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特許7531809舌運動計測デバイス、舌運動モニタリング装置、及び舌運動モニタリング方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-02
(45)【発行日】2024-08-13
(54)【発明の名称】舌運動計測デバイス、舌運動モニタリング装置、及び舌運動モニタリング方法
(51)【国際特許分類】
A61B 5/11 20060101AFI20240805BHJP
【ＦＩ】
A61B5/11 320
【請求項の数】
19
(21)【出願番号】P 2020188102
(22)【出願日】2020-11-11
(65)【公開番号】P2022077304
(43)【公開日】2022-05-23
【審査請求日】2023-08-14
(73)【特許権者】
【識別番号】000002141
【氏名又は名称】住友ベークライト株式会社
(73)【特許権者】
【識別番号】503420833
【氏名又は名称】学校法人常翔学園
(74)【代理人】
【識別番号】100110928
【弁理士】
【氏名又は名称】速水 進治
(72)【発明者】
【氏名】岡田 潤
(72)【発明者】
【氏名】西 恵理
【審査官】田中 洋行
(56)【参考文献】
【文献】特開２０１０－２７３８４０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－１６２４６０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０１９－０８３８６５（ＪＰ，Ａ）
【文献】国際公開第２０００／０１０４５０（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特表２０１６－５３１６４０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２０２０－０３６７７０（ＪＰ，Ａ）
【文献】米国特許出願公開第２０１２／０３０２９２４（ＵＳ，Ａ１）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ａ６１Ｂ ５／０６－５／２２
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
被験者の舌運動を計測する舌運動計測デバイスであって、１個または２個以上の、舌圧力を計測する圧力センサと、
前記圧力センサに電気的に接続されており、１０％以上伸長可能な伸縮性配線と、
前記圧力センサ、及び前記伸縮性配線が設けられた基板と、を備え、
ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して測定される、２５℃における前記基板の破断伸びが、２００％以上である、舌運動計測デバイス。
【請求項2】
請求項１に記載の舌運動計測デバイスであって、２５℃、未伸長時における前記伸縮性配線の体積抵抗率が、１×１０－５Ω・ｃｍ以上１×１０－１Ω・ｃｍ以下である、舌運動計測デバイス。
【請求項3】
請求項１又は２に記載の舌運動計測デバイスであって、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して測定される、２５℃における前記基板の引裂強度が、２５Ｎ／ｍｍ以上である、舌運動計測デバイス。
【請求項4】
請求項１～３のいずれか一項に記載の舌運動計測デバイスであって、２５℃、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して測定される、前記基板の引張強度が、５．０ＭＰａ以上である、舌運動計測デバイス。
【請求項5】
請求項１～４のいずれか一項に記載の舌運動計測デバイスであって、前記伸縮性配線が、導電性フィラー及びエラストマー材料を含む導電性ペーストの印刷物で構成される、舌運動計測デバイス。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか一項に記載の舌運動計測デバイスであって、前記伸縮性配線が、導電性フィラー及びエラストマー材料を含む、舌運動計測デバイス。
【請求項7】
請求項１～６のいずれか一項に記載の舌運動計測デバイスであって、前記基板が、非導電性フィラー及びエラストマー材料を含む、舌運動計測デバイス。
【請求項8】
請求項７に記載の舌運動計測デバイスであって、前記エラストマー材料が、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、またはエチレンプロピレンゴムを含む、舌運動計測デバイス。
【請求項9】
請求項１～８のいずれか一項に記載の舌運動計測デバイスであって、前記圧力センサが、導電性炭素材料及びエラストマー材料を含む、舌運動計測デバイス。
【請求項10】
請求項１～９のいずれか一項に記載の舌運動計測デバイスであって、前記伸縮性配線の表面を覆う、エラストマー材料を含む伸縮性カバー部を備える、舌運動計測デバイス。
【請求項11】
請求項７～１０のいずれか一項に記載の舌運動計測デバイスであって、前記エラストマー材料が、シリコーンゴムを含む、舌運動計測デバイス。
【請求項12】
請求項１～１１のいずれか一項に記載の舌運動計測デバイスと、制御部と、を備え、
前記制御部が、前記圧力センサの検知結果から、前記被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する舌運動情報取得部を有する、舌運動モニタリング装置。
【請求項13】
請求項１２に記載の舌運動モニタリング装置であって、前記舌運動情報が、舌圧力、舌圧力分布、及びこれらの経時変化の少なくとも一または二以上を含む、舌運動モニタリング装置。
【請求項14】
請求項１２又は１３に記載の舌運動モニタリング装置であって、前記制御部が、得られた前記舌運動情報に基づいて、前記被験者の舌機能の合否を判定する解析部を有する、舌運動モニタリング装置。
【請求項15】
請求項１４に記載の舌運動モニタリング装置であって、前記舌機能が、乳児の吸啜能力である、舌運動モニタリング装置。
【請求項16】
請求項１４又は１５のいずれか一項に記載の舌運動モニタリング装置であって、少なくとも前記舌運動情報及び／又は前記解析部により示された結果を表示する表示部を備える、舌運動モニタリング装置。
【請求項17】
請求項１４～１６のいずれか一項に記載の舌運動モニタリング装置であって、前記舌運動情報及び／又は前記解析部により示された結果を外部端末に無線送信する無線部を備える、舌運動モニタリング装置。
【請求項18】
請求項１～１１のいずれか一項に記載の舌運動計測デバイスを用いる舌運動モニタリング方法であって、前記圧力センサの検知結果から、前記被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する工程を有する、舌運動モニタリング方法。
【請求項19】
請求項１８に記載の舌運動モニタリング方法であって、得られた前記舌運動情報に基づいて、前記被験者の舌機能の合否を判定する工程を含む、舌運動モニタリング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、舌運動計測デバイス、舌運動モニタリング装置、及び舌運動モニタリング方法に関する。
【背景技術】
【0002】
舌運動計測デバイスについて様々な開発がなされてきた。この種の技術として、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１には、乳児の舌の動作を検知するセンサと、授乳状態を示す信号である授乳表示信号を生成して出力する授乳検出出力部と、センサと授乳検出出力部とを電気的に接続するリード線とを備え、センサ及びリード線がゴムで形成された乳首部に設けられた授乳観測装置が記載されている（特許文献１の請求項２、段落００１０、図１等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【文献】特開２００６－３４０７７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、本発明者が検討した結果、上記特許文献１に記載の授乳観測装置において、伸縮耐久性の点で改善の余地があることが判明した。
【課題を解決するための手段】
【0005】
上記特許文献１に記載の授乳観測装置において、乳児の舌動作に応じてゴム製の乳首部が繰り返し変形すると、この乳首部に設置されたセンサに接続する金属製のリード線が繰り返し受ける外力によって破断する恐れがあることが判明した。
【0006】
本発明者はさらに検討したところ、舌運動計測デバイスにおいて、舌圧力を計測するセンサに接続される配線に、伸長可能な伸縮性配線を使用することによって、被験者の舌運動を計測する際、繰り返し外力を受ける場合に生じる配線の破断が抑制され、伸縮耐久性に優れた舌運動計測デバイスを実現できる見出し、本発明を完成するに至った。
【0007】
本発明によれば、
被験者の舌運動を計測する舌運動計測デバイスであって、
１個または２個以上の、舌圧力を計測する圧力センサと、
前記圧力センサに電気的に接続されており、１０％以上伸長可能な伸縮性配線と、
前記圧力センサ、及び前記伸縮性配線が設けられた基板と、
を備える、舌運動計測デバイスが提供される。
被験者の舌運動を計測する舌運動計測デバイスであって、
１個または２個以上の、舌圧力を計測する圧力センサと、
前記圧力センサに電気的に接続されており、１０％以上伸長可能な伸縮性配線と、
前記圧力センサ、及び前記伸縮性配線が設けられた基板と、
を備える、舌運動計測デバイスが提供される。
【0008】
また本発明によれば、
上記の舌運動計測デバイスと、
制御部と、を備え、
前記制御部が、前記圧力センサの検知結果から、前記被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する舌運動情報取得部を有する、舌運動モニタリング装置が提供される。
上記の舌運動計測デバイスと、
制御部と、を備え、
前記制御部が、前記圧力センサの検知結果から、前記被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する舌運動情報取得部を有する、舌運動モニタリング装置が提供される。
【0009】
また本発明によれば、
上記の舌運動計測デバイスを用いる舌運動モニタリング方法であって、
前記圧力センサの検知結果から、前記被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する工程を有する、舌運動モニタリング方法が提供される。
上記の舌運動計測デバイスを用いる舌運動モニタリング方法であって、
前記圧力センサの検知結果から、前記被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する工程を有する、舌運動モニタリング方法が提供される。
【発明の効果】
【0010】
本発明によれば、伸縮耐久性に優れた舌運動計測デバイス、舌運動モニタリング装置、及び舌運動モニタリング方法を用いたシステムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【図1】本実施形態の舌運動計測デバイスの構成の一例を示す図である。
【図3】本実施形態の舌運動モニタリング装置の機能を説明するためのブロック図である。
【図4】本実施形態の舌運動計測デバイスの使用例を示す図である。
【図5】実施例の舌運動計測デバイスの構成の示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。
【0013】
本実施形態の舌運動計測デバイスについて概説する。
【0014】
本実施形態の舌運動計測デバイスは、１個または２個以上の、舌圧力を計測する圧力センサと、圧力センサに電気的に接続されており、１０％以上伸長可能な伸縮性配線と、圧力センサ、及び伸縮性配線が設けられた基板と、を備える。
【0015】
本実施形態の舌運動計測デバイスは、被験者の舌運動を計測できる。
被験者は、舌を有する生物であれば特に限定されず、具体的には、ヒト、又はヒト以外の哺乳類を含む動物であってもよい。
ヒトは、乳児、幼児、高齢者、又はこれ以外の世代の成人や子供でもよく、健康者、又は機能回復訓練者などの非健康者であってもよい。
被験者は、舌を有する生物であれば特に限定されず、具体的には、ヒト、又はヒト以外の哺乳類を含む動物であってもよい。
ヒトは、乳児、幼児、高齢者、又はこれ以外の世代の成人や子供でもよく、健康者、又は機能回復訓練者などの非健康者であってもよい。
【0016】
舌運動計測デバイスを用いることで、被験者の舌運動についてモニタリング可能となり、さらには舌運動の定量評価も可能になる。舌運動は、乳児の吸啜運動や、ヒトの摂食・嚥下運動等に深く関連し、健康状態を把握するための指標となり得る。したがって、舌運動を評価することは、乳児の吸啜能力等の、被験者の舌機能の状態を適切に把握することができる上、リハビリテーションや様々なケア等の様々な応用が期待される。
【0017】
具体的な応用の一例として、保育、検診、及び医療等の各場面における乳児の哺乳時吸啜能力の評価、被験者の舌運動機能と様々な疾病との関連評価、被験者の舌運動機能の低下に伴う疾病や健康障害の評価や治療、リハビリテーション等が挙げられる。
【0018】
本実施形態では、伸縮性配線を伸縮性材料で構成することにより、伸長可能及び／又は曲げ可能な舌運動計測デバイスを実現できる。基板の伸長等の変形時においても、伸縮性配線における断線が抑制され、安定的に舌運動の計測可能となる。また、基板が伸長及び／又は曲げ変形時に、伸張性配線も柔軟に変形し伸長するため、配線が伸縮しない場合と比較して、被験者の舌運動から受ける外力を妨げないように構成できる。
このように本実施形態によれば、伸縮耐久性に優れた舌運動計測デバイスを実現できる。
このように本実施形態によれば、伸縮耐久性に優れた舌運動計測デバイスを実現できる。
【0019】
本実施形態によれば、導電性フィラー及びエラストマー材料を含む導電性ペーストを用いた印刷により、伸縮性配線を形成できるため、配線デザインの設計自由度に優れた舌運動計測デバイスを提供できる。
【0020】
舌運動計測デバイスを用いて、圧力センサから得られる電気信号を、取得、解析及び／又は表示することにより、様々な用途に応じた舌運動モニタリング装置を構築できる。
【0021】
本実施形態の舌運動計測デバイスの各構成について詳述する。
【0022】
【0023】
図１の舌運動計測デバイス１００は、基板１２０、圧力センサ１１０、及び伸縮性配線１３０を備える。
【0024】
圧力センサ１１０は、受圧面が外力から受けた力を電気信号に変換することができる。
圧力センサ１１０は、外力によって電気特性が変化する部材を少なくとも備えるものであればよく、例えば、圧抵抗効果を利用したセンサ、圧電効果を利用したセンサ、又は静電容量を利用したセンサなどが用いられる。
圧力センサ１１０として、ひずみゲージ式、感圧導電ゴム式、静電容量方式、成膜方式、抵抗線方式、機械方式等の、市販品の圧力センサを使用してもよい。
圧力センサ１１０は、外力によって電気特性が変化する部材を少なくとも備えるものであればよく、例えば、圧抵抗効果を利用したセンサ、圧電効果を利用したセンサ、又は静電容量を利用したセンサなどが用いられる。
圧力センサ１１０として、ひずみゲージ式、感圧導電ゴム式、静電容量方式、成膜方式、抵抗線方式、機械方式等の、市販品の圧力センサを使用してもよい。
【0025】
圧力センサ１１０は、受圧面を有していればよく、例えば、チップ状に構成されてもよい。ただし、圧力センサ１１０の形状は、これに限定されない。
【0026】
圧力センサ１１０一例は、圧抵抗効果を有する感圧抵抗体、圧電効果を有する圧電体、又は静電容量膜を有してもよい。この中でも、感圧抵抗体は、エラストマー材料またはプラスチック材料を含んでもよく、好ましくはエラストマー材料を含んでもよい。
【0027】
圧力センサ１１０の具体例は、例えば、感圧抵抗体の一つである感圧導電性エラストマーで構成されてもよく、好ましくは導電性フィラー及びエラストマー材料を含む導電性エラストマーで構成されてもよい。圧力センサ１１０及び伸縮性配線１３０がいずれも導電性エラストマーで構成される場合、圧力センサ１１０の導電性エラストマーの体積抵抗値は、伸縮性配線１３０の導電性エラストマーの体積抵抗値よりも高くなるように構成されているものであればよい。
【0028】
具体的な一例として、圧力センサ１１０を構成する導電性エラストマーは、導電性フィラーとして導電性炭素材料を含むことが可能である。この場合、伸縮性配線１３０を構成する導電性エラストマーは、銀粉などの金属粉を含んでもよい。
例えば、圧力センサ１１０中の導電性炭素材料を含む導電性エラストマーの体積抵抗率が１０―１Ω・ｃｍ～１０３Ω・ｃｍでもよい。この場合、伸縮性配線１３０の導電性エラストマーの体積抵抗値は、例えば、１０－５Ω・ｃｍ～１０－１Ω・ｃｍとしてよい。この体積抵抗率は、２５℃、未伸長時に測定する。
このような圧力センサ１１０は、例えば、導電性炭素材料及びエラストマー材料を含む導電性ペーストを用いた印刷方法により形成されてもよい。
例えば、圧力センサ１１０中の導電性炭素材料を含む導電性エラストマーの体積抵抗率が１０―１Ω・ｃｍ～１０３Ω・ｃｍでもよい。この場合、伸縮性配線１３０の導電性エラストマーの体積抵抗値は、例えば、１０－５Ω・ｃｍ～１０－１Ω・ｃｍとしてよい。この体積抵抗率は、２５℃、未伸長時に測定する。
このような圧力センサ１１０は、例えば、導電性炭素材料及びエラストマー材料を含む導電性ペーストを用いた印刷方法により形成されてもよい。
【0029】
図１の圧力センサ１１０は、基板１２０の一面１２１上に搭載される。圧力センサ１１０の配置は、一面１２１上に限定されず、例えば、圧力センサ１１０の一部が基板１２０に埋設されていてもよく、圧力センサ１１０の全体が基板１２０中の内部に埋設されていてもよい。
