特許 7532204 情報処理システム、および情報処理システムの動作方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-02

(45)【発行日】2024-08-13

(54)【発明の名称】情報処理システム、および情報処理システムの動作方法

(51)【国際特許分類】

   G11C 11/405 20060101AFI20240805BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20240805BHJP

   H01L 29/788 20060101ALI20240805BHJP

   H01L 29/792 20060101ALI20240805BHJP

   H01L 29/786 20060101ALI20240805BHJP

   H01L 21/8234 20060101ALI20240805BHJP

   H01L 27/06 20060101ALI20240805BHJP

   H01L 27/088 20060101ALI20240805BHJP

   G11C 11/56 20060101ALI20240805BHJP

   H10B 12/00 20230101ALI20240805BHJP

   H10B 41/70 20230101ALI20240805BHJP

【ＦＩ】

G11C11/405

H01L29/78 371

H01L29/78 613B

H01L29/78 618B

H01L27/06 102A

H01L27/088 H

H01L27/088 E

H01L27/088 331E

G11C11/56 250

H10B12/00 801

H10B41/70

【請求項の数】 7

(21)【出願番号】P 2020177728

(22)【出願日】2020-10-23

(65)【公開番号】P2021072146

(43)【公開日】2021-05-06

【審査請求日】2023-10-17

(31)【優先権主張番号】P 2019194589

(32)【優先日】2019-10-25

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(73)【特許権者】

【識別番号】000153878

【氏名又は名称】株式会社半導体エネルギー研究所

(72)【発明者】

【氏名】山崎 舜平

(72)【発明者】

【氏名】木村 肇

(72)【発明者】

【氏名】大貫 達也

【審査官】豊田 真弓

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１４－１４２９８６（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０１７／００６８４８８（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１５－２２８１９７（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００７－２５７１０９（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ１１Ｃ １１／４０５

Ｈ０１Ｌ ２１／３３６

Ｈ１０Ｂ １２／００

Ｈ１０Ｂ ４１／７０

Ｈ０１Ｌ ２９／７８６

Ｈ０１Ｌ ２１／８２３４

Ｈ０１Ｌ ２７／０８８

Ｇ１１Ｃ １１／５６

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

演算処理装置と、
第１の記憶装置と、
第２の記憶装置と、を有する情報処理システムであって、
前記第２の記憶装置は、不揮発性であり、
前記第２の記憶装置は、複数のメモリセルを有し、
前記情報処理システムが非稼働時、前記第２の記憶装置は、前記メモリセルにｓビット（ｓは１以上の整数）のデータを記憶する第１の動作モードを有し、
前記情報処理システムが稼働時、前記第２の記憶装置は、前記メモリセルにｔビット（ｔは２以上の整数）のデータを記憶する第２の動作モードを有し、
前記ｓは、前記ｔよりも小さい数であり、
前記情報処理システムが稼働時、前記演算処理装置は、前記第１の記憶装置および前記第２の記憶装置を用いて、演算処理を行う機能を有し、
前記第１の動作モードの前記第２の記憶装置に、第１のｓビットのデータが記憶されている前記情報処理システムを電源を投入する第１のステップと、
前記第１の記憶装置に前記第１のｓビットのデータをコピーするとともに、前記第２の記憶装置を、前記第１の動作モードから前記第２の動作モードに移行させる第２のステップと、
前記第１の記憶装置にコピーした前記第１のｓビットのデータを、前記第２の記憶装置に第１のｔビットのデータとして保存し、前記第２の記憶装置の記憶領域に空き領域を生成する第３のステップと、
前記第１の記憶装置と、前記第２の記憶装置の前記空き領域とを用い、前記演算処理装置が演算処理を行い、データを生成する第４のステップと、
前記演算処理の終了後、前記第３のステップで前記第２の記憶装置に保存された前記第１のｔビットのデータと、前記第４のステップで生成された前記データとを読み出し、前記第１の記憶装置にコピーするとともに、前記第２の記憶装置を、前記第２の動作モードから前記第１の動作モードに移行する第５のステップと、
前記第５のステップで、前記第１の記憶装置にコピーした前記第１のｔビットのデータと前記データとを、前記第２の記憶装置に、第２のｓビットのデータとして保存する第６のステップと、
前記情報処理システムの電源を遮断する第７のステップと、を有し、
前記第１のステップから前記第７のステップまでを順に行う、情報処理システム。

【請求項2】

請求項１において、
前記ｓは１である、情報処理システム。

【請求項3】

請求項１または２において、
前記メモリセルは、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する、情報処理システム。

【請求項4】

演算処理装置と、
第１の記憶装置と、
第２の記憶装置と、を有する情報処理システムにおいて、
前記第２の記憶装置は、不揮発性であり、
前記第２の記憶装置は、複数のメモリセルを有し、
前記情報処理システムが非稼働時、前記第２の記憶装置は、前記メモリセルにｓビット（ｓは１以上の整数）のデータを記憶する第１の動作モードを有し、
前記情報処理システムが稼働時、前記第２の記憶装置は、前記メモリセルにｔビット（ｔは２以上の整数）のデータを記憶する第２の動作モードを有し、
前記ｓは、前記ｔよりも小さい数であり、
前記情報処理システムが稼働時、前記演算処理装置は、前記第１の記憶装置および前記第２の記憶装置を用いて、演算処理を行い、
前記第１の動作モードの前記第２の記憶装置に、第１のｓビットのデータが記憶されている前記情報処理システムに電源を投入する第１のステップと、
前記第１の記憶装置に前記第１のｓビットのデータをコピーするとともに、前記第２の記憶装置を、前記第１の動作モードから前記第２の動作モードに移行させる第２のステップと、
前記第１の記憶装置にコピーした前記第１のｓビットのデータを、前記第２の記憶装置に第１のｔビットのデータとして保存し、前記第２の記憶装置の記憶領域に空き領域を生成する第３のステップと、
前記第１の記憶装置と、前記第２の記憶装置の前記空き領域とを用い、前記演算処理装置が演算処理を行い、データを生成する第４のステップと、
前記演算処理の終了後、前記第３のステップで前記第２の記憶装置に保存された前記第１のｔビットのデータと、前記第４のステップで生成された前記データとを読み出し、前記第１の記憶装置にコピーするとともに、前記第２の記憶装置を、前記第２の動作モードから前記第１の動作モードに移行する第５のステップと、
前記第５のステップで、前記第１の記憶装置にコピーした前記第１のｔビットのデータと前記データとを、前記第２の記憶装置に、第２のｓビットのデータとして保存する第６のステップと、
前記情報処理システムの電源を遮断する第７のステップと、を有し、
前記第１のステップから前記第７のステップまでを順に行う、情報処理システムの動作方法。

【請求項5】

請求項４において、
前記ｓは１である、情報処理システムの動作方法。

【請求項6】

請求項４または５において、
前記メモリセルは、トランジスタを有し、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する、情報処理システムの動作方法。

【請求項7】

演算処理装置と、
第１の記憶装置と、
２値データを記憶する第１の動作モードと、多値データを記憶する第２の動作モードとを有する第２の記憶装置と、を有する情報処理システムの動作方法であって、
前記第１の動作モードの前記第２の記憶装置に、第１の２値データが記憶されている前記情報処理システムに電源を投入する第１のステップと、
前記第１の記憶装置に前記第１の２値データをコピーするとともに、前記第２の記憶装置を、前記第１の動作モードから前記第２の動作モードに移行させる第２のステップと、
前記第１の記憶装置にコピーした前記第１の２値データを、前記第２の記憶装置に第１の多値データとして保存し、前記第２の記憶装置の記憶領域に空き領域を生成する第３のステップと、
前記第１の記憶装置と、前記第２の記憶装置の前記空き領域とを用い、前記演算処理装置が演算処理を行い、データを生成する第４のステップと、
前記演算処理の終了後、前記第３のステップで前記第２の記憶装置に保存された前記第１の多値データと、前記第４のステップで生成された前記データとを読み出し、前記第１の記憶装置にコピーするとともに、前記第２の記憶装置を、前記第２の動作モードから前記第１の動作モードに移行する第５のステップと、
前記第５のステップで、前記第１の記憶装置にコピーした前記第１の多値データと前記データとを、前記第２の記憶装置に、第２の２値データとして保存する第６のステップと、
前記情報処理システムの電源を遮断する第７のステップと、を有し、
前記第１のステップから前記第７のステップまでを順に行う情報処理システムの動作方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、情報処理システムに関する。特に、半導体特性を利用した記憶装置（半導体記憶装置、メモリ、ともいう）を有する情報処理システムに関する。

【0002】

なお、本発明の一形態は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一形態は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。

【背景技術】

【0003】

近年広く使用されているスマートフォン等の携帯情報端末、パーソナルコンピュータ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）などの情報処理システムは、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）などの演算処理装置、演算処理装置が演算処理を行う際に使用するＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）やＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ ＲＡＭ）など揮発性の記憶装置、および記憶したデータを電源が供給されなくなっても保持できる不揮発性の記憶装置を有する。また、演算処理装置が演算処理を行う際に使用する記憶装置は、主記憶装置（メインメモリ、ともいう）と呼ばれている。

【0004】

不揮発性の記憶装置には、主にハードディスクドライブ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｃ Ｄｒｉｖｅ：ＨＤＤ）が長く使用されてきたが、近年、軽量で物理的な動作部分がなくデータの読み込みが高速である、フラッシュメモリを用いたソリッドステートドライブ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ：ＳＳＤ）の普及が進んでいる。本明細書等では、ＤＲＡＭやＳＲＡＭ、またフラッシュメモリなど、半導体特性を利用した記憶装置を半導体記憶装置（メモリ、ともいう）と呼ぶ。

【0005】

一方、トランジスタのチャネル形成領域に酸化物半導体または金属酸化物を有するトランジスタ（酸化物半導体トランジスタ、ＯＳ（Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ、ともいう）が知られている。ＯＳトランジスタは、トランジスタがオフ状態にあるときのドレイン電流（オフ電流、ともいう）が非常に小さい（例えば、非特許文献１、２、参照）特性を有し、注目を集めている。また、ＤＲＡＭは、メモリセルが１個のトランジスタと１個の容量素子で構成され、容量素子に電荷を蓄積することでデータを記憶する記憶装置である。そのため、ＤＲＡＭのメモリセルにＯＳトランジスタを用いることで、記憶したデータを長時間保持することができる。

【0006】

ＤＲＡＭのメモリセルは、２個のトランジスタと１個の容量素子で構成してもよい。蓄積した電荷を近くのトランジスタで増幅することで、容量素子の容量が小さい場合でもデータを記憶することができる、データの読み出しを非破壊で行うことができる等の特徴を有する（以後、ゲインセル型のメモリセルと呼ぶ）。本明細書等では、ＯＳトランジスタを用いたゲインセル型のメモリセルを有する記憶装置を、ＮＯＳＲＡＭ（登録商標、Ｎｏｎｖｏｌａｔｉｌｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）と呼ぶ。

【0007】

また、酸化物半導体において、単結晶でも非晶質でもないＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造、およびｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）構造が見出されている（非特許文献１および非特許文献３、参照）。非特許文献１および非特許文献３では、ＣＡＡＣ構造を有する酸化物半導体を用いてトランジスタを作製する技術が開示されている。

【先行技術文献】

【非特許文献】

【0008】

【文献】Ｓ．Ｙａｍａｚａｋｉ ｅｔ ａｌ．，“Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ａｎｄ ｉｔｓ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ，” Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．５３，０４ＥＤ１８（２０１４）．

【文献】Ｋ．Ｋａｔｏ ｅｔ ａｌ．，“Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎ ｏｆ Ｏｆｆ－Ｓｔａｔｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ Ｕｓｉｎｇ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｍａｔｅｒｉａｌ， Ｉｎｄｉｕｍ－Ｇａｌｌｉｕｍ－Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ，”Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．５１，０２１２０１（２０１２）．

【文献】Ｓ． Ｙａｍａｚａｋｉ ｅｔ ａｌ．， “ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ”， ２０１２， ｖｏｌｕｍｅ ４３， ｉｓｓｕｅ １， ｐ．１８３－１８６

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0009】

上述した情報処理システムにおいては、大量のデータを高速に処理することが求められる一方、情報処理システムの小型化、低消費電力化、コストの低減等が求められている。すなわち、情報処理システムが有する演算処理装置の高速化、記憶装置の大容量化が求められる一方、情報処理システムは、小型化、低消費電力化、コストの低減等が求められている。本明細書等では、主記憶装置の記憶容量は小さいが、情報処理システムの稼働時に主記憶装置の記憶容量を大きくできる情報処理システムを提供することを課題の一つとする。

【0010】

本発明の一形態は、主記憶装置の記憶容量を小さくした情報処理システムを提供することを課題の一つとする。または、本発明の一形態は、稼働時に主記憶装置の記憶容量を大きくできる情報処理システムを提供することを課題の一つとする。

【0011】

なお、本発明の一形態は、必ずしも上記の課題の全てを解決する必要はなく、少なくとも一つの課題を解決できるものであればよい。また、上記の課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。これら以外の課題は、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から自ずと明らかになるものであり、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

【課題を解決するための手段】

【0012】

本発明の一形態は、演算処理装置と、不揮発性の記憶装置とを有する情報処理システムである。不揮発性の記憶装置は、複数のメモリセルを有し、情報処理システムが非稼働時、不揮発性の記憶装置はメモリセルにｓビット（ｓは１以上の整数）のデータを記憶する機能を有し、情報処理システムが稼働時、不揮発性の記憶装置はメモリセルにｔビット（ｔは２以上の整数）のデータを記憶する機能を有する。ｓはｔよりも小さい数であり、情報処理システムが稼働時、演算処理装置は、不揮発性の記憶装置を用いて演算処理を行う機能を有する。

【0013】

また、本発明の一形態は、演算処理装置と、第１の記憶装置と、第２の記憶装置とを有する情報処理システムである。第２の記憶装置は、不揮発性であり、複数のメモリセルを有する。情報処理システムが非稼働時、第２の記憶装置はメモリセルにｓビット（ｓは１以上の整数）のデータを記憶する機能を有し、情報処理システムが稼働時、第２の記憶装置はメモリセルにｔビット（ｔは２以上の整数）のデータを記憶する機能を有する。ｓはｔよりも小さい数であり、情報処理システムが稼働時、演算処理装置は、第１の記憶装置および第２の記憶装置を用いて演算処理を行う機能を有する。

【0014】

また、上記形態において、ｓは１である。

【0015】

また、上記形態において、メモリセルはトランジスタを有し、トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する。

【0016】

また、本発明の一形態は、演算処理装置と、不揮発性の記憶装置とを有する情報処理システムの動作方法である。不揮発性の記憶装置は、複数のメモリセルを有し、情報処理システムが非稼働時、不揮発性の記憶装置はメモリセルにｓビット（ｓは１以上の整数）のデータを記憶し、情報処理システムが稼働時、不揮発性の記憶装置はメモリセルにｔビット（ｔは２以上の整数）のデータを記憶する。ｓはｔよりも小さい数であり、情報処理システムが稼働時、演算処理装置は、不揮発性の記憶装置を用いて演算処理を行う。

【0017】

また、本発明の一形態は、演算処理装置と、第１の記憶装置と、第２の記憶装置とを有する情報処理システムの動作方法である。第２の記憶装置は、不揮発性であり、複数のメモリセルを有する。情報処理システムが非稼働時、第２の記憶装置はメモリセルにｓビット（ｓは１以上の整数）のデータを記憶し、情報処理システムが稼働時、第２の記憶装置はメモリセルにｔビット（ｔは２以上の整数）のデータを記憶する。ｓはｔよりも小さい数であり、情報処理システムが稼働時、演算処理装置は、第１の記憶装置および第２の記憶装置を用いて演算処理を行う。

【0018】

また、上記形態において、ｓは１である。

【0019】

また、上記形態において、メモリセルはトランジスタを有し、トランジスタは、チャネル形成領域に金属酸化物を有する。

【発明の効果】

【0020】

本発明の一形態により、主記憶装置の記憶容量を小さくした情報処理システムを提供することができる。または、本発明の一形態により、稼働時に主記憶装置の記憶容量を大きくできる情報処理システムを提供することができる。

【0021】

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。また、本発明の一形態は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。これら以外の効果は、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から自ずと明らかになるものであり、明細書、特許請求の範囲、図面などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0022】

【図1】図１（Ａ）乃至図１（Ｅ）は、情報処理システムの構成例を示すブロック図である。

【図2】図２は、情報処理システムの動作例を示すフローチャートである。

【図3】図３（Ａ）は、メモリセルの構成例を示す回路図である。図３（Ｂ）は、メモリセルの動作例を示すタイミングチャートである。

【図4】図４（Ａ）、（Ｂ）は、メモリセルの構成例を示す回路図である。

【図5】図５は、記憶装置の構成例を示すブロック図である。

【図6】図６は、行選択ドライバの構成例を示すブロック図である。

【図7】図７は、列選択ドライバの構成例を示すブロック図である。

【図8】図８は、Ａ／Ｄコンバータの構成例を示すブロック図である。

【図9】図９は、記憶装置が有するメモリセルの回路図である。

【図10】図１０は、メモリセルの動作例を説明するタイミングチャート図である。

【図11】図１１は、メモリセルの動作例を説明するタイミングチャート図である。

【図12】図１２は、記憶装置の構成例を示す断面図である。

【図13】図１３（Ａ）乃至図１３（Ｃ）は、トランジスタの構造例を示す断面図である。

【図14】図１４（Ａ）は、トランジスタの構造例を示す上面図である。図１４（Ｂ）、（Ｃ）は、トランジスタの構造例を示す断面図である。

【図15】図１５（Ａ）は、トランジスタの構造例を示す上面図である。図１５（Ｂ）、（Ｃ）は、トランジスタの構造例を示す断面図である。

【図16】図１６（Ａ）は、トランジスタの構造例を示す上面図である。図１６（Ｂ）、（Ｃ）は、トランジスタの構造例を示す断面図である。

【図17】図１７（Ａ）は、トランジスタの構造例を示す上面図である。図１７（Ｂ）、（Ｃ）は、トランジスタの構造例を示す断面図である。

【図18】図１８（Ａ）は、トランジスタの構造例を示す上面図である。図１８（Ｂ）、（Ｃ）は、トランジスタの構造例を示す断面図である。

【図19】図１９（Ａ）は、トランジスタの構造例を示す上面図である。図１９（Ｂ）、（Ｃ）は、トランジスタの構造例を示す断面図である。

【図20】図２０（Ａ）、（Ｂ）は、トランジスタの構造例を示す断面図である。

【図21】図２１は、記憶装置の構成例を示す断面図である。

【図22】図２２（Ａ）、（Ｂ）は、トランジスタの構造例を示す断面図である。

【図23】図２３（Ａ）は、ＩＧＺＯの結晶構造の分類を説明する図である。図２３（Ｂ）は、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜のＸＲＤスペクトルを説明する図である。図２３（Ｃ）は、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜の極微電子線回折パターンを説明する図である。

【図24】図２４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、情報処理システムを用いることができる電子機器の一例である。

【発明を実施するための形態】

【0023】

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる形態で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

【0024】

また、以下に示される複数の実施の形態は、適宜組み合わせることが可能である。また、１つの実施の形態の中に複数の構成例が示される場合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。

【0025】

なお、本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

【0026】

また、図面等において、大きさ、層の厚さ、領域等は、明瞭化のため誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。図面は、理想的な例を模式的に示したものであり、図面に示す形状または値などに限定されない。

【0027】

また、図面等において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。

【0028】

また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。

【0029】

また、本明細書等において、「上」や「下」などの配置を示す用語は、構成要素の位置関係が、「直上」または「直下」であることを限定するものではない。例えば、「ゲート絶縁層上のゲート電極」の表現であれば、ゲート絶縁層とゲート電極との間に他の構成要素を含むものを除外しない。

【0030】

また、本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」などの序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではない。

【0031】

また、本明細書等において、複数の要素に同じ符号を用いる場合、特にそれらを区別する必要があるときは、符号に、「＿１」、「＿２」、「［ｎ］」、「［ｍ，ｎ］」等、識別用の符号を付して記載する場合がある。例えば、２番目の配線ＧＬを、配線ＧＬ［２］と記載する。

【0032】

また、本明細書等において、「電気的に接続」とは、「何らかの電気的作用を有するもの」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。例えば、「何らかの電気的作用を有するもの」には、電極や配線をはじめ、トランジスタなどのスイッチング素子、抵抗素子、インダクタ、容量素子、その他の各種機能を有する素子などが含まれる。また、「電気的に接続」と表現される場合であっても、実際の回路において、物理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。

【0033】

また、本明細書等において、「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆も同様である。

【0034】

また、本明細書等において、電気回路における「端子」とは、電流または電位の入力（または、出力）や、信号の受信（または、送信）が行なわれる部位を言う。よって、配線または電極の一部が端子として機能する場合がある。

【0035】

一般に、「容量素子」は、２つの電極が絶縁体（誘電体）を介して向かい合う構成を有する。また、本明細書等において、「容量素子」は、２つの電極が絶縁体を介して向かい合う構成を有したもの以外に、２本の配線が絶縁体を介して向かい合う構成を有したもの、または、２本の配線が絶縁体を介して配置されたもの、である場合が含まれる。

【0036】

また、本明細書等において、「電圧」とは、ある電位と基準の電位（例えば、グラウンド電位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧と電位差とは言い換えることができる。

【0037】

また、本明細書等において、トランジスタとは、ソースと、ドレインと、ゲートとを含む、少なくとも三つの端子を有する素子である。そして、ソース（ソース端子、ソース領域、または、ソース電極）とドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域、または、ドレイン電極）の間にチャネル形成領域を有しており、チャネル形成領域を介して、ソースとドレインとの間に電流を流すことができるものである。なお、本明細書等において、チャネル形成領域とは、電流が主として流れる領域をいう。

【0038】

また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを用いる場合や、回路動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明細書等において、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。

【0039】

また、本明細書等において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態（非導通状態、遮断状態、ともいう）にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、ｎチャネル型のトランジスタでは、ソースに対するゲートの電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低い状態、ｐチャネル型のトランジスタでは、ソースに対するゲートの電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも高い状態をいう。つまり、ｎチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ソースに対するゲートの電圧Ｖｇｓがしきい値電圧Ｖｔｈよりも低いときのドレイン電流、という場合がある。

【0040】

上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソース電流をいう場合がある。また、オフ電流と同じ意味で、リーク電流という場合がある。また、本明細書等において、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。

