の表示パネル。

【請求項11】

前記表示領域が、各画素ユニットに発光素子が配置された複数の画素ユニットを有し、前記発光素子と電気的に接続される電源線をさらに含む前記表示パネルであって、前記電源線は、前記有機絶縁構造と前記基板との間に位置し、前記電源線の前記基板上での正射影と、前記第１境界の前記基板上での正射影とが重なる、
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項12】

前記バリアは、
前記周辺領域に位置し、且つ前記表示領域を囲む第１バリアと、
前記周辺領域に位置し、且つ前記第１バリアを囲む第２バリアと、
前記第１バリアにおいて、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する箇所と、前記第２バリアにおいて、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する箇所とが、前記片側バリア構造を構成する、
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項13】

前記基板はフレキシブル基板であり、前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置する屈曲領域をさらに含む、
請求項１～３のいずれか１項に記載の表示パネル。

【請求項14】

前記基板上に配置された第１バッファ層と、
前記第１バッファ層と前記第１平坦化層との間に配置された半導体層と、
前記半導体層と前記第１平坦化層との間に配置された第１ゲート絶縁層と、
前記第１ゲート絶縁層と前記第１平坦化層との間に配置された第１ゲート電極層と、
前記第１ゲート電極層と前記第１平坦化層との間に配置された第２ゲート絶縁層と、
前記第２ゲート絶縁層と前記第１平坦化層との間に配置された第２ゲート電極層と、
前記第２ゲート電極層と前記第１平坦化層との間に配置された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層と前記第１平坦化層との間に配置された第１ソース／ドレイン導電層と、
前記第１ソース／ドレイン導電層と前記第１平坦化層との間に配置されたパッシベーション層と、
前記第１平坦化層と前記第２平坦化層との間に配置された第２ソース／ドレイン導電層と、
前記第２平坦化層と前記ピクセル定義層との間に配置され、複数の第１電極を含み、前記ピクセル定義層が前記第１電極に一対一で対応する画素開口を含む第１電極層と、
前記画素開口の中に配置された発光層と、
前記基板から離れた前記発光層の一側に配置された第２電極層と、
前記基板から離れた前記発光層の一側に配置された封止層と、
前記基板から離れた前記封止層の一側に配置された第２バッファ層と、をさらに含む、
請求項３に記載の表示パネル。

【請求項15】

請求項１～１４のいずれか１項に記載の表示パネルを含む表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は表示技術分野に関し、具体的に表示パネル及び表示装置に関するものである。

【背景技術】

【0002】

ＯＬＥＤ表示装置は、有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＯＬＥＤ）表示技術の発展に伴い広く用いられている。製品の厚さ及びタッチ体験に関するユーザのニーズを満たすために、生産工程において、タッチ機能層をＯＬＥＤ表示パネルの封止層上に製作している。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0003】

本開示の実施例は表示パネル及び表示装置を提供する。

【0004】

本開示の第一態様によれば、表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、前記表示領域から離れた前記周辺領域の一側に位置するパッド領域と、を含む基板と、
前記基板上に配置され、前記周辺領域に位置し、且つ前記表示領域を囲むバリアであって、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する片側バリア構造を含む少なくとも１つのバリアと、
前記基板に配置された有機絶縁構造であって、積層配置された複数のサブ絶縁構造を含み、前記複数のサブ絶縁構造における各サブ絶縁構造の一部が前記表示領域に位置し、前記複数のサブ絶縁構造における各サブ絶縁構造が、前記表示領域と前記片側バリア構造との間に位置する第１境界を有し、そのうち、任意の隣接する２つの前記サブ絶縁構造に対して、前記基板から離れた側の前記サブ絶縁構造の第１境界は、前記基板に近い側の前記サブ絶縁構造の第１境界よりも前記表示領域に近く、任意の隣接する２つの前記サブ絶縁構造の第１境界間の間隔は２０μｍ以上である有機絶縁構造と、
前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に配置されたタッチ電極パターンと、
前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に配置され、一端が前記タッチ電極パターンに電気的に接続され、他端が前記パッド領域に接続されたタッチ信号線であって、前記周辺領域における部分の前記基板上での正射影が各前記サブ絶縁構造の第１境界と交差するタッチ信号線と、を含む表示パネルを提供する。

【0005】

いくつかの実施例において、任意の隣接する２つの前記サブ絶縁構造の第１境界間の間隔は２５μｍ～６０μｍである。

【0006】

いくつかの実施例において、前記有機絶縁構造の複数の前記サブ絶縁構造は、
前記基板上に配置された第１平坦化層と、
前記基板から離れた前記第１平坦化層の一側に位置する第２平坦化層と、
前記基板から離れた前記第２平坦化層の一側に位置するピクセル定義層と、を含む。

【0007】

いくつかの実施例において、前記サブ絶縁構造の第１境界と前記片側バリア構造との間に間隔を有する。

【0008】

いくつかの実施例において、前記表示パネルは、前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に位置する封止層をさらに含み、前記タッチ電極パターン及び前記タッチ信号線は、いずれも前記基板から離れた前記封止層の一側に位置する。

【0009】

いくつかの実施例において、前記封止層は、
第１無機封止層と、
前記基板から離れた前記第１無機封止層の一側に位置する第２無機封止層と、
前記第１無機封止層と前記第２無機封止層との間に位置する有機封止層と、を含む。

【0010】

いくつかの実施例において、前記有機絶縁構造と前記片側バリア構造との間に溝が形成され、前記封止層の前記基板上での正射影は、前記有機絶縁構造の前記基板上での正射影、前記溝の前記基板上での正射影、及び前記片側バリア構造の前記基板上での正射影を同時に覆い、前記片側バリア構造は前記基板と前記封止層との間に位置する。

【0011】

いくつかの実施例において、前記表示パネルは、前記基板から離れた前記封止層の一側に配置されたタッチ絶縁層をさらに含み、
前記タッチ電極パターンは、複数のタッチ駆動電極と複数のタッチ感知電極を含み、前記タッチ駆動電極とタッチ感知電極とが交差して配置され、前記タッチ駆動電極と前記タッチ感知電極とが交差する箇所は前記タッチ絶縁層によって絶縁分離され、各前記タッチ駆動電極と各前記タッチ感知電極はそれぞれ１本の前記タッチ信号線に対応して接続される。

【0012】

いくつかの実施例において、前記タッチ駆動電極は、第１方向に沿って配列された複数の駆動電極ユニットと、各隣り合う２つの前記駆動電極ユニット間に接続された接続部と、を有し、
前記タッチ感知電極は、第２方向に沿って配列された複数の感知電極ユニットと、各隣り合う２つの前記感知電極ユニット間を接続するブリッジと、を有し、
前記第１方向と前記第２方向が交差し、前記駆動電極ユニット、前記接続部及び前記感知電極ユニットは、いずれも前記基板から離れた前記タッチ絶縁層の一側に位置し、且つ同一層に位置し、前記ブリッジは前記タッチ絶縁層と前記封止層との間に位置する。

【0013】

いくつかの実施例において、前記タッチ信号線は、前記タッチ絶縁層と前記封止層との間に位置する第１伝送部と、前記封止層から離れた前記タッチ絶縁層の一側に位置する第２伝送部と、を含み、前記第２伝送部は、前記タッチ絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第１伝送部と電気的に接続される。

【0014】

いくつかの実施例において、前記表示領域が、各画素ユニットに発光素子が配置された複数の画素ユニットを有し、前記発光素子と電気的に接続される電源線をさらに含む前記表示パネルであって、前記電源線は、前記有機絶縁構造と前記基板との間に位置し、前記電源線の前記基板上での正射影と、前記第１境界の前記基板上での正射影とが重なる。

【0015】

いくつかの実施例において、前記バリアは、
前記周辺領域に位置し、且つ前記表示領域を囲む第１バリアと、
前記周辺領域に位置し、且つ前記第１バリアを囲む第２バリアと、
前記第１バリアにおいて、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する箇所と、前記第２バリアにおいて、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する箇所とが、前記片側バリア構造を構成する。

【0016】

いくつかの実施例において、前記基板はフレキシブル基板であり、前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置する屈曲領域をさらに含む。

【0017】

いくつかの実施例において、前記表示パネルは、
前記基板上に配置された第１バッファ層と、
前記第１バッファ層と前記第１平坦化層との間に配置された半導体層と、
前記半導体層と前記第１平坦化層との間に配置された第１ゲート絶縁層と、
前記第１ゲート絶縁層と前記第１平坦化層との間に配置された第１ゲート電極層と、
前記第１ゲート電極層と前記第１平坦化層との間に配置された第２ゲート絶縁層と、
前記第２ゲート絶縁層と前記第１平坦化層との間に配置された第２ゲート電極層と、
前記第２ゲート電極層と前記第１平坦化層との間に配置された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層と前記第１平坦化層との間に配置された第１ソース／ドレイン導電層と、
前記第１ソース／ドレイン導電層と前記第１平坦化層との間に配置されたパッシベーション層と、
前記第１平坦化層と前記第２平坦化層との間に配置された第２ソース／ドレイン導電層と、
前記第２平坦化層と前記ピクセル定義層との間に配置され、複数の第１電極を含み、前記ピクセル定義層が前記第１電極に一対一で対応する画素開口を含む第１電極層と、
前記画素開口の中に配置された発光層と、
前記基板から離れた前記発光層の一側に配置された第２電極層と、
前記基板から離れた前記発光層の一側に配置された封止層と、
前記基板から離れた前記封止層の一側に配置された第２バッファ層と、を含む。

