特許 7530523 導電性粒子、導電材料及び接続構造体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-07-30

(45)【発行日】2024-08-07

(54)【発明の名称】導電性粒子、導電材料及び接続構造体

(51)【国際特許分類】

   H01B 5/00 20060101AFI20240731BHJP

   H01B 1/00 20060101ALI20240731BHJP

   H01B 1/22 20060101ALI20240731BHJP

   H01B 5/16 20060101ALI20240731BHJP

   H01R 11/01 20060101ALI20240731BHJP

【ＦＩ】

H01B5/00 C

H01B1/00 C

H01B5/00 G

H01B1/00 G

H01B1/22 D

H01B5/16

H01R11/01 501E

【請求項の数】 10

(21)【出願番号】P 2023551188

(86)(22)【出願日】2023-07-25

(86)【国際出願番号】 JP2023027151

(87)【国際公開番号】W WO2024034386

(87)【国際公開日】2024-02-15

【審査請求日】2024-05-15

(31)【優先権主張番号】P 2022126226

(32)【優先日】2022-08-08

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

【早期審査対象出願】

(73)【特許権者】

【識別番号】000002174

【氏名又は名称】積水化学工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001232

【氏名又は名称】弁理士法人大阪フロント特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】白石 翔大

【審査官】小林 秀和

(56)【参考文献】

【文献】国際公開第２０１７／１３８５２１（ＷＯ，Ａ１）

【文献】特開２０１５－１３０３２８（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｂ ５／００

Ｈ０１Ｂ １／００

Ｈ０１Ｂ １／２２

Ｈ０１Ｂ ５／１６

Ｈ０１Ｒ １１／０１

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材粒子と、
ニッケルと錫とを含むＮｉ－Ｓｎ導電層とを備え、
前記基材粒子の表面上に、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が配置されており、
前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における錫の平均含有量が５重量％未満であり、
ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み２０％以上の領域において、錫が含まれ、
ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上であり、
ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体に含まれる錫の合計１００重量％中の８０重量％以上の錫が含まれる、導電性粒子。

【請求項2】

ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１０％以上かつ５０％未満の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれる、請求項１に記載の導電性粒子。

【請求項3】

ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、
前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１０％以上かつ５０％未満の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれ、かつ、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上４０重量％以下である、請求項１に記載の導電性粒子。

【請求項4】

ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み３０％以下の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれる、請求項１に記載の導電性粒子。

【請求項5】

ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、１０重量％以上である、請求項１に記載の導電性粒子。

【請求項6】

ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、
前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み３０％以下の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれ、かつ、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、１０重量％以上である、請求項１に記載の導電性粒子。

【請求項7】

前記導電性粒子の粒子径が、０．１μｍ以上１０００μｍ以下である、請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性粒子。

【請求項8】

前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面に複数の突起を有する、請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性粒子。

【請求項9】

請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。

【請求項10】

第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、
第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部が、請求項１～６のいずれか１項に記載の導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、
前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電層とを有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。

【背景技術】

【0002】

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。該異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。また、導電性粒子として、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子が用いられることがある。

【0003】

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために用いられている。上記異方性導電材料を用いる接続としては、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等が挙げられる。

【0004】

導電性粒子が酸の存在下に晒されると、ニッケル等を含む導電層の腐食が生じることがある。また、そのような導電性粒子を用いて電極間を接続して接続構造体を得た場合には、接続構造体が酸の存在下に晒されると、電極間の接続抵抗が上昇することがある。このような理由から、酸の存在下に晒されても、導電層の腐食が生じ難い導電性粒子の開発が検討されている。

【0005】

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献１には、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置されており、かつニッケルを含む導電層とを備える導電性粒子が開示されている。上記導電性粒子では、上記ニッケルを含む導電層の融点が３００℃以上である。上記導電性粒子では、上記ニッケルを含む導電層が、ニッケルと錫とを含む合金層であり、上記ニッケルを含む導電層の全体１００重量％中、錫の平均含有量が５重量％以上、５０重量％以下である。

【0006】

下記の特許文献２には、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置されており、かつニッケルを含む導電層とを備え、上記ニッケルを含む導電層が、ニッケルとスズ及びインジウムの内の少なくとも１種とを含む合金層である導電性粒子が開示されている。上記導電性粒子では、上記ニッケルを含む導電層の外表面から内側に向かって厚み１／２までの領域の１００重量％中、スズとインジウムとの合計の平均含有量が５重量％未満である。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

【文献】特開２０１５－１３０３２８号公報

【文献】ＷＯ２０１７／１３８５２１Ａ１

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

近年、スマートウォッチやスマートグラス等のウェアラブルディスプレイや、各種センサー等に用いられる導電材料が注目されている。ウェアラブルディスプレイは、様々な環境で長時間連続して使用されることが前提であるので、ウェアラブルディスプレイに用いられる導電性粒子及び接続構造体には、高温、高湿かつ高電圧に長時間曝されても耐え得る性能が求められる。

【0009】

特許文献１に記載のような従来の導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続して接続構造体を得た場合には、錫の平均含有量が多いため、接続抵抗が高くなることがある。また、高温下に晒された導電性粒子を用いたり、導電性粒子を用いた接続構造体が高温下に晒されたりすると、接続抵抗が高くなりやすいという問題がある。

【0010】

一方、特許文献２に記載のような錫をごく微量で含む導電性粒子を用いて、接続構造体を得た場合、初期の接続抵抗及び低濃度の酸存在下での接続抵抗を比較的低くすることができるものの、より高濃度の酸の存在下では、接続抵抗を十分に低くすることは困難なことがある。さらに、特許文献２に記載のような導電性粒子は、高温かつ高湿な環境下で高電圧に長時間曝されると、金属腐食が発生し、導電層の電荷が移動することがある。結果として、ショートが発生したり、導通信頼性が低下したりすることがある。

【0011】

本発明の目的は、電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができ、高温かつ高湿な環境下で高電圧に長時間曝されても、Ｎｉ－Ｓｎ導電層における電荷の移動を防ぐことができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、ニッケルと錫とを含むＮｉ－Ｓｎ導電層とを備え、前記基材粒子の表面上に、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が配置されており、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における錫の平均含有量が５重量％未満であり、ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上である、導電性粒子が提供される。

【0013】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体に含まれる錫の合計１００重量％中の８０重量％以上の錫が含まれる。

【0014】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１５％以上の領域において、錫が含まれる。

【0015】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１０％以上かつ５０％未満の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれる。

【0016】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１０％以上かつ５０％未満の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれ、かつ、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上４０重量％以下である。

【0017】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み３０％以下の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれる。

【0018】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、１０重量％以上である。

【0019】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み３０％以下の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれ、かつ、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、１０重量％以上である。

【0020】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子の粒子径が、０．１μｍ以上１０００μｍ以下である。

