特許 7532673 電荷キャリア分布が改善されるＶピット強化コンポーネント

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-02

(45)【発行日】2024-08-13

(54)【発明の名称】電荷キャリア分布が改善されるＶピット強化コンポーネント

(51)【国際特許分類】

   H01L 33/14 20100101AFI20240805BHJP

   H01L 33/20 20100101ALI20240805BHJP

   H01L 33/32 20100101ALI20240805BHJP

【ＦＩ】

H01L33/14

H01L33/20

H01L33/32

【請求項の数】 12

(21)【出願番号】P 2023542948

(86)(22)【出願日】2021-02-17

(65)【公表番号】

(43)【公表日】2024-02-15

(86)【国際出願番号】 EP2021053858

(87)【国際公開番号】W WO2022174892

(87)【国際公開日】2022-08-25

【審査請求日】2023-09-06

(73)【特許権者】

【識別番号】599133716

【氏名又は名称】エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー

【氏名又は名称原語表記】ａｍｓ－ＯＳＲＡＭ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＧｍｂＨ

【住所又は居所原語表記】Ｌｅｉｂｎｉｚｓｔｒａｓｓｅ ４， Ｄ－９３０５５ Ｒｅｇｅｎｓｂｕｒｇ， Ｇｅｒｍａｎｙ

(74)【代理人】

【識別番号】110002952

【氏名又は名称】弁理士法人鷲田国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】チェン シアオチュン

(72)【発明者】

【氏名】ワン ヘン

(72)【発明者】

【氏名】ナ ジョン ホ

(72)【発明者】

【氏名】ゴメス－イグレシアス アルバロ

【審査官】村井 友和

(56)【参考文献】

【文献】米国特許出願公開第２０１８／００８３１６０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】特開２０１０－０４０８３８（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－０１２６８４（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ３３／００－３３／６４

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

ｐ側半導体層（１）、ｎ側半導体層（２）、及びそれらの間にある活性領域（３）を備える半導体層列（２０）を有するコンポーネント（１０）であって、
－前記活性領域（３）が、複数の量子障壁層（３２）及び量子井戸層（３１）を備える多重量子井戸構造を有し、前記量子障壁層（３２）と前記量子井戸層（３１）とが垂直方向に沿って交互に配置されており、
－前記活性領域（３）が、前記活性領域（３）の主表面（３０）に対して斜めに延びるファセット（４１）を有する少なくとも１つの凹部（４）を備え、前記凹部（４）が前記ｐ側半導体層（１）に向かって開いており、
－少なくとも前記凹部（４）内で、前記量子障壁層（３２）が、ｎドープされており、一定でないドーピングプロファイル（ＤＰ）を有していて、その結果、前記コンポーネント（１０）の動作中に、前記ｎ側半導体層（２）から前記ｐ側半導体層（１）に向かって、負に帯電した電荷キャリアの輸送が、前記一定でないドーピングプロファイル（ＤＰ）によって増加し、
－前記量子障壁層（３２）は、ｐ側量子障壁層（３２ｐ）とｎ側量子障壁層（３２ｎ）とに分けられ、
－最大で１０％の製造公差まで、前記ｐ側量子障壁層（３２ｐ）は同じドーパント濃度を有し、前記ｐ側量子障壁層（３２ｐ）の１つは、全ての量子障壁層（３２）の中で最も高いドーパント濃度を有しており、
－前記ｐ側量子障壁層（３２ｐ）は、前記ｐ側半導体層（１）と前記ｎ側量子障壁層（３２ｎ）との間にあり、
－全てのｎ側量子障壁層（３２ｎ）は、前記ｐ側量子障壁層（３２ｐ）よりも低いドーパント濃度を有し、
－前記多重量子井戸構造内の全ての量子障壁層（３２）の少なくとも１０％、及び最大で７０％が、ｎ側量子障壁層（３２ｎ）であり、
－前記ｎ側半導体層（２）から前記ｐ側半導体層（１）に向かって、前記ｎ側量子障壁層（３２ｎ）のドーパント濃度が徐々に増加する、前記コンポーネント（１０）。

【請求項2】

－前記活性領域（３）が、前記活性領域（３）の前記主表面（３０）に対して斜めに延びるファセット（４１）を有する複数の凹部（４）を備え、前記凹部（４）が前記ｐ側半導体層（１）に向かって開いており、
－前記複数の凹部（４）のそれぞれで、前記量子障壁層（３２）が、ｎドープされており、前記一定でないドーピングプロファイル（ＤＰ）を有している、請求項１に記載のコンポーネント（１０）。

【請求項3】

－前記量子障壁層（３２）は複数のサブグループに分けられ、
－最大で１０％の製造公差まで、同じサブグループの前記量子障壁層（３２）は同じドーパント濃度を有し、
－異なるサブグループの前記量子障壁層（３２）は、異なるドーパント濃度を有する、請求項１に記載のコンポーネント（１０）。

【請求項4】

前記量子障壁層（３２）の各サブグループは平均ドーパント濃度を有し、前記ｎ側半導体層（２）から前記ｐ側半導体層（１）に向かって、異なるサブグループの平均ドーパント濃度は徐々に増加する、請求項３に記載のコンポーネント（１０）。

【請求項5】

－前記多重量子井戸構造における前記一定でないドーピングプロファイル（ＤＰ）には、前記ｎ側量子障壁層（３２ｎ）の異なるドーパント濃度が反映される、請求項１に記載のコンポーネント（１０）。

【請求項6】

前記ｎ側量子障壁層（３２ｎ）の少なくとも１つまたは少なくとも１つの第１のサブグループは、全ての量子障壁層（３２）の中で最も低いドーパント濃度を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載のコンポーネント（１０）。

【請求項7】

前記多重量子井戸構造内の全ての量子障壁層（３２）の少なくとも１０％、及び最大で５０％が、ｎ側量子障壁層（３２ｎ）である、請求項１～５のいずれか１項に記載のコンポーネント（１０）。

【請求項8】

前記多重量子井戸構造内の全ての量子障壁層（３２）の少なくとも１０％、及び最大で３０％が、ｎ側量子障壁層（３２ｎ）である、請求項１～５のいずれか１項に記載のコンポーネント（１０）。

