(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】特許公報(B2)
(11)【特許番号】
(24)【登録日】2024-08-05
(45)【発行日】2024-08-14
(54)【発明の名称】半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/62 20100101AFI20240806BHJP
H01L 21/60 20060101ALI20240806BHJP
H01L 21/52 20060101ALI20240806BHJP
【ＦＩ】
H01L33/62
H01L21/60 301N
H01L21/52 A
【請求項の数】
15
(21)【出願番号】P 2022509432
(86)(22)【出願日】2021-02-24
(86)【国際出願番号】 JP2021006842
(87)【国際公開番号】W WO2021192788
(87)【国際公開日】2021-09-30
【審査請求日】2023-09-29
(31)【優先権主張番号】P 2020050705
(32)【優先日】2020-03-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(73)【特許権者】
【識別番号】000116024
【氏名又は名称】ローム株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100135389
【弁理士】
【氏名又は名称】臼井 尚
(74)【代理人】
【識別番号】100200609
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 智和
(72)【発明者】
【氏名】外山 智一郎
【審査官】高椋 健司
(56)【参考文献】
【文献】国際公開第２００９／０１１３０２（ＷＯ，Ａ１）
【文献】特開２０１８－１０７２０７（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開平０９－１６２３３０（ＪＰ，Ａ）
【文献】特開２００８－１１８０７１（ＪＰ，Ａ）
(58)【調査した分野】(Int.Cl.，ＤＢ名)
Ｈ０１Ｌ ２１／４４７－２１／４４９
Ｈ０１Ｌ ２１／５２
Ｈ０１Ｌ ２１／５８ －２１／６０７
Ｈ０１Ｌ ３３／００ －３３／６４
(57)【特許請求の範囲】
【請求項1】
ダイパッドを含む配線を有する支持部材と、前記ダイパッドに接合された半導体素子と、
前記配線および前記半導体素子に接合されたワイヤと、
導電性を有するとともに、前記ダイパッドと前記半導体素子とを接合する接合層と、を備え、
前記半導体素子の厚さ方向に視て、前記ダイパッドは、前記半導体素子の周縁に包含される第１領域と、前記第１領域につながり、かつ前記半導体素子の周縁から外方にはみ出した第２領域と、を含み、
前記ダイパッドは、前記厚さ方向に対して直交する方向に沿って延びる第１帯状部と、前記第１帯状部の幅方向に沿って延びる第２帯状部および第３帯状部と、を有し、前記第１帯状部は、前記幅方向に互いに離間する第１端および第２端を有し、
前記第２帯状部は、前記第１帯状部の前記第１端につながっており、
前記第３帯状部は、前記第１帯状部の前記第２端につながっており、
前記第１帯状部、前記第２帯状部および前記第３帯状部の各々は、前記第１領域および前記第２領域を含み、
前記第２帯状部と前記第３帯状部とに挟まれた前記第１帯状部の部分は、前記第１領域であり、
前記厚さ方向に視て、前記ワイヤは、前記第１帯状部に重なっており、
前記厚さ方向に視て、前記第１帯状部の周縁は、前記ワイヤと交差するパッド辺を含むとともに、前記パッド辺を含む第１延長線は、前記第２帯状部と交差している、半導体装置。
【請求項2】
前記厚さ方向に視て、前記半導体素子の周縁は、前記ワイヤと交差する第１縁と、前記第１縁につながり、かつ前記ワイヤから最も近くに位置する第２縁と、を含み、
前記厚さ方向に視て、前記第１帯状部は、前記第２領域であり、かつ前記ワイヤに重なる第１凸部と、前記第２領域であり、かつ前記第１凸部につながる第２凸部と、を含み、
前記厚さ方向に視て、前記第２縁を含む第２延長線は、前記第１凸部と前記第２凸部との境界をなし、
前記厚さ方向に視て、前記第１凸部の面積は、前記第２凸部の面積よりも小である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項3】
ダイパッドを含む配線を有する支持部材と、
前記ダイパッドに接合された半導体素子と、
前記配線および前記半導体素子に接合されたワイヤと、
導電性を有するとともに、前記ダイパッドと前記半導体素子とを接合する接合層と、を備え、
前記接合層は、金属粒子および合成樹脂を含む材料からなり、
前記半導体素子の厚さ方向に視て、前記ダイパッドは、前記半導体素子の周縁に包含される第１領域と、前記第１領域につながり、かつ前記半導体素子の周縁から外方にはみ出した第２領域と、を含み、
前記厚さ方向に視て、前記ワイヤは、前記第２領域から離れて位置しており、
前記ダイパッドは、前記厚さ方向に対して直交する方向に沿って延びる第１帯状部と、前記第１帯状部の幅方向に沿って延びる第２帯状部および第３帯状部と、を有し、
前記第１帯状部は、前記幅方向に互いに離間する第１端および第２端を有し、
前記第２帯状部は、前記第１帯状部の前記第１端につながっており、
前記第３帯状部は、前記第１帯状部の前記第２端につながっており、
前記第１帯状部、前記第２帯状部および前記第３帯状部の各々は、前記第１領域および前記第２領域を含み、
前記第２帯状部と前記第３帯状部とに挟まれた前記第１帯状部の部分は、前記第１領域であり、
前記厚さ方向に視て、前記半導体素子は、４つの角部を有する矩形状であり、
前記厚さ方向に視て、前記４つの角部の各々は、前記第１帯状部、前記第２帯状部および前記第３帯状部のいずれかに重なっており、
前記厚さ方向に視て、前記ワイヤは、前記第１帯状部に重なっており、
前記厚さ方向に視て、前記第１帯状部の周縁は、前記ワイヤと交差するパッド辺を含むとともに、前記パッド辺を含む第１延長線は、前記第２帯状部と交差しており、
前記第１帯状部は、前記ワイヤから最も近くに位置する前記第２領域である凸部を有し、
前記厚さ方向に視て、前記凸部の周縁は、前記パッド辺の一部を含む、半導体装置。
【請求項4】
前記金属粒子は、銀である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項5】
前記厚さ方向に視て、前記半導体素子の周縁は、前記ワイヤと交差する第１縁と、前記第１縁につながり、かつ前記ワイヤから最も近くに位置する第２縁と、を含み、