【0021】

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面に複数の突起を有する。

【0022】

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。

【0023】

本発明の広い局面によれば、第１の電極を表面に有する第１の接続対象部材と、第２の電極を表面に有する第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されており、前記第１の電極と前記第２の電極とが前記導電性粒子により電気的に接続されている、接続構造体が提供される。

【発明の効果】

【0024】

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、ニッケルと錫とを含むＮｉ－Ｓｎ導電層とを備える。本発明に係る導電性粒子では、上記基材粒子の表面上に、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が配置されており、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における錫の平均含有量が５重量％未満である。本発明に係る導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上である。本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、本発明に係る導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続した場合に、接続抵抗を低くすることができ、高温かつ高湿な環境下で高電圧に長時間曝されても、Ｎｉ－Ｓｎ導電層における電荷の移動を防ぐことができる。

【図面の簡単な説明】

【0025】

【図1】図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【図2】図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【図3】図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【図4】図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子におけるＮｉ－Ｓｎ導電層の各領域を説明するための模式図である。

【図5】図５は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0026】

以下、本発明の詳細を説明する。

【0027】

（導電性粒子）
従来、導電層がニッケルを含む場合に、ニッケルは腐食しやすいので、ニッケルが析出すると、電極間の接続抵抗が高くなりやすい。また、導電層にニッケルを含む導電性粒子が、高温かつ高湿な環境下で高電圧に曝されると、金属腐食が発生し、導電層の電荷が移動することがある。結果として、ショートが発生したり、導通信頼性が低下したりすることがある。

【0028】

本発明者は、ニッケルを含んでいても、初期の接続抵抗だけでなく、酸の存在下に晒された後の接続抵抗をも低くすることができ、高温かつ高湿な環境下で導電性粒子が高電圧に長時間曝されても、導電層における電荷の移動を抑制することができる導電性粒子について検討した。鋭意検討の結果、本発明者は、導電層内の錫の含有量及び分布に着目した。本発明者は、導電層全体での錫の含有量を抑えつつ、導電層中の錫の分布を工夫することにより、上記問題が解決することを見出した。

【0029】

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、ニッケルと錫とを含むＮｉ－Ｓｎ導電層とを備え、上記基材粒子の表面上に、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が配置されている。本発明に係る導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における錫の平均含有量が５重量％未満である。本発明に係る導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上である。

【0030】

本発明に係る導電性粒子における上述した構成の採用により、本発明に係る導電性粒子を用いて、電極間を電気的に接続した場合に、初期の接続抵抗を低くすることができる。さらに、酸の存在下に晒された後の接続抵抗を低くすることができる。さらに、高温（例えば、８５℃）かつ高湿（たとえば、８５％ＲＨ）な環境下で導電性粒子が高電圧（例えば、１５Ｖ）に長時間（例えば、５００時間）曝されても、Ｎｉ－Ｓｎ導電層における電荷の移動を防ぐことができる。

【0031】

本発明では、高温かつ高湿な環境下などに長期間保管された導電性粒子を用いて、接続構造体を作製したときに、接続抵抗の上昇を抑えることができる。

【0032】

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が、上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が十分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成され難くなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。

【0033】

上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には直径を意味し、導電性粒子が真球状以外の形状である場合には、その体積相当の真球と仮定した際の直径を意味する。

【0034】

上記導電性粒子の粒子径は、平均粒子径であることが好ましく、数平均粒子径であることが好ましい。上記導電性粒子の粒子径は、例えば、任意の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各導電性粒子の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の導電性粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの導電性粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記導電性粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。

【0035】

上記導電性粒子の粒子径の変動係数（ＣＶ値）は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。上記導電性粒子の粒子径の変動係数が、上記上限以下であると、電極間の導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層効果的に高めることができる。上記導電性粒子の粒子径の変動係数の下限は特に限定されない。上記導電性粒子の粒子径の変動係数は、０％であってもよく、０％以上であってもよく、５％以上であってもよい。

【0036】

上記変動係数（ＣＶ値）は、以下のようにして測定できる。

【0037】

ＣＶ値（％）＝（ρ／Ｄｎ）×１００
ρ：導電性粒子の粒子径の標準偏差
Ｄｎ：導電性粒子の粒子径の平均値

【0038】

上記導電性粒子の形状は特に限定されない。上記導電性粒子の形状は、球状であってもよく、球状以外の形状であってもよく、扁平状等の形状であってもよい。

【0039】

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。なお、参照した図面では、大きさ及び厚みなどは、図示の便宜上、実際の大きさ及び厚みから適宜変更している。

【0040】

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【0041】

図１に示す導電性粒子１は、基材粒子２と、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３とを有する。Ｎｉ－Ｓｎ導電層３は、ニッケルと錫とを含む。Ｎｉ－Ｓｎ導電層３は、基材粒子２の表面上に配置されている。第１の実施形態では、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３は、基材粒子２の表面に接している。導電性粒子１は、基材粒子２の表面がＮｉ－Ｓｎ導電層３により被覆された被覆粒子である。

【0042】

導電性粒子１では、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子は、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層以外の導電層を有していてもよい。上記導電性粒子は、複数の導電層を有していてもよい。

【0043】

導電性粒子１は、後述する導電性粒子１１，２１とは異なり、芯物質を有さない。導電性粒子１は表面に突起を有さない。導電性粒子１は球状である。Ｎｉ－Ｓｎ導電層３は外表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子はＮｉ－Ｓｎ導電層の表面に突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子１は、後述する導電性粒子１１，２１とは異なり、絶縁性物質を有さない。但し、導電性粒子１は、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。

【0044】

導電性粒子１では、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３の全体の領域における錫の平均含有量が５重量％未満である。導電性粒子１では、ＴＥＭ－ＥＤＸによりＮｉ－Ｓｎ導電層３の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上である。

【0045】

図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【0046】

図２に示す導電性粒子１１は、基材粒子２と、Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２と、複数の芯物質１３と、複数の絶縁性物質１４とを有する。Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２は、基材粒子２の表面上に基材粒子２に接するように配置されている。

【0047】

導電性粒子１１では、Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２は、単層の導電層である。上記導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が上記基材粒子の表面の全体を覆っていてもよく、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が上記基材粒子の表面の一部を覆っていてもよい。上記導電性粒子は、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層以外の導電層を有していてもよい。上記導電性粒子は、多層の導電層を有していてもよい。

【0048】

導電性粒子１１は表面に、複数の突起１１ａを有する。Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２は外表面に、複数の突起１２ａを有する。複数の芯物質１３が、基材粒子２の表面上に配置されている。複数の芯物質１３は、Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２内に埋め込まれている。芯物質１３は、突起１１ａ，１２ａの内側に配置されている。Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２は、複数の芯物質１３を被覆している。複数の芯物質１３によりＮｉ－Ｓｎ導電層１２の外表面が隆起されており、突起１１ａ，１２ａが形成されている。

