特許7527040スプリアスを調整するグラウンドポストを含む広帯域ダイプレクサ
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-25
(45)【発行日】2024-08-02
(54)【発明の名称】スプリアスを調整するグラウンドポストを含む広帯域ダイプレクサ
(51)【国際特許分類】
H01P 1/203 20060101AFI20240726BHJP
H01P 7/08 20060101ALI20240726BHJP
【ＦＩ】
H01P1/203
H01P7/08
【請求項の数】
5
(21)【出願番号】P 2022562962
(86)(22)【出願日】2022-02-07
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-11-01
(86)【国際出願番号】 KR2022001803
(87)【国際公開番号】W WO2022265180
(87)【国際公開日】2022-12-22
【審査請求日】2022-12-06
(31)【優先権主張番号】10-2021-0076506
(32)【優先日】2021-06-14
(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR
(73)【特許権者】
【識別番号】518432137
【氏名又は名称】イナートロン インコーポレイテッド
【氏名又は名称原語表記】Ｉｎｎｅｒｔｒｏｎ， Ｉｎｃ．
(74)【代理人】
【識別番号】110003801
【氏名又は名称】ＫＥＹ弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】ホ クァンミョン
(72)【発明者】
【氏名】キム ヨンホ
(72)【発明者】
【氏名】ジョン テワン
【審査官】赤穂 美香
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２１－０３５０３６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６０－２４８００１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開昭６３－０３９２０４（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０７－１６２１８１（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平１１－３１２９０２（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許第０６１４７５７５（ＵＳ，Ａ）
【文献】実開昭６３－１９８２０３（ＪＰ，Ｕ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｐ １／２０３
Ｈ０１Ｐ ７／０８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
広帯域ダイプレクサ（Ｄｉｐｌｅｘｅｒ）において、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）及び高域通過フィルタ（ＨＰＦ）を含む、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）基板と、
前記ＰＣＢ基板を実装するための、ハウジングと、を含み、
前記ＰＣＢ基板は、
前記ハウジングの内部で前記ハウジングの上面及び下面のそれぞれから離隔されて形成された、誘電体層と、
前記誘電体層の上面の少なくとも一部領域上に形成された、第１導電パターンと、
前記誘電体層の下面の少なくとも一部領域上に形成された、第２導電パターンと、を含み、
前記ハウジングは、
前記ハウジングの側面と離隔されて、前記ハウジングの上面から前記ハウジングの下面まで垂直に延長され、前記第１導電パターン及び前記第２導電パターンの何れも形成されない前記誘電体層の一部領域を貫通する、少なくとも一つのグラウンドポストを含み、
前記ＰＣＢ基板は、
前記ハウジングの側面に備えられた接続口を介してアンテナ入出力ポート、４Ｇ入出力ポート、及び５Ｇ入出力ポートとそれぞれ連結され、
前記低域通過フィルタは、
前記アンテナ入出力ポートと前記４Ｇ入出力ポートとの間で４Ｇ帯域の通過機能を実行し、
前記高域通過フィルタは、
前記アンテナ入出力ポートと前記５Ｇ入出力ポートとの間で５Ｇ帯域の通過機能を実行し、
前記ハウジングは、
前記アンテナ入出力ポートと前記低域通過フィルタが接続される導電パターン部分に近接して配置された第１グラウンドポストと、
