特許 7525417 プリント配線板

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-22

(45)【発行日】2024-07-30

(54)【発明の名称】プリント配線板

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20240723BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/46 B

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2021009291

(22)【出願日】2021-01-25

(65)【公開番号】P2022113222

(43)【公開日】2022-08-04

【審査請求日】2023-10-23

(73)【特許権者】

【識別番号】000000158

【氏名又は名称】イビデン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100122622

【弁理士】

【氏名又は名称】森 徳久

(72)【発明者】

【氏名】清水 敬介

【審査官】片岡 弘之

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２００７／００７８６１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２００２－２８０７３９（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－０２８７３０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１６－２１９４５２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－０３６０１１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００２－２８０７４０（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０５Ｋ ３／４６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に形成されているビルドアップ層と、を備えるプリント配線板であって、
前記ビルドアップ層は、Ｎ層（Ｎは５以上の整数）の樹脂絶縁層と、Ｎ層の導体層とが交互に積層されて形成されており、
前記ビルドアップ層は、前記Ｎ層の樹脂絶縁層のそれぞれを貫通し、当該樹脂絶縁層の上方に積層された前記導体層と当該樹脂絶縁層の下方に積層された前記導体層とを接続するＮ層の導体ビアを含み、
前記Ｎ層の導体ビアは、Ｍ個（Ｍは５以上Ｎ以下の整数）の導体ビアが、前記樹脂絶縁層と前記導体層の積層方向に沿って積み重ねられて形成されるスタックビア構造を含み、
前記スタックビア構造は、第１種の導体ビアと、前記第１種の導体ビアとは異なる第２種の導体ビアとが交互に積み重ねられて形成されており、
前記第１種の導体ビアのランドの第１種の径は、前記第２種の導体ビアのランドの第２種の径よりも大きい。

【請求項2】

請求項１のプリント配線板であって、
前記第１種の径は、前記第２種の径の１．２倍～２倍の範囲である。

【請求項3】

請求項１のプリント配線板であって、
前記第２種の径は、固定値である第１の径である。

【請求項4】

請求項１のプリント配線板であって、
前記第１種の径は、固定値である第１の径であり、前記第２種の径は、固定値である第２の径である。

【請求項5】

請求項１のプリント配線板であって、
前記スタックビア構造を構成する前記Ｍ個の導体ビアのそれぞれの中心軸同士の間隔は、１０μｍ～２０μｍの範囲である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本明細書によって開示される技術は、プリント配線板に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層されて形成されるビルドアップ層を備える多層プリント配線板を開示する。この多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホール同士がスタックビア構造を形成するように積層されている。スタックビア構造に含まれるバイアホールのうちの一部は、そのランドが拡大して形成されている。特許文献１の技術では、拡大されたランドを補強材として機能させることによって、バイアホールのランドと層間樹脂絶縁層との剥離の防止を図っている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００２－２８０７４０号公報

【発明の概要】

【0004】

［特許文献１の課題］
近年、ビルドアップ層を備えるプリント配線板の分野では、通信速度の向上のために導体ビアの表面が低粗度に形成される場合がある。また、電気エネルギー損失の低減のために、層間樹脂絶縁層に用いられる樹脂材料の低Ｄｆ（誘電正接）化も進められており、層間樹脂絶縁層の熱膨張率も上昇傾向にある。このような事情のもと、上記分野において、樹脂絶縁層とランドとの剥離が発生し易くなる可能性がある。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本明細書によって開示されるプリント配線板は、基板と、前記基板上に形成されているビルドアップ層と、を備える。前記ビルドアップ層は、Ｎ層（Ｎは５以上の整数）の樹脂絶縁層と、Ｎ層の導体層とが交互に積層されて形成されている。前記ビルドアップ層は、前記Ｎ層の樹脂絶縁層のそれぞれを貫通し、当該樹脂絶縁層の上方に積層された前記導体層と当該樹脂絶縁層の下方に積層された前記導体層とを接続するＮ層の導体ビアを含む。前記Ｎ層の導体ビアは、Ｍ個（Ｍは５以上Ｎ以下の整数）の導体ビアが、前記樹脂絶縁層と前記導体層の積層方向に沿って積み重ねられて形成されるスタックビア構造を含む。前記スタックビア構造は、第１種の導体ビアと、前記第１種の導体ビアとは異なる第２種の導体ビアとが交互に積み重ねられて形成されている。前記第１種の導体ビアのランドの第１種の径は、前記第２種の導体ビアのランドの第２種の径よりも大きい。

