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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-02
(45)【発行日】2024-08-13
(54)【発明の名称】シランを、塩化メチルを用いて脱水素化及びメチル化する方法
(51)【国際特許分類】
C07F 7/08 20060101AFI20240805BHJP
C07F 7/12 20060101ALI20240805BHJP
B01J 31/02 20060101ALI20240805BHJP
C07B 61/00 20060101ALN20240805BHJP
【ＦＩ】
C07F7/08 B
C07F7/12 P
C07F7/12 Q
B01J31/02 102Z
C07F7/12 M
C07B61/00 300
【請求項の数】
7
(21)【出願番号】P 2022564406
(86)(22)【出願日】2020-04-23
(65)【公表番号】
(43)【公表日】2023-07-04
(86)【国際出願番号】 EP2020061367
(87)【国際公開番号】W WO2021213661
(87)【国際公開日】2021-10-28
【審査請求日】2022-12-20
(73)【特許権者】
【識別番号】390008969
【氏名又は名称】ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト
【氏名又は名称原語表記】Ｗａｃｋｅｒ Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100120617
【弁理士】
【氏名又は名称】浅野 真理
(72)【発明者】
【氏名】ヤン、ティルマン
(72)【発明者】
【氏名】リヒャルト、バイドナー
【審査官】澤田 浩平
(56)【参考文献】
【文献】特開２００５－０５３９１１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０２０／０４８５９７（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２００２－１６７３９１（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０１９／０６０４８６（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開昭６２－０４６９１６（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
ＩＰＣ Ｃ０７Ｆ，Ｂ０１Ｊ
ＣＡｐｌｕｓ／ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ）
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
少なくとも１種のアンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩の存在下において、７０～３５０℃の温度範囲にて、ＳｉＨ４、Ｈ２ＳｉＭｅ２、Ｈ２ＳｉＭｅＣｌ、Ｈ３ＳｉＭｅ、Ｈ３ＳｉＣｌ及びＨＳｉＭｅ２Ｃｌからなる群から選ばれるシランと塩化メチルとを反応させる工程を有する、シランを脱水素化及びメチル化する方法。
【請求項2】
前記温度範囲が１００～３５０℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
塩化メチルに対するシランのモル比が１：１～１：１０の範囲にある、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項4】
シランに対する触媒のモル比が０．０１：１～０．２：１の範囲にある、請求項１～３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項5】
前記アンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩が、四級アンモニウムハライド［Ｒ４Ｎ］Ｘ、四級ホスホニウムハライド［Ｒ４Ｐ］Ｘ、及び三級アンモニウムハライド［Ｒ３ＮＨ］Ｘからなる群から選ばれる、請求項１～４のいずれか一項に記載の方法。（各式中、
Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり、
Ｒ＝（ｉ）Ｃ１～Ｃ１２のアルキル基、
（ｉｉ）Ｃ１～Ｃ６のアルキルで置換された、Ｃ６～Ｃ１４のアリール基、及び
（ｉｉｉ）フェニル基
からなる群から独立して選ばれる。）
【請求項6】
前記アンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩が、［ｎ－Ｂｕ４Ｎ］Ｃｌ、［Ｅｔ４Ｎ］Ｃｌ、［Ｐｈ４Ｐ］Ｃｌ及び［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌからなる群から選ばれる、請求項５に記載の方法。
【請求項7】
連続式又はバッチ式で行われる、請求項１～６のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、少なくとも１種のアンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩の存在下において、７０～３５０℃の温度範囲にて、シランを、塩化メチル（ＭｅＣｌ）を用いて脱水素化及びメチル化する方法に関する。
【背景技術】
【0002】
メチルクロロシラン（ＭＣＳｓ）は、例えば疎水化用シリコーンの製造や、有機合成に使用される。
Ｍｅ－Ｓｉ結合を工業的規模で効率良く形成する唯一の方法は、ミュラー・ロショー法である。ミュラー・ロショー法は、元素シリコンと、ＭｅＣｌ等の単純な有機塩素化合物とから進行する。
しかしながら、ミュラー・ロショー法では、メチル－Ｈ－シラン又はＨ－シランを、メチル化されたメチルクロロシラン（ＭＣＳｓ）やより高度にメチル化されたメチルクロロシラン（ＭＣＳｓ）へ変換させることができない。