前記アンテナ入出力ポートと前記高域通過フィルタが接続される導電パターン部分に近接して配置された第２グラウンドポストと、
前記高域通過フィルタを構成する二つの共振器のそれぞれにマッチングされる二つのスタブの間に配置された第３グラウンドポストと、
前記ハウジングの下面のうち、前記第２導電パターンの少なくとも一部と対向する一領域から前記第２導電パターンの方向に垂直に延長されて、前記第２導電パターンと近接離隔された一地点まで形成された、少なくとも一つの第４グラウンドポストと、を含み、
前記第４グラウンドポストは、
前記ハウジングの下面のうち、前記高域通過フィルタの共振器にマッチングされる前記第２導電パターンの一部分と対向する一領域から、前記第２導電パターンの方向に垂直に延長され、
前記第４グラウンドポストの全体が、前記高域通過フィルタの共振器の一つにマッチングされるスタブの垂直下方向に形成されている、広帯域ダイプレクサ。
【請求項2】
前記グラウンドポストは、前記低域通過フィルタにマッチングされる第１信号のスプリアス（Ｓｐｕｒｉｏｕｓ）が前記高域通過フィルタにマッチングされる第２信号のターゲット帯域に及ぶす影響を縮小させる、請求項１に記載の広帯域ダイプレクサ。
【請求項3】
前記グラウンドポストは、直径が５～６ｍｍで、高さが１１～１２ｍｍの円柱状で、前記グラウンドポストの上面は前記ハウジングの上面と接続され、前記グラウンドポストの下面は前記ハウジングの下面と接続される、請求項１に記載の広帯域ダイプレクサ。
【請求項4】
前記低域通過フィルタは、第１伝送零点を有する共振器を具現する第１スタブと、
第２伝送零点を有する共振器を具現する第２スタブと、
第３伝送零点を有する共振器を具現する第３スタブと、
前記４Ｇ入出力ポートと前記第１スタブとの間を連結する第１ストリップラインと、
前記第１スタブと前記第２スタブとを連結する第２ストリップラインと、
前記第２スタブと前記第３スタブとの間を連結する第３ストリップラインと、
前記第３スタブと前記アンテナ入出力ポートとを連結する第４ストリップラインと、を含み、
前記高域通過フィルタは、
第４伝送零点を有する共振器を具現する第４スタブと
第５伝送零点を有する共振器を具現する第５スタブと、
前記５Ｇ入出力ポートと前記第４スタブとを連結する第１オープンカップリング部と、
前記第４スタブと前記第５スタブとの間を連結する第２オープンカップリング部と、
前記第５スタブと前記アンテナ入出力ポートとの間を連結する第３オープンカップリング部と、を含む、請求項１に記載の広帯域ダイプレクサ。
【請求項5】
前記第４グラウンドポストは、高さが３～５ｍｍの四角柱状である、請求項１に記載の広帯域ダイプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、広帯域ダイプレクサに関するもので、より詳しくは、低域通過フィルタ（４Ｇ）で発生するスプリアスの高域通過フィルタ（５Ｇ）に対する干渉を除去するための広帯域ダイプレクサに関するものである。
【背景技術】
【0002】
複数のアンテナを用いるマッシブマイモ（Ｍａｓｓｉｖｅ ＭＩＭＯ、Ｍｕｌｔｉｐｌｅ－ｉｎｐｕｔ ａｎｄ ｍｕｌｔｉｐｌｅ－ｏｕｔｐｕｔ）システムは、チャネル容量を極大化して、信号の信頼性を確保するための５Ｇ通信の核心技術である。
【0003】
一つのアンテナごとに複数のフィルタが内蔵されることができる本システムで、それぞれの周波数バンドフィルタ（Ｂａｎｄ Ｆｉｌｔｅｒ）を含む一つの広帯域ダイプレクサ（Ｗｉｄｅ Ｂａｎｄ Ｄｉｐｌｅｘｅｒ、ＷＢＤ）が活用されることができる。
【0004】
一方、ダイプレクサは、キャビティまたは印刷回路基板（ＰＣＢ）の形態に具現されることができる。ただ、キャビティに基づくフィルタの場合、各キャビティの共振周波数を調整するチューニングボルトとキャビティとの間の結合量を調節するチューニングボルトのフィルタ特性がチューニングされる過程が必要となり、この過程でフィルタ特性が全てのフィルタに同一に適用されにくいという短所がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は、４Ｇ及び５Ｇそれぞれの信号を処理するためのＰＣＢ構造の広帯域ダイプレクサを提供する。
【0006】
具体的には、本開示は、低域（４Ｇ）及び高域（５Ｇ）の位相遅延を一定に具現しながらも、スプリアス（ｓｐｕｒｉｏｕｓ）による干渉を防止することができるＰＣＢに基づくダイプレクサを提供する。
【0007】