【0049】

導電性粒子１１は、Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２の外表面上に配置された絶縁性物質１４を有する。Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質１４により被覆されている。絶縁性物質１４は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、本発明に係る導電性粒子は、Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面上に配置された絶縁性物質を有していてもよい。但し、本発明に係る導電性粒子は、絶縁性物質を必ずしも有していなくてもよい。

【0050】

導電性粒子１１では、Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２の全体の領域における錫の平均含有量が５重量％未満である。導電性粒子１１では、ＴＥＭ－ＥＤＸによりＮｉ－Ｓｎ導電層１２の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２の外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上である。

【0051】

図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

【0052】

図３に示す導電性粒子２１は、基材粒子２と、Ｎｉ－Ｓｎ導電層２２Ａ（第１の導電層）と、複数の芯物質１３と、複数の絶縁性物質１４とを有する。導電性粒子２１は、基材粒子２側とは反対側にＮｉ－Ｓｎ導電層２２Ａ（第１の導電層）と、基材粒子２側に第２の導電層２２Ｂとを有する。

【0053】

導電性粒子１１と導電性粒子２１とでは、第２の導電層２２Ｂのみが異なっている。すなわち、導電性粒子１１では、１層構造の導電層が形成されているのに対し、導電性粒子２１では、２層構造の導電層が形成されている。導電性粒子１１では、Ｎｉ－Ｓｎ導電層１２が形成されているのに対し、導電性粒子２１では、Ｎｉ－Ｓｎ導電層２２Ａ（第１の導電層）及び第２の導電層２２Ｂが形成されている。導電性粒子２１では、Ｎｉ－Ｓｎ導電層２２Ａ（第１の導電層）と第２の導電層２２Ｂとは別の導電層として形成されている。

【0054】

第２の導電層２２Ｂは、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２とＮｉ－Ｓｎ導電層２２Ａ（第１の導電層）との間に、第２の導電層２２Ｂが配置されている。第２の導電層２２Ｂは、基材粒子２に接している。Ｎｉ－Ｓｎ導電層２２Ａ（第１の導電層）は、第２の導電層２２Ｂに接している。従って、基材粒子２の表面上に第２の導電層２２Ｂが配置されており、第２の導電層２２Ｂの表面上にＮｉ－Ｓｎ導電層２２Ａ（第１の導電層）が配置されている。導電性粒子２１は表面に、複数の突起２１ａを有する。Ｎｉ－Ｓｎ導電層２２Ａ（第１の導電層）は外表面に、複数の突起２２Ａａを有する。第２の導電層２２Ｂは外表面に、複数の突起２２Ｂａを有する。

【0055】

導電性粒子２１では、Ｎｉ－Ｓｎ導電層２２Ａの全体の領域における錫の平均含有量が５重量％未満である。導電性粒子２１では、ＴＥＭ－ＥＤＸによりＮｉ－Ｓｎ導電層２２Ａの厚み方向における錫の含有量を測定したときに、Ｎｉ－Ｓｎ導電層２２Ａの外側の厚み１／２の領域において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上である。

【0056】

以下、基材粒子及びＮｉ－Ｓｎ導電層の詳細を説明する。

【0057】

（基材粒子）
上記基材粒子の材料は特に限定されない。上記基材粒子の材料は、有機材料であってもよく、無機材料であってもよい。上記有機材料のみにより形成された基材粒子としては、樹脂粒子等が挙げられる。上記無機材料のみにより形成された基材粒子としては、金属を除く無機粒子等が挙げられる。上記有機材料と上記無機材料との双方により形成された基材粒子としては、有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。基材粒子の圧縮特性をより一層良好にする観点からは、上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましく、樹脂粒子であることがより好ましい。

【0058】

上記有機材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート及びポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及びジビニルベンゼン重合体等が挙げられる。上記ジビニルベンゼン重合体は、ジビニルベンゼン共重合体であってもよい。上記ジビニルベンゼン共重合体等としては、ジビニルベンゼン－スチレン共重合体及びジビニルベンゼン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記基材粒子の圧縮特性を好適な範囲に容易に制御できるので、上記基材粒子の材料は、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。

【0059】

上記基材粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。

【0060】

上記非架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、スチレン、α－メチルスチレン、クロルスチレン等のスチレン単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル化合物；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル化合物；塩化ビニル、フッ化ビニル等のハロゲン含有単量体；（メタ）アクリル化合物として、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート化合物；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート等のハロゲン含有（メタ）アクリレート化合物；α－オレフィン化合物として、ジイソブチレン、イソブチレン、リニアレン、エチレン、プロピレン等のオレフィン化合物；共役ジエン化合物として、イソプレン、ブタジエン等が挙げられる。

【0061】

上記架橋性の単量体としては、ビニル化合物として、ジビニルベンゼン、１，４－ジビニロキシブタン、ジビニルスルホン等のビニル単量体；（メタ）アクリル化合物として、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジアクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート化合物；アリル化合物として、トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル；シラン化合物として、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、シクロヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ－オクチルトリエトキシシラン、ｎ－デシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、γ－（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン等のシランアルコキシド化合物；ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ジメトキシメチルビニルシシラン、ジメトキシエチルビニルシラン、ジエトキシメチルビニルシラン、ジエトキシエチルビニルシラン、エチルメチルジビニルシラン、メチルビニルジメトキシシラン、エチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、エチルビニルジエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン等の重合性二重結合含有シランアルコキシド；デカメチルシクロペンタシロキサン等の環状シロキサン；片末端変性シリコーンオイル、両末端シリコーンオイル、側鎖型シリコーンオイル等の変性（反応性）シリコーンオイル；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体等が挙げられる。

【0062】

上記基材粒子は、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させることによって得ることができる。上記の重合方法としては特に限定されず、ラジカル重合、イオン重合、重縮合（縮合重合、縮重合）、付加縮合、リビング重合、及びリビングラジカル重合等の公知の方法が挙げられる。また、他の重合方法としては、ラジカル重合開始剤の存在下での懸濁重合が挙げられる。

【0063】

上記無機材料としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア、カーボンブラック、ケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、ソーダ石灰ガラス及びアルミナシリケートガラス等が挙げられる。

【0064】

上記基材粒子は、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。上記基材粒子が有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子の材料である無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された基材粒子としては特に限定されないが、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる基材粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

【0065】

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。

【0066】

上記有機コアの材料としては、上述した有機材料等が挙げられる。

【0067】

上記無機シェルの材料としては、上述した基材粒子の材料として挙げた無機物が挙げられる。上記無機シェルの材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。