Ｍｅ－Ｓｉ結合を工業的規模で効率良く形成する唯一の方法は、ミュラー・ロショー法である。ミュラー・ロショー法は、元素シリコンと、ＭｅＣｌ等の単純な有機塩素化合物とから進行する。
しかしながら、ミュラー・ロショー法では、メチル－Ｈ－シラン又はＨ－シランを、メチル化されたメチルクロロシラン（ＭＣＳｓ）やより高度にメチル化されたメチルクロロシラン（ＭＣＳｓ）へ変換させることができない。
【0003】
塩化物の触媒でＨ－含有シランを脱水素化する方法は、文献から知られている。
【0004】
米国特許出願公開２００２／００８２４３８ Ａ１には、トリクロロシラン、ジクロロシラン又はジクロロメチルシランから進行する、オルガノクロロシランの合成が記載されている。式Ｒ２Ｒ３ＣＨＸ（式中、Ｘ＝Ｃｌ又はＢｒであり、Ｒ２はＣ１～１７アルキル、部分的又は完全にフッ素化されたＣ１～１０フッ素化アルキル、Ｃ１～５アルケニル、（ＣＨ２）ｎＳｉＭｅ３－ｍＣｌｍ（式中、ｎ＝０～２であり、ｍ＝０～３である。）、（ＣＨ２）ｐＸ（式中、ｐ＝１～９であり、Ｘ＝Ｃｌ又はＢｒである。）、又はＡｒＣＨ２Ｘ（式中、Ａｒ＝Ｃ６～１４芳香族炭化水素であり、Ｘ＝Ｃｌ又はＢｒである。）から選ばれ、Ｒ３はＨ、Ｃ１～６アルキル、Ａｒ（Ｒ‘）ｑ（式中、Ａｒ＝Ｃ６～１４芳香族炭化水素であり、Ｒ＝Ｃ１～４アルキル、ハロゲン、アルコキシ又はビニルであり、ｑ＝０～５である。）から選ばれる。）のハロゲン化炭化水素を、出発物質として更に使用する。様々な四級ホスホニウムハライドを触媒として使用する。反応機構は、全反応において塩化水素の脱離を伴った脱塩化水素化と考えられている。
【0005】
国際出願ＰＣＴ／ＥＰ２０１８／０７３９３３号明細書には、ジクロロシランと、（ｉ）ハロゲン化水素、又は、（ｉｉ）式（Ｉ）のハロゲン化炭化水素（塩化メチルも含まれる）と、の反応が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
従って、本発明は、Ｈ－含有シランからメチルクロロシランを経済的に製造することに使用できる方法の提供を、目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
この目的は、少なくとも１種のアンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩の存在下において、７０～３５０℃の温度範囲にて、ＳｉＨ４、Ｈ２ＳｉＭｅ２、Ｈ２ＳｉＭｅＣｌ、Ｈ３ＳｉＭｅ、Ｈ３ＳｉＣｌ、ＨＳｉＭｅ２Ｃｌ及びＨＳｉＭｅＣｌ２からなる群から選ばれるシランと塩化メチルとを反応させる工程を有する、シランを脱水素化及びメチル化する方法により、達成される。
【発明を実施するための形態】
【0008】
本発明の方法では、触媒として、少なくとも１種のアンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩の存在下で、塩化メチル（ＭｅＣｌ）は、ＳｉＨ４、Ｈ２ＳｉＭｅ２、Ｈ２ＳｉＭｅＣｌ、Ｈ３ＳｉＭｅ、Ｈ３ＳｉＣｌ、ＨＳｉＭｅ２Ｃｌ及びＨＳｉＭｅＣｌ２からなる群から選ばれるシランと反応する。
最初の反応工程では、シランから水素が除去されることで、分離不可能な中間体がまず形成される。このアニオンを、形式的な求核置換で更に反応させるか、又はシリレンとして挿入することができる。ＭｅＣｌとの反応であれば、生成物は常に、いずれの場合でもメチル基及びＣｌ基が追加されたシランである。いずれの場合でも塩化物イオンは再び取り除かれ、その後は同様に触媒として使用できる。
最初の反応工程では、シランから水素が除去されることで、分離不可能な中間体がまず形成される。このアニオンを、形式的な求核置換で更に反応させるか、又はシリレンとして挿入することができる。ＭｅＣｌとの反応であれば、生成物は常に、いずれの場合でもメチル基及びＣｌ基が追加されたシランである。いずれの場合でも塩化物イオンは再び取り除かれ、その後は同様に触媒として使用できる。
【0009】
本発明の方法では、使用する触媒は、少なくとも１種のアンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩である。このアンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩は、例えばシリコーン樹脂上、シリカ上、無機担体上又は有機ポリマー上に、固定化した形態で使用することもできる。アンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩は、アミン又はホスフィンとＨＣｌとから、そのまま調製することもできる。
アンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩は、四級アンモニウムハライド［Ｒ４Ｎ］Ｘ、四級ホスホニウムハライド［Ｒ４Ｐ］Ｘ、及び三級アンモニウムハライド［Ｒ３ＮＨ］Ｘからなる群から選ばれることが好ましい。
（各式中、
Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり、
Ｃｌ又はＢｒが好ましく、
Ｒ＝（ｉ）Ｃ１～Ｃ１２のアルキル基、
（ｉｉ）Ｃ１～Ｃ６のアルキルで置換された、Ｃ６～Ｃ１４のアリール基、及び
（ｉｉｉ）フェニル基
からなる群から独立して選ばれ、
エチル、ｎ－ブチル及びフェニルが好ましい。）
特に好ましい化合物は、［ｎ－Ｂｕ４Ｎ］Ｃｌ、［Ｅｔ４Ｎ］Ｃｌ、［Ｐｈ４Ｐ］Ｃｌ及び［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌである。
アンモニウム塩及び／又はホスホニウム塩は、四級アンモニウムハライド［Ｒ４Ｎ］Ｘ、四級ホスホニウムハライド［Ｒ４Ｐ］Ｘ、及び三級アンモニウムハライド［Ｒ３ＮＨ］Ｘからなる群から選ばれることが好ましい。
（各式中、
Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり、
Ｃｌ又はＢｒが好ましく、
Ｒ＝（ｉ）Ｃ１～Ｃ１２のアルキル基、
（ｉｉ）Ｃ１～Ｃ６のアルキルで置換された、Ｃ６～Ｃ１４のアリール基、及び
（ｉｉｉ）フェニル基