【0006】

上記のプリント配線板では、スタックビア構造は、Ｍ個（Ｍは５以上Ｎ以下の整数）の導体ビアが積み重ねられて形成されているとともに、第１種の径を有する第１種の導体ビアと第２種の径を有する第２種の導体ビアとが交互に積み重ねられて形成されている。即ち、積み重ねられているＭ個の導体ビアのランドの径が１個おきに異なっている。そのため、各ランドが樹脂絶縁層の補強材としての役割を果たす。さらに、各ランドと樹脂絶縁層とが密着する範囲が１層おきに異なるため、応力がビルドアップ層の一部のみに集中することが抑制される。その結果、プリント配線板に応力が加わる場合における樹脂絶縁層とランドの剥離が抑制される。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施例のプリント配線板の一部を模式的に示す断面図である。

【図2】第１実施例のプリント配線板におけるスタックビア構造を模式的に示す説明図である。

【図3】第２実施例のプリント配線板におけるスタックビア構造を模式的に示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

［第１実施例］
図１、図２を参照して、第１実施例のプリント配線板２の構成を説明する。図１は、実施例のプリント配線板２の一部を示す断面図である。図２は、実施例のプリント配線板２中のスタックビア構造１１０部分を模式的に示す説明図である。図１に示すように、本実施例のプリント配線板２は、基板４上にビルドアップ層１０を備え、ビルドアップ層１０上にソルダーレジスト層６０を備える多層プリント配線板である。変形例では、プリント配線板は、基板４の両面にビルドアップ層１０及びソルダーレジスト層６０を備える多層プリント配線板であってもよい。

【0009】

図１に示すように、基板４は、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成される。基板４の上面には導体層６が形成されている。導体層６は、導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。図１の例では、導体層６は導体回路６ａ、６ｂ、６ｃを含む。

【0010】

ビルドアップ層１０は、基板４及び導体層６上に形成されている。本実施例のビルドアップ層１０は、９層の樹脂絶縁層２１～２９と、９層の導体層４１～４９と、９層の導体ビア１０１～１０９とを含む。９層の樹脂絶縁層２１～２９と９層の導体層４１～４９は交互に積層されている。導体ビア１０１～１０９は、対応する樹脂絶縁層２１～２９をそれぞれ貫通し、当該樹脂絶縁層の上方に積層された導体層と当該樹脂絶縁層の下方に積層された導体層とを接続している。樹脂絶縁層２１～２９は、絶縁材料、例えばシリカやアルミナ等の無機フィラーとエポキシ系樹脂とを含む樹脂組成物等で構成される。導体層４１～４９及び導体ビア１０１～１０９は、導電性金属、例えば銅を主成分とする金属で形成される。本実施例では、樹脂絶縁層の層数、導体層の層数、導体ビアの層数は９であるが、変形例では、樹脂絶縁層の層数、導体層の層数、導体ビアの層数は９に限られず５以上の任意の数であってもよい。

【0011】

図１に示すように、９層の樹脂絶縁層２１～２９と９層の導体層４１～４９は、下から上に向かって、第１樹脂絶縁層２１、第１導体層４１、第２樹脂絶縁層２２、第２導体層４２、第３樹脂絶縁層２３、第３導体層４３、第４樹脂絶縁層２４、第４導体層４４、第５樹脂絶縁層２５、第５導体層４５、第６樹脂絶縁層２６、第６導体層４６、第７樹脂絶縁層２７、第７導体層４７、第８樹脂絶縁層２８、第８導体層４８、第９樹脂絶縁層２９、第９導体層４９の順で積層されている。

