(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-26
(45)【発行日】2024-08-05
(54)【発明の名称】電子部品
(51)【国際特許分類】
H03H 9/25 20060101AFI20240729BHJP
【ＦＩ】
H03H9/25 A
H03H9/25 C
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2020149887
(22)【出願日】2020-09-07
(65)【公開番号】P2022044323
(43)【公開日】2022-03-17
【審査請求日】2023-07-03
(73)【特許権者】
【識別番号】000204284
【氏名又は名称】太陽誘電株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110004370
【氏名又は名称】弁理士法人片山特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】北島 正幸
【審査官】竹内 亨
(56)【参考文献】
【文献】特開２０２０－０５３８１２（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０６－０４５８６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１７／０１７９９１９（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０３Ｈ ９／００－９／７６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、前記基板の第１面から前記第１面とは反対の第２面に貫通して設けられる第１ビア配線と、
前記基板の前記第２面上に設けられ、前記第１ビア配線に電気的に接続される第１端子と、
前記基板の前記第１面上に設けられ、前記第１ビア配線の前記基板の前記第１面における第１領域のうちの一部である第１部分領域に他の部材を介さずに重なり、前記第１部分領域に重なる位置に圧電層を有する絶縁層と、
前記圧電層上に設けられる弾性波素子と、
前記第１ビア配線の前記第１領域のうちの前記第１部分領域とは異なる第２部分領域に接して、前記弾性波素子と前記第１ビア配線とを電気的に接続する配線と、を備える電子部品。
【請求項2】
前記第１ビア配線の前記第１部分領域は、前記第１ビア配線の前記第１領域の中心を少なくとも含む領域である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項3】
前記第１ビア配線の前記第１部分領域は、前記第１ビア配線の前記第１領域の半分以上の領域である、請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項4】
前記基板の前記第１面上に設けられ、前記弾性波素子を囲む環状金属層と、前記弾性波素子との間に空間を有するように前記環状金属層上に設けられるリッドと、
前記基板の前記第２面上に設けられる第２端子と、
前記基板の前記第１面から前記第２面に貫通して設けられ、前記環状金属層と前記第２端子とを電気的に接続する第２ビア配線と、を備え、
前記絶縁層は、前記第２ビア配線の前記基板の前記第１面における第２領域のうちの一部である第３部分領域に他の部材を介さずに重なり、前記第３部分領域に重なる位置に前記圧電層を有し、
前記環状金属層は、前記第２ビア配線の前記第２領域のうちの前記第３部分領域とは異なる第４部分領域に接して、前記第２ビア配線に電気的に接続される、請求項１から３のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項5】
前記環状金属層と前記絶縁層は、前記第２ビア配線の前記第３部分領域上において重なる、請求項４に記載の電子部品。
【請求項6】
前記絶縁層は前記基板に直接接合されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項7】
前記絶縁層は前記第１部分領域に接触している、請求項１から６のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項8】