からなる群から独立して選ばれ、
エチル、ｎ－ブチル及びフェニルが好ましい。）
特に好ましい化合物は、［ｎ－Ｂｕ４Ｎ］Ｃｌ、［Ｅｔ４Ｎ］Ｃｌ、［Ｐｈ４Ｐ］Ｃｌ及び［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌである。
【0010】
本発明の方法は、触媒の熱安定性によるが、典型的には７０～３５０℃の温度範囲にて行う。１００～３５０℃の温度範囲が好ましい。［ｎ－Ｂｕ４Ｎ］Ｃｌ、［Ｅｔ４Ｎ］Ｃｌ及び［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌの場合には、１００～１８０℃の温度範囲がより好ましく、１５０～１８０℃の温度範囲が更に好ましく、１７０～１８０℃の温度範囲が特に好ましい。［Ｐｈ４Ｐ］Ｃｌの場合には、７０～３５０℃の温度範囲が好ましく、２５０～３５０℃の温度範囲がより好ましい。
【0011】
ＭｅＣｌに対するシランのモル比は、当業者が自由に選択できる。典型的には、モル比は１：１～１：１０の範囲にある。シランが全てＳｉＨ４以外の群の場合、ＭｅＣｌの添加量は、変換されるシランの化学量論の量以上と一致することが好ましく、従って、モル比は１：１～１：２が好ましい。ＳｉＨ４の場合、ＭｅＣｌの添加量は、変換されるシランの化学量論の量の２倍以上と一致することが好ましく、従って、モル比は１：２～１：４が好ましい。
【0012】
シランに対する触媒のモル比は、当業者が自由に選択できる。このモル比は０．０１：１～０．２：１の範囲にあることが好ましい。
【0013】
シランを脱水素化する本発明の方法は、経済的に妥当な手段で、メチルクロロシランの製造に使用できる。
【実施例】
【0014】
ＧＣ測定は、Ａｇｉｌｅｎｔ ６８９０Ｎ（ＷＬＤ検出器；カラム：アジレント社製ＨＰ５（長さ３０ｍ／直径０．３２ｍｍ／膜厚０．２５μｍ）、レステック社製ＲＴＸ－２００（長さ６０ｍ／直径０．３２ｍｍ／膜厚１μｍ））を用いて行った。保持時間は市販の物質と比較し、化学品は全て購入したものを使用した。ＭＳ測定は、イリジウム陰極を備えたサーモスター（商標）ＧＳＤ ３２０ Ｔ２を用いて行った。
【0015】
実施例１：ＳｉＨ
４
とＭｅＣｌとの反応
ＳｉＨ４（９ｇ；０．５０ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．１ｇ；７ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（６４．０ｇ；１．２７ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１５０℃で１３時間加熱した。冷却後には、約３０バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。１０バールまで減圧し、高圧滅菌器を再度１５０℃で１３時間加熱した。冷却後には、約１５バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、６０重量％程度のＨＳｉＭｅＣｌ２、１４重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、１０重量％程度のＨ２ＳｉＭｅＣｌ、８重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２、４重量％程度のＭｅＣｌ、並びに４重量％程度の他の塩素置換シラン、メチル置換シラン又は／及びメチレン置換シランからなるものであった。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
ＳｉＨ４（９ｇ；０．５０ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．１ｇ；７ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（６４．０ｇ；１．２７ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１５０℃で１３時間加熱した。冷却後には、約３０バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。１０バールまで減圧し、高圧滅菌器を再度１５０℃で１３時間加熱した。冷却後には、約１５バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、６０重量％程度のＨＳｉＭｅＣｌ２、１４重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、１０重量％程度のＨ２ＳｉＭｅＣｌ、８重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２、４重量％程度のＭｅＣｌ、並びに４重量％程度の他の塩素置換シラン、メチル置換シラン又は／及びメチレン置換シランからなるものであった。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
【0016】
実施例２：ＳｉＨ
４
とＭｅＣｌとの反応
ＳｉＨ４（９ｇ；０．３４ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．２ｇ；７ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（４８．０ｇ；０．９５ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１４５℃で１３時間加熱した。冷却後には、約２５バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、８９重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、９重量％程度のＭｅＣｌ及び２重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２からなるものであり、これに加えて少量のＨＳｉＭｅＣｌ２を検出できた。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
