特許 7529521 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-29

(45)【発行日】2024-08-06

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20240730BHJP

   F26B 3/30 20060101ALI20240730BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 651M

H01L21/304 651J

F26B3/30

【請求項の数】 6

(21)【出願番号】P 2020169886

(22)【出願日】2020-10-07

(65)【公開番号】P2022061750

(43)【公開日】2022-04-19

【審査請求日】2023-07-10

(73)【特許権者】

【識別番号】000134028

【氏名又は名称】株式会社ＳＣＲＥＥＮ ＳＰＥ テック

(74)【代理人】

【識別番号】100088672

【弁理士】

【氏名又は名称】吉竹 英俊

(74)【代理人】

【識別番号】100088845

【弁理士】

【氏名又は名称】有田 貴弘

(72)【発明者】

【氏名】松田 将平

【審査官】堀江 義隆

(56)【参考文献】

【文献】特開平１１－１６２９２３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１１－０７１２１３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１５－１３３４４４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開平０２－１５６５３１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２００３－５２８４４４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／３０４

Ｆ２６Ｂ ３／３０

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の基板に対して一括して処理を行う基板処理装置であって、
複数の基板を収容したキャリアが搬入される貯留槽と、
前記貯留槽に処理液を供給する第１ノズルと、
有機溶剤を吐出して、前記貯留槽に貯留された処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成する第２ノズルと、
前記貯留槽から処理液を排出する排出部と、
前記貯留槽、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルを収容する筐体と、
前記筐体の上端部を開閉する板状の蓋と、
前記貯留槽に搬入された前記キャリア内の前記複数の基板に対して赤外光を照射する、前記貯留槽の上方に配置された照射部と
を備え、
前記照射部は、複数の単位照射部を有し、
前記複数の単位照射部は、前記蓋の下面に水平方向に向け平面上に配列され、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは前記照射部の下方に配置され、かつ、平面視において前記複数の単位照射部の外側に設けられている、基板処理装置。

【請求項2】

請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記複数の基板はその厚み方向に並んだ状態で前記キャリアに収容され、
前記照射部は、前記厚み方向に垂直な方向において前記キャリアと対向する位置に設けられている、基板処理装置。

【請求項3】

請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記キャリアを揺動させる揺動部をさらに備える、基板処理装置。

【請求項4】

請求項３に記載の基板処理装置であって、
前記揺動部は、所定の回動軸のまわりで所定の角度範囲で前記キャリアを互いに反対側に回動させる、基板処理装置。

【請求項5】

請求項１から請求項４のいずれか一つに記載の基板処理装置であって、
前記貯留槽、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルを収容するチャンバと、
石英によって形成され、前記チャンバ内の雰囲気から前記照射部を保護する保護部材と
を備え、
前記赤外光は、３μｍの波長の光を含む、基板処理装置。

【請求項6】

複数の基板に対して一括して処理を行う基板処理装置であって、
複数の基板を収容したキャリアが搬入される貯留槽と、
前記貯留槽に処理液を供給する第１ノズルと、
有機溶剤を吐出して、前記貯留槽に貯留された処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成する第２ノズルと、
前記貯留槽から処理液を排出する排出部と、
前記貯留槽に搬入された前記キャリア内の前記複数の基板に対して赤外光を照射する照射部と、
前記キャリアを揺動させる揺動部と
を備え、
前記複数の基板はその厚み方向に並んだ状態で前記キャリアに収容され、
前記照射部は、前記厚み方向に垂直な方向において前記キャリアと対向する位置に設けられており、
前記揺動部は、所定の回動軸のまわりで所定の角度範囲で前記キャリアを互いに反対側に回動させる、基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本願は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来から、複数の基板を一括して処理するバッチ式の基板処理装置が提案されている（例えば特許文献１）。この基板処理装置は、貯留槽と、第１吐出ノズルと、第２吐出ノズルと、排出部とを含む。第１吐出ノズルは貯留槽に処理液を供給する。これにより、貯留槽には処理液が貯留される。処理液は例えば純水である。貯留槽には、複数の基板を収容したキャリアが搬入される。これにより、複数の基板が処理液に浸漬し、処理液に応じた処理が複数の基板に対して一括して行われる。

【0003】

第２吐出ノズルは貯留槽よりも鉛直上側に配置され、有機溶剤の蒸気を吐出する。有機溶剤の蒸気は、貯留槽に貯留された処理液の液面に接触して液化し、当該液面に有機溶剤の液膜を形成する。有機溶剤は処理液よりも揮発性の高い液体であり、例えばイソプロピルアルコールである。

【0004】

排出部は貯留槽から処理液を排出する。これにより、貯留槽内の処理液の液面（有機溶剤の液膜）は時間の経過と共に下降する。このとき、有機溶剤の液膜が基板に対して上側から順次に接触する。これにより、基板の表面の処理液が上側から順次に有機溶剤に置換される。その後、基板処理装置は、複数の基板に向けて乾燥用の高温ガスを供給することで基板を乾燥させる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【文献】特開２０１９－１６０９５４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

近年、乾燥させにくい基板が登場している。例えば、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）デバイスは高性能化に伴って、デバイスの微細化、積層化および３次元化が進行している。当該デバイスの製造中の基板の表面には３次元構造が形成され、当該３次元構造の内部には空間が形成され得る。このような３次元構造の内部空間に処理液が入り込むと、基板を乾燥させにくい。なぜなら、処理液は内部空間から排出されにくく、処理液を有機溶剤に置換しにくいからである。よって、基板の乾燥に要する時間が長くなる。

【0007】

そこで、本願は、より短時間で複数の基板の乾燥を行うことができる技術を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

基板処理装置の第１の態様は、複数の基板に対して一括して処理を行う基板処理装置であって、複数の基板を収容したキャリアが搬入される貯留槽と、前記貯留槽に処理液を供給する第１ノズルと、有機溶剤を吐出して、前記貯留槽に貯留された処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成する第２ノズルと、前記貯留槽から処理液を排出する排出部と、前記貯留槽、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルを収容する筐体と、前記筐体の上端部を開閉する板状の蓋と、前記貯留槽に搬入された前記キャリア内の前記複数の基板に対して赤外光を照射する、前記貯留槽の上方に配置された照射部とを備え、前記照射部は、複数の単位照射部を有し、前記複数の単位照射部は、前記蓋の下面に水平方向に向け平面上に配列され、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは前記照射部の下方に配置され、かつ、平面視において前記複数の単位照射部の外側に設けられている。

【0009】

基板処理装置の第２の態様は、第１の態様にかかる基板処理装置であって、前記複数の基板はその厚み方向に並んだ状態で前記キャリアに収容され、前記照射部は、前記厚み方向に垂直な方向において前記キャリアと対向する位置に設けられている。