【0018】

本開示の第二態様によれば、
表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、前記表示領域から離れた前記周辺領域の一側に位置するパッド領域と、を含む基板と、
前記基板上に配置され、前記周辺領域に位置し、且つ前記表示領域を囲むバリアであって、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する片側バリア構造を含む少なくとも１つのバリアと、
前記基板上に配置され、一部が前記表示領域に位置し、他の部分が前記周辺領域に位置する有機絶縁構造であって、前記基板に向かう底面と、前記底面に対向する頂面と、前記底面と頂面との間を接続し且つ前記片側バリア構造に向かう第１側面と、を有し、前記第１側面が傾斜角を０～４０℃とする傾斜面である有機絶縁構造と、
前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に配置されたタッチ電極パターンと、
前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に配置され、一端が前記タッチ電極パターンに電気的に接続され、他端が前記パッド領域に接続されたタッチ信号線であって、前記周辺領域における部分の前記基板上での正射影が前記傾斜面の前記基板上での正射影を通過するタッチ信号線と、を含む表示パネルを提供する。

【0019】

いくつかの実施例において、前記傾斜面の傾斜角は２５～３５℃である。

【0020】

いくつかの実施例において、前記有機絶縁構造の複数の前記サブ絶縁構造は、
前記基板上に配置された第１平坦化層と、
前記基板から離れた前記第１平坦化層の一側に位置する第２平坦化層と、
前記基板から離れた前記第２平坦化層の一側に位置するピクセル定義層と、を含む。

【0021】

いくつかの実施例において、前記第１側面と前記片側バリア構造との間に間隔を有する。

【0022】

いくつかの実施例において、前記表示パネルは、前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に位置する封止層をさらに含み、
前記タッチ電極パターン及び前記タッチ信号線は、いずれも前記基板から離れた前記封止層の一側に位置する。

【0023】

いくつかの実施例において、前記封止層は、
第１無機封止層と、
前記基板から離れた前記第１無機封止層の一側に位置する第２無機封止層と、
前記第１無機封止層と前記第２無機封止層との間に位置する有機封止層と、を含む。

【0024】

いくつかの実施例において、前記有機絶縁構造と前記片側バリア構造との間に溝が形成され、前記封止層の前記基板上での正射影は、前記有機絶縁構造の前記基板上での正射影、前記溝の前記基板上での正射影、及び前記片側バリア構造の前記基板上での正射影を同時に覆い、前記片側バリア構造は前記基板と前記封止層との間に位置する。

【0025】

いくつかの実施例において、前記表示パネルは、前記基板から離れた前記封止層の一側に位置するタッチ絶縁層をさらに含み、
前記タッチ電極パターンは、複数のタッチ駆動電極と複数のタッチ感知電極を含み、前記タッチ駆動電極とタッチ感知電極とが交差して配置され、前記タッチ駆動電極と前記タッチ感知電極とが交差する箇所は前記タッチ絶縁層によって絶縁分離され、各前記タッチ駆動電極と各前記タッチ感知電極はそれぞれ１本の前記タッチ信号線に対応して接続される。

【0026】

いくつかの実施例において、前記タッチ駆動電極は、第１方向に沿って配列された複数の駆動電極ユニットと、各隣り合う２つの前記駆動電極ユニット間に接続された接続部と、を有し、
前記タッチ感知電極は、第２方向に沿って配列された複数の感知電極ユニットと、各隣り合う２つの前記感知電極ユニット間を接続するブリッジと、を有し、
前記第１方向と前記第２方向が交差し、前記駆動電極ユニット、前記接続部及び前記感知電極ユニットは、いずれも前記基板から離れた前記タッチ絶縁層の一側に位置し、且つ同一層に位置し、前記ブリッジは前記タッチ絶縁層と前記封止層との間に位置する。

【0027】

いくつかの実施例において、前記タッチ信号線は、前記タッチ絶縁層と前記封止層との間に位置する第１伝送部と、前記封止層から離れた前記タッチ絶縁層の一側に位置する第２伝送部と、を含み、前記第２伝送部は、前記タッチ絶縁層を貫通するビアホールを介して前記第１伝送部と電気的に接続される。

【0028】

いくつかの実施例において、前記表示領域が、各画素ユニットに発光素子が配置された複数の画素ユニットを有し、前記発光素子と電気的に接続される電源線をさらに含む前記表示パネルであって、前記電源線は、前記有機絶縁構造と前記基板との間に位置し、前記電源線の前記基板上での正射影と、前記第１境界の前記基板上での正射影とが重なる。

【0029】

いくつかの実施例において、前記バリアは、
前記周辺領域に位置し、且つ前記表示領域を囲む第１バリアと、
前記周辺領域に位置し、且つ前記第１バリアを囲む第２バリアと、を有し、
前記第１バリアにおいて、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する箇所と、前記第２バリアにおいて、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する箇所とが、前記片側バリア構造を構成する。

【0030】

いくつかの実施例において、前記基板はフレキシブル基板であり、前記周辺領域と前記パッド領域との間に位置する屈曲領域をさらに含む。

【0031】

いくつかの実施例において、前記表示パネルは、
前記基板上に配置された第１バッファ層と、
前記第１バッファ層と前記第１平坦化層との間に配置された半導体層と、
前記半導体層と前記第１平坦化層との間に配置された第１ゲート絶縁層と、
前記第１ゲート絶縁層と前記第１平坦化層との間に配置された第１ゲート電極層と、
前記第１ゲート電極層と前記第１平坦化層との間に配置された第２ゲート絶縁層と、
前記第２ゲート絶縁層と前記第１平坦化層との間に配置された第２ゲート電極層と、
前記第２ゲート電極層と前記第１平坦化層との間に配置された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層と前記第１平坦化層との間に配置された第１ソース／ドレイン導電層と、
前記第１ソース／ドレイン導電層と前記第１平坦化層との間に配置されたパッシベーション層と、
前記第１平坦化層と前記第２平坦化層との間に配置された第２ソース／ドレイン導電層と、
前記第２平坦化層と前記ピクセル定義層との間に配置され、複数の第１電極を含み、前記ピクセル定義層が前記第１電極に一対一で対応する画素開口を含む第１電極層と、
前記画素開口の中に配置された発光層と、
前記基板から離れた前記発光層の一側に配置された第２電極層と、
前記基板から離れた前記発光層の一側に配置された封止層と、
前記基板から離れた前記封止層の一側に配置された第２バッファ層と、をさらに含む。

【0032】

本開示の第三態様によれば、表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、前記表示領域から離れた前記周辺領域の一側に位置するパッド領域と、を含む基板と、
前記基板上に配置され、前記周辺領域に位置し、且つ前記表示領域を囲むバリアであって、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する片側バリア構造を含む少なくとも１つのバリアと、
前記基板に配置された有機絶縁構造であって、積層配置された複数のサブ絶縁構造を含み、前記複数のサブ絶縁構造における各前記サブ絶縁構造の一部が前記表示領域に位置し、各前記サブ絶縁構造が、前記表示領域と前記片側バリア構造との間に位置する第１境界を有し、前記基板から最も離れた前記サブ絶縁構造を除いて、残りの各前記サブ絶縁構造はいずれも延伸部を含み、任意の隣接する２つの前記サブ絶縁構造に関して、前記基板に近い前記サブ絶縁構造の延伸部は、前記基板から離れた前記サブ絶縁構造の第１境界と前記片側バリア構造との間に位置する有機絶縁構造と、
前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に配置されたタッチ電極パターンと、
前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に配置され、一端が前記タッチ電極パターンに電気的に接続され、他端が前記パッド領域に接続されたタッチ信号線であって、前記周辺領域における部分の前記基板上での正射影が各前記サブ絶縁構造の延伸部における前記基板上での正射影と重なるタッチ信号線と、を含み、
前記延伸部を有する前記サブ絶縁構造は、有機材料層に対して二重色調マスク板を用いることによりパターニング工程を行い形成され、前記パターニング工程を行う場合、前記延伸部が形成される領域は、前記二重色調マスク板の半透光領域に対応する表示パネルを提供する。

【0033】

いくつかの実施例において、前記有機絶縁構造の複数の前記サブ絶縁構造は、
前記基板上に配置された第１平坦化層と、
前記基板から離れた前記第１平坦化層の一側に位置する第２平坦化層と、
前記基板から離れた前記第２平坦化層の一側に位置するピクセル定義層と、を含む。

【0034】

本開示の第四態様によれば、上記の表示パネルを含む表示装置を提供する。

【図面の簡単な説明】

【0035】

図面は、本開示の更なる理解を提供するためのものであり、説明書の一部を構成し、以下の具体的な実施形態と共に本開示を説明するためのものであるが、本開示を限定するものではない。