ＳｉＨ４（９ｇ；０．３４ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．２ｇ；７ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（４８．０ｇ；０．９５ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１４５℃で１３時間加熱した。冷却後には、約２５バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、８９重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、９重量％程度のＭｅＣｌ及び２重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２からなるものであり、これに加えて少量のＨＳｉＭｅＣｌ２を検出できた。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
【0017】
実施例３：ＳｉＨ
４
とＭｅＣｌとの反応
ＳｉＨ４（７ｇ；０．３４ｍｏｌ）、［Ｐｈ４Ｐ］Ｃｌ（２．１ｇ；６ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（２５．０ｇ；０．５０ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を３００℃で１３時間加熱した。冷却後には、約２５バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、５６重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、２重量％程度のＭｅＣｌ及び４２重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２からなるものであり、これに加えて少量のＨＳｉＭｅＣｌ２を検出できた。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
ＳｉＨ４（７ｇ；０．３４ｍｏｌ）、［Ｐｈ４Ｐ］Ｃｌ（２．１ｇ；６ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（２５．０ｇ；０．５０ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を３００℃で１３時間加熱した。冷却後には、約２５バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、５６重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、２重量％程度のＭｅＣｌ及び４２重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２からなるものであり、これに加えて少量のＨＳｉＭｅＣｌ２を検出できた。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
【0018】
実施例４：ＳｉＨ
４
及びＳｉＣｌ
４
の混合物とＭｅＣｌとの反応
ＳｉＨ４（９ｇ；０．３４ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．２ｇ；０．７ｍｍｏｌ）、ＭｅＣｌ（７０．０ｇ；１．３８ｍｏｌ）及びＳｉＣｌ４（５０．０ｇ；０．２９ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１９０℃で１３時間加熱した。冷却後には、約５０バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、４８重量％程度のＳｉＣｌ４、４７重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、３重量％程度のＭｅＣｌ及び２重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２からなるものであり、これに加えて少量のＨＳｉＭｅＣｌ２及びＳｉＣｌ４を検出できた。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
ＳｉＨ４（９ｇ；０．３４ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．２ｇ；０．７ｍｍｏｌ）、ＭｅＣｌ（７０．０ｇ；１．３８ｍｏｌ）及びＳｉＣｌ４（５０．０ｇ；０．２９ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１９０℃で１３時間加熱した。冷却後には、約５０バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、４８重量％程度のＳｉＣｌ４、４７重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、３重量％程度のＭｅＣｌ及び２重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２からなるものであり、これに加えて少量のＨＳｉＭｅＣｌ２及びＳｉＣｌ４を検出できた。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
【0019】
実施例５：ＨＳｉＣｌ
２
ＭｅとＭｅＣｌとの反応
