▶ 株式会社オートネットワーク技術研究所の特許一覧 ▶ 住友電装株式会社の特許一覧 ▶ 住友電気工業株式会社の特許一覧
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-29
(45)【発行日】2024-08-06
(54)【発明の名称】回路構成体
(51)【国際特許分類】
H05K 1/02 20060101AFI20240730BHJP
H05K 1/14 20060101ALI20240730BHJP
H05K 7/06 20060101ALI20240730BHJP
【ＦＩ】
H05K1/02 N
H05K1/02 A
H05K1/14 E
H05K7/06 C
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2020114250
(22)【出願日】2020-07-01
(65)【公開番号】P2022012428
(43)【公開日】2022-01-17
【審査請求日】2022-12-26
(73)【特許権者】
【識別番号】395011665
【氏名又は名称】株式会社オートネットワーク技術研究所
(73)【特許権者】
【識別番号】000183406
【氏名又は名称】住友電装株式会社
(73)【特許権者】
【識別番号】000002130
【氏名又は名称】住友電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100088672
【弁理士】
【氏名又は名称】吉竹 英俊
(74)【代理人】
【識別番号】100088845
【弁理士】
【氏名又は名称】有田 貴弘
(74)【代理人】
【識別番号】100117662
【弁理士】
【氏名又は名称】竹下 明男
(74)【代理人】
【識別番号】100103229
【弁理士】
【氏名又は名称】福市 朋弘
(72)【発明者】
【氏名】原口 章
【審査官】鹿野 博司
(56)【参考文献】
【文献】中国特許出願公開第１１０４４６３３３（ＣＮ，Ａ）
【文献】特開２０１６－０２５２２８（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１４／０３８０６６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０２０－０２２２７３（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１７－１１２１９６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０５３８５１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１５／０３３５４１（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０５Ｋ １／０２
Ｈ０５Ｋ １／１４
Ｈ０５Ｋ ３／２０
Ｈ０５Ｋ ７／０６
Ｈ０２Ｇ ３／１６
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１バスバーと、第２バスバーと、
前記第１バスバー及び前記第２バスバーの間に位置する絶縁部分を含む絶縁部材と、
前記第１バスバーの一方の主面、前記第２バスバーの一方の主面及び前記絶縁部分の上に設けられた第１配線基板と、
前記第１配線基板上に設けられた第１電子部品と、
前記第１バスバーの他方の主面、前記第２バスバーの他方の主面及び前記絶縁部分の上に設けられた第２配線基板と、
前記第２配線基板上に設けられた第２電子部品と
を備え、
前記第１電子部品は、
前記第１バスバーに電気的に接続され、前記第１配線基板に接合された第１接続端子と、
前記第２バスバーに電気的に接続され、前記第１配線基板に接合された第２接続端子と
を有し、
前記第２電子部品は、
前記第１バスバーに電気的に接続され、前記第２配線基板に接合された第３接続端子と、
前記第２バスバーに電気的に接続され、前記第２配線基板に接合された第４接続端子と
を有する、回路構成体。
【請求項2】
請求項１に記載の回路構成体であって、前記第１配線基板は、第１貫通孔を有し、
前記第１バスバーから前記第１貫通孔内に突出する導電性の第１突起部を備え、
前記第１接続端子は、前記第１貫通孔内の前記第１突起部と電気的に接続されている、回路構成体。
【請求項3】
請求項２に記載の回路構成体であって、前記第１突起部は前記第１バスバーの一部で構成されている、回路構成体。
【請求項4】
請求項２又は請求項３に記載の回路構成体であって、前記第１接続端子は前記第１突起部に接合されている、回路構成体。
【請求項5】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の回路構成体であって、前記第１配線基板は、第２貫通孔を有し、
前記第２バスバーから前記第２貫通孔内に突出する導電性の第２突起部を備え、
前記第２接続端子は、前記第２貫通孔内の前記第２突起部と電気的に接続されている、回路構成体。
【請求項6】
請求項５に記載の回路構成体であって、前記第１配線基板は、
前記第２接続端子が接合されたランドと、
前記ランドから拡張され、前記第２貫通孔の周囲に位置する導電性の拡張領域と
を有し、
前記第２貫通孔内の前記第２突起部の端面と前記拡張領域とに接合された導電片をさらに備える、回路構成体。
【請求項7】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の回路構成体であって、前記第１バスバーの前記他方の主面上において、前記第２配線基板が設けられた領域を避けて設けられた放熱部材をさらに備える、回路構成体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、回路構成体に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、電子部品が搭載された放熱基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開平９－３２１３９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
複数のバスバーの間に絶縁部材が配置され、電子部品が当該絶縁部材を跨ぐように当該複数のバスバーの上に設けられることがある。そして、電子部品の接続端子がバスバーに接合されることがある。一方で、バスバーの線膨張係数は、樹脂等の絶縁部材の線膨張係数と異なることがある。このため、周囲温度の変化に応じてバスバー及び絶縁部材が変形する場合、電子部品の接続端子とバスバーとの接合部分に熱応力が発生し、当該接合部分にクラックが入る可能性がある。その結果、当該接合部分の信頼性が低下する可能性がある。電子部品のパッケージがリードレス型である場合、この問題はさらに顕著になる。
【0005】
そこで、電子部品の接続端子の接合部分の信頼性を向上させることが可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の回路構成体は、第１バスバーと、第２バスバーと、前記第１バスバー及び前記第２バスバーの間に位置する絶縁部分を含む絶縁部材と、前記第１バスバーの一方の主面、前記第２バスバーの一方の主面及び前記絶縁部分の上に設けられた第１配線基板と、前記第１配線基板上に設けられた第１電子部品とを備え、前記第１電子部品は、前記第１バスバーに電気的に接続され、前記第１配線基板に接合された第１接続端子と、前記第２バスバーに電気的に接続され、前記第１配線基板に接合された第２接続端子とを有する。
【発明の効果】
【0007】
本開示によれば、電子部品の接続端子の接合部分の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【発明を実施するための形態】
【0009】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
【0010】
本開示の回路構成体は、次の通りである。
【0011】
（１）第１バスバーと、第２バスバーと、前記第１バスバー及び前記第２バスバーの間に位置する絶縁部分を含む絶縁部材と、前記第１バスバーの一方の主面、前記第２バスバーの一方の主面及び前記絶縁部分の上に設けられた第１配線基板と、前記第１配線基板上に設けられた第１電子部品とを備え、前記第１電子部品は、前記第１バスバーに電気的に接続され、前記第１配線基板に接合された第１接続端子と、前記第２バスバーに電気的に接続され、前記第１配線基板に接合された第２接続端子とを有する。本開示によると、第１バスバーに電気的に接続された第１接続端子と、第２バスバーに電気的に接続された第２接続端子とがともに第１配線基板に接合されている。これにより、周囲温度の変化により第１バスバー、第２バスバー及びそれらの間の絶縁部分が変形した場合であっても、第１接続端子及び第２接続端子の接合部分は、第１バスバー、第２バスバー及び絶縁部分の変形の影響を受けにくくなる。よって、第１接続端子及び第２接続端子の接合部分に応力が発生しにくくなる。その結果、電子部品の接続端子の接合部分の信頼性を向上させることができる。
【0012】
（２）前記第１配線基板は、第１貫通孔を有し、前記第１バスバーから前記第１貫通孔内に突出する導電性の第１突起部を備え、前記第１接続端子は、前記第１貫通孔内の前記第１突起部と電気的に接続されていてもよい。この場合、導電性の第１突起部が、第１バスバーから第１配線基板の第１貫通孔内に突出している。このため、第１配線基板上の第１接続端子を、第１貫通孔内の第１突起部に電気的に接続することによって、第１接続端子を第１バスバーと電気的に簡単に接続することができる。
【0013】
（３）前記第１突起部は前記第１バスバーの一部で構成されていてもよい。この場合、第１接続端子と第１バスバーとの間の電気抵抗を低減することができる。
【0014】
（４）前記第１接続端子は前記第１突起部に接合されていてもよい。この場合、第１接続端子と第１バスバーとの間の電気抵抗を低減することができる。
【0015】
（５）前記第１配線基板は、第２貫通孔を有し、前記第２バスバーから前記第２貫通孔内に突出する導電性の第２突起部を備え、前記第２接続端子は、前記第２貫通孔内の前記第２突起部と電気的に接続されていてもよい。この場合、導電性の第２突起部が、第２バスバーから第１配線基板の第２貫通孔内に突出している。このため、第１配線基板上の第２接続端子を、第２貫通孔内の第２突起部に電気的に接続することによって、第２接続端子を第２バスバーと電気的に簡単に接続することができる。
【0016】
（６）前記第１配線基板は、前記第２接続端子が接合されたランドと、前記ランドから拡張され、前記第２貫通孔の周囲に位置する導電性の拡張領域とを有し、前記第２貫通孔内の前記第２突起部の端面と前記拡張領域とに接合された導電片をさらに備えてもよい。この場合、第２接続端子が接合されたランドから拡張されて第２貫通孔の周囲に位置する拡張領域と、当該第２貫通孔内の第２突起部の端面とに接合された導電片が設けられている。この導電片によって、第２接続端子と第２バスバーとの間の電気抵抗を低減することができる。また、第１電子部品で発生した熱を導電片によって第２バスバーに伝えやすくなることから、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。
【0017】
（７）前記第１バスバーの他方の主面、前記第２バスバーの他方の主面及び前記絶縁部分の上に設けられた第２配線基板と、前記第２配線基板上に設けられた第２電子部品とを備え、前記第２電子部品は、前記第１バスバーに電気的に接続され、前記第２配線基板に接合された第３接続端子と、前記第２バスバーに電気的に接続され、前記第２配線基板に接合された第４接続端子とを有してもよい。この場合、第１バスバーに電気的に接続された第３接続端子と、第２バスバーに電気的に接続された第４接続端子とがともに第２配線基板に接合されている。これにより、周囲温度の変化により第１バスバー、第２バスバー及びそれらの間の絶縁部分が変形した場合であっても、第３接続端子及び第４接続端子の接合部分は、第１バスバー、第２バスバー及び絶縁部分の変形の影響を受けにくくなる。よって、第３接続端子及び第４接続端子の接合部分に応力が発生しにくくなる。さらに、バスバーの両主面上に電子部品が位置することから、回路構成体の平面サイズを小さくすることができる。
【0018】
（８）前記第１バスバーの前記他方の主面上において、前記第２配線基板が設けられた領域を避けて設けられた放熱部材をさらに備えてもよい。この場合、放熱部材は、第１バスバーの他方の主面上において、第２配線基板が設けられた領域を避けて設けられていることから、回路構成体の放熱性を向上しつつ、回路構成体の厚みを抑えることができる。
【0019】
［本開示の実施形態の詳細］
