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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-07-29
(45)【発行日】2024-08-06
(54)【発明の名称】磁気記録媒体
(51)【国際特許分類】
G11B 5/70 20060101AFI20240730BHJP
G11B 5/78 20060101ALI20240730BHJP
G11B 5/706 20060101ALI20240730BHJP
【ＦＩ】
G11B5/70
G11B5/78
G11B5/706
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2021548744
(86)(22)【出願日】2020-09-04
(86)【国際出願番号】 JP2020033522
(87)【国際公開番号】W WO2021059922
(87)【国際公開日】2021-04-01
【審査請求日】2023-07-20
(31)【優先権主張番号】P 2019176117
(32)【優先日】2019-09-26
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000002185
【氏名又は名称】ソニーグループ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100082762
【弁理士】
【氏名又は名称】杉浦 正知
(74)【代理人】
【識別番号】100123973
【弁理士】
【氏名又は名称】杉浦 拓真
(72)【発明者】
【氏名】市瀬 奈津貴
(72)【発明者】
【氏名】山鹿 実
(72)【発明者】
【氏名】前嶋 克紀
(72)【発明者】
【氏名】寺川 潤
(72)【発明者】
【氏名】高橋 健
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 友恵
(72)【発明者】
【氏名】潟口 嵩
【審査官】川中 龍太
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１９－０２３９５０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１５－２０１２４６（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１２－１４２５２９（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０６７４６６（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／１５９４６６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開平０３－２０９６２７（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１６／０４７５５９（ＷＯ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｇ１１Ｂ ５／６２ － ５／８２
Ｇ１１Ｂ ５／８４ － ５／８５８
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
テープ状の磁気記録媒体であって、ε酸化鉄粒子を含む記録層を備え、
垂直方向における前記記録層のＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－５００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦５００［Ｏｅ］の範囲における前記ＳＦＤカーブの面積Ｓlowとの面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が、３．６％以下である磁気記録媒体。
【請求項2】
垂直方向における前記記録層の保磁力が、３０００［Ｏｅ］以上５０００［Ｏｅ］以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項3】
垂直方向における前記記録層の角形比Ｒｓが、７０％以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項4】
垂直方向における前記記録層のＳＦＤが、１．１以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項5】
前記磁気記録媒体の熱安定性Ｔｂ（＝ＫｕＶａｃｔ／ｋＢＴ、Ｋｕ：磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖａｃｔ：磁性粉の活性化体積、ｋＢ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が、６０以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項6】
前記記録層は、９７ｎｍ以下の最短記録波長λで信号を記録可能に構成されている請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項7】
前記磁気記録媒体は、１３０００Ｏｅ以上の磁界を印加可能に構成された記録再生装置に用いられる請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項8】
前記記録層の表面の算術平均粗さＲａが、２．０ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項9】
前記ε酸化鉄粒子は、ＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種を含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、テープ状の磁気記録媒体では、高記録密度化を実現すべく、記録層に含まれる磁性粉の微粒子化が進められている。しかしながら、磁性粉が微粒子化されると、磁気テープ使用環境における外部熱の影響を磁性粉末が受け、磁化の熱擾乱の影響が顕著になり、記録した磁化が消失してしまう現象が発生する。このような磁化の熱擾乱の影響を抑制するために、磁性粉として高い保磁力Ｈｃを有するε酸化鉄磁性粉を用いることが検討されている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００７－２６９５４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、ε酸化鉄磁性粉を用いた磁気記録媒体では、電磁変換特性が低下する場合がある。
【0005】
本開示の目的は、良好な電磁変換特性を得ることができる磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上述の課題を解決するために、本開示は、テープ状の磁気記録媒体であって、ε酸化鉄粒子を含む記録層を備え、垂直方向における記録層のＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－５００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦５００［Ｏｅ］の範囲におけるＳＦＤカーブの面積Ｓlowとの面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が、３．６％以下である磁気記録媒体である。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
本開示の一実施形態について以下の順序で説明する。
１ 磁気記録媒体の構成
２ 記録層の磁気特性等
３ 磁気記録媒体の製造方法
４ 作用効果
１ 磁気記録媒体の構成
２ 記録層の磁気特性等
３ 磁気記録媒体の製造方法
４ 作用効果
【0009】
［１ 磁気記録媒体の構成］
図１は、磁気記録媒体１０の構成の一例を示す断面図である。磁気記録媒体１０は、いわゆるテープ状の磁気記録媒体であり、基体１１と、基体１１の一方の主面（第１の主面）上に設けられた下地層１２と、下地層１２上に設けられた記録層１３と、基体１１の他方の主面（第２の主面）上に設けられたバック層１４とを備える。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。磁気記録媒体１０は、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。
図１は、磁気記録媒体１０の構成の一例を示す断面図である。磁気記録媒体１０は、いわゆるテープ状の磁気記録媒体であり、基体１１と、基体１１の一方の主面（第１の主面）上に設けられた下地層１２と、下地層１２上に設けられた記録層１３と、基体１１の他方の主面（第２の主面）上に設けられたバック層１４とを備える。なお、下地層１２およびバック層１４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。磁気記録媒体１０は、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。
【0010】
磁気記録媒体１０は、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気記録媒体１０は、走行時に磁気記録媒体１０の長手方向のテンションを記録再生装置により調整することで、磁気記録媒体１０の幅を一定またはほぼ一定に保つことができるものであることが好ましい。
【0011】
（基体）
基体１１は、下地層１２および記録層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状を有する。基体１１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基体１１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジに記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体１１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。
基体１１は、下地層１２および記録層１３を支持する非磁性支持体である。基体１１は、長尺のフィルム状を有する。基体１１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．２μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基体１１の平均厚みの上限値が４．２μｍ以下であると、１データカートリッジに記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。基体１１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体１１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体１１の強度低下を抑制することができる。
【0012】
基体１１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体１１以外の層（すなわち下地層１２、記録層１３およびバック層１４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（基体１１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体１１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
【0013】
基体１１は、例えば、ポリエステル類、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、芳香族ポリエーテルケトン（ＰＡＥＫ）類、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種を含む。基体１１が上記材料のうちの２種以上を含む場合、それらの２種以上の材料は混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。
【0014】
ポリエステル類は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＢＮ（ポリブチレンナフタレート）、ＰＣＴ（ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート）、ＰＥＢ（ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。
【0015】
ポリオレフィン類は、例えば、ＰＥ（ポリエチレン）およびＰＰ（ポリプロピレン）のうちの少なくとも１種を含む。セルロース誘導体は、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、ＣＡＢ（セルロースアセテートブチレート）およびＣＡＰ（セルロースアセテートプロピオネート）のうちの少なくとも１種を含む。ビニル系樹脂は、例えば、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）およびＰＶＤＣ（ポリ塩化ビニリデン）のうちの少なくとも１種を含む。芳香族ポリエーテルケトン（ＰＡＥＫ）類は、例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）を含む。
【0016】
その他の高分子樹脂は、例えば、ＰＡ（ポリアミド、ナイロン）、芳香族ＰＡ（芳香族ポリアミド、アラミド）、ＰＩ（ポリイミド）、芳香族ＰＩ（芳香族ポリイミド）、ＰＡＩ（ポリアミドイミド）、芳香族ＰＡＩ（芳香族ポリアミドイミド）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール、例えばザイロン（登録商標））、ポリエーテル、ＰＥＫ（ポリエーテルケトン）、ポリエーテルエステル、ＰＥＳ（ポリエーテルサルフォン）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＳＦ（ポリスルフォン）、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＰＡＲ（ポリアリレート）およびＰＵ（ポリウレタン）のうちの少なくとも１種を含む。
