特許 7529912 ウエハ載置台

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B1)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-29

(45)【発行日】2024-08-06

(54)【発明の名称】ウエハ載置台

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20240730BHJP

   H01L 21/31 20060101ALI20240730BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20240730BHJP

   C23C 16/458 20060101ALI20240730BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/31 C

H01L21/302 101G

C23C16/458

【請求項の数】 5

(21)【出願番号】P 2023533323

(86)(22)【出願日】2023-01-12

(86)【国際出願番号】 JP2023000526

【審査請求日】2023-05-31

(73)【特許権者】

【識別番号】000004064

【氏名又は名称】日本碍子株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000017

【氏名又は名称】弁理士法人アイテック国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】原 朋弘

(72)【発明者】

【氏名】海野 豊

【審査官】渡井 高広

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１４／０７３５５４（ＷＯ，Ａ１）

【文献】国際公開第２０１８／１７９８９１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特表２０２２－５３４１４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特表２０１９－５２２３７４（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－２５８４２８（ＪＰ，Ａ）

【文献】国際公開第２０２１／２４２５０６（ＷＯ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２１／６８３

Ｈ０１Ｌ ２１／３１

Ｈ０１Ｌ ２１／３０６５

Ｃ２３Ｃ １６／４５８

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

上面にウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートに埋設された円形の第１ＲＦ電極と、
前記第１ＲＦ電極に電気的に接続される第１ＲＦ端子と、
前記セラミックプレートのうち前記第１ＲＦ電極とは異なる深さに埋設され、平面視で前記第１ＲＦ電極の外側に位置する環状の第２ＲＦ電極と、
前記第２ＲＦ電極に電気的に接続される第２ＲＦ端子と、
前記第２ＲＦ端子と前記第２ＲＦ電極とを接続する接続回路と、
を備え、
前記接続回路は、網目状又は放射状の導電線で形成され、
前記導電線の幅は、前記第２ＲＦ電極から前記第２ＲＦ端子に向かって広くなっている、
ウエハ載置台。

【請求項2】

前記第２ＲＦ端子は、前記セラミックプレートの中心に設けられている、
請求項１に記載のウエハ載置台。

【請求項3】

前記導電線の幅は、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下の範囲内で前記第２ＲＦ電極から前記第２ＲＦ端子に向かって広くなっている、
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。

【請求項4】

前記接続回路は、前記網目状の導電線で形成され、多角形の網目を有する、
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。

【請求項5】

前記導電線のうち前記第２ＲＦ端子と繋がっている最内周線分の幅が最も広く、前記導電線のうち前記最内周線分の次に前記第２ＲＦ端子に近い線分の幅が次に広くなっている、
請求項４に記載のウエハ載置台。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ウエハ載置台に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、ウエハ載置台として、セラミックプレートの異なる深さに２つのＲＦ電極が埋設されたものが知られている。例えば、特許文献１には、２つのＲＦ電極として、円形の第１ＲＦ電極と、平面視で第１ＲＦ電極の外側に位置する環状の第２ＲＦ電極とを備えたものが開示されている。第２ＲＦ電極は、放射状の導電線で形成された接続回路を介してセラミックプレートの中心付近に設けられた外部端子に接続されている。特許文献２では、接続回路として、開口形状が六角形状又は三角形状の孔を複数備えた導電プレートを用いている。導電プレートのうち孔を取り囲む部分が導電線に相当する。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２０１２－８９６９４号公報

【文献】特許第５５８３８７７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

しかしながら、特許文献１，２では、導電線の幅が一定であったため、ウエハ載置面内の温度差が大きくなったり、ウエハ載置面の上方にプラズマを効率よく発生できなかったりする問題があった。

【0005】

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、ウエハ載置面内の温度差を小さくしつつプラズマを効率よく発生することを主目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

［１］本発明のウエハ載置台は、
上面にウエハ載置面を有するセラミックプレートと、
前記セラミックプレートに埋設された円形の第１ＲＦ電極と、
前記第１ＲＦ電極に電気的に接続される第１ＲＦ端子と、
前記セラミックプレートのうち前記第１ＲＦ電極とは異なる深さに埋設され、平面視で前記第１ＲＦ電極の外側に位置する環状の第２ＲＦ電極と、
前記第２ＲＦ電極に電気的に接続される第２ＲＦ端子と、
前記第２ＲＦ端子と前記第２ＲＦ電極とを接続する接続回路と、
を備え、
前記接続回路は、網目状又は放射状の導電線で形成され、
前記導電線の幅は、前記第２ＲＦ電極から前記第２ＲＦ端子に向かって広くなっている
ものである。

