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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-02
(45)【発行日】2024-08-13
(54)【発明の名称】表示装置
(51)【国際特許分類】
H10K 50/844 20230101AFI20240805BHJP
G09F 9/30 20060101ALI20240805BHJP
H10K 50/842 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/122 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/124 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/131 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/35 20230101ALI20240805BHJP
H10K 59/40 20230101ALI20240805BHJP
【ＦＩ】
H10K50/844
G09F9/30 320
G09F9/30 349Z
G09F9/30 365
H10K50/842 428
H10K59/122
H10K59/124
H10K59/131
H10K59/35 351
H10K59/40
【請求項の数】
9
(21)【出願番号】P 2023522096
(86)(22)【出願日】2021-05-19
(86)【国際出願番号】 JP2021019053
(87)【国際公開番号】W WO2022244160
(87)【国際公開日】2022-11-24
【審査請求日】2023-09-12
(73)【特許権者】
【識別番号】520487808
【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002848
【氏名又は名称】弁理士法人ＮＩＰ＆ＳＢＰＪ国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】岡部 達
(72)【発明者】
【氏名】岡崎 庄治
(72)【発明者】
【氏名】齋田 信介
(72)【発明者】
【氏名】市川 伸治
(72)【発明者】
【氏名】谷山 博己
(72)【発明者】
【氏名】藤本 英二
【審査官】岩井 好子
(56)【参考文献】
【文献】米国特許出願公開第２０２０／０１５０８４７（ＵＳ，Ａ１）
【文献】米国特許出願公開第２０１８／００９７１９８（ＵＳ，Ａ１）
【文献】韓国公開特許第１０－２０２０－００８０７５３（ＫＲ，Ａ）
【文献】中国実用新案第２１０５３５６６９（ＣＮ，Ｕ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ１０Ｋ ５０／８４４
Ｇ０９Ｆ ９／３０
Ｈ１０Ｋ ５０／８４２
Ｈ１０Ｋ ５９／１２２
Ｈ１０Ｋ ５９／１２４
Ｈ１０Ｋ ５９／１３１
Ｈ１０Ｋ ５９／３５
Ｈ１０Ｋ ５９／４０
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板層と、前記基板層に支持された、複数の発光素子を含む発光素子層と、
前記発光素子層上に設けられた、前記複数の発光素子を覆う封止膜と、を備え、
前記発光素子の発光によって画像を表示する表示領域と、該表示領域の外側に設けられた額縁領域とを有し、
前記封止膜は、前記表示領域に設けられる有機封止層を有し、
前記額縁領域には、前記表示領域の外周を延びる壁体と、該壁体を前記表示領域側から前記額縁領域の外側へ跨がるように延びる配線とが設けられた表示装置であって、
前記壁体として、前記有機封止層をなす有機材料の前記額縁領域の外側への広がりを堰き止める堰き止め壁と、該堰き止め壁のうち少なくとも前記配線が交差する部分に沿って当該堰き止め壁の外周を延びるスペーサ壁とが設けられ、
前記スペーサ壁の上部には、当該スペーサ壁の高さ方向へ突出した複数の凸状部が前記堰き止め壁に沿う方向に互いに間隔をあけて設けられ、
前記配線は、前記凸状部から外れた部分で前記スペーサ壁に跨がるように延びる、表示装置。
【請求項2】
請求項１に記載された表示装置において、前記スペーサ壁のうち前記凸状部から外れた部分の高さは、前記堰き止め壁の高さよりも低い、表示装置。
【請求項3】
請求項１または２に記載された表示装置において、前記堰き止め壁および前記スペーサ壁はそれぞれ、下側壁層と、該下側壁層上に設けられた上側壁層とを有し、
前記凸状部は、前記スペーサ壁の上側壁層によって構成される、表示装置。
【請求項4】
請求項３に記載された表示装置において、前記基板層と前記発光素子層との間に設けられた、複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層をさらに備え、
前記薄膜トランジスタ層は、複数の薄膜トランジスタを覆うように設けられた平坦化膜を有し、
前記発光素子層は、複数の画素電極と、該画素電極を区画するように設けられたエッジカバーとを有し、
前記下側壁層は、前記平坦化膜と同一層に同一材料によって形成され、
前記上側壁層は、前記エッジカバーと同一層に同一材料によって形成される、表示装置。
【請求項5】
請求項３に記載された表示装置において、前記基板層と前記発光素子層との間に設けられた、複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタ層をさらに備え、
前記薄膜トランジスタは、複数の薄膜トランジスタを覆うように設けられた第１平坦化膜と、該第１平坦化膜上に設けられた導電層と、該導電層上に設けられた第２平坦化膜とを有し、
前記発光素子層は、複数の画素電極と、該画素電極を区画するように設けられたエッジカバーとを有し、
前記下側壁層は、前記第２平坦化膜と同一層に同一材料によって形成され、
前記上側壁層は、前記エッジカバーと同一層に同一材料によって形成される、表示装置。
【請求項6】
請求項１～５のいずれか１項に記載された表示装置において、前記スペーサ壁は、前記堰き止め壁の外周全体に亘って延びる、表示装置。
【請求項7】
請求項１～５のいずれか１項に記載された表示装置において、前記スペーサ壁は、前記額縁領域のうち前記堰き止め壁と前記配線とが交差する辺を構成する部分のみに設けられる、表示装置。
【請求項8】
請求項１～７のいずれか１項に記載された表示装置において、前記封止膜上に設けられたタッチパネルをさらに備え、
前記タッチパネルは、前記表示領域に重ねて設定されるタッチ領域に設けられた複数の検出電極を有し、
前記配線は、前記タッチパネルに含まれ、前記検出電極から前記額縁領域に引き出された引き出し配線である、表示装置。
【請求項9】
請求項１～８のいずれか１項に記載された表示装置において、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、表示装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence；以下、ＥＬと称する）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。
【0003】
有機ＥＬ表示装置において、複数の有機ＥＬ素子はそれぞれ、互いに対向する一対の電極と、一対の電極の間に設けられた有機ＥＬ層とを有する。有機ＥＬ層は、有機材料からなる正孔輸送層や発光層などの複数の機能層が積層されてなる。これら機能層や電極は、例えば、表示パネル単位でパターニング可能な開口が設けられたＣＭＭ（Common Metal Mask）と呼ばれる成膜用マスクや、サブ画素単位でパターニング可能な開口が設けられたＦＭＭ（Fine Metal Mask）と呼ばれる成膜用マスクを用いて、蒸着法により形成される。
【0004】
また、有機ＥＬ表示装置には、水分や酸素などの浸入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制すべく、有機ＥＬ素子を覆うように封止膜が設けれる。封止膜としては、無機封止層と有機封止層とを積層する構造が好適に採用される。無機封止層は、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などにより形成される。有機封止層は、例えばインクジェット法などの塗布法により形成される。有機ＥＬ表示装置には、その製造過程で有機封止層を形成する有機材料（インク）が額縁領域の外側へ広がるのを堰き止めるための壁体として堰き止め壁が設けられる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0005】
【文献】特開２０１２－２５３０３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
有機ＥＬ表示装置をオンセル型のタッチパネル付き表示装置にする場合には、封止膜上にタッチパネルが作り込まれる。この場合、タッチパネルにおいてタッチ位置を検出するための検出電極から額縁領域に配線を引き出す必要がある。この引き出し配線は、堰き止め壁が比較的高いため、当該配線をパターニングする際においてマスクに用いるレジストを堰き止め壁の頂部に十分な厚さで設けられず、堰き止め壁の頂部で途切れて断線するおそれがある。
【0007】
また、有機ＥＬ表示装置の製造において、有機ＥＬ層をなす機能層や電極を蒸着法により形成する際に用いる成膜用マスクは、堰き止め壁の頂部に接触する。このため、堰き止め壁の頂部に凹凸が形成されたり、堰き止め壁およびその周辺に異物が生じたりし易い。それら凹凸や異物は、封止膜により好適に覆い難く、カバレッジ不良を生じる原因となる。有機封止層８４をなす有機樹脂材料の塗布領域またはその付近でカバレッジ不良が生じると、水分が表示領域に浸入し、有機ＥＬ素子の劣化を招くおそれがある。
【0008】
本開示の技術の目的は、表示装置において、壁体上での配線の断線と、表示領域への水分の浸入とを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本開示の技術は、基板層と、前記基板層に支持された、複数の発光素子を含む発光素子層と、前記発光素子層上に設けられた、前記複数の発光素子を覆う封止膜とを備える表示装置を対象とする。本開示の技術に係る表示装置は、前記発光素子の発光によって画像を表示する表示領域と、該表示領域の外側に設けられた額縁領域とを有する。前記封止膜は、前記表示領域に設けられる有機封止層を有する。前記額縁領域には、前記表示領域の外周を延びる壁体と、該壁体を前記表示領域側から前記額縁領域の外側へ跨がるように延びる配線とが設けられる。前記壁体としては、前記有機封止層をなす有機材料の前記額縁領域の外側への広がりを堰き止める堰き止め壁と、該堰き止め壁のうち少なくとも前記配線が交差する部分に沿って当該堰き止め壁の外周を延びるスペーサ壁とが設けられる。前記スペーサ壁の上部には、当該スペーサ壁の高さ方向へ突出した複数の凸状部が前記堰き止め壁に沿う方向に互いに間隔をあけて設けられる。前記配線は、前記凸状部から外れた部分で前記スペーサ壁に跨がるように延びる。
【発明の効果】
【0010】
本開示の技術によれば、表示装置において、壁体上での配線の断線と、表示領域への水分の浸入とを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0011】
【発明を実施するための形態】
【0012】
