特許 7532675 表示装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-02

(45)【発行日】2024-08-13

(54)【発明の名称】表示装置

(51)【国際特許分類】

   G09F 9/30 20060101AFI20240805BHJP

   G02F 1/1333 20060101ALI20240805BHJP

   G02F 1/1335 20060101ALI20240805BHJP

   H10K 59/65 20230101ALI20240805BHJP

   H10K 59/121 20230101ALI20240805BHJP

   H10K 50/818 20230101ALI20240805BHJP

   H10K 50/86 20230101ALI20240805BHJP

   H10K 50/85 20230101ALI20240805BHJP

【ＦＩ】

G09F9/30 349Z

G09F9/30 365

G02F1/1333

G02F1/1335 520

H10K59/65

H10K59/121

H10K50/818

H10K50/86 865

H10K50/85

【請求項の数】 19

(21)【出願番号】P 2023544911

(86)(22)【出願日】2021-09-02

(86)【国際出願番号】 JP2021032290

(87)【国際公開番号】W WO2023032122

(87)【国際公開日】2023-03-09

【審査請求日】2023-11-06

(73)【特許権者】

【識別番号】520487808

【氏名又は名称】シャープディスプレイテクノロジー株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002848

【氏名又は名称】弁理士法人ＮＩＰ＆ＳＢＰＪ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】山中 成継

【審査官】小野 博之

(56)【参考文献】

【文献】特開２０２０－０３５３２７（ＪＰ，Ａ）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０２００５９６（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／０２７９０９０（ＵＳ，Ａ１）

【文献】米国特許出願公開第２０２０／００６６８０９（ＵＳ，Ａ１）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｇ０９Ｆ ９／００－９／４６

Ｇ０２Ｆ １／１３－１／１４１

１／１５－１／１９

Ｈ０５Ｂ ３３／００－３３／２８

４４／００

４５／６０

Ｈ１０Ｋ ５０／００－９９／００

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

撮像素子を含む第１層と、
前記第１層よりも上層に位置し、上方から入射した光を下方の前記撮像素子に導く導光素子を含む第２層と、
前記第２層よりも上層に位置し、画素電極および前記画素電極に接続して前記画素電極の電位を制御する画素回路を含む第３層と、を備え、
前記第３層は、それぞれ複数の前記画素回路および複数の前記画素電極が配置された、第１領域と第２領域とを有し、
前記第１領域における前記画素回路の密度は、前記第２領域における前記画素回路の密度よりも小さく、
前記撮像素子および前記導光素子は、上方から見る平面視で前記第１領域と重畳するように配置され、
前記導光素子は、上方から見る平面視で、前記第１領域のうちの複数の前記画素回路および複数の前記画素電極と重畳しない位置に配置され前記導光素子は複数であり、
前記第２層はさらに、複数の前記導光素子の各間に配置され、前記導光素子から入射した光を吸収または反射する境界部を含み、
前記第３層はさらに、光を吸収または反射する複数の配線を含み、
前記境界部は、前記第１領域における前記配線の全部と重畳する、表示装置。

【請求項2】

前記画素電極は、光を反射する反射電極であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。

【請求項3】

前記画素回路は、光を反射または吸収する配線または電極を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。

【請求項4】

前記境界部は、前記導光素子よりも屈折率が高い透明材料、または光を吸収または反射する遮光材料から成る請求項１～３の何れかにに記載の表示装置。

【請求項5】

上方から見る平面視で、前記第１領域における複数の前記画素回路のうち隣り合う２つの画素回路の間隔は、当該２つの画素回路の間に配置された前記導光素子の径の１０倍よりも大きい請求項４に記載の表示装置。

【請求項6】

前記第２層はさらに、遮光領域を含み、
前記遮光領域は、上方から見る平面視で、前記第１領域のうちの複数の前記画素回路および複数の前記画素電極と重なる位置に配置され、かつ、上方から入射した光を吸収または反射する請求項４または５に記載の表示装置。

【請求項7】

前記遮光領域は、上方から見る平面視で、前記第１領域のうちの全ての前記画素回路および全ての前記画素電極と重なる位置に配置される請求項６に記載の表示装置。

【請求項8】

撮像素子を含む第１層と、
前記第１層よりも上層に位置し、上方から入射した光を下方の前記撮像素子に導く導光素子を含む第２層と、
前記第２層よりも上層に位置し、画素電極および前記画素電極に接続して前記画素電極の電位を制御する画素回路を含む第３層と、を備え、
前記第３層は、それぞれ複数の前記画素回路および複数の前記画素電極が配置された、第１領域と第２領域とを有し、
前記第１領域における前記画素回路の密度は、前記第２領域における前記画素回路の密度よりも小さく、
前記撮像素子および前記導光素子は、上方から見る平面視で前記第１領域と重畳するように配置され、
前記導光素子は、上方から見る平面視で、前記第１領域のうちの複数の前記画素回路および複数の前記画素電極と重畳しない位置に配置され前記導光素子は複数であり、
前記第２層はさらに、複数の前記導光素子の各間に配置され、前記導光素子から入射した光を吸収または反射する境界部を含み、
前記第２層はさらに、遮光領域を含み、
前記遮光領域は、上方から見る平面視で、前記第１領域のうちの複数の前記画素回路および複数の前記画素電極と重なる位置に配置され、かつ、上方から入射した光を吸収または反射し、
前記遮光領域は、上方から見る平面視で、前記第１領域のうちの全ての前記画素回路および全ての前記画素電極と重なる位置に配置される表示装置。

【請求項9】

前記第３層はさらに、光を吸収または反射する複数の配線を含み、
前記第１領域における前記配線が、前記境界部と重畳する、請求項８に記載の表示装置。

【請求項10】

前記遮光領域は、上方から見る平面視で、前記第２領域と重なる位置に配置される請求項６～９の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項11】

前記遮光領域は、光を吸収または反射する遮光材料から成る請求項６～１０の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項12】