【0007】

このウエハ載置台では、第２ＲＦ端子と第２ＲＦ電極とを接続する接続回路は、網目状又は放射状の導電線で形成され、導電線の幅は、第２ＲＦ電極から第２ＲＦ端子に向かって広くなっている。つまり、導電線の幅は、第２ＲＦ電極との接続部分で狭く第２ＲＦ端子との接続部分で広くなっている。そのため、導電線の幅が狭い値で一定の場合に比べて、接続回路を形成する導電線の発熱を抑えることができる。その結果、ウエハ載置面内の温度差を小さくすることができる。また、導電線の幅が広い値で一定の場合に比べて、第１ＲＦ電極と接続回路との重複面積が小さくなり、第１ＲＦ電極と接続回路とのプラズマカップリングが低減される。その結果、ウエハ載置面の上方にプラズマを効率よく発生することができる。

【0008】

なお、本明細書では、上下、左右、前後などを用いて本発明を説明することがあるが、上下、左右、前後は、相対的な位置関係に過ぎない。そのため、ウエハ載置台の向きを変えた場合には上下が左右になったり左右が上下になったりすることがあるが、そうした場合も本発明の技術的範囲に含まれる。また、導電線の幅は、第２ＲＦ電極から第２ＲＦ端子に向かって段階的に広くなっていてもよいし、徐々に広くなっていてもよい。

【0009】

［２］本発明のウエハ載置台（前記［１］に記載のウエハ載置台）において、前記第２ＲＦ端子は、前記セラミックプレートの中心に設けられていてもよい。こうすれば、接続回路を形成する導電線をバランスよく配置しやすくなる。

【0010】

［３］本発明のウエハ載置台（前記［１］又は［２］に記載のウエハ載置台）において、前記導電線の幅は、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下の範囲内で前記第２ＲＦ電極から前記第２ＲＦ端子に向かって広くなっていてもよい。こうすれば、接続回路の発熱を適切に抑えつつ、平面視で第１ＲＦ電極と接続回路との重複面積も適切に小さくすることができる。

【0011】

［４］本発明のウエハ載置台（前記［１］～［３］のいずれか１項に記載のウエハ載置台）において、前記接続回路は、前記網目状の導電線で形成され、多角形の網目を有していてもよい。こうすれば、ウエハ載置面の平均温度をウエハ載置面の目標温度に近づけやすくなる。なお、多角形としては、例えば六角形、四角形、三角形などが挙げられる。

【0012】

［５］本発明のウエハ載置台（前記［４］に記載のウエハ載置台）において、前記導電線のうち前記第２ＲＦ端子と繋がっている最内周線分の幅が最も広く、前記導電線のうち前記最内周線分の次に前記第２ＲＦ端子に近い線分の幅が次に広くなっていてもよい。こうすれば、多角形の網目を有する接続回路を、比較的簡単に、第２ＲＦ電極から第２ＲＦ端子に向かって幅が広くなるように設計することができる。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】ウエハ載置台１０の斜視図。

【図2】図１のＡ－Ａ断面図。

【図3】第１ＲＦ電極３０と接続回路５０が内側に設けられた第２ＲＦ電極４０とを平面視したときの説明図。

【図4】接続回路５０の部分拡大図。

【図5】ウエハ載置台１０を設置したプラズマ励起化学蒸着装置８０の概略説明図。

【図6】接続回路５０の比較形態の説明図。

【図7】接続回路５０の比較形態の説明図。

【図8】接続回路１５０の実施形態の説明図。

【図9】接続回路２５０の実施形態の説明図。

【図10】接続回路１５０の比較形態の説明図。

【図11】接続回路２５０の比較形態の説明図。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１はウエハ載置台１０の斜視図、図２は図１のＡ－Ａ断面図、図３は第１ＲＦ電極３０と接続回路５０が内側に設けられた第２ＲＦ電極４０とを平面視したときの説明図、図４は接続回路５０の部分拡大図である。

【0015】

ウエハ載置台１０は、半導体素子等を製造する装置の部品として用いられるものであり、例えば静電チャックやセラミックヒータなどが挙げられる。ウエハ載置台１０は、セラミックプレート２０と、シャフト７０とを備える。