【0030】
基板１２０に搭載される圧力センサ１１０の個数は、１個以上であればよく、２個以上の複数でもよい。
【0031】
複数の圧力センサ１１０は、舌根から舌尖に向かう方向を、舌の前方向としたとき、この舌の前方向に列状の配置されることが好ましい。図１中、第一センサ１０１及び第二センサ１０２は列状に配置される。これにより、舌根と舌尖とを独立した舌運動として計測可能になる。さらに、列中の圧力センサ１１０の個数は、２個以上でも、３個以上でもよい。これにより、舌根側から舌尖側までの舌運動をより的確に評価可能になる。
また、複数の圧力センサ１１０における、舌の前方向に見たときの配置が、１列でもよく、２列以上の複数列でもよい。これにより、舌の右側から舌の左側までの舌運動をより的確に評価可能になる。
また、複数の圧力センサ１１０における、舌の前方向に見たときの配置が、１列でもよく、２列以上の複数列でもよい。これにより、舌の右側から舌の左側までの舌運動をより的確に評価可能になる。
【0032】
具体的な複数の圧力センサ１１０の配置は、例えば、３個の２列、５個の２列、５個の３列など、適宜、被験者の舌面積に応じて、変更可能である。
【0033】
基板１２０は、圧力センサ１１０及び伸縮性配線１３０を搭載するもので、少なくとも一部が被験者の口腔内に挿入される。
【0034】
基板１２０は、任意の形状を有するが、単独で被験者の口腔内に挿入可能な構造を有してもよく、又は、舌運動のモニタリング作業を行う舌運動計測デバイス１００の操作者の手に装着可能な構造を有してもよい。具体的には、基板１２０は、例えば、手袋状、指サック状、乳首状、柱状、チューブ状、リンク状などの形状を有してもよい。このように基板１２０自体が、口腔内に挿入可能な構造を形成してもよい。この態様に限定されず、例えば、基板１２０を、口腔内に挿入可能な構造を有する部材に固定して使用してもよい。
【0035】
基板１２０は、エラストマー材料又は柔軟なプラスチック材料を含んでもよく、好ましくはエラストマー材料を含む。すなわち、基板１２０の好ましい一例は、伸縮性基板で構成される。この伸縮性基板は、絶縁性エラストマーを含む伸縮性絶縁層で構成される。絶縁性エラストマーは、導電性フィラーを含まないエラストマーであればよく、例えば、非導電性フィラー及びエラストマー材料を含んでもよい。
【0036】
基板の厚みの上限は、用途に応じて設定可能であり、例えば、１０ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下でもよいが、変形容易性の観点から、より好ましくは４００μｍ以下である。また、薄型で咥え易いデバイスを構成できる。
一方、基板の厚みの下限は、機械的強度の観点から、例えば、１０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以上である。
一方、基板の厚みの下限は、機械的強度の観点から、例えば、１０μｍ以上、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以上である。
【0037】
基板のデュロメータ硬さＡの上限は、特に限定されないが、例えば、８０以下でもよく、好ましくは７０以下でもよい。これにより、屈曲や伸張などの変形が容易となる変形容易性を高められる。
一方、基板のデュロメータ硬さＡの下限は、例えば、１０以上、好ましくは３０以上、より好ましくは４０以上である。これにより、摩擦耐久性や機械的強度を高められる。
一方、基板のデュロメータ硬さＡの下限は、例えば、１０以上、好ましくは３０以上、より好ましくは４０以上である。これにより、摩擦耐久性や機械的強度を高められる。
【0038】
基板の引裂強度の下限は、例えば、２５Ｎ／ｍｍ以上、好ましくは２８Ｎ／ｍｍ以上、より好ましくは３０Ｎ／ｍｍ以上、さらに好ましくは３３Ｎ／ｍｍ以上、一層好ましくは３４Ｎ／ｍｍ以上である。これにより、繰り返し使用時における耐久性を向上できる。また、薄くしても破れにくいデバイスを構成できる。このため、基板の設計自由度を向上できる。
一方、上記基板の引裂強度の上限は、特に限定されないが、例えば、８０Ｎ／ｍｍ以下としてもよく、７０Ｎ／ｍｍ以下としてもよい。これにより、基板の諸特性のバランスをとることができる。
一方、上記基板の引裂強度の上限は、特に限定されないが、例えば、８０Ｎ／ｍｍ以下としてもよく、７０Ｎ／ｍｍ以下としてもよい。これにより、基板の諸特性のバランスをとることができる。
【0039】
基板の破断伸びの下限は、例えば、１００％以上であり、好ましくは２００％以上であり、より好ましくは３００％以上であり、さらに好ましくは４００％以上である。これにより、基板の高伸縮性および耐久性を向上させることができる。
一方、上記基板の破断伸びの上限は、特に限定されないが、例えば、２０００％以下としてもよく、１８００％以下としてもよい。これにより、基板の諸特性のバランスをとることができる。
一方、上記基板の破断伸びの上限は、特に限定されないが、例えば、２０００％以下としてもよく、１８００％以下としてもよい。これにより、基板の諸特性のバランスをとることができる。
【0040】
基板の引張強度の下限は、例えば、５．０ＭＰａ以上であり、好ましくは１０．０ＭＰａ以上であり、より好ましくは１２．０ＭＰａ以上である。これにより、基板の機械的強度を向上させることができる。また、繰り返しの変形に耐えられる耐久性に優れた基板を実現できる。
一方、基板の引張強度の上限は、特に限定されないが、例えば、２５ＭＰａ以下としてもよく、２０ＭＰａ以下としてもよい。これにより、基板の諸特性のバランスをとることができる。
一方、基板の引張強度の上限は、特に限定されないが、例えば、２５ＭＰａ以下としてもよく、２０ＭＰａ以下としてもよい。これにより、基板の諸特性のバランスをとることができる。
【0041】
本実施形態において、舌運動計測デバイスの各部材の特性や各部材に使用したエラストマー（絶縁性エラストマー又は導電性エラストマー）の特性を測定する方法として、例えば、以下の方法を採用できる。各部材の特性の測定には、試験片として、例えば、基板などの各部材をそのまま使用してもよい。
【0042】
（デュロメータ硬さＡの測定手順）
エラストマーを用いて、シート状試験片を作製し、ＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠して、２５℃における、得られたシート状試験片のデュロメータ硬さＡを測定する。
エラストマーを用いて、シート状試験片を作製し、ＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠して、２５℃における、得られたシート状試験片のデュロメータ硬さＡを測定する。
【0043】
（引張強度の測定手順）
エラストマーを用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、ダンベル状３号形試験片を作製し、２５℃における、ダンベル状３号形試験片の引張強度を測定する。
エラストマーを用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、ダンベル状３号形試験片を作製し、２５℃における、ダンベル状３号形試験片の引張強度を測定する。
【0044】
（破断伸びの測定条件）
エラストマーを用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、ダンベル状３号形試験片を作製し、得られたダンベル状３号形試験片について、２５℃における破断伸びを測定する。破断伸びは、［標線間移動距離（ｍｍ）］÷［初期標線間距離（２０ｍｍ）］×１００で計算する。
エラストマーを用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、ダンベル状３号形試験片を作製し、得られたダンベル状３号形試験片について、２５℃における破断伸びを測定する。破断伸びは、［標線間移動距離（ｍｍ）］÷［初期標線間距離（２０ｍｍ）］×１００で計算する。
【0045】
（引裂強度の測定手順）
エラストマーを用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して、クレセント形試験片を作製し、２５℃における、得られたクレセント形試験片の引裂強度を測定する。
エラストマーを用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して、クレセント形試験片を作製し、２５℃における、得られたクレセント形試験片の引裂強度を測定する。
【0046】
伸縮性配線１３０は、圧力センサ１１０に電気的に接続し、圧力センサ１１０から電気信号を外部に伝達できる。伸縮性配線１３０は、圧力センサ１１０毎に、出力信号用配線を２本有してもよく、圧力センサ１１０の回路設計に応じて、定圧電源用配線及び／又はＧＮＤ（グランド）用配線をさらに有してもよい。
なお、ＧＮＤ用配線は、複数の圧力センサ１１０において共通の配線を使用してもよい。
なお、ＧＮＤ用配線は、複数の圧力センサ１１０において共通の配線を使用してもよい。
【0047】
図１中、出力信号用配線の第一配線１３１及び第二配線１３２が第一センサ１０１に接続し、第三配線１３３及び第四配線１３４が第二センサ１０２に接続する。例えば、外力を加えて第二センサ１０２の抵抗値を変動させると、第三配線１３３及び第四配線１３４の間の出力電圧が変動する。この出力電圧変動に基づいて、第二センサ１０２が受けた外力を計測することが可能になる。
【0048】
図１の伸縮性配線１３０は、基板１２０の一面１２１上に形成されるが、この態様に限定されない。伸縮性配線１３０は、全てが一面１２１上に形成されてもよいが、一部が基板１２０中に埋設されてもよく、末端の接続領域以外の配線領域が基板１２０中に埋設されてもよい。また、伸縮性配線１３０は、基板１２０の両面上に形成されてもよい。
【0049】
本明細書中の伸縮性とは、所定方向に伸長したときの伸長率で表す。所定方向としては、例えば、図１の上面視図において、伸縮性配線１３０が最大長さとなる延在方向を採用してもよい。
この延在方向に伸長させたとき、伸縮性を有するとは、伸長率が、例えば、１０％以上、好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上まで伸長可能であり、かつ、その伸長率時において伸縮性配線１３０が断線しない状態を意味する。
この延在方向に伸長させたとき、伸縮性を有するとは、伸長率が、例えば、１０％以上、好ましくは２０％以上、より好ましくは５０％以上まで伸長可能であり、かつ、その伸長率時において伸縮性配線１３０が断線しない状態を意味する。
【0050】
伸縮性配線１３０は、導電性エラストマーを含む伸縮性導電層で構成される。導電性エラストマーは、導電性フィラー及びエラストマー材料を含んでもよい。
【0051】
舌運動計測デバイス１００中、伸縮性基板（基板１２０）と伸縮性配線１３０とが積層された構造を形成してもよい。
伸縮性基板と伸縮性配線１３０とが積層した状態とは、互いを構成する伸縮性絶縁層と伸縮性導電層との表面同士が面接触している状態で、化学的及び／又は物理的に結合し密着した状態であってもよい。このため、伸長時や繰り返し伸長時においても、伸縮性基板の表面から伸縮性配線１３０が剥離する等の破損が生じる恐れを抑制できる。これにより、伸縮耐久性に優れた舌運動計測デバイス１００を実現できる。
伸縮性基板と伸縮性配線１３０とが積層した状態とは、互いを構成する伸縮性絶縁層と伸縮性導電層との表面同士が面接触している状態で、化学的及び／又は物理的に結合し密着した状態であってもよい。このため、伸長時や繰り返し伸長時においても、伸縮性基板の表面から伸縮性配線１３０が剥離する等の破損が生じる恐れを抑制できる。これにより、伸縮耐久性に優れた舌運動計測デバイス１００を実現できる。
【0052】
２５℃、未伸長時における伸縮性配線１３０の体積抵抗率は、例えば、１×１０－５Ω・ｃｍ以上１×１０－１Ω・ｃｍ以下、好ましくは５×１０－５Ω・ｃｍ以上５×１０－２Ω・ｃｍ以下、より好ましくは１×１０－４Ω・ｃｍ以上１×１０－２Ω・ｃｍ以下である。このような範囲内とすることで、未伸長時、さらには伸長時においても、優れた電気特性の伸縮性配線１３０を実現できる。また、安定した舌運動計測が可能になる。
【0053】
図２（ｂ）、図２（ｃ）は、図２（ａ）の変形例の一例を示す。
舌運動計測デバイス１００は、伸縮性配線１３０の表面を覆う、エラストマー材料を含む伸縮性カバー部を備えてもよい。これにより、舌運動計測デバイス１００の伸縮耐久性を一層高めることができる。また、露出した伸縮性配線１３０の配線部分を、絶縁体のカバー部（カバー部１４０、１４１）で被覆（封止）することで、被験者への使用安全性を高めることができる。さらに、生体適合性材料のカバー部を使用することで、使用時の衛生面の管理が容易となる。さらに、接続部以外の伸縮性配線１３０の配線部分の一部又は全体をカバー部で被覆することで、基板１２０及びカバー部の両面を、アルコール系または非アルコール系の消毒液で消毒できるため、使用時の衛生面の管理が容易となる。
舌運動計測デバイス１００は、伸縮性配線１３０の表面を覆う、エラストマー材料を含む伸縮性カバー部を備えてもよい。これにより、舌運動計測デバイス１００の伸縮耐久性を一層高めることができる。また、露出した伸縮性配線１３０の配線部分を、絶縁体のカバー部（カバー部１４０、１４１）で被覆（封止）することで、被験者への使用安全性を高めることができる。さらに、生体適合性材料のカバー部を使用することで、使用時の衛生面の管理が容易となる。さらに、接続部以外の伸縮性配線１３０の配線部分の一部又は全体をカバー部で被覆することで、基板１２０及びカバー部の両面を、アルコール系または非アルコール系の消毒液で消毒できるため、使用時の衛生面の管理が容易となる。
【0054】
カバー部は、伸縮性配線１３０について、圧力センサ１１０と接続する第一端部や外部と接続する第二端部を露出するように構成されており、その他の配線部分の一部又は全体を被覆してもよい。
【0055】
カバー部１４０は、図２（ｂ）に示すように、第二センサ１０２（圧力センサ）の受圧面（上面）を覆わないように構成されてもよい。これにより、圧力センサ１１０の受圧面における外力感度を高く維持できる。
また、カバー部１４１は、図２（ｃ）に示すように、第二センサ１０２の上面及び側面を覆うように構成されてもよい。伸縮性材料で構成されるカバー部１４０は、図２（ｃ）のカバー部１４１に示すように圧力センサ１１０の受圧面を被覆しても、受圧面が受ける外力が低減することを抑制できる。このため、使用耐久性とともに、舌運動測定の安定性を高めることができる。
また、カバー部１４１は、図２（ｃ）に示すように、第二センサ１０２の上面及び側面を覆うように構成されてもよい。伸縮性材料で構成されるカバー部１４０は、図２（ｃ）のカバー部１４１に示すように圧力センサ１１０の受圧面を被覆しても、受圧面が受ける外力が低減することを抑制できる。このため、使用耐久性とともに、舌運動測定の安定性を高めることができる。
【0056】
カバー部１４０、１４１は、エラストマー材料を含む絶縁性エラストマーで構成されてもよい。基板１２０と同じエラストマー材料を含むように構成することで、基板１２０とカバー部１４０、１４１との密着性を高められる。
その他の部材との密着性を高める観点から、伸縮性配線１３０または圧力センサ１１０に含まれるエラストマー材料と同じものを、カバー部１４０、１４１が含んでもよい。
その他の部材との密着性を高める観点から、伸縮性配線１３０または圧力センサ１１０に含まれるエラストマー材料と同じものを、カバー部１４０、１４１が含んでもよい。
【0057】
【0058】
舌運動モニタリング装置１の一例は、舌運動計測デバイス１００及び制御部３を備える。
【0059】
図３の舌運動計測デバイス１００において、基板１２０は、計測者の手に装着可能な手袋状に構成される。
計測者とは、乳児の吸啜動作等の、被験者の舌運動におけるモニタリングのための測定作業を行う者である。
計測者とは、乳児の吸啜動作等の、被験者の舌運動におけるモニタリングのための測定作業を行う者である。
【0060】
手袋状の基板１２０において、圧力センサ１１０は、例えば、親指部、人差し指部、または小指部等の先の背側（手の甲側）に配置されてもよい。これにより、指の腹側（センサ１００が配置されていない側）で、乳児の口蓋部を刺激し、吸啜反射を誘発させることが可能となる。また、舌運動のモニタリングとともに、触診（指の感覚）によっても被験者の舌運動の状態を確認することができる。
【0061】
図４は、舌運動計測デバイス１００を、被験者の口腔内に挿入したときの図である。
【0062】
圧力センサ１１０は、舌の根尖方向に並べて、所定間隔を離して配置された第一センサ１０１及び第二センサ１０２で構成されてもよい。これにより、例えば、乳児の蠕動様運動時の舌圧力を検知可能となる。
【0063】
口腔内に挿入される舌運動計測デバイス１００の表面は、例えば、ポリプロピレン素材からなるシート部材で覆われてもよく、或いは、被験者の舌が接触する部分にカバー部１４０が形成されてもよい。これにより、舌運動モニタリング時における衛生面の管理を容易にできる。
【0064】
図４に示すよういに、口腔内において、乳児による吸啜動作時等、被験者が舌運動を行ったとき、舌から受ける舌圧力を圧力センサ１１０が検知する。
圧力センサ１１０が検知した舌運動の圧力に関する情報（センサ信号）は、圧力センサ１１０に電気的に接続する伸縮性配線１３０を介して、制御部３に送信される。
圧力センサ１１０が検知した舌運動の圧力に関する情報（センサ信号）は、圧力センサ１１０に電気的に接続する伸縮性配線１３０を介して、制御部３に送信される。
【0065】
制御部３は、舌運動モニタリング装置１の各種の動作を制御する。