前記境界部が、前記遮光領域と同一の遮光材料から成る請求項１１に記載の表示装置。

【請求項13】

前記境界部は、前記導光素子よりも屈折率が高い透明材料から成り、
前記遮光領域は、上記透明材料の上面を上記遮光材料が覆うことによって、形成されている請求項１１に記載の表示装置。

【請求項14】

前記境界部はさらに、前記遮光領域と前記導光素子との間に配置された請求項６～１３の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項15】

前記遮光領域は、複数であり、
互いに隣り合う２つの前記遮光領域の間に、前記導光素子は１つだけある請求項６～１４の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項16】

前記遮光領域は、複数であり、
互いに隣り合う２つの前記遮光領域の間に、前記導光素子は２つ以上ある請求項６～１４の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項17】

前記遮光領域は、前記画素回路と同一の配列様式に従って配列される請求項６～１６の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項18】

前記遮光領域は、前記撮像素子と同一の配列様式に従って配列される請求項６～１６の何れか１項に記載の表示装置。

【請求項19】

前記第３層は、前記画素電極と、共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間のエレクトロルミネッセンス層とを含む自発光素子を含む請求項１～１８の何れか１項に記載の表示装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、表示装置に関する。

【背景技術】

【0002】

表示面の背後に撮像部が設けられた表示装置が開発されている。

【0003】

特許文献１は、光を放射して表示を提供するように構成された複数の表示要素と、前記複数の表示要素の下に配置されたアパーチャ層と、前記アパーチャ層の下に配置されたコリメータ層と、前記コリメータ層の下に配置された複数の光検出要素と、を有する構成を開示している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【文献】日本国公表特許公報「特表２０１９－５１２７６２」

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

特許文献１の複数の表示要素が設けられている表示層には、複数の配線および複数の電極が設けられる。例えば、共通電極、画素電極、トランジスタの電極、画素電極とトランジスタとの間の配線、ソース信号線、ゲート信号線、および電力線などが設けられている。これらの大部分または全部は、光を遮蔽する導電体から形成されている。光を遮蔽する配線および電極によって、光は自身の波長に応じて回折し、干渉パターンを生じる。

【0006】

このような干渉パターンが重畳された撮像画像は、滲みと周期的なノイズとを含み、品位が低い。

【0007】

本開示の一態様は、表示面の背後に撮像部が設けられた表示装置において、撮像画像の品位を向上することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本開示に係る表示装置は、撮像素子を含む第１層と、前記第１層よりも上層に位置し、上方から入射した光を下方の前記撮像素子に導く導光素子を含む第２層と、前記第２層よりも上層に位置し、画素電極および前記画素電極に接続して前記画素電極の電位を制御する画素回路を含む第３層と、を備える構成である。

【0009】

本開示に係る表示装置は、前記画素電極は、光を反射する反射電極である構成であってよい。

【0010】

本開示に係る表示装置は、前記画素回路は、光を反射または吸収する配線または電極を含む構成であってよい。

【0011】

本開示に係る表示装置は、前記第２層の上面は、前記第３層と接する構成であってよい。

【0012】

本開示に係る表示装置は、前記第３層は、それぞれ複数の前記画素回路および複数の前記画素電極が配置された第１領域と第２領域とを有し、前記第１領域における前記画素回路の密度は、前記第２領域における前記画素回路の密度よりも小さく、前記撮像素子および前記導光素子は、上方から見る平面視で前記第１領域と重畳するように配置された構成であってよい。

【0013】

本開示に係る表示装置は、前記導光素子は、上方から見る平面視で、前記第１領域のうちの複数の前記画素回路および複数の前記画素電極と重畳しない位置に配置された構成であってよい。

【0014】

本開示に係る表示装置は、前記導光素子は複数であり、前記第２層はさらに、複数の前記導光素子の各間に配置され、前記導光素子から入射した光を吸収または反射する境界部を含む構成であってよい。

【0015】

本開示に係る表示装置は、前記境界部は、前記導光素子よりも屈折率が高い透明材料、または光を吸収または反射する遮光材料から成る構成であってよい。

【0016】

本開示に係る表示装置は、前記第３層はさらに、光を吸収または反射する複数の配線を含み、前記第１領域における前記配線が、前記境界部と重畳する構成であってもよい。

【0017】

本開示に係る表示装置は、前記第３層はさらに、光を吸収または反射する複数の配線を含み、前記境界部は、前記第１領域における前記配線の少なくとも一部と重畳する構成であってよい。

【0018】

本開示に係る表示装置は、前記境界部は、前記第１領域における前記配線の全部と重畳する、構成であってよい。

【0019】

本開示に係る表示装置は、上方から見る平面視で、前記第１領域における複数の前記画素回路のうち隣り合う２つの画素回路の間隔は、当該２つの画素回路の間に配置された前記導光素子の径の１０倍よりも大きい構成であってよい。

【0020】

本開示に係る表示装置は、前記第２層はさらに、遮光領域を含み、前記遮光領域は、上方から見る平面視で、前記第１領域のうちの複数の前記画素回路および複数の前記画素電極と重なる位置に配置され、かつ、上方から入射した光を吸収または反射する構成であってよい。

【0021】

本開示に係る表示装置は、前記遮光領域は、上方から見る平面視で、前記第１領域のうちの全ての前記画素回路および全ての前記画素電極と重なる位置に配置される構成であってもよい。

【0022】

本開示に係る表示装置は、前記遮光領域は、上方から見る平面視で、前記第２領域と重なる位置に配置される構成であってもよい。

【0023】

本開示に係る表示装置は、前記遮光領域は、光を吸収または反射する遮光材料から成る構成であってよい。

【0024】

本開示に係る表示装置は、前記境界部が、前記遮光領域と同一の遮光材料から成る構成であってよい。

【0025】

本開示に係る表示装置は、前記境界部は、前記導光素子よりも屈折率が高い透明材料から成り、前記遮光領域は、上記透明材料の上面を上記遮光材料が覆うことによって、形成されている構成であってよい。