【0036】

【図1】本開示のいくつかの実施例によって提供される表示パネルの基板の領域分割概念図である。

【図2】本開示のいくつかの実施例によって提供される表示パネルの平面概念図である。

【図3】図２におけるＱ１領域の拡大図である。

【図4】図３のＡ－Ａ’線に沿った断面図である。

【図5】本開示のいくつかの実施例における有機絶縁構造と片側バリア構造間の溝の概念図である。

【図6】本開示のいくつかの実施例における画素回路の等価概念図である。

【図7】図２におけるＢ－Ｂ’線に沿った断面図である。

【図8】図２におけるＤ－Ｄ’線に沿った断面図である。

【図9】本開示の他のいくつかの実施例の、図３におけるＡ－Ａ’線に沿った断面図である。

【図10】図９における有機絶縁構造の１つ目の構造図である。

【図11】図９における有機絶縁構造の２つ目の構造図である。

【図12】本開示のいくつかの実施例によって提供される、延伸部を有するサブ絶縁構造の製造過程の概略図である。

【図13】本開示のいくつかの実施例によって提供される、延伸部を有するサブ絶縁構造の製造過程の概略図である。

【図14】本開示のいくつかの実施例によって提供される、延伸部を有するサブ絶縁構造の製造過程の概略図である。

【発明を実施するための形態】

【0037】

本開示の実施例の目的、技術案、及び利点をより明確にするために、以下では、本開示の実施例の図面を組み合わせて、本開示の実施例の技術案について明確且つ完全に説明する。明らかに、記載する実施例は本開示の一部の実施例であり、全ての実施例ではない。記載する本開示の実施例に基づいて、当業者は創造力を働かせることなく他の全ての実施例を取得でき、これらはいずれも本開示の保護範囲に属する。

【0038】

ここで本開示の実施例の説明に用いられる技術用語は、本開示の範囲を制限及び／又は限定することを意図していない。例えば、別途定義しない限り、本開示で使用される技術用語又は科学用語は、本発明が属する技術分野の当業者によって一般的に理解される意味である。本開示で使用される「第１」、「第２」及び類似の用語は、任意の順序、数又は重要性を意味するものではなく、異なる構成要素を区別するために使用されるだけであると理解されたい。単数形の「１つ」、「１」又は「当該」などの類似用語も、文脈上明らかに示さない限り、数の限定を意味するのではなく、少なくとも１つ存在することを意味する。「含む」又は「含有」などの類似の用語は、「含む」又は「含有」の前にある要素又は物体が、「含む」又は「含有」の後に列挙された要素又は物体及びその同等物を包含することを意味し、他の要素又は物体を除外しない。「接続」又は「連結」などの類似の用語は、物理的又は機械的な接続に限定されず、直接的又は間接的を問わず、電気的接続を含んでよい。「上」、「下」、「左」、「右」等は相対的な位置関係を示すものに過ぎず、記述対象の絶対的な位置が変化すると、それに応じて相対的な位置関係も変化することがありえる。

【0039】

以下の説明において、要素又は層が他の要素又は層の「上」に「ある」か、又は他の要素又は層に「接続される」とされる場合、当該要素又は層は、前記他の要素又は層の上に直接あるか、前記他の要素又は層に直接接続されるか、或いは中間要素又は中間層が存在してよい。しかし、要素又は層が他の要素又は層の「上」に「直接ある」か、他の要素又は層に「直接接続される」とされる場合、中間要素又は中間層は存在しない。「及び／又は」という技術用語は、１つ又は複数の、関連して列挙された項目の任意の組み合わせ及び全ての組み合わせを含む。

【0040】

本開示の実施例は、基板を含む表示パネルを提供し、図１は本開示のいくつかの実施例によって提供される表示パネルの基板の領域分割概念図であり、図１に示すように、基板ＳＵＢは、表示領域ＤＡ、周辺領域ＰＡ及びパッド領域ＷＡを含み、周辺領域ＰＡは表示領域ＤＡを囲み、パッド領域ＷＡは、表示領域ＤＡから離れた周辺領域ＰＡの一側に位置する。そのうち、表示領域ＤＡには、画像を表示するための素子、例えば、画素回路、走査線ＧＬ、データ線ＤＬ、発光素子などが設けられてよい。また、表示領域ＤＡには、タッチ機能を実現するためのタッチ電極パターンがさらに設けられてもよい。パッド領域ＷＡは、表示領域ＤＡから離れた周辺領域ＰＡの一側に位置し、パッド領域ＷＡは複数のコンタクトパッドＰＡＤ（或いはパッドという）を含み、各コンタクトパッドＰＡＤは、表示領域ＤＡ又は周辺領域ＰＡから伸びる信号線を電気的に接続するように配置されている。例えば、データ線ＤＬは、データ接続線を介してコンタクトパッドに接続することができる。コンタクトパッドＰＡＤは、パッド領域ＷＡの表面に露出してよく、即ち、いかなる層にも覆われず、こうすることでフレキシブルプリント回路基板ＦＰＣＢ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）への電気的に便利である。フレキシブルプリント回路基板ＦＰＣＢは、外部制御器と電気的に接続され、外部制御器からの信号を伝送するように配置されている。コンタクトパッドＰＡＤと各信号線が電気的に接続されることで、信号線とフレキシブルプリント回路基板ＦＰＣＢとの間の相互通信が実現される。なお、図１におけるコンタクトパッドＰＡＤの数及び配置方法は概略的な説明に過ぎず、コンタクトパッドＰＡＤに対する限定を構成するものではないと理解されたい。

【0041】

図２は本開示のいくつかの実施例によって提供される表示パネルの平面概念図であり、図３は図２におけるＱ１領域の拡大図であり、図４は図３のＡ－Ａ’線に沿った断面図であり、図１～図４を参照すると、当該表示パネル１００は、少なくとも１つのバリア１０、有機絶縁構造２０、タッチ電極パターン及びタッチ信号線ＴＬをさらに含む。

【0042】

そのうち、バリア１０は、基板ＳＵＢ上に配置され、周辺領域ＰＡの中に位置し、且つ表示領域ＤＡを囲む。バリア１０は、外部の水分や酸素が表示領域ＤＡに侵入するのを遮断して、表示効果に影響が及ぶのを防止する。バリア１０は、表示領域ＤＡと周辺領域ＰＡとの間に位置する片側バリア構造を含む。具体的な例として、図２に示すように、バリア１０は、第１バリア１１と、第１バリア１１を囲む第２バリア１２と、を含み、第１バリア１１は、表示領域ＤＡと周辺領域ＰＡとの間に位置する第１バリア部１１１を含み、第２バリア１２は、表示領域ＤＡと周辺領域ＰＡとの間に位置する第４バリア部１２１を含み、この時、第１バリア部１１１及び第３バリア部１２１が前記片側バリア構造を構成する。

【0043】

有機絶縁構造２０は、基板ＳＵＢ上に配置され、積層配置された複数のサブ絶縁構造２１を含み、各サブ絶縁構造２１の一部が表示領域ＤＡに位置し、他の部分が周辺領域ＰＡに位置し、例えば、サブ絶縁構造２１の基板ＳＵＢ上での正射影が、表示領域ＤＡから表示領域ＤＡとバリア１０との間まで伸びる。各サブ絶縁構造２１は第１境界Ｅ１を有し、任意の隣接する２つのサブ絶縁構造２１については、基板ＳＵＢから離れた側のサブ絶縁構造２１の第１境界Ｅ１が、基板ＳＵＢに近い側のサブ絶縁構造２１の第１境界Ｅ１よりも表示領域ＤＡにより近いことにより、階段状を形成する（図４を参照）。隣接する２つのサブ絶縁構造２１の第１境界Ｅ１間の距離ｄは、２０μｍ以上である。なお、各サブ絶縁構造２１の第１境界Ｅ１間の位置関係を分かりやすくするため、図３では図２におけるＱ１領域のみを拡大しているが、各第１境界Ｅ１は、図２におけるＱ１領域にのみ位置しているのではなく、図２での表示領域ＤＡの下縁全体に対応し、即ち、第１境界Ｅ１は、図２におけるＱ領域の左端から右端まで伸びている。相応に、有機絶縁構造２０は、図４における階段状の形態をＱ１領域に形成するだけでなく、Ｑ領域全体においても階段状の形態を形成する。

【0044】

タッチ電極パターンは、基板ＳＵＢから離れた有機絶縁構造２０の一側に配置される。タッチ電極パターンは、表示領域ＤＡにおけるタッチの発生を検出するように構成されている。例えば、タッチ電極パターンは、図２に示すタッチ駆動電極ＴＸとタッチ感知電極ＴＸを含む。

【0045】

タッチ信号線ＴＬは、基板ＳＵＢから離れた有機絶縁構造２０の一側に配置され、一端がタッチ電極パターンと電気的に接続され、他端がパッド領域ＷＡに接続されて、パッド領域ＷＡにおけるコンタクトパッドＰＡＤと電気的に接続される。そのうち、タッチ信号線ＴＬの周辺領域ＰＡにおける部分は、基板ＳＵＢ上での正射影が、各サブ絶縁構造２１の第１境界Ｅ１と交差する。

【0046】

隣接する２つのサブ絶縁構造２１の第１境界Ｅ１間の距離ｄが比較的小さい（例えば、ｄが５μｍ以下）場合、タッチ信号線ＴＬは比較的急な傾斜面に位置することになり、このような状況では、エッチング工程を用いてタッチ信号線ＴＬを形成する時、タッチ信号線ＴＬの間に導電物の残留が生じやすく、タッチ信号線ＴＬの間にショートが発生することになる。本開示の実施例では、有機絶縁構造２０の各サブ絶縁構造２１において、隣接する２つのサブ絶縁構造２１の第１境界Ｅ１間の距離ｄが大きいため、タッチ信号線ＴＬが比較的緩やかな傾斜上に位置することになり、導電物の残留を減少させ、タッチ信号線ＴＬの間にショートが発生することを減少又は防止するのに有利である。

【0047】

いくつかの実施例において、隣接する２つのサブ絶縁構造２１の第１境界Ｅ１間の距離ｄは２５μｍ～６０μｍであり、これにより、できるだけ導電物の残留を減少させると同時に、表示パネル１００の外枠を小さくする。例えば、ｄは３０μｍ、又は３５μｍ、又は４０μｍ、又は４５μｍ、又は５０μｍである。