【請求項9】

－前記ｎ側半導体層（２）から前記ｐ側半導体層（１）に向かって、前記量子障壁層（３２）のドーパント濃度は、個別に、またはグループで、徐々に増加し、
－異なる量子障壁層（３２）または量子障壁層の異なるサブグループは、異なるドーパント濃度を有する、請求項１に記載のコンポーネント（１０）。

【請求項10】

前記凹部（４）の外側でも、前記量子障壁層（３２）はｎドープされており、前記一定でないドーピングプロファイルを示す、請求項１～５のいずれか１項に記載のコンポーネント（１０）。

【請求項11】

前記半導体層列（２０）または前記活性領域（３）は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ構造をベースとする、請求項１～５のいずれか１項に記載のコンポーネント（１０）。

【請求項12】

前記量子障壁層（３２）は、Ｓｉでドープされる、請求項１～５のいずれか１項に記載のコンポーネント（１０）。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、電荷キャリア分布が均一化され、発光再結合率が増加する上に、外部量子効率が増加する半導体コンポーネントに関する。

【背景技術】

【0002】

ｐ側半導体層とｎ側半導体層との間に多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を配置して活性領域を構成する光電子コンポーネントでは、活性領域内の電荷キャリアがＭＱＷ構造全体にわたって均一に分布しない可能性があることが知られている。それによって、通常は、そのような光電子コンポーネントの効率損失がもたらされる。活性領域にＶ字型のピラミッド型ピット、つまりＶピットがある状態では、正に帯電した電荷キャリアの輸送、つまり正孔輸送は、Ｖピットの側壁を介してＭＱＷ構造の異なる量子井戸層（ＱＷ）に注入されることによって、向上させることができる。Ｖピット注入により、より深い量子井戸層への正孔輸送が改善されたとしても、正孔移動度が低いため、正孔は依然としてＭＱＷ構造全体に均一に分布しない。

【0003】

これまで、ＭＱＷ構造内の正孔分布を改善するために、温度やＭｇドーピングプロファイルなどのｐ側成長条件を最適化すること、または正孔注入を促進する電子ブロック層の設計を最適化することによる多くの取り組みが行われてきた。しかしながら、これらの方法は、例えば、活性領域へのＭｇの拡散によって影響を受けるＥＳＤ耐久性またはＥＳＤ堅牢性などのコンポーネントの他のコンポーネント特性との相互作用のため、非常に複雑である。また、特にＶピット内の層厚さ及びＭｇドーピングレベルを容易に特徴付けることができないため、コンポーネントの大量生産における再現性の点でも非常に複雑である。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

１つの目的は、効率が向上したコンポーネント、特に電荷キャリア分布が改善されたＶピット強化コンポーネントを特定することである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

この目的は、独立請求項に記載のコンポーネントによって解決される。本コンポーネントのさらなる実施形態及びさらなる発展形態は、さらなる請求項の主題である。

【0006】

コンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、コンポーネントは、活性領域を含む半導体層列を有する。活性領域は、可視、紫外、または赤外スペクトル範囲の電磁放射を生成するように特に構成されている。例えば、活性領域は、複数の量子障壁層と複数の量子井戸層とを有する多重量子井戸構造を有し、量子障壁層と量子井戸層とは垂直方向に沿って交互に配置される。したがって、多重量子井戸構造内及び周囲の量子層まで、任意の量子井戸層がその２つの隣接する量子障壁層の間に挟まれ得、任意の量子障壁層がその２つの隣接する量子井戸層の間に挟まれ得る。

【0007】

垂直方向とは、活性領域の主表面または半導体層列の主表面に対して特に垂直な方向を意味すると理解される。とりわけ、垂直方向は、コンポーネントのエピタキシャル成長した半導体層列の成長方向に平行である。横方向とは、活性ゾーンの主表面または半導体層列の主表面に平行に延びる方向を意味すると理解される。垂直方向と横方向とは互いに垂直である。

【0008】

活性領域は、コンポーネントのｐ側とｎ側との間、例えば、半導体層列のｐ導電型、すなわちｐ側半導体層と、半導体層列のｎ導電型、すなわちｎ側半導体層との間にある。半導体層列は、特に、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料をベースとしている。半導体層列は、化学元素周期表の第３主族からの少なくとも１つまたは複数の元素と第５主族からの少なくとも１つまたは複数の元素とを有するＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料をベースとしている。さらに、半導体層列がＩＩ－ＶＩ族化合物半導体材料をベースとすることも可能である。例えば、コンポーネントは、発光ダイオード（ＬＥＤ）などの光電子コンポーネントである。

【0009】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、少なくとも１つまたは複数の凹部が、ｐ側に面する活性領域の領域、すなわちｐ側半導体層の側に形成される。コンポーネントのｐ側からｎ側に向かう方向に、凹部の横断面は減少する。断面図では、凹部は例えばＶ字形である。例えば、凹部は、例えば六角形の横断面及び６つのファセットを含む逆ピラミッド、逆角錐台、逆円錐、または円錐台の形状を有する。１つまたは複数の凹部は、１つまたは複数のＶピットによって形成することができる。半導体層列におけるそのようなＶピットは、エピタキシプロセスにおける成長速度、エピタキシ反応器内の温度または圧力、及び／またはドーパントの種類及び濃度などの適切な成長パラメータ及び／または、例えば、半導体層列の個々の層におけるＩＩＩ－ＶまたはＩＩ－ＶＩの材料比に関する材料組成を調整することによって生成することができる。

【0010】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、活性領域は、半導体層列のｃ面と実質的に平行に延びる主表面を有する。特に、活性領域の主表面はｃ面である。ｃ面、すなわち（０００１）面は、ｃ方向を有する、すなわち＜０００１＞結晶方位を有する結晶面を意味すると理解される。半導体層列は、基板、具体的には成長用基板の前面にエピタキシャルに被着させることができる。例えば、成長用基板の前面はｃ面である。半導体層列の層がＣ面である基板の前面上にエピタキシャルに堆積される場合、半導体層列の各層は一般に＜０００１＞配向を示す。したがって、半導体層列の層は、主表面として、ｃ面、すなわち（０００１）面を有することができる。

