特許 7527812 コイル部品及び電子機器

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-26

(45)【発行日】2024-08-05

(54)【発明の名称】コイル部品及び電子機器

(51)【国際特許分類】

   H01F 17/00 20060101AFI20240729BHJP

【ＦＩ】

H01F17/00 B

【請求項の数】 9

(21)【出願番号】P 2020033726

(22)【出願日】2020-02-28

(65)【公開番号】P2021136395

(43)【公開日】2021-09-13

【審査請求日】2023-02-02

【前置審査】

(73)【特許権者】

【識別番号】000204284

【氏名又は名称】太陽誘電株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110004370

【氏名又は名称】弁理士法人片山特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】青柳 善雄

【審査官】後藤 嘉宏

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１８－１９５６２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１８－１７０４４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１９－１３４１４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０１７／２０８４２８（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１６－１０３５９１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－０７６６０６（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１６／０１９６９０６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２００３－２２５８９７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｆ １７／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ガラスエポキシ基板と、
前記ガラスエポキシ基板の一方の面上に設けられ、金属元素又は前記金属元素の合金からなり、巻軸が前記一方の面に垂直で平面視において渦巻状に巻回した平面渦巻状の巻回部を含むコイル導体と、
前記ガラスエポキシ基板の前記一方の面上に前記ガラスエポキシ基板に接して設けられる、シリコンを含む絶縁膜と、
前記ガラスエポキシ基板の前記一方の面上に、前記巻軸に垂直な一方の面が前記シリコンを含む絶縁膜に接して設けられ、前記巻回部の間を平面視において前記巻回部に沿って渦巻状に延在する平面渦巻状の樹脂壁と、を備え、
前記シリコンを含む絶縁膜は、前記ガラスエポキシ基板と前記巻回部との間から前記ガラスエポキシ基板と前記樹脂壁との間にかけて設けられ、
前記巻回部の前記ガラスエポキシ基板側の面及び前記樹脂壁の前記一方の面は前記シリコンを含む絶縁膜の上面に接している、コイル部品。

【請求項2】

前記シリコンを含む絶縁膜の厚さを前記ガラスエポキシ基板の前記シリコンを含む絶縁膜が設けられた面の算術平均粗さで割った値は３以下である、請求項１に記載のコイル部品。

【請求項3】

前記シリコンを含む絶縁膜の厚さを前記ガラスエポキシ基板の前記シリコンを含む絶縁膜が設けられた面の算術平均粗さで割った値は０．５以上２．５以下である、請求項１に記載のコイル部品。

【請求項4】

前記シリコンを含む絶縁膜の前記樹脂壁が設けられた面の算術平均粗さは、前記ガラスエポキシ基板の前記シリコンを含む絶縁膜が設けられた面の算術平均粗さよりも大きい、請求項１から３のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項5】

前記シリコンを含む絶縁膜は酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜である、請求項１から４のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項6】

前記樹脂壁はエポキシ樹脂で形成され、
前記シリコンを含む絶縁膜は酸化シリコン膜である、請求項２から４のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項7】

前記樹脂壁を挟んで位置する前記巻回部の間の、前記樹脂壁が前記絶縁膜に接している部分の最短距離である前記樹脂壁の幅は２０μｍ未満である、請求項１から６のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項8】

前記巻回部は前記ガラスエポキシ基板に接触していない、請求項１から７のいずれか一項に記載のコイル部品。

【請求項9】

請求項１から８のいずれか一項に記載のコイル部品と、
前記コイル部品が実装されている回路基板と、を備える、電子機器。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、コイル部品及び電子機器に関する。

【背景技術】

【0002】

基板上に平面状のコイル導体が設けられたコイル部品が知られている。例えば、平面状のコイル導体と、コイル導体の巻回部が間に延びる樹脂壁を有する樹脂体と、が基板上に設けられたコイル部品が知られている（例えば、特許文献１）。また、フェライト層を有する磁性基板と絶縁層の密着力を向上させる方法（例えば、特許文献２）、及び絶縁層とめっき膜の密着力を向上させる方法（例えば、特許文献３）が知られている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１６－１０３５９１号公報

【文献】特開２０１５－７６６０６号公報

【文献】特開２００３－２２５８９７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

電子機器の小型化及び高機能化に伴い、コイル部品に更なる小型化が要求されている。ガラスエポキシ基板上に平面状のコイル導体とコイル導体の巻回部の間に延在する樹脂壁とが設けられたコイル部品では、小型化のために樹脂壁の幅を狭くすると、樹脂壁の密着性が低下し、コイル導体がガラスエポキシ基板と樹脂壁の界面を介して短絡する場合がある。

【0005】

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ガラスエポキシ基板と樹脂壁の密着性を向上させることを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明は、ガラスエポキシ基板と、前記ガラスエポキシ基板の一方の面上に設けられ、金属元素又は前記金属元素の合金からなり、巻軸が前記一方の面に垂直で平面視において渦巻状に巻回した平面渦巻状の巻回部を含むコイル導体と、前記ガラスエポキシ基板の前記一方の面上に前記ガラスエポキシ基板に接して設けられる、シリコンを含む絶縁膜と、前記ガラスエポキシ基板の前記一方の面上に、前記巻軸に垂直な一方の面が前記シリコンを含む絶縁膜に接して設けられ、前記巻回部の間を平面視において前記巻回部に沿って渦巻状に延在する平面渦巻状の樹脂壁と、を備え、前記シリコンを含む絶縁膜は、前記ガラスエポキシ基板と前記巻回部との間から前記ガラスエポキシ基板と前記樹脂壁との間にかけて設けられ、前記巻回部の前記ガラスエポキシ基板側の面及び前記樹脂壁の前記一方の面は前記シリコンを含む絶縁膜の上面に接している、コイル部品である。