前記厚さ方向に視て、前記凸部は、前記第２縁を含む第２延長線に対して前記第２帯状部から遠ざかる側に位置する、請求項３または４に記載の半導体装置。
【請求項6】
前記パッド辺は、前記第１縁に対して平行である、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項7】
前記接合層は、前記第２領域の上に位置する部分を含む、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項8】
前記半導体素子は、前記第１領域に対向する第１導電層と、前記厚さ方向において前記第１導電層とは反対側に位置する第２導電層と、を有し、
前記第１導電層は、前記接合層を介して前記ダイパッドに接合されており、
前記ワイヤは、前記第２導電層に接合されている、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第１導電層は、半導体を含む材料からなる、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項10】
前記半導体素子は、ＬＥＤである、請求項８または９に記載の半導体装置。
【請求項11】
前記支持部材に接する透光樹脂をさらに備え、
前記透光樹脂は、前記半導体素子および前記ワイヤを覆っている、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項12】
前記支持部材は、前記厚さ方向を向く主面を含む基材を有し、
前記配線が前記主面に配置されているとともに、前記透光樹脂が前記主面に接している、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項13】
前記基材は、前記厚さ方向において前記主面とは反対側を向く底面と、前記主面および前記底面につながり、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向の外方を向く側面と、前記側面から前記基材の内方に向けて凹み、かつ前記主面および前記底面につながる複数の貫通部と、を含み、
前記支持部材は、前記底面に配置された複数の端子と、前記複数の貫通部に対して個別に配置された複数の側面端子と、を有し、
前記複数の側面端子の各々は、前記配線に導通するとともに、前記複数の端子のいずれかにつながっている、請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項14】
前記主面に配置され、かつ電気絶縁性を有するレジスト層をさらに備え、
前記レジスト層は、前記複数の貫通部の各々の前記厚さ方向の一方の端を塞いでいる、請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項15】
前記レジスト層の少なくとも一部は、前記支持部材と前記透光樹脂との間に位置する、請求項１４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、半導体装置の一例が開示されている。当該半導体装置においては、導電性のダイボンディング材により半導体素子（ＬＥＤチップ）がリードフレームに接合されている。さらに、当該半導体装置は、２本のワイヤを備えており、これらワイヤが、リードフレームに接合される一方、半導体素子に設けられた２つの端子（アノード端子、カソード端子）に接合されている。各ワイヤは、まずボールボンディング部がリードフレームに接合され、その後、スティッチボンディング部が上記２つの端子のいずれかに接合される。
【0003】
上記従来の半導体装置においては、ダイボンディング材は銀ペーストである。仮に、上記２つの端子のうち、アノード端子が半導体素子の下面に、カソード端子が半導体素子の上面に設けられているとする。この半導体装置を水分が存在している環境下で使用すると、イオンマイグレーションと称される現象が発生する。具体的には、上記２つの端子間に電圧を印加すると、銀ペーストに含まれる銀粒子が陽イオン化（Ａｇ+）されて、カソード端子側に引きつけられる。その結果、カソード端子や、当該カソード端子に接合されたワイヤ、および当該カソード端子に導通するｎ型半導体層等に銀が析出する。しかしながら、このような銀の析出は、半導体装置の電流経路において短絡を発生させるなど不具合の要因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【文献】特開２０１２－２３４９５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本開示は上述の事情に鑑み、半導体素子を配線に接合するために用いられる接合層からのイオンマイグレーションを抑制しうる半導体装置を提供することをその一の課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、ダイパッドを含む配線を有する支持部材と、前記ダイパッドに接合された半導体素子と、前記配線および前記半導体素子に接合されたワイヤと、導電性を有するとともに、前記ダイパッドと前記半導体素子とを接合する接合層と、を備える。前記半導体素子の厚さ方向に沿って視て、前記ダイパッドは、前記半導体素子の周縁に包含される第１領域と、前記第１領域につながり、かつ前記半導体素子の前記周縁から外方にはみ出した第２領域と、を含む。前記厚さ方向に沿って視て、前記ワイヤは、前記第２領域から離れて位置している。
【0007】
好ましくは、前記接合層は、前記第２領域の上に位置する部分を含む。
【0008】
好ましくは、前記接合層は、金属粒子および合成樹脂を含む材料からなる。
【0009】
好ましくは、前記金属粒子は、銀である。
【0010】
好ましくは、前記ダイパッドは、前記厚さ方向に対して直交する方向に沿って延びる第１帯状部と、前記第１帯状部の幅方向に沿って延びる第２帯状部および第３帯状部と、を有する。前記第１帯状部は、前記幅方向に互いに離間する第１端および第２端を有している。前記第２帯状部は、前記第１帯状部の前記第１端につながり、前記第３帯状部は、前記第１帯状部の前記第２端につながる。前記第１帯状部、前記第２帯状部および前記第３帯状部の各々は、前記第１領域および前記第２領域を含み、前記第２帯状部と前記第３帯状部とに挟まれた前記第１帯状部の部分は、前記第１領域である。
【0011】
好ましくは、前記厚さ方向に沿って視て、前記半導体素子は、４つの角部を有する矩形状である。前記厚さ方向に沿って視て、前記４つの角部の各々は、前記第１帯状部、前記第２帯状部および前記第３帯状部のいずれかに重なっている。
【0012】