【0041】

また、本明細書等において、オン電流とは、トランジスタがオン状態（導通状態、ともいう）にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。

【0042】

また、本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）とは、広い意味での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体、を含む）、酸化物半導体などに分類される。

【0043】

例えば、トランジスタのチャネル形成領域に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、金属酸化物が増幅作用、整流作用、およびスイッチング作用の少なくとも１つを有する場合、当該金属酸化物を、金属酸化物半導体（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）と呼ぶことができる。すなわち、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタを、「酸化物半導体トランジスタ」、「ＯＳトランジスタ」と呼ぶことができる。同様に、「酸化物半導体を用いたトランジスタ」も、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタである。

【0044】

また、本明細書等において、窒素を有する金属酸化物も金属酸化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）と呼称する場合がある。また、窒素を有する金属酸化物を、金属酸窒化物（ｍｅｔａｌ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）と呼称してもよい。金属酸化物の詳細については後述する。

【0045】

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一形態に係わる情報処理システムの構成例および動作例について説明する。

【0046】

＜情報処理システムの構成例＞
図１（Ａ）は、本発明の一形態に係わる情報処理システム７０の構成例を示すブロック図である。情報処理システム７０は、演算処理装置１０、記憶装置２０、および記憶装置３０を有する。

【0047】

演算処理装置１０、記憶装置２０、および記憶装置３０はバス５０で接続されており、これらの間をデータが行き来することができる。また、記憶装置２０および記憶装置３０は、演算処理装置１０を介して接続されていてもよい。すなわち、図１（Ｂ）に示すように、情報処理システム７０において、演算処理装置１０と記憶装置２０はバス５１で接続されており、演算処理装置１０と記憶装置３０はバス５２で接続されていてもよい。なお、本明細書等で説明する図面においては、主な信号の流れを矢印または線で示しており、電源線等は省略する場合がある。

【0048】

演算処理装置１０には、ＣＰＵやＧＰＵなどを用いることができ、プログラムに従って演算処理を行う機能を有する。記憶装置２０には、ＤＲＡＭやＳＲＡＭなど揮発性の記憶装置を用いることができ、演算処理装置１０が演算処理を行う際に使用する主記憶装置として機能する。記憶装置３０は、電源が供給されなくなっても所定の時間記憶したデータを保持できる不揮発性の記憶装置である。記憶装置３０は、一つのメモリセルに２ビット（４値）以上の多値データを記憶できる機能（ＭＬＣ（Ｍｕｌｔｉ Ｌｅｖｅｌ Ｃｅｌｌ）、ともいう）を有する。なお、説明のため、記憶装置３０は、記憶領域３１を有するものとする。

【0049】

なお、情報処理システム７０は、記憶装置３０内に一時記憶領域を有することで、記憶装置２０を有さない構成としてもよい。記憶装置２０を有さない場合の、情報処理システム７０の構成例を示すブロック図を図１（Ｃ）に示す。図１（Ｃ）において、記憶装置３０は、一時記憶領域４１を有する。

【0050】

＜情報処理システムの動作例＞
図２は、情報処理システム７０の動作例を示すフローチャートである。また、図２において、フローチャート左側には記憶装置３０の動作モードを示す。

【0051】

ステップＳ１で、情報処理システム７０の電源が投入される。この時、記憶装置３０には２値データが記憶されており、この状態を動作モード１と呼称する。ここで、２値データとは１ビットのデータであり、例えば、ハイレベルまたはローレベル（ＨｉｇｈまたはＬｏｗ、ＨまたはＬ、１または０など、ともいう）と呼ばれる２つの状態で表されるデータである。

【0052】

ステップＳ２で、情報処理システム７０は、記憶装置３０に記憶されているデータを読み出し、記憶装置２０にコピーする。記憶装置３０は、多値データを記憶する動作モード２に移行する。

【0053】

ステップＳ３で、情報処理システム７０は、記憶装置２０にコピーしたデータを記憶装置３０に保存する。この時、記憶装置３０には多値データが保存される。記憶装置３０に記憶されていた２値データが、多値データとして記憶装置３０に保存されるため、記憶装置３０に記憶できる記憶容量が大きくなり、記憶領域３１には空き領域３９が生成される（図１（Ｄ）、参照）。

【0054】

この状態で、演算処理装置１０は、記憶装置２０および空き領域３９を使用して演算処理を行う（ステップＳ４）。演算処理装置１０は、記憶装置２０および空き領域３９を主記憶装置として使用できるため、記憶装置２０のみを主記憶装置として使用する場合と比べて、主記憶装置の記憶容量を大きくできる。そのため、情報処理システム７０が有する記憶装置２０の記憶容量を小さくしてもよい。

【0055】

演算処理装置１０の演算処理が終わると、情報処理システム７０は、ステップＳ３で記憶装置３０に保存された多値データ、およびステップＳ４で新たに生成されたデータを読み出し、記憶装置２０にコピーする（ステップＳ５）。記憶装置３０は、２値データを記憶する動作モード１に移行する。

【0056】

ステップＳ６では、ステップＳ５で記憶装置２０にコピーしたデータを記憶装置３０に保存する。この時、記憶装置３０には２値データが保存される。

【0057】

ステップＳ７で、情報処理システム７０の電源が遮断される。記憶装置３０は、多値データを記憶する動作モード２より、２値データを記憶する動作モード１のほうが、電源が供給されなくなった状態で記憶したデータを長時間保持することができる。

【0058】

なお、動作モード１において記憶されるデータは、２値データに限定されない。例えば、動作モード１において、一つのメモリセルにｓビット（ｓは１以上の整数）のデータを記憶し、動作モード２において、一つのメモリセルにｔビット（ｔは２以上の整数）のデータを記憶するものとする。この場合、ｓはｔよりも小さい数とすることで、動作モード２よりも動作モード１のほうが、電源が供給されなくなった状態で記憶したデータを長時間保持することができる。

【0059】

＜記憶容量＞
例えば、記憶装置３０は、Ｂ個（Ｂは４以上の整数）のメモリセルを有し、一つのメモリセルにＭビット（Ｍは２以上の整数）の多値データを記憶できるとする。すなわち、記憶装置３０の記憶容量は、動作モード１においてＢビットであり、動作モード２においてＢ×Ｍビットである。

【0060】

ステップＳ１およびステップＳ２において、記憶装置３０にＢビットのデータが記憶されていた場合、ステップＳ３において、記憶装置３０に保存されるデータはＢビットであり、空き領域３９はＢ×（Ｍ－１）ビットとなる。演算処理装置１０は、記憶装置２０の記憶容量に加えて、Ｂ×（Ｍ－１）ビットを使用して演算処理を行うことができる。

【0061】

また、ステップＳ２において、記憶装置３０に記憶されているデータの一部を記憶装置２０にコピーしてもよい。すなわち、記憶装置３０は、記憶領域３１の一部に、動作モード２においても２値データを記憶する２値データ領域３２を有していてもよい（図１（Ｅ）、参照）。２値データ領域３２は、記憶したデータを長時間保持することができるため、例えば、演算処理装置１０が頻繁にアクセスする重要なプログラムを記憶させることができる。

【0062】

また、記憶装置２０の記憶容量は、Ｂビット以上であることが好ましい。ステップＳ２およびステップＳ５において、記憶装置３０に記憶されていた、または次のステップで記憶装置３０に保存する予定のデータを、一度に記憶装置２０にコピーできるためであるが、この限りではない。

【0063】

記憶装置３０の詳細は後述するが、記憶装置３０において１本のワード線と電気的に接続されたメモリセルがｎ個（ｎは２以上の整数）の場合、記憶装置２０の記憶容量をｎ×Ｍビット以上としてもよい。ステップＳ３において、記憶装置３０のワード線ごとに、データを記憶装置３０に保存、またはステップＳ５において、記憶装置３０のワード線ごとに、ステップＳ３で記憶装置３０に保存されたデータを記憶装置２０にコピーしてもよいためである。例えば、情報処理システム７０が記憶装置２０を有さない構成であり、記憶装置３０の一時記憶領域４１を小さくしたい場合などに好適である。

【0064】

なお、本実施の形態は、本明細書に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

【0065】

（実施の形態２）
実施の形態２および実施の形態３では、本発明の一形態に係わる記憶装置２７０の構成例および動作例について説明する。記憶装置２７０は、上述した記憶装置３０に適用可能な記憶装置の一例であり、ＯＳトランジスタを用いたゲインセル型のメモリセルを有する。すなわち、記憶装置２７０は、上述したＮＯＳＲＡＭである。

【0066】

なお、記憶装置３０に適用可能な記憶装置は、記憶装置２７０に限定されない。例えば、１個のＯＳトランジスタと１個の容量素子で構成されたメモリセルを有する記憶装置であってもよいし、また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ、ＮＯＲ型フラッシュメモリ、ＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）、ＰＲＡＭ（Ｐｈａｓｅ ｃｈａｎｇｅ ＲＡＭ）、ＲｅＲＡＭ（Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ＲＡＭ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ＲＡＭ）などの記憶装置、または、前記記憶装置を組み合わせてもよい。

【0067】

以下、実施の形態２では、記憶装置２７０が有するメモリセルの回路構成例および動作例について説明し、実施の形態３で、記憶装置２７０の構成例および動作例について説明する。なお、記憶装置２７０は、メモリセルの他、別の基板上に配置された駆動回路、電源回路等を含む場合がある。

【0068】

＜メモリセルの構成例＞
図３（Ａ）は、メモリセル１００の構成例を示す回路図である。

【0069】

図３（Ａ）に示すメモリセル１００では、トランジスタ１１１と、トランジスタ１１２と、容量素子１１４と、を示している。なおメモリセル１００は、図３（Ａ）では、図示を省略しているが、実際にはマトリクス状に複数設けられている。

【0070】

トランジスタ１１１は、ゲートに、書き込みワード線ＷＷＬが接続される。また、トランジスタ１１１は、ソース及びドレインの一方に、ビット線ＢＬが接続される。また、トランジスタ１１１は、ソース及びドレインの他方に、フローティングノードＦＮが接続される。

【0071】

トランジスタ１１２は、ゲートに、フローティングノードＦＮが接続される。また、トランジスタ１１２は、ソース及びドレインの一方に、ビット線ＢＬが接続される。また、トランジスタ１１２は、ソース及びドレインの他方に、電源線ＳＬが接続される。

【0072】

容量素子１１４は、一方の電極に、フローティングノードＦＮが接続される。また、容量素子１１４は、他方の電極に、読み出しワード線ＲＷＬが接続される。

【0073】

書き込みワード線ＷＷＬには、ワード信号が与えられる。

【0074】

ワード信号は、ビット線ＢＬの電位をフローティングノードＦＮに与えるために、トランジスタ１１１を導通状態とする信号である。

【0075】

なお本明細書等において、書き込みワード線ＷＷＬに与えられるワード信号を制御することで、フローティングノードＦＮの電位が、ビット線ＢＬの電位に応じた電位となることを、メモリセルにデータを書き込む、という。また、読み出しワード線ＲＷＬに与えられる読み出し信号を制御することで、ビット線ＢＬの電位が、フローティングノードＦＮの電位に応じた電位となることを、メモリセルからのデータを読み出す、という。

【0076】

ビット線ＢＬには、多値のデータが与えられる。またビット線ＢＬには、データを読み出すための、プリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}及び初期化電位Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ}が与えられる。

【0077】

多値のデータは、ｋビット（ｋは２以上の自然数）のデータである。具体的には、２ビットのデータであれば４値のデータであり、４段階の電位のいずれか一を有する信号である。

【0078】

プリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}は、データを読み出すために、ビット線ＢＬに与えられる電位である。また、プリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}が与えられた後、ビット線ＢＬは電気的に浮遊状態となる。

【0079】

なお本明細書等において電気的に浮遊状態とは、電気的に浮いている状態（フローティング、ともいう）のことである。

【0080】

初期化電位Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ}は、ビット線ＢＬの電位を初期化するために、与えられる電位である。

【0081】

読み出しワード線ＲＷＬには、読み出し信号が与えられる。

【0082】

読み出し信号は、メモリセル１００からデータを選択的に読み出すために、容量素子１１４の他方の電極に与えられる信号である。

【0083】

フローティングノードＦＮは、容量素子１１４の一方の電極、トランジスタ１１１のソース及びドレインの他方の電極、及びトランジスタ１１２のゲートを接続する配線上のいずれかのノードに相当する。

【0084】

なお本明細書等において、ノードとは、素子間を電気的に接続するために設けられる配線上のいずれかの箇所のことである。

【0085】

なおフローティングノードＦＮの電位は、ビット線ＢＬに与えられる、多値のデータに基づく電位である。また、フローティングノードＦＮは、トランジスタ１１１を非導通状態とすることで、電気的に浮遊状態である。そのため、読み出しワード線ＲＷＬに与えられる読み出し信号の電位を変化させた場合、フローティングノードＦＮの電位は、元の電位に読み出し信号の電位の変化分が加わった電位となる。この電位の変化は、読み出しワード線ＲＷＬに与えられる読み出し信号が変化することで生じる、容量素子１１４の容量結合によるものである。

【0086】

電源線ＳＬには、ビット線ＢＬに与えられるプリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}よりも低いディスチャージ電位Ｖ_{ｄｉｓｃｈａｒｇｅ}が与えられる。

【0087】

電源線ＳＬに与えられるディスチャージ電位Ｖ_{ｄｉｓｃｈａｒｇｅ}は、ビット線ＢＬに与えられるプリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}を、トランジスタ１１２を介した放電により変化させる電位である。

【0088】

トランジスタ１１１は、導通状態と非導通状態とを切り換えることで、データの書き込みを制御するスイッチとしての機能を有する。また、非導通状態を保持することで、書き込んだデータに基づく電位を保持する機能を有する。なおトランジスタ１１１は、第１のトランジスタともいう。また、トランジスタ１１１は、ｎチャネル型のトランジスタとして、説明を行うものとする。

【0089】

トランジスタ１１１は、非導通状態においてソースとドレインとの間を流れる電流（オフ電流）が小さいトランジスタであることが好ましい。すなわち、トランジスタ１１１にＯＳトランジスタを用いることができる（図３等では、トランジスタ１１１に「ＯＳ」と付記）。酸化物半導体のバンドギャップは２．５ｅＶ以上、好ましくは３．０ｅＶ以上であるため、ＯＳトランジスタは熱励起によるリーク電流が小さく、オフ電流が非常に小さい特性を有する。

【0090】

ＯＳトランジスタのチャネル形成領域に用いられる金属酸化物は、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の少なくとも一方を含む酸化物半導体であることが好ましい。このような酸化物半導体としては、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、例えば、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、およびＳｎから選ばれる一つまたは複数）が代表的である。電子供与体（ドナー）となる水分、水素などの不純物を低減し、かつ酸素欠損も低減することで、酸化物半導体をｉ型（真性）、または実質的にｉ型にすることができる。このような酸化物半導体は、高純度化された酸化物半導体と呼ぶことができる。ＯＳトランジスタの詳細については、実施の形態４および実施の形態５で説明する。

【0091】

ＯＳトランジスタは、例えば、室温においてソースとドレインとの間の電圧を１０Ｖとしたとき、チャネル幅１μｍあたりに規格化されたオフ電流を１０×１０^－２１Ａ（１０ゼプトＡ）以下とすることが可能である。トランジスタ１１１にＯＳトランジスタを用いることで、トランジスタ１１１は、長時間に渡ってデータに基づく電位を保持することができる。

【0092】

図３（Ａ）に示すメモリセル１００の構成では、非導通状態を保持することで、書き込んだデータに基づく電位を保持している。そのため、フローティングノードＦＮでの電荷の移動を伴った電位の変動を抑えるスイッチとして、オフ電流が少ないトランジスタが用いられることが特に好ましい。

【0093】

トランジスタ１１１は、オフ電流が小さいトランジスタとし、非導通状態を保持することで、メモリセル１００を不揮発性のメモリとすることができる。よって、一旦、メモリセル１００に書き込まれたデータは、再度、トランジスタ１１１を導通状態とするまで、フローティングノードＦＮに保持し続けることができる。

【0094】

また、ＯＳトランジスタは、薄膜法などの手法を用いて形成できるため積層して設けることができる、高温下でもオフ電流が増加しにくいためメモリセル１００を有する記憶装置の信頼性を高めることができる、チャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタと同様の製造装置を用いて作製できるため、低コストでの作製が可能である等の特徴を有する。

【0095】

トランジスタ１１１は、バックゲート（第２のゲート、ボトムゲート、ともいう）を有していてもよい。例えば、トランジスタ１１１がバックゲートを有する場合、トランジスタ１１１のバックゲートに所定の電位を印加することで、トランジスタ１１１のしきい値電圧を増減することができる。または、トランジスタ１１１のバックゲートを、トランジスタ１１１のゲート（バックゲートに対して、第１のゲート、トップゲート、フロントゲート、ともいう）と電気的に接続することで、トランジスタ１１１のオン電流を大きくすることができる。

【0096】

具体的には、トランジスタ１１１のバックゲートに印加する電位を高くすることで、しきい値電圧はマイナスにシフトし、トランジスタ１１１のバックゲートに印加する電位を低くすることで、しきい値電圧はプラスにシフトする。しきい値電圧をマイナスにシフトすることで、トランジスタのオン電流を増加することができ、メモリセル１００は高速動作を行うことができる。しきい値電圧をプラスにシフトすることで、トランジスタのオフ電流を低減することができ、メモリセル１００はデータを長時間保持することができる。

【0097】

もしくは、トランジスタ１１１に、ＯＳトランジスタ以外のトランジスタを用いてもよい。トランジスタ１１１にはオフ電流が小さいトランジスタが好ましく、例えば、チャネル形成領域にバンドギャップが大きい半導体を有するトランジスタを用いることができる。バンドギャップが大きい半導体とは、バンドギャップが２．２ｅＶ以上の半導体を指す場合があり、例えば、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ダイヤモンドなどが挙げられる。

【0098】

トランジスタ１１２は、フローティングノードＦＮの電位に従って、ソースとドレインとの間に電流Ｉｄを流す機能を有する。なお、図３（Ａ）に示すメモリセル１００の構成で、トランジスタ１１２のソースとドレインとの間に流れる電流Ｉｄは、ビット線ＢＬと電源線ＳＬとの間に流れる電流である。なおトランジスタ１１２は、第２のトランジスタともいう。また、トランジスタ１１２は、ｐチャネル型のトランジスタとして、説明を行うものとする。

【0099】

トランジスタ１１２は、閾値電圧のばらつきが小さいトランジスタであることが好ましい。ここで、閾値電圧のばらつきが小さいトランジスタとは、複数のトランジスタが同一プロセスで作製される際に、許容される閾値電圧の差が２０ｍＶ以内で形成されうるトランジスタのことをいう。例えば、トランジスタ１１２として、単結晶シリコン基板に形成されたトランジスタを用いることができる。言うまでもなく、閾値電圧のばらつきは小さければ小さいほど好ましいが、単結晶シリコン基板に形成されたトランジスタであっても、閾値電圧の差が２０ｍＶ程度残りうる。

【0100】

本明細書等では、単結晶シリコン基板に形成されたトランジスタを、「Ｓｉトランジスタ」と呼ぶ。Ｓｉトランジスタは、チャネル領域が単結晶シリコンで形成される。また、トランジスタ１１２にＳｉトランジスタ、トランジスタ１１１にＯＳトランジスタを用いることで、トランジスタ１１１は、トランジスタ１１２が形成された単結晶シリコン基板に積層して設けることができる。実施の形態４では、トランジスタ１１１を、単結晶シリコン基板に積層して設けた例について説明する。

【0101】

＜メモリセルの構成例２＞
また、メモリセル１００は、トランジスタ１１１と、容量素子１１４と、ｎチャネル型のトランジスタ１１３と、で構成してもよい。図４（Ａ）に、メモリセル１００を、トランジスタ１１１、容量素子１１４、およびトランジスタ１１３とで構成した場合の構成例を示す。

【0102】

トランジスタ１１１は、ゲートに、書き込みワード線ＷＷＬが接続される。また、トランジスタ１１１は、ソース及びドレインの一方に、ビット線ＢＬが接続される。また、トランジスタ１１１は、ソース及びドレインの他方に、フローティングノードＦＮが接続される。

【0103】

トランジスタ１１３は、ゲートに、フローティングノードＦＮが接続される。また、トランジスタ１１３は、ソース及びドレインの一方に、読み出しワード線ＲＷＬが接続される。また、トランジスタ１１３は、ソース及びドレインの他方に、ビット線ＲＢＬが接続される。

【0104】

容量素子１１４は、一方の電極に、フローティングノードＦＮが接続される。また、容量素子１１４は、他方の電極に、所定の電位が供給される配線ＣＡＬが接続される。

【0105】

メモリセル１００を、図４（Ａ）に示す構成とすることで、トランジスタ１１３にもＯＳトランジスタを用いることができる。

【0106】

また、メモリセル１００は、１個のＯＳトランジスタと１個の容量素子と、で構成してもよい。図４（Ｂ）に、メモリセル１００を、トランジスタ１１１および容量素子１１４とで構成した場合の構成例を示す。

【0107】

トランジスタ１１１は、ゲートに、ワード線ＷＬが接続される。また、トランジスタ１１１は、ソース及びドレインの一方に、ビット線ＢＬが接続される。また、トランジスタ１１１は、ソース及びドレインの他方に、フローティングノードＦＮが接続される。

【0108】

容量素子１１４は、一方の電極に、フローティングノードＦＮが接続される。また、容量素子１１４は、他方の電極に、所定の電位が供給される配線ＣＡＬが接続される。

【0109】

メモリセル１００を、図４（Ｂ）に示す構成とすることで、メモリセル１００の配置密度を向上させることができる。データの読み出しは、破壊読み出しとなる。

【0110】

＜メモリセルの動作例＞
次いで、図３（Ａ）に示すメモリセル１００の動作を説明する。

【0111】

図３（Ｂ）に示すタイミングチャート図は、図３（Ａ）で示した書き込みワード線ＷＷＬ、読み出しワード線ＲＷＬ、フローティングノードＦＮ、ビット線ＢＬ、及び電源線ＳＬに与えられる各信号の変化について示すものである。

【0112】

図３（Ｂ）に示すタイミングチャート図では、初期状態である期間Ｔ０、ビット線ＢＬの電位をプリチャージする期間Ｔ１、データを読み出すためにビット線ＢＬの放電を行う期間Ｔ２、を示している。