【0007】

上記構成において、前記シリコンを含む絶縁膜の厚さを前記ガラスエポキシ基板の前記シリコンを含む絶縁膜が設けられた面の算術平均粗さで割った値は３以下である構成とすることができる。

【0008】

上記構成において、前記シリコンを含む絶縁膜の厚さを前記ガラスエポキシ基板の前記シリコンを含む絶縁膜が設けられた面の算術平均粗さで割った値は０．５以上２．５以下である構成とすることができる。

【0009】

上記構成において、前記シリコンを含む絶縁膜の前記樹脂壁が設けられた面の算術平均粗さは、前記ガラスエポキシ基板の前記シリコンを含む絶縁膜が設けられた面の算術平均粗さよりも大きい構成とすることができる。

【0010】

上記構成において、前記シリコンを含む絶縁膜は酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜である構成とすることができる。

【0011】

上記構成において、前記樹脂壁はエポキシ樹脂で形成され、前記シリコンを含む絶縁膜は酸化シリコン膜である構成とすることができる。

【0012】

上記構成において、前記樹脂壁を挟んで位置する前記巻回部の間の、前記樹脂壁が前記絶縁膜に接している部分の最短距離である前記樹脂壁の幅は２０μｍ未満である構成とすることができる。

【0013】

上記構成において、前記巻回部は前記ガラスエポキシ基板に接触していない構成とすることができる。

【0014】

本発明は、上記に記載のコイル部品と、前記コイル部品が実装されている回路基板と、を備える、電子機器である。

【発明の効果】

【0015】

本発明によれば、ガラスエポキシ基板と樹脂壁の密着性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0016】

【図1】図１は、本願発明の第１の実施形態に係るコイル部品を示す斜視図である。

【図2】図２（ａ）は、図１のＡ方向から見た場合の内部透視平面図であり、図２（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ断面図である。

【図3】図３（ａ）から図３（ｅ）は、第１の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を示す断面図（その１）である。

【図4】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、第１の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を示す断面図（その２）である。

【図5】図５は、本願発明の第２の実施形態に係るコイル部品を示す断面図である。

【図6】図６（ａ）から図６（ｅ）は、第２の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を示す断面図である。

【図7】図７は、本願発明の第３の実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。

【図8】図８（ａ）は、実施例に相当する試料の断面図、図８（ｂ）は、比較例に相当する試料の断面図である。

【図9】図９（ａ）から図９（ｃ）は、表１の結果をグラフで表した図である。

【図10】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、絶縁膜の膜厚が変わることで絶縁膜の表面粗さが変化するメカニズムを示す図である。

【図11】図１１は、絶縁膜に酸化チタン膜を用いた場合の剥離試験の結果を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0017】

以下、図面を適宜参照しながら、本願発明の実施形態について説明する。但し、本願発明は図示された態様に限定される訳ではない。また、複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。

【0018】

［第１の実施形態］
図１は、本願発明の第１の実施形態に係るコイル部品を示す斜視図である。図２（ａ）は、図１のＡ方向から見た場合の内部透視平面図であり、図２（ｂ）は、図１のＢ－Ｂ断面図である。なお、図１のＡ方向とは反対の方向から見た場合の内部透視平面図は図２（ａ）と同様であるため図示を省略する。図２（ａ）では、図の明瞭化のために、コイル導体２１ａと樹脂壁３０ａにハッチングを付している。図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）では、コイル部品として例えばパワーインダクタに用いられる薄膜インダクタの場合を例に示すがその他の場合でもよい。

【0019】

図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）を参照して、コイル部品１００は、ガラスエポキシ基板１０、コイル２０、樹脂壁３０ａ及び３０ｂ、絶縁膜４０ａ及び４０ｂ、磁性体膜５０、及び外部電極６０ａ及び６０ｂを備える。コイル部品１００の「長さ」方向、「幅」方向、及び「厚さ」方向をそれぞれ、図１、図２（ａ）、及び図２（ｂ）において「Ｌ」方向、「Ｗ」方向、「Ｔ」方向と図示している。コイル部品１００は、例えば、長さ寸法（Ｌ軸方向の寸法）が１ｍｍ～５ｍｍ、幅寸法（Ｗ軸方向の寸法）が０．５ｍｍ～４ｍｍ、厚さ寸法（Ｔ軸方向の寸法）が０．１ｍｍ～３ｍｍである。

【0020】

ガラスエポキシ基板１０は、例えば矩形状であり、中央部に主面１１ａから主面１１ａとは反対の主面１１ｂにかけて貫通する円形状の貫通孔１２が設けられている。ガラスエポキシ基板１０は例えばＦＲ－４基板又はＦＲ－５基板である。ガラスエポキシ基板１０の厚さは例えば４０μｍ～１２０μｍである。