好ましくは、前記厚さ方向に沿って視て、前記ワイヤは、前記第１帯状部に重なり、前記厚さ方向に沿って視て、前記第１帯状部の周縁は、前記ワイヤと交差するパッド辺を含むとともに、前記パッド辺を含む第１延長線は、前記第２帯状部と交差し、前記第１帯状部は、前記ワイヤから最も近くに位置する前記第２領域である凸部を有し、前記厚さ方向に沿って視て、前記凸部の周縁は、前記パッド辺の一部を含む。
【0013】
好ましくは、前記厚さ方向に沿って視て、前記半導体素子の周縁は、前記ワイヤと交差する第１縁と、前記第１縁につながり、かつ前記ワイヤから最も近くに位置する第２縁と、を含む。前記厚さ方向に沿って視て、前記凸部は、前記第２縁を含む第２延長線に対して前記第２帯状部から遠ざかる側に位置する。
【0014】
好ましくは、前記パッド辺は、前記第１縁に対して平行である。
【0015】
好ましくは、前記半導体素子は、前記第１領域に対向する第１導電層と、前記厚さ方向において前記第１導電層とは反対側に位置する第２導電層と、を有する。前記第１導電層は、前記接合層を介して前記ダイパッドに接合され、前記ワイヤは、前記第２導電層に接合されている。
【0016】
好ましくは、前記第１導電層は、半導体を含む材料からなる。
【0017】
好ましくは、前記半導体素子は、ＬＥＤである。
【0018】
好ましくは、前記半導体装置は、前記支持部材に接する透光樹脂をさらに備える。前記透光樹脂は、前記半導体素子および前記ワイヤを覆っている。
【0019】
好ましくは、前記支持部材は、前記厚さ方向を向く主面を有する基材を有し、前記配線が前記主面に配置されているとともに、前記透光樹脂が前記主面に接している。
【0020】
好ましくは、前記基材は、前記厚さ方向において前記主面とは反 対側を向く底面と、前記主面および前記底面につながり、かつ前記厚さ方向に対して直交する方向の外方を向く側面と、前記側面から前記基材の内方に向けて凹み、かつ前記主面および前記底面につながる複数の貫通部と、を有する。前記支持部材は、前記底面に配置された複数の端子と、前記複数の貫通部に対して個別に配置された複数の側面端子と、を有し、前記複数の側面端子の各々は、前記配線に導通するとともに、前記複数の端子のいずれかにつながっている。
【0021】
好ましくは、前記半導体装置は、前記主面に配置され、かつ電気絶縁性を有するレジスト層をさらに備える。前記レジスト層は、前記複数の貫通部の各々の前記厚さ方向の一方の端を塞いでいる。
【0022】
好ましくは、前記レジスト層の少なくとも一部は、前記支持部材と前記透光樹脂との間に位置する。
【0023】
本開示の第２の側面によって提供される半導体装置は、ダイパッドを含む配線を有する支持部材と、前記ダイパッドに接合された半導体素子と、前記配線および前記半導体素子に接合されたワイヤと、導電性を有するとともに、前記ダイパッドと前記半導体素子とを接合する接合層と、を備える。前記半導体素子の厚さ方向に沿って視て、前記ダイパッドは、前記半導体素子の周縁に包含される第１領域と、前記第１領域につながり、かつ前記半導体素子の当該周縁から外方にはみ出した第２領域と、を含む。前記ダイパッドは、前記厚さ方向に対して直交する方向に沿って延びる第１帯状部と、前記第１帯状部の幅方向に沿って延びる第２帯状部および第３帯状部と、を有する。前記第１帯状部は、前記幅方向に互いに離間する第１端および第２端を有する。前記第２帯状部は、前記第１帯状部の前記第１端につながり、前記第３帯状部は、前記第１帯状部の前記第２端につながる。前記第１帯状部、前記第２帯状部および前記第３帯状部の各々は、前記第１領域および前記第２領域を含む。前記第２帯状部と前記第３帯状部とに挟まれた前記第１帯状部の部分は、前記第１領域である。前記厚さ方向に沿って視て、前記ワイヤは、前記第１帯状部に重なる。前記厚さ方向に沿って視て、前記第１帯状部の周縁は、前記ワイヤと交差するパッド辺を含むとともに、前記パッド辺を含む第１延長線は、前記第２帯状部と交差している。
【0024】
好ましくは、前記厚さ方向に沿って視て、前記半導体素子の周縁は、前記ワイヤと交差する第１縁と、前記第１縁につながり、かつ前記ワイヤから最も近くに位置する第２縁と、を含む。前記厚さ方向に沿って視て、前記第１帯状部は、前記第２領域であり、かつ前記ワイヤに重なる第１凸部と、前記第２領域であり、かつ前記第１凸部につながる第２凸部と、を含む。前記厚さ方向に沿って視て、前記第２縁を含む第２延長線は、前記第１凸部と前記第２凸部との境界をなし、前記厚さ方向に沿って視て、前記第１凸部の面積は、前記第２凸部の面積よりも小である。
【発明の効果】
【0025】
本開示にかかる半導体装置によれば、半導体素子を配線に接合するために用いられる接合層からのイオンマイグレーションを抑制することが可能となる。
【0026】
本開示のその他の特徴および利点は、添付図面に基づき以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【図1】本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の平面図であり、透光樹脂を透過している。
【図9】本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の第１変形例を示す部分平面拡大図であり、透光樹脂を透過している。
【図10】本開示の第１実施形態にかかる半導体装置の第２変形例を示す部分平面拡大図であり、透光樹脂を透過している。
【図11】本開示の第２実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、透光樹脂を透過している。
【図13】本開示の第３実施形態にかかる半導体装置の部分拡大平面図であり、透光樹脂を透過している。
【発明を実施するための形態】
【0028】
本開示を実施するための形態について、添付図面に基づいて説明する。
【0029】
図１～図８に基づき、本開示の第１実施形態にかかる半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、支持部材１、複数の半導体素子３０、接合層３９、複数のワイヤ４０、レジスト層５０および透光樹脂６０を備える。これらの図が示す半導体装置Ａ１０は、複数の半導体素子３０の各々がＬＥＤ（Light Emitting Diode）であり、かつ表面実装型の半導体パッケージである。ここで、図１は、理解の便宜上、透光樹脂６０を透過している。図１において、ＩＶ－ＩＶ線、Ｖ－Ｖ線、およびＶＩ－ＶＩ線の各々を一点鎖線で示している。
【0030】