以下、例示的な実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、本開示の技術に係る表示装置として、有機ＥＬ素子を備える有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
【0013】
なお、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素の上に他の膜や層、素子などの構成要素が設けられる、または形成されるとする記載は、或る構成要素の直上に他の構成要素が存在する場合のみを意味するのではなく、それら両方の構成要素の間に、それら以外の膜や層、素子などの構成要素が介在される場合も含む。
【0014】
また、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素が他の膜や層、素子などの構成要素に接続されるとする記載は、特に断らない限り電気的に接続されることを意味する。当該記載は、本開示の技術の趣旨を逸脱しない範囲において、直接的な接続を意味する場合のみならず、それら以外の膜や層、素子などの構成要素を介した間接的な接続を意味する場合も含む。当該記載はさらに、或る構成要素に他の構成要素が一体化される、つまり或る構成要素の一部が他の構成要素を構成する場合も含む。
【0015】
また、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素が他の膜や層、素子などの構成要素と同一層であるとする記載は、或る構成要素が他の構成要素と同一プロセスによって形成されることを意味する。或る構成要素が他の構成要素の下層であるとする記載は、或る構成要素が他の構成要素よりも先のプロセスによって形成されることを意味する。或る構成要素が他の構成要素の上層であるとする記載は、或る構成要素が他の構成要素よりも後のプロセスによって形成されることを意味する。
【0016】
また、以下の実施形態において、或る膜や層、素子などの構成要素が他の膜や層、素子などの構成要素と同一である、または同等であるとする記載は、或る構成要素と他の構成要素とが完全に同一である状態、または完全に同等である状態のみを意味するのではなく、或る構成要素と他の構成要素とが製造ばらつきや公差の範囲内で変動するといった実質的に同一である状態、または実質的に同等である状態を含む。
【0017】
また、以下の実施形態において、第１、第２、第３…という記載は、これらの記載が付与された語句を区別するために用いられ、その語句の数や何らかの順序までも限定するものではない。
【0018】
《実施形態１》
この実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、スマートフォンやタブレット端末などのモバイル機器のディスプレイ、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）のモニタ、テレビジョン装置などの各種機器に使用される。図１および図２に示す有機ＥＬ表示装置１は、画面に触れることで入力操作が行えるオンセル型のタッチパネルＴＰ付き表示装置である。
この実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、スマートフォンやタブレット端末などのモバイル機器のディスプレイ、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）のモニタ、テレビジョン装置などの各種機器に使用される。図１および図２に示す有機ＥＬ表示装置１は、画面に触れることで入力操作が行えるオンセル型のタッチパネルＴＰ付き表示装置である。
【0019】
－有機ＥＬ表示装置の構成－
有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示しつつ、画像が表示される画面上のタッチ位置を検出する機能を有する。有機ＥＬ表示装置１は、画像の表示機能を担う表示パネルＤＰと、タッチ位置の検出機能を担うタッチパネルＴＰとを備える。
有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示しつつ、画像が表示される画面上のタッチ位置を検出する機能を有する。有機ＥＬ表示装置１は、画像の表示機能を担う表示パネルＤＰと、タッチ位置の検出機能を担うタッチパネルＴＰとを備える。
【0020】
有機ＥＬ表示装置１は、表示領域ＤＡと、タッチ領域ＴＡと、額縁領域ＦＡとを有する。表示領域ＤＡは、画像を表示する領域である。タッチ領域ＴＡは、ユーザの指やスタイラスなどの接触体により接触された位置を検出する領域である。額縁領域ＦＡは、画像の表示もタッチ位置の検出も行わない領域である。
【0021】
表示領域ＤＡは、画面を構成する矩形状に設けられる。本実施形態では、矩形状の表示領域ＤＡを例示するが、表示領域ＤＡは、少なくとも１つの辺が円弧状になった形状、少なくとも１つの角部が円弧状になった形状、少なくとも１つの辺の一部に切欠きがある形状などの略矩形状であってもよい。図５に示すように、表示領域ＤＡは、複数の画素Ｐｘによって構成される。
【0022】
複数の画素Ｐｘは、マトリクス状に配列される。各画素Ｐｘは、３つのサブ画素Ｓｐによって構成される。３つのサブ画素Ｓｐは、赤色に発光する発光領域Ｅを有するサブ画素Ｓｐｒと、緑色に発光する発光領域Ｅを有するサブ画素Ｓｐｇと、青色に発光する発光領域Ｅを有するサブ画素Ｓｐｂとである。これら３つのサブ画素Ｓｐｒ，Ｓｐｇ，Ｓｐｂは、例えばストライプ状に配列される。
【0023】
図１および図２に示すように、タッチ領域ＴＡは、画面上に設けられる。タッチ領域ＴＡは、表示領域ＤＡと同一位置に同一サイズで重ねて設定される。タッチ領域ＴＡの形状は、表示領域ＤＡの形状と対応する形状（本例では矩形状）である。すなわち、タッチ領域ＴＡは、上述するような略矩形状であってもよい。
【0024】
額縁領域ＦＡは、画面以外の非表示部分を構成する。額縁領域ＦＡは、矩形枠状に設けられる。図１～図４に示すように、額縁領域ＦＡの一辺を構成する部分には、外部回路（表示制御回路、タッチ検出回路）と接続するための端子部Ｔが設けられる。端子部Ｔとしては、第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２が設けられる。
【0025】
額縁領域ＦＡにおける表示領域ＤＡと第１端子部Ｔ１との間には、図１中で横方向である第１方向を折り曲げの軸として折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが設けられる。折り曲げ部Ｂにおいて、後述するＴＦＴ層２０（厳密には、ベースコート膜２２、ゲート絶縁膜２６、第１層間絶縁膜３０および第２層間絶縁膜３４からなる積層体）には、スリットＳｌが形成される。
【0026】
スリットＳｌは、ＴＦＴ層２０を貫通して、基板層１０を露出させるように折り曲げ部Ｂの延びる方向に沿って突き抜ける溝状に設けられる。スリットＳｌ内には、充填層Ｆｌが設けられる。スリットＳｌは、充填層Ｆｌによって埋められる。充填層Ｆｌは、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂などの樹脂材料によって形成される。
【0027】
第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２は、額縁領域ＦＡが折り曲げ部Ｂで例えば１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げられることにより、有機ＥＬ表示装置１の背面側に配置される（図２に二点鎖線で示す）。第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２にはそれぞれ、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの配線基板Ｃｂが接続される。
【0028】
額縁領域ＦＡには、表示パネルＰＤにおいて、表示領域ＤＡから第１端子部Ｔ１に引き出された複数の第１引き出し配線Ｌ１が設けられる。複数の第１引き出し配線Ｌ１はそれぞれ、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓを表示領域ＤＡ側から額縁領域ＦＡの外側へくぐるように延びる。これら各第１引き出し配線Ｌ１は、下層引き出し配線２８ｈｌおよび上層引き出し配線３６ｈｌによって構成される。
【0029】
各第１引き出し配線Ｌ１は、第１端子部Ｔ１にまで延びる。各第１引き出し配線Ｌ１は、第１端子部Ｔ１で配線基板Ｃｂを介して表示制御回路（不図示）に接続される。表示制御回路は、表示パネルＤＰに含まれる表示用配線（ソース配線３６ｓｌ）と駆動回路Ｄｃとに信号を供給することで、画像表示を制御する回路である。
【0030】
額縁領域ＦＡにおいて、表示パネルＤＰ（ＴＦＴ層２０）に含まれる第１平坦化膜３８ｐｆには、トレンチＧが表示領域ＤＡを囲むように枠状に形成される。トレンチＧは、平面視で第１端子部Ｔ１側を開口する略Ｃ状に形成されてもよい。トレンチＧは、第１平坦化膜３８ｐｆを貫通し、第１平坦化膜３８ｐｆを額縁領域ＦＡの内側と外側とに区切るように分断する。トレンチＧは、額縁領域ＦＡの外側からの表示領域ＤＡへの水分などの浸入を防止する。
【0031】
図３に示すように、額縁領域ＦＡにおいて、第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２が設けられた辺と隣り合う辺（図３で左右の各辺）を構成する部分には、駆動回路Ｄｃがモノリシックに設けられる。駆動回路Ｄｃは、ゲートドライバおよびエミッションドライバを含む。駆動回路Ｄｃは、トレンチＧよりも表示領域ＤＡ側に配置される。駆動回路Ｄｃまたはその一部（ゲートドライバまたはエミッションドライバ）は、トレンチＧよりも額縁領域ＦＡの外周側に配置されてもよい。
【0032】
額縁領域ＦＡには、第１額縁配線３６ｆａ（便宜上、図３で左上りの斜線ハッチングを付す）と、第２額縁配線３６ｆｂ（便宜上、図３で右上りの斜線ハッチングを付す）とが設けられる。額縁領域ＦＡにはさらに、第１堰き止め壁Ｗａと、第２堰き止め壁Ｗｂと、スペーサ壁Ｗｓとが、第２額縁配線３６ｆｂと重なるように設けられる。第１堰き止め壁Ｗ１、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓはそれぞれ、壁体ＷＬの一例である。
【0033】
第１額縁配線３６ｆａは、トレンチＧおよび駆動回路Ｄｃよりも表示領域ＤＡ側に枠状に設けられる。第１額縁配線３６ｆａは、トレンチＧをくぐるように第１平坦化膜３８ｐｆよりも下層を第１端子部Ｔ１へと延びる。第１額縁配線３６ｆａには、第１端子部Ｔ１で配線基板Ｃｂを介してハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）が供給される。
【0034】
第２額縁配線３６ｆｂは、トレンチＧおよび駆動回路Ｄｃよりも額縁領域ＦＡの外周側に略Ｃ状に設けられる。第２額縁配線３６ｆｂの両端部は、第１額縁配線３６ｆａに沿って第１端子部Ｔ１へと延びる。第２額縁配線３６ｆｂには、第１端子部Ｔ１で配線基板Ｃｂを介してローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）が供給される。
【0035】
第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓは、例えば互いに相似形とされ、額縁領域ＦＡの幅方向において互いに間隔をあけて配置される。第１堰き止め壁Ｗａは、トレンチＧの外周全体に亘って枠状に延びる。第２堰き止め壁Ｗｂは、第１堰き止め壁Ｗａの外周全体に亘って枠状に形成される。スペーサ壁Ｗｓは、第２堰き止め壁Ｗｂの外周全体に亘って枠状に延びる。スペーサ壁Ｗｓは、それら３つの壁Ｗａ，Ｗｂ，Ｗｓのうち最外周に配置される。