本開示の目的は、以上で言及した目的に制限されず、言及されなかった本開示の他の目的及び長所は、下記の説明によって理解され得、本開示の実施例によってより明らかに理解され得る。また、本開示の目的及び長所は、特許請求範囲に示した手段及びその組合によって実現され得ることを容易に理解し得るはずである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本開示の一実施形態に係る広帯域ダイプレクサ（Ｄｉｐｌｅｘｅｒ）は、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）及び高域通過フィルタ（ＨＰＦ）を含むＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）基板、及び前記ＰＣＢ基板を実装するためのハウジングを含む。前記ＰＣＢ基板は、前記ハウジングの内部で前記ハウジングの上面及び下面のそれぞれから離隔されて形成された誘電体層、前記誘電体層の上面の少なくとも一部領域上に形成された第１導電パターン、及び前記誘電体層の下面の少なくとも一部領域上に形成された第２導電パターンを含む。前記ハウジングは、前記ハウジングの側面と離隔されて、前記ハウジングの上面から前記ハウジングの下面まで垂直に延長され、前記第１導電パターン及び前記第２導電パターンの何れも形成されない前記誘電体層の一部領域を貫通する、少なくとも一つのグラウンドポストを含む。
【0009】
前記グラウンドポストは、前記低域通過フィルタにマッチングされる第１信号のスプリアス（Ｓｐｕｒｉｏｕｓ）が前記高域通過フィルタにマッチングされる第２信号のターゲット帯域に及ぼす影響を縮小させることができる。
【0010】
前記グラウンドポストは、直径が５～６ｍｍで、高さが１１～１２ｍｍの円柱状で、前記グラウンドポストの上面は前記ハウジングの上面と接続され、前記グラウンドポストの下面は、前記ハウジングの下面と接続されることができる。
【0011】
一方、前記ＰＣＢ基板は、前記ハウジングの側面に備えられた接続口を介してアンテナ入出力ポート、４Ｇ入出力ポート、及び５Ｇ入出力ポートとそれぞれ連結されることができる。ここで、前記低域通過フィルタは、前記アンテナ入出力ポートと前記４Ｇ入出力ポートとの間で４Ｇ帯域の通過機能を実行し、前記高域通過フィルタは、前記アンテナ入出力ポートと前記５Ｇ入出力ポートとの間で５Ｇ帯域の通過機能を実行することができる。
【0012】
この時、前記ハウジングは、前記アンテナ入出力ポートと前記低域通過フィルタが接続される導電パターン部分に近接して配置された第１グラウンドポスト、前記アンテナ入出力ポートと前記高域通過フィルタが接続される導電パターン部分に近接して配置された第２グラウンドポスト、及び前記高域通過フィルタを構成する二つの共振器のそれぞれにマッチングされる二つのスタブの間に配置された第３グラウンドポストを含むことができる。
【0013】
前記低域通過フィルタは、第１伝送零点を有する共振器を具現する第１スタブ、第２伝送零点を有する共振器を具現する第２スタブ、第３伝送零点を有する共振器を具現する第３スタブ、前記４Ｇ入出力ポートと前記第１スタブとの間を連結する第１ストリップライン、前記第１スタブと前記第２スタブとを連結する第２ストリップライン、前記第２スタブと前記第３スタブとの間を連結する第３ストリップライン、及び前記第３スタブと前記アンテナ入出力ポートとを連結する第４ストリップラインを含むことができる。また、前記高域通過フィルタは、第４伝送零点を有する共振器を具現する第４スタブ、第５伝送零点を有する共振器を具現する第５スタブ、前記５Ｇ入出力ポートと前記第４スタブとを連結する第１オープンカップリング部、前記第４スタブと前記第５スタブとの間を連結する第２オープンカップリング部、及び前記第５スタブと前記アンテナ入出力ポートとの間を連結する第３オープンカップリング部を含むことができる。
【0014】
一方、前記ハウジングは、前記ハウジングの下面のうち、前記第２導電パターンの少なくても一部と対向する一領域から前記第２導電パターンの方向に垂直に延長されて、前記第２導電パターンと近接離隔された一地点まで形成された、少なくとも一つの第４グラウンドポストをさらに含むことができる。
【0015】
この場合、前記第４グラウンドポストは、前記ハウジングの下面のうち、前記高域通過フィルタの共振器にマッチングされる前記第２導電パターンの一部分と対向する一領域から、前記第２導電パターンの方向に垂直に延長されることができる。
【0016】
前記第４グラウンドポストは、高さが３～５ｍｍの四角柱状であり得る。
【0017】
