特許 7534269 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】特許公報(B2)

(11)【特許番号】

(24)【登録日】2024-08-05

(45)【発行日】2024-08-14

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/338 20060101AFI20240806BHJP

   H01L 29/812 20060101ALI20240806BHJP

   H01L 29/778 20060101ALI20240806BHJP

   H01L 21/336 20060101ALI20240806BHJP

   H01L 29/78 20060101ALI20240806BHJP

   H01L 29/423 20060101ALI20240806BHJP

   H01L 29/49 20060101ALI20240806BHJP

   H01L 21/28 20060101ALI20240806BHJP

   H01L 29/41 20060101ALI20240806BHJP

   H01L 29/417 20060101ALI20240806BHJP

【ＦＩ】

H01L29/80 F

H01L29/80 H

H01L29/78 301B

H01L29/78 301G

H01L29/78 301H

H01L29/58 G

H01L21/28 301B

H01L29/44 S

H01L29/44 Y

H01L29/50 M

【請求項の数】 20

(21)【出願番号】P 2021121276

(22)【出願日】2021-07-26

(65)【公開番号】P2023017194

(43)【公開日】2023-02-07

【審査請求日】2023-03-13

(73)【特許権者】

【識別番号】000003078

【氏名又は名称】株式会社東芝

(74)【代理人】

【識別番号】110004026

【氏名又は名称】弁理士法人ｉＸ

(72)【発明者】

【氏名】梶原 瑛祐

(72)【発明者】

【氏名】蔵口 雅彦

【審査官】恩田 和彦

(56)【参考文献】

【文献】特開２０１９－１６９５７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１４－１１０３２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１０－１３５６４０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１３－１９７３０５（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００５－２４４０７２（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－１８７１７３（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２００８－００４７２０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０２０－１５０１４１（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－１６９４７０（ＪＰ，Ａ）

【文献】特開２０１２－２０４５７７（ＪＰ，Ａ）

(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)

Ｈ０１Ｌ ２９／７７８

Ｈ０１Ｌ ２９／８１２

Ｈ０１Ｌ ２１／３３８

Ｈ０１Ｌ ２１／３３６

Ｈ０１Ｌ ２１／３３７

(57)【特許請求の範囲】

【請求項1】

Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む第１窒化物部材であって、前記第１窒化物部材は、第１平面に沿う第１面と、前記第１平面に沿う第２面と、第３面と、を含み、前記第１平面に沿う第１方向における前記第１面の位置は、前記第１方向における前記第２面の位置とは異なり、前記第１平面と交差する第２方向における前記第１面の位置は、前記第２方向における前記第２面の位置とは異なり、前記第３面は、前記第１面と前記第２面との間において前記第１面及び前記第２面と接続され、前記第３面は前記第１平面と交差し、前記第１面は、前記第２方向において前記第１窒化物部材の一部と重なる、前記第１窒化物部材と、
Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（ｘ１＜ｘ２≦１）を含む第２窒化物部材であって、前記第２窒化物部材は、前記第１面に設けられた第１窒化物領域を含む、前記第２窒化物部材と、
Ａｌ_ｘ３Ｇａ_１－ｘ３Ｎ（ｘ１＜ｘ３≦１）を含む第３窒化物部材であって、前記ｘ３は、前記ｘ２とは異なり、前記第３窒化物部材は、前記第２面に設けられた第１窒化物部分を含む、前記第３窒化物部材と、
第１接続部分を含む第１電極であって、前記第１接続部分は、前記第１面及び前記第１窒化物領域の少なくともいずれかと接続された、前記第１電極と、
第２接続部分を含む第２電極であって、前記第２接続部分は、前記第２面及び前記第１窒化物部分の少なくともいずれかと接続された、前記第２電極と、
第１電極部分を含む第３電極と、
第１絶縁領域を含む第１絶縁部材であって、前記第１絶縁領域は、前記第１電極部分と前記第３面との間に設けられた、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第２方向における前記第１面の前記位置と、前記第２方向における前記第２面の前記位置と、の間の前記第２方向に沿う距離は、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である、半導体装置。

【請求項2】

Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む第１窒化物部材であって、前記第１窒化物部材は、第１平面に沿う第１面と、前記第１平面に沿う第２面と、第３面と、を含み、前記第１平面に沿う第１方向における前記第１面の位置は、前記第１方向における前記第２面の位置とは異なり、前記第１平面と交差する第２方向における前記第１面の位置は、前記第２方向における前記第２面の位置とは異なり、前記第３面は、前記第１面と前記第２面との間において前記第１面及び前記第２面と接続され、前記第３面は前記第１平面と交差し、前記第１面は、前記第２方向において前記第１窒化物部材の一部と重なる、前記第１窒化物部材と、
Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（ｘ１＜ｘ２≦１）を含む第２窒化物部材であって、前記第２窒化物部材は、前記第１面に設けられた第１窒化物領域を含む、前記第２窒化物部材と、
Ａｌ_ｘ３Ｇａ_１－ｘ３Ｎ（ｘ１＜ｘ３≦１）を含む第３窒化物部材であって、前記ｘ３は、前記ｘ２とは異なり、前記第３窒化物部材は、前記第２面に設けられた第１窒化物部分を含む、前記第３窒化物部材と、
第１接続部分を含む第１電極であって、前記第１接続部分は、前記第１面及び前記第１窒化物領域の少なくともいずれかと接続された、前記第１電極と、
第２接続部分を含む第２電極であって、前記第２接続部分は、前記第２面及び前記第１窒化物部分の少なくともいずれかと接続された、前記第２電極と、
第１電極部分を含む第３電極と、
第１絶縁領域を含む第１絶縁部材であって、前記第１絶縁領域は、前記第１電極部分と前記第３面との間に設けられた、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第２窒化物部材は、第３窒化物領域をさらに含み、
前記第１窒化物部分の少なくとも一部は、前記第２面と前記第３窒化物領域との間にある、半導体装置。