【0036】
第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂはいずれも、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、封止膜８０に含まれる有機封止層８４をなす有機樹脂材料の塗布時に、当該有機樹脂材料が額縁領域ＦＡの外側へ広がるのを堰き止める土手として機能する。スペーサ壁Ｗｓは、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、有機ＥＬ層６６や共通電極６８ｃｅの形成時に用いられる成膜用マスクＭＫと成膜対象である基板との間隔を確保するスペーサとして機能する。
【0037】
また、額縁領域ＦＡには、タッチパネルＴＰにおいて、タッチ領域ＴＡから第２端子部Ｔ２に引き出された複数の第２引き出し配線Ｌ２が設けられる。複数の第２引き出し配線Ｌ２はそれぞれ、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓをタッチ領域ＴＡ側から額縁領域ＦＡの外側へ跨がるように延びる。
【0038】
各第２引き出し配線Ｌ２は、第２端子部Ｔ２で配線基板Ｃｂを介してタッチ検出回路（不図示）に接続される。タッチ検出回路は、タッチ領域ＴＡが接触体にタッチされたときに、タッチパネルＴＰに含まれる電極（タッチ位置にある第１検出電極９０ｄｅおよび第２検出電極１１０ｄｅ）と接触体との間に生じる静電容量の変化を検出する回路である。
【0039】
〈表示パネル〉
表示パネルＤＰは、個々のサブ画素Ｓｐでの発光をＴＦＴ５０により制御し、ＴＦＴ５０の動作により画像表示を行うアクティブマトリクス駆動方式を採用する。図２に示すように、表示パネルＤＰは、基板層１０と、基板層１０の上層として設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０の上層として設けられた発光素子層６０と、発光素子層６０の上層として設けられた封止膜８０とを備える。
表示パネルＤＰは、個々のサブ画素Ｓｐでの発光をＴＦＴ５０により制御し、ＴＦＴ５０の動作により画像表示を行うアクティブマトリクス駆動方式を採用する。図２に示すように、表示パネルＤＰは、基板層１０と、基板層１０の上層として設けられたＴＦＴ層２０と、ＴＦＴ層２０の上層として設けられた発光素子層６０と、発光素子層６０の上層として設けられた封止膜８０とを備える。
【0040】
〈基板層〉
基板層１０は、表示パネルＰＤのベースをなす層である。基板層１０は、可撓性を有する。基板層１０は、ポリイミド樹脂やポリアミド樹脂、エポキシ樹脂などの有機樹脂材料によって形成される。基板層１０は、酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料からなる無機絶縁層と、上述したような有機樹脂材料からなる樹脂層とが積層された積層膜によって構成されてもよい。基板層１０の裏面には、裏面保護フィルム（不図示）が貼り付けられる。
基板層１０は、表示パネルＰＤのベースをなす層である。基板層１０は、可撓性を有する。基板層１０は、ポリイミド樹脂やポリアミド樹脂、エポキシ樹脂などの有機樹脂材料によって形成される。基板層１０は、酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料からなる無機絶縁層と、上述したような有機樹脂材料からなる樹脂層とが積層された積層膜によって構成されてもよい。基板層１０の裏面には、裏面保護フィルム（不図示）が貼り付けられる。
【0041】
〈ＴＦＴ層〉
図６に示すように、ＴＦＴ層２０は、複数のＴＦＴ５０を含む。ＴＦＴ層２０は、基板層１０上に順に設けられた、ベースコート膜２２と、半導体層２４と、ゲート絶縁膜２６と、第１導電層２８と、第１層間絶縁膜３０と、第２導電層３２と、第２層間絶縁膜３４と、第３導電層３６と、第１樹脂層３８とを備える。
図６に示すように、ＴＦＴ層２０は、複数のＴＦＴ５０を含む。ＴＦＴ層２０は、基板層１０上に順に設けられた、ベースコート膜２２と、半導体層２４と、ゲート絶縁膜２６と、第１導電層２８と、第１層間絶縁膜３０と、第２導電層３２と、第２層間絶縁膜３４と、第３導電層３６と、第１樹脂層３８とを備える。
【0042】
ベースコート膜２２は、基板層１０の表面の略全体に亘って設けられる。半導体層２４は、ベースコート膜２２上に島状に複数設けられる。半導体層２４は、一続きに設けられてもよい。ゲート絶縁膜２６は、複数の半導体層２４を覆うようにベースコート膜２２上に一続きに設けられる。ゲート絶縁膜２６は、各半導体層２４上に島状に設けられてもよい。
【0043】
第１導電層２８は、ゲート絶縁膜２６上に設けられる。第１導電層２８は、複数のゲート配線２８ｇｌと、複数のエミッション制御配線２８ｅｌと、複数の下層引き出し配線２８ｈｌと、複数のゲート電極２８ｇｅと、複数の第１容量電極２８ｃｅとを含む。これら各種の配線および電極は、同一層に同一材料によって形成される。
【0044】
第１層間絶縁膜３０は、第１導電層２８と第２導電層３２との間に介在する絶縁物である。第１層間絶縁膜３０は、複数のゲート配線２８ｇｌ、複数のエミッション制御配線２８ｅｌ、複数の下層引出配線２８ｈｌ、複数のゲート電極２８ｇｅおよび複数の第１容量電極２８ｃｅを覆うようにゲート絶縁膜２６上に設けられる。
【0045】
第２導電層３２は、第１層間絶縁膜３０上に設けられる。第２導電層３２は、複数の第１電源配線３２ｐｌと、複数の第２容量電極３２ｃｅとを含む。これら第１電源配線３２ｐｌおよび第２容量電極３２ｃｅは、同一層に同一材料によって形成される。
【0046】
第２層間絶縁膜３４は、第２導電層３２と第３導電層３６との間に介在する絶縁物である。第２層間絶縁膜３４は、複数の第１電源配線３２ｐｌおよび複数の第２容量電極３２ｃｅを覆うように第１層間絶縁膜３０上に設けられる。第１層間絶縁膜３０および第２層間絶縁膜３４は、層間絶縁膜３５を構成する。層間絶縁膜３５は、第１導電層２８と第３導電層３６との間に介在する絶縁物である。
【0047】
第３導電層３６は、第２層間絶縁膜３４上に設けられる。第３導電層３６は、複数のソース配線３６ｓｌと、複数のソース電極３６ｓｅと、複数のドレイン電極３６ｄｅと、複数の第２電源配線３６ｐｌと、複数の上層引き出し配線３６ｈｌと、第１額縁配線３６ｆａと、第２額縁配線３６ｆｂとを含む。これら各種の配線および電極は、同一層に同一材料によって形成される。
【0048】
第１樹脂層３８は、第２層間絶縁膜３４上に設けられる。第１樹脂層３８は、第１平坦化膜３８ｐｆと、第１壁層３８ｗｌとを含む。これら第１平坦化膜３８ｐｆおよび第１壁層３８ｗｌは、同一層に同一材料によって形成される。第１平坦化膜３８ｐｆは、表示領域ＤＡにおいて、第３導電層３６に含まれる各種の配線および電極を覆い、ＴＦＴ層２０の表面を平坦化する。第１壁層３８ｗｌは、下側壁層の一例である。
【0049】
第１壁層３８ｗｌは、額縁領域ＦＡにおいて、第１平坦化膜３８ｐｆの外周側に３つ設けられる。３つの第１壁層３８ｗｌは、それぞれ表示領域ＤＡを取り囲む枠状に形成され、額縁領域ＦＡの幅方向において互いに間隔をあけて三重壁をなすように配置される。３つの第１壁層３８ｗｌは、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓの下層部分を構成する。本例において、第１堰き止め壁Ｗａを構成する第１壁層３８ｗｌの厚さと、第２堰き止め壁Ｗｂを構成する第１壁層３８ｗｌの厚さと、スペーサ壁Ｗｓを構成する第１壁層３８ｗｌの厚さとは、互いに同等である。
【0050】
ベースコート膜２２、ゲート絶縁膜２６、第１層間絶縁膜３０および第２層間絶縁膜３４は、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料からなる。これらベースコート膜２２、ゲート絶縁膜２６、第１層間絶縁膜３０および第２層間絶縁膜３４は、そうした無機絶縁材料からなる単層膜または積層膜によって構成される。
【0051】
半導体層２４は、例えば、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Low Temperature Polycrystalline Silicon）によって形成される。半導体層２４は、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）などの酸化物半導体や、その他の半導体材料からなってもよい。第１平坦化膜３８ｐｆおよび第１壁層３８ｗｌは、例えば、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂などの有機樹脂材料、またはポリシロキサン系のＳＯＧ（Spin On Glass）材料などからなる。
【0052】
第１導電層２８、第２導電層３２および第３導電層３６に含まれる各種の配線および電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などの金属材料からなる。これら各種の配線および電極は、そうした金属材料からなる単層膜または積層膜によって構成される。
【0053】
〈表示用の配線〉
図５に示すように、複数のゲート配線２８ｇｌは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘと直交する方向である第２方向Ｙに互いに間隔をあけて設けられ、第１方向Ｘに互いに平行に延びる。これら各ゲート配線２８ｇｌは、ゲート信号を伝達する配線であって、サブ画素Ｓｐの行ごとに設けられる。各ゲート配線２８ｇｌは、駆動回路Ｄｃのゲートドライバに接続される。
図５に示すように、複数のゲート配線２８ｇｌは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘと直交する方向である第２方向Ｙに互いに間隔をあけて設けられ、第１方向Ｘに互いに平行に延びる。これら各ゲート配線２８ｇｌは、ゲート信号を伝達する配線であって、サブ画素Ｓｐの行ごとに設けられる。各ゲート配線２８ｇｌは、駆動回路Ｄｃのゲートドライバに接続される。
【0054】
複数のエミッション制御配線２８ｅｌは、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに互いに間隔をあけて設けられ、第１方向Ｘに互いに平行に延びる。これら各エミッション制御配線２８ｅｌは、エミッション制御信号を伝達する配線であって、サブ画素Ｓｐの行ごとに設けられる。各エミッション制御配線２８ｅｌは、駆動回路Ｄｃのエミッションドライバに接続される。
【0055】
複数のソース配線３６ｓｌは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに互いに間隔をあけて設けられ、第２方向Ｙに互いに平行に延びる。これら各ソース配線３６ｓｌは、ソース信号を伝達する配線であって、サブ画素Ｓｐの列ごとに設けられる。各ソース配線３６ｓｌは、第１引き出し配線Ｌ１に接続され、第１端子部Ｔ１を介して表示制御回路に接続される。
【0056】