【0113】

図３（Ｂ）に示す期間Ｔ０では、まずビット線ＢＬの電位の初期化を行う。このとき、書き込みワード線ＷＷＬは、Ｌレベルの電位が与えられる。また、読み出しワード線ＲＷＬは、Ｈレベルの電位が与えられる。また、フローティングノードＦＮは、多値のデータに対応する電位が保持される。またビット線ＢＬは、初期化電位Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ}が与えられる。また、電源線ＳＬは、ディスチャージ電位Ｖ_{ｄｉｓｃｈａｒｇｅ}が与えられる。

【0114】

なお図３（Ｂ）では、多値のデータの一例として、２ビットのデータ、すなわち４値のデータを示している。具体的に図３（Ｂ）では、４値のデータに対応する電位（Ｖ_００、Ｖ_０１、Ｖ_１０、Ｖ_１１）を示しており、４段階の電位で表すことができる。

【0115】

記憶装置２７０は、例えば、動作モード２において、４値のデータに対応する電位（Ｖ_００、Ｖ_０１、Ｖ_１０、Ｖ_１１）を保持し、動作モード１において、４値のデータに対応する電位のうち２つ（Ｖ_００、Ｖ_１１）を使用して、データを記憶することができる。Ｖ_００とＶ_１１は、例えば、Ｖ_００とＶ_０１より電位差が大きいため、動作モード２よりも動作モード１のほうが、電源が供給されなくなった状態で記憶したデータを長時間保持することができる。

【0116】

次いで図３（Ｂ）に示す期間Ｔ１では、ビット線ＢＬの電位をプリチャージする。このとき、書き込みワード線ＷＷＬは、前の期間に引き続き、Ｌレベルの電位が与えられる。また、読み出しワード線ＲＷＬは、前の期間に引き続き、Ｈレベルの電位が与えられる。また、フローティングノードＦＮは、前の期間に引き続き、多値のデータに対応する電位が保持される。またビット線ＢＬは、プリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}が与えられる。また、電源線ＳＬは、前の期間に引き続き、プリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}よりも低い、Ｌレベルの電位が与えられる。

【0117】

このとき、ビット線ＢＬは、プリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}が与えられた後、電気的に浮遊状態となる。すなわち、ビット線ＢＬは、電荷の充電又は放電により電位の変動が生じる状態となる。この浮遊状態は、ビット線ＢＬに電位を与えるスイッチをオフにすることで実現することができる。

【0118】

次いで図３（Ｂ）に示す期間Ｔ２では、データを読み出すためにビット線ＢＬの放電を行う。このとき、書き込みワード線ＷＷＬは、前の期間に引き続き、Ｌレベルの電位が与えられる。また、読み出しワード線ＲＷＬは、Ｌレベルの電位が与えられる。また、フローティングノードＦＮは、多値のデータに対応する電位がそれぞれ低下する。またビット線ＢＬは、プリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}がフローティングノードＦＮの電位に従って低下する。また、電源線ＳＬは、前の期間に引き続き、ディスチャージ電位Ｖ_{ｄｉｓｃｈａｒｇｅ}が与えられる。

【0119】

読み出しワード線ＲＷＬの電位の変化に従って、フローティングノードＦＮの電位は、低下する。この電位の低下は、フローティングノードＦＮが電気的に浮遊状態であるためであり、フローティングノードＦＮに接続された容量素子１１４による容量結合により、生じるものである。

【0120】

フローティングノードＦＮの電位の低下は、トランジスタ１１２のゲートの電位の低下でもある。トランジスタ１１２は、ｐチャネル型のトランジスタであり、ゲートの電位の低下に従って、ゲートとソースとの間の電圧（ゲートソース間電圧：Ｖｇｓ）の絶対値が大きくなる。このＶｇｓの上昇に従ってトランジスタ１１２では、ソースとドレインとの間に電流Ｉｄが流れる。

【0121】

トランジスタ１１２に電流Ｉｄが流れることで、ビット線ＢＬの電荷が電源線ＳＬに放電される。トランジスタ１１２のソースにあたるビット線ＢＬの電位は、放電により低下する。ビット線ＢＬの電位が低下することで、トランジスタ１１２のＶｇｓが徐々に小さくなる。

【0122】

期間Ｔ２で流れる電流Ｉｄは、Ｖｇｓがトランジスタ１１２の閾値電圧となる値で流れなくなる。そのため、ビット線ＢＬは、電位の低下が進行し、トランジスタ１１２のＶｇｓが閾値電圧となった時点で放電が完了し、定電位となる。このときのビット線ＢＬの電位は、概ねフローティングノードＦＮの電位から閾値電圧を引いた値として得られる。

【0123】

つまり放電により変化するビット線ＢＬの電位は、フローティングノードＦＮの電位の高低を反映した形で得ることができる。この電位の違いを多値のデータの判定に用いることで、メモリセル１００に書き込まれた多値のデータを読み出すことができる。

【0124】

本実施の形態の構成によると、データを読み出すための信号を多値のデータの数に応じて切り換えることなく、メモリセルからの多値のデータの読み出しを行うことができる。

【0125】

以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

【0126】

（実施の形態３）
本実施の形態では、記憶装置２７０の構成例および動作例について説明する。記憶装置２７０は、実施の形態２で説明した駆動方法を行うことができる記憶装置の一例であり、図３（Ａ）を用いて説明したメモリセル１００を有する。

【0127】

＜記憶装置の構成例＞
図５は、記憶装置２７０の構成例を示すブロック図である。

【0128】

図５に示す記憶装置２７０は、図３（Ａ）で説明したメモリセル１００が複数設けられたメモリセルアレイ２０１、行選択ドライバ２３０、列選択ドライバ２４０、及びＡ／Ｄコンバータ２５０を有する。なお記憶装置２７０は、ｍ行ｎ列（ｍ、ｎは２以上の整数）のマトリクス状に設けられたメモリセル１００を有する。また図５では、書き込みワード線ＷＷＬ、読み出しワード線ＲＷＬ、ビット線ＢＬ、電源線ＳＬとして、（ｍ－１）行目の書き込みワード線ＷＷＬ［ｍ－１］、読み出しワード線ＲＷＬ［ｍ－１］、ｍ行目の書き込みワード線ＷＷＬ［ｍ］、読み出しワード線ＲＷＬ［ｍ］、（ｎ－１）列目のビット線ＢＬ［ｎ－１］、ｎ列目のビット線ＢＬ［ｎ］、及び電源線ＳＬを示している。

【0129】

図５に示すメモリセルアレイ２０１は、図３（Ａ）で説明したメモリセル１００が、マトリクス状に設けられている。なおメモリセル１００が有する各構成の説明は、図３（Ａ）と同様であり、図３での説明を援用するものとして説明を省略する。

【0130】

なお図５に示すメモリセルアレイ２０１では、隣り合うメモリセルで、電源線ＳＬを共有化した構成としている。該構成を採用することにより、電源線ＳＬが占めていた分の面積の縮小が図られる。そのため該構成を採用する記憶装置では、単位面積あたりの記憶容量の向上を図ることができる。

【0131】

行選択ドライバ２３０は、メモリセル１００の各行におけるトランジスタ１１１を選択的に導通状態とする機能、及びメモリセル１００の各行におけるフローティングノードＦＮの電位を選択的に変化させる機能、を備えた回路である。具体的には、書き込みワード線ＷＷＬに書き込みワード信号を与え、読み出しワード線ＲＷＬに読み出しワード信号を与える回路である。行選択ドライバ２３０を備えることで、記憶装置２７０は、メモリセル１００へのデータの書き込み及び読み出しを行毎に選択して行うことができる。

【0132】

列選択ドライバ２４０は、メモリセル１００の各列におけるフローティングノードＦＮに選択的にデータを書き込む機能、ビット線ＢＬの電位をプリチャージする機能、ビット線ＢＬの電位を初期化する機能、及びビット線ＢＬを電気的に浮遊状態とする機能、を備えた回路である。具体的には、ビット線ＢＬに多値のデータに対応する電位、ビット線ＢＬにプリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}、及び初期化電位Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ}をスイッチを介して与える回路である。列選択ドライバ２４０を備えることで、記憶装置２７０は、メモリセル１００へのデータの書き込み及び読み出しを列毎に選択して行うことができる。

【0133】

Ａ／Ｄコンバータ２５０は、アナログ値であるビット線ＢＬの電位を、デジタル値に変換して外部に出力する機能を備えた回路である。具体的には、フラッシュ型のＡ／Ｄコンバータを有する回路である。Ａ／Ｄコンバータ２５０を備えることで、記憶装置２７０は、メモリセル１００より読み出されたデータに対応するビット線ＢＬの電位を外部に出力することができる。

【0134】

なおＡ／Ｄコンバータ２５０は、フラッシュ型のＡ／Ｄコンバータとして説明を行うが、逐次比較型、マルチスロープ型、デルタシグマ型のＡ／Ｄコンバータを用いてもよい。

【0135】

＜行選択ドライバの構成例＞
図６は、図５で説明した行選択ドライバ２３０の構成例を示すブロック図である。

【0136】

図６に示す行選択ドライバ２３０は、デコーダ２３１、及び読み出し書き込み制御回路２３２を有する。読み出し書き込み制御回路２３２は、書き込みワード線ＷＷＬ及び読み出しワード線ＲＷＬの行毎に設けられる。また各行の読み出し書き込み制御回路２３２は、書き込みワード線ＷＷＬ、及び読み出しワード線ＲＷＬに接続される。

【0137】

デコーダ２３１は、書き込みワード線ＷＷＬ及び読み出しワード線ＲＷＬが設けられる行を選択するための信号を出力する機能を備えた回路である。具体的には、アドレス信号Ａｄｄｒｅｓｓが入力され、該アドレス信号Ａｄｄｒｅｓｓに従っていずれかの行の読み出し書き込み制御回路２３２を選択する回路である。デコーダ２３１を備えることで、行選択ドライバ２３０は、任意の行を選択して、データの書き込み又は読み出しを行うことができる。

【0138】

読み出し書き込み制御回路２３２は、デコーダ２３１で選択された書き込みワード線ＷＷＬ及び読み出しワード線ＲＷＬを有する行の、書き込みワード信号を出力する機能及び読み出しワード信号を選択的に出力する機能、を備えた回路である。具体的に読み出し書き込み制御回路２３２は、書き込み制御信号Ｗｒｉｔｅ＿ＣＯＮＴ及び読み出し制御信号Ｒｅａｄ＿ＣＯＮＴが入力され、該信号に従って書き込みワード信号又は読み出しワード信号を選択的に出力する回路である。読み出し書き込み制御回路２３２を備えることで、行選択ドライバ２３０は、デコーダ２３１で選択された行での、書き込みワード信号又は読み出しワード信号を選択して出力することができる。

【0139】

＜列選択ドライバの構成例＞
図７は、図５で説明した列選択ドライバ２４０の構成例を示すブロック図である。

【0140】

図７に示す列選択ドライバ２４０は、デコーダ２４１、ラッチ回路２４２、Ｄ／Ａコンバータ２４３、スイッチ回路２４４、トランジスタ２４５、及びトランジスタ２４６を有する。前述の各回路及びトランジスタは、列毎に設けられる。また各列のスイッチ回路２４４、トランジスタ２４５、及びトランジスタ２４６は、ビット線ＢＬに接続される。

【0141】

デコーダ２４１は、ビット線ＢＬが設けられる列を選択し、入力されるデータを振り分けて出力する機能を備えた回路である。具体的には、アドレス信号Ａｄｄｒｅｓｓ及びデータＤａｔａが入力され、該アドレス信号Ａｄｄｒｅｓｓに従っていずれかの列のラッチ回路２４２にデータＤａｔａを出力する回路である。デコーダ２４１を備えることで、列選択ドライバ２４０は、任意の列を選択して、データの書き込みを行うことができる。

【0142】

なおデコーダ２４１に入力されるデータＤａｔａは、ｋビットのデジタルデータである。ｋビットのデジタルデータは、ビット毎に’１’又は’０’の２値のデータで表される信号である。具体的には、２ビットのデジタルデータであれば、’００’、’０１’、’１０’、’１１’で表されるデータである。

【0143】

ラッチ回路２４２は、入力されるデータＤａｔａを一時的に記憶する機能を備えた回路である。具体的には、ラッチ信号Ｗ＿ＬＡＴが入力され、記憶したデータＤａｔａを、該ラッチ信号Ｗ＿ＬＡＴに従ってＤ／Ａコンバータ２４３に出力するフリップフロップ回路である。ラッチ回路２４２を備えることで、列選択ドライバ２４０は、任意のタイミングでデータの書き込みを行うことができる。

【0144】

Ｄ／Ａコンバータ２４３は、入力されるデジタル値のデータＤａｔａを、アナログ値のデータＶ_ｄａｔａに変換する機能を備えた回路である。具体的にＤ／Ａコンバータ２４３は、データＤａｔａのビット数が３ビットであれば、複数の電位Ｖ０乃至Ｖ７の８段階の電位のいずれかに変換してスイッチ回路２４４に出力する回路である。Ｄ／Ａコンバータ２４３を備えることで、列選択ドライバ２４０は、メモリセル１００に書き込むデータを、多値のデータに対応する電位とすることができる。

【0145】

なおＤ／Ａコンバータ２４３から出力されるＶ_ｄａｔａは、異なる電位で表されるデータである。２ビットのデータでいえば、例えば、０．５Ｖ、１．０Ｖ、１．５Ｖ、２．０Ｖの４値のデータとなり、いずれかの電位で表されるデータということができる。

【0146】

スイッチ回路２４４は、入力されるデータＶ_ｄａｔａをビット線ＢＬに与える機能、及びビット線ＢＬを電気的に浮遊状態とする機能を備えた回路である。具体的には、アナログスイッチとインバータを備え、スイッチ制御信号Ｗｒｉｔｅ＿ＳＷによる制御により、データＶ_ｄａｔａをビット線ＢＬに与え、その後アナログスイッチをオフにすることで電気的に浮遊状態とする回路である。スイッチ回路２４４を備えることで、列選択ドライバ２４０は、データＶ_ｄａｔａをビット線ＢＬに与えた後、ビット線ＢＬを電気的に浮遊状態に保持することができる。

【0147】

トランジスタ２４５は、プリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}をビット線ＢＬに与える機能、及びビット線ＢＬを電気的に浮遊状態とする機能を備えた回路である。具体的には、プリチャージ制御信号Ｐｒｅ＿ＥＮによる制御でプリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}をビット線ＢＬに与え、その後ビット線ＢＬを電気的に浮遊状態とするスイッチである。トランジスタ２４５を備えることで、列選択ドライバ２４０は、プリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}をビット線ＢＬに与えた後、ビット線ＢＬを電気的に浮遊状態に保持することができる。

【0148】

トランジスタ２４６は、初期化電位Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ}をビット線ＢＬに与える機能、及びビット線ＢＬを電気的に浮遊状態とする機能を備えた回路である。具体的には、初期化制御信号Ｉｎｉｔ＿ＥＮによる制御で初期化電位Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ}をビット線ＢＬに与え、その後ビット線ＢＬを電気的に浮遊状態とするスイッチである。トランジスタ２４６を備えることで、列選択ドライバ２４０は、初期化電位Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ}をビット線ＢＬに与えた後、ビット線ＢＬを電気的に浮遊状態に保持することができる。

【0149】

＜Ａ／Ｄコンバータの構成例＞
図８は、図５で説明したＡ／Ｄコンバータ２５０の構成例を示すブロック図である。

【0150】

図８に示すＡ／Ｄコンバータ２５０は、コンパレータ回路２５１、エンコーダ２５２、ラッチ回路２５３、及びバッファ２５４を有する。前述の各回路及びトランジスタは、列毎に設けられる。また各列のバッファ２５４は、データＤｏｕｔを出力する。

【0151】

コンパレータ回路２５１は、ビット線ＢＬの電位と、参照電位Ｖｒｅｆ０乃至Ｖｒｅｆ６との電位の高低を比較し、ビット線ＢＬの電位が多値のデータのいずれに応じた電位であるかを判定する機能を備えた回路である。具体的には、複数のコンパレータ５９を備え、それぞれのコンパレータ５９にビット線ＢＬの電位と、異なる参照電位Ｖｒｅｆ０乃至Ｖｒｅｆ６とが与えられ、ビット線ＢＬの電位がいずれの電位の間にあるかを判定する回路である。コンパレータ回路２５１を備えることで、Ａ／Ｄコンバータ２５０は、ビット線ＢＬの電位が、多値のデータのいずれに対応する電位かを判定することができる。

【0152】

なお、一例として図８で示す参照電位Ｖｒｅｆ０乃至Ｖｒｅｆ６は、多値のデータが３ビット、すなわち８値のデータである場合に与えられる電位である。

【0153】

エンコーダ２５２は、コンパレータ回路２５１から出力されるビット線ＢＬの電位を判定する信号をもとに、多ビットのデジタル信号を生成する機能を備えた回路である。具体的には、複数のコンパレータ５９より出力されるＨレベル又はＬレベルの信号をもとに符号化を行い、デジタル信号を生成する回路である。エンコーダ２５２を備えることで、Ａ／Ｄコンバータ２５０は、メモリセル１００から読み出されたデータをデジタル値のデータとすることができる。

【0154】

ラッチ回路２５３は、入力されるデジタル値のデータを一時的に記憶する機能を備えた回路である。具体的には、ラッチ信号ＬＡＴが入力され、記憶したデータを、該ラッチ信号ＬＡＴに従ってバッファ２５４に出力するフリップフロップ回路である。ラッチ回路２５３を備えることで、Ａ／Ｄコンバータ２５０は、任意のタイミングでデータの出力を行うことができる。なおラッチ回路２５３は、省略することができる。

【0155】

バッファ２５４は、ラッチ回路２５３より出力されたデータを増幅して出力信号Ｄｏｕｔとして出力する機能を備えた回路である。具体的には、インバータ回路を偶数段備えた回路である。バッファ２５４を備えることで、Ａ／Ｄコンバータ２５０は、デジタル信号に対するノイズを低減することができる。なおバッファ２５４は、省略することができる。

【0156】

＜記憶装置の駆動方法の具体例＞
図９には、記憶装置２７０が有するメモリセルの回路図を示している。また、図１０及び図１１に示すタイミングチャート図は、図９の動作を説明するものである。

【0157】

図９に示すメモリセルは、図３（Ａ）で説明したメモリセル１００と同じ回路構成のメモリセル１００Ａ乃至１００Ｄが２行２列のマトリクス状に設けられている。また図９では、書き込みワード線ＷＷＬ、読み出しワード線ＲＷＬ、ビット線ＢＬ、電源線ＳＬとして、１行目の書き込みワード線ＷＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、２行目の書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、１列目のビット線ＢＬ［１］、２列目のビット線ＢＬ［２］、及び電源線ＳＬを示している。

【0158】

図１０に示すタイミングチャート図では、データの書き込みを行う期間ｐ１乃至ｐ８におけるタイミングチャート図である。また図１１に示すタイミングチャート図では、データの読み出しを行う期間ｐ９乃至ｐ１６におけるタイミングチャート図である。なお、図１０及び図１１には図９の書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、電源線ＳＬ、ビット線ＢＬ［１］、及びビット線ＢＬ［２］、の電位の変化を示している。

【0159】

図１０に示す期間ｐ１では、書き込みワード線ＷＷＬ［１］をＨレベル、読み出しワード線ＲＷＬ［１］をＬレベルとする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、電源線ＳＬ、ビット線ＢＬ［１］、及びビット線ＢＬ［２］は、前の期間の電位を保持する。

【0160】

次いで図１０に示す期間ｐ２では、ビット線ＢＬ［１］の電位をＶ１、ビット線ＢＬ［２］の電位をＶ２とする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、及び電源線ＳＬは、前の期間の電位を保持する。

【0161】

次いで図１０に示す期間ｐ３では、書き込みワード線ＷＷＬ［１］をＬレベルとする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、電源線ＳＬ、ビット線ＢＬ［１］、及びビット線ＢＬ［２］は、前の期間の電位を保持する。

【0162】

期間ｐ１乃至ｐ３で読み出しワード線ＲＷＬ［１］をＬレベルとしておくのは、メモリセルに書き込んだデータによってトランジスタ１１２が導通状態となることを防ぐためである。メモリセルにデータを書き込む際、読み出しワード線ＲＷＬ［１］をＬレベルとしておくことで、データをメモリセルに書き込んだ後、読み出しワード線ＲＷＬ［１］をＨレベルに切り換える構成とすることができる。当該構成により、一度メモリセルにデータを書き込んだ後は、メモリセル内のフローティングノードＦＮの電位が上昇し、ｐチャネル型であるトランジスタ１１２が導通状態となるといった誤動作を低減することができる。

【0163】

次いで図１０に示す期間ｐ４では、読み出しワード線ＲＷＬ［１］をＨレベルとする。またビット線ＢＬ［１］及びビット線ＢＬ［２］の電位を初期化電位Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ}とする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、及び電源線ＳＬは、前の期間の電位を保持する。

【0164】

次いで図１０に示す期間ｐ５では、書き込みワード線ＷＷＬ［２］をＨレベル、読み出しワード線ＲＷＬ［２］をＬレベルとする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、電源線ＳＬ、ビット線ＢＬ［１］、及びビット線ＢＬ［２］は、前の期間の電位を保持する。

【0165】

次いで図１０に示す期間ｐ６では、ビット線ＢＬ［１］の電位をＶ２、ビット線ＢＬ［２］の電位をＶ１とする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、及び電源線ＳＬは、前の期間の電位を保持する。

【0166】

次いで図１０に示す期間ｐ７では、書き込みワード線ＷＷＬ［２］をＬレベルとする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、電源線ＳＬ、ビット線ＢＬ［１］、及びビット線ＢＬ［２］は、前の期間の電位を保持する。

【0167】

期間ｐ５乃至ｐ７で読み出しワード線ＲＷＬ［２］をＬレベルとしておくのは、メモリセルに書き込んだデータによってトランジスタ１１２が導通状態となることを防ぐためである。メモリセルにデータを書き込む際、読み出しワード線ＲＷＬ［２］をＬレベルとしておくことで、データをメモリセルに書き込んだ後、読み出しワード線ＲＷＬ［２］をＨレベルに切り換える構成とすることができる。当該構成により、一度メモリセルにデータを書き込んだ後は、メモリセル内のフローティングノードＦＮの電位が上昇し、ｐチャネル型であるトランジスタ１１２が導通状態となるといった誤動作を低減することができる。

【0168】

次いで図１０に示す期間ｐ８では、読み出しワード線ＲＷＬ［２］をＨレベルとする。またビット線ＢＬ［１］及びビット線ＢＬ［２］の電位を初期化電位Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ}とする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、及び電源線ＳＬは、前の期間の電位を保持する。