【0017】
（記録層）
記録層１３は、いわゆる磁性層である。記録層１３は、信号を磁化パターンにより記録するための記録層である。記録層１３は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。記録層１３には、必要に応じて、予めサーボパターンが書き込まれていてもよい。記録層１３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。記録層１３が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
記録層１３は、いわゆる磁性層である。記録層１３は、信号を磁化パターンにより記録するための記録層である。記録層１３は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。記録層１３には、必要に応じて、予めサーボパターンが書き込まれていてもよい。記録層１３は、例えば、磁性粉および結着剤を含む。記録層１３が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
【0018】
記録層１３の平均厚みｔｍの上限値は、８０ｎｍ以下、好ましくは７０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下である。記録層１３の平均厚みｔｍの上限値が８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、反磁界の影響を軽減できるため、電磁変換特性を向上することができる。
【0019】
記録層１３の平均厚みｔｍの下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。記録層１３の平均厚みｔｍの下限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、電磁変換特性を向上することができる。
【0020】
記録層１３の平均厚みｔｍは、以下のようにして求められる。まず、蒸着法によりカーボン層を磁気記録媒体１０の記録層１３側の表面およびバック層１４側の表面に形成したのち、蒸着法によりタングステン層を記録層１３側の表面にさらに形成する。これらの層は、後述の薄片化処理においてサンプルを保護するために形成される。次に、上記層が形成された磁気記録媒体１０をＦＩＢ（Focused Ion Beam）法により加工して薄片化する。当該薄片化は磁気記録媒体１０の長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気記録媒体１０の長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。
【0021】
得られた薄片サンプルの上記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてもよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍
【0022】
次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気記録媒体１０の長手方向の少なくとも１０点以上の位置で記録層１３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を記録層１３の平均厚みｔｍ［ｎｍ］とする。なお、上記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。
【0023】
（磁性粉）
磁性粉は、複数の磁性粒子を含む。磁性粒子は、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）を含む粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）である。磁性粉は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。
磁性粉は、複数の磁性粒子を含む。磁性粒子は、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）を含む粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）である。磁性粉は、磁気記録媒体１０の厚み方向（垂直方向）に優先的に結晶配向していることが好ましい。
【0024】
ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状もしくはほぼ球状を有しているか、または立方体状もしくはほぼ立方体状を有している。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気記録媒体１０の厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、電磁変換特性を向上することができる。
【0025】
ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有していてもよい。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。
【0026】
コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ２Ｏ３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ２Ｏ３からなるものがより好ましい。
【0027】
第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。
【0028】
第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、コア部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。
【0029】
第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部に含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。
【0030】
ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、磁気記録媒体１０の製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気記録媒体１０の特性劣化を抑制することができる。
【0031】
ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述したように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。
【0032】
ε酸化鉄粒子が、上記コアシェル構造に代えて添加元素を含んでいてもよいし、上記コアシェル構造を有すると共に添加元素を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加元素で置換される。ε酸化鉄粒子が添加元素を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加元素は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。
【0033】
具体的には、添加元素を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ２－ｘＭｘＯ３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。
【0034】
磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）の上限値は、好ましくは２４．２５ｎｍ以下、より好ましくは２２．５ｎｍ以下、さらにより好ましくは２０．７５ｎｍ以下、最も好ましくは１５ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）の下限値は、好ましくは８ｎｍ以上、より好ましくは１２ｎｍ以上である。磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の１／４以下に設定することで、電磁変換特性を向上することができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２４．２５ｎｍ以下であると、９７ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された高記録密度の磁気記録媒体１０において、電磁変換特性を向上することができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、電磁変換特性を向上することができる。
【0035】
磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、記録層１３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。
【0036】
磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、記録層１３の平均厚みｔｍの算出方法と同様にして、薄片サンプルを得る。次に、得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製、H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で記録層１３の厚み方向に対して記録層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬaveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬaveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳaveを求める。そして、平均長軸長ＤＬaveおよび平均短軸長ＤＳaveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬave／ＤＳave）を求める。
【0037】
磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５６００ｎｍ３以下、より好ましくは２５０ｎｍ３以上５６００ｎｍ３以下、さらにより好ましくは９００ｎｍ３以上５６００ｎｍ３以下、特に好ましくは９００ｎｍ３以上１８００ｎｍ３以下、最も好ましくは９００ｎｍ３以上１５００ｎｍ３以下である。一般的に磁気記録媒体１０のノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、電磁変換特性を向上することができる。したがって、磁性粉の平均粒子体積が５６００ｎｍ３以下であると、高記録密度の磁気記録媒体１０（例えば４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気記録媒体１０）において、電磁変換特性を向上することができる。一方、磁性粉の平均粒子体積が２５０ｎｍ３以上であると、磁性粉の分散性が向上し、電磁変換特性を向上することができる。
【0038】
ε酸化鉄粒子が球状またはほぼ球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬaveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬave 3
Ｖ＝（π/６）×ＤＬave 3
【0039】
ε酸化鉄粒子が立方体状またはほぼ立方体状を有している場合には、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。まず、記録層１３の平均厚みｔｍの算出方法と同様にして、薄片サンプルを得る。次に、得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で記録層１３の厚み方向に対して記録層１３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣaveを求める。次に、平均辺長ＤＣaveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖave（粒子体積）を求める。
Ｖave＝ＤＣave 3
Ｖave＝ＤＣave 3
【0040】
磁性粉の平均粒子サイズＤに対する磁性粒子の粒度分布の標準偏差σの割合Ｒσ/D（＝（σ／Ｄ）×１００）が、好ましくはＲσ/D≦１５％、より好ましくはＲσ/D≦１３％である。割合Ｒ１がＲσ/D≦１５％であると、磁性粒子の粒子サイズのばらつきが小さくなり、磁性粉の磁気特性（例えば磁性粉の保磁力Ｈｃ）のばらつきを抑制することができる。割合Ｒσ/Dの下限値は特に限定されるものではないが、例えば５％≦Ｒσ/Dである。
【0041】
上記の割合Ｒσ/Dは、以下のようにして求められる。まず、磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、５０個の粒子の粒子サイズ（長軸長ＤＬ）を求めることにより、磁性粉の粒度分布を得る。次に、求めた粒度分布からメジアン径（５０％径、Ｄ５０）を求めて、これを平均粒子サイズＤとする。また、求めた粒度分布から標準偏差σを求める。次に、求めた平均粒子サイズＤおよび粒度分布の標準偏差σを用いて、割合Ｒσ/D（＝（σ／Ｄ）×１００）を算出する。
【0042】
（結着剤）