複数の第１電源配線３２ｐｌは、表示領域ＤＡにおいて、第２方向Ｙに互いに間隔をあけて第１方向Ｘに互いに平行に延びる。複数の第２電源配線３６ｐｌは、表示領域ＤＡにおいて、第１方向Ｘに互いに間隔をあけて第２方向Ｙに互いに平行に延びる。各第１電源配線３２ｐｌは、第２層間絶縁膜３４に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して各第１電源配線３２ｐｌに接続される。これら第１電源配線３２ｐｌおよび第２電源配線３６ｐｌは、電源配線Ｐｌを構成する。電源配線Ｐｌは、所定のハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）を印加する配線である。
【0057】
図３に示すように、複数の下層引き出し配線２８ｈｌはそれぞれ、額縁領域ＦＡにおいて、表示領域ＤＡと折り曲げ部Ｂとの間の部分と、折り曲げ部Ｂと第１端子部Ｔ１との間の部分とに、第１方向Ｘに互いに間隔をあけて設けられ、それら両部分を第２方向Ｙに互いに平行に延びる。折り曲げ部Ｂよりも表示領域ＤＡ側に位置する各下層引き出し配線２８ｈｌは、層間絶縁膜３５に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して対応するソース配線３６ｓｌと接続される。
【0058】
複数の上層引き出し配線３６ｈｌはそれぞれ、額縁領域ＦＡにおいて、第１方向Ｘに互いに間隔をあけて設けられ、折り曲げ部Ｂを跨ぐように充填層Ｆｌ上を第２方向Ｙに互いに平行に延びる。これら各上層引き出し配線３６ｈｌは、層間絶縁膜３５に形成されたコンタクトホール（不図示）を介して、折り曲げ部Ｂよりも表示領域ＤＡ側に位置する下層引き出し配線２８ｈｌと、折り曲げ部Ｂよりも第１端子部Ｔ１側に位置する下層引き出し配線２８ｈｌとにそれぞれ接続される。
【0059】
〈表示用の電極、ＴＦＴ、キャパシタ〉
ゲート電極２８ｇｅ、ソース電極３６ｓｅおよびドレイン電極３６ｄｅはそれぞれ、サブ画素Ｓｐごとに複数設けられる。これらゲート電極２８ｇｅ、ソース電極３６ｓｅおよびドレイン電極３６ｄｅは、図６に示すようにＴＦＴ５０を構成する。ＴＦＴ５０は、個々のサブ画素Ｓｐに複数設けられる。複数のＴＦＴ５０はいずれも、トップゲート型に構成される。
ゲート電極２８ｇｅ、ソース電極３６ｓｅおよびドレイン電極３６ｄｅはそれぞれ、サブ画素Ｓｐごとに複数設けられる。これらゲート電極２８ｇｅ、ソース電極３６ｓｅおよびドレイン電極３６ｄｅは、図６に示すようにＴＦＴ５０を構成する。ＴＦＴ５０は、個々のサブ画素Ｓｐに複数設けられる。複数のＴＦＴ５０はいずれも、トップゲート型に構成される。
【0060】
各ＴＦＴ５０は、半導体層２４と、ゲート絶縁膜２６と、ゲート電極２８ｇｅと、層間絶縁膜３５と、ソース電極３６ｓｅと、ドレイン電極３６ｄｅとによって構成される。ソース電極３６ｓｅおよびドレイン電極３６ｄｅは、互いに離間し、層間絶縁膜３５に形成されたコンタクトホール３５ｈを介して、半導体層２４におけるゲート電極２８ｇｅと重なる領域（真性領域）を挟んだ位置で互いに異なる部分（導通領域）にそれぞれ接続される。
【0061】
第１容量電極２８ｃｅおよび第２容量電極３２ｃｅはそれぞれ、サブ画素Ｓｐごとに少なくとも１つ設けられる。第１容量電極２８ｃｅおよび第２容量電極３２ｃｅは、キャパシタ５５を構成する。キャパシタ５５は、個々のサブ画素Ｓｐに少なくとも１つ設けられる。キャパシタ５５は、データ保持用の素子である。キャパシタ５５は、第１容量電極２８ｃｅと、第１層間絶縁膜３０と、第２容量電極３２ｃｅとによって構成される。第１容量電極２８ｃｅと第２容量電極３２ｃｅとは、第１層間絶縁膜３０を介して互いに重なり合う。
【0062】
〈発光素子層〉
発光素子層６０は、ＴＦＴ層２０上に設けられる。すなわち、発光素子層６０は、ＴＦＴ層２０を介して基板層１０に支持される。発光素子層６０は、複数の有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）７０を含む。有機ＥＬ素子７０は、発光素子の一例である。発光素子層６０は、第１樹脂層３８上に順に設けられた、第４導電層６２と、第２樹脂層６４と、有機ＥＬ層６６と、第５導電層６８とを備える。
発光素子層６０は、ＴＦＴ層２０上に設けられる。すなわち、発光素子層６０は、ＴＦＴ層２０を介して基板層１０に支持される。発光素子層６０は、複数の有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）７０を含む。有機ＥＬ素子７０は、発光素子の一例である。発光素子層６０は、第１樹脂層３８上に順に設けられた、第４導電層６２と、第２樹脂層６４と、有機ＥＬ層６６と、第５導電層６８とを備える。
【0063】
第４導電層６２は、複数の画素電極６２ｐｅと、接続導電膜６２ｃｆとを含む。これら画素電極６２ｐｅおよび接続導電膜６２ｃｆは、同一層に同一材料によって形成される。画素電極６２ｐｅは、表示領域ＤＡにおいてサブ画素Ｓｐごとに設けられる。画素電極６２ｐｅは、有機ＥＬ層６６に正孔（ホール）を注入する陽極として機能する。画素電極６２ｐｅは、光を反射する性質（光反射性）を有する。
【0064】
画素電極６２ｐｅの材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）などの金属材料が挙げられる。
【0065】
また、画素電極６２ｐｅの材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）と酸化アスタチン（ＡｔＯ２）などの合金であっても構わない。さらに、画素電極６２ｐｅの材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物であってもよい。画素電極６２ｐｅの材料は、有機ＥＬ層６６への正孔の注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料であることが好ましい。また、画素電極６２ｐｅは、上述したような導電材料からなる層を複数積層して形成されてもよい。
【0066】
接続導電膜６２ｃｆは、共通電極６８ｃｅと第２額縁配線３６ｆｂとを接続する導電膜である。接続導電膜６２ｃｆは、額縁領域ＦＡにおいて端子部Ｔ側を開放したＣ字状に設けられる。接続導電膜６２ｃｆは、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓにおいて、第１壁層３８ｗｌと第２壁層６４ｗｌとの間に介在する。接続導電膜６２ｃｆの内周側の部分は共通電極６８ｃｅと重なって接続され、接続導電膜６２ｃｆの外周側の部分は隣り合う第１壁層３８ｗｌの間で第２額縁配線３６ｆｂに重なって接続される。
【0067】
第２樹脂層６４は、エッジカバー６４ｅｃと、フォトスペーサ６４ｐｓと、第２壁層６４ｗｌとを含む。これらエッジカバー６４ｅｃ、フォトスペーサ６４ｐｓおよび第２壁層６４ｗｌは、同一層に同一材料によって形成される。エッジカバー６４ｅｃ、フォトスペーサ６４ｐｓおよび第２壁層６４ｗｌの材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂などの有機樹脂材料、またはポリシロキサン系のＳＯＧ材料などが用いられる。第２壁層６４ｗｌは、上側壁層の一例である。
【0068】
エッジカバー６４ｅｃは、隣り合う画素電極６２ｐｅを区画する。エッジカバー６４ｅｃは、全体として格子状に形成され、各画素電極６２ｐｅの周縁部分を覆う。エッジカバー６４ｅｃには、各画素電極６２ｐｅを露出させる開口６４ｅｏが形成される。エッジカバー６４ｅｃの表面の一部は、複数のフォトスペーサ６４ｐｓを構成する。フォトスペーサ６４ｐｓは、有機ＥＬ層６６や共通電極６８ｃｅの形成時に用いられる成膜用マスクＭＫと成膜対象である基板との間隔を確保するスペーサである。
【0069】
第２壁層６４ｗｌは、額縁領域ＦＡにおいて、各第１壁層３８ｗｌ上および接続導電膜６２ｃｆのうち各第１壁層３８ｗｌに対応する部分上に設けられる。すなわち、第２壁層６４ｗｌは、第１平坦化膜３８ｐｆの外周側に３つ設けられる。３つの第２壁層６４ｗｌは、それぞれ表示領域ＤＡを取り囲む枠状に形成され、額縁領域ＦＡの幅方向において互いに間隔をあけて三重壁をなすように配置される。
【0070】
３つの第２壁層６４ｗｌは、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓの上層部分を構成する。第１堰き止め壁Ｗａを構成する第２壁層６４ｗｌの厚さと、第２堰き止め壁Ｗｂを構成する第２壁層６４ｗｌの厚さとは、互いに同等である。スペーサ壁Ｗｓを構成する第２壁層６４ｗｌの厚さは、凸状部６４ｃｐが設けられる部分で第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂを構成する各第２壁層６４ｗｌの厚さよりも厚い。
【0071】
有機ＥＬ層６６は、発光機能層の一例である。有機ＥＬ層６６は、エッジカバー６４ｅｃの各開口６４ｅｏ内で個々の画素電極６２ｐｅ上に設けられる。図７に示すように、有機ＥＬ層６６は、複数の機能層を有する。複数の機能層は、画素電極６２ｐｅ上に順に設けられた、正孔注入層６６ｈｉと、正孔輸送層６６ｈｔと、発光層６６ｌｅと、電子輸送層６６ｅｔと、電子注入層６６ｅｉとである。これら複数の機能層のうちいくつかの層は、複数のサブ画素Ｓｐにおいて一続きとして共通に設けられてもよい。
【0072】
正孔注入層６６ｈｉは、陽極バッファ層とも呼ばれる。正孔注入層６６ｈｉは、画素電極６２ｐｅと有機ＥＬ層６６とのエネルギーレベルを近づけて、画素電極６２ｐｅから有機ＥＬ層６６への正孔の注入効率を改善する。正孔注入層６６ｈｉの材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体などが挙げられる。
【0073】
正孔輸送層６６ｈｔは、発光層６６ｌｅへの正孔の輸送効率を向上させる。正孔輸送層６６ｈｔの材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛などが挙げられる。
【0074】
発光層６６ｌｅは、画素電極６２ｐｅおよび共通電極６８ｃｅによって電流が印加されたときに、画素電極６２ｐｅから注入された正孔と共通電極６８ｃｅから注入された電子とを再結合させて発光する。発光層６６ｌｅは、例えば、個々のサブ画素Ｓｐにおける有機ＥＬ素子７０の発光色（赤色、緑色または青色）に合わせて異なる材料により形成される。
【0075】
発光層６６ｌｅの材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシランなどが挙げられる。
【0076】
電子輸送層６６ｅｔは、発光層６６ｌｅへの電子の輸送効率を向上させる。電子輸送層６６ｅｔの材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物などが挙げられる。
【0077】
電子注入層６６ｅｉは、陽極バッファとも呼ばれる。電子注入層６６ｅｉは、共通電極６８ｃｅと有機ＥＬ層６６とのエネルギーレベルを近づけて、共通電極６８ｃｅから有機ＥＬ層６６への電子の注入効率を改善する。電子注入層６６ｅｉの材料としては、例えば、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）などが挙げられる。
【0078】
第５導電層６８は、共通電極６８ｃｅを含む。共通電極６８ｃｅは、複数のサブ画素Ｓｐに共通して一続きに設けられる。共通電極６８ｃｅは、エッジカバー６４ｅｃを覆って有機ＥＬ層６６上に設けられ、有機ＥＬ層６６を介して各画素電極６２ｐｅと重なる。共通電極６８ｃｅは、有機ＥＬ層６６に電子を注入する陰極として機能する。共通電極６８ｃｅは、光を透過する性質（光透過性）を有する。
【0079】