【0016】

セラミックプレート２０は、窒化アルミニウムやアルミナなどに代表されるセラミック材料からなる円盤状のプレートであり、上面に円形のウエハ載置面２２と環状の突起２４とを有する。セラミックプレート２０の直径は、例えば約３３０ｍｍであり、厚みは、例えば約２０ｍｍである。ウエハ載置面２２の直径は、例えば約３００ｍｍであり、ウエハＷの直径とほぼ一致している。環状の突起２４は、ウエハ載置面２２を取り囲むように、ウエハ載置面２２よりも一段高くなるように設けられている。セラミックプレート２０には、ウエハ載置面２２に近い側から順に、第１ＲＦ電極３０、第２ＲＦ電極４０及びヒータ電極６０が埋設されている。

【0017】

第１ＲＦ電極３０は、ＭｏメッシュやＷメッシュなどに代表される円形状の金属メッシュである。第１ＲＦ電極３０の中心は、セラミックプレート２０の中心と一致している。第１ＲＦ電極３０の直径は、例えば約３００ｍｍである。第１ＲＦ電極３０は、セラミックプレート２０の中心の近くで第１ＲＦ端子３２と電気的に接続されている。第１ＲＦ電極３０は、第１ＲＦ端子３２を介して第１給電棒３４に接続されている。第１給電棒３４は、第２ＲＦ電極４０及びヒータ電極６０を非接触な状態で貫通し、シャフト７０の内部を通過してシャフト７０の外部にまで達している。

【0018】

第２ＲＦ電極４０は、セラミックプレート２０のうち第１ＲＦ電極３０とは異なる深さに埋設されている。第２ＲＦ電極４０は、ＭｏメッシュやＷメッシュなどに代表される環状の金属メッシュである。第２ＲＦ電極４０の中心は、セラミックプレート２０の中心と一致している。第２ＲＦ電極４０の内径は、第１ＲＦ電極３０の直径と同じかそれよりも僅かに大きく、外径は、例えば約３１５ｍｍである。第２ＲＦ電極４０は、セラミックプレート２０の中心に設けられた第２ＲＦ端子４２と接続回路５０を介して電気的に接続されている。第２ＲＦ電極４０は、第２ＲＦ端子４２を介して第２給電棒４４に接続されている。第２給電棒４４は、ヒータ電極６０を非接触な状態で貫通し、シャフト７０の内部を通過してシャフト７０の外部にまで達している。

【0019】

接続回路５０は、セラミックプレート２０のうち第２ＲＦ電極４０と同じ深さに設けられている。接続回路５０は、第２ＲＦ電極４０の内側に設けられている。接続回路５０は、網目状の導電線５２で形成されており、六角形状の網目５４を有している。接続回路５０の中心は、セラミックプレート２０の中心と一致しており、第２ＲＦ端子４２が電気的に接続されている。導電線５２の材料としては、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ等の高融点導電材料が好ましい。接続回路５０は、こうした高融点導電材料を含むペーストを印刷することにより形成することができる。

【0020】

導電線５２の幅は、環状の第２ＲＦ電極４０から第２ＲＦ端子４２に向かって広くなっている。本実施形態では、導電線５２の幅は次のように決められている。すなわち、平面視でセラミックプレート２０と同心円の仮想小円Ｃ１と仮想大円Ｃ２を描く。仮想小円Ｃ１の半径は網目５４をなす六角形の辺の長さとほぼ同じ、仮想大円Ｃ２の半径は網目５４をなす六角形の対角線（中心を通らない対角線）の長さとほぼ同じである。このとき、導電線５２のうち仮想小円Ｃ１の内側に位置するもの（３本の導電線５２ａ）の幅ｗ１が最も大きく、仮想小円Ｃ１の外側で且つ仮想大円Ｃ２の内側に位置するもの（６本の導電線５２ｂ）の幅ｗ２が次に大きく、仮想大円Ｃ２の外側に位置するもの（その他の導電線５２ｃ）の幅ｗ３が最も小さくなっている。式で表すとｗ１＞ｗ２＞ｗ３である。換言すれば、導電線５２のうち第２ＲＦ端子４２と繋がっている最内周線分（導電線５２ａ）の幅ｗ１が最も広く、導電線５２のうち最内周線分の次に第２ＲＦ端子４２に近い線分（導電線５２ｂ）の幅ｗ２が次に広く、それ以外の導電線５２ｃの幅が最も狭くなっている。このように導電線５２の幅は、環状の第２ＲＦ電極４０から第２ＲＦ端子４２に向かって段階的に広くなっている。