【0068】

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上である。上記基材粒子の粒子径は、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、特に好ましくは３０μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性を高めることができ、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に、凝集した導電性粒子を形成され難くすることができる。上記基材粒子の粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が十分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができ、さらに電極間の間隔をより小さくすることができる。

【0069】

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状以外の形状である場合には、その体積相当の真球と仮定した際の直径を意味する。

【0070】

上記基材粒子の粒子径は、数平均粒子径を示す。上記基材粒子の粒子径は、任意の基材粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、各基材粒子の粒子径の平均値を算出することや、粒度分布測定装置を用いて求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察では、１個当たりの基材粒子の粒子径は、円相当径での粒子径として求められる。電子顕微鏡又は光学顕微鏡での観察において、任意の５０個の基材粒子の円相当径での平均粒子径は、球相当径での平均粒子径とほぼ等しくなる。粒度分布測定装置では、１個当たりの基材粒子の粒子径は、球相当径での粒子径として求められる。上記基材粒子の平均粒子径は、粒度分布測定装置を用いて算出することが好ましい。

【0071】

導電性粒子において、上記基材粒子の粒子径を測定する場合には、例えば、以下のようにして測定できる。導電性粒子の含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂体を作製する。検査用埋め込み樹脂体中に分散した導電性粒子の基材粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、５０個の導電性粒子を無作為に選択し、各導電性粒子の基材粒子を観察する。各導電性粒子における基材粒子の粒子径を計測し、それらを算術平均して基材粒子の粒子径とする。

【0072】

（Ｎｉ－Ｓｎ導電層）
上記導電性粒子は、ニッケルと錫とを含むＮｉ－Ｓｎ導電層を備える。上記導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における錫の平均含有量が５重量％未満である。上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上である。上記領域Ｒ１は、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み５０％の領域である。

【0073】

図４は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子におけるＮｉ－Ｓｎ導電層の各領域を説明するための模式図である。図４は、導電性粒子１におけるＮｉ－Ｓｎ導電層３の各領域を説明するための模式図である。

【0074】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）は、Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面から内側に向かって、Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚みの１／２までの領域である。上記領域Ｒ１は、図４において、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３の破線Ｌ１よりも外側の領域である。上記領域Ｒ１は、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３の外表面部分である。上記領域Ｒ１は、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３の基材粒子２側の領域とは異なる領域である。

【0075】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の内側の厚み１／２の領域（Ｒ２）は、Ｎｉ－Ｓｎ導電層の内表面から外側に向かって、Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚みの１／２までの領域である。上記領域Ｒ２は、図４において、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３の破線Ｌ１よりも内側の領域である。上記領域Ｒ２は、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３の基材粒子２側の領域である。上記領域Ｒ２は、Ｎｉ－Ｓｎ導電層３の外表面部分とは異なる領域である。

【0076】

上記導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における錫の平均含有量は、５重量％未満である。上記導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、初期抵抗を低くすることができる。初期抵抗をより一層低くする観点からは、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における錫の平均含有量は、好ましくは４．５重量％以下、より好ましくは４．０重量％以下、さらに好ましくは３．５重量％以下である。酸の存在下に晒された後の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における錫の平均含有量は、０重量％を超え、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上である。

【0077】

上記Ｎｉ－Ｓｎ層は、ニッケルを主金属として含むことが好ましい。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域におけるニッケルの平均含有量は、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上であり、好ましくは９９．９重量％以下、より好ましくは９９．５重量％以下である。

【0078】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域におけるニッケル及び錫の平均含有量は、ＩＣＰ－ＭＳ法等により測定することができる。

【0079】

上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上である。上記導電性粒子では、上記の構成が備えられているので、高温かつ高湿な環境下で高電圧に長時間曝されても、Ｎｉ－Ｓｎ導電層における電荷の移動を防ぐことができる。

【0080】

上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の錫の含有量の最大値が、上記領域Ｒ１に存在することが好ましい。上記導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における錫の含有量の最大値が、上記領域Ｒ１に存在することが好ましい。上記導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における錫の含有量の最大値が存在する領域が、上記領域Ｒ１であることが好ましい。上記導電性粒子では、錫の含有量が、上記領域Ｒ１において最大値となることが好ましい。上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、上記領域Ｒ１における錫の含有量の最大値が、上記領域Ｒ２における錫の含有量の最大値より大きいことが好ましい。上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の錫の含有量の最大値が、上記領域Ｒ１における錫の含有量の最大値であることが好ましい。

【0081】

上記導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向において、錫が偏在している。上記導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向において、錫の分布に偏りがある。

【0082】

上記導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層において、上記領域Ｒ２の錫の含有量よりも上記領域Ｒ１の錫の含有量の方が多いように、錫の含有量が異なることが好ましく、錫の含有量が勾配を有することが好ましい。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層において、錫が、上記領域Ｒ２よりも上記領域Ｒ１の方で多く存在するように偏在していることが好ましい。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層において、上記領域Ｒ１における錫の平均含有量が、上記領域Ｒ２における錫の平均含有量より大きいことが好ましい。このような濃度差及び濃度勾配の存在により、酸の存在下に晒された後の接続抵抗をより一層低くすることができ、高温かつ高湿な環境下で導電性粒子が高電圧に長時間曝されても、Ｎｉ－Ｓｎ導電層における電荷の移動をより一層効果的に防ぐことができる。

【0083】

本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記領域Ｒ１の全体１００重量％中、上記領域Ｒ１における錫の平均含有量は、好ましくは０．５重量％以上、より好ましくは１．０重量％以上、さらに好ましくは３．０重量％以上であり、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは９．０重量％以下、さらに好ましくは８．０重量％以下である。

【0084】

本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記領域Ｒ２の全体１００重量％中、上記領域Ｒ２における錫の平均含有量は、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下、さらに好ましくは３重量％以下である。上記領域Ｒ２の全体１００重量％中、上記領域Ｒ２における錫の平均含有量の下限は、特に限定されない。上記領域Ｒ２の全体１００重量％中、上記領域Ｒ２における錫の平均含有量は、３重量％以上であってもよい。

【0085】

本発明に係る導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層に含まれる錫の厚み方向における分布を制御することが、非常に重要である。

【0086】

ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体に含まれる錫の合計１００重量％中、上記領域Ｒ１における錫の含有量は、好ましくは６５重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、より一層好ましくは８０重量％以上である。本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）において、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体に含まれる錫の合計１００重量％中の８０重量％以上の錫が含まれることが好ましい。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体に含まれる錫の合計１００重量％中、上記領域Ｒ１における錫の含有量は、さらに好ましくは８５重量％以上、さらに一層好ましくは９０重量％以上、特に好ましくは９５重量％以上、最も好ましくは１００重量％（全量）である。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体に含まれる錫の合計１００重量％中、上記領域Ｒ１における錫の含有量が、上記下限以上であると、酸の存在下に晒された後の接続抵抗をより一層低くすることができ、高温かつ高湿な環境下で導電性粒子が高電圧に長時間曝されても、Ｎｉ－Ｓｎ導電層における電荷の移動をより一層効果的に防ぐことができる。