【0012】

第１樹脂絶縁層２１は、基板４及び導体層６上に設けられている。第１樹脂絶縁層２１上には、第１導体層４１が設けられている。第１導体層４１は、導体回路４１ａ、４１ｂと第１導体ビア１０１のランド１０１ａとを含む。第１導体ビア１０１は、第１樹脂絶縁層２１を上下に貫通しており、第１導体層４１（即ちランド１０１ａ）と導体層６（即ち導体回路６ｃ）とを電気的に接続している。

【0013】

第２樹脂絶縁層２２は、第１樹脂絶縁層２１及び第１導体層４１上に設けられている。第２樹脂絶縁層２２上には、第２導体層４２が設けられている。第２導体層４２は、導体回路４２ａ、４２ｂと第２導体ビア１０２のランド１０２ａとを含む。第２導体ビア１０２は、第２樹脂絶縁層２２を上下に貫通しており、第２導体層４２（ランド１０２ａ）と第１導体層４１（ランド１０１ａ）とを電気的に接続している。

【0014】

第３樹脂絶縁層２３は、第２樹脂絶縁層２２及び第２導体層４２上に設けられている。第３樹脂絶縁層２３上には、第３導体層４３が設けられている。第３導体層４３は、導体回路４３ａ、４３ｂと第３導体ビア１０３のランド１０３ａとを含む。第３導体ビア１０３は、第３樹脂絶縁層２３を上下に貫通しており、第３導体層４３（ランド１０３ａ）と第２導体層４２（ランド１０２ａ）とを電気的に接続している。

【0015】

第４樹脂絶縁層２４は、第３樹脂絶縁層２３及び第３導体層４３上に設けられている。第４樹脂絶縁層２４上には、第４導体層４４が設けられている。第４導体層４４は、導体回路４４ａと第４導体ビア１０４のランド１０４ａとを含む。第４導体ビア１０４は、第４樹脂絶縁層２４を上下に貫通しており、第４導体層４４（ランド１０４ａ）と第３導体層４３（ランド１０３ａ）とを電気的に接続している。

【0016】

第５樹脂絶縁層２５は、第４樹脂絶縁層２４及び第４導体層４４上に設けられている。第５樹脂絶縁層２５上には、第５導体層４５が設けられている。第５導体層４５は、導体回路４５ａ、４５ｂと第５導体ビア１０５のランド１０５ａとを含む。第５導体ビア１０５は、第５樹脂絶縁層２５を上下に貫通しており、第５導体層４５（ランド１０５ａ）と第４導体層４４（ランド１０４ａ）とを電気的に接続している。

【0017】

第６樹脂絶縁層２６は、第５樹脂絶縁層２５及び第５導体層４５上に設けられている。第６樹脂絶縁層２６上には、第６導体層４６が設けられている。第６導体層４６は、導体回路４６ａと第６導体ビア１０６のランド１０６ａとを含む。第６導体ビア１０６は、第６樹脂絶縁層２６を上下に貫通しており、第６導体層４６（ランド１０６ａ）と第５導体層４５（ランド１０５ａ）とを電気的に接続している。

【0018】

第７樹脂絶縁層２７は、第６樹脂絶縁層２６及び第６導体層４６上に設けられている。第７樹脂絶縁層２７上には、第７導体層４７が設けられている。第７導体層４７は、導体回路４７ａと第７導体ビア１０７のランド１０７ａとを含む。第７導体ビア１０７は、第７樹脂絶縁層２７を上下に貫通しており、第７導体層４７（ランド１０７ａ）と第６導体層４６（ランド１０６ａ）とを電気的に接続している。

【0019】

第８樹脂絶縁層２８は、第７樹脂絶縁層２７及び第７導体層４７上に設けられている。第８樹脂絶縁層２８上には、第８導体層４８が設けられている。第８導体層４８は、導体回路４８ａと第８導体ビア１０８のランド１０８ａとを含む。第８導体ビア１０８は、第８樹脂絶縁層２８を上下に貫通しており、第８導体層４８（ランド１０８ａ）と第７導体層４７（ランド１０７ａ）とを電気的に接続している。

【0020】

第９樹脂絶縁層２９は、第８樹脂絶縁層２８及び第８導体層４８上に設けられている。第９樹脂絶縁層２９上には、第９導体層４９が設けられている。第９導体層４９は、導体回路４９ａと第９導体ビア１０９のランド１０９ａとを含む。第９導体ビア１０９は、第９樹脂絶縁層２９を上下に貫通しており、第９導体層４９（ランド１０９ａ）と第８導体層４８（導体回路４８ａ）とを電気的に接続している。