【0021】

導電線５２の幅は、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下の範囲内で第２ＲＦ電極４０から第２ＲＦ端子４２に向かって広くなっていることが好ましい。例えば、ｗ３＝５ｍｍ，ｗ２＝１０ｍｍ，ｗ１＝１５ｍｍとしてもよいし、ｗ３＝６ｍｍ，ｗ２＝８ｍｍ，ｗ１＝１０ｍｍとしてもよいし、ｗ３＝６ｍｍ，ｗ２＝７ｍｍ，ｗ１＝８ｍｍとしてもよい。

【0022】

ヒータ電極６０は、セラミックプレート２０の中央付近に配設された一端から、一筆書きの要領で平面視でセラミックプレート２０のほぼ全域に配線されたあと中央付近に配設された他端に至るように形成されている。ヒータ電極６０の材料としては、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ等の高融点導電材料が好ましい。なお、図示しないが、ヒータ電極６０の一端と他端にはそれぞれ給電棒が接続され、各給電棒はシャフト７０の内部を通過してヒータ用電源に接続されている。ヒータ電極６０は上下に多段に設けられていてもよい。

【0023】

シャフト７０は、セラミックプレート２０と同じ材料で作製された筒状部材である。シャフト７０は、上端がセラミックプレート２０の下面（ウエハ載置面２２とは反対側の面）に接合されている。

【0024】

こうしたウエハ載置台１０は、例えば特許文献２に記載された製造例に準じて製造することができる。

【0025】

次に、ウエハ載置台１０の使用例について説明する。図５は、ウエハ載置台１０を設置したプラズマ励起化学蒸着装置８０の概略説明図である。プラズマ励起化学蒸着装置８０のチャンバ８２の内部に、ウエハ載置面２２にウエハＷが載置されたウエハ載置台１０を設置する。具体的には、シャフト７０の下端をチャンバ８２の床面に気密になるように設置する。これにより、シャフト７０の内部は、チャンバ８２の内部と遮断された状態となる。チャンバ８２の天井には、ウエハ載置台１０に対向する位置に対向電極８４が設けられている。そして、ウエハ載置台１０に載置されたウエハＷが所定の温度になるようにヒータ電極６０に電力を供給する。また、チャンバ８２のガス排出口８２ａに繋いだ真空ポンプにより、チャンバ８２の内部を所定の真空度になるまで減圧する。その後、チャンバ８２のガス導入口８２ｂから所望の膜を作製するための原料ガスを導入し、チャンバ８２の内部圧力が所定の圧力となるように調整する。そして、第１ＲＦ電極３０と対向電極８４との間及び第２ＲＦ電極４０と対向電極８４との間に、それぞれ異なる高周波電力を供給する。すると、対向電極８４とウエハ載置台１０との間にプラズマが発生し、ウエハＷの表面に所望の薄膜が生成する。

【0026】

以上説明したウエハ載置台１０では、第２ＲＦ端子４２と第２ＲＦ電極４０とを接続する接続回路５０は、網目状の導電線５２（５２ａ～５２ｃ）で形成され、導電線５２の幅は、第２ＲＦ電極４０から第２ＲＦ端子４２に向かって広くなっている。つまり、導電線５２の幅は、第２ＲＦ電極４０との接続部分で狭く第２ＲＦ端子４２との接続部分で広くなっている。そのため、接続回路５０の導電線５２の幅が狭い値で一定（例えば図６のように導電線５２の幅がｗ３で一定）の場合に比べて、接続回路５０を形成する導電線５２の発熱を抑えることができる。その結果、ウエハ載置面２２内の温度差を小さくすることができる。また、接続回路５０の導電線５２の幅が広い値で一定（例えば図７のように導電線５２の幅がｗ１で一定）の場合に比べて、平面視で第１ＲＦ電極３０と接続回路５０との重複面積が小さくなり、第１ＲＦ電極３０と接続回路５０とのプラズマカップリングが低減される。その結果、ウエハ載置面２２の上方にプラズマを効率よく発生することができる。

【0027】

また、第２ＲＦ端子４２は、セラミックプレート２０の中心に設けられている。そのため、接続回路５０を形成する導電線５２をバランスよく配置しやすい。具体的には、接続回路５０を、セラミックプレート２０の中心を軸として実質的に回転対称になるように形成しやすい。

【0028】

更に、導電線５２（５２ａ～５２ｃ）の幅は、５ｍｍ以上１５ｍｍ以下の範囲内で第２ＲＦ電極４０から第２ＲＦ端子４２に向かって広くなっていることが好ましい。こうすれば、接続回路５０の発熱を適切に抑えつつ、平面視で第１ＲＦ電極３０と接続回路５０との重複面積も適切に小さくすることができる。