本開示の一実施形態に係る広帯域ダイプレクサは、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）及び高域通過フィルタ（ＨＰＦ）を含むＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ）基板、及び前記ＰＣＢ基板を実装するためのハウジングを含む。前記ＰＣＢ基板は、前記ハウジングの内部で前記ハウジングの上面及び下面のそれぞれから離隔されて形成された誘電体層、前記誘電体層の上面の少なくとも一部領域上に形成された第１導電パターン、及び前記誘電体層の下面の少なくとも一部領域上に形成された第２導電パターンを含む。前記ハウジングは、前記ハウジングの下面のうち、前記第２導電パターンの少なくとも一部と対向する一領域から前記第２導電パターンの方向に垂直に延長されて、前記第２導電パターンと近接離隔された一地点まで形成された、少なくとも一つのグラウンドポストを含む。
【発明の効果】
【0018】
本開示に係る広帯域ダイプレクサは、ＰＣＢに基づくダイプレクサであって、位相遅延特性に影響を与えるチューニング工程が排除されて、生産性が向上されることはもちろん、コストを節減するという効果を奏する。
【0019】
本開示に係る広帯域ダイプレクサは、ＰＣＢ構造のフィルタは、無チューニング方式で一律的な位相遅延特性を有することができるという長所がある。
【0020】
本開示に係る広帯域ダイプレクサは、低域通過フィルタを通じて発生した低域信号のスプリアスによって高域通過フィルタに対する干渉が発生する状況を抑制するという効果を奏する。
【0021】
本開示に係る広帯域ダイプレクサは、低域通過フィルタ及び高域通過フィルタそれぞれの孤立度が向上されて、信号処理品質が向上されるという長所がある。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【図1】本開示の一実施形態に係るダイプレクサの構造を説明するための斜視図である。
【図4a】本開示の一実施形態によってスプリアスを解決するためのグラウンドポストを含むダイプレクサの構造を説明するための図面である。
【図4b】同上。
【図6a】本開示の一実施形態によってスプリアスを解決するためのグラウンドポストを含むダイプレクサの構造を説明するための図面である。
【図6b】同上。
【図8】本開示の一実施形態によってスプリアスを解決するためのグラウンドポストを含むダイプレクサの構造を説明するための図面である。
【発明を実施するための具体的な内容】
【0023】
本開示に対して具体的に説明する際に先立って、本明細書及び図面の記載 方法について説明する。
【0024】
まず、本明細書及び特許請求範囲で用いられる用語は、本開示の多様な実施形態での機能を考慮して一般的な用語を選択した。しかしながら、このような用語は、当該技術分野に従事する技術者の意図や法律的または技術的解釈及び新しい技術の出現などによって異なり得る。また、一部用語は出願人が任意に選定した用語もある。このような用語に対しては、本明細書で定義された意味に解釈され得、具体的な用語の定義がない場合、本明細書の全般的な内容及び当該技術分野における通常の技術的常識に基づいて解釈され得る。
【0025】
また、本明細書に添付された各図面に記載された同じ参照番号または符号は、実質的に同じ機能を実行する部品または構成要素を示す。説明及び理解の便宜のために互いに異なる実施形態でも同じ参照番号または符号を用いて説明する。すなわち、複数の図面で同じ参照番号を有する構成要素を全部図示したとしても、複数の図面が一つの実施例を意味するのではない。
【0026】
また、本明細書及び特許請求範囲では、構成要素の間の区別のために、「第１」、「第２」などのように序数を含む用語が用いられることができる。このような序数は、同一または類似する構成要素を互いに区別するために用いられ、このような序数の使用によって用語の意味が限定して解釈されてはならない。一例として、このような序数と結合された構成要素は、その数字によって使用手順や配置順序などが制限されてはならない。必要によって、各序数は互いに取り替えて用いられることもできる。
【0027】
本明細書で単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。本出願で、「含む」または「構成される」などの用語は、明細書に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとするのであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないことに理解されるべきである。
【0028】