半導体装置Ａ１０の説明においては、複数の半導体素子３０の各々の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する方向を「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向を「第２方向ｙ」と呼ぶ。図１に示すように、半導体装置Ａ１０は、厚さ方向ｚに沿って視て矩形状である。第１方向ｘは、図１において半導体装置Ａ１０の横方向を指す。第２方向ｙは、図１において半導体装置Ａ１０の縦方向を指す。
【0031】
支持部材１には、図１、図４および図５に示すように、複数の半導体素子３０が搭載されている。図１および図２に示すように、支持部材１は、基材１０、配線２０、複数の端子２８、および複数の側面端子２９を有する。
【0032】
図１、図２、および図４～図６に示すように、基材１０には、配線２０、複数の端子２８、および複数の側面端子２９が配置されている。基材１０は、電気絶縁性を有する。基材１０は、たとえばガラスエポキシ樹脂を含む材料からなる。基材１０は、主面１１、底面１２、側面１３、および複数の貫通部１４を有する。主面１１および底面１２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。これらのうち、主面１１は、厚さ方向ｚにおいて複数の半導体素子３０が位置する側を向く。底面１２は、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装した際、当該配線基板に対向する。側面１３は、主面１１および底面１２につながり、かつ厚さ方向ｚに対して直交する方向の外方を向く。半導体装置Ａ１０においては、側面１３は、第１方向ｘの外方を向く一対の領域と、第２方向ｙの外方を向く一対の領域とを含む。
【0033】
図１～図５に示すように、複数の貫通部１４の各々は、側面１３から基材１０の内方に向けて凹み、かつ主面１１および底面１２につながっている。半導体装置Ａ１０においては、複数の貫通部１４の各々は、側面１３のうち第１方向ｘの外方を向く一対の領域のいずれかと、側面１３のうち第２方向ｙの外方を向く一対の領域のいずれかとの境界から基材１０の内方に向けて凹んでいる。これにより、厚さ方向ｚに沿って視て、複数の貫通部１４の各々は、基材１０の四隅のいずれかに位置する。複数の貫通部１４の各々は、厚さ方向ｚに沿って視て扇形状である。
【0034】
図１、および図４～図６に示すように、配線２０は、基材１０の主面１１に配置されている。半導体装置Ａ１０においては、配線２０は、複数の端子２８、および複数の側面端子２９とともに、複数の半導体素子３０と、半導体装置Ａ１０が実装される配線基板との導電経路をなしている。半導体装置Ａ１０においては、配線２０は、複数の金属層からなる。当該複数の金属層の一例として、主面１１から近い順に、銅（Ｃｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層、金（Ａｕ）層が積層されたものが挙げられる。配線２０は、主に電解めっきにより形成される。半導体装置Ａ１０においては、配線２０は、複数のパッド２１、および複数のダイパッド２２を含む。
【0035】
図１に示すように、複数のパッド２１の各々の一端は、基材１０の複数の貫通部１４のいずれかを規定する主面１１の周縁に接している。複数のパッド２１は、第１パッド２１１、第２パッド２１２、第３パッド２１３および第４パッド２１４を含む。第１パッド２１１および第２パッド２１２は、第１方向ｘにおいて互いに隣り合って位置する。第３パッド２１３および第４パッド２１４は、第１方向ｘにおいて互いに隣り合って位置する。一方、複数のダイパッド２２は、第１ダイパッド２２１および第２ダイパッド２２２を含む。第１ダイパッド２２１は、第１パッド２１１につながっている。第２ダイパッド２２２は、第２方向ｙにおいて、第１パッド２１１および第２パッド２１２と、第３パッド２１３および第４パッド２１４との間に位置する。このため、第１パッド２１１および第２パッド２１２は、第２ダイパッド２２２に対して第２方向ｙの一方側に位置する。あわせて、第３パッド２１３および第４パッド２１４は、第２ダイパッド２２２に対して第２方向ｙの他方側に位置する。複数のダイパッド２２のうち、第１ダイパッド２２１の詳細な構成は、後述する。
【0036】
図２、および図４～図６に示すように、複数の端子２８は、基材１０の底面１２に配置されている。複数の端子２８の各々は、基材１０の貫通部１４のいずれかを規定する底面１２の周縁に接している。半導体装置Ａ１０を配線基板に実装する際、複数の端子２８は、ハンダを介して当該配線基板に接合される。半導体装置Ａ１０においては、複数の端子２８の各々は、複数の金属層からなる。当該複数の金属層の構成は、配線２０をなす複数の金属層の構成と同一である。
【0037】
図１、図２、および図４～図６に示すように、複数の側面端子２９は、基材１０の複数の貫通部１４に対して個別に配置されている。複数の側面端子２９の各々は、複数の貫通部１４の各々を規定する基材１０の側面１３の一領域に沿って形成されている。複数の側面端子２９の各々において、厚さ方向ｚの一方の端は、複数のパッド２１のいずれかにつながっている。あわせて、厚さ方向ｚの他方の端は、複数の端子２８のいずれかにつながっている。これにより、複数の端子２８の各々は、複数のパッド２１のいずれかに導通している。
【0038】
複数の半導体素子３０の各々は、図４～図６に示すように、接合層３９を用いたダイボンディングにより複数のダイパッド２２のいずれかに接合されている。図１に示すように、半導体装置Ａ１０においては、複数の半導体素子３０は、第１素子３０１と、２つの第 ２素子３０２とを含む。第１素子３０１は、複数のダイパッド２２のうち第１ダイパッド２２１に接合されている。第１素子３０１は、赤色光を発するＬＥＤである。２つの第２素子３０２は、複数のダイパッド２２のうち第２ダイパッド２２２に接合されている。２つの第２素子３０２のうち、一方の当該第２素子３０２は、青色光を発するＬＥＤである。あわせて、他方の当該第２素子３０２は、緑色光を発するＬＥＤである。
【0039】
図４および図５に示すように、半導体装置Ａ１０においては、接合層３９は、第１接合層３９１および第２接合層３９２を含む。第１接合層３９１は、導電性を有する。第１接合層３９１は、金属粒子および合成樹脂を含む材料からなる。当該金属粒子は、銀（Ａｇ）である。当該合成樹脂は、たとえばエポキシ樹脂である。第２接合層３９２は、電気絶縁性を有する。第２接合層３９２は、たとえばポリイミドを含む材料からなる。第１接合層３９１は、第１ダイパッド２２１と第１素子３０１とを接合している。第２接合層３９２は、第２ダイパッド２２２と、２つの第２素子３０２とを接合している。
【0040】