【0169】

以上、期間ｐ１乃至ｐ８で説明したデータの書き込みにより、図９に示すメモリセル１００Ａには電位Ｖ１に応じたデータが書き込まれ、メモリセル１００Ｂには電位Ｖ２に応じたデータが書き込まれ、メモリセル１００Ｃには電位Ｖ２に応じたデータが書き込まれ、メモリセル１００Ｄには電位Ｖ１に応じたデータが書き込まれる。

【0170】

図１１に示す期間ｐ９では、ビット線ＢＬ［１］及びビット線ＢＬ［２］をプリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}とする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、及び電源線ＳＬは、前の期間の電位を保持する。

【0171】

次いで図１１に示す期間ｐ１０では、読み出しワード線ＲＷＬ［１］をＬレベルとする。すると、ビット線ＢＬ［１］及びビット線ＢＬ［２］の電位は、メモリセル１００Ａ及びメモリセル１００Ｂに書き込まれたデータに対応する電位に応じて、低下する。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、及び電源線ＳＬは、前の期間の電位を保持する。

【0172】

次いで図１１に示す期間ｐ１１では、期間ｐ１０でのビット線ＢＬ［１］及びビット線ＢＬ［２］における電位が下げ止まり、それぞれ電位Ｖ１’、電位Ｖ２’となる。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、及び電源線ＳＬは、前の期間の電位を保持する。

【0173】

なお電位Ｖ１’及び電位Ｖ２’は、それぞれ、図１０においてメモリセル１００Ａ及びメモリセル１００Ｂに書き込んだ電位Ｖ１及び電位Ｖ２に対応する電位である。

【0174】

次いで図１１に示す期間ｐ１２では、読み出しワード線ＲＷＬ［１］をＨレベルとする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、電源線ＳＬ、ビット線ＢＬ［１］、及びビット線ＢＬ［２］は、前の期間の電位を保持する。

【0175】

図１１に示す期間ｐ１３では、ビット線ＢＬ［１］及びビット線ＢＬ［２］をプリチャージ電位Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ}とする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、及び電源線ＳＬは、前の期間の電位を保持する。

【0176】

次いで図１１に示す期間ｐ１４では、読み出しワード線ＲＷＬ［２］をＬレベルとする。すると、ビット線ＢＬ［１］及びビット線ＢＬ［２］の電位は、メモリセル１００Ｃ及びメモリセル１００Ｄに書き込まれたデータに対応する電位に応じて、低下する。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、及び電源線ＳＬは、前の期間の電位を保持する。

【0177】

次いで図１１に示す期間ｐ１５では、期間ｐ１４でのビット線ＢＬ［１］及びビット線ＢＬ［２］における電位が下げ止まり、それぞれ電位Ｖ２’、電位Ｖ１’となる。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、読み出しワード線ＲＷＬ［２］、及び電源線ＳＬは、前の期間の電位を保持する。

【0178】

なお電位Ｖ２’及び電位Ｖ１’は、それぞれ、図１０においてメモリセル１００Ｃ及びメモリセル１００Ｄに書き込んだ電位Ｖ２及び電位Ｖ１に対応する電位である。

【0179】

次いで図１１に示す期間ｐ１６では、読み出しワード線ＲＷＬ［２］をＨレベルとする。なお他の配線、すなわち書き込みワード線ＷＷＬ［１］、書き込みワード線ＷＷＬ［２］、読み出しワード線ＲＷＬ［１］、電源線ＳＬ、ビット線ＢＬ［１］、及びビット線ＢＬ［２］は、前の期間の電位を保持する。

【0180】

以上、期間ｐ９乃至ｐ１６で説明したデータの読み出しにより、図９に示すメモリセル１００Ａからは電位Ｖ１に応じたデータが読み出され、メモリセル１００Ｂからは電位Ｖ２に応じたデータが読み出され、メモリセル１００Ｃからは電位Ｖ２に応じたデータが読み出され、メモリセル１００Ｄには電位Ｖ１に応じたデータが読み出される。

【0181】

以上、本実施の形態で説明した記憶装置の構成、及び記憶装置の動作では、データを読み出すための信号を多値のデータの数に応じて切り換えることなく、メモリセルからの多値のデータの読み出しを行うことができる。

【0182】

以上、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

【0183】

（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した記憶装置２７０を構成する、トランジスタの構成例について説明する。本実施の形態では、単結晶シリコン基板に形成されたＳｉトランジスタを有する層の上方に、ＯＳトランジスタを有する層が積層して設けられた構造を有する。

【0184】

＜記憶装置の構成例＞
図１２に示す記憶装置は、トランジスタ３００、トランジスタ５００、および容量素子６００を有する。図１３（Ａ）はトランジスタ５００のチャネル長方向の断面図であり、図１３（Ｂ）はトランジスタ５００のチャネル幅方向の断面図であり、図１３（Ｃ）はトランジスタ３００のチャネル幅方向の断面図である。

【0185】

トランジスタ５００は、例えば、上記実施の形態に示したトランジスタ１１１に相当し、トランジスタ５００は第１のゲート（トップゲート、フロントゲート、または単に、ゲート、ともいう）に加えて、第２のゲート（ボトムゲート、バックゲート、ともいう）を有する。また、トランジスタ３００は、トランジスタ１１２に相当し、容量素子６００は、例えば容量素子１１４に相当する。

【0186】

トランジスタ５００は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタ（ＯＳトランジスタ）である。トランジスタ５００は、オフ電流が非常に小さい特性を有するため、上記実施の形態では、これをトランジスタ１１１に用いることにより、記憶装置２７０は、メモリセル１００に書き込んだデータを長時間保持することができる。

【0187】

図１２に示すように、本実施の形態で説明する記憶装置において、トランジスタ５００はトランジスタ３００の上方に設けられ、容量素子６００は、トランジスタ３００およびトランジスタ５００の上方に設けられている。

【0188】

トランジスタ３００は、基板３１１上に設けられ、導電体３１６、絶縁体３１５、基板３１１の一部からなる半導体領域３１３、ソース領域またはドレイン領域として機能する低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂを有する。

【0189】

トランジスタ３００は、図１３（Ｃ）に示すように、半導体領域３１３の上面およびチャネル幅方向の側面が絶縁体３１５を介して導電体３１６に覆われている。このように、トランジスタ３００をＦｉｎ型とすることにより、実効上のチャネル幅が増大することによりトランジスタ３００のオン特性を向上させることができる。また、ゲート電極の電界の寄与を高くすることができるため、トランジスタ３００のオフ特性を向上させることができる。

【0190】

なお、トランジスタ３００は、ｐチャネル型、あるいはｎチャネル型のいずれでもよい。

【0191】

半導体領域３１３のチャネルが形成される領域、その近傍の領域、ソース領域、またはドレイン領域となる低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂなどにおいて、シリコン系半導体などの半導体を含むことが好ましく、単結晶シリコンを含むことが好ましい。または、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミニウムヒ素）などを有する材料で形成してもよい。結晶格子に応力を与え、格子間隔を変化させることで有効質量を制御したシリコンを用いた構成としてもよい。またはＧａＡｓとＧａＡｌＡｓ等を用いることで、トランジスタ３００をＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｏｂｉｌｉｔｙ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）としてもよい。

【0192】

低抵抗領域３１４ａ、および低抵抗領域３１４ｂは、半導体領域３１３に適用される半導体材料に加え、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、またはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含む。

【0193】

ゲート電極として機能する導電体３１６は、ヒ素、リンなどのｎ型の導電性を付与する元素、もしくはホウ素などのｐ型の導電性を付与する元素を含むシリコンなどの半導体材料、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる。

【0194】

なお、導電体の材料により、仕事関数が定まるため、導電体の材料を変更することで、トランジスタのＶｔｈを調整することができる。具体的には、導電体に窒化チタンや窒化タンタルなどの材料を用いることが好ましい。さらに導電性と埋め込み性を両立するために導電体にタングステンやアルミニウムなどの金属材料を積層して用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが耐熱性の点で好ましい。

【0195】

なお、図１２に示すトランジスタ３００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。

【0196】

トランジスタ３００を覆って、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６が順に積層して設けられている。

【0197】

絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６として、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウムなどを用いればよい。

【0198】

絶縁体３２２は、その下方に設けられるトランジスタ３００などによって生じる段差を平坦化する平坦化膜としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁体３２２の上面は、平坦性を高めるために化学機械研磨（ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ））法等を用いた平坦化処理により平坦化されていてもよい。

【0199】

また、絶縁体３２４には、基板３１１、またはトランジスタ３００などから、トランジスタ５００が設けられる領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。

【0200】

水素に対するバリア性を有する膜の一例として、例えば、ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンを用いることができる。ここで、トランジスタ５００等の酸化物半導体を有する半導体素子に、水素が拡散することで、当該半導体素子の特性が低下する場合がある。したがって、トランジスタ５００と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少ない膜とする。

【0201】

水素の脱離量は、例えば、昇温脱離ガス分析（ＴＤＳ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析）法などを用いて分析することができる。例えば、絶縁体３２４の水素の脱離量は、ＴＤＳ分析において、膜の表面温度が５０℃から５００℃の範囲において、水素原子に換算した脱離量が、絶縁体３２４の面積当たりに換算して、１０×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下、好ましくは５×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以下であればよい。

【0202】

なお、絶縁体３２６は、絶縁体３２４よりも誘電率が低いことが好ましい。例えば、絶縁体３２６の比誘電率は４未満が好ましく、３未満がより好ましい。また例えば、絶縁体３２６の比誘電率は、絶縁体３２４の比誘電率の０．７倍以下が好ましく、０．６倍以下がより好ましい。比誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。

【0203】

また、絶縁体３２０、絶縁体３２２、絶縁体３２４、および絶縁体３２６には容量素子６００、またはトランジスタ５００と接続する導電体３２８、および導電体３３０等が埋め込まれている。なお、導電体３２８、および導電体３３０は、プラグまたは配線としての機能を有する。また、プラグまたは配線としての機能を有する導電体は、複数の構造をまとめて同一の符号を付与する場合がある。また、本明細書等において、配線と、配線と接続するプラグとが一体物であってもよい。すなわち、導電体の一部が配線として機能する場合、および導電体の一部がプラグとして機能する場合もある。

【0204】

各プラグ、および配線（導電体３２８、および導電体３３０等）の材料としては、金属材料、合金材料、金属窒化物材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を、単層または積層して用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましく、タングステンを用いることが好ましい。または、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。低抵抗導電性材料を用いることで配線抵抗を低くすることができる。

【0205】

絶縁体３２６、および導電体３３０上に、配線層を設けてもよい。例えば、図１２において、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３５０、絶縁体３５２、および絶縁体３５４には、導電体３５６が形成されている。導電体３５６は、トランジスタ３００と接続するプラグ、または配線としての機能を有する。なお導電体３５６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

【0206】

なお、例えば、絶縁体３５０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３５６は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３５０が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ５００とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ５００への水素の拡散を抑制することができる。

【0207】

なお、水素に対するバリア性を有する導電体としては、例えば、窒化タンタル等を用いるとよい。また、窒化タンタルと導電性が高いタングステンを積層することで、配線としての導電性を保持したまま、トランジスタ３００からの水素の拡散を抑制することができる。この場合、水素に対するバリア性を有する窒化タンタル層が、水素に対するバリア性を有する絶縁体３５０と接する構造であることが好ましい。

【0208】

絶縁体３５４、および導電体３５６上に、配線層を設けてもよい。例えば、図１２において、絶縁体３６０、絶縁体３６２、および絶縁体３６４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３６０、絶縁体３６２、および絶縁体３６４には、導電体３６６が形成されている。導電体３６６は、プラグまたは配線としての機能を有する。なお導電体３６６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

【0209】

なお、例えば、絶縁体３６０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３６６は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３６０が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ５００とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ５００への水素の拡散を抑制することができる。

【0210】

絶縁体３６４、および導電体３６６上に、配線層を設けてもよい。例えば、図１２において、絶縁体３７０、絶縁体３７２、および絶縁体３７４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３７０、絶縁体３７２、および絶縁体３７４には、導電体３７６が形成されている。導電体３７６は、プラグまたは配線としての機能を有する。なお導電体３７６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

【0211】

なお、例えば、絶縁体３７０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３７６は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３７０が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ５００とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ５００への水素の拡散を抑制することができる。

【0212】

絶縁体３７４、および導電体３７６上に、配線層を設けてもよい。例えば、図１２において、絶縁体３８０、絶縁体３８２、および絶縁体３８４が順に積層して設けられている。また、絶縁体３８０、絶縁体３８２、および絶縁体３８４には、導電体３８６が形成されている。導電体３８６は、プラグまたは配線としての機能を有する。なお導電体３８６は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

【0213】

なお、例えば、絶縁体３８０は、絶縁体３２４と同様に、水素に対するバリア性を有する絶縁体を用いることが好ましい。また、導電体３８６は、水素に対するバリア性を有する導電体を含むことが好ましい。特に、水素に対するバリア性を有する絶縁体３８０が有する開口部に、水素に対するバリア性を有する導電体が形成される。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ５００とは、バリア層により分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ５００への水素の拡散を抑制することができる。

【0214】

上記において、導電体３５６を含む配線層、導電体３６６を含む配線層、導電体３７６を含む配線層、および導電体３８６を含む配線層、について説明したが、本実施の形態に係る記憶装置はこれに限られるものではない。導電体３５６を含む配線層と同様の配線層を３層以下にしてもよいし、導電体３５６を含む配線層と同様の配線層を５層以上にしてもよい。

【0215】

絶縁体３８４上には絶縁体５１０、絶縁体５１２、絶縁体５１４、および絶縁体５１６が、順に積層して設けられている。絶縁体５１０、絶縁体５１２、絶縁体５１４、および絶縁体５１６のいずれかは、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。

【0216】

例えば、絶縁体５１０、および絶縁体５１４には、例えば、基板３１１、またはトランジスタ３００を設ける領域などから、トランジスタ５００を設ける領域に、水素や不純物が拡散しないようなバリア性を有する膜を用いることが好ましい。したがって、絶縁体３２４と同様の材料を用いることができる。

【0217】

水素に対するバリア性を有する膜の一例として、ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンを用いることができる。ここで、トランジスタ５００等の酸化物半導体を有する半導体素子に、水素が拡散することで、当該半導体素子の特性が低下する場合がある。したがって、トランジスタ５００と、トランジスタ３００との間に、水素の拡散を抑制する膜を用いることが好ましい。水素の拡散を抑制する膜とは、具体的には、水素の脱離量が少ない膜とする。

【0218】

また、水素に対するバリア性を有する膜として、例えば、絶縁体５１０、および絶縁体５１４には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用いることが好ましい。

【0219】

特に、酸化アルミニウムは、酸素、およびトランジスタの電気特性の変動要因となる水素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中および作製後において、水素、水分などの不純物のトランジスタ５００への混入を防止することができる。また、トランジスタ５００を構成する酸化物からの酸素の放出を抑制することができる。そのため、トランジスタ５００に対する保護膜として用いることに適している。

【0220】

また、例えば、絶縁体５１２、および絶縁体５１６には、絶縁体３２０と同様の材料を用いることができる。また、比較的誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体５１２、および絶縁体５１６として、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。

【0221】

また、絶縁体５１０、絶縁体５１２、絶縁体５１４、および絶縁体５１６には、導電体５１８、およびトランジスタ５００を構成する導電体（導電体５０３）等が埋め込まれている。なお、導電体５１８は、容量素子６００、またはトランジスタ３００と接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体５１８は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

【0222】

特に、絶縁体５１０、および絶縁体５１４と接する領域の導電体５１８は、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する導電体であることが好ましい。当該構成により、トランジスタ３００とトランジスタ５００とは、酸素、水素、および水に対するバリア性を有する層で、分離することができ、トランジスタ３００からトランジスタ５００への水素の拡散を抑制することができる。

【0223】

絶縁体５１６の上方には、トランジスタ５００が設けられている。

【0224】

図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、トランジスタ５００は、絶縁体５１４および絶縁体５１６に埋め込まれるように配置された導電体５０３と、絶縁体５１６と導電体５０３の上に配置された絶縁体５２０と、絶縁体５２０の上に配置された絶縁体５２２と、絶縁体５２２の上に配置された絶縁体５２４と、絶縁体５２４の上に配置された酸化物５３０ａと、酸化物５３０ａの上に配置された酸化物５３０ｂと、酸化物５３０ｂ上に、互いに離して配置された導電体５４２ａ、および導電体５４２ｂと、導電体５４２ａおよび導電体５４２ｂ上に配置され、導電体５４２ａと導電体５４２ｂの間に重畳して開口が形成された絶縁体５８０と、開口の中に配置された導電体５６０と、酸化物５３０ｂ、導電体５４２ａ、導電体５４２ｂ、および絶縁体５８０と、導電体５６０と、の間に配置された絶縁体５５０と、酸化物５３０ｂ、導電体５４２ａ、導電体５４２ｂ、および絶縁体５８０と、絶縁体５５０と、の間に配置された酸化物５３０ｃと、を有する。

【0225】

また、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、導電体５４２ａ、および導電体５４２ｂと、絶縁体５８０の間に絶縁体５４４が配置されることが好ましい。また、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、導電体５６０は、絶縁体５５０の内側に設けられた導電体５６０ａと、導電体５６０ａの内側に埋め込まれるように設けられた導電体５６０ｂと、を有することが好ましい。また、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、絶縁体５８０、導電体５６０、および絶縁体５５０の上に絶縁体５７４が配置されることが好ましい。

【0226】

なお、以下において、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、および酸化物５３０ｃをまとめて酸化物５３０という場合がある。また、導電体５４２ａおよび導電体５４２ｂをまとめて導電体５４２という場合がある。

【0227】

なお、トランジスタ５００では、チャネルが形成される領域と、その近傍において、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、および酸化物５３０ｃの３層を積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、酸化物５３０ｂの単層、酸化物５３０ｂと酸化物５３０ａの２層構造、酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃの２層構造、または４層以上の積層構造を設ける構成にしてもよい。また、トランジスタ５００では、導電体５６０を２層の積層構造として示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体５６０が、単層構造であってもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。また、図１２、及び図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５００は一例であり、その構造に限定されず、回路構成や駆動方法に応じて適切なトランジスタを用いればよい。

【0228】

ここで、導電体５６０は、トランジスタのゲート電極として機能し、導電体５４２ａおよび導電体５４２ｂは、それぞれソース電極またはドレイン電極として機能する。上記のように、導電体５６０は、絶縁体５８０の開口、および導電体５４２ａと導電体５４２ｂに挟まれた領域に埋め込まれるように形成される。導電体５６０、導電体５４２ａおよび導電体５４２ｂの配置は、絶縁体５８０の開口に対して、自己整合的に選択される。つまり、トランジスタ５００において、ゲート電極を、ソース電極とドレイン電極の間に、自己整合的に配置させることができる。よって、導電体５６０を位置合わせのマージンを設けることなく形成することができるので、トランジスタ５００の占有面積の縮小を図ることができる。これにより、記憶装置の微細化、高集積化を図ることができる。

【0229】

さらに、導電体５６０が、導電体５４２ａと導電体５４２ｂの間の領域に自己整合的に形成されるので、導電体５６０は、導電体５４２ａまたは導電体５４２ｂと重畳する領域を有さない。これにより、導電体５６０と導電体５４２ａおよび導電体５４２ｂとの間に形成される寄生容量を低減することができる。よって、トランジスタ５００のスイッチング速度を向上させ、高い周波数特性を有せしめることができる。

【0230】

導電体５６０は、第１のゲート電極として機能する場合がある。また、導電体５０３は、第２のゲート電極として機能する場合がある。その場合、導電体５０３に印加する電位を、導電体５６０に印加する電位と連動させず、独立して変化させることで、トランジスタ５００のＶｔｈを制御することができる。特に、導電体５０３に負の電位を印加することにより、トランジスタ５００のＶｔｈを０Ｖより大きくし、オフ電流を低減することが可能となる。したがって、導電体５０３に負の電位を印加したほうが、印加しない場合よりも、導電体５６０に印加する電位が０Ｖのときのドレイン電流を小さくすることができる。

【0231】

導電体５０３は、酸化物５３０、および導電体５６０と、重なるように配置する。これにより、導電体５６０、および導電体５０３に電位を印加した場合、導電体５６０から生じる電界と、導電体５０３から生じる電界とがつながり、酸化物５３０に形成されるチャネル形成領域を覆うことができる。本明細書等において、第１のゲート電極、および第２のゲート電極の電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ）構造とよぶ。

【0232】

また、本明細書等において、Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造は、ソース電極およびドレイン電極として機能する導電体５４２ａおよび導電体５４２ｂに接する酸化物５３０の側面及び周辺が、チャネル形成領域と同じくＩ型であるといった特徴を有する。また、導電体５４２ａおよび導電体５４２ｂに接する酸化物５３０の側面及び周辺は、絶縁体５４４と接しているため、チャネル形成領域と同様にＩ型となりうる。なお、本明細書等において、Ｉ型とは後述する、高純度真性と同様として扱うことができる。また、本明細書等で開示するＳ－ｃｈａｎｎｅｌ構造は、Ｆｉｎ型構造及びプレーナ型構造とは異なる。Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ構造を採用することで、短チャネル効果に対する耐性を高める、別言すると短チャネル効果が発生し難いトランジスタとすることができる。

【0233】

また、導電体５０３は、導電体５１８と同様の構成であり、絶縁体５１４および絶縁体５１６の開口の内壁に接して導電体５０３ａが形成され、さらに内側に導電体５０３ｂが形成されている。

【0234】

絶縁体５２０、絶縁体５２２、絶縁体５２４、および絶縁体５５０は、ゲート絶縁膜としての機能を有する。

【0235】

ここで、酸化物５３０と接する絶縁体５２４は、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む絶縁体を用いることが好ましい。つまり、絶縁体５２４には、過剰酸素領域が形成されていることが好ましい。このような過剰酸素を含む絶縁体を酸化物５３０に接して設けることにより、酸化物５３０中の酸素欠損を低減し、トランジスタ５００の信頼性を向上させることができる。

【0236】

過剰酸素領域を有する絶縁体として、具体的には、加熱により一部の酸素が脱離する酸化物材料を用いることが好ましい。加熱により酸素を脱離する酸化物とは、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは１．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、さらに好ましくは２．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、または３．０×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である酸化物膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下、または１００℃以上４００℃以下の範囲が好ましい。