本開示の回路構成体の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されず、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内におけるすべての変更が含まれることが意図される。
本開示の回路構成体の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されず、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内におけるすべての変更が含まれることが意図される。
【0020】
＜回路構成体の概略説明＞
図１及び２は回路構成体１の一例を示す概略斜視図である。図２には、図１とは反対側から見た回路構成体１が示されている。図３は、図２に示される回路構成体１においてモールド樹脂１１が取り外された様子の一例を示す概略図である。以後、説明の便宜上、図１に示される側を回路構成体１の上面側あるいは上側とし、図２に示される側を回路構成体１の下面側あるいは下側とする。
図１及び２は回路構成体１の一例を示す概略斜視図である。図２には、図１とは反対側から見た回路構成体１が示されている。図３は、図２に示される回路構成体１においてモールド樹脂１１が取り外された様子の一例を示す概略図である。以後、説明の便宜上、図１に示される側を回路構成体１の上面側あるいは上側とし、図２に示される側を回路構成体１の下面側あるいは下側とする。
【0021】
回路構成体１は、例えば、電気接続箱１０００（後述の図３４参照）に組み込まれる。電気接続箱１０００は、例えば、自動車において、バッテリと各種電装部品との間の電力供給路に設けられる。電気接続箱１０００の用途はこれに限られない。
【0022】
図１～３に示されるように、回路構成体１は、入力側バスバー２と、出力側バスバー３と、中継バスバー４（後述の図６及び９等参照）と、入力側バスバー２、出力側バスバー３及び中継バスバー４を互いに絶縁するための絶縁部材５とを備える。また、回路構成体１は、複数の電子部品６と、複数のコネクタ７と、複数の導電片８と、配線基板９と、配線基板１９と、複数の放熱部材１０と、モールド樹脂１１とを備える。
【0023】
入力側バスバー２（単にバスバー２という）、出力側バスバー３（単にバスバー３という）及び中継バスバー４（単にバスバー４という）のそれぞれは導電部材である。各電子部品６は例えばスイッチング素子である。電子部品６は例えばＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）である。ＭＯＳＦＥＴは、半導体スイッチング素子の一種である。電子部品６は、例えば、ドレイン端子と、ソース端子と、ゲート端子とを備える。ドレイン端子、ソース端子及びゲート端子のそれぞれは接続端子ともいえる。以後、電子部品６をＭＯＳＦＥＴ６と呼ぶことがある。電子部品６はＭＯＳＦＥＴ以外のスイッチング素子であってもよい。また、電子部品６は、スイッチング素子以外の電子部品であってもよい。
【0024】
複数の電子部品６は、配線基板９上の複数の電子部品１６と、配線基板１９上の複数の電子部品２６とを含む。複数の電子部品１６は、複数の電子部品１６ａと、複数の電子部品１６ｂとを含む。複数の電子部品２６は、複数の電子部品２６ａと、複数の電子部品２６ｂとを含む。以後、電子部品１６，１６ａ，１６ｂ，２６，２６ａ，２６ｂを、それぞれ、ＭＯＳＦＥＴ１６，１６ａ，１６ｂ，２６，２６ａ，２６ｂと呼ぶことがある。
【0025】
複数のＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子は、例えば互いに電気的に接続されている。複数のＭＯＳＦＥＴ１６ｂのドレイン端子は、例えば互いに電気的に接続されている。複数のＭＯＳＦＥＴ１６ａのソース端子は、例えば互いに電気的に接続されている。複数のＭＯＳＦＥＴ１６ｂのソース端子は、例えば互いに電気的に接続されている。
【0026】
複数のＭＯＳＦＥＴ２６ａのドレイン端子は、例えば互いに電気的に接続されている。複数のＭＯＳＦＥＴ２６ｂのドレイン端子は、例えば互いに電気的に接続されている。複数のＭＯＳＦＥＴ２６ａのソース端子は、例えば互いに電気的に接続されている。複数のＭＯＳＦＥＴ２６ｂのソース端子は、例えば互いに電気的に接続されている。
【0027】
ＭＯＳＦＥＴ１６ａ及び１６ｂのドレイン端子は、例えば互いに電気的に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ２６ａ及び２６ｂのドレイン端子は、例えば互いに電気的に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂ，２６ａ，２６ｂのソース端子は、例えば電気的に接続されている。
【0028】
ＭＯＳＦＥＴ１６ａ，２６ａのドレイン端子は入力側バスバー２に電気的に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１６ｂ，２６ｂのドレイン端子は出力側バスバー３に電気的に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１６ａ，１６ｂ，２６ａ，２６ｂのソース端子は中継バスバー４に電気的に接続されている。本例では、回路構成体１は、１６個のＭＯＳＦＥＴ６を備えているが、回路構成体１が備えるＭＯＳＦＥＴ６の数はこの限りではない。
【0029】
入力側バスバー２は、金属部材であって、例えば、本体部２０と当該本体部２０から突出する入力端子部２１とを備える。入力端子部２１は、その厚み方向に貫通する貫通孔２１ａを有する。入力端子部２１には、例えば、バッテリから延びる配線部材が、貫通孔２１ａが利用されて接続される。入力端子部２１には、配線部材を通じてバッテリの出力電圧が与えられる。入力端子部２１に与えられたバッテリの出力電圧は、本体部２０を通じてＭＯＳＦＥＴ１６ａ及び２６ａのドレイン端子に与えられる。
【0030】
出力側バスバー３は、金属部材であって、例えば、本体部３０と当該本体部３０から突出する出力端子部３１とを備える。出力端子部３１は、その厚み方向に貫通する貫通孔３１ａを有する。出力端子部３１には、例えば、電装部品から延びる配線部材が、貫通孔３１ａが利用されて接続される。出力端子部３１には、ＭＯＳＦＥＴ１６ｂ及び２６ｂのドレイン端子から出力される電圧が与えられる。出力端子部３１に与えられた電圧は、配線部材を通じて電装部品に対して例えば電源として与えられる。
【0031】
中継バスバー４は金属部材である。中継バスバー４は、バスバー２の本体部２０とバスバー３の本体部３０との間に位置する。中継バスバー４は、本体部２０と本体部３０とで挟まれていると言える。
【0032】
複数の放熱部材１０のそれぞれは、例えば板状金属部材である。複数の放熱部材１０は、バスバー２上の放熱部材１０ａと、バスバー３上の放熱部材１０ｂとを含む。放熱部材１０ａは、バスバー２の下側の主面上に設けられている。放熱部材１０ｂは、バスバー３の下側の主面上に設けられている。放熱部材１０ａは、バスバー２を通じて伝わる、ＭＯＳＦＥＴ１６ａ及び２６ａが発する熱を外部に放出する。放熱部材１０ｂは、バスバー３を通じて伝わる、ＭＯＳＦＥＴ１６ｂ及び２６ｂが発する熱を外部に放出する。
【0033】
絶縁部材５は、バスバー２，３，４を互いに電気絶縁しつつ、バスバー２，３，４及び複数の放熱部材１０を保持する。絶縁部材５は、例えば、バスバー２，３，４及び複数の放熱部材１０と一体成形されている。絶縁部材５は、例えばインサート成形によって、バスバー２，３，４及び複数の放熱部材１０と一体成形されている。
【0034】
配線基板９は、例えば、一方向に長い板状部材である。配線基板９は、バスバー２，３，４の上側の主面上に設けられている。配線基板９は、例えばリジッド基板である。配線基板９は、シート状のフレキシブル基板であってもよいし、リジッド基板とフレキシブル基板が一体化された複合基板であってもよい。配線基板９は導電層を有している。各ＭＯＳＦＥＴ１６のゲート端子は、配線基板９の導電層に電気的に接続されている。
【0035】
配線基板１９は、例えば、一方向に長い板状部材である。配線基板１９は、バスバー２，３，４の下側の主面上に設けられている。配線基板１９は、例えばリジッド基板である。配線基板１９は、シート状のフレキシブル基板であってもよいし、リジッド基板とフレキシブル基板が一体化された複合基板であってもよい。配線基板１９は導電層を有している。各ＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子は、配線基板１９の導電層に電気的に接続されている。
【0036】
複数のコネクタ７のそれぞれは複数の接続端子７０を備える。各接続端子７０は、例えば金属で構成されている。複数のコネクタ７は、コネクタ７ａ及び７ｂを含む。コネクタ７ａは配線基板９の上側の主面上に設けられている。コネクタ７ａが備える複数の接続端子７０には、複数のＭＯＳＦＥＴ１６のゲート端子が、配線基板９の導電層を通じて電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ１６は、コネクタ７ａを通じて外部からスイッチング制御される。
【0037】
コネクタ７ｂは配線基板１９の上側の主面上に設けられている。中継バスバー４及び配線基板９には開口部が設けられている。配線基板１９のうち当該開口部から露出する部分にコネクタ７ｂが設けられている。コネクタ７ｂが備える複数の接続端子７０には、複数のＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子が、配線基板１９の導電層を通じて電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ２６は、コネクタ７ｂを通じて外部からスイッチング制御される。
【0038】
複数の導電片８は、配線基板９上の複数の導電片１８と、配線基板１９上の複数の導電片２８とを含む。複数の導電片１８は、複数のＭＯＳＦＥＴ１６ａにそれぞれ対応している。各導電片１８は、それに対応するＭＯＳＦＥＴ１６ａのソース端子とバスバー４との間の電気抵抗を低減するための部材である。また、複数の導電片１８は、複数のＭＯＳＦＥＴ１６ｂにもそれぞれ対応している。各導電片１８は、それに対応するＭＯＳＦＥＴ１６ｂのソース端子とバスバー４との間の電気抵抗を低減するための部材でもある。
【0039】
複数の導電片２８は、複数のＭＯＳＦＥＴ２６ａにそれぞれ対応している。各導電片２８は、それに対応するＭＯＳＦＥＴ２６ａのソース端子とバスバー４との間の電気抵抗を低減するための部材である。また、複数の導電片２８は、複数のＭＯＳＦＥＴ２６ｂにもそれぞれ対応している。各導電片２８は、それに対応するＭＯＳＦＥＴ２６ｂのソース端子とバスバー４との間の電気抵抗を低減するための部材でもある。
【0040】
モールド樹脂１１は、配線基板１９と、配線基板１９上の複数のＭＯＳＦＥＴ２６及び複数の導電片２８とを覆っている。これにより、回路構成体１の内部が保護される。
【0041】
＜回路構成体の詳細説明＞
図４は回路構成体１の一例を示す概略上面図である。図５は図４に示される回路構成体１の一部を拡大して示す概略上面図である。図６は図４及び５の矢視Ａ－Ａの断面構造の一例を示す概略図である。図７は、モールド樹脂１１取り外された状態の回路構成体１の一例を示す概略下面図である。図８は図７に示される構造の一部を拡大して示す概略下面図である。図９は、回路構成体１から複数のＭＯＳＦＥＴ１６、複数のコネクタ７及び複数の導電片１８が取り外されて得られる構造から配線基板９が引き離された様子の一例を上面側から示す概略斜視図である。図１０は、バスバー２，３，４及び絶縁部材５を上面側から見た様子の一例を示す概略斜視図である。図１１は、バスバー２，３，４及び絶縁部材５の一例を示す概略上面図である。図１２は、回路構成体１からモールド樹脂１１、複数のＭＯＳＦＥＴ２６及び複数の導電片２８が取り外されて得られる構造から配線基板１９が引き離された様子の一例を下面側から示す概略斜視図である。図１３は、バスバー２，３，４、絶縁部材５及び複数の放熱部材１０を下面側から見た様子の一例を示す概略斜視図である。図１４は、バスバー２，３，４、絶縁部材５及び複数の放熱部材１０の一例を示す概略下面図である。