【請求項3】

Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む第１窒化物部材であって、前記第１窒化物部材は、第１平面に沿う第１面と、前記第１平面に沿う第２面と、第３面と、を含み、前記第１平面に沿う第１方向における前記第１面の位置は、前記第１方向における前記第２面の位置とは異なり、前記第１平面と交差する第２方向における前記第１面の位置は、前記第２方向における前記第２面の位置とは異なり、前記第３面は、前記第１面と前記第２面との間において前記第１面及び前記第２面と接続され、前記第３面は前記第１平面と交差し、前記第１面は、前記第２方向において前記第１窒化物部材の一部と重なる、前記第１窒化物部材と、
Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（ｘ１＜ｘ２≦１）を含む第２窒化物部材であって、前記第２窒化物部材は、前記第１面に設けられた第１窒化物領域を含む、前記第２窒化物部材と、
Ａｌ_ｘ３Ｇａ_１－ｘ３Ｎ（ｘ１＜ｘ３≦１）を含む第３窒化物部材であって、前記ｘ３は、前記ｘ２とは異なり、前記第３窒化物部材は、前記第２面に設けられた第１窒化物部分を含む、前記第３窒化物部材と、
第１接続部分を含む第１電極であって、前記第１接続部分は、前記第１面及び前記第１窒化物領域の少なくともいずれかと接続された、前記第１電極と、
第２接続部分を含む第２電極であって、前記第２接続部分は、前記第２面及び前記第１窒化物部分の少なくともいずれかと接続された、前記第２電極と、
第１電極部分を含む第３電極と、
第１絶縁領域を含む第１絶縁部材であって、前記第１絶縁領域は、前記第１電極部分と前記第３面との間に設けられた、前記第１絶縁部材と、
を備え、
第１絶縁部分を含む第２絶縁部材をさらに備え、
前記第１窒化物部分は、前記第２面と前記第１絶縁部分との間にある、半導体装置。

【請求項4】

前記第２窒化物部材は、第３窒化物領域をさらに含み、
前記第１窒化物部分の少なくとも一部は、前記第２面と前記第３窒化物領域との間にあり、
前記第３窒化物領域の少なくとも一部はアモルファスである、または、前記第３窒化物領域の結晶性は、前記第１窒化物領域の結晶性よりも低い、請求項３に記載の半導体装置。

【請求項5】

前記第１絶縁部分の少なくとも一部はアモルファスである、請求項３または４に記載の半導体装置。

【請求項6】

前記第２絶縁部材は、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ_２、ＡｌＯ_２、ＡｌＯＮ、ＡｌＳｉＯ、及び、ＡｌＳｉＯＮよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項３～５のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項7】

前記第１接続部分と前記第３電極との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第２接続部分と前記第３電極との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも短く、
前記ｘ３は、前記ｘ２よりも低い、請求項１～６のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項8】

前記第２窒化物部材は、第２窒化物領域を含み、
前記第２窒化物領域は、前記第１絶縁領域と前記第３面との間に設けられた、請求項１～７のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項9】

前記第１窒化物領域の前記第２方向に沿う第１厚さは、前記第１窒化物部分の前記第２方向に沿う第２厚さよりも薄い、請求項１～８のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項10】

前記第１厚さは、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であり、
前記第２厚さは、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下である、請求項９に記載の半導体装置。

【請求項11】

Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む第１窒化物部材であって、前記第１窒化物部材は、第１平面に沿う第１面と、前記第１平面に沿う第２面と、第３面と、を含み、前記第１平面に沿う第１方向における前記第１面の位置は、前記第１方向における前記第２面の位置とは異なり、前記第１平面と交差する第２方向における前記第１面の位置は、前記第２方向における前記第２面の位置とは異なり、前記第３面は、前記第１面と前記第２面との間において前記第１面及び前記第２面と接続され、前記第３面は前記第１平面と交差し、前記第１面は、前記第２方向において前記第１窒化物部材の一部と重なる、前記第１窒化物部材と、
Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（ｘ１＜ｘ２≦１）を含む第２窒化物部材であって、前記第２窒化物部材は、前記第１面に設けられた第１窒化物領域を含む、前記第２窒化物部材と、
Ａｌ_ｘ３Ｇａ_１－ｘ３Ｎ（ｘ１＜ｘ３≦１）を含む第３窒化物部材であって、前記ｘ３は、前記ｘ２とは異なり、前記第３窒化物部材は、前記第２面に設けられた第１窒化物部分を含む、前記第３窒化物部材と、
第１接続部分を含む第１電極であって、前記第１接続部分は、前記第１面及び前記第１窒化物領域の少なくともいずれかと接続された、前記第１電極と、
第２接続部分を含む第２電極であって、前記第２接続部分は、前記第２面及び前記第１窒化物部分の少なくともいずれかと接続された、前記第２電極と、
第１電極部分を含む第３電極と、
第１絶縁領域を含む第１絶縁部材であって、前記第１絶縁領域は、前記第１電極部分と前記第３面との間に設けられた、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第１接続部分と前記第３電極との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第２接続部分と前記第３電極との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも長く、
前記ｘ３は、前記ｘ２よりも高い、半導体装置。