ＨＳｉＣｌ２Ｍｅ（８５ｇ；０．７５ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．１ｇ；７ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（５０．０ｇ；０．９９ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１３０℃で１３時間加熱した。冷却後には、約５バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、５６重量％程度のＨＳｉＣｌ２Ｍｅ、３１重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、７重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２、５重量％程度のＭｅＣｌ、並びに１重量％程度の他の塩素置換シラン、メチル置換シラン又は／及びメチレン置換シランからなるものであった。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
ＨＳｉＣｌ２Ｍｅ（８５ｇ；０．７５ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．１ｇ；７ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（５０．０ｇ；０．９９ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１３０℃で１３時間加熱した。冷却後には、約５バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、５６重量％程度のＨＳｉＣｌ２Ｍｅ、３１重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、７重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２、５重量％程度のＭｅＣｌ、並びに１重量％程度の他の塩素置換シラン、メチル置換シラン又は／及びメチレン置換シランからなるものであった。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
【0020】
実施例６：ＨＳｉＣｌ
２
ＭｅとＭｅＣｌとの反応
ＨＳｉＣｌ２Ｍｅ（８５ｇ；０．７５ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．５ｇ；８ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（５１．０ｇ；１．０１ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１７６℃で１３時間加熱した。冷却後には、約２０バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、１６重量％程度のＨＳｉＣｌ２Ｍｅ、４１重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、３３重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２、９重量％程度のＭｅＣｌ、並びに１重量％程度の他の塩素置換シラン、メチル置換シラン又は／及びメチレン置換シランからなるものであった。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
ＨＳｉＣｌ２Ｍｅ（８５ｇ；０．７５ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．５ｇ；８ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（５１．０ｇ；１．０１ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１７６℃で１３時間加熱した。冷却後には、約２０バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、１６重量％程度のＨＳｉＣｌ２Ｍｅ、４１重量％程度のＭｅＳｉＣｌ３、３３重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２、９重量％程度のＭｅＣｌ、並びに１重量％程度の他の塩素置換シラン、メチル置換シラン又は／及びメチレン置換シランからなるものであった。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
【0021】
実施例７：ＨＳｉＣｌＭｅ
２
とＭｅＣｌとの反応
ＨＳｉＣｌ２Ｍｅ（８５ｇ；０．７５ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．５ｇ；８ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（４８．０ｇ；０．９５ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１７６℃で１３時間加熱した。冷却後には、約３０バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、１６重量％程度のＨＳｉＣｌＭｅ２、６７重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２、７重量％程度のＭｅ３ＳｉＣｌ、９重量％程度のＭｅＣｌ、並びに１重量％程度の他の塩素置換シラン、メチル置換シラン又は／及びメチレン置換シランからなるものであった。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。
ＨＳｉＣｌ２Ｍｅ（８５ｇ；０．７５ｍｏｌ）、［ｎ－Ｂｕ４Ｐ］Ｃｌ（２．５ｇ；８ｍｍｏｌ）及びＭｅＣｌ（４８．０ｇ；０．９５ｍｏｌ）で、高圧滅菌器を満たした。高圧滅菌器を１７６℃で１３時間加熱した。冷却後には、約３０バールの圧力が高圧滅菌器内に残っていた。高圧滅菌器を減圧し、ガス空間をアルゴンでパージした。生成した液体の混合物は、１６重量％程度のＨＳｉＣｌＭｅ２、６７重量％程度のＭｅ２ＳｉＣｌ２、７重量％程度のＭｅ３ＳｉＣｌ、９重量％程度のＭｅＣｌ、並びに１重量％程度の他の塩素置換シラン、メチル置換シラン又は／及びメチレン置換シランからなるものであった。反応で生成したガスが水素であることは、質量分析にて明白に確認できた。