図４は回路構成体１の一例を示す概略上面図である。図５は図４に示される回路構成体１の一部を拡大して示す概略上面図である。図６は図４及び５の矢視Ａ－Ａの断面構造の一例を示す概略図である。図７は、モールド樹脂１１取り外された状態の回路構成体１の一例を示す概略下面図である。図８は図７に示される構造の一部を拡大して示す概略下面図である。図９は、回路構成体１から複数のＭＯＳＦＥＴ１６、複数のコネクタ７及び複数の導電片１８が取り外されて得られる構造から配線基板９が引き離された様子の一例を上面側から示す概略斜視図である。図１０は、バスバー２，３，４及び絶縁部材５を上面側から見た様子の一例を示す概略斜視図である。図１１は、バスバー２，３，４及び絶縁部材５の一例を示す概略上面図である。図１２は、回路構成体１からモールド樹脂１１、複数のＭＯＳＦＥＴ２６及び複数の導電片２８が取り外されて得られる構造から配線基板１９が引き離された様子の一例を下面側から示す概略斜視図である。図１３は、バスバー２，３，４、絶縁部材５及び複数の放熱部材１０を下面側から見た様子の一例を示す概略斜視図である。図１４は、バスバー２，３，４、絶縁部材５及び複数の放熱部材１０の一例を示す概略下面図である。
【0042】
＜バスバーの構成例＞
入力側バスバー２は、例えば銅で構成される。バスバー２は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅は、例えば、日本工業規格（ＪＩＳ：Japanese Industrial Standards）で定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。無酸素銅で構成されたバスバー２の線膨張係数は、例えば１７ｐｐｍ／℃である。線膨張係数は熱膨張係数と呼ばれることがある。バスバー２は、銅以外の金属で構成されてもよい。
入力側バスバー２は、例えば銅で構成される。バスバー２は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅は、例えば、日本工業規格（ＪＩＳ：Japanese Industrial Standards）で定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。無酸素銅で構成されたバスバー２の線膨張係数は、例えば１７ｐｐｍ／℃である。線膨張係数は熱膨張係数と呼ばれることがある。バスバー２は、銅以外の金属で構成されてもよい。
【0043】
図１０，１１，１３，１４等に示されるように、バスバー２は、例えば、一方向に長い板状金属部材である。バスバー２の本体部２０は、例えば長方形の板状部分である。バスバー２の入力端子部２１は、本体部２０の長手方向の一端から突出する。
【0044】
バスバー２は、主面２００と、当該主面２００とは反対側の主面２１０とを有する。主面２００は上側に位置し、主面２１０は下側に位置する。以後、主面２００を上側主面２００と呼び、主面２１０を下側主面２１０と呼ぶことがある。
【0045】
図１０及び１１等に示されるように、上側主面２００は、他の領域よりも１段低くなった領域２０１を有している。この領域２０１は、配線基板９が載置される基板載置領域２０１となっている。基板載置領域２０１は、例えば本体部２０に設けられている。
【0046】
基板載置領域２０１には、複数の導電性の突起部２０２が設けられている。複数の突起部２０２は、例えば、バスバー２の一部で構成されている。各突起部２０２は、バスバー２と一体成形されていると言える。本例では、突起部２０２は、バスバー２の一部であることから、例えば銅で構成されている。複数の突起部２０２は、バスバー２の長手方向に沿って並んでいる。
【0047】
各突起部２０２は、例えば円板状を成している。基板載置領域２０１に配線基板９が載置される場合には、複数の突起部２０２は、配線基板９に設けられた後述の複数の貫通孔９２ａにそれぞれ挿入される。突起部２０２の円形の端面は、例えば、上側主面２００のうちの基板載置領域２０１以外の領域と同一平面上に位置する。突起部２０２の役割については後で詳細に説明する。
【0048】
図１３及び１４等に示されるように、下側主面２１０は、他の領域よりも１段低くなった領域２１１を有している。この領域２１１は、配線基板１９が載置される基板載置領域２１１となっている。基板載置領域２１１は、例えば本体部２０に設けられている。
【0049】
基板載置領域２１１には、複数の導電性の突起部２１２が設けられている。複数の突起部２１２は、例えば、バスバー２の一部で構成されている。本例では、突起部２１２は、バスバー２の一部であることから、例えば銅で構成されている。複数の突起部２１２は、バスバー２の長手方向に沿って並んでいる。
【0050】
各突起部２１２は、例えば円板状を成している。基板載置領域２１１に配線基板１９が載置される場合には、複数の突起部２１２は、配線基板１９に設けられた後述の複数の貫通孔９２ｂにそれぞれ挿入される。突起部２１２の円形の端面は、例えば、下側主面２１０のうちの基板載置領域２１１以外の領域と同一平面上に位置する。突起部２１２の役割については後で詳細に説明する。
【0051】
出力側バスバー３は、例えば銅で構成される。バスバー３は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅は、例えば、ＪＩＳで定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。バスバー３は、銅以外の金属で構成されてもよい。
【0052】
図１０，１１，１３，１４等に示されるように、バスバー３は、例えば、一方向に長い板状金属部材である。バスバー３の本体部３０は、例えば長方形の板状部分である。バスバー３の出力端子部３１は、本体部３０の長手方向の一端から突出する。
【0053】
バスバー３は、主面３００と、当該主面３００とは反対側の主面３１０とを有する。主面３００は上側に位置し、主面３１０は下側に位置する。以後、主面３００を上側主面３００と呼び、主面３１０を下側主面３１０と呼ぶことがある。
【0054】
図１０及び１１等に示されるように、上側主面３００は、他の領域よりも１段低くなった領域３０１を有している。この領域３０１は、配線基板９が載置される基板載置領域３０１となっている。基板載置領域３０１は、例えば本体部３０に設けられている。
【0055】
基板載置領域３０１には、複数の導電性の突起部３０２が設けられている。複数の突起部３０２は、例えば、バスバー３の一部で構成されている。本例では、突起部３０２は、バスバー３の一部であることから、例えば銅で構成されている。複数の突起部３０２は、バスバー３の長手方向に沿って並んでいる。
【0056】
各突起部３０２は、例えば円板状を成している。基板載置領域３０１に配線基板９が載置される場合には、複数の突起部３０２は、配線基板９に設けられた複数の貫通孔９２ｂにそれぞれ挿入される。突起部３０２の端面は、例えば、上側主面３００のうちの基板載置領域３０１以外の領域と同一平面上に位置する。突起部３０２の役割については後で詳細に説明する。
【0057】
図１３及び１４等に示されるように、下側主面３１０は、他の領域よりも１段低くなった領域３１１を有している。この領域３１１は、配線基板１９が載置される基板載置領域３１１となっている。基板載置領域３１１は、例えば本体部３０に設けられている。
【0058】
基板載置領域３１１には、複数の導電性の突起部３１２が設けられている。複数の突起部３１２は、例えば、バスバー３の一部で構成されている。本例では、突起部３１２は、バスバー３の一部であることから、例えば銅で構成されている。複数の突起部３１２は、バスバー３の長手方向に沿って並んでいる。
【0059】
各突起部３１２は、例えば円板状を成している。基板載置領域３１１に配線基板１９が載置される場合には、複数の突起部３１２は、配線基板１９に設けられた後述の複数の貫通孔９２ａにそれぞれ挿入される。突起部３１２の端面は、例えば、下側主面３１０のうちの基板載置領域３１１以外の領域と同一平面上に位置する。突起部３１２の役割については後で詳細に説明する。
【0060】
中継バスバー４は、例えば銅で構成される。バスバー４は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅は、例えば、ＪＩＳで定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。バスバー４は、銅以外の金属で構成されてもよい。
【0061】
図１０，１１，１３，１４等に示されるように、バスバー４は、例えば、長方形の板状金属部材である。バスバー２，３，４は、例えば同一平面上に位置する。バスバー２及び３は、それらの長手方向が互いに平行となるように隙間を空けて対向配置されている。バスバー４は、その長手方向が、バスバー２及び３の長手方向と平行となるように、バスバー２及び３の間に位置する。バスバー４は、バスバー２の本体部２０とバスバー３の本体部３０との間に位置する。
【0062】
バスバー４は、主面４００と、当該主面４００とは反対側の主面４１０とを有する。主面４００は上側に位置し、主面４１０は下側に位置する。主面４００には配線基板９が載置され、主面４１０には配線基板１９が載置される。以後、主面４００を上側主面４００と呼び、主面４１０を下側主面４１０と呼ぶことがある。
【0063】
図１０及び１１等に示されるように、上側主面４００には、複数の導電性の突起部４０２が設けられている。複数の突起部４０２は、例えば、バスバー４の一部で構成されている。本例では、突起部４０２は、バスバー４の一部であることから、例えば銅で構成されている。複数の突起部４０２は、バスバー４の長手方向に沿って並んでいる。複数の突起部４０２は、バスバー２の複数の突起部２０２と、バスバー３の複数の突起部３０２との間に位置する。
【0064】
各突起部４０２は、例えば円板状を成している。上側主面４００に配線基板９が載置される場合には、複数の突起部４０２は、配線基板９に設けられた後述の複数の貫通孔９２ｃにそれぞれ挿入される。突起部４０２の端面は、例えば、バスバー２の突起部２０２の端面及びバスバー３の突起部３０２の端面と同一平面上に位置する。
【0065】
バスバー４の上側主面４００のうち突起部４０２が存在しない領域は、例えば、バスバー２の基板載置領域２０１のうち突起部２０２が存在しない領域と同一平面上に位置する。また、バスバー４の上側主面４００のうち突起部４０２が存在しない領域は、例えば、バスバー３の基板載置領域３０１のうち突起部３０２が存在しない領域と同一平面上に位置する。突起部４０２の役割については後で詳細に説明する。
【0066】
図１３及び１４等に示されるように、下側主面４１０には、複数の導電性の突起部４１２が設けられている。複数の突起部４１２は、例えば、バスバー４の一部で構成されている。本例では、突起部４１２は、バスバー４の一部であることから、例えば銅で構成されている。複数の突起部４１２は、バスバー４の長手方向に沿って並んでいる。複数の突起部４１２は、バスバー２の複数の突起部２１２と、バスバー３の複数の突起部３１２との間に位置する。
【0067】
各突起部４１２は、例えば円板状を成している。下側主面４１０に配線基板１９が載置される場合には、複数の突起部４１２は、配線基板１９に設けられた後述の複数の貫通孔９２ｃにそれぞれ挿入される。突起部４１２の端面は、例えば、バスバー２の突起部２１２の端面及びバスバー３の突起部３１２の端面と同一平面上に位置する。
【0068】
バスバー４の下側主面４１０のうち突起部４１２が存在しない領域は、例えば、バスバー２の基板載置領域２１１のうち突起部２１２が存在しない領域と同一平面上に位置する。また、バスバー４の下側主面４１０のうち突起部４１２が存在しない領域は、例えば、バスバー３の基板載置領域３１１のうち突起部３１２が存在しない領域と同一平面上に位置する。突起部４１２の役割については後で詳細に説明する。
【0069】
バスバー４の長手方向の一方の端部には開口部４２０が設けられている。開口部４２０は、バスバー４の厚み方向においてバスバー４を貫通している。この開口部４２０には、後述するように、コネクタ７ｂが配置される。
【0070】
バスバー２において最も厚みのある部分の厚みは例えば３ｍｍに設定される。また、バスバー３において最も厚みのある部分の厚みは例えば３ｍｍに設定される。また、バスバー４において最も厚みのある部分の厚みは例えば３ｍｍに設定される。バスバー２，３，４の厚みはこの限りではない。
【0071】
＜放熱部材の構成例＞
各放熱部材１０は、例えばアルミニウムで構成されている。板状の放熱部材１０は、放熱板であるとも言える。各放熱部材１０は、純アルミニウムで構成されてもよい。この純アルミニウムは、例えば、ＪＩＳで定められているＡ１０５０の純アルミニウムが採用される。放熱部材１０は、アルミニウム以外の金属で構成されてもよい。放熱部材１０の厚みは、例えば１．５ｍｍに設定される。放熱部材１０の厚みはこの限りではない。
各放熱部材１０は、例えばアルミニウムで構成されている。板状の放熱部材１０は、放熱板であるとも言える。各放熱部材１０は、純アルミニウムで構成されてもよい。この純アルミニウムは、例えば、ＪＩＳで定められているＡ１０５０の純アルミニウムが採用される。放熱部材１０は、アルミニウム以外の金属で構成されてもよい。放熱部材１０の厚みは、例えば１．５ｍｍに設定される。放熱部材１０の厚みはこの限りではない。