また、本開示の実施形態において、ある部分が他の部分と連結されているとする時、これは直接的な連結以外に、他の構成を介した間接的な連結の場合も含む。また、ある部分がある構成要素を含むという意味は、特別に反対される記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。
【0029】
図１は、本開示の一実施形態に係るダイプレクサの構造を説明するための斜視図である。図１のダイプレクサ１０は、基地局アンテナに実装されることができるが、これに限定されない。例えば、ダイプレクサ１０は、基地局以外にも多様な端末装置に実装されることができる。
【0030】
図１を参照すると、ダイプレクサ１０は、ＰＣＢ基板を実装するためのハウジング１００を含むことができる。一例として、ハウジング１００の内部は真空状態であり得る。
【0031】
ハウジング１００は、図１のように、上面、下面、及び複数の側面が備えられた角の付いた形態でＰＣＢ基板を実装するように具現されることができる。ここで、複数の側面は、隣接した側面と垂直に連結された複数の平面に該当することができる。一方、ハウジングは、このほかにも多様な形態が可能であることはもちろんである。
【0032】
ハウジング１００の内部には、誘電体層２１０、第１導電パターン２２０－１、及び第２導電パターン２２０－２で構成されたＰＣＢ基板が含まれることができる。
【0033】
具体的には、誘電体層２１０は、ハウジングの上面及び下面のそれぞれから離隔されて形成されることができ、誘電体層２１０の上面には第１導電パターン２２０－１が形成され、誘電体層２１０の下面には第２導電パターン２２０－２が形成されることができる。
【0034】
このように、本開示に係るダイプレクサ１０は、誘電体層の両面に形成された導電パターン２２０－１、２を含むストリップライン形態のＰＣＢ基板を含むことができ、ＰＣＢ基板がハウジング１００内に含まれた形態に具現されることができる。ここで、第１導電パターン２２０－１及び第２導電パターン２２０－２を通じて具現される線路の間のカップリング、線路上の共振、多重インピーダンス連結の原理を通じて各フィルタが具現される。
【0035】
この時、ハウジング１００の表面（ｅｘ．ハウジングの上面、下面など）は、グラウンドに該当することができるが、第１導電パターン２２０－１及び第２導電パターン２２０－２のそれぞれは、ハウジングの表面に接続されずに離隔された形態である。
【0036】
【0037】
図２ａを参照すると、ダイプレクサ１０のＰＣＢ基板は、アンテナ入出力ポート１、４Ｇ入出力ポート２、５Ｇ入出力ポート３とそれぞれ連結されることができる。具体的には、前述したポート１、２、３は、ハウジング１００の側面に備えられたそれぞれの接続口を介して第１導電パターン２２０－１と接続されることができる。
【0038】
図２ａを参照すると、ダイプレクサ１０のＰＣＢ基板は、機能的に低域通過フィルタ（ＬＰＦ、Ｌｏｗ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）２０１及び高域通過フィルタ（ＨＰＦ、Ｈｉｇｈ Ｐａｓｓ Ｆｉｌｔｅｒ）２０２に分けられることができる。
【0039】
一方、ハウジング１００は、低域通過フィルタ２０１と高域通過フィルタ２０２との間の電気的信号を遮断するために、直方体構造で低域通過フィルタ２０１と高域通過フィルタ２０２との間が一部凹入された形態に形成されることができる（図２ａ参照）。
【0040】
低域通過フィルタ２０１は、アンテナ入出力ポート１と４Ｇ入出力ポート２との間で、４Ｇ帯域の通過機能を実行することができる。そして、高域通過フィルタ２０２は、アンテナ入出力ポート１と５Ｇ入出力ポート３との間で５Ｇ帯域の通過機能を実行することができる。
【0041】
両面の導電パターン２２０－１、２は、互いに一部が対称の形状で対向することができ、多数のビアホール２２１を通じて互いに連結されることができる。一般的に、マイクロストリップ形態のＰＣＢ基板で利用されるビアホールとは違って、本開示に係るビアホール２２１は、グラウンド（ハウジング表面）に関係なく誘電体層２１０両面の導電パターン２２０－１、２を互いに連結するという差異点がある。
【0042】
図２ａを参照すると、両面の導電パターン２２０－１、２を通じて５つのスタブＳＴ１～ＳＴ５が配置されることができる。一例として、各スタブは、インダクタＬの役割を果たす短絡回路スタブＳＴ－Ｌと、キャパシタＣの機能を果たすオープンスタブＳＴ－Ｃとからなって、直列ＬＣ回路を具現することができる。ここで、直列ＬＣ回路のＬ値とＣ値は、四角パッチ型スタブの長さと幅によって調整されることができ、それにより、伝送零点も調整されることができる。キャパシタの場合、誘電体層２１０を間に挟んで互いに対向するように構成された両面の導電パターンの一部を通じて具現されることができる。