前記基板はサファイア基板であり、前記圧電層はタンタル酸リチウム層又はニオブ酸リチウム層である、請求項１から７のいずれか一項に記載の電子部品。
【請求項9】
前記圧電層上に複数の前記弾性波素子で構成されるフィルタが設けられ、前記フィルタに電気的に接続される複数の前記第１ビア配線が設けられ、
前記圧電層は前記複数の第１ビア配線の全てで前記第１部分領域と重なる、請求項１から８のいずれか一項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【0002】
基板の第１面上に設けられた絶縁層上に素子が設けられ、第１面とは反対の第２面上に端子が設けられ、素子と端子が基板及び絶縁層を貫通するビア配線を介して電気的に接続された電子部品が知られている（例えば特許文献１から３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２０１７－１５７９２２号広報
【文献】特開２０１７－１６９１３９号広報
【文献】特開２０２０－６５１５８号広報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
基板の第１面上の絶縁層上に設けられた素子と第１面とは反対の第２面上に設けられた端子とが基板を貫通するビア配線を介して電気的に接続される場合、温度変化に伴う基板の変形によってビア配線に応力が掛かり、ビア配線にクラック及び／又は断線が生じてしまうことがある。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、ビア配線にクラック及び断線が生じることを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明は、基板と、前記基板の第１面から前記第１面とは反対の第２面に貫通して設けられる第１ビア配線と、前記基板の前記第２面上に設けられ、前記第１ビア配線に電気的に接続される第１端子と、前記基板の前記第１面上に設けられ、前記第１ビア配線の前記基板の前記第１面における第１領域のうちの一部である第１部分領域に他の部材を介さずに重なり、前記第１部分領域に重なる位置に圧電層を有する絶縁層と、前記圧電層上に設けられる弾性波素子と、前記第１ビア配線の前記第１領域のうちの前記第１部分領域とは異なる第２部分領域に接して、前記弾性波素子と前記第１ビア配線とを電気的に接続する配線と、を備える電子部品である。
【0007】
上記構成において、前記第１ビア配線の前記第１部分領域は、前記第１ビア配線の前記第１領域の中心を少なくとも含む領域である構成とすることができる。
【0008】
上記構成において、前記第１ビア配線の前記第１部分領域は、前記第１ビア配線の前記第１領域の半分以上の領域である構成とすることができる。
【0009】
上記構成において、前記基板の前記第１面上に設けられ、前記弾性波素子を囲む環状金属層と、前記弾性波素子との間に空間を有するように前記環状金属層上に設けられるリッドと、前記基板の前記第２面上に設けられる第２端子と、前記基板の前記第１面から前記第２面に貫通して設けられ、前記環状金属層と前記第２端子とを電気的に接続する第２ビア配線と、を備え、前記絶縁層は、前記第２ビア配線の前記基板の前記第１面における第２領域のうちの一部である第３部分領域に他の部材を介さずに重なり、前記第３部分領域に重なる位置に前記圧電層を有し、前記環状金属層は、前記第２ビア配線の前記第２領域のうちの前記第３部分領域とは異なる第４部分領域に接して、前記第２ビア配線に電気的に接続される構成とすることができる。
【0010】
上記構成において、前記環状金属層と前記絶縁層は、前記第２ビア配線の前記第３部分領域上において重なる構成とすることができる。
【0011】
上記構成において、前記絶縁層は前記基板に直接接合されている構成とすることができる。
【0012】
上記構成において、前記絶縁層は前記第１部分領域に接触している構成とすることができる。
【0013】
上記構成において、前記基板はサファイア基板であり、前記圧電層はタンタル酸リチウム層又はニオブ酸リチウム層である構成とすることができる。
【0014】