【0072】
図６，１２，１３等に示されるように、放熱部材１０ａは、バスバー２の下側主面２１０上に設けられている。放熱部材１０ａは、例えば、バスバー２の本体部２０の下側の主面に設けられている。放熱部材１０ａは、例えば、本体部２０の下側の主面のうち基板載置領域２１１以外の領域上に設けられている。放熱部材１０ａは、バスバー２に対して、例えば、加圧処理及び熱処理が用いられて拡散接合されている。放熱部材１０ａにおける、バスバー２と接合されている主面とは反対側の主面（言い換えれば露出している主面）は、例えばアルマイト処理されている。これにより、放熱部材１０ａと、回路構成体１以外の部材との間の電気絶縁性を高めることができる。
【0073】
放熱部材１０ｂは、バスバー３の下側主面３１０上に設けられている。放熱部材１０ｂは、例えば、バスバー３の本体部３０の下側の主面に設けられている。放熱部材１０ｂは、例えば、本体部３０の下側の主面のうち基板載置領域３１１以外の領域上に設けられている。放熱部材１０ｂは、バスバー３に対して、例えば、加圧処理及び熱処理が用いられて拡散接合されている。放熱部材１０ｂにおける、バスバー３と接合されている主面とは反対側の主面（言い換えれば露出している主面）は、例えばアルマイト処理されている。これにより、放熱部材１０ｂと、回路構成体１以外の部材との間の電気絶縁性を高めることができる。
【0074】
＜絶縁部材の構成例＞
絶縁部材５は、例えば絶縁性樹脂で構成されている。絶縁部材５は、例えばＰＰＳ（Poly Phenylene Sulfide Resin）で構成されている。絶縁部材５は、例えば、バスバー２，３，４及び複数の放熱部材１０と一体成形されている。ＰＰＳで構成された絶縁部材５の線膨張係数は、例えば４０ｐｐｍ／℃である。
絶縁部材５は、例えば絶縁性樹脂で構成されている。絶縁部材５は、例えばＰＰＳ（Poly Phenylene Sulfide Resin）で構成されている。絶縁部材５は、例えば、バスバー２，３，４及び複数の放熱部材１０と一体成形されている。ＰＰＳで構成された絶縁部材５の線膨張係数は、例えば４０ｐｐｍ／℃である。
【0075】
図１１及び１４等に示されるように、絶縁部材５は、枠状の絶縁部分５０と、当該絶縁部分５０に繋がる直線状の絶縁部分５１及び５２とを備える。枠状の絶縁部分５０は、バスバー２の本体部２０と、本体部２０上の放熱部材１０ａと、バスバー４と、バスバー３の本体部３０と、本体部３０上の放熱部材１０ｂとの周囲を取り囲むように、本体部２０、放熱部材１０ａ、バスバー４、本体部３０及び放熱部材１０ｂに取り付けられている。絶縁部分５１は、本体部２０とバスバー４との間に位置する。バスバー２及び４は、絶縁部分５１によって電気絶縁されている。絶縁部分５２は、本体部３０とバスバー４との間に位置する。バスバー３及び４は、絶縁部分５２によって電気絶縁されている。
【0076】
図１１等に示されるように、バスバー２の上側の基板載置領域２０１と、バスバー４の上側主面４００とは、絶縁部分５１を介して互いに隣り合っている。バスバー３の上側の基板載置領域３０１と、バスバー４の上側主面４００とは、絶縁部分５２を介して互いに隣り合っている。
【0077】
図１４等に示されるように、バスバー２の下側の基板載置領域２１１と、バスバー４の下側主面４１０とは、絶縁部分５１を介して互いに隣り合っている。バスバー３の下側の基板載置領域３１１と、バスバー４の下側主面４１０とは、絶縁部分５２を介して互いに隣り合っている。
【0078】
＜ＭＯＳＦＥＴの構成例＞
図１５は、ＭＯＳＦＥＴ６の一例を示す概略裏面図である。ここでは、説明の便宜上、図１５の右側及び左側をそれぞれＭＯＳＦＥＴ６の右側及び左側とし、図１５の上下方向をＭＯＳＦＥＴ６の上下方向として、ＭＯＳＦＥＴ６の構成を説明する。
図１５は、ＭＯＳＦＥＴ６の一例を示す概略裏面図である。ここでは、説明の便宜上、図１５の右側及び左側をそれぞれＭＯＳＦＥＴ６の右側及び左側とし、図１５の上下方向をＭＯＳＦＥＴ６の上下方向として、ＭＯＳＦＥＴ６の構成を説明する。
【0079】
ＭＯＳＦＥＴ６は、例えば表面実装部品である。図１５に示されるように、ＭＯＳＦＥＴ６は、半導体素子等が収容されたパッケージ６０を備える。パッケージ６０は、例えば、リードレス型のパッケージある。パッケージ６０は、本体部６５と、ゲート端子６１と、複数のソース端子６２と、ドレイン端子６３とを備える。ゲート端子６１と、複数のソース端子６２と、ドレイン端子６３は、本体部６５の裏面に設けられている。
【0080】
本体部６５は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂で構成されている。複数のソース端子６２は、本体部６５の内部で互いに電気的に接続されている。ゲート端子６１、ソース端子６２及びドレイン端子６３は、例えば金属で構成されている。ゲート端子６１、ソース端子６２及びドレイン端子６３は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅は、例えば、ＪＩＳで定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用される。また、ゲート端子６１、ソース端子６２及びドレイン端子６３は銅合金で構成されてもよい。ゲート端子６１、ソース端子６２及びドレイン端子６３は、例えば平板状を成している。
【0081】
本体部６５の裏面の右側端部では、ゲート端子６１及び複数のソース端子６２が上下方向に沿って一列に並べられている。ゲート端子６１及び複数のソース端子６２は、本体部６５の裏面の右側端から少し外側に突出している。ドレイン端子６３の左側端は凹凸状となっており、当該左側端に上下方向に並ぶ複数の凸部６３ａが設けられている。複数の凸部６３ａは、本体部６５の裏面の左側端から少し外側に突出している。
【0082】
なお、パッケージ６０の形状は上記の例に限られない。例えば、ドレイン端子６３の形状は、図１５の形状以外であってもよい。また、パッケージ６０が備えるソース端子６２の数は３個以外であってもよい。また、パッケージ６０はリード型のパッケージであってもよい。
【0083】
＜配線基板の構成例＞
図１６は配線基板９の一例を示す概略斜視図である。図９及び１６等に示されるように、配線基板９は、例えば、絶縁基板９０と、当該絶縁基板９０に設けられた導電層９５とを有する。絶縁基板９０は、例えば、セラミック基板であってもよいし、樹脂を含む基板であってもよい。後者の場合、絶縁基板９０は、ガラスエポキシ基板であってもよいし、樹脂を含む他の基板であってもよい。絶縁基板９０の厚さは、例えば、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下に設定されてもよい。導電層９５は、銅で構成されてもよいし、他の金属で構成されてもよい。導電層９５は、例えば、絶縁基板９０の一方の主面上に設けられている。配線基板９は、その一方の主面に導電層９５を有する。以後、説明の便宜上、配線基板９及び絶縁基板９０の導電層９５側の主面を表側主面と呼び、その反対側の主面を裏側主面と呼ぶ。
図１６は配線基板９の一例を示す概略斜視図である。図９及び１６等に示されるように、配線基板９は、例えば、絶縁基板９０と、当該絶縁基板９０に設けられた導電層９５とを有する。絶縁基板９０は、例えば、セラミック基板であってもよいし、樹脂を含む基板であってもよい。後者の場合、絶縁基板９０は、ガラスエポキシ基板であってもよいし、樹脂を含む他の基板であってもよい。絶縁基板９０の厚さは、例えば、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下に設定されてもよい。導電層９５は、銅で構成されてもよいし、他の金属で構成されてもよい。導電層９５は、例えば、絶縁基板９０の一方の主面上に設けられている。配線基板９は、その一方の主面に導電層９５を有する。以後、説明の便宜上、配線基板９及び絶縁基板９０の導電層９５側の主面を表側主面と呼び、その反対側の主面を裏側主面と呼ぶ。
【0084】
配線基板９は、単層基板であってもよいし、多層基板であってもよい。配線基板９は、表側主面だけではなく、裏側主面に導電層を有してもよいし、内層に導電層を有してもよい。なお、図６では、導電層９５の図示は省略されている。
【0085】
配線基板９は、ＭＯＳＦＥＴ６及び導電片８が搭載される第１部分９ａと、当該第１部分９ａから突出する第２部分９ｂ及び第３部分９ｃとを備える。第１部分９ａの外形は、例えば略長方形である。第２部分９ｂ及び第３部分９ｃの外形は、例えば略正方形である。第２部分９ｂは、第１部分９ａの長手方向の一端から突出している。第３部分９ｃは、第１部分９ａの長手方向の他端から突出している。
【0086】
第１部分９ａは、その厚み方向に貫通する複数の貫通孔９２を備える。複数の貫通孔９２は、配線基板９の長手方向に沿うように、第１部分９ａの短手方向の一方端部に設けられた複数の貫通孔９２ａを含む。また、複数の貫通孔９２は、配線基板９の長手方向に沿うように、第１部分９ａの短手方向の他方端部に設けられた複数の貫通孔９２ｂを含む。そして、複数の貫通孔９２は、配線基板９の長手方向に沿うように、第１部分９ａの短手方向の中央部に設けられた複数の貫通孔９２ｃを含む。複数の貫通孔９２ｃは、複数の貫通孔９２ａと複数の貫通孔９２ｂとの間に位置する。
【0087】
配線基板９の導電層９５は、図９及び１６等に示されるように、複数の導電領域９６を備える。複数の導電領域９６は、複数のＭＯＳＦＥＴ１６にそれぞれ対応している。さらに、導電層９５は、複数の拡張領域９８と導電領域９９とを含む。導電領域９９は、コネクタ７ａに対応している。
【0088】
導電領域９６は、それに対応するＭＯＳＦＥＴ１６のゲート端子６１が接合されるランド９６０を有する。導電領域９６は、それに対応するＭＯＳＦＥＴ１６の複数のソース端子６２がそれぞれ接合される複数のランド９６１を有する。導電領域９６は、それに対応するＭＯＳＦＥＴ１６のドレイン端子６３が接合されるランド９６２を有する。ランド９６２は、ドレイン端子６３の複数の凸部６３ａがそれぞれ接合される複数の凸部９６２ａを有する。端子等が接合されるランドは、パッドとも呼ばれる。
【0089】
複数の導電領域９６は、複数の導電領域９６ａと複数の導電領域９６ｂとを含む。複数の導電領域９６ａは複数のＭＯＳＦＥＴ１６ａにそれぞれ対応する。複数の導電領域９６ｂは複数のＭＯＳＦＥＴ１６ｂにそれぞれ対応する。
【0090】
本例では、図１等に示されるように、１個のＭＯＳＦＥＴ１６ａと１個のＭＯＳＦＥＴ１６ｂとが互いに対向するように配置されている。そして、互いに対向配置されたＭＯＳＦＥＴ１６ａ及び１６ｂが第１ＦＥＴ対を構成している。回路構成体１は、上側に複数の第１ＦＥＴ対を備えている。
【0091】
複数の拡張領域９８は、複数の第１ＦＥＴ対にそれぞれ対応している。拡張領域９８は、それに対応する第１ＦＥＴ対に含まれるＭＯＳＦＥＴ１６ａの複数のソース端子６２が接合される複数のランド９６１から拡張された領域である。また、拡張領域９８は、それに対応する第１ＦＥＴ対に含まれるＭＯＳＦＥＴ１６ｂの複数のソース端子６２が接合される複数のランド９６１から拡張された領域でもある。第１ＦＥＴ対に含まれるＭＯＳＦＥＴ１６ａの複数のソース端子６２が接合される複数のランド９６１と、当該第１ＦＥＴ対に含まれるＭＯＳＦＥＴ１６ｂの複数のソース端子６２が接合される複数のランド９６１とは、当該第１ＦＥＴ対に対応する拡張領域９８によって接続されている。各ランド９６１は、拡張領域９８から突出する凸部であるとも言える。
【0092】
複数の導電領域９６ａは、複数の貫通孔９２ａにそれぞれ対応している。また、複数の導電領域９６ｂは、複数の貫通孔９２ｂにそれぞれ対応している。導電領域９６ａのランド９６２は、当該導電領域９６ａに対応する貫通孔９２ａの周囲に位置する。導電領域９６ｂのランド９６２は、当該導電領域９６ｂに対応する貫通孔９２ｂの周囲に位置する。ランド９６２は、貫通孔９２の開口縁（詳細には配線基板９の導電層９５側の主面の開口縁）を取り囲むように設けられている。ランド９６２には、貫通孔９２が設けられているとも言える。
【0093】
複数の拡張領域９８は、複数の貫通孔９２ｃにそれぞれ対応している。拡張領域９８は、それに対応する貫通孔９２ｃの周囲に位置する。拡張領域９８は、貫通孔９２ｃの開口縁（詳細には配線基板９の導電層９５側の主面の開口縁）を取り囲むように設けられている。拡張領域９８には貫通孔９２ｃが設けられているとも言える。
【0094】
本例では、貫通孔９２は、例えば、その内周面に導電領域が形成されたスルーホールである。貫通孔９２の内周面の導電領域は、例えば、金属で構成されている。貫通孔９２の内周面の導電領域は、導電層９５と同じ材料で構成されてもよいし、異なる材料で構成されてもよい。貫通孔９２ａの内周面の導電領域は、当該貫通孔９２ａの周囲のランド９６２と繋がっている。貫通孔９２ｂの内周面の導電領域は、当該貫通孔９２ｂの周囲のランド９６２と繋がっている。貫通孔９２ｃの内周面の導電領域は、当該貫通孔９２ｃの周囲の拡張領域９８と繋がっている。なお、貫通孔９２の内周面には導電領域が形成されていなくてもよい。