結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。
結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。
【0043】
熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。
【0044】
上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ３Ｍ、－ＯＳＯ３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）２（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３＋Ｘ－で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２＋Ｘ－で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ－はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０－１～１０－８モル／ｇであるのが好ましく、１０－２～１０－６モル／ｇであるのがより好ましい。
【0045】
（潤滑剤）
潤滑剤としては、例えば、炭素数１０～２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２～１２の１価～６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、ジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステル等が挙げられる。潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチル等が挙げられる。
潤滑剤としては、例えば、炭素数１０～２４の一塩基性脂肪酸と、炭素数２～１２の１価～６価アルコールのいずれかとのエステル、これらの混合エステル、ジ脂肪酸エステル、トリ脂肪酸エステル等が挙げられる。潤滑剤の具体例としては、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、エライジン酸、ステアリン酸ブチル、ステアリン酸ペンチル、ステアリン酸ヘプチル、ステアリン酸オクチル、ステアリン酸イソオクチル、ミリスチン酸オクチル等が挙げられる。
【0046】
（帯電防止剤）
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。
【0047】
（研磨剤）
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。
【0048】
（硬化剤）
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００～３０００の範囲であることが望ましい。
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００～３０００の範囲であることが望ましい。
【0049】
（防錆剤）
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。
【0050】
（非磁性補強粒子）
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。
【0051】
（下地層）
下地層１２は、基体１１の表面の凹凸を緩和し、記録層１３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
下地層１２は、基体１１の表面の凹凸を緩和し、記録層１３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層１２は、非磁性粉および結着剤を含む非磁性層である。下地層１２が、必要に応じて、潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
【0052】
下地層１２の平均厚みは、好ましくは０．３μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以上１．４μｍ以下である。下地層１２の平均厚みが２．０μｍ以下であると、外力による磁気記録媒体１０の伸縮性が高くなるため、テンション調整による磁気記録媒体１０の幅の調整が容易となる。下地層１２の平均厚みは、記録層１３の平均厚みと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層１２の厚みに応じて適宜調整される。
【0053】
（非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
【0054】
（結着剤）
結着剤は、上述の記録層１３と同様である。
結着剤は、上述の記録層１３と同様である。
【0055】
（添加剤）
潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の記録層１３と同様である。
潤滑剤、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の記録層１３と同様である。
【0056】
（バック層）
バック層１４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層１２と同様である。
バック層１４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層１４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層１２と同様である。
【0057】
非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。
【0058】
バック層１４の平均厚みｔｂの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層１４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気記録媒体１０の平均厚みｔｂが５．６μｍ以下である場合でも、下地層１２や基体１１の厚みを厚く保つことができるので、磁気記録媒体１０の記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層１４の平均厚みｔｂの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。
【0059】
バック層１４の平均厚みｔｂは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴを測定する。平均厚みｔＴの測定方法は、後述の「磁気記録媒体の平均厚み」に記載されている通りである。続いて、サンプルのバック層１４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔＢ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層１４の平均厚みｔｂ［μｍ］を求める。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
ｔｂ［μｍ］＝ｔＴ［μｍ］－ｔＢ［μｍ］
ｔｂ［μｍ］＝ｔＴ［μｍ］－ｔＢ［μｍ］
【0060】
［２ 記録層の磁気特性等］
（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１０の垂直方向における記録層１３の保磁力Ｈｃの下限値が、好ましくは３０００［Ｏｅ］以上、より好ましくは３２５０［Ｏｅ］以上、さらにより好ましくは３５００［Ｏｅ］以上、特に好ましくは３７５０［Ｏｅ］以上である。垂直方向における記録層１３の保磁力Ｈｃが３０００［Ｏｅ］以上であると、磁気記録媒体１０の熱安定性Ｔｂの低下を抑制することができる。
（保磁力Ｈｃ）
磁気記録媒体１０の垂直方向における記録層１３の保磁力Ｈｃの下限値が、好ましくは３０００［Ｏｅ］以上、より好ましくは３２５０［Ｏｅ］以上、さらにより好ましくは３５００［Ｏｅ］以上、特に好ましくは３７５０［Ｏｅ］以上である。垂直方向における記録層１３の保磁力Ｈｃが３０００［Ｏｅ］以上であると、磁気記録媒体１０の熱安定性Ｔｂの低下を抑制することができる。
【0061】
磁気記録媒体１０の垂直方向における記録層１３の保磁力Ｈｃの上限値が、好ましくは５０００［Ｏｅ］以下、より好ましくは４５００［Ｏｅ］以下、さらにより好ましくは４０００［Ｏｅ］以下である。垂直方向における記録層１３の保磁力Ｈｃが５０００［Ｏｅ］以下であると、記録ヘッドによる飽和記録が容易になり、良好な電磁変換特性を得ることができる。
【0062】
上記の保磁力Ｈｃは以下のようにして求められる。まず、磁気記録媒体１０が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気記録媒体１０の長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトンまたはエタノール等が用いられて塗膜（下地層１２、記録層１３およびバック層１４等）が払拭され、基体１１のみが残される。そして、得られた基体１１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」という。）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体１１の垂直方向（磁気記録媒体１０の垂直方向）に対応する補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが測定される。
【0063】
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。
【0064】
測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気記録媒体１０の全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体１１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃが求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。また、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃にて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気記録媒体１０の垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。
【0065】
（角形比）
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）における記録層１３の角形比Ｒｓが、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは８５％以上である。角形比Ｒｓが６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、電磁変換特性を向上することができる。
磁気記録媒体１０の垂直方向（厚み方向）における記録層１３の角形比Ｒｓが、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは８５％以上である。角形比Ｒｓが６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、電磁変換特性を向上することができる。
【0066】
垂直方向における角形比Ｒｓは以下のようにして求められる。まず、上記の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。次に、得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ］および残留磁化Ｍｒ［ｅｍｕ］が以下の式に代入されて、角形比Ｒｓ［％］が計算される。
角形比Ｒｓ（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
角形比Ｒｓ（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００
【0067】
（ＳＦＤ）
保磁力Ｈｃの分布は、ＳＦＤ（Switching Field Distribution）によって評価することが可能である。磁気記録媒体１０の垂直方向における記録層１３のＳＦＤは、磁気記録媒体１０の垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブにおいて、保磁力Ｈｃが正となる側に位置するメインピークの半価幅（半値全幅）をＨａ、記録層１３の保磁力をＨｃとしたときに、Ｈａ／Ｈｃで定義される。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
保磁力Ｈｃの分布は、ＳＦＤ（Switching Field Distribution）によって評価することが可能である。磁気記録媒体１０の垂直方向における記録層１３のＳＦＤは、磁気記録媒体１０の垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブにおいて、保磁力Ｈｃが正となる側に位置するメインピークの半価幅（半値全幅）をＨａ、記録層１３の保磁力をＨｃとしたときに、Ｈａ／Ｈｃで定義される。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
【0068】
