特許7530786IP Force 特許公報全文掲載

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技術分野

検出装置及び検出装置の製造方法

発明が解決しようとする課題[発明の詳細な説明]から抜粋

ＰＩＮ型のフォトダイオードを用いた検出装置では、薄型化が要求される。ここで、検出装置は、複数のフォトダイオード及び複数のマイクロレンズが設けられたアレイ基板単体で形成される。この場合、基板の研磨工程でアレイ基板に形成されたマイクロレンズが損傷する等、基板の研磨が困難となる可能性がある。

課題を解決するための手段[発明の詳細な説明]から抜粋

本発明の一態様の検出装置は、基板と、前記基板の第１主面上に配列された複数のフォトダイオードと、複数の前記フォトダイオードを覆う保護膜と、前記保護膜を介して複数の前記フォトダイオードのそれぞれに対向して設けられた複数のレンズと、隣り合う前記レンズの間に設けられる突出部と、を備え、前記第１主面から見た場合に、前記突出部の頂部は、前記レンズの頂部よりも高い位置に設けられている。

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この特許公報に記載されている図面[図面の簡単な説明]から抜粋

【図1A】 図１Ａは、検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。
【図1B】 図１Ｂは、変形例１に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。
【図1C】 図１Ｃは、変形例２に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。
【図1D】 図１Ｄは、変形例３に係る検出装置を有する照明装置付き検出機器の概略断面構成を示す断面図である。
【図2】 図２は、検出装置を示す平面図である。
【図3】 図３は、検出装置の構成例を示すブロック図である。
【図4】 図４は、検出素子を示す回路図である。
【図5】 図５は、検出素子を示す平面図である。
【図6】 図６は、図５のＶＩ－ＶＩ’断面図である。
【図7】 図７は、図５のＶＩＩ－ＶＩＩ’断面図である。
【図8】 図８は、光学フィルタ及び突出部の構成例を示す平面図である。
【図9】 図９は、図８のＩＸ－ＩＸ断面図である。
【図10】 図１０は、検出装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。
【図11】 図１１は、貼り合わされた一対のマザー基板を模式的に示す斜視図である。
【図12】 図１２は、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ’断面図である。
【図13】 図１３は、表示パネルに貼り合わされたアレイ基板の構成を模式的に示す断面図である。
【図14】 図１４は、変形例４に係る検出装置の製造方法を説明するためのフローチャート図である。
【図15】 図１５は、変形例５に係る検出装置を模式的に示す断面図である。
【図16】 図１６は、変形例６に係る検出装置を模式的に示す断面図である。
【図17】 図１７は、変形例７に係る検出装置を模式的に示す平面図である。
【図18】 図１８は、変形例８に係る検出装置を模式的に示す平面図である。
【図19】 図１９は、変形例８に係る検出装置の製造方法を説明するための断面図である。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ 検出装置 ３ 検出素子 ２ アレイ基板 ５ センサ基板 ７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ 光学フィルタ １０ センサ部 ２１ 基板 ３０ フォトダイオード ３０Ｓ、３０Ｓ－１、３０Ｓ－２、３０Ｓ－３、３０Ｓ－４、３０Ｓ－５、３０Ｓ－６、３０Ｓ－７、３０Ｓ－８ 部分フォトダイオード ３１ ｉ型半導体層 ３２ ｎ型半導体層 ３３ ｐ型半導体層 ３４ 上部導電層 ３５ 下部導電層 ７１ 第１遮光層 ７２ 第２遮光層 １０５、１０５－１、１０５－２ マザー基板 １０６ センサ領域 １０７ 空隙 １０８、１０９ 分割ライン Ｍｒｓｔ リセットトランジスタ Ｍｒｄ 読出トランジスタ Ｍｓｆ ソースフォロワトランジスタ ＭＳ１ 第１主面 ＭＳ２ 第２主面 ＯＰ１ 第１開口 ＯＰ２ 第２開口 ＰＳ、ＰＳＣ、ＰＳＤ 突出部 ＰＳＡ 第１突出部 ＰＳＢ 第２突出部

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