【0237】

また、絶縁体５２４が、過剰酸素領域を有する場合、絶縁体５２２は、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子など）の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい）ことが好ましい。

【0238】

絶縁体５２２が、酸素や不純物の拡散を抑制する機能を有することで、酸化物５３０が有する酸素は、絶縁体５２０側へ拡散することがなく、好ましい。また、導電体５０３が、絶縁体５２４や、酸化物５３０が有する酸素と反応することを抑制することができる。

【0239】

絶縁体５２２は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴ）などを含む絶縁体を単層または積層で用いることが好ましい。トランジスタの微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁膜の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁膜として機能する絶縁体にｈｉｇｈ－ｋ材料を用いることで、物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。

【0240】

特に、不純物、および酸素などの拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい）絶縁性材料であるアルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体を用いるとよい。アルミニウムおよびハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体として、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。このような材料を用いて絶縁体５２２を形成した場合、絶縁体５２２は、酸化物５３０からの酸素の放出や、トランジスタ５００の周辺部から酸化物５３０への水素等の不純物の混入を抑制する層として機能する。

【0241】

または、これらの絶縁体に、例えば、酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。またはこれらの絶縁体を窒化処理してもよい。上記の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンを積層して用いてもよい。

【0242】

また、絶縁体５２０は、熱的に安定していることが好ましい。例えば、酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、好適である。また、ｈｉｇｈ－ｋ材料の絶縁体を酸化シリコン、または酸化窒化シリコンと組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造の絶縁体５２０を得ることができる。

【0243】

なお、絶縁体５２０、絶縁体５２２、および絶縁体５２４が、２層以上の積層構造を有していてもよい。その場合、同じ材料からなる積層構造に限定されず、異なる材料からなる積層構造でもよい。

【0244】

トランジスタ５００は、チャネル形成領域を含む酸化物５３０に、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。例えば、酸化物５３０として、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、ホウ素、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または複数種）等の金属酸化物を用いるとよい。また、酸化物５３０として、Ｉｎ－Ｇａ酸化物、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物を用いてもよい。

【0245】

なお、酸化物半導体として機能する金属酸化物の形成は、スパッタリング法で行なってもよいし、原子層堆積（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）法で行なってもよいし、また有機金属化学気相成長（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法などの化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法で行なってもよい。酸化物半導体として機能する金属酸化物については、他の実施の形態で説明する。

【0246】

また、トランジスタ５００には、キャリア密度の低い金属酸化物を用いることが好ましい。金属酸化物のキャリア密度を低くする場合においては、金属酸化物中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性という。なお、金属酸化物中の不純物としては、例えば、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。

【0247】

特に、金属酸化物に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、金属酸化物中に酸素欠損を形成する場合がある。金属酸化物中のチャネル形成領域に酸素欠損が含まれていると、トランジスタはノーマリーオン特性となる場合がある。さらに、酸素欠損に水素が入った欠陥はドナーとして機能し、キャリアである電子が生成されることがある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成する場合がある。従って、水素が多く含まれている金属酸化物を用いたトランジスタは、ノーマリーオン特性となりやすい。

【0248】

酸素欠損に水素が入った欠陥は、金属酸化物のドナーとして機能しうる。しかしながら、当該欠陥を定量的に評価することは困難である。そこで、金属酸化物においては、ドナー濃度ではなく、キャリア密度で評価される場合がある。よって、本明細書等では、金属酸化物のパラメータとして、ドナー濃度ではなく、電界が印加されない状態を想定したキャリア密度を用いる場合がある。つまり、本明細書等に記載の「キャリア密度」は、「ドナー濃度」と言い換えることができる場合がある。

【0249】

よって、金属酸化物を酸化物５３０に用いる場合、金属酸化物中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、金属酸化物において、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度を、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満とする。水素などの不純物が十分に低減された金属酸化物をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。

【0250】

また、酸化物５３０に金属酸化物を用いる場合、チャネル形成領域の金属酸化物のキャリア密度は、１×１０^１８ｃｍ^－３以下であることが好ましく、１×１０^１７ｃｍ^－３未満であることがより好ましく、１×１０^１６ｃｍ^－３未満であることがさらに好ましく、１×１０^１３ｃｍ^－３未満であることがさらに好ましく、１×１０^１２ｃｍ^－３未満であることがさらに好ましい。なお、チャネル形成領域の金属酸化物のキャリア密度の下限値については、特に限定は無いが、例えば、１×１０^－９ｃｍ^－３とすることができる。

【0251】

また、酸化物５３０に金属酸化物を用いる場合、導電体５４２（導電体５４２ａ、および導電体５４２ｂ）と酸化物５３０とが接することで、酸化物５３０中の酸素が導電体５４２へ拡散し、導電体５４２が酸化する場合がある。導電体５４２が酸化することで、導電体５４２の導電率が低下する蓋然性が高い。なお、酸化物５３０中の酸素が導電体５４２へ拡散することを、導電体５４２が酸化物５３０中の酸素を吸収する、と言い換えることができる。

【0252】

また、酸化物５３０中の酸素が導電体５４２（導電体５４２ａ、および導電体５４２ｂ）へ拡散することで、導電体５４２ａと酸化物５３０ｂとの間、および、導電体５４２ｂと酸化物５３０ｂとの間に異層が形成される場合がある。当該異層は、導電体５４２よりも酸素を多く含むため、当該異層は絶縁性を有すると推定される。このとき、導電体５４２と、当該異層と、酸化物５３０ｂとの３層構造は、金属－絶縁体－半導体からなる３層構造とみなすことができ、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造、またはＭＩＳ構造を主としたダイオード接合構造と呼ぶ場合がある。

【0253】

なお、上記異層は、導電体５４２と酸化物５３０ｂとの間に形成されることに限られず、例えば、異層が、導電体５４２と酸化物５３０ｃとの間に形成される場合や、導電体５４２と酸化物５３０ｂとの間、および導電体５４２と酸化物５３０ｃとの間に形成される場合がある。

【0254】

また、酸化物５３０においてチャネル形成領域として機能する金属酸化物は、バンドギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上のものを用いることが好ましい。このように、バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

【0255】

その他、酸化物５３０に用いることができる半導体材料は、上述の金属酸化物に限られない。酸化物５３０として、バンドギャップを有する半導体材料（ゼロギャップ半導体ではない半導体材料）を用いてもよい。例えば、シリコンなどの単体元素の半導体、ヒ化ガリウムなどの化合物半導体、半導体として機能する層状物質（原子層物質、２次元材料などともいう）などを半導体材料に用いることが好ましい。特に、半導体として機能する層状物質を半導体材料に用いると好適である。

【0256】

ここで、本明細書等において、層状物質とは、層状の結晶構造を有する材料群の総称である。層状の結晶構造は、共有結合やイオン結合によって形成される層が、ファンデルワールス力のような、共有結合やイオン結合よりも弱い結合を介して積層している構造である。層状物質は、単位層内における電気伝導性が高く、つまり、２次元電気伝導性が高い。半導体として機能し、かつ、２次元電気伝導性の高い材料をチャネル形成領域に用いることで、オン電流の大きいトランジスタを提供することができる。

【0257】

層状物質として、グラフェン、シリセン、カルコゲン化物などがある。カルコゲン化物は、カルコゲンを含む化合物である。また、カルコゲンは、第１６族に属する元素の総称であり、酸素、硫黄、セレン、テルル、ポロニウム、リバモリウムが含まれる。また、カルコゲン化物として、遷移金属カルコゲナイド、１３族カルコゲナイドなどが挙げられる。

【0258】

酸化物５３０として、例えば、半導体として機能する遷移金属カルコゲナイドを用いることが好ましい。酸化物５３０として適用可能な遷移金属カルコゲナイドとして、具体的には、硫化モリブデン（代表的にはＭｏＳ_２）、セレン化モリブデン（代表的にはＭｏＳｅ_２）、モリブデンテルル（代表的にはＭｏＴｅ_２）、硫化タングステン（代表的にはＷＳ_２）、セレン化タングステン（代表的にはＷＳｅ_２）、タングステンテルル（代表的にはＷＴｅ_２）、硫化ハフニウム（代表的にはＨｆＳ_２）、セレン化ハフニウム（代表的にはＨｆＳｅ_２）、硫化ジルコニウム（代表的にはＺｒＳ_２）、セレン化ジルコニウム（代表的にはＺｒＳｅ_２）などが挙げられる。

【0259】

酸化物５３０は、酸化物５３０ｂ下に酸化物５３０ａを有することで、酸化物５３０ａよりも下方に形成された構造物から、酸化物５３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。また、酸化物５３０ｂ上に酸化物５３０ｃを有することで、酸化物５３０ｃよりも上方に形成された構造物から、酸化物５３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。

【0260】

なお、酸化物５３０は、各金属原子の原子数比が異なる複数の酸化物層の積層構造を有することが好ましい。具体的には、酸化物５３０ａに用いる金属酸化物において、構成元素中の元素Ｍの原子数比が、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物における、構成元素中の元素Ｍの原子数比より、大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ａに用いる金属酸化物において、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比が、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物における、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物において、元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、酸化物５３０ａに用いる金属酸化物における、元素Ｍに対するＩｎの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ｃは、酸化物５３０ａまたは酸化物５３０ｂに用いることができる金属酸化物を、用いることができる。

【0261】

また、酸化物５３０ａおよび酸化物５３０ｃの伝導帯下端のエネルギーが、酸化物５３０ｂの伝導帯下端のエネルギーより高くなることが好ましい。また、言い換えると、酸化物５３０ａおよび酸化物５３０ｃの電子親和力が、酸化物５３０ｂの電子親和力より小さいことが好ましい。

【0262】

ここで、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、および酸化物５３０ｃの接合部において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、および酸化物５３０ｃの接合部における伝導帯下端のエネルギー準位は、連続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようにするためには、酸化物５３０ａと酸化物５３０ｂとの界面、および酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃとの界面において形成される混合層の欠陥準位密度を低くするとよい。

【0263】

具体的には、酸化物５３０ａと酸化物５３０ｂ、酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃが、酸素以外に共通の元素を有する（主成分とする）ことで、欠陥準位密度が低い混合層を形成することができる。例えば、酸化物５３０ｂがＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物の場合、酸化物５３０ａおよび酸化物５３０ｃとして、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、Ｇａ－Ｚｎ酸化物、酸化ガリウムなどを用いるとよい。

【0264】

このとき、キャリアの主たる経路は酸化物５３０ｂとなる。酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｃを上述の構成とすることで、酸化物５３０ａと酸化物５３０ｂとの界面、および酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃとの界面における欠陥準位密度を低くすることができる。そのため、界面散乱によるキャリア伝導への影響が小さくなり、トランジスタ５００は高いオン電流を得られる。

【0265】

酸化物５３０ｂ上には、ソース電極、およびドレイン電極として機能する導電体５４２（導電体５４２ａ、および導電体５４２ｂ）が設けられる。導電体５４２としては、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム、インジウム、ルテニウム、イリジウム、ストロンチウム、ランタンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分とする合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることが好ましい。例えば、窒化タンタル、窒化チタン、タングステン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物などを用いることが好ましい。また、窒化タンタル、窒化チタン、チタンとアルミニウムを含む窒化物、タンタルとアルミニウムを含む窒化物、酸化ルテニウム、窒化ルテニウム、ストロンチウムとルテニウムを含む酸化物、ランタンとニッケルを含む酸化物は、酸化しにくい導電性材料、または、酸素を吸収しても導電性を維持する材料であるため、好ましい。

【0266】

また、図１３（Ａ）に示すように、酸化物５３０の、導電体５４２との界面とその近傍には、低抵抗領域として、領域５４３（領域５４３ａ、および領域５４３ｂ）が形成される場合がある。このとき、領域５４３ａはソース領域またはドレイン領域の一方として機能し、領域５４３ｂはソース領域またはドレイン領域の他方として機能する。また、領域５４３ａと領域５４３ｂに挟まれる領域にチャネル形成領域が形成される。

【0267】

酸化物５３０と接するように上記導電体５４２を設けることで、領域５４３の酸素濃度が低減する場合がある。また、領域５４３に導電体５４２に含まれる金属と、酸化物５３０の成分とを含む金属化合物層が形成される場合がある。このような場合、領域５４３のキャリア密度が増加し、領域５４３は、低抵抗領域となる。

【0268】

絶縁体５４４は、導電体５４２を覆うように設けられ、導電体５４２の酸化を抑制する。このとき、絶縁体５４４は、酸化物５３０の側面、および絶縁体５２４の側面を覆い、絶縁体５２２と接するように設けられる。または、絶縁体５４４は絶縁体５２２と接していなくてもよく、絶縁体５２２と絶縁体５４４の間に絶縁体５２４が設けられていてもよい。その場合、絶縁体５４４は、酸化物５３０の側面を覆い、絶縁体５２４と接するように設けられる。

【0269】

絶縁体５４４として、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マグネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。また、絶縁体５４４として、窒化シリコンを用いてもよい。

【0270】

特に、絶縁体５４４として、アルミニウム、またはハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁体である、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。特に、ハフニウムアルミネートは、酸化ハフニウム膜よりも、耐熱性が高い。そのため、後の工程での熱処理において、結晶化しにくいため好ましい。なお、導電体５４２が耐酸化性を有する材料、または、酸素を吸収しても著しく導電性が低下しない場合、絶縁体５４４は、必須の構成ではない。求めるトランジスタ特性により、適宜設計すればよい。

【0271】

絶縁体５５０は、ゲート絶縁膜として機能する。絶縁体５５０は、酸化物５３０ｃの内側（上面および側面）に接して配置することが好ましい。絶縁体５５０は、加熱により酸素が放出される絶縁体を用いて形成することが好ましい。例えば、ＴＤＳ分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が１．０×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、好ましくは１．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、さらに好ましくは２．０×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上、または３．０×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上である酸化物膜である。なお、上記ＴＤＳ分析時における膜の表面温度としては１００℃以上７００℃以下の範囲が好ましい。

【0272】

具体的には、過剰酸素を有する酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコンを用いることができる。特に、酸化シリコン、および酸化窒化シリコンは熱に対し安定であるため好ましい。

【0273】

加熱により酸素が放出される絶縁体を、絶縁体５５０として、酸化物５３０ｃの上面に接して設けることにより、絶縁体５５０から、酸化物５３０ｃを通じて、酸化物５３０ｂのチャネル形成領域に効果的に酸素を供給することができる。また、絶縁体５２４と同様に、絶縁体５５０中の水または水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。絶縁体５５０の膜厚は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下とするのが好ましい。

【0274】

また、絶縁体５５０が有する過剰酸素を、効率的に酸化物５３０へ供給するために、絶縁体５５０と導電体５６０との間に金属酸化物を設けてもよい。当該金属酸化物は、絶縁体５５０から導電体５６０への酸素拡散を抑制することが好ましい。酸素の拡散を抑制する金属酸化物を設けることで、絶縁体５５０から導電体５６０への過剰酸素の拡散が抑制される。つまり、酸化物５３０へ供給する過剰酸素量の減少を抑制することができる。また、過剰酸素による導電体５６０の酸化を抑制することができる。当該金属酸化物としては、絶縁体５４４に用いることができる材料を用いればよい。

【0275】

第１のゲート電極として機能する導電体５６０は、図１３（Ａ）、（Ｂ）では２層構造として示しているが、単層構造でもよいし、３層以上の積層構造であってもよい。

【0276】

導電体５６０ａは、水素原子、水素分子、水分子、窒素原子、窒素分子、酸化窒素分子（Ｎ_２Ｏ、ＮＯ、ＮＯ_２など）、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一つ）の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。導電体５６０ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、絶縁体５５０に含まれる酸素により、導電体５６０ｂが酸化して導電率が低下することを抑制することができる。酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒化タンタル、ルテニウム、または酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。

【0277】

また、導電体５６０ｂは、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、導電体５６０ｂは、配線としても機能するため、導電性が高い導電体を用いることが好ましい。例えば、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることができる。また、導電体５６０ｂは積層構造としてもよく、例えば、チタン又は窒化チタンと上記導電性材料との積層構造としてもよい。

【0278】

絶縁体５８０は、絶縁体５４４を介して、導電体５４２上に設けられる。絶縁体５８０は、過剰酸素領域を有することが好ましい。例えば、絶縁体５８０として、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂などを有することが好ましい。特に、酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため好ましい。特に、酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコンは、後の工程で、容易に過剰酸素領域を形成することができるため好ましい。

【0279】

また、加熱により酸素が放出される絶縁体５８０を、酸化物５３０ｃと接して設けることで、絶縁体５８０中の酸素を、酸化物５３０ｃを通じて、酸化物５３０へと効率良く供給することができる。なお、絶縁体５８０中の水または水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。

【0280】

絶縁体５８０の開口は、導電体５４２ａと導電体５４２ｂの間の領域に重畳して形成される。これにより、導電体５６０は、絶縁体５８０の開口、および導電体５４２ａと導電体５４２ｂに挟まれた領域に、埋め込まれるように形成される。

【0281】

記憶装置を微細化するに当たり、ゲート長を短くすることが求められるが、導電体５６０の導電性が下がらないようにする必要がある。そのために導電体５６０の膜厚を大きくすると、導電体５６０はアスペクト比が高い形状となりうる。本実施の形態では、導電体５６０を絶縁体５８０の開口に埋め込むように設けるため、導電体５６０をアスペクト比の高い形状にしても、工程中に導電体５６０を倒壊させることなく、形成することができる。

【0282】

絶縁体５７４は、絶縁体５８０の上面、導電体５６０の上面、および絶縁体５５０の上面に接して設けられることが好ましい。絶縁体５７４をスパッタリング法で成膜することで、絶縁体５５０および絶縁体５８０へ過剰酸素領域を設けることができる。これにより、当該過剰酸素領域から、酸化物５３０中に酸素を供給することができる。

【0283】

例えば、絶縁体５７４として、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、またはマグネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。

【0284】

特に、酸化アルミニウムはバリア性が高く、０．５ｎｍ以上３．０ｎｍ以下の薄膜であっても、水素、および窒素の拡散を抑制することができる。したがって、スパッタリング法で成膜した酸化アルミニウムは、酸素供給源であるとともに、水素などの不純物のバリア膜としての機能も有することができる。

【0285】

また、絶縁体５７４の上に、層間膜として機能する絶縁体５８１を設けることが好ましい。絶縁体５８１は、絶縁体５２４などと同様に、膜中の水または水素などの不純物濃度が低減されていることが好ましい。

【0286】

また、絶縁体５８１、絶縁体５７４、絶縁体５８０、および絶縁体５４４に形成された開口に、導電体５４０ａおよび導電体５４０ｂを配置する。導電体５４０ａおよび導電体５４０ｂは、導電体５６０を挟んで対向して設ける。導電体５４０ａおよび導電体５４０ｂは、後述する導電体５４６および導電体５４８と同様の構成である。

【0287】

絶縁体５８１上には、絶縁体５８２が設けられている。絶縁体５８２は、酸素や水素に対してバリア性のある物質を用いることが好ましい。したがって、絶縁体５８２には、絶縁体５１４と同様の材料を用いることができる。例えば、絶縁体５８２には、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどの金属酸化物を用いることが好ましい。

【0288】

特に、酸化アルミニウムは、酸素、およびトランジスタの電気特性の変動要因となる水素、水分などの不純物、の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高い。したがって、酸化アルミニウムは、トランジスタの作製工程中および作製後において、水素、水分などの不純物のトランジスタ５００への混入を防止することができる。また、トランジスタ５００を構成する酸化物からの酸素の放出を抑制することができる。そのため、トランジスタ５００に対する保護膜として用いることに適している。

【0289】

また、絶縁体５８２上には、絶縁体５８６が設けられている。絶縁体５８６は、絶縁体３２０と同様の材料を用いることができる。また、比較的誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。例えば、絶縁体５８６として、酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜などを用いることができる。

【0290】

また、絶縁体５２０、絶縁体５２２、絶縁体５２４、絶縁体５４４、絶縁体５８０、絶縁体５７４、絶縁体５８１、絶縁体５８２、および絶縁体５８６には、導電体５４６、および導電体５４８等が埋め込まれている。

【0291】

導電体５４６、および導電体５４８は、容量素子６００、トランジスタ５００、またはトランジスタ３００と接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体５４６、および導電体５４８は、導電体３２８、および導電体３３０と同様の材料を用いて設けることができる。

【0292】

続いて、トランジスタ５００の上方には、容量素子６００が設けられている。容量素子６００は、導電体６１０と、導電体６２０、絶縁体６３０とを有する。

【0293】

また、導電体５４６、および導電体５４８上に、導電体６１２を設けてもよい。導電体６１２は、トランジスタ５００と接続するプラグ、または配線としての機能を有する。導電体６１０は、容量素子６００の電極としての機能を有する。なお、導電体６１２、および導電体６１０は、同時に形成することができる。

【0294】

導電体６１２、および導電体６１０には、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素を含む金属膜、または上述した元素を成分とする金属窒化物膜（窒化タンタル膜、窒化チタン膜、窒化モリブデン膜、窒化タングステン膜）等を用いることができる。または、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を適用することもできる。

【0295】

図１２では、導電体６１２、および導電体６１０は単層構造として示しているが、当該構成に限定されず、２層以上の積層構造でもよい。例えば、バリア性を有する導電体と導電性が高い導電体との間に、バリア性を有する導電体、および導電性が高い導電体に対して密着性が高い導電体を形成してもよい。

【0296】

絶縁体６３０を介して、導電体６１０と重畳するように、導電体６２０を設ける。なお、導電体６２０は、金属材料、合金材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を用いることができる。耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましく、特にタングステンを用いることが好ましい。また、導電体などの他の構造と同時に形成する場合は、低抵抗金属材料であるＣｕ（銅）やＡｌ（アルミニウム）等を用いればよい。

【0297】

導電体６２０、および絶縁体６３０上には、絶縁体６５０が設けられている。絶縁体６５０は、絶縁体３２０と同様の材料を用いて設けることができる。また、絶縁体６５０は、その下方の凹凸形状を被覆する平坦化膜として機能してもよい。

【0298】

本構造を用いることで、ＯＳトランジスタを有する記憶装置において、電気特性の変動を抑制するとともに、信頼性を向上させることができる。または、オン電流が大きいＯＳトランジスタを提供することができる。または、オフ電流が小さいＯＳトランジスタを提供することができる。または、データを長時間保持することができる記憶装置を提供することができる。または、ＯＳトランジスタを有する記憶装置において、微細化または高集積化を図ることができる。