【0012】

基板処理装置の第３の態様は、第２の態様にかかる基板処理装置であって、前記キャリアを揺動させる揺動部をさらに備える。

【0013】

基板処理装置の第４の態様は、第３の態様にかかる基板処理装置であって、前記揺動部は、所定の回動軸のまわりで所定の角度範囲で前記キャリアを互いに反対側に回動させる。

【0014】

基板処理装置の第５の態様は、第１から第４のいずれか一つの態様にかかる基板処理装置であって、前記貯留槽、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルを収容するチャンバと、石英によって形成され、前記チャンバ内の雰囲気から前記照射部を保護する保護部材とを備え、前記赤外光は、３μｍの波長の光を含む。
基板処理装置の第６の態様は、複数の基板に対して一括して処理を行う基板処理装置であって、複数の基板を収容したキャリアが搬入される貯留槽と、前記貯留槽に処理液を供給する第１ノズルと、有機溶剤を吐出して、前記貯留槽に貯留された処理液の液面に前記有機溶剤の液膜を形成する第２ノズルと、前記貯留槽から処理液を排出する排出部と、前記貯留槽に搬入された前記キャリア内の前記複数の基板に対して赤外光を照射する照射部と、前記キャリアを揺動させる揺動部とを備え、前記複数の基板はその厚み方向に並んだ状態で前記キャリアに収容され、前記照射部は、前記厚み方向に垂直な方向において前記キャリアと対向する位置に設けられており、前記揺動部は、所定の回動軸のまわりで所定の角度範囲で前記キャリアを互いに反対側に回動させる。

【発明の効果】

【0016】

基板処理装置の第１の態様および基板処理方法によれば、赤外光を照射するので、基板に残留した処理液を直接に加熱することができ、処理液を蒸発させることができる。よって、たとえ基板の３次元構造の内部空間に入り込んだ処理液が有機溶剤に置換されずに残留したとしても、当該処理液をより効果的に蒸発させることができる。したがって、より短時間で基板を乾燥させることができる。しかも、キャリアにほとんど遮られずに赤外光を基板に照射することができる。

【0017】

基板処理装置の第２の態様によれば、照射部が複数の基板の側方から基板に向かって照射できる。比較のために、照射部が赤外光を基板の厚み方向に沿って照射する場合について考察する。この場合、赤外光は基板を透過して各基板に入射する。よって、各基板における赤外光の強度は照射部から遠いほど小さくなる。つまり、赤外光の強度の基板間のばらつきは大きくなる。これに対して、第２の態様によれば、照射部が複数の基板の側方から基板に向かって照射できるので、赤外光の強度の基板間のばらつきを低減できる。

【0019】

基板処理装置の第３の態様によれば、赤外光の強度の空間分布にばらつきが生じていても、より均一に基板に赤外光を照射することができる。

【0020】

基板処理装置の第４および第６の態様によれば、キャリアが回転軸のまわりで回動するので、キャリア内の基板を照射部の照射方向に対して傾斜させることができる。よって、基板の主面に赤外光を照射させやすい。

【0021】

基板処理装置の第５の態様によれば、保護部材は照射部を保護しつつ、赤外光を透過させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す側断面図である。

【図2】照射部の構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図3】基板処理装置の動作の一例を示すフローチャートである。

【図4】処理液の排出中における基板処理装置の様子の一例を概略的に示す図である。

【図5】基板処理装置の構成の一例を概略的に示す平面図である。

【図6】照射部および揺動中の基板の一例を概略的に示す図である。

【図7】基板処理装置の構成の他の一例を概略的に示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略および構成の簡略化がなされるものである。また、図面に示される構成の大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また各図において、構成要素の位置関係を明確にするため、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。以下では、Ｚ軸方向の一方側（ここでは鉛直上側）を＋Ｚ側と呼び、Ｚ軸方向の他方側（ここでは鉛直下側）を－Ｚ側とも呼ぶ。Ｘ軸およびＹ軸も同様である。

【0024】

また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。

【0025】

また、以下に記載される説明において、「第１」または「第２」などの序数が用いられる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上用いられるものであり、これらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。

【0026】

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば「一方向に」「一方向に沿って」「平行」「直交」「中心」「同心」「同軸」など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。等しい状態であることを示す表現（例えば「同一」「等しい」「均質」など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。形状を示す表現（例えば、「四角形状」または「円筒形状」など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲で、例えば凹凸や面取りなどを有する形状も表すものとする。一の構成要素を「備える」「具える」「具備する」「含む」または「有する」という表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。「Ａ，ＢおよびＣの少なくともいずれか一つ」という表現は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、Ａ，ＢおよびＣのうち任意の２つ、ならびに、Ａ，ＢおよびＣの全てを含む。

【0027】

＜基板処理装置＞
図１は、基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す側断面図である。この基板処理装置１０は、複数の基板Ｗに対して一括して処理を行うバッチ式の処理装置である。

【0028】

処理対象となる基板Ｗは平板状の形状を有しており、図１の例では、基板Ｗの厚み方向に沿って見て、略円形状を有している。基板Ｗの直径は例えば２００ｍｍ程度であり、その厚みは例えば数百μｍ程度である。基板Ｗは例えば半導体基板である。半導体基板としては、例えばシリコン基板または炭化ケイ素基板等の基板を採用できる。基板Ｗの主面には種々の３次元構造が形成され得る。基板Ｗは、例えばＭＥＭＳデバイスの製造途中の基板である。この３次元構造の内部には、液体が入り込むことが可能な空間が形成され得る。

【0029】

複数の基板ＷはキャリアＣに収容された状態で基板処理装置１０内に搬送される。このキャリアＣは、少なくとも＋Ｚ側および－Ｚ側に開口する内部空間を有しており、この内部空間に複数の基板Ｗが収容される。キャリアＣは例えばＰＦＡ（パーフルオロアルコキシアルカン）等のフッ素系樹脂によって形成される。

【0030】

複数の基板ＷはキャリアＣの内部空間において起立姿勢をとっており、基板Ｗの主面の法線方向（つまり、基板Ｗの厚み方向：ここではＹ軸方向）に沿って並んで収容される。起立姿勢とは、基板Ｗの主面の法線方向（厚み方向）が水平方向に沿う姿勢である。キャリアＣに収容される基板Ｗの枚数は特に限定される必要はないものの、例えば数十枚（例えば２５枚）程度である。複数の基板Ｗは基板処理装置１０の外部において、キャリアＣの＋Ｚ側の開口部を通じてキャリアＣの内部に挿入され、また＋Ｚ側の開口部を通じてキャリアＣの内部から取り出される。

【0031】

基板処理装置１０はチャンバ１と貯留槽２と処理液供給部３と排出部４とガス供給部６と照射部８とを含んでいる。以下では、各構成を概説した後に詳述する。

【0032】

チャンバ１は筐体１１と蓋１２とを含んでいる。筐体１１は、＋Ｚ側に開口する箱状の形状を有している。蓋１２は開閉可能に筐体１１の＋Ｚ側の端部（上端部）に取り付けられている。蓋１２の開閉は制御部７によって制御され、蓋１２が閉じることで、チャンバ１の＋Ｚ側の開口部が閉塞する。

【0033】

チャンバ１の内部には、貯留槽２が配置されている。貯留槽２は、＋Ｚ側に開口する開口部を有しており、この開口部から貯留槽２の内部に処理液が供給される。貯留槽２は、供給された処理液を貯留する。図１の例では、貯留槽２は筐体１１の底部から離れた状態で固定部材２１を介して筐体１１に固定されている。

