特許 7525469 表示基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-22

(45)【発行日】2024-07-30

(54)【発明の名称】表示基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/60 20060101AFI20240723BHJP

   H01L 33/62 20100101ALI20240723BHJP

   G09F 9/30 20060101ALI20240723BHJP

   G09F 9/33 20060101ALI20240723BHJP

【ＦＩ】

H01L21/92 602E

H01L33/62

G09F9/30 310

G09F9/30 330

H01L21/92 603Z

H01L21/92 604A

G09F9/33

【請求項の数】 18

(21)【出願番号】P 2021500811

(86)(22)【出願日】2019-07-24

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2022-11-28

(86)【国際出願番号】 CN2019097438

(87)【国際公開番号】W WO2021012207

(87)【国際公開日】2021-01-28

【審査請求日】2022-07-19

(73)【特許権者】

【識別番号】510280589

【氏名又は名称】京東方科技集團股▲ふん▼有限公司

【氏名又は名称原語表記】ＢＯＥ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ ＧＲＯＵＰ ＣＯ．，ＬＴＤ．

【住所又は居所原語表記】Ｎｏ．１０ Ｊｉｕｘｉａｎｑｉａｏ Ｒｄ．，Ｃｈａｏｙａｎｇ Ｄｉｓｔｒｉｃｔ，Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００１５，ＣＨＩＮＡ

(74)【代理人】

【識別番号】100103894

【弁理士】

【氏名又は名称】家入 健

(72)【発明者】

【氏名】ユアン グアンツァイ

(72)【発明者】

【氏名】ルゥー ジージュン

(72)【発明者】

【氏名】リー ハイシュー

(72)【発明者】

【氏名】ソン シャオシン

(72)【発明者】

【氏名】ジャン フェン

(72)【発明者】

【氏名】リウ ウェンク

(72)【発明者】

【氏名】ドン リーウェン

(72)【発明者】

【氏名】ツゥイ ジャオ

(72)【発明者】

【氏名】ワン リーボー

(72)【発明者】

【氏名】メン デティアン

【審査官】平野 崇

(56)【参考文献】

【文献】特開２００８－０２７９３３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００９－０９９７６５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２２６０８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１８／２１４１９９（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１０－２１９２７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－１８０１６６（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６０

Ｈ０１Ｌ ３３／６２

Ｇ０９Ｆ ９／３０

Ｇ０９Ｆ ９／３３

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、
前記基板上に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置する導電性バンプと、を含み、
前記基板に平行な平面における前記導電性バンプの断面の大きさは、前記断面から前記第１電極の表面までの距離と負の相関を有し、
前記導電性バンプは三角柱を含み、
前記三角柱は、２つの三角形の底面と、前記底面に隣接する３つの側面とを含み、前記３つの側面のうちの１つは、前記基板の表面に平行であり、前記基板の表面に平行である側面は、隣接する底面と共通の第２辺と、前記第２辺に交差する第１辺とを含み、
前記第２辺の寸法は１～５μｍであり、
前記三角柱の前記基板に垂直な方向の高さは１～５μｍである、
表示基板。

【請求項2】

前記導電性バンプの前記基板に向かう表面の、前記基板に平行な方向における最小寸法と、前記導電性バンプの頂部から前記第１電極までの距離との比は、１：１～１：３の範囲内である、請求項１に記載の表示基板。

【請求項3】

前記導電性バンプの形状は、錐体、切頂錐体、及び角柱のうちの少なくとも１つから選択される、請求項１に記載の表示基板。

【請求項4】

前記導電性バンプは、第１部分と、前記第１部分を覆う第２部分とを含み、
前記第１部分の前記基板への正射影は、前記第１電極の前記基板への正射影内に位置し、
前記第２部分は、前記第１電極と接触し、
前記第２部分の前記基板から離れた表面と、前記第１部分の前記基板から離れた表面とは、共形であり、
前記第１部分は誘電体材料からなり、前記第２部分は導電性材料からなる、
請求項１に記載の表示基板。

【請求項5】

前記誘電体材料は、有機材料を含み、
前記導電性バンプは、さらに、前記第１部分と前記第２部分との間に位置し、前記第１部分を覆う無機材料層を含む、
請求項４に記載の表示基板。

【請求項6】

前記第２部分は、さらに、前記第１部分に近接する前記第１電極の表面を覆う、請求項４に記載の表示基板。

【請求項7】

前記導電性バンプは、導電性材料からなる、請求項１に記載の表示基板。

【請求項8】

前記第１電極は、前記導電性バンプと一体に形成され、
前記第１電極の厚さと、前記導電性バンプの頂部から前記第１電極の底部までの距離との比は、１：４～１：２の範囲内である、請求項７に記載の表示基板。

【請求項9】

前記第１電極の各々に、アレイ状に配列された複数の前記導電性バンプが配置される、請求項１に記載の表示基板。

【請求項10】

前記第１辺の寸法は２～１０μｍであり、
前記第１辺の方向に隣接する２つの前記導電性バンプの間の距離は、２～１０μｍであり、
前記第２辺の方向に隣接する２つの前記導電性バンプの間の距離は、２～５μｍである、
請求項９に記載の表示基板。

【請求項11】

さらに、前記導電性バンプ上に配置された電子デバイスと、
前記導電性バンプの間に配置された接着剤と、を含み、
前記電子デバイスのピンが前記導電性バンプと接触し、
前記接着剤は、前記ピンと前記第１電極とを接合する、
請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示基板。

【請求項12】

さらに、前記基板上に位置する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に位置する第１誘電体層と、を含み、
前記第１電極は、前記第１誘電体層上に位置し、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される、
請求項１１に記載の表示基板。

【請求項13】

基板を提供するステップと、
前記基板上に第１電極を形成するステップと、
前記第１電極上に導電性バンプを形成するステップと、を含み、
前記基板に平行な平面における前記導電性バンプの断面の大きさは、前記断面から前記第１電極の表面までの距離と負の相関を有し、
前記導電性バンプを形成するステップは、
前記第１電極上に誘電体材料層を形成するステップと、
前記誘電体材料層をパターニングして、前記導電性バンプの第１部分を形成するステップと、を含み、
前記誘電体材料層は、感光性材料を含み、
前記誘電体材料層をパターニングするステップは、第１マスクを用いて前記誘電体材料層を露光及び現像するステップを含み、
前記露光に使用される光の照射線量、前記第１マスクの遮光部が延在する方向に垂直な方向における前記第１マスクの遮光部の寸法、及び前記第１マスクから前記誘電体材料層までの距離は、前記露光時に、前記遮光部のエッジにおいて回折光が発生し、前記回折光の少なくとも一部が、前記遮光部の中央部の下方に位置する前記誘電体材料層の表面に到達できるように配置される、
表示基板の製造方法。