【0299】

＜トランジスタの構造例＞
なお、本実施の形態に示すトランジスタ５００は、上記の構造に限られるものではない。以下、トランジスタ５００に用いることができる構造例について説明する。

【0300】

＜トランジスタの構造例１＞
図１４（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を用いてトランジスタ５１０Ａの構造例を説明する。図１４（Ａ）はトランジスタ５１０Ａの上面図である。図１４（Ｂ）は、図１４（Ａ）に一点鎖線Ｌ１－Ｌ２で示す部位の断面図である。図１４（Ｃ）は、図１４（Ａ）に一点鎖線Ｗ１－Ｗ２で示す部位の断面図である。なお、図１４（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。

【0301】

図１４（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）では、トランジスタ５１０Ａと、層間膜として機能する絶縁体５１１、絶縁体５１２、絶縁体５１４、絶縁体５１６、絶縁体５８０、絶縁体５８２、および絶縁体５８４を示している。また、トランジスタ５１０Ａと電気的に接続し、コンタクトプラグとして機能する導電体５４６（導電体５４６ａ、および導電体５４６ｂ）と、配線として機能する導電体５０３と、を示している。

【0302】

トランジスタ５１０Ａは、第１のゲート電極として機能する導電体５６０（導電体５６０ａ、および導電体５６０ｂ）と、第２のゲート電極として機能する導電体５０５（導電体５０５ａ、および導電体５０５ｂ）と、第１のゲート絶縁膜として機能する絶縁体５５０と、第２のゲート絶縁膜として機能する絶縁体５２１、絶縁体５２２、および絶縁体５２４と、チャネルが形成される領域を有する酸化物５３０（酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、および酸化物５３０ｃ）と、ソースまたはドレインの一方として機能する導電体５４２ａと、ソースまたはドレインの他方として機能する導電体５４２ｂと、絶縁体５７４とを有する。

【0303】

また、図１４（Ｂ）に示すように、トランジスタ５１０Ａでは、酸化物５３０ｃ、絶縁体５５０、および導電体５６０が、絶縁体５８０に設けられた開口部内に、絶縁体５７４を介して配置される。また、酸化物５３０ｃ、絶縁体５５０、および導電体５６０は、導電体５４２ａ、および導電体５４２ｂとの間に配置される。

【0304】

絶縁体５１１、および絶縁体５１２は、層間膜として機能する。

【0305】

層間膜としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム、窒化酸化ハフニウム、窒化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴ）などの絶縁体を単層または積層で用いることができる。またはこれらの絶縁体に、例えば、酸化アルミニウム、酸化ビスマス、酸化ゲルマニウム、酸化ニオブ、酸化シリコン、酸化チタン、酸化タングステン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムを添加してもよい。またはこれらの絶縁体を窒化処理してもよい。上記の絶縁体に酸化シリコン、酸化窒化シリコンまたは窒化シリコンを積層して用いてもよい。

【0306】

例えば、絶縁体５１１は、水または水素などの不純物が、基板側からトランジスタ５１０Ａに混入するのを抑制するバリア膜として機能することが好ましい。したがって、絶縁体５１１は、水素原子、水素分子、水分子、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する（上記不純物が透過しにくい）絶縁性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一つ）の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい）絶縁性材料を用いることが好ましい。また、例えば、絶縁体５１１として酸化アルミニウムや窒化シリコンなどを用いてもよい。当該構成により、水素、水などの不純物が絶縁体５１１よりも基板側からトランジスタ５１０Ａ側に拡散するのを抑制することができる。

【0307】

例えば、絶縁体５１２は、絶縁体５１１よりも誘電率が低いことが好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。

【0308】

導電体５０３は、絶縁体５１２に埋め込まれるように形成される。ここで、導電体５０３の上面の高さと、絶縁体５１２の上面の高さは同程度にできる。なお導電体５０３は、単層とする構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体５０３を２層以上の多層膜構造としてもよい。なお、導電体５０３は、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性が高い導電性材料を用いることが好ましい。

【0309】

トランジスタ５１０Ａにおいて、導電体５６０は、第１のゲート電極として機能する場合がある。また、導電体５０５は、第２のゲート電極として機能する場合がある。その場合、導電体５０５に印加する電位を、導電体５６０に印加する電位と連動させず、独立して変化させることで、トランジスタ５１０Ａのしきい値電圧を制御することができる。特に、導電体５０５に負の電位を印加することにより、トランジスタ５１０Ａのしきい値電圧を０Ｖより大きくし、オフ電流を低減することが可能となる。したがって、導電体５０５に負の電位を印加したほうが、印加しない場合よりも、導電体５６０に印加する電位が０Ｖのときのドレイン電流を小さくすることができる。

【0310】

また、例えば、導電体５０５と、導電体５６０とを重畳して設けることで、導電体５６０、および導電体５０５に電位を印加した場合、導電体５６０から生じる電界と、導電体５０５から生じる電界とがつながり、酸化物５３０に形成されるチャネル形成領域を覆うことができる。

【0311】

つまり、第１のゲート電極としての機能を有する導電体５６０の電界と、第２のゲート電極としての機能を有する導電体５０５の電界によって、チャネル形成領域を電気的に取り囲むことができる。すなわち、先に記載のトランジスタ５００と同様に、ｓｕｒｒｏｕｎｄｅｄ ｃｈａｎｎｅｌ（Ｓ－ｃｈａｎｎｅｌ）構造である。

【0312】

絶縁体５１４、および絶縁体５１６は、絶縁体５１１または絶縁体５１２と同様に、層間膜として機能する。例えば、絶縁体５１４は、水または水素などの不純物が、基板側からトランジスタ５１０Ａに混入するのを抑制するバリア膜として機能することが好ましい。当該構成により、水素、水などの不純物が絶縁体５１４よりも基板側からトランジスタ５１０Ａ側に拡散するのを抑制することができる。また、例えば、絶縁体５１６は、絶縁体５１４よりも誘電率が低いことが好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。

【0313】

第２のゲートとして機能する導電体５０５は、絶縁体５１４および絶縁体５１６の開口の内壁に接して導電体５０５ａが形成され、さらに内側に導電体５０５ｂが形成されている。ここで、導電体５０５ａおよび導電体５０５ｂの上面の高さと、絶縁体５１６の上面の高さは同程度にできる。なお、トランジスタ５１０Ａでは、導電体５０５ａおよび導電体５０５ｂを積層する構成について示しているが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、導電体５０５は、単層、または３層以上の積層構造として設ける構成にしてもよい。

【0314】

ここで、導電体５０５ａは、水素原子、水素分子、水分子、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する（上記不純物が透過しにくい）導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一つ）の拡散を抑制する機能を有する（上記酸素が透過しにくい）導電性材料を用いることが好ましい。なお、本明細書等において、不純物、または酸素の拡散を抑制する機能とは、上記不純物、または上記酸素のいずれか一つ、または、すべての拡散を抑制する機能とする。

【0315】

例えば、導電体５０５ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、導電体５０５ｂが酸化して導電率が低下することを抑制することができる。

【0316】

また、導電体５０５が配線の機能を兼ねる場合、導電体５０５ｂは、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする、導電性が高い導電性材料を用いることが好ましい。その場合、導電体５０３は、必ずしも設けなくともよい。なお、導電体５０５ｂを単層で図示したが、積層構造としてもよく、例えば、チタン又は窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。

【0317】

絶縁体５２１、絶縁体５２２、および絶縁体５２４は、第２のゲート絶縁膜としての機能を有する。

【0318】

また、絶縁体５２２は、バリア性を有することが好ましい。絶縁体５２２がバリア性を有することで、トランジスタ５１０Ａの周辺部からトランジスタ５１０Ａへの水素等の不純物の混入を抑制する層として機能する。

【0319】

絶縁体５２２は、例えば、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化窒化物、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ_３）または（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３（ＢＳＴ）などを含む絶縁体を単層または積層で用いることが好ましい。トランジスタの微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁膜の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。ゲート絶縁膜として機能する絶縁体にｈｉｇｈ－ｋ材料を用いることで、物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。

【0320】

また、絶縁体５２１は、熱的に安定していることが好ましい。例えば、酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、好適である。また、ｈｉｇｈ－ｋ材料の絶縁体を酸化シリコン、または酸化窒化シリコンと組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造の絶縁体５２１を得ることができる。

【0321】

なお、図１４（Ｂ）、（Ｃ）には、第２のゲート絶縁膜として、３層の積層構造を示したが、２層以下、または４層以上の積層構造としてもよい。その場合、同じ材料からなる積層構造に限定されず、異なる材料からなる積層構造でもよい。

【0322】

チャネル形成領域として機能する領域を有する酸化物５３０は、酸化物５３０ａと、酸化物５３０ａ上の酸化物５３０ｂと、酸化物５３０ｂ上の酸化物５３０ｃと、を有する。酸化物５３０ｂ下に酸化物５３０ａを有することで、酸化物５３０ａよりも下方に形成された構造物から、酸化物５３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。また、酸化物５３０ｂ上に酸化物５３０ｃを有することで、酸化物５３０ｃよりも上方に形成された構造物から、酸化物５３０ｂへの不純物の拡散を抑制することができる。酸化物５３０として、上述した金属酸化物の一種である酸化物半導体を用いることができる。

【0323】

なお、酸化物５３０ｃは、絶縁体５８０に設けられた開口部内に、絶縁体５７４を介して設けられることが好ましい。絶縁体５７４がバリア性を有する場合、絶縁体５８０からの不純物が酸化物５３０へと拡散することを抑制することができる。

【0324】

導電体５４２は、一方がソース電極として機能し、他方がドレイン電極として機能する。

【0325】

導電体５４２ａと、導電体５４２ｂとは、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンなどの金属、またはこれを主成分とする合金を用いることができる。特に、窒化タンタルなどの金属窒化物膜は、水素または酸素に対するバリア性があり、また、耐酸化性が高いため、好ましい。

【0326】

また、図１４（Ｂ）では単層構造を示したが、２層以上の積層構造としてもよい。例えば、窒化タンタル膜とタングステン膜を積層するとよい。また、チタン膜とアルミニウム膜を積層してもよい。また、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅－マグネシウム－アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造としてもよい。

【0327】

また、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。

【0328】

また、導電体５４２上に、バリア層を設けてもよい。バリア層は、酸素、または水素に対してバリア性を有する物質を用いることが好ましい。当該構成により、絶縁体５７４を成膜する際に、導電体５４２が酸化することを抑制することができる。

【0329】

バリア層には、例えば、金属酸化物を用いることができる。特に、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウムなどの、酸素や水素に対してバリア性のある絶縁膜を用いることが好ましい。また、ＣＶＤ法で形成した窒化シリコンを用いてもよい。

【0330】

バリア層を有することで、導電体５４２の材料選択の幅を広げることができる。例えば、導電体５４２に、タングステンや、アルミニウムなどの耐酸化性が低い一方で導電性が高い材料を用いることができる。また、例えば、成膜、または加工がしやすい導電体を用いることができる。

【0331】

絶縁体５５０は、第１のゲート絶縁膜として機能する。絶縁体５５０は、絶縁体５８０に設けられた開口部内に、酸化物５３０ｃ、および絶縁体５７４を介して設けられることが好ましい。

【0332】

トランジスタの微細化、および高集積化が進むと、ゲート絶縁膜の薄膜化により、リーク電流などの問題が生じる場合がある。その場合、絶縁体５５０は、第２のゲート絶縁膜と同様に、積層構造としてもよい。ゲート絶縁膜として機能する絶縁体を、ｈｉｇｈ－ｋ材料と、熱的に安定している材料との積層構造とすることで、物理膜厚を保ちながら、トランジスタ動作時のゲート電位の低減が可能となる。また、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。

【0333】

第１のゲート電極として機能する導電体５６０は、導電体５６０ａ、および導電体５６０ａ上の導電体５６０ｂを有する。導電体５６０ａは、導電体５０５ａと同様に、水素原子、水素分子、水分子、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一つ）の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。

【0334】

導電体５６０ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、導電体５６０ｂの材料選択性を向上することができる。つまり、導電体５６０ａを有することで、導電体５６０ｂの酸化が抑制され、導電率が低下することを防止することができる。

【0335】

酸素の拡散を抑制する機能を有する導電性材料としては、例えば、タンタル、窒化タンタル、ルテニウムまたは酸化ルテニウムなどを用いることが好ましい。また、導電体５６０ａとして、酸化物５３０として用いることができる酸化物半導体を用いることができる。その場合、導電体５６０ｂをスパッタリング法で成膜することで、導電体５６０ａの電気抵抗値を低下させて導電体とすることができる。これをＯＣ（Ｏｘｉｄｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）電極と呼ぶことができる。

【0336】

導電体５６０ｂは、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることが好ましい。また、導電体５６０は、配線として機能するため、導電体５６０ｂに導電性が高い導電体を用いることが好ましい。例えば、タングステン、銅、またはアルミニウムを主成分とする導電性材料を用いることができる。また、導電体５６０ｂは積層構造としてもよく、例えば、チタン又は窒化チタンと上記導電性材料との積層としてもよい。

【0337】

絶縁体５８０と、トランジスタ５１０Ａとの間に絶縁体５７４を配置する。絶縁体５７４は、水または水素などの不純物、および酸素の拡散を抑制する機能を有する絶縁性材料を用いるとよい。例えば、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウムなどを用いることが好ましい。また、他にも、例えば、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジムまたは酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いることができる。

【0338】

絶縁体５７４を有することで、絶縁体５８０が有する水、および水素などの不純物が酸化物５３０ｃ、絶縁体５５０を介して、酸化物５３０ｂに拡散することを抑制することができる。また、絶縁体５８０が有する過剰酸素により、導電体５６０が酸化するのを抑制することができる。

【0339】

絶縁体５８０、絶縁体５８２、および絶縁体５８４は、層間膜として機能する。

【0340】

絶縁体５８２は、絶縁体５１４と同様に、水または水素などの不純物が、外部からトランジスタ５１０Ａに混入するのを抑制するバリア絶縁膜として機能することが好ましい。

【0341】

また、絶縁体５８０、および絶縁体５８４は、絶縁体５１６と同様に、絶縁体５８２よりも誘電率が低いことが好ましい。誘電率が低い材料を層間膜とすることで、配線間に生じる寄生容量を低減することができる。

【0342】

また、トランジスタ５１０Ａは、絶縁体５８０、絶縁体５８２、および絶縁体５８４に埋め込まれた導電体５４６などのプラグや配線を介して、他の構造と電気的に接続してもよい。

【0343】

また、導電体５４６の材料としては、導電体５０５と同様に、金属材料、合金材料、金属窒化物材料、または金属酸化物材料などの導電性材料を、単層または積層して用いることができる。例えば、耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましい。または、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。低抵抗導電性材料を用いることで配線抵抗を低くすることができる。

【0344】

例えば、導電体５４６として、水素、および酸素に対してバリア性を有する導電体である窒化タンタル等と、導電性が高いタングステンとの積層構造を用いることで、配線としての導電性を保持したまま、外部からの不純物の拡散を抑制することができる。

【0345】

上記構造を有することで、オン電流が大きいＯＳトランジスタを提供することができる。または、オフ電流が小さいＯＳトランジスタを提供することができる。または、ＯＳトランジスタを有する記憶装置において、電気特性の変動を抑制するとともに、信頼性を向上させることができる。

【0346】

＜トランジスタの構造例２＞
図１５（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を用いてトランジスタ５１０Ｂの構造例を説明する。図１５（Ａ）はトランジスタ５１０Ｂの上面図である。図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）に一点鎖線Ｌ１－Ｌ２で示す部位の断面図である。図１５（Ｃ）は、図１５（Ａ）に一点鎖線Ｗ１－Ｗ２で示す部位の断面図である。なお、図１５（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。

【0347】

トランジスタ５１０Ｂはトランジスタ５１０Ａの変形例である。よって、説明の繰り返しを防ぐため、主にトランジスタ５１０Ａと異なる点について説明する。

【0348】

トランジスタ５１０Ｂは、導電体５４２（導電体５４２ａ、および導電体５４２ｂ）と、酸化物５３０ｃ、絶縁体５５０、および導電体５６０とが重畳する領域を有する。当該構造とすることで、オン電流が高いトランジスタを提供することができる。また、制御性が高いトランジスタを提供することができる。

【0349】

第１のゲート電極として機能する導電体５６０は、導電体５６０ａ、および導電体５６０ａ上の導電体５６０ｂを有する。導電体５６０ａは、導電体５０５ａと同様に、水素原子、水素分子、水分子、銅原子などの不純物の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。または、酸素（例えば、酸素原子、酸素分子などの少なくとも一つ）の拡散を抑制する機能を有する導電性材料を用いることが好ましい。

【0350】

導電体５６０ａが酸素の拡散を抑制する機能を持つことにより、導電体５６０ｂの材料選択性を向上することができる。つまり、導電体５６０ａを有することで、導電体５６０ｂの酸化が抑制され、導電率が低下することを防止することができる。

【0351】

また、導電体５６０の上面および側面、絶縁体５５０の側面、および酸化物５３０ｃの側面を覆うように、絶縁体５７４を設けることが好ましい。なお、絶縁体５７４は、水または水素などの不純物、および酸素の拡散を抑制する機能を有する絶縁性材料を用いるとよい。例えば、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウムなどを用いることが好ましい。また、他にも、例えば、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジムまたは酸化タンタルなどの金属酸化物、窒化酸化シリコンまたは窒化シリコンなどを用いることができる。

【0352】

絶縁体５７４を設けることで、導電体５６０の酸化を抑制することができる。また、絶縁体５７４を有することで、絶縁体５８０が有する水、および水素などの不純物がトランジスタ５１０Ｂへ拡散することを抑制することができる。

【0353】

また、導電体５４６と、絶縁体５８０との間に、バリア性を有する絶縁体５７６（絶縁体５７６ａ、および絶縁体５７６ｂ）を配置してもよい。絶縁体５７６を設けることで、絶縁体５８０の酸素が導電体５４６と反応し、導電体５４６が酸化することを抑制することができる。

【0354】

また、バリア性を有する絶縁体５７６を設けることで、プラグや配線に用いられる導電体の材料選択の幅を広げることができる。例えば、導電体５４６に、酸素を吸収する性質を持つ一方で、導電性が高い金属材料を用いることで、低消費電力の記憶装置を提供することができる。具体的には、タングステンや、アルミニウムなどの耐酸化性が低い一方で導電性が高い材料を用いることができる。また、例えば、成膜、または加工がしやすい導電体を用いることができる。

【0355】

＜トランジスタの構造例３＞
図１６（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を用いてトランジスタ５１０Ｃの構造例を説明する。図１６（Ａ）はトランジスタ５１０Ｃの上面図である。図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）に一点鎖線Ｌ１－Ｌ２で示す部位の断面図である。図１６（Ｃ）は、図１６（Ａ）に一点鎖線Ｗ１－Ｗ２で示す部位の断面図である。なお、図１６（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。

【0356】

トランジスタ５１０Ｃはトランジスタ５１０Ａの変形例である。よって、説明の繰り返しを防ぐため、主にトランジスタ５１０Ａと異なる点について説明する。

【0357】

図１６（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に示すトランジスタ５１０Ｃは、導電体５４２ａと酸化物５３０ｂの間に導電体５４７ａが配置され、導電体５４２ｂと酸化物５３０ｂの間に導電体５４７ｂが配置されている。ここで、導電体５４２ａ（導電体５４２ｂ）は、導電体５４７ａ（導電体５４７ｂ）の上面および導電体５６０側の側面を越えて延在し、酸化物５３０ｂの上面に接する領域を有する。ここで、導電体５４７は、導電体５４２に用いることができる導電体を用いればよい。さらに、導電体５４７の膜厚は、少なくとも導電体５４２より厚いことが好ましい。

【0358】

図１６（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に示すトランジスタ５１０Ｃは、上記のような構成を有することにより、トランジスタ５１０Ａよりも、導電体５４２を導電体５６０に近づけることができる。または、導電体５４２ａの端部および導電体５４２ｂの端部と、導電体５６０を重ねることができる。これにより、トランジスタ５１０Ｃの実質的なチャネル長を短くし、オン電流および周波数特性の向上を図ることができる。

【0359】

また、導電体５４７ａ（導電体５４７ｂ）は、導電体５４２ａ（導電体５４２ｂ）と重畳して設けられることが好ましい。このような構成にすることで、導電体５４６ａ（導電体５４６ｂ）を埋め込む開口を形成するエッチングにおいて、導電体５４７ａ（導電体５４７ｂ）がストッパとして機能し、酸化物５３０ｂがオーバーエッチングされるのを防ぐことができる。

【0360】

また、図１６（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に示すトランジスタ５１０Ｃは、絶縁体５４４の上に接して絶縁体５４５を配置する構成にしてもよい。絶縁体５４４としては、水または水素などの不純物や、過剰な酸素が、絶縁体５８０側からトランジスタ５１０Ｃに混入するのを抑制するバリア絶縁膜として機能することが好ましい。絶縁体５４５としては、絶縁体５４４に用いることができる絶縁体を用いることができる。また、絶縁体５４４としては、例えば、窒化アルミニウム、窒化アルミニウムチタン、窒化チタン、窒化シリコンまたは窒化酸化シリコンなどの、窒化物絶縁体を用いてもよい。

【0361】

また、図１６（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に示すトランジスタ５１０Ｃは、図１４（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に示すトランジスタ５１０Ａと異なり、導電体５０５を単層構造で設けてもよい。この場合、パターン形成された導電体５０５の上に絶縁体５１６となる絶縁膜を成膜し、当該絶縁膜の上部を、導電体５０５の上面が露出するまでＣＭＰ法などを用いて除去すればよい。ここで、導電体５０５の上面の平坦性を良好にすることが好ましい。例えば、導電体５０５上面の平均面粗さ（Ｒａ）を１ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以下、より好ましくは０．３ｎｍ以下にすればよい。これにより、導電体５０５の上に形成される、絶縁層の平坦性を良好にし、酸化物５３０ｂおよび酸化物５３０ｃの結晶性の向上を図ることができる。

【0362】

＜トランジスタの構造例４＞
図１７（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を用いてトランジスタ５１０Ｄの構造例を説明する。図１７（Ａ）はトランジスタ５１０Ｄの上面図である。図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）に一点鎖線Ｌ１－Ｌ２で示す部位の断面図である。図１７（Ｃ）は、図１７（Ａ）に一点鎖線Ｗ１－Ｗ２で示す部位の断面図である。なお、図１７（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。