【0026】

本開示に係る表示装置は、前記境界部はさらに、前記遮光領域と前記導光素子との間に配置された構成であってよい。

【0027】

本開示に係る表示装置は、前記遮光領域は、複数であり、互いに隣り合う２つの前記遮光領域の間に、前記導光素子は１つだけある構成であってよい。

【0028】

本開示に係る表示装置は、前記遮光領域は、複数であり、互いに隣り合う２つの前記遮光領域の間に、前記導光素子は２つ以上ある構成であってよい。

【0029】

本開示に係る表示装置は、前記遮光領域は、前記画素回路と同一の配列様式に従って配列される構成であってよい。

【0030】

本開示に係る表示装置は、前記遮光領域は、前記撮像素子と同一の配列様式に従って配列される構成であってよい。

【0031】

本開示に係る表示装置は、前記第３層は、前記画素電極と、共通電極と、前記画素電極と前記共通電極との間のエレクトロルミネッセンス層とを含む自発光素子を含む構成であってよい。

【0032】

本開示に係る表示装置は、前記第３層は、液晶をさらに含むこうせいであってよい。

【0033】

本開示に係る表示装置は、前記第１層は、前記撮像素子が複数設けられたカメラまたは画像センサを含む構成であってよい。

【発明の効果】

【0034】

本開示の一態様によれば、撮像画像の品位を向上することを目的とする。

【図面の簡単な説明】

【0035】

【図1】本開示の実施形態に係る表示装置の概略構成の一例を示す平面図である。

【図2】図１に示した表示装置の概略構成の一例を示す部分断面図である。

【図3】図２に示した表示層における、第１領域と第２領域との境界近傍の一例を示す部分平面図である。

【図4】撮像層と表示層との間に導光層が無い比較例の表示装置における透過光を示す部分断面図である。

【図5】撮像層と表示層との間に導光層がある本開示の実施形態に係る表示装置における透過光を示す部分断面図である。

【図6】図２に示した遮光パターンに対応する導光層の好適例を示す部分平面図である。

【図7】図５に示した境界部を、図２に示した遮光パターンに重畳して示す部分平面図である。

【図8】図５に示した境界部に追加の境界部をさらに設けた構成の一例を、図２に示した遮光パターンに重畳して示す部分平面図である。

【図9】図２に示した遮光パターンに対応する導光層の別の好適例を示す部分平面図である。

【図10】図８に示した境界部を、図２に示した遮光パターンに重畳して示す部分平面図である。

【図11】図１に示した表示層の変形例における、第１領域と第２領域との境界近傍を示す部分平面図である。

【図12】図１０に示した遮光パターンに対応する導光層の好適例を示す部分平面図である。

【図13】図１１に示した境界部を、図１０に示した遮光パターンに重畳して示す部分平面図である。

【図14】本開示の別の実施形態に係る表示装置の概略構成の一例を示す部分断面図である。

【図15】図１３に示した表示層における第１領域を示す部分平面図である。

【図16】本開示の別の実施形態に係る表示装置の概略構成の一例を示す部分断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0036】

〔実施形態１〕
（表示装置の平面構成）
図１は、実施形態１の表示装置１００の概略構成の一例を示す平面図である。

【0037】

表示装置１００は、表示画素ＤＰが設けられている表示領域ＤＡと、表示画素ＤＰが設けられない額縁領域ＮＡと、を備える。額縁領域ＮＡは、表示領域ＤＡを囲む。表示領域ＤＡは、その背後に撮像素子が設けられる低密度領域（第１領域）ＬＡと、その背後に撮像素子が設けられない高密度領域（第２領域）ＨＡと、を備える。本実施形態に係る低密度領域ＬＡには、高密度領域ＨＡよりも画素密度が小さいように、表示画素ＤＰが間引き配置されている。そして、平面視において低密度領域ＬＡと重畳するように、表示装置１００の裏面に撮像素子を含むカメラまたは画像センサなどの撮像層１（図２参照）が備えられている。

【0038】

なお、図１は、低密度領域ＬＡが表示装置１００の中央部分に設けられている一例を示すが、これに限定されることはなく、低密度領域ＬＡは、例えば、表示装置１００の端部近く、すなわち、表示領域ＤＡの端部近くに設けられていてもよい。

【0039】

また、本実施形態においては、低密度領域ＬＡが四角形状で設けられている場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはなく、低密度領域ＬＡの形状は、例えば、円形状や楕円形状などであってもよく、その形状は適宜決定することができる。

【0040】

表示装置１の表示領域ＤＡには、複数の表示画素ＤＰが備えられており、各表示画素ＤＰは、それぞれ、緑色サブ表示画素ＤＰｇおよび赤色サブ表示画素ＤＰｒを含むか、または、緑色サブ表示画素ＤＰｇおよび青色サブ表示画素ＤＰｂを含む（図３参照）。本実施形態においては、１つの表示画素ＤＰが、２つのサブ表示画素で構成される場合を一例に挙げて説明するが、これに限定されることはない。例えば、１つの表示画素ＤＰは、赤色サブ表示画素、緑色サブ表示画素及び青色サブ表示画素など３つ以上のサブ表示画素で構成されても、１つのサブ画素のみで構成されてもよい。

【0041】

サブ表示画素は各々、１つの画素回路ＰＣと１つ以上の自発光素子ＥＳとを備える。画素回路ＰＣは、対応する自発光素子ＥＳの発光を制御する。本開示では説明の簡単化のために、サブ表示画素が１つの自発光素子ＥＳを備える例について説明する。

【0042】

サブ表示画素の個数および分布は、表示画素ＤＰの個数および分布に対応する。したがって、低密度領域ＬＡにおけるサブ表示画素、画素回路ＰＣおよび自発光素子ＥＳの密度は、高密度領域ＨＡにおけるサブ表示画素、画素回路ＰＣおよび自発光素子ＥＳの密度よりも小さい。

【0043】

表示装置１００は、例えば、額縁領域ＮＡのｘ方向端部にソース駆動回路ＳＤを備え、額縁領域ＮＡのｙ方向端部にゲート駆動回路ＧＤを備えてよい。ソース駆動回路ＳＤおよびゲート駆動回路ＧＤのそれぞれから、複数の表示画素ＤＰのそれぞれに接続される複数の配線（不図示）が設けられる。本開示において、表示装置１００の表示面に直交する方向をｚ方向とし、表示面に平行な面をｘｙ面とする。