【0011】

コンポーネントの少なくとも１つの実施形態では、これは、ｐ側半導体層、ｎ側半導体層、及びそれらの間にある活性領域を備える半導体層列を有する。活性領域は、複数の量子障壁層及び量子井戸層を備える多重量子井戸構造を有し、量子障壁層と量子井戸層とは垂直方向に沿って交互に配置される。活性領域は、活性領域の主表面に対して斜めに延びるファセットを有する少なくとも１つの凹部を備え、凹部はｐ側半導体層に向かって開いており、少なくとも凹部内で、量子障壁層が、ｎドープされており、一定でないドーピングプロファイルを有していて、コンポーネントの動作中に、ｎ側半導体層からｐ側半導体層に向かって、負に帯電した電荷キャリアの輸送が、一定でないドーピングプロファイルによって増加するようにする。

【0012】

特に、量子障壁層は、例えばＳｉでｎドープされる。本開示では、明示的に別段の記載がない限り、ドーパント濃度はｎ型ドーパント濃度を指すものとする。量子障壁層が高いドーパント濃度、例えば高いＳｉドーパント濃度を有する場合、この量子障壁層に隣接する量子井戸層への負に帯電した電荷キャリアの注入は、より低いドーパント濃度を有する量子障壁層の場合よりも難しくなくなる。したがって、低いドーパント濃度から始めて、ｐ側半導体層に向かって垂直方向に沿ってドーパント濃度を徐々に増加させることにより、負に帯電した電荷キャリアは、全ての量子障壁層が一定の高いドーパント濃度を有する場合と比較して効果的に減速される。ドーパント濃度が低い領域からドーパント濃度が高い領域に移動すると、負に帯電した電荷キャリアの輸送が増加する。換言すれば、ｎ側半導体層からｐ側半導体層に向かって、負に帯電した電荷キャリアは、一定でないドーピングプロファイルによって移動度が増加する。

【0013】

したがって、ドーピングプロファイルが一定でないｎドープ量子障壁層を使用すると、ｐ側半導体層から注入された十分な量の正に帯電した電荷キャリアが、ｎ側半導体層に近い量子井戸層に到達して、光子の放出下で、負に帯電した電荷キャリアと再結合するのに、十分な時間がかかるようになるので、ｎ側半導体層に近い量子井戸層での発光再結合率が増加する。

【0014】

したがって、一定のドーピングプロファイルを使用するのではなく、一定でないドーピングプロファイルを使用することによって、ｐ側半導体層からの正に帯電した電荷キャリア、及びｎ側半導体層からの負に帯電した電荷キャリアが、活性領域内で非常に均一に分布するので、コンポーネントの効率を向上させることができる。この場合、電荷キャリア密度に関しては、一定でないドーピングプロファイルにより、活性領域の多重量子井戸構造全体における比較的より少ない移動正孔と、より多くの移動電子との間のバランスが改善されるという結果になる。

【0015】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、ｎ側半導体層からｐ側半導体層に向かって、量子障壁層のドーパント濃度は徐々に増加する。

【0016】

量子障壁層のドーパント濃度が徐々に増加する場合、それは必ずしも垂直方向に沿ってドーパント濃度が厳密に単調にまたは連続的に増加する必要があることを意味するわけではない。むしろ、ドーパント濃度の増加または増大は、段階的または不連続、すなわち急上昇であってもよい。さらに、例えば最大で１０％、７％、５％、３％または１％など、いくらかの変動を引き起こすいくつかの製造公差までは、ドーパント濃度は再び大きく増加する前にわずかに減少する可能性がある。ここで本開示では、特にパーセンテージで与えられる差は、被減数を指す。量子障壁層のドーパント濃度が徐々に増加する場合、活性領域内の量子障壁層の垂直位置に関してドーパント濃度の値を記述する図において、特に曲線適合が増加する。ドーパント濃度とは対照的に、曲線適合は厳密に単調に増加する可能性がある。

【0017】

一定のドーピングプロファイルを有する量子障壁層の場合と比較すると、活性領域全体にわたって、負に帯電した電荷キャリア（電子）の移動度が実質的に一定となるが、一定でないドーピングプロファイルを有する量子障壁層の場合、負に帯電した電荷キャリアは、異なる量子障壁層で異なる輸送特性を持つ。特に、電子がｎ側半導体層から活性領域に注入されるとき、ｎ側半導体層に近い量子障壁層内のドーパント濃度が低いため、電子は、最初は、移動度が低い、または輸送が少ない。ｎ側半導体層からの距離が増すにつれて、量子障壁層のドーパント濃度が増加し、その結果、電子の移動度または輸送が増加する。したがって、光子の放出下での発光再結合は、活性領域の全ての量子井戸層全体にわたってより均一に発生する可能性がある。

【0018】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、活性領域は、活性領域の主表面に対して斜めに延びるファセットを有する複数の凹部を備え、凹部はｐ側半導体層に向かって開いている。凹部は、例えばＶピットとして形成される。具体的には、複数の凹部のそれぞれにおいて、量子障壁層は、ｎドープされており、一定でないドーピングプロファイル、例えば本開示で説明する一定でないドーピングプロファイルのいずれかを有している。例えば、製造公差まで、量子障壁層は、異なる凹部で同じ一定でないドーピングプロファイルを有する。

【0019】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、量子障壁層は複数のサブグループに分けられる。例えば最大で１０％、７％、５％、３％、または最大で１％の製造公差まで、同じサブグループの量子障壁層は同じドーパント濃度を有することができる。また一方、異なるサブグループの量子障壁層は、異なるドーパント濃度を有することができる。

【0020】

例えば、異なるサブグループのドーパント濃度または平均ドーパント濃度は、互いに少なくとも３％、５％、７％、１０％、１５％、２０％、または少なくとも２５％だけ異なり、例えば３％以上３５％以下、３％以上３０％以下、３％以上２５％以下、３％以上２０％以下、３％以上１５％以下、３％以上１５％以下、または３％以上１０％以下の範囲で異なる。とりわけ、ｎ側半導体層までの垂直距離がより大きいサブグループの量子障壁層は、ｎ側半導体層までの垂直距離がより短いサブグループの量子障壁層よりもドーパント濃度が高い。