【0021】

上記の通り、本実施例では、ビルドアップ層１０には、９層の導体ビア１０１～１０９が含まれる。この９層の導体ビア１０１～１０９のうち、８個の導体ビア１０１～１０８（即ち８層分の導体ビア）によってスタックビア構造１１０が形成されている。本実施例では、最上層である第９導体ビア１０９は、スタックビア構造１１０には含まれていない。図１及び図２に示すように、スタックビア構造１１０は、導体ビア１０１～１０８が上下方向（即ち樹脂絶縁層２１～２９と導体層４１～４９の積層方向）に沿って積み重ねられて形成されている。図２に示すように、本実施例では、導体ビア１０１～１０８は上下方向に真っすぐ積層されており、各中心軸同士がほぼ一致している。

【0022】

そして、図１及び図２に示すように、スタックビア構造１１０は、ランドの径が大きい導体ビア１０１、１０３、１０５、１０７と、ランドの径が小さい導体ビア１０２、１０４、１０６、１０８とが交互に積み重ねられて形成されている。

【0023】

本実施例では、第１導体ビア１０１のランド１０１ａの径と、第３導体ビア１０３のランド１０３ａの径と、第５導体ビア１０５のランド１０５ａの径と、第７導体ビア１０７のランド１０７ａの径は、いずれも同じ固定値である第１の径である。そして、第２導体ビア１０２のランド１０２ａの径と、第４導体ビア１０４のランド１０４ａの径と、第６導体ビア１０６のランド１０６ａの径と、第８導体ビア１０８のランド１０８ａの径は、いずれも同じ固定値である第２の径である。第１の径は、第２の径よりも大きい。第１の径は、第２の径の１．２倍～２倍の範囲に設定されている。即ち、本実施例では、スタックビア構造１１０は、ランドの径が第１の径（即ち大径）である導体ビア１０１、１０３、１０５、１０７と、ランドの径が第２の径（即ち小径）である導体ビア１０２、１０４、１０６、１０８とが交互に積み重ねられて形成されている。

【0024】

第１の径（即ち大径）のランド１０１ａ、１０３ａ、１０５ａ、１０７ａを含む導体層４１、４３、４５、４７は、例えば、グランド層、電源層として用いられる。第２の径（即ち小径）のランド１０２ａ、１０４ａ、１０６ａ、１０８ａを含む導体層４２、４４、４６、４８は、例えば、信号配線層として用いられる。また、ビルドアップ層１０に含まれる９層の導体ビア１０１～１０９は、いずれも、その上端部の径（いわゆるトップ径）が下端部の径（いわゆるボトム径）よりも大きく形成されている。トップ径とボトム径との差は５μｍ以下の範囲内である。また、ランド１０１ａ～１０９ａの外表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、０．０１～０．２μｍの範囲内である。即ち、ランド１０１ａ～１０９ａの外表面は比較的低粗度である。また、ランド１０１ａ～１０９ａを含む導体層４１～４９の厚さは、いずれも１０μｍ～１５μｍの範囲内である。

【0025】

図１に示すように、ソルダーレジスト層６０は、ビルドアップ層１０の最上層である第９樹脂絶縁層２９及び第９導体層４９上に設けられている。ソルダーレジスト層６０は、第９導体層４９（即ち導体回路４９ａ及びランド１０９ａ）を露出させるための開口６２を有する。開口６２から露出する導体層４９は導体パッドとして機能する。各開口６２内には、露出した導体層４９と電気的に接続されるはんだバンプ６４が形成されている。

【0026】

本実施例のプリント配線板２は、公知の工法によって形成可能である。即ち、本実施例のプリント配線板２は、ビルドアップ層１０の形成の際に、導体ビアのランドの径を１個おきに異ならせることによって形成することができる。そのため、プリント配線板２の製造方法の詳しい説明は省略する。