【0048】

以下では図１～図８を参照して、本開示の実施例に係る表示パネルについて具体的に説明する。

【0049】

図２に示すように、バリア１０は、第１バリア１１と第２バリア１２を含む。第１バリア１１は、周辺領域ＰＡに位置し、且つ表示領域ＤＡを囲む。第２バリア１２は、周辺領域ＰＡに位置し、且つ第１バリア１１を囲むことによって、外部の水分又は酸素が表示領域ＤＡに進入することをさらに防止し、表示領域ＤＡに二重の保護を提供する。いくつかの実施例において、基板ＳＵＢから離れた第１バリア１１の一端から基板ＳＵＢまでの垂直距離は、基板ＳＵＢから離れた第２バリア１２の一端から基板ＳＵＢまでの垂直距離よりも小さく、これによって、外部の水蒸気及び酸素が表示領域ＤＡに入る経路を長くして、バリア１０のバリア性を向上させる。第１バリア１１は、屈曲領域に近い表示領域ＤＡの一側（即ち、図２において、表示領域ＤＡの下側に位置し、横方向に伸びる第１バリア１１の部分）に位置する第１バリア部１１１と、第１バリア部１１１を除いた第１バリア１１の残りの部分である第２バリア部１１２と、を含み、第２バリア１２は、屈曲領域に近い表示領域ＤＡの一側に位置する（即ち、図２において、表示領域ＤＡの下側に位置し、横方向に伸びる第２バリア１２の部分）第３バリア部１２１と、第３バリア部１２１を除いた第２バリア１２の残りの部分である第４バリア部１２２と、を含む。第１バリア部１１１と第３バリア部１１３が上記片側バリア構造を構成する。

【0050】

いくつかの実施例において、基板ＳＵＢは、可撓性の有機材料で製作されたフレキシブル基板である。例えば、当該有機材料は、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンナフタレート等の樹脂系材料である。基板ＳＵＢは、周辺領域ＰＡとパッド領域ＷＡの間に位置する屈曲領域ＢＡをさらに含む。屈曲領域ＢＡは、屈曲軸ＢＸに沿って屈曲するように構成される。屈曲領域ＢＡの屈曲により、パッド領域ＷＡを表示パネル１００の裏側に配置させることができ（そのうち、表示パネル１００の表示側は前側であり、表示側と反対の一側が後側又は裏側である）、空間活用率を向上させ、表示製品の外枠幅を小さくすることができる。

【0051】

いくつかの実施例において、表示領域ＤＡは複数の画素ユニットＰを含み、画素ユニットＰは、走査線ＧＬとデータ線ＤＬとが交差して定義される。走査線ＧＬは、周辺領域ＰＡにおけるゲート駆動回路に接続され、データ線ＤＬは、データ接続線によってパッド領域ＷＡのコンタクトパッドＰＡＤと接続される。各画素ユニットＰには、発光素子５０と画素回路が配置される。発光素子５０は、有機発光ダイオードＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ－Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）であってよく、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、例えば、赤色光、緑色光、青色光又は白色光を放出できる。図６は本開示のいくつかの実施例における画素回路の等価概念図であり、図６に示すように、画素回路は、駆動トランジスタＴｄ、スイッチングトランジスタＴｓ及び蓄電容量Ｃｓを含み、スイッチングトランジスタＴｓのゲートが走査線ＧＬに接続され、第１極がデータ線ＤＬに接続され、第２極が駆動トランジスタＴｄのゲートに接続される。蓄電容量Ｃｓの両端がそれぞれ第１電源線ＶＤＤ及び駆動トランジスタＴｄのゲートに接続される。駆動トランジスタＴｄの第１極が第１電源線ＶＤＤに接続され、第２極が発光素子５０の第１極に接続され、発光素子５０の第２極が第２電源線ＶＳＳに接続される。そのうち、各トランジスタはいずれも、薄膜トランジスタ又は電界効果トランジスタ又は他の特性が同じデバイスであってよい。用いるトランジスタのソースとドレインが対称であるため、そのソース、ドレインの区別はない。トランジスタのソースとドレインを区別するため、ここではそのうちの１極を第１極といい、他極を第２極という。

【0052】

第１電源線ＶＤＤは、パッド領域ＷＡから表示領域ＤＡに接続されて、電圧信号を各画素ユニットに伝送する。第２電源線ＶＳＳは、周辺領域ＰＡに位置し、オープンループの方式で表示領域ＤＡを囲む第１部分と、第２部分と、を含む。第２電源線ＶＳＳの第２部分は、第１部分とパッド領域ＷＡのコンタクトパッドＰＡＤとの間に接続される。図２と図４に示すように、各サブ絶縁構造２１の第１境界Ｅ１の基板ＳＵＢ上での正射影と、第２電源線ＶＳＳの基板ＳＵＢ上での正射影とは、重なりを有している。

【0053】

いくつかの実施例において、タッチ電極パターンは、相互容量型構造を用いてよく、自己容量型構造を用いてもよい。本開示の実施例は、相互容量型構造を例として説明する。図２に示すように、タッチ電極パターンは、複数のタッチ駆動電極ＴＸと複数のタッチ感知電極ＲＸを含み、タッチ駆動電極ＴＸとタッチ感知電極ＲＸとが交差して配置され、タッチ駆動電極ＴＸとタッチ感知電極ＲＸとの交差箇所は、タッチ絶縁層ＴＬＤによって絶縁分離されている。図７は図２におけるＢ－Ｂ’線に沿った断面図であり、図２と図７の内容を組み合わせると、タッチ駆動電極ＴＸは、第１方向に沿って配列された複数の駆動電極ユニットＴＸ１と、駆動電極ユニットＴＸ１の間に接続された接続部ＴＸ２と、を含み、タッチ感知電極ＲＸは、複数の感知電極ユニットＲＸ１と、感知電極ユニットの間に接続されたブリッジＲＸ２を含み、そのうち、第１方向と第２方向が交差し、例えば、第１方向は、図２における上下方向であり、第２方向は、図２における左右方向である。駆動電極ユニットＴＸ１、接続部ＴＸ２及び感知電極ユニットＲＸ１はそれぞれ、基板ＳＵＢから離れたタッチ絶縁層ＴＬＤの一側に位置し、且つ、駆動電極ユニットＴＸ１、接続部ＴＸ２及び感知電極ユニットＲＸ１は同一層に配置することができ、ブリッジＲＸ２は、基板ＳＵＢから離れたタッチ絶縁層ＴＬＤの一側に位置する。ブリッジＲＸ２は、接続部ＴＸ２と交差配置され、タッチ絶縁層ＴＬＤによって分離されている。感知電極ユニットＲＸ１は、タッチ絶縁層ＴＬＤ上のビアホールを介してブリッジＲＸ２に接続される。なお、図２と図７に示すタッチ駆動電極ＴＸとタッチ感知電極ＲＸは例示的なものであり、本発明を限定するものではない。例えば、ブリッジＲＸ２を基板ＳＵＢから離れたタッチ絶縁層ＴＬＤの一側に位置させ、接続部を基板ＳＵＢに近いタッチ絶縁層ＴＬＤの一側に位置させることができる。さらに例えば、隣接する駆動電極ユニットＴＸ１を、異層に配置されたブリッジにより接続し、隣接する感知電極ユニットＲＸ１を同じ層の接続部により接続する。

【0054】

そのうち、各タッチ駆動電極ＴＸ及びタッチ感知電極ＲＸは、いずれも一本のタッチ駆動線ＴＬに対応接続してよい。タッチ信号線ＴＬが周辺領域ＰＡを経過する時、タッチ信号線ＴＬの周辺領域ＰＡにおける部分は、基板ＳＵＢ上での正射影が各サブ絶縁構造２１の第１境界Ｅ１と交差する。一例において、タッチ絶縁層ＴＬＤは少なくとも表示領域ＤＡとパッド領域ＷＡとの間の周辺領域ＰＡをさらに覆い、表示領域ＤＡとパッド領域ＷＡとの間の周辺領域ＰＡにおけるタッチ信号線ＴＬがタッチ絶縁層ＴＬＤ上に位置する。一例において、タッチ絶縁層ＴＬＤの厚さは０．２μｍ～０．５μｍであり、例えば、０．３μｍ又は０．３３μｍ又は０．３５μｍである。

【0055】

いくつかの実施例において、図４に示すように、タッチ信号線ＴＬは２層構造であり、基板ＳＵＢに近いタッチ絶縁層ＴＬＤの一側に位置する第１伝送部ＴＬ１と、基板ＳＵＢから離れたタッチ絶縁層ＴＬＤの一側に位置する第２伝送部ＴＬ２と、を含む。第２伝送部ＴＬ２は、タッチ絶縁層ＴＬＤを貫通するビアホールを介して第１伝送部ＴＬ１と電気的に接続される。なお、第２伝送部ＴＬ２と第１伝送部ＴＬ１との接続形態を模式的に示すために、図４では、１つのビアホールのみを示しているが、実際には、他の位置に複数のビアホールをさらに設置することができ、第２伝送部ＴＬ２が複数のビアホールを介して第１伝送部ＴＬ１と並列に接続される。そのうち、第１伝送部ＴＬ１は、ブリッジＲＸ２と同じ層に配置してよく、第２伝送部ＴＬ２は、駆動電極ユニットＴＸ１、接続部ＴＸ２及び感知電極ユニットＲＸ１と同じ層に配置してよい。