【0034】

複数の基板ＷはキャリアＣに収容された状態で、不図示の搬送機構によってチャンバ１内に搬送される。具体的には、キャリアＣは蓋１２が開いたときの筐体１１の開口部を通過して、貯留槽２の内部に搬入される。図１の例では、基板処理装置１０には、載置部５が設けられている。載置部５は、貯留槽２の内部に設けられて、キャリアＣが載置される載置台５１を含んでいる。図１の例では、載置台５１は固定部材５２によって吊り下げられた状態でチャンバ１に連結される。

【0035】

処理液供給部３は貯留槽２に処理液を供給する。これにより、貯留槽２には処理液が貯留される。処理液は、例えば水を含む液体であり、より具体的な一例として純水（脱イオン水とも呼ばれる）である。貯留槽２には、キャリアＣが処理液に浸漬する程度に処理液が貯留される。キャリアＣが処理液に浸漬することにより、複数の基板Ｗを一括して処理（例えば洗浄）することができる。なお、基板Ｗの主面に、内部空間を含む３次元構造が形成されている場合には、キャリアＣが処理液に浸漬することにより、処理液は当該内部空間に入り込む。

【0036】

排出部４は貯留槽２内の処理液をチャンバ１の外部へ排出する。貯留槽２内の処理液を外部に排出することにより、貯留槽２を空にすることができる。

【0037】

処理液供給部３は複数種類の処理液を順次に貯留槽２に供給してもよい。例えば処理液供給部３は処理液としてフッ酸等の薬液を貯留槽２に供給してもよい。複数の基板Ｗが薬液に浸漬することにより、当該薬液に応じた処理（例えばエッチング処理）を複数の基板Ｗに対して一括して行うことができる。

【0038】

例えば薬液による複数の基板Ｗに対する処理が終了したときに、排出部４が貯留槽２内の薬液をチャンバ１の外部に排出する。その後、処理液供給部３が処理液として純水等のリンス液を貯留槽２に供給する。貯留槽２内において複数の基板Ｗがリンス液に浸漬することにより、基板Ｗに付着した薬液を洗い流すことができる。

【0039】

ガス供給部６は有機溶剤ガス供給部６１を含んでいる。有機溶剤ガス供給部６１はチャンバ１内において、貯留槽２よりも＋Ｚ側の空間（以下、上部空間と呼ぶ）に、有機溶剤の蒸気を供給する。この蒸気は上部空間で広がり、その一部が貯留槽２に貯留された処理液の液面で液化して有機溶剤の液膜を形成する。

【0040】

有機溶剤は例えば処理液（具体的にはリンス液、以下、同様）よりも表面張力が小さい溶剤である。また、ここでは基板処理装置１０は基板Ｗを乾燥する乾燥処理を行うので、その乾燥のために処理液よりも蒸発潜熱が小さい有機溶剤が採用される。より具体的な一例として、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が採用される。なお、有機溶剤ガス供給部６１はキャリアガスとして不活性ガスを有機溶剤の蒸気とともに供給してもよい。不活性ガスとしては、基板Ｗと化学反応を起こしにくい気体（例えば、ヘリウムおよびアルゴン等の希ガスならびに窒素ガスの少なくともいずれか）を採用できる。

【0041】

排出部４は、貯留槽２内の処理液の液面に有機溶剤の液膜が形成された状態で処理液を排出する。これにより、処理液の液面（有機溶剤の液膜）が時間の経過とともに下降する。この液膜が各基板ＷおよびキャリアＣの表面と接触することで、各表面に付着した処理液が、蒸発潜熱の小さい有機溶剤に順次に置換される。ただし、基板Ｗの３次元構造の内部空間に入り込んだ処理液は排出されにくいので、有機溶剤に置換されにくい。よって、当該内部空間には処理液が残留しやすい。このような処理液は蒸発しにくく、基板Ｗの乾燥を困難にさせる。

【0042】

図１の例では、ガス供給部６は高温ガス供給部６２も含んでいる。高温ガス供給部６２は基板ＷおよびキャリアＣに向けて高温ガスを供給する。高温ガスとしては例えば不活性ガスを採用できる。高温ガス供給部６２は、処理液の排出後に高温ガスを供給する。これにより、基板ＷおよびキャリアＣの乾燥を促進させることができる。ただし、高温ガスは基板Ｗの３次元構造の内部空間に残留した処理液には接触しにくく、当該処理液を直接に加熱しにくい。

【0043】

照射部８は基板ＷおよびキャリアＣに向けて赤外光を照射する。より具体的には、照射部８は、処理液の排出後に赤外光を照射する。つまり、照射部８は高温ガス供給部６２による高温ガスの供給と並行して赤外光を照射する。基板ＷおよびキャリアＣに赤外光が照射されると、基板ＷおよびキャリアＣに付着した処理液が赤外光により加熱されて蒸発する。たとえ３次元構造の内部空間に処理液が入り込んでいても、赤外光が当該処理液に照射されることにより、当該処理液は加熱される。これによれば、より短時間で基板Ｗを乾燥させることができる。

【0044】

赤外光の波長範囲としては、赤外光に対する処理液の吸収係数が高くなる範囲を採用することが望ましい。処理液が水を含む場合には、赤外光として、例えば波長が３μｍである光を含む赤外光を採用するとよい。波長が３μｍである光に対する水の吸収係数は高いので、処理液を効果的に加熱して蒸発させることができる。

【0045】

このような基板処理装置１０によれば、基板Ｗの乾燥に照射部８が用いられている。照射部８から照射された赤外光は、基板Ｗに残留した処理液を直接に加熱することができるので、高温ガスのみが用いられる場合に比して、より短時間で基板Ｗを乾燥させることができる。

【0046】

次に、基板処理装置１０の各構成の一例について詳述する。なお、薬液の供給は本実施の形態の本質ではないので、以下では、説明の簡単のために、薬液の供給に関する説明を省略する。

【0047】

＜載置部＞
載置部５は載置台５１と固定部材５２とを含んでいる。載置台５１は板状の形状を有しており、その厚み方向がＺ軸方向に沿うように、貯留槽２の内部に配置される。載置台５１の＋Ｚ側の主面の上には、キャリアＣが載置される。載置台５１は平面視において例えば略矩形状の形状を有し、その一辺がＸ軸に沿うように配置される。図１の例では、固定部材５２は載置台５１を吊り下げた状態で筐体１１に連結する。固定部材５２の詳細な一例は後に述べる。

【0048】

＜処理液供給部＞
処理液供給部３は液ノズル（第１ノズル）３１と供給管３２とバルブ３３とを含んでいる。液ノズル３１はチャンバ１内の上部空間（貯留槽２よりも＋Ｚ側の空間）に配置されており、例えば筐体１１の内側面に固定される。また液ノズル３１は供給管３２を介して処理液供給源３４に連通接続されている。つまり、供給管３２の一端は液ノズル３１に連通接続され、他端は処理液供給源３４に連通接続される。バルブ３３は供給管３２の途中に設けられており、供給管３２内の流路の開閉を切り替える。バルブ３３が開くことにより、処理液が処理液供給源３４から供給管３２の内部を流れ、液ノズル３１から貯留槽２へと吐出される。バルブ３３が閉じることで、液ノズル３１からの処理液の吐出が終了する。