【請求項12】

Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む第１窒化物部材であって、前記第１窒化物部材は、第１平面に沿う第１面と、前記第１平面に沿う第２面と、第３面と、を含み、前記第１平面に沿う第１方向における前記第１面の位置は、前記第１方向における前記第２面の位置とは異なり、前記第１平面と交差する第２方向における前記第１面の位置は、前記第２方向における前記第２面の位置とは異なり、前記第３面は、前記第１面と前記第２面との間において前記第１面及び前記第２面と接続され、前記第３面は前記第１平面と交差し、前記第１面は、前記第２方向において前記第１窒化物部材の一部と重なる、前記第１窒化物部材と、
Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（ｘ１＜ｘ２≦１）を含む第２窒化物部材であって、前記第２窒化物部材は、前記第１面に設けられた第１窒化物領域を含む、前記第２窒化物部材と、
Ａｌ_ｘ３Ｇａ_１－ｘ３Ｎ（ｘ１＜ｘ３≦１）を含む第３窒化物部材であって、前記ｘ３は、前記ｘ２とは異なり、前記第３窒化物部材は、前記第２面に設けられた第１窒化物部分を含む、前記第３窒化物部材と、
第１接続部分を含む第１電極であって、前記第１接続部分は、前記第１面及び前記第１窒化物領域の少なくともいずれかと接続された、前記第１電極と、
第２接続部分を含む第２電極であって、前記第２接続部分は、前記第２面及び前記第１窒化物部分の少なくともいずれかと接続された、前記第２電極と、
第１電極部分を含む第３電極と、
第１絶縁領域を含む第１絶縁部材であって、前記第１絶縁領域は、前記第１電極部分と前記第３面との間に設けられた、前記第１絶縁部材と、
を備え、
前記第１接続部分と前記第３電極との間の前記第１方向に沿う第１距離は、前記第２接続部分と前記第３電極との間の前記第１方向に沿う第２距離よりも短く、
前記ｘ３は、前記ｘ２よりも低く、
前記第２窒化物部材は、第２窒化物領域を含み、
前記第２窒化物領域は、前記第１絶縁領域と前記第３面との間に設けられた、半導体装置。

【請求項13】

前記第２面は、前記第１方向において前記第２電極と重なる、請求項１～１２のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項14】

前記第１面は、前記第１方向において前記第１電極と重なる、請求項１～１３のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項15】

前記第１窒化物部材は、第２部分領域及び第３部分領域を含み、
前記第２部分領域は、前記第３面の少なくとも一部を含み、
前記第２部分領域は、前記第１方向において前記第１絶縁領域と前記第３部分領域との間にあり、
前記第２部分領域は、第１元素を含み、
前記第１元素は、Ｍｇ、Ｚｎ及びＣよりなる群から選択された少なくとも１つを含み、 前記第３部分領域は前記第１元素を含まない、または、前記第３部分領域における前記第１元素の濃度は、前記第２部分領域における前記第１元素の濃度よりも低い、請求項１～１４のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項16】

窒化物層をさらに備え、
前記第１窒化物部材は、第１部分領域を含み、
前記第１部分領域は、前記窒化物層の少なくとも一部と前記第１窒化物領域との間にあり、
前記第１部分領域の前記第２方向に沿う厚さは、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である、請求項１～１５のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項17】

前記第１電極は、前記第１接続部分と接続された第１突出部をさらに含み、
前記第１窒化物領域は、前記第２方向において、前記第１面と前記第１突出部との間にあり、
前記第３電極の少なくとも一部は、前記第２方向において前記第１窒化物領域と前記第１突出部との間にある、請求項１～１６のいずれか１つに記載の半導体装置。

【請求項18】

前記第３電極の前記第２方向における位置は、前記第１窒化物領域の前記第２方向における位置と、前記第１突出部の前記第２方向における位置と、の間にある、請求項１７記載の半導体装置。

【請求項19】

前記第３電極と前記第２電極との間の前記第１方向に沿う距離は、前記第１突出部と前記第２電極との間の前記第１方向に沿う距離よりも長い、請求項１７または１８に記載の半導体装置。

【請求項20】

第４電極と、
第５電極と、
をさらに備え、
前記第１窒化物部材は、前記第１平面に沿う第４面と、第５面と、をさらに含み、
前記第４面から前記第２面への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１方向における前記第４面の位置と、前記第１方向における前記第２面の前記位置との間に、前記第１方向における前記第１面の前記位置があり、
前記第５面は、前記第４面と前記第１面との間において前記第４面及び前記第１面と接続され、前記第５面は前記第１平面と交差し、
前記第３窒化物部材は、前記第４面に設けられた第２窒化物部分をさらに含み、
前記第４電極は、前記第４面及び前記第２窒化物部分の少なくともいずれかと接続され、
前記第１絶縁部材の一部は、前記第５面と前記第５電極の間にある、請求項１～１９のいずれか１つに記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明の実施形態は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、トランジスタなどの半導体装置において、特性の向上が望まれる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【文献】特開２００９－９９７７４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本発明の実施形態は、特性の向上が可能な半導体装置を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の実施形態によれば、半導体装置は、第１窒化物部材、第２窒化物部材、第３窒化物部材、第１電極、第２電極、第３電極及び第１絶縁部材を含む。前記第１窒化物部材は、Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む。前記第１窒化物部材は、第１平面に沿う第１面と、前記第１平面に沿う第２面と、第３面と、を含む。前記第１平面に沿う第１方向における前記第１面の位置は、前記第１方向における前記第２面の位置とは異なる。前記第１平面と交差する第２方向における前記第１面の位置は、前記第２方向における前記第２面の位置とは異なる。前記第３面は、前記第１面と前記第２面との間において前記第１面及び前記第２面と接続される。前記第３面は前記第１平面と交差する。前記第１面は、前記第２方向において前記第１窒化物部材の一部と重なる。前記第２窒化物部材は、Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（ｘ１＜ｘ２≦１）を含む。前記第２窒化物部材は、前記第１面に設けられた第１窒化物領域を含む。前記第３窒化物部材は、Ａｌ_ｘ３Ｇａ_１－ｘ３Ｎ（ｘ１＜ｘ３≦１）を含む。前記ｘ３は、前記ｘ２とは異なる。前記第３窒化物部材は、前記第２面に設けられた第１窒化物部分を含む。前記第１電極は、第１接続部分を含む。前記第１接続部分は、前記第１面及び前記第１窒化物領域の少なくともいずれかと接続される。前記第２電極は、第２接続部分を含む。前記第２接続部分は、前記第２面及び前記第１窒化物部分の少なくともいずれかと接続される。前記第３電極は、第１電極部分を含む。前記第１絶縁部材は、第１絶縁領域を含む。前記第１絶縁領域は、前記第１電極部分と前記第３面との間に設けられる。