上記構成において、前記圧電層上に複数の前記弾性波素子で構成されるフィルタが設けられ、前記フィルタに電気的に接続される複数の前記第１ビア配線が設けられ、前記圧電層は前記複数の第１ビア配線の全てで前記第１部分領域と重なる構成とすることができる。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、ビア配線にクラック及び断線が生じることを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、図面を参照し、本発明の実施例について説明する。
【実施例1】
【0018】
図１は、実施例１に係る弾性波デバイスの断面図である。図１のように、実施例１の弾性波デバイス１００は、基板１０の上面１１上に圧電層２０が設けられている。圧電層２０は基板１０の上面１１の全面には設けられていない。言い換えると、基板１０の上面１１には圧電層２０が設けられていない領域がある。このように、圧電層２０が基板１０の上面１１の一部に設けられているのは、後述するビア配線４２及び４３が基板１０及び圧電層２０を貫通して形成される場合では圧電層２０にクラック等が発生することがあるため、ビア配線４２及び４３が基板１０のみに形成されるようにするためである。圧電層２０は基板１０の上面１１に、例えば表面活性化による直接接合法によって接合されている。圧電層２０と基板１０の接合面は平面であり平坦である。基板１０は、例えばサファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、又はシリコン基板であり、厚さが５０μｍ～１５０μｍ程度である。圧電層２０は、例えばタンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板であり、厚さが１０μｍ～３０μｍ程度である。圧電層２０と基板１０との間に温度補償層及び／又は境界層が設けられていてもよい。この場合、圧電層２０と温度補償層及び／又は境界層とを合わせて、基板１０の上面１１上に設けられた絶縁層となる。
【0019】
圧電層２０上に弾性波素子３０が設けられている。弾性波素子３０は例えば弾性表面波共振器である。弾性波素子３０を覆って保護膜６０が設けられている。保護膜６０は、例えば酸化シリコン膜である。
【0020】
図２は、弾性波素子の平面図である。図２のように、弾性波素子３０は、圧電層２０上にＩＤＴ（Interdigital Transducer）３１と反射器３５が形成されている。ＩＤＴ３１は、互いに対向する一対の櫛型電極３２を有する。櫛型電極３２は、複数の電極指３３と複数の電極指３３が接続するバスバー３４とを有する。反射器３５は、ＩＤＴ３１の両側に設けられている。ＩＤＴ３１は圧電層２０に弾性表面波を励振する。反射器３５は弾性表面波を反射する。ＩＤＴ３１及び反射器３５は例えばアルミニウム膜又は銅膜によって形成される。
【0021】
図１のように、基板１０の上面１１上に、圧電層２０を囲んで環状金属層５０が設けられている。環状金属層５０は銅層及び／又は金層等を含む金属層であり、高さが４０μｍ～６０μｍ程度である。例えば環状金属層５０は、厚さが１μｍ程度のチタン層と厚さが３μｍ程度の金層と厚さが４０μｍ程度の銅層と厚さが５μｍ程度のニッケル層と厚さが１μｍ程度の金層との積層膜である。環状金属層５０上に弾性波素子３０との間に空間５３が形成されるようにリッド５２が設けられている。リッド５２は、はんだ５１によって環状金属層５０に接合されている。弾性波素子３０は環状金属層５０とリッド５２とによって空間５３内に気密封止されている。リッド５２は例えばコバール等で形成された金属リッドであり、厚さが１０μｍ～２０μｍ程度である。
【0022】
基板１０の上面１１とは反対の下面１２上に端子４０及び４１が設けられている。端子４０は弾性波素子３０を外部と接続するためのフットパッドである。端子４１は環状金属層５０及びリッド５２をグランドに接続するためのフットパッドである。端子４０及び４１は、銅層、アルミニウム層、及び／又は金層等を含む金属層であり、厚さが数μｍ程度である。例えば端子４０及び４１は、基板１０側から厚さが２μｍ程度の銅層と厚さが５μｍ程度のニッケル層と厚さが０．５μｍ程度の金層との積層膜である。
【0023】