【0049】

＜排出部＞
図１の例では、排出部４は排出管４１，４２とバルブ４３，４４とを含んでいる。排出管４１は、貯留槽２に貯留された処理液を貯留槽２の外部に排出するための配管である。図１の例では、排出管４１の一端は貯留槽２の底部と連通接続されており、他端は筐体１１内において開口している。バルブ４３は排出管４１の途中に設けられており、排出管４１内の流路の開閉を切り替える。バルブ４３が開くことにより、貯留槽２の内部の処理液が排出管４１の内部を通って、排出管４１の他端から筐体１１の底部へと流れ出る。バルブ４３が閉じることにより、貯留槽２からの処理液の排出が終了する。

【0050】

排出管４２は、筐体１１の底部に溜まった処理液をチャンバ１の外部に排出する。排出管４２の一端は筐体１１の底部に連通接続されており、他端は排出ドレイン４５に連通接続されている。バルブ４４は排出管４２の途中に設けられており、排出管４２内の流路の開閉を切り替える。バルブ４４が開くことにより、筐体１１内の処理液が排出管４２の内部を通って排出ドレイン４５へと排出される。バルブ４４が閉じることにより、筐体１１からの処理液の排出が終了する。

【0051】

＜有機溶剤ガス供給部＞
図１の例では、有機溶剤ガス供給部６１はガスノズル（第２ノズル）６１１と供給管６１２ａ，６１２ｂ，６１３とバルブ６１５と加熱部６１６とを含んでいる。ガスノズル６１１はチャンバ１内の上部空間に配置されている。図１の例では、ガスノズル６１１として、一対のガスノズル６１１ａ，６１１ｂが配置されている。ガスノズル６１１ａ，６１１ｂは例えばＸ軸方向において互いに離れている。平面視において（つまり、Ｚ軸に沿って見て）、ガスノズル６１１ａは貯留槽２の中心に対して－Ｘ側に配置され、ガスノズル６１１ｂは貯留槽２の中心に対して＋Ｘ側に配置される。図１の例では、ガスノズル６１１ａ，６１１ｂは略同じ高さ位置に配置されている。ガスノズル６１１ａ，６１１ｂは例えばＹ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の吐出口を有していてもよい。

【0052】

ガスノズル６１１ａは供給管６１２ａ，６１３を介して有機溶剤ガス供給源６１４に連通接続される。具体的には、供給管６１２ａの一端はガスノズル６１１ａに連通接続され、供給管６１２ａの他端は供給管６１３の一端に連通接続され、供給管６１３の他端は有機溶剤ガス供給源６１４に連通接続される。有機溶剤ガス供給源６１４は供給管６１３の他端に有機溶剤の蒸気を供給する。有機溶剤ガス供給源６１４は有機溶剤の蒸気とともにキャリアガスを供給管６１３の他端に供給してもよい。ガスノズル６１１ｂは供給管６１２ｂ，６１３を介して有機溶剤ガス供給源６１４に連通接続される。具体的には、供給管６１２ｂの一端はガスノズル６１１ｂに連通接続され、供給管６１２ｂの他端は供給管６１３の一端に連通接続される。

【0053】

バルブ６１５は供給管６１３の途中に設けられ、供給管６１３内の流路の開閉を切り替える。加熱部６１６は例えばヒータであり、バルブ６１５よりも下流側において供給管６１３に設けられている。加熱部６１６は供給管６１３の内部を流れるガスを加熱する。

【0054】

バルブ６１５が開くことにより、有機溶剤の蒸気が有機溶剤ガス供給源６１４から供給管６１３，６１２ａ，６１２ｂの内部を流れる。この蒸気は加熱部６１６によって加熱された上で、ガスノズル６１１ａ，６１１ｂから吐出される。

【0055】

＜高温ガス供給部＞
図１の例では、高温ガス供給部６２はガスノズル６２１と供給管６２２ａ，６２２ｂ，６２３とバルブ６２５と加熱部６２６とを含んでいる。ガスノズル６２１はチャンバ１内の上部空間に配置されている。図１の例では、ガスノズル６２１として、一対のガスノズル６２１ａ，６２１ｂが配置されている。ガスノズル６２１ａ，６２１ｂは例えばＸ軸方向において互いに離れている。平面視において、ガスノズル６２１ａは貯留槽２の中心に対して－Ｘ側に配置され、ガスノズル６２１ｂは貯留槽２の中心に対して＋Ｘ側に配置される。図１の例では、ガスノズル６２１ａ，６２１ｂは略同じ高さ位置に配置されている。図１の例では、ガスノズル６２１はガスノズル６１１よりも－Ｚ側に設けられているものの、ガスノズル６１１よりも＋Ｚ側に設けられてもよい。ガスノズル６２１ａ，６２１ｂは例えばＹ軸方向に沿って延在しており、Ｙ軸方向に沿って並ぶ複数の吐出口を有していてもよい。ガスノズル６２１ａは例えば＋Ｘ側かつ－Ｚ側の斜め方向に高温ガスを吐出し、ガスノズル６２１ｂは例えば－Ｘ側かつ－Ｚ側の斜め方向に高温ガスを吐出する。

【0056】

ガスノズル６２１ａは供給管６２２ａ，６２３を介してガス供給源６２４に連通接続される。具体的には、供給管６２２ａの一端はガスノズル６２１ａに連通接続され、供給管６２２ａの他端は供給管６２３の一端に連通接続され、供給管６２３の他端はガス供給源６２４に連通接続される。ガス供給源６２４は供給管６２３の他端に不活性ガスを供給する。ガスノズル６２１ｂは供給管６２２ｂ，６２３を介してガス供給源６２４に連通接続される。具体的には、供給管６２２ｂの一端はガスノズル６２１ｂに連通接続され、供給管６２２ｂの他端は供給管６２３の一端に連通接続される。

【0057】

バルブ６２５は供給管６２３の途中に設けられ、供給管６２３内の流路の開閉を切り替える。加熱部６２６は例えばヒータであり、バルブ６２５よりも下流側において供給管６２３に設けられている。加熱部６２６は供給管６２３の内部を流れるガスを加熱する。

【0058】

バルブ６２５が開くことにより、不活性ガスがガス供給源６２４から供給管６２３，６２２ａ，６２２ｂの内部を流れる。この不活性ガスは加熱部６２６によって加熱された上で、ガスノズル６２１ａ，６２１ｂから高温ガスとして吐出される。

【0059】

＜照射部＞
照射部８は貯留槽２内のキャリアＣおよび基板Ｗに向けて赤外光を照射する。図１の例では、照射部８は貯留槽２よりも＋Ｚ側に設けられており、より具体的には、チャンバ１の蓋１２に設けられている。照射部８は蓋１２が閉じた状態で－Ｚ側に向けて、つまり基板ＷおよびキャリアＣに向けて、赤外光を照射する。