【0027】

以上、本実施例のプリント配線板２の構成について説明した。本実施例では、プリント配線板２のビルドアップ層１０にはスタックビア構造１１０が含まれている（図１、図２参照）。スタックビア構造１１０は、ランドの径が第１の径である導体ビア１０１、１０３、１０５、１０７と、ランドの径が第２の径である導体ビア１０２、１０４、１０６、１０８とが交互に積み重ねられて形成されている。第１の径は第２の径より大きく、第２の径の１．２倍～２倍である。即ち、本実施例では、積み重ねられている８個の導体ビア１０１～１０８のランド１０１ａ～１０８ａの径は１個おきに異なっている。そのため、各ランド１０１ａ～１０８ａが樹脂絶縁層２１～２８の補強材としての役割を果たす。さらに、各ランド１０１ａ～１０８ａと樹脂絶縁層２１～２８とが密着する範囲が１層おきに異なる。そのため、応力がビルドアップ層１０の一部のみに集中することが抑制される。その結果、プリント配線板２に応力が加わる場合において、樹脂絶縁層２１～２９とランド１０１ａ～１０８ａとの剥離が抑制される。

【0028】

また、本実施例では、導体ビア１０１～１０８は上下方向に真っすぐ積層されており、各中心軸同士がほぼ一致している（図２参照）。そのため、樹脂絶縁層２１～２８とランド１０１ａ～１０８ａとの密着箇所の一部にのみ応力が集中する事態が抑制される。その結果、樹脂絶縁層２１～２９とランド１０１ａ～１０８ａとの剥離がより効果的に抑制される。

【0029】

本実施例と請求項の対応関係を説明する。本実施例の導体ビア１０１、１０３、１０５、１０７が「第１種の導体ビア」の一例である。導体ビア１０２、１０４、１０６、１０８が「第２種の導体ビア」の一例である。ランド１０１ａの径、ランド１０３ａの径、ランド１０５ａの径、ランド１０７ａの径が「第１種の径」の一例である。ランド１０２ａの径、ランド１０４ａの径、ランド１０６ａの径、ランド１０８ａの径が「第２種の径」の一例である。

【0030】

［第２実施例］
図３は、第２実施例のプリント配線板２におけるスタックビア構造１１０部分を模式的に示す断面図である。図３では、理解の容易のためにスタックビア構造１１０のみを図示し、その他の要素の図示を省略している。本実施例のプリント配線板２は、第１実施例のプリント配線板２（図１、図２参照）の変形態様である。そのため、本実施例のプリント配線板２の基本的構成は第１実施例のプリント配線板２と共通する。本実施例では、スタックビア構造１１０の形状が第１実施例と一部異なる。

【0031】

図３に示すように、本実施例のスタックビア構造１１０では、上下に積層される２個の導体ビア（例えば、第１導体ビア１０１と第２導体ビア１０２）の中心軸同士が側方にずれている。ただし、上下に積層される２個の導体ビアの中心軸同士の間隔（ずれ量）は、いずれも１０μｍ以下の範囲内である。さらに、スタックビア構造１１０を構成する導体ビア１０１～１０８のそれぞれの中心軸同士の間隔（ずれ量）は、１０μｍ～２０μｍの範囲内である。即ち、導体ビア１０１～１０８のそれぞれの中心軸同士の間隔の最大値（図３中の符号Ｇ参照）が１０μｍ～２０μｍの範囲内である。図３の例では、第３導体ビア１０３の中心軸と第６導体ビア１０６の中心軸の間隔が、導体ビア１０１～１０８の中心軸同士の間隔の最大値（符号Ｇ参照）である。この例では、第３導体ビア１０３の中心軸と第６導体ビア１０６の中心軸の間隔Ｇは１０μｍ～２０μｍの範囲内である。

【0032】

本実施例の構成でも、樹脂絶縁層２１～２９とランド１０１ａ～１０８ａとの密着箇所の一部にのみ応力が集中する事態が抑制される。その結果、プリント配線板２に応力が加わる場合における樹脂絶縁層２１～２９とランド１０１ａ～１０８ａとの剥離が効果的に抑制される。