【0056】

図７に示すように、第１バッファ層ＢＦＬ１は基板ＳＵＢ上に配置され、金属原子及び／又は不純物が基板ＳＵＢからトランジスタの活性層に拡散されるのを防止又は減少させる。本開示の実施例において、第１バッファ層ＢＦＬ１は、屈曲領域ＢＡに位置する基板ＳＵＢの一部上面を露出させて、基板ＳＵＢの屈曲を容易にする。例えば、第１バッファ層ＢＦＬ１は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）及び／又は酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）のような無機材料を含んでよく、多層又は単層として形成することができる。

【0057】

半導体層は、第１バッファ層ＢＦＬ１上に配置される。半導体層の材料としては、例えば、無機半導体材料（例えば、多結晶シリコン、非晶質シリコン等）、有機半導体材料、酸化物半導体材料を含んでよい。半導体層は、各トランジスタ３０の活性層３１を含み、活性層３１は、チャネル部と、当該チャネル部の両側に位置するソース接続部と、ドレイン接続部と、を含み、ソース接続部はトランジスタ３０のソース３３に接続され、ドレイン接続部はトランジスタ３０のドレイン３４に接続される。ソース接続部及びドレイン接続部にはいずれも、チャネル部よりも高濃度の不純物（例えば、Ｎ型不純物又はＰ型不純物）がドープされてよい。チャネル部はトランジスタ３０のゲート３２と正対し、ゲート３２に印加される電圧信号が一定値に達した際、チャネル部にキャリアパスが形成され、トランジスタ３０のソース３３とドレイン３４とが導通するように形成される。

【0058】

第１ゲート絶縁層ＧＩ１は半導体層上に配置され、そのうち、第１ゲート絶縁層ＧＩ１は、屈曲領域ＢＡに位置する基板ＳＵＢの一部上面を露出させて、基板ＳＵＢの屈曲を容易にする。第１ゲート絶縁層ＧＩ１の材料として、シリコン化合物、金属酸化物を含んでもよい。例えば、第１ゲート絶縁層ＧＩ１の材料には、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸炭化シリコン（ＳｉＯｘＣｙ）、酸炭化シリコン（ＳｉＣｘＮｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化タンタル（ＴａＯｘ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）等が挙げられる。また、第１ゲート絶縁層ＧＩ１は単層又は多層であってもよい。

【0059】

第１ゲート電極層Ｇ１は、第１ゲート絶縁層ＧＩ１上に配置される。そのうち、第１ゲート電極層Ｇ１は、各トランジスタ３０のゲート３２と、キャパシタ４０の第１電極板４１と、を含む。第１ゲート電極層Ｇ１の材料としては、例えば、金属、金属合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料などを含んでよい。例えば、第１ゲート電極層Ｇ１は、金（Ａｕ）、金の合金、銀（Ａｇ）、銀の合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムの合金、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮｘ）、銅（Ｃｕ）、銅の合金、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、窒化クロム（ＣｒＮｘ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンの合金、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮｘ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮｘ）、ネオジウム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、酸化ストロンチウムルテニウム（ＳＲＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯｘ）、酸化スズ（ＳｎＯｘ）、酸化インジウム（ＩｎＯｘ）、酸化ガリウム（ＧａＯｘ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを含んでもよい。第１ゲート電極層Ｇ１は単層又は多層を有してよい。

【0060】

図７に示すように、第２ゲート絶縁層ＧＩ２は、第１ゲート電極層Ｇ１上に配置され、第２ゲート絶縁層ＧＩ２は、屈曲領域ＢＡに位置する基板ＳＵＢの一部上面を露出できる。第２ゲート絶縁層ＧＩ２の材料として、シリコン化合物、金属酸化物などを含んでよい。例えば、第２ゲート絶縁層ＧＩ２の材料として、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸炭化シリコン（ＳｉＯｘＣｙ）、酸炭化シリコン（ＳｉＣｘＮｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、酸化タンタル（ＴａＯｘ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯｘ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｘ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）などが含まれる。第２ゲート絶縁層ＧＩ２は、単層又は多層で形成されてもよい。

【0061】

図７に示すように、第２ゲート電極層Ｇ２は、第２ゲート絶縁層ＧＩ２上に配置される。第２ゲート電極層Ｇ２は、キャパシタ４０の第２電極板４２を含んでよい。第２ゲート電極層Ｇ２の材料として、例えば、金属、金属合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料などを含んでよい。例えば、ゲート電極は、金（Ａｕ）、金の合金、銀（Ａｇ）、銀の合金、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウムの合金、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮｘ）、銅（Ｃｕ）、銅の合金、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、窒化クロム（ＣｒＮｘ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデンの合金、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮｘ）、白金（Ｐｔ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮｘ）、ネオジウム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、酸化ストロンチウムルテニウム（ＳＲＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯｘ）、酸化スズ（ＳｎＯｘ）、酸化インジウム（ＩｎＯｘ）、酸化ガリウム（ＧａＯｘ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）などを含んでもよい。第２ゲート電極層Ｇ２は単層又は多層を有してよい。

【0062】

図７に示すように、層間絶縁層ＩＬＤは、第２ゲート電極層Ｇ２上に配置され、層間絶縁層ＩＬＤは、屈曲領域ＢＡに位置する基板ＳＵＢの一部上面を露出できる。層間絶縁層ＩＬＤの材料として、シリコン化合物、金属酸化物などを含んでよい。具体的には、上文で挙げたシリコン化合物及び金属酸化物であり、ここではその説明を省略する。

【0063】

第１ソース／ドレイン導電層ＳＤ１は、層間絶縁層ＩＬＤ上に配置される。第１ソース／ドレイン導電層ＳＤ１は、表示領域ＤＡに含まれる各トランジスタのソース３３とドレイン３４を含み、ソース３３がソース接続部に電気的に接続され、ドレイン３４がドレイン接続部に電気的に接続される。第１ソース／ドレイン導電層ＳＤ１は、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料などを含んでよく、第１ソース／ドレイン導電層ＳＤ１は、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ又はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉなどの金属からなる単層又は多層であってもよい。図７に示すトランジスタ３０は、ゲート３２、ソース３３、ドレイン３４、活性層３１を含み、図７に示すトランジスタ３０は、図６に示す画素回路の駆動トランジスタＴｄであってよいが、画素回路が他の回路構造を用いる場合、発光素子５０と直接接続されるのは必ずしも駆動トランジスタＴｄでなくてもよく、この際、図７に示すトランジスタに対応するのは必ずしも駆動トランジスタＴｄでなくてもよい。また、第１ソース／ドレイン導電層ＳＤ１は、第１電源線ＶＤＤ及び第２電源線ＶＳＳをさらに含んでよい。

【0064】

パッシベーション層ＰＶＸは、第１ソース／ドレイン導電層ＳＤ１上に配置され、パッシベーション層ＰＶＸは、屈曲部ＢＡに位置する基板ＳＵＢの一部上面を露出できる。パッシベーション層ＰＶＸの材料は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン又は酸窒化シリコン等のシリコンの化合物を含んでよい。

【0065】

いくつかの実施例において、図４に示すように、有機絶縁構造２０の複数のサブ絶縁構造２１は、第１平坦化層ＰＬＮ１、第２平坦化層ＰＬＮ２、ピクセル定義層ＰＤＬを含む。第１平坦化層ＰＬＮ１、第２平坦化層ＰＬＮ２、ピクセル定義層ＰＤＬはそれぞれ、表示領域ＤＡに位置する部分と、表示領域ＤＡとバリア１０との間に位置する部分と、を含む。そのうち、第２平坦化層ＰＬＮ２は、基板ＳＵＢから離れた第１平坦化層ＰＬＮ１の一側に位置する。ピクセル定義層ＰＤＬは、基板ＳＵＢから離れた第２平坦化層ＰＬＮ２の一側に位置する。上記第１バッファ層ＢＦＬ１、半導体層、第１ゲート絶縁層ＧＩ１、第１ゲート電極層Ｇ１、第２ゲート絶縁層ＧＩ２、第２ゲート電極層Ｇ２、層間絶縁層ＩＬＤ、第１ソース／ドレイン導電層ＳＤ１、パッシベーション層ＰＶＸはいずれも、第１平坦化層ＰＬＮ１と基板ＳＵＢとの間に位置する。基板ＳＵＢから離れた第１平坦化層ＰＬＮ１の表面は基本的に平坦である。第１平坦化層ＰＬＮ１は有機絶縁材料からなり、例えば、当該有機絶縁材料は、ポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル、ポリエステル、フォトレジスト、ポリアクリレート、ポリアミド、シロキサン等の樹脂系材料等を含む。また、例えば、当該有機絶縁材料は、弾性材料、例えば、ウレタン、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）等を含む。

【0066】

一例として、第１平坦化層ＰＬＮ１及び第２平坦化層ＰＬＮ２の厚さはいずれも１μｍ～２μｍであり、例えば、第１平坦化層ＰＬＮ１及び第２平坦化層ＰＬＮ２の厚さはいずれも１．６μｍである。ピクセル定義層ＰＤＬの厚さは１．５μｍ～３μｍであり、例えば、２μｍである。