【0060】

図１の例では、照射部８よりも－Ｚ側に保護部材８２が設けられている。保護部材８２は、照射部８が照射する赤外光についての透光性を有している。よって、照射部８からの赤外光は保護部材８２を透過して基板ＷおよびキャリアＣに照射される。保護部材８２は例えば石英（より具体的には、無水合成石英）によって形成される。石英は、波長が３μｍ付近の赤外光についての高い透光性を有している。無水合成石英の透光性は特に優れているので、保護部材８２の材料として無水合成石英を採用することが好ましい。

【0061】

保護部材８２は照射部８をチャンバ１内の雰囲気から保護することができる。図１の例では、照射部８は蓋１２および保護部材８２によって囲まれている。図１の例では、保護部材８２は蓋１２の－Ｚ側の面を構成しており、蓋１２の一部であるともいえる。保護部材８２は例えば板状の形状を有しており、蓋１２が閉じた状態において、その厚み方向がＺ軸方向に沿う。保護部材８２の周縁は蓋１２に固定されており、照射部８はチャンバ１の内部空間に露出しない。チャンバ１内の雰囲気には処理液の蒸発成分および微小液滴、並びに、有機溶剤の蒸気および微小液滴の少なくともいずれかが含まれるところ、これらは保護部材８２によって遮られて照射部８に接触しない。つまり、保護部材８２は照射部８をチャンバ１内の雰囲気から保護する。よって、当該雰囲気による照射部８の汚染を回避することができる。

【0062】

照射部８が赤外光を照射することにより、基板ＷおよびキャリアＣには赤外光が入射する。赤外光の一部は基板Ｗに残留した処理液に入射する。赤外光は基板Ｗの３次元構造の内部空間に入り込んだ処理液にも入射する。基板Ｗが赤外光についての透光性を有している場合には、より多くの赤外光が処理液に入射する。例えば基板Ｗがシリコン基板または炭化ケイ素基板を含む場合、赤外光の基板Ｗに対する透光性は高い。この場合、赤外光はシリコン基板または炭化ケイ素基板を透過して処理液に入射する。赤外光の一部は処理液に吸収されて熱に変換されるので、処理液が加熱されて蒸発する。つまり、照射部８は３次元構造の内部空間に入り込んだ処理液を直接に加熱して効果的に蒸発させるができる。よって、基板Ｗの乾燥を促進させることができ、より短時間で基板Ｗを乾燥させることができる。

【0063】

図１の例では、照射部８は複数の単位照射部８１を含んでいる。単位照射部８１は例えばＬＥＤ（発光ダイオード）である。各単位照射部８１は赤外光（例えば３μｍの波長を含む赤外光）を照射する。単位照射部８１は例えば平面視において円形状を有し、その直径は例えば３ｍｍ～５ｍｍ程度である。

【0064】

複数の単位照射部８１は平面視において、間隔を空けて並んで設けられている。図２は、照射部８の構成の一例を概略的に示す平面図である。図２の例では、複数の単位照射部８１はＸ軸方向およびＹ軸方向をそれぞれ列方向および行方向としたマトリクス状に配列されている。

【0065】

図２の例では、キャリアＣが貯留槽２の内部に搬入された状態での、基板ＷおよびキャリアＣも示されている。図２に例示するように、単位照射部８１のＹ軸方向におけるピッチは、キャリアＣ内での複数の基板Ｗのピッチと同じであってもよい。図２の例では、Ｙ軸方向に並ぶ単位照射部８１の個数は基板Ｗの枚数と同じである。また、各列の両側に位置する単位照射部８１のＸ軸方向における位置は、基板ＷのＸ軸方向の両端とそれぞれ同じであってもよい。なお、単位照射部８１の配列態様は図２に限らず適宜に変更し得る。例えば、Ｙ軸方向に並ぶ単位照射部８１の個数は、基板Ｗの枚数よりも多くてもよい。

【0066】

＜制御部＞
制御部７は基板処理装置１０を統括的に制御する。具体的には、制御部７は蓋１２の開閉制御、バルブ３３，４３，４４，６１５，６２５の開閉制御、加熱部６１６，６２６の加熱制御および照射部８の照射制御を実行する。また制御部７は不図示の搬送機構も制御してもよい。この搬送機構は、複数の基板Ｗを格納したキャリアＣを外部からチャンバ１内へ搬入したり、あるいは、チャンバ１から外部へ搬出したりする。

【0067】

この制御部７は電子回路機器であって、例えばデータ処理装置および記憶媒体を有していてもよい。データ処理装置は例えばＣＰＵ（Central Processor Unit）などの演算処理装置であってもよい。記憶媒体は非一時的な記憶媒体（例えばＲＯＭ（Read Only Memory）またはハードディスク）および一時的な記憶媒体（例えばＲＡＭ（Random Access Memory））を有していてもよい。非一時的な記憶媒体には、例えば制御部７が実行する処理を規定するプログラムが記憶されていてもよい。処理装置がこのプログラムを実行することにより、制御部７が、プログラムに規定された処理を実行することができる。もちろん、制御部７が実行する処理の一部または全部がハードウェアによって実行されてもよい。

【0068】

＜基板処理装置の動作＞
図３は、基板処理装置１０の動作の一例を示すフローチャートである。この一連の手順の実行前において、バルブ３３，４３，４４，６１５，６２５は閉じている。まずステップＳ１にて、制御部７はバルブ３３を開いて処理液を貯留槽２に供給する。これにより、貯留槽２に処理液が貯留される。ステップＳ１では、基板Ｗが完全に処理液に浸漬される程度の量の処理液が供給されたときに、制御部７はバルブ３３を閉じる。バルブ３３が閉じることにより、処理液の供給が終了する。

【0069】

貯留槽２に十分な処理液が貯留されると、ステップＳ２にて、制御部７は搬送機構を制御して複数の基板Ｗを基板処理装置１０内に搬入させる。具体的には、制御部７は蓋１２を開き、その状態で搬送機構にキャリアＣをチャンバ１内に搬入させて載置台５１の＋Ｚ側の主面の上に載置させる。これにより、キャリアＣおよび複数の基板Ｗが処理液に浸漬される。そして、制御部７は搬送機構の一部（ハンド）をチャンバ１から引き抜いた上で、蓋１２を閉じる。なお、ステップＳ２はステップＳ１よりも先に行われてもよく、あるいは、ステップＳ１，Ｓ２が互いに並行して行われてもよい。

【0070】

次にステップＳ３にて、制御部７は、有機溶剤ガス供給部６１に有機溶剤の蒸気をチャンバ１内に供給させる。具体的には、制御部７はバルブ６１５を開き、加熱部６１６に有機溶剤の蒸気を例えば７０℃以上に加熱させる。これにより、ガスノズル６１１ａ，６１１ｂからチャンバ１の上部空間に有機溶剤の蒸気が吐出される。この有機溶剤の蒸気は上部空間で広がり、その一部が、貯留槽２に貯留された処理液の液面で液化して有機溶剤の液膜Ｌ１を形成する。

【0071】

次にステップＳ４にて、制御部７は排出部４に貯留槽２内の処理液を排出させる。具体的には、制御部７はバルブ４３，４４を開く。図４は、ステップＳ４における基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す図である。図４では、処理液の排出を排出管４１，４２付近の破線の矢印で模式的に示している。この処理液の排出によって液膜Ｌ１が時間の経過とともに下降する。液膜Ｌ１が各基板Ｗの表面およびキャリアＣの表面と接触することで、各基板Ｗの表面およびキャリアＣの表面に付着した処理液の多くが有機溶剤に順次に置換される。ただし、基板Ｗの３次元構造の内部空間に入り込んだ処理液は有機溶剤に置換されにくく、当該内部空間に残留しやすい。