【0363】

トランジスタ５１０Ｄは上記トランジスタの変形例である。よって、説明の繰り返しを防ぐため、主に上記トランジスタと異なる点について説明する。

【0364】

図１７（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）では、導電体５０３を設けずに、第２のゲートとしての機能を有する導電体５０５を配線としても機能させている。また、酸化物５３０ｃ上に絶縁体５５０を有し、絶縁体５５０上に金属酸化物５５２を有する。また、金属酸化物５５２上に導電体５６０を有し、導電体５６０上に絶縁体５７０を有する。また、絶縁体５７０上に絶縁体５７１を有する。

【0365】

金属酸化物５５２は、酸素拡散を抑制する機能を有することが好ましい。絶縁体５５０と、導電体５６０との間に、酸素の拡散を抑制する金属酸化物５５２を設けることで、導電体５６０への酸素の拡散が抑制される。つまり、酸化物５３０へ供給する酸素量の減少を抑制することができる。また、酸素による導電体５６０の酸化を抑制することができる。

【0366】

なお、金属酸化物５５２は、第１のゲートの一部としての機能を有してもよい。例えば、酸化物５３０として用いることができる酸化物半導体を、金属酸化物５５２として用いることができる。その場合、導電体５６０をスパッタリング法で成膜することで、金属酸化物５５２の電気抵抗値を低下させて導電層とすることができる。これをＯＣ（Ｏｘｉｄｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）電極と呼ぶことができる。

【0367】

また、金属酸化物５５２は、ゲート絶縁膜の一部としての機能を有する場合がある。したがって、絶縁体５５０に酸化シリコンや酸化窒化シリコンなどを用いる場合、金属酸化物５５２は、比誘電率が高いｈｉｇｈ－ｋ材料である金属酸化物を用いることが好ましい。当該積層構造とすることで、熱に対して安定、かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。したがって、物理膜厚を保持したまま、トランジスタ動作時に印加するゲート電位の低減が可能となる。また、ゲート絶縁膜として機能する絶縁層の等価酸化膜厚（ＥＯＴ）の薄膜化が可能となる。

【0368】

トランジスタ５１０Ｄにおいて、金属酸化物５５２を単層で示したが、２層以上の積層構造としてもよい。例えば、ゲート電極の一部として機能する金属酸化物と、ゲート絶縁膜の一部として機能する金属酸化物とを積層して設けてもよい。

【0369】

金属酸化物５５２を有することで、ゲート電極として機能する場合は、導電体５６０からの電界の影響を弱めることなく、トランジスタ５１０Ｄのオン電流の向上を図ることができる。または、ゲート絶縁膜として機能する場合は、絶縁体５５０と、金属酸化物５５２との物理的な厚みにより、導電体５６０と、酸化物５３０との間の距離を保つことで、導電体５６０と酸化物５３０との間のリーク電流を抑制することができる。従って、絶縁体５５０、および金属酸化物５５２との積層構造を設けることで、導電体５６０と酸化物５３０との間の物理的な距離、および導電体５６０から酸化物５３０へかかる電界強度を、容易に適宜調整することができる。

【0370】

具体的には、金属酸化物５５２として、酸化物５３０に用いることができる酸化物半導体を低抵抗化することで、金属酸化物５５２として用いることができる。または、ハフニウム、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、ニッケル、ゲルマニウム、または、マグネシウムなどから選ばれた一種、または二種以上が含まれた金属酸化物を用いることができる。

【0371】

特に、アルミニウム、またはハフニウムの一方または双方の酸化物を含む絶縁層である、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることが好ましい。特に、ハフニウムアルミネートは、酸化ハフニウム膜よりも、耐熱性が高い。そのため、後の工程での熱処理において、結晶化しにくいため好ましい。なお、金属酸化物５５２は、必須の構成ではない。求めるトランジスタ特性により、適宜設計すればよい。

【0372】

絶縁体５７０は、水または水素などの不純物、および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁性材料を用いるとよい。例えば、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウムなどを用いることが好ましい。これにより、絶縁体５７０よりも上方からの酸素で導電体５６０が酸化するのを抑制することができる。また、絶縁体５７０よりも上方からの水または水素などの不純物が、導電体５６０および絶縁体５５０を介して、酸化物５３０に混入することを抑制することができる。

【0373】

絶縁体５７１はハードマスクとして機能する。絶縁体５７１を設けることで、導電体５６０の加工の際、導電体５６０の側面が概略垂直、具体的には、導電体５６０の側面と基板表面のなす角を、７５度以上１００度以下、好ましくは８０度以上９５度以下とすることができる。

【0374】

なお、絶縁体５７１に、水または水素などの不純物、および酸素の透過を抑制する機能を有する絶縁性材料を用いることで、バリア層としての機能を兼ねさせてもよい。その場合、絶縁体５７０は設けなくともよい。

【0375】

絶縁体５７１をハードマスクとして用いて、絶縁体５７０、導電体５６０、金属酸化物５５２、絶縁体５５０、および酸化物５３０ｃの一部を選択的に除去することで、これらの側面を略一致させて、かつ、酸化物５３０ｂ表面の一部を露出させることができる。

【0376】

また、トランジスタ５１０Ｄは、露出した酸化物５３０ｂの一部に領域５３１ａおよび領域５３１ｂを有する。領域５３１ａまたは領域５３１ｂの一方はソース領域として機能し、他方はドレイン領域として機能する。

【0377】

領域５３１ａおよび領域５３１ｂの形成は、例えば、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、またはプラズマ処理などを用いて、露出した酸化物５３０ｂ表面からリンまたはホウ素などの不純物元素を導入することで実現できる。なお、本実施の形態などにおいて「不純物元素」とは、主成分元素以外の元素のことをいう。

【0378】

また、酸化物５３０ｂ表面の一部を露出させた後に金属膜を成膜し、その後加熱処理することにより、該金属膜に含まれる元素を酸化物５３０ｂに拡散させて領域５３１ａおよび領域５３１ｂを形成することもできる。

【0379】

酸化物５３０ｂの不純物元素が導入された領域は、電気抵抗率が低下する。このため、領域５３１ａおよび領域５３１ｂを「不純物領域」または「低抵抗領域」という場合がある。

【0380】

絶縁体５７１および／または導電体５６０をマスクとして用いることで、領域５３１ａおよび領域５３１ｂを自己整合（セルフアライメント）的に形成することができる。よって、領域５３１ａおよび／または領域５３１ｂと、導電体５６０が重ならず、寄生容量を低減することができる。また、チャネル形成領域とソースドレイン領域（領域５３１ａまたは領域５３１ｂ）の間にオフセット領域が形成されない。領域５３１ａおよび領域５３１ｂを自己整合（セルフアライメント）的に形成することにより、オン電流の増加、しきい値電圧の低減、動作周波数の向上などを実現できる。

【0381】

なお、オフ電流を更に低減するため、チャネル形成領域とソースドレイン領域の間にオフセット領域を設けてもよい。オフセット領域とは、電気抵抗率が高い領域であり、前述した不純物元素の導入が行なわれない領域である。オフセット領域の形成は、絶縁体５７５の形成後に前述した不純物元素の導入を行なうことで実現できる。この場合、絶縁体５７５も絶縁体５７１などと同様にマスクとして機能する。よって、酸化物５３０ｂの絶縁体５７５と重なる領域に不純物元素が導入されず、該領域の電気抵抗率を高いままとすることができる。

【0382】

また、トランジスタ５１０Ｄは、絶縁体５７０、導電体５６０、金属酸化物５５２、絶縁体５５０、および酸化物５３０ｃの側面に絶縁体５７５を有する。絶縁体５７５は、比誘電率の低い絶縁体であることが好ましい。例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、フッ素を添加した酸化シリコン、炭素を添加した酸化シリコン、炭素および窒素を添加した酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコン、または樹脂などであることが好ましい。特に、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、空孔を有する酸化シリコンを絶縁体５７５に用いると、後の工程で絶縁体５７５中に過剰酸素領域を容易に形成できるため好ましい。また、酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため好ましい。また、絶縁体５７５は、酸素を拡散する機能を有することが好ましい。

【0383】

また、トランジスタ５１０Ｄは、絶縁体５７５、酸化物５３０上に絶縁体５７４を有する。絶縁体５７４は、スパッタリング法を用いて成膜することが好ましい。スパッタリング法を用いることにより、水または水素などの不純物の少ない絶縁体を成膜することができる。例えば、絶縁体５７４として、酸化アルミニウムを用いるとよい。

【0384】

なお、スパッタリング法を用いた酸化膜は、被成膜構造体から水素を引き抜く場合がある。従って、絶縁体５７４が酸化物５３０および絶縁体５７５から水素および水を吸収することで、酸化物５３０および絶縁体５７５の水素濃度を低減することができる。

【0385】

＜トランジスタの構造例５＞
図１８（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を用いてトランジスタ５１０Ｅの構造例を説明する。図１８（Ａ）はトランジスタ５１０Ｅの上面図である。図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）に一点鎖線Ｌ１－Ｌ２で示す部位の断面図である。図１８（Ｃ）は、図１８（Ａ）に一点鎖線Ｗ１－Ｗ２で示す部位の断面図である。なお、図１８（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。

【0386】

トランジスタ５１０Ｅは上記トランジスタの変形例である。よって、説明の繰り返しを防ぐため、主に上記トランジスタと異なる点について説明する。

【0387】

図１８（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）では、導電体５４２を設けずに、露出した酸化物５３０ｂの一部に領域５３１ａおよび領域５３１ｂを有する。領域５３１ａまたは領域５３１ｂの一方はソース領域として機能し、他方はドレイン領域として機能する。また、酸化物５３０ｂと、絶縁体５７４の間に、絶縁体５７３を有する。

【0388】

図１８（Ｂ）に示す、領域５３１（領域５３１ａ、および領域５３１ｂ）は、酸化物５３０ｂに下記の元素が添加された領域である。領域５３１は、例えば、ダミーゲートを用いることで形成することができる。

【0389】

具体的には、酸化物５３０ｂ上にダミーゲートを設け、当該ダミーゲートをマスクとして用い、上記酸化物５３０ｂを低抵抗化する元素を添加するとよい。つまり、酸化物５３０が、ダミーゲートと重畳していない領域に、当該元素が添加され、領域５３１が形成される。なお、当該元素の添加方法としては、イオン化された原料ガスを質量分離して添加するイオン注入法、イオン化された原料ガスを質量分離せずに添加するイオンドーピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法などを用いることができる。

【0390】

なお、酸化物５３０を低抵抗化する元素としては、代表的には、ホウ素、またはリンが挙げられる。また、水素、炭素、窒素、フッ素、硫黄、塩素、チタン、希ガス等を用いてもよい。希ガスの代表例としては、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、及びキセノン等がある。当該元素の濃度は、ＳＩＭＳなどを用いて測定すればよい。

【0391】

特に、ホウ素およびリンは、例えば、低温ポリシリコントランジスタの製造ラインの装置を使用することができるため、好ましい。既存の設備を転用することができ、設備投資を抑制することができる。

【0392】

続いて、酸化物５３０ｂ、およびダミーゲート上に、絶縁体５７３となる絶縁膜、および絶縁体５７４となる絶縁膜を成膜してもよい。絶縁体５７３となる絶縁膜、および絶縁体５７４となる絶縁膜を積層して設けることで、領域５３１と、酸化物５３０ｃおよび絶縁体５５０とが重畳する領域を設けることができる。

【0393】

具体的には、絶縁体５７４となる絶縁膜上に絶縁体５８０となる絶縁膜を設けた後、絶縁体５８０となる絶縁膜にＣＭＰ処理を行うことで、絶縁体５８０となる絶縁膜の一部を除去し、ダミーゲートを露出する。続いて、ダミーゲートを除去する際に、ダミーゲートと接する絶縁体５７３の一部も除去するとよい。従って、絶縁体５８０に設けられた開口部の側面には、絶縁体５７４、および絶縁体５７３が露出し、当該開口部の底面には、酸化物５３０ｂに設けられた領域５３１の一部が露出する。次に、当該開口部に酸化物５３０ｃとなる酸化膜、絶縁体５５０となる絶縁膜、および導電体５６０となる導電膜を順に成膜した後、絶縁体５８０が露出するまでＣＭＰ処理などにより、酸化物５３０ｃとなる酸化膜、絶縁体５５０となる絶縁膜、および導電体５６０となる導電膜の一部を除去することで、図１８（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に示すトランジスタを形成することができる。

【0394】

なお、絶縁体５７３、および絶縁体５７４は必須の構成ではない。求めるトランジスタ特性により、適宜設計すればよい。

【0395】

図１８（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）に示すトランジスタは、既存の装置を転用することができ、さらに、導電体５４２を設けないため、コストの低減を図ることができる。

【0396】

＜トランジスタの構造例６＞
図１９（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を用いてトランジスタ５１０Ｆの構造例を説明する。図１９（Ａ）はトランジスタ５１０Ｆの上面図である。図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）に一点鎖線Ｌ１－Ｌ２で示す部位の断面図である。図１９（Ｃ）は、図１９（Ａ）に一点鎖線Ｗ１－Ｗ２で示す部位の断面図である。なお、図１９（Ａ）の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。

【0397】

トランジスタ５１０Ｆはトランジスタ５１０Ａの変形例である。よって、説明の繰り返しを防ぐため、主に上記トランジスタと異なる点について説明する。

【0398】

トランジスタ５１０Ａでは、絶縁体５７４の一部が絶縁体５８０に設けられた開口部内に設けられ、導電体５６０の側面を覆うように設けられている。一方で、トランジスタ５１０Ｆでは絶縁体５８０と絶縁体５７４の一部を除去して開口が形成されている。

【0399】

また、導電体５４６と、絶縁体５８０との間に、バリア性を有する絶縁体５７６（絶縁体５７６ａ、および絶縁体５７６ｂ）を配置してもよい。絶縁体５７６を設けることで、絶縁体５８０の酸素が導電体５４６と反応し、導電体５４６が酸化することを抑制することができる。

【0400】

なお、酸化物５３０として酸化物半導体を用いる場合は、各金属原子の原子数比が異なる複数の酸化物層の積層構造を有することが好ましい。具体的には、酸化物５３０ａに用いる金属酸化物において、構成元素中の元素Ｍの原子数比が、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物における、構成元素中の元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ａに用いる金属酸化物において、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比が、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物における、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物において、元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、酸化物５３０ａに用いる金属酸化物における、元素Ｍに対するＩｎの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ｃは、酸化物５３０ａまたは酸化物５３０ｂに用いることができる金属酸化物を用いることができる。

【0401】

酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、および酸化物５３０ｃは、結晶性を有することが好ましく、特に、ＣＡＡＣ－ＯＳを用いることが好ましい。ＣＡＡＣ－ＯＳ等の結晶性を有する酸化物は、不純物や欠陥（酸素欠損等）が少なく、結晶性の高い、緻密な構造を有している。よって、ソース電極またはドレイン電極による、酸化物５３０ｂからの酸素の引き抜きを抑制することができる。これにより、熱処理を行っても、酸化物５３０ｂから酸素が引き抜かれることを低減できるので、トランジスタ５１０Ｆは、製造工程における高い温度（またはサーマルバジェット）に対して安定である。

【0402】

なお、酸化物５３０ａおよび酸化物５３０ｃの一方または双方を省略してもよい。酸化物５３０を酸化物５３０ｂの単層としてもよい。酸化物５３０を、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、および酸化物５３０ｃの積層とする場合は、酸化物５３０ａおよび酸化物５３０ｃの伝導帯下端のエネルギーが、酸化物５３０ｂの伝導帯下端のエネルギーより高くなることが好ましい。また、言い換えると、酸化物５３０ａおよび酸化物５３０ｃの電子親和力が、酸化物５３０ｂの電子親和力より小さいことが好ましい。この場合、酸化物５３０ｃは、酸化物５３０ａに用いることができる金属酸化物を用いることが好ましい。具体的には、酸化物５３０ｃに用いる金属酸化物において、構成元素中の元素Ｍの原子数比が、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物における、構成元素中の元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ｃに用いる金属酸化物において、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比が、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物における、Ｉｎに対する元素Ｍの原子数比より大きいことが好ましい。また、酸化物５３０ｂに用いる金属酸化物において、元素Ｍに対するＩｎの原子数比が、酸化物５３０ｃに用いる金属酸化物における、元素Ｍに対するＩｎの原子数比より大きいことが好ましい。

【0403】

ここで、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、および酸化物５３０ｃの接合部において、伝導帯下端のエネルギー準位はなだらかに変化する。換言すると、酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｂ、および酸化物５３０ｃの接合部における伝導帯下端のエネルギー準位は、連続的に変化または連続接合するともいうことができる。このようにするためには、酸化物５３０ａと酸化物５３０ｂとの界面、および酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃとの界面において形成される混合層の欠陥準位密度を低くするとよい。

【0404】

具体的には、酸化物５３０ａと酸化物５３０ｂ、酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃが、酸素以外に共通の元素を有する（主成分とする）ことで、欠陥準位密度が低い混合層を形成することができる。例えば、酸化物５３０ｂがＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物の場合、酸化物５３０ａおよび酸化物５３０ｃとして、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物、Ｇａ－Ｚｎ酸化物、酸化ガリウム等を用いてもよい。また、酸化物５３０ｃを積層構造としてもよい。例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物と、当該Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物上のＧａ－Ｚｎ酸化物との積層構造、またはＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物と、当該Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物上の酸化ガリウムとの積層構造を用いることができる。別言すると、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物と、Ｉｎを含まない酸化物との積層構造を、酸化物５３０ｃとして用いてもよい。

【0405】

具体的には、酸化物５３０ａとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、または１：１：０．５［原子数比］の金属酸化物を用いればよい。また、酸化物５３０ｂとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］、または３：１：２［原子数比］の金属酸化物を用いればよい。また、酸化物５３０ｃとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］、Ｇａ：Ｚｎ＝２：１［原子数比］、またはＧａ：Ｚｎ＝２：５［原子数比］の金属酸化物を用いればよい。また、酸化物５３０ｃを積層構造とする場合の具体例としては、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］と、Ｇａ：Ｚｎ＝２：１［原子数比］との積層構造、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］と、Ｇａ：Ｚｎ＝２：５［原子数比］との積層構造、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］と、酸化ガリウムとの積層構造等が挙げられる。

【0406】

このとき、キャリアの主たる経路は酸化物５３０ｂとなる。酸化物５３０ａ、酸化物５３０ｃを上述の構成とすることで、酸化物５３０ａと酸化物５３０ｂとの界面、および酸化物５３０ｂと酸化物５３０ｃとの界面における欠陥準位密度を低くすることができる。そのため、界面散乱によるキャリア伝導への影響が小さくなり、トランジスタ５１０Ｆは高いオン電流、および高い周波数特性を得ることができる。なお、酸化物５３０ｃを積層構造とした場合、上述の酸化物５３０ｂと、酸化物５３０ｃとの界面における欠陥準位密度を低くする効果に加え、酸化物５３０ｃが有する構成元素が、絶縁体５５０側に拡散するのを抑制することが期待される。より具体的には、酸化物５３０ｃを積層構造とし、積層構造の上方にＩｎを含まない酸化物を位置させるため、絶縁体５５０側に拡散しうるＩｎを抑制することができる。絶縁体５５０は、ゲート絶縁体として機能するため、Ｉｎが拡散した場合、トランジスタの特性不良となる。したがって、酸化物５３０ｃを積層構造とすることで、信頼性の高い記憶装置を提供することが可能となる。

【0407】

酸化物５３０は、酸化物半導体として機能する金属酸化物を用いることが好ましい。例えば、酸化物５３０のチャネル形成領域となる金属酸化物としては、バンドギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上のものを用いることが好ましい。このように、バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。このようなトランジスタを用いることで、低消費電力の記憶装置を提供することができる。

【0408】

＜トランジスタの構造例７＞
図２０（Ａ）、（Ｂ）を用いてトランジスタ５１０Ｇの構造例を説明する。トランジスタ５１０Ｇはトランジスタ５００の変形例である。よって、説明の繰り返しを防ぐため、主に上記トランジスタと異なる点について説明する。なお、図２０（Ａ）、（Ｂ）に示す構成は、トランジスタ３００等、本発明の一形態に係わる記憶装置が有する他のトランジスタにも適用することができる。

【0409】

図２０（Ａ）は、トランジスタ５１０Ｇのチャネル長方向の断面図であり、図２０（Ｂ）は、トランジスタ５１０Ｇのチャネル幅方向の断面図である。図２０（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５１０Ｇは、絶縁体４０２及び絶縁体４０４を有する点、並びに絶縁体５５０が絶縁体５５０ａと絶縁体５５０ｂから構成される点が、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５００と異なる。また、導電体５４０ａの側面に接して絶縁体５５１が設けられ、導電体５４０ｂの側面に接して絶縁体５５１が設けられ、導電体５４２ａの上面に接して導電体５７２ａが設けられ、領域５４３ａの上面に接して導電体５３２ａが設けられ、導電体５４２ｂの上面に接して導電体５７２ｂが設けられ、領域５４３ｂの上面に接して導電体５３２ｂが設けられる点が、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５００と異なる。さらに、絶縁体５２０および酸化物５３０ｃを有さない点が、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５００と異なる。

【0410】

図２０（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５１０Ｇは、絶縁体５１２上に絶縁体４０２が設けられる。また、絶縁体５７４上、及び絶縁体４０２上に絶縁体４０４が設けられる。

【0411】

図２０（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５１０Ｇでは、絶縁体５１４、絶縁体５１６、絶縁体５２２、絶縁体５４４、絶縁体５８０、及び絶縁体５７４がパターニングされており、絶縁体４０４がこれらを覆う構造になっている。つまり、絶縁体４０４は、絶縁体５７４の上面、絶縁体５７４の側面、絶縁体５８０の側面、絶縁体５４４の側面、絶縁体５２２の側面、絶縁体５１６の側面、絶縁体５１４の側面、絶縁体４０２の上面とそれぞれ接する。これにより、酸化物５３０等は、絶縁体４０４と絶縁体４０２によって外部から隔離される。

【0412】

絶縁体４０２及び絶縁体４０４は、水素（例えば、水素原子、水素分子などの少なくとも一つ）又は水分子の拡散を抑制する機能が高いことが好ましい。例えば、絶縁体４０２及び絶縁体４０４として、水素バリア性が高い材料である、窒化シリコン又は窒化酸化シリコンを用いることが好ましい。これにより、酸化物５３０に水素等が拡散することを抑制することができるので、トランジスタ５１０Ｇの特性が低下することを抑制することができる。よって、ＯＳトランジスタを有する記憶装置において、信頼性を高めることができる。