基板１０を上面１１から下面１２に貫通するビア配線４２及び４３が設けられている。ビア配線４２は端子４０に接することで端子４０に電気的に接続され、ビア配線４３は端子４１に接することで端子４１に電気的に接続されている。環状金属層５０は、ビア配線４３を覆って設けられ、ビア配線４３に接することでビア配線４３に電気的に接続されている。基板１０の上面１１におけるビア配線４２及び４３の直径は５０μｍ程度であり、下面１２におけるビア配線４２及び４３の直径は４０μｍ程度である。ビア配線４２及び４３は、例えば銅層、アルミニウム層、又は金層等を含む金属層である。
【0024】
図３は、ビア配線と圧電層及び配線との位置関係を示す平面図である。図３では、図の明瞭化のために、圧電層２０及び配線３６にハッチングを付している。図１及び図３のように、圧電層２０は、ビア配線４２の基板１０の上面１１における領域４４のうちの一部である部分領域４５と重なって基板１０上に設けられている。すなわち、圧電層２０はビア配線４２の領域４４のうちの部分領域４５を覆って設けられている。圧電層２０は例えばビア配線４２の領域４４のうちの半分以上の領域を覆っている。ビア配線４２の領域４４のうちの部分領域４５とは異なる部分領域４６は圧電層２０で覆われていない。
【0025】
図１及び図３のように、基板１０の上面１１上から圧電層２０上に延在して、弾性波素子３０とビア配線４２を電気的に接続する配線３６が設けられている。配線３６はビア配線４２の領域４４のうちの部分領域４６に接していて、これにより配線３６とビア配線４２は電気的に接続されている。配線３６は例えば銅層、アルミニウム層、又は金層等を含む金属層であり、厚さが数μｍ程度である。配線３６は、例えばチタン層と銅層が積層された積層膜であってもよい。
【0026】
図４（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図４（ａ）のように、基板１０の上面１１に例えばレーザ光照射によってビアホールを形成する。ビアホールはレーザ光照射以外の方法で形成されてもよく、例えばエッチングによって形成されてもよい。ビアホール内にシード層（不図示）を形成する。シード層に電流を供給し、電解めっき法を用いてビアホール内にビア配線４２及び４３を形成する。ビア配線４２及び４３を銅層とする場合、シード層は例えば基板１０側からチタン層と銅層が積層された積層膜とすることができる。ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等を用いて不要なめっき層及びシード層を除去する。これにより、基板１０の上面１１とビア配線４２及び４３の上面とはほぼ平坦となる。
【0027】
図４（ｂ）のように、基板１０の上面１１に圧電基板を接合した後、圧電基板を研磨又は研削等によって薄膜化して圧電層２０を形成する。基板１０と圧電基板の接合方法は、基板１０の上面１１と圧電基板の表面を活性化させて常温接合による直接接合法が用いられるが、接着剤で接合する方法が用いられてもよい。圧電層２０上に弾性波素子３０を形成する。弾性波素子３０を覆って保護膜６０を形成する。弾性波素子３０及び保護膜６０の形成方法は一般的に知られている方法を用いる。
【0028】
図４（ｃ）のように、圧電層２０上に弾性波素子３０を覆うレジスト膜（不図示）を形成した後、レジスト膜をマスクとして圧電層２０をエッチングする。圧電層２０のエッチングは例えばドライエッチングを用いるが、ウェットエッチングを用いてもよい。圧電層２０のエッチングは、圧電層２０がビア配線４２の一部を覆って残存するようにエッチングする。
【0029】
図５（ａ）のように、基板１０の上面１１上から圧電層２０上に延在し、弾性波素子３０とビア配線４２を電気的に接続する配線３６を、例えば蒸着法及びリフトオフ法によって形成する。配線３６と同時に環状金属層５０が形成される領域に金属層５４を形成する。配線３６は、ビア配線４２の圧電層２０で覆われていない部分でビア配線４２に接することでビア配線４２に電気的に接続される。配線３６と金属層５４は、例えば基板１０側からチタン層と銅層が積層された積層膜とすることができる。
【0030】
図５（ｂ）のように、金属層５４に電流を供給し、電解めっき法を用いて金属層５４上に金属層（例えば基板１０側から銅層、ニッケル層、及び金層）を堆積して環状金属層５０を形成する。環状金属層５０上にはんだ５１を形成した後、はんだ５１によって環状金属層５０上にリッド５２を接合する。弾性波素子３０とリッド５２との間には空間５３が形成される。