【0044】

（表示装置の断面構成）
図２は、図１に示した表示装置１００の低密度領域ＬＡにおける概略構成の一例を示す部分断面図である。

【0045】

図２に示すように、表示装置１００は、撮像画素ＩＰ（撮像素子）を含む撮像層１（第１層）と、撮像層１よりも上層（図１の右側）に位置し、上方（図１の右方）から入射した光を下方（図１の左方）の撮像画素ＩＰに導く導光素子２２を含む導光層２（第２層）と、導光層２よりも上層（図１の右側）に位置し、表示画素ＤＰを含む表示層３（第３層）とを備える。表示画素ＤＰは、後述するように、画素回路ＰＣと画素電極５２を有する自発光素子ＥＳとを含む。

【0046】

本開示において「光」は、そうではないと述べている場合を除いて、撮像層１が撮像に利用する波長領域の光を意味する。本開示における「光」は、例えば、撮像層１が赤外線カメラまたは赤外線画像センサを含む場合に赤外線を意味し、撮像層１が可視光カメラまたは可視光画像センサを含む場合に可視光を意味する。また、本開示において「遮蔽」および「遮光」は、そうではないと述べている場合を除いて、光の吸収および反射の少なくとも一方を意味する。

【0047】

本開示において、撮像層１の下面１ａおよび上面１ｂと、導光層２の下面２ａおよび上面２ｂと、表示層３の下面３ａおよび上面３ｂとは、互いに平行である。撮像層１に機械的負荷が加わらないように、また、光学系の調整のために撮像層１の位置を調整可能なように、撮像層１の上面１ｂは、導光層２から離れていることが好ましい。一方、導光層２と表示層３の間で回折および干渉が生じることを防止するために、導光層２の上面２ｂは、表示層３に近いことが好ましく、接することが特に好ましい。

【0048】

（撮像層）
撮像層１は、上面１ｂに撮像画素ＩＰが複数設けられており撮像画素ＩＰに入射した光に基づいて画像を取得するように構成されている。撮像画素ＩＰに十分な光が入射するように、撮像画素ＩＰは、ｚ方向から見る平面視で、低密度領域ＬＡと重畳するように配置されている。撮像層１は、例えば、遠赤外線カメラ、近赤外線カメラ、および可視光カメラなどのカメラを含んでも、指静脈認証センサ、網膜センサなどの画像センサを含んでもよい。

【0049】

（導光層）
導光層２は、導光素子２２を複数備える。撮像画素ＩＰに十分な光が入射するように、導光素子２２は、ｚ方向から見る平面視で、低密度領域ＬＡと重畳するように配置されている。表示画素ＤＰによって回折した光が撮像画素ＩＰに入射しないように、導光素子２２は、ｚ方向から見る平面視で、低密度領域ＬＡのうちの表示画素ＤＰと重畳しない位置に配置されている。以降、低密度領域ＬＡにおける表示画素ＤＰの画素回路ＰＣおよび画素電極５２が設けられていない領域を開口領域Ｑと称する。換言すると、導光素子２２には、導光素子２２が開口領域Ｑに重畳するように、配置されている。

【0050】

導光素子２２は、上方から導光素子２２へ入射した光を下方に導くように、透明材料から形成される。透明材料は、例えば、ポリイミドおよびアクリルなどの有機材料と、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、および酸窒化シリコン膜、アルミナなどの無機材料とを含む。

【0051】

図２に示す例において導光層２はさらに、遮光領域２４を複数備える。表示画素ＤＰによって回折した光が撮像画素ＩＰに入射しないように、遮光領域２４は、ｚ方向から見る平面視で、低密度領域ＬＡのうちの表示画素ＤＰ（の画素回路ＰＣおよび画素電極５２）と重畳する位置に配置されている。以降、低密度領域ＬＡにおける表示画素ＤＰの画素回路ＰＣおよび画素電極５２が設けられている領域を画素領域Ｒと称する。換言すると、遮光領域２４は、遮光領域２４が画素領域Ｒに重畳するように、配置されている。遮光領域２４は加えて、開口領域Ｑのうちの光が回折しやすい部分、例えば、信号配線が密集している部分などにも配置されてよい。

【0052】

遮光領域２４は、上方から遮光領域２４へ入射した光を遮蔽するように、光反射材料および光吸収材料を含む遮光材料から成る。光反射材料は、光を反射し、反射電極および配線に用いられる金属材料であってよく、例えば、銀（Ａｇ）合金、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）などを含む。光吸収材料は、光を吸収し、例えば、カーボン、シリコンなどを含む。

【0053】

図２に示す例において導光層２はさらに、導光素子２２の各間に配置される境界部２６を備える。境界部２６は、導光素子２２から境界部２６へ入射した光を吸収または反射するように、導光素子２２よりも屈折率が高い透明材料、あるいは遮光材料から成る。境界部２６はさらに、導光素子２２と遮光領域２４との間に配置されてもよく、導光素子２２および遮光領域２４の全体を平面視で囲むように配置されてもよい。

【0054】

遮光領域２４と境界部２６とは、一体に形成されてもよい。例えば、遮光領域２４と境界部２６とが同一の遮光材料から同時に形成されてもよい。例えば、境界部２６が導光素子２２よりも屈折率が高い透明材料から形成される場合に、遮光領域２４は、当該透明材料の上面を遮光材料が覆うことによって形成されてもよい。