磁気記録媒体１０の垂直方向における記録層１３のＳＦＤの上限値は、好ましくは１．１以下、より好ましくは１以下、さらにより好ましくは０．９３以下である。ＳＦＤが１．１以下であると、保磁力Ｈｃのばらつきを抑制することができる。したがって、記録層１３の低Ｈｃ成分および高Ｈｃ成分を抑制することができる。ＳＦＤの下限値は、例えば０．１以上である。ＳＦＤは例えば０．１のような０に近い数値であるほどＨｃ分布がシャープであり、磁気記録媒体１０の電磁変換特性を向上することができる。なお、本明細書において、低Ｈｃ成分とは、保磁力Ｈｃが－５００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦５００［Ｏｅ］の範囲の成分のことをいう。また、高Ｈｃ成分とは、保磁力Ｈｃが－１５０００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦－１００００［Ｏｅ］、および１００００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦１５０００［Ｏｅ］の範囲の成分のことをいう。
【0069】
磁気記録媒体１０の垂直方向における記録層１３のＳＦＤは、以下のようにして求められる。まず、上述の保磁力Ｈｃの測定方法と同様にしてバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを求める。次に、このバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの微分カーブ（以下「ＳＦＤカーブ」という。）を求め、そのＳＦＤカーブの半値幅Ｈａを求める。次に、求めた半値幅Ｈａを保磁力Ｈｃで規格化することによりＳＦＤを求める。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
【0070】
（ＳＦＤカーブの面積比）
図２は、垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの一例を示す図である。垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－５００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦５００［Ｏｅ］の範囲の、垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの面積Ｓlowとの面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が、５．５％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは４％以下、さらにより好ましくは３．６％以下である。面積比ＳＲが５．５％以下であると、記録層１３の低Ｈｃ成分を低減することができる。したがって、信号の書き込み時に、磁気ヘッドからの漏れ磁界により磁化反転することを抑制することができる。よって、良好な電磁変換特性を得ることができる。面積比Ｒlowの下限値は、例えば１％以上、好ましくは０％以上である。面積Ｓlowは、具体的には、ＳＦＤカーブと直線Ｈｃ＝－５００と直線Ｈｃ＝５００とで囲まれた領域の面積を意味する。
図２は、垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの一例を示す図である。垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－５００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦５００［Ｏｅ］の範囲の、垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの面積Ｓlowとの面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が、５．５％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは４％以下、さらにより好ましくは３．６％以下である。面積比ＳＲが５．５％以下であると、記録層１３の低Ｈｃ成分を低減することができる。したがって、信号の書き込み時に、磁気ヘッドからの漏れ磁界により磁化反転することを抑制することができる。よって、良好な電磁変換特性を得ることができる。面積比Ｒlowの下限値は、例えば１％以上、好ましくは０％以上である。面積Ｓlowは、具体的には、ＳＦＤカーブと直線Ｈｃ＝－５００と直線Ｈｃ＝５００とで囲まれた領域の面積を意味する。
【0071】
垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－１５０００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦－１００００［Ｏｅ］、および１００００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦１５０００［Ｏｅ］の範囲の、垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの面積Ｓhighとの面積比Ｒhigh（＝（Ｓhigh／Ｓtotal）×１００）が、好ましくは５．５％以下、より好ましくは５％以下、さらにより好ましくは４．５％以下である。Ｒhighが５．５％以下であると、信号の書き込み時に、磁気ヘッドからの磁界により磁化反転することが困難となる高Ｈｃ成分を低減することができるので、出力信号を向上することができる。したがって、さらに良好な電磁変換特性を得ることができる。面積比Ｒhighの下限値は、例えば１％以上、好ましくは０％以上である。面積Ｓhighは、具体的には、ＳＦＤカーブと直線Ｈｃ＝－１５０００と直線Ｈｃ＝－１００００とで囲まれた領域の面積、およびＳＦＤカーブと直線Ｈｃ＝１００００と直線Ｈｃ＝１５０００とで囲まれた領域の面積の総和を意味する。
【0072】
なお、面積比Ｒlowおよび面積Ｓhighは、磁性粉の製造条件および記録層形成用塗料の調製条件のうちの少なくとも一方を調整することにより、所望の値に設定することが可能である。
【0073】
ＳＦＤカーブの総面積Ｓtotal、面積Ｓlowおよび面積Ｓhighの算出には、上述のＳＦＤの算出方法と同様の方法で求めたＳＦＤカーブが用いられる。図３に、第１象限および第２象限のＳＦＤカーブを拡大して示す。ここで、横軸を－１５０００［Ｏｅ］≦Ｈ≦１５０００［Ｏｅ］の範囲でｍ分割し、その分点をＨ０，Ｈ１，・・・，Ｈｎ，Ｈｎ＋１，・・・，Ｈｍ－１，Ｈｍとする。但し、ｎ，ｍは自然数である。なお、横軸は、図３に示すように、磁界Ｈである。
【0074】
第１象限（０≦Ｈ、０≦Ｍ）および第２象限（Ｈ≦０、０≦Ｍ）における直線Ｈ＝ＨｎとＳＦＤカーブとの交点の座標を（Ｈｎ，Ｍｎ
＋）、第１象限（０≦Ｈ、０≦Ｍ）および第２象限（Ｈ≦０、０≦Ｍ）における直線Ｈ＝Ｈｎ＋１とＳＦＤカーブとの交点の座標を（Ｈｎ＋１，Ｍｎ＋１
＋）、第３象限（Ｈ≦０、Ｍ≦０）および第４象限（０≦Ｈ、Ｍ≦０）における直線Ｈ＝ＨｎとＳＦＤカーブとの交点の座標を（Ｈｎ，Ｍｎ
－）、第３象限（Ｈ≦０、Ｍ≦０）および第４象限（０≦Ｈ、Ｍ≦０）における直線Ｈ＝Ｈｎ＋１とＳＦＤカーブとの交点の座標を（Ｈｎ＋１，Ｍｎ＋１
－）と定義する。このように座標を定義した場合、座標（Ｈｎ，Ｍｎ
＋），（Ｈｎ＋１，Ｍｎ＋１
＋）、（Ｈｎ，Ｍｎ
－），（Ｈｎ＋１，Ｍｎ＋１
－）を頂点とする四角形の面積Ｓｎは、以下の式から求められる。
Ｓｎ＝（｜Ｍｎ ＋＋Ｍｎ＋１ ＋｜×｜Ｈｎ＋１－Ｈｎ｜／２）＋（｜Ｍｎ －＋Ｍｎ＋１ －｜×｜Ｈｎ＋１－Ｈｎ｜／２）
Ｓｎ＝（｜Ｍｎ ＋＋Ｍｎ＋１ ＋｜×｜Ｈｎ＋１－Ｈｎ｜／２）＋（｜Ｍｎ －＋Ｍｎ＋１ －｜×｜Ｈｎ＋１－Ｈｎ｜／２）
【0075】
ＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalは、以下の式より求められる。
Ｓtotal＝Ｓ１＋・・・＋Ｓｎ＋Ｓｎ＋ｌ・・・＋Ｓｍ－１＋Ｓｍ
但し、Ｈ０の最小値はＨ０＝－１５０００［Ｏｅ］、Ｈｍの最大値はＨｍ＝１５０００［Ｏｅ］である。
Ｓtotal＝Ｓ１＋・・・＋Ｓｎ＋Ｓｎ＋ｌ・・・＋Ｓｍ－１＋Ｓｍ
但し、Ｈ０の最小値はＨ０＝－１５０００［Ｏｅ］、Ｈｍの最大値はＨｍ＝１５０００［Ｏｅ］である。
【0076】
面積Ｓhighは、－１５０００［Ｏｅ］≦Ｈｎ≦－１００００［Ｏｅ］かつ１００００［Ｏｅ］≦Ｈｎ≦１５０００［Ｏｅ］の範囲でのＳｎの総和である。面積Ｓlowは、-５００≦Ｈｎ≦５００［Ｏｅ］の範囲でのＳｎの総和である。
【0077】
ＳＦＤカーブのメインピークの面積（保磁力Ｈｃが－１００００［Ｏｅ］＜Ｈｎ＜－５００［Ｏｅ］、および５００［Ｏｅ］＜Ｈｎ＜１００００［Ｏｅ］での面積Ｓｎの総和）は、Ｓmainは以下の式から求められる。
Ｓmain＝Ｓtotal－Ｓlow－Ｓhigh
Ｈｎ＋１－Ｈｎの値はＶＳＭ測定条件の最大磁界と磁界ステップにより決まり、上述の保磁力Ｈｃの算出方法におけるＭ－Ｈルーブの測定条件では１００≦｜Ｈｎ＋１－Ｈｎ｜≦２００［Ｏｅ］の範囲である。また、ｎ，ｍは自然数である。但し、上記の｜Ｈｎ＋１－Ｈｎ｜の範囲は、Ｈｎが－１００００［Ｏｅ］、－５００［Ｏｅ］、５００［Ｏｅ］、１００００［Ｏｅ］となるように選択されるものとする。すなわち、面積Ｓｎを有する上記四角形の辺が、直線Ｈ＝－１００００［Ｏｅ］、直線Ｈ＝－５００［Ｏｅ］、直線Ｈ＝５００［Ｏｅ］、直線Ｈ＝１００００［Ｏｅ］と重なるように選択されるものとする。
Ｓmain＝Ｓtotal－Ｓlow－Ｓhigh
Ｈｎ＋１－Ｈｎの値はＶＳＭ測定条件の最大磁界と磁界ステップにより決まり、上述の保磁力Ｈｃの算出方法におけるＭ－Ｈルーブの測定条件では１００≦｜Ｈｎ＋１－Ｈｎ｜≦２００［Ｏｅ］の範囲である。また、ｎ，ｍは自然数である。但し、上記の｜Ｈｎ＋１－Ｈｎ｜の範囲は、Ｈｎが－１００００［Ｏｅ］、－５００［Ｏｅ］、５００［Ｏｅ］、１００００［Ｏｅ］となるように選択されるものとする。すなわち、面積Ｓｎを有する上記四角形の辺が、直線Ｈ＝－１００００［Ｏｅ］、直線Ｈ＝－５００［Ｏｅ］、直線Ｈ＝５００［Ｏｅ］、直線Ｈ＝１００００［Ｏｅ］と重なるように選択されるものとする。
【0078】
（一軸結晶磁気異方性の成分と多軸結晶磁気異方性の成分の比率）
磁気記録媒体１０のトルク波形をフーリエ変換して得られる一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４との比率Ｌ４／Ｌ２は、磁性粉の一軸結晶磁気異方性の強さを表しており、比率Ｌ４／Ｌ２が小さい程、磁性粉の一軸結晶磁気異方性が強くなる。この比率Ｌ４／Ｌ２は、０以上０．２５以下、好ましくは０以上０．２０以下、より好ましくは０以上０．１８以下である。比率Ｌ４／Ｌ２が０以上０．２５以下あると、磁性粉の一軸結晶磁気異方性が十分に強くなるため、ノイズを低減することができる。したがって、電磁変換特性を向上することができる。
磁気記録媒体１０のトルク波形をフーリエ変換して得られる一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４との比率Ｌ４／Ｌ２は、磁性粉の一軸結晶磁気異方性の強さを表しており、比率Ｌ４／Ｌ２が小さい程、磁性粉の一軸結晶磁気異方性が強くなる。この比率Ｌ４／Ｌ２は、０以上０．２５以下、好ましくは０以上０．２０以下、より好ましくは０以上０．１８以下である。比率Ｌ４／Ｌ２が０以上０．２５以下あると、磁性粉の一軸結晶磁気異方性が十分に強くなるため、ノイズを低減することができる。したがって、電磁変換特性を向上することができる。
【0079】
上記比率Ｌ４／Ｌ２は、以下のようにして求められる。
（１）まず、所定の大きさに磁気記録媒体１０を３枚切り出し、それら３枚を重ねて貼ったのち、両面をメンディングテープで貼ることにより積層体を得る。そして、得られた積層体を直径φ＝６．２５の丸いパンチで穴開けすることにより、円形状のサンプルを得る。
（２）次に、得られたサンプルをＡＣ消磁する。この処理は、着磁した状態のサンプルを用いた場合、外部磁場印加時に磁化が飽和しており、トルクの出力数値が正常でなくなる可能性があることを考慮して行われるものである。
（３）次に、サンプルを測定装置にセットする。具体的には、磁性粉が垂直配向されている場合には、印加磁場方向に対してサンプルを垂直にセットする。一方、磁性粉が長手配向されている場合には、印加磁場方向に対してサンプルを水平にセットする。
（４）次に、測定装置（東英工業株式会社製、ＴＲＴ－２形）をゼロ磁場調整したのち、トルク角度測定モードで１５０００［Ｏｅ］の外部磁場を印加し、トルク波形を測定する。
（５）測定後、測定装置が自動的にフーリエ変換して算出表示する一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４とを用いて、比率Ｌ４／Ｌ２を求める。
（１）まず、所定の大きさに磁気記録媒体１０を３枚切り出し、それら３枚を重ねて貼ったのち、両面をメンディングテープで貼ることにより積層体を得る。そして、得られた積層体を直径φ＝６．２５の丸いパンチで穴開けすることにより、円形状のサンプルを得る。
（２）次に、得られたサンプルをＡＣ消磁する。この処理は、着磁した状態のサンプルを用いた場合、外部磁場印加時に磁化が飽和しており、トルクの出力数値が正常でなくなる可能性があることを考慮して行われるものである。
（３）次に、サンプルを測定装置にセットする。具体的には、磁性粉が垂直配向されている場合には、印加磁場方向に対してサンプルを垂直にセットする。一方、磁性粉が長手配向されている場合には、印加磁場方向に対してサンプルを水平にセットする。
（４）次に、測定装置（東英工業株式会社製、ＴＲＴ－２形）をゼロ磁場調整したのち、トルク角度測定モードで１５０００［Ｏｅ］の外部磁場を印加し、トルク波形を測定する。
（５）測定後、測定装置が自動的にフーリエ変換して算出表示する一軸結晶磁気異方性の成分Ｌ２と、多軸結晶磁気異方性の成分Ｌ４とを用いて、比率Ｌ４／Ｌ２を求める。
【0080】
（熱安定性Ｔｂ）
磁気記録媒体１０の熱安定性Ｔｂ（＝ＫｕＶａｃｔ／ｋＢＴ、Ｋｕ：磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖａｃｔ：磁性粉の活性化体積、ｋＢ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が、好ましくは６０以上、より好ましくは８０以上、さらにより好ましくは８５以上である。熱安定性Ｔｂが６０以上であると、磁気記録媒体１０の出力信号の劣化を抑制することができる。