【0031】
図５（ｃ）のように、基板１０の下面１２に対して研磨又は研削等を行う。これにより、基板１０の下面１２にビア配線４２及び４３が露出する。ビア配線４２及び４３に接するように、基板１０の下面１２に端子４０及び４１を形成する。例えば、基板１０の下面１２にシード層を形成する。シード層上に開口を有するレジスト膜を形成する。シード層に電流を供給し電解めっき法を用いて開口内にめっき層を形成する。その後、めっき層以外のシード層を除去する。シード層は、例えば基板１０側からチタン層と銅層が積層された積層膜とすることができる。めっき層は、例えば基板１０側から銅層、ニッケル層、及び金層とすることができる。以上により、実施例１の弾性波デバイス１００が形成される。
【0032】
図６は、比較例に係る弾性波デバイスの断面図である。図６のように、比較例の弾性波デバイス５００では、圧電層２０はビア配線４２を覆ってなくビア配線４２から離れて基板１０の上面１１上に設けられている。配線３６がビア配線４２の全体を覆って設けられている。その他の構成は実施例１の弾性波デバイス１００と同じであるため説明を省略する。
【0033】
図７（ａ）及び図７（ｂ）は、比較例に係る弾性波デバイスで生じる課題を示す断面図である。図７（ａ）のように、弾性波デバイス５００を配線基板に搭載するとき及び／又は弾性波デバイス５００が動作するとき等において弾性波デバイス５００に温度変化が生じると、熱応力によって基板１０に変形（反り）が生じることがある。例えば、基板１０がサファイア基板、リッド５２がコバールリッドである場合、サファイアの線膨張係数は７×１０－６／℃程度で、コバールの線膨張係数は５×１０－６／℃程度であるため、弾性波デバイス５００の温度が高くなると基板１０は凹状に反る。弾性波デバイス５００の温度上昇と温度下降が繰り返されることで、基板１０は凹状に反ったり、凹状の反りが解消したりする。このため、基板１０に設けられたビア配線４２に基板１０の厚さ方向の応力が掛かり、図７（ｂ）のように、ビア配線４２にクラック及び／又は断線等の異常個所６２が生じることがある。
【0034】
これに対し、実施例１によれば、図１及び図３のように、圧電層２０（絶縁層）はビア配線４２（第１ビア配線）の基板１０の上面１１（第１面）における領域４４（第１領域）のうちの一部である部分領域４５（第１部分領域）と重なって設けられている。圧電層２０は配線３６に比べて厚く且つ硬いことから、弾性波デバイス１００の温度変化によって基板１０に変形が生じてビア配線４２に基板１０の厚さ方向の応力が掛かった場合でも、ビア配線４２は圧電層２０によって押さえ込まれるようになる。このため、ビア配線４２にクラック及び断線が生じることを抑制できる。配線３６がビア配線４２の領域４４のうちの部分領域４５とは異なる部分領域４６（第２部分領域）に接して設けられることで、弾性波素子３０を端子４０に電気的に接続させることができる。
【0035】
図１及び図３のように、圧電層２０はビア配線４２の領域４４のうちの半分以上の領域を覆うことが好ましい。言い換えると、ビア配線４２の領域４４のうち圧電層２０と重なる部分領域４５は領域４４の半分以上の領域であることが好ましい。これにより、基板１０に変形が生じてビア配線４２に応力が掛かった場合でも、ビア配線４２を圧電層２０によって効果的に押さえ込むことができ、ビア配線４２にクラック及び断線が生じることを抑制できる。
【0036】
圧電層２０は基板１０に直接接合されている場合が好ましい。これにより、圧電層２０は基板１０に強固に接合されるため、基板１０に変形が生じてビア配線４２に応力が掛かった場合でも、ビア配線４２を圧電層２０によって効果的に押さえ込むことができる。
【実施例2】
【0037】