制御部３は、各種の情報を記憶する記憶装置、時計機能（例えばリアルタイムクロック）、有線または無線等によって各種情報を外部へ通信する通信回路、Ａ／Ｄ変換回路、及び、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、電源等を備える。制御部３は、有線を介して電気的に舌運動計測デバイス１００に接続される。
なお、制御部３は、舌運動計測デバイス１００に外部において接続されるマイクロコンピュータで構成することもできる。
制御部３は、各種の情報を記憶する記憶装置、時計機能（例えばリアルタイムクロック）、有線または無線等によって各種情報を外部へ通信する通信回路、Ａ／Ｄ変換回路、及び、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、電源等を備える。制御部３は、有線を介して電気的に舌運動計測デバイス１００に接続される。
なお、制御部３は、舌運動計測デバイス１００に外部において接続されるマイクロコンピュータで構成することもできる。
【0066】
制御部３は、圧力センサ１１０の検知結果（センサ信号）から、被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する舌運動情報取得部を有する。
【0067】
舌運動情報としては、舌圧力、舌圧力分布、及びこれらの経時変化の少なくとも一または二以上が含まれる。舌圧力の情報は、被験者の舌における１点計測箇所毎の情報を含む。舌圧力の情報は、舌圧力における、所定時の値、最大値、最小値、所定期間における平均値、最大値・最小値等の所定値に対応する時間、及び／又は、これらの経時変化を示す波形データ等であってもよい。
舌圧力分布の情報は、複数の計測箇所の情報を含み、所定エリア内の舌圧力の合算値などの舌圧力の情報から適当な式から算出される計算値であってもよい。
舌圧力分布の情報は、複数の計測箇所の情報を含み、所定エリア内の舌圧力の合算値などの舌圧力の情報から適当な式から算出される計算値であってもよい。
【0068】
舌運動情報取得部は、舌から受ける圧力に応じて変動する圧力センサ１１０から出力電圧を、例えば、受圧面の面積を除して舌圧力を算出でき、Ａ／Ｄ変換回路を用いて、デジタル信号に変換してもよく、近似曲線を用いて出力電圧を近似してもよい。
【0069】
制御部３は、得られた舌運動情報に基づいて、被験者の舌機能の合否を判定する解析部を有してもよい。具体的には、解析部は、記憶部に保存された合格条件を読み出し、舌運動情報取得部から送信された舌運動情報について、当該合格条件に合致するかを判断し、合格条件に合致する場合を合格と判定し、合格条件に合致しない場合を不合格と判断する。
【0070】
被験者の舌機能として、乳児の吸啜能力等が挙げられる。この場合、制御部３は、例えば、舌運動計測デバイス１００が検知した乳児の舌運動の圧力に関する情報を基に、所定の合格条件（乳児の吸啜動作が良好か否か）を判定し、また、各種の情報を生成できる。
【0071】
合格条件は、被験者や舌運動等の条件や目的に応じて、設定する。
ここで、乳児の吸啜能力を評価するための合格条件の一例について、説明する。
ここで、乳児の吸啜能力を評価するための合格条件の一例について、説明する。
【0072】
乳児の吸啜動作の合格条件として、必要な力で前記乳児が吸啜動作を行っているか否か、適切なタイミングで乳児が蠕動様運動を行っているか否か等が挙げられる。
具体的な合格条件として、舌運動時の舌圧力の最大値が所定値以上、２点以上の舌圧力の最大値が所定値以上、第二評価値Ｐ２／第一評価値Ｐ１≧所定の割合Ｐｈ」を満たす場合、「第一評価値Ｔ１と第二評価値Ｔ２との時間差／周期≧所定の割合Ｔｈ」を満たす場合などが挙げられる。
具体的な合格条件として、舌運動時の舌圧力の最大値が所定値以上、２点以上の舌圧力の最大値が所定値以上、第二評価値Ｐ２／第一評価値Ｐ１≧所定の割合Ｐｈ」を満たす場合、「第一評価値Ｔ１と第二評価値Ｔ２との時間差／周期≧所定の割合Ｔｈ」を満たす場合などが挙げられる。
【0073】
第一評価値Ｐ１には、乳児の舌根側に配置される第一センサ１０１が検知した乳児の舌運動の圧力のピーク値が採用され、第二評価値Ｐ２には、乳児の舌尖側に配置される第二センサ１０２が検知した乳児の舌運動の圧力のピーク値が採用される。
第一評価値Ｔ１には、乳児の舌根側に配置される第一センサ１０１が検知した乳児の舌運動の圧力のピーク値に至る時間が採用され、第二評価値Ｔ２は、乳児の舌尖側に配置される第二センサ１０２が検知した乳児の舌運動の圧力のピーク値に至る時間が採用される。
舌運動の圧力のピーク値又はピーク値に至る時間については、１点の計測点に基づく値でも、所定エリア内にある複数の計測点の合算値でもよい。なお、合算値の算出には、複数の計測点の値の中から、上位から所定数のも値のみを採用してもよい。
第一評価値Ｔ１には、乳児の舌根側に配置される第一センサ１０１が検知した乳児の舌運動の圧力のピーク値に至る時間が採用され、第二評価値Ｔ２は、乳児の舌尖側に配置される第二センサ１０２が検知した乳児の舌運動の圧力のピーク値に至る時間が採用される。
舌運動の圧力のピーク値又はピーク値に至る時間については、１点の計測点に基づく値でも、所定エリア内にある複数の計測点の合算値でもよい。なお、合算値の算出には、複数の計測点の値の中から、上位から所定数のも値のみを採用してもよい。
【0074】
本実施形態の舌運動モニタリング方法は、舌運動計測デバイス１００を用いて舌運動モニタリングできる。この舌運動モニタリング方法は、舌運動計測デバイス１００の検知結果から、被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する工程を有する。
【0075】
また、運動モニタリング方法は、得られた舌運動情報に基づいて、被験者の舌機能の合否を判定する工程を含む。
【0076】
また、舌運動モニタリング装置１の一例は、表示部４を備えてもよい。
表示部４は、乳児舌運動モニタリング装置１で得た各種の情報を表示する。
表示部４は、乳児舌運動モニタリング装置１で得た各種の情報を表示する。
【0077】
表示部４は、舌運動情報及び／又は解析部により示された結果を表示できる。例えば、表示部４は、舌運動計測デバイス１００が検知した乳児の舌運動の圧力に関する情報、または、舌運動計測デバイス１００が検知した乳児の舌運動の圧力に関する情報に基づいて制御部３が判定した結果等を表示する。
【0078】
表示部４は、例えば、外部端末のモニタ、具体的には、外部において接続されるマイクロコンピュータのモニタ等で構成される。
【0079】
舌運動モニタリング装置１は、舌運動情報及び／又は解析部により示された結果を外部端末に無線送信する無線部を有する。この場合、表示部４は、無線通信を介して、制御部３に接続される。
この態様に限定されず、表示部４は、有線通信で制御部３と接続されてもよく、記憶媒体に保存された舌運動情報及び／又は解析部により示された結果を表示してもよい。
この態様に限定されず、表示部４は、有線通信で制御部３と接続されてもよく、記憶媒体に保存された舌運動情報及び／又は解析部により示された結果を表示してもよい。
【0080】
なお、表示部４は、舌運動計測デバイス１００に設けられる液晶表示部またはランプ部等で構成することもできる。このように構成することによって、舌運動モニタリング装置１をポータブル式の装置として構成することができ、各家庭において使用可能なものとすることができる。この場合、舌運動モニタリング装置１は、バッテリーなどを備えてもよい。
【0081】
また、舌運動モニタリング装置１の一例は、操作部５を備えてもよい。
操作部５は、スイッチまたはタッチパネル等の物理ボタンや音声入力手段で構成される。操作部５の操作によって、舌運動モニタリング装置１の各種の動作の開始や終了、または各種の動作の設定等を行うことが可能である。例えば、舌運動モニタリング装置１では、操作部５を操作することによって乳児の吸啜動作をモニタリングする動作を開始または終了できる。
操作部５は、スイッチまたはタッチパネル等の物理ボタンや音声入力手段で構成される。操作部５の操作によって、舌運動モニタリング装置１の各種の動作の開始や終了、または各種の動作の設定等を行うことが可能である。例えば、舌運動モニタリング装置１では、操作部５を操作することによって乳児の吸啜動作をモニタリングする動作を開始または終了できる。
【0082】
また、舌運動モニタリング装置１の一例は、報知部６を備えてもよい。
報知部６は、舌運動モニタリング装置１または圧力センサ１１０で得た各種の情報を、光手段や音手段等によって計測者に報知する。光手段としてランプ等、音手段としてスピーカ等が挙げられる。
報知部６は、スピーカから音声を発すること、または、ランプを点灯または消灯すること等によって、各種の情報を報知できる。例えば、乳児の吸啜能力が良好である旨を表示部４で表示することに代えて、制御部３が乳児の吸啜能力が良好であると判定した場合には、報知部６が報知してもよい。
報知部６は、舌運動モニタリング装置１または圧力センサ１１０で得た各種の情報を、光手段や音手段等によって計測者に報知する。光手段としてランプ等、音手段としてスピーカ等が挙げられる。
報知部６は、スピーカから音声を発すること、または、ランプを点灯または消灯すること等によって、各種の情報を報知できる。例えば、乳児の吸啜能力が良好である旨を表示部４で表示することに代えて、制御部３が乳児の吸啜能力が良好であると判定した場合には、報知部６が報知してもよい。
【0083】
以下、舌運動計測デバイス１００の各部材を構成するエラストマーについて説明する。
【0084】
本明細書中、エラストマーは、エラストマー材料を含む伸縮可能な弾性体を意味する。エラストマー材料は、絶縁性エラストマーまたは導電性エラストマーに分類される。
【0085】
絶縁性エラストマーは、例えば、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができる。この中でも、エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマー（エラストマー材料）を含む。
絶縁性エラストマーは、エラストマー材料単独で構成されてもよく、エラストマー材料及び非導電性フィラーを含むように構成されてもよい。絶縁性エラストマーの一例は、シリコーンゴムを含み、好ましくはシリコーンゴム及び非導電性フィラーを含む。シリコーンゴムは、エラストマーの中でも、化学的に安定であり、また、機械的強度にも優れる。
この中でも、衛生面の観点から、エラストマー材料として、生体適合性が高いシリコーンゴムを用いることが好ましい。
絶縁性エラストマーは、エラストマー材料単独で構成されてもよく、エラストマー材料及び非導電性フィラーを含むように構成されてもよい。絶縁性エラストマーの一例は、シリコーンゴムを含み、好ましくはシリコーンゴム及び非導電性フィラーを含む。シリコーンゴムは、エラストマーの中でも、化学的に安定であり、また、機械的強度にも優れる。
この中でも、衛生面の観点から、エラストマー材料として、生体適合性が高いシリコーンゴムを用いることが好ましい。
【0086】
導電性エラストマーは、例えば、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができる。この中でも、エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマー（エラストマー材料）と、導電性フィラーとを含む。
導電性エラストマーの好ましい一例は、シリコーンゴム及び導電性フィラーを含む。これにより、導電性エラストマーの伸縮性及び導通性を高められる。
導電性エラストマーの好ましい一例は、シリコーンゴム及び導電性フィラーを含む。これにより、導電性エラストマーの伸縮性及び導通性を高められる。
【0087】
絶縁性エラストマー及び導電性エラストマーの少なくとも一方、好ましくは両方が、非導電性フィラー含んでもよい。非導電性フィラーとしては、公知の材料が使用できるが、例えば、シリカ粒子、シリコーンゴム粒子、タルク等を用いてもよい。この中でも、シリカ粒子を含んでもよい。
【0088】
導電性フィラーが、例えば、粉末状または繊維状の、金属系フィラー、炭素系フィラー（導電性炭素材料）、金属酸化物フィラー、及び金属メッキフィラーからなる群から選ばれる一または二以上を含んでもよい。
【0089】
導電性エラストマーが導電性フィラーに加え、非導電性フィラーをさらに含んでもよい。これにより、導電性エラストマーの機械的特性を高められる。
【0090】
圧力センサ１１０の導電性エラストマー、伸縮性配線１３０の導電性エラストマー、及び基板１２０の絶縁性エラストマーの少なくとも２つ、又は全てが、同一のエラストマー材料を含むように構成されてもよい。
【0091】
本明細書中、同一のエラストマー材料を含むとは、それぞれ、上記に例示される熱硬化性エラストマーの種類のうち、少なくとも一つ以上の同じ種類のエラストマー材料を含むことを意味する。
また、同一のシリコーンゴムを含む場合、このシリコーンゴムがビニル基含有オルガノポリシロキサンを含むシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されてもよい。
また、同一のシリコーンゴムを含む場合、このシリコーンゴムがビニル基含有オルガノポリシロキサンを含むシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されてもよい。
【0092】
絶縁性エラストマーは、ビニル基含有オルガノポリシロキサンを含むシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されてもよい。また導電性エラストマーは、導電性フィラーと、ビニル基含有オルガノポリシロキサンを含むシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物とで構成されてもよい。
【0093】
以下、シリコーンゴム系硬化性組成物における成分について詳細を説明する。
【0094】
本明細書中、同一のシリコーンゴムを含むとは、シリコーンゴム系硬化性組成物が、少なくとも、同種のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンを含むことを意味し、さらに、同種の架橋剤、同種の非導電性フィラー、同種のシランカップリング剤、及び同種の触媒からなる群から選ばれる一又は二以上を含んでもよい。
【0095】
同種のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサンとは、少なくとも官能基が同じビニル基を含み、直鎖状を有していればよく、分子中のビニル基量や分子量分布、あるいはその添加量が異なっていてもよい。
【0096】
同種の架橋剤とは、少なくとも直鎖構造や分岐構造などの共通の構造を有していればよく、分子中の分子量分布や異なる官能基が含まれていてもよく、その添加量が異なっていてもよい。
【0097】
同種の非導電性フィラーとは、少なくとも共通の構成材料を有していればよく、粒子径、比表面積、表面処理剤、又はその添加量が異なっていてもよい。
【0098】
同種のシランカップリング剤とは、少なくとも共通の官能基を有していればよく、分子中の他の官能基や添加量が異なっていてもよい。
【0099】
同種の触媒とは、少なくとも共通の構成材料を有していればよく、触媒中に異なる組成が含まれていてもよく、その添加量が異なっていてもよい。
【0100】
同一のシリコーンゴムを構成するシリコーンゴム系硬化性組成物には、さらに、異なる種類の、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン、架橋剤、非導電性フィラー、シランカップリング剤、及び触媒からなる群から選ばれる一又は二以上を含んでもよい。
【0101】
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を含むことができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物の主成分となる重合物である。
【0102】
上記ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、直鎖構造を有するビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を含むことができる。
【0103】
上記ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。
【0104】
ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）のビニル基の含有量は、特に限定されないが、例えば、分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ１５モル％以下であるのが好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中におけるビニル基の量が最適化され、後述する各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。
【0105】
本明細書中、「～」は、特に明示しない限り、上限値と下限値を含むことを表す。
【0106】
なお、本明細書中において、ビニル基含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する全ユニットを１００モル％としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル％である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット１つに対して、ビニル基１つであると考える。
【0107】