共通電極６８ｃｅの材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）などが挙げられる。
【0080】
また、共通電極６８ｃｅは、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）とカリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）と酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）とアルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）とカルシウム（Ｃａ）とアルミニウム（Ａｌ）などの合金により形成されてもよい。
【0081】
また、共通電極６８ｃｅは、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの導電性酸化物により形成されてもよい。共通電極６８ｃｅの材料は、有機ＥＬ層６６への電子の注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料であることが好ましい。また、共通電極６８ｃｅは、上述したような導電材料からなる層を複数積層して形成されてもよい。
【0082】
〈有機ＥＬ素子〉
有機ＥＬ素子７０は、サブ画素Ｓｐごとに設けられる。複数の有機ＥＬ素子７０はいずれも、トップエミッション型に構成される。各有機ＥＬ素子７０は、画素電極６２ｐｅと、有機ＥＬ層６６と、共通電極６８ｃｅとを有する。有機ＥＬ素子７０では、画素電極６２ｐｅと共通電極６８ｃｅとの間に電流が印加されると、有機ＥＬ層６６が発光する。有機ＥＬ素子７０は、エッジカバー６４ｅｃの各開口６４ｅｏに対応する領域で発光する。
有機ＥＬ素子７０は、サブ画素Ｓｐごとに設けられる。複数の有機ＥＬ素子７０はいずれも、トップエミッション型に構成される。各有機ＥＬ素子７０は、画素電極６２ｐｅと、有機ＥＬ層６６と、共通電極６８ｃｅとを有する。有機ＥＬ素子７０では、画素電極６２ｐｅと共通電極６８ｃｅとの間に電流が印加されると、有機ＥＬ層６６が発光する。有機ＥＬ素子７０は、エッジカバー６４ｅｃの各開口６４ｅｏに対応する領域で発光する。
【0083】
画素電極６２ｐｅは、第１平坦化膜３８ｐｆに形成されたコンタクトホール３８ｈを介して、対応するサブ画素Ｓｐにおける所定のＴＦＴ５０（第３ＴＦＴ５０Ｃ）のドレイン電極３６ｄｅに接続される。有機ＥＬ層６６は、画素電極６２ｐｅと共通電極６８ｃｅとの間に介在する。共通電極６８ｃｅは、額縁領域ＦＡにまで延び、額縁領域ＦＡで接続導電膜６２ｃｆに接続される。そのことで、共通電極６８ｃｅは、接続導電膜６２ｃｆを介して、第１平坦化膜３８ｐｆと第１堰き止め壁Ｗａとの間、第１堰き止め壁Ｗａと第２堰き止め壁Ｗｂとの間、および第２堰き止め壁Ｗｂとスペーサ壁Ｗｓとの間で第２額縁配線３６ｆｂに接続される。
【0084】
〈画素回路〉
サブ画素Ｓｐごとに設けられた複数のＴＦＴ５０、キャパシタ５５および有機ＥＬ素子７０は、図８に示すような画素回路Ｐｃを構成する。画素回路Ｐｃは、ゲート配線２８ｇｌに供給されるゲート信号と、エミッション制御配線２８ｅｌに供給されるエミッション信号と、ソース配線３６ｓｌに供給されるソース信号と、電源配線Ｐｌに供給されるハイレベル電源電圧と、共通電極６８ｃｅに供給されるローレベル電源電圧とに基づいて、対応するサブ画素Ｓｐに設けられた有機ＥＬ素子７０の発光を制御する。
サブ画素Ｓｐごとに設けられた複数のＴＦＴ５０、キャパシタ５５および有機ＥＬ素子７０は、図８に示すような画素回路Ｐｃを構成する。画素回路Ｐｃは、ゲート配線２８ｇｌに供給されるゲート信号と、エミッション制御配線２８ｅｌに供給されるエミッション信号と、ソース配線３６ｓｌに供給されるソース信号と、電源配線Ｐｌに供給されるハイレベル電源電圧と、共通電極６８ｃｅに供給されるローレベル電源電圧とに基づいて、対応するサブ画素Ｓｐに設けられた有機ＥＬ素子７０の発光を制御する。
【0085】
画素回路Ｐｃを構成する複数のＴＦＴ５０は、第１ＴＦＴ５０Ａと、第２ＴＦＴ５０Ｂと、第３ＴＦＴ５０Ｃとである。第１ＴＦＴ５０Ａは、各サブ画素Ｓｐにおいて、対応するゲート配線２８ｇｌ、ソース配線３６ｓｌおよび第２ＴＦＴ５０Ｂに接続される。第２ＴＦＴ５０Ｂは、各サブ画素Ｓｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ５０Ａ、電源配線Ｐｌおよび第３ＴＦＴ５０Ｃに接続される。第３ＴＦＴ５０Ｃは、サブ画素Ｓｐにおいて、対応する第２ＴＦＴ５０Ｂ、エミッション制御配線２８ｅｌおよび有機ＥＬ素子７０に接続される。キャパシタ５５は、各サブ画素Ｓｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ５０Ａ、第２ＴＦＴ５０Ｂおよび電源配線Ｐｌに接続される。
【0086】
〈封止膜〉
図２および図６に示すように、封止膜８０は、複数の有機ＥＬ素子７０を覆うように発光素子層６０上に設けられる。封止膜８０は、各有機ＥＬ素子７０（特に有機ＥＬ層６６）を水分などから保護する。封止膜８０は、発光素子層６０上に順に設けられた、第１無機封止層８２と、有機封止層８４と、第２無機封止層８６とを有する。
図２および図６に示すように、封止膜８０は、複数の有機ＥＬ素子７０を覆うように発光素子層６０上に設けられる。封止膜８０は、各有機ＥＬ素子７０（特に有機ＥＬ層６６）を水分などから保護する。封止膜８０は、発光素子層６０上に順に設けられた、第１無機封止層８２と、有機封止層８４と、第２無機封止層８６とを有する。
【0087】
第１無機封止層８２は、表示領域ＤＡで共通電極６８ｃｅを、額縁領域ＦＡで第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓをそれぞれ覆い、スペーサ壁Ｗｓの外周側に延びる。有機封止層８４は、第１無機封止層８２上において、第２堰き止め壁Ｗｂの内側に設けられる。有機封止層８４は、第２堰き止め壁Ｗｂとスペーサ壁Ｗｓとの間に存在してもよい。
【0088】
第２無機封止層８６は、有機封止層８４を覆い、スペーサ壁Ｗｓの外周側に延びる。第２無機封止層８６の周縁部分は、第２堰き止め壁Ｗｂの外周側において、第１無機封止層８２の周縁部分に重なる。そうして、有機封止層８４は、第１無機封止層８２および第２無機封止層８６によって包み込まれ、それら両層８２，８６の間に封入される。
【0089】
第１無機封止層８２および第２無機封止層８６はそれぞれ、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料からなる。有機封止層８４は、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂などの有機樹脂材料からなる。
【0090】
〈タッチパネル〉
図６に示すように、タッチパネルＴＰは、投影型静電容量方式（プロジェクテッドキャパシティブ方式）を採用する。タッチパネルＴＰは、表示パネルＤＰの上層として設けられた第６導電層９０と、第６導電層９０の上層として設けられた層間絶縁膜１００と、層間絶縁膜１００の上層として設けられた第７導電層１１０と、第７導電層１１０の上層として設けられたオーバーコート膜１２０とを備える。
図６に示すように、タッチパネルＴＰは、投影型静電容量方式（プロジェクテッドキャパシティブ方式）を採用する。タッチパネルＴＰは、表示パネルＤＰの上層として設けられた第６導電層９０と、第６導電層９０の上層として設けられた層間絶縁膜１００と、層間絶縁膜１００の上層として設けられた第７導電層１１０と、第７導電層１１０の上層として設けられたオーバーコート膜１２０とを備える。
【0091】
第６導電層９０は、封止膜８０上に設けられる。第６導電層９０は、複数の第１検出電極９０ｄｅと、複数の第１連結配線９０ｃｌと、複数の下層引き出し配線９０ｈｌとを含む。これら第１検出電極９０ｄｅ、第１連結配線９０ｃｌおよび下層引き出し配線９０ｈｌは、同一層に同一材料によって形成される。
【0092】
層間絶縁膜１００は、第６導電層９０上に設けられる。層間絶縁膜１００は、第６導電層９０と第７導電層１１０との間に介在する絶縁物である。層間絶縁膜１００は、タッチ領域ＴＡにおいて複数の第１検出電極９０ｄｅおよび複数の第１連結配線９０ｃｌを覆い、額縁領域ＦＡにおいて第２端子部Ｔ２を除く箇所で複数の下層引き出し配線９０ｈｌを覆うように設けられる。層間絶縁膜１００は、各第１連結配線９０ｃｌおよびその周辺のみを覆うように設けられてもよい。
【0093】
第７導電層１１０は、層間絶縁膜１００上に設けられる。第７導電層１１０は、複数の第２検出電極１１０ｄｅと、複数の第２連結配線１１０ｃｌと、複数の上層引き出し配線１１０ｈｌとを含む。これら第２検出電極１１０ｄｅ、第２連結配線１１０ｃｌおよび上層引き出し配線１１０ｈｌは、同一層に同一材料によって形成される。
【0094】
オーバーコート膜１２０は、第７導電層１１０上に設けられる。オーバーコート膜１２０は、タッチ領域ＴＡにおいて複数の第２検出電極１１０ｄｅおよび複数の第２連結配線１１０ｃｌを覆い、額縁領域ＦＡにおいて第２端子部Ｔ２を除く箇所で複数の上層引き出し配線１１０ｈｌを覆うように設けられる。
【0095】
第６導電層９０および第７導電層１１０に含まれる各種の配線および電極は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような光透過性を有する導電性酸化物からなる。これら各種の配線および電極は、そうした導電性酸化物からなる単層膜または積層膜によって構成される。
【0096】
層間絶縁膜１００は、例えば、酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの無機絶縁材料からなる。層間絶縁膜１００は、そうした無機絶縁材料からなる単層膜または積層膜によって構成される。オーバーコート膜１２０は、例えば、アクリル樹脂などの光透過性を有する有機樹脂材料からなる。
【0097】
〈タッチ位置検出用の電極〉
第１検出電極９０ｄｅおよび第２検出電極１１０ｄｅはいずれも、タッチ位置検出用の電極である。図４に示すように、複数の第１検出電極９０ｄｅは、タッチ領域ＴＡにおいてマトリクス状に配置される。複数の第２検出電極１１０ｄｅもまた、タッチ領域ＴＡにおいてマトリクス状に配置される。第１検出電極９０ｄｅと第２検出電極１１０ｄｅとは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに対して斜め方向に交互に並ぶように配列される。
第１検出電極９０ｄｅおよび第２検出電極１１０ｄｅはいずれも、タッチ位置検出用の電極である。図４に示すように、複数の第１検出電極９０ｄｅは、タッチ領域ＴＡにおいてマトリクス状に配置される。複数の第２検出電極１１０ｄｅもまた、タッチ領域ＴＡにおいてマトリクス状に配置される。第１検出電極９０ｄｅと第２検出電極１１０ｄｅとは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに対して斜め方向に交互に並ぶように配列される。
【0098】
第１検出電極９０ｄｅは、例えば菱形状に形成される。第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに隣り合う第１検出電極９０ｄｅの角部は、互いに対峙する。そして、第２方向Ｙに隣り合う第１検出電極９０ｄｅの角部は、第１連結配線９０ｃｌを介して互いに連結される。第２方向Ｙに整列する複数の第１検出電極９０ｄｅは、互いに接続されて第１電極列９２を構成する。第１電極列９２は、第１方向Ｘにおいて複数並べられる。