【0087】

本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記導電性粒子では、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１００％中、錫を含む領域の割合は、好ましくは５％以上、より好ましくは１５％以上であり、好ましくは９５％以下、より好ましくは８０％以下、さらに好ましくは５０％以下である。本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１５％以上の領域において、錫が含まれることが好ましい。従来の導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、該導電層の厚み１００％中、錫を含む領域の割合は、１０％程度である。本発明に係る導電性粒子において、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１００％中、錫を含む領域の割合が上記下限以上及び上記上限以下であると、酸の存在下に晒された後の接続抵抗をより一層低くすることができ、高温かつ高湿な環境下で導電性粒子が高電圧に長時間曝されても、Ｎｉ－Ｓｎ導電層における電荷の移動をより一層効果的に防ぐことができる。

【0088】

本発明に係る導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、錫を含む領域の厚み（分布曲線におけるピーク幅）と、該領域における錫の含有量の最大値（分布曲線におけるピーク高さ）との関係を制御することが、非常に重要である。すなわち、上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより測定した錫の含有量の分布曲線において、横軸を上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚みを１００％としたときの外表面からの厚み方向の距離（％）とし、縦軸を錫の含有量（重量％）としたときに、分布曲線のピーク幅とピーク高さとを制御することが、非常に重要である。

【0089】

上記錫の含有量の分布曲線の形状は、山型であってもよく、山型の一部分であってもよい。上記錫の含有量の分布曲線は、単峰性であってもよく、多峰性であってもよい。上記錫の含有量の分布曲線は、１つのピークを有していてもよく、複数のピークを有していてもよい。上記錫の含有量の分布曲線が複数のピークを有している場合に、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１００％中、錫を含む領域の割合は、各ピーク幅の合計である。なお、上記錫の含有量の分布曲線は、１つのピークを有することが好ましく、上述した通り、該ピーク（上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の錫の含有量の最大値）は、上記領域Ｒ１に存在することが好ましく、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の最表面に存在することがより好ましい。

【0090】

上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、錫が上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向において広い領域に分布し、かつ上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の錫の含有量の最大値が小さくてもよい。上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、錫が上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向において広い領域に分布し、かつ上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）において、錫の含有量の最大値が小さくてもよい。また、上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、錫が上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向において狭い領域に分布し、かつ錫の含有量の最大値が大きくてもよい。上記導電性粒子では、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定したときに、錫が上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向において狭い領域に分布し、かつ上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）において、錫の含有量の最大値が大きくてもよい。

【0091】

錫が上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向において広い領域に分布し、かつ上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の錫の含有量の最大値（上記領域Ｒ１における錫の含有量の最大値）が小さい場合には、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１００％中、錫を含む領域の割合は、特に好ましくは２０％以上、最も好ましくは２５％以上である。また、上記の場合には、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１００％中、錫を含む領域の割合は、特に好ましくは５０％以下、最も好ましくは４０％以下である。上記の場合に、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定する。この測定において、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１０％以上かつ５０％未満の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれることが好ましい。上記の測定において、錫の含有量が５重量％以上である領域は、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１００％中、好ましくは８％以上、より好ましくは１０％以上、さらに好ましくは１２．５％以上であり、好ましくは５０％未満、より好ましくは４０％以下、さらに好ましくは３０％以下である。また、上記の場合に、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定する。この測定において、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）において、錫の含有量の最大値は、５重量％以上、好ましくは７重量％以上、より好ましくは１０重量％以上であり、好ましくは５０重量％以下、より好ましくは４０重量％以下、さらに好ましくは３０重量％以下、特に好ましくは２０重量％以下である。なお、上記の測定において、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１０％以上かつ５０％未満％以上の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれ、かつ、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）において、錫の含有量の最大値が、５重量％以上４０重量％以下であることがより好ましい。

【0092】

錫が上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向において狭い領域に分布し、かつ上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の錫の含有量の最大値（上記領域Ｒ１における錫の含有量の最大値）が大きい場合には、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１００％中、錫を含む領域の割合は、特に好ましくは５％以上、最も好ましくは１０％以上である。また、上記の場合には、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１００％中、錫を含む領域の割合は、さらに好ましくは４０％以下、特に好ましくは３０％以下、最も好ましくは２５％以下である。上記の場合に、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定する。この測定において、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み３０％以下の領域において、５重量％以上の含有量で錫が含まれることが好ましい。上記の測定において、錫の含有量が５重量％以上である領域は、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１００％中、好ましくは０．１％以上、より好ましくは０．５％以上、さらに好ましくは１．０％以上であり、好ましくは３０％以下、より好ましくは２５％以下、さらに好ましくは２０％以下、最も好ましくは１０％以下である。また、上記の場合に、ＴＥＭ－ＥＤＸにより上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向における錫の含有量を測定する。この測定において、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）において、錫の含有量の最大値は、５重量％以上、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは１５重量％以上である。また、この測定において、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）において、錫の含有量の最大値は、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは９０重量％以下、さらに好ましくは８０重量％以下、特に好ましくは５０重量％以下、最も好ましくは４０重量％以下である。なお、上記の測定において、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み３０％以下の領域において、錫の含有量が５重量％以上であり、かつ、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外側の厚み１／２の領域（Ｒ１）において、錫の含有量の最大値が、１０重量％以上であることがより好ましい。

【0093】

上記領域Ｒ１におけるニッケル及び錫の平均含有量、上記領域Ｒ２におけるニッケル及び錫の平均含有量、上記領域Ｒ１における錫の含有量の最大値、及び上記領域Ｒ２における錫の含有量の最大値は、ＴＥＭ－ＥＤＸにより測定することができる。具体的に、集束イオンビームを用いて、上記導電性粒子の薄膜切片を作製する。次いで、透過型電子顕微鏡ＦＥ－ＴＥＭ（日本電子社製「ＪＥＭ－２０１０ＦＥＦ」）を用いて、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）により、Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向におけるニッケル及び錫の各含有量を測定する。なお、得られる重量分析図において、Ｎｉ－Ｓｎ導電層に含まれる全ての金属の含有量を示す曲線上の変曲点のうち、最も外側の変曲点をＮｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向の起点（厚み０％）とし、最も内側の変曲点をＮｉ－Ｓｎ導電層の厚み方向の終点（厚み１００％）とする。

【0094】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層は、ニッケルと、錫と、ニッケル及び錫以外の金属とを含んでいてもよい。上記ニッケル及び錫以外の金属としては、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、パラジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及び錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等が挙げられる。これらの金属は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