【0055】

これらにより、導光素子２２は、上面２ｂに入射した光を、下面２ａに導く光ファイバのように機能する。したがって、光が導光層２を通過する間の回折および干渉が低減される。前述のように、撮像画素ＩＰは低密度領域ＬＡと重畳し、導光素子２２は開口領域Ｑと重畳し、遮光領域２４は画素領域Ｒと重畳し、開口領域Ｑは低密度領域ＬＡにおける表示画素ＤＰが設けられていない領域であり、画素領域Ｒは低密度領域ＬＡにおける表示画素ＤＰが設けられている領域である。このため、開口領域Ｑと重畳する撮像素子ＩＰには、導光素子２２を通過した光が入射する。一方、画素領域Ｒと重畳する撮像素子ＩＰには、遮光領域２４によって遮光されるため、光が入射しない。

【0056】

（表示層）
表示層３は、上面３ｂに画像を表示するように表示画素ＤＰが設けられており、低密度領域ＬＡと高密度領域ＨＡとを有する。高密度領域ＨＡには、撮像層を内蔵しない通常の表示装置の表示領域と同等の密度で、表示画素ＤＰが配置されている。一方、低密度領域ＬＡには、撮像画素ＩＰに十分量の光が入射するように、高密度領域ＨＡよりも小さい密度で表示画素ＤＰが配置されている。したがって、低密度領域ＬＡにおける画素回路ＰＣおよび画素電極５２の密度は、高密度領域ＨＡにおける画素回路ＰＣおよび画素電極５２の密度よりも小さい。

【0057】

表示層３は、下面３ａから上面３ｂに向って、下面フィルム１０と、バリア層１２と、薄膜トランジスタ層４と、発光素子層５と、封止層６と、上面フィルム１４とをこの順に有する。

【0058】

下面フィルム１０および上面フィルム１４は、透光性であり、薄膜トランジスタ層４および発光素子層５が機械的に損傷することを防ぐ層である。

【0059】

バリア層１２および封止層６は、透光性であり、水、酸素等の異物が薄膜トランジスタ層４および発光素子層５に侵入することを防ぐ層である。

【0060】

薄膜トランジスタ層４は、遮光性の導電層４１と、遮光性の半導体層４２と、透光性の絶縁層４３とを含む積層体である。導電層４１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。半導体層４２は、例えば、アモルファスシリコン（ａ‐Ｓｉ）、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）、ＩｎＧａＺｎＯ系酸化物半導体など酸化物半導体によって構成される。

【0061】

薄膜トランジスタ層４は、画素回路ＰＣ（図２参照）を形成する。

【0062】

発光素子層５は、複数の画素電極５２と、複数の画素電極５２と対向する共通電極５４と、画素電極５２および共通電極５４の間のエレクトロルミネッセンス層５３と、を含む。

【0063】

画素電極５２は、光を反射する反射電極であり、反射性の導電層から構成される。画素電極５２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含む金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。画素電極５２は対応する画素回路ＰＣに接続されている。共通電極５４は、透光性の導電層から構成され、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zincum Oxide）等の透明金属酸化物によって構成される。画素電極５２は、自発光素子ＥＳのアノードとカソードとの何れであってもよい。共通電極５４は、画素電極５２が自発光素子ＥＳのアノードである場合に自発光素子ＥＳのカソードであり、画素電極５２が自発光素子ＥＳのカソードである場合に自発光素子ＥＳのアノードである。

【0064】

画素回路ＰＣは、対応する画素電極５２に接続し、接続した画素電極５２の電位を制御する。これによって画素回路ＰＣは、対応する自発光素子ＥＳの発光を制御する。

【0065】

エレクトロルミネッセンス層５３は、有機発光材料または量子ドットなどの無機発光材料を含む発光層を少なくとも含む。エレクトロルミネッセンス層５３は任意選択で、電荷注入層、電荷輸送層、電荷発生層、および電荷遮蔽層などの追加層を含んでもよい。

【0066】

画素電極５２と共通電極５４とエレクトロルミネッセンス層５３とは、表示画素ＤＰに含まれる自発光素子ＥＳを形成する。自発光素子ＥＳは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）であっても、量子ドット発光ダイオード（ＱＬＥＤ）であってもよい。

【0067】

（表示層の平面構成）
以下、図３を参照して、表示層３の平面構成、特に表示層３の遮光パターンについて説明する。

【0068】

図３は、表示層３における、低密度領域ＬＡと高密度領域ＨＡとの境界近傍の一例を示す部分平面図である。図３は、本開示への理解を容易にするために、導電層４１、半導体層４２および画素電極５２のみを示し、その他の構成要素を省略する。

【0069】

図３に示す例において、表示画素ＤＰはペンタイル配列で配置されている。表示画素ＤＰの半数は緑色サブ表示画素ＤＰｇと赤色サブ表示画素ＤＰｒとの組合せから成り、表示画素ＤＰのもう半数は、緑色サブ表示画素ＤＰｇと青色サブ表示画素ＤＰｂとの組合せから成る。これに限らず、表示画素ＤＰは、デルタ配列、ストライプ配列など他の配列様式に従って配置されてもよい。

【0070】

前述したように、低密度領域ＬＡにおける表示画素ＤＰの密度は、高密度領域ＨＡにおける表示画素ＤＰの密度よりも小さい。図３に示す例では、低密度領域ＬＡにおける表示画素ＤＰの密度は、高密度領域ＨＡにおける表示画素ＤＰの密度の１／４である。

【0071】

導電層４１は、ｘ方向に沿って延伸する配線４１ｘと、ｙ方向に沿って延伸する配線４１ｙとを含む。配線４１ｘ，４１ｙのうち低密度領域ＬＡに対応する配線は、低密度領域ＬＡおよび高密度領域ＨＡに亘って延伸する。配線４１ｘは、例えば、ソース駆動回路ＳＤからの画像データに基づく信号を各サブ表示画素に供給するソース信号線、および電源電圧を各サブ表示画素に供給する電力線などを含む。配線４１ｙは、例えば、ゲート駆動回路ＧＤからの各サブ表示画素への書き込みを制御するゲート信号を供給するゲート信号線、各サブ表示画素の発光を制御する発光信号を供給する発光信号線、および各サブ表示画素にリフレッシュ電位を供給するためのリフレッシュ電位線などを含む。