【0099】
第２検出電極１１０ｄｅも、例えば菱形状に形成される。第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに隣り合う第２検出電極１１０ｄｅの角部は、互いに対峙する。そして、第１方向Ｘに隣り合う第２検出電極１１０ｄｅの角部は、第２連結配線１１０ｃｌを介して互いに連結される。第１方向Ｘに整列する複数の第２検出電極１１０ｄｅは、互いに接続されて第２電極列１１２を構成する。第２電極列１１２は、第２方向Ｙにおいて複数並べられる。
【0100】
下層引き出し配線９０ｈｌは、第１電極列９２ごとに設けられ、対応する第１電極列９２を構成する第１検出電極９０ｄｅに接続される。各下層引き出し配線９０ｈｌは、額縁領域ＦＡのうち第２端子部ＴＡ側の辺を構成する部分を第２端子部Ｔ２にまで引き出される。
【0101】
上層引き出し配線１１０ｈｌは、第２電極列１１２ごとに設けられ、対応する第２電極列１１２を構成する第２検出電極１１０ｄｅに接続される。各上層引き出し配線１１０ｈｌは、額縁領域ＦＡの第１方向Ｘにおける一方側または他方側（図４で示す例で左側または右側）の辺を構成する部分を経由して、タッチ領域ＴＡから第２端子部Ｔ２に引き回される。隣り合う第２電極列１１２に接続された上層引き出し配線１１０ｈｌは、額縁領域ＦＡの互いに異なる側に引き出される。
【0102】
上層引き出し配線９０ｈｌおよび下層引き出し配線１１０ｈｌはそれぞれ、第２引き出し配線Ｌ２を構成する。各第２引き出し配線Ｌ２は、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓと交差し、スペーサ壁Ｗｓに跨がるように封止膜（第２無機封止層８６）上を延びる。
【0103】
〈第１堰き止め壁、第２堰き止め壁、スペーサ壁〉
図１１に示すように、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓはそれぞれ、第１壁層３８ｗｌと、第２壁層６４ｗｌとを有する。第１壁層３８ｗｌは、ＴＦＴ層２０の下層部分を介して基板層１０に支持される。第２壁層６４ｗｌは、第１壁層３８ｗｌ上を延びる。第２壁層６４ｗｌの幅は、第１壁層３８ｗｌの幅よりも小さい。第１堰き止め壁Ｗａの高さｈ１および第２堰き止め壁Ｗｂの高さｈ２は、有機封止層８４をなす有機樹脂材料が第２堰き止め壁Ｗｂまでで殆ど堰き止められるように設計される。
図１１に示すように、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓはそれぞれ、第１壁層３８ｗｌと、第２壁層６４ｗｌとを有する。第１壁層３８ｗｌは、ＴＦＴ層２０の下層部分を介して基板層１０に支持される。第２壁層６４ｗｌは、第１壁層３８ｗｌ上を延びる。第２壁層６４ｗｌの幅は、第１壁層３８ｗｌの幅よりも小さい。第１堰き止め壁Ｗａの高さｈ１および第２堰き止め壁Ｗｂの高さｈ２は、有機封止層８４をなす有機樹脂材料が第２堰き止め壁Ｗｂまでで殆ど堰き止められるように設計される。
【0104】
図９および図１０にも示すように、スペーサ壁Ｗｓの上部には、複数の凸状部６４ｃｐが設けられる。凸状部６４ｃｐは、スペーサ壁Ｗｓの高さ方向へ突出したスポット的な突起物であって、第２壁層６４ｗｌによって構成される。複数の凸状部６４ｃｐは、スペーサ壁Ｗｓに沿う方向に互いに間隔をあけて、当該スペーサ壁Ｗｓの全周に亘り形成される。スペーサ壁Ｗｓは、有機ＥＬ表示装置１の製造過程において、有機封止層８４をなす有機樹脂材料の塗布時に、当該有機樹脂材料が額縁領域ＦＡの外側へ広がるのを堰き止める土手としても機能する。
【0105】
図１１および図１２に示すように、本例において、第１堰き止め壁Ｗａの高さｈ１と第２堰き止め壁Ｗｂの高さｈ２とは、互いに同等である。第２堰き止め壁Ｗｂの高さｈ２は、第１堰き止め壁Ｗａの高さｈ１よりも高くてもよい。スペーサ壁Ｗｓにおいて、凸状部６４ｃｐが設けられた部分の高さｈ３１は、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂの高さｈ１，ｈ２よりも高く、凸状部６４ｃｐから外れた部分の高さｈ３２は、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂの高さｈ１，ｈ２と同等である。第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓの高さｈ１，ｈ２，ｈ３は、有機封止層８４をなす有機樹脂材料を堰き止める土手として機能する堰き止め壁が２つである場合のそれら堰き止め壁の高さに比べて低くて済む。
【0106】
スペーサ壁Ｗｓは、それら複数の凸状部６４ｃｐで、有機ＥＬ層６６や共通電極６８ｃｅの形成時に用いられる成膜用マスクＭＫと接触する。図９～図１３に示すように、各第２引き出し配線Ｌ２は、凸状部６４ｃｐから外れた部分、具体的には隣り合う凸状部６４ｃｐの間でスペーサ壁Ｗｓに跨がるように第２無機封止層８６上または層間絶縁膜１００上を延びる。このように、各第２引き出し配線Ｌ２は、スペーサ壁Ｗｓのうち相対的に低い部分を経由して表示領域ＤＡから第２端子部Ｔ２に引き出される。隣り合う凸状部６４ｃｐの間には、１つの第２引き出し配線Ｌ２のみが設けられてもよく、２つ以上の第２引き出し配線Ｌ２が存在してもよい。
【0107】
－有機ＥＬ表示装置の動作－
有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素Ｓｐにおいて、まず、対応するエミッション制御配線２８ｅｌが選択されて非活性状態になり、有機ＥＬ素子７０が非発光状態になる。そして、非発光状態の有機ＥＬ素子７０に対応するゲート配線２８ｇｌが選択されて活性状態になると、そのゲート配線２８ｇｌを介してゲート信号が第１ＴＦＴ５０Ａに入力され、第１ＴＦＴ５０Ａがオン状態になる。
有機ＥＬ表示装置１では、各サブ画素Ｓｐにおいて、まず、対応するエミッション制御配線２８ｅｌが選択されて非活性状態になり、有機ＥＬ素子７０が非発光状態になる。そして、非発光状態の有機ＥＬ素子７０に対応するゲート配線２８ｇｌが選択されて活性状態になると、そのゲート配線２８ｇｌを介してゲート信号が第１ＴＦＴ５０Ａに入力され、第１ＴＦＴ５０Ａがオン状態になる。
【0108】
第１ＴＦＴ５０Ａがオン状態になると、ソース配線３６ｓｌを介して伝達されるソース信号に対応する所定の電圧が、第２ＴＦＴ５０Ｂに印加されると共にキャパシタ５５に書き込まれる。そして、エミッション制御配線２８ｅｌが非選択状態とされて非活性状態になると、そのエミッション制御配線２８ｅｌを介して第３ＴＦＴ５０Ｃにエミッション信号が入力され、第３ＴＦＴ５０Ｃがオン状態になる。
【0109】
第３ＴＦＴ５０Ｃがオン状態になると、第２ＴＦＴ５０Ｂのゲート電圧に応じた電流が電源配線Ｐｌから有機ＥＬ素子７０に供給される。これにより、各有機ＥＬ層６６（発光層６６ｌｅ）が発光して、画像が表示される。なお、有機ＥＬ層６６の発光は、第１ＴＦＴ５０Ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ５０Ｂのゲート電圧がキャパシタ５５によって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまでサブ画素Ｓｐごとに維持される。
【0110】
－有機ＥＬ表示装置の製造方法－
有機ＥＬ表示装置１を製造するには、まず、ガラス基板の表面に、有機樹脂材料を塗布してベーク処理などを行うことにより、基板層１０を形成する。次いで、基板層１０上に、フォトリソグラフィや真空蒸着法、インクジェット法などの周知の技術を用いてＴＦＴ層２０、発光素子層６０、封止膜８０およびタッチパネルＴＰを順に形成する。そして、基板層１０の裏面にガラス基板側からレーザ光を照射するなどして、基板層１０からガラス基板を剥離する。
有機ＥＬ表示装置１を製造するには、まず、ガラス基板の表面に、有機樹脂材料を塗布してベーク処理などを行うことにより、基板層１０を形成する。次いで、基板層１０上に、フォトリソグラフィや真空蒸着法、インクジェット法などの周知の技術を用いてＴＦＴ層２０、発光素子層６０、封止膜８０およびタッチパネルＴＰを順に形成する。そして、基板層１０の裏面にガラス基板側からレーザ光を照射するなどして、基板層１０からガラス基板を剥離する。
【0111】
続いて、基板層１０の裏面に裏面保護フィルムを貼り付ける。また、タッチパネルＴＰが設けられた基板の表面に表面保護フィルムを貼り付ける。次に、当該基板の第１端子部Ｔ１および第２端子部Ｔ２にそれぞれ、配線基板Ｃｂを接続することにより、配線基板Ｃｂと共に表示制御回路およびタッチ検出回路を実装する。以上のようにして、有機ＥＬ表示装置１が製造される。
【0112】
ＴＦＴ層２０を形成する工程では、第１樹脂層３８を形成するときに、第３導電層３６が形成された基板上に、例えば、スピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂を塗布する。次いで、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、第１平坦化膜３８ｐｆおよび第１壁層３８ｗｌを形成する。
【0113】
その後、発光素子層６０を形成する工程では、第２樹脂層６４を形成するときに、第４導電層６２が形成された基板上に、例えば、スピンコート法などの公知の塗布法により、感光性樹脂を塗布する。次いで、その感光性樹脂材料の塗布膜に対し、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行って、当該塗布膜をパターニングすることにより、エッジカバー６４ｅｃおよび第２壁層６４ｗｌを形成する。
【0114】
このとき、感光性樹脂材料の塗布膜に対する露光に、グレートーンマスクやハーフトーンマスクを用いることで、スペーサ壁Ｗｓを構成する第２壁層６４ｗｌの表面高さに高低差をつけて、当該第２壁層６４ｗｌに凸状部６４ｃｐを形成すると共に、エッジカバー６４ｅｃの表面高さに高低差をつけて、当該エッジカバー６４ｅｃにフォトスペーサ６４ｐｓを形成すればよい。そのようにして、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂを構成するのと併せて、スペーサ壁Ｗｓを構成する。
【0115】
ＴＦＴ層２０を形成する工程では、有機ＥＬ層６６をなす機能層（正孔注入層６６ｈｉ、正孔輸送層６６ｈｔ、発光層６６ｌｅ、電子輸送層６６ｅｔおよび電子注入層６６ｅｉのいずれか）や共通電極６８ｃｅを形成するのに、成膜材料を蒸発源にて加熱することで昇華または蒸発させて基板上に薄膜を成膜する真空蒸着法が利用される。この真空蒸着法では、例えばＦＭＭと呼ばれる成膜用マスクＭＫが用いられる。
【0116】
成膜用マスクＭＫは、真空蒸着法による成膜処理を実施する蒸着装置内に配置され、磁力により成膜対象の基板側に引き寄せた状態で使用される。そのため、図１４に示すように、有機ＥＬ層６６をなす機能層や共通電極６８ｃｅを形成するときには、成膜用マスクＭＫがスペーサ壁Ｗｓの凸状部６４ｃｐと比較的強く接触する。このとき、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂの頂部は、成膜用マスクＭＫと接触しない。そうした成膜用マスクＭＫのセット状態で成膜対象とする基板に真空蒸着法による成膜処理が実施される。
【0117】