【0072】

ここでは、処理液が貯留槽２から排出されている期間においても、チャンバ１内に有機溶剤の蒸気が供給され続ける。これにより、各基板Ｗに付着した処理液が有機溶剤に置換されることによる液膜Ｌ１の厚みの減少分を補充することできる。したがって、各基板ＷおよびキャリアＣに付着した処理液の多くを有機溶剤に置換することができる。処理液が貯留槽２およびチャンバ１から十分に排出されると、制御部７はバルブ４３，４４を閉じる。また、有機溶剤ガス供給部６１は有機溶剤の蒸気の供給を終了する。具体的には、制御部７はバルブ６１５を閉じる。

【0073】

次にステップＳ５において、照射部８は赤外光を照射する。具体的には、制御部７は照射部８に照射を指示する。照射部８は当該指示に応答して赤外光を照射する。赤外光は保護部材８２を透過して基板ＷおよびキャリアＣに照射され、その赤外光の一部は、基板ＷおよびキャリアＣに残留した処理液によって吸収されて熱に変換される。このように赤外光により処理液を直接に加熱することができるので、たとえ処理液が基板Ｗの３次元構造の内部空間に残留していたとしても、当該処理液の蒸発を効果的に促進させることができる。つまり、基板ＷおよびキャリアＣの乾燥をより効果的に促進させることができる。基板Ｗが例えばシリコン基板または炭化ケイ素基板を含む場合には、赤外光が該基板を透過するので、赤外光をより高い強度で処理液に入射させることができる。よって、基板ＷおよびキャリアＣの乾燥をさらに効果的に促進させることができる。

【0074】

またステップＳ６において、高温ガス供給部６２は高温ガスを基板ＷおよびキャリアＣに向けて供給する。具体的には、制御部７はバルブ６２５を開き、加熱部６２６に不活性ガスを例えば１００℃から２００℃の範囲で加熱させる。これにより、ガスノズル６２１ａ，６２１ｂから高温の不活性ガスが基板ＷおよびキャリアＣに向かって吐出される。高温の不活性ガスは基板ＷおよびキャリアＣを加熱し、基板ＷおよびキャリアＣの乾燥をさらに促進させる。

【0075】

ステップＳ５による赤外光の照射およびステップＳ６による高温ガスの供給は互いに並行して行われ得る。赤外光の照射開始のタイミングと、高温ガスの供給開始のタイミングとは互いに同じであってもよく、互いにずれていてもよい。両タイミングはどちらが先であってもよい。

【0076】

基板ＷおよびキャリアＣが十分に乾燥すると、制御部７は照射部８の赤外光の照射を停止させ、高温ガス供給部６２に高温ガスの供給を停止させる。具体的には、制御部７は照射部８に赤外光の照射停止を指示し、バルブ６２５を閉じ、加熱部６２６の加熱動作を停止させる。赤外光の照射停止のタイミングと、高温ガスの供給停止のタイミングとは互いに同じであってもよく、互いにずれていてもよい。両タイミングはどちらが先であってもよい。

【0077】

次にステップＳ７にて、基板Ｗを搬出する。より具体的には、制御部７が蓋１２を開いた上で、搬送機構がキャリアＣを基板処理装置１０の外部へと搬出する。

【0078】

以上のように、本基板処理装置１０では、複数の基板ＷおよびキャリアＣに付着した処理液の多くを蒸発潜熱の低い有機溶剤に置換させてから、基板ＷおよびキャリアＣを乾燥させている。よって、ウォーターマークが発生する可能性を低減できる。

【0079】

しかも、本基板処理装置１０においては、照射部８が赤外光を基板ＷおよびキャリアＣに照射する。これによれば、基板ＷおよびキャリアＣに残留した処理液（例えば純水）を赤外光によって直接に加熱することができる。したがって、例えば基板Ｗの３次元構造の内部空間に残留した処理液をより速やかに蒸発させることができる。

【0080】

また、上述の例では、照射部８は貯留槽２よりも＋Ｚ側に設けられている。つまり、照射部８は基板Ｗよりも径方向外側に位置している。言い換えれば、基板Ｗの厚み方向（ここではＹ軸方向）に沿って見て、照射部８は、貯留槽２内に搬入されたキャリアＣ（あるいは複数の基板Ｗ）の側方に位置している。さらに言い換えれば、照射部８は、基板Ｗの厚み方向（ここではＹ軸方向）に垂直な方向（ここではＺ軸方向）においてキャリアＣ（あるいは複数の基板Ｗ）と対向する位置に設けられている。要するに、照射部８およびキャリアＣ（あるいは複数の基板Ｗ）は同一のＸＹ平面内に設けられている。これによれば、赤外光は基板Ｗの側方から基板Ｗに向かって照射される。図１の例とは異なって、照射部８が基板Ｗの主面と向かい合う位置に設けられている場合、照射部８から照射された赤外光は複数の基板Ｗを透過する。赤外光が基板Ｗを透過すると、徐々にその強度が低下し得るので、基板Ｗに照射される赤外光の強度の基板Ｗ間のばらつきは比較的に大きくなり得る。これに対して、図１の例では、照射部８が基板Ｗよりも側方（径方向外側）から基板Ｗに向かって赤外光を照射する。これによれば、各基板Ｗに対してより均一に赤外光を照射することができる。よって、赤外光の強度の基板Ｗ間のばらつきを低減させることができる。

【0081】

複数の基板ＷはキャリアＣの＋Ｚ側の開口部からキャリアＣの内部に挿入されるので、キャリアＣの＋Ｚ側の開口部は、平面視において、キャリアＣ内の複数の基板Ｗよりも広く形成されている。つまり、複数の基板Ｗの直上では、キャリアＣを構成する部材が存在していない。よって、照射部８から照射される赤外光はキャリアＣによってほとんど遮られずに、複数の基板Ｗに照射される。したがって、キャリアＣ内の複数の基板Ｗに対してより広い範囲でより均一に赤外光を照射することができる。

【0082】

また、上述の例では、照射部８はガスノズル６１１，６２１の両方よりも＋Ｚ側に設けられている。これによれば、照射部８は、ガスノズル６１１，６２１から基板Ｗに向かうガスの流れをほとんど阻害しない。また、ガスノズル６１１，６２１は複数の基板Ｗの直上を避けて設けられるとよい。これによれば、ガスノズル６１１，６２１は照射部８からの赤外光をほとんど阻害しない。

【0083】

また、上述の例では、照射部８が設けられた空間をチャンバ１の内部空間から仕切る保護部材８２が設けられている。よって、照射部８をチャンバ１内の雰囲気から保護することができる。