【0021】

ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ上に主面１１ａに接して絶縁膜４０ａが設けられ、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ｂ上に主面１１ｂに接して絶縁膜４０ｂが設けられている。絶縁膜４０ａ及び４０ｂは、シリコン（Ｓｉ）を含む絶縁膜であり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ）膜、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、又は酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜である。絶縁膜４０ａ及び４０ｂの厚さは、後述のように絶縁膜４０ａ及び４０ｂが接するガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂの算術平均粗さと関係し、例えば、絶縁膜４０ａ及び４０ｂの厚みを各々が接するガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂの算術平均粗さで割った値が３以下である。これを具体的な絶縁膜４０ａ及び４０ｂの厚み寸法で言うならば、例えば１０ｎｍ～１０００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ～３００ｎｍがより好ましい。絶縁膜４０ａ及び４０ｂが薄すぎるとガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂの凹凸を十分に被覆しない場合があり、厚すぎるとコイル部品１００の低背化に不利であり且つ製造コストが増大するためである。絶縁膜４０ａ及び／又は４０ｂは、ガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２の内面に延びていてもよい。

【0022】

ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ上に絶縁膜４０ａを介して平面状のコイル導体２１ａが形成され、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ｂ上に絶縁膜４０ｂを介して平面状のコイル導体２１ｂが形成されている。コイル導体２１ａは、平面状に巻回された渦巻状の巻回部２２ａと、巻回部２２ａから引き出された引出部２３ａと、を有する。すなわち、コイル導体２１ａは、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａに平行に延在する平面渦巻状のコイル形状をしている。同様に、コイル導体２１ｂは、平面状に巻回された渦巻状の巻回部２２ｂと、巻回部２２ｂから引き出された引出部２３ｂと、を有する。すなわち、コイル導体２１ｂは、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ｂに平行に延在する平面渦巻状のコイル形状をしている。

【0023】

コイル導体２１ａの巻回部２２ａとコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂは、ガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２の周りを回って設けられている。巻回部２２ａと巻回部２２ｂは、ガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２の内面に設けられた金属層（不図示）によって電気的に接続されている。これにより、コイル導体２１ａと２１ｂからコイル２０が形成されている。コイル導体２１ａ及び２１ｂは、金属元素又は金属元素の合金からなり、例えば銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）、又はこれらの合金で形成されている。

【0024】

ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ上に絶縁膜４０ａに接して樹脂壁３０ａが形成され、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ｂ上に絶縁膜４０ｂに接して樹脂壁３０ｂが形成されている。樹脂壁３０ａ及び３０ｂは、感光性樹脂で形成された有機樹脂膜であり、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂で形成されている。樹脂壁３０ａ及び３０ｂには、例えば無機物等のフィラーは含まれていない。樹脂壁３０ａで囲まれた空間内にコイル導体２１ａが形成され、樹脂壁３０ｂで囲まれた空間内にコイル導体２１ｂが形成されている。すなわち、樹脂壁３０ａはコイル導体２１ａの巻回部２２ａの間を延在し、樹脂壁３０ｂはコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂの間を延在している。

【0025】

樹脂壁３０ａ及び３０ｂの幅Ｘは例えば５μｍ以上２０μｍ未満である。樹脂壁３０ａ及び３０ｂの高さＹは例えば３０μｍ以上１５０μｍ未満である。コイル導体２１ａの巻回部２２ａ及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂの幅は例えば１０μｍ以上８０μｍ未満である。コイル導体２１ａの巻回部２２ａ及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂの高さは、樹脂壁３０ａ及び３０ｂの高さ未満であることが隣接する導体間の絶縁性の上で好ましく、次いで高さが等しいことが好ましく、例えば３０μｍ以上１５０μｍ未満である。

【0026】

コイル導体２１ａ及び２１ｂの上面を覆って樹脂膜３２が設けられていてもよい。樹脂膜３２は、樹脂壁３０ａ及び３０ｂと同じ材料で形成されていてもよいし、異なる材料で形成されていてもよい。

【0027】

ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上にコイル導体２１ａ及び２１ｂ並びに樹脂壁３０ａ及び３０ｂを覆って磁性体膜５０が設けられている。磁性体膜５０はガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２内にも埋め込まれている。磁性体膜５０は、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ系、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系、又はＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ－Ａｌ系等の軟磁性合金材料、Ｆｅ又はＮｉ等の磁性金属材料、アモルファス磁性金属材料、或いはナノ結晶磁性金属材料等の金属磁性材料を含む膜である。磁性体膜５０は、Ｎｉ－Ｚｎ系又はＭｎ－Ｚｎ系のフェライト材料を含む膜であってもよい。

【0028】

磁性体膜５０の表面に外部電極６０ａ及び６０ｂが設けられている。外部電極６０ａはコイル導体２１ａの引出部２３ａに電気的に接続され、外部電極６０ｂはコイル導体２１ｂの引出部２３ｂに電気的に接続されている。

【0029】

図２（ａ）及び図２（ｂ）では、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａにコイル導体２１ａが設けられ、主面１１ｂにコイル導体２１ｂが設けられている場合を例に示したがこの場合に限られない。ガラスエポキシ基板１０の一方の主面、例えば主面１１ａにのみコイル導体が設けられ、主面１１ｂにコイル導体が設けられていない場合でもよい。この場合、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａに設けられたコイル導体はその両端部に第１引出部と第２引出部を有する。外部電極６０ａはガラスエポキシ基板１０の主面１１ａに設けられた第１引出部に電気的に接続され、外部電極６０ｂはガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２を通って主面１１ａから主面１１ｂにかけて延在する第２引出部に電気的に接続される。