また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の重合度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは１０００～１００００程度、より好ましくは２０００～５０００程度の範囲内である。なお、重合度は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算の数平均重合度（又は数平均分子量）等として求めることができる。
【0108】
さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の比重は、特に限定されないが、０．９～１．１程度の範囲であるのが好ましい。
【0109】
ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴムの耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。
【0110】
ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、特に、下記式（１）で表される構造を有するものであるが好ましい。
【0111】
【化1】
【0112】
式（１）中、Ｒ１は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。
【0113】
また、Ｒ２は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
【0114】
また、Ｒ３は炭素数１～８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
【0115】
さらに、式（１）中のＲ１およびＲ２の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Ｒ３の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。
【0116】
なお、式（１）中、複数のＲ１は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、Ｒ２、およびＲ３についても同様である。
【0117】
さらに、ｍ、ｎは、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは０～２０００の整数、ｎは１０００～１００００の整数である。ｍは、好ましくは０～１０００であり、ｎは、好ましくは２０００～５０００である。
【0118】
また、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の具体的構造としては、例えば下記式（１－１）で表されるものが挙げられる。
【0119】
【化2】
【0120】
式（１－１）中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくとも一方がビニル基である。
【0121】
ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、ビニル基含有量が分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ０．４モル％以下である第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）を含んでもよい。第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）のビニル基量は、０．１モル％以下でもよい。
【0122】
また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）とビニル基含有量が０．５～１５モル％である第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを含有してもよい。
【0123】
シリコーンゴムの原料である生ゴムとして、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）と、ビニル基含有量が高い第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂強度を高めることができる。
【0124】
具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、例えば、上記式（１－１）において、Ｒ１がビニル基である単位および／またはＲ２がビニル基である単位を、分子内に２個以上有し、かつ０．４モル％以下を含む第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）と、Ｒ１がビニル基である単位および／またはＲ２がビニル基である単位を、０．５～１５モル％含む第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを用いるのが好ましい。
【0125】
また、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）は、ビニル基含有量が０．０１～０．２モル％であるのが好ましい。また、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）は、ビニル基含有量が、０．８～１２モル％であるのが好ましい。
【0126】
さらに、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）と第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを組み合わせて配合する場合、（Ａ１－１）と（Ａ１－２）の比率は特に限定されないが、例えば、重量比で（Ａ１－１）：（Ａ１－２）が５０：５０～９５：５であるのが好ましく、８０：２０～９０：１０であるのがより好ましい。
【0127】
なお、第１および第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）および（Ａ１－２）は、それぞれ１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0128】
また、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、分岐構造を有するビニル基含有分岐状オルガノポリシロキサン（Ａ２）を含んでもよい。
【0129】
＜＜オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。
【0130】
直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖構造を有し、かつ、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ－Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有するビニル基とヒドロシリル化反応し、これらの成分を架橋する重合体である。
【0131】
直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子量は特に限定されないが、例えば、重量平均分子量が２００００以下であるのが好ましく、１０００以上、１００００以下であることがより好ましい。
【0132】
なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の重量平均分子量は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算により測定することができる。
【0133】
また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。
【0134】
以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）としては、例えば、下記式（２）で表される構造を有するものが好ましく用いられる。
【0135】
【化3】
【0136】
式（２）中、Ｒ４は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
【0137】
また、Ｒ５は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
【0138】
なお、式（２）中、複数のＲ４は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Ｒ５についても同様である。ただし、複数のＲ４およびＲ５のうち、少なくとも２つ以上がヒドリド基である。
【0139】
また、Ｒ６は炭素数１～８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のＲ６は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。
【0140】
なお、式（２）中のＲ４，Ｒ５，Ｒ６の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。
【0141】
さらに、ｍ、ｎは、式（２）で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは２～１５０整数、ｎは２～１５０の整数である。好ましくは、ｍは２～１００の整数、ｎは２～１００の整数である。
【0142】
なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0143】
分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）同様、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ－Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分のビニル基とヒドロシリル化反応し、これら成分を架橋する重合体である。
【0144】
また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の比重は、０．９～０．９５の範囲である。
【0145】
さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。
【0146】
また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）としては、下記平均組成式（ｃ）で示されるものが好ましい。
【0147】
平均組成式（ｃ）
（Ｈａ（Ｒ７）３－ａＳｉＯ１／２）ｍ（ＳｉＯ４／２）ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ７は一価の有機基、ａは１～３の範囲の整数、ｍはＨａ（Ｒ７）３－ａＳｉＯ１／２単位の数、ｎはＳｉＯ４／２単位の数である）
（Ｈａ（Ｒ７）３－ａＳｉＯ１／２）ｍ（ＳｉＯ４／２）ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ７は一価の有機基、ａは１～３の範囲の整数、ｍはＨａ（Ｒ７）３－ａＳｉＯ１／２単位の数、ｎはＳｉＯ４／２単位の数である）
【0148】
式（ｃ）において、Ｒ７は一価の有機基であり、好ましくは、炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。
【0149】
式（ｃ）において、ａは、ヒドリド基（Ｓｉに直接結合する水素原子）の数であり、１～３の範囲の整数、好ましくは１である。
【0150】
また、式（ｃ）において、ｍはＨａ（Ｒ７）３－ａＳｉＯ１／２単位の数、ｎはＳｉＯ４／２単位の数である。
【0151】
分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Ｓｉの数を１とした時のＳｉに結合するアルキル基Ｒの数（Ｒ／Ｓｉ）が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）では１．８～２．１、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）では０．８～１．７の範囲となる。
【0152】
なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、１０００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱した際の残渣量が５％以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。
【0153】
また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の具体例としては、下記式（３）で表される構造を有するものが挙げられる。
【0154】
【化4】
【0155】
式（３）中、Ｒ７は炭素数１～８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数１～８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Ｒ７の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。
【0156】
なお、式（３）中、複数のＲ７は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。
【0157】
また、式（３）中、「－Ｏ－Ｓｉ≡」は、Ｓｉが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。
【0158】
なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0159】
また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）において、Ｓｉに直接結合する水素原子（ヒドリド基）の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、シリコーンゴム系硬化性組成物において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中のビニル基１モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の合計のヒドリド基量が、０．５～５モルとなる量が好ましく、１～３．５モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。
【0160】
＜＜シリカ粒子（Ｃ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、非導電性フィラーとして、シリカ粒子（Ｃ）を含むことができる。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、非導電性フィラーとして、シリカ粒子（Ｃ）を含むことができる。
【0161】
シリカ粒子（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等が用いられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0162】
シリカ粒子（Ｃ）は、例えば、ＢＥＴ法による比表面積が例えば５０～４００ｍ２／ｇであるのが好ましく、１００～４００ｍ２／ｇであるのがより好ましい。また、シリカ粒子（Ｃ）の平均一次粒径は、例えば１～１００ｎｍであるのが好ましく、５～２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
【0163】
シリカ粒子（Ｃ）として、かかる比表面積および平均粒径の範囲内であるものを用いることにより、形成されるシリコーンゴムの硬さや機械的強度の向上、特に引張強度の向上をさせることができる。
【0164】
＜＜シランカップリング剤（Ｄ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｃ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｃ）の表面改質を行うことができる。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｃ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｃ）の表面改質を行うことができる。
【0165】
また、このシランカップリング剤（Ｄ）は、疎水性基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中ひいてはシリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）の凝集力が低下（シラノール基による水素結合による凝集が少なくなる）し、その結果、シリコーンゴム系硬化性組成物中のシリカ粒子の分散性が向上すると推測される。これにより、シリカ粒子とゴムマトリックスとの界面が増加し、シリカ粒子の補強効果が増大する。さらに、ゴムのマトリックス変形の際、マトリックス内でのシリカ粒子の滑り性が向上すると推測される。そして、シリカ粒子（Ｃ）の分散性の向上及び滑り性の向上によって、シリカ粒子（Ｃ）によるシリコーンゴムの機械的強度（例えば、引張強度や引裂強度など）が向上する。
【0166】