図８は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図である。図９（ａ）は図８のＡ－Ａ間の断面図、図９（ｂ）は図８のＢ－Ｂ間の断面図である。図８では、リッド５２を透視して、圧電層２０及び弾性波素子３０等を図示している。図８、図９（ａ）、及び図９（ｂ）のように、実施例２の弾性波デバイス２００は、基板１０の上面１１上に設けられた圧電層２０上に弾性波素子３０からなる直列共振器Ｓ１～Ｓ４と並列共振器Ｐ１～Ｐ３が設けられている。直列共振器Ｓ１～Ｓ４は、入力用の端子４０ａと出力用の端子４０ｂとの間に配線３６によって直列に接続されている。並列共振器Ｐ１～Ｐ３は、入力用の端子４０ａと出力用の端子４０ｂとの間に並列に接続されている。すなわち、並列共振器Ｐ１～Ｐ３は、配線３６とグランド用の端子４０ｃとの間に接続されている。このように、圧電層２０上にはラダー型のフィルタ７０が形成されている。
【0038】
圧電層２０は、端子４０ａ～４０ｃに接続するビア配線４２ａ～４２ｃの基板１０の上面１１における領域４４のうちの一部である部分領域４５を覆っている。配線３６はビア配線４２ａ～４２ｃの領域４４のうちの部分領域４５とは異なる部分領域４６に接してビア配線４２ａ～４２ｃに電気的に接続されている。また、圧電層２０は、グランド用の端子４１に接続するビア配線４３の基板１０の上面１１における領域４７のうちの一部である部分領域４８を覆っている。環状金属層５０は、ビア配線４３の領域４７のうちの部分領域４８とは異なる部分領域４９に接してビア配線４３に電気的に接続されている。ビア配線４３の部分領域４８上において、環状金属層５０は圧電層２０と重なるように圧電層２０上に設けられている。その他の構成は、実施例１の弾性波デバイス１００と同じであるため説明を省略する。
【0039】
図８及び図９（ａ）のように、実施例２においても、圧電層２０はビア配線４２ａ～４２ｃの領域４４のうちの一部である部分領域４５と重なって設けられている。よって、弾性波デバイス２００の温度変化によって基板１０に変形が生じてビア配線４２ａ～４２ｃに基板１０の厚さ方向の応力が掛かった場合でも、ビア配線４２ａ～４２ｃは圧電層２０によって押さえ込まれるため、ビア配線４２ａ～４２ｃにクラック及び断線が生じることを抑制できる。
【0040】
図８及び図９（ｂ）のように、圧電層２０はビア配線４３（第２ビア配線）の基板１０の上面１１における領域４７（第２領域）のうちの一部である部分領域４８（第３部分領域）と重なって設けられることが好ましい。環状金属層５０及びリッド５２をグランドに接続するためにビア配線４３上には環状金属層５０が設けられるが、環状金属層５０は銅等の金属で形成されることから圧電層２０に比べて柔らかい。このため、図６に示した比較例の弾性波デバイス５００では、温度変化によって基板１０に変形が生じてビア配線４３に基板１０の厚さ方向の応力が掛かった場合に、ビア配線４３を環状金属層５０で押さえ込みきれずに、ビア配線４３にクラック及び／又は断線等の異常個所が生じることがある。これに対し、実施例２のように、圧電層２０がビア配線４３の領域４７のうちの部分領域４８と重なって設けられることで、基板１０に変形が生じてビア配線４３に基板１０の厚さ方向の応力が掛かった場合でも、ビア配線４３を圧電層２０によって押さえ込むことができ、ビア配線４３にクラック及び断線が生じることを抑制できる。環状金属層５０がビア配線４３の領域４７のうちの部分領域４８とは異なる部分領域４９（第４部分領域）に接して設けられることで、環状金属層５０及びリッド５２をグランドに接続させることができる。
【0041】
実施例１では、図３のように、圧電層２０はビア配線４２の領域４４のうちの半分程度の領域を覆う場合を例に示した。実施例２では、図８のように、圧電層２０はビア配線４２ａ～４２ｃの領域４４のうちの３／４程度の領域を覆う場合を例に示した。しかしながら、これらの場合に限られるわけではない。図１０（ａ）から図１０（ｆ）は、ビア配線と圧電層の位置関係を示す平面図である。図１０（ａ）から図１０（ｆ）では、図の明瞭化のために、圧電層２０にハッチングを付している。図１０（ａ）から図１０（ｆ）では、ビア配線４２と圧電層２０の位置関係を例に示すが、ビア配線４３と圧電層２０の位置関係も同様の配置とすることができる。
【0042】