図８に示すように、第１素子３０１は、第１導電層３１、第２導電層３２、ｐ型半導体層３３、ｎ型半導体層３４および活性層３５を有する。これらのうち、厚さ方向ｚにおいてｐ型半導体層３３とｎ型半導体層３４とに挟まれた活性層３５が、第１素子３０１の発光領域である。第１導電層３１は、第１ダイパッド２２１の第１領域２２Ａ（詳細は後述）に対向している。第１導電層３１は、半導体材料を含む材料からなる。当該半導体材料は、ｐ型ドーパントが含有されたケイ素（Ｓｉ）である。第１導電層３１は、第１素子３０１のアノードであり、かつｐ型半導体層３３に接している。第１導電層３１は、第１接合層３９１を介して第１ダイパッド２２１に接合されている。これにより、第１素子３０１の第１導電層３１は、複数のパッド２１のうち第１パッド２１１に導通している。第２導電層３２は、厚さ方向ｚにおいて第１導電層３１とは反対側に位置する。第２導電層３２は、第２素子３０２のカソードであり、ｎ型半導体層３４に接している。第２導電層３２は、たとえば金を含む材料からなる。ｐ型半導体層３３およびｎ型半導体層３４の各々は、たとえばヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）を含む材料からなる。活性層３５は、たとえばアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）を含む材料からなる。
【0041】
第１素子３０１の構造形式は、貼り合わせ型である。第１素子３０１の製造にあたっては、まず、ヒ化ガリウム基材に対してｐ型半導体層３３、活性層３５、ｎ型半導体層３４の順にこれらの各層をエピタキシャル成長により形成する。次いで、ヒ化ガリウム基材から、積層されたｐ型半導体層３３、活性層３５およびｎ型半導体層３４を一体的に剥がす。次いで、一体となって積層されたｐ型半導体層３３、活性層３５およびｎ型半導体層３４を、ｐ型ドーパントが含有されたケイ素基材（シリコンウエハ）に貼り合わせる。この際、ｐ型半導体層３３が当該ケイ素基材に接するようにする。当該ケイ素基材が、第１導電層３１に相当する。次いで、ｎ型半導体層３４に接する第２導電層３２を形成する。最後に、当該ケイ素基材、ｐ型半導体層３３、活性層３５およびｎ型半導体層３４を一体的に個片化させることにより、第１素子３０１が得られる。
【0042】
図１および図５に示すように、２つの第２素子３０２の各々は、第１導電層３１および第２導電層３２を有する。第１導電層３１および第２導電層３２の各々は、当該第２素子３０２の上面に設けられている。第１導電層３１および第２導電層３２の各々は、たとえば金を含む材料からなる。第１導電層３１は、当該第２素子３０２のアノードである。第２導電層３２は、当該第２素子３０２のカソードである。２つの第２素子３０２の各々において、第２導電層３２は、厚さ方向ｚにおいて第２ダイパッド２２２と第１導電層３１との間に位置する。
【0043】
複数のワイヤ４０の各々は、図１に示すように、その一端が複数のパッド２１のいずれかに接合され、かつその他端が複数の半導体素子３０のいずれかに接合されている。複数 のワイヤ４０の各々は、たとえば金からなる。複数のワイヤ４０の各々は、ワイヤボンディングにより形成される。複数のワイヤ４０の各々は、第１接合部４１および第２接合部４２を有する。第１接合部４１は、当該ワイヤ４０の一端であり、かつ複数のパッド２１のいずれかに接合されている。第１接合部４１は、いわゆるボールボンディング部であり、当該ワイヤ４０の形成開始部である。第２接合部４２は、当該ワイヤ４０の他端であり、かつ複数の半導体素子３０のいずれかに接合されている。第２接合部４２は、いわゆるスティッチボンディング部であり、当該ワイヤ４０の形成終了部である。本構成により、基材１０の主面１１と、複数のワイヤ４０の各々の頂部との間の距離を極力小とすることができるため、半導体装置Ａ１０の厚さ方向ｚの寸法の縮小を図ることができる。半導体装置Ａ１０においては、複数のワイヤ４０は、２本の第１ワイヤ４０１、および３本の第２ワイヤ４０２を含む。
【0044】
図１に示すように、２本の第１ワイヤ４０１の第１接合部４１は、複数のパッド２１のうち第１パッド２１１に接合されている。あわせて、２本の第１ワイヤ４０１の第２接合部４２は、２つの第２素子３０２の第１導電層３１に対して個別に接合されている。これにより、２つの第２素子３０２の各々の第１導電層３１は、第１パッド２１１に導通している。先述のとおり、第１素子３０１の第１導電層３１は、第１パッド２１１に導通している。したがって、半導体装置Ａ１０においては、複数の半導体素子３０は、第１パッド２１１に対して並列接続されている。
【0045】
図１に示すように、３本の第２ワイヤ４０２の第１接合部４１は、複数のパッド２１のうち第２パッド２１２、第３パッド２１３および第４パッド２１４に対して個別に接合されている。３本の第２ワイヤ４０２の第２接合部４２は、複数の半導体素子３０の第２導電層３２に対して個別に接合されている。これにより、第１素子３０１の第２導電層３２は、第２パッド２１２に導通している。２つの第２素子３０２のうち、一方の当該第２素子３０２の第２導電層３２は、第３パッド２１３に導通している。あわせて、他方の第２素子３０２の第２導電層３２は、第４パッド２１４に導通している。
【0046】
レジスト層５０は、図１、および図４～図６に示すように、基材１０の主面１１に配置されている。レジスト層５０は、レジスト層５０は、電気絶縁性を有する。レジスト層５０は、たとえばソルダーレジストフィルムである。半導体装置Ａ１０においては、レジスト層５０は、４つの領域を含む。当該４つの領域は、主面１１の四隅に配置されている。当該４つの領域の各々は、基材１０の複数の貫通部１４のいずれかの厚さ方向ｚの一方の端を塞いでいる。あわせて、当該４つの領域の各々は、複数のパッド２１のいずれかの一部を覆っている。図３～図６に示すように、レジスト層５０の少なくとも一部は、支持部材１と透光樹脂６０との間に位置する。
【0047】
透光樹脂６０は、図３～図６に示すように、支持部材１に接している。透光樹脂６０は、複数の半導体素子３０、および複数のワイヤ４０と、複数のパッド２１の一部とを覆っている。透光樹脂６０は、複数の半導体素子３０から発する光を透過する。透光樹脂６０は、たとえば、シリコーンが含有されたエポキシ樹脂を含む材料からなる。
【0048】
次に、複数のダイパッド２２のうち第１パッド２１１と、第１導電層３１が第１接合層３９１により第１パッド２１１に接合された第１素子３０１と、半導体素子３０の第２導電層３２に接合された第２ワイヤ４０２との関係について説明する。
【0049】