【図面の簡単な説明】

【0006】

【図1】図１は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図2】図２は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図3】図３は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図4】図４は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図5】図５は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図6】図６は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図7】図７は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図8】図８は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図9】図９は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図10】図１０は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図11】図１１（ａ）～図１１（ｃ）は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図12】図１２（ａ）～図１２（ｃ）は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【図13】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0007】

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

【0008】

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１に示すように、実施形態に係る半導体装置１１０は、第１電極５１、第２電極５２、第３電極５３、第１窒化物部材１０、第２窒化物部材２０、第３窒化物部材３０、及び、第１絶縁部材４１を含む。

【0009】

第１窒化物部材１０は、Ａｌ_ｘ１Ｇａ_１－ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）を含む。組成比ｘ１は、例えば、０以上０．１以下で良い。第１窒化物部材１０は、例えば、ＧａＮ層である
第１窒化物部材１０は、第１面１１、第２面１２及び第３面１３を含む。第１面は、第１平面ＰＬ１に沿う。第２面１２は、第１平面ＰＬ１に沿う。

【0010】

第１平面ＰＬ１に沿う１つの方向を第１方向Ｄ１とする。第１方向Ｄ１をＸ軸方向とする。第１平面ＰＬ１に沿いＸ軸方向に対して垂直な方向をＹ軸方向とする。Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して垂直な方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向は、第１平面ＰＬ１に対して実質的に垂直である。

【0011】

第１平面ＰＬ１に沿う第１方向Ｄ１における第１面１１の位置は、第１方向Ｄ１における第２面１２の位置とは異なる。第１平面ＰＬ１と交差する第２方向Ｄ２における第１面１１の位置は、第２方向Ｄ２における第２面１２の位置とは異なる。第２方向Ｄ２は、例えばＺ軸方向である。

【0012】

第３面１３は、第１面１１と第２面１２との間において、第１面１１及び第２面１２と接続される。第３面１３は第１平面ＰＬ１と交差する。第１面１１は、第２方向Ｄ２において第１窒化物部材１０の一部と重なる。

【0013】

第１面１１及び第２面１２は、例えば、第１窒化物部材１０の上面に対応する。第１面１１は、第２面１２よりも下にある。第１面１１と第２面１２との間に段差１０Ｓがある。第３面１３は、第１面１１と第２面１２との間に形成される側面に対応する。

【0014】

第２窒化物部材２０は、Ａｌ_ｘ２Ｇａ_１－ｘ２Ｎ（ｘ１＜ｘ２≦１）を含む。第２窒化物部材２０は、例えば、ＡｌＧａＮまたはＡｌＮを含む。第２窒化物部材２０は、第１窒化物領域２１を含む。第１窒化物領域２１は、第１面１１に設けられる。第１窒化物領域２１は、例えば、第１面１１と接する。

【0015】

第３窒化物部材３０は、Ａｌ_ｘ３Ｇａ_１－ｘ３Ｎ（ｘ１＜ｘ３≦１）を含む。第３窒化物部材３０は、例えば、ＡｌＧａＮまたはＡｌＮを含む。組成比ｘ３は、組成比ｘ２とは異なる。第３窒化物部材３０は、第１窒化物部分３１を含む。第１窒化物部分３１は、第２面１２に設けられる。第１窒化物部分３１は、例えば、第２面１２と接する。

【0016】

第１電極５１は、第１接続部分５１ｃを含む。第１接続部分５１ｃは、第１面１１及び第１窒化物領域２１の少なくともいずれかと接続される。

【0017】

第２電極５２は、第２接続部分５２ｃを含む。第２接続部分５２ｃは、第２面１２及び第１窒化物部分３１の少なくともいずれかと接続される。

【0018】

第３電極５３は、第１電極部分５３ａを含む。

【0019】

第１絶縁部材４１は、第１絶縁領域４１ａを含む。第１絶縁領域４１ａは、第１電極部分５３ａと第３面１３との間に設けられる。

【0020】

図１に示すように、半導体装置１１０は、基体１８ｓ及び窒化物層１８ｂを含んでも良い。窒化物層１８ｂは、基体１８ｓと第１窒化物部材１０との間にある。基体１８ｓは、例えば、シリコン基板などで良い。窒化物層１８ｂは、ＡｌＧａＮなどを含む。窒化物層１８ｂは、例えばバッファ層などを含んでも良い。窒化物層１８ｂは、例えば、アンドープのＧａＮ層などを含んでも良い。基体１８ｓの上に窒化物層１８ｂが設けられる。窒化物層１８ｂの上に第１窒化物部材１０が設けられる。第１窒化物部材１０の上に、第２窒化物部材２０及び第３窒化物部材３０が設けられる。窒化物部材の上に、第１～第３電極５１～５３が設けられる。第１窒化物部材１０、第２窒化物部材２０及び第３窒化物部材３０は、例えば、半導体である。

【0021】

第１電極５１と第２電極５２との間に流れる電流は、第３電極５３の電位により制御できる。第３電極５３の電位は、例えば、第１電極５１の電位を基準にした電位で良い。第１電極５１は、例えば、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能する。第２電極５２は、例えば、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能する。第３電極５３は、例えば、ゲート電極として機能する。第１絶縁領域４１ａは、例えば、ゲート絶縁膜として機能する。半導体装置１１０は、例えばトランジスタである。

【0022】

第１面１１の近傍、及び、第２面１２の近傍にキャリア領域１０Ｃが形成される。キャリア領域１０Ｃは、例えば２次元電子ガスである。半導体装置１１０は、例えばＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）である。

【0023】

実施形態においては、上記のように、第１窒化物部材１０に段差１０Ｓが設けられ、段差１０Ｓを含む部分に第３電極５３が設けられる。この場合、第３電極５３は、窒化物部材の１つの側面に対向する。一方、第１窒化物部材１０に凹部が設けられる参考例がある。この参考例においては、第３電極５３は、凹部の２つの段差に対向する。参考例においては、２つの段差により、例えば、オン抵抗が高くなる。