【0084】

＜揺動部＞
上述の例では、照射部８は、平面視において並んで設けられた複数の単位照射部８１を含んでいる。図２の例では、複数の単位照射部８１はＸ軸方向およびＹ軸方向の各々において並ぶ。これによれば、複数の基板Ｗに照射される赤外光の空間的な強度分布にばらつきが生じ得る。具体的には、赤外光はＸ軸方向およびＹ軸方向において、各単位照射部８１の位置をピークとする周期的な強度分布を有する。このような強度分布に起因して、基板Ｗの各位置における乾燥状態にばらつきが生じ得る。このような乾燥状態のばらつきは望ましくない。

【0085】

図１の例では、基板処理装置１０に揺動部９が設けられる。揺動部９は、貯留槽２の内部に搬入されたキャリアＣを照射部８に対して相対的に揺動させる。例えば揺動部９はキャリアＣを、所定の回動軸Ｑ１のまわりにおいて所定の角度範囲で交互に反対方向に回動させて、キャリアＣを揺動させる。

【0086】

図５は、基板処理装置１０の構成の一例を概略的に示す平面図である。図１および図５の例では、回動軸Ｑ１はＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸のいずれとも交差するように設定される。つまり、回動軸Ｑ１は、キャリアＣにおいて複数の基板Ｗが並ぶ配列方向（Ｙ軸方向）、鉛直方向（Ｚ軸方向）およびこれらと垂直な水平方向（Ｘ軸方向）のいずれとも交差する。図５の例では、回動軸Ｑ１は平面視において傾斜角θｘｚでＸ軸と交差している。この傾斜角θｘｚは例えば１０度以上かつ８０度以下であり、より好ましくは、１０度以上かつ４５度以下である。ここでは一例として、傾斜角θｘｚは３０度程度である。

【0087】

図１および図５の例では、揺動部９は載置部５と回動駆動部５９とを含んでいる。回動駆動部５９は載置部５を回動軸Ｑ１のまわりで揺動させることにより、載置部５の載置台５１に載置されたキャリアＣを回動軸Ｑ１のまわりで揺動させる。回動駆動部５９は制御部７によって制御される。載置台５１は固定部材５２によってチャンバ１に連結される。図１および図２の例では、固定部材５２は垂直板５３，５４と垂下部５５，５６と軸受５７，５８とを含んでいる。

【0088】

垂直板５３はＺ軸方向に延在しており、その－Ｚ側の端部は載置台５１の端部（図５の例では－Ｘ側かつ＋Ｙ側の端部）に連結されている。垂直板５３は載置台５１から貯留槽２の内壁に沿って＋Ｚ側に延在しており、その＋Ｚ側の端部は貯留槽２の＋Ｚ側の端部よりも高くに位置する。垂下部５５はＹ軸方向に沿って見て、Ｌ字状の形状を有している。垂下部５５の＋Ｚ側の端部は垂直板５３の＋Ｚ側の端部に連結されており、垂下部５５は貯留槽２の外側を－Ｚ側へと延在する。垂下部５５は軸受５７を介して筐体１１の－Ｘ側の側壁に連結される。軸受５７は回動軸Ｑ１上に配置されており、垂下部５５を回動軸Ｑ１のまわりで回動可能に筐体１１の側壁に固定する。具体的には、垂下部５５には、回動軸Ｑ１に沿って延在するシャフト部（不図示）が設けられており、このシャフト部が軸受５７の内輪に連結され、軸受５７の外輪が筐体１１の側壁に固定される。

【0089】

垂直板５４はＺ軸方向に延在しており、その－Ｚ側の端部は載置台５１の端部（図５の例では＋Ｘ側かつ－Ｙ側の端部）に連結されている。垂直板５４は載置台５１から貯留槽２の内壁に沿って＋Ｚ側に延在しており、その＋Ｚ側の端部は貯留槽２の＋Ｚ側の端部よりも高くに位置する。垂下部５６はＹ軸方向に沿って見て、Ｌ字状の形状を有している。垂下部５６の＋Ｚ側の端部は垂直板５４の＋Ｚ側の端部に連結されており、垂下部５６は貯留槽２の外側を－Ｚ側へと延在する。垂下部５６は軸受５８を介して筐体１１の＋Ｘ側の側壁に固定される。軸受５８は回動軸Ｑ１上に配置されており、垂下部５６を回動軸Ｑ１のまわりで回動可能に筐体１１の側壁に固定する。具体的には、垂下部５６には、回動軸Ｑ１に沿って延在するシャフト部（不図示）が設けられており、このシャフト部が軸受５８の内輪に連結され、軸受５８の外輪が筐体１１の側壁に固定される。

【0090】

このような固定部材５２によれば、載置台５１を回動軸Ｑ１のまわりで回動可能にチャンバ１の筐体１１に固定しつつ、その回動軸Ｑ１を基板Ｗの中央（Ｚ軸方向における中央）付近に設定することができる。

【0091】

回動駆動部５９は、垂下部５５に設けられたシャフト部を回動軸Ｑ１のまわりで所定の角度範囲で交互に回動させる。これにより、載置台５１、固定部材５２およびキャリアＣが一体に揺動する。回動駆動部５９は例えば不図示のエアシリンダおよびリンク部材を有している。リンク部材は例えば棒状の形状を有しており、その一端が垂下部５５のシャフト部に連結されている。リンク部材は回動軸Ｑ１についての径方向に延在しており、その他端がエアシリンダのピストンロッドの先端に連結される。エアシリンダはピストンロッドの先端を回動軸Ｑ１の周方向に沿って進退させる。これにより、リンク部材が所定の角度範囲で回動軸Ｑ１のまわりを交互に揺動し、リンク部材に連結されたシャフト部が当該所定の角度範囲で回動軸Ｑ１のまわりを交互に回動する。したがって、載置台５１、固定部材５２およびキャリアＣが回動軸Ｑ１のまわりで所定の角度範囲で交互に回動する。

【0092】

なお、回動駆動部５９は必ずしもエアシリンダおよびリンク部材を有している必要はなく、他の駆動機構（例えばモータ）により垂下部５５のシャフト部を回動させてもよい。また、回動駆動部５９は垂下部５６のシャフト部を回動させてもよい。回動駆動部５９が回動軸Ｑ１のまわりでシャフト部を回動させることにより、キャリアＣは揺動方向Ｄ１に沿って往復移動する。

【0093】

このような揺動部９によるキャリアＣの揺動方向Ｄ１は、単位照射部８１が並ぶ方向成分を含む。ここでは、複数の単位照射部８１はＸ軸方向およびＹ軸方向の各々に沿って並んでおり、揺動方向Ｄ１はＸ軸方向の成分およびＹ軸方向の成分の両方を含む。

【0094】

揺動部９は照射部８による赤外光の照射中に、キャリアＣを揺動方向Ｄ１に沿って揺動させる。図６は、照射部８および揺動中の基板Ｗの一例を概略的に示す図である。図６では、照射部８からの赤外光の空間強度分布が模式的に破線で示されている。キャリアＣの揺動によって、各基板Ｗの各位置に照射される赤外光の強度はキャリアＣの位置に応じて変動するので、各基板Ｗの各位置に照射される赤外光の平均強度をより均一化させることができる。したがって、各基板Ｗの各位置における乾燥状態のばらつきを低減させることができる。