図７に示すように、第１パッド２１１は、第１領域２２Ａおよび第２領域２２Ｂを含む。厚さ方向ｚに沿って視て、第１領域２２Ａは、第１素子３０１の周縁に包含されている。厚さ方向ｚに沿って視て、第２領域２２Ｂは、第１領域２２Ａにつながり、かつ第１素子３０１の周縁から外方にはみ出している。厚さ方向ｚに沿って視て、第２ワイヤ４０２ は、第２領域２２Ｂから離れて位置する。半導体装置Ａ１０においては、第１接合層３９１は、第２領域２２Ｂの上に位置する部分を含む。
【0050】
図７に示すように、第１パッド２１１は、第１帯状部２３１、第２帯状部２３２および第３帯状部２３３を有する。第１帯状部２３１は、厚さ方向ｚに対して直交する方向に沿って延びている。ここで、以下の第１パッド２１１の説明においては、第１帯状部２３１が延びる方向を「第１帯状部２３１の長さ方向（以下「長さ方向Ｌ」という。）」と呼ぶ。第１帯状部２３１の幅に沿った方向を「第１帯状部２３１の幅方向Ｂ（以下「幅方向Ｂ」という。）」と呼ぶ。長さ方向Ｌおよび幅方向Ｂの各々は、厚さ方向ｚに対して直交している。さらに、幅方向Ｂは、長さ方向Ｌに対して直交している。第１帯状部２３１の長さ方向Ｌの一端が、複数のパッド２１のうち第１パッド２１１につながっている。第２帯状部２３２および第３帯状部２３３の各々は、幅方向Ｂに沿って延びている。第２帯状部２３２は、第１帯状部２３１の幅方向Ｂの一端につながっている。第３帯状部２３３は、第１帯状部２３１の幅方向Ｂの他端につながっている。これにより、厚さ方向ｚに沿って視て、第１パッド２１１は、Ｘ字状をなしている。
【0051】
第１帯状部２３１、第２帯状部２３２および第３帯状部２３３の各々は、第１領域２２Ａおよび第２領域２２Ｂを含む。図７に示すように、第２帯状部２３２と第３帯状部２３３とに挟まれた第１帯状部２３１の部分は、第１領域２２Ａである。
【0052】
図７に示すように、厚さ方向ｚに沿って視て、第１素子３０１は、４つの角部を有する矩形状である。厚さ方向ｚに沿って視て、当該４つの角部の各々は、第１帯状部２３１、第２帯状部２３２および第３帯状部２３３のいずれかに重なっている。
【0053】
図７に示すように、厚さ方向ｚに沿って視て、第２ワイヤ４０２は、第１帯状部２３１に重なっている。厚さ方向ｚに沿って視て、第１帯状部２３１の第１領域２２Ａの周縁は、パッド辺２３１Ａを含む。厚さ方向ｚに沿って視て、パッド辺２３１Ａは、第２ワイヤ４０２と交差するとともに、図７に示すパッド辺２３１Ａを含む第１延長線Ｅ１は、第２帯状部２３２と交差している。さらに、第１帯状部２３１は、凸部２３１Ｂを有する。凸部２３１Ｂは、第２ワイヤ４０２から最も近くに位置する第２領域２２Ｂである。厚さ方向ｚに沿って視て、凸部２３１Ｂの周縁は、パッド辺２３１Ａの一部を含む。
【0054】
図７に示すように、厚さ方向ｚに沿って視て、第１素子３０１の周縁は、第１縁３０Ａおよび第２縁３０Ｂを含む。厚さ方向ｚに沿って視て、第１縁３０Ａは、第２ワイヤ４０２と交差している。第２縁３０Ｂは、第１縁３０Ａにつながり、かつ第２ワイヤ４０２から最も近くに位置する。半導体装置Ａ１０においては、第１縁３０Ａは、第１方向ｘに沿っており、かつ第２縁３０Ｂは、第２方向ｙに沿っている。第１帯状部２３１のパッド辺２３１Ａは、第１縁３０Ａに対して平行である。厚さ方向ｚに沿って視て、第２縁３０Ｂに沿った方向、すなわち第２方向ｙにおいて、第２帯状部２３２がパッド辺２３１Ａよりも外方に突出している。厚さ方向ｚに沿って視て、凸部２３１Ｂは、図７に示す第２縁３０Ｂを含む第２延長線Ｅ２に対して第２帯状部２３２から遠ざかる側に位置するとともに、図７に示すパッド辺２３１Ａを含む第１延長線Ｅ１よりもワイヤ４０から遠ざかる側に突出している。
【0055】
次に、半導体装置Ａ１０の変形例である半導体装置Ａ１１および半導体装置Ａ１２について説明する。半導体装置Ａ１１および半導体装置Ａ１２は、複数のダイパッド２２のうち第１ダイパッド２２１の構成が、先述した半導体装置Ａ１０の当該構成と異なる。
【0056】
図９に示すように、厚さ方向ｚに沿って視て、半導体装置Ａ１１の第１ダイパッド２２１の周縁は、一部を切り欠いた略矩形状となっている。また、図１０に示すように、厚さ 方向ｚに沿って視て、半導体装置Ａ１２の第１ダイパッド２２１の周縁は、一部を切り欠いた略円形状となっている。厚さ方向ｚに沿って視て、これらの第１ダイパッド２２１の各々において一部を切り欠いた領域に、第２ワイヤ４０２が交差している。
【0057】
次に、半導体装置Ａ１０の作用効果について説明する。
【0058】
半導体装置Ａ１０は、導電性を有するとともに、ダイパッド２２（第１ダイパッド２２１）と半導体素子３０（第１素子３０１）とを接合する接合層３９（第１接合層３９１）を備える。厚さ方向ｚに沿って視て、配線２０に含まれるダイパッド２２（第１ダイパッド２２１）は、半導体素子３０（第１素子３０１）の周縁に包含される第１領域２２Ａと、第１領域２２Ａにつながり、かつ半導体素子３０の当該周縁から外方にはみ出した第２領域２２Ｂとを含む。厚さ方向ｚに沿って視て、ワイヤ４０（第２ワイヤ４０２）は、第２領域２２Ｂから離れて位置する。これにより、第２領域２２Ｂの上に位置する接合層３９の部分がワイヤ４０からより遠ざけられた構成となるため、接合層３９からのイオンマイグレーションによりワイヤ４０に金属粒子が析出することを抑制できる。
【0059】
ダイパッド２２は、厚さ方向ｚに対して直交する方向に沿って延びる第１帯状部２３１と、第１帯状部２３１の幅方向Ｂに沿って延びる第２帯状部２３２および第３帯状部２３３を有する。第２帯状部２３２は、第１帯状部２３１の幅方向Ｂの一端につながっている。第３帯状部２３３は、第１帯状部２３１の幅方向Ｂの他端につながっている。第２帯状部２３２と第３帯状部２３３とに挟まれた第１帯状部２３１の部分は、第１領域２２Ａである。これにより、ダイパッド２２は、厚さ方向ｚに沿って視てＸ字状をなす。あわせて、厚さ方向ｚに沿って視て、ダイパッド２２の中心が半導体素子３０に重なる構成となる。
【0060】
さらに、厚さ方向に沿って視て、半導体素子３０の４つの角部の各々は、第１帯状部２３１、第２帯状部２３２および第３帯状部２３３のいずれかに重なっている。これにより、ダイパッド２２に対する半導体素子３０の接合面積の過度な縮小が回避されるため、ダイパッド２２に対する半導体素子３０の接合強度と、ダイパッド２２から半導体素子３０に流れる電流とを確保することができる。また、半導体装置Ａ１０の使用時に、半導体素子３０は、熱を発生する。当該熱に起因した熱応力は、当該４つの角部に集中する。そこで、本構成をとることにより、当該４つの角部に接合層３９が付着するため、当該４つの角部からダイパッド２２に向けて当該熱が伝導しやすくなる。したがって、当該４つの角部に集中する熱応力の低減を図ることができる。
【0061】