さらに、シランカップリング剤（Ｄ）は、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にビニル基が導入される。そのため、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク（架橋構造）が形成される際に、シリカ粒子（Ｃ）が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子（Ｃ）も取り込まれるようになる。これにより、形成されるシリコーンゴムの低硬度化および高モジュラス化を図ることができる。
【0167】
シランカップリング剤（Ｄ）としては、疎水性基を有するシランカップリング剤およびビニル基を有するシランカップリング剤を併用することができる。
【0168】
シランカップリング剤（Ｄ）としては、例えば、下記式（４）で表わされるものが挙げられる。
【0169】
Ｙｎ－Ｓｉ－（Ｘ）４－ｎ・・・（４）
上記式（４）中、ｎは１～３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。
上記式（４）中、ｎは１～３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。
【0170】
疎水性基は、炭素数１～６のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。
【0171】
また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤（Ｄ）に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。
【0172】
さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられ、中でも、シリカ粒子（Ｃ）との反応性が高いことから、シラザン基が好ましい。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式（４）中の（Ｙｎ－Ｓｉ－）の構造を２つ有するものとなる。
【0173】
上記式（４）で表されるシランカップリング剤（Ｄ）の具体例は、例えば、官能基として疎水性基を有するものとして、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン；ヘキサメチルジシラザンが挙げられ、官能基としてビニル基を有するものとして、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン；ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン；ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられるが、中でも、上記記載を考慮すると、特に、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンであるのが好ましい。
【0174】
本実施形態において、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴムが基板との適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｃ）を用いる場合においては、シリコーンゴム全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムが適度な機械特性を持つことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴムが基板との適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｃ）を用いる場合においては、シリコーンゴム全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムが適度な機械特性を持つことができる。
【0175】
＜＜白金または白金化合物（Ｅ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物（Ｅ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｅ）は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物（Ｅ）の添加量は触媒量である。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物（Ｅ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｅ）は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物（Ｅ）の添加量は触媒量である。
【0176】
白金または白金化合物（Ｅ）としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。
【0177】
なお、白金または白金化合物（Ｅ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0178】
＜＜水（Ｆ）＞＞
また、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分（Ａ）～（Ｅ）以外に、水（Ｆ）が含まれていてもよい。
また、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分（Ａ）～（Ｅ）以外に、水（Ｆ）が含まれていてもよい。
【0179】
水（Ｆ）は、シリコーンゴム系硬化性組成物に含まれる各成分を分散させる分散媒として機能するとともに、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）との反応に寄与する成分である。そのため、シリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを、より確実に互いに連結したものとすることができ、全体として均一な特性を発揮することができる。
【0180】
さらに、水（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、適宜設定することができるが、具体的には、シランカップリング剤（Ｄ）１００重量部に対して、例えば、１０～１００重量部の範囲であるのが好ましく、３０～７０重量部の範囲であるのがより好ましい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。
【0181】
（その他の成分）
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）～（Ｆ）成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子（Ｃ）以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）～（Ｆ）成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子（Ｃ）以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。
【0182】
なお、シリコーンゴム系硬化性組成物において、各成分の含有割合は特に限定されないが、例えば、以下のように設定される。
【0183】
本実施形態において、シリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対し、例えば、６０重量部以下でもよく、好ましくは５０重量部以下でもよく、さらに好ましくは４０重量部以下でもよい。これにより、硬さや引張強等の機械的強度のバランスを図ることができる。また、シリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対し、特に限定されないが、例えば、１０重量部以上でもよい。
【0184】
シランカップリング剤（Ｄ）は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）１００重量部に対し、例えば、シランカップリング剤（Ｄ）が５重量部以上１００重量部以下の割合で含有するのが好ましく、５重量部以上４０重量部以下の割合で含有するのがより好ましい。これにより、シリカ粒子（Ｃ）のシリコーンゴム系硬化性組成物中における分散性を確実に向上させることができる。
【0185】
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）の含有量は、具体的にビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）及びシリカ粒子（Ｃ）及びシランカップリング剤（Ｄ）の合計量１００重量部に対して、例えば、０．５重量部以上２０重量部以下の割合で含有することが好ましく、０．８重量部以上１５重量部以下の割合で含有するのがより好ましい。（Ｂ）の含有量が前記範囲内であることで、より効果的な硬化反応ができる可能性がある。
【0186】
白金または白金化合物（Ｅ）の含有量は、触媒量を意味し、適宜設定することができるが、具体的にビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シリカ粒子（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）の合計量に対して、本成分中の白金族金属が重量単位で０．０１～１０００ｐｐｍとなる量であり、好ましくは、０．１～５００ｐｐｍとなる量である。白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、得られるシリコーンゴム組成物を十分硬化させることができる。白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、得られるシリコーンゴム組成物の硬化速度を向上させることができる。
【0187】
さらに、水（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、適宜設定することができるが、具体的には、シランカップリング剤（Ｄ）１００重量部に対して、例えば、１０～１００重量部の範囲であるのが好ましく、３０～７０重量部の範囲であるのがより好ましい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。
【0188】
＜シリコーンゴムの製造方法＞
次に、本実施形態のシリコーンゴムの製造方法について説明する。
本実施形態のシリコーンゴムの製造方法としては、シリコーンゴム系硬化性組成物を調製し、このシリコーンゴム系硬化性組成物を硬化させることによりシリコーンゴムを得ることができる。
以下、詳述する。
次に、本実施形態のシリコーンゴムの製造方法について説明する。
本実施形態のシリコーンゴムの製造方法としては、シリコーンゴム系硬化性組成物を調製し、このシリコーンゴム系硬化性組成物を硬化させることによりシリコーンゴムを得ることができる。
以下、詳述する。
【0189】
まず、シリコーンゴム系硬化性組成物の各成分を、任意の混練装置により、均一に混合してシリコーンゴム系硬化性組成物を調製する。
【0190】
［１］たとえば、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）と、シリカ粒子（Ｃ）と、シランカップリング剤（Ｄ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置により、混練することで、これら各成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）を含有する混練物を得る。
【0191】
なお、この混練物は、予めビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを混練し、その後、シリカ粒子（Ｃ）を混練（混合）して得るのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中におけるシリカ粒子（Ｃ）の分散性がより向上する。
【0192】
また、この混練物を得る際には、水（Ｆ）を必要に応じて、各成分（Ａ）、（Ｃ）、および（Ｄ）の混練物に添加するようにしてもよい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。
【0193】
さらに、各成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）の混練は、第１温度で加熱する第１ステップと、第２温度で加熱する第２ステップとを経るようにするのが好ましい。これにより、第１ステップにおいて、シリカ粒子（Ｃ）の表面をカップリング剤（Ｄ）で表面処理することができるとともに、第２ステップにおいて、シリカ粒子（Ｃ）とカップリング剤（Ｄ）との反応で生成した副生成物を混練物中から確実に除去することができる。その後、必要に応じて、得られた混練物に対して、成分（Ａ）を添加し、更に混練してもよい。これにより、混練物の成分のなじみを向上させることができる。
【0194】
第１温度は、例えば、４０～１２０℃程度であるのが好ましく、例えば、６０～９０℃程度であるのがより好ましい。第２温度は、例えば、１３０～２１０℃程度であるのが好ましく、例えば、１６０～１８０℃程度であるのがより好ましい。
【0195】
また、第１ステップにおける雰囲気は、窒素雰囲気下のような不活性雰囲気下であるのが好ましく、第２ステップにおける雰囲気は、減圧雰囲気下であるのが好ましい。
【0196】
さらに、第１ステップの時間は、例えば、０．３～１．５時間程度であるのが好ましく、０．５～１．２時間程度であるのがより好ましい。第２ステップの時間は、例えば、０．７～３．０時間程度であるのが好ましく、１．０～２．０時間程度であるのがより好ましい。
【0197】
第１ステップおよび第２ステップを、上記のような条件とすることで、前記効果をより顕著に得ることができる。
【0198】
［２］次に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と、白金または白金化合物（Ｅ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置を用いて、上記工程［１］で調製した混練物に、各成分（Ｂ）、（Ｅ）を混練することで、シリコーンゴム系硬化性組成物を得る。得られたシリコーンゴム系硬化性組成物は溶剤を含むペーストであってもよい。
【0199】
なお、この各成分（Ｂ）、（Ｅ）の混練の際には、予め上記工程［１］で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）とを、上記工程［１］で調製した混練物と白金または白金化合物（Ｅ）とを混練し、その後、それぞれの混練物を混練するのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応を進行させることなく、各成分（Ａ）～（Ｅ）をシリコーンゴム系硬化性組成物中に確実に分散させることができる。
【0200】
各成分（Ｂ）、（Ｅ）を混練する際の温度は、ロール設定温度として、例えば、１０～７０℃程度であるのが好ましく、２５～３０℃程度であるのがより好ましい。
【0201】
さらに、混練する時間は、例えば、５分～１時間程度であるのが好ましく、１０～４０分程度であるのがより好ましい。
【0202】
上記工程［１］および上記工程［２］において、温度を上記範囲内とすることにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。また、上記工程［１］および上記工程［２］において、混練時間を上記範囲内とすることにより、各成分（Ａ）～（Ｅ）をシリコーンゴム系硬化性組成物中により確実に分散させることができる。
【0203】
なお、各工程［１］、［２］において使用される混練装置としては、特に限定されないが、例えば、ニーダー、２本ロール、バンバリーミキサー（連続ニーダー）、加圧ニーダー等を用いることができる。
【0204】
また、本工程［２］において、混練物中に１－エチニルシクロヘキサノールのような反応抑制剤を添加するようにしてもよい。これにより、混練物の温度が比較的高い温度に設定されたとしても、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。
【0205】
［３］次に、シリコーンゴム系硬化性組成物を硬化させることによりシリコーンゴムを形成する。
【0206】
本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の硬化工程は、例えば、１００～２５０℃で１～３０分間加熱（１次硬化）した後、２００℃で１～４時間ポストベーク（２次硬化）することによって行われる。
【0207】
以上のような工程を経ることで、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の硬化物からなるシリコーンゴムが得られる。
【0208】
なお、［３］次に、工程［２］で得られたシリコーンゴム系硬化性組成物を、溶剤に溶解させることにより、絶縁性ペーストを得ることができる。
また、［３］次に、工程［２］で得られたシリコーンゴム系硬化性組成物を、溶剤に溶解させ、導電性フィラーを加えることで導電性ペーストを得ることができる。
また、［３］次に、工程［２］で得られたシリコーンゴム系硬化性組成物を、溶剤に溶解させ、導電性フィラーを加えることで導電性ペーストを得ることができる。
【0209】
（溶剤）
導電性ペーストや絶縁性ペーストは、溶剤を含む。
溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
導電性ペーストや絶縁性ペーストは、溶剤を含む。
溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0210】