【請求項14】

前記導電性バンプを形成するステップは、さらに、
前記基板、前記第１電極及び前記第１部分の上に第１導電材料層を形成するステップと、
前記第１導電材料層をパターニングして、前記導電性バンプの第２部分を形成するステップと、を含み、
前記第１部分の前記第１電極への正射影は、前記第２部分の前記第１電極への正射影内に位置し、
前記第２部分は、前記第１電極と接触し、
前記第２部分と前記第１部分の前記基板から離れた表面とは、共形である、
請求項１３に記載の方法。

【請求項15】

前記第１部分の上に前記第１導電材料層を形成する前に、さらに、前記第１部分の表面を粗面化するステップを含む、請求項１４に記載の方法。

【請求項16】

前記導電性バンプを形成するステップは、さらに、前記第１部分を形成した後、前記第１導電材料層を形成する前に、前記第１部分の上に無機材料層を形成するステップを含み、前記無機材料層の前記基板から離れた表面と前記第１部分の前記基板から離れた表面とは、共形である、請求項１４に記載の方法。

【請求項17】

前記基板上に前記第１電極を形成するステップ及び前記第１電極上に前記導電性バンプを形成するステップは、
前記基板上に第２導電材料層を形成するステップと、
前記第２導電材料層をパターニングして、前記第１電極と、前記第１電極上に位置する前記導電性バンプとを形成するステップと、を含む、
請求項１３に記載の方法。

【請求項18】

さらに、前記導電性バンプと、前記第１電極の前記導電性バンプの間に位置する部分とを覆うように接着剤層を形成するステップと、
前記接着剤層の上に電子デバイスを載置し、前記電子デバイスに力を加えて、前記導電性バンプを前記接着剤層を貫通させて前記電子デバイスと接触させるステップと、
前記接着剤層を硬化するステップと、を含む、
請求項１３に記載の方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、表示技術の分野に関し、特に、表示基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

マイクロＬＥＤは、ＯＬＥＤに取って代わる可能性が最も高い次世代表示技術と見なされている。
マイクロＬＥＤの利点は、低消費電力、高輝度、超高解像度及び色飽和、高速応答、超省電力、長寿命、高効率、様々なサイズへの適応性、シームレス接続などを含む。マイクロＬＥＤの消費電力はＬＣＤの１０％、ＯＬＥＤの５０％であるため、ウェアラブルなデバイスに適している。

【発明の概要】

【課題を解決するための手段】

【0003】

本開示の実施例は、表示基板及びその製造方法を提供する。

【0004】

本開示の一態様は、表示基板を提供する。前記表示基板は、基板と、前記基板上に位置する第１電極と、前記第１電極上に位置する導電性バンプと、を含む。前記基板に平行な平面における前記導電性バンプの断面の大きさは、前記断面から前記第１電極の表面までの距離と負の相関を有する。

【0005】

本開示の例示的な実施例において、前記導電性バンプの前記基板に向かう表面の、前記基板に平行な方向における最小寸法と、前記導電性バンプの頂部から前記第１電極までの距離との比は、１：１～１：３の範囲内とすることができる。

【0006】

本開示の例示的な実施例において、前記導電性バンプの形状は、錐体、切頂錐体、及び角柱のうちの少なくとも１つから選択される。

【0007】

本開示の例示的な実施例において、前記導電性バンプは、第１部分と、前記第１部分を覆う第２部分とを含む。前記第１部分の前記基板への正射影は、前記第１電極の前記基板への正射影内に位置する。前記第２部分は、前記第１電極と接触する。前記第２部分の前記基板から離れた表面と、前記第１部分の前記基板から離れた表面とは、共形である。前記第１部分は誘電体材料からなり、前記第２部分は導電性材料からなる。

【0008】

本開示の例示的な実施例において、前記誘電体材料は有機材料を含む。前記導電性バンプは、さらに、前記第１部分と前記第２部分との間に位置し、前記第１部分を覆う無機材料層を含む。

【0009】

本開示の例示的な実施例において、前記第２部分は、さらに、前記第１部分に近接する前記第１電極の表面を覆う。

【0010】

本開示の例示的な実施例において、前記導電性バンプは導電性材料からなる。

【0011】

本開示の例示的な実施例において、前記第１電極は、前記導電性バンプと一体に形成される。前記第１電極の厚さと、前記導電性バンプの頂部から前記第１電極の底部までの距離との比は、１：４～１：２の範囲内である。

【0012】

本開示の例示的な実施例において、前記第１電極の各々に、アレイ状に配列された複数の前記導電性バンプが配置される。

【0013】

本開示の例示的な実施例において、前記導電性バンプは三角柱を含む。前記三角柱は、前記基板の表面に平行な第１面を含む。前記第１面は、第１辺と、前記第１辺と交差する第２辺とを含む。前記第１辺の寸法は２～１０μｍであり、前記第２辺の寸法は１～５μｍであり、前記三角柱の前記基板に垂直な方向の高さは１～５μｍであり、前記第１辺の方向に隣接する２つの前記導電性バンプの間の距離は、２～１０μｍであり、前記第２辺の方向に隣接する２つの前記導電性バンプの間の距離は、２～５μｍである。

【0014】

本開示の例示的な実施例において、前記表示基板は、さらに、前記導電性バンプ上に配置された電子デバイスと、前記導電性バンプの間に配置された接着剤と、を含む。前記電子デバイスのピンが前記導電性バンプと接触し、前記接着剤は、前記ピンと前記第１電極とを接合する。

【0015】

本開示の例示的な実施例において、前記表示基板は、さらに、前記基板上に位置する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に位置する第１誘電体層と、を含む。前記第１電極は、前記第１誘電体層上に位置し、前記薄膜トランジスタと電気的に接続される。

【0016】

本開示の例示的な実施例において、前記第１誘電体層は、順次に積層される第１サブ誘電体層及び第２サブ誘電体層を含む。前記表示基板は、さらに、前記第１サブ誘電体層と前記第２サブ誘電体層との間に配置される第２電極及び第３電極を有する。前記第２電極は、前記第１サブ誘電体層の第１ホールを介して前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン領域に接続される。前記第１電極は、第１サブ電極と第２サブ電極とを含む。前記第１サブ電極は、前記第２サブ誘電体層の第２ホールを介して前記第２電極に接続される。前記第２サブ電極は、前記第２サブ誘電体層の第３ホールを介して前記第３電極に接続される。

【0017】

本開示の一態様は、表示基板の製造方法を提供する。前記方法は、基板を提供するステップと、前記基板上に第１電極を形成するステップと、前記第１電極上に導電性バンプを形成するステップとを含む。前記基板に平行な平面における前記導電性バンプの断面の大きさは、前記断面から前記第１電極の表面までの距離と負の相関を有する。