厚さ方向ｚに沿って視て、ワイヤ４０は、第１帯状部２３１に重なっている。これにより、第２帯状部２３２は、第１帯状部２３１からワイヤ４０に対して徐々に遠ざかる方向に延びている。厚さ方向ｚに沿って視て、第１帯状部２３１の周縁は、ワイヤ４０と交差するパッド辺２３１Ａを含む。パッド辺２３１Ａを含む第１延長線Ｅ１（図７参照）は、第２帯状部２３２と交差している。厚さ方向ｚに沿って視て、半導体素子３０の第２縁３０Ｂに沿った方向（第２方向ｙ）において、第２帯状部２３２がパッド辺２３１Ａよりも外方に突出している。これにより、第２帯状部２３２の第２領域２２Ｂの上に位置する接合層３９の部分を、ワイヤ４０からより遠ざけた構成とすることができる。
【0062】
第１帯状部２３１は、ワイヤ４０から最も近くに位置し、かつ第２領域２２Ｂである凸部２３１Ｂを有する。厚さ方向ｚに沿って視て、凸部２３１Ｂは、半導体素子３０の第２縁３０Ｂを含む第２延長線Ｅ２（図７参照）に対して第２帯状部２３２から遠ざかる側に位置する。これにより、ワイヤ４０からより離れた位置に凸部２３１Ｂが設定されるため 、ワイヤ４０から最も近くに位置する接合層３９の部分を、ワイヤ４０からより遠ざけた構成とすることができる。さらに、厚さ方向ｚに沿って視て、凸部２３１Ｂは、パッド辺２３１Ａを含む第１延長線Ｅ１よりもワイヤ４０に近づく側に突出していない。これにより、ワイヤ４０からさらに離れた位置に凸部２３１Ｂが設定されることとなり、ワイヤ４０から最も近くに位置する接合層３９の部分を、ワイヤ４０からさらに遠ざけた構成とすることができる。
【0063】
支持部材１は、基材１０を有する。基材１０は、側面１３から基材１０の内方に向けて凹み、かつ主面１１および底面１２につながる複数の貫通部１４を有する。支持部材１は、底面１２に配置された複数の端子２８と、複数の貫通部１４に対して個別に配置された複数の側面端子２９とをさらに有する。複数の側面端子２９の各々は、配線２０に導通するとともに、複数の端子２８のいずれかにつながっている。これにより、半導体装置Ａ１０を配線基板に実装する際、複数の端子２８に加えて複数の側面端子２９にもハンダが付着する。これにより、当該配線基板に対する半導体装置Ａ１０の実装強度が向上する。あわせて、複数の側面端子２９に付着したハンダの形状を目視することにより、当該配線基板に実装された半導体装置Ａ１０の実装状態を容易に確認することができる。
【0064】
半導体装置Ａ１０は、支持部材１に接し、かつ半導体素子３０およびワイヤ４０を覆う透光樹脂６０と、基材１０の主面１１に配置され、かつ電気絶縁性を有するレジスト層５０とをさらに備える。レジスト層５０は、基材１０の複数の貫通部１４の各々の厚さ方向ｚの一方の端を塞いでいる。さらに、レジスト層５０の少なくとも一部は、支持部材１と透光樹脂６０との間に位置する。これにより、半導体装置Ａ１０の製造時に、流動状態の透光樹脂６０が複数の貫通部１４に漏れ出すことを防止できる。
【0065】
【0066】
図１１および図１２に基づき、本開示の第２実施形態にかかる半導体装置Ａ２０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０の同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１１は、理解の便宜上、透光樹脂６０を透過している。図１１が示す範囲は、図７が示す範囲と同一である。図１２が示す断面の位置および大きさは、図８が示す断面の位置および大きさと同一である。
【0067】
半導体装置Ａ２０においては、ダイパッド２２の第１ダイパッド２２１の構成が、先述した半導体装置Ａ１０の構成と異なる。
【0068】
図１１に示すように、半導体装置Ａ２０の第１ダイパッド２２１においては、厚さ方向ｚに沿って視て、第１帯状部２３１のパッド辺２３１Ａが、第１素子３０１の第１縁３０Ａから離れて位置する。厚さ方向ｚに沿って視て、図１１に示すパッド辺２３１Ａを含む第１延長線Ｅ１に対して、パッド辺２３１Ａは、第３帯状部２３３に近づく側に位置する。このため、厚さ方向ｚに沿って視て、パッド辺２３１Ａは、第１素子３０１の周縁よりも内方に位置する区間を含む。これにより、厚さ方向ｚに沿って視てパッド辺２３１Ａと第１縁３０Ａとの間に挟まれ、かつ厚さ方向ｚにおいて基材１０と第１素子３０１との間に挟まれた領域には、透光樹脂６０の一部が入り込んでいる（図１２参照）。さらに、厚さ方向ｚに沿って視て、第１帯状部２３１の凸部２３１Ｂの面積は、先述した半導体装置Ａ１０の当該面積よりも小である。
【0069】
次に、半導体装置Ａ２０の作用効果について説明する。
【0070】
半導体装置Ａ２０は、導電性を有するとともに、ダイパッド２２（第１ダイパッド２２１）と半導体素子３０（第１素子３０１）とを接合する接合層３９（第１接合層３９１）を備える。厚さ方向ｚに沿って視て、配線２０に含まれるダイパッド２２（第１ダイパッド２２１）は、半導体素子３０（第１素子３０１）の周縁に包含される第１領域２２Ａと、第１領域２２Ａにつながり、かつ半導体素子３０の当該周縁から外方にはみ出した第２領域２２Ｂとを含む。厚さ方向ｚに沿って視て、ワイヤ４０（第２ワイヤ４０２）は、第２領域２２Ｂから離れて位置する。したがって、半導体装置Ａ２０によっても、半導体素子３０を配線２０に接合するために用いられる接合層３９からのイオンマイグレーションを抑制することが可能となる。
【0071】
図１３および図１４に基づき、本開示の第３実施形態にかかる半導体装置Ａ３０について説明する。これらの図において、先述した半導体装置Ａ１０の同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。図１３は、理解の便宜上、透光樹脂６０を透過している。図１３が示す範囲は、図７が示す範囲と同一である。図１４が示す断面の位置および大きさは、図８が示す断面の位置および大きさと同一である。
【0072】
半導体装置Ａ３０においては、ダイパッド２２の第１ダイパッド２２１の構成が、先述した半導体装置Ａ１０の構成と異なる。
【0073】
図１３に示すように、半導体装置Ａ３０の第１ダイパッド２２１においては、厚さ方向ｚに沿って視て、第１帯状部２３１のパッド辺２３１Ａが、第１素子３０１の第１縁３０Ａから離れて位置する。厚さ方向ｚに沿って視て、図１３に示すパッド辺２３１Ａを含む第１延長線Ｅ１に対して、パッド辺２３１Ａは、第３帯状部２３３から遠ざかる側に位置する。これにより、半導体装置Ａ３０においては、厚さ方向ｚに沿って視て、第１帯状部２３１は、第１素子３０１の第１縁３０Ａよりも外方に突出した領域、すなわち第２領域２２Ｂを有する（図１３および図１４参照）。厚さ方向ｚに沿って視て、当該領域は、第２ワイヤ４０２に重なっている。半導体装置Ａ３０の説明において「第１縁３０Ａよりも外方」とは、図１３に示す半導体素子３０の第２素子３０２を含む第２延長線Ｅ２に沿った方向において、第１縁３０Ａよりも外方であることを意味する。