【0095】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における上記ニッケル及び錫以外の金属の平均含有量は、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは５重量％以下、さらに好ましくは３重量％以下である。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における上記ニッケル及び錫以外の金属の平均含有量の下限は、特に限定されない。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域における上記ニッケル及び錫以外の金属の平均含有量は、０．０１重量％以上であってもよく、０．１重量％以上であってもよい。

【0096】

なお、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が、上記ニッケル及び錫以外の金属を含む場合に、上記領域Ｒ１及び上記領域Ｒ２におけるニッケルの平均含有量及び錫の平均含有量は、ニッケルの含有量と錫の含有量との合計を１００重量％として算出する。

【0097】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚みは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは８０ｎｍ以上であり、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗をより一層低くすることができる。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚みは、導電性粒子におけるＮｉ－Ｓｎ導電層の平均厚みを示す。

【0098】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層を形成する方法は特に限定されない。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。なかでも、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。

【0099】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層におけるニッケル、及び錫の含有量及び分布を制御する方法としては、例えば、無電解めっきにおいて、めっき液中の錫及び錯化剤の濃度を調整する方法、及び反応液のｐＨを調整する方法等が挙げられる。

【0100】

上記導電性粒子は、複数の導電層を備えていてもよい。上記導電性粒子は、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層以外の導電層（他の導電層）を備えていてもよい。上記導電性粒子が複数の導電層を備える場合、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層は、上記導電性粒子の最外層であることが好ましい。上記導電性粒子が複数の導電層を備える場合、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層は、最外層の導電層であることが好ましい。

【0101】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層以外の導電層の構成は、特に限定されない。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層以外の導電層の材料は、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。

【0102】

本発明に係る導電性粒子は、表面に突起を有することが好ましい。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層は、外表面に突起を有することが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電性の突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁性物質を有する場合、又は導電性粒子が樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁性物質又は樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。

【0103】

上記突起は複数であることが好ましい。上記導電性粒子１個当たりの上記導電層の外表面の突起は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。上記突起の数は、好ましくは１０００個以下、より好ましくは８００個以下である。突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。

【0104】

複数の上記突起の平均高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。上記突起の平均高さは、以下の方法で算出できる。本発明の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、観察された導電性粒子の周縁部の突起全ての高さを測定する。突起が形成されていない面を基準表面として凸部の高さを測定し、平均値を算出することにより求められる。

【0105】

本発明の効果をより一層効果的に発揮する観点からは、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面の全表面積１００％中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、さらに好ましくは３０％以上である。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面の全表面積１００％中、上記突起がある部分の表面積の占める割合の上限は特に限定されないが、通常１００％以下、好ましくは９９％以下である。

【0106】

上記突起がある部分の表面積の比率は、以下の方法で算出できる。本発明の導電性粒子５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、正投影面において突起として現れている部分の面積の比率を測定し、平均値を算出することにより求められる。

【0107】

（芯物質）
上記芯物質が上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層中に埋め込まれていることによって、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及びＮｉ－Ｓｎ導電層の外表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよく、芯物質を用いないことが好ましい。上記導電性粒子は、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の内部及び内側に、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電部の外表面を隆起させるための芯物質を有さないことが好ましい。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層が、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の内部及び内側に、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面を隆起させるための芯物質を含まないことが好ましい。

【0108】

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきによりＮｉ－Ｓｎ導電層を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきによりＮｉ－Ｓｎ導電層を形成した後、芯物質を付着させ、さらに無電解めっきによりＮｉ－Ｓｎ導電層を形成する方法等が挙げられる。上記突起を形成する他の方法としては、基材粒子の表面上にＮｉ－Ｓｎ導電層を形成する途中段階で、芯物質を添加する方法等が挙げられる。

【0109】

上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。

【0110】

上記芯物質を構成する物質としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、さらに接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。

【0111】

上記金属としては、例えば、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム及びカドミウム等の金属、並びに錫－鉛合金、錫－銅合金、錫－銀合金、錫－鉛－銀合金及び炭化タングステン等の２種類以上の金属で構成される合金等が挙げられる。なかでも、ニッケル、銅、銀又は金が好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属と同じであってもよく、異なっていてもよい。上記芯物質を形成するための金属は、上記導電層を形成するための金属を含むことが好ましい。上記芯物質を形成するための金属は、ニッケルを含むことが好ましい。

【0112】

上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム（モース硬度４．５）、ニッケル（モース硬度５）、シリカ（二酸化珪素、モース硬度６～７）、酸化チタン（モース硬度７）、ジルコニア（モース硬度８～９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）等が挙げられる。上記無機粒子は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましい。上記無機粒子は、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがさらに好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは５以上、より好ましくは６以上、さらに好ましくは７以上、特に好ましくは７．５以上である。

【0113】

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。

【0114】

上記芯物質の平均径（平均粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。

【0115】

上記芯物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の平均径は、例えば、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求めることができる。

【0116】

（絶縁性物質）
本発明に係る導電性粒子は、上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子のＮｉ－Ｓｎ導電層と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。導電性粒子がＮｉ－Ｓｎ導電層の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子のＮｉ－Ｓｎ導電層と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。

【0117】

電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。

【0118】

上記絶縁性物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。

【0119】

上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びエチレン－アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン－アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン－ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン－ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。上記絶縁性樹脂は、水溶性樹脂を含むことが好ましく、ポリビニルアルコールを含むことがより好ましい。

【0120】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の表面上に絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁性物質が脱離し難いことから、上記導電層の表面に、化学結合を介して上記絶縁性物質を配置する方法が好ましい。

【0121】

上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面、及び絶縁性粒子の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電層の外表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電層の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミンなどの高分子電解質を介して絶縁性粒子の表面の官能基と化学結合していてもよい。

【0122】

上記絶縁性物質の平均径（平均粒子径）は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性物質の平均径（平均粒子径）は好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下である。絶縁性物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電層同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。

【0123】

上記絶縁性物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。絶縁性物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。

【0124】

（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。

【0125】

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。

【0126】

上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

【0127】

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン－酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体、スチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体、スチレン－ブタジエン－スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン－イソプレン－スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン－ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル－スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。

【0128】

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

【0129】

本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。

【0130】

上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、さらに好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。

【0131】

上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は、好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上、好ましくは４０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

【0132】

（接続構造体）
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。

【0133】

上記接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部が上述した導電性粒子により形成されているか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。上記接続構造体では、上記第１の電極と上記第２の電極とが上述した導電性粒子により電気的に接続されていることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第１，第２の接続対象部材が導電性粒子により接続される。

【0134】

図５に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に断面図で示す。

【0135】

図５に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図５では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子１１，２１等を用いてもよい。

【0136】

第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。

【0137】

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０^４Ｐａ～４．９×１０^６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０℃～２２０℃程度である。