【0021】

例えば、各サブグループは、少なくとも２、３、５または７の量子障壁層、例えば２以上１０以下、例えば２以上５以下の量子障壁層を含むことがある。いくつかのサブグループの量子障壁層の数が１０を超えること、またはいくつかの特殊な場合ではちょうど１であることも可能である。１つのサブグループの量子障壁層の数が１を超える場合、このサブグループのドーパント濃度の増加または増大は、サブグループの量子障壁層ごとに個別に発生するのではなく、グループで発生する可能性がある。

【0022】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、量子障壁層の各サブグループは平均ドーパント濃度を有し、ｎ側半導体層からｐ側半導体層に向かって、異なるサブグループの平均ドーパント濃度は徐々に増加する。換言すれば、ｎ側半導体層までの垂直距離がより大きいサブグループの量子障壁層の平均ドーパント濃度は、ｎ側半導体層までの垂直距離がより小さいサブグループの量子障壁層の平均ドーパント濃度よりも大きい。

【0023】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、量子障壁層は、ｐ側量子障壁層とｎ側量子障壁層とに分けられる。例えば最大で１０％、７％、５％、３％、または最大で１％の製造公差まで、ｐ側量子障壁層は同じドーパント濃度を有することができる。特に、ｐ側量子障壁層のうちの１つは、例えば活性領域全体において、全ての量子障壁層の中で最も高いドーパント濃度を有する。活性領域の外側では、本コンポーネントの半導体層列は、より高いドーパント濃度を有することがある正孔障壁構造などの障壁構造を備えることが可能である。通常、超格子構造の形態を有する、そのような障壁構造は、本コンポーネントの活性領域内の量子障壁層として考慮されないものとする。ｐ側量子障壁層は、ｐ側半導体層とｎ側量子障壁層との間にあり、全てのｎ側量子障壁層は、ｐ側量子障壁層よりも低いドーパント濃度を有し得る。

【0024】

例えば、多重量子井戸構造における一定でないドーピングプロファイルには、製造公差まではｐ側量子障壁層が一定のドーピングプロファイルを持つと見なされ得るので、ｐ側量子障壁層のドーパント濃度が反映されないか、または実質的に反映されない。ｐ側量子障壁層は、特に、実質的に同じドーパント濃度を有し、全ての量子障壁層の中で、ｎ側半導体層から最も離れている量子障壁層のグループによって画定される。残りの全ての量子障壁層は、ｐ側量子障壁層と比較して、ｎ側半導体層の近くに位置しており、ｎ側量子障壁層と見なすことができる。

【0025】

ｐ側量子障壁層の最高ドーパント濃度または平均ドーパント濃度は、全ての量子障壁層の基準ドーパント濃度（Ｒｅｆ）を形成することができる。このような基準ドーパント濃度を定義することによって、各量子障壁層のドーパント濃度、または量子障壁層のサブグループの平均ドーパント濃度を、この基準ドーパント濃度に対する比率で表すことができる。多重量子井戸構造の量子障壁層のドーパント濃度は、１Ｅ＋１７～５Ｅ＋１９原子／ｃｍ^３、例えば５Ｅ＋１７～５Ｅ＋１９原子／ｃｍ^３、または５Ｅ＋１７～１Ｅ＋１９原子／ｃｍ^３の間で変動し得る。ｐ側量子障壁層の最高ドーパント濃度または平均ドーパント濃度、すなわち基準ドーパント濃度は、１Ｅ＋１８～５Ｅ＋１９原子／ｃｍ^３、例えば５Ｅ＋１８～５Ｅ＋１９原子／ｃｍ^３、または５Ｅ＋１８～１Ｅ＋１９原子／ｃｍ^３であり得る。

【0026】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、ｐ側量子障壁層は、量子障壁層の基準ドーパント濃度Ｒｅｆを形成する平均ドーパント濃度を有し、ここで、各ｐ側量子障壁層のドーパント濃度は、基準ドーパント濃度Ｒｅｆとは、最大で１０％、７％、５％、３％だけ、または最大で１％だけ異なる。特に、全てのｎ側量子障壁層の平均ドーパント濃度は、０．３Ｒｅｆ以上０．８Ｒｅｆ以下、例えば０．３Ｒｅｆ以上０．７Ｒｅｆ以下、０．３Ｒｅｆ以上０．６Ｒｅｆ以下、または０．３Ｒｅｆ以上０．５Ｒｅｆ以下である。

【0027】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、多重量子井戸構造における一定でないドーピングプロファイルには、ｎ側量子障壁層の異なるドーパント濃度が反映される。具体的には、ｎ側半導体層からｐ側半導体層に向かって、ｎ側量子障壁層のドーパント濃度は徐々に増加する。例えば最大で１０％、７％、５％、３％、または最大で１％の製造公差まで、ｎ側量子障壁層のドーパント濃度を、ゼロ、０．１Ｒｅｆ、０．２Ｒｅｆ、０．３Ｒｅｆから、０．６Ｒｅｆ、０．７Ｒｅｆ、０．８Ｒｅｆ、０．９Ｒｅｆ、０．９５Ｒｅｆまで、またはさらにはＲｅｆまで増加させることができる。

【0028】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、ｎ側量子障壁層の少なくとも１つまたは少なくとも１つの第１のサブグループは、全ての量子障壁層の中で最も低いドーパント濃度を有する。例えば、ｎ側量子障壁層の第１のサブグループは、全てのサブグループの中で最も低い平均ドーパント濃度を有する。

【0029】

最低ドーパント濃度は、０．１Ｒｅｆ～０．８Ｒｅｆ、０．２Ｒｅｆ～０．８Ｒｅｆ、０．３Ｒｅｆ～０．８Ｒｅｆ、０．４Ｒｅｆ～０．８Ｒｅｆ、０．５Ｒｅｆ～０．８Ｒｅｆ、もしくは０．６Ｒｅｆ～０．８Ｒｅｆの間、または例えば０．３Ｒｅｆ～０．７Ｒｅｆ、もしくは０．４Ｒｅｆ～０．６Ｒｅｆの間であり得る。特に、全ての量子障壁層のうち、ドーパント濃度が最も低いｎ側量子障壁層、またはｎ側量子障壁層の第１のサブグループが、ｎ側半導体層の最も近くに位置する。