上記高沸点溶剤の沸点の下限値は、例えば、１００℃以上であり、好ましくは１３０℃以上であり、より好ましくは１５０℃以上である。これにより、スクリーン印刷などの印刷安定性を向上させることができる。一方で、上記高沸点溶剤の沸点の上限値は、特に限定されないが、例えば、３００℃以下でもよく、２９０℃以下でもよく、２８０℃以下でもよい。これにより、配線形成時においての過度の熱履歴を抑制できるので、下地へのダメージや、導電性ペーストで形成された配線の形状を良好に維持することができる。
【0211】
また、溶剤としては、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の溶解性や沸点の観点から適切に選択できるが、例えば、炭素数５以上２０以下の脂肪族炭化水素、好ましくは炭素数８以上１８以下の脂肪族炭化水素、より好ましくは炭素数１０以上１５以下の脂肪族炭化水素を含むことができる。
【0212】
また、溶剤の一例としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチル－ｎ－プロピルエーテル、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１－ジクロロエタン、１，２－ジクロロエタン、１，１，１－トリクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類、ジエチルカーボネートなどのエステル類などを例示することができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここで用いられる溶媒は、上記の導電性ペースト中の組成成分を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。
ここで用いられる溶媒は、上記の導電性ペースト中の組成成分を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。
【0213】
上記溶剤が、ハンセン溶解度パラメータの極性項（δｐ）の上限値が、例えば、１０ＭＰａ１／２以下であり、好ましくは７ＭＰａ１／２以下であり、より好ましくは５．５ＭＰａ１／２以下である第１溶剤を含むことができる。これにより、ペースト中においてシリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の分散性や溶解性を良好なものとすることができる。この第１溶剤の上記極性項（δｐ）の下限値は、特に限定されないが、例えば、０Ｐａ１／２以上でもよい。
【0214】
上記第１溶剤におけるハンセン溶解度パラメータの水素結合項（δｈ）の上限値が、例えば、２０ＭＰａ１／２以下であり、好ましくは１０ＭＰａ１／２以下であり、より好ましくは７ＭＰａ１／２以下である。これにより、ペースト中において、シリコーンゴム系硬化性樹脂組成物の分散性や溶解性を良好なものとすることができる。この第１溶剤の上記水素結合項（δｈ）の下限値は、特に限定されないが、例えば、０Ｐａ１／２以上でもよい。
【0215】
ハンセンの溶解度パラメータ（ＨＳＰ）は、ある物質が他のある物質にどのくらい溶けるのかという溶解性を表す指標である。ＨＳＰは、溶解性を３次元のベクトルで表す。この３次元ベクトルは、代表的には、分散項（δｄ）、極性項（δｐ）、水素結合項（δｈ）で表すことができる。そしてベクトルが似ているもの同士は、溶解性が高いと判断できる。ベクトルの類似度をハンセン溶解度パラメータの距離（ＨＳＰ距離）で判断することが可能である。
【0216】
本明細書で用いている、ハンセン溶解度パラメーター（ＨＳＰ値）は、ＨＳＰｉＰ（Ｈａｎｓｅｎ Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ Ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ ｉｎ Ｐｒａｃｔｉｃｅ）というソフトを用いて算出することができる。ここで、ハンセンとアボットが開発したコンピューターソフトウエアＨＳＰｉＰには、ＨＳＰ距離を計算する機能と様々な樹脂と溶剤もしくは非溶剤のハンセンパラメーターを記載したデータベースが含まれている。
各樹脂の純溶剤および良溶剤と貧溶剤の混合溶剤に対する溶解性を調べ、ＨＳＰｉＰソフトにその結果を入力し、Ｄ：分散項、Ｐ：極性項、Ｈ：水素結合項、Ｒ０：溶解球半径を算出する。
各樹脂の純溶剤および良溶剤と貧溶剤の混合溶剤に対する溶解性を調べ、ＨＳＰｉＰソフトにその結果を入力し、Ｄ：分散項、Ｐ：極性項、Ｈ：水素結合項、Ｒ０：溶解球半径を算出する。
【0217】
本実施形態の溶剤としては、例えば、エラストマーやエラストマーを構成する構成単位と溶剤との、ＨＳＰ距離、極性項や水素結合項の差分が小さいもの選択することができる。
【0218】
室温２５℃においてせん断速度２０〔１／ｓ〕で測定した時の導電性ペースト及び／又は絶縁性ペーストの粘度の下限値は、例えば、１Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは５Ｐａ・ｓ以上であり、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上である。これにより、成膜性を向上させることができる。また、厚膜形成時においても形状保持性を高めることができる。一方で、室温２５℃における導電性ペースト及び／又は絶縁性ペーストの粘度の上限値は、例えば、１００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは９０Ｐａ・ｓ以下であり、より好ましくは８０Ｐａ・ｓ以下である。これにより、ペーストにおける印刷性を向上させることができる。
【0219】
室温２５℃において、せん断速度１〔１／ｓ〕で測定した時の粘度をη１とし、せん断速度５〔１／ｓ〕で測定した時の粘度をη５とし、チキソ指数を粘度比（η１／η５）とする。
このとき、導電性ペースト及び／又は絶縁性ペーストのチキソ指数の下限値は、例えば、１．０以上であり、好ましくは１．１以上であり、より好ましくは１．２以上である。これにより、印刷法で得られた配線の形状を安定的に保持することができる。一方で、導電性ペースト及び／又は絶縁性ペーストのチキソ指数の上限値は、例えば、３．０以下であり、好ましくは２．５以下であり、より好ましくは２．０以下である。これにより、ペーストの印刷容易性を向上させることができる。
このとき、導電性ペースト及び／又は絶縁性ペーストのチキソ指数の下限値は、例えば、１．０以上であり、好ましくは１．１以上であり、より好ましくは１．２以上である。これにより、印刷法で得られた配線の形状を安定的に保持することができる。一方で、導電性ペースト及び／又は絶縁性ペーストのチキソ指数の上限値は、例えば、３．０以下であり、好ましくは２．５以下であり、より好ましくは２．０以下である。これにより、ペーストの印刷容易性を向上させることができる。
【0220】
絶縁性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、絶縁性ペースト１００質量％中、１０質量％以上であることが好ましく、１５質量％以上であることがより好ましく、２０質量％以上であることがさらに好ましい。また、絶縁性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、絶縁性ペースト１００質量％中、５０質量％以下であることが好ましく、４０質量％以下であることがより好ましく、３５質量％以下であることがさらに好ましい。
【0221】
（導電性フィラー）
導電性フィラーとしては、公知の導電材料を用いてもよいが、金属粉（Ｇ）、又は導電性炭素材料を用いてもよい。
金属粉（Ｇ）を構成する金属は特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。これらのうち、金属粉（Ｇ）としては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。なお、これらの金属粉（Ｇ）は他種金属でコートしたものも使用できる。
導電性フィラーとしては、公知の導電材料を用いてもよいが、金属粉（Ｇ）、又は導電性炭素材料を用いてもよい。
金属粉（Ｇ）を構成する金属は特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。これらのうち、金属粉（Ｇ）としては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。なお、これらの金属粉（Ｇ）は他種金属でコートしたものも使用できる。
【0222】
導電性炭素材料としては、例えば、導電性カーボンブラック、カーボンナノチューブ、グラフェン等が挙げられる。
【0223】
本実施形態において、金属粉（Ｇ）の形状には制限がないが、樹枝状、球状、リン片状等の従来から用いられているものが使用できる。この中でも、リン片状の金属粉（Ｇ）を用いてもよい。
【0224】
また、金属粉（Ｇ）の粒径も制限されないが、たとえば平均粒径Ｄ５０で０．００１μｍ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、さらに好ましくは０．１μｍ以上である。金属粉（Ｇ）の粒径は、たとえば平均粒径Ｄ５０で１，０００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１００μｍ以下であり、さらに好ましくは２０μｍ以下である。
平均粒径Ｄ５０をこのような範囲に設定することで、シリコーンゴムとして適度な導電性を発揮することができる。
なお、金属粉（Ｇ）の粒径は、たとえば、導電性ペースト、あるいは導電性ペーストを用いて成形したシリコーンゴムについて透過型電子顕微鏡等で観察の上、画像解析を行い、任意に選んだ金属粉２００個の平均値として定義することができる。
平均粒径Ｄ５０をこのような範囲に設定することで、シリコーンゴムとして適度な導電性を発揮することができる。
なお、金属粉（Ｇ）の粒径は、たとえば、導電性ペースト、あるいは導電性ペーストを用いて成形したシリコーンゴムについて透過型電子顕微鏡等で観察の上、画像解析を行い、任意に選んだ金属粉２００個の平均値として定義することができる。
【0225】
導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量は、導電性ペーストの全体に対して、３０質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量は、導電性ペーストの全体に対して、８５質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下であることがより好ましく、６５質量％以下であることがさらに好ましい。
導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴムが適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムが適度な柔軟性を持つことができる。
導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴムが適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムが適度な柔軟性を持つことができる。
【0226】
導電性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、導電性ペースト１００質量％中、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、導電性ペースト１００質量％中、２５質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以下であることがさらに好ましい。
シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴムが適度な柔軟性を持つことができる。また、シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムの機械的強度の向上を図ることができる。
シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴムが適度な柔軟性を持つことができる。また、シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記上限値以下とすることにより、シリコーンゴムの機械的強度の向上を図ることができる。
【0227】
導電性ペースト中におけるシリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、１質量％以上であり、好ましくは３質量％以上であり、より好ましくは５質量％以上とすることができる。これにより、シリコーンゴムの機械的強度を向上させることができる。一方で、上記導電性ペースト中における上記シリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、２０質量％以下であり、好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以下である。これにより、シリコーンゴムにおける伸縮電気特性と機械的強度のバランスを図ることができる。
【0228】
伸縮性配線１３０を構成する導電性ペーストを硬化させた導電硬化物中の導電性フィラーの含有量の下限は、導電硬化物の１００質量％中、例えば、６５質量％以上、好ましくは７０質量％以上、より好ましくは７５質量％以上である。これにより、伸縮電気特性を高められる。一方、導電硬化物中の導電性フィラーの含有量の上限は、導伸縮性配線１３０の１００質量％中、例えば、９５質量％以下、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下である。これにより、伸縮性などのゴム特性の低下を抑制できる。
【0229】
次に、本実施形態の舌運動計測デバイスの製造工程の一例について説明する。
【0230】
本実施形態の舌運動計測デバイスは、伸縮性基板を形成する工程、伸縮性基板の上に伸縮性配線を形成する工程、及び伸縮性配線に圧力センサを搭載する工程を含む。
【0231】
まず、支持体上に絶縁性ペーストを塗工する。塗工方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば、スキージを用いたスキージ方法などの印刷法を用いることができる。続いて、塗膜状の絶縁性ペーストを乾燥させて、支持体上に絶縁層（絶縁性エラストマーで構成される伸縮性基板）を形成する。乾燥条件は、絶縁性ペースト中の溶剤の種類や量に応じて適宜設定することができるが、例えば、乾燥温度を１２０℃～１８０℃、乾燥時間を１分～３０分等とすることができる。
【0232】
なお、伸縮性基板は、上記シリコーンゴム系硬化性組成物を用い、カレンダー成形やコンプレッション成形などの成形方法にて形成されてもよい。或いは、伸縮性基板は、公知のエラストマー材料をシート状などの所定形状に成形することで得られる。
【0233】
続いて、絶縁層上に、所定の開口パターン形状を有するマスクを配置する。マスクを介して、絶縁層上に導電性ペーストを塗工する。
塗工方法は、絶縁性ペーストの塗工方法と同様の手法を用いることができ、例えば、スキージによるスキージ印刷を用いてもよい。
ここで、絶縁性ペーストおよび導電性ペーストがそれぞれシリコーンゴム系硬化性組成物を含む場合、乾燥した絶縁層上に、所定のパターン形状を有する導電性塗膜（導電層）を積層した後、これらを一括して硬化処理してもよい。硬化処理としては、シリコーンゴム系硬化性組成物に応じて適宜設定できるが、例えば、硬化温度を１２０℃～２２０℃、硬化時間を１時間～３時間等とすることができる。硬化処理後または硬化処理前に、マスクを取り外すことができる。これにより、絶縁層の硬化物で構成される伸縮性基板上に、所定のパターン形状を有する、導電層の硬化物（導電性エラストマーで構成される伸縮性配線）を形成することができる。
塗工方法は、絶縁性ペーストの塗工方法と同様の手法を用いることができ、例えば、スキージによるスキージ印刷を用いてもよい。
ここで、絶縁性ペーストおよび導電性ペーストがそれぞれシリコーンゴム系硬化性組成物を含む場合、乾燥した絶縁層上に、所定のパターン形状を有する導電性塗膜（導電層）を積層した後、これらを一括して硬化処理してもよい。硬化処理としては、シリコーンゴム系硬化性組成物に応じて適宜設定できるが、例えば、硬化温度を１２０℃～２２０℃、硬化時間を１時間～３時間等とすることができる。硬化処理後または硬化処理前に、マスクを取り外すことができる。これにより、絶縁層の硬化物で構成される伸縮性基板上に、所定のパターン形状を有する、導電層の硬化物（導電性エラストマーで構成される伸縮性配線）を形成することができる。
【0234】
その後、伸縮性配線上に圧力センサを搭載し、例えば、導電性ペーストや半田材料等の接続材料を用いて、これらを電気的に接続する。
【0235】
必要に応じて、伸縮性配線上に、その表面を被覆する伸縮性カバー部を形成してもよい
例えば、所定の開口パターン形状を有するマスクを配置し、マスクを介して、絶縁性ペーストを塗工し、絶縁層（伸縮性カバー部）を形成することができる。なお、上記の硬化処理は、伸縮性カバー部を形成した後、その他の基板上の部材（伸縮性配線など）と一括して行ってもよい。
以上により、舌運動計測デバイスが得られる。
例えば、所定の開口パターン形状を有するマスクを配置し、マスクを介して、絶縁性ペーストを塗工し、絶縁層（伸縮性カバー部）を形成することができる。なお、上記の硬化処理は、伸縮性カバー部を形成した後、その他の基板上の部材（伸縮性配線など）と一括して行ってもよい。
以上により、舌運動計測デバイスが得られる。