上述した成膜用マスクＭＫへの基板の接触状態によると、凸状部６４ｃｐの頂部が摩耗し、当該頂部に凹凸が形成されたり、スペーサ壁Ｗｓおよびその周辺に異物が生じたりするおそれがある。しかし、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂの頂部に凹凸が形成されたり、それら両壁Ｗａ，Ｗｂおよびそれらの周辺に異物が生じたりする事態は回避される。そして、凸状部６４ｃｐに凹凸が形成されたりスペーサ壁Ｗｓおよびその周辺に異物が生じたりしても、スペーサ壁Ｗｓおよびその周辺は、有機封止層８４をなす有機樹脂材料の塗布領域外に距離が空くので、封止膜８０によりそれら凹凸や異物を覆えずカバレッジ不良が生じても、水分が表示領域ＤＡに浸入するリスクを低減できる。
【0118】
また、スペーサ壁Ｗｓが設けられると、タッチパネルＴＰを形成する工程において、第６導電層９０および第７導電層１１０を形成するときに、第２引き出し配線Ｌ２（上層引き出し配線９０ｈｌ、下層引き出し配線１１０ｈｌ）の壁体ＷＬ上での断線が抑制される。このことについて、以下に、第６導電層９０を形成する工程を例に挙げて説明する。
【0119】
第６導電層９０を形成する工程では、まず、封止膜８０が形成された基板上に、例えばスパッタリング法により、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などからなる透明導電膜２００を成膜する。次に、図１５および図１６に示すように、透明導電膜２００が成膜された基板上に、例えばスピンコート法やスリットコート法などの周知の塗布法によりレジスト２０２を塗布する。続いて、そのレジスト２０２の塗布膜に対して、プリベーク、露光、現像およびポストベークを行うことにより、図１７に示すようにレジスト２０２をパターニングする。その後、図１８に示すように、レジスト２０２をマスクとして透明導電膜２００をエッチングすることによりパターニングし、第１検出電極９０ｄｅおよび第１連結配線９０ｃｌと共に下層引き出し配線９０ｈｌ（第２引き出し配線Ｌ２）を形成する。
【0120】
このとき、図２８に示すように、スペーサ壁Ｗｓが設けられていないと、有機封止層８４をなす有機樹脂材料が額縁領域ＦＡの外側への広がるのを堰き止めるべく、第２堰き止め壁Ｗｂを比較的高く形成する必要がある。第２堰き止め壁Ｗｂが高いほど、レジスト２０２が第２堰き止め壁Ｗｂの頂部から両側に流れて、第２堰き止め壁Ｗｂの頂部を好適に覆えない状態となり易い。そうなると、第２引き出し配線Ｌ２のパターニング時に、透明導電膜２００が第２堰き止め壁Ｗｂ上の第２引き出し配線Ｌ２を形成する部分でもエッチングされてしまう。その結果、図２９に示すように、第２引き出し配線Ｌ２が欠損し、第２引き出し配線Ｌ２に断線を生じる。
【0121】
これに対して、本例の有機ＥＬ表示装置１では、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂに加えてスペーサ壁Ｗｓが設けられるので、有機封止層８４をなす有機樹脂材料が額縁領域ＦＡの外側へ広がるのを堰き止めるための壁体ＷＬが増える。これによれば、有機封止層８４をなす有機樹脂材料が第２堰き止め壁Ｗｂまでで殆ど堰き止められるように、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂを設計することで、スペーサ壁Ｗｓの高さを凸状部６４ｃｐが設けられない部分で比較的低くできる。
【0122】
そして、本例の有機ＥＬ表示装置１では、第２引き出し配線Ｌ２を凸状部６４ｃｐが設けられない比較的低い部分でスペーサ壁Ｗｓに跨がるように形成するので、レジスト２０２が第２引き出し配線Ｌ２を形成する部分でスペーサ壁Ｗｓの頂部から両側に流れるのを低減できる。これにより、スペーサ壁Ｗｓ上の第２引き出し配線Ｌ２を形成する部分においても、レジスト２０２がスペーサ壁Ｗｓを好適に覆った状態に設けられ、透明導電膜２００がエッチングされるのを抑制できる。したがって、スペーサ壁Ｗｓ上での第２引き出し配線Ｌ２の断線を抑制できる。
【0123】
－実施形態１の変形例１－
図１９に示すように、スペーサ壁Ｗｓのうち凸状部６４ｃｐから外れた部分の層間絶縁膜３５の表面からの高さｈ３２は、第２堰き止め壁Ｗｂの層間絶縁膜３５の表面からの高さｈ２よりも低くてもよい。本例では、スペーサ壁Ｗｓを構成する第１壁層３８ｗｌの厚さと、第２堰き止め壁Ｗｂを構成する第１壁層３８ｗｌの厚さとは、互いに同等である。そして、スペーサ壁Ｗｓを構成する第２壁層６４ｗｌのうち凸状部６４ｃｐから外れた部分の厚さは、第２堰き止め壁Ｗｂを構成する第２壁層６４ｗｌの厚さよりも薄く、例えば２μｍ未満である。
図１９に示すように、スペーサ壁Ｗｓのうち凸状部６４ｃｐから外れた部分の層間絶縁膜３５の表面からの高さｈ３２は、第２堰き止め壁Ｗｂの層間絶縁膜３５の表面からの高さｈ２よりも低くてもよい。本例では、スペーサ壁Ｗｓを構成する第１壁層３８ｗｌの厚さと、第２堰き止め壁Ｗｂを構成する第１壁層３８ｗｌの厚さとは、互いに同等である。そして、スペーサ壁Ｗｓを構成する第２壁層６４ｗｌのうち凸状部６４ｃｐから外れた部分の厚さは、第２堰き止め壁Ｗｂを構成する第２壁層６４ｗｌの厚さよりも薄く、例えば２μｍ未満である。
【0124】
上述したスペーサ壁Ｗｓのうち凸状部６４ｃｐから外れた部分と第２堰き止め壁Ｗｂとの高さ関係は、第１壁層３８ｗｌの厚さで調整されてもよい。例えば、スペーサ壁Ｗｓを構成する第２壁層６４ｗｌのうち凸状部６４ｃｐから外れた部分の厚さと、第２堰き止め壁Ｗｂを構成する第２壁層６４ｗｌの厚さとは、互いに同等であってもよい。そして、スペーサ壁Ｗｓを構成する第１壁層３８ｗｌのうち少なくとも凸状部６４ｃｐから外れた部分の厚さは、第２堰き止め壁Ｗｂを構成する第１壁層３８ｗｌの厚さよりも薄くてもよい。
【0125】
本例の有機ＥＬ表示装置１によれば、凸状部６４ｃｐに凹凸が形成されたりスペーサ壁Ｗｓおよびその周辺に異物が生じたりすることに起因して水分が表示領域ＤＡに浸入するリスクを低減しつつ、スペーサ壁Ｗｓ上での第２引き出し配線Ｌ２の断線をよりいっそう好適に抑制できる。
【0126】
－実施形態１の変形例２－
図２０および図２１に示すように、有機ＥＬ表示装置１には、壁体ＷＬとして、堰き止め壁Ｗｄおよびスペーサ壁Ｗｓのみが設けられてもよい。すなわち、本例の有機ＥＬ表示装置１は、上記実施形態１の有機ＥＬ表示装置１において、第１堰き止め壁Ｗａまたは第２堰き止め壁Ｗｂが設けられない構成に相当する。堰き止め壁Ｗｄの高さｈ４は、有機封止層８４をなす有機樹脂材料が当該堰き止め壁Ｗｄで殆ど堰き止められるように設計される。
図２０および図２１に示すように、有機ＥＬ表示装置１には、壁体ＷＬとして、堰き止め壁Ｗｄおよびスペーサ壁Ｗｓのみが設けられてもよい。すなわち、本例の有機ＥＬ表示装置１は、上記実施形態１の有機ＥＬ表示装置１において、第１堰き止め壁Ｗａまたは第２堰き止め壁Ｗｂが設けられない構成に相当する。堰き止め壁Ｗｄの高さｈ４は、有機封止層８４をなす有機樹脂材料が当該堰き止め壁Ｗｄで殆ど堰き止められるように設計される。
【0127】
スペーサ壁Ｗｓのうち凸状部６４ｃｐが設けられた部分の高さｈ３１は、堰き止め壁Ｗｄの高さｈ４よりも高い。スペーサ壁Ｗｓのうち凸状部６４ｃｐから外れた部分の高さｈ３２は、堰き止め壁Ｗｄの高さｈ４と同等である。上記実施形態１の変形例１と同様に、スペーサ壁Ｗｓのうち凸状部６４ｃｐから外れた部分の高さｈ３２は、堰き止め壁Ｗｄの層間絶縁膜３５の表面からの高さｈ４よりも低くてもよい。
【0128】
《実施形態２》
この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１では、ＴＦＴ層２０をなす層構成および第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓの構成が上記実施形態１と異なる。なお、以降の各実施形態では、上記実施形態１と構成の異なる部分を重点的に説明し、同一の構成箇所については、その詳細な説明を省略する。
この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１では、ＴＦＴ層２０をなす層構成および第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓの構成が上記実施形態１と異なる。なお、以降の各実施形態では、上記実施形態１と構成の異なる部分を重点的に説明し、同一の構成箇所については、その詳細な説明を省略する。
【0129】
〈ＴＦＴ層の層構成〉
この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１において、図２２に示すように、ＴＦＴ層２０は、ベースコート膜２２、半導体層２４、ゲート絶縁膜２６、第１導電層２８、第１層間絶縁膜３０、第２導電層３２、第２層間絶縁膜３４、第３導電層３６および第１樹脂層３８に加えて、第１樹脂層３８と発光素子層６０（第４導電層６２）との間に設けられた第８導電層４０および第３樹脂層４２を備える。
この実施形態２の有機ＥＬ表示装置１において、図２２に示すように、ＴＦＴ層２０は、ベースコート膜２２、半導体層２４、ゲート絶縁膜２６、第１導電層２８、第１層間絶縁膜３０、第２導電層３２、第２層間絶縁膜３４、第３導電層３６および第１樹脂層３８に加えて、第１樹脂層３８と発光素子層６０（第４導電層６２）との間に設けられた第８導電層４０および第３樹脂層４２を備える。
【0130】
第８導電層４０は、第１樹脂層３８上に設けられる。第８導電層４０は、第３電源配線４０ｐｌと、複数の中継配線４０ｒｌとを含む。これら第３電源配線４０ｐｌおよび中継配線４０ｒｌは、同一層に同一材料によって形成される。第８導電層４０に含まれる各種の配線は、例えば、第１導電層２８、第２導電層３２および第３導電層３６と同様な上述した金属材料からなり、そうした金属材料からなる単層膜または積層膜によって構成される。
【0131】
図２３に示すように、第３電源配線４０ｐｌは、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに格子状をなすように延びる。第３電源配線４０ｐｌは、第１平坦化膜３８ｐｆに形成されたコンタクトホール（不図示）を介して第２電源配線３６ｐｌに接続されるか、または第１平坦化膜３８ｐｆの外側で第１額縁配線３６ｆａに接続される。第３電源配線４０ｐｌは、第１電源配線３２ｐｌおよび第２電源配線３６ｐｌと共に電源配線Ｐｌを構成する。
【0132】
複数の中継配線４０ｒｌは、表示領域ＤＡにおいて、第１平坦化膜３８ｐｆ上に設けられる。中継配線４０ｒｌは、サブ画素Ｓｐごとに島状に形成される。各中継配線４０ｒｌは、所定のＴＦＴ５０のドレイン電極３６ｄｅと、有機ＥＬ素子７０の電極との接続を中継する。具体的には、各中継配線４０ｒｌは、第１平坦化膜３８ｐｆに形成されたコンタクトホール３８ｈを介して第３ＴＦＴ５０Ｃのドレイン電極３６ｄｅに接続される。そして、各中継配線４０ｒｌには、第２平坦化膜４２ｐｆに形成されたコンタクトホール４２ｈを介して画素電極６２ｐｅが接続される。
【0133】
第３樹脂層４２は、第８導電層４０上に設けられる。図２３および図２４に示すように、第３樹脂層４２は、第２平坦化膜４２ｐｆと、第３壁層４２ｗｌとを含む。これら第２平坦化膜４２ｐｆおよび第３壁層４２ｗｌは、同一層に同一材料によって形成される。第２平坦化膜４２ｐｆは、表示領域ＤＡにおいて、第８導電層４０に含まれる各種の配線を覆う。第２平坦化膜４２ｐｆは、第１平坦化膜３８ｐｆと共にＴＦＴ層２０の表面を平坦化する。第３壁層４２ｗｌは、下側壁層の一例である。
【0134】