【0030】

［製造方法］
図３（ａ）から図４（ｂ）は、第１の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を示す断面図である。図３（ａ）を参照して、ガラスエポキシ基板１０の中央部にドリル加工又はレーザ加工等を用いて貫通孔１２を形成する。次いで、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上に、例えばスパッタリング法を用いて、Ｓｉを含む絶縁膜４０ａ及び４０ｂを形成する。スパッタリング法以外に、化学気相成長（ＣＶＤ）法、パルスレーザ体積（ＰＬＤ）法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、又は原子層体積（ＡＬＤ）法を用いることもできるが、本願発明においてはスパッタリング法を用いることが好ましい。絶縁膜４０ａ及び／又は４０ｂはガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２の内面に形成されてもよい。次いで、絶縁膜４０ａ及び４０ｂ上に、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＭＢＥ法、又はＡＬＤ法を用いて、めっきのためのシード層２５を形成する。シード層２５と絶縁膜４０ａ及び４０ｂの間にチタン等の密着層を形成してもよい。

【0031】

図３（ｂ）を参照して、シード層２５上にレジスト膜２６を形成した後、レジスト膜２６を所望の形状にパターニングする。ガラスエポキシ基板１０に貫通孔１２が設けられていることから、レジスト膜２６はドライフィルムレジストを用いて形成することが好ましい。次いで、レジスト膜２６をマスクとしてシード層２５をエッチングする。

【0032】

図３（ｃ）を参照して、レジスト膜２６を除去した後、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上に感光性樹脂膜３５を形成する。感光性樹脂膜３５はＳｉを含む樹脂膜である。ガラスエポキシ基板１０に貫通孔１２が設けられていることから、感光性樹脂膜３５はシートタイプの感光性樹脂膜を用いることが好ましい。

【0033】

図３（ｄ）を参照して、感光性樹脂膜３５に対して露光及び現像を行ってパターニングし、樹脂壁３０ａ及び３０ｂを形成する。

【0034】

図３（ｅ）を参照して、シード層２５上に電解めっき法を用いてコイル導体２１ａ及び２１ｂを形成する。

【0035】

図４（ａ）を参照して、コイル導体２１ａ及び２１ｂの上面に樹脂膜３２を形成する。樹脂膜３２は、例えばコイル導体２１ａ及び２１ｂ上にシートタイプの感光性樹脂膜を貼り付け、この感光性樹脂膜に対して露光及び現像を行ってパターニングすることで形成される。次いで、ガラスエポキシ基板１０の貫通孔１２に充填され且つコイル導体２１ａ及び２１ｂと樹脂壁３０ａ及び３０ｂを覆う磁性体膜５０を形成する。

【0036】

図４（ｂ）を参照して、磁性体膜５０の表面に、例えばペースト印刷法、めっき法、又はスパッタリング法等の薄膜プロセスで用いられる方法によって、コイル導体２１ａに接続される外部電極６０ａ及びコイル導体２１ｂに接続される外部電極６０ｂを形成する。

【0037】

第１の実施形態によれば、図２（ｂ）のように、ガラスエポキシ基板１０上にガラスエポキシ基板１０に接してシリコンを含む絶縁膜４０ａが設けられている。樹脂壁３０ａはガラスエポキシ基板１０上にシリコンを含む絶縁膜４０ａに接して設けられている。これにより、樹脂壁３０ａに含まれる炭素（Ｃ）と絶縁膜４０ａに含まれるシリコン（Ｓｉ）とが結合し、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａとの間の密着性を向上させることができる。よって、コイル導体２１ａがガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの界面を介して短絡することを抑制できる。ガラスエポキシ基板１０の主面１１ｂ上に形成されたシリコンを含む絶縁膜４０ｂ、樹脂壁３０ｂ、及びコイル導体２１ｂに関しても同様である。

【0038】

絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられた主面１１ａの算術平均粗さで割った値は３以下である場合が好ましい。絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の主面１１ａの算術平均粗さで割った値が３以下であれば、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられる面の表面粗さが小さくなることが抑制される。このため、樹脂壁３０ａと絶縁膜４０ａの間のアンカー効果が向上し、樹脂壁３０ａとガラスエポキシ基板１０との密着性がより向上する。絶縁膜４０ａの厚さは走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による断面観察により測定することができる。ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａの算術平均粗さは、平面研磨及びウエットエッチングによってガラスエポキシ基板１０の主面１１ａを露出させ、露出した主面１１ａを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定することで求められる。上記と同様な理由から、絶縁膜４０ｂの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ｂが設けられた主面１１ｂの算術平均粗さで割った値は３以下である場合が好ましい。

【0039】

絶縁膜４０ａが厚くなると絶縁膜４０ａの表面粗さが小さくなってアンカー効果が弱まることから、絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられた主面１１ａの算術平均粗さで割った値は２．５以下である場合がより好ましい。一方、絶縁膜４０ａが薄くなるとガラスエポキシ基板１０の主面１１ａの凹凸に対する絶縁膜４０ａの被覆性が悪くなり且つ絶縁膜４０ａの表面粗さも小さくなる。このため、絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられた主面１１ａの算術平均粗さで割った値は０．５以上が好ましい。同様に、絶縁膜４０ｂの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ｂが設けられた主面１１ｂの算術平均粗さで割った値は０．５以上２．５以下である場合が好ましい。