【0029】

更にまた、接続回路５０は、多角形（六角形）の網目５４を有している。そのため、ウエハ載置面２２の平均温度をウエハ載置面２２の目標温度に近づけやすくなる。この点は以下の実施例で説明する。

【0030】

そしてまた、導電線５２のうち第２ＲＦ端子４２と繋がっている最内周線分（導電線５２ａ）の幅ｗ１が最も広く、導電線５２のうち最内周線分の次に第２ＲＦ端子４２に近い線分（導電線５２ｂ）の幅ｗ２が次に広くなっている。そのため、六角形の網目５４を有する接続回路５０を、比較的簡単に、第２ＲＦ電極４０から第２ＲＦ端子４２に向かって幅が広くなるように設計することができる。

【0031】

なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。

【0032】

上述した実施形態では、接続回路５０は、六角形の網目５４を有するものとしたが、網目を六角形以外の多角形にしてもよい。図８は、三角形の網目１５４を有する接続回路１５０の一例である。接続回路１５０は、第２ＲＦ端子４２と第２ＲＦ電極４０とを接続する回路であり、平面視で第１ＲＦ電極３０と重複している。接続回路１５０を形成する導電線１５２の幅は、環状の第２ＲＦ電極４０から第２ＲＦ端子４２に向かって広くなっている。具体的には、導電線１５２のうち第２ＲＦ端子４２と繋がっている最内周線分（導電線１５２ａ）の幅が最も広く、導電線１５２のうち最内周線分の次に第２ＲＦ端子４２に近い線分（導電線１５２ｂ）の幅が次に広く、それ以外の導電線１５２ｃの幅が最も狭くなっている。

【0033】

上述した実施形態では、接続回路５０は、網目状の導電線５２で形成したが、放射状の導電線で形成してもよい。図９は、放射状の導電線２５２で形成された接続回路２５０の一例である。接続回路２５０は、第２ＲＦ端子４２と第２ＲＦ電極４０とを接続する回路であり、平面視で第１ＲＦ電極３０と重複している。接続回路２５０を形成する４本の導電線２５２の幅は、環状の第２ＲＦ電極４０から第２ＲＦ端子４２に向かって広くなっている。ここでは、導電線２５２の幅は、段階的ではなく徐々に広くなっている。なお、放射状の導電線２５２の本数は、４本に限らず、３本でもよいし５本以上でもよい。

【0034】

上述した実施形態では、接続回路５０の導電線５２の幅を３段階（ｗ１，ｗ２，ｗ３）に設定したが、特にこれに限定されるものではなく、例えば２段階に設定してもよいし、４段階以上に設定してもよい。

【0035】

上述した実施形態では、第１ＲＦ電極３０として円形電極を採用したが、特にこれに限定されない。例えば、第１ＲＦ電極３０を、一対の半円電極を隙間を空けて実質的に円形になるように配置したものとしてもよい。この場合、一対の半円電極は、高周波電力が供給されたときに同電位になるよう構成されている。

【0036】

上述した実施形態では、セラミックプレート２０の内部に静電電極を埋設しなかったが、静電電極を埋設してもよい。こうすれば、静電電極に直流電圧を印加することで、ウエハＷをウエハ載置面２２に吸着することができる。

【実施例】

【0037】

以下に実施例や比較例について説明するが、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。

【0038】

［実施例１］
実施例１では、上述した実施形態のウエハ載置台１０（図１～図４）においてｗ１＝８ｍｍ、ｗ２＝７ｍｍ、ｗ３＝６ｍｍに設定した。そして、第２ＲＦ端子４２をグランドに接続し、第２ＲＦ電極４０に２０００Ｗの電力を入力したときのウエハ載置面２２内の最高温度と最低温度との差（以下温度差という）を求めた。第１ＲＦ電極３０やヒータ電極６０には電力を供給しなかった。温度の測定点は、ウエハ載置面２２において予め定めた１８箇所とした。その結果、温度差は４４．３℃であった。

【0039】

これとは別に、ウエハ載置面２２の目標温度を３００℃に設定し、そのウエハ載置面２２の温度が目標温度になるようにヒータ電極６０への給電を制御した。これと共に、第２ＲＦ端子４２をグランドに接続し、第２ＲＦ電極４０に２０００Ｗの電力を入力した。また、第１ＲＦ電極３０には電力を供給しなかった。このときのウエハ載置面２２の平均温度を求めた。温度の測定点は、先ほどと同じとした。その結果、平均温度は３０６．６℃であった。