【0030】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、多重量子井戸構造内の全量子障壁層の少なくとも１０％、及び最大で９０％がｎ側量子障壁層である。この場合、多重量子井戸構造における一定でないドーピングプロファイルは、例えば量子障壁層のわずか１０％、２０％、３０％、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、または９０％のドーパント濃度によって実質的に記述される。多重量子井戸構造の一定でないドーピングプロファイルが、全量子障壁層の最大で７０％、８０％のドーパント濃度、または最大で９０％のドーパント濃度によって実質的に記述される場合、活性ゾーンのこの一定でないドーピングプロファイルは、量子障壁層の部分的に「チャープされた」ｎドーピングのケースと呼ばれ得る。それ以外は、多重量子井戸構造の一定でないドーピングプロファイルが、全量子障壁層の７０％、８０％を超えるドーパント濃度、または９０％を超えるドーパント濃度によって実質的に記述される場合、活性ゾーンのこの一定でないドーピングプロファイルは、量子障壁層の完全に「チャープされた」ｎドーピングのケースと呼ばれ得る。

【0031】

多重量子井戸構造内の全量子障壁層の少なくとも１０％、及び最大で７０％が、ｎ側量子障壁層であることが可能である。多重量子井戸構造内の全量子障壁層の少なくとも１０％、及び最大で５０％、または最大で４０％が、ｎ側量子障壁層であることも可能である。さらに、多重量子井戸構造内の全量子障壁層の少なくとも１０％、及び最大で３０％、または最大で２０％が、ｎ側量子障壁層であることも可能である。

【0032】

ｎ側半導体層の近くに位置する最下位量子井戸層での発光再結合に関する重大なプラスの効果が、量子障壁層内に部分的にチャープされたｎドーピング、具体的には前に１０％または２０％だけチャープされたｎドーピングの場合のシミュレーション及び実験によって観察されている。これらの効果は、より高いチャープｎドーピングによってさらに増加し、その結果、内部量子効率が向上し、ひいてはコンポーネントの効率が向上する。

【0033】

このコンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、ｎ側半導体層からｐ側半導体層に向かって、量子障壁層のドーパント濃度は、個別に、またはグループで、徐々に増加する。ここで、異なる量子障壁層、または量子障壁層の異なるサブグループは、異なるドーパント濃度を有する。このケースは、活性領域の量子障壁層に完全にまたは完璧に「チャープされた」ｎドーピングのケースと呼ばれることがある。このケースでは、一定でないドーピングプロファイルは、全ての量子障壁層によって記述される。ｐ側量子障壁層の数は、１つに減らすことができ、あるいは、例えば、ｐ側量子障壁層の総数の３０％、２０％、１０％、５％未満、または３％未満にすることができる。

【0034】

ここで、特に完全にまたは完璧にチャープされたドーピングのケースでは、量子障壁層に隣接する任意の２つのドーパント濃度、または任意の２つの隣接サブグループのドーパント濃度は、互いに少なくとも２％、３％、５％、７％、１０％、１５％、２０％、または少なくとも２５％だけ異なり、例えば、２％以上３５％以下、２％以上２５％以下、２％以上２０％以下、２％以上１５％以下、２％以上１０％以下、２％以上７％以下、または２％以上５％以下の範囲で異なり得る。チャープドーピングの全てのケースにおいて、量子障壁層の数または量子井戸層の数は、５以上５０以下、５以上４０以下、５以上３０以下、好ましくは５以上２０以下、または５以上１５以下にすることができる。例えば、量子障壁層の数または量子井戸層の数は、少なくとも５、１０、１５、または少なくとも２０である。

【0035】

コンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、凹部の外側でも、量子障壁層はｎドープされており、一定でないドーピングプロファイルを示す。特に、凹部内の一定でないドーピングプロファイルと、凹部の外側の一定でないドーピングプロファイルとは、同じ傾向を有する。製造公差まで、１つまたは複数の凹部の内側及び外側の量子障壁層は、同じ一定でないドーピングプロファイルを有することができる。

【0036】

コンポーネントの少なくとも１つの実施形態によれば、半導体層列または活性領域は、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ構造をベースとする。特に、量子障壁層は、Ｓｉでドープされる。ここで、一般に、本開示は、Ｓｉドープ量子障壁層を有するＩｎＧａＮ／ＧａＮ構造のケースにのみ限定されるものではないことを強調しておく。むしろ、半導体層列または活性領域は、別のＩＩＩ－ＶまたはＩＩ－ＶＩ化合物半導体材料をベースとしていてもよく、量子障壁層は、他の適切なドーパントを有していてもよい。

【0037】

このコンポーネントのさらなる利点、好ましい実施形態、及びさらなる発展形態は、図１Ａ～図４に関連して以下に説明される例示的な実施形態から明らかになるであろう。

【図面の簡単な説明】

【0038】

【図1A】少なくとも１つのＶピットを有するコンポーネントの例の概略図を示す。

【図1B】コンポーネントの比較例の概略図と、異なる量子井戸層における異なる発光再結合率に関するいくつかの実験結果とを示す。

【図2A】コンポーネントの例示的実施形態の概略図を示す。

【図2B】コンポーネントの比較例とコンポーネントの例示的実施形態とのいくつかの比較の概略図を示す。

【図2C】コンポーネントの比較例とコンポーネントの例示的実施形態とのいくつかの比較の概略図を示す。

【図2D】コンポーネントの比較例とコンポーネントの例示的実施形態とのいくつかの比較の概略図を示す。

【図3】コンポーネントの別の例示的実施形態の概略図を示す。

【図4】一定のドーピングプロファイルを有するコンポーネントと、一定でないドーピングプロファイルを有するコンポーネントとの比較に関するいくつかの計算結果及び実験結果を示す。

【発明を実施するための形態】

【0039】

同一要素、等価要素または同等に作用する要素は、図中では同じ参照番号で示されている。図は概略図であるため、必ずしも縮尺どおりではない。比較的小さな要素、具体的に層厚さは、より明確にする目的で、むしろ誇張して大きく示される場合がある。