【0040】

絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さは、ガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられた主面１１ａの算術平均粗さよりも大きい場合が好ましい。これにより、樹脂壁３０ａと絶縁膜４０ａのアンカー効果が高まり、樹脂壁３０ａとガラスエポキシ基板１０との密着性が向上する。同様に、絶縁膜４０ｂの樹脂壁３０ｂが設けられる面の算術平均粗さは、ガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ｂが設けられる主面１１ｂの算術平均粗さよりも大きい場合が好ましい。

【0041】

絶縁膜４０ａ及び４０ｂは酸化シリコン、窒化シリコン、又は酸化窒化シリコンで形成される場合が好ましい。これにより、樹脂壁３０ａ及び３０ｂに含まれる炭素（Ｃ）と絶縁膜４０ａ及び４０ｂに含まれるシリコン（Ｓｉ）とが結合し、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａ及び３０ｂとの間の密着性が向上する。

【0042】

コイル部品１００の小型化のために樹脂壁３０ａ及び３０ｂの幅Ｘ（図２（ｂ）参照）は２０μｍ未満の場合が好ましい。この場合、樹脂壁３０ａ及び３０ｂがガラスエポキシ基板１０に接合する面積が小さくなる。このため、樹脂壁３０ａ及び３０ｂとガラスエポキシ基板１０の密着力が小さくなり、樹脂壁３０ａ及び３０ｂが部分的にガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂより剥離してしまい、隣接するコイル導体２１ａの巻回部２２ａ同士及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂ同士で絶縁不良が生じることがある。本願発明では、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａ及び３０ｂとの間にシリコンを含む絶縁膜４０ａ及び４０ｂが設けられることで、樹脂壁３０ａ及び３０とガラスエポキシ基板１０の密着性の低下を抑制でき、樹脂壁３０ａ及び３０ｂが部分的にガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂより剥離し、隣接するコイル導体２１ａの巻回部２２ａ同士及び隣接するコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂ同士で絶縁不良が生じることを抑制できる。さらに、コイル部品１００の小型化のために樹脂壁３０ａ及び３０ｂの幅Ｘ（図２（ｂ）参照）は１５μｍ未満の場合がより好ましく、１０μｍ未満の場合が更に好ましい。樹脂壁３０ａ及び３０ｂの幅Ｘを小さくした場合、樹脂壁３０ａ及び３０ｂとガラスエポキシ基板１０の密着力が小さくなるため、樹脂壁３０ａ及び３０ｂの高さＹを高く作製することが困難になる。コイル導体２１ａの巻回部２２ａ及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂは、隣接するコイル導体２１ａの巻回部２２ａ同士及び隣接するコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂ同士で絶縁性を保つ必要から、その高さを樹脂壁３０ａ及び３０ｂの高さ以下とすることが好ましい。このことは、コイル導体２１ａの巻回部２２ａ及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂを高アスペクト比寸法とすることが困難になることを意味する。本願発明では、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａ及び３０ｂとの間にシリコンを含む絶縁膜４０ａ及び４０ｂが設けられることで、樹脂壁３０ａ及び３０とガラスエポキシ基板１０の密着性の低下を抑制できるため、樹脂壁３０ａ及び３０ｂの幅Ｘを小さくした場合でも、樹脂壁３０ａ及び３０ｂの高さＹを高く作製することができる。よって、コイル導体２１ａの巻回部２２ａ及びコイル導体２１ｂの巻回部２２ｂを高アスペクト比寸法とすることができる。このことは、限られた部品寸法で、コイル周回数を多くでき且つコイル導体のＲｄｃ（直流抵抗）を小さくできることになり、コイル部品を小型化できる。

【0043】

［第２の実施形態］
図５は、本願発明の第２の実施形態に係るコイル部品を示す断面図である。図５を参照して、コイル部品２００では、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの間に設けられた絶縁膜４０ａはコイル導体２１ａが設けられた箇所で分断されている。コイル導体２１ａは、絶縁膜４０ａとは接してなく、絶縁膜４０ａから離れて設けられている。同様に、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ｂの間に設けられた絶縁膜４０ｂはコイル導体２１ｂが設けられた箇所で分断されている。コイル導体２１ｂは、絶縁膜４０ｂとは接してなく、絶縁膜４０ｂから離れて設けられている。その他の構成は、第１の実施形態のコイル部品１００と同じであるため説明を省略する。

【0044】

［製造方法］
図６（ａ）から図６（ｅ）は、第２の実施形態のコイル部品の製造方法の一例を示す断面図である。図６（ａ）を参照して、ガラスエポキシ基板１０の中央部にドリル加工又はレーザ加工等を用いて貫通孔１２を形成する。次いで、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上に、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＭＢＥ法、又はＡＬＤ法を用いて、めっきのためのシード層２５を形成する。シード層２５とガラスエポキシ基板１０の間にチタン等の密着層を形成してもよい。

【0045】

図６（ｂ）を参照して、シード層２５上にレジスト膜２６を形成した後、レジスト膜２６を所望の形状にパターニングする。次いで、レジスト膜２６をマスクとしてシード層２５をエッチングする。

【0046】

図６（ｃ）を参照して、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上に、例えばスパッタリング法を用いて、Ｓｉを含む絶縁膜４０ａ及び４０ｂを形成する。スパッタリング法以外に、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＭＢＥ法、又はＡＬＤ法を用いることもできるが、本願発明においてはスパッタリング法を用いることが好ましい。