【0072】

導電層４１はさらに、画素領域Ｒに配線４１ｐを含む。配線４１ｐは、画素回路ＰＣに含まれるトランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、当該トランジスタと配線４１ｘ、４１ｙとの間を繋ぐ配線、当該トランジスタ同士の間を繋ぐ配線、当該トランジスタと画素電極５２との間を繋ぐ配線などを含む。

【0073】

半導体層４２は、画素領域Ｒに、画素回路ＰＣに含まれるトランジスタのチャネル層、当該トランジスタ同士の間を繋ぐ配線などを含む。

【0074】

画素電極５２は、赤色サブ表示画素ＤＰｒに形成される赤色画素電極５２ｒと、緑色サブ表示画素ＤＰｇに形成される緑色画素電極５２ｇと、青色サブ表示画素ＤＰｂに形成される青色画素電極５２ｂとを含む。

【0075】

したがって、導電層４１、半導体層４２および画素電極５２によって、図３に示すような遮光パターンが表示層３に形成される。遮光パターンの大部分は、画素回路ＰＣおよび画素電極５２であり、画素領域Ｒに位置する。遮光パターンの他の部分は、配線４１ｘ，４１ｙなどの画素回路ＰＣに接続される配線であり、画素領域Ｒと開口領域Ｑとの双方に位置する。

【0076】

（撮像画像の品位）
以下、図４および図５を参照して、導光層２による撮像画像の品位の向上について説明する。

【0077】

図４は、撮像層１と表示層３との間に導光層２が無い比較例の表示装置１１００における透過光Ｌ２を示す部分断面図である。図４に示す入射光Ｌ１は、光軸がｚ方向に平行な平行光である。

【0078】

図４に示すように、入射光Ｌ１は、表示層３を透過している間に、前述した表示層３に形成された遮光パターンによって一部が遮蔽される。そして、表示層３の下面３ａに到達した残りが、透過光Ｌ２となる。表示層３の下面３ａと撮像層１の上面１ｂとの間で、透過光Ｌ２は遮光パターンおよび自身の波長に応じて回折し、干渉する。この結果、撮像層１の上面１ｂで干渉パターンが生じる。

【0079】

したがって、図４に示す比較例で撮像層１の撮像画像は、表示層３も導光層２も無い場合の撮像画像（以降「本来の撮像画像」）に表示層３による干渉パターンが重畳した画像となる。このような干渉パターンが重畳された撮像画像は、滲みと周期的なノイズとを含み、品位が低い。また、このような干渉パターンを除去するデジタルフィルタ処理は、撮像画像の品位を劣化する。

【0080】

図５は、撮像層１と表示層３との間に導光層２がある本実施形態に係る表示装置１００における透過光Ｌ３を示す部分断面図である。図５に示す入射光Ｌ１は、光軸がｚ方向に平行な平行光である。

【0081】

図５に示すように、入射光Ｌ１は、表示層３を透過している間に、前述した表示層３に形成された遮光パターンによって一部が遮蔽される。そして、表示層３の下面３ａに到達した残りが、透過光Ｌ３となる。透過光Ｌ３は、表示層３の下面３ａから導光層２に入射する。導光層２の導光素子２２は、前述のように光ファイバのように機能して、透過光Ｌ３を撮像層１へ導く。一方、遮光領域２４および境界部２６は、透過光Ｌ３を遮蔽する。これらの結果、入射光Ｌ１のうち開口領域Ｑおよび導光素子Ｌ３へ入射した光のみが、撮像画像に寄与できる。

【0082】

前述のように、画素領域Ｒには、画素回路ＰＣおよび画素電極５２など遮光パターンの大部分が位置する一方、開口領域Ｑには、配線４１ｘ，４１ｙなどの遮光パターンの他の部分が位置するに過ぎない。このため、開口領域Ｑにおける遮光パターンによる干渉パターンは、画素領域Ｒにおける遮光パターンによる干渉パターンよりも軽い。さらに、導光素子２２が光ファイバのように機能するため、異なる導光素子２２を通過している光は互いに干渉しない。このため、導光層２の導光素子２２を透過光Ｌ３が通過している間、干渉パターンの成長が抑制される。

【0083】

以上の理由で、図５に示す構成による撮像画像に影響する干渉パターンは、図４に示した構成による撮像画像に影響する干渉パターンよりも軽減される。この結果、図５に示す一例での撮像層１の撮像画像は、本来の撮像画像に、軽減された干渉パターンが重畳した画像となる。したがって、図５による撮像画像は、図４による撮像画像よりも、滲みと周期的なノイズとが少なく、品位が高い。

【0084】

（実装方法）
導光層２は、種々の方法で、表示層３の下面３ａ上に実装することができる。

【0085】

例えば、導光層２に適する導光フィルムを周知の方法で製造し、続いて、表示層３の導電層４１および／または画素電極５２に対して当該導光フィルムを位置合わせして、表示層３の下面３ａ上に当該導光フィルムを貼り付けてよい。また例えば、表示層３を製造し、続いて、インクジェット印刷などの方法により、表示層３の下面３ａ上に導光層２を形成してもよい。

【0086】

あるいは、導光層２は、表示層３に内蔵されてもよい。

【0087】

例えば、下面フィルム１０および／またはバリア層１２が導光層２として働くように、下面フィルム１０および／またはバリア層１２を形成してもよい。また例えば、下面フィルム１０と薄膜トランジスタ層４との間に、導光層２として働く追加の層を形成してもよい。この追加の層は、バリア層１２および薄膜トランジスタ層４を形成する一連の成膜工程において、形成されうる。

【0088】

（導光素子の好適な配置）
以下、図６から図８を参照して、導光層２の導光素子２２の好適な配置について説明する。

【0089】

図６は、図３に示した遮光パターンに対応する導光層２の好適例を示す部分平面図である。図７は、図６に示した境界部２６を、図２に示した遮光パターンに重畳して示す部分平面図である。図８は、図６に示した境界部２６に追加の境界部２６をさらに設けた構成の一例を、図３に示した遮光パターンに重畳して示す部分平面図である。