【0033】

以上、実施例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、以下の変形例が採用されてもよい。

【0034】

（変形例１）スタックビア構造１１０において、複数個の大径のランド（即ちランド１０１ａ、１０３ａ、１０５ａ、１０７ａ）のそれぞれの径は、複数個の小径のランド（即ちランド１０２ａ、１０４ａ、１０６ａ、１０８ａ）のそれぞれの径よりも大きければ、固定値でなくてもよい（即ち同じでなくてもよい）。同様に、スタックビア構造１１０において、複数個の小径のランドのそれぞれの径も、複数個の大径のランドのそれぞれの径よりも小さければ、固定値でなくてもよい（即ち同じでなくてもよい）。この場合も、複数個の大径のランドのそれぞれの径は、複数個の小径のランドのそれぞれの径の１．２倍～２倍の範囲内であることが好ましい。本変形例でも、複数個の大径のランド（ランド１０１ａ、１０３ａ、１０５ａ、１０７ａ）のそれぞれの径が「第１種の径」の一例であり、複数個の小径のランド（ランド１０２ａ、１０４ａ、１０６ａ、１０８ａ）のそれぞれの径が「第２種の径」の一例である。

【0035】

（変形例２）上記の各実施例では、スタックビア構造１１０において、複数個の大径のランドのそれぞれの径は、複数個の小径のランドのそれぞれの径の１．２倍～２倍の範囲内である。これに限られず、スタックビア構造１１０において、複数個の大径のランドのそれぞれの径は、複数個の小径のランドのそれぞれの径よりも大きければ、任意の大きさであってもよい。

【0036】

（変形例３）上記の各実施例では、スタックビア構造１１０を構成する導体ビア１０１～１０８のそれぞれの中心軸同士の間隔（ずれ量）は、１０μｍ～２０μｍの範囲内である（図１～図３参照）。これに限られず、スタックビア構造１１０を構成する導体ビア１０１～１０８のそれぞれの中心軸同士の間隔（ずれ量）は、２０μｍ以上であってもよい。

【0037】

（変形例４）上記の各実施例では、ビルドアップ層１０を構成する樹脂絶縁層の層数、導体層の層数、導体ビアの層数は９であり、スタックビア構造１１０を構成する導体ビア１０１～１０８の数は８である。これに限られず、ビルドアップ層１０を構成する樹脂絶縁層の層数、導体層の層数、導体ビアの層数は、５以上の任意の数Ｎ（即ちＮは５以上の整数）であればよい。同様に、スタックビア構造１１０を構成する導体ビアの数も、５以上Ｎ以下の任意の数Ｍ（即ちＭは５以上Ｎ以下の整数）であればよい。

【符号の説明】

【0038】

２：プリント配線板
４：基板
６：導体層
６ａ、６ｂ、６ｃ：導体回路
１０：ビルドアップ層
２１：第１樹脂絶縁層
２２：第２樹脂絶縁層
２３：第３樹脂絶縁層
２４：第４樹脂絶縁層
２５：第５樹脂絶縁層
２６：第６樹脂絶縁層
２７：第７樹脂絶縁層
２８：第８樹脂絶縁層
２９：第９樹脂絶縁層
４１：第１導体層
４１ａ、４１ｂ：導体回路
４２：第２導体層
４２ａ、４２ｂ：導体回路
４３：第３導体層
４３ａ、４３ｂ：導体回路
４４：第４導体層
４４ａ：導体回路
４５：第５導体層
４５ａ、４５ｂ：導体回路
４６：第６導体層
４６ａ：導体回路
４７：第７導体層
４７ａ：導体回路
４８：第８導体層
４８ａ：導体回路
４９：第９導体層
４９ａ：導体回路
６０：ソルダーレジスト層
６２：開口
６４：はんだバンプ
１０１：第１導体ビア
１０１ａ：ランド
１０２：第２導体ビア
１０２ａ：ランド
１０３：第３導体ビア
１０３ａ：ランド
１０４：第４導体ビア
１０４ａ：ランド
１０５：第５導体ビア
１０５ａ：ランド
１０６：第６導体ビア
１０６ａ：ランド
１０７：第７導体ビア
１０７ａ：ランド
１０８：第８導体ビア
１０８ａ：ランド
１０９：第９導体ビア
１０９ａ：ランド
１１０：スタックビア構造

【図1】

【図2】

【図3】