第３壁層４２ｗｌは、上記実施形態１の有機ＥＬ表示装置１における第１壁層３８ｗｌに代えて、第２平坦化膜４２ｐｆの外周側に３つ設けられる。すなわち、本例の有機ＥＬ表示装置１では、第１壁層３８ｗｌが設けられない。３つの第３壁層４２ｗｌは、それぞれ上記実施形態１の第１壁層３８ｗｌと同様な形状に形成され、互いに同等な厚さで第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓの下層部分を構成する。
【0135】
〈第１堰き止め壁、第２堰き止め壁、スペーサ壁〉
図２４に示すように、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓはいずれも、第３壁層４２ｗｌと、第２壁層６４ｗｌとを有する。３つの第２壁層６４ｗｌは、それぞれ第３壁層４２ｗｌ上に設けられ、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓの上層部分を構成する。
図２４に示すように、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓはいずれも、第３壁層４２ｗｌと、第２壁層６４ｗｌとを有する。３つの第２壁層６４ｗｌは、それぞれ第３壁層４２ｗｌ上に設けられ、第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓの上層部分を構成する。
【0136】
そして、上記実施形態１と同様に、複数の凸状部６４ｃｐが第２壁層６４ｗｌの上部に形成される。また、各第２引き出し配線Ｌ２が凸状部６４ｃｐを外れた部分でスペーサ壁Ｗｓを跨ぐように設けられる。なお、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂはそれぞれ、第３壁層４２ｗｌのみまたは第２壁層６４ｗｌのみによって構成されてもよい。
【0137】
－実施形態２の変形例－
図２５に示すように、上記実施形態２の有機ＥＬ表示装置１では、第３壁層４２ｗｌが、下側壁層３８ｗｌに加えて設けられてもよい。本例の有機ＥＬ表示装置１において、第３壁層４２ｗｌは、各第１壁層３８ｗｌ上に設けられ、第１壁層３８ｗｌと第２壁層６４ｗｌとの間に介在する。この場合、第１壁層３８ｗｌが下側壁層に相当し、第２壁層６４ｗｌが上側壁層に相当する。
図２５に示すように、上記実施形態２の有機ＥＬ表示装置１では、第３壁層４２ｗｌが、下側壁層３８ｗｌに加えて設けられてもよい。本例の有機ＥＬ表示装置１において、第３壁層４２ｗｌは、各第１壁層３８ｗｌ上に設けられ、第１壁層３８ｗｌと第２壁層６４ｗｌとの間に介在する。この場合、第１壁層３８ｗｌが下側壁層に相当し、第２壁層６４ｗｌが上側壁層に相当する。
【0138】
第１堰き止め壁Ｗａ、第２堰き止め壁Ｗｂおよびスペーサ壁Ｗｓはいずれも、第３導電層３６上に順に設けられた、第１壁層３８ｗｌ、第３壁層４２ｗｌおよび第２壁層６４ｗｌを有する。なお、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂはそれぞれ、第１壁層３８ｗｌ、第３壁層４２ｗｌおよび第２壁層６４ｗｌのいずれか１層または２層の組合せによって構成されてもよい。
【0139】
また、スペーサ壁Ｗｓは、第１壁層３８ｗｌおよび第３壁層４２ｗｌを有し、第２壁層６４ｗｌを含まなくてもよい。この場合、第１壁層３８ｗｌが下側壁層に相当し、第３壁層４２ｗｌが上側壁層に相当する。凸状部６４ｃｐは、第３壁層４２ｗｌの上部に形成される。
【0140】
《実施形態３》
この実施形態３の有機ＥＬ表示装置１では、スペーサ壁Ｗｓの構成が上記実施形態１と異なる。図２６に示すように、この実施形態３の有機ＥＬ表示装置１において、スペーサ壁Ｗｓは、額縁領域ＦＡのうち端子部Ｔ側の辺を構成する部分のみに設けられる。図２７に示すように、第２堰き止め壁Ｗｂは、相対的に低い低壁部分Ｌｗと、相対的に高い高壁部分Ｈｗとを有する。
この実施形態３の有機ＥＬ表示装置１では、スペーサ壁Ｗｓの構成が上記実施形態１と異なる。図２６に示すように、この実施形態３の有機ＥＬ表示装置１において、スペーサ壁Ｗｓは、額縁領域ＦＡのうち端子部Ｔ側の辺を構成する部分のみに設けられる。図２７に示すように、第２堰き止め壁Ｗｂは、相対的に低い低壁部分Ｌｗと、相対的に高い高壁部分Ｈｗとを有する。
【0141】
低壁部分Ｌｗは、額縁領域ＦＡのうち端子部Ｔ側の辺を構成する部分に設けられる。高壁部分Ｈｗは、端子部Ｔ側の辺以外の３辺を構成する部分に設けられる。低壁部分Ｌｗの高さｈ２１は、第１堰き止め壁Ｗａの高さｈ１と同等である。高壁部分Ｈｗの高さｈ２２は、スペーサ壁Ｗｓの高さｈ３（厳密にはスペーサ壁Ｗｓの凸状部６４ｃｐでの高さｈ３１）と同等である。第２堰き止め壁Ｗｂは高壁部分Ｈｗで、有機ＥＬ層６６をなす機能層や共通電極６８ｃｅの形成時に用いられる成膜用マスクＭＫに、スペーサ壁Ｗｓと共に接触する。
【0142】
《その他の実施形態》
上記実施形態１～３では、凸状部６４ｃｐがスポット的な突起物であるとしたが、これに限らない。凸状部６４ｃｐは、第２引き出し配線Ｌ２が凸状部６４ｃｐを外れた部分で跨がるように設けられるのであれば、当該スペーサ壁Ｗｓに沿って延びる線状の突起物であってもよい。スペーサ壁Ｗｓは、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂ、または堰き止め壁Ｗｄのうち少なくとも第２引き出し配線Ｌ２が交差する部分に沿って当該堰き止め壁の外周を延びていればよい。
上記実施形態１～３では、凸状部６４ｃｐがスポット的な突起物であるとしたが、これに限らない。凸状部６４ｃｐは、第２引き出し配線Ｌ２が凸状部６４ｃｐを外れた部分で跨がるように設けられるのであれば、当該スペーサ壁Ｗｓに沿って延びる線状の突起物であってもよい。スペーサ壁Ｗｓは、第１堰き止め壁Ｗａおよび第２堰き止め壁Ｗｂ、または堰き止め壁Ｗｄのうち少なくとも第２引き出し配線Ｌ２が交差する部分に沿って当該堰き止め壁の外周を延びていればよい。
【0143】
上記実施形態１～３では、有機ＥＬ層６６が、各サブ画素Ｓｐに個別に設けられるとしたが、これに限らない。有機ＥＬ層６６は、複数のサブ画素Ｓｐにおいて一続きとして共通に設けられてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置１は、カラーフィルタを備えるなどして、各サブ画素Ｓｐの色調表現を行ってもよい。
【0144】
上記実施形態１～３では、各画素Ｐｘが３色のサブ画素Ｓｐｒ，Ｓｐｇ，Ｓｐｂによって構成されるとしたが、これに限らない。各画素Ｐｘを構成するサブ画素Ｓｐは３色に限らず、４色以上であってもよい。また、各画素Ｐｘを構成する３色のサブ画素Ｓｐｒ，Ｓｐｇ，Ｓｐｂは、ストライプ配列で設けられるとしたが、これに限らない。複数のサブ画素Ｓｐの配列は、ペンタイル配列など、他の配列であってもよい。
【0145】
上記実施形態１～３では、第１ＴＦＴ５０Ａ、第２ＴＦＴ５０Ｂおよび第３ＴＦＴ５０Ｃはいずれも、トップゲート型に構成されるとしたが、これに限らない。これら第１ＴＦＴ５０Ａ、第２ＴＦＴ５０Ｂおよび第３ＴＦＴ５０Ｃは、ボトムゲート型に構成されてもよい。また、サブ画素Ｓｐに設けられるＴＦＴ５０の数は、２つであってもよく、４つ以上であってもよい。
【0146】
上記実施形態１～３では、画素電極６２ｐｅが陽極であり、共通電極６８ｃｅが陰極であるとしたが、これに限らない。画素電極６２ｐｅが陰極であり、共通電極６８ｃｅが陽極であってもよい。この場合、有機ＥＬ層６６は、反転した積層構造とされる。
【0147】
上記実施形態１～３では、有機ＥＬ層６６は、正孔注入層６６ｈｉ、正孔輸送層６６ｈｔ、発光層６６ｌｅ、電子輸送層６６ｅｔおよび電子注入層６６ｅｉからなる５層構造であるとしたが、これに限らない。有機ＥＬ層６６は、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層および電子輸送層兼電子注入層からなる３層構造であってもよく、任意の積層構造を採用することが可能である。
【0148】
上記実施形態１～３では、表示装置として有機ＥＬ表示装置１を例示したが、これに限らない。本開示の技術は、例えば、電流によって駆動される複数の発光素子を備える表示装置に適用することが可能である。当該表示装置としては、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot Light Emitting Diode）を備える表示装置が挙げられる。
【0149】
以上のように、本開示の技術の例示として、好ましい実施形態について説明した。しかし、本開示の技術は、これに限定されず、適宜、変更、置き換え、付加、省略などを行った実施の形態にも適用可能である。上記実施形態について、本開示の技術の趣旨を逸脱しない範囲においてさらに色々な変形が可能なこと、またそうした変形も本開示の技術の範囲に属することは、当業者に理解されるところである。
【符号の説明】
【0150】
ＤＡ 表示領域
ＦＡ 額縁領域
ｈ１ 第１堰き止め壁の高さ
ｈ２ 第２堰き止め壁の高さ
ｈ３ スペーサ壁の高さ
ｈ３１ スペーサ壁のうち凸状部が設けられた部分の高さ
ｈ３２ スペーサ壁のうち凸状部から外れた部分の高さ
ｈ４ 堰き止め壁の高さ
Ｌ２ 第２引き出し配線（引き出し配線、配線）
ＴＰ タッチパネル
ＴＡ タッチ領域
Ｗａ 第１堰き止め壁（堰き止め壁、壁体）
Ｗｂ 第２堰き止め壁（堰き止め壁、壁体）
Ｗｄ 堰き止め壁（壁体）
Ｗｓ スペーサ壁（壁体）
１ 有機ＥＬ表示装置（表示装置）
１０ 基板層
２０ ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
３８ｐｆ 第１平坦化膜（平坦化膜）
３８ｗｌ 第１壁層（下側壁層）
４０ 第８導電層（導電層）
４２ｐｆ 第２平坦化膜
４２ｗｌ 第３壁層（下側壁層、上側壁層）
５０ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
６０ 発光素子層
６２ｐｅ 画素電極
６４ｃｐ 凸状部
６４ｅｃ エッジカバー
６４ｗｌ 第２壁層（上側壁層）
７０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
８０ 封止膜
８４ 有機封止層
９０ｄｅ 第１検出電極（検出電極）
１１０ｄｅ 第２検出電極（検出電極）
ＦＡ 額縁領域
ｈ１ 第１堰き止め壁の高さ
ｈ２ 第２堰き止め壁の高さ
ｈ３ スペーサ壁の高さ
ｈ３１ スペーサ壁のうち凸状部が設けられた部分の高さ
ｈ３２ スペーサ壁のうち凸状部から外れた部分の高さ
ｈ４ 堰き止め壁の高さ
Ｌ２ 第２引き出し配線（引き出し配線、配線）
ＴＰ タッチパネル
ＴＡ タッチ領域
Ｗａ 第１堰き止め壁（堰き止め壁、壁体）
Ｗｂ 第２堰き止め壁（堰き止め壁、壁体）
Ｗｄ 堰き止め壁（壁体）
Ｗｓ スペーサ壁（壁体）
１ 有機ＥＬ表示装置（表示装置）
１０ 基板層
２０ ＴＦＴ層（薄膜トランジスタ層）
３８ｐｆ 第１平坦化膜（平坦化膜）
３８ｗｌ 第１壁層（下側壁層）
４０ 第８導電層（導電層）
４２ｐｆ 第２平坦化膜
４２ｗｌ 第３壁層（下側壁層、上側壁層）
５０ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
６０ 発光素子層
６２ｐｅ 画素電極
６４ｃｐ 凸状部
６４ｅｃ エッジカバー
６４ｗｌ 第２壁層（上側壁層）
７０ 有機ＥＬ素子（発光素子）
８０ 封止膜
８４ 有機封止層
９０ｄｅ 第１検出電極（検出電極）
１１０ｄｅ 第２検出電極（検出電極）
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】