【0043】
この時、三つのスタブＳＴ１～ＳＴ３は、低域通過フィルタ２０１を構成し、残り二つのスタブＳＴ４～ＳＴ５は、高域通過フィルタ２０２を構成することができる。
【0044】
具体的には、低域通過フィルタ２０１は、第１伝送零点を有する共振器を具現する第１スタブＳＴ１、第２伝送零点を有する共振器を具現する第２スタブＳＴ２、及び第３伝送零点を有する共振器を具現する第３スタブＳＴ３を含むことができる。また、低域通過フィルタ２０１は、４Ｇ入出力ポート２と第１スタブＳＴ１との間を連結する第１ストリップライン、第１スタブＳＴ１と第２スタブＳＴ２とを連結する第２ストリップライン、第２スタブＳＴ２と第３スタブＳＴ３との間を連結する第３ストリップライン、及び第３スタブＳＴ３とアンテナ入出力ポート１とを連結する第４ストリップラインをそれぞれ含むことができる。
【0045】
また、高域通過フィルタ２０２は、第４伝送零点を有する共振器を具現する第４スタブＳＴ４、第５伝送零点を有する共振器を具現する第５スタブＳＴ５、５Ｇ入出力ポート３と第４スタブＳＴ４とを連結する第１オープンカップリング部、第４スタブＳＴ４と第５スタブＳＴ５との間を連結する第２オープンカップリング部、及び第５スタブＳＴ５とアンテナ入出力ポート１との間を連結する第３オープンカップリング部をそれぞれ含むことができる。
【0046】
図２ｂは、図１に示したダイプレクサを構成する低域通過フィルタ及び高域通過フィルタそれぞれの等価回路を示した図面である。低域通過フィルタ２０１に備えられたそれぞれのストリップラインはインダクタにマッチングされ、高域通過フィルタ２０２に備えられたそれぞれのオープンカップリング部はキャパシタにマッチングされることができる。
【0047】
【0048】
図３のグラフで、アンテナ入出力ポート１であるポート１（Ｐｏｒｔ １）に信号を印加した時、ポート１に戻る電力の比は反射係数であって、Ｓ（１、１）に該当する。ポート１から４Ｇ入出力ポートであるポート２（Ｐｏｒｔ ２）に伝達される電力の比は透過係数であって、Ｓ（２、１）に該当する。ポート１から５Ｇ入出力ポートであるポート３（Ｐｏｒｔ ３）への伝達は、透過係数であって、Ｓ（３、１）の特性に該当する。
【0049】
図３のグラフで、横軸は、周波数（ＧＨｚ）を示し、縦軸は、信号の大きさ（ｄＢ）を示す。
【0050】
本開示に係るダイプレクサ１０において、４Ｇ移動通信に対するターゲット帯域は７２８～２１５０ＭＨｚに対応し、５Ｇ移動通信に対するターゲット帯域は３４４０～４２００ＭＨｚ及び４４００～４９００ＭＨｚに該当する。
【0051】
図３を参照すると、Ｓ（２、１）グラフは、比較的低周波である２１５０ＭＨｚ以下の帯域を通過させる低域通過フィルタ（ＬＰＦ）の特性を示し、Ｓ（３、１）グラフは、比較的高周波である３４４０ＭＨｚ以上の帯域は通過させ、低い周波数は遮断させる高域通過フィルタ（ＨＰＦ）の特性を示す。Ｓ（１、１）グラフは、低域周波数帯と高域周波数帯を互いに隔離させる特性を示す。
【0052】
ただし、図３のＳ（２、１）グラフを参照すると、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）を通過した信号のスプリアス（Ｓｐｕｒｉｏｕｓ）が４ＧＨｚ付近で一度、４．６ＧＨｚ付近で一度それぞれ発生することが確認される。すなわち、低域通過フィルタ（ＬＰＦ）を通過した信号が高域通過フィルタ（ＨＰＦ）のターゲット帯域（３４４０～４２００ＭＨｚ及び４４００～４９００ＭＨｚ）上に不必要な影響を及ぼす可能性があるという問題がある。
【0053】
このような問題を解決するために、本開示の一実施形態に係るダイプレクサは、ハウジング１００の側面から離隔されて、ハウジング１００の上面からハウジング１００の下面まで垂直に延長された少なくとも一つのグラウンドポストを含むことができる。
【0054】
この時、グラウンドポストは、誘電体層２１０は貫通するが、第１導電パターン２２０－１及び第２導電パターン２２０－２は貫通しないこともある。すなわち、グラウンドポストは、誘電体層２１０上で第１導電パターン２２０－１及び第２導電パターン２２０－２の何れも形成されない一部領域を貫通することができる。
【0055】
【0056】