【0095】
コネクタ７ａに対応する導電領域９９は、コネクタ７ａが備える複数の接続端子７０がそれぞれ接合される複数のランド９９０を備える。複数のランド９９０に対して、コネクタ７ａの複数の接続端子７０が、例えば、はんだで接合される。はんだは、すずを主成分としている。
【0096】
導電層９５には、複数のＭＯＳＦＥＴ１６のゲート端子６１にそれぞれ電気的に接続される複数の第１配線が含まれる、複数の第１配線の一端は、複数のＭＯＳＦＥＴ１６のゲート端子６１が接合される複数のランド９６０にそれぞれ繋がっている。複数の第１配線の他端は、コネクタ７ａの複数の接続端子７０が接合される複数のランド９９０にそれぞれ繋がっている。ゲート端子６１は、第１配線を通じて、コネクタ７ａの接続端子７０に電気的に接続されている。
【0097】
図１７は配線基板１９の一例を示す概略斜視図である。配線基板１９は、配線基板９とほぼ同様の構造を有している。図１２及び１７等に示されるように、配線基板１９は、配線基板９と同様に、絶縁基板９０及び導電層９５を有する。また、配線基板１９は、ＭＯＳＦＥＴ６及び導電片８が搭載される第１部分１９ａと、当該第１部分１９ａから突出する第２部分１９ｂ及び第３部分１９ｃとを備える。第１部分１９ａは、配線基板９の第１部分９ａと同様の構造を有している。第１部分１９ａは、複数の貫通孔９２と、複数の導電領域９６と、複数の拡張領域９８とを有する。以後、説明の便宜上、配線基板１９の導電領域９６側の主面を表側主面と呼び、その反対側の主面を裏側主面と呼ぶ。
【0098】
第２部分１９ｂ及び第３部分１９ｃの外形は、例えば略正方形である。第２部分１９ｂは、第１部分９ａの長手方向の一端から突出している。第３部分１９ｃは、第１部分９ａの長手方向の他端から突出している。第２部分９ｂとは異なり、第２部分１９ｂには、導電領域が設けられていない。第３部分１９ｃにおける、配線基板１９の裏側主面側の主面には、コネクタ７ｂに対応する導電領域９３が設けられている（図９等参照）。
【0099】
配線基板１９では、複数の導電領域９６は、複数のＭＯＳＦＥＴ２６にそれぞれ対応している。複数の導電領域９６ａは複数のＭＯＳＦＥＴ２６ｂにそれぞれ対応し、複数の導電領域９６ｂは複数のＭＯＳＦＥＴ２６ａにそれぞれ対応している。導電領域９６のランド９６０には、当該導電領域９６が対応するＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子６１が接合される。導電領域９６の複数のランド９６１には、当該導電領域９６が対応するＭＯＳＦＥＴ２６の複数のソース端子６２がそれぞれ接合される。導電領域９６のランド９６２には、当該導電領域９６が対応するＭＯＳＦＥＴ２６のドレイン端子６３が接合される。
【0100】
本例では、図３等に示されるように、１個のＭＯＳＦＥＴ２６ａと１個のＭＯＳＦＥＴ２６ｂとが互いに対向するように配置されている。そして、互いに対向配置されたＭＯＳＦＥＴ２６ａ及び２６ｂが第２ＦＥＴ対を構成している。回路構成体１は、下側に複数の第２ＦＥＴ対を備えている。
【0101】
配線基板１９の複数の拡張領域９８は、複数の第２ＦＥＴ対にそれぞれ対応している。拡張領域９８は、それに対応する第２ＦＥＴ対に含まれるＭＯＳＦＥＴ２６ａの複数のソース端子６２が接合される複数のランド９６１から拡張された領域である。また、拡張領域９８は、それに対応する第２ＦＥＴ対に含まれるＭＯＳＦＥＴ２６ｂの複数のソース端子６２が接合される複数のランド９６１から拡張された領域でもある。第２ＦＥＴ対に含まれるＭＯＳＦＥＴ２６ａの複数のソース端子６２が接合される複数のランド９６１と、当該第２ＦＥＴ対に含まれるＭＯＳＦＥＴ２６ｂの複数のソース端子６２が接合される複数のランド９６１とは、当該第２ＦＥＴ対に対応する拡張領域９８によって接続されている。
【0102】
第３部分１９ｃに設けられた導電領域９３は、コネクタ７ａに対応する導電領域９９と同様の形状を有している。導電領域９３は、コネクタ７ｂが備える複数の接続端子７０がそれぞれ接合される複数のランド９３０を備える。複数のランド９３０に対して、コネクタ７ｂの複数の接続端子７０が、例えば、はんだで接合される。
【0103】
配線基板１９の導電層９５は、複数の第１配線の替わりに、複数のＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子６１にそれぞれ電気的に接続される複数の第２配線を有する。複数の第２配線の一端は、複数のＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子６１が接合される複数のランド９６０にそれぞれ繋がっている。複数の第２配線の他端は、コネクタ７ｂの複数の接続端子７０が接合される複数のランド９３０にそれぞれ繋がっている。ＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子６１は、第２配線を通じて、コネクタ７ｂの接続端子７０に電気的に接続されている。
【0104】
以上のような構成を有する配線基板９は、バスバー２の基板載置領域２０１と、バスバー２とバスバー４の間の絶縁部分５１と、バスバー４の上側主面４００と、バスバー４とバスバー３の間の絶縁部分５２と、バスバー３の基板載置領域３０１との上に載置される。以後、配線基板９が載置される、基板載置領域２０１、絶縁部分５１、バスバー４の上側主面４００、絶縁部分５２及び基板載置領域３０１をまとめて上側基板載置領域と呼ぶことがある。また、基板載置領域２０１上の突起部２０２、基板載置領域３０１上の突起部３０２及びバスバー４の上側主面４００上の突起部４０２のそれぞれを、上側突起部と呼ぶことがある。
【0105】
配線基板１９は、バスバー２の基板載置領域２１１と、バスバー２とバスバー４の間の絶縁部分５１と、バスバー４の下側主面４１０と、バスバー４とバスバー３の間の絶縁部分５２と、バスバー３の基板載置領域３１１との上に載置される。以後、配線基板１９が載置される、基板載置領域２１１、絶縁部分５１、バスバー４の下側主面４１０、絶縁部分５２及び基板載置領域３１１をまとめて下側基板載置領域と呼ぶことがある。また、基板載置領域２１１上の突起部２１２、基板載置領域３１１上の突起部３１２及びバスバー４の下側主面４１０上の突起部４１２のそれぞれを、下側突起部と呼ぶことがある。
【0106】
【0107】
図１８等に示されるように、配線基板９は、その裏側主面が上側基板載置領域と対向するように、上側基板載置領域上に設けられる。配線基板９は、例えば、接合材１２ａ（図６参照）が使用されて、上側基板載置領域に固定される。接合材１２ａは、粘着シートであってもよいし、他の部材であってもよい。
【0108】
配線基板９が上側基板載置領域上に載置されるとき、複数の上側突起部が、配線基板９の複数の貫通孔９２にそれぞれ挿入される。具体的には、バスバー２の複数の突起部２０２が配線基板９の複数の貫通孔９２ａにそれぞれ挿入される。また、バスバー３の複数の突起部３０２が配線基板９の複数の貫通孔９２ｂにそれぞれ挿入される。そして、バスバー４の複数の突起部４０２が配線基板９の複数の貫通孔９２ｃにそれぞれ挿入される。
【0109】
配線基板９が上側基板載置領域上に載置された状態では、突起部２０２はバスバー２から貫通孔９２ａ内に突出し、突起部３０２はバスバー３から貫通孔９２ｂ内に突出し、突起部４０２はバスバー４から貫通孔９２ｃ内に突出する。上側突起部の直径は、貫通孔９２の直径よりも若干小さく設定されている。上側突起部は貫通孔９２に嵌合するとも言える。
【0110】
上側基板載置領域に載置された配線基板９の絶縁基板９０の表側主面は、バスバー２の上側主面２００における基板載置領域２０１以外の領域と、バスバー３の上側主面３００における基板載置領域３０１以外の領域と面一となっている。なお、絶縁基板９０上の導電層９５の表面が、バスバー２の上側主面２００における基板載置領域２０１以外の領域と、バスバー３の上側主面３００における基板載置領域３０１以外の領域と同一平面上に位置してもよい。
【0111】
貫通孔９２内の上側突起部の円形の端面は、例えば、絶縁基板９０上の導電層９５の平坦な表面と同一平面上に位置する。したがって、貫通孔９２ａ内の突起部２０２の端面は、当該貫通孔９２ａの周囲の導電領域９６ａの表面と面一になる。また、貫通孔９２ｂ内の突起部３０２の端面は、当該貫通孔９２ｂの周囲の導電領域９６ｂの表面と面一になる。そして、貫通孔９２ｃ内の突起部４０２の端面は、当該貫通孔９２ｃの周囲の拡張領域９８の表面と面一になる。なお、上側突起部の端面は、絶縁基板９０の表側主面と同一平面上に位置してもよい。
【0112】
また、配線基板９は、第３部分９ｃに設けられた開口部９１が、バスバー４の端部に設けられた開口部４２０と対向するように上側基板載置領域に設けられる。これにより、開口部９１及び開口部４２０は連通して一つの開口部を構成する。
【0113】
配線基板１９は、図１９等に示されるように、その裏側主面が下側基板載置領域と対向するように、下側基板載置領域上に設けられる。配線基板１９は、例えば、接合材１２ｂ（図６参照）が使用されて、下側基板載置領域に固定される。接合材１２ｂは、粘着シートであってもよいし、他の部材であってもよい。
【0114】
配線基板１９が下側基板載置領域上に載置されるとき、複数の下側突起部が、配線基板１９の複数の貫通孔９２にそれぞれ挿入される。具体的には、バスバー２の複数の突起部２１２が配線基板１９の複数の貫通孔９２ｂにそれぞれ挿入される。また、バスバー３の複数の突起部３１２が配線基板１９の複数の貫通孔９２ａにそれぞれ挿入される。そして、バスバー４の複数の突起部４１２が配線基板１９の複数の貫通孔９２ｃにそれぞれ挿入される。下側突起部の直径は、貫通孔９２の直径よりも若干小さく設定されている。
【0115】
下側基板載置領域に載置された配線基板１９の絶縁基板９０の表側主面は、バスバー２の下側主面２１０における基板載置領域２１１以外の領域と、バスバー３の下側主面３１０における基板載置領域３１１以外の領域と面一となっている。なお、配線基板１９の導電層９５の表面が、バスバー２の下側主面２１０における基板載置領域２１１以外の領域と、バスバー３の下側主面３１０における基板載置領域３１１以外の領域と同一平面上に位置してもよい。
【0116】
貫通孔９２内の下側突起部の端面は、例えば、導電層９５の表面と同一平面上に位置する。したがって、貫通孔９２ｂ内の突起部２１２の端面は、当該貫通孔９２ｂの周囲の導電領域９６ｂの表面と面一になる。また、貫通孔９２ａ内の突起部３１２の端面は、当該貫通孔９２ａの周囲の導電領域９６ａの表面と面一になる。そして、貫通孔９２ｃ内の突起部４１２の端面は、当該貫通孔９２ｃの周囲の拡張領域９８の表面と面一になる。なお、下側突起部の端面は、絶縁基板９０の表側主面と同一平面上に位置してもよい。
【0117】
下側基板載置領域に載置された配線基板１９の表側主面は、放熱部材１０ａ及び１０ｂの露出している主面よりも少し低くなっている。図１９に示される構造の配線基板１９側の面には、絶縁部材５の枠状の絶縁部分５０と放熱部材１０ａ及び１０ｂとで囲まれた窪みが生じている。この窪みに、複数のＭＯＳＦＥＴ２６及び複数の導電片２８が配置される。
【0118】
また、配線基板１９は、第３部分１９ｃに設けられた導電領域９３が、バスバー４の開口部４２０と対向するように下側基板載置領域に設けられる。これにより、配線基板９及び１９が搭載されたバスバー２，３，４及び絶縁部材５を配線基板９側から見た場合に、図９及び１８等に示されるように、配線基板１９の導電領域９３が、開口部９１及び４２０から露出する。
【0119】
＜導電片について＞
図１，４，５，６等に示されるように、配線基板９上の複数の導電片１８は、配線基板９の表側主面から露出する複数の突起部４０２にそれぞれ接合されている。また、複数の導電片１８は、配線基板９の複数の拡張領域９８にそれぞれ接合されている。導電片１８は、配線基板９の貫通孔９２ｃ内の突起部４０２の端面と、当該貫通孔９２ｃの周縁部とを覆うように配線基板９上に設けられている。導電片１８は貫通孔９２ｃの開口縁（詳細には配線基板９の表側主面側の開口縁）を覆っている。導電片１８の厚みは、例えば、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されてもよい。