【0024】

これに対して、実施形態においては、第３電極５３は、窒化物部材の１つの側面に対向する。このため、参考例と比較して、低いオン抵抗が得られる。

【0025】

実施形態において、第１面１１の上に設けられる第２窒化物部材２０と、第２面１２の上に設けられる第３窒化物部材３０と、において、Ａｌ組成比が変更される。これにより、例えば、ゲートリークを抑制できる。例えば、低いオン抵抗が得易い。

【0026】

図１に示すように、第１接続部分５１ｃと第３電極５３との間の第１方向Ｄ１に沿う距離を第１距離ｄ１とする。第２接続部分５２ｃと第３電極５３との間の第１方向Ｄ１に沿う距離を第２距離ｄ２とする。この場合、第１電極５１は、ソース電極に対応し、第２電極５２は、ドレイン電極に対応する。例えば、第１電極５１を基準にして、第２電極５２に高い電圧が印加される。

【0027】

この場合、組成比ｘ３は、組成比ｘ２よりも低く設定される。例えば、第２窒化物部材２０は、ＡｌＮなどを含む。第３窒化物部材３０は、ＡｌＧａＮを含む。この場合、第３電極５３と第２電極５２との間の領域におけるキャリア濃度は、第３電極５３と第１電極５１との間の領域におけるキャリア濃度よりも低くできる。第３電極５３と第２電極５２との間の領域におけるキャリア濃度が低いことにより、第３電極５３への悪影響が抑制される。例えば、ゲートリーク電流が抑制できる。高いゲート信頼性が得られる。一方、第３電極５３と第１電極５１との間の領域におけるキャリア濃度が高い。これにより、低いオン抵抗が得られる。実施形態によれば、特性の向上が可能な半導体装置を提供できる。

【0028】

後述するように、第１距離ｄ１が第２距離ｄ２よりも長くても良い。この場合、第１電極５１は、ドレイン電極に対応し、第２電極５２は、ソース電極に対応する。この場合、組成比ｘ３は、組成比ｘ２よりも高く設定される。例えば、ゲートリーク電流が抑制できる。高いゲート信頼性が得られる。低いオン抵抗が得られる。

【0029】

図１に示すように、第２窒化物部材２０は、第２窒化物領域２２を含んでも良い。第２窒化物領域２２は、第１絶縁領域４１ａと第３面１３との間に設けられる。このように、第２窒化物領域２２が第１窒化物部材１０の側面に設けられても良い。より安定した第２窒化物部材２０が得易い。

【0030】

この例では、第１絶縁部材４１は、第２絶縁領域４１ｂ及び第３絶縁領域４１ｃを含む。第１窒化物領域２１は、第１面１１と第２絶縁領域４１ｂとの間にある。第１窒化物部分３１は、第２面１２と第３絶縁領域４１ｃとの間にある。

【0031】

第３電極５３は、第２電極部分５３ｂ及び第３電極部分５３ｃを含んでも良い。第２絶縁領域４１ｂの一部は、第１窒化物領域２１の一部と、第２電極部分５３ｂと、の間にある。第３絶縁領域４１ｃは、第２窒化物領域２２の一部と、第３電極部分５３ｃとの間にある。このような第２電極部分５３ｂ及び第３電極部分５３ｃにより、第１電極部分５３ａが安定して得られる。

【0032】

図１に示すように、第２方向Ｄ２における第１面１１の位置と、第２方向Ｄ２における第２面１２の位置と、の間の第２方向Ｄ２に沿う距離を距離ｈ１とする。距離ｈ１は、段差１０Ｓの高さ（深さ）に対応する。実施形態において、距離ｈ１は、例えば、１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましい。例えば、第１窒化物部材１０における側面（例えば非極性面）を効果的に利用できる。これにより、例えば、高いしきい値電圧が得易い。例えばノーマリオフの動作が得易い。

【0033】

このような深い段差１０Ｓにおいては、オン抵抗が高くなり易い。実施形態においては、上記のように第２窒化物部材２０と第３窒化物部材３０との間で異なる組成比が設けられる。例えば、組成比ｘ２が高く設定されることで高い濃度のキャリア領域１０Ｃが得られる。これにより、深い段差１０Ｓが設けられた場合においても、低いオン抵抗が得られる。

【0034】

実施形態において、第１面１１及び第２面１２は、例えばｃ面に沿う。例えば、第１面１１とｃ面との間の角度、及び。第２面１２とｃ面との間の角度のそれぞれは、０度以上１０度以下で良い。これにより、安定した濃度のキャリア領域１０Ｃが得られる。

【0035】

図１に示すように、窒化物層１８ｂが設けられる。窒化物層１８ｂは、例えば、ＡｌＧａＮを含むバックバリア層を含んで良い。窒化物層１８ｂは、例えば、超格子層などを含んでも良い。窒化物層１８ｂは、例えば、第１窒化物部材１０とは異なるＧａＮ層などを含んで良い。

【0036】

第１窒化物部材１０は、第１部分領域１０ａを含んで良い。窒化物層１８ｂの少なくとも一部と、第１窒化物領域２１と、との間にある。第１部分領域１０ａは、Ｚ軸方向において、第１面１１と重なる領域である。第１部分領域１０ａの第２方向Ｄ２に沿う厚さｈ２は、２００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。厚さｈ２が２００ｎｍ以上であることで、例えば、窒化物層１８ｂからの不純物などからの散乱による影響を抑制し易い。例えば、より高い移動度が得易い。例えば、より低いオン抵抗が得易い。

【0037】

図１に示すように、第１面１１は、第１方向Ｄ１において第１電極５１と重なっても良い。例えば、第１電極５１は、第１窒化物部材１０の一部に埋め込まれる。これにより、第１電極５１と第１窒化物部材１０の一部との間の電気的な接続が安定して得られる。例えば、低いオン抵抗が得られる。