【0138】

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。

【0139】

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

【0140】

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

【0141】

導電性粒子を得るために、下記の基材粒子を用意した。

【0142】

基材粒子Ａ：粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ－２０３」）
基材粒子Ｂ：基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が２．５μｍである基材粒子
基材粒子Ｃ：基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が１０．０μｍである基材粒子
基材粒子Ｄ：粒子径が３．０μｍであるコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子（下記の合成例１に従って作製）
基材粒子Ｅ：粒子径が３．０μｍである有機無機ハイブリッド粒子（下記の合成例２に従って作製）

【0143】

（合成例１）
粒子径が２．５μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ－２０２」）の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いてシリカシェル（厚み２５０ｎｍ）により被覆して、基材粒子Ｄを得た。

【0144】

（合成例２）
撹拌機及び温度計が取り付けられた５００ｍＬの反応容器内に、０．１３重量％のアンモニア水溶液３００ｇを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン４．１ｇと、ビニルトリメトキシシラン１９．２ｇと、シリコーンアルコキシオリゴマー（信越化学工業社製「Ｘ－４１－１０５３」）０．７ｇとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、２５重量％アンモニア水溶液２．４ｍＬを添加し、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧１０^－１７ａｔｍ、３５０℃で２時間焼成して、基材粒子Ｅを得た。

【0145】

（実施例１）
パラジウム触媒液を５重量％含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（０）を得た。

【0146】

また、硫酸ニッケル０．１４ｍｏｌ／Ｌと、ジメチルアミンボラン０．４６ｍｏｌ／Ｌと、クエン酸ナトリウム０．２ｍｏｌ／Ｌとを含むニッケルめっき液（１）（ｐＨ８．５）を用意した。上記懸濁液（０）を６０℃で撹拌しながら、上記ニッケルめっき液（１）を上記懸濁液（０）に徐々に滴下し、無電解ニッケル－ボロン合金めっきを行い、懸濁液（１）を得た。

【0147】

次に、硫酸ニッケル０．１４ｍｏｌ／Ｌと、ヒドラジン０．４５ｍｏｌ／Ｌとを含むニッケルめっき液（２）（ｐＨ８．０）を用意した。上記懸濁液（１）を６５℃で撹拌しながら、上記ニッケルめっき液（２）を上記懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、懸濁液（２）を得た。

【0148】

硫酸ニッケル０．１４ｍｏｌ／Ｌと、スズ酸ナトリウム三水和物０．０９ｍｏｌ／Ｌと、グルコン酸ナトリウム０．４５ｍｏｌ／Ｌとを含むニッケルめっき液（３）（ｐＨ８．０）を用意した。上記懸濁液（２）を６５℃で撹拌しながら、上記ニッケルめっき液（３）を上記懸濁液（２）に徐々に滴下し、無電解ニッケル－錫合金めっきを行い、懸濁液（３）を得た。

【0149】

その後、上記懸濁液（３）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥させることにより、基材粒子Ａの表面にＮｉ－Ｓｎ導電層（厚み１３６ｎｍ）が配置された導電性粒子を得た。

【0150】

（実施例２）
硫酸ニッケル０．０７ｍｏｌ／Ｌと、スズ酸ナトリウム三水和物０．０４５ｍｏｌ／Ｌと、グルコン酸ナトリウム０．２２５ｍｏｌ／Ｌとを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を用意した。このニッケルめっき液をニッケルめっき液（３）の代わりに用いたこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0151】

（実施例３）
上記懸濁液（１）に、上記ニッケルめっき液（２）及び上記ニッケルめっき液（３）を同時に滴下したこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0152】

（参考例４）
上記懸濁液（０）に、上記ニッケルめっき液（１）、上記ニッケルめっき液（２）及び上記ニッケルめっき液（３）を同時に滴下したこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0153】

（参考例５）
上記懸濁液（０）に、上記ニッケルめっき液（１）、上記ニッケルめっき液（２）のｐＨを８．５に変更したニッケルめっき液及び上記ニッケルめっき液（３）のｐＨを８．５に変更したニッケルめっき液を同時に滴下したこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0154】

（実施例６）
上記ニッケルめっき液（１）、上記ニッケルめっき液（２）及び上記ニッケルめっき液（３）の滴下量を１．３倍としたこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0155】

（実施例７）
上記ニッケルめっき液（１）、上記ニッケルめっき液（２）及び上記ニッケルめっき液（３）の滴下量を０．８倍としたこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0156】

（実施例８）
上記ニッケルめっき液（３）のスズ酸ナトリウム三水和物の濃度を０．０９ｍоｌ／Ｌから０．１５ｍｏｌ／Ｌに変更し、かつグルコン酸ナトリウムの濃度を０．４５ｍоｌ／Ｌから０．７５ｍｏｌ／Ｌに変更したニッケルめっき液を用意した。このニッケルめっき液をニッケルめっき液（３）の代わりに用いたこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0157】

（実施例９）
上記ニッケルめっき液（３）のスズ酸ナトリウム三水和物の濃度を０．０９ｍоｌ／Ｌから０．３０ｍｏｌ／Ｌに変更しかつグルコン酸ナトリウムの濃度を０．４５ｍоｌ／Ｌから０．９０ｍｏｌ／Ｌに変更したニッケルめっき液を用意した。このニッケルめっき液をニッケルめっき液（３）の代わりに用いたこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0158】

（実施例１０）
上記懸濁液（０）に、Ｎｉ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）２ｇを３分間かけて添加し、芯物質が付着された基材粒子を含む懸濁液を得た。得られた懸濁液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。得られた導電性粒子のＮｉ－Ｓｎ導電層の外表面には、突起が形成されていた。

【0159】

（実施例１１）
上記懸濁液（０）に、アルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）０．５ｇを３分間かけて添加し、芯物質が付着された基材粒子を含む懸濁液を得た。得られた懸濁液を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。得られた導電性粒子のＮｉ－Ｓｎ導電層の外表面には、突起が形成されていた。

【0160】

（実施例１２）
上記懸濁液（０）に、Ｎｉ粒子スラリーを用いずに、導電部の形成時に部分的に析出量がかわるように調整して突起を形成して、Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面に突起を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

【0161】

（実施例１３～１６）
基材粒子を下記の表３に示すように変更したこと以外は、実施例１０と同様にして、導電性粒子を得た。得られた導電性粒子のＮｉ－Ｓｎ導電層の外表面には、突起が形成されていた。

【0162】

（実施例１７）
（１）絶縁性粒子の作製
４ツ口セパラブルカバー、撹拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコを用意した。該セパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリメチル－Ｎ－２－メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’－アゾビス（２－アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を、固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に秤取した。その後、２００ｒｐｍで撹拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥させ、表面にアンモニウム基を有する絶縁性粒子（平均粒子径２２０ｎｍ、ＣＶ値１０％）を得た。得られた絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。