図１，４，５，６等に示されるように、配線基板９上の複数の導電片１８は、配線基板９の表側主面から露出する複数の突起部４０２にそれぞれ接合されている。また、複数の導電片１８は、配線基板９の複数の拡張領域９８にそれぞれ接合されている。導電片１８は、配線基板９の貫通孔９２ｃ内の突起部４０２の端面と、当該貫通孔９２ｃの周縁部とを覆うように配線基板９上に設けられている。導電片１８は貫通孔９２ｃの開口縁（詳細には配線基板９の表側主面側の開口縁）を覆っている。導電片１８の厚みは、例えば、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されてもよい。
【0120】
導電片１８は、貫通孔９２ｃ内の突起部４０２の端面と、当該貫通孔９２ｃの周囲の拡張領域９８とに対して、導電性接合材１０１で接合されている（図６参照）。導電性接合材１０１としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材１０１は、導電片１８の裏面を突起部４０２の端面及び拡張領域９８の表面に接合し、導電片１８の周端面を拡張領域９８の表面に接合する。導電性接合材１０１は、突起部４０２及び拡張領域９８と導電片１８との間に位置する部分を含む。また、導電性接合材１０１は、例えば、貫通孔９２ｃ内に入り込んでいる。この場合、スルーホールである貫通孔９２ｃの内周面の導電領域と、当該貫通孔９２ｃ内の突起部４０２とが導電性接合材１０１で接合されている。
【0121】
複数の導電片１８は、複数の第１ＦＥＴ対にそれぞれ対応して設けられている。各導電片１８は、それに対応する第１ＦＥＴ対を構成するＭＯＳＦＥＴ１６ａ及び１６ｂのソース端子６２とバスバー４との間の電気抵抗を低減するために設けられている。
【0122】
図３，６，７，８等に示されるように、配線基板１９上の複数の導電片２８は、配線基板１９の表側主面から露出する複数の突起部４１２にそれぞれ接合されている。また、複数の導電片２８は、配線基板１９の複数の拡張領域９８にそれぞれ接合されている。導電片２８は、配線基板１９の貫通孔９２ｃ内の突起部４１２の端面と、当該貫通孔９２ｃの周縁部とを覆うように配線基板１９上に設けられている。導電片２８は貫通孔９２ｃの開口縁（詳細には配線基板１９の表側主面側の開口縁）を覆っている。導電片２８の厚みは、例えば、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下に設定されてもよい。
【0123】
導電片２８は、貫通孔９２ｃ内の突起部４１２の端面と、当該貫通孔９２ｃの周囲の拡張領域９８とに対して、導電性接合材１０２で接合されている（図６参照）。導電性接合材１０２としては、例えばはんだが採用される。例えば、導電片１８が導電性接合材１０１で突起部４０２及び拡張領域９８に対して接合される場合と同様に、導電片２８が導電性接合材１０２で突起部４１２及び拡張領域９８に接合される。
【0124】
複数の導電片２８は、複数の第２ＦＥＴ対にそれぞれ対応して設けられている。各導電片２８は、それに対応する第２ＦＥＴ対を構成するＭＯＳＦＥＴ２６ａ及び２６ｂのソース端子６２とバスバー４との間の電気抵抗を低減するために設けられている。
【0125】
＜電子部品の実装例＞
図６等に示されるように、上側の各ＭＯＳＦＥＴ１６ａは、例えば、バスバー２とバスバー４との両方に跨るように、配線基板９上に設けられている。バスバー２とバスバー４との間には絶縁部分５１が位置することから、各ＭＯＳＦＥＴ１６ａは、絶縁部分５１を跨ぐようにバスバー２及び４の上に位置する。
図６等に示されるように、上側の各ＭＯＳＦＥＴ１６ａは、例えば、バスバー２とバスバー４との両方に跨るように、配線基板９上に設けられている。バスバー２とバスバー４との間には絶縁部分５１が位置することから、各ＭＯＳＦＥＴ１６ａは、絶縁部分５１を跨ぐようにバスバー２及び４の上に位置する。
【0126】
複数のＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３は、複数の導電領域９６ａのランド９６２にそれぞれ接合されている。ＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３の複数の凸部６３ａは、ランド９６２の複数の凸部９６２ａにそれぞれ接合されている。
【0127】
また、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３は、それが接合されるランド９６２から露出する突起部２０２にも接合されている。ＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３は、配線基板９の貫通孔９２ａ内の突起部２０２の端面と、当該貫通孔９２ａの周縁部とを覆っている。ＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３は、貫通孔９２ａの開口縁（詳細には配線基板９の表側主面側の開口縁）を覆っている。
【0128】
ＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３は、ランド９６２と、当該ランド９６２から露出する突起部２０２の端面とに対して、導電性接合材１１１で接合されている（図６参照）。導電性接合材１１１としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材１１１は、ドレイン端子６３の裏面をランド９６２の表面及び突起部２０２の端面に接合し、ドレイン端子６３の端面をランド９６２の表面に接合する。導電性接合材１１１は、突起部２０２及びランド９６２とドレイン端子６３との間に位置する部分を含む。また、導電性接合材１１１は、例えば、貫通孔９２ａ内に入り込んでいる。スルーホールである貫通孔９２ａの内周面の導電領域と、当該貫通孔９２ａ内の突起部２０２とが導電性接合材１１１で接合されている。ＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３が突起部２０２に接合されることによって、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３はバスバー２に電気的に接続される。バスバー２の入力端子部２１に入力される電圧は、バスバー２を通じてＭＯＳＦＥＴ１６ｂのドレイン端子６３に入力される。
【0129】
複数のＭＯＳＦＥＴ１６ａのゲート端子６１は、複数の導電領域９６ａのランド９６０に対して、導電性接合材でそれぞれ接合されている。導電性接合材としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材は、例えば、ゲート端子６１の裏面及び端面とランド９６０とを接合する。導電性接合材は、ゲート端子６１とランド９６０との間に位置する部分を含む。ＭＯＳＦＥＴ１６ａのゲート端子６１は、導電領域９６ａのランド９６０と、当該ランド９６０に繋がる第１配線と、当該第１配線に繋がる導電領域９９のランド９９０とを通じて、コネクタ７ａの接続端子７０に電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ１６ａは、コネクタ７ａを通じて外部からスイッチング制御される。
【0130】
ＭＯＳＦＥＴ１６ａの複数のソース端子６２は、当該ＭＯＳＦＥＴ１６ａに対応する導電領域９６ａの複数のランド９６１に対して、それぞれ導電性接合材１１２（図６参照）で接合されている。導電性接合材１１２としては、例えばはんだが採用される。導電性接合材１１２は、例えば、ソース端子６２の裏面及び端面とランド９６１とを接合する。導電性接合材１１２は、ソース端子６２とランド９６１との間に位置する部分を含む。ソース端子６２は、ランド９６１と、当該ランド９６１に繋がる拡張領域９８と、当該拡張領域９８に接合された導電片１８と、当該導電片１８が接合された導電性の突起部４０２とを通じて、中継バスバー４に電気的に接続されている。導電片１８は、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのソース端子６２と突起部４０２とを電気的に接続する中継端子として機能する。
【0131】
また、上側の各ＭＯＳＦＥＴ１６ｂは、図６等に示されるように、例えば、バスバー３とバスバー４との両方に跨るように、配線基板９上に設けられている。バスバー３とバスバー４との間には絶縁部分５２が位置することから、各ＭＯＳＦＥＴ１６ｂは、絶縁部分５２を跨ぐようにバスバー３及び４の上に位置する。
【0132】
複数のＭＯＳＦＥＴ１６ｂのドレイン端子６３は、複数の導電領域９６ｂのランド９６２にそれぞれ接合されている。また、ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのドレイン端子６３は、それが接合されるランド９６２から露出する突起部３０２にも接合されている。ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのドレイン端子６３は、ランド９６２と、当該ランド９６２から露出する突起部３０２の端面とに対して、導電性接合材１１３で接合されている（図６参照）。導電性接合材１１３としては、例えばはんだが採用される。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３が導電性接合材１１１で突起部２０２及びランド９６２に接合される場合と同様にして、ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのドレイン端子６３は導電性接合材１１３で突起部３０２及びランド９６２に接合される。
【0133】
複数のＭＯＳＦＥＴ１６ｂのゲート端子６１は、複数の導電領域９６ｂのランド９６０に対して、導電性接合材でそれぞれ接合されている。導電性接合材としては、例えばはんだが採用される。ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのゲート端子６１は、導電領域９６ｂのランド９６０と、当該ランド９６０に繋がる第１配線と、当該第１配線に繋がる導電領域９９のランド９９０とを通じて、コネクタ７ａの接続端子７０に電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ１６ｂは、コネクタ７ａを通じて外部からスイッチング制御される。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのゲート端子６１がランド９６０に接合される場合と同様にして、ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのゲート端子６１はランド９６０に接合される。
【0134】
ＭＯＳＦＥＴ１６ｂの複数のソース端子６２は、当該ＭＯＳＦＥＴ１６ｂに対応する導電領域９６ｂの複数のランド９６１に対して、それぞれ導電性接合材１１４（図６参照）で接合されている。導電性接合材１１４としては、例えばはんだが採用される。ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのソース端子６２は、ランド９６１と、当該ランド９６１に繋がる拡張領域９８と、当該拡張領域９８に接合された導電片１８と、当該導電片１８が接合された導電性の突起部４０２とを通じて、中継バスバー４に電気的に接続されている。導電片１８は、ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのソース端子６２と突起部４０２とを電気的に接続する中継端子として機能する。ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのソース端子６２は、中継バスバー４を通じて、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのソース端子６２と電気的に接続されている。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのソース端子６２が導電性接合材１１２でランド９６１に接合される場合と同様にして、ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのソース端子６２は導電性接合材１１４でランド９６１に接合される。
【0135】
下側の各ＭＯＳＦＥＴ２６ａは、上側のＭＯＳＦＥＴ１６ａと同様に、例えば、バスバー２とバスバー４との両方に跨るように、配線基板１９上に設けられている。
【0136】
複数のＭＯＳＦＥＴ２６ａのドレイン端子６３は、配線基板１９の複数の導電領域９６ｂのランド９６２にそれぞれ接合されている。また、ＭＯＳＦＥＴ２６ａのドレイン端子６３は、それが接合されるランド９６２から露出する突起部２１２にも接合されている。ＭＯＳＦＥＴ２６ａのドレイン端子６３は、ランド９６２と、当該ランド９６２から露出する突起部２１２の端面とに対して、導電性接合材１１５で接合されている（図６参照）。導電性接合材１１５としては、例えばはんだが採用される。ＭＯＳＦＥＴ２６ａのドレイン端子６３が突起部２１２に接合されることによって、ＭＯＳＦＥＴ２６ａのドレイン端子６３はバスバー２に電気的に接続される。バスバー２の入力端子部２１に入力される電圧は、バスバー２を通じてＭＯＳＦＥＴ２６ａのドレイン端子６３に入力される。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３が導電性接合材１１１で突起部２０２及びランド９６２に接合される場合と同様にして、ＭＯＳＦＥＴ２６ａのドレイン端子６３は、導電性接合材１１５で突起部２１２及びランド９６２に接合される。