【0047】

図６（ｄ）を参照して、レジスト膜２６及びレジスト膜２６上の絶縁膜４０ａ及び４０ｂをリフトオフ法により除去することができる。これにより、上述したようにコイル導体２１ａ及び２１ｂと絶縁膜４０ａ及び４０ｂが接しないようにすることができ、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂのコイル導体２１ａ及び２１ｂの面を平滑化できるため高周波特性を良好にできる。その後、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ及び１１ｂ上に感光性樹脂膜３５を形成する。感光性樹脂膜３５はＳｉを含む樹脂膜である。

【0048】

図６（ｅ）を参照して、感光性樹脂膜３５に対して露光及び現像を行ってパターニングし、樹脂壁３０ａ及び３０ｂを形成する。次いで、シード層２５上に電解めっき法を用いてコイル導体２１ａ及び２１ｂを形成する。これ以降は、第１の実施形態の図４（ａ）及び図４（ｂ）で説明した工程と同じ工程を行う。

【0049】

第２の実施形態においても、第１の実施形態と同じく、ガラスエポキシ基板１０上に、ガラスエポキシ基板１０に接してシリコンを含む絶縁膜４０ａが設けられ、シリコンを含む絶縁膜４０ａに接して樹脂壁３０ａが設けられている。また、ガラスエポキシ基板１０上に、ガラスエポキシ基板１０に接してシリコンを含む絶縁膜４０ｂが設けられ、シリコンを含む絶縁膜４０ｂに接して樹脂壁３０ｂが設けられている。これにより、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａ及び３０ｂとの間の密着性を向上させることができる。

【0050】

コイル部品に高周波信号が入力される場合は一般的に表皮効果が見られる。表皮効果によってコイル導体２１ａの表面での電流密度が高くなる。第１の実施形態のように、コイル導体２１ａが絶縁膜４０ａに接して設けられている場合、絶縁膜４０ａの表面粗さはアンカー効果が発揮されるように大きいことから、コイル導体２１ａの絶縁膜４０ａに接合する面の表面粗さが大きくなる。このため、表皮効果によってコイル導体２１ａの表面での電流密度が高くなる場合では、電流の損失が大きくなってしまう。一方、第２の実施形態のように、コイル導体２１ａが絶縁膜４０ａから離れて設けられている場合、コイル導体２１ａは表面粗さの大きい絶縁膜４０ａに接していないことから、コイル導体２１ａの表面粗さが小さくなる。よって、表皮効果によってコイル導体２１ａの表面での電流密度が高くなる場合でも、電流の損失を抑えることができる。コイル導体２１ｂにおいても同様である。

【0051】

［第３の実施形態］
図７は、本願発明の第３の実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。図７では、図の明瞭化のために、半田７２にハッチングを付している。図７を参照して、電子機器３００は、回路基板７０と、回路基板７０に実装された第１の実施形態のコイル部品１００と、を備える。コイル部品１００は、外部電極６０ａ、６０ｂが半田７２によって回路基板７０の電極７１に接合されることで、回路基板７０に実装されている。これにより、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａ及び３０ｂとの間の密着性が向上したコイル部品１００を備えた電子機器３００が得られる。なお、第３の実施形態では、回路基板７０に第１の実施形態のコイル部品１００が実装されている場合を例に示したが、第２の実施形態に係るコイル部品２００が実装されていてもよい。

【実施例】

【0052】

以下、本願発明についてより具体的に説明するが、本願発明はこれらに記載された態様に限定されるわけではない。

【0053】

［実施例１］
図８（ａ）は、実施例に相当する試料の断面図である。図８（ａ）を参照して、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａ上に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜である絶縁膜４０ａをスパッタリング法で形成した。絶縁膜４０ａ上にシートタイプの感光性エポキシ樹脂膜を貼り付け、この感光性エポキシ樹脂膜に対して露光及び現像を行ってパターニングすることで、絶縁膜４０ａ上にエポキシ樹脂で形成された樹脂壁３０ａを形成した。絶縁膜４０ａの厚さを５０ｎｍとした。樹脂壁３０ａの幅Ｘは１５μｍとした。

【0054】

［実施例２］
絶縁膜４０ａの厚さを１００ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。

【0055】

［実施例３］
絶縁膜４０ａの厚さを１５０ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。

【0056】

［実施例４］
絶縁膜４０ａの厚さを２００ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。

【0057】

［実施例５］
絶縁膜４０ａの厚さを２５０ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。

【0058】

［実施例６］
絶縁膜４０ａの厚さを３００ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。

【0059】

［実施例７］
絶縁膜４０ａの厚さを３５０ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。

【0060】

［実施例８］
絶縁膜４０ａの厚さを４００ｎｍとした点以外は、図８（ａ）の構造とした。

【0061】

［比較例１］
図８（ｂ）は、比較例１に相当する試料の断面図である。図８（ｂ）を参照して、ガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａ上に絶縁膜を介さずにエポキシ樹脂によって樹脂壁１３０ａを形成した。樹脂壁１３０ａはガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａ上にシートタイプの感光性エポキシ樹脂膜を貼り付け、この感光性エポキシ樹脂膜に対して露光及び現像を行ってパターニングすることで形成した。樹脂壁１３０ａの幅Ｘは実施例１から実施例８と同じ１５μｍとした。