磁気記録媒体１０の熱安定性Ｔｂ（＝ＫｕＶａｃｔ／ｋＢＴ、Ｋｕ：磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖａｃｔ：磁性粉の活性化体積、ｋＢ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が、好ましくは６０以上、より好ましくは８０以上、さらにより好ましくは８５以上である。熱安定性Ｔｂが６０以上であると、磁気記録媒体１０の出力信号の劣化を抑制することができる。
【0081】
熱安定性Ｔｂは、以下に示すシャーロックの式を用いて算出される（参考文献：IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 50, NO. 11, NOVEMBER 2014、J. Flanders and M. P. Sharrock: J. Appl. Phys., 62, 2918 (1987)）。
Ｈｒ（ｔ’）＝Ｈ０［１－｛ｋＢＴ／（ＫｕＶａｃｔ）ｌｎ（ｆ０ｔ’／０．６９３）ｎ｝］
（但し、Ｈｒ：残留磁場、ｔ’：磁化減衰量、Ｈ０：磁場変化量、ｋＢ：ボルツマン定数、
Ｔ：絶対温度、Ｋｕ：結晶磁気異方性定数、Ｖａｃｔ：活性化体積、ｆ０：周波数因子、ｎ：係数）
Ｈｒ（ｔ’）＝Ｈ０［１－｛ｋＢＴ／（ＫｕＶａｃｔ）ｌｎ（ｆ０ｔ’／０．６９３）ｎ｝］
（但し、Ｈｒ：残留磁場、ｔ’：磁化減衰量、Ｈ０：磁場変化量、ｋＢ：ボルツマン定数、
Ｔ：絶対温度、Ｋｕ：結晶磁気異方性定数、Ｖａｃｔ：活性化体積、ｆ０：周波数因子、ｎ：係数）
【0082】
なお、（ａ）残留磁場Ｈｒ、（ｂ）磁化減衰量ｔ’および（ｃ）磁場変化量Ｈ０は以下のようにして求められる。また、（ｄ）周波数因子ｆ０および（ｅ）係数ｎは以下の数値が用いられる。
（ａ）残留磁場Ｈｒは、Hayama製パルスＶＳＭ「HR-PVSM20」により測定できる。測定には上述の保磁力Ｈｃの測定方法と同様の作成方法により得られたサンプルを用いる。測定を開始する前にサンプルに６３５８［Ｏｅ］の磁場を印加しサンプルを一方向に磁気的に配向させる。その後、０～２０２３０［Ｏｅ］まで５０５．７５［Ｏｅ］ごとに磁場を断続的に印加し、その際の磁化量を測定し印加磁場をＸ軸、磁化量をＹ軸とし値をプロットする。得られたグラフでＹ＝０となる際のＸが残留磁場Ｈｒである。
（ｂ）磁化減衰量ｔ’は次のようにして求められる。すなわち、磁気記録媒体１０の保磁力Ｈｃの近傍の外部磁場を３条件で印加し、通常ＶＳＭにより磁化減衰量を測定する。そして、その磁化減衰量からフランダースの式を用いて磁化減衰量ｔ’を算出する。（参考文献：I. P. J. Flanders and M. P. Sharrock, “An analysis of time-dependent magnetization and coercivity and of their relationship to print-through in recording tapes,” J. Appl. Phys., vol. 62, pp. 2918-2928, 1987.）。
ここで、「保磁力Ｈｃ」とは、磁性粉の配向方向における保磁力Ｈｃを意味する。すなわち、磁性粉が垂直方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、垂直方向における保磁力Ｈｃを意味する。一方、磁性粉が長手方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、長手方向における保磁力Ｈｃを意味する。
また、「３条件の外部磁場」とは、保磁力Ｈｃ以上の磁場（正の磁化が得られる磁場）、保磁力Ｈｃ近傍の磁場（０に近い磁化が得られる磁場）、および保磁力Ｈｃ未満の磁場（負の磁化が得られる磁場）を意味する。具体例を挙げると、垂直配向テープのＨｃ＝３８００［Ｏｅ］の場合「３条件の外部磁場」は正の磁化が得られる磁場＝４０００［Ｏｅ］、保磁力Ｈｃ近傍の磁場＝３８００［Ｏｅ］、負の磁化が得られる磁場＝３６００［Ｏｅ］として算出する。ただし、この具体例として挙げた数値は実際の測定に際し数値範囲を限定するものではない。
（ｃ）磁場変化量Ｈ０は、（ｂ）で測定した際の測定磁場と磁化減衰量をシャーロックの式に代入し算出した定数である。
（ｄ）周波数因子ｆ０は一定値であり、ｆ０＝５．０×１０９Ｈｚとする。
（ｅ）係数ｎは、磁性粉の結晶磁気異方性に応じた値に設定される。磁性粉が一軸結晶磁気異方性を有する場合、ｎ＝０．５に設定される。一方、磁性粉が多軸結晶磁気異方性（３軸結晶磁気異方性）を有する場合、ｎ＝０．７７に設定される。
（ａ）残留磁場Ｈｒは、Hayama製パルスＶＳＭ「HR-PVSM20」により測定できる。測定には上述の保磁力Ｈｃの測定方法と同様の作成方法により得られたサンプルを用いる。測定を開始する前にサンプルに６３５８［Ｏｅ］の磁場を印加しサンプルを一方向に磁気的に配向させる。その後、０～２０２３０［Ｏｅ］まで５０５．７５［Ｏｅ］ごとに磁場を断続的に印加し、その際の磁化量を測定し印加磁場をＸ軸、磁化量をＹ軸とし値をプロットする。得られたグラフでＹ＝０となる際のＸが残留磁場Ｈｒである。
（ｂ）磁化減衰量ｔ’は次のようにして求められる。すなわち、磁気記録媒体１０の保磁力Ｈｃの近傍の外部磁場を３条件で印加し、通常ＶＳＭにより磁化減衰量を測定する。そして、その磁化減衰量からフランダースの式を用いて磁化減衰量ｔ’を算出する。（参考文献：I. P. J. Flanders and M. P. Sharrock, “An analysis of time-dependent magnetization and coercivity and of their relationship to print-through in recording tapes,” J. Appl. Phys., vol. 62, pp. 2918-2928, 1987.）。
ここで、「保磁力Ｈｃ」とは、磁性粉の配向方向における保磁力Ｈｃを意味する。すなわち、磁性粉が垂直方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、垂直方向における保磁力Ｈｃを意味する。一方、磁性粉が長手方向に配向されている場合、「保磁力Ｈｃ」とは、長手方向における保磁力Ｈｃを意味する。
また、「３条件の外部磁場」とは、保磁力Ｈｃ以上の磁場（正の磁化が得られる磁場）、保磁力Ｈｃ近傍の磁場（０に近い磁化が得られる磁場）、および保磁力Ｈｃ未満の磁場（負の磁化が得られる磁場）を意味する。具体例を挙げると、垂直配向テープのＨｃ＝３８００［Ｏｅ］の場合「３条件の外部磁場」は正の磁化が得られる磁場＝４０００［Ｏｅ］、保磁力Ｈｃ近傍の磁場＝３８００［Ｏｅ］、負の磁化が得られる磁場＝３６００［Ｏｅ］として算出する。ただし、この具体例として挙げた数値は実際の測定に際し数値範囲を限定するものではない。
（ｃ）磁場変化量Ｈ０は、（ｂ）で測定した際の測定磁場と磁化減衰量をシャーロックの式に代入し算出した定数である。
（ｄ）周波数因子ｆ０は一定値であり、ｆ０＝５．０×１０９Ｈｚとする。
（ｅ）係数ｎは、磁性粉の結晶磁気異方性に応じた値に設定される。磁性粉が一軸結晶磁気異方性を有する場合、ｎ＝０．５に設定される。一方、磁性粉が多軸結晶磁気異方性（３軸結晶磁気異方性）を有する場合、ｎ＝０．７７に設定される。
【0083】
磁性粉が一軸結晶磁気異方性および多軸結晶磁気異方性のいずれを有しているかは、以下のようにして判断することができる。上述の比率Ｌ４／Ｌ２の算出方法と同様にして、（１）から（４）の工程を実施して、トルク波形を測定する。測定されたトルク波形が、１８０°周期で変動している場合には、磁性粉が一軸結晶磁気異方性を有していると判断される。測定されたトルク波形が、９０°周期で変動している場合には、磁性粉が多軸結晶磁気異方性を有していると判断される。
【0084】
（磁気記録媒体の平均厚み）
磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）ｔＴの上限値が、５．６μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジに記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。
磁気記録媒体１０の平均厚み（平均全厚）ｔＴの上限値が、５．６μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴが５．６μｍ以下であると、１データカートリッジに記録できる記録容量を一般的な磁気記録媒体よりも高めることができる。磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。
【0085】
磁気記録媒体１０の平均厚みｔＴは以下のようにして求められる。まず、１／２インチ幅の磁気記録媒体１０を準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均厚みｔＴ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
【0086】
（磁気記録媒体の長手方向のヤング率）
磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率は、好ましくは８．０ＧＰａ以下、より好ましくは７．９ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．５ＧＰａ以下、特に好ましくは７．１ＧＰａ以下である。磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率が８．０ＧＰａ以下であると、外力による磁気記録媒体１０の伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気記録媒体１０の幅の調整が容易となる。したがって、オフトラックを適切に抑制することができ、磁気記録媒体１０に記録されたデータを正確に再生することが可能となる。
磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率は、好ましくは８．０ＧＰａ以下、より好ましくは７．９ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．５ＧＰａ以下、特に好ましくは７．１ＧＰａ以下である。磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率が８．０ＧＰａ以下であると、外力による磁気記録媒体１０の伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気記録媒体１０の幅の調整が容易となる。したがって、オフトラックを適切に抑制することができ、磁気記録媒体１０に記録されたデータを正確に再生することが可能となる。
【0087】
磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率は、外力による磁気記録媒体１０の長手方向における伸縮のし難さを示す値であり、この値が大きいほど外力により磁気記録媒体１０は長手方向に伸縮し難く、この値が小さいほど外力により磁気記録媒体１０は長手方向に伸縮しやすい。
【0088】
なお、磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率は、磁気記録媒体１０の長手方向に関する値であるが、磁気記録媒体１０の幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気記録媒体１０は外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気記録媒体１０は外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率は、小さい方が有利である。
【0089】
ヤング率の測定には、引っ張り試験機（島津製作所製、AG-100D）が用いられる。測定環境の温度は２５℃、相対湿度は５５％である。磁気記録媒体１０の長手方向のヤング率を測定したい場合は、磁気記録媒体１０を１８０ｍｍの長さにカットして測定サンプルを準備する。上記引っ張り試験機に測定サンプルの幅（１／２インチ）を固定できる冶具を取り付け、測定サンプル幅の上下を固定する。距離（チャック間の測定サンプルの長さ）は１００ｍｍにする。測定サンプルをチャック後、測定サンプルを引っ張る方向に応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は０．１ｍｍ／ｍｉｎとする。この時の応力の変化と伸び量から、以下の式を用いてヤング率を計算する。
Ｅ（Ｎ／ｍ２）＝（（ΔＮ／Ｓ）／（Δｘ／Ｌ））×１０６
ΔＮ：応力の変化（Ｎ）
Ｓ：試験片の断面積（ｍｍ２）
Δｘ：伸び量（ｍｍ）
Ｌ：つかみ治具間距離（ｍｍ）
応力の範囲としては０．５Ｎから１．０Ｎとし、この時の応力変化（ΔＮ）と伸び量（Δｘ）を計算に使用する。
Ｅ（Ｎ／ｍ２）＝（（ΔＮ／Ｓ）／（Δｘ／Ｌ））×１０６
ΔＮ：応力の変化（Ｎ）
Ｓ：試験片の断面積（ｍｍ２）
Δｘ：伸び量（ｍｍ）
Ｌ：つかみ治具間距離（ｍｍ）
応力の範囲としては０．５Ｎから１．０Ｎとし、この時の応力変化（ΔＮ）と伸び量（Δｘ）を計算に使用する。
【0090】
（算術平均粗さ）
記録層１３の表面の算術平均粗さＲａは、好ましくは２．５ｎｍ以下、より好ましくは２．２ｎｍ以下、さらにより好ましくは２．０ｎｍ以下、最も好ましくは１．９ｎｍ以下である。算術平均粗さＲａが２．５ｎｍ以下であると、スペーシングロスによる出力低下を抑制することができるため、電磁変換特性を向上することができる。記録層１３の表面の算術平均粗さＲａの下限値は、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは１．２ｎｍ以上、さらにより好ましくは１．４ｎｍ以上である。記録層１３の表面の算術平均粗さＲａの下限値が１．０ｎｍ以上であると、摩擦の増大による走行性の低下を抑制することができる。