【0018】

本開示の例示的な実施例において、前記導電性バンプを形成するステップは、前記第１電極上に誘電体材料層を形成するステップと、前記誘電体材料層をパターニングして、前記導電性バンプの第１部分を形成するステップと、前記基板、前記第１電極、及び前記第１部分上に第１導電材料層を形成するステップと、前記第１導電材料層をパターニングして、前記導電性バンプの第２部分を形成するステップと、を含む。前記第１部分の前記第１電極上への正射影は、前記第２部分の前記第１電極への正射影内に位置し、前記第２部分は前記第１電極と接触する。前記第２部分と前記第１部分の前記基板から離れた表面とは、共形である。

【0019】

本開示の例示的な実施例において、前記第１部分の上に前記第１導電材料層を形成する前に、前記方法は、第１部分の表面を粗面化するステップをさらに含む。

【0020】

本開示の例示的な実施例において、前記第２部分は、前記第１電極の前記第１部分に近接する表面をさらに覆うように形成される。

【0021】

本開示の例示的な実施例において、前記誘電体材料層は感光性材料を含む。前記誘電体材料層をパターニングするステップは、第１マスクを使用して前記誘電体材料層を露光及び現像するステップを含む。前記露光に使用される光の照射線量、前記遮光部が延在する方向に垂直な方向における前記第１マスクの遮光部の寸法、及び前記第１マスクから前記誘電体材料層までの距離は、前記露光時に、前記遮光部のエッジにおいて回折光が発生し、前記回折光の少なくとも一部が、前記遮光部の中央部の下方に位置する前記誘電体材料層の表面に到達できるように配置される。

【0022】

本開示の例示的な実施例において、前記導電性バンプを形成するステップは、さらに、前記第１部分を形成した後、前記第１導電材料層を形成する前に、前記第１部分の上に無機材料層を形成するステップを含む。前記無機材料層の前記基板から離れた表面と前記第１部分の前記基板から離れた表面とは、共形である。

【0023】

本開示の例示的な実施例において、前記基板上に前記第１電極を形成するステップ及び前記第１電極上に前記導電性バンプを形成するステップは、前記基板上に第２導電材料層を形成するステップと、前記第２導電材料層をパターニングして、前記第１電極と、前記第１電極上に位置する前記導電性バンプとを形成するステップと、を含む。

【0024】

本開示の実施例において、前記方法は、さらに、前記導電性バンプと、前記第１電極の前記導電性バンプの間に位置する部分とを覆うように接着剤層を形成するステップと、前記接着剤層の上に電子デバイスを載置し、前記電子デバイスに力を加えて、前記導電性バンプを前記接着剤層を貫通させて前記電子デバイスと接触させることにより、前記電子デバイスと前記第１電極とを前記接着剤層を介して接合するステップと、前記接着剤層を硬化するステップと、を含む。

【0025】

適応的及びさらなる態様及び範囲は、本明細書に提供される説明から明らかになる。本開示の様々な態様は、単独で、又は１つもしくは複数の他の態様と組み合わせて実施され得る。さらに、本明細書における説明及び特定の実施例は、例示のみを目的としており、本発明の範囲を限定することを目的としていない。

【図面の簡単な説明】

【0026】

本明細書に記載された図面は、選択された実施例の例示目的のみに使用され、全ての可能な実施例ではなく、本開示の範囲を限定することを意図していない。

【図1A】本開示の実施例に係る表示基板の概略断面図である。

【図1B】本開示の実施例に係る導電性バンプの形状を示す概略図である。

【図1C】本開示の実施例に係る導電性バンプの形状を示す概略図である。

【図1D】本開示の実施例に係る導電性バンプの形状を示す概略図である。

【図1E】本開示の実施例に係る導電性バンプの形状を示す概略図である。

【図1F】本開示の実施例に係る導電性バンプの形状を示す概略図である。

【図2】本開示の別の実施例に係る表示基板の概略断面図である。

【図3】本開示のさらに別の実施例に係る表示基板の概略断面図である。

【図4】本開示のさらに別の実施例に係る表示基板の概略断面図である。

【図5】本開示のさらに別の実施例に係る表示基板の概略断面図である。

【図6】本開示の実施例に係る表示基板の透視図である。

【図7A】本開示のさらに別の実施例に係る表示基板の概略断面図である。

【図7B】本開示のさらに別の実施例に係る表示基板の概略断面図である。

【図7C】本開示のさらに別の実施例に係る表示基板の概略断面図である。

【図8】本開示のさらに別の実施例に係る表示基板の概略断面図である。

【図9】本開示の実施例に係る表示基板の製造方法を示すフローチャートである。

【図10】本開示の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図11】本開示の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図12】本開示の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図13】本開示の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図14】本開示の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図15】本開示の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図16】本開示の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図17】本開示の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図18】本開示の別の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図19】本開示の別の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図20】本開示の別の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図21】本開示の別の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。

【図22】本開示の別の実施例に係る導電性バンプの製造方法を示す概略図である。 これらの図面の様々な概略図において、対応する参照番号は、対応する部品又は特徴を示す。

【発明を実施するための形態】

【0027】

まず、文脈において別途明確に指摘されない限り、本明細書及び添付の特許請求の範囲において使用される用語の単数形は複数形を含み、その逆も同様である。したがって、単数形に言及する場合、対応する用語の複数形が通常含まれる。同様に、「包含」、「含む」という言葉は、排他的ではなく、包括的であると解釈されるべきである。同様に、「含む」及び「又は」という用語は、文脈が別段の説明がない限り、包括的であると解釈されるべきである。「実例」という用語が本明細書で使用される場合、特に一連の用語の後に続く場合、前記「実例」は、単に例示的且つ説明的であり、排他的又は広範であるとみなされるべきではない。

【0028】

また、本開示の要素及びその実施例を紹介する場合、「一」、「１つ」、「該」、及び「前記」という冠詞は、１つ又は複数の要素があることを意味することが意図される。特に明記しない限り、「複数」は、２つまたは２つ以上を意味する。「包含」、「含む」、「備える」及び「有する」という用語は、包含的であることを意図し、列挙された要素以外の追加の要素が存在する可能性があることを意味する。「第１」、「第２」、「第３」などの用語は、説明の目的のみであり、相対的な重要性及び形成順序を示すもの又は暗示するものと理解されるべきではない。

【0029】

また、図面において、各層の厚み及び領域は、明瞭化のために誇張されている。層、領域、又は構成要素が他の部分の「上」にあると言及された場合、それは、直接に他の部分の上に直接あるか、又はそれらの間に他の構成要素が介在することもあることを理解すべきである。逆に、ある部品が他の部品上に「直接」に位置すると言及された場合、それらの間に他の部品が介在しないことを意味する。