【0095】

しかも、キャリアＣが回動軸Ｑ１のまわりで揺動すれば、基板Ｗの主面がＺ軸方向に対して傾斜する。言い換えれば、基板Ｗの主面が照射部８の照射方向に対して傾斜する。これによれば、赤外光が基板Ｗの主面に照射されやすい（図６参照）。よって、基板Ｗの主面の３次元構造の内部空間に入り込んだ処理液に赤外光を照射しやすい。

【0096】

なお、揺動部９は必ずしも回動軸Ｑ１まわりでキャリアＣを揺動させる必要はない。例えば、揺動部９は、Ｘ軸方向に沿って載置部５を往復移動させる直動機構（不図示）と、Ｙ軸方向に沿って載置部５を往復移動させる直動機構（不図示）とを含んでいてもよい。直動機構は、例えば、リニアモータ、ボールねじ機構またはエアシリンダを含む。これによっても、揺動部９が赤外光の照射中にキャリアＣをＸ軸方向およびＹ軸方向に往復移動させることにより、各基板Ｗの各位置により均一に赤外光を照射することができる。

【0097】

＜基板処理装置の他の例＞
図７は、基板処理装置１０Ａの構成の一例を概略的に示す図である。基板処理装置１０Ａは照射部８の位置を除いて、基板処理装置１０と同様の構成を有している。基板処理装置１０Ａでは照射部８として、照射部８Ａ～８Ｃが設けられている。照射部８Ａは基板処理装置１０と同様に、貯留槽２よりも＋Ｚ側に設けられており、照射部８Ｂおよび照射部８Ｃは貯留槽２に対してＸ軸方向の両側に設けられている。言い換えれば、照射部８Ｂおよび照射部８Ｃは基板Ｗに対して筐体１１の側壁側に設けられている。図７の例では、照射部８Ｂ，８Ｃはチャンバ１の側壁よりも外側において、チャンバ１の両側に設けられている。

【0098】

図７の例では、照射部８Ｂ，８Ｃの各々も複数の単位照射部８１を含んでいる。照射部８Ｂ，８Ｃにおいて、例えば複数の単位照射部８１はＹ軸方向およびＺ軸方向をそれぞれ行方向および列方向としたマトリクス状に設けられる。図７の例では、支持部材８３がチャンバ１よりも－Ｘ側において、例えば床面に立設される。支持部材８３は例えば板状の形状を有しており、その厚み方向がＸ軸方向に沿う姿勢で設けられる。支持部材８３の＋Ｘ側の面には照射部８Ｂが設けられる。図７の例では、支持部材８４がチャンバ１よりも＋Ｘ側において、例えば床面に立設される。支持部材８４は例えば板状の形状を有しており、その厚み方向がＸ軸方向に沿う姿勢で設けられる。支持部材８４の－Ｘ側の面には照射部８Ｃが設けられる。

【0099】

ここでは、チャンバ１の側壁、貯留槽２、載置部５およびキャリアＣは赤外光についての透光性を有している。これらは、例えば石英（より望ましくは、無水合成石英）によって形成される。照射部８は基板ＷおよびキャリアＣに向けて赤外光を照射する。照射部８Ｂ，８Ｃからの赤外光はチャンバ１の側壁、貯留槽２、載置部５およびキャリアＣを透過して、複数の基板Ｗに照射される。図７の例では、照射部８Ｂ，８Ｃはチャンバ１の両側にそれぞれ設けられているので、複数の基板ＷにはＸ軸方向の両側から赤外光が照射される。

【0100】

このような基板処理装置１０Ａにおいても、照射部８Ａ～８Ｃからの赤外光が複数の基板Ｗに照射される。よって、キャリアＣおよび基板Ｗに残留した処理液を直接に加熱することができ、当該処理液を効率的に蒸発させることができる。

【0101】

また、照射部８が複数の方向から基板Ｗに赤外光を照射するので、基板Ｗに照射される赤外光のパワー（強度）を増加させることができる。よって、さらに短時間で基板Ｗを乾燥させることができる。

【0102】

また、照射部８Ｂ，８Ｃも、基板Ｗの厚み方向（ここではＹ軸方向）に垂直なＸ軸方向においてキャリアＣと対向する位置に設けられている。よって、照射部８Ｂ，８Ｃの各々からの赤外光も、複数の基板Ｗの側方（径方向外側）から複数の基板Ｗに照射される。よって、照射部８Ａと同様に、赤外光の強度の基板Ｗ間のばらつきを低減させることができる。

【0103】

また、上述の基板処理装置１０Ａによれば、照射部８Ｂ，８Ｃはチャンバ１の外側に設けられているので、照射部８Ｂ，８Ｃはチャンバ１の内部空間で露出しない。よって、照射部８Ｂ，８Ｃがチャンバ１の内部空間に露出することの起因した照射部８Ｂ，８Ｃの汚染を回避することができる。また、照射部８Ｂ，８Ｃがチャンバ１の外側に設けられるので、照射部８Ｂ，８Ｃに接続される電気配線の引き回しも容易である。一方、基板処理装置１０によれば、チャンバ１よりも外側に照射部８を設ける必要がないので、装置サイズ（フットプリント）を低減させることができる。

【0104】

なお、基板処理装置１０Ａにおいて、チャンバ１の側壁、貯留槽２、載置部５およびキャリアＣの各々は、その全体が赤外光についての透光性を有している必要はなく、基板Ｗに照射される赤外光が透過する領域のみ、透光性を有していればよい。

【0105】

以上のように、基板処理装置１０，１０Ａおよび基板処理方法は詳細に説明されたが、上記の説明は、全ての局面において、例示であって、この基板処理装置１０，１０Ａおよび基板処理方法がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記各実施の形態および各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

【0106】

例えば、照射部８は貯留槽２よりも＋Ｚ側に設けられ、照射部８Ｂは貯留槽２よりも－Ｘ側に設けられ、照射部８Ｃは貯留槽２よりも＋Ｘ側に設けられている。しかしながら、照射部８の設置位置は適宜に変更してもよい。

【0107】

また、上述の例では、複数の単位照射部８１がマトリクス状に配置されているものの、必ずしもこれに限らず、その配列態様は適宜に変更し得る。例えば、単位照射部８１の各々が一方向に長い長尺状の形状を有し、複数の単位照射部８１がその短手方向において間隔を空けて並んで設けられてもよい。この場合も、揺動部９は、単位照射部８１の配列方向を成分として含む揺動方向に沿って、キャリアＣを揺動させるとよい。揺動方向は、例えば配列方向に沿う方向であってもよい。これによっても、各基板Ｗの各位置により均一に赤外光を照射できる。

【0108】

また、上述の例では、揺動部９はキャリアＣを揺動させているものの、照射部８を揺動させてもよい。

【符号の説明】

【0109】

１０，１０Ａ 基板処理装置
１ チャンバ
１１ 筐体
１２ 蓋
２ 貯留槽
３１ 第１ノズル（液ノズル）
４ 排出部
６１１，６１１ａ，６１１ｂ 第２ノズル（ガスノズル）
８，８Ａ～８Ｃ 照射部
８１ 単位照射部
８２ 保護部材
９ 揺動部
Ｃ キャリア
Ｑ１ 回動軸
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】