記録層１３の表面の算術平均粗さＲａは、好ましくは２．５ｎｍ以下、より好ましくは２．２ｎｍ以下、さらにより好ましくは２．０ｎｍ以下、最も好ましくは１．９ｎｍ以下である。算術平均粗さＲａが２．５ｎｍ以下であると、スペーシングロスによる出力低下を抑制することができるため、電磁変換特性を向上することができる。記録層１３の表面の算術平均粗さＲａの下限値は、好ましくは１．０ｎｍ以上、より好ましくは１．２ｎｍ以上、さらにより好ましくは１．４ｎｍ以上である。記録層１３の表面の算術平均粗さＲａの下限値が１．０ｎｍ以上であると、摩擦の増大による走行性の低下を抑制することができる。
【0091】
算術平均粗さＲａは次のようにして求められる。まず、記録層１３の表面をＡＦＭ（Atomic Force Microscope）により観察し、４０μｍ×４０μｍのＡＦＭ像を得る。ＡＦＭとしてはDigital Instruments社製、Nano Scope IIIa D3100を用い、カンチレバーとしてはシリコン単結晶製のものを用い(注１)、タッピング周波数として、２００～４００Ｈｚのチューニングにて測定を行う。次に、ＡＦＭ像を５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割し、各測定点にて高さＺ（ｉ）（ｉ：測定点番号、ｉ＝１～２６２，１４４）を測定し、測定した各測定点の高さＺ（ｉ）を単純に平均（算術平均）して平均高さ（平均面）Ｚave（＝（Ｚ（１）＋Ｚ（２）＋・・・＋Ｚ（２６２，１４４））／２６２，１４４）を求める。続いて、各測定点での平均中心線からの偏差Ｚ”（ｉ）（＝Ｚ（ｉ）－Ｚave）を求め、算術平均粗さＲａ［ｎｍ］（＝（Ｚ”（１）＋Ｚ”（２）＋・・・＋Ｚ”（２６２，１４４））／２６２，１４４）を算出する。この際には、画像処理として、Flatten order2、ならびに、planefit order 3 XYによりフィルタリング処理を行ったものをデータとして用いる。
(注１)Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L(カンチレバー長)＝１２５μｍ
(注１)Nano World社製 SPMプローブ NCH ノーマルタイプ PointProbe L(カンチレバー長)＝１２５μｍ
【0092】
（磁気ヘッドにより印加される磁界の強度）
磁気記録媒体１０は、好ましくは１００００Ｏｅ以上、より好ましくは１３０００Ｏｅ以上、さらにより好ましくは１５０００Ｏｅ以上の磁界を印加可能に構成された記録ヘッドを有する記録再生装置に用いられる。１００００Ｏｅ以上の磁界を印加可能に構成された記録ヘッドを有する記録再生装置では、記録ヘッドの漏れ磁界により磁化反転を特に発生し易い。したがって、このような記録再生装置を用いて磁気記録媒体１０に信号を書き込む場合、面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が５．５％以下であると、漏れ磁界による磁化反転の抑制効果が顕著に発現する。したがって、電磁変換特性を向上する効果が顕著に発現する。
磁気記録媒体１０は、好ましくは１００００Ｏｅ以上、より好ましくは１３０００Ｏｅ以上、さらにより好ましくは１５０００Ｏｅ以上の磁界を印加可能に構成された記録ヘッドを有する記録再生装置に用いられる。１００００Ｏｅ以上の磁界を印加可能に構成された記録ヘッドを有する記録再生装置では、記録ヘッドの漏れ磁界により磁化反転を特に発生し易い。したがって、このような記録再生装置を用いて磁気記録媒体１０に信号を書き込む場合、面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が５．５％以下であると、漏れ磁界による磁化反転の抑制効果が顕著に発現する。したがって、電磁変換特性を向上する効果が顕著に発現する。
【0093】
磁気記録媒体１０に印加される磁界の強度は、記録ヘッドに用いる材料により決定される。
【0094】
（記録波長）
記録層１３は、記録容量を向上する観点から、好ましくは９７ｎｍ以下、より好ましくは９０ｎｍ以下、さらにより好ましくは８３ｎｍ以下の最短記録波長λで信号を記録可能に構成されている。また、最短記録波長λが９７ｎｍである場合、漏れ磁界による磁化反転の抑制効果が顕著に発現する。したがって、電磁変換特性を向上する効果が顕著に発現する。
記録層１３は、記録容量を向上する観点から、好ましくは９７ｎｍ以下、より好ましくは９０ｎｍ以下、さらにより好ましくは８３ｎｍ以下の最短記録波長λで信号を記録可能に構成されている。また、最短記録波長λが９７ｎｍである場合、漏れ磁界による磁化反転の抑制効果が顕著に発現する。したがって、電磁変換特性を向上する効果が顕著に発現する。
【0095】
最短記録波長λは、以下のようにして求められる。データが全面に記録された磁気記録媒体１０を準備し、その記録層１３のデータバンド部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製、NANO SCOPEとその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、NANO SCOPEに付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離の最小値Ｌとする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：NANO WORLD社製 ＭＦＭＲ、リフトハイト：２２５μｍ、補正：Flatten order 3である。磁化反転間距離の最小値Ｌを２倍することにより、最短記録波長λが求められる。
【0096】
［３ 磁気記録媒体の製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。
次に、上述の構成を有する磁気記録媒体１０の製造方法の一例について説明する。
【0097】
（塗料の調製工程）
まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、記録層形成用塗料を調製する。記録層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、記録層形成用塗料を調製する。記録層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
【0098】
上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。
【0099】
上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。
【0100】
（塗布工程）
次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に記録層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、記録層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このように長手方向に磁性粉を一旦配向させる処理を施すことで、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｒｓ）をさらに向上することができる。記録層１３の形成後、基体１１の他方の主面にバック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。
次に、下地層形成用塗料を基体１１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層１２を形成する。続いて、この下地層１２上に記録層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、記録層１３を下地層１２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体１１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体１１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このように長手方向に磁性粉を一旦配向させる処理を施すことで、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｒｓ）をさらに向上することができる。記録層１３の形成後、基体１１の他方の主面にバック層１４を形成する。これにより、磁気記録媒体１０が得られる。
【0101】
角形比Ｒｓは、例えば、記録層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、記録層形成用塗料中における固形分の濃度、記録層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。角形比Ｒｓをさらに高めるためには、記録層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｒｓをさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に記録層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｒｓの調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。
【0102】
（カレンダー工程、裁断工程）
その後、得られた磁気記録媒体１０を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行ったのち、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする磁気記録媒体１０が得られる。
その後、得られた磁気記録媒体１０を大径コアに巻き直し、硬化処理を行う。最後に、磁気記録媒体１０に対してカレンダー処理を行ったのち、所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、目的とする磁気記録媒体１０が得られる。
【0103】
［４ 作用効果］
上述したように、一実施形態に係る磁気記録媒体１０では、垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－５００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦５００［Ｏｅ］の範囲の、垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの面積Ｓlowとの面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が、５．５％以下であるので、低Ｈｃ成分を減らすことができる。これにより、図４Ａに示すように、書き込み時の記録ヘッド１０１からの漏れ磁界１０２があっても、漏れ磁界１０２による磁化反転が抑制される。したがって、書き込み時の記録ヘッド１０１からの漏れ磁界１０２があっても、図４Ｂに示すように、記録層１３の磁化分布をシャープに保持することができるので、記録信号の劣化することを抑制することができる。すなわち、図４Ｃに示すように、再生信号がブロードになることを抑制することができる。よって、良好な電磁変換特性を得ることができる。
上述したように、一実施形態に係る磁気記録媒体１０では、垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－５００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦５００［Ｏｅ］の範囲の、垂直方向における記録層１３のＳＦＤカーブの面積Ｓlowとの面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が、５．５％以下であるので、低Ｈｃ成分を減らすことができる。これにより、図４Ａに示すように、書き込み時の記録ヘッド１０１からの漏れ磁界１０２があっても、漏れ磁界１０２による磁化反転が抑制される。したがって、書き込み時の記録ヘッド１０１からの漏れ磁界１０２があっても、図４Ｂに示すように、記録層１３の磁化分布をシャープに保持することができるので、記録信号の劣化することを抑制することができる。すなわち、図４Ｃに示すように、再生信号がブロードになることを抑制することができる。よって、良好な電磁変換特性を得ることができる。
【0104】
また、ε酸化鉄磁性粉を用いた従来の磁気記録媒体では、記録層は低Ｈｃ成分を多く含んでいる。垂直方向における記録層の低Ｈｃ成分は、信号の記録には寄与しない成分であるため、ノイズ源になる虞がある。また、垂直方向における記録層の角形比Ｒｓが低下するので、再生出力も弱くなる。したがって、ε酸化鉄磁性粉を用いた従来の磁気記録媒体では、電磁変換特性が低くなる。これに対して、一実施形態に係る磁気記録媒体１０では、ノイズ源となる記録層１３の低Ｈｃ成分を低減することができる。また、垂直方向における記録層１３の角形比Ｒｓを高くすることができるので、再生出力を高くすることができる。したがって、良好な電磁変換特性を得ることができる。
【0105】
磁気記録媒体の記録容量を増やすためには、最短記録波長を短くする必用がある。すなわち１ｂｉｔ当たりに使用する記録層の面積を小さくする必要がある。しかしながら、記録層の低Ｈｃ成分は外部磁界の影響により磁化反転が起こりやすいため、最短記録波長を短くすると、書き込み時の記録ヘッドからの漏れ磁界により、磁化反転（すなわち記録減磁）が発生し易い。このような磁化反転が発生すると、記録層１３の磁化分布がシャープではなくなり、再生信号がブロードになる。したがって、１ｂｉｔあたりに使用する記録層１３の面積をより小さくすることが困難となる虞がある。よって、短波長での信号の記録が困難となる虞がある。
【0106】
これに対して、一実施形態に係る磁気記録媒体１０では、上述したように、面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が５．５％以下であるので、低Ｈｃ成分を減らすことができる。したがって、最短記録波長を短くしても、信号書き込み時の記録ヘッド１０１からの漏れ磁界１０２による磁化反転が抑制される。このため、記録層１３の磁化分布がシャープになり、１ｂｉｔあたりに使用する記録層１３の面積をより小さくすることができる。よって、短波長での信号の記録が可能となる。