図１０（ａ）のように、圧電層２０はビア配線４２の半分程度を覆っていてもよい。図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）のように、圧電層２０はビア配線４２の一部の周囲を覆うようにＵ字状部分を有していてもよく、Ｕ字状部分はビア配線４２の半分程度でもよいし（図１０（ｂ））、ビア配線４２の半分よりも大きくてもよい（図１０（ｃ））。図１０（ｄ）のように、圧電層２０はビア配線４２の直径よりも幅が狭い棒状部分２１を有し、棒状部分２１の一端が圧電層２０の本体に接続し、他端がビア配線４２の領域４４の中心６４近傍に位置することで、圧電層２０がビア配線４２を覆っていてもよい。図１０（ｅ）のように、圧電層２０の棒状部分２１がビア配線４２を橋状に横切り、棒状部分２１の両端が圧電層２０の本体に接続することで、圧電層２０がビア配線４２を覆っていてもよい。図１０（ｆ）のように、圧電層２０は、ビア配線４２の一部の領域（例えば１／４程度の領域）を露出させる開口を有することで、ビア配線４２を覆っていてもよい。
【0043】
圧電層２０によってビア配線４２を押さえ込んでビア配線４２にクラック及び断線が生じることを抑制する点から、図１０（ａ）、図１０（ｄ）、図１０（ｅ）、及び図１０（ｆ）のように、圧電層２０は、ビア配線４２の領域４４の中心６４を少なくとも覆うことが好ましい。言い換えると、ビア配線４２の領域４４のうち圧電層２０で覆われる部分領域４５は領域４４の中心６４を少なくとも含む領域であることが好ましい。
【0044】
図９（ｂ）のように、ビア配線４３の領域４７のうちの部分領域４８上において、圧電層２０と環状金属層５０は重なる場合が好ましい。これにより、ビア配線４３は圧電層２０と環状金属層５０とで押さえ込まれるようになり、ビア配線４３にクラック及び断線が生じることを効果的に抑制できる。
【0045】
図８のように、圧電層２０上に複数の弾性波素子３０で構成されるフィルタ７０が設けられ、フィルタ７０に電気的に接続される複数のビア配線４２ａ～４２ｃが設けられる場合、圧電層２０は複数のビア配線４２ａ～４２ｃの全てで部分領域４５と重なる場合が好ましい。これにより、複数のビア配線４２ａ～４２ｃにクラック及び断線が生じることを抑制できる。
【0046】
実施例１及び実施例２では、基板１０の上面１１上に設けられた絶縁層が圧電層２０で、絶縁層上に設けられた素子が弾性波素子３０である弾性波デバイスの場合を例に示したが、この場合に限られない。圧電層２０以外の絶縁層上に弾性波素子３０以外の素子（例えばインダクタ及びキャパシタのような受動素子）が設けられた電子部品の場合でもよい。
【0047】
以上、本願発明の実施形態について詳述したが、本願発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本願発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【0048】
１０ 基板
１１ 上面
１２ 下面
２０ 圧電層
２１ 棒状部分
３０ 弾性波素子
３１ ＩＤＴ
３２ 櫛型電極
３３ 電極指
３４ バスバー
３５ 反射器
３６ 配線
４０、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４１ 端子
４２、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４３ ビア配線
４４ 領域
４５、４６ 部分領域
４７ 領域
４８、４９ 部分領域
５０ 環状金属層
５１ はんだ
５２ リッド
５３ 空間
６０ 保護膜
６２ 異常個所
６４ 中心
７０ フィルタ
１００、２００、５００ 弾性波デバイス
１１ 上面
１２ 下面
２０ 圧電層
２１ 棒状部分
３０ 弾性波素子
３１ ＩＤＴ
３２ 櫛型電極
３３ 電極指
３４ バスバー
３５ 反射器
３６ 配線
４０、４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４１ 端子
４２、４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４３ ビア配線
４４ 領域
４５、４６ 部分領域
４７ 領域
４８、４９ 部分領域
５０ 環状金属層
５１ はんだ
５２ リッド
５３ 空間
６０ 保護膜
６２ 異常個所
６４ 中心
７０ フィルタ
１００、２００、５００ 弾性波デバイス
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】