【0413】

絶縁体５５０ａには、酸化シリコンや酸化窒化シリコンなどを用いることができ、絶縁体５５０ｂには、例えば、酸化ハフニウムなどを用いることができる。これにより、導電体５６０の酸化を抑制することができる。また、導電体５７２ａおよび導電体５７２ｂには、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを含む酸化物（ハフニウムアルミネート）などを用いることでき、導電体５３２ａおよび導電体５３２ｂには、例えば、酸化物５３０ａに用いる金属酸化物を用いることができる。これにより、導電体５４２ａおよび導電体５４２ｂの酸化を抑制することができる。

【0414】

絶縁体５５１は、絶縁体５８１、絶縁体４０４、絶縁体５７４、絶縁体５８０、及び絶縁体５４４に接して設けられる。絶縁体５５１は、水素又は水分子の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。たとえば、絶縁体５５１として、水素バリア性が高い材料である、窒化シリコン、酸化アルミニウム、又は窒化酸化シリコン等の絶縁体を用いることが好ましい。特に、窒化シリコンは水素バリア性が高い材料であるので、絶縁体５５１として用いると好適である。絶縁体５５１として水素バリア性が高い材料を用いることにより、水又は水素等の不純物が、絶縁体５８０等から導電体５４０ａ及び導電体５４０ｂを通じて酸化物５３０に拡散することを抑制することができる。また、絶縁体５８０に含まれる酸素が導電体５４０ａ及び導電体５４０ｂに吸収されることを抑制することができる。以上により、ＯＳトランジスタを有する記憶装置の信頼性を高めることができる。

【0415】

図２１は、トランジスタ５００及びトランジスタ３００を、図２０（Ａ）、（Ｂ）に示す構成とした場合における、記憶装置の構成例を示す断面図である。導電体５４６の側面に、絶縁体５５１が設けられている。

【0416】

＜トランジスタの構造例８＞
図２２（Ａ）、（Ｂ）を用いてトランジスタ５１０Ｈの構造例を説明する。トランジスタ５１０Ｈはトランジスタ５００の変形例である。よって、説明の繰り返しを防ぐため、主に上記トランジスタと異なる点について説明する。なお、図２２（Ａ）、（Ｂ）に示す構成は、トランジスタ３００等、本発明の一形態に係わる記憶装置が有する他のトランジスタにも適用することができる。

【0417】

図２２（Ａ）、（Ｂ）は、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタの変形例である。図２２（Ａ）はトランジスタのチャネル長方向の断面図であり、図２２（Ｂ）はトランジスタのチャネル幅方向の断面図である。図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタは、絶縁体４０２及び絶縁体４０４を有する点が、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５００と異なる。また、導電体５４０ａの側面に接して絶縁体５５１が設けられ、導電体５４０ｂの側面に接して絶縁体５５１が設けられる点が、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５００と異なる。さらに、絶縁体５２０を有さない点が、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５００と異なる。さらに、酸化物５３０ｃが酸化物５３０ｃ１及び酸化物５３０ｃ２の２層構造である点が、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５００と異なる。

【0418】

図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５１０Ｈは、絶縁体５１２上に絶縁体４０２が設けられる。また、絶縁体５７４上、及び絶縁体４０２上に絶縁体４０４が設けられる。

【0419】

図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタ５１０Ｈでは、絶縁体５１４、絶縁体５１６、絶縁体５２２、絶縁体５２４、絶縁体５４４、絶縁体５８０、及び絶縁体５７４がパターニングされており、絶縁体４０４がこれらを覆う構造になっている。つまり、絶縁体４０４は、絶縁体５７４の上面、絶縁体５７４の側面、絶縁体５８０の側面、絶縁体５４４の側面、絶縁体５２２の側面、絶縁体５１６の側面、絶縁体５１４の側面、絶縁体４０２の上面とそれぞれ接する。これにより、酸化物５３０等は、絶縁体４０４と絶縁体４０２によって外部から隔離される。

【0420】

絶縁体４０２及び絶縁体４０４は、水素（例えば、水素原子、水素分子などの少なくとも一つ）又は水分子の拡散を抑制する機能が高いことが好ましい。例えば、絶縁体４０２及び絶縁体４０４として、水素バリア性が高い材料である、窒化シリコン又は窒化酸化シリコンを用いることが好ましい。これにより、酸化物５３０に水素等が拡散することを抑制することができるので、トランジスタ５１０Ｈの特性が低下することを抑制することができる。よって、ＯＳトランジスタを有する記憶装置において、信頼性を高めることができる。

【0421】

絶縁体５５１は、絶縁体５８１、絶縁体４０４、絶縁体５７４、絶縁体５８０、及び絶縁体５４４に接して設けられる。絶縁体５５１は、水素又は水分子の拡散を抑制する機能を有することが好ましい。たとえば、絶縁体５５１として、水素バリア性が高い材料である、窒化シリコン、酸化アルミニウム、又は窒化酸化シリコン等の絶縁体を用いることが好ましい。特に、窒化シリコンは水素バリア性が高い材料であるので、絶縁体５５１として用いると好適である。絶縁体５５１として水素バリア性が高い材料を用いることにより、水又は水素等の不純物が、絶縁体５８０等から導電体５４０ａ及び導電体５４０ｂを通じて酸化物５３０に拡散することを抑制することができる。また、絶縁体５８０に含まれる酸素が導電体５４０ａ及び導電体５４０ｂに吸収されることを抑制することができる。以上により、ＯＳトランジスタを有する記憶装置の信頼性を高めることができる。

【0422】

酸化物５３０ｃ１は、絶縁体５２２の上面、絶縁体５２４の側面、酸化物５３０ａの側面、酸化物５３０ｂの上面及び側面、導電体５４２ａ及び導電体５４２ｂの側面、絶縁体５４４の側面、及び絶縁体５８０の側面と接する。酸化物５３０ｃ２は、絶縁体５５０と接する。

【0423】

酸化物５３０ｃ１として、例えば、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物を用いることができる。また、酸化物５３０ｃ２として、酸化物５３０ｃが１層構造である場合に酸化物５３０ｃに用いることができる材料と同様の材料を用いることができる。例えば、酸化物５３０ｃ２として、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：４［原子数比］、Ｇａ：Ｚｎ＝２：１［原子数比］、またはＧａ：Ｚｎ＝２：５［原子数比］の金属酸化物を用いることができる。

【0424】

酸化物５３０ｃを酸化物５３０ｃ１及び酸化物５３０ｃ２の２層構造とすることにより、酸化物５３０ｃを１層構造とする場合より、トランジスタのオン電流を高めることができる。よって、トランジスタを、例えば、パワーＭＯＳトランジスタとすることができる。なお、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタが有する酸化物５３０ｃも、酸化物５３０ｃ１と酸化物５３０ｃ２の２層構造とすることができる。

【0425】

図２２（Ａ）、（Ｂ）に示すトランジスタは、例えば、トランジスタ５００、トランジスタ３００、または、その双方に適用することができる。

【0426】

なお、本実施の形態は、本明細書に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

【0427】

（実施の形態５）
本実施の形態では、金属酸化物の一種である酸化物半導体について説明する。

【0428】

金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を含むことが好ましい。特にインジウムおよび亜鉛を含むことが好ましい。また、それらに加えて、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていることが好ましい。また、ホウ素、シリコン、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、コバルトなどから選ばれた一種、または複数種が含まれていてもよい。

【0429】

＜結晶構造の分類＞
まず、酸化物半導体における、結晶構造の分類について、図２３（Ａ）を用いて説明を行う。図２３（Ａ）は、酸化物半導体、代表的にはＩＧＺＯ（Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を含む金属酸化物）の結晶構造の分類を説明する図である。

【0430】

図２３（Ａ）に示すように、酸化物半導体は、大きく分けて「Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ（無定形）」と、「Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ（結晶性）」と、「Ｃｒｙｓｔａｌ（結晶）」と、に分類される。また、「Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ」の中には、ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ ａｍｏｒｐｈｏｕｓが含まれる。また、「Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ」の中には、ＣＡＡＣ（ｃ－ａｘｉｓ－ａｌｉｇｎｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、及びＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ－ａｌｉｇｎｅｄ ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）が含まれる。なお、「Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ」の分類には、ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ、ｐｏｌｙ ｃｒｙｓｔａｌ、及びｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ ａｍｏｒｐｈｏｕｓは除かれる。また、「Ｃｒｙｓｔａｌ」の中には、ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ、及びｐｏｌｙ ｃｒｙｓｔａｌが含まれる。

【0431】

なお、図２３（Ａ）に示す太枠内の構造は、「Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ（無定形）」と、「Ｃｒｙｓｔａｌ（結晶）」との間の中間状態であり、新しい境界領域（Ｎｅｗ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ ｐｈａｓｅ）に属する構造である。すなわち、当該構造は、エネルギー的に不安定な「Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ（無定形）」や、「Ｃｒｙｓｔａｌ（結晶）」とは全く異なる構造と言い換えることができる。

【0432】

なお、膜または基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ－Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することができる。ここで、「Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ」に分類されるＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜のＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ－Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを図２３（Ｂ）に示す。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ－Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。以降、図２３（Ｂ）に示すＧＩＸＤ測定で得られるＸＲＤスペクトルを、単にＸＲＤスペクトルと記す。なお、図２３（Ｂ）に示すＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜の組成は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］近傍である。また、図２３（Ｂ）に示すＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜の厚さは、５００ｎｍである。

【0433】

図２３（Ｂ）では、横軸は２θ［ｄｅｇ．］であり、縦軸は強度（Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）［ａ．ｕ．］である。図２３（Ｂ）に示すように、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜のＸＲＤスペクトルでは、明確な結晶性を示すピークが検出される。具体的には、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜のＸＲＤスペクトルでは、２θ＝３１°近傍に、ｃ軸配向を示すピークが検出される。なお、図２３（Ｂ）に示すように、２θ＝３１°近傍のピークは、ピーク強度が検出された角度を軸に左右非対称である。

【0434】

また、膜または基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ Ｂｅａｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価することができる。ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜の回折パターンを、図２３（Ｃ）に示す。図２３（Ｃ）は、電子線を基板に対して平行に入射するＮＢＥＤによって観察される回折パターンである。なお、図２３（Ｃ）に示すＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜の組成は、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３［原子数比］近傍である。また、極微電子線回折法では、プローブ径を１ｎｍとして電子線回折が行われる。

【0435】

図２３（Ｃ）に示すように、ＣＡＡＣ－ＩＧＺＯ膜の回折パターンでは、ｃ軸配向を示す複数のスポットが観察される。

【0436】

＜＜酸化物半導体の構造＞＞
なお、酸化物半導体は、結晶構造に着目した場合、図２３（Ａ）とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、上述のＣＡＡＣ－ＯＳ、及びｎｃ－ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ－ｌｉｋｅ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体、などが含まれる。

【0437】

ここで、上述のＣＡＡＣ－ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ、及びａ－ｌｉｋｅ ＯＳの詳細について、説明を行う。

【0438】

［ＣＡＡＣ－ＯＳ］
ＣＡＡＣ－ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の被形成面の法線方向、またはＣＡＡＣ－ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ－ＯＳは、ａ－ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ－ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ－ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。

【0439】

なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つまたは複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の大きさは、数十ｎｍ程度となる場合がある。

【0440】

また、Ｉｎ－Ｍ－Ｚｎ酸化物（元素Ｍは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、スズ、チタンなどから選ばれた一種、または複数種）において、ＣＡＡＣ－ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、元素Ｍ、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素を有する層（以下、（Ｍ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムと元素Ｍは、互いに置換可能である。よって、（Ｍ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層には元素Ｍが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層にはＺｎが含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ像において、格子像として観察される。

【0441】

ＣＡＡＣ－ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°またはその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ－ＯＳを構成する金属元素の種類、組成などにより変動する場合がある。

【0442】

また、例えば、ＣＡＡＣ－ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。

【0443】

上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ－ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないことや、金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためと考えられる。

【0444】

なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動度の低下などを引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ－ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ－ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、及びＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。

【0445】

ＣＡＡＣ－ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ－ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ－ＯＳは不純物や欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ－ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ－ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは、製造工程における高い温度（またはサーマルバジェット）に対しても安定である。したがって、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ－ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。

【0446】

［ｎｃ－ＯＳ］
ｎｃ－ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ－ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ－ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、ｎｃ－ＯＳは、分析方法によっては、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ－ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ－ｏｆ－ｐｌａｎｅ ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ－ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ－ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。

【0447】

［ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ］
ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、鬆又は低密度領域を有する。即ち、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳ及びＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳは、ｎｃ－ＯＳ及びＣＡＡＣ－ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。

【0448】

＜＜酸化物半導体の構成＞＞
次に、上述のＣＡＣ－ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ－ＯＳは材料構成に関する。

【0449】

［ＣＡＣ－ＯＳ］
ＣＡＣ－ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つまたは複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

【0450】

さらに、ＣＡＣ－ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう）である。つまり、ＣＡＣ－ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。

【0451】

ここで、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、および［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ－ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ－ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。または、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。

【0452】

具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、ガリウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。

【0453】

なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

【0454】

例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ－ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－ｒａｙ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

【0455】

ＣＡＣ－ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ－ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ－ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ－ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、および良好なスイッチング動作を実現することができる。

【0456】

酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ－ｌｉｋｅ ＯＳ、ＣＡＣ－ＯＳ、ｎｃ－ＯＳ、ＣＡＡＣ－ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

【0457】

＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。

【0458】

上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。

【0459】

トランジスタには、キャリア密度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい（より具体的には、実施の形態４、参照）。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性又は実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性又は実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。

【0460】

また、高純度真性又は実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。

【0461】

また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。

【0462】

従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。

【0463】

＜不純物＞
ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。

【0464】

酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンや炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコンや炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコンや炭素の濃度（ＳＩＭＳにより得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

【0465】

また、酸化物半導体にアルカリ金属又はアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属又はアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属又はアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

【0466】

また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。または、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

【0467】

また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい（より具体的には、実施の形態４、参照）。

【0468】

不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。

【0469】

なお、本実施の形態に示す構成、構造、方法などは、他の実施の形態などに示す構成、構造、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。

【0470】

（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した情報処理システム７０を用いることができる電子機器の一例について説明する。

【0471】

例えば、本発明の一形態に係わる情報処理システム７０を用いることができる電子機器として、情報端末５５００を、図２４（Ａ）に図示する。情報端末５５００は、携帯電話（スマートフォン）である。情報端末５５００は、筐体５５１０と、表示部５５１１とを有しており、入力用インターフェースとして、タッチパネルが表示部５５１１に備えられ、ボタンが筐体５５１０に備えられている。その他に情報端末５５００は、マイクロフォン、カメラ、スピーカ、および各種センサ等を有する。これら周辺機器が、情報処理システム７０によって制御される。

【0472】

例えば、本発明の一形態に係わる情報処理システム７０を用いることができる電子機器として、ノート型のパーソナルコンピュータ５４００を、図２４（Ｂ）に図示する。パーソナルコンピュータ５４００は、表示部５４０１、筐体５４０２、タッチパッド５４０３、接続ポート５４０４等を有する。

【0473】

タッチパッド５４０３は、ポインティングデバイスや、ペンタブレット等の入力手段として機能し、指やスタイラス等で操作することができる。また、タッチパッド５４０３には表示素子が組み込まれている。図２４（Ｂ）に示すように、タッチパッド５４０３の表面に、入力キー５４０５を表示することで、タッチパッド５４０３をキーボードとして使用することができる。入力キー５４０５に触れた際、振動により触感を実現するため、振動モジュールがタッチパッド５４０３に組み込まれていてもよい。これら周辺機器が、情報処理システム７０によって制御される。

【0474】

図２４（Ａ）および図２４（Ｂ）では、携帯電話およびノート型のパーソナルコンピュータを例として図示したが、それ以外の電子機器として、例えば、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デスクトップ型情報端末などに、本発明の一形態に係わる情報処理システム７０を用いてもよい。

【0475】

また例えば、本発明の一形態に係わる情報処理システム７０を用いることができる電子機器として、携帯ゲーム機５２００を、図２４（Ｃ）に図示する。携帯ゲーム機５２００は、筐体５２０１、表示部５２０２、ボタン５２０３等を有する。

【0476】

図２４（Ｃ）では、携帯ゲーム機を例として図示したが、それ以外のゲーム機として、例えば、家庭用の据え置き型ゲーム機、娯楽施設（ゲームセンター、遊園地など）に設置されるアーケードゲーム機、スポーツ施設に設置されるバッティング練習用の投球マシンなどに、本発明の一形態に係わる情報処理システム７０を用いてもよい。

【0477】

上述のように、本発明の一形態に係わる情報処理システム７０は、様々な電子機器に用いることができる。本発明の一形態に係わる情報処理システム７０は、主記憶装置の記憶容量を小さくできるため、情報処理システム７０を搭載した電子機器の小型化、低消費電力化、コストの低減等に貢献することができる。また、情報処理システム７０の稼働時には、主記憶装置の記憶容量を大きくできるため、情報処理システム７０を搭載した電子機器は、大量のデータを処理することができる。

【0478】

なお、本実施の形態は、本明細書に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

【符号の説明】

【0479】

ＢＬ ビット線
ＣＡＬ 配線
ＦＮ フローティングノード
Ｉｄ 電流
ＲＢＬ ビット線
ＲＷＬ 読み出しワード線
ＳＬ 電源線
Ｖ０ 電位
Ｖ１ 電位
Ｖ２ 電位
Ｖ３ 電位
Ｖ４ 電位
Ｖ５ 電位
Ｖ６ 電位
Ｖ７ 電位
Ｖ_{ｄｉｓｃｈａｒｇｅ} ディスチャージ電位
Ｖ_{ｉｎｉｔｉａｌ} 初期化電位
Ｖ_{ｐｒｅｃｈａｒｇｅ} プリチャージ電位
Ｖｒｅｆ０ 参照電位
Ｖｒｅｆ１ 参照電位
Ｖｒｅｆ２ 参照電位
Ｖｒｅｆ３ 参照電位
Ｖｒｅｆ４ 参照電位
Ｖｒｅｆ５ 参照電位
Ｖｒｅｆ６ 参照電位
ＷＬ ワード線
ＷＷＬ 書き込みワード線
１０ 演算処理装置
２０ 記憶装置
３０ 記憶装置
３１ 記憶領域
３２ ２値データ領域
３９ 領域
４１ 一時記憶領域
５０ バス
５１ バス
５２ バス
５９ コンパレータ
７０ 情報処理システム
１００ メモリセル
１００Ａ メモリセル
１００Ｂ メモリセル
１００Ｃ メモリセル
１００Ｄ メモリセル
１１１ トランジスタ
１１２ トランジスタ
１１３ トランジスタ
１１４ 容量素子
２０１ メモリセルアレイ
２３０ 行選択ドライバ
２３１ デコーダ
２３２ 制御回路
２４０ 列選択ドライバ
２４１ デコーダ
２４２ ラッチ回路
２４３ Ｄ／Ａコンバータ
２４４ スイッチ回路
２４５ トランジスタ
２４６ トランジスタ
２５０ Ａ／Ｄコンバータ
２５１ コンパレータ回路
２５２ エンコーダ
２５３ ラッチ回路
２５４ バッファ
２７０ 記憶装置
３００ トランジスタ
３１１ 基板
３１３ 半導体領域
３１４ａ 低抵抗領域
３１４ｂ 低抵抗領域
３１５ 絶縁体
３１６ 導電体
３２０ 絶縁体
３２２ 絶縁体
３２４ 絶縁体
３２６ 絶縁体
３２８ 導電体
３３０ 導電体
３５０ 絶縁体
３５２ 絶縁体
３５４ 絶縁体
３５６ 導電体
３６０ 絶縁体
３６２ 絶縁体
３６４ 絶縁体
３６６ 導電体
３７０ 絶縁体
３７２ 絶縁体
３７４ 絶縁体
３７６ 導電体
３８０ 絶縁体
３８２ 絶縁体
３８４ 絶縁体
３８６ 導電体
４０２ 絶縁体
４０４ 絶縁体
５００ トランジスタ
５０３ 導電体
５０３ａ 導電体
５０３ｂ 導電体
５０５ 導電体
５０５ａ 導電体
５０５ｂ 導電体
５１０ 絶縁体
５１０Ａ トランジスタ
５１０Ｂ トランジスタ
５１０Ｃ トランジスタ
５１０Ｄ トランジスタ
５１０Ｅ トランジスタ
５１０Ｆ トランジスタ
５１０Ｇ トランジスタ
５１０Ｈ トランジスタ
５１１ 絶縁体
５１２ 絶縁体
５１４ 絶縁体
５１６ 絶縁体
５１８ 導電体
５２０ 絶縁体
５２１ 絶縁体
５２２ 絶縁体
５２４ 絶縁体
５３０ 酸化物
５３０ａ 酸化物
５３０ｂ 酸化物
５３０ｃ 酸化物
５３０ｃ１ 酸化物
５３０ｃ２ 酸化物
５３１ 領域
５３１ａ 領域
５３１ｂ 領域
５３２ａ 導電体
５３２ｂ 導電体
５４０ａ 導電体
５４０ｂ 導電体
５４２ 導電体
５４２ａ 導電体
５４２ｂ 導電体
５４３ 領域
５４３ａ 領域
５４３ｂ 領域
５４４ 絶縁体
５４５ 絶縁体
５４６ 導電体
５４６ａ 導電体
５４６ｂ 導電体
５４７ 導電体
５４７ａ 導電体
５４７ｂ 導電体
５４８ 導電体
５５０ 絶縁体
５５０ａ 絶縁体
５５０ｂ 絶縁体
５５１ 絶縁体
５５２ 金属酸化物
５６０ 導電体
５６０ａ 導電体
５６０ｂ 導電体
５７０ 絶縁体
５７１ 絶縁体
５７２ａ 導電体
５７２ｂ 導電体
５７３ 絶縁体
５７４ 絶縁体
５７５ 絶縁体
５７６ 絶縁体
５７６ａ 絶縁体
５７６ｂ 絶縁体
５８０ 絶縁体
５８１ 絶縁体
５８２ 絶縁体
５８４ 絶縁体
５８６ 絶縁体
６００ 容量素子
６１０ 導電体
６１２ 導電体
６２０ 導電体
６３０ 絶縁体
６５０ 絶縁体
５２００ 携帯ゲーム機
５２０１ 筐体
５２０２ 表示部
５２０３ ボタン
５４００ パーソナルコンピュータ
５４０１ 表示部
５４０２ 筐体
５４０３ タッチパッド
５４０４ 接続ポート
５４０５ 入力キー
５５００ 情報端末
５５１０ 筐体
５５１１ 表示部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】

【図21】

【図22】

【図23】

【図24】