【0090】

図６および図７に示すように、導光素子２２が開口領域Ｑに重畳し、遮光領域２４が画素領域Ｒに重畳する。この配置によって、表示画素ＤＰを透過した光は、遮光領域２４によって遮蔽され、撮像画素ＩＰに到達しない。このため、撮像層１への表示画素ＤＰによる回折および干渉の影響が低減される。一方、開口領域Ｑを透過した光は、導光素子２２によって導かれ、撮像画素ＩＰに到達する。このため、開口領域Ｑを透過した光を撮像層１が利用する効率が高い。換言すると、撮像層１の有効開口面積を大きく得ることができる。

【0091】

さらに、表示画素ＤＰと遮光領域２４とが共にペンタイル配列で配置されている。すなわち、遮光領域２４が表示画素ＤＰと同一の配列様式に従って配列されている。このため、表示画素ＤＰのある画素領域Ｒに遮光領域２４が重畳し、表示画素ＤＰのない開口領域Ｑに導光素子２２が重畳するように、遮光領域２４および導光素子２２を効率的に配置できる。このように表示画素ＤＰに対して効率的に遮光領域２４を配置できるので、撮像層１の有効開口面積を大きくすることができる。また、撮像素子ＩＰに導光素子２２が重畳するように、撮像素子ＩＰおよび導光素子２２が配置されていることが好ましい。

【0092】

また、境界部２６は、低密度領域ＬＡにおける配線４１ｘ，４１ｙの少なくとも一部と重畳する。このため、撮像層１への配線４１ｘ，４１ｙによる回折および干渉の影響も低減される。境界部２６は、図８に示すように、配線４１ｘ，４１ｙのより多くと重畳するように、追加的に形成されてもよく、図示を省略するが、低密度領域ＬＡにおける配線４１ｘ，４１ｙの全部と重畳するように、追加的に形成されてもよい。追加的形成によって、配線４１ｘ，４１ｙによる影響をより低減することができる。

【0093】

図６および図７に示す例では、ｘ方向またはｙ方向で互いに隣り合う遮光領域２４の間に、導光素子２２は１つだけある。このため、境界部２６が少ないので、低密度領域ＬＡにおける導光素子２２の総面積、すなわち、撮像層１の有効開口面積を大きくすることができる。一方、図８に示すように、ｘ方向またはｙ方向で互いに隣り合う遮光領域２４の間に、導光素子２２は２つ以上あってもよい。この場合、導光素子２２の開口径が小さいため、導光素子２２内部での回折および干渉を低減できる。回折および干渉を十分に低減するために、隣り合う２つの表示画素ＤＰの間の間隔が、導光素子２２の径の１０倍よりも大きいことが好ましい。

【0094】

（導光素子の別の好適な配置）
以下、図９および図１０を参照して、導光層２の導光素子２２の別の好適な配置について説明する。

【0095】

図９は、図３に示した遮光パターンに対応する導光層２の別の好適例を示す部分平面図である。図１０は、図９に示した境界部２６を、図３に示した遮光パターンに重畳して示す部分平面図である。

【0096】

図９および図１０に示す例でも、図６および図７に示す例と同様に、導光素子２２が開口領域Ｑに重畳し、遮光領域２４が画素領域Ｒに重畳する。一方、図９および図１０に示す例では、図５および図６に示す例と異なり、表示画素ＤＰがペンタイル配列に従って配置され、遮光領域２４がデルタ配列に従って配置されている。具体的には、画素領域Ｒの中心を頂点とする仮想的な三角形Ｔを想定し、当該三角形Ｔを低密度領域ＬＡに敷き詰め、三角形Ｔの各頂点と各辺の中心点とを中心とするように六角形を敷き詰める。敷き詰められた六角形のうち、三角形Ｔの各頂点に対応する六角形は遮光領域２４であり、三角形Ｔの各辺の中心点に対応する六角形は導光素子２２が設けられる領域である。

【0097】

このような導光層２は、撮像層１の撮像画素ＩＰがデルタ配列に従って配置されている構成に有益である。換言すると、遮光領域２４および開口領域Ｑが撮像層１の撮像画素ＩＰと同一の配列様式に従うことが好ましい。この場合、撮像画素ＩＰが開口領域Ｑ（特に導光素子２２）に重畳するように、遮光領域２４および導光素子２２を効率的に配置できる。このように撮像画素ＩＰに対して効率的に導光素子２２を配置できるので、撮像層１の有効開口面積を大きくすることができる。また、開口領域Ｑに導光素子２２が重畳するように、撮像素子ＩＰおよび導光素子２２が配置されていることが好ましい。

【0098】

また、前述と同様に、境界部２６が追加的に形成されてもよい。

【0099】

（変形例）
図１１は、図２に示した表示層３の変形例における、低密度領域ＬＡと高密度領域ＨＡとの境界近傍を示す部分平面図である。図１１は、本開示への理解を容易にするために、導電層４１、半導体層４２および画素電極５２のみを示し、その他の構成要素を省略する。図１２は、図１１に示した遮光パターンに対応する導光層２の好適例を示す部分平面図である。図１３は、図１２に示した境界部２６を、図１１に示した遮光パターンに重畳して示す部分平面図である。

【0100】

図１１に示すように、表示層３の低密度領域ＬＡにおける表示画素ＤＰの密度は、さらに小さくてもよい。図１１に示す例では、低密度領域ＬＡにおける表示画素ＤＰの密度は、高密度領域ＨＡにおける表示画素ＤＰの密度の１／８である。

【0101】

図１２および図１３に示すように、この場合にｚ方向から見る平面視で、開口領域Ｑに重畳する八角形に導光素子２２を形成し、画素領域Ｒに重畳する四角形に遮光領域２４を形成することが好ましい。さらに、前述と同様に、境界部２６が追加的に形成されてもよい。また、導光素子２２に重畳するように撮像画素ＩＰが配置されることが好ましい。