【0040】

［比較例１］
比較例１では、接続回路５０として図６を採用し、導電線５２の幅ｗ３を６ｍｍで一定とした以外は、実施例１のウエハ載置台１０と同様とした。そして、実施例１と同様にして温度差及び平均温度を求めた。その結果、温度差は５８．０℃、平均温度は３０７．４℃であった。

【0041】

［実施例２］
実施例２では、上述した実施形態のウエハ載置台１０において接続回路５０の代わりに図８の接続回路１５０を用い、導電線１５２ａの幅を８ｍｍ、導電線１５２ｂの幅を７ｍｍ、導電線１５２ｃの幅を６ｍｍに設定した。そして、実施例１と同様にして温度差及び平均温度を求めた。その結果、温度差は２０．４℃、平均温度は３１０．６℃であった。

【0042】

［比較例２］
比較例２では、接続回路１５０として図１０を採用し、導電線１５２の幅を６ｍｍで一定とした以外は、実施例２のウエハ載置台１０と同様とした。そして、実施例１と同様にして温度差及び平均温度を求めた。その結果、温度差は３０．７℃、平均温度は３１１．９℃であった。

【0043】

［実施例３］
実施例３では、上述した実施形態のウエハ載置台１０において接続回路５０の代わりに図９の接続回路２５０を用い、導電線２５２の幅を、第２ＲＦ電極４０との接続部分で６ｍｍ、第２ＲＦ端子４２との接続部分で８ｍｍに設定した。そして、実施例１と同様にして温度差及び平均温度を求めた。その結果、温度差は１８．７℃、平均温度は３２１．９℃であった。

【0044】

［比較例３］
比較例３では、接続回路２５０として図１１を採用し、導電線２５２の幅を６ｍｍで一定とした以外は、実施例３のウエハ載置台１０と同様とした。そして、実施例１と同様にして温度差及び平均温度を求めた。その結果、温度差は２２．１℃、平均温度は３２４．２℃であった。

【0045】

［評価］
温度差については、実施例１～３の方がそれぞれ対応する比較例１～３に比べて小さくなった。すなわち、接続回路を構成する導電線の幅については、第２ＲＦ電極から第２ＲＦ端子に向かって広くなっている方が、狭い値で一定の場合に比べて、温度差を小さくすることができた。また、平均温度については、実施例１，２のように接続回路が網目状の導電線で形成されている方が、実施例３のように放射状の導電線で形成されている場合に比べて目標温度（３００℃）に近づけることができた。

【産業上の利用可能性】

【0046】

本発明は、半導体素子製造装置の部品として利用可能である。

【符号の説明】

【0047】

１０ ウエハ載置台、２０ セラミックプレート、２２ ウエハ載置面、２４ 突起、３０ 第１ＲＦ電極、３２ 第１ＲＦ端子、３４ 第１給電棒、４０ 第２ＲＦ電極、４２ 第２ＲＦ端子、４４ 第２給電棒、５０ 接続回路、５２，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ 導電線、５４ 網目、６０ ヒータ電極、７０ シャフト、８０ プラズマ励起化学蒸着装置、８２ チャンバ、８２ａ ガス排出口、８２ｂ ガス導入口、８４ 対向電極、１５０ 接続回路、１５２，１５２ａ，１５２ｂ，１５２ｃ 導電線、２５０ 接続回路、２５２ 導電線、Ｃ１ 仮想小円、Ｃ２ 仮想大円、Ｗ ウエハ、ｗ１，ｗ２，ｗ３ 幅。

【要約】

ウエハ載置台１０は、上面にウエハ載置面２２を有するセラミックプレート２０と、セラミックプレート２０に埋設された円形の第１ＲＦ電極３０と、第１ＲＦ電極３０に電気的に接続される第１ＲＦ端子３２と、セラミックプレート２０のうち第１ＲＦ電極３０とは異なる深さに埋設され、平面視で第１ＲＦ電極３０の外側に位置する環状の第２ＲＦ電極４０と、第２ＲＦ電極４０に電気的に接続される第２ＲＦ端子４２と、第２ＲＦ端子４２と第２ＲＦ電極４０とを接続する接続回路５０と、を備える。接続回路５０は、網目状又は放射状の導電線で形成され、導電線の幅は、第２ＲＦ電極４０から第２ＲＦ端子４２に向かって広くなっている。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】