斜視図に対応する図４ａを参照すると、ダイプレクサ１０は、三つのグラウンドポスト１１０－１、２、３を含むことができる。ただし、図４ａは一例に対応し、ダイプレクサ１０が前述したグラウンドポスト１１０－１、２、３のうちの一つまたは二つのみ含む場合ももちろん可能である。また、グラウンドポスト１１０－１、２、３の少なくとも一つの位置が変更されたり、少なくとも一つのグラウンドポストが追加されることもできることはもちろんである。
【0057】
各グラウンドポスト１１０－１、２、３は円柱状であり得る。具体的には、各グラウンドポスト１１０－１、２、３は、直径が５～６ｍｍで、高さが１１～１２ｍｍの円柱状であり得る。好ましくは、各グラウンドポスト１１０－１、２、３の直径は５．２ｍｍで、高さは１１．７ｍｍであり得る。
【0058】
この時、各グラウンドポスト１１０－１、２、３の上面は、ハウジング１００の上面に接続され、各グラウンドポスト１１０－１、２、３の下面は、ハウジング１００の下面に接続されることができる。
【0059】
図４ｂは、図４ａのグラウンドポストが回転された状態で示した平面図（上面図）である。図４ｂを参照すると、各グラウンドポスト１１０－１、２、３は、それぞれハウジング１００の側面と離隔された位置で誘電体層２１０を貫通するが、導電パターン２２０－１、２とは接触されない。
【0060】
図４ｂを参照すると、第１グラウンドポスト１１０－１は、アンテナ入出力ポート１と低域通過フィルタ２０１が接続される導電パターン部分に近接して配置されることができる。具体的には、第１グラウンドポスト１１０－１は、第３スタブＳＴ３、第４ストリップライン、及びアンテナ入出力ポート１で囲まれた位置に配置されることができる。
【0061】
第２グラウンドポスト１１０－２は、アンテナ入出力ポート１と高域通過フィルタ２０２が接続される導電パターン部分に近接して配置されることができる。そして、第２グラウンドポスト１１０－２は、高域通過フィルタ２０２に含まれる第５スタブＳＴ５に近接した位置に配置されることができる。
【0062】
具体的には、第１グラウンドポスト１１０－１及び第２グラウンドポスト１１０－２は、アンテナ入出力ポート１を第３ストリップライン及び第３オープンカップリング部とそれぞれ接続されるようにする導電パターン部分を間に挟んで互いに反対側に位置することができる。
【0063】
第３グラウンドポスト１１０－３は、高域通過フィルタ２０２を構成する共振器のそれぞれにマッチングされるスタブＳＴ４、ＳＴ５の間に配置されることができる。そして、第３グラウンドポスト１１０－３は第２オープンカップリング部と近接して配置されることができる。
【0064】
【0065】
【0066】
特に、従来に４４００～４９００ＭＨｚ帯域内に存在していたスプリアスはより高域帯である５．５ＧＨｚ付近に移動したことが確認される。また、３４４０～４２００ＭＨｚ帯域内に存在していたスプリアスも、当該帯域を完全に超えなかった状態ではあるが、図３の場合と比べた時、やや上昇された周波数上に発生位置が変更された。一方、このほかにも低域通過フィルタ２０１の通過帯域が図３に比べてより広くなったという効果もある。
【0067】
このように、グラウンドポスト１１０－１、２、３は、低域通過フィルタ２０１にマッチングされる信号Ｓ（２、１）のスプリアスが高域通過フィルタ２０２にマッチングされる信号Ｓ（３、１）のターゲット帯域に及ぶ影響を縮小させるという効果がある。
【0068】
一方、一実施形態に係ると、ダイプレクサ１０は、ハウジング１００の下面のうち第２導電パターン２２０－２の少なくとも一部と対向する一領域から第２導電パターン２２０－２の方向に垂直に延長された少なくとも一つのグラウンドポストを含むことができる。
【0069】
本グラウンドポストは、四角柱状であり得、ハウジングの下面から誘電体層の下面（第２導電パターン２２０－２）と近接した地点まで垂直に延長された形態であり得る。具体的には、本グラウンドポストは、ハウジング１００の下面から第２導電パターン２２０－２と近接離隔された一地点まで延長されるように形成されることができ、第２導電パターン２２０－２と接触しないこともある。
【0070】
【0071】
図６ａを参照すると、ダイプレクサ１０は、前述したグラウンドポスト１１０－１、２、３のほかに、追加的に四角柱状のグラウンドポスト１１０－４をさらに含むことができる。
【0072】
図６ａを参照すると、グラウンドポスト１１０－４は、高域通過フィルタ２０２の共振器の一つにマッチングされる第４スタブＳＴ４の垂直下方向に形成されることができる。具体的には、グラウンドポスト１１０－４は、高域通過フィルタ２０２の第４スタブＳＴ４とマッチングされる第２導電パターン２２０－２の一部分と対向するハウジング１００の一領域から第２導電パターン２２０－２の方向に垂直に延長されるように形成されることができる。