【0030】

本開示に説明されるフローチャートは、単なる一例である。本開示の精神から逸脱することなく、該フローチャート又はそこに記載されたステップの多くの変形が存在する可能性がある。例えば、各ステップは、異なる順序で行われてもよく、又は追加、削除、又は修正されてもよい。これらの変形形態は、すべて、特許請求の範囲に記載された態様の一部であるとみなされる。

【0031】

以下、図面を参照して、例示的な実施例をより詳細に説明する。

【0032】

現在、マイクロＬＥＤ技術は、かなりの技術的課題に直面している。マイクロＬＥＤの移載及び接合は、マイクロＬＥＤ技術における重要な技術の１つである。

【0033】

従来、マイクロＬＥＤの接合方法としては、４つの方法がある。第１の方法は、はんだペーストを利用して接合を行うが、接合の際にはんだペーストを加熱する必要があり、加熱はマイクロＬＥＤの性能を劣化させる。第２の方法は、異方性導電ペーストを利用して接合する方法であるが、異方性導電ペーストのコストが高い。第３の方法は、ダイボンドによる接合であるが、ダイボンドする際に表示基板に圧力が加わると、表示基板内の薄膜トランジスタ等の電子デバイスの特性に悪影響を与える。第４の方法は、金属と金属を直接接触させて移載する方法であるが、金属と金属の間の接着剤が排出されにくく、金属と金属の間の接触面積が減少する。

【0034】

本開示の実施例は、導電性バンプを含む表示基板を提供する。該導電性バンプは、マイクロＬＥＤと容易に接続できるように配置され、それによって、製造コストを低減し、マイクロＬＥＤの移載効率を向上させることができる。

【0035】

図１Ａは、本開示の実施例に係る表示基板の概略断面図である。図１Ａに示すように、表示基板１００は、基板１と、基板１上に位置する第１電極２と、第１電極２上に位置する導電性バンプ３と、を含む。

【0036】

本開示の例示的な実施例において、図１Ａに示すように、基板１に平行な平面における導電性バンプ３の断面Ｓ１の大きさは、該断面Ｓ１から第１電極２の表面までの距離Ｄ１と負の相関を有する。ここで、負の相関とは、距離Ｄ１が大きいほど断面Ｓ１の大きさが小さいことを意味する。なお、ここでの断面Ｓ１の大きさとは、例えば、断面Ｓ１の面積を指し、第１電極２の表面とは、第１電極２の、導電性バンプ３と接触する表面を指す。また、本開示の例示的な実施例において、導電性バンプの数は、１つ又は複数であってもよく、本開示はこれに特に限定されない。

【0037】

図１Ａ及び以下で説明する他の図面において、各部品の寸法の間の比例関係が本開示を限定するものとみなされるべきではない。ある部品の構造を明確に図示するために、該部品の寸法を他の部分の寸法よりも大きく図示する可能性がある。本開示の図面は、単なる例示であり、本開示を限定するものとみなされるべきではない。

【0038】

本開示の例示的な実施例において、第１電極２の表面における導電性バンプ３の正射影が占める面積と、第１電極２の表面積との比は、例えば、２０％より大きくてもよい。

【0039】

本開示の例示的な実施例において、図１Ａに示すように、導電性バンプ３の、基板１に対向する表面の、基板１に平行な方向における最小寸法Ｌ１と、導電性バンプ３の頂部から第１電極２までの距離Ｄ２との比は、１：１～１：３の範囲内とすることができる。

【0040】

本開示の例示的な実施例において、導電性バンプ３の形状は、錐体、切頂錐体、及び角柱のうちの少なくとも１つから選択される。一例として、図１Ａ及び図６に示すように、導電性バンプの形状は、角柱を含んでもよい。

【0041】

図１Ｂ～図１Ｆは、本開示の実施例に係る導電性バンプの形状概略図である。図１Ｂ～図１Ｆの導電性バンプ３の形状は、不規則な形状であってもよい。例えば、図１Ｂにおいて、導電性バンプ３の形状は、一側縁が円弧状の錐体であってもよい。例えば、図１Ｃ～図１Ｆにおいて、導電性バンプ３は、複数の尖った部分を有してもよい。

【0042】

以下、本開示の実施例の導電性バンプ３の構造について具体的に説明する。

【0043】

一方、本開示の実施例において、導電性バンプ３は、第１部分と、第１部分を覆う第２部分と、を含む。

【0044】

具体的には、図２は、本開示の実施例に係る表示基板の概略断面図である。本開示の例示的な実施例において、図２に示すように、導電性バンプ３は、第１部分３１と、第１部分３１を覆う第２部分３２と、を含んでよい。例えば、第１部分３１の基板１への正射影は、第１電極２の基板１への正射影内に位置してもよい。第２部分３２は、第１電極２と接触してもよい。第１部分３１の基板１から離れた表面３１１と、第２部分３２の基板１から離れた表面３２１とは、共形であってもよく、即ち、第１部分３１の基板１から離れた表面の形状と、第２部分３２の基板１から離れた表面の形状とは、相似形状である。

【0045】

本開示の例示的な実施例において、導電性バンプ３の第１部分３１は誘電体材料からなってもよい。本開示の例示的な実施例において、導電性バンプ３の第２部分３２は、導電性材料からなってもよい。

【0046】

一例として、誘電体材料は、有機材料を含んでよい。さらに、一例として、有機材料は、有機樹脂材料を含んでよい。有機樹脂材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂やアクリル系樹脂が挙げられる。

【0047】

一例として、導電性材料は、アルミニウム、銅、モリブデン、チタン、タングステンなどを含んでもよい。

【0048】

本開示の例示的な実施例において、導電性バンプ３の第２部分３２の材料は、第１電極２の材料と同一であってもよく、異なってもよい。当業者は必要に応じて又は製造工程などを考慮して選択することができ、本開示はこれに特に限定されない。

【0049】

図３は、本開示の実施例に係る表示基板の概略断面図である。また、本発明の他の実施例として、図３に示すように、導電性バンプ３は、さらに、第１部分３１と第２部分３２との間に位置して第１部分３１を覆う無機材料層３３を含んでもよい。なお、無機材料層３３は、導電性バンプ３の第２部分３２を製造する際に、下の誘電体材料（即ち、第１部分３１）を保護することができる。例えば、第２部分３２をスパッタリングによって形成する際、スパッタリングされたイオン（例えば、金属イオン）が第１部分３１の表面に衝突し続け、大量の熱を発生させ、これにより、第１部分３１の有機材料などの誘電体材料に崩壊などの変形を引き起こす可能性がある。

【0050】

本開示の例示的な実施例において、無機材料層３３の材料は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などを含んでもよい。