【0040】

図１Ａは、半導体層列２０がその上に配置されたキャリア８を有するコンポーネント１０を示す。キャリア８は、半導体層列２０がその上にエピタキシャルに成長した成長用基板であってもよい。半導体層列２０は、ｐ側半導体層１とｎ側半導体層２との間に配置された活性領域３を有する。とりわけ、活性領域３は、コンポーネント１０の動作中に電磁放射を生成するように構成されている。

【0041】

具体的には、キャリア８は、半導体層列２０をエピタキシャル成長させるｃ面である主表面を有する成長用基板である。活性領域３は、活性領域３の主表面３０に対して斜めに延びるファセット４１を有する少なくとも１つの凹部４を備え、凹部４はｐ側半導体層１に向かって開いている。活性領域３は、複数のそのような凹部を有することがある。特に１つの凹部４の外側、または複数の凹部４の外側では、活性領域３は、ｐ側半導体層１に面する主表面３０を有する。主表面３０は、ｃ面であってもよい。

【0042】

活性領域３は、複数の量子井戸層３１と量子障壁層３２とが交互に重なる多重量子井戸構造を有する。量子井戸層３１の数は、少なくとも５であり、例えば５以上５０以下、例えば５以上３０以下、例えば１３である。量子井戸層３１及び量子障壁層３２は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体材料、例えば、それぞれＩｎＧａＮ及びＧａＮをベースとすることができる。コンポーネント１０の動作中、正に帯電した電荷キャリアｐ、すなわちｐ側半導体層１からの正孔、及び負に帯電した電荷キャリアｅ、すなわちｎ側半導体層２の方向からの電子が、活性層３に注入されて放射線を発生させる。

【0043】

さらなる半導体層７２は、キャリア８とｎ側半導体層２との間に配置される。このさらなる半導体層７２は、正孔障壁構造、遷移層、コンタクト層、またはそれらの組み合わせとして形成され得る。

【0044】

ｐ側半導体層１は、活性領域３と上部半導体層７１との間に配置される。半導体層７１は、コンタクト層として、またはコンポーネント１０の最上層として形成され得る。コンポーネント１０は、例えば活性領域３と半導体層７１との間、または活性領域３とｐ側半導体層１との間に配置される電子障壁構造５（図１Ａには示されていないが、例えば図１Ｂを参照）を備えることが可能である。図１Ｂに示すように、電子障壁構造５は、製造公差内で、例えば少なくとも所々で１つまたは複数の凹部のファセット４１に対してコンフォーマルに延びる。凹部４の外側では、障壁構造５は、その主面としてｃ面を有することができる。凹部４の領域では、活性領域３と同様に、障壁構造５は、ｃ面の配向とは異なる配向のファセットを有する。

【0045】

１つまたは複数の凹部４がある状態では、ｐ側半導体層１が１つまたは複数の凹部４内に延在するので、正に帯電した電荷キャリアｐがより効率的に活性領域３に、具体的には１つまたは複数の凹部４のファセット４１を介して様々な量子井戸層３１に注入され、正に帯電した電荷キャリアｐが垂直方向に沿ってだけでなく横方向にも沿って、異なる垂直レベルで様々な量子井戸層３１に注入され、そこで負に帯電した電荷キャリアｅと再結合することが達成され得る。特に、ファセット４１上の層厚さの減少のため、下側、すなわちｎ側の量子井戸層３１からｐ側半導体層１までの空間距離は、例えば、凹部４１の外側でｐ側半導体層１の他の領域と比べると、効果的に低減されている。

【0046】

しかしながら、図１Ｂに概略的に示すように、例えば１３個の量子井戸層３１と、一定のまたは実質的にドーピングプロファイルを有する量子障壁層３２とを有する活性領域１３の場合、色別の実験では、特に、最下位のｎ側量子井戸層３１（特に、第１の量子井戸層３１及び第２の量子井戸層３１を参照）、または最上位のｐ側量子井戸層３１（特に、第１２の量子井戸層３１及び第１３の量子井戸層３１を参照）で、異なる色Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、及びＣ５の発光再結合率は低いままであることが判明している。

【0047】

特に、第１の量子井戸層３１及び第２の量子井戸層３１、同様に第３の量子井戸層３１では、ＭＱＷ構造内の正に帯電した電荷キャリアｐの不均等な分布のため、低い発光再結合率しか達成できない。より具体的には、正孔濃度は、中間の量子井戸層から、ｎ側近くのより深い量子井戸層またはより下部の量子井戸層に向かって大幅に減少する。これは、中間の量子井戸層での発光再結合率が異常に高いためである。異なる色に対して、最も高い発光再結合率は、第４の量子井戸層３１から第１１の量子井戸層３１で得られる。したがって、ｎ側に近い最も深い３つの量子井戸層３１は、そこでの低い正孔濃度の影響を大きく受ける。また、ｐ側に近い最上位の２つの量子井戸層３１、すなわち第１のｐ側量子井戸層３１ｐとその隣の量子井戸層３１とは、ＭＱＷ構造における電荷キャリアの不均等な分布の影響を受ける。それによって、いわゆるオージェ効果によって引き起こされる強いドループ効果のために、輝度が低下するということになる。電荷キャリアの分布が不均一であるため、この影響はさらにいっそう深刻なものになる。

【0048】

例えば図２Ａに示すように、量子障壁層３２が、一定でないドーピングプロファイルＤＰを有する場合、上述の悪影響を軽減することができる。

【0049】

図２Ａによれば、量子障壁層３２は、ｐ側量子障壁層３２ｐとｎ側量子障壁層３２ｎとに分けられる。ｎ側量子障壁層３２ｎは、ｎ側半導体層２に近い最初の３つの量子井戸層３１に隣接する量子障壁層３２である。ｐ側量子障壁層３２ｐは、第４の量子井戸層３１から第１３の量子井戸層３１に隣接する量子障壁層３２である。

【0050】

図２Ａに示すように、特に、例えば最大で１０％、７％、５％、３％または１％の製造公差まで、ｐ側量子障壁層３２ｐは、基準ドーパント濃度Ｒｅｆを規定する同じドーパント濃度を有し得る。したがって、ｐ側量子障壁層３２ｐのドーピング率ＤＰは約１である。したがって、製造公差までは、ｐ側量子障壁層３２ｐは、一定のドーピングプロファイルを有する。対照的に、ｎ側量子障壁層３２ｎは、多重量子井戸構造内で一定でないドーピングプロファイルＤＰを示す。換言すれば、多重量子井戸構造における一定でないドーピングプロファイルＤＰには、ｎ側量子障壁層３２ｎの異なるドーパント濃度が反映される。