【0074】
図１３に示すように、半導体装置Ａ３０の第１ダイパッド２２１は、先述した半導体装置Ａ１０の第１ダイパッド２２１と異なり、凸部２３１Ｂに替えて第１凸部２３１Ｃおよび第２凸部２３１Ｄを有する。第１凸部２３１Ｃおよび第２凸部２３１Ｄは、第２領域２２Ｂである。厚さ方向ｚに沿って視て、第１凸部２３１Ｃは、第２ワイヤ４０２に重なっている。第２凸部２３１Ｄは、第１凸部２３１Ｃにつながっている。厚さ方向ｚに沿って視て、図１３に示す第１素子３０１の第２縁３０Ｂを含む第２延長線Ｅ２は、第１凸部２３１Ｃと第２凸部２３１Ｄとの境界をなしている。
【0075】
図１３に示すように、厚さ方向ｚに沿って視て、第１帯状部２３１においては、第１凸部２３１Ｃの周縁、および第２凸部２３１Ｄの周縁は、それぞれパッド辺２３１Ａの一部を含む。厚さ方向ｚに沿って視て、図１３に示すパッド辺２３１Ａを含む第１延長線Ｅ１は、第２帯状部２３２と交差している。これにより、厚さ方向ｚに沿って視て、第１素子３０１の第１縁３０Ａよりも外方に突出した第１凸部２３１Ｃの突出量Ｐ１は、第１縁３０Ａよりも外方に突出した第２帯状部２３２の突出量Ｐ２よりも小である。
【0076】
次に、半導体装置Ａ３０の作用効果について説明する。
【0077】
半導体装置Ａ３０のダイパッド２２（第１ダイパッド２２１）は、第１帯状部２３１、第２帯状部２３２および第３帯状部２３３を有する。第１帯状部２３１、第２帯状部２３ ２および第３帯状部２３３の各々は、第１領域２２Ａおよび第２領域２２Ｂを含む。第２帯状部２３２は、第１帯状部２３１の幅方向Ｂの一端につながっている。第３帯状部２３３は、第１帯状部２３１の幅方向Ｂの他端につながっている。第２帯状部２３２と第３帯状部２３３とに挟まれた第１帯状部２３１の部分は、第１領域２２Ａである。これにより、厚さ方向ｚに沿って視て、ダイパッド２２は、Ｘ字状をなすとともに、ダイパッド２２の中央は、半導体素子３０（第１素子３０１）に重なっている。
【0078】
上述の構成において、厚さ方向ｚに沿って視て、ワイヤ４０（第２ワイヤ４０２）は、第１帯状部２３１に重なっている。厚さ方向ｚに沿って視て、第１帯状部２３１の周縁は、ワイヤ４０と交差するパッド辺２３１Ａを含むとともに、パッド辺２３１Ａを含む第１延長線Ｅ１（図１３参照）は、第２帯状部２３２と交差している。これにより、厚さ方向ｚに沿って視て、第２領域２２Ｂに重なるワイヤ４０の区間の長さをできるだけ小とすることができる。このため、接合層３９（第１接合層３９１）の一部が当該第２領域２２Ｂの上に位置する場合であっても、当該接合層３９の一部の体積が比較的僅かなものとなるため、接合層３９からのイオンマイグレーションによりワイヤ４０に金属粒子が析出することを抑制できる。
【0079】
半導体装置Ａ３０においては、第１帯状部２３１は、第１凸部２３１Ｃおよび第２凸部２３１Ｄを有する。第１凸部２３１Ｃおよび第２凸部２３１Ｄは、第２領域２２Ｂである。厚さ方向ｚに沿って視て、第１凸部２３１Ｃは、ワイヤ４０に重なっている。第２凸部２３１Ｄは、第２凸部２３１Ｄにつながっている。厚さ方向ｚに沿って視て、半導体素子３０の第２縁３０Ｂを含む第２延長線Ｅ２（図１３参照）は、第１凸部２３１Ｃと第２凸部２３１Ｄとの境界をなしている。厚さ方向ｚに沿って視て、第１凸部２３１Ｃの面積は、第２凸部２３１Ｄの面積よりも小である。これにより、第１凸部２３１Ｃおよび第２凸部２３１Ｄの上に接合層３９の一部が位置する場合であっても、当該接合層３９の一部の体積の大半を第２凸部２３１Ｄの上に位置させることができる。このため、第１凸部２３１Ｃの上に位置する当該接合層３９の体積は、ごく僅かなものとなる。したがって、接合層３９からのイオンマイグレーションを、より効果的に抑制することができる。
【0080】
本開示にかかる配線２０は、主に電解めっきにより形成された複数の金属層からなる。この他に、配線２０は、たとえばリードフレームから形成されたものでもよい。
【0081】
本開示は、先述した実施形態に限定されるものではない。本開示の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【0082】
Ａ１０，Ａ１１，Ａ１２，Ａ２０，Ａ３０：半導体装置
１：支持部材
１０：基材
１１：主面
１２：底面
１３：側面
１４：貫通部
２０：配線
２１：パッド
２１１：第１パッド
２１２：第２パッド
２１３：第３パッド
２１４：第４パッド
２２：ダイパッド
２２１：第１ダイパッド
２２２：第２ダイパッド
２２Ａ：第１領域
２２Ｂ：第２領域
２３１：第１帯状部
２３１Ａ：パッド辺
２３１Ｂ：凸部
２３１Ｃ：第１凸部
２３１Ｄ：第２凸部
２３２：第２帯状部
２３３：第３帯状部
２８：端子
２９：側面端子
３０：半導体素子
３０１：第１素子
３０２：第２素子
３０Ａ：第１縁
３０Ｂ：第２縁
３１：第１導電層
３２：第２導電層
３３：ｐ型半導体層
３４：ｎ型半導体層
３５：活性層
３９：接合層
３９１：第１接合層
３９２：第２接合層
４０：ワイヤ
４０１：第１ワイヤ
４０２：第２ワイヤ
４１：第１接合部
４２：第２接合部
５０：レジスト層
６０：透光樹脂
Ｅ１：第１延長線
Ｅ２：第２延長線
Ｐ１，Ｐ２：突出量
ｚ：厚さ方向
ｘ：第１方向
ｙ：第２方向
Ｌ：長さ方向
Ｂ：幅方向
１：支持部材
１０：基材
１１：主面
１２：底面
１３：側面
１４：貫通部
２０：配線
２１：パッド
２１１：第１パッド
２１２：第２パッド
２１３：第３パッド
２１４：第４パッド
２２：ダイパッド
２２１：第１ダイパッド
２２２：第２ダイパッド
２２Ａ：第１領域
２２Ｂ：第２領域
２３１：第１帯状部
２３１Ａ：パッド辺
２３１Ｂ：凸部
２３１Ｃ：第１凸部
２３１Ｄ：第２凸部
２３２：第２帯状部
２３３：第３帯状部
２８：端子
２９：側面端子
３０：半導体素子
３０１：第１素子
３０２：第２素子
３０Ａ：第１縁
３０Ｂ：第２縁
３１：第１導電層
３２：第２導電層
３３：ｐ型半導体層
３４：ｎ型半導体層
３５：活性層
３９：接合層
３９１：第１接合層
３９２：第２接合層
４０：ワイヤ
４０１：第１ワイヤ
４０２：第２ワイヤ
４１：第１接合部
４２：第２接合部
５０：レジスト層
６０：透光樹脂
Ｅ１：第１延長線
Ｅ２：第２延長線
Ｐ１，Ｐ２：突出量
ｚ：厚さ方向
ｘ：第１方向
ｙ：第２方向
Ｌ：長さ方向
Ｂ：幅方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】