【0038】

図２は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図２に示すように、半導体装置１１０において、第１窒化物領域２１の第２方向Ｄ２に沿う厚さを第１厚さｔ１とする。第１窒化物部分３１の第２方向Ｄ２に沿う厚さを第２厚さｔ２とする。第１厚さｔ１は、第２厚さｔ２よりも薄いことが好ましい。例えば、第１窒化物領域２１は、第２窒化物領域２２とともに形成される。第２窒化物領域２２は、段差１０Ｓに形成される。第１窒化物領域２１及び第２窒化物領域２２が薄いことで、段差１０Ｓを含む領域に安定して第２窒化物部材２０が形成し易い。上記のように、第１窒化物領域２１の組成比ｘ２が第１窒化物部分３１の組成比ｘ３よりも高い場合、第１窒化物領域２１が薄いことで、安定した第１窒化物領域２１が得易い。

【0039】

例えば、第１厚さｔ１は、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることが好ましい。第１厚さｔ１が１ｎｍ以上であることで、例えば、高い密度のキャリア領域１０Ｃを得易い。低いオン抵抗を得易い。第１厚さｔ１が１０ｎｍ以下であることで、例えば、安定した結晶が得られる。リーク電流の小さい結晶を得易い。ゲートリークを小さくできる。

【0040】

例えば、第２厚さｔ２は、２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。第２厚さｔ２が２０ｎｍ以上であることで、例えば、高い密度のキャリア領域１０Ｃを得易い。低いオン抵抗を得易い。第２厚さｔ２が４０ｎｍ以下であることで、例えば、安定した結晶が得られる。リーク電流の小さい結晶を得易い。ゲートリークを小さくできる。

【0041】

図２に示すように、第１面１１と第３面１３との間の角度を角度θ１とする。角度θ１は、例えば７０度以上１１０度以下で良い。これにより、高いしきい値電圧を得易い。安定したノーマリオフ特性を得易い。

【0042】

図３は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図３に示すように、実施形態に係る半導体装置１１１において、第２窒化物部材２０は、第３窒化物領域２３をさらに含んでも良い。第１窒化物部分３１の少なくとも一部は、第２面１２と第３窒化物領域２３との間にある。半導体装置１１１におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。半導体装置１１１においては、第１～第３窒化物領域２１～２３が連続的に設けられる。安定した第２窒化物部材２０が得易い。

【0043】

図４は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図４に示すように、実施形態に係る半導体装置１１２は、第２絶縁部材４２をさらに含む。半導体装置１１２におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１１と同様で良い。

【0044】

第２絶縁部材４２は、第１絶縁部分４２ａを含む。第１窒化物部分３１は、第２面１２と記第１絶縁部分４２ａとの間にある。第２絶縁部材４２は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ_２、ＡｌＯ_２、ＡｌＯＮ、ＡｌＳｉＯ、及び、ＡｌＳｉＯＮよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２絶縁部材４２は、例えばＳｉＮ膜でも良い。第２絶縁部材４２は、例えば、保護膜として機能する。第２絶縁部材４２が設けられることで、例えば、安定した第３窒化物部材３０が得易い。電流コラプスを抑制できる。安定したオン抵抗を得易い。

【0045】

図４に示すように、第２窒化物部材２０は、第３窒化物領域２３を含む。第１窒化物部分３１の少なくとも一部は、第２面１２と第３窒化物領域２３との間にある。第１絶縁部分４２ａは、第１窒化物部分３１と第３窒化物領域２３との間にある。第３窒化物領域２３は、例えば、第１絶縁部分４２ａの上に設けられる。

【0046】

例えば、第２絶縁部材４２（第１絶縁部分４２ａ）の少なくとも一部はアモルファスで良い。例えば、第１窒化物部分３１の結晶への悪影響が抑制できる。

【0047】

第３窒化物領域２３の少なくとも一部はアモルファスで良い。第３窒化物領域２３の結晶性は、第１窒化物領域２１の結晶性よりも低くても良い。第１窒化物領域２１の結晶性が高いことで、例えば、第１面１１の近傍において、高いキャリア濃度が得易い。第３窒化物領域２３の結晶性が低いことで、第２面１２の近傍において、低いキャリア濃度が得易い。例えば、リーク電流を効果的に抑制できる。

【0048】

実施形態において、第１絶縁部材４１は、ＳｉＯ_２、ＳｉＯＮ、ＡｌＳｉＯ、ＡｌＯ_２、ＡｌＯＮ、ＨｆＯ２、ＨｆＳｉＯ、及び、ＨｆＳｉＯＮよりなる群から選択された少なくとも１つを含むことが好ましい。安定した絶縁性が得易い。

【0049】

図５は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図５に示すように、実施形態に係る半導体装置１１３において、第２電極５２の構成が半導体装置１１２における構成と異なる。半導体装置１１３におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１２と同様で良い。

【0050】

半導体装置１１３において、第２面１２は、第１方向Ｄ１において第２電極５２と重なる。例えば、第２電極５２は、第１窒化物部材１０の一部に埋め込まれる。これにより、第２電極５２と第１窒化物部材１０の一部との間の電気的な接続が安定して得られる。例えば、低い接触抵抗を得易い。例えば、低いオン抵抗が得られる。

【0051】

図６は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図６に示すように、実施形態に係る半導体装置１１４において、第１窒化物部材１０の構成が半導体装置１１３における構成と異なる。半導体装置１１４におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１３と同様で良い。

【0052】

図６に示すように、この例では、第１窒化物部材１０は、第２部分領域１０ｂ及び第３部分領域１０ｃを含む。第２部分領域１０ｂは、第３面１３の少なくとも一部を含む。第２部分領域１０ｂは、第１方向Ｄ１において、第１絶縁領域４１ａと第３部分領域１０ｃとの間にある。第２部分領域１０ｂは、第１元素を含む。第１元素は、Ｍｇ、Ｚｎ及びＣよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第１元素は、例えば、ｐ形の不純物である。第３部分領域１０ｃは第１元素を含まない。または、第３部分領域１０ｃにおける第１元素の濃度は、第２部分領域１０ｂにおける第１元素の濃度よりも低い。このような第２部分領域１０ｂが設けられることで、例えば、高いしきい値電圧が得易い。しきい値電圧の調整が容易になる。安定したノーマリオフ特性を得易い。