【0067】

図７に示すように、第２ソース／ドレイン導電層ＳＤ２は、第１平坦化層ＰＬＮ１上に配置される。第２ソース／ドレイン導電層ＳＤ２は、表示領域ＤＡ内の中継電極６０に位置してよい。そのうち、中継電極６０は、第１平坦化層ＰＬＮ１及びパッシベーション層ＰＶＸを貫通するビアホールによってドレイン３４と電気的に接続されると同時に、中継電極６０はさらに、第２平坦化層ＰＬＮ２を貫通するビアホールによって発光素子５０の第１電極５１と電気的に接続されている。中継電極６０は、第１平坦化層ＰＬＮ１及び第２平坦化層ＰＬＮ２内に比較的大きい孔径のビアホールが直接形成されることを避けることで、ビアホールによる電気的接続の質を向上させることができる。第２ソース／ドレイン導電層ＳＤ２の材料として、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料などを含んでよく、第２ソース／ドレイン導電層ＳＤ２は、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ又はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉなどの金属からなる単層又は多層であってもよい。第２ソース／ドレイン導電層ＳＤ２の材料は、第１ソース／ドレイン導電層ＳＤ１の材料と同じ、あるいは異なってもよい。

【0068】

図７に示すように、第２平坦化層ＰＬＮ２は、第２ソース／ドレイン導電層ＳＤ２上に配置され、第２平坦化層ＰＬＮ２は中継電極を覆い、第２平坦化層ＰＬＮ２の表面は基本的に平坦である。基本的に平坦な上面を有してよい。第２平坦化層ＰＬＮ２は有機絶縁材料からなり、例えば、当該有機絶縁材料はポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル、ポリエステル、フォトレジスト、ポリアクリレート、ポリアミド、シロキサン等の樹脂系材料等の有機絶縁材料等を含む。また、例えば、当該有機絶縁材料は、弾性材料、例えば、ウレタン、熱可塑性ポリウレタン（ＴＰＵ）等を含む。第２平坦化層ＰＬＮ２の材料は、第１平坦化層ＰＬＮ１の材料と同じ、あるいは異なってもよい。

【0069】

第１電極層は、第２平坦化層ＰＬＮ２上に配置され、そのうち、第１電極層は複数の第１電極を含み、第１電極は発光素子５０のアノードであってよい。図７に示すように、発光素子５０は、第１電極５１、発光層５３及び第２電極５２を含み、第１電極５１は、第２平坦化層ＰＬＮ２上に配置される。第１電極５１は、第２平坦化層ＰＬＮ２を貫通するビアホールを介して中継電極６０に電気的に接続され、さらにトランジスタ３０のドレイン３４に電気的に接続されている。第１電極５１は、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料などにより構成されている。第１電極５１は、単層又は多層で形成されてよい。

【0070】

ピクセル定義層ＰＤＬは、第２平坦化層ＰＬＮ２上に配置される。ピクセル定義層ＰＤＬは、画素ユニットと一対一で対応する画素開口を含み、画素開口は、対応する第１電極５１の一部を露出する。発光層５４は、画素開口内に一対一に配置され、小分子有機材料又は高分子有機材料を含み、蛍光発光材料又は燐光発光材料であってよく、赤色、緑色、青色又は白色に発光してよい。ピクセル定義層ＰＤＬの材料として、ポリイミド、ポリフタルイミド、ポリフタルアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン、又はフェノール樹脂などの有機絶縁物質を含んでよい。また、ピクセル定義層ＰＤＬ上には、仕切り物（図７には示さず）がさらに配置されてもよく、仕切り物の材料は、ピクセル定義層ＰＤＬの材料と同じでもよい。

【0071】

第２電極５２は、基板ＳＵＢから離れた発光層５３の一側に位置し、第２電極５２は、金属、金属合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性材料などにより構成されてよい。本開示の実施例において、発光素子５０は、上部発光構造又は下部発光構造を採用してよい。上部発光構造を用いる際、第１電極５１は、光反射機能を有する導電材料を含むか、又は光反射膜を含み、第２電極５２は、透明又は半透明の導電材料を含む。下部発光構造を用いる際、第２電極５２は、光反射機能を有する導電材料で製作されるか、又は光反射膜を含み、第１電極５１は、透明又は半透明の導電材料を含む。各画素ユニットの発光素子５０の第２電極５２は一体に接続され、第２電極層を形成する。

【0072】

なお、発光素子５０はさらに他の膜層を含むことができ、例えば、第１電極５１と発光層５３との間に位置する正孔注入層と正孔輸送層と、発光層５３と第２電極５２との間に位置する電子輸送層及び電子注入層と、をさらに含んでもよい。

【0073】

図４と図７に示すように、表示パネル１００は、封止層ＥＰＬをさらに含み、封止層ＥＰＬは、ピクセル定義層ＰＤＬ上に配置され、封止層ＥＰＬは、ピクセル定義層ＰＤＬ及び発光素子５０を覆い、発光素子５０の封止に用いられ、外部環境における水蒸気及び／又は酸素が発光素子５０を侵食することを防止する。いくつかの実施例において、封止層ＥＰＬは、第１無機封止層ＣＶＤ１、第２無機封止層ＣＶＤ２及び有機封止層ＩＪＰを含み、第２無機封止層ＣＶＤ２は、基板ＳＵＢから離れた第１無機封止層ＣＶＤ１の一側に位置し、有機封止層ＩＪＰは、第１無機封止層ＣＶＤ１と第２無機封止層ＣＶＤ２との間に位置する。任意で、第１無機封止層ＣＶＤ１と第２無機封止層ＣＶＤ２は、周辺領域ＰＡまで伸びてバリア１０を覆う。有機封止層ＩＪＰは、周辺領域ＰＡまで伸びて、バリア１０に囲まれた範囲内に位置する。第１無機封止層ＣＶＤ１と第２無機封止層ＣＶＤ２はそれぞれ、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）などの緻密性の高い無機材料を用いて製作できる。有機封止層ＩＪＰは、乾燥剤を含有する高分子材料を用いて製作してよく、又は水蒸気を遮断する高分子材料を用いて製作してもよい。例えば、高分子樹脂を用いることで、第１無機封止層ＣＶＤ１及び第２無機封止層ＣＶＤ２の応力を緩和することができ、乾燥剤等の吸水性材料を含んで、内部に侵入した水、酸素等の物質を吸収することができる。

【0074】

一例において、第１無機封止層ＣＶＤ１及び第２無機封止層ＣＶＤ２の厚さは、それぞれ０．５μｍ～１．５μｍである。例えば、第１無機封止層ＣＶＤ１の厚さは１．０μｍであり、第２無機封止層ＣＶＤ２の厚さは０．６μｍである。表示領域ＤＡにおける有機封止層ＩＪＰの厚さは５μｍ～１０μｍであり、例えば、８μｍ、又は、７μｍ又は、９μｍである。

【0075】

第２バッファ層ＢＦＬ２は、封止層ＥＰＬ上に配置され、表示領域ＤＡに位置し、周辺領域ＰＡまで伸びて封止層ＥＰＬ覆う。第２バッファ層ＢＦＬ２は、前記第１バッファ層ＢＦＬ１と同じ材料を用いることができ、ここではその説明を省略する。タッチ電極パターンは、基板ＳＵＢから離れた封止層ＥＰＬの一側に位置し、タッチ電極パターンのブリッジＲＸ２は、封止層ＥＰＬ上に配置され、タッチ絶縁層ＴＬＤは、基板ＳＵＢから離れた封止層ＥＰＬの一側に位置するとともに、ブリッジＲＸ２を覆い、タッチ駆動電極ＴＸ及びタッチ感知電極ＲＸの感知電極ユニットＲＸ１は、タッチ絶縁層ＴＬＤ上に位置する。そのうち、表示に影響を与えないように、駆動電極ユニットＴＸ１及び感知電極ユニットＲＸ１は、いずれも透光性の良い構成を採用している。例えば、透明導電材料（例えば、酸化インジウムスズ）を用いて製作されるか、又は、金属メッシュ構造を用いる。

【0076】

タッチ電極パターンとタッチ絶縁層ＴＬＤは、いずれも基板ＳＵＢから離れた封止層ＥＰＬの一側に位置し、タッチ電極パターンにおけるブリッジＲＸ２は、タッチ絶縁層ＴＬＤと封止層ＥＰＬとの間に位置する。そのうち、ブリッジＲＸ２及び第１伝送部ＴＬ１は、タッチ絶縁層ＴＬＤと第２バッファ層ＢＦＬ２との間に位置する。

【0077】

図４に示すように、各サブ絶縁構造２１の第１境界と片側バリア構造との間には間隔があり、即ち、各サブ絶縁構造２１と片側バリア構造とはいずれも接触しない。この時、有機絶縁構造２０と片側バリア構造との間に溝を形成し、図５は本開示のいくつかの実施例における有機絶縁構造と片側バリア構造間の溝の概念図であり、図５は、有機絶縁構造２０及びバリア１０を形成した後であって、且つ封止層ＥＰＬを形成する前の、図３におけるＡ－Ａ’線に沿った断面図である。図４と図５の内容を組み合わせると、封止層ＥＰＬの基板ＳＵＢ上での正射影は、有機絶縁構造２０の基板ＳＵＢ上での正射影と、溝Ｖ１の基板ＳＵＢ上での正射影と、片側バリア構造の基板ＳＵＢ上での正射影と、を同時に覆う。

【0078】

オーバーコート層ＯＣは、基板ＳＵＢから離れたタッチ電極パターンの一側に配置される。オーバーコート層ＯＣは、表示領域ＤＡから周辺領域ＰＡまで伸びており、周辺領域ＰＡにおけるタッチ信号線ＴＬを保護できる。オーバーコート層ＯＣの材料は、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を含んでよい。

【0079】

本開示の実施例のフレキシブル基板ＳＵＢ上には、第１ゲート絶縁層ＧＩ１、第２ゲート絶縁層ＧＩ２、第１バッファ層ＢＦＬ１、第２バッファ層ＢＦＬ２が配置されているが、いくつかの例において、これらの層は必要に応じて削除又は追加してよく、本発明はこれについて具体的に限定しない。