【0236】
以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 被験者の舌運動を計測する舌運動計測デバイスであって、
１個または２個以上の、舌圧力を計測する圧力センサと、
前記圧力センサに電気的に接続されており、１０％以上伸長可能な伸縮性配線と、
前記圧力センサ、及び前記伸縮性配線が設けられた基板と、
を備える、舌運動計測デバイス。
２． １．に記載の舌運動計測デバイスであって、
２５℃、未伸長時における前記伸縮性配線の体積抵抗率が、１×１０ －５ Ω・ｃｍ以上１×１０ －１ Ω・ｃｍ以下である、舌運動計測デバイス。
３． １．又は２．に記載の舌運動計測デバイスであって、
ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して測定される、２５℃における前記基板の引裂強度が、２５Ｎ／ｍｍ以上である、舌運動計測デバイス。
４． １．～３．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して測定される、２５℃における前記基板の破断伸びが、１００％以上である、舌運動計測デバイス。
５． １．～４．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
２５℃、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して測定される、前記基板の引張強度が、５．０ＭＰａ以上である、舌運動計測デバイス。
６． １．～５．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記伸縮性配線が、導電性フィラー及びエラストマー材料を含む導電性ペーストの印刷物で構成される、舌運動計測デバイス。
７． １．～６．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記伸縮性配線が、導電性フィラー及びエラストマー材料を含む、舌運動計測デバイス。
８． １．～７．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記基板が、非導電性フィラー及びエラストマー材料を含む、舌運動計測デバイス。
９． １．～８．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記圧力センサが、導電性炭素材料及びエラストマー材料を含む、舌運動計測デバイス。
１０． １．～９．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記伸縮性配線の表面を覆う、エラストマー材料を含む伸縮性カバー部を備える、舌運動計測デバイス。
１１． ７．～１０．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記エラストマー材料が、シリコーンゴムを含む、舌運動計測デバイス。
１２． １．～１１．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスと、
制御部と、を備え、
前記制御部が、前記圧力センサの検知結果から、前記被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する舌運動情報取得部を有する、舌運動モニタリング装置。
１３． １２．に記載の舌運動モニタリング装置であって、
前記舌運動情報が、舌圧力、舌圧力分布、及びこれらの経時変化の少なくとも一または二以上を含む、舌運動モニタリング装置。
１４． １２．又は１３．に記載の舌運動モニタリング装置であって、
前記制御部が、得られた前記舌運動情報に基づいて、前記被験者の舌機能の合否を判定する解析部を有する、舌運動モニタリング装置。
１５． １４．に記載の舌運動モニタリング装置であって、
前記舌機能が、乳児の吸啜能力である、舌運動モニタリング装置。
１６． １４．又は１５のいずれか一つに記載の舌運動モニタリング装置であって、
少なくとも前記舌運動情報及び／又は前記解析部により示された結果を表示する表示部を備える、舌運動モニタリング装置。
１７． １４．～１６．のいずれか一つに記載の舌運動モニタリング装置であって、
前記舌運動情報及び／又は前記解析部により示された結果を外部端末に無線送信する無線部を備える、舌運動モニタリング装置。
１８． １．～１１．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスを用いる舌運動モニタリング方法であって、
前記圧力センサの検知結果から、前記被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する工程を有する、舌運動モニタリング方法。
１９． １８．に記載の舌運動モニタリング方法であって、
得られた前記舌運動情報に基づいて、前記被験者の舌機能の合否を判定する工程を含む、舌運動モニタリング方法。
以下、参考形態の例を付記する。
１． 被験者の舌運動を計測する舌運動計測デバイスであって、
１個または２個以上の、舌圧力を計測する圧力センサと、
前記圧力センサに電気的に接続されており、１０％以上伸長可能な伸縮性配線と、
前記圧力センサ、及び前記伸縮性配線が設けられた基板と、
を備える、舌運動計測デバイス。
２． １．に記載の舌運動計測デバイスであって、
２５℃、未伸長時における前記伸縮性配線の体積抵抗率が、１×１０ －５ Ω・ｃｍ以上１×１０ －１ Ω・ｃｍ以下である、舌運動計測デバイス。
３． １．又は２．に記載の舌運動計測デバイスであって、
ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して測定される、２５℃における前記基板の引裂強度が、２５Ｎ／ｍｍ以上である、舌運動計測デバイス。
４． １．～３．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して測定される、２５℃における前記基板の破断伸びが、１００％以上である、舌運動計測デバイス。
５． １．～４．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
２５℃、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して測定される、前記基板の引張強度が、５．０ＭＰａ以上である、舌運動計測デバイス。
６． １．～５．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記伸縮性配線が、導電性フィラー及びエラストマー材料を含む導電性ペーストの印刷物で構成される、舌運動計測デバイス。
７． １．～６．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記伸縮性配線が、導電性フィラー及びエラストマー材料を含む、舌運動計測デバイス。
８． １．～７．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記基板が、非導電性フィラー及びエラストマー材料を含む、舌運動計測デバイス。
９． １．～８．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記圧力センサが、導電性炭素材料及びエラストマー材料を含む、舌運動計測デバイス。
１０． １．～９．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記伸縮性配線の表面を覆う、エラストマー材料を含む伸縮性カバー部を備える、舌運動計測デバイス。
１１． ７．～１０．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスであって、
前記エラストマー材料が、シリコーンゴムを含む、舌運動計測デバイス。
１２． １．～１１．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスと、
制御部と、を備え、
前記制御部が、前記圧力センサの検知結果から、前記被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する舌運動情報取得部を有する、舌運動モニタリング装置。
１３． １２．に記載の舌運動モニタリング装置であって、
前記舌運動情報が、舌圧力、舌圧力分布、及びこれらの経時変化の少なくとも一または二以上を含む、舌運動モニタリング装置。
１４． １２．又は１３．に記載の舌運動モニタリング装置であって、
前記制御部が、得られた前記舌運動情報に基づいて、前記被験者の舌機能の合否を判定する解析部を有する、舌運動モニタリング装置。
１５． １４．に記載の舌運動モニタリング装置であって、
前記舌機能が、乳児の吸啜能力である、舌運動モニタリング装置。
１６． １４．又は１５のいずれか一つに記載の舌運動モニタリング装置であって、
少なくとも前記舌運動情報及び／又は前記解析部により示された結果を表示する表示部を備える、舌運動モニタリング装置。
１７． １４．～１６．のいずれか一つに記載の舌運動モニタリング装置であって、
前記舌運動情報及び／又は前記解析部により示された結果を外部端末に無線送信する無線部を備える、舌運動モニタリング装置。
１８． １．～１１．のいずれか一つに記載の舌運動計測デバイスを用いる舌運動モニタリング方法であって、
前記圧力センサの検知結果から、前記被験者の舌運動に関する舌運動情報を取得する工程を有する、舌運動モニタリング方法。
１９． １８．に記載の舌運動モニタリング方法であって、
得られた前記舌運動情報に基づいて、前記被験者の舌機能の合否を判定する工程を含む、舌運動モニタリング方法。
【実施例】
【0237】
以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
表１に示す原料成分を以下に示す。
（Ａ１－１）：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：下記の合成スキーム１により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１－１）で表わされる構造）
（Ａ１－２）：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：下記の合成スキーム２により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１－１）で表わされる構造でＲ１およびＲ２がビニル基である構造）
表１に示す原料成分を以下に示す。
（Ａ１－１）：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：下記の合成スキーム１により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１－１）で表わされる構造）
（Ａ１－２）：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：下記の合成スキーム２により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１－１）で表わされる構造でＲ１およびＲ２がビニル基である構造）
【0238】
（オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ））
（Ｂ－１）：オルガノハイドロジェンポリシロキサン：モメンティブ社製、「ＴＣ－２５Ｄ」
（Ｂ－１）：オルガノハイドロジェンポリシロキサン：モメンティブ社製、「ＴＣ－２５Ｄ」
【0239】
（シリカ粒子（Ｃ））
（Ｃ）：シリカ微粒子（粒径７ｎｍ、比表面積３００ｍ２／ｇ）、日本アエロジル社製、「ＡＥＲＯＳＩＬ３００」
（Ｃ）：シリカ微粒子（粒径７ｎｍ、比表面積３００ｍ２／ｇ）、日本アエロジル社製、「ＡＥＲＯＳＩＬ３００」
【0240】
（シランカップリング剤（Ｄ））
（Ｄ－１）：ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＺ）、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「ＨＥＸＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＨ６１１０．１）」
（Ｄ－２）ジビニルテトラメチルジシラザン、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「１，３－ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＤ４６１２．０）」
（Ｄ－１）：ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＺ）、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「ＨＥＸＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＨ６１１０．１）」
（Ｄ－２）ジビニルテトラメチルジシラザン、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「１，３－ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＤ４６１２．０）」
【0241】
（白金または白金化合物（Ｅ））
（Ｅ－１）：白金化合物 （モメンティブ社製、商品名「ＴＣ―２５Ａ」）
（Ｅ－１）：白金化合物 （モメンティブ社製、商品名「ＴＣ―２５Ａ」）
【0242】
（水（Ｆ））
（Ｆ）：純水
（Ｆ）：純水
【0243】
（金属粉（Ｇ））
（Ｇ１）：銀粉、徳力化学研究所社製、商品名「ＴＣ－１０１」、メジアン径ｄ５０：８．０μｍ、アスペクト比１６．４、平均長径４．６μｍ
（Ｇ１）：銀粉、徳力化学研究所社製、商品名「ＴＣ－１０１」、メジアン径ｄ５０：８．０μｍ、アスペクト比１６．４、平均長径４．６μｍ
【0244】
（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合成）
［合成スキーム１：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）の合成］
下記式（５）にしたがって、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）を合成した。
すなわち、Ａｒガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する３００ｍＬセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、カリウムシリコネート０．１ｇを入れ、昇温し、１２０℃で３０分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、１５５℃まで昇温し、３時間攪拌を続けた。そして、３時間後、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン０．１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに、１５５℃で４時間攪拌した。
さらに、４時間後、トルエン２５０ｍＬで希釈した後、水で３回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール１．５Ｌで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを６０℃で一晩減圧乾燥し、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）を得た（Ｍｎ＝２，２×１０５、Ｍｗ＝４，８×１０５）。また、Ｈ－ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．０４モル％であった。
［合成スキーム１：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）の合成］
下記式（５）にしたがって、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）を合成した。
すなわち、Ａｒガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する３００ｍＬセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、カリウムシリコネート０．１ｇを入れ、昇温し、１２０℃で３０分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、１５５℃まで昇温し、３時間攪拌を続けた。そして、３時間後、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン０．１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに、１５５℃で４時間攪拌した。
さらに、４時間後、トルエン２５０ｍＬで希釈した後、水で３回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール１．５Ｌで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを６０℃で一晩減圧乾燥し、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）を得た（Ｍｎ＝２，２×１０５、Ｍｗ＝４，８×１０５）。また、Ｈ－ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．０４モル％であった。