【0051】

図４は、本開示の実施例に係る表示基板の概略断面図である。さらに、本開示の他の実施例として、導電性バンプ３の第２部分３２は、図４の点線円内に示すように、隣接する２つの第１部分３１の間に露出した第１電極２の表面を覆うこともでき、これにより、導電性バンプ３と第１電極２との電気的接続をより効果的にし、接触抵抗をさらに低減することができる。

【0052】

他方、本開示の実施例において、導電性バンプ３は、導電性材料のみからなってもよい。

【0053】

本開示の実施例において、第１電極２と導電性バンプ３を一体に形成してもよい。即ち、第１電極２と導電性バンプ３とは、同一の材料からなってもよく、同一の工程で形成されてもよい。

【0054】

図５は、本開示の実施例に係る表示基板の概略断面図である。図５に示すように、第１電極２の厚さＴ１と、導電性バンプ３の頂部から第１電極２の底部までの距離Ｄ３との比は、１：４～１：２の範囲内とすることができる。一例として、厚さＴ１は０．５μｍであってもよい。一例として、距離Ｄ３は１～２μｍであってもよい。

【0055】

上述の実施例と同様に、本実施例においても、例えば、導電性材料は、アルミニウム、銅、モリブデン、チタン又はタングステンなどを含んでもよい。

【0056】

図６は、本開示の実施例に係る表示基板１００の透視図である。本開示の例示的な実施例において、図６に示すように、第１電極２の各々に、アレイ状に配列された複数の導電性バンプ３が配置される。なお、図６に示す導電性バンプ３の数は、単なる例示であり、本開示を限定するものとみなされるべきではない。

【0057】

図６に示すように、他の実施例として、導電性バンプ３は三角柱であってもよい。該実施例において、三角柱３は、基板１の表面に平行な第１面Ｓ２を含んでもよい。該第１面Ｓ２は、第１辺Ｌ２と、第１辺Ｌ２と交差する第２辺Ｌ３と、を含んでもよい。一例として、第１辺Ｌ２の延在方向（即ち、Ｘ方向）に隣接する２つの導電性バンプ３（即ち、三角柱３）の間の距離Ｄ４は、２～１０μｍの範囲内とすることができる。一例として、第２辺Ｌ３の延在方向（即ち、Ｙ方向）に隣接する２つの導電性バンプ３（即ち、三角柱３）の間の距離Ｄ５は、２～５μｍの範囲内とすることができる。一例として、第１辺Ｌ２の寸法は２～１０μｍ、第２辺Ｌ３の寸法は１～５μｍ、三角柱３の基板１に垂直な方向の高さＨ１は１～５μｍの範囲内とすることができる。

【0058】

他の実施例として、三角柱３は、図６に示すように、正三角柱を含んでもよい。

【0059】

図７Ａは、本開示の実施例に係る表示基板の概略断面図である。また、図７Ａに示すように、表示基板１００は、さらに、導電性バンプ３上に配置された電子デバイス４と、導電性バンプ３の間に配置された接着剤５と、を含んでもよい。

【0060】

本開示の例示的な実施例において、電子デバイス４のピン４１、４２は、導電性バンプ３と接触してもよい。接着剤５は、ピン４１、４２と第１電極２とを接合する。なお、図６における導電性バンプ３の間の距離Ｄ４、Ｄ５は、ピン４１、４２と第１電極２とを接着剤５により接合する際に、その接合箇所から接着剤５をより効果的に排出できるように配置され、それにより、ピン４１、４２と第１電極２との良好な電気的接触を実現する。

【0061】

なお、図７Ａに示す導電性バンプ３とピン４１、４２との接触状態は例示的なものに過ぎず（以下、図８の構造も例示的である）、本開示はこれに特に限定されない。実際の使用においては、図７Ｂに示すように、導電性バンプ３の頂部がピン４１、４２の形状に適合するように変形することを許容することができる。

【0062】

また、導電性バンプ３の材料の硬度がピン４１、４２の材料の硬度よりも高い場合、図７Ｃに示すように、導電性バンプ３の頂部をピン４１、４２に突き刺すことができ、より効果的な電気的接続及び機械的接続を実現することができる。

【0063】

本開示の例示的な実施例において、電子デバイス４はマイクロＬＥＤを含んでもよい。

【0064】

接着剤５の材料としては、例えば、シリコーン系接着剤、樹脂系接着剤、光硬化型接着剤等を含んでもよい。一例として、光硬化型接着剤は、アクリレート系プレポリマー（オリゴマーとも称する）、反応性モノマー、紫外線光開始剤などを含んでもよい。図８は、本開示の実施例に係る表示基板の概略断面図である。また、図８に示すように、表示基板１００は、さらに、基板１上に位置する薄膜トランジスタ６と、薄膜トランジスタ６上に位置する第１誘電体層７と、を含んでもよい。該実施例において、第１電極２は、第１誘電体層７上に位置し、薄膜トランジスタ６に電気的に接続される。本開示の例示的な実施例において、図８に示すように、薄膜トランジスタ６は、基板１上に位置するバッファ層６１と、バッファ層６１上に位置する活性層６２と、バッファ層６１及び活性層６２を覆う絶縁層６３と、絶縁層６３上に位置するゲート電極層６４と、を含んでもよい。図８に示す薄膜トランジスタ６はトップゲート型薄膜トランジスタであるが、薄膜トランジスタ６はボトムゲート型薄膜トランジスタであってもよい。当業者は必要に応じて薄膜トランジスタの種類を選択することができる。図８に示す薄膜トランジスタ６は、単なる一例であり、本開示を限定するものではない。

【0065】

本発明の実施例において、図８に示すように、第１誘電体層７は、順次積層された第１サブ誘電体層７１と第２サブ誘電体層７２とを含んでもよい。第１サブ誘電体層７１は、絶縁層６３及びゲート電極層６４を覆うことができる。一例として、第１サブ誘電体層７１は、層間絶縁層であってもよい。一例として、第２サブ誘電体層７２は、パッシベーション層又は平坦化層であってもよい。

【0066】

また、図８に戻り、表示基板１００は、さらに、第１サブ誘電体層７１と第２サブ誘電体層７２との間に配置される第２電極８１及び第３電極８２を含んでもよい。本開示の例示的な実施例において、第２電極８１は、第１サブ誘電体層７１の第１ホール７１１を介して薄膜トランジスタ６のソース／ドレイン領域に接続することができる。

【0067】

本開示の例示的な実施例において、第２電極８１は第３電極８２と同一の層に配置されてもよい。即ち、第２電極８１及び第３電極８２は、同一の材料からなってもよく、同一の工程で形成されてもよい。一例として、第２電極８１は薄膜トランジスタ６のソース／ドレイン電極であってもよい。一例として、第３電極８２は表示基板１００内の配線であってもよい。