【0080】

図８は図２におけるＤ－Ｄ’線に沿った断面図であり、そのうち、バリア１０の構造を簡潔且つ明確に示すために、図８ではバリア１０の断面構造及びバリア１０上の第１無機封止層及び第２無機封止層のみを示している。図２、図４及び図８の内容を組み合わせると、第１バリア部１１１、第２バリア部１１２、第３バリア部１１３、第４バリア部１１４は、それぞれ第１バリア層１１ａと当該第１バリア層１１ａ上に位置する第２バリア層１１ｂとを含み、そのうち、第１バリア層１１ａは第２平坦化層ＰＬＮ２と同じ層に配置され、且つ材料が同じであり、第２バリア層１１ｂはピクセル定義層ＰＤＬと同じ層に配置され、且つ材料が同じである。また、図４に示すように、第３バリア部１２１は、第１平坦化層ＰＬＮ１と同じ層に配置され且つ材料が同じである第３バリア層１１Ｃをさらに含む。図８に示すように、第２バリア部１１２は、第１バリア層１１ａ、第２バリア層１１ｂを含むほか、ピクセル定義層ＰＤＬ上の仕切り物と同じ層に配置され且つ材料が同じである第４バリア層１１ｄをさらに含む。第４バリア部１２２は、第１バリア層１１ａ、第２バリア層１１ｂ、第３バリア層１１Ｃ、第４バリア層１１ｄを含む。

【0081】

なお、本開示の実施例における「同じ層に配置される」ということは、２つの構造が、同一の材料層からパターニング工程を経て形成されているため、両者が積層関係において同一の層にあることを指している。しかし、両者と基板ＳＵＢとの距離が必ず同じであることを示すものではない。また、図５及び図８に示すように、封止層ＥＰＬにおける第１無機封止層ＣＶＤ１及び第２無機封止層ＣＶＤ２は、第１バリア１１及び第２バリア１２上にそれぞれ伸びる。

【0082】

いくつかの実施例において、基板ＳＵＢの周辺領域ＰＡは、表示領域ＤＡと屈曲領域ＢＡとの間に位置する第１ファンアウト領域ＦＡ１を含み、データ接続線がデータ線ＤＬに接続された後、第１ファンアウト領域ＦＡ１及び屈曲領域ＢＡを介してパッド領域ＷＡまで伸びる。基板ＳＵＢは、屈曲領域ＢＡとパッド領域ＷＡとの間に位置するとともに、屈曲領域ＢＡに隣接する第２ファンアウト領域ＦＡ２をさらに含み、即ち、第２ファンアウト領域ＦＡ２は、屈曲領域ＢＡに隣接し、且つ互いに直接接続され、２つの領域間には他の領域がない。基板ＳＵＢの第２ファンアウト領域とパッド領域ＷＡとの間には、テスト領域ＤＴＡ、制御回路領域ＣＣＡ、第３ファンアウト領域ＦＡ３、集積回路領域ＩＣがさらに配置されている。少なくとも一例において、テスト領域ＤＴＡは、外部テスト装置に接続されて、画面、屈曲領域ＢＡの断線などを検出するように構成されている。少なくとも一例において、制御回路領域ＣＣＡは、入力回路と出力回路との間を切り替えるためのセレクタＭＵＸを含む。

【0083】

本開示のもう１つの実施例では、基板、バリア、有機絶縁構造、タッチ電極パターン、タッチ信号線を含む表示パネルをさらに提供する。そのうち、基板は、表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、前記表示領域から離れた前記周辺領域の一側に位置するパッド領域と、を含む。バリアは、前記基板上に配置され、前記周辺領域に位置し、且つ前記表示領域を囲むバリアであって、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する片側バリア構造を含む。有機絶縁構造は、前記基板上に配置され、一部が前記表示領域に位置し、他の部分が前記周辺領域に位置する。

【0084】

図９は本開示の他のいくつかの実施例の、図３におけるＡ－Ａ’線に沿った断面図であり、図１０は図９における有機絶縁構造の１つ目の構造図であり、図１１は図９における有機絶縁構造の２つ目の構造図である。図２、図９～図１１の内容を組み合わせると、有機絶縁構造２０は、基板ＳＵＢに向かう底面ＢＳと、底面ＢＳに対向する頂面ＴＳと、底面ＢＳと頂面ＴＳとの間に接続され且つ前記片側バリア構造に向かう第１側面ＬＳと、を有し、第１側面ＬＳは、傾斜角を０～４０℃とする傾斜面である。

【0085】

なお、ここでの「傾斜面」とは、基板ＳＵＢから離れる方向に沿って、表示領域ＤＡの表面に徐々に近づくことを指している。そのうち、傾斜面は、傾斜した平面であってよく（例えば、図１０に示す）、傾斜した弧面であってもよい（例えば、図１１に示す）。傾斜面が平面である時、その傾斜角とは、傾斜面と有機絶縁構造２０の底面ＢＳとの間の角度θ１を指し、傾斜面が弧面である時、その傾斜角とは、弧面の接線と有機絶縁構造２０の底面ＢＳとの間の角度の最大値θ２を指す。なお、傾斜面は、Ｑ１領域に位置するだけでなく、Ｑ領域の左端から右端まで伸びている。

【0086】

図２と図９の内容を組み合わせると、タッチ電極パターン（即ち、図２には、タッチ駆動電極ＴＸとタッチ感知電極ＲＸのパターンが含まれる）は、基板から離れた有機絶縁構造２０の一側に配置される。タッチ信号線ＴＬは基板から離れた有機絶縁構造２０の一側に配置され、一端がタッチ電極パターンに電気的に接続され、他端がパッド領域ＷＡに接続される。タッチ信号線ＴＬの、周辺領域ＰＡにおける部分は、基板ＳＵＢ上での正射影が前記傾斜面の基板ＳＵＢ上の正射影を通過する。

【0087】

いくつかの実施例において、傾斜面の傾斜角は２５～３５℃であり、これにより、導電物の残留を低減しつつ、表示製品の外枠が広すぎることを防止する。例えば、当該傾斜角は、２８℃又は２９℃又は３０℃又は３１℃又は３２℃である。

【0088】

図９に示すように、有機絶縁構造２０は、積層配置された複数のサブ絶縁構造２１を含み、複数のサブ絶縁構造２１は、第１平坦化層ＰＬＮ１、第２平坦化層ＰＬＮ２、ピクセル定義層ＰＤＬを含む。そのうち、第１平坦化層ＰＬＮ１は、基板ＳＵＢ上に配置されている。第２平坦化層ＰＬＮ２は、基板ＳＵＢから離れた第１平坦化層ＰＬＮ１の一側に位置する。ピクセル定義層ＰＤＬは、基板ＳＵＢから離れた第２平坦化層ＰＬＮ２の一側に位置する。

【0089】

有機絶縁構造２０上には、封止層ＥＰＬ、第２バッファ層ＢＦＬ２、タッチ絶縁層ＴＬＤがさらに配置されている。そのうち、封止層ＥＰＬは、第１無機封止層ＣＶＤ１、第２無機封止層ＣＶＤ２、有機封止層ＩＪＰを含む。第２無機封止層ＣＶＤ２は、基板ＳＵＢから離れた第１無機封止層ＣＶＤ１の一側に位置し、有機封止層ＩＪＰは、第１無機封止層ＣＶＤ１と第２無機封止層ＣＶＤ２との間に位置する。

【0090】

本実施例において、タッチ絶縁層ＴＬＤ、タッチ信号線ＴＬの配置方法は、上記実施例での説明を参照でき、図２と図７に示すように、前記タッチ電極パターンは、タッチ駆動電極ＴＸとタッチ感知電極ＲＸを含み、前記タッチ駆動電極ＴＸとタッチ感知電極ＲＸとが交差して配置され、タッチ駆動電極ＴＸとタッチ感知電極ＲＸとが交差する箇所は前記タッチ絶縁層ＴＬＤによって絶縁分離される。タッチ駆動電極ＴＸとタッチ感知電極ＲＸとは、いずれも１本のタッチ信号線ＴＬに電気的に接続される。タッチ信号線ＴＬは、タッチ絶縁層ＴＬＤと封止層ＥＰＬとの間に位置する第１伝送部ＴＬ１と、基板ＳＵＢから離れたタッチ絶縁層ＴＬＤの一側に位置する第２伝送部ＴＬ２と、を含み、第２伝送部ＴＬ２は、タッチ絶縁層ＴＬＤを貫通するビアホールを介して第１伝送部ＴＬ１と電気的に接続される。タッチ電極パターン及びタッチ信号線ＴＬは、基板ＳＵＢから離れた封止層ＥＰＬの一側に位置する。

【0091】

第１側面ＬＳと前記片側バリア構造との間に間隔を有し、例えば、第１側面ＬＳの基板ＳＵＢに近い一端及び基板ＳＵＢから離れた一端と、片側バリア構造との間にいずれも間隔を有する。有機絶縁構造２０と片側バリア構造との間に溝が形成され、封止層ＥＰＬの基板ＳＵＢ上での正射影は、有機絶縁構造２０の基板ＳＵＢ上での正射影と、前記溝の基板ＳＵＢ上での正射影と、前記片側バリア構造の基板ＳＵＢ上での正射影と、を同時に覆い、前記片側バリア構造は、基板ＳＵＢと封止層ＥＰＬとの間に位置する。