【0051】

具体的には、ｎ側半導体層２からｐ側半導体層１に向かって、ｎ側量子障壁層３２ｎのドーパント濃度は徐々に増加する。ほんの一例として、図２Ａによれば、基準ドーパント濃度に対する第１のｎ側量子障壁層３２ｎのドーピング率ＤＲは０～０．３であり、第２のｎ側量子障壁層３２ｎのドーピング率ＤＲは０．３～０．６であり、第３のｎ側量子障壁層３２ｎのドーピング率ＤＲは０．６～０．９であり、第４のｎ側量子障壁層３２ｎのドーピング率ＤＲは０．９～１である。

【0052】

特に、第１の量子井戸層３１ｎに隣接する量子障壁層３２は、０．３の平均ドーピング率ＤＲを有することができる。第２の量子井戸層３１に隣接する量子障壁層３２は０．５の平均ドーピング率ＤＲを有することができ、第３の量子井戸層３１に隣接する量子障壁層３２は０．９の平均ドーピング率ＤＲを有することができる。このような一定でないドーピングプロファイルは、量子障壁層３２、すなわちｐ側量子障壁層３２ｐの大部分が、実質的に一定のドーパント濃度を有するので、活性領域３の量子障壁層３２における部分的にチャープされたｎドーピングのケースと呼ぶことができる。実際には、各量子障壁層３２のドーパント濃度は、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）を使用して検出することができる。

【0053】

図２Ｂ、図２Ｃ、及び図２Ｄには、一定のドーピングプロファイルを有するコンポーネント１０と、一定でないドーピングプロファイルを有するコンポーネント１０との間のいくつかの比較が示されている。一定のドーピングプロファイルを有するコンポーネント１０の量子障壁層３２は、基準ドーパント濃度Ｒｅｆを有する。対照的に、一定でないドーピングプロファイルを有するコンポーネント１０の量子障壁層３２は、部分的にチャープされたｎ型ドーピングプロファイルを示す。したがって、量子障壁層３２の一部のみが異なるドーピングレベル、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮをベースとする活性領域３の場合の異なるＳｉドーピングレベルを有する。例えば、最初の３つまたは４つの量子障壁層３２のみが、異なるドーピング濃度を有する。これは、例えば図２Ａに示されている。

【0054】

図２Ｂに示すように、シミュレーションによれば、一定のドーピングプロファイルを有する基準ケースと比較して、部分的にチャープされたｎドーピングのケースでは、電子輸送は、例えば量子障壁層３２におけるチャープされたＳｉドーピングによって妨げられる。この場合、正に帯電した電荷キャリアは、より深いまたはより下部の量子井戸層３１に到達し、ｎ側半導体層２の近くのより下部の量子井戸層３１内の電子と再結合することができることになる。したがって、図２Ｂの左側に強調表示されているように、最初の３つの量子井戸層３１で発光再結合率が増加する。

【0055】

図２Ｂと比較すると、図２Ｃは同様の結果を示すが、活性領域３、特に活性領域３の様々な量子井戸層ＱＷにおける正孔濃度ＨＣに関して、すなわち正に帯電した電荷キャリアの分布に関して示す。図２Ｃは、左側に、一定のドーピングプロファイルを有する、すなわち一定の基準ドーパント濃度Ｒｅｆを有する量子障壁層３２の場合の正孔濃度の分布を示す。図２Ｃは、右側に、例えば図２Ａに示す一定でないドーピングプロファイルを有する量子障壁層３２の場合の正孔濃度の分布を示す。具体的に、多重量子井戸構造内の正孔濃度は、１Ｅ＋１８／ｃｍ^３と２．５Ｅ＋１９／ｃｍ^３との間で変化し得る。コンポーネント１０の動作中に、正孔濃度が、最初の３つのｎ側量子井戸層３１でその最大値を有する可能性がある。

【0056】

したがって、ドーピングプロファイルが一定のケースから、ドーピングプロファイルが一定でないケースに移行すると、最初の３つの量子井戸層３１での正孔濃度は大幅に増加するが、残りの量子井戸層３１での正孔濃度はほとんど変化しないか、またはわずかしか減少しない。これは、電子が減速されて、正孔がより下部のｎ側量子井戸層３２へとさらに向かわされ、その結果、より下部のｎ側量子井戸層３２における発光再結合率が高くなるという事実によるものである。したがって、電流Ｉに関して図２Ｄに示すように、コンポーネント１０の内部量子効率ＩＥの増加がもたらされる。

【0057】

図３に示すコンポーネント１０の例示的な実施形態は、図２Ａに示すコンポーネント１０の例示的な実施形態に実質的に対応する。部分的にチャープされたドーピングプロファイルを示す図２Ａと比較すると、図３によれば、コンポーネント１０の量子障壁層３２は完全にチャープされたドーピングプロファイルを示す。

【0058】

図３によれば、量子障壁層３２は、複数のサブグループ、特に４つのサブグループに分けられる。サブグループの１つは、基準ドーパント濃度Ｒｅｆを有するｐ側量子障壁層３２ｐを含むｐ側サブグループである。ｐ側量子障壁層３２ｐは、４つの量子井戸層３１、すなわち量子井戸層１０、１１、１２、及び１３に隣接する。他の３つのサブグループは、基準ドーパント濃度Ｒｅｆよりも低いドーパント濃度または平均ドーパント濃度を有するｎ側量子障壁層３２ｎを含み、ｎ側サブグループと呼ぶことができる。

【0059】

第１のｎ側サブグループは、最初の４つの量子井戸層３１、すなわち量子井戸層１、２、３、及び４に隣接するｎ側量子障壁層３２ｎを含み、約０．３Ｒｅｆの平均ドーパント濃度を有する。第２のｎ側サブグループは、４つの量子井戸層３１、すなわち同様に量子井戸層４、５、６及び７に隣接するｎ側量子障壁層３２ｎを含み、間に約０．５Ｒｅｆの平均ドーパント濃度を有する。第３のｎ側サブグループは、４つの量子井戸層３１、すなわち量子井戸層７、８、９、及び１０に隣接するｎ側量子障壁層３２ｎを含み、約０．７Ｒｅｆの平均ドーパント濃度を有する。