【0068】

また、本開示の例示的な実施例において、図８に示すように、第１電極２は、第１サブ電極２１及び第２サブ電極２２を含んでもよい。第１サブ電極２１は、第２サブ誘電体層７２の第２ホール７２１を介して第２電極８１に接続することができる。第２サブ電極２２は、第２サブ誘電体層７２内の第３ホール７２２を介して第３電極８２に接続することができる。一例として、第１電極２は、電子デバイス４を接合するための接合パッドであってもよい。

【0069】

本発明の実施例において、例えば、電子デバイス４を第１電極２に接合した後、薄膜トランジスタ６によって電子デバイス４を制御してもよい。一例として、電子デバイス４がマイクロＬＥＤを含む場合、薄膜トランジスタ６は、第１電極２及び導電性バンプ３によってマイクロＬＥＤの発光を制御することができる。

【0070】

本開示の実施例は、さらに、表示基板の製造方法を提供する。本開示の実施例により製造された表示基板は、導電性バンプを有する。該導電性バンプは、マイクロＬＥＤと容易に接続できるように配置され、これにより、製造コストを低減し、マイクロＬＥＤの接合歩留まりを向上させることができる。

【0071】

図９は、本開示の実施例に係る表示基板の製造方法を示すフローチャートである。図９に示すように、表示基板の製造方法は、ステップＳ９０１～ステップＳ９０３を含んでもよい。図１Ａ及び図９に示すように、ステップＳ９０１において、基板１を提供する。ステップＳ９０２において、基板１上に第１電極２を形成する。ステップＳ９０３において、第１電極２上に導電性バンプ３を形成する。

【0072】

図１Ａに関する説明と同様に、本開示の例示的な実施例において、図１Ａに示すように、基板１に平行な平面における導電性バンプ３の断面Ｓ１の大きさは、該断面Ｓ１から第１電極２の表面までの距離Ｄ１と負の相関を有する。ここで、負の相関とは、距離Ｄ１が大きいほど断面Ｓ１の大きさが小さいことを意味する。なお、ここでの断面Ｓ１の大きさとは、例えば、断面Ｓ１の面積を指し、第１電極２の表面とは、第１電極２の導電性バンプ３と接触する表面を指す。また、本開示の一実施例において、導電性バンプの数は、１つ又は複数であってもよく、本開示はこれに特に限定されない。

【0073】

導電性バンプ３に関するいくつかの説明は、図１Ａ～図１Ｆに関する説明を参照することができ、ここではその説明を省略する。

【0074】

以下、導電性バンプ３の形成方法について具体的に説明する。

【0075】

一方、図１０～図１７を参照して、本開示の実施例による導電性バンプ３を形成するプロセスを説明する。形成された導電性バンプ３は、図２に示すような構造を有する。

【0076】

図１０は、本開示の実施例に係る導電性バンプの形成方法を示すフローチャートである。図１０及び図１１に示すように、ステップＳ９０３１において、基板１及び第１電極２上に誘電体材料層３’を形成する。

【0077】

図１０に戻り、ステップＳ９０３２において、誘電体材料層をパターニングして、導電性バンプの第１部分を形成する。

【0078】

本開示の例示的な実施例において、誘電体材料層の材料は、感光性材料を含んでもよい。例えば、誘電体材料層の材料としては、有機感光性材料が挙げられる。

【0079】

誘電体材料層の材料の例については、図２に関する上記の説明を参照することができ、ここでその説明を省略する。

【0080】

具体的には、誘電体材料層の材料が感光性材料を含む場合、図１２に示すように、誘電体材料層３’をパターニングする処理は、第１マスクＭ１を用いて誘電体材料層３’を露光及び現像して、導電性バンプ３の第１部分３１（図１２の破線部分に示す）を形成するステップを含んでもよい。

【0081】

本開示の例示的な実施例において、露光時に遮光部Ｍ１－１のエッジで回折光ＬＤが発生するように、誘電体材料層３’を露光する光Ｌの照射線量と、第１マスクＭ１の遮光部Ｍ１－１が延在する方向に垂直な方向における遮光部Ｍ１－１の寸法Ｄ６と、第１マスクＭ１から誘電体材料層３’までの距離Ｄ７とを配置する。

【0082】

本開示の例示的な実施例において、回折光ＬＤの少なくとも一部は、遮光部Ｍ１－１の中央部Ｃの下方に位置する誘電体材料層３’の表面に到達することができる。中央部Ｃの直下に位置する誘電体材料の対応部分に入射する回折光ＬＤの強度は、該対応部分までの距離が減少するにつれて減少するので、図１２の破線に示す誘電体材料の対応部分の凸形状を有する未露光部分が形成され、該未露光部分は導電性バンプ３の第１部分３１を形成する。

【0083】

図１２に戻り、本開示の例示的な実施例において、第１マスクＭ１の遮光部Ｍ１－１の寸法Ｄ６と、第１マスクＭ１の非遮光部Ｍ１－２の寸法Ｄ８との比は、１：１～３：２の範囲内とすることができる。

【0084】

また、従来の露光工程では、マスクと被露光構造体との距離は、一般的に一定である。本開示の例示的な実施例において、第１マスクＭ１から誘電体材料層３’までの距離Ｄ７が大きい場合に、光Ｌの照射線量を増加することができる。これに対し、第１マスクＭ１から誘電体材料層３’までの距離Ｄ７が小さい（さらに接触している）場合に、光Ｌの照射線量を減少することができる。当業者は実際の製造工程に応じて選択することができ、本開示はこれに特に限定されない。

【0085】

本開示の他の実施例として、誘電体材料層３’をパターニングすることは、誘電体材料層３’をインプリント処理することを含んでもよく、これにより、導電性バンプ３の第１部分３１を得る。該実施例において、インプリントを行うインプリントヘッドの表面は、凸部に対応する凹部構造を有してもよい。

【0086】

以上の方法により最終的に得られた構造を図１３に示す。そして、図１０に戻り、ステップＳ９０３３において、第１導電材料層３’’を形成する。

【0087】

具体的には、本開示の例示的な実施例においては、図１４に示すように、基板１、第１電極２、及び導電性バンプの第１部分３１の表面に、第１導電材料層３’’を形成する。

【0088】

本開示の実施例において、第１導電材料層３’’の形成方法は、例えば、スパッタリング法を含んでもよい。

【0089】

図１０に戻り、ステップＳ９０３４において、導電性バンプの第２部分を形成する。

【0090】

具体的には、本開示の実施例においては、図１４及び図１５に示すように、第１導電材料層３’’をパターニングして、導電性バンプ３の第２部分３２を形成する。これにより得られた構造を図１５に示す。