【0062】

実施例１から実施例８及び比較例１について各々１２６個の試料を作製し、これらに対して、絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の主面１１ａの算術平均粗さで割った値（以下、絶縁膜４０ａの膜厚比と称す場合がある）の算出、樹脂壁３０ａ、１３０ａの剥離試験、樹脂壁３０ａ、１３０ａの密着力測定、及び、絶縁膜４０ａとガラスエポキシ基板１１０の表面粗さ測定を行った。
［絶縁膜の膜厚比の算出］
絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の主面１１ａの算術平均粗さで割った値を求め、１２６個の試料の平均値を算出した。
［剥離試験］
ニチバンセロハンテープＮｏ．４０５（粘着力：３．９３Ｎ／ｃｍ）を樹脂壁３０ａ、１３０ａの上面に付着させた後にガラスエポキシ基板１０、１１０から引き剥がすテープ剥離試験を行い、１２６個の試料のうち樹脂壁３０ａ、１３０ａがガラスエポキシ基板１０、１１０から剥離した試料の割合を剥離率として算出した。
［密着力測定］
フォースゲージ（イマダ製デジタルフォースゲージＺＴＡシリーズ）を用いた引張試験によって樹脂壁３０ａ、１３０ａのガラスエポキシ基板１０、１１０に対する密着力を測定し、１２６個の試料の平均値を算出した。
［表面粗さ測定］
ガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａ及び絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられる面を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で測定してガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａ及び絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられる面の算術平均粗さを求め、１２６個の試料の平均値を算出した。以下において、ガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａ及び絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられる面の算術平均粗さを、ガラスエポキシ基板１１０及び絶縁膜４０ａの算術平均粗さと称す場合がある。

【0063】

得られた結果を表１に示す。

【表1】

【0064】

図９（ａ）から図９（ｃ）は、表１の結果をグラフで表した図である。図９（ａ）は、絶縁膜４０ａの膜厚比と、樹脂壁３０ａ、１３０ａの剥離率並びに絶縁膜４０ａ及びガラスエポキシ基板１１０の算術平均粗さと、の関係を示す図である。図９（ｂ）は、絶縁膜４０ａ及びガラスエポキシ基板１１０の算術平均粗さと、樹脂壁３０ａ、１３０ａの剥離率と、の関係を示す図である。図９（ｃ）は、絶縁膜４０ａ及びガラスエポキシ基板１１０の算術平均粗さと、樹脂壁３０ａ、１３０ａの密着力と、の関係を示す図である。図９（ａ）から図９（ｃ）では、比較例１の測定結果を白丸及び白四角で示し、実施例１から実施例８の測定結果を黒丸及び黒四角で示している。

【0065】

表１及び図９（ａ）のように、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの間に絶縁膜４０ａが設けられた実施例１から実施例８は、ガラスエポキシ基板１１０と樹脂壁１３０ａの間に絶縁膜が設けられていない比較例１に比べて、樹脂壁３０ａの剥離率が低下した結果であった。絶縁膜４０ａの膜厚比が２．３よりも大きくなると樹脂壁３０ａの剥離率は上昇しているが、絶縁膜４０ａの膜厚比が２．８以降は樹脂壁３０ａの剥離率の上昇率が小さくなっている。このことから、絶縁膜４０ａの膜厚比を大きくしていくと、樹脂壁３０ａの剥離率は絶縁膜が設けられていない比較例１よりも低い一定の値で落ち着くと考えられる。

【0066】

このように、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの間に酸化シリコン膜である絶縁膜４０ａが設けられた実施例１から実施例８は、絶縁膜が設けられていない比較例１に比べて、樹脂壁３０ａの剥離率が低下したのは次の理由によるものと考えられる。すなわち、樹脂壁３０ａはエポキシ樹脂で形成され、絶縁膜４０ａは酸化シリコン膜であることから、樹脂壁３０ａに含まれる炭素（Ｃ）と絶縁膜４０ａに含まれるシリコン（Ｓｉ）とが結合し、これによりガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上したためと考えられる。この理由を踏まえると、樹脂壁３０ａが樹脂で形成され、絶縁膜４０ａがシリコンを含む絶縁膜であれば、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上し、樹脂壁３０ａの剥離率が低下すると考えられる。このことから、ガラスエポキシ基板１０上に、ガラスエポキシ基板１０に接してシリコンを含む絶縁膜４０ａが設けられ、シリコンを含む絶縁膜４０ａに接して樹脂壁３０ａが設けられることで、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上することが確認された。

【0067】

絶縁膜４０ａの膜厚比が２．３より大きくなると樹脂壁３０ａの剥離率が上昇しているのは、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さが小さくなり、樹脂壁３０ａと絶縁膜４０ａの間のアンカー効果が弱まったためと考えられる。ここで、図１０（ａ）から図１０（ｃ）を用いて、絶縁膜４０ａの膜厚が変わることで絶縁膜４０ａの表面粗さが変化するメカニズムについて説明する。図１０（ａ）のように、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａには、ガラス繊維及び／又はエポキシ樹脂に由来した凹凸が形成されている。図１０（ｂ）のように、ガラスエポキシ基板１０の主面１１ａに絶縁膜４０ａが形成される場合、凹凸の凹み部分は絶縁膜４０ａの成膜レートが遅いため、絶縁膜４０ａの膜厚が薄い段階では、絶縁膜４０ａの表面粗さが大きくなる。図１０（ｃ）のように、絶縁膜４０ａが厚くなると、凹凸部の凹み部分にも絶縁膜４０ａが埋まり、その結果、絶縁膜４０ａの表面粗さは小さくなる。このような理由から、絶縁膜４０ａの膜厚比が１．９までは絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さが大きくなり、絶縁膜４０ａの膜厚比が１．９より大きくなると絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さが小さくなったと考えられる。