【0060】

例えば最大で１０％、７％、５％、３％、または最大で１％の製造公差まで、同じサブグループの量子障壁層３２が同じドーパント濃度を有することが可能である。ただし、同じサブグループの量子障壁層３２が異なるドーパント濃度を有することも可能である。図３は、右側に、一定でないドーピングプロファイルＤＰを、階段状の推移として示し、また階段状の推移の線形適合としての曲線適合として示す。

【0061】

図４は、左側に、図２Ａまたは図３に示されるコンポーネント１０の例示的な実施形態に実質的に対応するコンポーネント１０のさらなる例示的な実施形態を示すが、１から１０までの量子井戸層３１に隣接する量子障壁層３２のみが異なる。図３と同様に、チャープされた量子障壁層３２は複数のサブグループ、すなわち３つのサブグループに分けられる。比較の目的で、基準ドーパント濃度Ｒｅｆを持つ一定のドーピングプロファイルを有するコンポーネント１０のケースも示されている。

【0062】

コンポーネント１０のこの例示的な実施形態によれば、第１のサブグループは、約０．７Ｒｅｆのドーパント濃度を有する量子障壁層３２を含む。第２のサブグループは、約０．８５Ｒｅｆのドーパント濃度を有する量子障壁層３２を含む。第３のサブグループは、基準ドーパント濃度Ｒｅｆを有する量子障壁層３２を含む。

【0063】

図４は、中央に、両方のケース、すなわち、一定のドーピングプロファイルを有するコンポーネント１０のケースと、一定でないドーピングプロファイルを有するコンポーネント１０のケースとについて、１から１０までの異なる量子井戸層における発光再結合率ＲＲを示す。

【0064】

図４に示すように、両方のケースの量子井戸層５及び６における発光再結合率はほぼ等しいが、一定でないドーピングプロファイルを有するコンポーネント１０は、より下部のｎ側量子井戸層１、２、３及び４でより高い発光再結合率を有し、より高いｐ側量子井戸層７、８、９及び１０でより低い発光再結合率を有する。これは、一定でないドーピングプロファイルを有するコンポーネント１０の場合、荷電キャリア分布が活性領域３全体にわたってより高度に均一化されていることを示している。これにより、図４の右側に明示的に示されているように、一定でないドーピングプロファイルを有するコンポーネント１０の内部量子効率ＩＱＥが約０．４５～０．５％増加することになる。

【0065】

したがって、ＭＱＷ構造の正孔分布を改善する１つの可能性として、本開示によれば、正孔をより下部のＱＷへさらに深く流入させるようにするために、特にｎ側量子障壁層における電子輸送を部分的に悪化させることが提案されている。これは、活性領域内の量子障壁層に部分的または完全にチャープされたｎドーピングを行うことで実現され得る。特に、Ｖピット強化ＩｎＧａＮ／ＧａＮ ＬＥＤ構造の場合、量子障壁層にＳｉをｎドープして、余分な電圧をかけずに、ｃ面を介した電子の輸送を行うことができる。

【0066】

一定のドーピングレベル、例えばＭＱＷ構造内の各ＱＢでの一定のＳｉドーピングレベルというやり方を変えて、一定でないチャープドーピングプロファイルが提案されている。具体的には、量子障壁層内のドーピングレベルまたはドーパント濃度が、ｎ側半導体層からｐ側半導体層に向かって徐々に増加するものとする。これは、量子障壁層を部分的または完全にチャープドーピングすることによって実現され得る。この結果として、特に量子障壁層内のチャープＳｉドーピングにより、電子の輸送が効果的に妨げられ、または速度を落とされることになる。この場合、正に帯電した電荷キャリアは、ｎ側活性領域のより深くまで輸送され、ｎ側半導体層近くのより低いまたはより深いＱＷで電子と再結合することができるため、コンポーネントの発光再結合率及び内部量子効率が増加する。この効果はシミュレーション及び実験の両方で証明されている。さらに、電子輸送を調整することによって正孔分布を調整するアプローチは、正孔分布を調整するためにｐ側成長条件を変更するよりも、はるかに柔軟であることが判明している。

【0067】

本発明は、例示的な実施形態を参照して行われた本発明の説明によって、例示的な実施形態に限定されるものではない。本発明は、むしろ、この特徴またはこの組み合わせ自体が特許請求の範囲または例示的な実施形態に明示的に示されていなくても、特に特許請求の範囲における特徴の任意の組み合わせを含む、任意の新規な特徴及び特徴の任意の組み合わせを含むものである。

【符号の説明】

【0068】

１０ コンポーネント
１ ｐ側半導体層
２ ｎ側半導体層
３ 活性領域
３０ 活性領域の主表面
３１ 量子井戸層
３１ｎ 第１のｎ側量子井戸層
３１ｐ 第１のｐ側量子井戸層
３２ 量子障壁層
３２ｎ ｎ側量子障壁層
３２ｐ ｐ側量子障壁層
４ 凹部／Ｖピット
４１ 凹部のファセット
７１ 最上層／コンタクト層
７２ 障壁構造／遷移層／コンタクト層
８ キャリア／基板／成長用基板
ｅ 負に帯電した電荷キャリア
ｐ 正に帯電した電荷キャリア
Ｃ１ 第１の色
Ｃ２ 第２の色
Ｃ３ 第３の色
Ｃ４ 第４の色
Ｃ５ 第５の色
ＲＲ 発光再結合率
ＱＢ 量子障壁
ＱＷ 量子井戸層
ＤＰ ドーピングプロファイル
ＤＲ 基準ドーパント濃度に対するドーピング率
Ｒｅｆ 基準ドーピング
Ｃｒｄ チャープドーピング
ＨＣ 正に帯電した電荷キャリアの濃度、正孔濃度
Ｉ 電流
ＩＥ 内部効率
ＩＱＥ 内部量子効率

【図1A】

【図1B】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図2D】

【図3】

【図4】