【0091】

一例として、該パターニングは、当技術分野で従来用いられるフォトリソグラフィー法を用いることができ、本開示はこれに特に限定されない。

【0092】

第１導電材料層の材料の例示については、上記の図２に関する説明を参照することができ、ここではその説明を省略する。

【0093】

本開示の例示的な実施例において、導電性バンプ３は、図１５に示すように、第１部分３１と、第１部分３１を覆う第２部分３２と、を含んでもよい。第１部分３１の基板１への正射影は、第１電極２の基板１への正射影内に位置してもよい。第２部分３２は、第１電極２と接触してもよい。第１部分３１の基板１から離れた表面３１１と、第２部分３２の基板１から離れた表面３２１とは、共形であってもよい。本開示の他の実施例として、図１６の点線円内に示すように、導電性バンプ３の第２部分３２は、第１部分３１に覆われていない第１電極２の表面に位置してもよく、それにより、導電性バンプ３と第１電極２との電気的接続をより効果的にすることができる。

【0094】

本開示の他の実施例として、図１０に示すように、ステップＳ９０３２とステップＳ９０３３との間にステップＳ９０３５が含まれてもよい。即ち、第１導電材料層３’’を形成する前に、図１３に示すように、導電性バンプ３の第１部分３１の表面を粗面化してもよい。一例として、該粗面化は、マイクロエッチング加工を含んでもよい。これにより、第１導電材料層３’’を形成する間に、導電性バンプ３の第１部分３１における第１導電材料層３’’の間の付着力を向上させることができる。

【0095】

本開示の他の実施例として、スパッタリング法によって第１導電材料層３’’を形成する工程は、導電性バンプの第１部分３１の頂部の崩壊を引き起こす可能性があり、この問題を解決するためには、以下の２つの方法の少なくとも一方を採用することができる。

【0096】

第１の方法は、第１導電材料層の堆積電力を低減することである。即ち、複数回に堆積するが、毎回少量の導電材料を堆積する方法である。これにより、崩壊の問題を改善することができる。

【0097】

第２の方法は、導電性バンプの第１部分を形成した後、第１導電材料層を形成する前に、導電性バンプの第１部分の上に無機材料層を形成する方法である。図１０に示すように、ステップＳ９０３２とステップＳ９０３３との間に、該無機材料層を形成するためのステップＳ９０３６を含んでもよい。

【0098】

即ち、本開示の例示的な実施例においては、図１７に示すように、第１部分３１を形成した後、第１導電材料層３’’を形成する前に、第１部分３１の表面に無機材料層３３を形成してもよい。また、第１部分３１の表面を粗面化した後、第１導電材料層３’’を形成する前に、第１部分３１の表面に無機材料層３３を形成してもよい。これにより、第１部分３１への無機材料層３３及び第１導電材料層３’’の効果的な付着により有利となる。

【0099】

本開示の例示的な実施例において、無機材料層３３と第１部分３１の基板１から離れた表面とは、共形である。

【0100】

本開示の例示的な実施例において、無機材料層３３の材料は、例えば、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）又は酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などを含んでもよい。

【0101】

無機材料層３３の製造方法は、第１部分３１に崩壊等の望ましくない変形を引き起こさない限り、ＣＶＤ法等の従来から用いられるプロセスを採用することができる。

【0102】

他方、図１８～図２２を参照して、本開示の実施例による導電性バンプ３を形成するプロセスを説明する。形成された導電性バンプ３は、図５に示すような構造を有する。

【0103】

図１８は、本開示の実施例に係る導電性バンプの製造方法のフローチャートである。図１８に示すように、導電性バンプの製造方法は、ステップＳ９０３１’及びＳ９０３２’を含む。

【0104】

図１８及び図１９に示すように、ステップＳ９０３１’において、基板１上に第２導電材料層３’’’を形成する。第２導電材料層３’’’の形成方法としては、例えば、スパッタリング法が挙げられる。

【0105】

図１８及び図５に示すように、ステップＳ９０３２’において、第２導電材料層３’’’をパターニングして、第１電極２と、第１電極２上に位置する導電性バンプ３とを形成する。

【0106】

一例として、該パターニングは、従来のフォトリソグラフィー法を用いることができ、本開示はこれに特に限定されない。

【0107】

本開示の例示的な実施例において、第１電極２の厚さＴ１と、導電性バンプ３の頂部から第１電極２の底部までの距離Ｄ３との比は、１：４～１：２の範囲内とすることができる。一例として、厚さＴ１は０．５μｍであってもよい。一例として、距離Ｄ３は１～２μｍであってもよい。

【0108】

上記実施例と同様に、該実施例においても、例えば、導電性材料は、アルミニウム、銅、モリブデン、チタン又はタングステンなどを含んでもよい。

【0109】

導電性バンプの他の詳細な説明は、上述の構造的実施例の説明を参照することができ、ここではその説明を省略する。

【0110】

また、本開示の例示的な実施例において、表示基板の製造方法は、さらに、図２０のフローチャートにおける点線枠内のステップに示すように、ステップＳ９０４～Ｓ９０６を含んでもよい。

【0111】

図２０及び図２１に示すように、ステップＳ９０４において、接着剤層を塗布する。具体的には、導電性バンプ３の上方及び間に、導電性バンプの頂部を覆うように接着剤層５を塗布する。本開示の例示的な実施例において、接着剤層５の上面が導電性バンプ３の頂部よりも約１μｍ高い。ステップＳ９０５において、図２１に示すように、電子デバイスを接着剤層に接合し、図７Ａに示す構造を得る。具体的には、電子デバイス４を接着剤層５上に載置し、電子デバイス４に力Ｆを加えて、導電性バンプ３を接着剤層５を貫通させて電子デバイス４に接触させることにより、電子デバイス４と第１電極２とを接着剤層５を介して接合する。

【0112】

より具体的には、本開示の例示的な実施例において、接着剤層５を介して電子デバイス４のピン４１、４２を第１電極２に接合する際に、大量移載技術を用いて、複数の電子デバイス４を同時に接着剤層５（例えば、樹脂材料）に移載する。電子デバイス４のピン４１、４２は、導電性バンプ３に接触する。このとき、電子デバイス４のピン４１、４２は、樹脂材料に入り込む。

【0113】

なお、大量移載技術とは、上述の図１Ａ及び図２～図５に示す構造（以下、中間構造体と呼ぶ）に、真空、静電気、接着などにより大量の電子デバイスを同時に移載する技術である。上記の過程において、電子デバイス４との接合を容易にするために、中間構造体の導電性バンプ３を備える面を上向きにする。本開示の例示的な実施例において、接着剤層５（例えば、樹脂材料）を中間構造体に塗布した後、電子デバイス４を中間構造体に移載して接合する際に、樹脂材料が周囲にあふれる可能性がある。具体的には、例えば、電子デバイス４を中間構造体上に移載する際に、電子デバイス４のピン４１、４２が導電性バンプの頂部に接触するように、電子デバイス４を樹脂材料中に一定の圧力で押し込む必要がある。電子デバイス４の進入により、樹脂材料が周囲にあふれるようになる。