【0073】
【0074】
図６ｂを参照すると、グラウンドポスト１１０－４は、ハウジング１００の下面から垂直に延長されて、第２導電パターン２２０－２と近接離隔された地点まで形成されることができる。具体的には、グラウンドポスト１１０－４の高さは、３～５ｍｍに該当することができ、一例として、４ｍｍに該当することができる。この時、四角柱であるグラウンドポスト１１０－４の四角面の横及び縦は、それぞれ２ｍｍに対応し得るが、これに限定されない。
【0075】
【0076】
図７のＳ（２、１）グラフを参照すると、４４００～４９００ＭＨｚ帯域に影響を及ぼしていたスプリアスだけでなく、図５で相変らず３４４０～４２００ＭＨｚ帯域に一部影響を及ぼしていたスプリアスもターゲット帯域（３２２０～４２００ＭＨｚ）を超えるように変更されながら、ターゲット帯域に対する干渉が図５のグラフよりもさらに減少されたことが確認される。
【0077】
グラウンドポスト１１０－１、２、３、４ごとに関連特性を説明すると、グラウンドポスト１１０－１はＳ（２、１）グラフによって確認される低域通過の帯域がより広くなった結果に関連性があり、グラウンドポスト１１０－２は、３４４０～４２００ＭＨｚ帯域に影響を及ぼしたスプリアスの周波数が変更された結果と関連性があり、グラウンドポスト１１０－３は、４４００～４９００ＭＨｚ帯域に影響を及ぼしていたスプリアスの周波数が変更された結果と関連性がある。
【0078】
一方、図３のＳ（３、１）グラフが２．２ＧＨｚ近所に現れた急激な出力下落を見せた。ただし、グラウンドポスト１１０－４の影響により、図７のＳ（３、１）グラフでは相対的により高い周波数で当該出力下落が発生することによって、低域通過フィルタ２０１の通過信号と高域通過フィルタ２０２の通過信号との間の孤立度がさらに向上されたことに解釈され得る。
【0079】
一方、図６ａ～図６ｂでは、ダイプレクサ１０が円柱のグラウンドポスト１１０－１、２、３及び四角柱のグラウンドポスト１１０－４を全部含む場合のみを示したが、ダイプレクサ１０が四角柱のグラウンドポストのみを一つ以上含む実施例ももちろん可能である。
【0080】
これに関して、図８は、本開示の一実施形態によって、スプリアスを解決するためのグラウンドポストを含むダイプレクサの構造を説明するための図面である。
【0081】
図８を参照すると、ダイプレクサ１０は、ハウジング１００の下面から第２導電パターン２２０－２の方向に垂直に延長されたグラウンドポスト１１０－４を含むことができ、図８のダイプレクサ１０も、図１のダイプレクサ１０に比べた時スプリアスの干渉及び／またはフィルタ信号の孤立度の面でより優れた性能を見せることができる。
【0082】
【0083】
具体的には、図８のグラウンドポスト１１０－４は、ハウジング１００の下面から第２導電パターン２２０－２と近接離隔された一地点まで垂直に延長されて形成されることができる。
【0084】
図８のグラウンドポスト１１０－４は、ハウジング１００の下面のうち、高域通過フィルタ２０２の共振器にマッチングされる第２導電パターン２２０－２の一部分（第４スタブＳＴ４）と対向する一領域から第２導電パターン２２０－２の方向に垂直に延長されて形成されることができる。
【0085】
また、図８のグラウンドポスト１１０－４は、高さが３～５ｍｍに該当することができ、上面及び下面の横及び縦がそれぞれ２ｍｍに該当することができるが、これに限定されない。
【0086】
以上、本開示の好ましい実施形態について図示して説明したが、本開示は前述した特定の実施形態に限定されず、特許請求範囲で請求する本開示の要旨を逸脱することなく、当該開示に属する技術分野において通常の知識を有する者によって多様な変形実施が可能であることはもちろんで、このような変形実施は、本開示の技術的思想や展望から個別的に理解されてはならない。
【符号の説明】
【0087】
１０：ダイプレクサ
１００：ハウジング
２１０：誘電体層
２２０－１：第１導電パターン
２２０－２：第２誘電パターン
１１０－１：第１グラウンドポスト
１１０－２：第２グラウンドポスト
１１０－３：第３グラウンドポスト
１１０－４：第４グラウンドポスト
１００：ハウジング
２１０：誘電体層
２２０－１：第１導電パターン
２２０－２：第２誘電パターン
１１０－１：第１グラウンドポスト
１１０－２：第２グラウンドポスト
１１０－３：第３グラウンドポスト
１１０－４：第４グラウンドポスト
【図1】
【図2a】
【図2b】
【図 】
【図3】
【図4a】
【図4b】
【図5】
【図6a】
【図6b】
【図7】
【図8】