【0137】
複数のＭＯＳＦＥＴ２６ａのゲート端子６１は、配線基板１９の複数の導電領域９６ｂのランド９６０に対して、導電性接合材でそれぞれ接合されている。導電性接合材としては、例えばはんだが採用される。ＭＯＳＦＥＴ２６ａのゲート端子６１は、導電領域９６ｂのランド９６０と、当該ランド９６０に繋がる第２配線と、当該第２配線に繋がる導電領域９３のランド９３０とを通じて、コネクタ７ｂの接続端子７０に電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ２６ａは、コネクタ７ｂを通じて外部からスイッチング制御される。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのゲート端子６１がランド９６０に接合される場合と同様にして、ＭＯＳＦＥＴ２６ａのゲート端子６１はランド９６０に接合される。
【0138】
ＭＯＳＦＥＴ２６ａの複数のソース端子６２は、当該ＭＯＳＦＥＴ２６ａに対応する導電領域９６ｂの複数のランド９６１に対して、それぞれ導電性接合材１１６（図６参照）で接合されている。導電性接合材１１６としては、例えばはんだが採用される。ＭＯＳＦＥＴ２６ａのソース端子６２は、ランド９６１と、当該ランド９６１に繋がる拡張領域９８と、当該拡張領域９８に接合された導電片２８と、当該導電片２８が接合された導電性の突起部４１２とを通じて、中継バスバー４に電気的に接続されている。導電片２８は、ＭＯＳＦＥＴ２６ａのソース端子６２と突起部４１２とを電気的に接続する中継端子として機能する。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのソース端子６２が導電性接合材１１２でランド９６１に接合される場合と同様にして、ＭＯＳＦＥＴ２６ａのソース端子６２は導電性接合材１１６でランド９６１に接合される。
【0139】
各ＭＯＳＦＥＴ２６ｂは、図６等に示されるように、例えば、バスバー３とバスバー４との両方に跨るように、配線基板１９上に設けられている。複数のＭＯＳＦＥＴ２６ｂのドレイン端子６３は、複数の導電領域９６ａのランド９６２にそれぞれ接合されている。また、ＭＯＳＦＥＴ２６ｂのドレイン端子６３は、それが接合されるランド９６２から露出する突起部３１２にも接合されている。ＭＯＳＦＥＴ２６ｂのドレイン端子６３は、ランド９６２と、当該ランド９６２から露出する突起部３１２の端面とに対して、導電性接合材１１７で接合されている（図６参照）。導電性接合材１１７としては、例えばはんだが採用される。ＭＯＳＦＥＴ２６ｂのドレイン端子６３が突起部３１２に接合されることによって、ＭＯＳＦＥＴ２６ｂのドレイン端子６３はバスバー３に電気的に接続される。ＭＯＳＦＥＴ２６ｂのドレイン端子６３の出力電圧は、バスバー３の出力端子部３１から外部に出力される。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのドレイン端子６３が導電性接合材１１１で突起部２０２及びランド９６２に接合される場合と同様にして、ＭＯＳＦＥＴ２６ｂのドレイン端子６３は、導電性接合材１１７で突起部３１２及びランド９６２に接合される。
【0140】
複数のＭＯＳＦＥＴ２６ｂのゲート端子６１は、複数の導電領域９６ａのランド９６０に対して、導電性接合材でそれぞれ接合されている。導電性接合材としては、例えばはんだが採用される。ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのゲート端子６１は、導電領域９６ａのランド９６０と、当該ランド９６０に繋がる第２配線と、当該第２配線に繋がる導電領域９３のランド９３０とを通じて、コネクタ７ｂの接続端子７０に電気的に接続されている。各ＭＯＳＦＥＴ２６ｂは、コネクタ７ｂを通じて外部からスイッチング制御される。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのゲート端子６１がランド９６０に接合される場合と同様にして、ＭＯＳＦＥＴ２６ｂのゲート端子６１はランド９６０に接合される。
【0141】
ＭＯＳＦＥＴ２６ｂの複数のソース端子６２は、当該ＭＯＳＦＥＴ２６ｂに対応する導電領域９６ａの複数のランド９６１に対して、それぞれ導電性接合材１１８（図６参照）で接合されている。導電性接合材１１８としては、例えばはんだが採用される。ソース端子６２は、ランド９６１と、当該ランド９６１に繋がる拡張領域９８と、当該拡張領域９８に接合された導電片２８と、当該導電片２８が接合された導電性の突起部４１２とを通じて、中継バスバー４に電気的に接続されている。導電片２８は、ＭＯＳＦＥＴ２６ｂのソース端子６２と突起部４１２とを電気的に接続する中継端子として機能する。ＭＯＳＦＥＴ２６ｂのソース端子６２は、中継バスバー４を通じて、ＭＯＳＦＥＴ２６ａのソース端子６２と電気的に接続されている。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのソース端子６２が導電性接合材１１２でランド９６１に接合される場合と同様にして、ＭＯＳＦＥＴ２６ｂのソース端子６２は導電性接合材１１８でランド９６１に接合される。
【0142】
＜モールド樹脂の構成例＞
モールド樹脂１１は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂で構成されている。モールド樹脂１１の線膨張係数は、例えば、絶縁部材５の線膨張係数よりも小さく設定されている。エポキシ樹脂で構成されたモールド樹脂１１の線膨張係数は、例えば３０ｐｐｍ／℃であり、ＰＰＳで構成された絶縁部材５の線形膨張係数（例えば４０ｐｐｍ／℃）よりも小さい。
モールド樹脂１１は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化樹脂で構成されている。モールド樹脂１１の線膨張係数は、例えば、絶縁部材５の線膨張係数よりも小さく設定されている。エポキシ樹脂で構成されたモールド樹脂１１の線膨張係数は、例えば３０ｐｐｍ／℃であり、ＰＰＳで構成された絶縁部材５の線形膨張係数（例えば４０ｐｐｍ／℃）よりも小さい。
【0143】
図２，３等に示されるように、モールド樹脂１１は、各ＭＯＳＦＥＴ２６と各導電片２８とを覆うように配線基板１９の表側主面上に設けられている。モールド樹脂１１は配線基板１９の表側主面を覆っている。モールド樹脂１１の露出面は、例えば、各放熱部材１０の露出面と面一かつ連続している。モールド樹脂１１により、回路構成体１の内部が保護され、例えば、回路構成体１の内部が被水する可能性が低減する。
【0144】
＜回路構成体の製造方法の一例＞
以上のような構成を備える回路構成体１が製造される場合には、まず、バスバー４を作製するための金属板６００と、バスバー２及び３を作製するための金属板６１０とが準備される。図２０は金属板６００の一例を示す概略斜視図である。図２１は金属板６１０の一例を示す概略斜視図である。
以上のような構成を備える回路構成体１が製造される場合には、まず、バスバー４を作製するための金属板６００と、バスバー２及び３を作製するための金属板６１０とが準備される。図２０は金属板６００の一例を示す概略斜視図である。図２１は金属板６１０の一例を示す概略斜視図である。
【0145】
次に、金属板６００が、例えば、冷間圧造あるいは切削加工されて所定の形状に成形される。そして、成形後の金属板６００において、一方主面に複数の突起部４０２が設けられ、他方主面に複数の突起部４１２が設けられる。そして、成形後の金属板６００に開口部４２０が設けられる。これにより、図２２～２４に示される中継バスバー４が完成する。図２２及び２３は中継バスバー４を示す概略斜視図である。図２４は、中継バスバー４の長手方向に沿った断面構造を示す概略図である。
【0146】
また、金属板６１０が、例えば、冷間圧造あるいは切削加工されて所定の形状に成形されて、バスバー２の元になる成形された金属板と、バスバー３の元になる成形された金属板とが作製される。次に、バスバー２の元になる金属板に貫通孔２１ａが設けられる。また、バスバー２の元になる金属板の一方主面に複数の突起部２０２が設けられ、他方主面に複数の突起部２１２が設けられる。これにより、図２５及び図２６に示されるバスバー２が完成する。同様に、バスバー３の元になる金属板に貫通孔３１ａが設けられる。また、バスバー３の元になる金属板の一方主面に複数の突起部３０２が設けられ、他方主面に複数の突起部３１２が設けられる。これにより、図２５及び図２６に示されるバスバー３が完成する。
【0147】
次に、図２７に示されるように、放熱部材１０ａ及び１０ｂが準備される。次に、放熱部材１０ａがバスバー２の主面２１０に対して、例えば、加圧処理及び熱処理が用いられて拡散接合される。また、放熱部材１０ｂがバスバー３の主面３１０に対して、例えば、加圧処理及び熱処理が用いられて拡散接合される。これにより、図２８及び２９に示される構造が得られる。
【0148】
次に、図３０及び３１に示されるように、インサート成形用金型内にバスバー２，３，４及び放熱部材１０ａ及び１０ｂが配置される。図３０及び３１では、インサート成形用金型の図示が省略されている。そして、ＰＰＳ等の耐熱性に優れた熱可塑性樹脂が射出成形機からインサート成形用金型に射出されて、バスバー２，３，４及び放熱部材１０ａ，１０ｂと樹脂とが一体成形される。これにより、上述の図１０，１１，１３，１４に示されるように、バスバー２，３，４及び放熱部材１０ａ，１０ｂと絶縁部材５とが一体成形された一体成形品が得られる。
【0149】
次に、作製された一体成形品が備える上側基板載置領域に対して配線基板９が接合材１２ａによって固定される。また、作製された一体成形品が備える下側基板載置領域に対して配線基板１９が接合材１２ｂによって固定される。これにより、上述の図１８及び１９に示される構造が得られる。
【0150】
次に、図３２に示されるように、配線基板１９の表側主面の所定領域にはんだペースト１３が塗布される。図３２では、はんだペースト１３が斜線で示されている。そして、はんだペースト１３が塗布された領域に対して、複数のＭＯＳＦＥＴ２６及び複数の導電片２８がリフロー方式ではんだ付けされる。これにより、上述の図３及び７に示される構造が得られる。
【0151】
次に、図３及び７に示される構造の配線基板１９側の面に形成された、枠状の絶縁部分５０と放熱部材１０ａ及び１０ｂとで囲まれた窪みに対して、例えば熱可塑性樹脂が充填されて熱硬化される。これにより、配線基板１９、各ＭＯＳＦＥＴ２６及び各導電片２８を覆うモールド樹脂１１が形成される（図２参照）。
【0152】
次に、図３３に示されるように、配線基板９の表側主面の所定領域にはんだペースト１４が塗布される。また、配線基板９の開口部９１及びバスバー４の開口部４２０から露出する、配線基板１９の導電領域９３に対してもはんだペースト１４が塗布される。図３３では、はんだペースト１４が斜線で示されている。そして、はんだペースト１４が塗布された領域に対して、複数のＭＯＳＦＥＴ１６と、複数の導電片１８と、コネクタ７ａ及び７ｂとがリフロー方式ではんだ付けされる。これにより、上述の図１及び２に示される回路構成体１が完成する。ＭＯＳＦＥＴ１６等がリフロー方式ではんだ付けされる場合、ＭＯＳＦＥＴ２６及び導電片２８がモールド樹脂１１によって覆われていることから、ＭＯＳＦＥＴ２６及び導電片２８の脱落を防ぐことができる。
【0153】
その後、回路構成体１に対して、各ＭＯＳＦＥＴ６を制御する制御基板が取り付けられる。そして、バスバー２及び３に対して、配線基板９、複数のＭＯＳＦＥＴ１６、複数のコネクタ７及び複数の導電片１８を覆うケース９９９が取り付けられる。これにより、図３４に示されるように、電気接続箱１０００が完成する。
【0154】
以上のように、本実施の形態では、バスバー２に電気的に接続されたドレイン端子６３と、バスバー４に電気的に接続されたソース端子６２とがともに配線基板９あるいは配線基板１９に接合されている。一方で、バスバー２及び４と、それらの間の絶縁部分５１との間の線膨張係数の相違に起因して、バスバー２、バスバー４及び絶縁部分５１が周囲温度の変化により変形する可能性がある。本例では、ドレイン端子６３及びソース端子６２はともに配線基板９あるいは配線基板１９に接合されていることから、ドレイン端子６３及びソース端子６２の接合部分は、バスバー２、バスバー４及び絶縁部分５１の変形の影響を受けにくくなる。よって、ドレイン端子６３及びソース端子６２の接合部分に応力が発生しにくくなる。その結果、ドレイン端子６３及びソース端子６２の接合部分の信頼性を向上させることができる。