【0163】

（２）導電性粒子の作製
実施例１０で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、上記分散液４ｇを添加し、室温で６時間撹拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥させ、導電性粒子を得た。得られた導電性粒子を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、Ｎｉ－Ｓｎ導電層の外表面が絶縁性粒子で被覆されていた。画像解析により、絶縁性粒子の被覆面積（絶縁性粒子の粒子径の投影面積）の、半径３．０μｍの球の表面積に対する割合（％）を算出したところ、被覆率は３０％であった。

【0164】

（比較例１）
ニッケルめっき液（３）を用いる無電解ニッケル－錫合金めっきの工程を除いてめっきを行ったこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0165】

（比較例２）
ニッケルめっき液（２）を用いる無電解ニッケルめっき及びニッケルめっき液（３）を用いる無電解ニッケル－錫合金めっきを先に行った後に、ニッケルめっき液（１）を用いて無電解ニッケル－ボロン合金めっきを行ったこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0166】

（比較例３）
硫酸ニッケル０．１４ｍｏｌ／Ｌと、ヒドラジン１．４５ｍｏｌ／Ｌと、スズ酸ナトリウム三水和物０．９０ｍｏｌ／Ｌと、グルコン酸ナトリウム０．６０ｍｏｌ／Ｌとを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を用意した。ニッケルめっき液（１）、（２）、及び（３）の代わりに、このニッケルめっき液を用いて５８℃で無電解ニッケル－錫合金めっきを行ったこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0167】

（比較例４）
硫酸ニッケル０．１４ｍｏｌ／Ｌと、ヒドラジン１．０５ｍｏｌ／Ｌと、スズ酸ナトリウム三水和物０．３０ｍｏｌ／Ｌと、グルコン酸ナトリウム０．３０ｍｏｌ／Ｌとを含むニッケルめっき液（ｐＨ８．５）を用意した。ニッケルめっき液（１）、（２）、及び（３）の代わりに、このニッケルめっき液を用いて６５℃で無電解ニッケル－錫合金めっきを行ったこと以外は、実施例１と同様にして導電性粒子を得た。

【0168】

（評価）
（１）Ｎｉ－Ｓｎ導電層の領域Ｒ１及び領域Ｒ２におけるニッケル及び錫の分布
集束イオンビームを用いて、得られた導電性粒子の薄膜切片を作製した。上記Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体の領域におけるニッケル及び錫の平均含有量を、ＩＣＰ－ＭＳ法により測定した。透過型電子顕微鏡ＦＥ－ＴＥＭ（日本電子社製「ＪＥＭ－２０１０ＦＥＦ」）を用いて、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）により、上記領域Ｒ１におけるニッケル及び錫の平均含有量、上記領域Ｒ２におけるニッケル及び錫の平均含有量、上記領域Ｒ１における錫の含有量の最大値、及び上記領域Ｒ２における錫の含有量の最大値を求めた。また、同様にして、Ｎｉ－Ｓｎ導電層の全体に含まれる錫の合計１００重量％中、領域Ｒ１における錫の含有量を求めた。さらに、上記領域Ｒ１及び上記領域Ｒ２における錫の含有量の最大値より、錫の含有量の最大値が存在する領域を調べ、Ｎｉ－Ｓｎ導電層の厚み１００％中、錫を含む領域の割合を求めた。

【0169】

（２）初期の接続抵抗（Ａ）
得られた導電性粒子を含有量が１０重量％となるように、三井化学社製「ストラクトボンドＸＮ－５Ａ」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。

【0170】

Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍであるＩＴＯ電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが２０μｍ／２０μｍである金電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。

【0171】

上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、１ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で硬化させて、接続構造体を得た。

【0172】

得られた接続構造体の上下の電極間の接続抵抗を、４端子法により測定した。２つの接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。初期の接続抵抗（Ａ）を下記の基準で判定した。

【0173】

［初期の接続抵抗（Ａ）の判定基準］
○○○：接続抵抗が２．０Ω以下
○○：接続抵抗が２．０Ωを超え、３．０Ω以下
○：接続抵抗が３．０Ωを超え、５．０Ω以下
△：接続抵抗が５．０Ωを超え、１０Ω以下
×：接続抵抗が１０Ωを超える

【0174】

（３）酸の存在下に晒された後の接続抵抗（Ｂ）
得られた導電性粒子を８％の硫酸水溶液に室温（２３℃）で４５分間浸した。その後、ろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、エタノール置換して１０分間放置して粒子を乾燥させることで、酸に晒された導電性粒子を得た。得られた導電性粒子を用いて上記（２）と同様にして接続構造体を作製し、上記初期の接続抵抗（Ａ）と同様にして接続抵抗を測定した。酸の存在下に晒された後の接続抵抗（Ｂ）を下記の基準で判定した。

【0175】

［酸の存在下に晒された後の接続抵抗（Ｂ）の判定基準］
○○○：接続抵抗Ｂが、接続抵抗Ａの１．０倍以上１．５倍未満、かつ、１０Ω以下
○○：接続抵抗Ｂが、接続抵抗Ａの１．５倍以上２．０倍未満、かつ、１０Ω以下
○：接続抵抗Ｂが、接続抵抗Ａの２．０倍以上５．０倍未満、かつ、１０Ω以下
△：接続抵抗Ｂが、接続抵抗Ａの５．０倍以上１０倍未満、かつ、１０Ω以下
×：接続抵抗Ｂが、接続抵抗Ａの１０倍以上、又は、１０Ωを超える

【0176】

（４）Ｎｉ－Ｓｎ導電層における電荷の移動
上記（２）で得られた接続構造体の、互いに絶縁された測定端子間に、８５℃かつ８５％ＲＨの条件で１５Ｖの電圧を５００時間印加した。次いで、マイクロスコープ（キーエンス社製「ＶＨＸ６０００」）で導電性粒子を観察し、Ｎｉ－Ｓｎ導電層において金属腐食を防ぎ、電荷の移動を防ぐことができているか否かを、下記の基準で判定した。

【0177】

［Ｎｉ－Ｓｎ導電層における電荷の移動の判定基準］
○：導電層が黒色化しておらず、かつ、消失していない
×：導電層の表面の一部又は導電層全体が、黒色化又は消失している

【0178】

結果を下記の表１～４に示す。

【0179】

【表1】

【0180】

【表2】

【0181】

【表3】

【0182】

【表4】

【符号の説明】

【0183】

１，１１，２１…導電性粒子
２…基材粒子
３，１２，２２Ａ…Ｎｉ－Ｓｎ導電層
１１ａ…突起
１２ａ…突起
１３…芯物質
１４…絶縁性物質
２１ａ，２２ａ，２２Ａａ，２２Ｂａ…突起
２２Ｂ…第２の導電層
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】