【0053】

図７は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図７に示すように、実施形態に係る半導体装置１２０において、第１電極５１の構成が半導体装置１１２におけるそれとは異なる。半導体装置１２０におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１２と同様で良い。

【0054】

半導体装置１２０において、第１電極５１は、第１突出部５１ｐを含む。第１突出部５１ｐは、第１接続部分５１ｃと接続される。第１突出部５１ｐの少なくとも一部の第１方向Ｄ１における位置は、第１接続部分５１ｃの第１方向Ｄ１における位置と、第２電極５２の第１方向Ｄ１における位置と、の間にある。第１突出部５１ｐは、第２電極５２に向けて突出する。

【0055】

第１窒化物領域２１は、第２方向Ｄ２において、第１面１１と第１突出部５１ｐとの間にある。例えば、半導体装置１２０は、第３絶縁部材４３を含んでも良い。第３絶縁部材４３は、第１窒化物領域２１と第１突出部５１ｐとの間にある。

【0056】

第１突出部５１ｐが設けられることで、例えば、第１電極５１において安定した形状の第１接続部分５１ｃが得易い。これにより、プロセスバラつきの少ない、安定した特性が得られる。

【0057】

図７に示すように、例えば、第３電極５３の少なくとも一部は、第２方向Ｄ２において第１窒化物領域２１と第１突出部５１ｐとの間にあっても良い。これにより、第１接続部分５１ｃと第３電極５３との間の距離を短くし易い。例えば、オン抵抗を小さくできる。第３絶縁部材４３は、第３電極５３の少なくとも一部と、第１突出部５１ｐと、の間にある。これにより、プロセスバラつきの少ない、安定した特性が得られる。

【0058】

図７に示すように、半導体装置１２０は、第４電極５４及び第５電極５５をさらに含んでも良い。第１窒化物部材１０は、第４面１４及び第５面１５を含む。第４面１４は、第１平面ＰＬ１に沿う。第４面１４から第２面１２への方向は、第１方向Ｄ１に沿う。第１方向Ｄ１における第４面１４の位置と、第１方向Ｄ１における第２面１２の位置との間に、第１方向Ｄ１における第１面１１の位置がある。

【0059】

第５面１５は、第４面１４と第１面１１との間において、第４面１４及び第１面１１と接続される。第５面１５は、第１平面ＰＬ１と交差する。

【0060】

第３窒化物部材３０は、第２窒化物部分３２を含む。第２窒化物部分３２は、第４面１４に設けられる。第４電極５４は、第４面１４及び第２窒化物部分３２の少なくともいずれかと接続される。第１絶縁部材４１の一部（例えば第４絶縁領域４１ｄ）は、第５面１５と第５電極５５の間にある。

【0061】

第４電極５４の機能は、例えば、第２電極５２の機能と同様で良い。第５電極５５の機能は、例えば、第３電極５３の機能と同様で良い。例えば、第１電極５１、第２電極５２及び第３電極５３が１つのトランジスタとして機能する。例えば、第１電極５１、第４電極５４及び第５電極５５が別の１つのトランジスタとして機能する。別の１つのトランジスタにおいて、第１電極５１、第２電極５２及び第３電極５３により形成されるトランジスタの構成が適用されて良い。

【0062】

例えば、第１絶縁部材４１は、第４～第６絶縁領域４１ｄ～４１ｆを含んでも良い。第２絶縁部材４２は、第２絶縁部分４２ｂを含んで良い。第２窒化物部材２０は、第４窒化物領域２４及び第５窒化物領域２５を含んで良い。第４窒化物領域２４は、第５面１５と第４絶縁領域４１ｄとの間に設けられる。第２絶縁部分４２ｂは、第２窒化物部分３２と第５窒化物領域２５との間に設けられる。

【0063】

図８は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図８に示すように、実施形態に係る半導体装置１２１において、第１電極５１の構成が半導体装置１２０におけるそれとは異なる。半導体装置１２１におけるこれ以外の構成は、半導体装置１２０と同様で良い。

【0064】

半導体装置１２１において、第３電極５３の第２方向Ｄ２における位置は、第１窒化物領域２１の第２方向Ｄ２における位置と、第１突出部５１ｐの第２方向Ｄ２における位置と、の間にある。第３電極５３と第１突出部５１ｐとの間に第３絶縁部材４３の少なくとも一部が設けられる。

【0065】

図９は、第１実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図９に示すように、実施形態に係る半導体装置１２２において、第１電極５１の構成が半導体装置１２１におけるそれとは異なる。半導体装置１２２におけるこれ以外の構成は、半導体装置１２１と同様で良い。

【0066】

半導体装置１２２において、第３電極５３と、第２電極５２（例えば、第２接続部分５２ｃ）との間の第１方向Ｄ１に沿う距離は第１距離ｄ２に対応する。第１突出部５１ｐと第２電極５２との間の第１方向Ｄ１に沿う距離を第３距離ｄ３とする。第２距離ｄ２は、第３距離ｄ３よりも長い。例えば、第１突出部５１ｐの少なくとも一部は、第３電極５３と第２電極５２との間の領域と、第２方向Ｄ２において重なる。第１突出部５１ｐは、例えば、フィールドプレートとして機能する。より安定した特性が得られる。例えば、高い耐圧を得易い。例えば、電流コラプスを抑制できる。安定したオン抵抗を得易い。

【0067】

（第２実施形態）
図１０は、第２実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１０に示すように、実施形態に係る半導体装置１３０において、第１電極５１の位置が半導体装置１１０におけるそれとは異なる。半導体装置１３０におけるこれ以外の構成は、半導体装置１１０と同様で良い。