【0114】

なお、図７Ａに示す導電性バンプ３とピン４１、４２との接触状態は単なる一例であり、本開示はこれに特に限定されない。実際の使用においては、図７Ｂに示すように、導電性バンプ３の頂部がピン４１、４２の形状に適合するように変形することを許容することができる。

【0115】

また、導電性バンプ３の材料の硬度がピン４１、４２の材料の硬度よりも高い場合、図７Ｃに示すように、導電性バンプ３の頂部をピン４１、４２に突き刺すことができ、より効果的な電気的接続及び機械的接続を実現することができる。

【0116】

ステップＳ９０６において、接着剤層５を硬化させる。一例として、接着剤層５の材料は、樹脂を含んでもよい。樹脂には、例えば、溶剤が含まれていてもよい。
本開示の例示的な実施例において、硬化は、従来の熱硬化プロセスを用いて行うことができる。例えば、樹脂材料を加熱して、樹脂材料を硬化させる。なお、樹脂材料には溶剤が配合されているため、加熱する際に、これらの溶剤が蒸発することにより、樹脂材料が硬化する。一例として、加熱温度は約１４０℃であってよい。

【0117】

なお、樹脂材料が硬化する際、樹脂材料の表面張力により電子デバイス４が押し下げられる。また、電子デバイス４からの押下力により、導電性バンプ３の頂部は、その周囲に被覆された樹脂材料を突き破り、これにより、電子デバイス４と第１電極２との電気的接続が実現される。また、一例として、電子デバイス４のピン４１、４２の材料の硬度が導電性バンプ３の材料の硬度よりも低い場合には、上記の張力により導電性バンプ３の頂部が最終的にピン４１、４２に突き刺さり、これにより、電子デバイス４と第１電極２との電気的接続がさらに保証される。また、樹脂材料の硬化後においても、その電気的接続の堅牢性が保証される。

【0118】

また、本開示の他の実施例として、図２２のフローチャートに示すように、基板を形成した後、第１電極を形成する前に、表示基板の製造方法は、さらに、ステップＳ２３０１～Ｓ２３０７を含んでもよい。

【0119】

図２２及び図８に示すように、ステップＳ２３０１において、薄膜トランジスタを形成する。具体的には、第１基板１上に薄膜トランジスタ６を形成する。

【0120】

より具体的に、薄膜トランジスタ６を形成するステップは、基板１上にバッファ層６１を形成するステップと、バッファ層６１上に活性層材料層を形成するステップと、活性層材料層をパターニングして活性層６２を形成するステップと、バッファ層６１及び活性層６２上に絶縁層６３を形成するステップと、絶縁層６３上にゲート電極材料層を形成するステップと、ゲート電極材料層をパターニングしてゲート電極層６４を形成するステップと、を含んでもよい。

【0121】

次に、ステップＳ２３０２において、第１サブ誘電体層を形成する。具体的には、絶縁層６３及びゲート電極層６４上に第１サブ誘電体層７１を形成する。一例として、第１サブ誘電体層７１は、層間絶縁層であってもよい。

【0122】

ステップＳ２３０３において、第１サブ誘電体層に位置する第１ホールを形成する。具体的には、露光、現像、エッチング等の工程を経て、第１サブ誘電体層７１に薄膜トランジスタ６のソース／ドレイン領域を露出する（即ち、活性層６２を露出する）第１ホール７１１を形成する。

【0123】

ステップＳ２３０４において、第３導電材料層を形成する。具体的には、第１サブ誘電体層７１上に第３導電材料層を形成する。

【0124】

ステップＳ２３０５において、第２電極と第３電極を形成する。具体的には、第３導電材料層をパターニングすることによって、第２電極８１及び第３電極８２を形成する。

【0125】

本開示の例示的な実施例において、一例として、第２電極８１は、薄膜トランジスタ６のソース／ドレイン電極であってもよい。第２電極８１は、第１ホール７１１を介して薄膜トランジスタ６の活性層６２に接続することができる。一例として、第３電極８２は表示基板１００内の配線であってもよい。

【0126】

次に、ステップＳ２３０６において、第２サブ誘電体層を形成する。具体的には、第１サブ誘電体層７１、第２電極８１及び第３電極８２上に第２サブ誘電体層７２を形成する。一例として、第２サブ誘電体層７２は、パッシベーション層又は平坦化層であってもよい。

【0127】

ステップＳ２３０７において、第２サブ誘電体層に位置する第２ホール及び第３ホールを形成する。具体的には、第２サブ誘電体層７２をパターニングすることによって、第２サブ誘電体層７２に位置する第２ホール７２１及び第３ホール７２２を形成する。該実施例において、第２ホール７２１は第２電極８１を露出し、第３ホール７２２は第３電極８２を露出する。

【0128】

また、本開示の例示的な実施例において、図８に示すように、第１電極２は、第１サブ電極２１及び第２サブ電極２２を含んでもよい。第１サブ電極２１は、第２サブ誘電体層７２の第２ホール７２１を介して第２電極８１に接続される。第２サブ電極２２は、第２サブ誘電体層７２の第３ホール７２２を介して第３電極８２に接続される。一例として、第１電極２は、電子デバイス４を接合するための接合パッドであってもよい。

【0129】

本開示の実施例において、例えば、電子デバイス４は、第１電極２に接合された後、薄膜トランジスタ６によって電子デバイス４を制御することができる。一例として、電子デバイス４がマイクロＬＥＤを含む場合、薄膜トランジスタ６は、第１電極２及び導電性バンプ３を介してマイクロＬＥＤの発光を制御することができる。

【0130】

パターニングに用いられる具体的な工程については、当業者は従来の露光、現像、エッチングなどの工程を用いることができ、ここではその説明を省略する。

【0131】

実施例の前述の説明は、例示及び説明の目的で提供された。これは、網羅的であること、又は、本開示を限定することを意図していない。特定の実施例の様々な要素又は特徴は、概して特定の実施例に限定されないが、適切な場合では、これらの要素及び特徴は、具体的に図示又は記載されていなくても、交換可能であり、選択された実施例において使用されてもよい。同様に、多くの方法で変更することができる。このような変更は、本出願からの逸脱とはみなされず、これらの変更はすべて、本出願の範囲内に含まれる。

【図1A】

【図1B】

【図1C】

【図1D】

【図1E】

【図1F】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7A】

【図7B】

【図7C】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】