【0092】

表示領域ＤＡは複数の画素ユニットを含み、各画素ユニットには発光素子５０が配置され、表示パネル１００は、発光素子５０に電気的に接続された第２電源線ＶＳＳをさらに含み、そのうち、第２電源線ＶＳＳは、有機絶縁構造２０と基板ＳＵＢとの間に位置し、第１側面ＬＳの前記基板ＳＵＢ上での正射影と、第２電源線ＶＳＳの基板ＳＵＢ上での正射影と、が重なる。

【0093】

バリア１０は、周辺領域ＰＡに位置し、且つ表示領域ＤＡを囲む第１バリア１１と、周辺領域ＰＡに位置し、且つ第１バリア１１を囲む第２バリア１２と、を含む。第１バリア１１と第２バリア１２の具体構造は、上記実施形態における説明を参照でき、ここではその説明を省略する。基板ＳＵＢ上には、第１バッファ層ＢＦＬ１、半導体層、第１ゲート絶縁層ＧＩ１、第１ゲート電極層Ｇ１、第２ゲート絶縁層ＧＩ２、層間絶縁層ＩＬＤ、第１ソース／ドレイン導電層ＳＤ１、パッシベーション層ＰＶＸ、第２ソース／ドレイン導電層ＳＤ２等の構造が配置され、各膜層の構造と位置は、いずれも上記実施例における説明を参照でき、ここではその説明を省略する。本実施例における基板ＳＵＢはフレキシブル基板であり、周辺領域ＰＡとパッド領域ＷＡとの間にある屈曲領域ＢＡをさらに含み、また、テスト領域ＤＴＡ、制御回路領域ＣＣＡ等の他の領域をさらに含み、各領域間の位置関係は、上記実施例における説明を参照でき、ここではその説明を省略する。

【0094】

本実施例における表示パネルは、有機絶縁構造２０の第１側面が傾斜面であり、その傾斜が小さいため、後続においてエッチング工程によってタッチ信号線を製造する時に、導電物の残留を減少でき、タッチ信号線ＴＬ間のショートの発生を減少又は防止することができる。

【0095】

本開示の実施例は、基板、バリア、有機絶縁構造、タッチ電極パターン、タッチ信号線を含む表示パネルを提供する。そのうち、前記基板は、表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、前記表示領域から離れた前記周辺領域の一側に位置するパッド領域と、を含む。前記バリアは、前記基板上に配置され、前記周辺領域に位置し、且つ前記表示領域を囲むバリアであって、前記表示領域と前記パッド領域との間に位置する片側バリア構造を含む。有機絶縁構造は、前記基板に配置された有機絶縁構造であって、積層配置された複数のサブ絶縁構造を含み、各前記サブ絶縁構造の一部が前記表示領域に位置し、別の部分が周辺領域に位置する。各前記サブ絶縁構造は、前記表示領域と前記片側バリア構造との間に位置する第１境界を有し、基板ＳＵＢから最も離れた前記サブ絶縁構造を除いて、残りの各前記サブ絶縁構造はいずれも延伸部を含み、任意の隣接する２つの前記サブ絶縁構造に関して、基板ＳＵＢに近い前記サブ絶縁構造の延伸部は、基板ＳＵＢから離れた前記サブ絶縁構造の第１境界と前記片側バリア構造との間に位置する。タッチ電極パターンは、前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に配置されるとともに、前記表示領域に位置する。タッチ信号線は、前記基板から離れた前記有機絶縁構造の一側に配置され、一端が前記タッチ電極パターンに電気的に接続され、他端が前記パッド領域に接続され、前記タッチ信号線の、前記周辺領域における部分の前記基板上での正射影は、各前記サブ絶縁構造の延伸部における前記基板上での正射影と重なる。

【0096】

そのうち、前記延伸部を有する前記サブ絶縁構造は、有機材料層に対して二重色調マスク板を用いることによりパターニング工程を実行して形成され、前記パターニング工程を行う場合、前記延伸部が形成される領域は、前記二重色調マスク板の半透光領域に対応する。

【0097】

いくつかの実施例において、前記有機絶縁構造の複数の前記サブ絶縁構造は、第１平坦化層と、第２平坦化層と、ピクセル定義層と、を含む。前記第１平坦化層は前記基板上に配置され、前記第２平坦化層は、前記基板から離れた前記第１平坦化層の一側に位置し、前記ピクセル定義層は、前記基板から離れた前記第２平坦化層の一側に位置する。

【0098】

図１２～図１４は本開示のいくつかの実施例が提供する、延伸部を有するサブ絶縁構造の製造過程の概略図であり、以下では、延伸部を有するサブ絶縁構造を一例として、その製作過程について説明する。当該サブ絶縁構造は、第１平坦化層又は第２平坦化層であってもよい。

【0099】

図１２に示すように、有機絶縁材料層２１０を形成し、ここで、有機絶縁材料層２１０は光に敏感な有機材料層であって、例えば、ポジ型フォトレジストである。

【0100】

図１３に示すように、二重色調マスク板Ｍを用いてフォトレジスト層を露光する。そのうち、二重色調マスク板Ｍは、グレイトーンマスク又はハーフトーンマスクである。二重色調マスク板Ｍは、光透過領域Ｍ１、光不透過領域Ｍ３、半透光領域Ｍ２を含み、半透光領域Ｍ２の光透過率が光透過領域Ｍ１の光透過率よりも小さい。有機絶縁材料層２１０がポジ型フォトレジストであることを例とすると、露光を行う際、二重色調マスク板Ｍの半透光領域Ｍ２を、延伸部が形成される領域に対応させ、二重色調マスク板Ｍの光透過領域Ｍ１を、有機絶縁材料層２１０が完全に除去されるべき領域に対応させ、二重色調マスク板Ｍの光不透過領域Ｍ３を、その他の領域に対応させる。露光を経た後、有機絶縁材料層２１０における光不透過領域に対応する部分は露光されておらず、有機絶縁材料層２１０における光透過領域に対応する部分は完全に露光され、有機絶縁材料層２１０における半透光領域に対応する部分は部分的に露光される。

【0101】

その後、有機絶縁材料層２１０を現像することにより、図１４に示すように、有機絶縁材料層２１０において光透過領域Ｍ１に対応する部分が全て除去され、部分透光領域Ｍ２に対応する部分が一部除去され、光不透過領域Ｍ３に対応する部分が完全に残され、形成されるパターンはつまりサブ絶縁構造２１である。そのうち、サブ絶縁構造２１において部分透光領域Ｍ２に対応する部分は延伸部２１ａであり、延伸部２１ａの表面は緩やかな傾斜面である。

【0102】

なお、上記パターニング工程では、ネガ型フォトレジストを用いることもでき、この際、用いるマスク板のパターンは、上記二重色調マスク板Ｍと相補的である。

【0103】

本開示の実施例において、延伸部２１ａを有するサブ絶縁構造２１は、有機材料層２１０に二重色調マスク板を用いてパターニング工程を行うことによって製作され、露光を行う際、延伸部２１ａが形成される領域が、二重色調マスク板Ｍの半透光領域Ｍ２に対応し、これにより、形成される延伸部２１ａが傾斜面を有することができるため、有機絶縁構造２０の側面全体が緩やかになり、後続のエッチング工程によりタッチ信号線を作製する際に、導電物の残留を減少させ、タッチ信号線間のショートの発生を減少又は防止することができる。

【0104】

本実施例において、バリア２０の構造、ピクセル定義層ＰＤＬの構造及び材料、第１平坦化層ＰＬＮ１の構造及び材料、第２平坦化層ＰＬＮ２の構造及び材料は、いずれも上記実施形態における説明を参照でき、ここでは説明を省略する。

【0105】

また、本実施例において、有機絶縁構造上には、封止層、タッチ絶縁層がさらに配置されている。基板の表示領域には発光素子をさらに配置してよく、発光素子は第２電源線に接続される。封止層の具体的な構造及び材料、タッチ絶縁層の配置方法及び材料、発光素子の構造及び材料、第２電源線及びタッチ信号線の配置方法は、いずれも上記実施形態における説明を参照でき、これらについても説明は省略する。

【0106】

本開示の実施例は、上記のいずれか１つの実施例に記載の表示パネルを含む表示装置を提供する。当該表示装置は、ＯＬＥＤパネル、携帯電話、タブレット、テレビ、ディスプレイ、ラップトップコンピュータ、デジタルフォトフレーム、ナビゲーション等の表示機能を有する任意の製品又は部品であってもよい。

【0107】

以上の実施例は本開示の原理を説明するために用いた例示的な実施方法に過ぎず、本開示はこれに限定されない。当業者にとって、本開示の精神と実質的な状況を逸脱しない範囲で種々の変形と改良が可能であり、本開示の請求範囲には、それらの変形と改良も含まれる。

【符号の説明】

【0108】

１０ バリア
１１ 第１バリア
１１ａ 第１バリア層
１１ｂ 第２バリア層
１１ｃ 第３バリア層
１１ｄ 第４バリア層
１２ 第２バリア
２０ 有機絶縁構造
２１ サブ絶縁構造
２１ａ 延伸部
３０ トランジスタ
３１ 活性層
３２ ゲート
３３ ソース
３４ ドレイン
４０ キャパシタ
４１ 第１電極板
４２ 第２電極板
５０ 発光素子
５１ 第１電極
５２ 第２電極
５３ 発光層
１００ 表示パネル
１１１ 第１バリア部
１１２ 第２バリア部
１２１ 第３バリア部
１２２ 第４バリア部
２１０ 有機絶縁材料層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】