【0102】

〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

【0103】

図１４は、本開示の実施形態２に係る表示装置２００の概略構成の一例を示す部分断面図である。

【0104】

図１４に示すように、表示装置２００は、撮像層１と導光層２０２と表示層２０３とを備える。

【0105】

本実施形態に係る表示層２０３は、低密度領域ＬＡにおける表示画素ＤＰの密度が、高密度領域ＨＡにおける表示画素ＤＰの密度と同等であるように構成されている点を除いて、前述の実施形態１に係る表示層３と同一構成を有する。

【0106】

本実施形態に係る導光層２０２は、遮光領域２４を備えない点を除いて、前述の実施形態１に係る導光層２と同一構成を有する。

【0107】

（表示層の平面構成と導光素子）
図１５は、図１４に示した表示層２０３における低密度領域ＬＡを示す部分平面図である。図１５は、本開示への理解を容易にするために、導電層４１、半導体層４２および画素電極５２のみを示し、その他の構成要素を省略する。

【0108】

図１５に示すように、導電層４１、半導体層４２および画素電極５２によって、ｚ方向から見る平面視における遮光パターンが表示層２０３に形成される。したがって、回折および干渉の影響を軽減するために、ｚ方向から見る平面視において、導光素子２２の開口径は、配線間隔ｄと同等以下であることが好ましい。配線間隔ｄは、例えば、配線４１ｘ同士の間の最小距離、または、配線４１ｙ同士の間の最小距離である。

【0109】

〔実施形態３〕
本発明の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。

【0110】

図１６は、本開示の実施形態３に係る表示装置３００の概略構成の一例を示す部分断面図である。

【0111】

図１６に示すように、表示装置３００は、撮像層１と導光層２と表示層３０３とを備える。

【0112】

本実施形態に係る表示層３０３は、例えば、下面３ａから上面３ｂに向って、支持基板３１０と、薄膜トランジスタ層４と、画素電極５２と、配向膜３０６と、液晶層３０７と、共通電極５４と、偏光層３０８と、カラーフィルタ層３０９と、対向基板３１２とをこの順に有する。

【0113】

画素回路ＰＣは、対応する画素電極５２に接続し、接続された画素電極５２の電位を制御する。各電極の上方に位置する液晶の配向は、各画素電極５２と共通電極５４との間の電界に応答する。これらによって、画素回路ＰＣは、対応する画素電極の上方の液晶の配向を制御する。

【0114】

支持基板３１０および対向基板３１２はそれぞれ、光を透過する透過性基板であり、かつ、剛直な非可撓性基板である。支持基板３１０および対向基板３１２は例えば、ガラス基板または石英基板などである。

【0115】

配向膜３０６は、光を透過する透明層であり、液晶層３０６に含まれる液晶の配向を揃える。配向膜３０６は、有機膜をラビリング処理した有機配向膜であっても、無機配向膜であってもよい。

【0116】

液晶層３０７は、液晶を含み、支持基板３１０と対向基板３１２との間に封止されている。液晶層３０７は、スペーサ（不図示）を含んでもよい。

【0117】

偏光層３０８は、特定の偏光状態の光を透過する。偏光層３０８は例えば、偏光板または偏光フィルムとして公知のどのような構成であってもよい。

【0118】

カラーフィルタ３０９は、カラーフィルタとして公知のどのような構成であってもよい。カラーフィルタ３０９は例えば、赤色光のみを透過する赤色透過部３０９Ｒと、緑色光のみを透過する緑色透過部３０９Ｇと、青色光のみを透過する青色透過部３０９Ｂと、を備える。「赤色光」とは、例えば、６００ｎｍ超７８０ｎｍ以下の波長帯域の光のことである。また、「緑色光」とは、例えば、５００ｎｍ超６００ｎｍ以下の波長帯域の光のことである。また、「青色光」とは、例えば、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長帯域の光である。

【0119】

カラーフィルタ３０９はさらに、開口領域Ｑに重畳するように配置されている透明領域３０９Ｔを備えることが好ましい。あるいは、図示を省略するが、開口領域Ｑに対応する領域において、撮像素子ＩＰの赤緑青の配置に対応するように、赤色透過部３０９Ｒと緑色透過部３０９Ｇと青色透過部３０９Ｂとをカラーフィルタ３０９が備えることも好ましい。

【0120】

本実施形態に係る表示層３０３は、図１６に示した構成に限らず、反射型の液晶表示ディスプレイとして公知のどのような構成であってもよい。例えば、表示層３０３は、共通電極５４が液晶層３０７に対して、画素電極５２と同じ側に位置する構成であってもよい。すなわち、表示層３０３は、いわゆるＩｎ－Ｐｌａｎｅ－Ｓｗｉｔｈｉｎｇ方式またはＡｄｖａｎｃｅｄ Ｆｒｉｎｇｅ－Ｆｉｅｌｄ－Ｓｗｉｔｈｉｎｇ方式であってもよい。

【0121】

（変形例）
本実施形態に係る表示装置３００の構成は、前述の実施形態２に係る表示装置２００の構成と組み合わされてもよい。

【0122】

具体的には、本実施形態に係る表示層３０３は、前述の実施形態２に係る表示層２０３と同様に、低密度領域ＬＡにおける表示画素ＤＰの密度が、高密度領域ＨＡにおける表示画素ＤＰの密度と同等であるように構成されてもよい。この場合、本実施形態に係る表示装置３００は、前述の実施形態１に係る導光層２の代わりに、前述の実施形態２に係る導光層２０２を備える。

【0123】

本実施形態に係る表示装置３００は、カラーフィルタ３０９を備えなくてもよい。

【0124】

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

【符号の説明】

【0125】

１ 撮像層（第１層）
２、２０２ 導光層（第２層）
２ｂ 上面
３、２０３、３０３ 表示層（第３層）
２２ 導光素子
２４ 遮光領域
２６ 境界部
３０６ 液晶層
４１ｘ、４１ｙ 配線
５２ 画素電極
１００、２００、３００ 表示装置
ＨＡ 高密度領域
ＬＡ 低密度領域
ＩＰ 撮像画素（撮像素子）
ＤＰ 表示画素
ＥＳ 自発光素子
Ｌ１ 光
ＰＣ 画素回路

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】