【0155】
また、本実施の形態では、導電性の突起部２０２が、バスバー２から配線基板９の貫通孔９２内に突出している。このため、配線基板９上のドレイン端子６３を、貫通孔９２内の突起部２０２に電気的に接続することによって、ドレイン端子６３をバスバー２と電気的に簡単に接続することができる。つまり、突起部２０２を利用して、配線基板９上のドレイン端子６３をバスバー２と電気的に簡単に接続することができる。また、配線基板９上のＭＯＳＦＥＴ６で発熱した熱をバスバー２に伝えることができるため、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。同様に、導電性の突起部２１２が、バスバー２から配線基板１９の貫通孔９２内に突出していることから、突起部２１２を利用して、配線基板１９上のドレイン端子６３をバスバー２と電気的に簡単に接続することができる。
【0156】
また、本実施の形態では、導電性の突起部３０２が、バスバー３から配線基板９の貫通孔９２内に突出していることから、突起部３０２を利用して、配線基板９上のドレイン端子６３をバスバー３と電気的に簡単に接続することができる。また、配線基板９上のＭＯＳＦＥＴ６で発熱した熱をバスバー３に伝えることができるため、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。同様に、導電性の突起部３１２が、バスバー３から配線基板１９の貫通孔９２内に突出していることから、突起部３１２を利用して、配線基板１９上のドレイン端子６３をバスバー３と電気的に簡単に接続することができる。
【0157】
また、本実施の形態では、導電性の突起部４０２が、バスバー４から配線基板９の貫通孔９２内に突出しているため、突起部４０２を利用して、配線基板９上のソース端子６２をバスバー４と電気的に簡単に接続することができる。また、配線基板９上のＭＯＳＦＥＴ６で発熱した熱をバスバー４に伝えることができるため、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。同様に、導電性の突起部４１２が、バスバー４から配線基板１９の貫通孔９２内に突出していることから、突起部４１２を利用して、配線基板１９上のソース端子６２をバスバー４と電気的に簡単に接続することができる。
【0158】
また、本実施の形態では、突起部２０２及び２１２はバスバー２の一部で構成されていることから、ドレイン端子６３とバスバー２との間の電気抵抗を低減することができる。また、突起部３０２及び３１２はバスバー３の一部で構成されていることから、ドレイン端子６３とバスバー３との間の電気抵抗を低減することができる。また、突起部４０２及び４１２はバスバー４の一部で構成されていることから、ソース端子６２とバスバー４との間の電気抵抗を低減することができる。
【0159】
また、本実施の形態では、図６に示されるように、バスバー２上のドレイン端子６３は、突起部２０２あるいは突起部２１２に接合されていることから、当該ドレイン端子６３とバスバー２との間の電気抵抗を低減することができる。また、バスバー３上のドレイン端子６３は、突起部３０２あるいは突起部３１２に接合されていることから、当該ドレイン端子６３とバスバー３との間の電気抵抗を低減することができる。
【0160】
また、本実施の形態では、上側のＭＯＳＦＥＴ１６のソース端子６２が接合されたランド９６１から拡張されて貫通孔９２の周囲に位置する拡張領域９８と、当該貫通孔９２内の突起部４０２の端面とに接合された導電片１８が設けられている。この導電片１８によって、ソース端子６２とバスバー４との間の電気抵抗を低減することができる。また、ＭＯＳＦＥＴ１６で発生した熱を導電片１８によってバスバー４に伝えやすくなることから、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。
【0161】
また、下側のＭＯＳＦＥＴ２６のソース端子６２が接合されたランド９６１から拡張されて貫通孔９２の周囲に位置する拡張領域９８と、当該貫通孔９２内の突起部４１２の端面とに接合された導電片２８が設けられている。この導電片２８によって、ソース端子６２とバスバー４との間の電気抵抗を低減することができる。また、ＭＯＳＦＥＴ２６で発生した熱を導電片２８によってバスバー４に伝えやすくなることから、局所的な温度上昇が発生しにくくなる。
【0162】
また、本実施の形態では、上側の拡張領域９８が貫通孔９２の周囲を取り囲み、導電片１８が貫通孔９２の開口縁を覆っている。これにより、拡張領域９８及び突起部４０２と導電片１８との接合面積を大きくすることができる。その結果、ソース端子６２とバスバー４との間の電気抵抗をさらに低減することができる。
【0163】
また、下側の拡張領域９８が貫通孔９２の周囲を取り囲み、導電片２８が貫通孔９２の開口縁を覆っている。これにより、拡張領域９８及び突起部４１２と導電片２８との接合面積を大きくすることができる。その結果、ソース端子６２とバスバー４との間の電気抵抗をさらに低減することができる。
【0164】
また、本実施の形態では、バスバー２，３，４の両主面上にＭＯＳＦＥＴ６が位置することから、回路構成体１の平面サイズを小さくすることができる。
【0165】
また、本実施の形態では、バスバー２の下側主面２１０に放熱部材１０ａが設けられていることから、回路構成体１の許容発熱量が増加する。また、バスバー３の下側主面３１０に放熱部材１０ｂが設けられていることから、回路構成体１の許容発熱量が増加する。よって、例えば、複数のＭＯＳＦＥＴ６を高密度実装することが可能となる。
【0166】
また、本実施の形態では、放熱部材１０ａは、バスバー２の下側主面２１０上において、配線基板１９が設けられた領域を避けて設けられていることから、回路構成体１の放熱性を向上しつつ、回路構成体１の厚みを抑えることができる。同様に、放熱部材１０ｂは、バスバー３の下側主面３１０上において、配線基板１９が設けられた領域を避けて設けられていることから、回路構成体１の放熱性を向上しつつ、回路構成体１の厚みを抑えることができる。
【0167】
また、本実施の形態では、ＭＯＳＦＥＴ１６のゲート端子６１及びソース端子６２は、配線基板９上で絶縁されていることから、ゲート端子６１及びソース端子６２の間隔が小さくなったとしても、ゲート端子６１及びソース端子６２を適切に絶縁することができる。よって、ＭＯＳＦＥＴ１６のパッケージ６０として、端子間隔が狭い狭ピッチのパッケージを採用することができる。同様に、ＭＯＳＦＥＴ２６のゲート端子６１及びソース端子６２は、配線基板１９上で絶縁されていることから、ゲート端子６１及びソース端子６２の間隔が小さくなったとしても、ゲート端子６１及びソース端子６２を適切に絶縁することができる。よって、ＭＯＳＦＥＴ２６のパッケージ６０として、端子間隔が狭い狭ピッチのパッケージを採用することができる。
【0168】
また、本実施の形態では、導電片１８が接合される拡張領域９８は、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのソース端子６２が接合されるランド９６１と、ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのソース端子６２が接合されるランド９６１の両方から拡張されて、貫通孔９２ｃの周囲に位置することから、拡張領域９８をＭＯＳＦＥＴ１６ａ及び１６ｂで共用することができる。これにより、ＭＯＳＦＥＴ１６ａのソース端子６２とバスバー４との間の電気抵抗と、ＭＯＳＦＥＴ１６ｂのソース端子６２とバスバー４との間の電気抵抗とを簡単な構成で低減することができる。
【0169】
＜回路構成体の他の例＞
回路構成体１の構造は上記の例に限られない。例えば、突起部２０２及び２１２の少なくとも一方は、バスバー２の一部で構成されるのではなく、バスバー２と別体で構成されてもよい。この場合、突起部２０２及び２１２の少なくとも一方は、はんだ等の導電性接合材でバスバー２の主面に接合されてもよい。同様に、突起部３０２及び３１２の少なくとも一方は、バスバー３と別体で構成されてもよい。また、突起部４０２及び４１２の少なくとも一方は、バスバー４と別体で構成されてもよい。
回路構成体１の構造は上記の例に限られない。例えば、突起部２０２及び２１２の少なくとも一方は、バスバー２の一部で構成されるのではなく、バスバー２と別体で構成されてもよい。この場合、突起部２０２及び２１２の少なくとも一方は、はんだ等の導電性接合材でバスバー２の主面に接合されてもよい。同様に、突起部３０２及び３１２の少なくとも一方は、バスバー３と別体で構成されてもよい。また、突起部４０２及び４１２の少なくとも一方は、バスバー４と別体で構成されてもよい。
【0170】
また、回路構成体１は導電片１８を備えなくてもよい。この場合、貫通孔９２内の突起部４０２と、当該貫通孔９２の周囲の拡張領域９８とがはんだ等で接合されてもよい。また、回路構成体１は導電片２８を備えなくてもよい。この場合、貫通孔９２内の突起部４１２と、当該貫通孔９２の周囲の拡張領域９８とがはんだ等で接合されてもよい。
【0171】
また、回路構成体１は放熱部材１０を備えなくてもよい。また、バスバー２，３，４の一方の主面上にはＭＯＳＦＥＴ６及び導電片８が設けらなくてもよい。
【0172】
バスバー２，３，４に対して端子等をはんだ接合しやすくするため、配線部材と入力端子部２１との接触抵抗を低減するため、及び配線部材と出力端子部３１との接触抵抗を低減するために、バスバー２，３，４は、両主面に、ニッケルめっきなどの金属めっきを有してもよい。この場合、バスバー２，３，４は、金属めっきが表面に施された銅板であってもよい。
【0173】
以上のように、回路構成体１は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
【符号の説明】
【0174】
１ 回路構成体
２ 入力側バスバー
３ 出力側バスバー
４ 中継バスバー
５ 絶縁部材
６，１６，１６ａ，１６ｂ，２６，２６ａ，２６ｂ 電子部品
７，７ａ，７ｂ コネクタ
８，１８，２８ 導電片
９，１９ 配線基板
９ａ，１９ａ 第１部分
９ｂ，１９ｂ 第２部分
９ｃ，１９ｃ 第３部分
１０，１０ａ，１０ｂ 放熱部材
１１ モールド樹脂
１２ａ，１２ｂ 接合材
１３，１４ はんだペースト
２０，３０，６５ 本体部
２１ 入力端子部
２１ａ，３１ａ，９２，９２ａ，９２ｂ，９２ｃ 貫通孔
３１ 出力端子部
５０，５１，５２ 絶縁部分
６０ パッケージ
６１ ゲート端子
６２ ソース端子
６３ ドレイン端子
６３ａ，９６２ａ 凸部
７０ 接続端子
９０ 絶縁基板
９１，４２０ 開口部
９３，９６，９６ａ，９６ｂ，９９ 導電領域
９５ 導電層
９８ 拡張領域
１０１，１０２，１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６，１１７，１１８ 導電性接合材
２００，２１０，３００，３１０，４００，４１０ 主面
２０１，２１１，３０１，３１１ 基板載置領域
２０２，２１２，３０２，３１２，４０２，４１２ 突起部
６００，６１０ 金属板
９３０，９６０，９６１，９６２，９９０ ランド
１０００ 電気接続箱
２ 入力側バスバー
３ 出力側バスバー
４ 中継バスバー
５ 絶縁部材
６，１６，１６ａ，１６ｂ，２６，２６ａ，２６ｂ 電子部品
７，７ａ，７ｂ コネクタ
８，１８，２８ 導電片
９，１９ 配線基板
９ａ，１９ａ 第１部分
９ｂ，１９ｂ 第２部分
９ｃ，１９ｃ 第３部分
１０，１０ａ，１０ｂ 放熱部材
１１ モールド樹脂
１２ａ，１２ｂ 接合材
１３，１４ はんだペースト
２０，３０，６５ 本体部
２１ 入力端子部
２１ａ，３１ａ，９２，９２ａ，９２ｂ，９２ｃ 貫通孔
３１ 出力端子部
５０，５１，５２ 絶縁部分
６０ パッケージ
６１ ゲート端子
６２ ソース端子
６３ ドレイン端子
６３ａ，９６２ａ 凸部
７０ 接続端子
９０ 絶縁基板
９１，４２０ 開口部
９３，９６，９６ａ，９６ｂ，９９ 導電領域
９５ 導電層
９８ 拡張領域
１０１，１０２，１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６，１１７，１１８ 導電性接合材
２００，２１０，３００，３１０，４００，４１０ 主面
２０１，２１１，３０１，３１１ 基板載置領域
２０２，２１２，３０２，３１２，４０２，４１２ 突起部
６００，６１０ 金属板
９３０，９６０，９６１，９６２，９９０ ランド
１０００ 電気接続箱
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】