【0245】
【化5】
【0246】
［合成スキーム２：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）の合成］
上記（Ａ１－１）の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）に加えて２，４，６，８－テトラメチル２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン０．８６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、（Ａ１－１）の合成工程と同様にすることで、下記式（６）のように、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）を合成した。また、Ｈ－ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．９２モル％であった。
上記（Ａ１－１）の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）に加えて２，４，６，８－テトラメチル２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン０．８６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、（Ａ１－１）の合成工程と同様にすることで、下記式（６）のように、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）を合成した。また、Ｈ－ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．９２モル％であった。
【0247】
【化6】
【0248】
（シリコーンゴム系硬化性組成物の調製）
以下の手順に従って、サンプル１、２、３のシリコーンゴム系硬化性組成物を調整した。
まず、下記の表１に示す割合で、９０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シランカップリング剤（Ｄ）および水（Ｆ）の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子（Ｃ）を加えてさらに混練し、混練物（シリコーンゴムコンパウンド）を得た。
ここで、シリカ粒子（Ｃ）添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、６０～９０℃の条件下で１時間混練する第１ステップと、副生成物（アンモニア）の除去のために減圧雰囲気下、１６０～１８０℃の条件下で２時間混練する第２ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り１０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を２回に分けて添加し、２０分間混練した。
続いて、下記の表２に示す割合で、得られた混練物（シリコーンゴムコンパウンド）１００重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、白金または白金化合物（Ｅ）を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物を得た。
以下の手順に従って、サンプル１、２、３のシリコーンゴム系硬化性組成物を調整した。
まず、下記の表１に示す割合で、９０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シランカップリング剤（Ｄ）および水（Ｆ）の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子（Ｃ）を加えてさらに混練し、混練物（シリコーンゴムコンパウンド）を得た。
ここで、シリカ粒子（Ｃ）添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、６０～９０℃の条件下で１時間混練する第１ステップと、副生成物（アンモニア）の除去のために減圧雰囲気下、１６０～１８０℃の条件下で２時間混練する第２ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り１０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を２回に分けて添加し、２０分間混練した。
続いて、下記の表２に示す割合で、得られた混練物（シリコーンゴムコンパウンド）１００重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、白金または白金化合物（Ｅ）を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物を得た。
【0249】
（絶縁性ペーストの調製）
得られた３２重量部のサンプル１のシリコーンゴム系硬化性組成物を、６８重量部のデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、絶縁性ペーストを得た。
得られた３２重量部のサンプル１のシリコーンゴム系硬化性組成物を、６８重量部のデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、絶縁性ペーストを得た。
【0250】
（導電性ペーストの調製）
得られた１３．７重量部のサンプル２のシリコーンゴム系硬化性組成物を、３１．８重量部のデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の金属粉（Ｇ１）を加えた後に三本ロールで混練することで、導電性ペースト１を得た。
得られた１３．７重量部のサンプル２のシリコーンゴム系硬化性組成物を、３１．８重量部のデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の金属粉（Ｇ１）を加えた後に三本ロールで混練することで、導電性ペースト１を得た。
【0251】
また、得られた１１．１重量部のサンプル２のシリコーンゴム系硬化性組成物を、２５．９重量部のデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、６３．０重量部の金属粉（Ｇ１）を加えた後に三本ロールで混練することで、導電性ペースト２を得た。
【0252】
【表1】
【0253】
［実施例１］
（舌運動計測デバイスの作製）
得られたサンプル３のシリコーンゴム系硬化性組成物を１７０℃、１０ＭＰａで１０分間プレスし、厚み：１５０μｍのシート状に成形すると共に、一次硬化した。続いて、２００℃、４時間で二次硬化して、硬度約７０のシート状シリコーンゴム（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を得た。それを幅：１３ｃｍ×長さ：１５ｃｍに切り出し、伸縮性基板（基板）を作製した。
続いて、得られた導電性ペースト１を用い、所定パターンを有するマスクを介して、幅：０．４ｍｍ、厚み：４０μｍの配線を伸縮性基板の一面上に、図５に示すように、１９本描き、１４０℃、３０分で乾燥し、伸縮性配線を形成した。
続いて、得られた絶縁性ペーストを用いて、所定パターンを有するマスクを介して、伸縮性配線上に塗膜を形成し、１４０℃、３０分で乾燥することにより、厚み５０μｍのカバー部を形成した。ただし、伸縮性配線の両端を露出するように、カバー部に開口部を形成した。
その後、対応する４本（電源、ＧＮＤ（各センサ共通）、出力信号（＋）、出力信号（－））の伸縮性配線の端部をまたがるようにして、６個の圧力センサ（フォースセンサ、ＨＳＦＰＡＲ００３Ａ、アルプスアルパイン社製）を載せ、これらを上記導電ペースト１により接着し、１３０℃、２時間乾燥、硬化した。
以上により、図５に示す舌運動計測デバイスを得た。
（舌運動計測デバイスの作製）
得られたサンプル３のシリコーンゴム系硬化性組成物を１７０℃、１０ＭＰａで１０分間プレスし、厚み：１５０μｍのシート状に成形すると共に、一次硬化した。続いて、２００℃、４時間で二次硬化して、硬度約７０のシート状シリコーンゴム（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を得た。それを幅：１３ｃｍ×長さ：１５ｃｍに切り出し、伸縮性基板（基板）を作製した。
続いて、得られた導電性ペースト１を用い、所定パターンを有するマスクを介して、幅：０．４ｍｍ、厚み：４０μｍの配線を伸縮性基板の一面上に、図５に示すように、１９本描き、１４０℃、３０分で乾燥し、伸縮性配線を形成した。
続いて、得られた絶縁性ペーストを用いて、所定パターンを有するマスクを介して、伸縮性配線上に塗膜を形成し、１４０℃、３０分で乾燥することにより、厚み５０μｍのカバー部を形成した。ただし、伸縮性配線の両端を露出するように、カバー部に開口部を形成した。
その後、対応する４本（電源、ＧＮＤ（各センサ共通）、出力信号（＋）、出力信号（－））の伸縮性配線の端部をまたがるようにして、６個の圧力センサ（フォースセンサ、ＨＳＦＰＡＲ００３Ａ、アルプスアルパイン社製）を載せ、これらを上記導電ペースト１により接着し、１３０℃、２時間乾燥、硬化した。
以上により、図５に示す舌運動計測デバイスを得た。
【0254】
得られた舌運動計測デバイスの基板において、硬度が６９．９、引裂強度が５２．７Ｎ／ｍｍ、引張強度が１０．７ＭＰａ以上、破断伸びが５５３％であった。
また、舌運動計測デバイスの伸縮性配線において、２５℃における体積抵抗値が３．２×１０－４Ω・ｃｍであった。
また、舌運動計測デバイスの伸縮性配線において、２５℃における体積抵抗値が３．２×１０－４Ω・ｃｍであった。
【0255】
（硬度）
基板に用いたサンプル３のシリコーンゴム系硬化性組成物を１７０℃、１０ＭＰａで１０分間プレスし、シート状に成形すると共に、一次硬化した。続いて、２００℃、４時間で二次硬化して、厚み：１５０μｍのシート状の基板（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を試験片として用いた。
上記試験片を厚さ６ｍｍになるように積層し、ＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠して、２５℃における、得られたシート状試験片のデュロメータ硬さＡを測定した。
（引裂強度）
上記試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して、２５℃における引裂強度を測定した。単位はＮ／ｍｍである。
（引張強度）
上記試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、２５℃における引張強度を測定した。単位はＭＰａである。
（破断伸び）
上記試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、破断伸びを測定した。破断伸びは、［チャック間移動距離（ｍｍ）］÷［初期チャック間距離（３５ｍｍ）］×１００で計算した。単位は％である。
基板に用いたサンプル３のシリコーンゴム系硬化性組成物を１７０℃、１０ＭＰａで１０分間プレスし、シート状に成形すると共に、一次硬化した。続いて、２００℃、４時間で二次硬化して、厚み：１５０μｍのシート状の基板（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を試験片として用いた。
上記試験片を厚さ６ｍｍになるように積層し、ＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠して、２５℃における、得られたシート状試験片のデュロメータ硬さＡを測定した。
（引裂強度）
上記試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して、２５℃における引裂強度を測定した。単位はＮ／ｍｍである。
（引張強度）
上記試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、２５℃における引張強度を測定した。単位はＭＰａである。
（破断伸び）
上記試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、破断伸びを測定した。破断伸びは、［チャック間移動距離（ｍｍ）］÷［初期チャック間距離（３５ｍｍ）］×１００で計算した。単位は％である。
【0256】
［比較例１］
導電性ペースト１に代えて、導電性ペースト２を使用した以外、実施例１と同様にして、舌運動計測デバイスを作製した。
導電性ペースト１に代えて、導電性ペースト２を使用した以外、実施例１と同様にして、舌運動計測デバイスを作製した。
【0257】
得られた舌運動計測デバイスについて、以下の項目を評価した。
【0258】
＜伸縮耐久性＞
得られた実施例・比較例の舌運動計測デバイスを、伸縮配線の延在方向に対して２０％伸長する伸長操作を１０回繰り返し、そのときの、配線間の抵抗値を経時的に測定した。
比較例１において、初回の伸長操作後に配線間の抵抗値が測定不能となったことから、配線が断線したと判断した。
実施例１において、未伸長時の抵抗値が３４Ω、１０回伸長後の未伸長時抵抗値が３８Ω、１０回伸長操作中伸長時における最大抵抗値が５６Ωであった。実施例１の舌運動計測デバイスは、伸長操作後においても配線間の抵抗が測定可能であることを確認した。なお、抵抗は２５℃環境下で測定した。
また、実施例１の舌運動計測デバイスにおいて、繰り返し伸長操作後においても、基板と伸縮性配線との剥離が生じないことを確認した。
得られた実施例・比較例の舌運動計測デバイスを、伸縮配線の延在方向に対して２０％伸長する伸長操作を１０回繰り返し、そのときの、配線間の抵抗値を経時的に測定した。
比較例１において、初回の伸長操作後に配線間の抵抗値が測定不能となったことから、配線が断線したと判断した。
実施例１において、未伸長時の抵抗値が３４Ω、１０回伸長後の未伸長時抵抗値が３８Ω、１０回伸長操作中伸長時における最大抵抗値が５６Ωであった。実施例１の舌運動計測デバイスは、伸長操作後においても配線間の抵抗が測定可能であることを確認した。なお、抵抗は２５℃環境下で測定した。
また、実施例１の舌運動計測デバイスにおいて、繰り返し伸長操作後においても、基板と伸縮性配線との剥離が生じないことを確認した。
【0259】
＜装着感＞
実施例１の舌運動計測デバイスを、指に巻き付けてみたとき、被験者の装着違和感が少ないことを確認した。
実施例１の舌運動計測デバイスを、指に巻き付けてみたとき、被験者の装着違和感が少ないことを確認した。
【0260】
＜舌運動計測＞
（舌運動モニタリング装置の作製）
得られた実施例１の舌運動計測デバイスの伸縮性配線を、Ａ／Ｄ変換回路（サンプリング周波数：１００Ｈｚ、量子化分解能：１０ｂｉｔ）を介して、ＰＣに電気的に接続し、舌運動モニタリング装置を作製した。
（舌運動モニタリング装置の作製）
得られた実施例１の舌運動計測デバイスの伸縮性配線を、Ａ／Ｄ変換回路（サンプリング周波数：１００Ｈｚ、量子化分解能：１０ｂｉｔ）を介して、ＰＣに電気的に接続し、舌運動モニタリング装置を作製した。
【0261】
（特性評価）
荷重測定器を用いて圧力センサに外力（Ｎ）を付与し、圧力センサから出力される出力電圧（Ｖ）を測定した。力（Ｎ）は、受圧面の面積で除して、圧力（ｋＰａ）に変換した。
圧力センサにおける非線形性の出力電圧は、近似曲線を用い、近似誤差が１２％以内となるように、圧力（ｋＰａ）に変換した。
圧力センサの受圧面に３Ｎの力を付与し、それを瞬時に取り除いた際の応答時間を測定した。
以上の舌運動モニタリング装置を用いて、圧力センサに外力が付与された（出力電圧を圧力に変換したときの）力（Ｐａ）と応答時間との関係を測定できることが確認された。
荷重測定器を用いて圧力センサに外力（Ｎ）を付与し、圧力センサから出力される出力電圧（Ｖ）を測定した。力（Ｎ）は、受圧面の面積で除して、圧力（ｋＰａ）に変換した。
圧力センサにおける非線形性の出力電圧は、近似曲線を用い、近似誤差が１２％以内となるように、圧力（ｋＰａ）に変換した。
圧力センサの受圧面に３Ｎの力を付与し、それを瞬時に取り除いた際の応答時間を測定した。
以上の舌運動モニタリング装置を用いて、圧力センサに外力が付与された（出力電圧を圧力に変換したときの）力（Ｐａ）と応答時間との関係を測定できることが確認された。
【0262】
（被験者の舌運動モニタリング）
舌運動計測デバイスの基板を指に巻き付けた状態で、被験者（成人、男性、３８歳）の口腔内に挿入し、指先に配置した圧力センサを被験者の舌の表面上に静置した。
被験者が舌を動かした際、経時的に、舌運動から受ける外力（圧力）をモニタリングできることが確認された。
舌運動計測デバイスの基板を指に巻き付けた状態で、被験者（成人、男性、３８歳）の口腔内に挿入し、指先に配置した圧力センサを被験者の舌の表面上に静置した。
被験者が舌を動かした際、経時的に、舌運動から受ける外力（圧力）をモニタリングできることが確認された。
【符号の説明】
【0263】
１ 舌運動モニタリング装置
３ 制御部
４ 表示部
５ 操作部
６ 報知部
１００ 舌運動計測デバイス
１０１ 第一センサ
１０２ 第二センサ
１１０ 圧力センサ
１２０ 基板
１２１ 一面
１３０ 伸縮性配線
１３１ 第一配線
１３２ 第二配線
１３３ 第三配線
１３４ 第四配線
１４０ カバー部
３ 制御部
４ 表示部
５ 操作部
６ 報知部
１００ 舌運動計測デバイス
１０１ 第一センサ
１０２ 第二センサ
１１０ 圧力センサ
１２０ 基板
１２１ 一面
１３０ 伸縮性配線
１３１ 第一配線
１３２ 第二配線
１３３ 第三配線
１３４ 第四配線
１４０ カバー部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】