【0107】
記録層１３の保磁力Ｈｃが３０００［Ｏｅ］以上である場合、信号の書き込み時には従来の記録ヘッドよりも高い磁界を記録層１３に印加可能な次世代ヘッドを用いる必用がある。このような記録ヘッドを用いる場合、記録ヘッドの漏れ磁界により磁化反転が特に発生し易い。したがって、記録層１３の保磁力Ｈｃが３０００［Ｏｅ］以上である場合に、面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が５．５％以下であると、漏れ磁界による磁化反転の抑制効果が顕著に発現する。すなわち、電磁変換特性を向上する効果が顕著に発現する。
【実施例】
【0108】
以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【0109】
［実施例１］
（記録層形成用塗料の調製工程）
記録層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、記録層形成用塗料を調製した。
（記録層形成用塗料の調製工程）
記録層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、記録層形成用塗料を調製した。
【0110】
（第１組成物）
表１に示すε酸化鉄粒子粉（但し、添加元素としてＧａを含有する。）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：４５質量部（溶液含む）
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ２Ｏ３、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２．０質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
表１に示すε酸化鉄粒子粉（但し、添加元素としてＧａを含有する。）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：４５質量部（溶液含む）
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
酸化アルミニウム粉末：５質量部
（α－Ａｌ２Ｏ３、平均粒径０．２μｍ）
カーボンブラック：２．０質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）
【0111】
（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１５質量部（溶液含む）
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
塩化ビニル系樹脂：１５質量部（溶液含む）
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
【0112】
最後に、上述のようにして調製した記録層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。
【0113】
（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
【0114】
（第３組成物）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ２Ｏ３、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）
針状酸化鉄粉末：１００質量部
（α－Ｆｅ２Ｏ３、平均長軸長０．１５μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）
【0115】
（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部
【0116】
最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、日本ポリウレタン社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。
【0117】
（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭カーボン株式会社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラック（旭カーボン株式会社製、商品名：＃８０）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部
【0118】
（塗布工程）
上述のようにして調製した記録層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み４．０μｍ、長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）の一方の主面上に下地層および記録層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー後の平均厚みが０．９μｍとなるように下地層を形成した。次に、下地層上に記録層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー後の平均厚みが８０ｎｍとなるように記録層を形成した。なお、記録層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、記録層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｒｓを７４．３％に設定した。続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー後の平均厚みが０．４μｍとなるようにバック層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。
上述のようにして調製した記録層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み４．０μｍ、長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）の一方の主面上に下地層および記録層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー後の平均厚みが０．９μｍとなるように下地層を形成した。次に、下地層上に記録層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー後の平均厚みが８０ｎｍとなるように記録層を形成した。なお、記録層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、記録層形成用塗料の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整し、磁気テープの厚み方向（垂直方向）における角形比Ｒｓを７４．３％に設定した。続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー後の平均厚みが０．４μｍとなるようにバック層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。
【0119】
（カレンダー工程、裁断工程）
得られた磁気テープに対して硬化処理を行ったのち、カレンダー処理を行い、記録層の表面を平滑化した。この際、カレンダー処理の条件を調整して、記録層の表面の算術平均粗さＲａを１．４ｎｍに設定した。
得られた磁気テープに対して硬化処理を行ったのち、カレンダー処理を行い、記録層の表面を平滑化した。この際、カレンダー処理の条件を調整して、記録層の表面の算術平均粗さＲａを１．４ｎｍに設定した。
【0120】
（裁断工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、平均厚み５．３８μｍの磁気テープが得られた。
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、平均厚み５．３８μｍの磁気テープが得られた。
【0121】
［比較例１］
磁性粉として表１に示すε酸化鉄粒子粉を用いたいこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
磁性粉として表１に示すε酸化鉄粒子粉を用いたいこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
【0122】
［比較例２］
磁性粉として表１に示すε酸化鉄粒子粉を用いたいこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
磁性粉として表１に示すε酸化鉄粒子粉を用いたいこと以外は実施例１と同様にして磁気テープを得た。
【0123】
［評価］
上述のようにして得られた実施例１、比較例１、２の磁気テープの記録層について、以下の評価を行った。
上述のようにして得られた実施例１、比較例１、２の磁気テープの記録層について、以下の評価を行った。
【0124】
（Ｍｓｔ、Ｍｒｔ）
Ｍｓｔ［ｍＡ］、Ｍｒｔ［ｍＡ］（Ｍｒ）（但し、Ｍｓtは、飽和磁化Ｍｓと記録層の厚みｔの積であり、Ｍｒｔは、残留磁化Ｍｒと記録層の厚みｔの積である。）を以下のようにして求めた。まず、上述の一実施形態における保磁力Ｈｃの算出方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得た。次に、得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ］、残留磁化Ｍｒ［ｅｍｕ］を得た。その後、測定サンプルの面積で飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ］を除することによってＭｓｔ［ｍＡ］を算出した。また、測定サンプルの面積で残留磁化Ｍｒ［ｅｍｕ］を除することによってＭｒｔ［ｍＡ］を算出した。
Ｍｓｔ［ｍＡ］、Ｍｒｔ［ｍＡ］（Ｍｒ）（但し、Ｍｓtは、飽和磁化Ｍｓと記録層の厚みｔの積であり、Ｍｒｔは、残留磁化Ｍｒと記録層の厚みｔの積である。）を以下のようにして求めた。まず、上述の一実施形態における保磁力Ｈｃの算出方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得た。次に、得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ］、残留磁化Ｍｒ［ｅｍｕ］を得た。その後、測定サンプルの面積で飽和磁化Ｍｓ［ｅｍｕ］を除することによってＭｓｔ［ｍＡ］を算出した。また、測定サンプルの面積で残留磁化Ｍｒ［ｅｍｕ］を除することによってＭｒｔ［ｍＡ］を算出した。
【0125】
（保磁力Ｈｃ、角形比Ｒｓ、ＳＦＤ、半値幅Ｈａ、熱安定性Ｔｂ、算術平均粗さＲａ）
上述の一実施形態にて説明した算出方法により保磁力Ｈｃ、角形比Ｒｓ、ＳＦＤ、半値幅Ｈａ、熱安定性Ｔｂ、算術平均粗さＲａを求めた。図５Ａ、図６Ａ、図７Ａにそれぞれ、実施例１、比較例１、２の磁気テープの垂直方向に磁界を印加することにより測定されたＭ－Ｈループを示す。図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂにそれぞれ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａに示したＭ－Ｈループから得られたＳＦＤカーブを示す。なお、比較例２の磁気テープでは、半値幅ＨａがＨ≦０になる範囲にかかっているため、ＶＳＭに付属されている測定・解析プログラムでは、半値幅ＨａおよびＳＦＤは算出不可能であった。なお、比較例２の磁気テープのように半値幅が２つの象限に重なるような場合は低Ｈｃ成分が多くＳＦＤが大きいため、良好な電磁変換特性が得られない傾向にある。
上述の一実施形態にて説明した算出方法により保磁力Ｈｃ、角形比Ｒｓ、ＳＦＤ、半値幅Ｈａ、熱安定性Ｔｂ、算術平均粗さＲａを求めた。図５Ａ、図６Ａ、図７Ａにそれぞれ、実施例１、比較例１、２の磁気テープの垂直方向に磁界を印加することにより測定されたＭ－Ｈループを示す。図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂにそれぞれ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａに示したＭ－Ｈループから得られたＳＦＤカーブを示す。なお、比較例２の磁気テープでは、半値幅ＨａがＨ≦０になる範囲にかかっているため、ＶＳＭに付属されている測定・解析プログラムでは、半値幅ＨａおよびＳＦＤは算出不可能であった。なお、比較例２の磁気テープのように半値幅が２つの象限に重なるような場合は低Ｈｃ成分が多くＳＦＤが大きいため、良好な電磁変換特性が得られない傾向にある。
【0126】
（ＳＦＤカーブの面積、面積比）
上述の一実施形態にて説明した算出方法により面積Ｓtotal、Ｓlow、Ｓmain、Ｓhigh、面積比Ｒlow、Ｒhighを求めた。また、上述のようにして求めたＳtotal、Ｒmainを用いて、面積比Ｒmain（＝（Ｓmain／Ｓtotal）×１００）を求めた。
上述の一実施形態にて説明した算出方法により面積Ｓtotal、Ｓlow、Ｓmain、Ｓhigh、面積比Ｒlow、Ｒhighを求めた。また、上述のようにして求めたＳtotal、Ｒmainを用いて、面積比Ｒmain（＝（Ｓmain／Ｓtotal）×１００）を求めた。
【0127】
（ＳＮＲ（電磁変換特性））
実施例１、比較例１、２の磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を以下のようにして評価した。記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲを測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、記録線密度５００ｋｂｐｉのＢＢＳＮＲを０ｄＢとする相対値で図８に示した。