【0068】

図１０に示すように、半導体装置１３０において、第１接続部分５１ｃと第１電極部分５３ａとの間の第１方向Ｄ１に沿う第１距離ｄ１は、第２接続部分５２ｃと第１電極部分５３ａとの間の第１方向Ｄ１に沿う第２距離ｄ２よりも長い。この例では、例えば、第１電極５１はドレイン電極として機能し、第２電極５２はソース電極として機能する。この場合、第３窒化物部材３０における組成比ｘ３は、第２窒化物部材２０における組成比ｘ２よりも高い。例えば、ドレイン電極として機能する第１電極５１の近傍の第１窒化物領域２１において組成比ｘ２が低いことで、例えば、リーク電流が抑制できる。例えば、ソース電極として機能する第２電極５２の近傍の第１窒化物部分３１において組成比ｘ３が高いことで、例えば、低いオン抵抗が得られる。特性の向上が可能な半導体装置を提供できる。

【0069】

以下、実施形態に係る半導体装置の製造方法の例について説明する。
図１１（ａ）～図１１（ｃ）、図１２（ａ）～図１２（ｃ）、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置を例示する模式的断面図である。
図１１（ａ）に示すように、基体１８ｓの上に設けられた窒化物層１８ｂの上に、第１窒化物部材１０となる窒化物膜１０ｆが形成される。窒化物膜１０ｆの上に、第３窒化物部材３０となる窒化物膜３０ｆが形成される。これらの窒化物膜は、例えば、エピタキシャル成長により形成される。

【0070】

図１１（ｂ）に示すように、窒化物膜３０ｆの上に、第２絶縁部材４２となる絶縁膜４２ｆが形成される。

【0071】

図１１（ｃ）に示すように、絶縁膜４２ｆの一部、窒化物膜３０ｆの一部、及び、窒化物膜１０ｆの一部が除去され、穴Ｈ１が形成される。除去には、例えば、塩素系ガスによるドライエッチングが行われる。エッチング後に薬液処理を実施が実施されても良い。これにより、例えば、段差部の形状が制御される。薬液処理は、例えば、アルカリ系（例えば水酸化テトラメチルアンモニウム）の溶液が用いられる。効果的にダメージが除去され、形状が適切に制御される。薬液処理の代わりに、熱処理を行っても良い。

【0072】

窒化物膜３０ｆから、第１窒化物部分３１が形成される。絶縁膜４２ｆから第１絶縁部分４２ａが形成される。露出された窒化物膜１０ｆの一部の表面が、第１面１１となる。穴Ｈ１の側面が、第３面１３となる。窒化物膜１０ｆの第１窒化物部分３１と対向する面が、第２面１２となる。

【0073】

図１２（ａ）に示すように、第２窒化物部材２０となる窒化物膜２０ｆが形成される。第１～第３窒化物領域２１～２３が形成される。

【0074】

図１２（ｂ）に示すように、第１絶縁部材４１となる絶縁膜４１ｇが形成される。第１～第３絶縁領域４１ａ～４１ｃが形成される。

【0075】

図１２（ｃ）に示すように、第３電極５３が形成される。

【0076】

図１３（ａ）に示すように、第２絶縁領域４１ｂの一部、及び、第１窒化物領域２１の一部が除去されて、穴Ｈ２が形成される。この際、窒化物膜１０ｆの一部が除去されても良い。第３絶縁領域４１ｃの一部、第３窒化物領域２３の一部、及び、第１絶縁部分４２ａの一部が除去され、穴Ｈ３が形成される。

【0077】

図１３（ｂ）に示すように、穴Ｈ２及び穴Ｈ３に導電材料が設けられ、第１電極５１及び第２電極５２が形成される。これにより、例えば、半導体装置１１２が得られる。

【0078】

実施形態に係る製造方法によれば、特性を向上可能な半導体装置が得られる。

【0079】

第１電極５１は、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、及び、金よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第２電極５２及び第４電極５４は、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、及び、金よりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３電極５３及び第５電極５５は、例えば、ＴｉＮ、ＷＮ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。第３電極５３及び第５電極５５、例えば、導電性のシリコン、または、ポリシリコンなど含んでも良い。

【0080】

厚さに関する情報は電子顕微鏡観察などにより得られる。組成に関する情報は、ＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry）またはＥＤＸ（Energy dispersive X-ray spectroscopy）などにより得られる。

【0081】

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体装置に含まれる、窒化物部材、電極及び絶縁部材などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

【0082】

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

【0083】

その他、本発明の実施の形態として上述した半導体装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

【0084】

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

【0085】

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

【符号の説明】

【0086】

１０…第１窒化物部材、 １０Ｃ…キャリア領域、 １０Ｓ…段差、 １０ａ～１０ｃ…第１～第３部分領域、 １０ｆ…窒化物膜、 １１～１５…第１～第５面、 １８ｂ…窒化物層、 １８ｓ…基体、 ２０…第２窒化物部材、 ２０ｆ…半導体膜、 ２１～２５…第１～第５窒化物領域、 ３０…第３窒化物部材、 ３０ｆ…窒化物膜、 ３１、３２…第１、第２窒化物部分、 ４１…第１絶縁部材、 ４１ａ～４１ｆ…第１～第６絶縁領域、 ４１ｇ…絶縁膜、 ４２…第２絶縁部材、 ４２ａ、４２ｂ…第１、第２絶縁部分、 ４２ｆ…絶縁膜、 ４３…第３絶縁部材、 ５１～５５…第１～第５電極、 ５１ｃ、５２ｃ…第１、第２接続部分、 ５１ｐ…第１突出部、 ５３ａ～５３ｃ…第１～第３電極部分、 θ１…角度、 １１０～１１４、１２０～１２２、１３０…半導体装置、 Ｄ１、Ｄ２…第１、第２方向、 Ｈ１～Ｈ３…穴、 ＰＬ１…第１平面、 ｄ１～ｄ３…第１～第３距離、 ｈ１…距離、 ｈ２…厚さ、 ｔ１、ｔ２…第１、第２厚さ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】