【0068】

表１及び図９（ａ）から、絶縁膜４０ａの膜厚比が３以下の場合では、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さは比較例１でのガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａの算術平均粗さより大きく、樹脂壁３０ａの剥離率が低い結果であった。したがって、絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられる主面１１ａの算術平均粗さで割った値である絶縁膜４０ａの膜厚比を３以下とすることで、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上することが確認された。

【0069】

絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられる主面１１ａの算術平均粗さで割った値である絶縁膜４０ａの膜厚比が１．４以上２．３以下の場合では、樹脂壁３０ａの剥離が生じない結果であった。これは、絶縁膜４０ａの膜厚比が１．４以上２．３以下では、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さが大きく、樹脂壁３０ａと絶縁膜４０ａの間のアンカー効果が高まったためと考えられる。このことから、絶縁膜４０ａの厚さをガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられる主面１１ａの算術平均粗さで割った値である絶縁膜４０ａの膜厚比は、０．１以上３以下が好ましく、０．５以上２．５以下がより好ましく、１．０以上２．３以下が更に好ましいことが確認された。

【0070】

図９（ｂ）のように、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの間に絶縁膜４０ａが設けられた実施例１から実施例８では、絶縁膜が設けられていない比較例１に比べて、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さがガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａの算術平均粗さよりも大きい場合に限られず小さい場合でも樹脂壁３０ａの剥離率が低下した結果であった。これは上述したように、樹脂壁３０ａに含まれる炭素（Ｃ）と絶縁膜４０ａに含まれるシリコン（Ｓｉ）とが結合し、これによりガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上したためと考えられる。

【0071】

図９（ｃ）のように、ガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの間に絶縁膜４０ａが設けられた実施例１から実施例８は、絶縁膜が設けられていない比較例１に比べて、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さがガラスエポキシ基板１１０の主面１１１ａの算術平均粗さよりも大きい場合に限られず小さい場合でも樹脂壁３０ａのガラスエポキシ基板１０に対する密着力が高い結果であった。これは上述したように、樹脂壁３０ａに含まれる炭素（Ｃ）と絶縁膜４０ａに含まれるシリコン（Ｓｉ）とが結合し、これによりガラスエポキシ基板１０と樹脂壁３０ａの密着性が向上したためと考えられる。例えば、製造プロセスを考慮すると樹脂壁３０ａの密着力は４０ｋＰａ以上の場合が好ましく、この場合は実施例３から実施例５であるため樹脂壁３０ａの剥離率が０％の場合である。この結果から、樹脂壁３０ａの剥離が生じなかった条件は製造プロセス的に問題が起こり難いパターンが形成されることが言える。

【0072】

図９（ｂ）及び図９（ｃ）の結果から、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さがガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられる主面１１ａの算術平均粗さよりも大きい場合に、樹脂壁３０ａとガラスエポキシ基板１０の密着性が効果的に向上することが確認された。樹脂壁３０ａとガラスエポキシ基板１０の密着性向上の点から、絶縁膜４０ａの樹脂壁３０ａが設けられた面の算術平均粗さｂは、ガラスエポキシ基板１０の絶縁膜４０ａが設けられた主面１１ａの算術平均粗さをａとした場合に、ａ＜ｂ≦２ａの場合が好ましく、ａ＜ｂ≦１．９ａの場合がより好ましい。

【0073】

［比較例２］
酸化シリコン膜である絶縁膜４０ａの代わりに酸化チタン（ＴｉＯ_２）膜である絶縁膜を用いた。酸化チタン膜である絶縁膜の厚さをガラスエポキシ基板の主面の算術平均粗さで割った値である絶縁膜の膜厚比が０．９、１．４、１．９、２．３である試料を各々１２６個作製し、これらに対して樹脂壁の剥離試験を行った。図１１は、絶縁膜に酸化チタン膜を用いた場合の剥離試験の結果を示す図である。図１１のように、ガラスエポキシ基板と樹脂壁の間に酸化チタン膜である絶縁膜を設けた場合では、絶縁膜の膜厚比が０．９～２．３の範囲において、１２６個の試料の全てで樹脂壁の剥離が生じた結果であった。この結果から、ガラスエポキシ基板と樹脂壁の間にＳｉを含む絶縁膜を設けた場合に、上述した理由によって、ガラスエポキシ基板と樹脂壁の密着性が向上して樹脂壁の剥離率が低下することが確認された。

【0074】

以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

【符号の説明】

【0075】

１０ ガラスエポキシ基板
１１ａ、１１ｂ 主面
１２ 貫通孔
２０ コイル
２１ａ、２１ｂ コイル導体
２２ａ、２２ｂ 巻回部
２３ａ、２３ｂ 引出部
２５ シード層
２６ レジスト膜
３５ 感光性樹脂膜
３０ａ、３０ｂ 樹脂壁
３２ 樹脂膜
４０ａ、４０ｂ 絶縁膜
５０ 磁性体膜
６０ａ、６０ｂ 外部電極
７０ 回路基板
７１ 電極
７２ 半田
１００、２００ コイル部品
３００ 電子機器

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】