Y.Okazaki:“An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
実施例１、比較例１、２の磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を以下のようにして評価した。記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲを測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、記録線密度５００ｋｂｐｉのＢＢＳＮＲを０ｄＢとする相対値で図８に示した。
Y.Okazaki:“An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
【0128】
（信号減衰量）
磁性体の熱安定性の指標としてKuV/kBTが知られており、一度磁気テープに記録した信号を短時間で再生し、その減衰量から長期経時後の再生信号減衰量が推定可能である（参考文献「リニアテープシステム用バリウムフェライト媒体の長期保存性能」電子情報通信学会 技術研究報告.MR,磁気記録112(137),53-57,2012-07-12）。
磁性体の熱安定性の指標としてKuV/kBTが知られており、一度磁気テープに記録した信号を短時間で再生し、その減衰量から長期経時後の再生信号減衰量が推定可能である（参考文献「リニアテープシステム用バリウムフェライト媒体の長期保存性能」電子情報通信学会 技術研究報告.MR,磁気記録112(137),53-57,2012-07-12）。
【0129】
実施例１、比較例１、２の磁気テープの信号減衰量の測定においては、Micro Physics社製「Tape Head Tester(以下「THT」という。)」が用いられる。記録再生ヘッドにはIBM社製テープドライブ「TS1140」に搭載されているものをそのまま使用した。測定に際して磁気テープを90cmの長さに切り取り、磁気テープの記録層が裏になるようにリング状にした後、磁気テープ裏面より粘着テープで磁気テープ両端同士を接合した。また接合部の隣には、テープ周回位置を検出する為の銀テープを貼った。リング状の磁気テープはTHTに取り付けた後、速度2m/secで周回させた。
【0130】
次に、Tektronix社製信号発生機「ARBITRARY WAVEFORM GENERATOR AWG2021」を用いて発生させた10MHzの信号を、磁気テープに最適記録電流を用いて、テープ全長一周分だけ記録した。
【0131】
記録に続いて、次の周回からは、テープに記録された信号を連続して再生させ、再生出力をHewlett Packard社製スペクトラムアナライザー「8591E」にて計測した。尚、この際のスペクトラムアナライザーの設定はRBW：１MHz、VBW：１MHz、SWP：500msec、point: 400、ゼロスパンモードとした。
【0132】
計測は、十分な記録が行われていない「テープ接合部近傍」を除いた「記録部」のみの間の0.4sec間だけ行い、この間の再生出力の平均値Yを計算した。計測はテープ一周毎に行い、其々の周回における再生出力の平均値Yを、信号記録終了時(t=0)からの経過時間における再生出力平均値Y(t)とした。
【0133】
計測は、t=100secまで行い、接続したパソコンへと適時送信し、記録させた。
上述の測定を同じ磁気テープを用いて４度行い、各測定により得られたY(t)値を、同じ経過時間t毎に平均化してYave(t)の数列とした。
得られたYave(t)をY軸、経過時間tをX軸にとりグラフにプロットし、このグラフから対数近似を用いて近似曲線を作成した。得られた近似曲線を用いて1年後、５年後、１０年後の信号減衰量を算出した。
上述の測定を同じ磁気テープを用いて４度行い、各測定により得られたY(t)値を、同じ経過時間t毎に平均化してYave(t)の数列とした。
得られたYave(t)をY軸、経過時間tをX軸にとりグラフにプロットし、このグラフから対数近似を用いて近似曲線を作成した。得られた近似曲線を用いて1年後、５年後、１０年後の信号減衰量を算出した。
【0134】
表１は、実施例１、比較例１、２の磁気テープに用いた磁性粉の特性を示す。
【表1】
【0135】
表２は、実施例１、比較例１、２の磁気テープに備えられた記録層の磁気特性の評価結果を示す。
【表2】
【0136】
表３は、実施例１、比較例１、２の磁気テープに備えられた記録層のＳＦＤカーブの評価結果を示す。
【表3】
【0137】
図８に、実施例１、比較例１、２の磁気テープの電磁変換特性の評価結果を示す。図８では、比較例１、２の磁気テープのＳＮＲは、線記録密度が高くなるに従って、実施例１の磁気テープのＳＮＲに比べて低下する傾向が見られる。すなわち、比較例１、２の磁気テープのＳＮＲの傾きは、実施例１の磁気テープのＳＮＲの傾きに比べて大きくなる傾向が見られる。これは、以下の理由によるものと考えられる。すなわち、記録層の低Ｈｃ成分が多い比較例１、２の磁気テープでは、記録層の低Ｈｃ成分が少ない実施例１の磁気テープに比べて、磁化反転（記録減磁）が発生し易い。また、線記録密度が高くなると、１ビット（磁区）の長さが短くなるため、磁化反転（記録減磁）によるノイズの影響が強く表れる。すなわち、高線記録密度域（すなわち短波長域）で、ＳＮＲの劣化が顕著に現れる。
【0138】
したがって、面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が５．５％以下である実施例１の磁気テープでは、面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が５．５％を超える比較例１、２の磁気テープに比べて、短波長記録（すなわち高記録密度）においても良好な電磁変換特性（ＳＮＲ）を得ることができる。
【0139】
図９に、実施例１、比較例１、２の磁気テープの信号減衰量の評価結果を示す。図９、表２から以下のことがわかる。実施例１の磁気テープ（平均粒子サイズ：１６．４ｎｍ）の信号減衰量は、実施例１と同程度の平均粒子サイズを有する比較例２の磁気テープ（平均粒子サイズ：１５．７ｎｍ）の信号減衰量に比べて小さい。実施例１の磁気テープ（平均粒子サイズ：１６．４ｎｍ）の信号減衰量は、実施例１に比べて平均粒子サイズが大きい比較例１の磁気テープ（平均粒子サイズ：１９．３ｎｍ）の信号減衰量と同程度である。
【0140】
したがって、実施例１の磁気テープでは、磁性粉の粒子サイズを小さくし、最短記録波長を短くしても、すなわち記録容量を増加させても、熱安定性Ｔｂの低下を抑制することができる。
【0141】
以上、本開示の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。上述の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
【0142】
上述の実施形態および変形例にて例示した化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。上述の実施形態および変形例で段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上述の実施形態および変形例で例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0143】
また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
ε酸化鉄粒子を含む記録層を備え、
垂直方向における前記記録層のＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－５００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦５００［Ｏｅ］の範囲における前記ＳＦＤカーブの面積Ｓlowとの面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が、５．５％以下である磁気記録媒体。
（２）
垂直方向における前記記録層の保磁力が、３０００［Ｏｅ］以上５０００［Ｏｅ］以下である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
垂直方向における前記記録層の角形比Ｒｓが、７０％以上である（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
垂直方向における前記記録層のＳＦＤが、１．１以下である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記磁気記録媒体の熱安定性Ｔｂ（＝ＫｕＶａｃｔ／ｋＢＴ、Ｋｕ：磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖａｃｔ：磁性粉の活性化体積、ｋＢ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が、６０以上である（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
前記記録層は、９６ｎｍ以下の最短記録波長λで信号を記録可能に構成されている（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁気記録媒体は、１３０００Ｏｅ以上の磁界を印加可能に構成された記録再生装置に用いられる（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記ＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－１５０００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦－１００００［Ｏｅ］、および１００００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦１５０００［Ｏｅ］の範囲における前記ＳＦＤカーブの面積Ｓhighとの面積比Ｒhigh（＝（Ｓhigh／Ｓtotal）×１００）が、５％以下である（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記記録層の表面の算術平均粗さＲａが、２．０ｎｍ以下である（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記ε酸化鉄粒子は、ＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種を含む（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
ε酸化鉄粒子を含む記録層を備え、
垂直方向における前記記録層のＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－５００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦５００［Ｏｅ］の範囲における前記ＳＦＤカーブの面積Ｓlowとの面積比Ｒlow（＝（Ｓlow／Ｓtotal）×１００）が、５．５％以下である磁気記録媒体。
（２）
垂直方向における前記記録層の保磁力が、３０００［Ｏｅ］以上５０００［Ｏｅ］以下である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
垂直方向における前記記録層の角形比Ｒｓが、７０％以上である（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
垂直方向における前記記録層のＳＦＤが、１．１以下である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記磁気記録媒体の熱安定性Ｔｂ（＝ＫｕＶａｃｔ／ｋＢＴ、Ｋｕ：磁性粉の結晶磁気異方性定数、Ｖａｃｔ：磁性粉の活性化体積、ｋＢ：ボルツマン定数、Ｔ：絶対温度）が、６０以上である（１）から（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（６）
前記記録層は、９６ｎｍ以下の最短記録波長λで信号を記録可能に構成されている（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁気記録媒体は、１３０００Ｏｅ以上の磁界を印加可能に構成された記録再生装置に用いられる（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記ＳＦＤカーブの総面積Ｓtotalと、保磁力Ｈｃが－１５０００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦－１００００［Ｏｅ］、および１００００［Ｏｅ］≦Ｈｃ≦１５０００［Ｏｅ］の範囲における前記ＳＦＤカーブの面積Ｓhighとの面積比Ｒhigh（＝（Ｓhigh／Ｓtotal）×１００）が、５％以下である（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記記録層の表面の算術平均粗さＲａが、２．０ｎｍ以下である（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記ε酸化鉄粒子は、ＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種を含む（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【符号の説明】
【0144】
１０ 磁気記録媒体
１１ 基体
１２ 下地層
１３ 記録層
１４ バック層
１０１ 記録ヘッド
１０２ 漏れ磁界
１１ 基体
１２ 下地層
１３ 記録層
１４ バック層
１０１ 記録ヘッド
１０２ 漏れ磁界
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】